Zjawiska kontaktowe. Pojęcia.

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Zjawiska kontaktowe. Pojęcia."

Transkrypt

1 Zjawiska kotaktowe Zjawiska kotaktowe. Pojęcia. metal Φ M W W raca rzeiesieia elektrou z da asma rzewodictwa do różi, bez zwiększaia jego eergii kietyczej (którą ma zerową). Używa się tylko dla metalu. Φ termodyamicza raca wyjścia. 1

2 Zjawiska kotaktowe. Pojęcia. ółrzewodik Φ S Χ E C,S E F,S E i Φ termodyamicza raca wyjścia. χ- owiowactwo elektroowe ółrzewodika. E V,S Emisja elektroów z ciała stałego. Termoemisja: emisja elektroów w wysokiej temeraturze; Φ Uwagi: j kt T = AT e W temeraturze okojowej rąd termoemisji jest bardzo mały; Wzór Richardsoa jest całkowicie klasyczy, a wiadomo że cząstki o eergii wyższej iż bariera otecjału też się od iej mogą odbić. Dlatego koiecza jest modyfikacja wzoru: Φ j kt T = (1 R) AT e Gdzie R jest wsółczyikiem odbicia (0.-0.3) Emisja elektroów owoduje oziębieie katody. W olu elektryczym raca wyjścia się obiża.

3 Emisja elektroów z ciała stałego. W silym olu elektryczym rąd termoemisji jest większy iż bez ola (obiża się bariera otecjału omiędzy metalem a otoczeiem - ozacza to zmiejszeie racy wyjścia); Emisja elektroów z ciała stałego. Emisja olowa: tuelowaie elektroów w silym olu elektryczym (rzez trójkątą barierę otecjału); metal 3

4 Emisja elektroów z ciała stałego. Emisja olowa wystęuje w silych olach elektryczych E > 10 7 V/cm; Wyjątkowymi materiałami od względem emisji olowej elektroów są aorurki węglowe. Emisja elektroów z ciała stałego. Zjawisko emisji olowej wykorzystuje się m.i. w wyświetlaczach: Field Emissio Dislays (FED): różica między FED a zwykłym ekraem jest taka, że FED wykorzystuje wiele emiterów elektroów, a ie jede; Emiterami mogą być: -Mo; - CNT 4

5 Emisja elektroów z ciała stałego. Fotoemisja: emisja elektroów od wływem światła Emisja elektroów z ciała stałego. Fotoemisja: dwufotoowa fotoemisja - jede foto wzbudza elektro do stau wzbudzoego, ale związaego wewątrz ciała stałego; drugi - do stau iezwiązaego; 5

6 Emisja elektroów z ciała stałego. Emisja wtóra: wiązka adających elektroów wybija elektroy (wtóre) z owierzchi ciała stałego; Składa się z trzech etaów: Wzbudzeie elektroów w ciele stałym do wyższego stau eergetyczego; trasort wzbudzoych elektroów do graicy ciało stała/różia; Emisja elektroów; Wydajość emisji wtórej oisuje się za omocą wsółczyika emisji wtórej, δ; ; Większość materiałów to ółrzewodiki lub izolatory, których rzerwa eergetycza jest zaczie większa iż owiowactwo elektroowe. N. MgO, BeO, Cs 3 Sb i KCl. Maksymale δ jest w zakresie Emisja elektroów z ciała stałego. Emisja wtóra. W iektórych ółrzewodikach asma są zakrzywioe w dół w taki sosób, że oziom różi leży oiżej da asma rzewodictwa w objętości. O takim materiale mówimy, że ma ujeme owiowactwo elektroowe. Najważiejszy materiał z tej gruy to fosforek galu aktywoway cezem GaP(Cs). Osiąga o δ rzędu

7 Złącza różych materiałów: uwagi ogóle. Gdy dwa ciała tworzą złącze, lub ciało o skończoych rozmiarach zajduje się w olu elektryczym, lub w obliżu graicy ciało-różia, w graiczych obszarach materiału: Powstaje wewętrze (kotaktowe) ole elektrycze; Nastęuje redystrybucja ładuku (owstaje ładuek rzestrzey); Nastęuje zakrzywieie asm eergetyczych. UWAGA: to ie są trzy róże zjawiska, to są trzy asekty tego samego zjawiska. Złącza różych materiałów: uwagi ogóle. W olu elektryczym y kocetracja ośików ładuku w ółrzewodiku zmieia się: Ładuek rzestrzey: ev kt ( V ) = (0) e, ( V ) = (0) e ev kt d V dx = ρ εε 0 7

8 Złącza różych materiałów: uwagi ogóle. Rozmiar obszaru, w którym astęują zmiay jest to tzw. długość ekraowaia Debye a. εε kt L D = 0 e εε kt L D = 0 e 8

9 Złącza różych materiałów: uwagi ogóle. Izolowae materiały różią się otecjałem chemiczym. Po zetkięciu ze sobą dwóch materiałów zaczyają łyąć chwilowe rądy. E vacuum E F, e - E F, Złącze w rówowadze: j=0 r r ' ' ' T ' T j = q K11E qk11 µ qk 1 + qk11µ + T T 3 q r q q T q T r ' ' ' ' + K E K µ K + K µ B + * 1 * 1 * * 1 m m m T m T r 4 q r q q T q T r ' ' ' ' + B K E K µ K + K µ B m m m T m T * 13 * 13 * 3 * 13 r r j = µ ' ' ( q K E qk ) = µ q V µ = 0 ( µ + qv ) = 0 µ~ = µ + qv = cost 9

10 Złącze w rówowadze: j=0 Rówowaga ozacza miimum eergii swobodej. Związek omiędzy eergią swobodą a otecjałem G µ = chemiczym: N reszta= cost Zatem, o zetkięciu dwóch dg = µ i dni = µ 1dN1 + µ dn materiałów: i Poieważ tyle elektroów rzybędzie w (1), ile ubędzie w (): dn1 = dn Zatem, r-ga jest gdy (rimy, µ ' 1 = µ ' oieważ otecjały chemicze są teraz ieco ie): Złącza różych materiałów: uwagi ogóle. Rówowaga ustala się gdy w całym obszarze otecjał chemiczy (elektrochemiczy) jest taki sam. E vacuum E F, e - E F, 10

11 Przykład: metal i ółrzewodik E 0 - Vacuum level Φ M Φ s Metal E FM Metal E C EF Semicoductor E V Przykład: metal i ółrzewodik E 0 Φ M Φ s Metal E FM E C EF Semicoductor E V Przeływ rądu (chwilowego, aż do ustaleia się rówowagi); 11

12 Przykład: metal i ółrzewodik E 0 V E C Metal E FM E F E V Semicoductor Złącze: aładoway kodesator V = ( Φ Φ ) M s ZŁĄCZE N-P 1

13 Złącze - Rodzaje złącz: Wykoae z tych samych ółrzewodików; Wykoae z różych ółrzewodików (heterozłącza); Zdegeerowae; Niezdegeerowae; Skokowe; liiowe; Złącze -: założeia i ozaczeia Rozważae będzie złącze: Homozłącze: E = E = E ; E = E = E ; C C C ; V V V µ µ Niezdegeerowae; Skokowe; N D = cost, x > 0; N = cost, x < 0 A -d d x 13

14 Złącze -: założeia i ozaczeia Ozaczeia: Obszar złącza, w którym astęuje rzeływ ładuku i ie rocesy, to: d x d Poza tym obszarem: x < d, ( x) =, ( x) = = cost, x > d ( x) =, ( x) = cost, = -d d x Złącze - Co dzieje się o utworzeiu złącza? Bardzo duże gradiety kocetracji elektroów i dziur: Elektroy łyą z do, dziury z do ; Stroa ładuje się dodatio, a ujemie. Powstaje wewętrze ole elektrycze, które owoduje rzeływ rądów uoszeia rzeciwych iż rądy dyfuzyje. 14

15 Złącze - w rówowadze ROWNOWAGA: wyadkowy rąd ie łyie, otecjał chemiczy wszędzie taki sam. Tz. rądy uoszeia i dyfuzyjy są sobie rówe (i rzeciwie skierowae). E r ( q K E q K ) = 0 r j µ = r ( q K E q K ) = 0 r j µ = uoszeie elektroów dyfuzja elektroów dyfuzja dziur uoszeie dziur x 0 x ev 0 E c µ F E v x Prąd dyfuzyjy Nośiki oruszają się w kieruku zmiejszającej się kocetracji. W rzyadku 1D (tak jak jest w złączu): j dyf = qk11 µ = ek11 µ = ed x j dyf = q K11 µ = ek11 µ = ed x Diffusio currets i the resece of a cocetratio gradiet. 15

16 Prąd uoszeia Gęstość rądu uoszeia (też w rzyadku 1D): j j = qµ E = σ E = qµ E = σ E Gdzie, µ i µ to odowiedio ruchliwość elektrou i dziury (średia rędkość uoszeia abyta rzez ośik w jedostkowym olu elektryczym). Całkowity rąd: elektroowy j ( x ) = q µ ( x ) E ( x ) + d( x) qd dx uoszeie dyfuzja dziurowy j( x) = qµ ( x) E( x) d ( x ) qd dx uoszeie dyfuzja 16

17 ZŁĄCZE N-P W RÓWNOWADZE KONTAKTOWA RÓŻNICA POTENCJAŁÓW Rówowaga W rówowadze ie łyie wyadkowy rąd. Odowiedie rądy dyfuzyje i uoszeia muszą się zosić. N. dla elektroów d( x) qµ ( x) E( x) = - qd dx W obszarze zubożoym (odowiedio o stroie i ) ev ev kocetracja ośików ładuku: kt kt ( x) = e, ( x) = e Wiadomo, że: dv E = dx Podstawiając wszystko do rówaia zerowaia się rądu elektroowego, otrzymujemy: dv µ ( x) - = dx - D d dx 17

18 Rówowaga W rezultacie, otrzymujemy r-ie: Całkując o obszarze zubożoym: Kotaktowa różica otecjałów: V V D dv = µ dv = V V D = µ µ d D d µ ( l l ) V k = ( V V ) D = l µ Iy sosób wyzaczeia V k V zależy od szerokości rzerwy eergetyczej i ołożeia otecjału chemiczego V k E g E V E C µ 18

19 Złącze -: kotaktowa różica otecjałów E g E V ( E ( E µ ) ( µ E ) ) 1 Vk = g C µ V) e 1 = ( µ µ ) e E C µ Złącze -: kotaktowa różica otecjałów Po stroie (dla x >> 0 ) = N e c Ec µ kt Po stroie (dla x << 0) = N v e E c µ kt 1 kt = = Vk ( µ µ ) l e e 19

20 Zależość Eisteia Otrzymaliśmy dwa ozorie róże wyrażeia a kotaktową różicę otecjałów. kt Vk = l e V k D = l µ Wsółczyik dyfuzji i ruchliwość związae są ze sobą relacją Eisteia: i D µ = kt q D = µ ZŁĄCZE N-P W RÓWNOWADZE NATĘŻENIE POLA ELEKTRYCZNEGO 0

21 Złącze -: atężeie ola elektryczego Założeie: wszystkie swobode ośiki ładuku odłyęły z obszaru złącza, tworząc obszar zubożoy ( d <x < d. ) Kocetracja ośików ładuku Gęstość ładuku desity -d Obszar zubożoy, r E 0 d x a r = en A -d < x < 0 r = +en D dla 0 <x <d Całkowity ładuek musi być rówy zeru, zatem: N D d =N A d. Złącze -: atężeie ola elektryczego Z r-ia Poissoe a, oraz rzy warukach brzegowych Waruki brzegowe: E = 0 dla x > d i x < d V( x) = ρ( x)/ ε0ε r x V + N De E = = x + C1 dla 0 x d x ε 0 ε V NAe E = = x + C dla d x 0 x ε ε 0 r r 1

22 Złącze -: atężeie ola elektryczego Po zastosowaiu waruków brzegowych: E + N e D = ( x d) dla 0 ε 0 εr x d NAe E = ( x + d ) dla d x 0 ε 0ε r Złącze -: atężeie ola elektryczego Zatem: ładuek Obszar zubożoy ρ E E 0 x

23 ZŁĄCZE N-P W RÓWNOWADZE POTENCJAŁ POLA ELEKTRYCZNEGO I SZEROKOŚĆ ZŁĄCZA Szerokość złącza Aby zaleźć szerokość złącza wykorzystamy wszystko, co do tej ory wyzaczyliśmy, czyli: E + N e D = ( x d) dla 0 ε 0 εr x d NAe E = ( x + d ) dla d x 0 ε ε 0 r kt kt Vk = V V = l = l e e 3

24 + N e D E = ( x d ) stroa 0< x< ε 0 εr d NAe E = ( x + d ) stroa d < x < 0 ε ε 0 r Szerokość złącza Na odstawie zajomości ola w złączu moża obliczyć kotaktową różicę otecjałów i ją owiązać ze zaym wyrażeiem a V k. Całkujemy rówaie E=dV/dx,. Po stroie : x ena V ( x) V( d ) = V( x) V = ( x+ d) dx ε 0 ε Po stroie : dd 0 end V ( d ) V( x) = V V( x) = ( x d ) dx ε 0 ε d x r r Szerokość złącza Oba wyrażeia muszą się zszyć w ukcie x=0 Zatem: en Vk = ε ε en d + A D 0 r ε0εr d Pamiętając, że: N Ad = N Dd d d ε 0 ε rn AVk = ( ) en D N A + N D ε 0 ε rndvk = ( ) en A N A + ND 1 1 ( Na + Nd ) W= ε Vk q NN a d 4

25 Potecjał ola elektryczego Przy okazji wyzaczaia szerokości złącza otrzymaliśmy wyrażeia a otecjał ola elektryczego w ukcie x złącza: x Po stroie : ena V ( x) = V + ( x+ d) dx ε d r 0 ε Po stroie : d end V ( x) = V + ( x d ) dx ε x 0 εr Po rzekształceiach: ena Po stroie : V ( x) = V + x+ d ε Po stroie : 0εr end V( x) = V x d ε ε 0 r ( ) ( ) Potecjał ola elektryczego Przyjmując zero otecjału o stroie, otrzymujemy: Po stroie : ena V ( x) = ( x+ d ) ε 0εr Po stroie : end V( x) = V ( ) k x d ε ε 0 r 5

26 Złącze -: odsumowaie x Kocetracja dziur i elektroów = N A, x > d i = N D dla x < d Gęstość ładuku r = en A -d < x < 0 r = +en D dla 0 <x <d Pole elektrycze Potecjał ola elektryczego Eergia asma rzewodictwa + N e D E = ( x d) dla 0< x < ε 0 εr NAe E = ( x + d ) dla d < x < 0 ε ε 0 r ena V( x) = ( x+ d ) dla d < x < 0 ε 0 ε r en D V ( x) = Vk ( x d ) dla 0 < x < ε 0 εr E c (x) = E c (x>d ) ev(x) d d 6

27 Kocetracja dziur i elektroów, Gęstość ładuku ρ Pole elektrycze E Potecjał ola elektryczego φ(x) Eergia asma rzewodictwa E C 0 Obszar zubożoy x Złącze -: wartości Mamy złącze Si - zawierające x cm -3 akcetorów o stroie a o stroie : cm -3 akcetorów oraz cm -3 doorów. Kocetracja ośików ładuku w staie rówowagi: o stroie : = N a = x cm -3 = i / = 10 0 / x = 5 x 10 3 cm -3 Po stroie : = N d - N a = 9 x cm -3 = i / = 10 0 /(1 x ) = 1.11 x 10 3 cm -3 Kotaktowa różica otecjałów w temeraturze okojowej: 0.79 V Szerokość złącza: 0.3µm; Maksymale atężeie ola elektryczego: 40 kv/cm; 7

28 Solaryzowae złącze - Solaryzowae złącze Założeie: ois kwaziklasyczy (tz. eergia związaa z zewętrzym ę olem elektryczym y dozawaym rzez elektroy w złączu jest mała w orówaiu z szerokością rzerwy eergetyczej). Uwaga: obszar zubożoy. Przyłożeie zewętrzej różicy otecjału włyie a: Kotaktową różicę otecjału, wysokość bariery otecjału między i ; Szerokość warstwy zubożoej; Kocetrację i gradiety kocetracji, ole elektrycze; Nie będzie rówowagi między rądem dyfuzyjym i uoszeia; 8

29 Solaryzowae złącze: asma rzesuwają się Zero Bias Forward Bias Reverse Bias E c qv bi E c ( ) q V bi V F E v E v E v E c ( + V) qv bi r Potetial Eer rgy V bi Vbi V F V bi + V R Carrier Desity o Solaryzowae złącze: kieruek rzewodzeia o - juctio i forward bias Naięcie kotaktowe maleje z V 0 do V 0 -V F. Elektroy są wstrzykiwae ze stroy do i stają ośikami miejszościowymi o stroi rekombiują z dziurami, zatem ich kocetracja maleje eksoecjalie z odległością. Aalogiczie wstrzykiwae są dziury do 9

30 Solaryzowae złącze : rąd Obszar dyfuzyjy Orócz obszaru zubożoego ojawiają się tzw obszary dyfuzyje Solaryzowae złącze Obszar zubożoy: Duże ole elektrycze Duży ładuek rzestrzey Duże gradiety kocetracji ładuku Obszar dyfuzyjy Obszar dyfuzyjy Obszar zubożoy 30

31 Solaryzowae złącze Obszar dyfuzyjy: Małe ole elektrycze Mały ładuek rzestrzey Duży gradiet kocetracji ładuku Obszar dyfuzyjy Obszar dyfuzyjy Obszar zubożoy o B o A o o l l 31

32 Solaryzowae złącze : rąd Obszar dyfuzyjy: Mały rąd uoszeia dziur, duży rąd uoszeia elektroów; Duży rąd dyfuzyjy dziur; Mały rąd uoszeia elektroów, duży rąd uoszeia dziur; Duży rąd dyfuzyjy elektroów; Obszar zubożoy: Wszystko duże i iemożliwe do obliczeia; Solaryzowae złącze: kieruek rzewodzeia Miejsza kotaktowa bariera otecjału Większy iż w r-dze rąd dyfuzyjy dziur z do Większy iż w r-dze rąd dyfuzyjy elektroów z do Prądy uoszeia odobe jak w r-dze. Prąd uoszeia jest związay z ruchem ośików miejszościowych o obu stroach złącza. 3

33 Solaryzowae złącze: kieruek zaorowy Większa kotaktowa bariera otecjału Miejszy iż w r-dze rąd dyfuzyjy dziur z do Miejszy iż w r-dze rąd dyfuzyjy elektroów z do Prądy uoszeia odobe jak w r-dze.. Solaryzowae złącze : rąd Tu liczy się rąd dziurowy (tylko dyfuzyjy, oieważ uoszeia jest mały); Przejście ośików rzez warstwę zubożoą rzebiega szybko (tz. rądy się ie zmieiają); Tu liczy się rąd elektroowy; Wyadkowy rąd łyący rzez złącze jest sumą rądu elektroowego i dziurowego. 33

34 34 Solaryzowae złącze Szerokość złącza w r-dze: 0 ) ( V N N N N q W d a d a d + = ε N (N ) Szerokość złącza solaryzowaego aięciem V: ( ) V V N N N N q W d a d a d + = 0 ) ( ε +V = kieruek rzewodzeia -V = kieruek zaorowy (ex 1) + = T k ev L e D L e D j B Solaryzowae złącze - T k L L B

35 Solaryzowae złącze - J ev = Js (ex 1) k B T Solaryzowae złącze - Polaryzacja w kieruku zaorowym: Zjawisko Zeera: tuelowaie elektroów rzez barierę otecjałów (dla aięć oiżej 5 V); Joizacja lawiowa: swobode elektroy zderzając się ze związaymi elektroami joizują je (owyżej 5 V) 35

36 Dioda tuelowa Dioda tuelowa: dioda silie domieszkowaa w obu częściach ( i ) => częściowo zaełioe asmo rzewodictwa o stroie i częściowo uste asmo o stroie ; obszar zubożoy jest bardzo wąski. e F Dioda tuelowa Dioda tuelowa: działaie 36

37 Trazystor Elektroy z warstwy rekombiują z dziurami w bazie (elektroów jest zaczie więcej iż dziur). Powstaje obszar zubożoy w złączu emiter-baza. Prąd między emiterem a kolektorem ie łyie. Trazystor Gdy do bazy zostaie rzyłożoe aięcie, elektroy zowu mogą doływać od emitera do bazy, uwaliaa jest część dziur, obszar zubożoy maleje i może łyąć rąd między emiterem a kolektorem. Mała zmiaa rądu bazy owoduje dużą zmiaę rądu emiterkolektor. 37

38 Złącze metal- ółrzewodik (a) i (c) rzed ustaleiem się rówowagi (b) i (d) w rówowadze Φ M > Φ S Φ M < Φ S Złącze metal ółrzewodik tyu z Φ M > Φ S Po utworzeiu złącza elektroy będą rzeływać z S do M. Work Fuctio Φ M Work Fuctio Φ S E vacuum Electro Affiity Χ E C,S E F,S E i E V,S Metal Semicoductor 38

39 Złącze metal ółrzewodik tyu z Φ M > Φ S Rówowaga: oziom Fermiego wszędzie taki sam Work Fuctio Φ M Φ S V BI Χ E vacuum Φ B E C,S E F,S E i Metal Semicoductor E V,S Złącze metal ółrzewodik tyu z Φ M > Φ S Rówowaga: Wszystkie elektroy odłyą z ewego obszaru ółrzewodika (owstaje obszar zubożoy w ośiki ładuku); między ółrzewodikiem a metalem owstaje wewętrza różica otecjałów oraz ole elektrycze; Kotaktowa różica otecjałów: V BI =Φ M -Φ S 39

40 Złącze metal ółrzewodik tyu z Φ M > Φ S Elektroy rzeływające z M do S aotykają barierę otecjału Φ B = Φ M χ Elektroy łyące z S do M aotykają a barierę Φ M Φ S Work Fuctio Φ M Φ S V BI Χ E vacuum Φ B E C,S E F,S E i Metal Semicoductor E V,S Złącze metal ółrzewodik tyu z Φ M > Φ S Złącze solaryzowae W zależości od zaku aięcia bariera, którą aotykają elektroy łyące z S do M albo rośie, albo maleje: złącze ą ma działaie rostujące. I ~ V kt ( a / 1 ) I0 ex 40

41 Złącze metal ółrzewodik tyu z Φ M < Φ S Po utworzeiu złącza elektroy będą rzeływać z M do S. Nie ma bariery dla elektroów z S do M. Mała bariera jest dla elektroów łyących z M do S φ m χ sc χ sc- φ m E F Złącze metal ółrzewodik tyu z Φ M < Φ S Po utworzeiu złącza elektroy będą rzeływać z M do S. Nie ma bariery dla elektroów z S do M. Mała bariera jest dla elektroów łyących z M do S E vacuum Χ E vacuum Φ M Φ S E C,S Φ M Φ S E C,S E F,S E F,S E V,S E V,S VBI =Φ S -Φ M Φ B 41

42 Solaryzowae złącze metal ółrzewodik tyu z Φ M < Φ S Nie ma bariery dla elektroów z S do M. Nawet małe aięcie V A > 0 owoduje duży rąd. Jest mała bariera dla elektroów łyących z M do S, ale zika gdy V A < 0 jest rzyłożoe do metalu. Duży rąd łyie gdy V A < 0. Nie ma właściwości rostujących: tzw. kotakt omowy. φ m χ sc χ sc- φ m I E F V A Wysokości barier otecjału w złączach metal-ółrzewodik [ev] 4

Zjawiska kontaktowe. Pojęcia.

Zjawiska kontaktowe. Pojęcia. Zjawiska kotaktowe. Pojęcia. Próżia, E vac =0 Φ m W Φ s χ E c µ E v metal półprzewodik W praca przeiesieia elektrou z da pasma przewodictwa do próżi, bez zwiększaia jego eergii kietyczej (którą ma zerową).

Bardziej szczegółowo

Zadanie domowe: kiedy pole elektryczne jest słabe, a kiedy silne?

Zadanie domowe: kiedy pole elektryczne jest słabe, a kiedy silne? Zadaie domowe: kiedy pole elektrycze jest słabe, a kiedy sile? Wersje rozwiązań: Wersja z polem magetyczym; Wersja z kaciastym wykresem; Wersja bez kaciastego wykresu, ale z asyceiem; Wersja z porówaiem

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

ELEMENTY ELEKTRONICZNE AKADMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWI Wydział Iformatyki, lektroiki i Telekomuikacji Katedra lektroiki LMNTY LKTRONICZN dr iż. Piotr Dziurdzia aw. C-, okój 41; tel. 617-7-0, iotr.dziurdzia@agh.edu.l

Bardziej szczegółowo

Badanie efektu Halla w półprzewodniku typu n

Badanie efektu Halla w półprzewodniku typu n Badaie efektu alla w ółrzewodiku tyu 35.. Zasada ćwiczeia W ćwiczeiu baday jest oór elektryczy i aięcie alla w rostoadłościeej róbce kryształu germau w fukcji atężeia rądu, ola magetyczego i temeratury.

Bardziej szczegółowo

Elektrony i dziury w półprzewodnikach

Elektrony i dziury w półprzewodnikach 1 lektroy i dziury w ółrzewodikach Atomy i rdzeie atomowe Si oraz Ge Si oraz Ge ależą do gruy IV układu okresowego ierwiastków. Mają o 4 zewętrze elektroy. Tylko zewętrze elektroy uczesticzą w tworzeiu

Bardziej szczegółowo

E-3A BADANIE CHARAKTERYSTYK DIODY I TRANZYSTORA METODĄ OSCYLOSKOPOWĄ

E-3A BADANIE CHARAKTERYSTYK DIODY I TRANZYSTORA METODĄ OSCYLOSKOPOWĄ BADANIE HARAKTERYSTYK DIODY I TRANZYSTORA METODĄ OSYLOSKOPOWĄ I. el ćwiczeia: wyzaczeie charakterystyki diody Zeera, charakterystyk trazystora - oraz -- w układzie wsólego emitera (WE), zaozaie się z odstawowymi

Bardziej szczegółowo

Wykład IV. Półprzewodniki samoistne i domieszkowe

Wykład IV. Półprzewodniki samoistne i domieszkowe Wykład IV Półprzewodniki samoistne i domieszkowe Półprzewodniki (Si, Ge, GaAs) Konfiguracja elektronowa Si : 1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 2 = [Ne] 3s 2 3p 2 4 elektrony walencyjne Półprzewodnik samoistny Talent

Bardziej szczegółowo

PÓŁPRZEWODNIKI W ELEKTRONICE. Powszechnie uważa się, że współczesna elektronika jest elektroniką półprzewodnikową.

PÓŁPRZEWODNIKI W ELEKTRONICE. Powszechnie uważa się, że współczesna elektronika jest elektroniką półprzewodnikową. PÓŁPRZEWODNIKI W ELEKTRONICE Powszechie uważa się, że wsółczesa elektroika jest elektroiką ółrzewodikową. 1 Półrzewodiki Półrzewodiki to ciała stałe ieorgaicze lub orgaicze o rzewodictwie elektryczym tyu

Bardziej szczegółowo

2. ZJAWISKA KONTAKTOWE

2. ZJAWISKA KONTAKTOWE . ZJAWISKA KONTAKTOWE Możliwe są trzy rozae kotaktów: kotakt - tego samego rozau złącze -, +-, +-, l-h (styk omowy z metalem), homozłącze kotakt wóch różego rozau (Ge-Si) heterozłącze kotakt metal złącze

Bardziej szczegółowo

W wielu przypadkach zadanie teorii sprężystości daje się zredukować do dwóch

W wielu przypadkach zadanie teorii sprężystości daje się zredukować do dwóch Wykład 5 PŁASKI ZADANI TORII SPRĘŻYSTOŚCI Płaski sta arężeia W wielu rzyadkach zadaie teorii srężystości daje się zredukować do dwóch wymiarów Przykładem może być cieka tarcza obciążoa siłami działającymi

Bardziej szczegółowo

ENIAC (1947) Tranzystor Emiter (n) Kolektor (n) Baza (p)

ENIAC (1947) Tranzystor Emiter (n) Kolektor (n) Baza (p) TRANZYSTORY POLARN ZŁĄZOW iolar Juctio Trasistor - JT Trazystor - 947 Trazystor biolary to odowiedie ołączeie dwu złącz : miter () Kolektor () aza () udowa trazystora w techologii laarej: PRZYKŁAD STRKTRY

Bardziej szczegółowo

Repeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n

Repeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n Repeta z wykładu nr 5 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 20. BADANIE ZŁĄCZA p-n 1. PRZEPŁYW PRĄDU PRZEZ ZŁĄCZE

Ćwiczenie nr 20. BADANIE ZŁĄCZA p-n 1. PRZEPŁYW PRĄDU PRZEZ ZŁĄCZE ` Politechika Warszawska Do użytku wewętrzego Wydział Fizyki Laboratorium Fizyki II. Irea Groowska Małgorzata Igalso Ćwiczeie r 0 1. PRZEPŁYW PRĄDU PRZEZ ZŁĄCZE BADANIE ZŁĄCZA - Złączem - azywamy styk

Bardziej szczegółowo

BADANIE CHARAKTERYSTYKI DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWEJ

BADANIE CHARAKTERYSTYKI DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWEJ Ćwiczeie 47 BADANIE CHARAKTERYSTYKI DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWEJ 47.. Wiadomości ogóle Dla zrozumieia elektryczych właściwości ciał stałych koiecze jest pozaie praw rządzących elektroami wewątrz tych ciał.

Bardziej szczegółowo

Półprzewodniki Teoria złącza PN. Budowa i właściwości elektryczne ciał stałych - wprowadzenie

Półprzewodniki Teoria złącza PN. Budowa i właściwości elektryczne ciał stałych - wprowadzenie Półrzewodniki Teoria złącza PN Budowa i właściwości elektryczne ciał stałych - wrowadzenie Budowa atomu: a) model starożytny b) model J.J. Thomsona c) model E. Rutherforda d) model N. Bohra e) wynikająca

Bardziej szczegółowo

Model Bohra atomu wodoru

Model Bohra atomu wodoru Model Bohra atomu wodoru Widma liiowe pierwiastków. wodór hel eo tle węgiel azot sód Ŝelazo Aby odpowiedzieć a pytaie dlaczego wodór i ie pierwiastki ie emitują wszystkich częstotliwości fal elektromagetyczych

Bardziej szczegółowo

Wykład XI. Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation (LASER) laser półprzewodnikowy

Wykład XI. Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation (LASER) laser półprzewodnikowy Wykład XI Light Amplificatio by Stimulated Emissio of Radiatio (LASER) laser półprzewodikowy Emisja spotaicza Emisja spotaicza i wymuszoa Fotoy emitowae są we wszystkich kierukach z jedakowym prawdopodobieństwem

Bardziej szczegółowo

1. Podstawowa struktura tranzystora bipolarnego

1. Podstawowa struktura tranzystora bipolarnego RAZYSORY POLAR SMK WYKŁAD 8 a pdstw.: W. Marciiak, W 1978, Przyrządy półprzewodikowe i układy scaloe razystor elemet trasformujący rezystację (trioda 1948 ardee, ratai trazystor ostrzowy). razystor warstwowy

Bardziej szczegółowo

Termodynamika defektów sieci krystalicznej

Termodynamika defektów sieci krystalicznej Termodyamika defektów sieci krystaliczej Defekty sieci krystaliczej puktowe (wakasje, atomy międzywęzłowe, obce atomy) jedowymiarowe (dyslokacje krawędziowe i śrubowe) dwuwymiarowe (graice międzyziarowe,

Bardziej szczegółowo

Repeta z wykładu nr 6. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Metal-półprzewodnik

Repeta z wykładu nr 6. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Metal-półprzewodnik Repeta z wykładu nr 6 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 - kontakt omowy

Bardziej szczegółowo

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 23 Półprzewodniki

Bardziej szczegółowo

Elementy sterowania wiązką światła

Elementy sterowania wiązką światła Elemety sterowaia wiązką światła Moulatory - moulacja fazy, itesywości, stau olaryzacji Skaery - rzemiataie wiązką liii lub owierzchi Deflektory zmiaa kątowego ołożeia wiązki Przełącziki zmiaa wartości

Bardziej szczegółowo

PRZYKŁADY ROZWIAZAŃ STACJONARNEGO RÓWNANIA SCHRӦDINGERA. Ruch cząstki nieograniczony z klasycznego punktu widzenia. mamy do rozwiązania równanie 0,,

PRZYKŁADY ROZWIAZAŃ STACJONARNEGO RÓWNANIA SCHRӦDINGERA. Ruch cząstki nieograniczony z klasycznego punktu widzenia. mamy do rozwiązania równanie 0,, PRZYKŁADY ROZWIAZAŃ STACJONARNEGO RÓWNANIA SCHRӦDINGERA Ruch cząstki ieograiczoy z klasyczego puktu widzeia W tym przypadku V = cost, przejmiemy V ( x ) = 0, cząstka porusza się wzdłuż osi x. Rozwiązujemy

Bardziej szczegółowo

Budowa atomów. Budowa atomu wodoru

Budowa atomów. Budowa atomu wodoru 05-0- Budowa atomów atom wodoru atomy wieloelektroowe zakaz Pauliego układ okresowy pierwiastków Budowa atomu wodoru atom wodoru składa się z pojedyczego elektrou (-e) związaego z jądrem protoem (+e) przyciągającą

Bardziej szczegółowo

Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i Techniki Wysokich Napięć. Dr hab.

Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i Techniki Wysokich Napięć. Dr hab. Politechika Lubelska Wydział Elektrotechiki i Iformatyki Katedra Urządzeń Elektryczych i Techiki Wysokich Napięć Dr hab. Paweł Żukowski Pierwiastek DEg C (diamet) 7,0 ev Si 1,1 ev Ge 0,7 ev S (szara cya)

Bardziej szczegółowo

Fizyka Ciała Stałego

Fizyka Ciała Stałego Fizyka Ciała Stałego c β γ α b a Kryształy.. A Cl - Na + Cl - A A A Na + Cl - Na + F - F - H - A A Cl - Na + Cl - A argon krystaliczny (siły Van der Waalsa) chlorek sodu (wiązanie jonowe) Wiązanie wodorowe

Bardziej szczegółowo

Złącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET

Złącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET Złącza p-n, zastosowania Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET Złącze p-n, polaryzacja złącza, prąd dyfuzyjny (rekombinacyjny) Elektrony z obszaru n na złączu dyfundują

Bardziej szczegółowo

6.1. Typy detektorów i parametry charakteryzujące detektory [30]

6.1. Typy detektorów i parametry charakteryzujące detektory [30] Rozdział 6 6. Detektory w trasmisji światłowodowej 6.1. Tyy detektorów i arametry charakteryzujące detektory 6.2. Detektory fotoemisyje. Fotoowielacz 6.3. Detektory ółrzewodikowe 6.4. Detektory wielokaałowe

Bardziej szczegółowo

Wykład V Złącze P-N 1

Wykład V Złącze P-N 1 Wykład V Złącze PN 1 Złącze pn skokowe i liniowe N D N A N D N A p n p n zjonizowane akceptory + zjonizowane donory x + x Obszar zubożony Obszar zubożony skokowe liniowe 2 Złącze pn skokowe N D N A p n

Bardziej szczegółowo

Równanie Shockley a. Potencjał wbudowany

Równanie Shockley a. Potencjał wbudowany Wykład VI Diody Równanie Shockley a Potencjał wbudowany 2 I-V i potencjał wbudowany Temperatura 77K a) Ge E g =0.7eV b) Si E g =1.14eV c) GaAs E g =1.5eV d) GaAsP E g =1.9eV qv 0 (0. 5 0. 7)E g 3 I-V i

Bardziej szczegółowo

Urządzenia półprzewodnikowe

Urządzenia półprzewodnikowe Urządzenia półprzewodnikowe Diody: - prostownicza - Zenera - pojemnościowa - Schottky'ego - tunelowa - elektroluminescencyjna - LED - fotodioda półprzewodnikowa Tranzystory - tranzystor bipolarny - tranzystor

Bardziej szczegółowo

Zjawisko termoelektryczne

Zjawisko termoelektryczne 34 Zjawisko Peltiera polega na tym, że w obwodzie składającym się z różnych przewodników lub półprzewodników wytworzenie różnicy temperatur między złączami wywołuje przepływ prądu spowodowany różnicą potencjałów

Bardziej szczegółowo

Wprowadzenie. metody elementów skończonych

Wprowadzenie. metody elementów skończonych Metody komputerowe Wprowadzeie Podstawy fizycze i matematycze metody elemetów skończoych Literatura O.C.Ziekiewicz: Metoda elemetów skończoych. Arkady, Warszawa 972. Rakowski G., acprzyk Z.: Metoda elemetów

Bardziej szczegółowo

VII MIĘDZYNARODOWA OLIMPIADA FIZYCZNA (1974). Zad. teoretyczne T3.

VII MIĘDZYNARODOWA OLIMPIADA FIZYCZNA (1974). Zad. teoretyczne T3. KOOF Szczeci: www.of.szc.pl VII MIĘDZYNAODOWA OLIMPIADA FIZYCZNA (1974). Zad. teoretycze T3. Źródło: Komitet Główy Olimpiady Fizyczej; Olimpiada Fizycza XXIII XXIV, WSiP Warszawa 1977 Autor: Waldemar Gorzkowski

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

ELEMENTY ELEKTRONICZNE AKAEMIA GÓRICZO-HUTICZA IM. STAISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji Katedra Elektroniki ELEMETY ELEKTROICZE dr inż. Piotr ziurdzia aw. C-3, okój 413; tel. 617-7-0,

Bardziej szczegółowo

METODY DETEKCJI PROMIENIOWANIA JĄDROWEGO 1

METODY DETEKCJI PROMIENIOWANIA JĄDROWEGO 1 MTODY DTKCJI PROMINIOWNI JĄDROWGO 1 1 ŹRÓDŁ CZĄSTK PROMINIOWNI JĄDROWGO rzemiay romieiotwórcze jąder (aturale) ie reakcje jądrowe (cząstki o wysokiej eergii) akceleratory, romieiowaie kosmicze ODDZIŁYWNI

Bardziej szczegółowo

ELEKTROGRAWIMETRIA. Warunki jakie musi spełniać osad analitu na elektrodzie

ELEKTROGRAWIMETRIA. Warunki jakie musi spełniać osad analitu na elektrodzie ELEKTROGRAWIETRIA Zasada ozaczaia polega a wydzieleiu aalitu w procesie elektrolizy w postaci osadu a elektrodzie roboczej ( katodzie lub aodzie) i wagowe ozaczeie masy osadu z przyrostu masy elektrody

Bardziej szczegółowo

OKREŚLENIE CHARAKTERYSTYK POMPY WIROWEJ I WYZNACZENIE PAGÓRKA SPRAWNOŚCI

OKREŚLENIE CHARAKTERYSTYK POMPY WIROWEJ I WYZNACZENIE PAGÓRKA SPRAWNOŚCI Ćwiczeie 5 OKREŚLENIE CARAKTERYSTYK POMPY WIROWEJ I WYZNACZENIE PAGÓRKA SPRAWNOŚCI Wykaz ważiejszych ozaczeń c 1 rędkość bezwzględa cieczy a wlocie do wirika, m/s c rędkość bezwzględa cieczy a wylocie

Bardziej szczegółowo

Półprzewodniki. złącza p n oraz m s

Półprzewodniki. złącza p n oraz m s złącza p n oraz m s Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana ze środków Unii

Bardziej szczegółowo

STRUKTURA PASM ENERGETYCZNYCH

STRUKTURA PASM ENERGETYCZNYCH PODSTAWY TEORII PASMOWEJ Struktura pasm energetycznych Teoria wa Struktura wa stałych Półprzewodniki i ich rodzaje Półprzewodniki domieszkowane Rozkład Fermiego - Diraca Złącze p-n (dioda) Politechnika

Bardziej szczegółowo

ELEKTRONIKA ELM001551W

ELEKTRONIKA ELM001551W ELEKTRONIKA ELM001551W W4 Unoszenie Dyfuzja 2 Półprzewodnik w stanie nierównowagi termodynamicznej np n 2 i n = n0 + n' p = p0 + p ' Półprzewodnik w stanie nierównowagi termodynamicznej Generacja i rekombinacja

Bardziej szczegółowo

Katedra Silników Spalinowych i Pojazdów ATH ZAKŁAD TERMODYNAMIKI. Wyznaczanie ciepła właściwego c p dla powietrza

Katedra Silników Spalinowych i Pojazdów ATH ZAKŁAD TERMODYNAMIKI. Wyznaczanie ciepła właściwego c p dla powietrza Katedra Silików Saliowych i Pojazdów ATH ZAKŁAD TERMODYNAMIKI Wyzaczaie cieła właściweo c dla owietrza Wrowadzeie teoretycze Cieło ochłoięte rzez ciało o jedostkowej masie rzy ieskończeie małym rzyroście

Bardziej szczegółowo

Skończona studnia potencjału

Skończona studnia potencjału Skończona studnia potencjału U = 450 ev, L = 100 pm Fala wnika w ściany skończonej studni długość fali jest większa (a energia mniejsza) Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach

Bardziej szczegółowo

Wokół testu Studenta 1. Wprowadzenie Rozkłady prawdopodobieństwa występujące w testowaniu hipotez dotyczących rozkładów normalnych

Wokół testu Studenta 1. Wprowadzenie Rozkłady prawdopodobieństwa występujące w testowaniu hipotez dotyczących rozkładów normalnych Wokół testu Studeta Wprowadzeie Rozkłady prawdopodobieństwa występujące w testowaiu hipotez dotyczących rozkładów ormalych Rozkład ormaly N(µ, σ, µ R, σ > 0 gęstość: f(x σ (x µ π e σ Niech a R \ {0}, b

Bardziej szczegółowo

Numeryczny opis zjawiska zaniku

Numeryczny opis zjawiska zaniku FOTON 8, iosa 05 7 Numeryczy opis zjawiska zaiku Jerzy Giter ydział Fizyki U Postawieie problemu wielu zagadieiach z różych działów fizyki spotykamy się z astępującym problemem: zmiay w czasie t pewej

Bardziej szczegółowo

Stany materii. Masa i rozmiary cząstek. Masa i rozmiary cząstek. m n mol. n = Gaz doskonały. N A = 6.022x10 23

Stany materii. Masa i rozmiary cząstek. Masa i rozmiary cząstek. m n mol. n = Gaz doskonały. N A = 6.022x10 23 Stany materii Masa i rozmiary cząstek Masą atomową ierwiastka chemicznego nazywamy stosunek masy atomu tego ierwiastka do masy / atomu węgla C ( C - izoto węgla o liczbie masowej ). Masą cząsteczkową nazywamy

Bardziej szczegółowo

IM Eksperymentalne wyznaczenie wartości podstawowego kwantu przewodności.

IM Eksperymentalne wyznaczenie wartości podstawowego kwantu przewodności. IM - 5 BADANIE PRZEWODNOŚCI ELEKTRYCZNEJ NANODRUTÓW Cel ćwiczeia Eksperymetale wyzaczeie wartości podstawowego kwatu przewodości.. Wstęp teoretyczy. Klasycza teoria przewodictwa Ruch elektroów przewodictwa

Bardziej szczegółowo

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy półprzewodnikowe mocy, zima 2015/16 20 Półprzewodniki Materiały, w których

Bardziej szczegółowo

Promieniowanie atomów wzbudzonych

Promieniowanie atomów wzbudzonych Achorage, USA, May 2002 W-27 (Jaroszewicz) 23 slajdy Na podstawie prezetacji prof. J. Rutkowskiego Promieiowaie atomów wzbudzoych Promieiowaie spotaicze Promieiowaie wymuszoe Promieiowaie retgeowskie 3/23-W27

Bardziej szczegółowo

ROZDZIAŁ 5 WPŁYW SYSTEMU OPODATKOWANIA DOCHODU NA EFEKTYWNOŚĆ PROCESU DECYZYJNEGO

ROZDZIAŁ 5 WPŁYW SYSTEMU OPODATKOWANIA DOCHODU NA EFEKTYWNOŚĆ PROCESU DECYZYJNEGO Agieszka Jakubowska ROZDZIAŁ 5 WPŁYW SYSTEMU OPODATKOWANIA DOCHODU NA EFEKTYWNOŚĆ PROCESU DECYZYJNEGO. Wstęp Skąplikowaie współczesego życia gospodarczego powoduje, iż do sterowaia procesem zarządzaia

Bardziej szczegółowo

Ciała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz

Ciała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz Ciała stałe Podstawowe własności ciał stałych Struktura ciał stałych Przewodnictwo elektryczne teoria Drudego Poziomy energetyczne w krysztale: struktura pasmowa Metale: poziom Fermiego, potencjał kontaktowy

Bardziej szczegółowo

Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane

Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Półprzewodnik typu n IV-Ge V-As Jeżeli pięciowartościowy atom V-As zastąpi w sieci atom IV-Ge to cztery elektrony biorą udział w wiązaniu kowalentnym,

Bardziej szczegółowo

Zasada działania tranzystora bipolarnego

Zasada działania tranzystora bipolarnego Tranzystor bipolarny Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasada działania tranzystora bipolarnego

Bardziej szczegółowo

PŁYN Y RZECZYWISTE Przepływy rzeczywiste różnią się od przepływów idealnych obecnością tarcia (lepkości): przepływy laminarne/warstwowe - różnią się

PŁYN Y RZECZYWISTE Przepływy rzeczywiste różnią się od przepływów idealnych obecnością tarcia (lepkości): przepływy laminarne/warstwowe - różnią się PŁYNY RZECZYWISTE Płyny rzeczywiste Przeływ laminarny Prawo tarcia Newtona Przeływ turbulentny Oór dynamiczny Prawdoodobieństwo hydrodynamiczne Liczba Reynoldsa Politechnika Oolska Oole University of Technology

Bardziej szczegółowo

OBLICZENIE SIŁ WEWNĘTRZNYCH DLA BELKI SWOBODNIE PODPARTEJ SWOBODNIE PODPARTEJ ALGORYTM DO PROGRAMU MATHCAD

OBLICZENIE SIŁ WEWNĘTRZNYCH DLA BELKI SWOBODNIE PODPARTEJ SWOBODNIE PODPARTEJ ALGORYTM DO PROGRAMU MATHCAD OBLICZENIE SIŁ WEWNĘTRZNYCH DLA BELKI ALGORYTM DO PROGRAMU MATHCAD 1 PRAWA AUTORSKIE BUDOWNICTWOPOLSKIE.PL GRUDZIEŃ 2010 Rozpatrujemy belkę swobodie podpartą obciążoą siłą skupioą, obciążeiem rówomierie

Bardziej szczegółowo

Budowa i zasada działania lasera

Budowa i zasada działania lasera Budowa i zasada działaia lasera Budowa atomu Demokryt (460 370 p..e.) materia składa się z iepodzielych elemetów; (atom, gr. atomos - iepodziely). Sta wiedzy o atomie w drugiej połowie XIX stulecia: Atom

Bardziej szczegółowo

Rozpuszczalność gazów w cieczach. Prawo Henry ego

Rozpuszczalność gazów w cieczach. Prawo Henry ego Rozpuszczalość gazów w cieczach. rawo ery ego Empiryczie stwierdzoo, że, w k, czyli ilość gazu rozpuszczoego w cieczy jest w warukach izotermiczych proporcjoala do jego ciśieia. V Jeśli gaz jest gazem

Bardziej szczegółowo

ELEKTROTECHNIKA I ELEKTRONIKA

ELEKTROTECHNIKA I ELEKTRONIKA UNIWERSYTET TECHNOLOGICZNO-PRZYRODNICZY W BYDGOSZCZY WYDZIAŁ INŻYNIERII MECHANICZNEJ INSTYTUT EKSPLOATACJI MASZYN I TRANSPORTU ZAKŁAD STEROWANIA ELEKTROTECHNIKA I ELEKTRONIKA ĆWICZENIE: E20 BADANIE UKŁADU

Bardziej szczegółowo

Wykład 8 ELEKTROMAGNETYZM

Wykład 8 ELEKTROMAGNETYZM Wykład 8 ELEKTROMAGNETYZM Równania Maxwella dive = ρ εε 0 prawo Gaussa dla pola elektrycznego divb = 0 rote = db dt prawo Gaussa dla pola magnetycznego prawo indukcji Faradaya rotb = μμ 0 j + εε 0 μμ 0

Bardziej szczegółowo

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY 1. TRANZYSTOR BPOLARNY el ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Zagadnienia: zasada działania tranzystora bipolarnego. 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z języka

Bardziej szczegółowo

WYKŁAD 6 TRANZYSTORY POLOWE

WYKŁAD 6 TRANZYSTORY POLOWE WYKŁA 6 RANZYSORY POLOWE RANZYSORY POLOWE ZŁĄCZOWE (Juctio Field Effect rasistors) 55 razystor polowy złączowy zbudoway jest z półprzewodika (w tym przypadku typu p), w który wdyfudowao dwa obszary bramki

Bardziej szczegółowo

Przejścia optyczne w cząsteczkach

Przejścia optyczne w cząsteczkach -4-8 Pzejścia optycze w cząsteczkac Pzybliżeie Boa Oppeeimea acek.szczytko@fuw.edu.pl ttp://www.fuw.edu.pl/~szczytko/t ttp://www.sciececatoosplus.com/ Podziękowaia za pomoc w pzygotowaiu zajęć: Pof. d

Bardziej szczegółowo

Równowaga reakcji chemicznej

Równowaga reakcji chemicznej Rówowaga reakcji chemiczej Sta i stała rówowagi reakcji chemiczej (K) Reakcje dysocjacji Stopień dysocjacji Prawo rozcieńczeń Ostwalda utodysocjacja wody p roztworów p roztworów. p roztworów mocych elektrolitów

Bardziej szczegółowo

TERMODYNAMIKA OGNIWA GALWANICZNEGO

TERMODYNAMIKA OGNIWA GALWANICZNEGO Ćwiczenie nr 3 ERMODYNAMIKA OGNIWA GALWANICZNEGO I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie zmian funkcji termodynamicznych dla reakcji biegnącej w ogniwie Clarka. II. Zagadnienia wrowadzające 1.

Bardziej szczegółowo

IA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody.

IA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody. 1 A. Fotodioda Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody. Zagadnienia: Efekt fotowoltaiczny, złącze p-n Wprowadzenie Fotodioda jest urządzeniem półprzewodnikowym w którym zachodzi

Bardziej szczegółowo

Temperatura i ciepło E=E K +E P +U. Q=c m T=c m(t K -T P ) Q=c przem m. Fizyka 1 Wróbel Wojciech

Temperatura i ciepło E=E K +E P +U. Q=c m T=c m(t K -T P ) Q=c przem m. Fizyka 1 Wróbel Wojciech emeratura i cieło E=E K +E P +U Energia wewnętrzna [J] - ieło jest energią rzekazywaną między układem a jego otoczeniem na skutek istniejącej między nimi różnicy temeratur na sosób cielny rzez chaotyczne

Bardziej szczegółowo

Zatem przyszła wartość kapitału po 1 okresie kapitalizacji wynosi

Zatem przyszła wartość kapitału po 1 okresie kapitalizacji wynosi Zatem rzyszła wartość kaitału o okresie kaitalizacji wyosi m k m* E Z E( m r) 2 Wielkość K iterretujemy jako umowa włatę, zastęującą w rówoważy sosób, w sesie kaitalizacji rostej, m włat w wysokości E

Bardziej szczegółowo

Twierdzenia graniczne:

Twierdzenia graniczne: Twierdzeia graicze: Tw. ierówośd Markowa Jeżeli P(X > 0) = 1 oraz EX 0: P X k 1 k EX. Tw. ierówośd Czebyszewa Jeżeli EX = m i 0 < σ = D X 0: P( X m tσ) 1 t. 1. Z partii towaru o wadliwości

Bardziej szczegółowo

3. Regresja liniowa Założenia dotyczące modelu regresji liniowej

3. Regresja liniowa Założenia dotyczące modelu regresji liniowej 3. Regresja liiowa 3.. Założeia dotyczące modelu regresji liiowej Aby moża było wykorzystać model regresji liiowej, muszą być spełioe astępujące założeia:. Relacja pomiędzy zmieą objaśiaą a zmieymi objaśiającymi

Bardziej szczegółowo

Fizyka 2 Wróbel Wojciech. w poprzednim odcinku

Fizyka 2 Wróbel Wojciech. w poprzednim odcinku Fizyka w poprzednim odcinku Obliczanie natężenia pola Fizyka Wyróżniamy ładunek punktowy d Wektor natężenia pola d w punkcie P pochodzący od ładunku d Suma składowych x-owych wektorów d x IĄGŁY ROZKŁAD

Bardziej szczegółowo

4. MODELE ZALEŻNE OD ZDARZEŃ

4. MODELE ZALEŻNE OD ZDARZEŃ 4. MODELE ZALEŻNE OD ZDARZEŃ 4.. Wrowadzeie W sysemach zależych od zdarzeń wyzwalaie określoego zachowaia się układu jes iicjowae rzez dyskree zdarzeia. Modelowaie akich syuacji ma a celu symulacyją aalizę

Bardziej szczegółowo

u t 1 v u(x,t) - odkształcenie, v - prędkość rozchodzenia się odkształceń (charakterystyczna dla danego ośrodka) Drgania sieci krystalicznej FONONY

u t 1 v u(x,t) - odkształcenie, v - prędkość rozchodzenia się odkształceń (charakterystyczna dla danego ośrodka) Drgania sieci krystalicznej FONONY Drgaia sieci krystaliczej FONONY 1. model klasyczy (iekwatowy) a) model ośrodka ciągłego (model Debye a) - przypadek jedowymiarowy - drgaia struy drgaia mogą być podłuże (guma, sprężya) i dwie prostopadłe

Bardziej szczegółowo

= arc tg - eliptyczność. Polaryzacja światła. Prawo Snelliusa daje kąt. Co z amplitudą i polaryzacją? Drgania i fale II rok Fizyka BC

= arc tg - eliptyczność. Polaryzacja światła. Prawo Snelliusa daje kąt. Co z amplitudą i polaryzacją? Drgania i fale II rok Fizyka BC 4-0-0 G:\AA_Wyklad 000\FIN\DOC\Polar.doc Drgaia i fale II rok Fizyka C Polaryzacja światła ( b a) arc tg - eliptyczość Prawo Selliusa daje kąt. Co z amplitudą i polaryzacją? 4-0-0 G:\AA_Wyklad 000\FIN\DOC\Polar.doc

Bardziej szczegółowo

WYKŁAD 5 TRANZYSTORY BIPOLARNE

WYKŁAD 5 TRANZYSTORY BIPOLARNE 43 KŁAD 5 TRANZYSTORY IPOLARN Tranzystor biolarny to odowiednie ołączenie dwu złącz n : n n n W rzeczywistości budowa tranzystora znacznie różni się od schematu okazanego owyżej : (PRZYKŁAD TRANZYSTORA

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTORY POLOWE JFET I MOSFET

TRANZYSTORY POLOWE JFET I MOSFET POLTECHNKA RZEZOWKA Kaedra Podsaw Elekroiki srukcja Nr5 F 00/003 sem. lei TRANZYTORY POLOWE JFET MOFET Cel ćwiczeia: Pomiar podsawowych charakerysyk i wyzaczeie paramerów określających właściwości razysora

Bardziej szczegółowo

Wykład 19: Dr inż. Zbigniew Szklarski. Katedra Elektroniki, paw. C-1, pok

Wykład 19: Dr inż. Zbigniew Szklarski. Katedra Elektroniki, paw. C-1, pok Wykład 9: Atom Dr iż. Zbigiew Szklarski Katedra Elektroiki, paw. C-, pok.3 szkla@agh.edu.pl http://layer.uci.agh.edu.pl/z.szklarski/ Wczese modele atomu Grecki filozof Demokryt rozpoczął poszukiwaia opisu

Bardziej szczegółowo

ν = c/λ [s -1 = Hz] ν = [cm -1 ] ZASADY ZALICZENIA PRZEDMIOTU MBS c = m/s cos x H = H o E = E o cos x c = λν 1 ν = _ λ

ν = c/λ [s -1 = Hz] ν = [cm -1 ] ZASADY ZALICZENIA PRZEDMIOTU MBS c = m/s cos x H = H o E = E o cos x c = λν 1 ν = _ λ ZASADY ZALICZENIA PRZEDMIOTU MBS LABORATORIUM Z MBS. ROZWIĄZYWANIE WIDM kolokwium NMR 23 kwietia 208 IR maja 208 złożoe czerwca 208 poiedziałek czwartek piątek 9.3 22.3 23.3 26.3 5. 6. 9. 2. 3. H NMR 23.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenia nr 5. TEMATYKA: Regresja liniowa dla prostej i płaszczyzny

Ćwiczenia nr 5. TEMATYKA: Regresja liniowa dla prostej i płaszczyzny TEMATYKA: Regresja liiowa dla prostej i płaszczyzy Ćwiczeia r 5 DEFINICJE: Regresja: metoda statystycza pozwalająca a badaie związku pomiędzy wielkościami daych i przewidywaie a tej podstawie iezaych wartości

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

ELEMENTY ELEKTRONICZNE KEMI GÓRICZO-HUICZ IM. SISŁW SSZIC W KRKOWIE Wydział Informatyki, Elektroniki i elekomunikacji Katedra Elektroniki ELEMEY ELEKROICZE dr inż. Piotr ziurdzia aw. C-3, okój 413; tel. 617-7-0, iotr.dziurdzia@agh.edu.l

Bardziej szczegółowo

10. FALE, ELEMENTY TERMODYNAMIKI I HYDRODY- NAMIKI.

10. FALE, ELEMENTY TERMODYNAMIKI I HYDRODY- NAMIKI. 0. FALE, ELEMENTY TERMODYNAMIKI I HYDRODY- NAMIKI. 0.0. Podstawy hydrodynamiki. Podstawowe ojęcia z hydrostatyki Ciśnienie: F N = = Pa jednostka raktyczna (atmosfera fizyczna): S m Ciśnienie hydrostatyczne:

Bardziej szczegółowo

Złącze p-n: dioda. Dioda: element nieliniowy. półprzewodniki. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda. Przewodnictwo kryształów

Złącze p-n: dioda. Dioda: element nieliniowy. półprzewodniki. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda. Przewodnictwo kryształów Przwodictwo kryształów Złącz : dioda tomy dyskrt oziomy rgtycz (stay rgtycz); okrślo rgi lktroów TOM KRYSZTŁ Półrzwodiki Przwodictwo ółrzwodików Dioda Dioda: lmt iliiowy TOM atom zjoizoway KRYSZTŁ asmo

Bardziej szczegółowo

Jarosław Wróblewski Analiza Matematyczna 1A, zima 2012/13. Ciągi.

Jarosław Wróblewski Analiza Matematyczna 1A, zima 2012/13. Ciągi. Jarosław Wróblewski Aaliza Matematycza 1A, zima 2012/13 Ciągi. Ćwiczeia 5.11.2012: zad. 140-173 Kolokwium r 5, 6.11.2012: materiał z zad. 1-173 Ćwiczeia 12.11.2012: zad. 174-190 13.11.2012: zajęcia czwartkowe

Bardziej szczegółowo

Podstawy Procesów i Konstrukcji Inżynierskich. Teoria kinetyczna INZYNIERIAMATERIALOWAPL. Kierunek Wyróżniony przez PKA

Podstawy Procesów i Konstrukcji Inżynierskich. Teoria kinetyczna INZYNIERIAMATERIALOWAPL. Kierunek Wyróżniony przez PKA Podstawy Procesów i Konstrukcji Inżynierskich Teoria kinetyczna Kierunek Wyróżniony rzez PKA 1 Termodynamika klasyczna Pierwsza zasada termodynamiki to rosta zasada zachowania energii, czyli ogólna reguła

Bardziej szczegółowo

Ładunki elektryczne. q = ne. Zasada zachowania ładunku. Ładunek jest cechąciała i nie można go wydzielićz materii. Ładunki jednoimienne odpychają się

Ładunki elektryczne. q = ne. Zasada zachowania ładunku. Ładunek jest cechąciała i nie można go wydzielićz materii. Ładunki jednoimienne odpychają się Ładunki elektryczne Ładunki jednoimienne odpychają się Ładunki różnoimienne przyciągają się q = ne n - liczba naturalna e = 1,60 10-19 C ładunek elementarny Ładunek jest cechąciała i nie można go wydzielićz

Bardziej szczegółowo

Odbicie fali od granicy ośrodków

Odbicie fali od granicy ośrodków FOTON 8, Jesień 0 33 Odbicie fali od graicy ośrodków Jerzy Giter Uiwersytet Warszawski Kiedy światło się odbija? Zamy doskoale zjawisko załamaia światła a graicy dwóch ośrodków o różych współczyikach załamaia.

Bardziej szczegółowo

Definicja interpolacji

Definicja interpolacji INTERPOLACJA Defiicja iterpolacji Defiicja iterpolacji 3 Daa jest fukcja y = f (x), x[x 0, x ]. Zamy tablice wartości tej fukcji, czyli: f ( x ) y 0 0 f ( x ) y 1 1 Defiicja iterpolacji Wyzaczamy fukcję

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM INŻYNIERII CHEMICZNEJ, PROCESOWEJ I BIOPROCESOWEJ. Ćwiczenie nr 16

LABORATORIUM INŻYNIERII CHEMICZNEJ, PROCESOWEJ I BIOPROCESOWEJ. Ćwiczenie nr 16 KATEDRA INŻYNIERII CHEMICZNEJ I ROCESOWEJ INSTRUKCJE DO ĆWICZEŃ LABORATORYJNYCH LABORATORIUM INŻYNIERII CHEMICZNEJ, ROCESOWEJ I BIOROCESOWEJ Ćwiczeie r 16 Mieszaie Osoba odpowiedziala: Iwoa Hołowacz Gdańsk,

Bardziej szczegółowo

Rekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja

Rekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja Rekapitulacja Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje: czwartek

Bardziej szczegółowo

2. KONCENTRACJA NOŚNIKÓW W PÓŁPRZEWODNIKU SAMOISTNYM I DOMIESZKOWYM. WPŁYW DOMIESZKOWANIA NA POŁOŻENIE POZIOMU FERMIEGO

2. KONCENTRACJA NOŚNIKÓW W PÓŁPRZEWODNIKU SAMOISTNYM I DOMIESZKOWYM. WPŁYW DOMIESZKOWANIA NA POŁOŻENIE POZIOMU FERMIEGO . KONCENTRACJA NOŚNIKÓW W PÓŁPRZEWONIKU SAMOISTNYM I OMIESZKOWYM. WPŁYW OMIESZKOWANIA NA POŁOŻENIE POZIOMU FERMIEGO.1. Kocetracja ośków samostych W rzyadku gdy mamy do czyea z ółrzewodkem edomeszkowaym

Bardziej szczegółowo

Wyznaczyć prędkości punktów A i B

Wyznaczyć prędkości punktów A i B Wyzaczaie prędkości i przyspieszeia puku ciała w ruchu płaskim (a) Wyzaczyć prędkości puków i Dae: rad/s; ε 0; 5 cm; 5 cm 48 mechaika echicza kiemayka 3 Wyzaczaie prędkości i przyspieszeia puku ciała w

Bardziej szczegółowo

ZADANIA Z CHEMII Rozkład energii w stanie równowagi termicznej. Entropia (S) Kwantowanie energii

ZADANIA Z CHEMII Rozkład energii w stanie równowagi termicznej. Entropia (S) Kwantowanie energii ZADANIA Z CHEMII Rozkład eergii w staie rówowagi termiczej. Etropia (S) Kwatowaie eergii Eergia elemetów materii zmieia się skokowo, a ie w sposób ciągły. Elemety materii oddają lub pobieraja eergię tylko

Bardziej szczegółowo

Elementy rach. macierzowego Materiały pomocnicze do MES Strona 1 z 7. Elementy rachunku macierzowego

Elementy rach. macierzowego Materiały pomocnicze do MES Strona 1 z 7. Elementy rachunku macierzowego Elemety rach macierzowego Materiały pomocicze do MES Stroa z 7 Elemety rachuku macierzowego Przedstawioe poiżej iformacje staowią krótkie przypomieie elemetów rachuku macierzowego iezbęde dla zrozumieia

Bardziej szczegółowo

Jarosław Wróblewski Analiza Matematyczna A1, zima 2011/12. Kresy zbiorów. x Z M R

Jarosław Wróblewski Analiza Matematyczna A1, zima 2011/12. Kresy zbiorów. x Z M R Kresy zbiorów. Ćwiczeia 21.11.2011: zad. 197-229 Kolokwium r 7, 22.11.2011: materiał z zad. 1-249 Defiicja: Zbiór Z R azywamy ograiczoym z góry, jeżeli M R x Z x M. Każdą liczbę rzeczywistą M R spełiającą

Bardziej szczegółowo

Wykład FIZYKA I. 2. Kinematyka punktu materialnego. Dr hab. inż. Władysław Artur Woźniak

Wykład FIZYKA I. 2. Kinematyka punktu materialnego.  Dr hab. inż. Władysław Artur Woźniak Dr hab. iż. Władysław Arur Woźiak Wykład FIZYKA I. Kiemayka puku maerialego Dr hab. iż. Władysław Arur Woźiak Isyu Fizyki Poliechiki Wrocławskiej hp://www.if.pwr.wroc.pl/~woziak/fizyka1.hml Dr hab. iż.

Bardziej szczegółowo

Chemia Teoretyczna I (6).

Chemia Teoretyczna I (6). Chemia Teoretycza I (6). NajwaŜiejsze rówaia róŝiczkowe drugiego rzędu o stałych współczyikach w chemii i fizyce cząstka w jedowymiarowej studi potecjału Cząstka w jedowymiarowej studi potecjału Przez

Bardziej szczegółowo

Pierwiastki z liczby zespolonej. Autorzy: Agnieszka Kowalik

Pierwiastki z liczby zespolonej. Autorzy: Agnieszka Kowalik Pierwiastki z liczby zespoloej Autorzy: Agieszka Kowalik 09 Pierwiastki z liczby zespoloej Autor: Agieszka Kowalik DEFINICJA Defiicja : Pierwiastek z liczby zespoloej Niech będzie liczbą aturalą. Pierwiastkiem

Bardziej szczegółowo

TEORIA TRANZYSTORÓW MOS. Charakterystyki statyczne

TEORIA TRANZYSTORÓW MOS. Charakterystyki statyczne TEORIA TRANZYSTORÓW MOS Charakterystyki statyczne n Aktywne podłoże, a napięcia polaryzacji złącz tranzystora wzbogacanego nmos Obszar odcięcia > t, = 0 < t Obszar liniowy (omowy) Kanał indukowany napięciem

Bardziej szczegółowo

Tyrystor i triak - podstawy dzia³ania (cz.1)

Tyrystor i triak - podstawy dzia³ania (cz.1) Tyrystor i triak - odstawy dzia³aia (cz.1) Bogus³aw rubski Tyrystory i triaki stosowae by³y w odbiorikach telewizyjych kostruowaych kilkaaœcie lat temu. Tyrystory wystêowa³y w uk³adach zasilaia i odchylaia

Bardziej szczegółowo