Wzmacniacz tranzystorowy
|
|
- Iwona Majewska
- 8 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Wydział Elktroniki Mikrosystmów i Fotoniki Opracował zspół: Mark Pank, Waldmar Olszkiwicz, yszard Korbutowicz, wona Zborowska-Lindrt, Bogdan Paszkiwicz, Małgorzata Kramkowska, Zdzisław Synowic, Bata Ściana, rna Zubl, Tomasz Ohly, Bogusław Boratyński Ćwiczni nr 6 Wzmacniacz tranzystorowy. Zagadninia do samodzilngo przygotowania - haraktrystyki i paramtry tranzystora bipolarngo, - kłady polaryzacji tranzystora, - Podstawowy układ wzmacniacza WE, - Prosta pracy i wybór punktu pracy tranzystora, - Modl zastępczy i paramtry h ij tranzystora. - Wzmocnini i pasmo prznosznia wzmacniacza,. Program zajęć - Projkt układu polaryzacji stałoprądowj wzmacniacza m.cz. WE. - Montaż wzmacniacza i pomiar paramtrów punktu pracy. - Pomiar wzmocninia napięciowgo w paśmi częstotliwości.. Litratura. Notatki z WYKŁAD 2. W. Marciniak - Przyrządy półprzwodnikow i układy scalon 3. A. Guziński - Liniow lktroniczn układy analogow, Wykonując pomiary PZESTZEGAJ przpisów BHP związanych z obsługą urządzń lktrycznych.
2 . Wiadomości wstępn. Wzmacniacz napięciowy m.cz., WE kład wzmacniacza tranzystorowgo m.cz. w układzi wspólngo mitra (WE) z stałoprądowym sprzężnim zwrotnym zapwniającym stabilizację punktu pracy przdstawiony jst na rysunku. ys. Schmat układu wzmacniacza m.cz. w układzi WE. Jst to wzmacniacz z pojmnościowym sprzężnim sygnału (kondnsator łączy źródło sygnału z wjścim wzmacniacza) oraz stabilizacją punktu pracy na rzystorz. Dzilnik 2 napięciowy / 2 zapwnia stałą polaryzację bazy napięcim B. + 2 Napięci B wynikając z dzilnika rzystorowgo jst stał, o il prąd dzilnika D jst dużo większy od prądu bazy B, np. D 0 B (wówczas można zanidbać istnijący rozpływ prądów w węźl bazy). Ewntualn zmiany napięcia na rzystorz mitrowym (np. wzrost wartości prądu E ) powodują zmianę (wzrost) potncjału mitra ( E E ) i w fkci zmnijszni napięcia BE, ( BE B E ) co skutkuj powstanim ujmngo sprzężnia zwrotngo dla prądu stałgo E w obwodzi wyjściowym tranzystora. Przykładowo, jżli prąd mitra wzrasta (np. na skutk wzrostu tmpratury) o wartość E to fkt ujmngo sprzężnia można zobrazować następująco: dla ustalongo prądu B const. E E E BE E Kondnsator, o małym modul impdancji w stosunku do wartości rzystora, powoduj praktyczni zwarci rzystora dla sygnałów zminnych. Tak więc układ dla wzmacniania sygnałów małych częstotliwości jst układm z wspólnym mitrm, WE (bz rzystora mitrowgo). naczj mówiąc, dzięki kondnsatorowi ni istnij sprzężni zwrotn dla sygnałów zminnych na rzystorz. 2
3 Wzmacniani sygnałów wygodni jst omawiać posługując się charaktrystykami wyjściowymi tranzystora, na których nanosimy prostą pracy (rys.2). Prosta pracy wynika z zadanj wartości rzystora c, oraz napięcia zasilania. zystor c nazywany jst takż obciążnim (ang. load) L Zauważ, ż maksymaln napięci w układzi wzmacniacza (przy wyjętym tranzystorz) wynosi, a maksymalny prąd płynący w układzi (przy zwartym tranzystorz) wynosi: MAX. Prosta łącząca t punkty w układzi współrzędnych c + f( E ) to tzw. statyczna prosta pracy, czyli obliczona dla prądu stałgo. Dla omawiango wzmacniacza statyczna prosta pracy (dla prądu stałgo nalży uwzględnić rzystor ) dana jst równanim: E c Natomiast dla sygnałów zminnych równani dynamicznj prostj pracy wygląda następująco (ni uwzględniamy traz rzystora ): E E + c Prost pracy powinny lżć w obszarz dopuszczalnych napięć i prądów tranzystora, tak jak to przdstawiono na rysunku 2. Prosta pracy dla prądu stałgo oznaczona jst linią przrywaną, prosta pracy dla prądu zminngo linią ciągłą. Tą ostatnią wykorzystujmy do analizy wzmocninia układu. c c - E MAX max + > max Q P max B paramtr obszar nasycnia E>E max obszar odcięcia E (- E ) E max E ys. 2. haraktrystyki wyjściow z nanisionymi prostymi pracy: statyczną i dynamiczną. Punkt pracy Q(, E ) tranzystora musi znajdować się na prostj pracy w obszarz aktywnj pracy tranzystora. Jżli układ ma wzmacniać sygnał o dużj amplitudzi, to prąd kolktora w punkci pracy powinin wynosić około /2 prądu maksymalngo MAX, wówczas napięci E w punkci pracy będzi wynosiło około /2 napięcia zasilania. 3
4 .2 Przykład obliczania projktowango układu wzmacniacza ) Przyjmujmy napięci zasilania 2) Przyjmujmy, ż spadk napięcia na rzystorz powinin wynosić 0,2. Ważność tgo założnia wyjaśniono w p.8 3) Wybiramy punkt pracy tak aby E ~ c czyli spadk napięcia na tranzystorz jst porównywalny z spadkim napięcia na rzystorz kolktorowym. 4) Zakładając, ż ~ E dla h 2 >50 (dla wygody zakładamy h 2 00) obliczamy wartość prądu w obwodzi wyjściowym tranzystora: 0, 2 Natomiast jśli mamy zaprojktować wzmacniacz dla zadango prądu, możmy obliczyć wartość 0,2 5) Dobiramy wartość obciążnia c z równania prostj pracy: 2 (2.) obliczamy 2 (2.2) Jżli wartość rzystora obciążnia c jst dana, to sprawdzamy czy spłniony jst warunk: E 6) Obliczamy prąd bazy B w punkci pracy. Zakładamy wartość h 2 zgodną z odczytaną w katalogu dla dango tranzystora. Możmy zmirzyć wartość paramtru h 2 ( a takż h ) w założonym punkci pracy, za pomocą dostępngo w laboratorium mirnika paramtrów h. Prąd bazy w punkci pracy: B h 2 (2.3) 7) Obliczmy wartości rzystorów dzilnika napięcia, 2. Prąd dzilnika rzystorowgo polaryzacji bazy powinin być większy od prądu bazy (przynajmnij 0 razy) aby chwilowa zmiana prądu bazy(na skutk zmiany amplitudy sygnału) ni wpływała silni na zmianę prądu dzilnika, a przz to na zmianę potncjału bazy B : D B czyli + 0 (2.4) 2 B 4
5 Potncjał bazy w punkci pracy wynosi B BE + E zakładając BE 0,65 V (tranzystor krzmowy) oraz E otrzymujmy: dla h 2 >> , 65V + poniważ B << zalżność (2.5) można uprościć (2.5) dla 2 << ; 2 + 0, 65V + 2 (2.6) Z zalżności (2.4) i (2.6) obliczamy wartości, 2. W praktyc, jśli dokładni mamy dobrać położni punktu pracy, wygodnij jst obliczyć i wpiąć rzystor, a jako 2 zastosować potncjomtr, który pozwoli na prcyzyjn ustalni potncjału B i prądu B dla indywidualngo tranzystora. 8) Sprawdzni stabilności trmicznj punktu pracy (dobór rzystora ): Poniważ B const. oraz BE + B to zmiany (przyrosty): BE - - BE BE BE (2.7) Zakładając zmiany tmpratury np. w granicach 0-50, T 50 K otrzymujmy BE 50 K (-2 mv/k) -00 mv gdzi: -2 mv/k wsp. tmpraturowy napięcia na złączu p-n jżli żądamy aby, < 0 to V Dla 5 V stanowi to 0,2, dla wyższych odpowidnio mnij. 5
6 .3 haraktrystyka częstotliwościowa wzmacniacza Dfiniuj się 3-dcyblow pasmo prznosznia częstotliwości, f 3dB ograniczon częstotliwościami charaktrystycznymi: dolną f d (lub f L ) i górną f g (lub f H ). W zakrsi tych częstotliwości moduł wzmocninia K u zmnijsza się ni więcj niż o 3 db od wartości ustalonj K 0. Oś rzędnych wygodni jst opisać w dcyblach: K u [db] 20lg K u [V/V]. Jak można wyliczyć, spadk wzmocninia o 3dB oznacza spadk bzwzględnj wartości wzmocninia do wartości 0,7 K 0. Wyjaśnini tych zalżności przdstawiono na rys.3. V [ V [ 00 3dB Ku [db] 40 K f 3dB f[hz] f d ys.3 Typowa charaktrystyka częstotliwościowa modułu wzmocninia wzmacniacza tranzystorowgo z sprzężnim pojmnościowym Dla wzmacniacza z pojdynczym tranzystorm spadk wzmocninia powinin wynosić 20dB na dkadę częstotliwości f. f g.4 Obliczani wzmocninia z analizy układu zastępczgo wzmacniacza Wzmocnini napięciow wzmacniacza dla małych sygnałów moż być wyznaczon analizując, przdstawiony na rys. 4, układ wzmacniacza z dwulmntowym modlm zastępczym tranzystora typu [h], odpowidnim dla sygnałów małych częstotliwości. W tym układzi symbol b, c, w, wy oznaczają napięcia sygnałów zminnych. ys.4 Schmat zastępczy układu wzmacniacza dla małych sygnałów m.cz. 6
7 ωt Wzmocnini napięciow (dokładnij, moduł wzmocninia) to iloraz amplitud sygnałów napięcia wyjściowgo i wjściowgo wzmacniacza: wy K u w Wzmocnini napięciow zalży wprost proporcjonalni od wzmocninia prądowgo tranzystora: h2 c h2 c Ku lub K u dla w h 2 >> h (2.8) gdzi: rzystancja wjściowa wzmacniacza w h 2 (równolgł połączni trzch rzystancji) waga: znak ujmny w wzorz oznacza odwrócni amplitud sygnałów, czyli zmianę fazy sygnału na wyjściu o 80 w stosunku do sygnału wjściowgo..5 Znikształcnia niliniow sygnału matriał uzupłniający. Tranzystor bipolarny jst przyrządm strowanym prądowo. haraktrystyka przjściowa f( B ) w szrokim zakrsi prądów jst liniowa. Jżli źródło sygnału ma charaktr prądowy (tzn.: gn >> w.wzm ) znikształcnia sygnału na wyjściu tranzystora są niwilki, poniważ prąd wyjściowy jst proporcjonalny do prądu wjściowgo i c h 2 i b. Natomiast przy strowaniu napięciowym, w b na skutk silnj niliniowości charaktrystyki wjściowj tranzystora B f( BE ), jak w wzorz Shockly a, powstają znikształcnia amplitudow prznoszongo sygnału, co przdstawiono graficzni na rysunku 5. u b BE ωt B i b B ωt i c ys.5 Graficzn przdstawini znikształcń niliniowych wzmacniango sygnału dla wjścia wzmacniacza strowango napięciowo. 7
8 Znikształcnia sygnału prądu kolktora są prznoszon na analogiczn znikształcnia napięcia wyjściowgo, c i c c. Można to dobrz obsrwować podczas pomiarów wzmocninia napięciowgo za pomocą oscyloskopu zwiększając amplitudę sygnału wjściowgo. 2. Pomiary Na płytc z układm wzmacniacza (ys. 6) moż występować tranzystor typu npn lub pnp. Sprawdź typ tranzystora i wynotuj jgo dan katalogow. Zastanów się, jaki zmiany polaryzacji układu wymusza okrślony typ tranzystora. Zamontowan na płytkach rzystory i c mają okrślon wartości. Można wybrać dowolny z nich lub równolgł połączni każdj z par. zystor polaryzacji bazy ma ustalona wartość. Potncjomtr 2 w dzilniku wjściowym umożliwia płynną rgulację potncjału bazy B i w związku z tym dokładną rgulację położnia punktu pracy tranzystora. 2. Montaż układu. Zadani polga na wybraniu i połączniu rzystorów zgodni z wytycznymi podanymi w rozdzial V, a następni sprawdzniu ustalongo punktu pracy za pomocą pomiarów napięć i prądów. Dla zastosowanych na płytc rzystorów, maksymalny prąd tranzystora ograniczony będzi do wartości kilku miliamprów (dla typowych napięć zasilania 9V-5V). + D Wy W B B E 2 ys.6 Schmat montażowy wzmacniacza WE Algorytm postępowania w clu uzyskania właściwgo punktu pracy: - stalamy napięci zasilania (np. cc 9V, 2V, 5V) Wybiramy rzystory i c (można przyjąć ~ 0,3 c ) i notujmy ich wartości Montujmy układ (ys. 6). Podłączamy woltomirz do zacisku mitra i mirzymy spadk napięcia, względm zacisku masy, na rzystorz. Jst on równy. Aby spłnić krytria doboru punktu pracy, rgulujmy potncjomtrm spadk napięcia ustalając jgo wartość na 0, 0,2. Obliczamy i notujmy ustaloną wartość prądu Mirzymy wartość napięcia E, BE oraz napięci na rzystorz c. Ewntualni korygujmy nastawą potncjomtru ustawini punktu pracy tak, aby spłniony był warunk E ~ (mogą być różnic do 20%). - Ponowni mirzymy i zapisujmy wartości napięć i prądu w pkt. pracy: E, BE, ysujmy schmat (ys.6) z oznacznim wartości rzystorów oraz zmirzonymi wartościami napięć i prądów 8
9 2.2 Pomiar wzmocninia napięciowgo wzmacniacza w ustalonym punkci pracy. Ni zminiając punktu pracy ustalongo poprzdnio podłączamy gnrator sygnałów m.cz. oraz oscyloskop jak pokazano na rys. 7. ys. 7 kład montażowy do pomiaru wzmocninia napięciowgo. Algorytm postępowania w clu pomiaru wzmocninia: stawiamy częstotliwość gnratora tak aby znajdowała się w założonym paśmi prznosznia badango wzmacniacza (np. f 0kHz) stawiamy amplitudę sygnału wjściowgo (kanał A) na takim poziomi aby amplituda sygnału wyjściowgo (kanał B) ni przkraczała 0,2 E, co powinno odpowiadać amplitudzi sygnału na wjściu b ni większj niż 26mV (mał sygnały zminn). Sprawdzamy wartość napięcia stałgo w punkci pracy ( E ) Mirzymy oscyloskopm amplitudy sygnałów wjściowgo i wyjściowgo. Obliczamy wzmocnini napięciow i porównujmy z wartością tortyczną obliczoną z wzoru (2.8). Dodatkowo: Można zaobsrwować znikształcnia sygnału zalżn od położnia punktu pracy (obcinani amplitudy), zminiając nastawini potncjomtru 2. Można zmirzyć wzmocnini po odłączniu z układu kondnsatora. Wtdy układ nosi nazwę ( WE+ ), a moduł wzmocninia jst równy c / i ni zalży od h 2 tranzystora. 2.3 Pomiar pasma prznosznia wzmacniacza. Mirzymy wzmocnini napięciow wzmacniacza dla sygnałów w zakrsi od 00Hz do MHz. Pomiar zaczynamy każdorazowo od częstotliwości 0kHz (w górę i w dół). Praktyczni rzcz biorąc, nalży znalźć częstotliwości, dla których obsrwujmy spadk wzmocninia do wartości 0,7 K u0 (nalży wyjaśnić to stwirdzni). ysujmy charaktrystykę prznosznia wzmacniacza i wyznaczamy 3dB pasmo prznosznia, f 3dB. Wykrs w współrzędnych K u f(f), skala logarytmiczna na obu osiach. 9
PROTOKÓŁ POMIAROWY LABORATORIUM OBWODÓW I SYGNAŁÓW ELEKTRYCZNYCH Grupa Podgrupa Numer ćwiczenia
PROTOKÓŁ POMAROWY LABORATORM OBWODÓW SYGNAŁÓW ELEKTRYCNYCH Grupa Podgrupa Numr ćwicznia 4 Nazwisko i imię Data wykonania ćwicznia Prowadzący ćwiczni 3. Podpis 4. Data oddania 5. sprawozdania Tmat CWÓRNK
PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH załącznik 1 do ćwiczenia nr 6
PMY MŁOSYGNŁOW NZYSOÓW POLNYH załącznik 1 do ćwznia nr 6 Wstęp Modl małosygnałow tranzystorów mają na l przdstawini tranzystora za pomocą obwod liniowgo. aka rprzntacja tranzystora pozwala na zastąpini
Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy
Ćwiczenie nr 65 Badanie wzmacniacza mocy 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych parametrów wzmacniaczy oraz wyznaczenie charakterystyk opisujących ich właściwości na przykładzie wzmacniacza
( t) UKŁADY TRÓJFAZOWE
KŁDY TRÓJFW kładm wilofazowym nazywamy zbiór obwodów lktrycznych (fazowych) w których działają napięcia żródłow sinusoidaln o jdnakowj częstotliwości przsunięt względm sibi w fazi i wytwarzan przważni
PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH obliczanie załącznik 1 do ćwiczenia nr 7
LMNY LKONZN LA.: Paramtry małosynałow tranz. bipolarnyc zał. 1 PAAMY MAŁOSYGNAŁOW ANZYSOÓW POLANYH oblzani załącznik 1 do ćwznia nr 7 Wstęp Modl małosynałow tranzystorów mają na cl przdstawini tranzystora
LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STDIA DZIENNE e LABOATOIM PZYZĄDÓW PÓŁPZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr Pomiar częstotliwości granicznej f T tranzystora bipolarnego Wykonując
LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE e LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 3 Pomiary wzmacniacza operacyjnego Wykonując pomiary PRZESTRZEGAJ
Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.
ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie
Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza
Dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego- ćwiczenie 8
Dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego- ćwiczenie 8 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego, oraz zapoznanie się z metodami wyznaczania charakterystyk częstotliwościowych.
Laboratorium Półprzewodniki Dielektryki Magnetyki Ćwiczenie nr 11 Badanie materiałów ferromagnetycznych
Laboratorium Półprzwodniki Dilktryki Magntyki Ćwiczni nr Badani matriałów frromagntycznych I. Zagadninia do przygotowania:. Podstawow wilkości charaktryzując matriały magntyczn. Związki pomiędzy B, H i
CWICZ Nr 1 UKŁAD NAPĘDOWY Z SILNIKIEM WYKONAWCZYM PRĄDU STAŁEGO STEROWANYM IMPULSOWO Z PRZEKSZTAŁTNIKA TRANZYSTOROWEGO
WIZ Nr 1 UKŁD NPĘDOWY Z SILNIKIE WYKONWZY PRĄDU STŁEGO STEROWNY IPULSOWO Z PRZEKSZTŁTNIK TRNZYSTOROWEGO 1.1. Program ćwicznia Wykonani ćwiczni objmuj następujący zakrs: - zapoznani się z silnikim wykonawczym
Szeregowy obwód RC - model matematyczny układu
Akadmia Morska w Gdyni Katdra Automatyki Okrętowj Toria strowania Mirosław Tomra Na przykładzi szrgowgo obwodu lktryczngo składającgo się z dwóch lmntów pasywnych: rzystora R i kondnsatora C przdstawiony
Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.
ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk
Systemy i architektura komputerów
Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Systemy i architektura komputerów Laboratorium nr 4 Temat: Badanie tranzystorów Spis treści Cel ćwiczenia... 3 Wymagania... 3 Przebieg ćwiczenia...
WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC
WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe właściwości jednostopniowego wzmacniacza pasmowego z tranzystorem bipolarnym. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru częstotliwości
Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych
Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału
ZESPÓŁ B-D ELEKTROTECHNIKI
ZESÓŁ B-D ELEKTOTECHNIKI Laboratorium Elktrotchniki i Elktroniki Samochodowj Tmat ćwicznia: Badani rozrusznika Opracowani: dr hab. inż. S. DUE 1. Instrukcja Laboratoryjna 2 omiary wykonan: a) omiar napięcia
Politechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: UKŁADY ELEKTRONICZNE 2 (TS1C500 030) Tranzystor w układzie wzmacniacza
Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.
I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.
Tranzystor bipolarny
Tranzystor bipolarny 1. zas trwania: 6h 2. ele ćwiczenia adanie własności podstawowych układów wykorzystujących tranzystor bipolarny. 3. Wymagana znajomość pojęć zasada działania tranzystora bipolarnego,
LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU
Elektronika. Wzmacniacz tranzystorowy
LABORATORIUM Elektronika Wzmacniacz tranzystorowy Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Podstawowych parametrów elektrycznych i charakterystyk graficznych tranzystorów bipolarnych.
Tranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6
Tranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6 Marcin Polkowski (251328) 10 maja 2007 r. Spis treści I Laboratorium 5 2 1 Wprowadzenie 2 2 Pomiary rodziny charakterystyk 3 II Laboratorium 6 7 3 Wprowadzenie 7
ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym
ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym 4. PRZEBIE ĆWICZENIA 4.1. Wyznaczanie parametrów wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym złączowym w
Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7
Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego, poznanie jego charakterystyki przejściowej
Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający
Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych
Politechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES
LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU
CHARAKTERYSTYKA OBCIĄŻENIOWA
Opracowani: dr inż. Ewa Fudalj-Kostrzwa CHARAKTERYSTYKA OBCIĄŻENIOWA Charaktrystyki obciążniow są wyznaczan w ramach klasycznych statycznych badań silników zarówno dla silników o zapłoni iskrowym jak i
Vgs. Vds Vds Vds. Vgs
Ćwiczenie 18 Temat: Wzmacniacz JFET i MOSFET w układzie ze wspólnym źródłem. Cel ćwiczenia: Wzmacniacz JFET w układzie ze wspólnym źródłem. Zapoznanie się z konfiguracją polaryzowania tranzystora JFET.
Wzmacniacze operacyjne
Wzmacniacze operacyjne Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest badanie podstawowych układów pracy wzmacniaczy operacyjnych. Wymagania Wstęp 1. Zasada działania wzmacniacza operacyjnego. 2. Ujemne sprzężenie
Ćwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów
LABORATORIM ELEKTRONIKI Spis treści Ćwiczenie - 4 Podstawowe układy pracy tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Podstawowe układy pracy tranzystora........................ 2 2.2 Wzmacniacz
Komitet Główny Olimpiady Fizycznej, Waldemar Gorzkowski: Olimpiady fizyczne XXIII i XXIV. WSiP, Warszawa 1977.
XXV OLMPADA FZYCZNA (1974/1975). Stopiń, zadani doświadczaln D Źródło: Nazwa zadania: Działy: Słowa kluczow: Komitt Główny Olimpiady Fizycznj, Waldmar Gorzkowski: Olimpiady fizyczn XX i XXV. WSiP, Warszawa
Ćwiczenie 4. Realizacja programowa dwupołożeniowej regulacji temperatury pieca elektrycznego
Ćwiczni 4 Ralizacja programowa dwupołożniowj rgulacji tmpratury pica lktryczngo. Cl ćwicznia Clm ćwicznia jst zaznajomini z podstawami rgulacji obiktów ciągłych na przykładzi strowania dwupołożniowgo komputrowgo
Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego
L A B O A T O I U M A N A L O G O W Y C H U K Ł A D Ó W E L E K T O N I C Z N Y C H Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego Ćwiczenie opracował Jacek Jakusz 4. Wstęp Ćwiczenie umożliwia pomiar
Liniowe układy scalone w technice cyfrowej
Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Wykład 6 Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych: konwertery prąd-napięcie i napięcie-prąd, źródła prądowe i napięciowe, przesuwnik fazowy Konwerter prąd-napięcie
Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający
Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych
ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki nstrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONCZNE TS1C300 018 BAŁYSTOK 013 1. CEL ZAKRES ĆWCZENA LABORATORYJNEGO
Zespół Szkół Łączności w Krakowie. Badanie parametrów wzmacniacza mocy. Nr w dzienniku. Imię i nazwisko
Klasa Imię i nazwisko Nr w dzienniku espół Szkół Łączności w Krakowie Pracownia elektroniczna Nr ćw. Temat ćwiczenia Data Ocena Podpis Badanie parametrów wzmacniacza mocy 1. apoznać się ze schematem aplikacyjnym
PRACOWNIA ELEKTRONIKI
PRACOWNIA ELEKTRONIKI Ćwiczenie nr 4 Temat ćwiczenia: Badanie wzmacniacza UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI 1. 2. 3. Imię i Nazwisko 1 szerokopasmowego RC 4. Data wykonania
Ćwiczenie 13. Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnej bazy. Cel ćwiczenia
Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnej bazy. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 13 Poznanie zasady pracy wzmacniacza w układzie OB. Wyznaczenie charakterystyk wzmacniacza w układzie OB. Czytanie schematów elektronicznych.
Charakterystyka amplitudowa i fazowa filtru aktywnego
1 Charakterystyka amplitudowa i fazowa filtru aktywnego Charakterystyka amplitudowa (wzmocnienie amplitudowe) K u (f) jest to stosunek amplitudy sygnału wyjściowego do amplitudy sygnału wejściowego w funkcji
Ćwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM ELEKTRONIKI Ćwiczenie 3 Wybór i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnego el ćwiczenia elem ćwiczenia jest poznanie wpływu ustawienia punktu pracy tranzystora na pracę wzmacniacza
Politechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 ZASTOSOWANIE WZMACNIACZY OPERACYJNYCH W UKŁADACH
Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.
ĆWICZENIE 4 Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z układami zasilania tranzystorów. Wybór punktu pracy tranzystora. Statyczna prosta pracy. II. Układ
Politechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK
Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów
Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne
Badanie wzmacniacza niskiej częstotliwości
Instytut Fizyki ul Wielkopolska 5 70-45 Szczecin 9 Pracownia Elektroniki Badanie wzmacniacza niskiej częstotliwości (Oprac dr Radosław Gąsowski) Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: klasyfikacje
Laboratorium Elektroniki
Wydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki Badanie wzmacniaczy tranzystorowych i operacyjnych 1. Wstęp teoretyczny Wzmacniacze są bardzo często i szeroko stosowanym układem elektronicznym.
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 12 Pomiar wartości parametrów małosygnałowych h ije tranzystora
Ćwiczenie 4: Pomiar parametrów i charakterystyk wzmacniacza mocy małej częstotliwości REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie : Pomiar parametrów i charakterystyk wzmacniacza mocy małej
Politechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006
Pomiar podstawowych parametrów liniowych układów scalonych
Instytut Fizyki ul Wielkopolska 15 70-451 Szczecin 5 Pracownia Elektroniki Pomiar podstawowych parametrów liniowych układów scalonych Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: wzmacniacz operacyjny,
I-21 WYDZIAŁ PPT LABORATORIUM Z ELEKTROTECHNIKI I ELEKTRONIKI
Ćwiczenie nr 0 Cel ćwiczenia: Poznanie cech wzmacniaczy operacyjnych oraz charakterystyk opisujących wzmacniacz poprzez przeprowadzenie pomiarów dla wzmacniacza odwracającego. Program ćwiczenia. Identyfikacja
Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I)
Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie parametrów typowego wzmacniacza operacyjnego. Ćwiczenie ma pokazać w jakich warunkach
A-3. Wzmacniacze operacyjne w układach liniowych
A-3. Wzmacniacze operacyjne w kładach liniowych I. Zakres ćwiczenia wyznaczenia charakterystyk amplitdowych i częstotliwościowych oraz parametrów czasowych:. wtórnika napięcia. wzmacniacza nieodwracającego
Filtry aktywne filtr środkowoprzepustowy
Filtry aktywne iltr środkowoprzepustowy. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości iltrów aktywnych, metod ich projektowania oraz pomiaru podstawowych parametrów iltru.. Budowa
LABORATORIUM ELEKTRONICZNYCH UKŁADÓW POMIAROWYCH I WYKONAWCZYCH. Badanie detektorów szczytowych
LABORATORIM ELEKTRONICZNYCH KŁADÓW POMIAROWYCH I WYKONAWCZYCH Badanie detektorów szczytoch Cel ćwiczenia Poznanie zasady działania i właściwości detektorów szczytoch Wyznaczane parametry Wzmocnienie detektora
Półprzewodnikowe elementy aktywne.
Wykład 2 Półprzwodnikow lmnty aktywn. 17 kwitnia 2018 Wstęp 1. Półprzwodniki 2. Złącz p-n 2.1 Diody prostując 2.2 misja światła 2.3 fkt tunlowy i Znra 3. Tranzystory 3.1 Zasada działania 3.2 Obwody 4.
Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji
Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH
Ćwiczenie 7 PRMETRY MŁOSYGNŁO TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH Wstęp Celem ćwiczenia jest wyznaczenie niektórych parametrów małosygnałowych hybrydowego i modelu hybryd tranzystora bipolarnego. modelu Konspekt przygotowanie
WZMACNIACZ OPERACYJNY
1. OPIS WKŁADKI DA 01A WZMACNIACZ OPERACYJNY Wkładka DA01A zawiera wzmacniacz operacyjny A 71 oraz zestaw zacisków, które umożliwiają dołączenie elementów zewnętrznych: rezystorów, kondensatorów i zwór.
ZADANIA DO ĆWICZEŃ Z ELEMENTÓW ELEKTRONICZNYCH temat: Tranzystory bipolarne
ZADANIA DO ĆWICZEŃ Z ELEMENTÓW ELEKTRONICZNYCH tat: Tranzystory bipolarn prowadzący Piotr Płotka, -ail pplotka@ti.p.da.pl, tl. 347-1634, pok. 301 ZADANIE 1. W układzi jak na rysunku wyznaczyć wilkości
Ćwiczenie nr 05 1 Oscylatory RF Podstawy teoretyczne Aβ(s) 1 Generator w układzie Colpittsa gmr Aβ(S) =1 gmrc1/c2=1 lub gmr=c2/c1 gmr C2/C1
Ćwiczenie nr 05 Oscylatory RF Cel ćwiczenia: Zrozumienie zasady działania i charakterystyka oscylatorów RF. Projektowanie i zastosowanie oscylatorów w obwodach. Czytanie schematów elektronicznych, przestrzeganie
2. Architektury sztucznych sieci neuronowych
- 8-2. Architktury sztucznych sici nuronowych 2.. Matmatyczny modl nuronu i prostj sici nuronowj Sztuczn sici nuronow są modlami inspirowanymi przz strukturę i zachowani prawdziwych nuronów. Podobni jak
TRANZYSTORY BIPOLARNE
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego TRANZYSTORY BIPOLARNE Instrukcję opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Tranzystory bipolarne rodzaje, typowe parametry i charakterystyki,
TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A)
TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A) obciąże nie dynamiczne +1 +1 + 1 R 47k z erowanie R 8 3k R 9 6, 8 k R 11 6,8 k R 12 3k + T 6 BC17 T 7 BC17 + R c 20k zespół sterowania WY 1 R 2k R 23 9 R c dyn R
WZMACNIACZ ODWRACAJĄCY.
Ćwiczenie 19 Temat: Wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia Poznanie zasady działania wzmacniacza odwracającego. Pomiar przebiegów wejściowego wyjściowego oraz wzmocnienia napięciowego wzmacniacza
Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne
AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki Tranzystory bipolarne Ćwiczenie 3 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora bipolarnego.
Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki
Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Na podstawie instrukcji Wtórniki Napięcia,, Laboratorium układów Elektronicznych Opis badanych układów Spis Treści 1. CEL ĆWICZENIA... 2 2.
Projekt z Układów Elektronicznych 1
Projekt z Układów Elektronicznych 1 Lista zadań nr 4 (liniowe zastosowanie wzmacniaczy operacyjnych) Zadanie 1 W układzie wzmacniacza z rys.1a (wzmacniacz odwracający) zakładając idealne parametry WO a)
2 Dana jest funkcja logiczna w następującej postaci: f(a,b,c,d) = Σ(0,2,5,8,10,13): a) zminimalizuj tę funkcję korzystając z tablic Karnaugh,
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2010/2011 Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II. stopnia (okręgowe) 1 Na rysunku przedstawiono przebieg prądu
POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA
POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY KATEDRA AUTOMATYKI I ELEKTRONIKI 3. Podstawowe układy wzmacniaczy tranzystorowych Materiały pomocnicze do pracowni specjalistycznej z przedmiotu: Systemy CAD
Ekscytony Wanniera Motta
ozpatrzmy oddziaływani lktronu o wktorz falowym bliskim minimum pasma przwodnictwa oraz dziury z obszaru blisko wirzcołka pasma walncyjngo. Zakładamy, ż oba pasma są sfryczni symtryczn, a ic kstrma znajdują
Pomiar parametrów tranzystorów
Instytut Fizyki ul Wielkopolska 5 70-45 Szczecin Pracownia Elektroniki Pomiar parametrów tranzystorów (Oprac dr Radosław Gąsowski) Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: zasada działania tranzystora
Układy zasilania tranzystorów
kłady zasilania tranzystorów Wrocław 2 Punkt pracy tranzystora B BQ Q Q Q BQ B Q Punkt pracy tranzystora Tranzystor unipolarny SS Q Q Q GS p GSQ SQ S opuszczalny obszar pracy (safe operating conditions
Uogólnione wektory własne
Uogólnion wktory własn m Dfinicja: Wktor nazywamy uogólnionym wktorm własnym rzędu m macirzy A do wartości własnj λ jśli ( A - I) m m- λ al ( A - λ I) Przykład: Znajdź uogólniony wktor własny rzędu do
Politechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA ENS1C300 022 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2013 1. CEL I ZAKRES
Wzmacniacze operacyjne
e operacyjne Wrocław 2018 Wprowadzenie operacyjny jest wzmacniaczem prądu stałego o dużym wzmocnieniu napięciom (różnicom). ten posiada wejście symetryczne (różnicowe) oraz jście niesymetryczne. N P E
LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych złączowych Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów polowych złączowych
Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych
Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz
Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych II
1 Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE Ćwiczenie nr 14 LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych
Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych
ĆWICZENIE 0 Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i właściwościami wzmacniaczy operacyjnych oraz podstawowych układów elektronicznych
LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
Wydział lektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politecniki Wrocławskiej STUDA DZNN W0 LAORATORUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZWODNKOWYCH Ćwiczenie nr 3 Carakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego. Zagadnienia do
Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkońcówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu
Ćw. 4 SprzęŜenie zwrotne
Ćw. 4 SpzęŜni zwotn 1. Cl ćwicznia Clm ćwicznia jst uguntowani wiadomości dotyczącyc lmntanj toii spzęŝnia zwotngo w układac lktonicznyc. 2. Wymagan infomacj Budowa wzmacniacza tanzystoowgo i jgo paamty
WIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH
POLITECHNIKA WARSZAWSKA Instytut Radioelektroniki Zakład Radiokomunikacji WIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE Semestr III LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH Ćwiczenie Temat: Badanie wzmacniacza operacyjnego
POLITECHNIKA WROCŁAWSKA, WYDZIAŁ PPT I-21 LABORATORIUM Z PODSTAW ELEKTROTECHNIKI I ELEKTRONIKI 2
Cel ćwiczenia: Praktyczne poznanie podstawowych parametrów wzmacniaczy operacyjnych oraz ich możliwości i ograniczeń. Wyznaczenie charakterystyki amplitudowo-częstotliwościowej wzmacniacza operacyjnego.
Wzmacniacze operacyjne
Wzmacniacze operacyjne Wrocław 2015 Wprowadzenie jest wzmacniaczem prądu stałego o dużym wzmocnieniu napięciom (różnicom). Wzmacniacz ten posiada wejście symetryczne (różnicowe) oraz jście niesymetryczne.
Elementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne
lementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne Wprowadzenie Złacze PN spolaryzowane zaporowo: P N U - + S S U SAT =0.1...0.2V U S q D p L p p n D n n L n p gdzie: D p,n współczynniki dyfuzji
Rys. 1 Schemat układu L 2 R 2 E C 1. t(0+)
Autor: Piotr Fabijański Koreferent: Paweł Fabijański Zadanie Obliczyć napięcie na stykach wyłącznika S zaraz po jego otwarciu, w chwili t = (0 + ) i w stanie ustalonym, gdy t. Do obliczeń przyjąć następujące
Ćwiczenie 12 Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego emitera. Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 12 Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego emitera. Cel ćwiczenia Poznanie konfiguracji zasady pracy wzmacniacza w układzie OE. Wyznaczenie charakterystyk wzmacniacza w układzie OE. Czytanie schematów
Ćwiczenie nr 5 Tranzystor bipolarny
Wydział lektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Opracował zespół: Marek Panek, Waldemar Oleszkiewicz, wona Zborowska-Lindert, ogdan Paszkiewicz, Małgorzata Kramkowska, eata Ściana, Zdzisław Synowiec, ogusław
Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia
ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI
1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności
5 Filtry drugiego rzędu
5 Filtry drugiego rzędu Cel ćwiczenia 1. Zrozumienie zasady działania i charakterystyk filtrów. 2. Poznanie zalet filtrów aktywnych. 3. Zastosowanie filtrów drugiego rzędu z układem całkującym Podstawy
Ćwiczenie 14. Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego kolektora. Cel ćwiczenia
Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego kolektora. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 14 1 Poznanie zasady pracy wzmacniacza w układzie OC. 2. Wyznaczenie charakterystyk wzmacniacza w układzie OC. INSTRUKCJA DO WYKONANIA
Laboratorium Nowoczesna Diagnostyka Materiałowa Pomiar materiałów magnetycznie miękkich
Laboratorium Nowoczsna Diagnostyka Matriałowa Pomiar matriałów magntyczni miękkich I. Zagadninia do przygotowania:. Podstawow wilkości opisując pol i matriały magntyczn: natężni pola magntyczngo, indukcja
Podstawy działania elementów półprzewodnikowych - tranzystory
Podstawy działania lmntów półprzwodnikowych - tranzystory Wrocław 2016 Wprowadzni Trójkońcówkowy (cztrokońcówkowy) półprzwodnikowy lmnt lktroniczny, posiadający zdolność wzmacniania synału lktryczno. Nazwa