Zjawiska kontaktowe. Pojęcia.
|
|
- Edyta Cieślik
- 7 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Zjawiska kotaktowe Zjawiska kotaktowe. Pojęcia. metal Φ M W W raca rzeiesieia elektrou z da asma rzewodictwa do różi, bez zwiększaia jego eergii kietyczej (którą ma zerową). Używa się tylko dla metalu. Φ termodyamicza raca wyjścia. 1
2 Zjawiska kotaktowe. Pojęcia. ółrzewodik Φ S Χ E C,S E F,S E i Φ termodyamicza raca wyjścia. χ- owiowactwo elektroowe ółrzewodika. E V,S Emisja elektroów z ciała stałego. Termoemisja: emisja elektroów w wysokiej temeraturze; Φ Uwagi: j kt T = AT e W temeraturze okojowej rąd termoemisji jest bardzo mały; Wzór Richardsoa jest całkowicie klasyczy, a wiadomo że cząstki o eergii wyższej iż bariera otecjału też się od iej mogą odbić. Dlatego koiecza jest modyfikacja wzoru: Φ j kt T = (1 R) AT e Gdzie R jest wsółczyikiem odbicia (0.-0.3) Emisja elektroów owoduje oziębieie katody. W olu elektryczym raca wyjścia się obiża.
3 Emisja elektroów z ciała stałego. W silym olu elektryczym rąd termoemisji jest większy iż bez ola (obiża się bariera otecjału omiędzy metalem a otoczeiem - ozacza to zmiejszeie racy wyjścia); Emisja elektroów z ciała stałego. Emisja olowa: tuelowaie elektroów w silym olu elektryczym (rzez trójkątą barierę otecjału); metal 3
4 Emisja elektroów z ciała stałego. Emisja olowa wystęuje w silych olach elektryczych E > 10 7 V/cm; Wyjątkowymi materiałami od względem emisji olowej elektroów są aorurki węglowe. Emisja elektroów z ciała stałego. Zjawisko emisji olowej wykorzystuje się m.i. w wyświetlaczach: Field Emissio Dislays (FED): różica między FED a zwykłym ekraem jest taka, że FED wykorzystuje wiele emiterów elektroów, a ie jede; Emiterami mogą być: -Mo; - CNT 4
5 Emisja elektroów z ciała stałego. Fotoemisja: emisja elektroów od wływem światła Emisja elektroów z ciała stałego. Fotoemisja: dwufotoowa fotoemisja - jede foto wzbudza elektro do stau wzbudzoego, ale związaego wewątrz ciała stałego; drugi - do stau iezwiązaego; 5
6 Emisja elektroów z ciała stałego. Emisja wtóra: wiązka adających elektroów wybija elektroy (wtóre) z owierzchi ciała stałego; Składa się z trzech etaów: Wzbudzeie elektroów w ciele stałym do wyższego stau eergetyczego; trasort wzbudzoych elektroów do graicy ciało stała/różia; Emisja elektroów; Wydajość emisji wtórej oisuje się za omocą wsółczyika emisji wtórej, δ; ; Większość materiałów to ółrzewodiki lub izolatory, których rzerwa eergetycza jest zaczie większa iż owiowactwo elektroowe. N. MgO, BeO, Cs 3 Sb i KCl. Maksymale δ jest w zakresie Emisja elektroów z ciała stałego. Emisja wtóra. W iektórych ółrzewodikach asma są zakrzywioe w dół w taki sosób, że oziom różi leży oiżej da asma rzewodictwa w objętości. O takim materiale mówimy, że ma ujeme owiowactwo elektroowe. Najważiejszy materiał z tej gruy to fosforek galu aktywoway cezem GaP(Cs). Osiąga o δ rzędu
7 Złącza różych materiałów: uwagi ogóle. Gdy dwa ciała tworzą złącze, lub ciało o skończoych rozmiarach zajduje się w olu elektryczym, lub w obliżu graicy ciało-różia, w graiczych obszarach materiału: Powstaje wewętrze (kotaktowe) ole elektrycze; Nastęuje redystrybucja ładuku (owstaje ładuek rzestrzey); Nastęuje zakrzywieie asm eergetyczych. UWAGA: to ie są trzy róże zjawiska, to są trzy asekty tego samego zjawiska. Złącza różych materiałów: uwagi ogóle. W olu elektryczym y kocetracja ośików ładuku w ółrzewodiku zmieia się: Ładuek rzestrzey: ev kt ( V ) = (0) e, ( V ) = (0) e ev kt d V dx = ρ εε 0 7
8 Złącza różych materiałów: uwagi ogóle. Rozmiar obszaru, w którym astęują zmiay jest to tzw. długość ekraowaia Debye a. εε kt L D = 0 e εε kt L D = 0 e 8
9 Złącza różych materiałów: uwagi ogóle. Izolowae materiały różią się otecjałem chemiczym. Po zetkięciu ze sobą dwóch materiałów zaczyają łyąć chwilowe rądy. E vacuum E F, e - E F, Złącze w rówowadze: j=0 r r ' ' ' T ' T j = q K11E qk11 µ qk 1 + qk11µ + T T 3 q r q q T q T r ' ' ' ' + K E K µ K + K µ B + * 1 * 1 * * 1 m m m T m T r 4 q r q q T q T r ' ' ' ' + B K E K µ K + K µ B m m m T m T * 13 * 13 * 3 * 13 r r j = µ ' ' ( q K E qk ) = µ q V µ = 0 ( µ + qv ) = 0 µ~ = µ + qv = cost 9
10 Złącze w rówowadze: j=0 Rówowaga ozacza miimum eergii swobodej. Związek omiędzy eergią swobodą a otecjałem G µ = chemiczym: N reszta= cost Zatem, o zetkięciu dwóch dg = µ i dni = µ 1dN1 + µ dn materiałów: i Poieważ tyle elektroów rzybędzie w (1), ile ubędzie w (): dn1 = dn Zatem, r-ga jest gdy (rimy, µ ' 1 = µ ' oieważ otecjały chemicze są teraz ieco ie): Złącza różych materiałów: uwagi ogóle. Rówowaga ustala się gdy w całym obszarze otecjał chemiczy (elektrochemiczy) jest taki sam. E vacuum E F, e - E F, 10
11 Przykład: metal i ółrzewodik E 0 - Vacuum level Φ M Φ s Metal E FM Metal E C EF Semicoductor E V Przykład: metal i ółrzewodik E 0 Φ M Φ s Metal E FM E C EF Semicoductor E V Przeływ rądu (chwilowego, aż do ustaleia się rówowagi); 11
12 Przykład: metal i ółrzewodik E 0 V E C Metal E FM E F E V Semicoductor Złącze: aładoway kodesator V = ( Φ Φ ) M s ZŁĄCZE N-P 1
13 Złącze - Rodzaje złącz: Wykoae z tych samych ółrzewodików; Wykoae z różych ółrzewodików (heterozłącza); Zdegeerowae; Niezdegeerowae; Skokowe; liiowe; Złącze -: założeia i ozaczeia Rozważae będzie złącze: Homozłącze: E = E = E ; E = E = E ; C C C ; V V V µ µ Niezdegeerowae; Skokowe; N D = cost, x > 0; N = cost, x < 0 A -d d x 13
14 Złącze -: założeia i ozaczeia Ozaczeia: Obszar złącza, w którym astęuje rzeływ ładuku i ie rocesy, to: d x d Poza tym obszarem: x < d, ( x) =, ( x) = = cost, x > d ( x) =, ( x) = cost, = -d d x Złącze - Co dzieje się o utworzeiu złącza? Bardzo duże gradiety kocetracji elektroów i dziur: Elektroy łyą z do, dziury z do ; Stroa ładuje się dodatio, a ujemie. Powstaje wewętrze ole elektrycze, które owoduje rzeływ rądów uoszeia rzeciwych iż rądy dyfuzyje. 14
15 Złącze - w rówowadze ROWNOWAGA: wyadkowy rąd ie łyie, otecjał chemiczy wszędzie taki sam. Tz. rądy uoszeia i dyfuzyjy są sobie rówe (i rzeciwie skierowae). E r ( q K E q K ) = 0 r j µ = r ( q K E q K ) = 0 r j µ = uoszeie elektroów dyfuzja elektroów dyfuzja dziur uoszeie dziur x 0 x ev 0 E c µ F E v x Prąd dyfuzyjy Nośiki oruszają się w kieruku zmiejszającej się kocetracji. W rzyadku 1D (tak jak jest w złączu): j dyf = qk11 µ = ek11 µ = ed x j dyf = q K11 µ = ek11 µ = ed x Diffusio currets i the resece of a cocetratio gradiet. 15
16 Prąd uoszeia Gęstość rądu uoszeia (też w rzyadku 1D): j j = qµ E = σ E = qµ E = σ E Gdzie, µ i µ to odowiedio ruchliwość elektrou i dziury (średia rędkość uoszeia abyta rzez ośik w jedostkowym olu elektryczym). Całkowity rąd: elektroowy j ( x ) = q µ ( x ) E ( x ) + d( x) qd dx uoszeie dyfuzja dziurowy j( x) = qµ ( x) E( x) d ( x ) qd dx uoszeie dyfuzja 16
17 ZŁĄCZE N-P W RÓWNOWADZE KONTAKTOWA RÓŻNICA POTENCJAŁÓW Rówowaga W rówowadze ie łyie wyadkowy rąd. Odowiedie rądy dyfuzyje i uoszeia muszą się zosić. N. dla elektroów d( x) qµ ( x) E( x) = - qd dx W obszarze zubożoym (odowiedio o stroie i ) ev ev kocetracja ośików ładuku: kt kt ( x) = e, ( x) = e Wiadomo, że: dv E = dx Podstawiając wszystko do rówaia zerowaia się rądu elektroowego, otrzymujemy: dv µ ( x) - = dx - D d dx 17
18 Rówowaga W rezultacie, otrzymujemy r-ie: Całkując o obszarze zubożoym: Kotaktowa różica otecjałów: V V D dv = µ dv = V V D = µ µ d D d µ ( l l ) V k = ( V V ) D = l µ Iy sosób wyzaczeia V k V zależy od szerokości rzerwy eergetyczej i ołożeia otecjału chemiczego V k E g E V E C µ 18
19 Złącze -: kotaktowa różica otecjałów E g E V ( E ( E µ ) ( µ E ) ) 1 Vk = g C µ V) e 1 = ( µ µ ) e E C µ Złącze -: kotaktowa różica otecjałów Po stroie (dla x >> 0 ) = N e c Ec µ kt Po stroie (dla x << 0) = N v e E c µ kt 1 kt = = Vk ( µ µ ) l e e 19
20 Zależość Eisteia Otrzymaliśmy dwa ozorie róże wyrażeia a kotaktową różicę otecjałów. kt Vk = l e V k D = l µ Wsółczyik dyfuzji i ruchliwość związae są ze sobą relacją Eisteia: i D µ = kt q D = µ ZŁĄCZE N-P W RÓWNOWADZE NATĘŻENIE POLA ELEKTRYCZNEGO 0
21 Złącze -: atężeie ola elektryczego Założeie: wszystkie swobode ośiki ładuku odłyęły z obszaru złącza, tworząc obszar zubożoy ( d <x < d. ) Kocetracja ośików ładuku Gęstość ładuku desity -d Obszar zubożoy, r E 0 d x a r = en A -d < x < 0 r = +en D dla 0 <x <d Całkowity ładuek musi być rówy zeru, zatem: N D d =N A d. Złącze -: atężeie ola elektryczego Z r-ia Poissoe a, oraz rzy warukach brzegowych Waruki brzegowe: E = 0 dla x > d i x < d V( x) = ρ( x)/ ε0ε r x V + N De E = = x + C1 dla 0 x d x ε 0 ε V NAe E = = x + C dla d x 0 x ε ε 0 r r 1
22 Złącze -: atężeie ola elektryczego Po zastosowaiu waruków brzegowych: E + N e D = ( x d) dla 0 ε 0 εr x d NAe E = ( x + d ) dla d x 0 ε 0ε r Złącze -: atężeie ola elektryczego Zatem: ładuek Obszar zubożoy ρ E E 0 x
23 ZŁĄCZE N-P W RÓWNOWADZE POTENCJAŁ POLA ELEKTRYCZNEGO I SZEROKOŚĆ ZŁĄCZA Szerokość złącza Aby zaleźć szerokość złącza wykorzystamy wszystko, co do tej ory wyzaczyliśmy, czyli: E + N e D = ( x d) dla 0 ε 0 εr x d NAe E = ( x + d ) dla d x 0 ε ε 0 r kt kt Vk = V V = l = l e e 3
24 + N e D E = ( x d ) stroa 0< x< ε 0 εr d NAe E = ( x + d ) stroa d < x < 0 ε ε 0 r Szerokość złącza Na odstawie zajomości ola w złączu moża obliczyć kotaktową różicę otecjałów i ją owiązać ze zaym wyrażeiem a V k. Całkujemy rówaie E=dV/dx,. Po stroie : x ena V ( x) V( d ) = V( x) V = ( x+ d) dx ε 0 ε Po stroie : dd 0 end V ( d ) V( x) = V V( x) = ( x d ) dx ε 0 ε d x r r Szerokość złącza Oba wyrażeia muszą się zszyć w ukcie x=0 Zatem: en Vk = ε ε en d + A D 0 r ε0εr d Pamiętając, że: N Ad = N Dd d d ε 0 ε rn AVk = ( ) en D N A + N D ε 0 ε rndvk = ( ) en A N A + ND 1 1 ( Na + Nd ) W= ε Vk q NN a d 4
25 Potecjał ola elektryczego Przy okazji wyzaczaia szerokości złącza otrzymaliśmy wyrażeia a otecjał ola elektryczego w ukcie x złącza: x Po stroie : ena V ( x) = V + ( x+ d) dx ε d r 0 ε Po stroie : d end V ( x) = V + ( x d ) dx ε x 0 εr Po rzekształceiach: ena Po stroie : V ( x) = V + x+ d ε Po stroie : 0εr end V( x) = V x d ε ε 0 r ( ) ( ) Potecjał ola elektryczego Przyjmując zero otecjału o stroie, otrzymujemy: Po stroie : ena V ( x) = ( x+ d ) ε 0εr Po stroie : end V( x) = V ( ) k x d ε ε 0 r 5
26 Złącze -: odsumowaie x Kocetracja dziur i elektroów = N A, x > d i = N D dla x < d Gęstość ładuku r = en A -d < x < 0 r = +en D dla 0 <x <d Pole elektrycze Potecjał ola elektryczego Eergia asma rzewodictwa + N e D E = ( x d) dla 0< x < ε 0 εr NAe E = ( x + d ) dla d < x < 0 ε ε 0 r ena V( x) = ( x+ d ) dla d < x < 0 ε 0 ε r en D V ( x) = Vk ( x d ) dla 0 < x < ε 0 εr E c (x) = E c (x>d ) ev(x) d d 6
27 Kocetracja dziur i elektroów, Gęstość ładuku ρ Pole elektrycze E Potecjał ola elektryczego φ(x) Eergia asma rzewodictwa E C 0 Obszar zubożoy x Złącze -: wartości Mamy złącze Si - zawierające x cm -3 akcetorów o stroie a o stroie : cm -3 akcetorów oraz cm -3 doorów. Kocetracja ośików ładuku w staie rówowagi: o stroie : = N a = x cm -3 = i / = 10 0 / x = 5 x 10 3 cm -3 Po stroie : = N d - N a = 9 x cm -3 = i / = 10 0 /(1 x ) = 1.11 x 10 3 cm -3 Kotaktowa różica otecjałów w temeraturze okojowej: 0.79 V Szerokość złącza: 0.3µm; Maksymale atężeie ola elektryczego: 40 kv/cm; 7
28 Solaryzowae złącze - Solaryzowae złącze Założeie: ois kwaziklasyczy (tz. eergia związaa z zewętrzym ę olem elektryczym y dozawaym rzez elektroy w złączu jest mała w orówaiu z szerokością rzerwy eergetyczej). Uwaga: obszar zubożoy. Przyłożeie zewętrzej różicy otecjału włyie a: Kotaktową różicę otecjału, wysokość bariery otecjału między i ; Szerokość warstwy zubożoej; Kocetrację i gradiety kocetracji, ole elektrycze; Nie będzie rówowagi między rądem dyfuzyjym i uoszeia; 8
29 Solaryzowae złącze: asma rzesuwają się Zero Bias Forward Bias Reverse Bias E c qv bi E c ( ) q V bi V F E v E v E v E c ( + V) qv bi r Potetial Eer rgy V bi Vbi V F V bi + V R Carrier Desity o Solaryzowae złącze: kieruek rzewodzeia o - juctio i forward bias Naięcie kotaktowe maleje z V 0 do V 0 -V F. Elektroy są wstrzykiwae ze stroy do i stają ośikami miejszościowymi o stroi rekombiują z dziurami, zatem ich kocetracja maleje eksoecjalie z odległością. Aalogiczie wstrzykiwae są dziury do 9
30 Solaryzowae złącze : rąd Obszar dyfuzyjy Orócz obszaru zubożoego ojawiają się tzw obszary dyfuzyje Solaryzowae złącze Obszar zubożoy: Duże ole elektrycze Duży ładuek rzestrzey Duże gradiety kocetracji ładuku Obszar dyfuzyjy Obszar dyfuzyjy Obszar zubożoy 30
31 Solaryzowae złącze Obszar dyfuzyjy: Małe ole elektrycze Mały ładuek rzestrzey Duży gradiet kocetracji ładuku Obszar dyfuzyjy Obszar dyfuzyjy Obszar zubożoy o B o A o o l l 31
32 Solaryzowae złącze : rąd Obszar dyfuzyjy: Mały rąd uoszeia dziur, duży rąd uoszeia elektroów; Duży rąd dyfuzyjy dziur; Mały rąd uoszeia elektroów, duży rąd uoszeia dziur; Duży rąd dyfuzyjy elektroów; Obszar zubożoy: Wszystko duże i iemożliwe do obliczeia; Solaryzowae złącze: kieruek rzewodzeia Miejsza kotaktowa bariera otecjału Większy iż w r-dze rąd dyfuzyjy dziur z do Większy iż w r-dze rąd dyfuzyjy elektroów z do Prądy uoszeia odobe jak w r-dze. Prąd uoszeia jest związay z ruchem ośików miejszościowych o obu stroach złącza. 3
33 Solaryzowae złącze: kieruek zaorowy Większa kotaktowa bariera otecjału Miejszy iż w r-dze rąd dyfuzyjy dziur z do Miejszy iż w r-dze rąd dyfuzyjy elektroów z do Prądy uoszeia odobe jak w r-dze.. Solaryzowae złącze : rąd Tu liczy się rąd dziurowy (tylko dyfuzyjy, oieważ uoszeia jest mały); Przejście ośików rzez warstwę zubożoą rzebiega szybko (tz. rądy się ie zmieiają); Tu liczy się rąd elektroowy; Wyadkowy rąd łyący rzez złącze jest sumą rądu elektroowego i dziurowego. 33
34 34 Solaryzowae złącze Szerokość złącza w r-dze: 0 ) ( V N N N N q W d a d a d + = ε N (N ) Szerokość złącza solaryzowaego aięciem V: ( ) V V N N N N q W d a d a d + = 0 ) ( ε +V = kieruek rzewodzeia -V = kieruek zaorowy (ex 1) + = T k ev L e D L e D j B Solaryzowae złącze - T k L L B
35 Solaryzowae złącze - J ev = Js (ex 1) k B T Solaryzowae złącze - Polaryzacja w kieruku zaorowym: Zjawisko Zeera: tuelowaie elektroów rzez barierę otecjałów (dla aięć oiżej 5 V); Joizacja lawiowa: swobode elektroy zderzając się ze związaymi elektroami joizują je (owyżej 5 V) 35
36 Dioda tuelowa Dioda tuelowa: dioda silie domieszkowaa w obu częściach ( i ) => częściowo zaełioe asmo rzewodictwa o stroie i częściowo uste asmo o stroie ; obszar zubożoy jest bardzo wąski. e F Dioda tuelowa Dioda tuelowa: działaie 36
37 Trazystor Elektroy z warstwy rekombiują z dziurami w bazie (elektroów jest zaczie więcej iż dziur). Powstaje obszar zubożoy w złączu emiter-baza. Prąd między emiterem a kolektorem ie łyie. Trazystor Gdy do bazy zostaie rzyłożoe aięcie, elektroy zowu mogą doływać od emitera do bazy, uwaliaa jest część dziur, obszar zubożoy maleje i może łyąć rąd między emiterem a kolektorem. Mała zmiaa rądu bazy owoduje dużą zmiaę rądu emiterkolektor. 37
38 Złącze metal- ółrzewodik (a) i (c) rzed ustaleiem się rówowagi (b) i (d) w rówowadze Φ M > Φ S Φ M < Φ S Złącze metal ółrzewodik tyu z Φ M > Φ S Po utworzeiu złącza elektroy będą rzeływać z S do M. Work Fuctio Φ M Work Fuctio Φ S E vacuum Electro Affiity Χ E C,S E F,S E i E V,S Metal Semicoductor 38
39 Złącze metal ółrzewodik tyu z Φ M > Φ S Rówowaga: oziom Fermiego wszędzie taki sam Work Fuctio Φ M Φ S V BI Χ E vacuum Φ B E C,S E F,S E i Metal Semicoductor E V,S Złącze metal ółrzewodik tyu z Φ M > Φ S Rówowaga: Wszystkie elektroy odłyą z ewego obszaru ółrzewodika (owstaje obszar zubożoy w ośiki ładuku); między ółrzewodikiem a metalem owstaje wewętrza różica otecjałów oraz ole elektrycze; Kotaktowa różica otecjałów: V BI =Φ M -Φ S 39
40 Złącze metal ółrzewodik tyu z Φ M > Φ S Elektroy rzeływające z M do S aotykają barierę otecjału Φ B = Φ M χ Elektroy łyące z S do M aotykają a barierę Φ M Φ S Work Fuctio Φ M Φ S V BI Χ E vacuum Φ B E C,S E F,S E i Metal Semicoductor E V,S Złącze metal ółrzewodik tyu z Φ M > Φ S Złącze solaryzowae W zależości od zaku aięcia bariera, którą aotykają elektroy łyące z S do M albo rośie, albo maleje: złącze ą ma działaie rostujące. I ~ V kt ( a / 1 ) I0 ex 40
41 Złącze metal ółrzewodik tyu z Φ M < Φ S Po utworzeiu złącza elektroy będą rzeływać z M do S. Nie ma bariery dla elektroów z S do M. Mała bariera jest dla elektroów łyących z M do S φ m χ sc χ sc- φ m E F Złącze metal ółrzewodik tyu z Φ M < Φ S Po utworzeiu złącza elektroy będą rzeływać z M do S. Nie ma bariery dla elektroów z S do M. Mała bariera jest dla elektroów łyących z M do S E vacuum Χ E vacuum Φ M Φ S E C,S Φ M Φ S E C,S E F,S E F,S E V,S E V,S VBI =Φ S -Φ M Φ B 41
42 Solaryzowae złącze metal ółrzewodik tyu z Φ M < Φ S Nie ma bariery dla elektroów z S do M. Nawet małe aięcie V A > 0 owoduje duży rąd. Jest mała bariera dla elektroów łyących z M do S, ale zika gdy V A < 0 jest rzyłożoe do metalu. Duży rąd łyie gdy V A < 0. Nie ma właściwości rostujących: tzw. kotakt omowy. φ m χ sc χ sc- φ m I E F V A Wysokości barier otecjału w złączach metal-ółrzewodik [ev] 4
Zjawiska kontaktowe. Pojęcia.
Zjawiska kotaktowe. Pojęcia. Próżia, E vac =0 Φ m W Φ s χ E c µ E v metal półprzewodik W praca przeiesieia elektrou z da pasma przewodictwa do próżi, bez zwiększaia jego eergii kietyczej (którą ma zerową).
Zadanie domowe: kiedy pole elektryczne jest słabe, a kiedy silne?
Zadaie domowe: kiedy pole elektrycze jest słabe, a kiedy sile? Wersje rozwiązań: Wersja z polem magetyczym; Wersja z kaciastym wykresem; Wersja bez kaciastego wykresu, ale z asyceiem; Wersja z porówaiem
ELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKADMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWI Wydział Iformatyki, lektroiki i Telekomuikacji Katedra lektroiki LMNTY LKTRONICZN dr iż. Piotr Dziurdzia aw. C-, okój 41; tel. 617-7-0, iotr.dziurdzia@agh.edu.l
Badanie efektu Halla w półprzewodniku typu n
Badaie efektu alla w ółrzewodiku tyu 35.. Zasada ćwiczeia W ćwiczeiu baday jest oór elektryczy i aięcie alla w rostoadłościeej róbce kryształu germau w fukcji atężeia rądu, ola magetyczego i temeratury.
Elektrony i dziury w półprzewodnikach
1 lektroy i dziury w ółrzewodikach Atomy i rdzeie atomowe Si oraz Ge Si oraz Ge ależą do gruy IV układu okresowego ierwiastków. Mają o 4 zewętrze elektroy. Tylko zewętrze elektroy uczesticzą w tworzeiu
E-3A BADANIE CHARAKTERYSTYK DIODY I TRANZYSTORA METODĄ OSCYLOSKOPOWĄ
BADANIE HARAKTERYSTYK DIODY I TRANZYSTORA METODĄ OSYLOSKOPOWĄ I. el ćwiczeia: wyzaczeie charakterystyki diody Zeera, charakterystyk trazystora - oraz -- w układzie wsólego emitera (WE), zaozaie się z odstawowymi
Wykład IV. Półprzewodniki samoistne i domieszkowe
Wykład IV Półprzewodniki samoistne i domieszkowe Półprzewodniki (Si, Ge, GaAs) Konfiguracja elektronowa Si : 1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 2 = [Ne] 3s 2 3p 2 4 elektrony walencyjne Półprzewodnik samoistny Talent
PÓŁPRZEWODNIKI W ELEKTRONICE. Powszechnie uważa się, że współczesna elektronika jest elektroniką półprzewodnikową.
PÓŁPRZEWODNIKI W ELEKTRONICE Powszechie uważa się, że wsółczesa elektroika jest elektroiką ółrzewodikową. 1 Półrzewodiki Półrzewodiki to ciała stałe ieorgaicze lub orgaicze o rzewodictwie elektryczym tyu
2. ZJAWISKA KONTAKTOWE
. ZJAWISKA KONTAKTOWE Możliwe są trzy rozae kotaktów: kotakt - tego samego rozau złącze -, +-, +-, l-h (styk omowy z metalem), homozłącze kotakt wóch różego rozau (Ge-Si) heterozłącze kotakt metal złącze
W wielu przypadkach zadanie teorii sprężystości daje się zredukować do dwóch
Wykład 5 PŁASKI ZADANI TORII SPRĘŻYSTOŚCI Płaski sta arężeia W wielu rzyadkach zadaie teorii srężystości daje się zredukować do dwóch wymiarów Przykładem może być cieka tarcza obciążoa siłami działającymi
ENIAC (1947) Tranzystor Emiter (n) Kolektor (n) Baza (p)
TRANZYSTORY POLARN ZŁĄZOW iolar Juctio Trasistor - JT Trazystor - 947 Trazystor biolary to odowiedie ołączeie dwu złącz : miter () Kolektor () aza () udowa trazystora w techologii laarej: PRZYKŁAD STRKTRY
Repeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n
Repeta z wykładu nr 5 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Ćwiczenie nr 20. BADANIE ZŁĄCZA p-n 1. PRZEPŁYW PRĄDU PRZEZ ZŁĄCZE
` Politechika Warszawska Do użytku wewętrzego Wydział Fizyki Laboratorium Fizyki II. Irea Groowska Małgorzata Igalso Ćwiczeie r 0 1. PRZEPŁYW PRĄDU PRZEZ ZŁĄCZE BADANIE ZŁĄCZA - Złączem - azywamy styk
BADANIE CHARAKTERYSTYKI DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWEJ
Ćwiczeie 47 BADANIE CHARAKTERYSTYKI DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWEJ 47.. Wiadomości ogóle Dla zrozumieia elektryczych właściwości ciał stałych koiecze jest pozaie praw rządzących elektroami wewątrz tych ciał.
Półprzewodniki Teoria złącza PN. Budowa i właściwości elektryczne ciał stałych - wprowadzenie
Półrzewodniki Teoria złącza PN Budowa i właściwości elektryczne ciał stałych - wrowadzenie Budowa atomu: a) model starożytny b) model J.J. Thomsona c) model E. Rutherforda d) model N. Bohra e) wynikająca
Model Bohra atomu wodoru
Model Bohra atomu wodoru Widma liiowe pierwiastków. wodór hel eo tle węgiel azot sód Ŝelazo Aby odpowiedzieć a pytaie dlaczego wodór i ie pierwiastki ie emitują wszystkich częstotliwości fal elektromagetyczych
Wykład XI. Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation (LASER) laser półprzewodnikowy
Wykład XI Light Amplificatio by Stimulated Emissio of Radiatio (LASER) laser półprzewodikowy Emisja spotaicza Emisja spotaicza i wymuszoa Fotoy emitowae są we wszystkich kierukach z jedakowym prawdopodobieństwem
1. Podstawowa struktura tranzystora bipolarnego
RAZYSORY POLAR SMK WYKŁAD 8 a pdstw.: W. Marciiak, W 1978, Przyrządy półprzewodikowe i układy scaloe razystor elemet trasformujący rezystację (trioda 1948 ardee, ratai trazystor ostrzowy). razystor warstwowy
Termodynamika defektów sieci krystalicznej
Termodyamika defektów sieci krystaliczej Defekty sieci krystaliczej puktowe (wakasje, atomy międzywęzłowe, obce atomy) jedowymiarowe (dyslokacje krawędziowe i śrubowe) dwuwymiarowe (graice międzyziarowe,
Repeta z wykładu nr 6. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Metal-półprzewodnik
Repeta z wykładu nr 6 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 - kontakt omowy
Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 23 Półprzewodniki
Elementy sterowania wiązką światła
Elemety sterowaia wiązką światła Moulatory - moulacja fazy, itesywości, stau olaryzacji Skaery - rzemiataie wiązką liii lub owierzchi Deflektory zmiaa kątowego ołożeia wiązki Przełącziki zmiaa wartości
PRZYKŁADY ROZWIAZAŃ STACJONARNEGO RÓWNANIA SCHRӦDINGERA. Ruch cząstki nieograniczony z klasycznego punktu widzenia. mamy do rozwiązania równanie 0,,
PRZYKŁADY ROZWIAZAŃ STACJONARNEGO RÓWNANIA SCHRӦDINGERA Ruch cząstki ieograiczoy z klasyczego puktu widzeia W tym przypadku V = cost, przejmiemy V ( x ) = 0, cząstka porusza się wzdłuż osi x. Rozwiązujemy
Budowa atomów. Budowa atomu wodoru
05-0- Budowa atomów atom wodoru atomy wieloelektroowe zakaz Pauliego układ okresowy pierwiastków Budowa atomu wodoru atom wodoru składa się z pojedyczego elektrou (-e) związaego z jądrem protoem (+e) przyciągającą
Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i Techniki Wysokich Napięć. Dr hab.
Politechika Lubelska Wydział Elektrotechiki i Iformatyki Katedra Urządzeń Elektryczych i Techiki Wysokich Napięć Dr hab. Paweł Żukowski Pierwiastek DEg C (diamet) 7,0 ev Si 1,1 ev Ge 0,7 ev S (szara cya)
Fizyka Ciała Stałego
Fizyka Ciała Stałego c β γ α b a Kryształy.. A Cl - Na + Cl - A A A Na + Cl - Na + F - F - H - A A Cl - Na + Cl - A argon krystaliczny (siły Van der Waalsa) chlorek sodu (wiązanie jonowe) Wiązanie wodorowe
Złącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET
Złącza p-n, zastosowania Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET Złącze p-n, polaryzacja złącza, prąd dyfuzyjny (rekombinacyjny) Elektrony z obszaru n na złączu dyfundują
6.1. Typy detektorów i parametry charakteryzujące detektory [30]
Rozdział 6 6. Detektory w trasmisji światłowodowej 6.1. Tyy detektorów i arametry charakteryzujące detektory 6.2. Detektory fotoemisyje. Fotoowielacz 6.3. Detektory ółrzewodikowe 6.4. Detektory wielokaałowe
Wykład V Złącze P-N 1
Wykład V Złącze PN 1 Złącze pn skokowe i liniowe N D N A N D N A p n p n zjonizowane akceptory + zjonizowane donory x + x Obszar zubożony Obszar zubożony skokowe liniowe 2 Złącze pn skokowe N D N A p n
Równanie Shockley a. Potencjał wbudowany
Wykład VI Diody Równanie Shockley a Potencjał wbudowany 2 I-V i potencjał wbudowany Temperatura 77K a) Ge E g =0.7eV b) Si E g =1.14eV c) GaAs E g =1.5eV d) GaAsP E g =1.9eV qv 0 (0. 5 0. 7)E g 3 I-V i
Urządzenia półprzewodnikowe
Urządzenia półprzewodnikowe Diody: - prostownicza - Zenera - pojemnościowa - Schottky'ego - tunelowa - elektroluminescencyjna - LED - fotodioda półprzewodnikowa Tranzystory - tranzystor bipolarny - tranzystor
Zjawisko termoelektryczne
34 Zjawisko Peltiera polega na tym, że w obwodzie składającym się z różnych przewodników lub półprzewodników wytworzenie różnicy temperatur między złączami wywołuje przepływ prądu spowodowany różnicą potencjałów
Wprowadzenie. metody elementów skończonych
Metody komputerowe Wprowadzeie Podstawy fizycze i matematycze metody elemetów skończoych Literatura O.C.Ziekiewicz: Metoda elemetów skończoych. Arkady, Warszawa 972. Rakowski G., acprzyk Z.: Metoda elemetów
VII MIĘDZYNARODOWA OLIMPIADA FIZYCZNA (1974). Zad. teoretyczne T3.
KOOF Szczeci: www.of.szc.pl VII MIĘDZYNAODOWA OLIMPIADA FIZYCZNA (1974). Zad. teoretycze T3. Źródło: Komitet Główy Olimpiady Fizyczej; Olimpiada Fizycza XXIII XXIV, WSiP Warszawa 1977 Autor: Waldemar Gorzkowski
ELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKAEMIA GÓRICZO-HUTICZA IM. STAISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji Katedra Elektroniki ELEMETY ELEKTROICZE dr inż. Piotr ziurdzia aw. C-3, okój 413; tel. 617-7-0,
METODY DETEKCJI PROMIENIOWANIA JĄDROWEGO 1
MTODY DTKCJI PROMINIOWNI JĄDROWGO 1 1 ŹRÓDŁ CZĄSTK PROMINIOWNI JĄDROWGO rzemiay romieiotwórcze jąder (aturale) ie reakcje jądrowe (cząstki o wysokiej eergii) akceleratory, romieiowaie kosmicze ODDZIŁYWNI
ELEKTROGRAWIMETRIA. Warunki jakie musi spełniać osad analitu na elektrodzie
ELEKTROGRAWIETRIA Zasada ozaczaia polega a wydzieleiu aalitu w procesie elektrolizy w postaci osadu a elektrodzie roboczej ( katodzie lub aodzie) i wagowe ozaczeie masy osadu z przyrostu masy elektrody
OKREŚLENIE CHARAKTERYSTYK POMPY WIROWEJ I WYZNACZENIE PAGÓRKA SPRAWNOŚCI
Ćwiczeie 5 OKREŚLENIE CARAKTERYSTYK POMPY WIROWEJ I WYZNACZENIE PAGÓRKA SPRAWNOŚCI Wykaz ważiejszych ozaczeń c 1 rędkość bezwzględa cieczy a wlocie do wirika, m/s c rędkość bezwzględa cieczy a wylocie
Półprzewodniki. złącza p n oraz m s
złącza p n oraz m s Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana ze środków Unii
STRUKTURA PASM ENERGETYCZNYCH
PODSTAWY TEORII PASMOWEJ Struktura pasm energetycznych Teoria wa Struktura wa stałych Półprzewodniki i ich rodzaje Półprzewodniki domieszkowane Rozkład Fermiego - Diraca Złącze p-n (dioda) Politechnika
ELEKTRONIKA ELM001551W
ELEKTRONIKA ELM001551W W4 Unoszenie Dyfuzja 2 Półprzewodnik w stanie nierównowagi termodynamicznej np n 2 i n = n0 + n' p = p0 + p ' Półprzewodnik w stanie nierównowagi termodynamicznej Generacja i rekombinacja
Katedra Silników Spalinowych i Pojazdów ATH ZAKŁAD TERMODYNAMIKI. Wyznaczanie ciepła właściwego c p dla powietrza
Katedra Silików Saliowych i Pojazdów ATH ZAKŁAD TERMODYNAMIKI Wyzaczaie cieła właściweo c dla owietrza Wrowadzeie teoretycze Cieło ochłoięte rzez ciało o jedostkowej masie rzy ieskończeie małym rzyroście
Skończona studnia potencjału
Skończona studnia potencjału U = 450 ev, L = 100 pm Fala wnika w ściany skończonej studni długość fali jest większa (a energia mniejsza) Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach
Wokół testu Studenta 1. Wprowadzenie Rozkłady prawdopodobieństwa występujące w testowaniu hipotez dotyczących rozkładów normalnych
Wokół testu Studeta Wprowadzeie Rozkłady prawdopodobieństwa występujące w testowaiu hipotez dotyczących rozkładów ormalych Rozkład ormaly N(µ, σ, µ R, σ > 0 gęstość: f(x σ (x µ π e σ Niech a R \ {0}, b
Numeryczny opis zjawiska zaniku
FOTON 8, iosa 05 7 Numeryczy opis zjawiska zaiku Jerzy Giter ydział Fizyki U Postawieie problemu wielu zagadieiach z różych działów fizyki spotykamy się z astępującym problemem: zmiay w czasie t pewej
Stany materii. Masa i rozmiary cząstek. Masa i rozmiary cząstek. m n mol. n = Gaz doskonały. N A = 6.022x10 23
Stany materii Masa i rozmiary cząstek Masą atomową ierwiastka chemicznego nazywamy stosunek masy atomu tego ierwiastka do masy / atomu węgla C ( C - izoto węgla o liczbie masowej ). Masą cząsteczkową nazywamy
IM Eksperymentalne wyznaczenie wartości podstawowego kwantu przewodności.
IM - 5 BADANIE PRZEWODNOŚCI ELEKTRYCZNEJ NANODRUTÓW Cel ćwiczeia Eksperymetale wyzaczeie wartości podstawowego kwatu przewodości.. Wstęp teoretyczy. Klasycza teoria przewodictwa Ruch elektroów przewodictwa
Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy półprzewodnikowe mocy, zima 2015/16 20 Półprzewodniki Materiały, w których
Promieniowanie atomów wzbudzonych
Achorage, USA, May 2002 W-27 (Jaroszewicz) 23 slajdy Na podstawie prezetacji prof. J. Rutkowskiego Promieiowaie atomów wzbudzoych Promieiowaie spotaicze Promieiowaie wymuszoe Promieiowaie retgeowskie 3/23-W27
ROZDZIAŁ 5 WPŁYW SYSTEMU OPODATKOWANIA DOCHODU NA EFEKTYWNOŚĆ PROCESU DECYZYJNEGO
Agieszka Jakubowska ROZDZIAŁ 5 WPŁYW SYSTEMU OPODATKOWANIA DOCHODU NA EFEKTYWNOŚĆ PROCESU DECYZYJNEGO. Wstęp Skąplikowaie współczesego życia gospodarczego powoduje, iż do sterowaia procesem zarządzaia
Ciała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz
Ciała stałe Podstawowe własności ciał stałych Struktura ciał stałych Przewodnictwo elektryczne teoria Drudego Poziomy energetyczne w krysztale: struktura pasmowa Metale: poziom Fermiego, potencjał kontaktowy
Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane
Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Półprzewodnik typu n IV-Ge V-As Jeżeli pięciowartościowy atom V-As zastąpi w sieci atom IV-Ge to cztery elektrony biorą udział w wiązaniu kowalentnym,
Zasada działania tranzystora bipolarnego
Tranzystor bipolarny Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasada działania tranzystora bipolarnego
PŁYN Y RZECZYWISTE Przepływy rzeczywiste różnią się od przepływów idealnych obecnością tarcia (lepkości): przepływy laminarne/warstwowe - różnią się
PŁYNY RZECZYWISTE Płyny rzeczywiste Przeływ laminarny Prawo tarcia Newtona Przeływ turbulentny Oór dynamiczny Prawdoodobieństwo hydrodynamiczne Liczba Reynoldsa Politechnika Oolska Oole University of Technology
OBLICZENIE SIŁ WEWNĘTRZNYCH DLA BELKI SWOBODNIE PODPARTEJ SWOBODNIE PODPARTEJ ALGORYTM DO PROGRAMU MATHCAD
OBLICZENIE SIŁ WEWNĘTRZNYCH DLA BELKI ALGORYTM DO PROGRAMU MATHCAD 1 PRAWA AUTORSKIE BUDOWNICTWOPOLSKIE.PL GRUDZIEŃ 2010 Rozpatrujemy belkę swobodie podpartą obciążoą siłą skupioą, obciążeiem rówomierie
Budowa i zasada działania lasera
Budowa i zasada działaia lasera Budowa atomu Demokryt (460 370 p..e.) materia składa się z iepodzielych elemetów; (atom, gr. atomos - iepodziely). Sta wiedzy o atomie w drugiej połowie XIX stulecia: Atom
Rozpuszczalność gazów w cieczach. Prawo Henry ego
Rozpuszczalość gazów w cieczach. rawo ery ego Empiryczie stwierdzoo, że, w k, czyli ilość gazu rozpuszczoego w cieczy jest w warukach izotermiczych proporcjoala do jego ciśieia. V Jeśli gaz jest gazem
ELEKTROTECHNIKA I ELEKTRONIKA
UNIWERSYTET TECHNOLOGICZNO-PRZYRODNICZY W BYDGOSZCZY WYDZIAŁ INŻYNIERII MECHANICZNEJ INSTYTUT EKSPLOATACJI MASZYN I TRANSPORTU ZAKŁAD STEROWANIA ELEKTROTECHNIKA I ELEKTRONIKA ĆWICZENIE: E20 BADANIE UKŁADU
Wykład 8 ELEKTROMAGNETYZM
Wykład 8 ELEKTROMAGNETYZM Równania Maxwella dive = ρ εε 0 prawo Gaussa dla pola elektrycznego divb = 0 rote = db dt prawo Gaussa dla pola magnetycznego prawo indukcji Faradaya rotb = μμ 0 j + εε 0 μμ 0
III. TRANZYSTOR BIPOLARNY
1. TRANZYSTOR BPOLARNY el ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Zagadnienia: zasada działania tranzystora bipolarnego. 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z języka
WYKŁAD 6 TRANZYSTORY POLOWE
WYKŁA 6 RANZYSORY POLOWE RANZYSORY POLOWE ZŁĄCZOWE (Juctio Field Effect rasistors) 55 razystor polowy złączowy zbudoway jest z półprzewodika (w tym przypadku typu p), w który wdyfudowao dwa obszary bramki
Przejścia optyczne w cząsteczkach
-4-8 Pzejścia optycze w cząsteczkac Pzybliżeie Boa Oppeeimea acek.szczytko@fuw.edu.pl ttp://www.fuw.edu.pl/~szczytko/t ttp://www.sciececatoosplus.com/ Podziękowaia za pomoc w pzygotowaiu zajęć: Pof. d
Równowaga reakcji chemicznej
Rówowaga reakcji chemiczej Sta i stała rówowagi reakcji chemiczej (K) Reakcje dysocjacji Stopień dysocjacji Prawo rozcieńczeń Ostwalda utodysocjacja wody p roztworów p roztworów. p roztworów mocych elektrolitów
TERMODYNAMIKA OGNIWA GALWANICZNEGO
Ćwiczenie nr 3 ERMODYNAMIKA OGNIWA GALWANICZNEGO I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie zmian funkcji termodynamicznych dla reakcji biegnącej w ogniwie Clarka. II. Zagadnienia wrowadzające 1.
IA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody.
1 A. Fotodioda Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody. Zagadnienia: Efekt fotowoltaiczny, złącze p-n Wprowadzenie Fotodioda jest urządzeniem półprzewodnikowym w którym zachodzi
Temperatura i ciepło E=E K +E P +U. Q=c m T=c m(t K -T P ) Q=c przem m. Fizyka 1 Wróbel Wojciech
emeratura i cieło E=E K +E P +U Energia wewnętrzna [J] - ieło jest energią rzekazywaną między układem a jego otoczeniem na skutek istniejącej między nimi różnicy temeratur na sosób cielny rzez chaotyczne
Zatem przyszła wartość kapitału po 1 okresie kapitalizacji wynosi
Zatem rzyszła wartość kaitału o okresie kaitalizacji wyosi m k m* E Z E( m r) 2 Wielkość K iterretujemy jako umowa włatę, zastęującą w rówoważy sosób, w sesie kaitalizacji rostej, m włat w wysokości E
Twierdzenia graniczne:
Twierdzeia graicze: Tw. ierówośd Markowa Jeżeli P(X > 0) = 1 oraz EX 0: P X k 1 k EX. Tw. ierówośd Czebyszewa Jeżeli EX = m i 0 < σ = D X 0: P( X m tσ) 1 t. 1. Z partii towaru o wadliwości
3. Regresja liniowa Założenia dotyczące modelu regresji liniowej
3. Regresja liiowa 3.. Założeia dotyczące modelu regresji liiowej Aby moża było wykorzystać model regresji liiowej, muszą być spełioe astępujące założeia:. Relacja pomiędzy zmieą objaśiaą a zmieymi objaśiającymi
Fizyka 2 Wróbel Wojciech. w poprzednim odcinku
Fizyka w poprzednim odcinku Obliczanie natężenia pola Fizyka Wyróżniamy ładunek punktowy d Wektor natężenia pola d w punkcie P pochodzący od ładunku d Suma składowych x-owych wektorów d x IĄGŁY ROZKŁAD
4. MODELE ZALEŻNE OD ZDARZEŃ
4. MODELE ZALEŻNE OD ZDARZEŃ 4.. Wrowadzeie W sysemach zależych od zdarzeń wyzwalaie określoego zachowaia się układu jes iicjowae rzez dyskree zdarzeia. Modelowaie akich syuacji ma a celu symulacyją aalizę
u t 1 v u(x,t) - odkształcenie, v - prędkość rozchodzenia się odkształceń (charakterystyczna dla danego ośrodka) Drgania sieci krystalicznej FONONY
Drgaia sieci krystaliczej FONONY 1. model klasyczy (iekwatowy) a) model ośrodka ciągłego (model Debye a) - przypadek jedowymiarowy - drgaia struy drgaia mogą być podłuże (guma, sprężya) i dwie prostopadłe
= arc tg - eliptyczność. Polaryzacja światła. Prawo Snelliusa daje kąt. Co z amplitudą i polaryzacją? Drgania i fale II rok Fizyka BC
4-0-0 G:\AA_Wyklad 000\FIN\DOC\Polar.doc Drgaia i fale II rok Fizyka C Polaryzacja światła ( b a) arc tg - eliptyczość Prawo Selliusa daje kąt. Co z amplitudą i polaryzacją? 4-0-0 G:\AA_Wyklad 000\FIN\DOC\Polar.doc
WYKŁAD 5 TRANZYSTORY BIPOLARNE
43 KŁAD 5 TRANZYSTORY IPOLARN Tranzystor biolarny to odowiednie ołączenie dwu złącz n : n n n W rzeczywistości budowa tranzystora znacznie różni się od schematu okazanego owyżej : (PRZYKŁAD TRANZYSTORA
TRANZYSTORY POLOWE JFET I MOSFET
POLTECHNKA RZEZOWKA Kaedra Podsaw Elekroiki srukcja Nr5 F 00/003 sem. lei TRANZYTORY POLOWE JFET MOFET Cel ćwiczeia: Pomiar podsawowych charakerysyk i wyzaczeie paramerów określających właściwości razysora
Wykład 19: Dr inż. Zbigniew Szklarski. Katedra Elektroniki, paw. C-1, pok
Wykład 9: Atom Dr iż. Zbigiew Szklarski Katedra Elektroiki, paw. C-, pok.3 szkla@agh.edu.pl http://layer.uci.agh.edu.pl/z.szklarski/ Wczese modele atomu Grecki filozof Demokryt rozpoczął poszukiwaia opisu
ν = c/λ [s -1 = Hz] ν = [cm -1 ] ZASADY ZALICZENIA PRZEDMIOTU MBS c = m/s cos x H = H o E = E o cos x c = λν 1 ν = _ λ
ZASADY ZALICZENIA PRZEDMIOTU MBS LABORATORIUM Z MBS. ROZWIĄZYWANIE WIDM kolokwium NMR 23 kwietia 208 IR maja 208 złożoe czerwca 208 poiedziałek czwartek piątek 9.3 22.3 23.3 26.3 5. 6. 9. 2. 3. H NMR 23.
Ćwiczenia nr 5. TEMATYKA: Regresja liniowa dla prostej i płaszczyzny
TEMATYKA: Regresja liiowa dla prostej i płaszczyzy Ćwiczeia r 5 DEFINICJE: Regresja: metoda statystycza pozwalająca a badaie związku pomiędzy wielkościami daych i przewidywaie a tej podstawie iezaych wartości
ELEMENTY ELEKTRONICZNE
KEMI GÓRICZO-HUICZ IM. SISŁW SSZIC W KRKOWIE Wydział Informatyki, Elektroniki i elekomunikacji Katedra Elektroniki ELEMEY ELEKROICZE dr inż. Piotr ziurdzia aw. C-3, okój 413; tel. 617-7-0, iotr.dziurdzia@agh.edu.l
10. FALE, ELEMENTY TERMODYNAMIKI I HYDRODY- NAMIKI.
0. FALE, ELEMENTY TERMODYNAMIKI I HYDRODY- NAMIKI. 0.0. Podstawy hydrodynamiki. Podstawowe ojęcia z hydrostatyki Ciśnienie: F N = = Pa jednostka raktyczna (atmosfera fizyczna): S m Ciśnienie hydrostatyczne:
Złącze p-n: dioda. Dioda: element nieliniowy. półprzewodniki. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda. Przewodnictwo kryształów
Przwodictwo kryształów Złącz : dioda tomy dyskrt oziomy rgtycz (stay rgtycz); okrślo rgi lktroów TOM KRYSZTŁ Półrzwodiki Przwodictwo ółrzwodików Dioda Dioda: lmt iliiowy TOM atom zjoizoway KRYSZTŁ asmo
Jarosław Wróblewski Analiza Matematyczna 1A, zima 2012/13. Ciągi.
Jarosław Wróblewski Aaliza Matematycza 1A, zima 2012/13 Ciągi. Ćwiczeia 5.11.2012: zad. 140-173 Kolokwium r 5, 6.11.2012: materiał z zad. 1-173 Ćwiczeia 12.11.2012: zad. 174-190 13.11.2012: zajęcia czwartkowe
Podstawy Procesów i Konstrukcji Inżynierskich. Teoria kinetyczna INZYNIERIAMATERIALOWAPL. Kierunek Wyróżniony przez PKA
Podstawy Procesów i Konstrukcji Inżynierskich Teoria kinetyczna Kierunek Wyróżniony rzez PKA 1 Termodynamika klasyczna Pierwsza zasada termodynamiki to rosta zasada zachowania energii, czyli ogólna reguła
Ładunki elektryczne. q = ne. Zasada zachowania ładunku. Ładunek jest cechąciała i nie można go wydzielićz materii. Ładunki jednoimienne odpychają się
Ładunki elektryczne Ładunki jednoimienne odpychają się Ładunki różnoimienne przyciągają się q = ne n - liczba naturalna e = 1,60 10-19 C ładunek elementarny Ładunek jest cechąciała i nie można go wydzielićz
Odbicie fali od granicy ośrodków
FOTON 8, Jesień 0 33 Odbicie fali od graicy ośrodków Jerzy Giter Uiwersytet Warszawski Kiedy światło się odbija? Zamy doskoale zjawisko załamaia światła a graicy dwóch ośrodków o różych współczyikach załamaia.
Definicja interpolacji
INTERPOLACJA Defiicja iterpolacji Defiicja iterpolacji 3 Daa jest fukcja y = f (x), x[x 0, x ]. Zamy tablice wartości tej fukcji, czyli: f ( x ) y 0 0 f ( x ) y 1 1 Defiicja iterpolacji Wyzaczamy fukcję
LABORATORIUM INŻYNIERII CHEMICZNEJ, PROCESOWEJ I BIOPROCESOWEJ. Ćwiczenie nr 16
KATEDRA INŻYNIERII CHEMICZNEJ I ROCESOWEJ INSTRUKCJE DO ĆWICZEŃ LABORATORYJNYCH LABORATORIUM INŻYNIERII CHEMICZNEJ, ROCESOWEJ I BIOROCESOWEJ Ćwiczeie r 16 Mieszaie Osoba odpowiedziala: Iwoa Hołowacz Gdańsk,
Rekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja
Rekapitulacja Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje: czwartek
2. KONCENTRACJA NOŚNIKÓW W PÓŁPRZEWODNIKU SAMOISTNYM I DOMIESZKOWYM. WPŁYW DOMIESZKOWANIA NA POŁOŻENIE POZIOMU FERMIEGO
. KONCENTRACJA NOŚNIKÓW W PÓŁPRZEWONIKU SAMOISTNYM I OMIESZKOWYM. WPŁYW OMIESZKOWANIA NA POŁOŻENIE POZIOMU FERMIEGO.1. Kocetracja ośków samostych W rzyadku gdy mamy do czyea z ółrzewodkem edomeszkowaym
Wyznaczyć prędkości punktów A i B
Wyzaczaie prędkości i przyspieszeia puku ciała w ruchu płaskim (a) Wyzaczyć prędkości puków i Dae: rad/s; ε 0; 5 cm; 5 cm 48 mechaika echicza kiemayka 3 Wyzaczaie prędkości i przyspieszeia puku ciała w
ZADANIA Z CHEMII Rozkład energii w stanie równowagi termicznej. Entropia (S) Kwantowanie energii
ZADANIA Z CHEMII Rozkład eergii w staie rówowagi termiczej. Etropia (S) Kwatowaie eergii Eergia elemetów materii zmieia się skokowo, a ie w sposób ciągły. Elemety materii oddają lub pobieraja eergię tylko
Elementy rach. macierzowego Materiały pomocnicze do MES Strona 1 z 7. Elementy rachunku macierzowego
Elemety rach macierzowego Materiały pomocicze do MES Stroa z 7 Elemety rachuku macierzowego Przedstawioe poiżej iformacje staowią krótkie przypomieie elemetów rachuku macierzowego iezbęde dla zrozumieia
Jarosław Wróblewski Analiza Matematyczna A1, zima 2011/12. Kresy zbiorów. x Z M R
Kresy zbiorów. Ćwiczeia 21.11.2011: zad. 197-229 Kolokwium r 7, 22.11.2011: materiał z zad. 1-249 Defiicja: Zbiór Z R azywamy ograiczoym z góry, jeżeli M R x Z x M. Każdą liczbę rzeczywistą M R spełiającą
Wykład FIZYKA I. 2. Kinematyka punktu materialnego. Dr hab. inż. Władysław Artur Woźniak
Dr hab. iż. Władysław Arur Woźiak Wykład FIZYKA I. Kiemayka puku maerialego Dr hab. iż. Władysław Arur Woźiak Isyu Fizyki Poliechiki Wrocławskiej hp://www.if.pwr.wroc.pl/~woziak/fizyka1.hml Dr hab. iż.
Chemia Teoretyczna I (6).
Chemia Teoretycza I (6). NajwaŜiejsze rówaia róŝiczkowe drugiego rzędu o stałych współczyikach w chemii i fizyce cząstka w jedowymiarowej studi potecjału Cząstka w jedowymiarowej studi potecjału Przez
Pierwiastki z liczby zespolonej. Autorzy: Agnieszka Kowalik
Pierwiastki z liczby zespoloej Autorzy: Agieszka Kowalik 09 Pierwiastki z liczby zespoloej Autor: Agieszka Kowalik DEFINICJA Defiicja : Pierwiastek z liczby zespoloej Niech będzie liczbą aturalą. Pierwiastkiem
TEORIA TRANZYSTORÓW MOS. Charakterystyki statyczne
TEORIA TRANZYSTORÓW MOS Charakterystyki statyczne n Aktywne podłoże, a napięcia polaryzacji złącz tranzystora wzbogacanego nmos Obszar odcięcia > t, = 0 < t Obszar liniowy (omowy) Kanał indukowany napięciem
Tyrystor i triak - podstawy dzia³ania (cz.1)
Tyrystor i triak - odstawy dzia³aia (cz.1) Bogus³aw rubski Tyrystory i triaki stosowae by³y w odbiorikach telewizyjych kostruowaych kilkaaœcie lat temu. Tyrystory wystêowa³y w uk³adach zasilaia i odchylaia