Fizyka w doświadczeniach

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Fizyka w doświadczeniach"

Transkrypt

1 Matriały do wykładu 11. Elktrony wwnątrz matrii 11.1 Wstęp Fizyka w doświadczniac Krzysztof Korona Arcolodzy mają zwyczaj dzilić poki wdług matriałów, któr były najważnijsz w danyc czasac dla człowika. I tak, były poki kaminia, brązu i żlaza. Gdyby przyszło w tn sposób okrślić czasy obcn, pwni stwirdzilibyśmy, ż żyjmy w poc krzmu. Z krzmu ni wytwarzamy narzędzi mcanicznyc, al lmnty półprzwodnikow będąc narzędziami do strowania lktronami. Plan VU N I VE RS ITATI S VA R SO I E NS IS 1. Wstęp 2. Przwodnictwo ciczy 3. Elktrony w kryształac 4. Mtal i półprzwodniki 5. Elmnty lktroniczn 6. Podsumowani Uniwrsytt Warszawski Wydział Fizyki Rys Diody świcąc Matriały do clów dydaktycznyc przznaczon dla studntów Uniwrsyttu Warszawskigo, Wykorzystani ic w innyc clac jst możliw pod warunkim uzyskania zgody autora. 297

2 11.2 Przwodnictwo ciczy Woda przwodzi prąd, al nicętni. Aby sprawdzić, jaki warunki muszą być spłnion do przwodznia prądu wykonamy prost doświadczni. Przwodnictwo wody (!) Przyrządy i matriały - woda dstylowana, cukir, sól, - szklanka, - blaszki lub 2 łyżczki na lktrody, - żarówka do latarki (3,5 V), - batria 4,5 V, - 3 kablki. Przpływ prądu przz cicz (!) Słona woda przwodzi dzięki tmu, ż sól kucnna, NaCl, ulga rozpadowi na dodatni jony sodu Na + i ujmn jony cloru Cl -. Procs tn nazywamy dysocjacją soli: NaCl Na + + Cl -. (11.1) W ciczy prąd prznoszony jst przz jony. Mogą on mić ładunk dodatni (kationy) lub ujmny (aniony). Kirunk przpływu prądu wyznaczony jst przz kirunk rucu jonów dodatnic. Elktroliza siarczanu midzi Do koljngo ksprymntu rozpuszczamy w wodzi siarczan midzi. Dysocjacja siarczanu midzi: CuSO 4 Cu 2+ + SO 4 2-, (11.2) Przbig doświadcznia Do naczynia z czystą (najlpij dstylowaną) wodą wkładamy dwi lktrody (dowoln dwa mtalow przdmioty) podłączon do obwodu, w którym jst żarówka i batria. Sprawność żarówki sprawdzamy zwirając na cwilę lktrody. Żarówka ni świci, co oznacza, ż czysta woda słabo przwodzi prąd. 298 Rys Przpływ prądu w wodzi z solą. Następni słodzimy wodę. Żarówka nadal ni świci cukir ni zwiększa przwodnictwa wody. Na końcu do wody dosypujmy soli. Okazuj się, ż posolona woda przwodzi i żarówka zaczyna święcić. 2 Rys Elktroliza siarczanu midzi Do naczynia wkładamy dwi czyst lktrody węglow i podłączamy do nic napięci. Elktroda podłączona do ujmngo napięcia będzi katodą. Katoda to lktroda dostarczająca lktronów. Druga lktroda będzi anodą. Dodatnia anoda ściąga lktrony. Katoda będzi przyciągała dodatnio naładowan jony midzi i 299 2

3 obdarzała j lktronami. Rakcja połówkowa na katodzi Cu Cu. W wyniku tgo procsu na katodzi wydzila się mtaliczna midź. Elktroliza opisana jst przz prawo Faradaya: Prawo Faradaya Po przyłożniu napięcia, na lktrodac będą zacodzić następując rakcj połówkow: katoda anoda 4H H 2 4OH - 2H 2 O + O Zatm następować będzi lktroliza wody na wodór i tln. Masa substancji wydzilonj na skutk przpływu prądu jst proporcjonalna do ładunku, który przpłynął przz układ. Aby wydzilić 1 mol midzi, potrzbujmy 2 moli lktronów, czyli ładunku 2 faradajów. 1 faradaj = 1 mol lktronów (6*10 23 ) = ,31 C Przpuszczając 1 faradaj otrzymamy 32 g (pół mola) Cu na katodzi i 8 g (ćwirć mola) O 2 na anodzi. 2 Elktroliza wody Elktrolizę wody przprowadzamy w przyrządzi zwanym woltamtrm. Przyrząd tn składa się z dwóc pionowyc rurk zaopatrzonyc w platynow lktrody i połączonyc poziomą rurką, którą mogą płynąć jony. W wyniku dysocjacji woda rozpada się albo na jon wodorowy, H +, (czyli proton) i jon wodorotlnowy, OH -, H 2 O woda H + + OH - jon jon wodorowy wodorotlnowy albo na jon ydronowy, H 3 O + i jon wodorotlnowy OH -. 2H 2 O H 3 O + + OH - (+13,7 kcal/mol) (11.4) 300 (11.3) Ta druga rakcja jst częstsza z względu na większy zysk nrgtyczny. Rys Elktroliza wody: po lwj - rakcja, po prawj - woltamtr. Do rozkładu wody potrzbna jst spora nrgia. Enrgię tę daj się (częściowo) odzyskać. Po pirwsz nrgia cmiczna wydzila się w trakci spalania: 2H 2 + O 2 2H 2 O + 5,9 V (11.4) W wyniku spalania otrzymujmy nrgię ciplną. Po drugi można odzyskać nrgię w postaci nrgii lktrycznj. Jśli po przrwaniu lktrolizy, do lktrod układu przyłożymy woltomirz, to pokaż on napięci. Oznacza to, ż można uzyskać nrgię lktryczna z rakcji cmicznj. Przyrząd służący do zamiany nrgii cmicznj na lktryczną nazywamy ogniwm cmicznym. 301

4 Ogniwa cmiczn (!) Jżli do woltamtru, w którym właśni przprowadziliśmy lktrolizę wody podłączymy woltomirz, to ukaż się, ż woltamtr daj nam napięci kilku woltów. Na lktrodac zacodzą rakcj połówkow: anoda 2H 2 4H katoda 2H 2 O + O OH - Jak widać, katoda to lktroda dostarczająca lktronów, a anoda odbira j. Anoda będzi miała niższy potncjał, a katoda będzi źródłm dodatnigo napięcia. W wyniku otrzymujmy nrgię lktryczną, a więc jst to ogniwo lktrocmiczn. Cu 2 - CuSO 4 SO Cu Zn 2+ SO 2-4 ZnSO Zn Rys Ogniwo Volty U SEM = 1,1 V Potncjał lktrocmiczny: Li + -3,036 V Al 3+ -1,698 V Zn 2+ -0,763 V H + 0 Cu 2+ +0,337 V Au + +1,68 V Jdnym z najstarszyc przykładów ogniwa lktrocmiczngo jst ogniwo Volty. Składa się ono z midzianj katody i cynkowj anody zanurzonyc w roztworz siarczanu midzi. Midź wydzila się na katodzi, pobirając od nij lktrony, a cynk rozpuszcza się oddając lktrony do anody. O kirunku przbigu rakcji dcyduj fakt, ż cynk ma niższy niż midź potncjał lktrocmiczny. Różnica ta wynosi: U Cu - U Zn = (-0.763) = 1.1 V, co odpowiada mnij więcj sil lktromotorycznj ogniwa. W praktyc napięci to jst nico mnijsz. Siła lktromotoryczna (czyli napięci) ogniwa, U SEM, jst w przybliżniu różnicą potncjałów dwu półogniw (lktrod). Potncjał półogniwa zalży zasadniczo od potncjału lktro-cmiczngo mtalu, al tż od tmpratury i od stężnia lktrolitu. Najpopularnijsz do nidawna, klasyczn batri kiszonkow o napięciu U SEM = 1,5 V były budowan w oparciu o ogniwo Lclancégo złożon z cynkowj anody (Zn) i węglowj katody, wypłnionj lktrolitm zawirającym clork amonu, NH 4 Cl, i tlnk manganu, MnO 2. Obcni bardzo popularn są tzw. batri alkaliczn, w któryc rakcja przbiga pomiędzy cynkim, Zn, silni alkalicznym wodorotlnkim potasu, KOH i tlnkim manganu, MnO 2. Akumulatory Akumulator lktryczny to rodzaj ogniwa cmiczngo, któr po rozładowaniu, moż być ładowan prądm lktrycznym. Akumulatory gromadzą, a późnij uwalniają nrgię lktryczną, dzięki odwracalnym rakcjom cmicznym zacodzącym pomiędzy lktrolitm i lktrodami. Przykłady: 1) Akumulatory ołowiow (wykorzystywan w samocodac): - katoda wykonana jst z ołowiu, - anoda jst wykonana z tlnku ołowiu PbO 2, - lktrolitm jst roztwór kwasu siarkowgo, - U SEM = 2,2 V. Zaltą akumulatora ołowiowgo jst zdolność uzyskania dużgo prądu oraz niska cna. Wadą jst znaczna masa przypadająca na jdnostkę pojmności. 2) Akumulatory niklowo-kadmow (Ni-Cd) alkaliczn (popularn w drobnym sprzęci) 303

5 - katoda z wodorotlnku niklu, - anoda z wodorotlnku kadmu, - lktrolitm są półpłynn, silni zasadow substancj (często roztwór KOH), - U SEM = 1,2 V. FPO 4 + Li LiFPO 4 PF - 6 LiPF C C Li + C Li C - - C C Rys Akumulatory Li-jonow popularn w laptopac i tlfonac komórkowyc U SEM = 3,6 V 3) Akumulatory litowo-jonow (Li-ion), używan w laptopac, tlfonac komórkowyc i samocodac lktrycznyc, - katodę stanowią sol litow, - anoda wykonana z porowatgo węgla, - rolę lktrolitu płnią rozpuszczalniki organiczn (główni węglany) z dodatkim ksafluorofosforanu litu, LiPF 6. Mają dużą pojmność, al są stosunkowo drogi. PF Elktrony w kryształac Wszystki ciała składają się z atomów. Na ogół atomy t ułożon są bardzo nirgularni tak, ż bz mikroskopu lktronowgo ni udaj się zaobsrwować ic struktury. Szczgólnym przypadkim wysokouporządkowanyc ciał są kryształy. Składają się on z atomów poukładanyc wdług okrślonyc rguł. To uporządkowani pozwala nam czasm obsrwować związki między właściwościami atomów i ciał makroskopowyc. Przdstawiając poprzdnio, w rozdzial o falac, widmo światła mitowango przz pojdyncz atomy (np. uzyskan przz odparowani pirwiastków lub prostyc soli), przkonaliśmy się, ż taki substancj mitują ściśl okrślon barwy. Dzij się tak, gdyż (zgodni z tym co było omawian na wykładzi o rzonatorac) lktrony w atomac mają ściśl okrślon częstości. Świcni czystyc gazów najłatwij jst obsrwować przy pomocy rurk Plückra. Gaz taki (w szczgólności l) jst w zasadzi zbiorm nizalżnyc atomów. Świcni atomów Przyrządy i matriały - rurki Plückra i zasilacz, -siatka dyfrakcyjna. Przbig doświadcznia Rurki Plückra mają lktrody umożliwiając przpuszczni prądu przz zamknięty w środku gaz. Pobudzony prądm lktrycznym gaz świci. Emitowan w tn sposób światło możmy rozłożyć na poszczgóln składow przy pomocy siatki dyfrakcyjnj. Co pozwala nam objrzć widma światła mitowango przz gazy

6 Rys Widmo świcnia lu uzyskan z rurki Plückra Rys Przcodzni światła przz GaP Jak widać na rys. 11.7, w przciwiństwi do ciągłgo widma świcnia gorącyc ciał, gazy świcą widmami liniowymi. Ic światło zawira tylko pojdyncz, dobrz okrślon częstości (długości fal) czyli czyst barwy. Atomy świcą pojdynczymi częstościami, gdyż znajdując się w nic lktrony zacowują się jak fal w rzonatorz mogę mić jdyni pwn częstości f. Mówimy wtdy, ż są w pwnyc stanac kwantowyc. Wzór Plancka wyznacza związk pomiędzy częstością f, a nrgią, E = f ( - stała Plancka). Dlatgo obsrwacja tak dobrz ustalonyc częstości oznacza, ż lktrony wwnątrz atomów są w stanac o ściśl okrślonyc nrgiac. Podstawowa krawędź absorpcji GaP (!) Ustawiamy układ złożony z lampy ksnonowj (będącj silnym źródłm światła białgo), szczliny, pryzmatu, obiktywu i kranu, w taki sposób, aby światło na krani utworzyło tęczę o wyraźnyc barwac. Szczlinę przsłaniamy płytką wykonaną z fosforku galu (GaP). Na krani widzimy, ż przz GaP prznika tylko światło czrwon i żółt natomiast pozostał barwy są pocłanian. Istnij zatm pwna granica, zwana krawędzią absorpcji, taka, z jdyni światło o falac dłuższyc od tj krawędzi moż przcodzić przz kryształ. 306 Fotony światła czrwongo mają najniższą nrgię, żółtgo nico wyższą, jdnak nrgia ta jst na tyl niska, ż ni wzbudza lktronów. Z powyższgo doświadcznia wynika natomiast, ż światło zilon, nibiski i fioltowa, któr ma dużą nrgię, wzbudza lktrony, przz co ulga pocłonięciu i ni przcodzi przz matriał. Wyciągamy zatm wniosk, ż przz kryształ półprzwodnika przcodzą tylko fotony o nrgiac niższyc (czyli światło o większyc długościac fali) niż nrgia odpowiadająca krawędzi absorpcji, czyli nrgii potrzbnj do wzbudznia lktronów. Warto widzić, ż GaP to matriał wykorzystywany do produkcji zilonyc i żółtyc diod świcącyc. Pasma nrgtyczn w krysztal Jak to było powidzian w poprzdnim rozdzial, lktrony zamknięt w atomi mogą mić tylko pwn stany kwantow o okrślonyc nrgiac. Połączni dwóc atomów powoduj, ż liczba stanów podwaja się. Kryształ powstaj przz połączni bardzo wilu atomów w sposób nizwykl uporządkowany. Prowadzi to do powstania pasm stanów dozwolonyc, oddzilonyc pasmami zabronionymi. 307

7 atom: pojdyncz stany 2 atomy: stany rozszczpion Przykłady przrw nrgtycznyc półprzwodników: Matriał z wąską przrwą: InSb 0,18 V. Typow matriały: Si 1,1 V, GaAs 1.4 V, CdS 2,5 V. Szroko-przrwow: GaN 3,4 V, C (diamnt) 5,5 V. Rys Poziomy nrgtyczn w atomac i związkac cmicznyc Absorpcja w krysztal (!) Struktura pasmowa półprzwodników jst złożona z wypłniongo lktronami pasma powstałgo z stanów wiążącyc (pasma walncyjngo) i z praktyczni pustgo pasma przwodnictwa. pasmo przwodnictwa przrwa wzbroniona pasmo walncyjn Rys Struktura pasmowa półprzwodników Absorpcja światła następuj wtdy, gdy padający foton ma wystarczającą nrgię do wzbudznia lktronu z pasma walncyjngo do pasma przwodnictwa. Z tj przyczyny fotony o dużj nrgii są zatrzymywan, a fotony o małj nrgii przcodzą przz półprzwodniki. 308 Enrgia [V] E = p 2 2m* pasmo walncyjn pasmo przwodnictwa E g Pęd [V/c 2 ] Rys Struktura pasmowa kryształu przdstawiona jako zalżność nrgii od pędu. Kryształ powstaj przz połączni w rgularny sposób, bardzo wilu atomów, z któryc każdy wnosi po kilka lktronów. Elktrony z całgo kryształu zlwają się z sobą tworząc cząstki zwan kwazi-lktronami, coć często mówi się o nic po prostu jako o lktronac. Kwazilktrony to cząstki mając ładunk równy ładunkowi zwykłgo lktronu, natomiast ic nrgia ma inną zalżność od prędkości i od pędu (przykładowa zalżność przdstawiona jst na rys ), niż to jst w przypadku lktronów na zwnątrz kryształu. W najprostszy sposób można tę nową zalżność przdstawić tak, jakby lktrony w krysztal miały inną masę niż lktrony na zwnątrz. Mówimy, ż lktrony t mają pwną masę fktywną m*.

8 Przykłady mas fktywnyc: Matriał Cu Si InSb C (grafn) Masa fktywna 1,4 m 0,36 m 0,013 m 0 W przypadku grafnu, alotropowj odmiany węgla mającj formę pojdynczj warstwy atomów, kwazi-lktrony mają zrową masę. Zacowują się podobni jak fotony. Poruszają się z stała szybkością 10 6 m/s Mtal i półprzwodniki Przwodzni prądu przz mtal i półprzwodnik (!) Przyrządy i matriały - zasilacz, żarówka i przwody, - zwój drutu, - trmistor. Przbig doświadcznia trmistor. Trmistor wykonany jst z matriału półprzwodnikowgo. Tym razm żarówka gaśni po scłodzniu trmistora, a rozświtla się po ogrzaniu lmntu półprzwodnikowgo. Wniosk: Na skutk ogrzwania opór mtalu rośni, a półprzwodnika malj. Okazuj się, z w pwnym zakrsi tmpratur opór mtalu jst proporcjonalny do tmpratury: R = αt (11.6) Przyczyną tgo są drgania cipln, któr amują ruc lktronów. W wysokic tmpraturac liczba fononów jst proporcjonalna do tmpratury i stąd opór mtalu tż jst proporcjonalny do tmpratury. Z koli spadk tmpratury prowadzi do wzrostu oporu półprzwodników. Przyczyną tgo jst zmnijszająca się liczba nośników prądu. Co prawda rucliwość zminia się podobni jak w mtalu, al zmiana liczby nośników (koncntracji n) jst znaczni szybsza, gdyż dana jst funkcją wykładniczą: n = N 0 E xp (11.7) 2k BT Wzór tn jst analogiczny do wzoru na ciśnini gazu (7.6) i pary nasyconj (7.12). Trmopara, fkt trmolktryczny Rys Zmiany oporu mtalu przy grzaniu i cłodzniu. Łączymy szrgowo zasilacz, żarówkę i zwój drutu. Opór drutu dobiramy tak, aby żarówka świciła, al ni płną mocą. Grzjmy zwój drutu i obsrwujmy, ż żarówka przygasa. Następni cłodzimy zwój drutu w cikłym azoci i żarówka zaczyna świcić jaśnij. Analogiczni postępujmy z obwodm, w którym zamiast drutu jst 310 Trmopara jst przyrządm zbudowanym z dwóc przwodów wykonanyc z różnyc mtali, na przykład z konstantanu (stopu CuNi) i midzi. Przwody połączon są oboma końcami. W jdn z przwodów wstawiamy mirnik napięcia. Podgrzani lub oziębini powoduj powstani napięcia lktryczngo. Cząstkom znajdującym się wwnątrz substancji cmicznyc możmy przypisać pwin potncjał cmiczny. Potncjał cmiczny to w uproszczniu nrgia potncjalna lktronu (lub innj cząstki) wwnątrz jakigoś matriału. Przyjmuj on różn wartości w różnyc matriałac. 311

9 Gdy połączymy dwa matriały o różnyc potncjałac nastąpi przpływ nośników (przważni lktronów). W tn sposób w jdnym matrial będzi nadmiar, a w drugim nidobór nośników. Nadmiar nośników spowoduj zmianę potncjału lktryczngo i potncjały nośników wyrównają się Elktrony i dziury (!) p. przwodnictwa typ p typ n p. walncyjn E F- - E F Rys Zmiany potncjału w półprzwodniku domiszkowanym. Rys Zmiany potncjału i koncntracji w ogrzwanym mtalu. Jżli ogrzjmy jdn konic jakigoś ciała, to nośniki ładunku w tym mijscu będą się szybcij poruszać. Nośników zaczni ubywać na cipłym końcu, a przybywać na zimnym. Oznacza to, ż na zimnym końcu potncjał zminia się zgodni z znakim ładunków. Jżli podgrzjmy złącz wykonan z dwóc matriałów, to nadmiarow nośniki będą wracały do mtalu, z którgo poprzdnio ucikły. Spowoduj to zmianę potncjału i powstani napięcia trmolktryczngo. Pomiar fktu trmolktryczngo dla różnyc matriałów pokazuj, ż czasm nośniki mają znak ujmny (oczkiwany dla lktronów), a czasm dodatni. Nośniki o dodatnim ładunku nazywamy dziurami. 312 W idalnym krysztal półprzwodnika jst tyl samo lktronów, il stanów w paśmi walncyjnym. Jżli do matriału półprzwodnikowgo dodamy atomy pirwiastka o liczbi lktronów mnijszj niż oczkiwana dla dango matriału, to wprowadzimy dziury, czyli cząstki znajdując się w paśmi walncyjnym. Dziury są nośnikami mającymi ładunk dodatni. Mówimy, ż tak domiszkowany matriał jst typu p. Natomiast dodając pirwiastki o większj liczbi lktronów niż atomy kryształu, obsadzamy pasmo przwodnictwa. W tn sposób otrzymujmy matriał typu n. Tak więc, w półprzwodnikac mogą przwodzić zarówno niosąc ładunk ujmny lktrony jak i naładowan dodatnio dziury. Mtody otrzymywania półprzwodników Matriały półprzwodnikow muszą mić wysoką jakość, gdyż każdy dfkt moż być źródłm nipożądanyc nośników. Podstawową mtodą otrzymywania półprzwodników jst krystalizacja z ciczy. Uzyskujmy w tn sposób tak zwan kryształy objętościow. Kryształy t są cięt późnij na bardzo cinki plastry na przykład przy 300 mm śrdnicy plastr moż mić grubość 0,3 mm. 313

10 Matriały półprzwodnikow z grupy IV i grupy III-V Rys Hodowla kryształów zarodk kryształ cicz Najwyższą jakość kryształów uzyskuj się przy pomocy pitaksji, czyli osadzania cinkic warstw, nimal atom po atomi. Mtoda ta, mimo ż jst kosztowna, coraz częścij jst wykorzystywana w produkcji przmysłowj. Obcni znamy wil matriałów półprzwodnikowyc. Potrafimy wytworzyć między innymi półprzwodząc związki organiczn. Największ znaczni jdnak mają trzy podobn do sibi grupy matriałów: 1. Pirwiastki z IV grupy układu okrsowgo: C (diamnt), Si, G, Sn, SiC. 2. Związki pirwiastków grup III i V: AlN, GaN, GaP, GaAs, InP, InSb itd. 3. Związki pirwiastków grup II i VI: ZnO, ZnS, CdS, MgT itd. Epitaksja z wiązki molkularnj (MBE) Nowa warstwa Komora próżniowa Podłoż Grzjnik Rys Zapłnini wiązań w typowyc półprzwodnikac. W wyminionyc związkac na każdy atom przypadają 4 wiązania i każda para atomów ma w sumi 8 lktronów walncyjnyc. Oznacza to, ż stanów w paśmi walncyjnym jst dokładni tyl samo, co lktronów walncyjnyc. Otrzymujmy zatm matriały z wypłnionym całkowici pasmm walncyjnym i pustym zupłni pasmm przwodnictwa. Rys Epitaksja z wiązki molkularnj (MBE)

11 11.5 Elmnty lktroniczn Podstawową strukturą lktroniczną jst złącz p-n. Pojdyncz złącz tworzy diodę, z dwóc takic złącz można zbudować tranzystor. W obszarz typu p lktrony zrkombinują z dziurami. Dziury do obszaru złącza będą nadpływać z przciwngo kirunku, przyciągan ujmnym napięcim obszaru n. Zatm, przz tak spolaryzowan złącz będzi płynął prąd. Diody prostując wstawion w obwód lktryczny wymuszają w nim okrślony kirunk prądu. Diody prostują prąd i świcą Najprostszą funkcją złącza p-n jst prostowani prądu, czyli przpuszczani prądu tylko w jdnym kirunku. Elmnt lktroniczny wykonujący tę funkcję nazywamy diodą prostowniczą. Składa się ona z dwóc rodzajów matriałów półprzwodnikowyc jdngo typu p, a drugigo typu n. typ p typ n 316 p. przwodnictwa typ p typ n p. walncyjn Rys Rozkład ładunków i potncjału w złączu p-n. Po lwj - spolaryzowan w kirunku zaporowym, po prawj w kirunku przwodznia. Jżli do matriału typu n przyłożymy dodatni napięci (lwa strona rys ), to będzi ono przyciągało lktrony a odpycało dziury. W tj sytuacji w obszarz w pobliżu złącza zabrakni lktronów w paśmi przwodnictwa i dziur w paśmi walncyjnym. Prąd ni będzi mógł płynąć. Powimy, ż dioda ma polaryzację zaporową. Jżli do matriału typu n przyłożymy ujmn napięci (prawa strona rys ), to będzi ono pcało lktrony w kirunku obszaru typu p. Rys Symbol diody i diody lktroluminscncyjnj (LED). Dioda przwodzi w kirunku wyznaczonym przz strzałkę zawartą w jj symbolu. Jżli dioda jst spolaryzowana w kirunku przwodznia, to do obszaru złącza napływają w paśmi przwodnictwa lktrony, a w paśmi walncyjnym dziury. Gdy lktrony rkombinują z dziurami, wydzila się nrgia równa przrwi nrgtycznj. W wilu matriałac nrgia ta jst bzpośrdnio zaminiana na światło, a więc dioda świci. Diody świcąc - mitują światło o okrślonj barwi (długości fali) odpowiadającj szrokości przrwy nrgtycznj. Natężni prądu płynącgo przz diodę Aby przpłynąć przz złącz w diodzi lktrony muszą pokonać pwną barirę potncjału (rozkład potncjału przdstawiona na rys ). Przypomina to parowani, czyli uciczkę cząstczk z ciczy i opisan jst podobnym wzorm, w przybliżniu mającym postać: U I = I0 xp (11.9) k B T 317

12 Tak wic, natężni prądu wykładniczo zminia się z napięcim. Zalżność napięcia od barwy dla diod święcącyc (!) Przyrządy i matriały - diody świcąc o różnyc barwac, - zasilacz i przwody, - woltomirz. Przbig doświadcznia Aby przz diodę mógł płynąć prąd, nalży przyłożyć do nij odpowidnio wysoki napięci. Napięci to potrzbn jst faktyczni do wprowadznia lktronów z zwnętrznyc lktrod (kontaktów) do pasma przwodnictwa i dziur do pasma walncyjngo. E [V] 3 2 nadfiolt UV podczrwiń IR 2,8 V 2,2 V 1,9 V 1,6 V 1,3 V nrgię, która jst mnij więcj równa szrokości przrwy nrgtycznj badanyc diod, a więc takż równa nrgii mitowanyc fotonów. Porównując napięcia potrzbn dla uzyskania krótkic fal (np. światła nibiskigo) i długic (np. światła czrwongo) zauważamy, ż im krótsza jst mitowana fala, tym wyższa jst potrzbna nrgia. Zgodni z postulatami mcaniki kwantowj, nrgia, E, potrzbna do wymitowania światła jst odwrotni proporcjonalna do długości fali, λ: c E = (11.8) λ gdzi: to stała Plancka = 6, J s = 4, V s, a c to prędkość światła Tranzystor Tranzystor jst "zaworm" lktronicznym, dzięki którmu mały sygnał moż strować przpływm silngo prądu (czyli otwirać go lub zamykać). Dzięki tmu tranzystor jst tż wzmacniaczm zwiększającym moc sygnału, bo silny sygnał wycodzący z tranzystora będzi odtwarzał przbig słabgo sygnał strującgo. Źródło Bramka Drn Rys Enrgia fotonów i napięci na diodac Mirząc napięci potrzbn do zapalnia diod o różnyc barwac, stwirdzamy, ż przy najniższym napięciu zaczynają święcić diody czrwon (1,6-1,8 V), potm żółt (2 V) i zilon (2,3 V). Najwyższ napięci potrzbn jst do zapalnia diod nibiskic i fioltowyc (3-3,5 V). Napięci to, po pomnożniu przz ładunk lmntarny,, daj 318 Rys Tranzystor polowy W tranzystorz polowym pol lktryczn pocodząc od napięcia przyłożongo do bramki odpyca lub przyciąga lktrony do kanału 319

13 łączącgo źródło z drnm. Gdy kanał jst pusty ni moż przwodzić. mitr baza kolktor typ n Liczba wzbudzonyc lktronów powinna być równa liczbi pocłoniętyc fotonów. Jst to trść prawa Stoltowa, czyli pirwszgo prawa fktu fotolkryczngo. typ p 320 typ p Rys Tranzystor bipolarny (scmat pasm i symbol) Tranzystor bipolarny przypomina dwi diody połączon tymi samymi stronami. Możmy mić tranzystory p-n-p lub n-p-n. Napięci przyłożon do środkowj warstwy, czyli bazy dcyduj o możliwości przpływu prądu z mitra do kolktora. Obsrwując działani tranzystora zauważamy następujący problm: Dlaczgo w rurz wypłnionj wodą, woda moż płynąć, a w wypłnionym lktronami paśmi walncyjnym w krysztal, lktrony ni mogą płynąć? Dcydują o tym prawa mcaniki kwantowj. Funkcja falowa lktronów w przypadku wypłninia wszystkic stanów jst falą stojącą. Aby powstała fala bignąca, nalżałoby przjść do stanu wzbudzongo, a do tgo potrzbna jst nrgia odpowiadająca przrwi nrgtycznj. Zamiana światła na prąd (!) Aby uzyskać fotoprąd nalży: 1. Zaabsorbować foton, tak aby wzbudził on lktron do wyższgo stanu. 2. Wytworzyć pol lktryczn tak, aby lktron ni wrócił do poprzdnigo stanu, al popłynął w wybranym przz nas kirunku. Jśli wszystko działa sprawni to: Fotoogniwa Fotoogniwa służą do zamiany nrgii świtlnj na lktryczną. Najprostsz fotoogniwa składają się z pojdynczgo złącza, czyli są po prostu diodami. W złączu panuj siln pol lktryczn, a więc wzbudzon w nim nośniki są natycmiast unoszon. Elktrony wędrują w jdną stronę, a dziury w przciwną, więc ni mogą zrkombinować z sobą, a za to przyczyniają się do powstania prądu lktryczngo. Obcni fotoogniwa wykorzystuj się do produkcji nrgii lktrycznj na coraz większą skalę. Na przykład, fotowoltaiczna lktrownia słonczna w Bnixama (Hiszpania) ma moc 20 MW. Składa się z panli z ogniwami z polikrystaliczngo krzmu o łącznj powirzcni 50 a. Widmo czułości zilonj diody świcącj p. przwodnictwa typ p p. walncyjn 321 typ n Rys Fotodioda (scmat pasm i symbol) Fotodiody - zaminiają nrgię świtlną na lktryczną (fotoogniwa,

14 fotodtktory). Enrgia fotonu potrzbna do wzbudznia pary lktrondziura musi być, co najmnij równa nrgii przrwy nrgtycznj w fotodiodzi. Jst to zatm nrgia podobna do tj, jaką dioda wyświca, gdy płyni przz nią prąd. Na wykładzi sprawdzamy, ż zilona dioda świcąca jst jdnoczśni fotodiodą czułą na światło zilon. Diodę podłączoną do mirnika oświtlaliśmy światłm rozszczpionym przz pryzmat. Dioda wstawiona w strumiń światła czrwongo lub żółtgo ragowała słabo, natomiast w świtl zilonym (lub mającym większą nrgię nibiskim i fioltowym) sygnał był silny Podsumowani Elktrolity przwodzą ni tylko dzięki lktronom, al takż dzięki jonom, któr mogą mić ładunk dodatni lub ujmny. Ogniwa lktrocmiczn zaminiają nrgię cmiczną na nrgię lktryczną. Siła lktromotoryczna (czyli napięci) ogniwa jst różnicą potncjałów dwóc półogniw (lktrod). Elktron zamknięty w atomi moż mić tylko pwn mody drgań (stany kwantow) i pwn częstości (poziomy nrgtyczn). Kryształ powstaj przz połączni bardzo wilu atomów w sposób nizwykl uporządkowany. Prowadzi to do powstania pasm stanów dozwolonyc, oddzilonyc pasmami zabronionymi. Pasma wzbronion można zobaczyć dzięki absorpcji i misji światła. Elktrony (właściwi kwazi-lktrony) w kryształac mają masy inn, niż zwykł lktrony. W paśmi walncyjnym poruszają się dziury. Dziury zacowują się jak cząstki mając ładunk dodatni. Elktrony (i dziury) w mtalac i półprzwodnikac zacowują się jak gaz. Mają podobną zalżność koncntracji, jak ciśnini w przypadku gazu oraz wykazują "rozszrzalność trmiczną" (fkt trmolktryczny). Dzięki wykładniczmu wzrostowi liczby nośników przwodnictwo półprzwodników rośni przy podgrzwaniu (w przciwiństwi do maljącgo przwodnictwa mtali). Dioda to lmnt lktroniczny, który przwodzi prąd tylko w jdną stronę. Elktrony i dziury płynąc w diodzi p-n rkombinując mogą produkować fotony. Dzięki tmu otrzymujmy diody świcąc. Tranzystor jst lmntm wzmacniającym moc i strującym prądm. Fotoogniwo jst lmntm działającym odwrotni niż dioda świcąca. W fotoogniwi fotony gnrują pary lktron-dziura, wytwarzając prąd lktryczny

Fizyka w doświadczeniach

Fizyka w doświadczeniach Matriały do wykładu 12. Elktrony wwnątrz matrii 12.1 Wstęp Fizyka w doświadczniac Krzysztof Korona Arcolodzy mają zwyczaj dzilić poki wdług matriałów, któr były najważnijsz w danyc czasac dla człowika.

Bardziej szczegółowo

Ekscytony Wanniera Motta

Ekscytony Wanniera Motta ozpatrzmy oddziaływani lktronu o wktorz falowym bliskim minimum pasma przwodnictwa oraz dziury z obszaru blisko wirzcołka pasma walncyjngo. Zakładamy, ż oba pasma są sfryczni symtryczn, a ic kstrma znajdują

Bardziej szczegółowo

Podstawowym prawem opisującym przepływ prądu przez materiał jest prawo Ohma, o makroskopowej postaci: V R (1.1)

Podstawowym prawem opisującym przepływ prądu przez materiał jest prawo Ohma, o makroskopowej postaci: V R (1.1) 11. Właściwości lktryczn Nizwykl istotnym aspktm funkcjonalnym matriałów, są ich właściwości lktryczn. Mogą być on nizwykl różnorodn, prdysponując matriały do nizwykl szrokij gamy zastosowań. Najbardzij

Bardziej szczegółowo

Półprzewodnikowe elementy aktywne.

Półprzewodnikowe elementy aktywne. Wykład 2 Półprzwodnikow lmnty aktywn. 17 kwitnia 2018 Wstęp 1. Półprzwodniki 2. Złącz p-n 2.1 Diody prostując 2.2 misja światła 2.3 fkt tunlowy i Znra 3. Tranzystory 3.1 Zasada działania 3.2 Obwody 4.

Bardziej szczegółowo

Obserwacje świadczące o dyskretyzacji widm energii w strukturach niskowymiarowych

Obserwacje świadczące o dyskretyzacji widm energii w strukturach niskowymiarowych Obsrwacj świadcząc o dyskrtyzacji widm nrgii w strukturach niskowymiarowych 1. Optyczn Widma: - absorpcji wzbudzani fotonami o coraz większj nrgii z szczytu pasma walncyjngo do pasma przwodnictwa maksima

Bardziej szczegółowo

Uogólnione wektory własne

Uogólnione wektory własne Uogólnion wktory własn m Dfinicja: Wktor nazywamy uogólnionym wktorm własnym rzędu m macirzy A do wartości własnj λ jśli ( A - I) m m- λ al ( A - λ I) Przykład: Znajdź uogólniony wktor własny rzędu do

Bardziej szczegółowo

Komitet Główny Olimpiady Fizycznej, Waldemar Gorzkowski: Olimpiady fizyczne XXIII i XXIV. WSiP, Warszawa 1977.

Komitet Główny Olimpiady Fizycznej, Waldemar Gorzkowski: Olimpiady fizyczne XXIII i XXIV. WSiP, Warszawa 1977. XXV OLMPADA FZYCZNA (1974/1975). Stopiń, zadani doświadczaln D Źródło: Nazwa zadania: Działy: Słowa kluczow: Komitt Główny Olimpiady Fizycznj, Waldmar Gorzkowski: Olimpiady fizyczn XX i XXV. WSiP, Warszawa

Bardziej szczegółowo

Definicja: Wektor nazywamy uogólnionym wektorem własnym rzędu m macierzy A

Definicja: Wektor nazywamy uogólnionym wektorem własnym rzędu m macierzy A Uogólnion wktory własnw Dfinicja: Wktor nazywamy uogólnionym wktorm własnym rzędu m macirzy A m do wartości własnj λ jśli ( A - I) m m- λ al ( A - λ I) Przykład: Znajdź uogólniony wktor własny rzędu do

Bardziej szczegółowo

Zjonizowana cząsteczka wodoru H 2+ - elektron i dwa protony

Zjonizowana cząsteczka wodoru H 2+ - elektron i dwa protony Zjonizowana cząstczka wodoru H - lktron i dwa protony Enrgia potncjalna lktronu w polu lktrycznym dwu protonów ˆ pˆ H = m pˆ 1 m p pˆ m p 1 1 1 4πε 0 r0 r1 r Hamiltonian cząstczki suma nrgii kintycznj

Bardziej szczegółowo

Fizyka promieniowania jonizującego. Zygmunt Szefliński

Fizyka promieniowania jonizującego. Zygmunt Szefliński Fizyka prominiowania jonizującgo ygmunt Szfliński 1 Wykład 10 Rozpady Rozpady - warunki nrgtyczn Ściżka stabilności Nad ściżką znajdują się jądra prominiotwórcz, ulgając rozpadowi -, zaś pod nią - jądra

Bardziej szczegółowo

Przedmiotowy system oceniania z fizyki w klasie II rok szkolny 2016/2017

Przedmiotowy system oceniania z fizyki w klasie II rok szkolny 2016/2017 objmujący trści nauczania zawart w podręczniku Spotkania z fizyką" cz. 3 (a takż w programi nauczania) Elktrostatyka (6-7 godz. + 2 godz. (łączni) na powtórzni matriału (podsumowani działu i sprawdzian)

Bardziej szczegółowo

NC6 Pomiary widma efektu fotoelektrycznego

NC6 Pomiary widma efektu fotoelektrycznego 1. Efkt fotolktryczny C6 Pomiary widma fktu fotolktryczngo Fotony padając na matriał w pirwszj koljności przkazują swoją nrgię lktronom. Jżli wzbudzon lktrony zostaną wyrzucon z matriału w próżnię, będzimy

Bardziej szczegółowo

PTPN ćwiczenie 3. (NC6) Pomiary widma efektu fotoelektrycznego

PTPN ćwiczenie 3. (NC6) Pomiary widma efektu fotoelektrycznego PTP ćwiczni 3. (C6) Pomiary widma fktu fotolktryczngo 1. Efkt fotolktryczny Fotony padając na matriał w pirwszj koljności przkazują swoją nrgię lktronom. Jżli wzbudzon lktrony zostaną wyrzucon z matriału

Bardziej szczegółowo

WYZNACZANIE STAŁEJ PLANCKA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH. Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska

WYZNACZANIE STAŁEJ PLANCKA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH. Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska 1 II PRACOWNIA FIZYCZNA: FIZYKA ATOMOWA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie

Bardziej szczegółowo

Farmakokinetyka furaginy jako przykład procesu pierwszego rzędu w modelu jednokompartmentowym zawierającym sztuczną nerkę jako układ eliminujący lek

Farmakokinetyka furaginy jako przykład procesu pierwszego rzędu w modelu jednokompartmentowym zawierającym sztuczną nerkę jako układ eliminujący lek 1 Matriał tortyczny do ćwicznia dostępny jst w oddzilnym dokumnci, jak równiż w książc: Hrmann T., Farmakokintyka. Toria i praktyka. Wydawnictwa Lkarski PZWL, Warszawa 2002, s. 13-74 Ćwiczni 6: Farmakokintyka

Bardziej szczegółowo

3. Struktura pasmowa

3. Struktura pasmowa 3. Strutura pasmowa Funcja Blocha Quasi-pęd, sić odwrotna Przybliżni prawi swobodngo ltronu Dziura w paśmi walncyjnym Masa ftywna Strutura pasmowa (), przyłady Półprzwodnii miszan ltron w rysztal sformułowani

Bardziej szczegółowo

Funkcja nieciągła. Typy nieciągłości funkcji. Autorzy: Anna Barbaszewska-Wiśniowska

Funkcja nieciągła. Typy nieciągłości funkcji. Autorzy: Anna Barbaszewska-Wiśniowska Funkcja niciągła. Typy niciągłości funkcji Autorzy: Anna Barbaszwska-Wiśniowska 2018 Funkcja niciągła. Typy niciągłości funkcji Autor: Anna Barbaszwska-Wiśniowska DEFINICJA Dfinicja 1: Funkcja niciągła

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Półprzewodniki Dielektryki Magnetyki Ćwiczenie nr 11 Badanie materiałów ferromagnetycznych

Laboratorium Półprzewodniki Dielektryki Magnetyki Ćwiczenie nr 11 Badanie materiałów ferromagnetycznych Laboratorium Półprzwodniki Dilktryki Magntyki Ćwiczni nr Badani matriałów frromagntycznych I. Zagadninia do przygotowania:. Podstawow wilkości charaktryzując matriały magntyczn. Związki pomiędzy B, H i

Bardziej szczegółowo

Indywidualna Pracownia Elektroniczna 2013/2014. Indywidualna Pracownia Elektroniczna Badanie diod półprzewodnikowych 8-X

Indywidualna Pracownia Elektroniczna 2013/2014. Indywidualna Pracownia Elektroniczna Badanie diod półprzewodnikowych 8-X ndywidualna Pracownia Elktroniczna 03/04 http://p.fuw.du.pl/ Wojcich DOMNK ndywidualna Pracownia Elktroniczna 03 Wykłady sala 7 na Pastura Badani diod -X-03-4 półprzwodnikowych Tranzystor bipolarny. Wzmacniacz

Bardziej szczegółowo

Teoria pasmowa ciał stałych Zastosowanie półprzewodników

Teoria pasmowa ciał stałych Zastosowanie półprzewodników Teoria pasmowa ciał stałych Zastosowanie półprzewodników Model atomu Bohra Niels Bohr - 1915 elektrony krążą wokół jądra jądro jest zbudowane z: i) dodatnich protonów ii) neutralnych neutronów Liczba atomowa

Bardziej szczegółowo

Złącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy

Złącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy Złącze p-n: dioda Półprzewodniki Przewodnictwo półprzewodników Dioda Dioda: element nieliniowy Przewodnictwo kryształów Atomy dyskretne poziomy energetyczne (stany energetyczne); określone energie elektronów

Bardziej szczegółowo

Karta pracy III/1a Elektrochemia: ogniwa galwaniczne

Karta pracy III/1a Elektrochemia: ogniwa galwaniczne Karta pracy III/1a Elektrochemia: ogniwa galwaniczne I. Elektroda, półogniwo, ogniowo Elektroda przewodnik elektryczny (blaszka metalowa lub pręcik grafitowy) który ma być zanurzony w roztworze elektrolitu

Bardziej szczegółowo

ELEKTRODY i OGNIWA. Elektrody I rodzaju - elektrody odwracalne wzgl dem kationu; metal zanurzony w elektrolicie zawieraj cym jony tego metalu.

ELEKTRODY i OGNIWA. Elektrody I rodzaju - elektrody odwracalne wzgl dem kationu; metal zanurzony w elektrolicie zawieraj cym jony tego metalu. ELEKTRODY i OGNIWA Elektrody I rodzaju - elektrody odwracalne wzgl dem kationu; metal zanurzony w elektrolicie zawieraj cym jony tego metalu. Me z+ + z e Me Utl + z e Red RÓWNANIE NERNSTA Walther H. Nernst

Bardziej szczegółowo

Elektroniczne systemy bezpieczeństwa mogą występować w trzech rodzajach struktur. Są to struktury typu: - skupionego, - rozproszonego, - mieszanego.

Elektroniczne systemy bezpieczeństwa mogą występować w trzech rodzajach struktur. Są to struktury typu: - skupionego, - rozproszonego, - mieszanego. A. Cl ćwicznia Clm ćwicznia jst zapoznani się z wskaźnikami nizawodnościowymi lktronicznych systmów bzpiczństwa oraz wykorzystanim ich do optymalizacji struktury nizawodnościowj systmu.. Część tortyczna

Bardziej szczegółowo

TŻ Wykład 9-10 I 2018

TŻ Wykład 9-10 I 2018 TŻ Wykład 9-10 I 2018 Witold Bekas SGGW Elementy elektrochemii Wiele metod analitycznych stosowanych w analityce żywnościowej wykorzystuje metody elektrochemiczne. Podział metod elektrochemicznych: Prąd

Bardziej szczegółowo

Zjawisko fotoelektryczne zewnętrzne

Zjawisko fotoelektryczne zewnętrzne Narodow Cntrum Badań Jądrowych Dział Edukacji i Szkolń ul. Andrzja Sołtana 7, 05-400 Otwock-Świrk ĆWICZENIE 17 L A B O R A T O R I U M F I Z Y K I A T O M O W E J I J Ą D R O W E J Zjawisko fotolktryczn

Bardziej szczegółowo

Złącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET

Złącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET Złącza p-n, zastosowania Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET Złącze p-n, polaryzacja złącza, prąd dyfuzyjny (rekombinacyjny) Elektrony z obszaru n na złączu dyfundują

Bardziej szczegółowo

Wykład VIII: Odkształcenie materiałów - właściwości sprężyste

Wykład VIII: Odkształcenie materiałów - właściwości sprężyste Wykład VIII: Odkształcni matriałów - właściwości sprężyst JERZY LI Wydział Inżynirii Matriałowj i ramiki Katdra Tchnologii ramiki i Matriałów Ogniotrwałych Trść wykładu: 1. Właściwości matriałów wprowadzni

Bardziej szczegółowo

PODSTAWY KOROZJI ELEKTROCHEMICZNEJ

PODSTAWY KOROZJI ELEKTROCHEMICZNEJ PODSTAWY KOROZJI ELEKTROCHEMICZNEJ PODZIAŁ KOROZJI ZE WZGLĘDU NA MECHANIZM Korozja elektrochemiczna zachodzi w środowiskach wilgotnych, w wodzie i roztworach wodnych, w glebie, w wilgotnej atmosferze oraz

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE J15. Celem ćwiczenia jest zbadanie efektu Comptona poprzez pomiar zależności energii rozproszonych kwantów gamma od kąta rozproszenia.

ĆWICZENIE J15. Celem ćwiczenia jest zbadanie efektu Comptona poprzez pomiar zależności energii rozproszonych kwantów gamma od kąta rozproszenia. ĆWICZNI J15 Badani fktu Comptona Clm ćwicznia jst zbadani fktu Comptona poprzz pomiar zalżności nrgii rozproszonych kwantów gamma od kąta rozprosznia. Wstęp fkt Comptona to procs nilastyczngo rozprosznia

Bardziej szczegółowo

wodny roztwór chlorku cyny (SnCl 2 ) stężony kwas solny (HCl), dwie elektrody: pręcik cynowy i gwóźdź stalowy, źródło prądu stałego (zasilacz).

wodny roztwór chlorku cyny (SnCl 2 ) stężony kwas solny (HCl), dwie elektrody: pręcik cynowy i gwóźdź stalowy, źródło prądu stałego (zasilacz). 21.03.2018 Do doświadczenia użyto: wodny roztwór chlorku cyny (SnCl 2 ) stężony kwas solny (HCl), dwie elektrody: pręcik cynowy i gwóźdź stalowy, źródło prądu stałego (zasilacz). Do naczynia wlano roztwór

Bardziej szczegółowo

10.2. Źródła prądu. Obwód elektryczny

10.2. Źródła prądu. Obwód elektryczny rozdział 10 o prądzie elektrycznym 62 10.2. Źródła prądu. Obwód elektryczny W doświadczeniu 10.1 obserwowaliśmy krótkotrwałe przepływy ładunków elektrycznych w przewodzie łączącym dwa elektroskopy. Żeby

Bardziej szczegółowo

Analiza danych jakościowych

Analiza danych jakościowych Analiza danych jakościowych Ccha ciągła a ccha dyskrtna! Ciągła kg Dyskrtna Cchy jakościow są to cchy, których jdnoznaczn i oczywist scharaktryzowani za pomocą liczb jst nimożliw lub bardzo utrudnion.

Bardziej szczegółowo

FALOWA I KWANTOWA HASŁO :. 1 F O T O N 2 Ś W I A T Ł O 3 E A I N S T E I N 4 D Ł U G O Ś C I 5 E N E R G I A 6 P L A N C K A 7 E L E K T R O N

FALOWA I KWANTOWA HASŁO :. 1 F O T O N 2 Ś W I A T Ł O 3 E A I N S T E I N 4 D Ł U G O Ś C I 5 E N E R G I A 6 P L A N C K A 7 E L E K T R O N OPTYKA FALOWA I KWANTOWA 1 F O T O N 2 Ś W I A T Ł O 3 E A I N S T E I N 4 D Ł U G O Ś C I 5 E N E R G I A 6 P L A N C K A 7 E L E K T R O N 8 D Y F R A K C Y J N A 9 K W A N T O W A 10 M I R A Ż 11 P

Bardziej szczegółowo

gdzie: E ilość energii wydzielona z zamiany masy na energię m ubytek masy c szybkość światła w próŝni (= m/s).

gdzie: E ilość energii wydzielona z zamiany masy na energię m ubytek masy c szybkość światła w próŝni (= m/s). 1 Co to jst dfkt masy? Ŝli wskutk rakcji chmicznj masa produktów jst mnijsza od masy substratów to zjawisko taki nazywamy dfktm masy Ubytkowi masy towarzyszy wydzilani się nrgii ówimy Ŝ masa jst równowaŝna

Bardziej szczegółowo

11. Zjawiska korpuskularno-falowe

11. Zjawiska korpuskularno-falowe . Zjawiska korpuskularno-falow.. Prominiowani trmizn Podstawow źródła światła: - ogrzan iała stał lub gazy, w który zaodzi wyładowani lktryzn. misja absorpja R - widmowa zdolność misyjna prominiowania

Bardziej szczegółowo

Podstawy działania elementów półprzewodnikowych - tranzystory

Podstawy działania elementów półprzewodnikowych - tranzystory Podstawy działania lmntów półprzwodnikowych - tranzystory Wrocław 2016 Wprowadzni Trójkońcówkowy (cztrokońcówkowy) półprzwodnikowy lmnt lktroniczny, posiadający zdolność wzmacniania synału lktryczno. Nazwa

Bardziej szczegółowo

Materia skondensowana

Materia skondensowana Matria skondnsowana Jack.Szczytko@fuw.du.pl http://www.fuw.du.pl/~szczytko/nt Podziękowania za pomoc w przygotowaniu zajęć: Prof. dr hab. Pawł Kowalczyk Prof. dr hab. Dariusz Wasik Uniwrsytt Warszawski

Bardziej szczegółowo

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz

Bardziej szczegółowo

13. Optyka Polaryzacja przez odbicie.

13. Optyka Polaryzacja przez odbicie. 13. Optyka 13.8. Polaryzaja przz odbii. x y z Fala lktromagntyzna, to fala poprzzna. Wktory E i są prostopadł do kirunku rozhodznia się fali. W wszystkih punktah wktory E (podobni jak ) są do sibi równolgł.

Bardziej szczegółowo

Struktura pasmowa ciał stałych

Struktura pasmowa ciał stałych Struktura pasmowa ciał stałych dr inż. Ireneusz Owczarek CMF PŁ ireneusz.owczarek@p.lodz.pl http://cmf.p.lodz.pl/iowczarek 2012/13 Spis treści 1. Pasmowa teoria ciała stałego 2 1.1. Wstęp do teorii..............................................

Bardziej szczegółowo

Elementy Elektrochemii

Elementy Elektrochemii Elementy Elektrochemii IV.: Ogniwa galwaniczne przykłady Ogniwa Pierwotne - nieodwracalne - ogniwo Volty (A.G.A.A. Volta 1800r.) - ogniwo Daniela (John Daniell 1836 r.) - Ogniwo cynkowo-manganowe (Leclanche,

Bardziej szczegółowo

Teoria pasmowa. Anna Pietnoczka

Teoria pasmowa. Anna Pietnoczka Teoria pasmowa Anna Pietnoczka Opis struktury pasmowej we współrzędnych r, E Zmiana stanu elektronów przy zbliżeniu się atomów: (a) schemat energetyczny dla atomów sodu znajdujących się w odległościach

Bardziej szczegółowo

Elektrochemia - prawa elektrolizy Faraday a. Zadania

Elektrochemia - prawa elektrolizy Faraday a. Zadania Elektrochemia - prawa elektrolizy Faraday a Zadania I prawo Faraday a Masa substancji wydzielonej na elektrodach podczas elektrolizy jest proporcjonalna do natężenia prądu i czasu trwania elektrolizy q

Bardziej szczegółowo

PODSTAWOWE ELEMENTY ELEKTRONICZNE DIODA PROSTOWNICZA. W diodach dla prądu elektrycznego istnieje kierunek przewodzenia i kierunek zaporowy.

PODSTAWOWE ELEMENTY ELEKTRONICZNE DIODA PROSTOWNICZA. W diodach dla prądu elektrycznego istnieje kierunek przewodzenia i kierunek zaporowy. PODSTAWOWE ELEMENTY ELEKTRONICZNE DIODA PROSTOWNICZA W diodach dla prądu elektrycznego istnieje kierunek przewodzenia i kierunek zaporowy. Jeśli plus (+) zasilania jest podłączony do anody a minus (-)

Bardziej szczegółowo

Elektrony, kwanty, fotony

Elektrony, kwanty, fotony Wstęp. Elktrony, kwanty, fotony dr Janusz B. Kępka Sir Isaa Nwton (angilski fizyk i filozof, 16-177) w swym znakomitym dzil Optiks (170 r.) rozważał zarówno korpuskularny jak i falowy araktr światła, z

Bardziej szczegółowo

Wybrane Działy Fizyki

Wybrane Działy Fizyki Wybrane Działy Fizyki energia elektryczna i jadrowa W. D ebski 25.11.2009 Rodzaje energii energia mechaniczna energia cieplna (chemiczna) energia elektryczna energia jadrowa debski@igf.edu.pl: W5-1 WNZ

Bardziej szczegółowo

Akademickie Centrum Czystej Energii. Ogniwo paliwowe

Akademickie Centrum Czystej Energii. Ogniwo paliwowe Ogniwo paliwowe 1. Zagadnienia elektroliza, prawo Faraday a, pierwiastki galwaniczne, ogniwo paliwowe 2. Opis Główną częścią ogniwa paliwowego PEM (Proton Exchange Membrane) jest membrana złożona z katody

Bardziej szczegółowo

( t) UKŁADY TRÓJFAZOWE

( t) UKŁADY TRÓJFAZOWE KŁDY TRÓJFW kładm wilofazowym nazywamy zbiór obwodów lktrycznych (fazowych) w których działają napięcia żródłow sinusoidaln o jdnakowj częstotliwości przsunięt względm sibi w fazi i wytwarzan przważni

Bardziej szczegółowo

Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK

Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK Budowa diody Dioda zbudowana jest z dwóch warstw półprzewodników: półprzewodnika typu n (nośnikami prądu elektrycznego są elektrony) i półprzewodnika

Bardziej szczegółowo

OGNIWA GALWANICZNE I SZREG NAPIĘCIOWY METALI ELEKTROCHEMIA

OGNIWA GALWANICZNE I SZREG NAPIĘCIOWY METALI ELEKTROCHEMIA 1 OGNIWA GALWANICZNE I SZREG NAPIĘCIOWY METALI ELEKTROCHEMIA PRZEMIANY CHEMICZNE POWODUJĄCE PRZEPŁYW PRĄDU ELEKTRYCZNEGO. PRZEMIANY CHEMICZNE WYWOŁANE PRZEPŁYWEM PRĄDU. 2 ELEKTROCHEMIA ELEKTROCHEMIA dział

Bardziej szczegółowo

Wykład 4: Termy atomowe

Wykład 4: Termy atomowe Wykład : Trmy atomow Orbitaln i spinow momnty magntyczn Trmy atomow Symbol trmów Przykłady trmów Rguła Hunda dla trmów Rozszczpini poziomów nrgtycznych Właściwości magntyczn atomów wilolktronowych Wydział

Bardziej szczegółowo

Przetwarzanie energii: kondensatory

Przetwarzanie energii: kondensatory Przetwarzanie energii: kondensatory Ładując kondensator wykonujemy pracę nad ładunkiem. Przetwarzanie energii: ogniwa paliwowe W ogniwach paliwowych następuje elektrochemiczne spalanie paliwa. Energia

Bardziej szczegółowo

Elementy optoelektroniczne. Przygotował: Witold Skowroński

Elementy optoelektroniczne. Przygotował: Witold Skowroński Elementy optoelektroniczne Przygotował: Witold Skowroński Plan prezentacji Wstęp Diody świecące LED, Wyświetlacze LED Fotodiody Fotorezystory Fototranzystory Transoptory Dioda LED Dioda LED z elektrycznego

Bardziej szczegółowo

Zasada działania tranzystora bipolarnego

Zasada działania tranzystora bipolarnego Tranzystor bipolarny Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasada działania tranzystora bipolarnego

Bardziej szczegółowo

Fotoelementy. Symbole graficzne półprzewodnikowych elementów optoelektronicznych: a) fotoogniwo b) fotorezystor

Fotoelementy. Symbole graficzne półprzewodnikowych elementów optoelektronicznych: a) fotoogniwo b) fotorezystor Fotoelementy Wstęp W wielu dziedzinach techniki zachodzi potrzeba rejestracji, wykrywania i pomiaru natężenia promieniowania elektromagnetycznego o różnych długościach fal, w tym i promieniowania widzialnego,

Bardziej szczegółowo

Przetwarzanie energii: kondensatory

Przetwarzanie energii: kondensatory Przetwarzanie energii: kondensatory Ładując kondensator wykonujemy pracę nad ładunkiem. Przetwarzanie energii: ogniwa paliwowe W ogniwach paliwowych następuje elektrochemiczne spalanie paliwa. Energia

Bardziej szczegółowo

Szeregowy obwód RC - model matematyczny układu

Szeregowy obwód RC - model matematyczny układu Akadmia Morska w Gdyni Katdra Automatyki Okrętowj Toria strowania Mirosław Tomra Na przykładzi szrgowgo obwodu lktryczngo składającgo się z dwóch lmntów pasywnych: rzystora R i kondnsatora C przdstawiony

Bardziej szczegółowo

SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis

SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis SYMBOLE GRAFICZNE y Nazwa triasowy blokujący wstecznie SCR asymetryczny ASCR Symbol graficzny Struktura Charakterystyka Opis triasowy blokujący wstecznie SCR ma strukturę czterowarstwową pnpn lub npnp.

Bardziej szczegółowo

Badanie charakterystyki diody

Badanie charakterystyki diody Badanie charakterystyki diody Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowo napięciowych różnych diod półprzewodnikowych. Wstęp Dioda jest jednym z podstawowych elementów elektronicznych,

Bardziej szczegółowo

Wykład 6 Pochodna, całka i równania różniczkowe w praktycznych zastosowaniach w elektrotechnice.

Wykład 6 Pochodna, całka i równania różniczkowe w praktycznych zastosowaniach w elektrotechnice. Wykład 6 Pochodna, całka i równania różniczkow w prakycznych zasosowaniach w lkrochnic. Przypomnini: Dfinicja pochodnj: Granica ilorazu różnicowgo-przyros warości funkcji do przyrosu argumnów-przy przyrości

Bardziej szczegółowo

Skończona studnia potencjału

Skończona studnia potencjału Skończona studnia potencjału U = 450 ev, L = 100 pm Fala wnika w ściany skończonej studni długość fali jest większa (a energia mniejsza) Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 5 Doświadczenie Franka-Hertza. Pomiar energii wzbudzenia atomów neonu.

Ćwiczenie nr 5 Doświadczenie Franka-Hertza. Pomiar energii wzbudzenia atomów neonu. Ćwiczenie nr 5 Doświadczenie Franka-Hertza. Pomiar energii wzbudzenia atomów neonu. A. Opis zagadnienia I. Doświadczenie Franka-Hertza W 1914 roku James Franck i Gustav Hertz przeprowadzili doświadczenie,

Bardziej szczegółowo

CHARAKTERYSTYKA OBCIĄŻENIOWA

CHARAKTERYSTYKA OBCIĄŻENIOWA Opracowani: dr inż. Ewa Fudalj-Kostrzwa CHARAKTERYSTYKA OBCIĄŻENIOWA Charaktrystyki obciążniow są wyznaczan w ramach klasycznych statycznych badań silników zarówno dla silników o zapłoni iskrowym jak i

Bardziej szczegółowo

Rys.2. Schemat działania fotoogniwa.

Rys.2. Schemat działania fotoogniwa. Ćwiczenie E16 BADANIE NATĘŻENIA PRĄDU FOTOELEKTRYCZNEGO W ZALEŻNOŚCI OD ODLEGŁOŚCI ŹRÓDŁA ŚWIATŁA Cel: Celem ćwiczenia jest zbadanie zależności natężenia prądu generowanego światłem w fotoogniwie od odległości

Bardziej szczegółowo

Ć W I C Z E N I E N R E-14

Ć W I C Z E N I E N R E-14 INSTYTUT FIZYKI WYDZIAŁ INŻYNIERII PRODUKCJI I TECHNOLOGII MATERIAŁÓW POLITECHNIKA CZĘSTOCHOWSKA PRACOWNIA ELEKTRYCZNOŚCI I MAGNETYZMU Ć W I C Z E N I E N R E-14 WYZNACZANIE SZYBKOŚCI WYJŚCIOWEJ ELEKTRONÓW

Bardziej szczegółowo

ANALITYKA W KONTROLI JAKOŚCI

ANALITYKA W KONTROLI JAKOŚCI ANALITYKA W KONTROLI JAKOŚCI ANALIZA ŚLADÓW METODA ICP-OES Optyczna spektroskopia emisyjna ze wzbudzeniem w indukcyjnie sprzężonej plazmie WYKŁAD 4 Rodzaje widm i mechanizm ich powstania PODSTAWY SPEKTROSKOPII

Bardziej szczegółowo

EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE

EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE ĆWICZENIE 104 EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyki prądowo napięciowej I(V) ogniwa słonecznego przed i po oświetleniu światłem widzialnym; prądu zwarcia, napięcia

Bardziej szczegółowo

Przewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki

Przewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki Przewodność elektryczna ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności

Bardziej szczegółowo

Przykład 1 modelowania jednowymiarowego przepływu ciepła

Przykład 1 modelowania jednowymiarowego przepływu ciepła Przykład 1 modlowania jdnowymiarowgo przpływu cipła 1. Modl przpływu przz ścianę wilowarstwową Ściana składa się trzch warstw o różnych grubościach wykonana z różnych matriałów. Na jdnj z ścian zwnętrznych

Bardziej szczegółowo

Urządzenia półprzewodnikowe

Urządzenia półprzewodnikowe Urządzenia półprzewodnikowe Diody: - prostownicza - Zenera - pojemnościowa - Schottky'ego - tunelowa - elektroluminescencyjna - LED - fotodioda półprzewodnikowa Tranzystory - tranzystor bipolarny - tranzystor

Bardziej szczegółowo

Rekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja

Rekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja Rekapitulacja Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje: czwartek

Bardziej szczegółowo

W1. Właściwości elektryczne ciał stałych

W1. Właściwości elektryczne ciał stałych W1. Właściwości elektryczne ciał stałych Względna zmiana oporu właściwego przy wzroście temperatury o 1 0 C Materiał Opór właściwy [m] miedź 1.68*10-8 0.0061 żelazo 9.61*10-8 0.0065 węgiel (grafit) 3-60*10-3

Bardziej szczegółowo

Podstawy fizyki subatomowej

Podstawy fizyki subatomowej Podstawy fizyki subatomowj Wykład marca 09 r. Modl Standardowy Modl Standardowy opisuj siln, słab i lktromagntyczn oddziaływania i własności cząstk subatomowych. cząstki lmntarn MS: lptony, kwarki, bozony

Bardziej szczegółowo

Wykład VI. Teoria pasmowa ciał stałych

Wykład VI. Teoria pasmowa ciał stałych Wykład VI Teoria pasmowa ciał stałych Energia elektronu (ev) Powstawanie pasm w krysztale sodu pasmo walencyjne (zapełnione częściowo) Konfiguracja w izolowanym atomie Na: 1s 2 2s 2 2p 6 3s 1 Ne Położenie

Bardziej szczegółowo

Wykład III. Teoria pasmowa ciał stałych

Wykład III. Teoria pasmowa ciał stałych Wykład III Teoria pasmowa ciał stałych Energia elektronu (ev) Powstawanie pasm w krysztale sodu pasmo walencyjne (zapełnione częściowo) Konfiguracja w izolowanym atomie Na: 1s 2 2s 2 2p 6 3s 1 Ne Położenie

Bardziej szczegółowo

Pytania do ćwiczeń na I-szej Pracowni Fizyki

Pytania do ćwiczeń na I-szej Pracowni Fizyki Ćw. nr 5 Oscylator harmoniczny. 1. Ruch harmoniczny prosty. Pojęcia: okres, wychylenie, amplituda. 2. Jaka siła powoduje ruch harmoniczny spręŝyny i ciała do niej zawieszonego? 3. Wzór na okres (Studenci

Bardziej szczegółowo

2. Architektury sztucznych sieci neuronowych

2. Architektury sztucznych sieci neuronowych - 8-2. Architktury sztucznych sici nuronowych 2.. Matmatyczny modl nuronu i prostj sici nuronowj Sztuczn sici nuronow są modlami inspirowanymi przz strukturę i zachowani prawdziwych nuronów. Podobni jak

Bardziej szczegółowo

.pl KSIĄŻKA ZNAKU. Portal Kulturalny Warmii i Mazur. www.eświatowid.pl. Przygotował: Krzysztof Prochera. Zatwierdził: Antoni Czyżyk

.pl KSIĄŻKA ZNAKU. Portal Kulturalny Warmii i Mazur. www.eświatowid.pl. Przygotował: Krzysztof Prochera. Zatwierdził: Antoni Czyżyk Portalu Kulturalngo Warmii i Mazur www.światowid Przygotował: Krzysztof Prochra... Zatwirdził: Antoni Czyżyk... Elbląg, dn. 4.12.2014 Płna forma nazwy prawnj: www.światowid Formy płnj nazwy prawnj nalży

Bardziej szczegółowo

Część 1. Wprowadzenie. Przegląd funkcji, układów i zagadnień

Część 1. Wprowadzenie. Przegląd funkcji, układów i zagadnień Część 1 Wprowadzenie Przegląd funkcji, układów i zagadnień Źródło energii w systemie fotowoltaicznym Ogniwo fotowoltaiczne / słoneczne photovoltaic / solar cell pojedynczy przyrząd półprzewodnikowy U 0,5

Bardziej szczegółowo

odwodnienia liniowe Kenadrain

odwodnienia liniowe Kenadrain odwodninia liniow Knadrain Odwodninia liniow Knadrain Kanały liniow Knadrain (wykonan z D) występują w klasi ociążń C250 i D400 z rusztm żliwnym i listwą krawędziową kanału stalową-ocynkowaną. Szrokość

Bardziej szczegółowo

IV. TRANZYSTOR POLOWY

IV. TRANZYSTOR POLOWY 1 IV. TRANZYSTOR POLOWY Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora polowego złączowego. Zagadnienia: zasada działania tranzystora FET 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z

Bardziej szczegółowo

Obwody prądu stałego. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12)Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.

Obwody prądu stałego. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12)Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Obwody prądu stałego Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12)Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Podstawowe prawa elektrotechniki w zastosowaniu do obwodów elektrycznych: Obwód elektryczny

Bardziej szczegółowo

Różne dziwne przewodniki

Różne dziwne przewodniki Różne dziwne przewodniki czyli trzy po trzy o mechanizmach przewodzenia prądu elektrycznego Przewodniki elektronowe Metale Metale (zwane również przewodnikami) charakteryzują się tym, że elektrony ich

Bardziej szczegółowo

Elektryczne własności ciał stałych

Elektryczne własności ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności elektryczne trzeba zdefiniować kilka wielkości Oporność właściwa (albo przewodność) ładunek [C] = 1/

Bardziej szczegółowo

Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA

Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA B V B C ZEWNĘTRZNE POLE ELEKTRYCZNE B C B V B D = 0 METAL IZOLATOR PRZENOSZENIE ŁADUNKÓW ELEKTRYCZNYCH B C B D B V B D PÓŁPRZEWODNIK PODSTAWOWE MECHANIZMY

Bardziej szczegółowo

Autor: Dariusz Piwczyński :07

Autor: Dariusz Piwczyński :07 Autor: Dariusz Piwczyński 011-1-01 14:07 Analiza danych jakościowych tsty opart o statystykę χ. Cchy jakościow są to cchy, których jdnoznaczn i oczywist scharaktryzowani za pomocą liczb jst nimożliw lub

Bardziej szczegółowo

Ćw. 27. Badanie właściwości statystycznych elektronów emitowanych z katody lampy próżniowej

Ćw. 27. Badanie właściwości statystycznych elektronów emitowanych z katody lampy próżniowej Ćw. 7. Badani właściwości statystycznych lktronów itowanych z katody lapy próżniowj Michał Urbański 1. Wprowadznia Kintyczna toria gazów i atrii została sforułowana pod konic XIXw. i spowodowała rwolucję

Bardziej szczegółowo

1. Określ liczbę wiązań σ i π w cząsteczkach: wody, amoniaku i chloru

1. Określ liczbę wiązań σ i π w cząsteczkach: wody, amoniaku i chloru 1. Określ liczbę wiązań σ i π w cząsteczkach: wody, amoniaku i chloru 2. Na podstawie struktury cząsteczek wyjaśnij dlaczego N 2 jest bierny a Cl 2 aktywny chemicznie? 3. Które substancje posiadają budowę

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Wpływ oświetlenia na półprzewodnik oraz na złącze p-n

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Wpływ oświetlenia na półprzewodnik oraz na złącze p-n Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDA DZENNE LABORATORUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNKOWYCH Ćwiczenie nr 5 Wpływ oświetlenia na półprzewodnik oraz na złącze p-n. Zagadnienia

Bardziej szczegółowo

PLAN WYKŁADU. Równanie Clausiusa-Clapeyrona 1 /21

PLAN WYKŁADU. Równanie Clausiusa-Clapeyrona 1 /21 PAN WYKŁADU Równani Clausiusa-Clapyrona 1 /1 Podręczniki Salby, Chaptr 4 C&W, Chaptr 4 R&Y, Chaptr /1 p (mb) 1 C Fusion iquid Solid 113 6.11 Vapor 1 374 (ºC) Kropl chmurow powstają wtdy kidy zostani osiągnięty

Bardziej szczegółowo

Przejścia promieniste

Przejścia promieniste Przejście promieniste proces rekombinacji elektronu i dziury (przejście ze stanu o większej energii do stanu o energii mniejszej), w wyniku którego następuje emisja promieniowania. E Długość wyemitowanej

Bardziej szczegółowo

Stałe : h=6, Js h= 4, eVs 1eV= J nie zależy

Stałe : h=6, Js h= 4, eVs 1eV= J nie zależy T_atom-All 1 Nazwisko i imię klasa Stałe : h=6,626 10 34 Js h= 4,14 10 15 evs 1eV=1.60217657 10-19 J Zaznacz zjawiska świadczące o falowej naturze światła a) zjawisko fotoelektryczne b) interferencja c)

Bardziej szczegółowo

Widmo promieniowania elektromagnetycznego Czułość oka człowieka

Widmo promieniowania elektromagnetycznego Czułość oka człowieka dealna charakterystyka prądowonapięciowa złącza p-n ev ( V ) = 0 exp 1 kbt Przebicie złącza przy polaryzacji zaporowej Przebicie Zenera tunelowanie elektronów przez wąską warstwę zaporową w złączu silnie

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie E17 BADANIE CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH MODUŁU OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH I SPRAWNOŚCI KONWERSJI ENERGII PADAJĄCEGO PROMIENIOWANIA

Ćwiczenie E17 BADANIE CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH MODUŁU OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH I SPRAWNOŚCI KONWERSJI ENERGII PADAJĄCEGO PROMIENIOWANIA Ćwiczenie E17 BADANIE CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH MODUŁU OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH I SPRAWNOŚCI KONWERSJI ENERGII PADAJĄCEGO PROMIENIOWANIA Cel: Celem ćwiczenia jest zbadanie charakterystyk prądowo

Bardziej szczegółowo

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH załącznik 1 do ćwiczenia nr 6

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH załącznik 1 do ćwiczenia nr 6 PMY MŁOSYGNŁOW NZYSOÓW POLNYH załącznik 1 do ćwznia nr 6 Wstęp Modl małosygnałow tranzystorów mają na l przdstawini tranzystora za pomocą obwod liniowgo. aka rprzntacja tranzystora pozwala na zastąpini

Bardziej szczegółowo

MA M + + A - K S, s M + + A - MA

MA M + + A - K S, s M + + A - MA ROZPUSZCZANIE OSADU MA M + + A - K S, s X + ; Y - M + ; A - H + L - (A - ; OH - ) jony obce jony wspólne protonowanie A - kompleksowanie M + STRĄCANIE OSADU M + + A - MA IS > K S czy się strąci? przy jakim

Bardziej szczegółowo

Cel ogólny lekcji: Omówienie ogniwa jako źródła prądu oraz zapoznanie z budową ogniwa Daniella.

Cel ogólny lekcji: Omówienie ogniwa jako źródła prądu oraz zapoznanie z budową ogniwa Daniella. Piotr Chojnacki IV rok, informatyka chemiczna Liceum Ogólnokształcące Nr I we Wrocławiu Wrocław dn. 9 listopada 2005r Temat lekcji: Ogniwa jako źródła prądu. Budowa ogniwa Daniella. Cel ogólny lekcji:

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacz tranzystorowy

Wzmacniacz tranzystorowy Wydział Elktroniki Mikrosystmów i Fotoniki Opracował zspół: Mark Pank, Waldmar Olszkiwicz, yszard Korbutowicz, wona Zborowska-Lindrt, Bogdan Paszkiwicz, Małgorzata Kramkowska, Zdzisław Synowic, Bata Ściana,

Bardziej szczegółowo