2. ZJAWISKA KONTAKTOWE
|
|
- Helena Podgórska
- 8 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 . ZJAWISKA KONTAKTOWE Możliwe są trzy rozae kotaktów: kotakt - tego samego rozau złącze -, +-, +-, l-h (styk omowy z metalem), homozłącze kotakt wóch różego rozau (Ge-Si) heterozłącze kotakt metal złącze m-s (ois: charakterystyka aięciowo-rąowa) kotakt metal-izolator- (MIS) (ois: charakterystyka oemościowoaięciowa) Połączeia METAL-PÓŁPRZEWODNIK lub PÓŁPRZEWODNIK- PÓŁPRZEWODNIK wytwarzaą obszary rześciowe (złącza), gzie kocetraca ośików obiega o te w obętości materiału. Właściwości tych obszarów zmieiaą się z aięciem zewętrzym, co w efekcie ae ieliiowe charakterystyki rąowo- aięciowe. Wykorzystue się to o: rostowaia, wzmaciaia, geeraci rgań i i.
2 Eergia elektroów w metalu Rozkła gęstości elektroów Większość metali est obrymi rzewoikami rąu część elektroów est słabo związaa z oami sieci krystalicze i może swoboie rzemieszczać się w metalu (elektroy swoboe). Jeak mimo to, że elektroy te są "swoboe" w obrębie aego metalu, ie ozacza to wcale, iż mogą łatwo wyostać się a zewątrz metalu. Zauą się bowiem oe w zasięgu ziałaia sił elektryczych ola krystaliczego wytwarzaego rzez oy sieci krystalicze. Aby więc ouścić metal, elektro musi osiaać oowieio użą eergię o rzezwyciężeia tych oziaływań (tzw. raca wyścia).
3 W tem. T > 0 istieą elektroy mogące ouścić metal. Gęstość rąu emitowaych elektroów (rąu termoemisi) określa wzór Richarsoa: AT ex q / kt A - Stała Richarsoa q termoyamicza raca wyścia Metal Ag Au Al Cu Ni Pt Praca wy.(ev) Jee elektroowolt (1 ev) est to eergia, aką uzyskue elektro, który est rzysieszay aięciem rówym 1 woltowi: 1 ev = 1 e 1 V = 1, J 1 J 6, ev
4 Emisa elektroów z ółrzewoika N (cm -3 ) Praca wyścia w temeraturze okoowe (ev) Si GaAs Praca wyścia z PP zależy o kocetraci omieszek malee ze wzrostem koc.
5 .1. Kotakt metal-ółrzewoik (złącze Schottky`ego) Jeśli m >, elektroom łatwie wyostać się z ółrzewoika, J> Jm metal Si tyu Sta rze ustaleiem się rówowagi Założeie : m
6 Sta rówowagi Elektroy z M i P maą możliwość rzemieszczaia się i wyrówaia swoego otecału elektrochemiczego (oziomu Fermiego). Kieruek rzemieszczeń zależy o relaci rac wyścia.
7 Sta rówowagi rzy bezośreim kotakcie Pole kotaktowe zakrzywia oziomy eergetycze. Powstae ole elektrycze, wytwarzae rzez ozbawioe elektroów oory (N D +) w rzyzłączowe warstwie PP o grubości. W metalu gromazi się łauek amiarowy elektroów, który w warukach rówowagi termoyamicze owstrzyma alszy ich rzeływ. Tak owstae bariera otecału (bariera Schottky ego) q B o stroie metalu. Aby okoać barierę qu D elektro musi zyskać eergię otecalą.
8 Potecał ola V(x) est związay z gęstością łauku rzestrzeego ρ(x) rówaiem Poissoa: V x (x) 0 Przy stałe gęstości ρ = qn eergia otecala elektroów wyosi: q ( x) qv N ( x) 0 rzy czym grubość warstwy zaorowe wyliczoa z waruku la x=0 φ(x) = qu D wyosi: 0 N U q D 1/
9 Przykła: Dae: N = cm -3 ε = 10 U D = 1 V 0 U N q D 1/ Obliczoa szerokość warstwy zubożoe = 1 μm Zmiaa eergii a asma owoue zmiaę kocetraci elektroów: ( x) Nc ex ( x) WF / kt 0ex ( x) / kt 0 - kocetraca rówowagowa w obętości ółrzewoika
10 .1.1. Wływ aięcia zewętrzego a obszar kotaktu m- U= 0 a. w kieruku rzewozeia a. w kieruku zaorowym Naięcie zewętrze zmieia rówież grubość warstwy zaorowe: Wszystkie oziomy ooszą się o qu, bariera malee 0 ( UD U) qn Wszystkie oziomy ouszczaą się o qu, bariera rośie
11 .1.. Przewozeie rąu rzez złącze z barierą Schottky`ego W staie rówowagi rąy 1 i są rówe ( 1 = = s ) w = 1 - = 0 rzykłaaąc aięcie w kieruku rzewozeia zmieszamy barierę o qu i strumień elektroów łyących z ółrzewoika o metalu (J 1 =J m ) wzrośie qu kt e razy (zgoie ze statystyką). Tyle razy wzrośie oowiei rą, oczas gy rą z metalu o ółrzewoika (J =J m ) ie zmiei się. Prą wyakowy la kieruku rzewozeia: s e qu kt s s e qu kt 1
12 Aaliza la aięcia wsteczego ae aalogicze wyrażeie ze zmieioym zakiem aięcia. Kieruek rzewozeia : U > 0 Kieruek zaorowy : U < 0 > 1 - grubość warstwy zaorowe Prostowaie a złączu metal / ółrzewoik (rą rzewozeia >> rąu wsteczego) Dokłaa teoria rąu łyącego rzez barierę uwzglęia wiele czyików (gęstość staów ow., rozmiar bariery, roza ruchu ośików w obszarze bariery). Zae teorie aą wyrażeia zbliżoe kształtem o wrowazoego, różice oawiaą się w wyrażeiach a s.
13 Elektryczy schemat zastęczy złącza la racy yamicze r s rezystaca szeregowa C oemość barierowa C oemość yfuzya Poemość złączowa C zależy o aięcia zewętrzego. Poemość yfuzya C est o zaiebaia ze wzglęu a iewystęowaie gromazeia ośików la U > 0 w obliżu warstwy iolowe (czas relaksaci ielektrycze w metalu est barzo mały).
14 Dioa Schottky'ego - ioa ółrzewoikowa, w które zastosowao złącze metal-ółrzewoik. Posiaa małą oemość złącza, zięki czemu tyowy czas rzełączaia wyosi tylko około 100 s. Dioy te zauą zastosowaie w ukłaach ziałaących rzy uże częstotliwości. Dioy Schottky'ego maą rówież mieszy saek aięcia w kieruku rzewozeia (U F = 0,3 V) iż ioy krzemowe (U F = 0,6-0,7 V). Symbol ioy Schottky ego
15 .. Złącze - Jest to obszar, w którym astęue zmiaa tyu rzewoictwa Powierzchia rozzielaąca - złącze techologicze. W otoczeiu - warstwa rześciowa (zubożoa, zaorowa) bęąca iolową warstwą ieruchomego łauku. Właściwości złącza zależą o rozau materiału, omieszek i sosobu rozłożeia omieszki ma a to wływ techologia. Złącze stoowe (metalurgicze) Si - Al Ge - I grzeik Al -Si Roztoioy rut Al silie omieszkue Si aąc materiał -Si. Metoa obecie rzako stosowaa. Złącze - ostawowa część skłaowa io, trazystorów biolarych i uiolarych.
16 Złącze yfuzye T >1000 C -Si -Si B SiO Dyfuza omieszki oorowe o ółrzewoika lub akcetorowe o. Stosue się omieszki w formie gazowe lub ciekłe. Źróło ieograiczoe o stałe wyaości stała kocetraca ośików o ołożem Źróło ograiczoe całkowita ilość atomów omieszki stała ie zmieia się w czasie yfuzi
17 Rozkła omieszki w złączu yfuzyym wyika z raw yfuzi (rawa Ficka) Rozkła omieszki rzy yfuzi akcetora ze źróła o stałe wyaości N a (0) N a (x) N x - wsółrzęa złącza techol. wyzaczoa rzez rówaie N a (x ) - N = 0 x x W obliżu x rzebieg aroksymue się zależością N( x) N a N ax Jest to rzykła tzw. złącza liiowego -.
18 Złącze imlatowae Domieszkowaie w wyiku bombarowaia kryształu oami omieszek w rzeziale eergii o ziesiątek o setek kev. Możliwy est owoly rofil rozkłau. Rozkła omieszek w wyiku wielokrote imlataci oów o różych eergiach Proces iskotem. (tem. okoowa) Przykła złącza skokowego (abrut)
19 Złącza eitaksale W trakcie rocesu aoszeia eitaksalego wrowaza się omieszkę z fazy gazowe lub ciekłe. Eitaksa (gr. ei + taxis = ołożoy a) wzrost owych warstw mookryształu a istieącym ołożu krystaliczym. Ukła istieące sieci krystalicze ołoża est owielay. Przykła złącza skokowego otrzymaego metoą eitaksi Eitaksa ozwala kotrolować omieszkowaie warstwy eitaksale, zarówo tyu ak i, i est to iezależe o omieszkowaia ołoża.
20 Buowa złącza -
21 ..1. Sta rówowagowy złącza Obie warstwy rze zetkięciem wykazuą oboętość elektryczą. Zetkięcie obszarów N i P rowazi o wzaeme yfuzi ośików a skutek graietów kocetraci. W obszarze graiczym warstwy N ozostaą ieskomesowae łauki oatie ieruchomych cetrów oorowych, w obszarze graiczym warstwy P ieskomesowae łauki ueme ieruchomych cetrów akcetorowych. Naięcie wytworzoe w obszarze złącza - bariera otecału. Aimaca formowaie złącza: htt://
22 W obszarze graiczym owstae warstwa iolowa łauku, wytwarzaąc ole elektrycze rzeciwziałaące yfuzi ośików większościowych - warstwa zaorowa. Całkowity łauek warstwy iolowe musi być rówy zero. qn q a 0 Stą: głębokość wikaia warstwy tym większa, im miesza kocetraca omieszek. iolowa warstwa łauku rzestrzeego W obszarze + brak łauków swoboych
23 Łauek rzestrzey wytwarza ole elektrycze E(x) i otecale V(x), które moża wyzaczyć z rówaia Poissoa: V x e E grav 0 Dla złącza skokowego otrzymue się ast. rzebiegi otecału V(x) i ola elektryczego E(x) Dla: x E( x) E( x) Aalogiczie: qn x qn 0 a Dla: x x x (obszar ) 0 x x x x x Wbuowae ole elektrycze (obszar 1) Obszar1: qna V x) V x x 0 Obszar : qn V ( x) Vk x x ( 0 U D - aięcie yfuzye (bariera otecału), aięcie wbuowae
24 Wysokość bariery moża wyliczyć z aalizy rąu uoszeia i yfuzi: U D kt q l kt q l - koc. elektroów w materiale - koc. ziur w materiale Bariera est tym większa, im większa est różica mięzy kocetracami ośików aego zaku w obu obszarach. Przykła obliczeń
25 Przykła obliczeia wysokości bariery U D : Materiał : Si N = 5 x cm -3 = N a = 5 x cm -3 = T K i 1,5 10 cm 3 Z rawa ziałaia mas: i i i i, W obszarze zubożoym mamy raktyczie o czyieia z samoistą kocetracą ośików (~10 10 cm -3 ) wobec ~10 15 cm -3 w obszarach ozabarierowych. 0, ,5 4, cm 4 cm kt U D l l 0, 66 4 q 40 4,5 10 V
26 Szerokość bariery wylicza się ze zmia otecału i waruku eutralości elektrycze. Dla złącza skokowego: N N 0 a U rzyłożoe aięcie U D U q N N zewętrze a Dla U < 0 (olaryzaca wstecza) rozmiar bariery rośie Zmiaa aięcia olaryzaci ae zmiaę wysokości bariery i e grubości. Zmiaa grubości związaa est ze zmiaą łauku iolowego.
27 Moża zefiiować oemość barierową orzez zmiaę łauku iolowego: Q 0 S C U Po ostawieiu za otrzymue się: C C ( U) 1 C 0 U U D 1/ (x) Q + Q + C 0 x Q - Q - Zmiaa łauku iolowego Q Q Q 0 U D Zależość oemości barierowe o aięcia olaryzaci
28 ... Przeływ rąu rzez złącze - Sta rówowagi Brak aięcia zewętrzego
29 Przeływ rąu rzez złącze - W c E Sta rówowagi U= 0 W F D E D D E W D D E Prą wyakowy łyący rzez złącze rówy zero.
30 Polaryzaca w kieruku zaorowym źróło zewętrze U ma bieguowość zgoą z bieguowością aięcia yfuzyego (a rys oz. B). Bariera otecału zwiększa się o wartość aięcia zewętrzego rośie szerokość warstwy zaorowe (większa wartość łauku rzestrzeego). Maleą skłaowe yfuzye rąów elektroowego i ziurowego (ie zmieiaą się skłaowe uoszeia ośików mieszościowych). Polaryzaca w kieruku rzewozeia biegu oati źróła ołączoy z warstwą P, a uemy z N (rzeciwa bieguowość o aięcia yfuzyego). Bariera otecału malee o wartość aięcia zewętrzego. Malee szerokość warstwy zaorowe. Rosą skłaowe rąu yfuzi elektroów i ziur. Skłaowe rąu uoszeia ośików mieszościowych ozostaą a iezmieioym oziomie.
31 Naięcie wstecze Rośie bariera otecału Prą ośików większościowych (yfuzyy) silie malee, rą ośików mieszościowych (uoszeia) ie zmieia się Dla kieruku rzewozeia: rą ośików większościowych rośie, rą ośików mieszościowych ie zmieia się.
32 Prą wyakowy (rówaie ioy): I I s qu ex kt 1 U > 0 kier. rzewozeia U < 0 kier. zaorowy I s - rą asyceia Rzeczywisty rzebieg obiega o iealego w zakresie rzewozeia:
33 Rozkła kocetraci ośików w złączu brak aięcia zewętrzego aięcie w kieruku rzewozeia Bariera la yfuuących ośików większościowych obiża się o qv iiekca ośików mieszościowych
34 aięcie w kieruku zaorowym Nośiki mieszościowe są wychwytywae rzez ole złącza i rzeoszoe a rugą stroę - ekstrakca ośików mieszościowych.
35 Do oczytaia lub oberzeia: - rozbuowae wykłay z PP (POL) htt://skaczmarek.zut.eu.l/materialy/elektroika.html Itrouctio to Semicouctors (ENG) -htt://
Zjawiska kontaktowe. Pojęcia.
Zjawiska kotaktowe. Pojęcia. Próżia, E vac =0 Φ m W Φ s χ E c µ E v metal półprzewodik W praca przeiesieia elektrou z da pasma przewodictwa do próżi, bez zwiększaia jego eergii kietyczej (którą ma zerową).
ELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKADMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWI Wydział Iformatyki, lektroiki i Telekomuikacji Katedra lektroiki LMNTY LKTRONICZN dr iż. Piotr Dziurdzia aw. C-, okój 41; tel. 617-7-0, iotr.dziurdzia@agh.edu.l
Zjawiska kontaktowe. Pojęcia.
Zjawiska kotaktowe Zjawiska kotaktowe. Pojęcia. metal Φ M W W raca rzeiesieia elektrou z da asma rzewodictwa do różi, bez zwiększaia jego eergii kietyczej (którą ma zerową). Używa się tylko dla metalu.
Badanie efektu Halla w półprzewodniku typu n
Badaie efektu alla w ółrzewodiku tyu 35.. Zasada ćwiczeia W ćwiczeiu baday jest oór elektryczy i aięcie alla w rostoadłościeej róbce kryształu germau w fukcji atężeia rądu, ola magetyczego i temeratury.
Termodynamika defektów sieci krystalicznej
Termodyamika defektów sieci krystaliczej Defekty sieci krystaliczej puktowe (wakasje, atomy międzywęzłowe, obce atomy) jedowymiarowe (dyslokacje krawędziowe i śrubowe) dwuwymiarowe (graice międzyziarowe,
W wielu przypadkach zadanie teorii sprężystości daje się zredukować do dwóch
Wykład 5 PŁASKI ZADANI TORII SPRĘŻYSTOŚCI Płaski sta arężeia W wielu rzyadkach zadaie teorii srężystości daje się zredukować do dwóch wymiarów Przykładem może być cieka tarcza obciążoa siłami działającymi
Elementy sterowania wiązką światła
Elemety sterowaia wiązką światła Moulatory - moulacja fazy, itesywości, stau olaryzacji Skaery - rzemiataie wiązką liii lub owierzchi Deflektory zmiaa kątowego ołożeia wiązki Przełącziki zmiaa wartości
TRANZYSTORY POLOWE JFET I MOSFET
POLTECHNKA RZEZOWKA Kaedra Podsaw Elekroiki srukcja Nr5 F 00/003 sem. lei TRANZYTORY POLOWE JFET MOFET Cel ćwiczeia: Pomiar podsawowych charakerysyk i wyzaczeie paramerów określających właściwości razysora
ELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKAEMIA GÓRICZO-HUTICZA IM. STAISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji Katedra Elektroniki ELEMETY ELEKTROICZE dr inż. Piotr ziurdzia aw. C-3, okój 413; tel. 617-7-0,
ZASTOSOWANIE METODY CBR DO SZACOWANIA KOSZTÓW WYTWARZANIA W FAZIE PROJEKTOWANIA
ZASTOSOWANIE METODY CBR DO SZACOWANIA KOSZTÓW WYTWARZANIA W FAZIE PROJEKTOWANIA prof. r hab. iż. Ryszar Kosala r.kosala@po.opole.pl mgr iż. Barbara Baruś b.barus@po.opole.pl Politechika Opolska Wyział
Zadanie domowe: kiedy pole elektryczne jest słabe, a kiedy silne?
Zadaie domowe: kiedy pole elektrycze jest słabe, a kiedy sile? Wersje rozwiązań: Wersja z polem magetyczym; Wersja z kaciastym wykresem; Wersja bez kaciastego wykresu, ale z asyceiem; Wersja z porówaiem
Zjawiska kontaktowe i powierzchniowe w półprzewodnikach W4 SMK
Zjawka kotaktowe owerzchowe w ółrzewokach W4 SMK a otawe: Przyrząy ółrzewokowe ukłay caloe, W. Marcak, W, Warzawa 987 ajbarzej realy jet rzyaek wytęowaa w ółrzewoku jeocześe obu rozajów omezek oorowych
Projekt ze statystyki
Projekt ze statystyki Opracowaie: - - Spis treści Treść zaia... Problem I. Obliczeia i wioski... 4 Samochó I... 4 Miary położeia... 4 Miary zmieości... 5 Miary asymetrii... 6 Samochó II... 8 Miary położeia:...
ENIAC (1947) Tranzystor Emiter (n) Kolektor (n) Baza (p)
TRANZYSTORY POLARN ZŁĄZOW iolar Juctio Trasistor - JT Trazystor - 947 Trazystor biolary to odowiedie ołączeie dwu złącz : miter () Kolektor () aza () udowa trazystora w techologii laarej: PRZYKŁAD STRKTRY
Wykład XI. Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation (LASER) laser półprzewodnikowy
Wykład XI Light Amplificatio by Stimulated Emissio of Radiatio (LASER) laser półprzewodikowy Emisja spotaicza Emisja spotaicza i wymuszoa Fotoy emitowae są we wszystkich kierukach z jedakowym prawdopodobieństwem
ANALIZA FUNKCJONAŁÓW NIEWYPUKŁYCH CHARAKTERYZUJĄCYCH MIKROMAGNETYKI
INSTYTUT PODSTAWOWYCH PROBLEMÓW TECHNIKI PAN ZAKŁAD MECHANIKI MATERIAŁÓW I BIOMECHANIKI PRACOWNIA METOD WARIACYJNYCH I BIOMECHANIKI Eleoora Krugleko ANALIZA FUNKCJONAŁÓW NIEWYPUKŁYCH CHARAKTERYZUJĄCYCH
OKREŚLENIE CHARAKTERYSTYK POMPY WIROWEJ I WYZNACZENIE PAGÓRKA SPRAWNOŚCI
Ćwiczeie 5 OKREŚLENIE CARAKTERYSTYK POMPY WIROWEJ I WYZNACZENIE PAGÓRKA SPRAWNOŚCI Wykaz ważiejszych ozaczeń c 1 rędkość bezwzględa cieczy a wlocie do wirika, m/s c rędkość bezwzględa cieczy a wylocie
Statystyczna kontrola procesu karty kontrolne Shewharta.
tatystyza kotrola proesu karty kotrole hewharta. Każe przesiębiorstwo proukyje, ąży o tego, aby proukty które wytwarza były jak ajlepszej jakośi. W zisiejszyh zasah, to właśie jakość pozwala utrzymać się
Równowaga reakcji chemicznej
Rówowaga reakcji chemiczej Sta i stała rówowagi reakcji chemiczej (K) Reakcje dysocjacji Stopień dysocjacji Prawo rozcieńczeń Ostwalda utodysocjacja wody p roztworów p roztworów. p roztworów mocych elektrolitów
Fizyka Ciała Stałego
Fizyka Ciała Stałego c β γ α b a Kryształy.. A Cl - Na + Cl - A A A Na + Cl - Na + F - F - H - A A Cl - Na + Cl - A argon krystaliczny (siły Van der Waalsa) chlorek sodu (wiązanie jonowe) Wiązanie wodorowe
PÓŁPRZEWODNIKI W ELEKTRONICE. Powszechnie uważa się, że współczesna elektronika jest elektroniką półprzewodnikową.
PÓŁPRZEWODNIKI W ELEKTRONICE Powszechie uważa się, że wsółczesa elektroika jest elektroiką ółrzewodikową. 1 Półrzewodiki Półrzewodiki to ciała stałe ieorgaicze lub orgaicze o rzewodictwie elektryczym tyu
V OGÓLNOPOLSKI KONKURS Z FIZYKI Fizyka się liczy I Etap ZADANIA 27 lutego 2013r.
V OGÓLNOPOLSKI KONKURS Z FIZYKI Fizka się licz I Etap ZDNI 7 lutego 3r.. Dwa pociski wstrzeloo jeocześie w tę saą stroę z wóch puktów oległch o o. Pierwsz pocisk wstrzeloo z prękością o po kąte α. Z jaką
ZADANIA Z CHEMII Rozkład energii w stanie równowagi termicznej. Entropia (S) Kwantowanie energii
ZADANIA Z CHEMII Rozkład eergii w staie rówowagi termiczej. Etropia (S) Kwatowaie eergii Eergia elemetów materii zmieia się skokowo, a ie w sposób ciągły. Elemety materii oddają lub pobieraja eergię tylko
Wykład 13: Zbieżność według rozkładu. Centralne twierdzenie graniczne.
Rachuek prawopoobieństwa MA064 Wyział Elektroiki, rok aka 2008/09, sem leti Wykłaowca: r hab A Jurlewicz Wykła 3: Zbieżość weług rozkłau Cetrale twierzeie graicze Zbieżości ciągu zmieych losowych weług
PRZYKŁADY ROZWIAZAŃ STACJONARNEGO RÓWNANIA SCHRӦDINGERA. Ruch cząstki nieograniczony z klasycznego punktu widzenia. mamy do rozwiązania równanie 0,,
PRZYKŁADY ROZWIAZAŃ STACJONARNEGO RÓWNANIA SCHRӦDINGERA Ruch cząstki ieograiczoy z klasyczego puktu widzeia W tym przypadku V = cost, przejmiemy V ( x ) = 0, cząstka porusza się wzdłuż osi x. Rozwiązujemy
Elementy przełącznikowe
Elementy przełącznikowe Dwie główne grupy: - niesterowane (diody p-n lub Schottky ego), - sterowane (tranzystory lub tyrystory) Idealnie: stan ON zwarcie, stan OFF rozwarcie, przełączanie bez opóźnienia
Repeta z wykładu nr 6. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Metal-półprzewodnik
Repeta z wykładu nr 6 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 - kontakt omowy
Wykład V Złącze P-N 1
Wykład V Złącze PN 1 Złącze pn skokowe i liniowe N D N A N D N A p n p n zjonizowane akceptory + zjonizowane donory x + x Obszar zubożony Obszar zubożony skokowe liniowe 2 Złącze pn skokowe N D N A p n
u t 1 v u(x,t) - odkształcenie, v - prędkość rozchodzenia się odkształceń (charakterystyczna dla danego ośrodka) Drgania sieci krystalicznej FONONY
Drgaia sieci krystaliczej FONONY 1. model klasyczy (iekwatowy) a) model ośrodka ciągłego (model Debye a) - przypadek jedowymiarowy - drgaia struy drgaia mogą być podłuże (guma, sprężya) i dwie prostopadłe
Zatem przyszła wartość kapitału po 1 okresie kapitalizacji wynosi
Zatem rzyszła wartość kaitału o okresie kaitalizacji wyosi m k m* E Z E( m r) 2 Wielkość K iterretujemy jako umowa włatę, zastęującą w rówoważy sosób, w sesie kaitalizacji rostej, m włat w wysokości E
Półprzewodniki Teoria złącza PN. Budowa i właściwości elektryczne ciał stałych - wprowadzenie
Półrzewodniki Teoria złącza PN Budowa i właściwości elektryczne ciał stałych - wrowadzenie Budowa atomu: a) model starożytny b) model J.J. Thomsona c) model E. Rutherforda d) model N. Bohra e) wynikająca
ROZDZIAŁ 5 WPŁYW SYSTEMU OPODATKOWANIA DOCHODU NA EFEKTYWNOŚĆ PROCESU DECYZYJNEGO
Agieszka Jakubowska ROZDZIAŁ 5 WPŁYW SYSTEMU OPODATKOWANIA DOCHODU NA EFEKTYWNOŚĆ PROCESU DECYZYJNEGO. Wstęp Skąplikowaie współczesego życia gospodarczego powoduje, iż do sterowaia procesem zarządzaia
ELEKTROTECHNIKA I ELEKTRONIKA
UNIWERSYTET TECHNOLOGICZNO-PRZYRODNICZY W BYDGOSZCZY WYDZIAŁ INŻYNIERII MECHANICZNEJ INSTYTUT EKSPLOATACJI MASZYN I TRANSPORTU ZAKŁAD STEROWANIA ELEKTROTECHNIKA I ELEKTRONIKA ĆWICZENIE: E20 BADANIE UKŁADU
OBLICZENIE SIŁ WEWNĘTRZNYCH DLA BELKI SWOBODNIE PODPARTEJ SWOBODNIE PODPARTEJ ALGORYTM DO PROGRAMU MATHCAD
OBLICZENIE SIŁ WEWNĘTRZNYCH DLA BELKI ALGORYTM DO PROGRAMU MATHCAD 1 PRAWA AUTORSKIE BUDOWNICTWOPOLSKIE.PL GRUDZIEŃ 2010 Rozpatrujemy belkę swobodie podpartą obciążoą siłą skupioą, obciążeiem rówomierie
EL08s_w03: Diody półprzewodnikowe
EL08s_w03: Diody półprzewodnikowe Złącza p-n i m-s Dioda półprzewodnikowa ( Zastosowania diod ) 1 Złącze p-n 2 Rozkład domieszek w złączu a) skokowy b) stopniowy 3 Rozkłady przestrzenne w złączu: a) bez
E-3A BADANIE CHARAKTERYSTYK DIODY I TRANZYSTORA METODĄ OSCYLOSKOPOWĄ
BADANIE HARAKTERYSTYK DIODY I TRANZYSTORA METODĄ OSYLOSKOPOWĄ I. el ćwiczeia: wyzaczeie charakterystyki diody Zeera, charakterystyk trazystora - oraz -- w układzie wsólego emitera (WE), zaozaie się z odstawowymi
Elektrony i dziury w półprzewodnikach
1 lektroy i dziury w ółrzewodikach Atomy i rdzeie atomowe Si oraz Ge Si oraz Ge ależą do gruy IV układu okresowego ierwiastków. Mają o 4 zewętrze elektroy. Tylko zewętrze elektroy uczesticzą w tworzeiu
Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 23 Półprzewodniki
Metrologia: miary dokładności. dr inż. Paweł Zalewski Akademia Morska w Szczecinie
Metrologia: miary dokładości dr iż. Paweł Zalewski Akademia Morska w Szczeciie Miary dokładości: Najczęściej rozkład pomiarów w serii wokół wartości średiej X jest rozkładem Gaussa: Prawdopodobieństwem,
ν = c/λ [s -1 = Hz] ν = [cm -1 ] ZASADY ZALICZENIA PRZEDMIOTU MBS c = m/s cos x H = H o E = E o cos x c = λν 1 ν = _ λ
ZASADY ZALICZENIA PRZEDMIOTU MBS LABORATORIUM Z MBS. ROZWIĄZYWANIE WIDM kolokwium NMR 23 kwietia 208 IR maja 208 złożoe czerwca 208 poiedziałek czwartek piątek 9.3 22.3 23.3 26.3 5. 6. 9. 2. 3. H NMR 23.
Numeryczny opis zjawiska zaniku
FOTON 8, iosa 05 7 Numeryczy opis zjawiska zaiku Jerzy Giter ydział Fizyki U Postawieie problemu wielu zagadieiach z różych działów fizyki spotykamy się z astępującym problemem: zmiay w czasie t pewej
VII MIĘDZYNARODOWA OLIMPIADA FIZYCZNA (1974). Zad. teoretyczne T3.
KOOF Szczeci: www.of.szc.pl VII MIĘDZYNAODOWA OLIMPIADA FIZYCZNA (1974). Zad. teoretycze T3. Źródło: Komitet Główy Olimpiady Fizyczej; Olimpiada Fizycza XXIII XXIV, WSiP Warszawa 1977 Autor: Waldemar Gorzkowski
EFEKTY DYSPERSYJNE ZNIEKSZTAŁCAJĄCE KRÓTKIE IMPULSY LASEROWE. prof. Halina Abramczyk Laboratory of Laser Molecular Spectroscopy
EFEKTY DYSPERSYJNE ZNIEKSZTAŁCAJĄCE KRÓTKIE IMPUSY ASEROWE T t N t Dwa główe mehaizmy powoująe ziekształeie impulsów laserowyh: ) GVD-group veloity isspersio ) SMP-self phase moulatio 3 E E τ () 0 t /
Katedra Silników Spalinowych i Pojazdów ATH ZAKŁAD TERMODYNAMIKI. Wyznaczanie ciepła właściwego c p dla powietrza
Katedra Silików Saliowych i Pojazdów ATH ZAKŁAD TERMODYNAMIKI Wyzaczaie cieła właściweo c dla owietrza Wrowadzeie teoretycze Cieło ochłoięte rzez ciało o jedostkowej masie rzy ieskończeie małym rzyroście
Przyrządy i układy półprzewodnikowe
Przyrządy i układy półprzewodnikowe Prof. dr hab. Ewa Popko ewa.popko@pwr.edu.pl www.if.pwr.wroc.pl/~popko p.231a A-1 Zawartość wykładu Wy1, Wy2 Wy3 Wy4 Wy5 Wy6 Wy7 Wy8 Wy9 Wy10 Wy11 Wy12 Wy13 Wy14 Wy15
Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r.
Fizyka i technologia złącza P Adam Drózd 25.04.2006r. O czym będę mówił: Półprzewodnik definicja, model wiązań walencyjnych i model pasmowy, samoistny i niesamoistny, domieszki donorowe i akceptorowe,
Przetwarzanie sygnałów biomedycznych
Przetwarzaie sygałów biomeyczyc Człowiek- ajlesza iwestycja Projekt wsółfiasoway rzez Uię uroejską w ramac uroejskiego Fuuszu Sołeczego Wykła XII Rutkowski L. Filtry aatacyje i aatacyje rzetwarzaie sygałów,
Repeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n
Repeta z wykładu nr 5 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Wykład 8: Zbieżność według rozkładu. Centralne twierdzenie graniczne.
Rachuek prawopoobieństwa MA5 Wyział Elektroiki, rok aka 20/2, sem leti Wykłaowca: r hab A Jurlewicz Wykła 8: Zbieżość weług rozkłau Cetrale twierzeie graicze Zbieżości ciągu zmieych losowych weług rozkłau
Model Lesliego. Oznaczmy: 0 m i liczba potomstwa pojawiającego się co jednostkę czasu u osobnika z i-tej grupy wiekowej, i = 1,...
Model Lesliego Macierze Lesliego i Markowa K. Leśiak Wyodrębiamy w populaci k grup wiekowych. Po każde edostce czasu astępuą arodziy i zgoy oraz starzeie (przechodzeie do astępe grupy wiekowe). Chcemy
Mieszanie. otrzymanie jednorodnych roztworów, emulsji i zawiesin intensyfikacja procesów wymiany ciepła intensyfikacja procesów wymiany masy
ieszaie Celem procesu mieszaia jest : otrzymaie jeoroych roztworów, emulsji i zawiesi itesyfikacja procesów wymiay ciepła itesyfikacja procesów wymiay masy Sposoby prowazeia mieszaia w śroowisku ciekłym
Temat 17. Model elektronów prawie swobodnych.
Temat 7. Model elektroów prawie swobodych. 7.. Braki modelu elektroów swobodych Model elektroów swobodych pozwala dość dobrze opisać p. ciepło właściwe, przewodość cieplą i rozszerzalość cieplą. Model
Charakterystyki liczbowe zmiennych losowych: wartość oczekiwana i wariancja
Charakterystyki liczbowe zmieych losowych: wartość oczekiwaa i wariacja dr Mariusz Grządziel Wykłady 3 i 4;,8 marca 24 Wartość oczekiwaa zmieej losowej dyskretej Defiicja. Dla zmieej losowej dyskretej
WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ INSTYTUT ELEKTROENERGETYKI ZAKŁAD ELEKTROWNI I GOSPODARKI ELEKTROENERGETYCZNEJ
WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ INSTYTUT ELEKTROENERGETYKI ZAKŁAD ELEKTROWNI I GOSPODARKI ELEKTROENERGETYCZNEJ LABORATORIUM RACHUNEK EKONOMICZNY W ELEKTROENERGETYCE INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA
Wprowadzenie. metody elementów skończonych
Metody komputerowe Wprowadzeie Podstawy fizycze i matematycze metody elemetów skończoych Literatura O.C.Ziekiewicz: Metoda elemetów skończoych. Arkady, Warszawa 972. Rakowski G., acprzyk Z.: Metoda elemetów
Portfel złożony z wielu papierów wartościowych
Portfel westycyy ćwczea Na odst. Wtold Jurek: Kostrukca aalza, rozdzał 4 dr Mchał Kooczyńsk Portfel złożoy z welu aerów wartoścowych. Zwrot ryzyko Ozaczea: w kwota ulokowaa rzez westora w aery wartoścowe
Twierdzeie Closa Problem: Jak duże musi być m, aby trzysekcye pole Closa ν(m,, r) )było ieblokowale w wąskim sesie? Twierdzeie Closa: Dwustroe trzysek
Sieci i Systemy z Itegracą Usług Trzysekcye pole Closa m r r m Własości kombiatorycze pól komutacyych Prof. dr hab. iż. Wociech Kabaciński r m Pole Closa est edozaczie defiiowae przez trókę m,, r i ozaczae
Badanie stabilności układu sterowania statkiem z nieliniowym autopilotem
Baaie stabilości ułau sterowaia statiem z ieliiowym autopilotem Zliearyzowae rówaie wiążące ochyleie ursu statu (zmiaę ąta ursu wzglęem ursu zaaego) ψ z ątem wychyleia steru δ jest astępujące (tzw. moel
Ć wiczenie 17 BADANIE SILNIKA TRÓJFAZOWEGO KLATKOWEGO ZASILANEGO Z PRZEMIENNIKA CZĘSTOTLIWOŚCI
Ć wiczeie 7 BADANIE SILNIKA TRÓJFAZOWEGO KLATKOWEGO ZASILANEGO Z RZEIENNIKA CZĘSTOTLIWOŚCI Wiadomości ogóle Rozwój apędów elektryczych jest ściśle związay z rozwojem eergoelektroiki Współcześie a ogół
Wytrzymałość śruby wysokość nakrętki
Wyzymałość śuby wysoość aęi Wpowazeie zej Wie Działająca w śubie siła osiowa jes pzeoszoa pzez zeń i zwoje gwiu. owouje ozciągaie lub ścisaie zeia śuby, zgiaie i ściaie zwojów gwiu oaz wywołuje acisi a
ELEMENTY ELEKTRONICZNE
KEMI GÓRICZO-HUICZ IM. SISŁW SSZIC W KRKOWIE Wydział Informatyki, Elektroniki i elekomunikacji Katedra Elektroniki ELEMEY ELEKROICZE dr inż. Piotr ziurdzia aw. C-3, okój 413; tel. 617-7-0, iotr.dziurdzia@agh.edu.l
Promieniowanie atomów wzbudzonych
Achorage, USA, May 2002 W-27 (Jaroszewicz) 23 slajdy Na podstawie prezetacji prof. J. Rutkowskiego Promieiowaie atomów wzbudzoych Promieiowaie spotaicze Promieiowaie wymuszoe Promieiowaie retgeowskie 3/23-W27
3. Zjawisko wzmocnienia i nasycenia. Rozkład mocy w przekroju poprzecznym (TEM)
3. Zjawisko wzmocieia i asyceia. Rozkład mocy w przekroju poprzeczym (TEM) 3.. Zjawisko wzmocieia i asyceia W staie rówowagi termodyamiczej obsadzaie staów eergetyczych opisae jest rozkładem Boltzmaa.
WYZNACZANIE WSPÓŁCZYNNIKA ZAŁAMANIA ŚWIATŁA METODĄ SZPILEK I ZA POMOCĄ MIKROSKOPU. Wprowadzenie. = =
WYZNACZANIE WSPÓŁCZYNNIKA ZAŁAMANIA ŚWIATŁA METODĄ SZPILEK I ZA POMOCĄ MIKROSKOPU Wprowadzeie. Przy przejśiu światła z jedego ośrodka do drugiego występuje zjawisko załamaia zgodie z prawem Selliusa siα
P π n π. Równanie ogólne płaszczyzny w E 3. Dane: n=[a,b,c] Wówczas: P 0 P=[x-x 0,y-y 0,z-z 0 ] Równanie (1) nazywamy równaniem ogólnym płaszczyzny
Rówaie ogóle płaszczyzy w E 3. ae: P π i π o =[A,B,C] P (,y,z ) Wówczas: P P=[-,y-y,z-z ] P π PP PP= o o Rówaie () azywamy rówaiem ogólym płaszczyzy A(- )+B(y-y )+C(z-z )= ( ) A+By+Cz+= Przykład
Wykład IV. Półprzewodniki samoistne i domieszkowe
Wykład IV Półprzewodniki samoistne i domieszkowe Półprzewodniki (Si, Ge, GaAs) Konfiguracja elektronowa Si : 1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 2 = [Ne] 3s 2 3p 2 4 elektrony walencyjne Półprzewodnik samoistny Talent
BADANIE CHARAKTERYSTYKI DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWEJ
Ćwiczeie 47 BADANIE CHARAKTERYSTYKI DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWEJ 47.. Wiadomości ogóle Dla zrozumieia elektryczych właściwości ciał stałych koiecze jest pozaie praw rządzących elektroami wewątrz tych ciał.
Struktura czasowa stóp procentowych (term structure of interest rates)
Struktura czasowa stóp procetowych (term structure of iterest rates) Wysokość rykowych stóp procetowych Na ryku istieje wiele różorodych stóp procetowych. Poziom rykowej stopy procetowej (lub omialej stopy,
ELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji Katedra Elektroniki ELEMENTY ELEKTRONICZNE dr inż. Piotr Dziurdzia aw. C-3, okój 413; tel.
Stwierdzenie 1. Jeżeli ciąg ma granicę, to jest ona określona jednoznacznie (żaden ciąg nie może mieć dwóch różnych granic).
Materiały dydaktycze Aaliza Matematycza Wykład Ciągi liczbowe i ich graice. Graice ieskończoe. Waruek Cauchyego. Działaia arytmetycze a ciągach. Podstawowe techiki obliczaia graic ciągów. Istieie graic
ELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki ELEMENTY ELEKTRONICZNE dr inż. Piotr Dziurdzia paw. C-3,
Ćwiczenia nr 5. TEMATYKA: Regresja liniowa dla prostej i płaszczyzny
TEMATYKA: Regresja liiowa dla prostej i płaszczyzy Ćwiczeia r 5 DEFINICJE: Regresja: metoda statystycza pozwalająca a badaie związku pomiędzy wielkościami daych i przewidywaie a tej podstawie iezaych wartości
1 OPTOELEKTRONIKA 3. FOTOTRANZYSTOR
1 3. FOORNZYSOR Wprowazenie. Konstrukcja fototranzystora jest zbliżona o konstrukcji zwykłego tranzystora wzmacniającego z tą różnicą, że obuowa umożliwia oświetlenie obszaru jego bazy (rysunek 1). W większości
INSTRUMENTY DŁUŻNE. Rodzaje ryzyka inwestowania w obligacje Duracja i wypukłość obligacji Wrażliwość wyceny obligacji
INSTRUMENTY ŁUŻNE Rozaje yzyka iwesowaia w obligacje uacja i wypukłość obligacji Ważliwość wycey obligacji Ryzyko iwesycji w obligacje Ryzyko eiwesycyje możliwość uzyskaia iskiej sopy zwou z wypłacoych
są niezależnymi zmiennymi losowymi o jednakowym rozkładzie Poissona z wartością oczekiwaną λ równą 10. Obliczyć v = var( X
Prawdoodobieństwo i statystyka 5..008 r. Zadaie. Załóżmy że 3 są iezależymi zmieymi losowymi o jedakowym rozkładzie Poissoa z wartością oczekiwaą λ rówą 0. Obliczyć v = var( 3 + + + 3 = 9). (A) v = 0 (B)
Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy półprzewodnikowe mocy, zima 2015/16 20 Półprzewodniki Materiały, w których
Podstawy działania laserów
Prof. Dr Halia Abramczyk Techical Uiversity of Lodz, Faculty of Chemistry Istitute of Applied Radiatio Chemistry Polad, 93-59 Lodz, Wroblewskiego 15 Phoe:(+ 48 4) 631-31-88; fax:(+ 48 4) 684 43 E-mail:abramczy@mitr.p.lodz.pl,
Akustyka. Fale akustyczne = fale dźwiękowe = fale mechaniczne, polegające na drganiach cząstek ośrodka.
Akustyka Fale akustycze ale dźwiękowe ale mechaicze, polegające a drgaiach cząstek ośrodka. Cząstka mała, myślowo wyodrębioa część ośrodka, p. w gazie prostopadłościa o ustaloych wymiarach w pręcie prostopadłościa
Wyznaczyć prędkości punktów A i B
Wyzaczaie prędkości i przyspieszeia puku ciała w ruchu płaskim (a) Wyzaczyć prędkości puków i Dae: rad/s; ε 0; 5 cm; 5 cm 48 mechaika echicza kiemayka 3 Wyzaczaie prędkości i przyspieszeia puku ciała w
Układy liniowosprężyste Clapeyrona
Układy liiowosprężyste Clapeyroa Liiowosprężysty układ Clapeyroa zbiór połączoych ze sobą ciał odkształcalych, w których przemieszczeia są liiowymi fukcjami sił Układ rzeczywisty może być traktoway jako
Równanie Shockley a. Potencjał wbudowany
Wykład VI Diody Równanie Shockley a Potencjał wbudowany 2 I-V i potencjał wbudowany Temperatura 77K a) Ge E g =0.7eV b) Si E g =1.14eV c) GaAs E g =1.5eV d) GaAsP E g =1.9eV qv 0 (0. 5 0. 7)E g 3 I-V i
LABORATORIUM MODELOWANIA I SYMULACJI. Ćwiczenie 5
Wydział Elektryczy Zespół Automatyki (ZTMAiPC) ZERiA LABORATORIUM MODELOWANIA I SYMULACJI Ćwiczeie 5 ANALIZA WŁASNOŚCI DYNAMICZNYCH WYBRANEGO OBIEKTU FIZYCZNEGO 1. Opis właściwości dyamiczych obiektu Typowym
Wyznaczanie czasu retencji gazu gaśniczego
st. kpt. gr iż. Przeysław Kubica Wyzaczaie czasu retecji gazu gaśiczego 1 Cel ćwiczeia Cele ćwiczeia jest: a) wykoaie testu szczelości poieszczeia etoą wetylatora rzwiowego (ag. oor fa test); b) a postawie
1 LWM. Defektoskopia ultradźwiękowa. Sprawozdanie powinno zawierać:
L Defetosoia ultraźwięowa Srawozanie owinno zawierać:. Króti ois aaratury i metoy.. Rysune słua z zwymiarowanym ołożeniem wa. L Elastootya ynii baań elastootycznych Rzą izochromy m Siła na ońcu źwigni
Rysunek 1: Fale stojące dla struny zamocowanej na obu końcach; węzły są zaznaczone liniami kropkowanymi, a strzałki przerywanymi
Aaliza fal złożoych Autorzy: Zbigiew Kąkol, Bartek Wiedlocha Przyjrzyjmy się drgaiu poprzeczemu struy. Jeżeli strua zamocowaa a obu końcach zostaie ajpierw wygięta, a astępie puszczoa, to wzdłuż struy
1.3. Największa liczba naturalna (bez znaku) zapisana w dwóch bajtach to a) b) 210 c) d) 32767
Egzami maturaly z iformatyki Zadaie. (0 pkt) Każdy z puktów tego zadaia zawiera stwierdzeie lub pytaie. Zazacz (otaczając odpowiedią literę kółkiem) właściwą kotyuację zdaia lub poprawą odpowiedź. W każdym
POMIAR MOCY AKUSTYCZNEJ
INSTYTUT KONSTRUKCJI MASZYN ABORATORIUM POMIAR MOCY AKUSTYCZNEJ Measurment of soun ower 9 8 ;7 ;6 ;5 4 h l c l Zakres ćwiczenia. Zaoznanie się z normami otyczącymi omiaru mocy akustycznej.. Zaoznanie się
Wykład FIZYKA I. 2. Kinematyka punktu materialnego. Dr hab. inż. Władysław Artur Woźniak
Dr hab. iż. Władysław Arur Woźiak Wykład FIZYKA I. Kiemayka puku maerialego Dr hab. iż. Władysław Arur Woźiak Isyu Fizyki Poliechiki Wrocławskiej hp://www.if.pwr.wroc.pl/~woziak/fizyka1.hml Dr hab. iż.
O pewnych zastosowaniach rachunku różniczkowego funkcji dwóch zmiennych w ekonomii
O pewych zastosowaiach rachuku różiczkowego fukcji dwóch zmieych w ekoomii 1 Wielkość wytwarzaego dochodu arodowego D zależa jest od wielkości produkcyjego majątku trwałego M i akładów pracy żywej Z Fukcję
Pierwsze prawo Kirchhoffa
Pierwsze rawo Kirchhoffa Pierwsze rawo Kirchhoffa dotyczy węzłów obwodu elektrycznego. Z oczywistej właściwości węzła, jako unktu obwodu elektrycznego, który: a) nie może być zbiornikiem ładunku elektrycznego
Rentgenowska analiza fazowa jakościowa i ilościowa Wykład 9
Retgeowska aaliza fazowa jakościowa i ilościowa Wykład 9 1. Retgeowska aaliza fazowa jakościowa i ilościowa. 2. Metody aalizy fazowej ilościowej. 3. Dobór wzorca w aalizie ilościowej. 4. Przeprowadzeie
PŁYN Y RZECZYWISTE Przepływy rzeczywiste różnią się od przepływów idealnych obecnością tarcia (lepkości): przepływy laminarne/warstwowe - różnią się
PŁYNY RZECZYWISTE Płyny rzeczywiste Przeływ laminarny Prawo tarcia Newtona Przeływ turbulentny Oór dynamiczny Prawdoodobieństwo hydrodynamiczne Liczba Reynoldsa Politechnika Oolska Oole University of Technology
STATYSTYCZNA OCENA WYNIKÓW POMIARÓW.
Statytycza ocea wyików pomiaru STATYSTYCZNA OCENA WYNIKÓW POMIARÓW CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczeia jet: uświadomieie tudetom, że każdy wyik pomiaru obarczoy jet błędem o ie zawze zaej przyczyie i wartości,
Ćwiczenia rachunkowe TEST ZGODNOŚCI χ 2 PEARSONA ROZKŁAD GAUSSA
Aaliza iepewości pomiarowych w esperymetach fizyczych Ćwiczeia rachuowe TEST ZGODNOŚCI χ PEARSONA ROZKŁAD GAUSSA UWAGA: Na stroie, z tórej pobrałaś/pobrałeś istrucję zajduje się gotowy do załadowaia arusz
COLLEGIUM MAZOVIA INNOWACYJNA SZKOŁA WYŻSZA WYDZIAŁ NAUK STOSOWANYCH. Kierunek: Finanse i rachunkowość. Robert Bąkowski Nr albumu: 9871
COLLEGIUM MAZOVIA INNOWACYJNA SZKOŁA WYŻSZA WYDZIAŁ NAUK STOSOWANYCH Kieruek: Fiase i rachukowość Robert Bąkowski Nr albumu: 9871 Projekt: Badaie statystycze cey baryłki ropy aftowej i wartości dolara
TRANZYSTORY POLOWE WYK. 12 SMK Na pdstw. W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone
TRANZYSTORY POLOWE WYK. 1 SMK Na dstw. W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy ółrzewodnikowe i układy scalone Tranzystory, w których ma miejsce transort tylko jednego rodzaju nośników większościowych. Sterowanie
Przykład Obliczenie wskaźnika plastyczności przy skręcaniu
Przykład 10.5. Obliczeie wskaźika plastyczości przy skręcaiu Obliczyć wskaźiki plastyczości przy skręcaiu dla astępujących przekrojów: a) -kąta foremego b) przekroju złożoego 6a 16a 9a c) przekroju ciekościeego
Jak obliczać podstawowe wskaźniki statystyczne?
Jak obliczać podstawowe wskaźiki statystycze? Przeprowadzoe egzamiy zewętrze dostarczają iformacji o tym, jak ucziowie w poszczególych latach opaowali umiejętości i wiadomości określoe w stadardach wymagań
IM Eksperymentalne wyznaczenie wartości podstawowego kwantu przewodności.
IM - 5 BADANIE PRZEWODNOŚCI ELEKTRYCZNEJ NANODRUTÓW Cel ćwiczeia Eksperymetale wyzaczeie wartości podstawowego kwatu przewodości.. Wstęp teoretyczy. Klasycza teoria przewodictwa Ruch elektroów przewodictwa