Podstawowym prawem opisującym przepływ prądu przez materiał jest prawo Ohma, o makroskopowej postaci: V R (1.1)

Podobne dokumenty
Laboratorium Półprzewodniki Dielektryki Magnetyki Ćwiczenie nr 11 Badanie materiałów ferromagnetycznych

Laboratorium Nowoczesna Diagnostyka Materiałowa Pomiar materiałów magnetycznie miękkich

Ekscytony Wanniera Motta

( t) UKŁADY TRÓJFAZOWE

Przedmiotowy system oceniania z fizyki w klasie II rok szkolny 2016/2017

Zjonizowana cząsteczka wodoru H 2+ - elektron i dwa protony

Uogólnione wektory własne

Wykład VIII: Odkształcenie materiałów - właściwości sprężyste

ĆWICZENIE J15. Celem ćwiczenia jest zbadanie efektu Comptona poprzez pomiar zależności energii rozproszonych kwantów gamma od kąta rozproszenia.

Definicja: Wektor nazywamy uogólnionym wektorem własnym rzędu m macierzy A

Zjawisko fotoelektryczne zewnętrzne

Podstawy fizyki subatomowej

Fizyka promieniowania jonizującego. Zygmunt Szefliński

Sieci neuronowe - uczenie

Laboratorium Półprzewodniki Dielektryki Magnetyki Ćwiczenie nr 11 Badanie materiałów ferromagnetycznych

Komitet Główny Olimpiady Fizycznej, Waldemar Gorzkowski: Olimpiady fizyczne XXIII i XXIV. WSiP, Warszawa 1977.

Obserwacje świadczące o dyskretyzacji widm energii w strukturach niskowymiarowych

ZASTOSOWANIE METODY GRAFÓW WIĄZAŃ DO MODELOWANIA PRACY ZESPOŁU PRĄDOTWÓRCZEGO W SIŁOWNI OKRĘTOWEJ

DYNAMICZNA ELIMINACJA DRGAŃ MECHANICZNYCH

Przykład 1 modelowania jednowymiarowego przepływu ciepła

Termodynamika. Część 10. Elementy fizyki statystycznej klasyczny gaz doskonały. Janusz Brzychczyk, Instytut Fizyki UJ

CHARAKTERYSTYKA OBCIĄŻENIOWA

ZASTOSOWANIE REGRESJI LOGISTYCZNEJ DO OKREŚLENIA PRAWDOPODOBIEŃSTWA SPRZEDAŻY ZASOBU MIESZKANIOWEGO

Fizyka w doświadczeniach

Wykład 6 Pochodna, całka i równania różniczkowe w praktycznych zastosowaniach w elektrotechnice.

Szeregowy obwód RC - model matematyczny układu

Farmakokinetyka furaginy jako przykład procesu pierwszego rzędu w modelu jednokompartmentowym zawierającym sztuczną nerkę jako układ eliminujący lek

PROTOKÓŁ POMIAROWY LABORATORIUM OBWODÓW I SYGNAŁÓW ELEKTRYCZNYCH Grupa Podgrupa Numer ćwiczenia

Wykład FIZYKA II. 9. Optyka - uzupełnienia. Dr hab. inż. Władysław Artur Woźniak

Elektrony, kwanty, fotony

Elektroniczne systemy bezpieczeństwa mogą występować w trzech rodzajach struktur. Są to struktury typu: - skupionego, - rozproszonego, - mieszanego.

Metoda Elementów Skończonych w Modelowaniu Układów Mechatronicznych. Układy prętowe (Scilab)

w rozrzedzonych gazach atomowych

Fotometria i kolorymetria

Model Atomu Bohra. Część 2

MODELOWANIE STATYCZNEJ PĘTLI HISTEREZY MATERIAŁU MAGNETYCZNIE MIĘKKIEGO

Analiza danych jakościowych

Wykład 4 i 5 Prawo Gaussa i pole elektryczne w materii. Pojemność.

Półprzewodnikowe elementy aktywne.

Fizyka promieniowania jonizującego. Zygmunt Szefliński

Fizyka w doświadczeniach

Dielektryki polaryzację dielektryka Dipole trwałe Dipole indukowane Polaryzacja kryształów jonowych

Wykład 25. Kwantowa natura promieniowania

Indywidualna Pracownia Elektroniczna 2013/2014. Indywidualna Pracownia Elektroniczna Badanie diod półprzewodnikowych 8-X

Fotometria i kolorymetria

2. Architektury sztucznych sieci neuronowych

4) lim. lim. lim. lim. lim. x 3. e e. lim. lim x. lim. lim. lim. lim 2. lim. lim. lim. Zadanie 1 Wyznacz dziedziny następujących funkcji: log x.

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH załącznik 1 do ćwiczenia nr 6

LABORATORIUM PODSTAW SILNIKÓW I NAPĘDÓW SPALINOWYCH. Ćwiczenie 2 POMIARY PODSTAWOWYCH PARAMETRÓW PRACY SILNIKÓW SPALINOWYCH

ZASTOSOWANIA POCHODNEJ

Rachunek Prawdopodobieństwa MAP1151, 2011/12 Wydział Elektroniki Wykładowca: dr hab. Agnieszka Jurlewicz

11. Zjawiska korpuskularno-falowe

warunkiem pojawienia się prądu elektrycznego jest istnienie pola elektrycznego i obecność w jego obszarze ładunków swobodnych.

POLITECHNIKA GDAŃSKA Wydział Elektrotechniki i Automatyki Katedra Energoelektroniki i Maszyn Elektrycznych LABORATORIUM

CWICZ Nr 1 UKŁAD NAPĘDOWY Z SILNIKIEM WYKONAWCZYM PRĄDU STAŁEGO STEROWANYM IMPULSOWO Z PRZEKSZTAŁTNIKA TRANZYSTOROWEGO

Ćwiczenie 4. Realizacja programowa dwupołożeniowej regulacji temperatury pieca elektrycznego

Ć W I C Z E N I E N R E-14

ASY PALI. Tadeusz Uhl*, Maciej Kaliski*, Łukasz Sękiewicz* *Akademia Górniczo - Hutnicza w Krakowie STRESZCZENIE SŁOWA KLUCZOWE: NR 59-60/2007

SPEKTROSKOPIA ATOMOWA I MOLEKULARNA LABORATORIUM

PLAN WYKŁADU. Równanie Clausiusa-Clapeyrona 1 /21

Temat: Pochodna funkcji. Zastosowania

Masy atomowe izotopów. turalabundance.pdf

.pl KSIĄŻKA ZNAKU. Portal Kulturalny Warmii i Mazur. Przygotował: Krzysztof Prochera. Zatwierdził: Antoni Czyżyk

MODELOWANIE PRACY AKUMULATORÓW KWASOWO-OŁOWIOWYCH W STANACH DYNAMICZNYCH

FDA-12/FDA-12-T/FDA-12-M

JANOWSCY. Wielkości geometryczne i statyczne figur płaskich. ZESPÓŁ REDAKCYJNY: Dorota Szafran Jakub Janowski Wincenty Janowski

Źródła promieniotwórcze. Zjawisko promieniotwórczości

OCHRONA PRZECIWPOŻAROWA BUDYNKÓW

lim lim 4) lim lim lim lim lim x 3 e e lim lim x lim lim 2 lim lim lim Zadanie 1 Wyznacz dziedziny następujących funkcji: log x x 6x

Rachunek Prawdopodobieństwa MAP1064, 2008/09

REGULAMIN PSKO I. Kryteria i wymagania dla zawodników Optimist PSKO. II. Mistrzostwa PSKO. III. Puchar Polski PSKO

Wykład 8 ELEKTROMAGNETYZM

ENERGETYCZNE KRYTERIUM STANÓW GRANICZNYCH DLA MATERIAŁÓW KOMÓRKOWYCH

Zjawisko Zeemana (1896)

ZESPÓŁ B-D ELEKTROTECHNIKI

ZADANIA DO ĆWICZEŃ Z ELEMENTÓW ELEKTRONICZNYCH temat: Tranzystory bipolarne

Przykłady procesów nieodwracalnych: wyrównywanie się temperatur, gęstości i różnicy potencjałów.

Wzmacniacz tranzystorowy

Oddziaływania. Diagramy Feynmana. Równanie Diraca. Symetrie. Elementy kwantowej elektrodynamiki (QED) D. Kiełczewska, wykład4

Przewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki

OBLICZANIE EFEKTYWNEJ PRZEWODNOŚCI CIEPLNEJ KOMPOZYTÓW WŁÓKNISTYCH W PRZYPADKU NIEUSTALONEGO PRZEPŁYWU CIEPŁA

Oddziaływanie elektronu z materią

Wyznaczanie stosunku e/m dla elektronu.

gdzie: E ilość energii wydzielona z zamiany masy na energię m ubytek masy c szybkość światła w próŝni (= m/s).

Ćw. 27. Badanie właściwości statystycznych elektronów emitowanych z katody lampy próżniowej

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH obliczanie załącznik 1 do ćwiczenia nr 7

Funkcja nieciągła. Typy nieciągłości funkcji. Autorzy: Anna Barbaszewska-Wiśniowska

GENERATOR WIELKIEJ CZĘSTOTLIWOŚCI BADANIE ZJAWISK TOWARZYSZĄCYCH NAGRZEWANIU DIELEKTRYKÓW

WPŁYW PARAMETRÓW OŚRODKA SPRĘŻYSTO-LEPKIEGO NA KONWERGENCJĘ POWIERZCHNIOWĄ PROSTOKĄTNEGO CHODNIKA NA PODSTAWIE BADAŃ MODELOWYCH

ZESZYTY NAUKOWE UNIWERSYTETU SZCZECIŃSKIEGO NR 760 FINANSE, RYNKI FINANSOWE, UBEZPIECZENIA NR

Podstawy fizyki wykład 8

Momentem dipolowym ładunków +q i q oddalonych o 2a (dipola) nazwamy wektor skierowany od q do +q i o wartości:

Eikonał Optyczny.doc Strona 1 z 6. Eikonał Optyczny

PARCIE GRUNTU. Przykłady obliczeniowe. Zadanie 1.

Wielkości i jednostki promieniowania w ujęciu energetycznym i fotometrycznym

Zagadnienie statyki kratownicy płaskiej

PTPN ćwiczenie 3. (NC6) Pomiary widma efektu fotoelektrycznego

Przejścia międzypasmowe

Transkrypt:

11. Właściwości lktryczn Nizwykl istotnym aspktm funkcjonalnym matriałów, są ich właściwości lktryczn. Mogą być on nizwykl różnorodn, prdysponując matriały do nizwykl szrokij gamy zastosowań. Najbardzij lmntarny podział matriałów z względu na zdolność przwodznia to podział na przwodniki i izolatory (znan takż jako dilktryki). Zanim jdnak przjdzimy do ich właściwości, zdfiniujmy podstawow pojęcia związan z przpływm ładunku lktryczngo przz matriał. 11.1. Oporność i przwodnictwo Podstawowym prawm opisującym przpływ prądu przz matriał jst prawo Ohma, o makroskopowj postaci: V R (1.1) I gdzi: R - opór, V - napięci, I - prąd. Wilkością charaktryzującą opór matriału jst oporność właściwa: A R (1.2) L gdzi: A - powirzchnia przkroju matriału, L - długość lmntu. Zdolność matriału do przwodznia możmy opisać wykorzystując przwodnictwo lktryczn, będąc odwrotnością oporności: 1 (1.3) Przwodnictwo lktryczn możmy bzpośrdnio powiązać z ruchm nośników prądu w matrial, poprzz zalżność: n (1.4) gdzi: n - gęstość lktronów (liczba lktronów przwodzących na jdnostkę objętości), μ - ruchliwość lktronów, - ładunk lmntarny. Warto tu wspomnić, ż w przypadku mtali, przwodnictwo cipln λ oraz lktryczn mogą zostać z sobą bzpośrdnio powiązan, jako ż oba t zjawiska bazują na obcności wolnych lktronów. Zalżność tą można wyrazić za pomocą prawa Widmanna-Franza: LT (1.5) gdzi: L - stała Lorntza 2.44 10 W K 8 2. 11.2. Właściwości dilktryczn Każdy ładunk lktryczny wytwarza wokół sibi pol lktryczn E. Szczgólnym przypadkim wykorzystania tgo fktu jst kondnsator, zbudowany z dwóch przciwni

naładowanych płytk, oddalonych na odlgłość t. Pol lktryczn wytwarzan przz tn układ pod wpływm potncjału V wynosi: V E (1.6) t Aby zwiększyć zdolność kondnsatora do gromadznia ładunku, możmy pomiędzy t dwi okładki wstawić dilktryk. Magazynowany ładunk możmy okrślić jako: gdzi C - pojmność kondnsatora. Paramtr tn dfiniujmy jako: Q CV (1.7) A C r 0 (1.8) t gdzi: ε 0 - prznikalność dilktryczna próżni, ε r - prznikalność względna dilktryka, A - powirzchnia okładki. Zgromadzni ładunku jst oczywiści równoznaczn z zgromadznim pwnj nrgii. Wyrażamy ją wzorm: 1 1 QV 2 2 2 CV (1.9) Z kondnsatorm związan jst jszcz jdno istotn pojęci - przbici. Jgo nastąpini oznacza, ż nrgia pola lktryczngo dostarczona do dilktryka była na tyl duża, aby wyrwać lktron z atomu. Zostaj on następni przyspiszony przz pol i ulga koljnym zdrzniom z dalszymi atomami, wyrywając koljn lktrony. Procs tn prowadzi do trwałgo zniszcznia matriału. W przypadku gdy napięci podłączon do kondnsatora ma charaktr oscylacyjny, będzi ono prowadziło do zmian w rozkładzi ładunków wwnątrz dilktryka. Procs tn wiąż się z dyssypacją nrgii, o którj świadczy przsunięci fazow pomiędzy napięcim a prądm w układzi, wynosząc δ. Tangns tgo przsunięcia, nazywamy współczynnikim strat dilktrycznych tg δ (altrnatywni D). Dodatkowym paramtrm jst tutaj tzw. powr factor P i, wynoszący sin δ. Dla małych wartości δ możmy zapisać: Możmy równiż zdfiniować współczynnik L: P D tan sin (1.10) i L tan (1.11) r Moc dyssypowana przz kondnsator będący w oscylującym polu lktrycznym o amplitudzi E oraz częstotliwości f dana jst równanim: 11.3. Typy matriałów lktrycznych 2 P fe 0 r tan (1.12)

Jak powidziliśmy wczśnij, podstawowy podział matriałów lktrycznych to podział na przwodniki i izolatory. Ta druga grupa jdnak, moż zostać podzilona na szrg dalszych podgrup, co przdstawion zostało na poniższym schmaci: Rys. 11.1. Podział matriałów z względu na właściwości lktryczn. Szczgólnym przypadkim przwodnika jst nadprzwodnik. Nadprzwodnictwm nazywamy stan matriału, w którym jgo rzystancja wynosi zro. Chyba najbardzij istotnym paramtrm jst w przypadku tych matriałów tmpratura przjścia w stan nadprzwodnictwa. Toria nadprzwodników zdcydowani wykracza poza ramy naszgo przdmiotu, więc ni będzimy się w nią zagłębiać. Wszystki izolatory są dilktrykami. W zrowym polu lktrycznym, ich lktrony i protony rozmiszczon są symtryczni, co oznacza, ż matriał ni posiada wypadkowgo momntu dipolowgo. W przypadku gdy pojawia się zwnętrzn pol, na naładowan cząstki zaczyna działać siła, która prowadzi do przmiszcznia się ładunku. Najprostszym przykładm moż być tu kryształ jonowy: Rys. 11.2. Rozmiszczni ładunków w krysztal jonowym a) przy braku pola b) przy obcności zwnętrzngo pola lktryczngo. Rozsparowani ładunków na odlgłość Δx prowadzi do powstania momntu dipolowgo d:

Całkowita polaryzacja matriału P wynosi wtdy: d q x (1.13) d P (1.14) objętosć Pizolktrykami nazywamy dilktryki, w których pod wpływm naprężń mchanicznych, gnruj si powirzchniowy ładunk lktryczny. Matriały tgo typu przjawiają takż tzw. odwrotny fkt pizolktryczny - pod wpływm przyłożongo pola lktryczngo, wymiary kryształu ulgają zmiani. Rys. 11.3. a) Schmat struktury pizolktryka. Widoczny asymtryczny rozkład ładunku, nadający naturalny momnt dipolowy. b) Gnrowani się pola lktryczngo pod wpływm przyłożonj siły c) Zmiana wymiarów kryształu pod wpływm zwnętrzngo pola. Pirolktrykami nazywamy dilktryki, któr posiadają zdolność gnrowania siły lktromotorycznj pod wpływm zmian tmpratury. Nalży tu podkrślić, ż w przciwiństwi do trmolktryków, ni wymagają on gradintu tmpratury. Ich struktura cchuj się komórką lmntarną bz środka symtrii (są więc pizolktrykami), al posiadają bigunow osi symtrii. Posiadają on spontaniczną polaryzację P s, która ulga zmiani jśli kryształ ulgni podgrzaniu - kryształ wtdy rozszrza się, co prowadzi do zmiany momntu dipolowgo oraz polaryzacji, co z koli powoduj rdystrybucję ładunków a co za tym idzi przpływ prądu. Frrolktryki to dilktryki, będąc szczgólnym przypadkim pizolktryków (i pirolktryków). Ponowni, posiadają on asymtryczną strukturę (mają prmanntny momnt dipolowy), która to jdnak asymtria moż ulgać zmiani. Przykładm takigo matriału moż być BaTiO 3, przdstawiony schmatyczni poniżj:

Rys. 11.4. a) i b) kwiwalntn asymtryczn pozycj jonu tytanu c) zanik asymtrii powyżj tmpratury Curi Jak można zauważyć, poniżj tak zwanj tmpratury Curi T C, jon tytanu jst przsunięty względm środka komórki. Powyżj tj granicy, asymtria zanika, a wraz z nią momnt dipolowy. Przy braku zwnętrzngo pola lktryczngo frrolktryki dzilą się na domny, w których dipol zorintowan są w jdnym kirunku. W obcności pola, domny zaczynają się rozrastać, aż do momntu gdy cały kryształ jst jdnakowo spolaryzowany - jst to tak zwany stan nasycnia, którmu odpowiada polaryzacja nasycnia P max. Jśli zdjmimy traz pol lktryczn, próbka nadal będzi cchowała się pwną polaryzacją rsztkową. Aby ją zniwlować, koniczni jst przyłożni pola korcji E C. Rys. 11.5. Pętla histrzy frrolktrycznj.