ELEMENTY ELEKTRONICZNE

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "ELEMENTY ELEKTRONICZNE"

Transkrypt

1 AKADMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWI Wydział Iformatyki, lektroiki i Telekomuikacji Katedra lektroiki LMNTY LKTRONICZN dr iż. Piotr Dziurdzia aw. C-, okój 41; tel , iotr.dziurdzia@agh.edu.l dr iż. Ireeusz Brzozowski aw. C-, okój 51; tel , ireeusz.brzozowski@agh.edu.l FIZYKA PÓŁPRZWODNIKÓW.. czyli odróż w oszukiwaie ośików-rzewodików rądu elektryczego it 014 r. PD&IB lemety elektroicze Fizyka ółrzewodików 1

2 PO TYM ROZDZIAL ŁATWIJ ZROZUMIMY DLACZGO? - w złączowych elemetach ółrzewodikowych zależości rąd-aięcie są wyrażae fukcją ex? - w olowych elemetach ółrzewodikowych zależości rąd-aięcie są wyrażae fukcją kwadratową? - w ółrzewodikach i tak wszystko zależy od temeratury T, która uważaa jest za suerarametr? R=f(U, I, T) it 014 r. PD&IB lemety elektroicze Fizyka ółrzewodików O CZYM BĘDZIMY MÓWIĆ? it 014 r. PD&IB lemety elektroicze Fizyka ółrzewodików 4

3 MATRIAŁY PÓŁPRZWODNIKOW KLASYFIKACJA MATRIAŁÓW POD WZGLĘDM PRZWODNICTWA LKTRYCZNGO l S oorość właściwa l 1 l R S S rzewodość właściwa m 1 m ρ ~ ex(-t) ρ ~ T IZOLATORY PÓŁPRZWODNIKI MTAL 10-6(Ωm) (Ωm)-1 14 rzędów wielkości! (w temeraturze okojowej) it 014 r. PD&IB lemety elektroicze Fizyka ółrzewodików 5 MATRIAŁY PÓŁPRZWODNIKOW Półrzewodiki ich istotą cechą jest to, że rzewodość może zmieiać się w szerokim zakresie od wływem zmia temeratury, światła lub wrowadzoych domieszek. III B Al Ga I I C Si Ge S III- AlP AlAs GaP GaAs GaSb it 014 r. PD&IB lemety elektroicze Fizyka ółrzewodików 6 P As Sb Półrzewodiki złożoe Półrzewodiki elemetare

4 ATOM KRZMU Według teorii Nielsa Bohra w odosobioym atomie elektroy mogą osiadać ściśle określoe oziomy eergetycze wyrażoe w sosób kwatowy: liczba atomowa ierwiastka (ZSi=14) ładuek elemetary elektrou (1,6-19C) masa elektrou (1,78-1kg) Ze m 8 4 e h 0 umer owłoki elektroowej stała Placka (6,65-4Js) rzeikalość elektrycza różi (8,854-1F/m) it 014 r. PD&IB lemety elektroicze Fizyka ółrzewodików 7 ATOMY KRZMU cm 1 Si 10 atomów x Jeżeli szerokość asma: 1e 10 e odległość między oziomami it 014 r. PD&IB lemety elektroicze Fizyka ółrzewodików 8 4

5 MODL PÓŁPRZWODNIKÓW PÓŁPRZWODNIK SAMOISTNY W temeraturze T=0K Dwuwymiarowy model ółrzewodika I gruy ergetyczy model asmowy asmo rzewodictwa C. dla Si g=1,1e dla Ge g=0,67e asmo walecyje C g e rzerwa eergetycza it 014 r. PD&IB lemety elektroicze Fizyka ółrzewodików 9 MODL PÓŁPRZWODNIKÓW PÓŁPRZWODNIK SAMOISTNY samoisty (ag.) itrisic W temeraturze T>0K C geeracja rekombiacja Geeracja ar elektro-dziura może odbywać się. od wływem cieła, światła, romieiowaia, joizacji zderzeiowej. it 014 r. PD&IB lemety elektroicze Fizyka ółrzewodików 10 5

6 PASMOWY MODL PRZWODNICTWA g>e g<e IZOLATORY PÓŁPRZWODNIKI MTAL 10-6(Ωm) (Ωm)-1 it 014 r. PD&IB lemety elektroicze Fizyka ółrzewodików 11 PÓŁPRZWODNIKI A STATYSTYKA Jakie jest rawdoodobieństwo obsadzeia rzez elektro dowolego stau eergetyczego w temeraturze bezwzględej T? f 1 1 e F f() T=0K Fukcja Fermiego-Diraca T1>T k=8,6-5e/k=1,8+j/k - stała Boltzmaa Co to jest F? f F 1 1 e F F F T1 T Sta eergetyczy zajdujący się a oziomie Fermiego może być obsadzoy rzez elektro z rawdoodobieństwem 0,5 it 014 r. PD&IB lemety elektroicze Fizyka ółrzewodików 1 6

7 PÓŁPRZWODNIKI A STATYSTYKA f Jak możemy wyzaczyć kocetracje elektroów i dziur w jedostce objętości ółrzewodika? 1 1 e dla -F > F elektroy f e F Fukcja gęstości eergetyczie dozwoloych staów dla elektroów w aśmie rzewodictwa: * 4 me NC C N h * me * masa efektywa elektrou m C F it 014 r. PD&IB lemety elektroicze Fizyka ółrzewodików 1 f dziury 1 1 e dla F- > f e F Fukcja gęstości eergetyczie dozwoloych staów dla elektroów w aśmie walecyjym: h 4 m h h masa efektywa dziury N f d N e C N f F N C C * m e h C efektywa gęstość staów w aśmie rzewodictwa N * m h h * d N e F efektywa gęstość staów w aśmie walecyjym PÓŁPRZWODNIKI A STATYSTYKA W ółrzewodiku samositym: i C g i T NC N e AT e * * 4 4 A m e m h h Prawo działaia mas: i it 014 r. PD&IB lemety elektroicze Fizyka ółrzewodików 14 7

8 CIKAWOSTKI CZ.I W 1cm Si zajduje się 10 atomów Przerwa eergetycza w krzemie g=1,1e i g i T AT e K 1,5 10 cm czyli w 1mm możemy zaleźć 15 milioów swobodych elektroów!!! i tyleż samo dziur ;)) Jeżeli średia eergia ciela elektrou t = w temeraturze okojowej T=00K wyosi t=0,05e, to jak mogą oe okoać rzerwę eergetyczą? ergię wystarczającą do okoaia rzerwy eergetyczej w krzemie w temeraturze okojowej ma 1 elektro ma 1,5x10+1 atomów!!! it 014 r. PD&IB lemety elektroicze Fizyka ółrzewodików 15 CIKAWOSTKI CZ.II Jaka jest wrażliwość zmia kocetracji swobodych elektroów i dziur w samoistym krzemie w otoczeiu temeratury T=00K? ależy obliczyć: i di dt i T g o odstawieiu daych otrzymujemy: % 00 8, K i W. Jake, Zjawiska termicze w elemtach i układach ółrzewodikowych, WNT199 it 014 r. PD&IB lemety elektroicze Fizyka ółrzewodików 16 8

9 PÓŁPRZWODNIKI DOMISZKOWAN +5 Domieszka doorowa.: P, As, Sb C D 0,05e +5 (liczba elektroów) ND (liczba atomów domieszki) W ółrzewodiku domieszkowaym tyu, elektroy są ośikami większościowymi, a dziury miejszościowymi! W temeraturze okojowej wszystkie elektroy z asma doorowego rzejdą do asma rzewodictwa. Atomy domieszki o utracie elektrou będą joami dodatimi. it 014 r. PD&IB lemety elektroicze Fizyka ółrzewodików 17 PÓŁPRZWODNIKI DOMISZKOWAN + Domieszka akcetorowa.: B, Al, Ga, I C + A 0,05e (liczba dziur) NA (liczba atomów domieszki) W ółrzewodiku domieszkowaym tyu, dziury są ośikami większościowymi, a elektroy miejszościowymi! W temeraturze okojowej elektroy z asma walecyjego rzejdą a orbity atomów domieszki. Atomy domieszki o otrzymaiu elektrou będą joami ujemymi. it 014 r. PD&IB lemety elektroicze Fizyka ółrzewodików 18 9

10 PÓŁPRZWODNIKI DOMISZKOWAN Waruek eutralości elektryczej: wrowadzeie domieszek do ółrzewodika ie może zmieić całkowitego ładuku, który w staie rówowagi musi być rówy zero. N D N A N D N A 0 Z rawa działaia mas moża wyzaczyć kocetracje ośików dla zaej kocetracji domieszek: dla ółrzewodików doorowych: dla ółrzewodików akcetorowych: it 014 r. PD&IB lemety elektroicze Fizyka ółrzewodików 19 i D i A PÓŁPRZWODNIKI DOMISZKOWAN Wrowadzeie domieszek owoduje zmiay ołożeia oziomu Fermiego F C i ND=0 0 NA=0 NA ND Położeie oziomu Fermiego jest rówież fukcją temeratury it 014 r. PD&IB lemety elektroicze Fizyka ółrzewodików 0 10

11 Liczba elektroów swobodych PÓŁPRZWODNIKI DOMISZKOWAN Zależość temeraturowa kocetracji ośików w ółrzewodiku doorowym Ge Si geeracja samoista ND Domieszka owoduje stabilizację liczby ośików w stosukowo dużym zakresie temeratury! T[K] it 014 r. PD&IB lemety elektroicze Fizyka ółrzewodików 1 CIKAWOSTKI CZ.III Jaki będzie skutek domieszki w skali 1 atom arseu (As +5) a 1 milio atomów krzemu (Si )??? W 1cm Si zajduje się 10 atomów W wyiku domieszki otrzymamy atomów arseu i tyleż samo swobodych elektroów w temeraturze okojowej! Si 10 m SiAs Si SiAs m 10 6 it 014 r. PD&IB lemety elektroicze Fizyka ółrzewodików 11

12 PRZWODNICTWO LKTRYCZN W PÓŁPRZWODNIKACH Przy braku ola elektryczego elektroy wykoują chaotyczy ruch. W temeraturze okojowej ich średia rędkość termicza wyosi ok. 5? m 10 s it 014 r. PD&IB lemety elektroicze Fizyka ółrzewodików PRZWODNICTWO LKTRYCZN W PÓŁPRZWODNIKACH kotakt omowy Po rzyłożeiu zewętrzego ola elektryczego ojawia się uorządkoway ruch elektroów uoszeie ośików w olu elektryczym. W temeraturze okojowej rędkość uoszeia wyosi ok.? 4 m s it 014 r. PD&IB lemety elektroicze Fizyka ółrzewodików 4 1

13 PRZWODNICTWO LKTRYCZN W PÓŁPRZWODNIKACH Gęstość rądu uoszeia rozważaie jedowymiarowe S I ładuek rzeływający rzez owierzchię S w czasie dt: dq ev dts ev dts gęstość rądu: 1 dq J S dt J ev e v v v dla krzemu µ µ ruchliwość elektroów ruchliwość dziur z rawa Ohma: J czyli koduktywość: e it 014 r. PD&IB lemety elektroicze Fizyka ółrzewodików 5 PRZWODNICTWO LKTRYCZN W PÓŁPRZWODNIKACH (x) x d dx 0 x Dyfuzja ośików Prądy dyfuzyje ojawiają się w staach ierówowagi w tej części obszaru, w której kocetracja ośików staje się iejedoroda. Nośiki rzemieszczają się z obszarów o większej kocetracji do miejszej. J qd x d dx wsółczyik dyfuzji it 014 r. PD&IB lemety elektroicze Fizyka ółrzewodików 6 1

14 PRZWODNICTWO LKTRYCZN W PÓŁPRZWODNIKACH D D UT 6m T 00 K e J e e D x d dx J e e D x d dx uoszeie dyfuzja it 014 r. PD&IB lemety elektroicze Fizyka ółrzewodików 7 14

PÓŁPRZEWODNIKI W ELEKTRONICE. Powszechnie uważa się, że współczesna elektronika jest elektroniką półprzewodnikową.

PÓŁPRZEWODNIKI W ELEKTRONICE. Powszechnie uważa się, że współczesna elektronika jest elektroniką półprzewodnikową. PÓŁPRZEWODNIKI W ELEKTRONICE Powszechie uważa się, że wsółczesa elektroika jest elektroiką ółrzewodikową. 1 Półrzewodiki Półrzewodiki to ciała stałe ieorgaicze lub orgaicze o rzewodictwie elektryczym tyu

Bardziej szczegółowo

Elektrony i dziury w półprzewodnikach

Elektrony i dziury w półprzewodnikach 1 lektroy i dziury w ółrzewodikach Atomy i rdzeie atomowe Si oraz Ge Si oraz Ge ależą do gruy IV układu okresowego ierwiastków. Mają o 4 zewętrze elektroy. Tylko zewętrze elektroy uczesticzą w tworzeiu

Bardziej szczegółowo

Badanie efektu Halla w półprzewodniku typu n

Badanie efektu Halla w półprzewodniku typu n Badaie efektu alla w ółrzewodiku tyu 35.. Zasada ćwiczeia W ćwiczeiu baday jest oór elektryczy i aięcie alla w rostoadłościeej róbce kryształu germau w fukcji atężeia rądu, ola magetyczego i temeratury.

Bardziej szczegółowo

Zjawiska kontaktowe. Pojęcia.

Zjawiska kontaktowe. Pojęcia. Zjawiska kotaktowe Zjawiska kotaktowe. Pojęcia. metal Φ M W W raca rzeiesieia elektrou z da asma rzewodictwa do różi, bez zwiększaia jego eergii kietyczej (którą ma zerową). Używa się tylko dla metalu.

Bardziej szczegółowo

Zjawiska kontaktowe. Pojęcia.

Zjawiska kontaktowe. Pojęcia. Zjawiska kotaktowe. Pojęcia. Próżia, E vac =0 Φ m W Φ s χ E c µ E v metal półprzewodik W praca przeiesieia elektrou z da pasma przewodictwa do próżi, bez zwiększaia jego eergii kietyczej (którą ma zerową).

Bardziej szczegółowo

BADANIE CHARAKTERYSTYKI DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWEJ

BADANIE CHARAKTERYSTYKI DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWEJ Ćwiczeie 47 BADANIE CHARAKTERYSTYKI DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWEJ 47.. Wiadomości ogóle Dla zrozumieia elektryczych właściwości ciał stałych koiecze jest pozaie praw rządzących elektroami wewątrz tych ciał.

Bardziej szczegółowo

E-3A BADANIE CHARAKTERYSTYK DIODY I TRANZYSTORA METODĄ OSCYLOSKOPOWĄ

E-3A BADANIE CHARAKTERYSTYK DIODY I TRANZYSTORA METODĄ OSCYLOSKOPOWĄ BADANIE HARAKTERYSTYK DIODY I TRANZYSTORA METODĄ OSYLOSKOPOWĄ I. el ćwiczeia: wyzaczeie charakterystyki diody Zeera, charakterystyk trazystora - oraz -- w układzie wsólego emitera (WE), zaozaie się z odstawowymi

Bardziej szczegółowo

Model Bohra atomu wodoru

Model Bohra atomu wodoru Model Bohra atomu wodoru Widma liiowe pierwiastków. wodór hel eo tle węgiel azot sód Ŝelazo Aby odpowiedzieć a pytaie dlaczego wodór i ie pierwiastki ie emitują wszystkich częstotliwości fal elektromagetyczych

Bardziej szczegółowo

Półprzewodniki Teoria złącza PN. Budowa i właściwości elektryczne ciał stałych - wprowadzenie

Półprzewodniki Teoria złącza PN. Budowa i właściwości elektryczne ciał stałych - wprowadzenie Półrzewodniki Teoria złącza PN Budowa i właściwości elektryczne ciał stałych - wrowadzenie Budowa atomu: a) model starożytny b) model J.J. Thomsona c) model E. Rutherforda d) model N. Bohra e) wynikająca

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

ELEMENTY ELEKTRONICZNE AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji Katedra Elektroniki ELEMENTY ELEKTRONICZNE dr inż. Piotr Dziurdzia aw. C-3, okój 413; tel.

Bardziej szczegółowo

Półprzewodniki samoistne. Struktura krystaliczna

Półprzewodniki samoistne. Struktura krystaliczna Półprzewodniki samoistne Struktura krystaliczna Si a5.43 A GaAs a5.63 A ajczęściej: struktura diamentu i blendy cynkowej (ZnS) 1 Wiązania chemiczne Wiązania kowalencyjne i kowalencyjno-jonowe 0K wszystkie

Bardziej szczegółowo

Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i Techniki Wysokich Napięć. Dr hab.

Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i Techniki Wysokich Napięć. Dr hab. Politechika Lubelska Wydział Elektrotechiki i Iformatyki Katedra Urządzeń Elektryczych i Techiki Wysokich Napięć Dr hab. Paweł Żukowski Pierwiastek DEg C (diamet) 7,0 ev Si 1,1 ev Ge 0,7 ev S (szara cya)

Bardziej szczegółowo

Rozszczepienie poziomów atomowych

Rozszczepienie poziomów atomowych Rozszczepienie poziomów atomowych Poziomy energetyczne w pojedynczym atomie Gdy zbliżamy atomy chmury elektronowe nachodzą na siebie (inaczej: funkcje falowe elektronów zaczynają się przekrywać) Na skutek

Bardziej szczegółowo

Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki i elementy z półprzewodników homogenicznych Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja

Bardziej szczegółowo

Wykład IV. Półprzewodniki samoistne i domieszkowe

Wykład IV. Półprzewodniki samoistne i domieszkowe Wykład IV Półprzewodniki samoistne i domieszkowe Półprzewodniki (Si, Ge, GaAs) Konfiguracja elektronowa Si : 1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 2 = [Ne] 3s 2 3p 2 4 elektrony walencyjne Półprzewodnik samoistny Talent

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

ELEMENTY ELEKTRONICZNE AKAEMIA GÓRICZO-HUTICZA IM. STAISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji Katedra Elektroniki ELEMETY ELEKTROICZE dr inż. Piotr ziurdzia aw. C-3, okój 413; tel. 617-7-0,

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 20. BADANIE ZŁĄCZA p-n 1. PRZEPŁYW PRĄDU PRZEZ ZŁĄCZE

Ćwiczenie nr 20. BADANIE ZŁĄCZA p-n 1. PRZEPŁYW PRĄDU PRZEZ ZŁĄCZE ` Politechika Warszawska Do użytku wewętrzego Wydział Fizyki Laboratorium Fizyki II. Irea Groowska Małgorzata Igalso Ćwiczeie r 0 1. PRZEPŁYW PRĄDU PRZEZ ZŁĄCZE BADANIE ZŁĄCZA - Złączem - azywamy styk

Bardziej szczegółowo

PRZYKŁADY ROZWIAZAŃ STACJONARNEGO RÓWNANIA SCHRӦDINGERA. Ruch cząstki nieograniczony z klasycznego punktu widzenia. mamy do rozwiązania równanie 0,,

PRZYKŁADY ROZWIAZAŃ STACJONARNEGO RÓWNANIA SCHRӦDINGERA. Ruch cząstki nieograniczony z klasycznego punktu widzenia. mamy do rozwiązania równanie 0,, PRZYKŁADY ROZWIAZAŃ STACJONARNEGO RÓWNANIA SCHRӦDINGERA Ruch cząstki ieograiczoy z klasyczego puktu widzeia W tym przypadku V = cost, przejmiemy V ( x ) = 0, cząstka porusza się wzdłuż osi x. Rozwiązujemy

Bardziej szczegółowo

2. KONCENTRACJA NOŚNIKÓW W PÓŁPRZEWODNIKU SAMOISTNYM I DOMIESZKOWYM. WPŁYW DOMIESZKOWANIA NA POŁOŻENIE POZIOMU FERMIEGO

2. KONCENTRACJA NOŚNIKÓW W PÓŁPRZEWODNIKU SAMOISTNYM I DOMIESZKOWYM. WPŁYW DOMIESZKOWANIA NA POŁOŻENIE POZIOMU FERMIEGO . KONCENTRACJA NOŚNIKÓW W PÓŁPRZEWONIKU SAMOISTNYM I OMIESZKOWYM. WPŁYW OMIESZKOWANIA NA POŁOŻENIE POZIOMU FERMIEGO.1. Kocetracja ośków samostych W rzyadku gdy mamy do czyea z ółrzewodkem edomeszkowaym

Bardziej szczegółowo

Repeta z wykładu nr 3. Detekcja światła. Struktura krystaliczna. Plan na dzisiaj

Repeta z wykładu nr 3. Detekcja światła. Struktura krystaliczna. Plan na dzisiaj Repeta z wykładu nr 3 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:

Bardziej szczegółowo

Zadanie domowe: kiedy pole elektryczne jest słabe, a kiedy silne?

Zadanie domowe: kiedy pole elektryczne jest słabe, a kiedy silne? Zadaie domowe: kiedy pole elektrycze jest słabe, a kiedy sile? Wersje rozwiązań: Wersja z polem magetyczym; Wersja z kaciastym wykresem; Wersja bez kaciastego wykresu, ale z asyceiem; Wersja z porówaiem

Bardziej szczegółowo

Elektryczne własności ciał stałych

Elektryczne własności ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności elektryczne trzeba zdefiniować kilka wielkości Oporność właściwa (albo przewodność) ładunek [C] = 1/

Bardziej szczegółowo

Przerwa energetyczna w germanie

Przerwa energetyczna w germanie Ćwiczenie 1 Przerwa energetyczna w germanie Cel ćwiczenia Wyznaczenie szerokości przerwy energetycznej przez pomiar zależności oporu monokryształu germanu od temperatury. Wprowadzenie Eksperymentalne badania

Bardziej szczegółowo

METODY DETEKCJI PROMIENIOWANIA JĄDROWEGO 1

METODY DETEKCJI PROMIENIOWANIA JĄDROWEGO 1 MTODY DTKCJI PROMINIOWNI JĄDROWGO 1 1 ŹRÓDŁ CZĄSTK PROMINIOWNI JĄDROWGO rzemiay romieiotwórcze jąder (aturale) ie reakcje jądrowe (cząstki o wysokiej eergii) akceleratory, romieiowaie kosmicze ODDZIŁYWNI

Bardziej szczegółowo

Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane

Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Półprzewodnik typu n IV-Ge V-As Jeżeli pięciowartościowy atom V-As zastąpi w sieci atom IV-Ge to cztery elektrony biorą udział w wiązaniu kowalentnym,

Bardziej szczegółowo

ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA

ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA wykład 2 PÓŁPRZEWODNIKI luty 2008 - Lublin krzem u ej n o z r o w t rze i p o ytk d u pł m rze k Od m ik ro pr oc es or ET F S MO p rzy rząd Od p iasku do Ten wykład O CZYM

Bardziej szczegółowo

Teoria pasmowa. Anna Pietnoczka

Teoria pasmowa. Anna Pietnoczka Teoria pasmowa Anna Pietnoczka Opis struktury pasmowej we współrzędnych r, E Zmiana stanu elektronów przy zbliżeniu się atomów: (a) schemat energetyczny dla atomów sodu znajdujących się w odległościach

Bardziej szczegółowo

ZADANIA Z CHEMII Rozkład energii w stanie równowagi termicznej. Entropia (S) Kwantowanie energii

ZADANIA Z CHEMII Rozkład energii w stanie równowagi termicznej. Entropia (S) Kwantowanie energii ZADANIA Z CHEMII Rozkład eergii w staie rówowagi termiczej. Etropia (S) Kwatowaie eergii Eergia elemetów materii zmieia się skokowo, a ie w sposób ciągły. Elemety materii oddają lub pobieraja eergię tylko

Bardziej szczegółowo

Wykład XI. Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation (LASER) laser półprzewodnikowy

Wykład XI. Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation (LASER) laser półprzewodnikowy Wykład XI Light Amplificatio by Stimulated Emissio of Radiatio (LASER) laser półprzewodikowy Emisja spotaicza Emisja spotaicza i wymuszoa Fotoy emitowae są we wszystkich kierukach z jedakowym prawdopodobieństwem

Bardziej szczegółowo

Termodynamika defektów sieci krystalicznej

Termodynamika defektów sieci krystalicznej Termodyamika defektów sieci krystaliczej Defekty sieci krystaliczej puktowe (wakasje, atomy międzywęzłowe, obce atomy) jedowymiarowe (dyslokacje krawędziowe i śrubowe) dwuwymiarowe (graice międzyziarowe,

Bardziej szczegółowo

Katedra Silników Spalinowych i Pojazdów ATH ZAKŁAD TERMODYNAMIKI. Wyznaczanie ciepła właściwego c p dla powietrza

Katedra Silników Spalinowych i Pojazdów ATH ZAKŁAD TERMODYNAMIKI. Wyznaczanie ciepła właściwego c p dla powietrza Katedra Silików Saliowych i Pojazdów ATH ZAKŁAD TERMODYNAMIKI Wyzaczaie cieła właściweo c dla owietrza Wrowadzeie teoretycze Cieło ochłoięte rzez ciało o jedostkowej masie rzy ieskończeie małym rzyroście

Bardziej szczegółowo

Budowa i zasada działania lasera

Budowa i zasada działania lasera Budowa i zasada działaia lasera Budowa atomu Demokryt (460 370 p..e.) materia składa się z iepodzielych elemetów; (atom, gr. atomos - iepodziely). Sta wiedzy o atomie w drugiej połowie XIX stulecia: Atom

Bardziej szczegółowo

6.1. Typy detektorów i parametry charakteryzujące detektory [30]

6.1. Typy detektorów i parametry charakteryzujące detektory [30] Rozdział 6 6. Detektory w trasmisji światłowodowej 6.1. Tyy detektorów i arametry charakteryzujące detektory 6.2. Detektory fotoemisyje. Fotoowielacz 6.3. Detektory ółrzewodikowe 6.4. Detektory wielokaałowe

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

ELEMENTY ELEKTRONICZNE AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki ELEMENTY ELEKTRONICZNE dr inż. Piotr Dziurdzia paw. C-3,

Bardziej szczegółowo

Przewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki

Przewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki Przewodność elektryczna ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności

Bardziej szczegółowo

Przyrządy i układy półprzewodnikowe

Przyrządy i układy półprzewodnikowe Przyrządy i układy półprzewodnikowe Prof. dr hab. Ewa Popko ewa.popko@pwr.edu.pl www.if.pwr.wroc.pl/~popko p.231a A-1 Zawartość wykładu Wy1, Wy2 Wy3 Wy4 Wy5 Wy6 Wy7 Wy8 Wy9 Wy10 Wy11 Wy12 Wy13 Wy14 Wy15

Bardziej szczegółowo

Fizyka Ciała Stałego

Fizyka Ciała Stałego Fizyka Ciała Stałego c β γ α b a Kryształy.. A Cl - Na + Cl - A A A Na + Cl - Na + F - F - H - A A Cl - Na + Cl - A argon krystaliczny (siły Van der Waalsa) chlorek sodu (wiązanie jonowe) Wiązanie wodorowe

Bardziej szczegółowo

Teoria pasmowa ciał stałych

Teoria pasmowa ciał stałych Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach ulegają rozszczepieniu. W kryształach zjawisko to prowadzi do wytworzenia się pasm. Klasyfikacja ciał stałych na podstawie struktury

Bardziej szczegółowo

W1. Właściwości elektryczne ciał stałych

W1. Właściwości elektryczne ciał stałych W1. Właściwości elektryczne ciał stałych Względna zmiana oporu właściwego przy wzroście temperatury o 1 0 C Materiał Opór właściwy [m] miedź 1.68*10-8 0.0061 żelazo 9.61*10-8 0.0065 węgiel (grafit) 3-60*10-3

Bardziej szczegółowo

S. Baran - Podstawy fizyki materii skondensowanej Półprzewodniki. Półprzewodniki

S. Baran - Podstawy fizyki materii skondensowanej Półprzewodniki. Półprzewodniki Półprzewodniki Definicja i własności Półprzewodnik materiał, którego przewodnictwo rośnie z temperaturą (opór maleje) i w temperaturze pokojowej wykazuje wartości pośrednie między przewodnictwem metali,

Bardziej szczegółowo

λ c λ c λ m asa hc h λ h λ h W lasnosci fotonu = = m = = = c h p c Oblicz energię, pęd i masę fotonu o długości fali λ = 500 nm. + kg m kg m = 1,6 10

λ c λ c λ m asa hc h λ h λ h W lasnosci fotonu = = m = = = c h p c Oblicz energię, pęd i masę fotonu o długości fali λ = 500 nm. + kg m kg m = 1,6 10 W lasosi fotou eergia hv h + p p p p h p h pęd h p h asa h h hv Obliz eergię, pęd i asę fotou o długośi fali 5. D h h p h 3 6,6 J s 6,6 3 7 7 9 + kg kg p,3 5 5 s s 7 8 h p,3 3 J 9 3,9 J ev,6 9 xev 3,9

Bardziej szczegółowo

Przewodnictwo elektryczne ciał stałych. Fizyka II, lato

Przewodnictwo elektryczne ciał stałych. Fizyka II, lato Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Fizyka II, lato 2016 1 Własności elektryczne ciał stałych Komputery, kalkulatory, telefony komórkowe są elektronicznymi urządzeniami półprzewodnikowymi wykorzystującymi

Bardziej szczegółowo

PÓŁPRZEWODNIKI. Atom miedzi. Atom krzemu. Tylko jeden elektron. w powłoce walencyjnej. 4 dziury i 4 elektrony

PÓŁPRZEWODNIKI. Atom miedzi. Atom krzemu. Tylko jeden elektron. w powłoce walencyjnej. 4 dziury i 4 elektrony Półrzewodk zrewolucjozowały rzemysł elektroczy. Są oe wykorzystywae do wytwarzaa olbrzymej gamy różych elemetów elektroczych, od dyskretych dod, orzez trazystory, do układów scaloych zawerających awet

Bardziej szczegółowo

Wykład 19: Dr inż. Zbigniew Szklarski. Katedra Elektroniki, paw. C-1, pok

Wykład 19: Dr inż. Zbigniew Szklarski. Katedra Elektroniki, paw. C-1, pok Wykład 9: Atom Dr iż. Zbigiew Szklarski Katedra Elektroiki, paw. C-, pok.3 szkla@agh.edu.pl http://layer.uci.agh.edu.pl/z.szklarski/ Wczese modele atomu Grecki filozof Demokryt rozpoczął poszukiwaia opisu

Bardziej szczegółowo

Budowa atomów. Budowa atomu wodoru

Budowa atomów. Budowa atomu wodoru 05-0- Budowa atomów atom wodoru atomy wieloelektroowe zakaz Pauliego układ okresowy pierwiastków Budowa atomu wodoru atom wodoru składa się z pojedyczego elektrou (-e) związaego z jądrem protoem (+e) przyciągającą

Bardziej szczegółowo

Przewodnictwo elektryczne ciał stałych

Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Fizyka II, lato 2011 1 Własności elektryczne ciał stałych Komputery, kalkulatory, telefony komórkowe są elektronicznymi urządzeniami półprzewodnikowymi wykorzystującymi

Bardziej szczegółowo

Charakterystyki liczbowe zmiennych losowych: wartość oczekiwana i wariancja

Charakterystyki liczbowe zmiennych losowych: wartość oczekiwana i wariancja Charakterystyki liczbowe zmieych losowych: wartość oczekiwaa i wariacja dr Mariusz Grządziel Wykłady 3 i 4;,8 marca 24 Wartość oczekiwaa zmieej losowej dyskretej Defiicja. Dla zmieej losowej dyskretej

Bardziej szczegółowo

Właściwości kryształów

Właściwości kryształów Właściwości kryształów Związek pomiędzy właściwościami, strukturą, defektami struktury i wiązaniami chemicznymi Skład i struktura Skład materiału wpływa na wszystko, ale głównie na: właściwości fizyczne

Bardziej szczegółowo

Fundamentalna tabelka atomu. eureka! to odkryli. p R = nh -

Fundamentalna tabelka atomu. eureka! to odkryli. p R = nh - TEKST TRUDNY Postulat kwatowaia Bohra, czyli założoy ad hoc związek pomiędzy falą de Broglie a a geometryczymi własościami rozważaego problemu, pozwolił bez większych trudości teoretyczie przewidzieć rozmiary

Bardziej szczegółowo

Promieniowanie atomów wzbudzonych

Promieniowanie atomów wzbudzonych Achorage, USA, May 2002 W-27 (Jaroszewicz) 23 slajdy Na podstawie prezetacji prof. J. Rutkowskiego Promieiowaie atomów wzbudzoych Promieiowaie spotaicze Promieiowaie wymuszoe Promieiowaie retgeowskie 3/23-W27

Bardziej szczegółowo

Metrologia: miary dokładności. dr inż. Paweł Zalewski Akademia Morska w Szczecinie

Metrologia: miary dokładności. dr inż. Paweł Zalewski Akademia Morska w Szczecinie Metrologia: miary dokładości dr iż. Paweł Zalewski Akademia Morska w Szczeciie Miary dokładości: Najczęściej rozkład pomiarów w serii wokół wartości średiej X jest rozkładem Gaussa: Prawdopodobieństwem,

Bardziej szczegółowo

u t 1 v u(x,t) - odkształcenie, v - prędkość rozchodzenia się odkształceń (charakterystyczna dla danego ośrodka) Drgania sieci krystalicznej FONONY

u t 1 v u(x,t) - odkształcenie, v - prędkość rozchodzenia się odkształceń (charakterystyczna dla danego ośrodka) Drgania sieci krystalicznej FONONY Drgaia sieci krystaliczej FONONY 1. model klasyczy (iekwatowy) a) model ośrodka ciągłego (model Debye a) - przypadek jedowymiarowy - drgaia struy drgaia mogą być podłuże (guma, sprężya) i dwie prostopadłe

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM INŻYNIERII CHEMICZNEJ, PROCESOWEJ I BIOPROCESOWEJ. Ćwiczenie nr 16

LABORATORIUM INŻYNIERII CHEMICZNEJ, PROCESOWEJ I BIOPROCESOWEJ. Ćwiczenie nr 16 KATEDRA INŻYNIERII CHEMICZNEJ I ROCESOWEJ INSTRUKCJE DO ĆWICZEŃ LABORATORYJNYCH LABORATORIUM INŻYNIERII CHEMICZNEJ, ROCESOWEJ I BIOROCESOWEJ Ćwiczeie r 16 Mieszaie Osoba odpowiedziala: Iwoa Hołowacz Gdańsk,

Bardziej szczegółowo

STRUKTURA PASM ENERGETYCZNYCH

STRUKTURA PASM ENERGETYCZNYCH PODSTAWY TEORII PASMOWEJ Struktura pasm energetycznych Teoria wa Struktura wa stałych Półprzewodniki i ich rodzaje Półprzewodniki domieszkowane Rozkład Fermiego - Diraca Złącze p-n (dioda) Politechnika

Bardziej szczegółowo

2. Półprzewodniki. Istnieje duża jakościowa różnica między właściwościami elektrofizycznymi półprzewodników, przewodników i dielektryków.

2. Półprzewodniki. Istnieje duża jakościowa różnica między właściwościami elektrofizycznymi półprzewodników, przewodników i dielektryków. 2. Półprzewodniki 1 Półprzewodniki to materiały, których rezystywność jest większa niż rezystywność przewodników (metali) oraz mniejsza niż rezystywność izolatorów (dielektryków). Przykłady: miedź - doskonały

Bardziej szczegółowo

Estymacja przedziałowa

Estymacja przedziałowa Metody probabilistycze i statystyka Estymacja przedziałowa Dr Joaa Baaś Zakład Badań Systemowych Istytut Sztuczej Iteligecji i Metod Matematyczych Wydział Iformatyki Politechiki Szczecińskiej Metody probabilistycze

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

ELEMENTY ELEKTRONICZNE KEMI GÓRICZO-HUICZ IM. SISŁW SSZIC W KRKOWIE Wydział Informatyki, Elektroniki i elekomunikacji Katedra Elektroniki ELEMEY ELEKROICZE dr inż. Piotr ziurdzia aw. C-3, okój 413; tel. 617-7-0, iotr.dziurdzia@agh.edu.l

Bardziej szczegółowo

W wielu przypadkach zadanie teorii sprężystości daje się zredukować do dwóch

W wielu przypadkach zadanie teorii sprężystości daje się zredukować do dwóch Wykład 5 PŁASKI ZADANI TORII SPRĘŻYSTOŚCI Płaski sta arężeia W wielu rzyadkach zadaie teorii srężystości daje się zredukować do dwóch wymiarów Przykładem może być cieka tarcza obciążoa siłami działającymi

Bardziej szczegółowo

4. Statystyka elektronów i dziur

4. Statystyka elektronów i dziur 4. Statystya ltroów i ziur Gęstość staów Koctracja ltroów i ziur w półprzwoiu izgrowaym i zgrowaym Półprzwoi samoisty Domiszowai, oory i acptory Półprzwoi omiszoway, zalżość octracji swoboyc ośiów i poziomu

Bardziej szczegółowo

METALE. Cu 8.50 1.35 1.56 7.0 8.2 Ag 5.76 1.19 1.38 5.5 6.4 Au 5.90 1.2 1.39 5.5 6.4

METALE. Cu 8.50 1.35 1.56 7.0 8.2 Ag 5.76 1.19 1.38 5.5 6.4 Au 5.90 1.2 1.39 5.5 6.4 MAL Zestawienie właściwości gazu elektronowego dla niektórych metali: n cm -3 k cm -1 v cm/s ε e ε /k Li 4.6 10 1.1 10 8 1.3 10 8 4.7 5.5 10 4 a.5 0.9 1.1 3.1 3.7 K 1.34 0.73 0.85.1.4 Rb 1.08 0.68 0.79

Bardziej szczegółowo

IM Eksperymentalne wyznaczenie wartości podstawowego kwantu przewodności.

IM Eksperymentalne wyznaczenie wartości podstawowego kwantu przewodności. IM - 5 BADANIE PRZEWODNOŚCI ELEKTRYCZNEJ NANODRUTÓW Cel ćwiczeia Eksperymetale wyzaczeie wartości podstawowego kwatu przewodości.. Wstęp teoretyczy. Klasycza teoria przewodictwa Ruch elektroów przewodictwa

Bardziej szczegółowo

2. ZJAWISKA KONTAKTOWE

2. ZJAWISKA KONTAKTOWE . ZJAWISKA KONTAKTOWE Możliwe są trzy rozae kotaktów: kotakt - tego samego rozau złącze -, +-, +-, l-h (styk omowy z metalem), homozłącze kotakt wóch różego rozau (Ge-Si) heterozłącze kotakt metal złącze

Bardziej szczegółowo

Złącze p-n: dioda. Dioda: element nieliniowy. półprzewodniki. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda. Przewodnictwo kryształów

Złącze p-n: dioda. Dioda: element nieliniowy. półprzewodniki. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda. Przewodnictwo kryształów Przwodictwo kryształów Złącz : dioda tomy dyskrt oziomy rgtycz (stay rgtycz); okrślo rgi lktroów TOM KRYSZTŁ Półrzwodiki Przwodictwo ółrzwodików Dioda Dioda: lmt iliiowy TOM atom zjoizoway KRYSZTŁ asmo

Bardziej szczegółowo

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój:

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: Podstawy Elektroniki Prowadzący: Prof. dr hab. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 116 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl Program: wykład - 15h laboratorium

Bardziej szczegółowo

Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r.

Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r. Fizyka i technologia złącza P Adam Drózd 25.04.2006r. O czym będę mówił: Półprzewodnik definicja, model wiązań walencyjnych i model pasmowy, samoistny i niesamoistny, domieszki donorowe i akceptorowe,

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA OPOLSKA

POLITECHNIKA OPOLSKA POLITCHIKA OPOLSKA ISTYTUT AUTOMATYKI I IFOMATYKI LABOATOIUM MTOLOII LKTOICZJ 7. KOMPSATOY U P U. KOMPSATOY APIĘCIA STAŁO.. Wstęp... Zasada pomiaru metodą kompesacyją. Metoda kompesacyja pomiaru apięcia

Bardziej szczegółowo

Elementy elektroniczne Wykłady 3: Półprzewodniki. Teoria złącza PN

Elementy elektroniczne Wykłady 3: Półprzewodniki. Teoria złącza PN Elementy elektroniczne Wykłady 3: Półprzewodniki. Teoria złącza PN Budowa i właściwości elektryczne ciał stałych - wprowadzenie Budowa atomu: a) model starożytny b) model J.J. Thompsona c) model E. Rutherforda

Bardziej szczegółowo

Cel ćwiczenia: Wyznaczenie szerokości przerwy energetycznej przez pomiar zależności oporności elektrycznej monokryształu germanu od temperatury.

Cel ćwiczenia: Wyznaczenie szerokości przerwy energetycznej przez pomiar zależności oporności elektrycznej monokryształu germanu od temperatury. WFiIS PRACOWNIA FIZYCZNA I i II Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA Cel ćwiczenia: Wyznaczenie

Bardziej szczegółowo

Kurs Prawdopodobieństwo Wzory

Kurs Prawdopodobieństwo Wzory Kurs Prawdoodobieństwo Wzory Elemety kombiatoryki Klasycza deiicja rawdoodobieństwa gdzie: A - liczba zdarzeń srzyjających A - liczba wszystkich zdarzeń P A Tel. 603 088 74 Prawdoodobieństwo deiicja Kołmogorowa

Bardziej szczegółowo

Czym jest prąd elektryczny

Czym jest prąd elektryczny Prąd elektryczny Ruch elektronów w przewodniku Wektor gęstości prądu Przewodność elektryczna Prawo Ohma Klasyczny model przewodnictwa w metalach Zależność przewodności/oporności od temperatury dla metali,

Bardziej szczegółowo

1. Podstawowa struktura tranzystora bipolarnego

1. Podstawowa struktura tranzystora bipolarnego RAZYSORY POLAR SMK WYKŁAD 8 a pdstw.: W. Marciiak, W 1978, Przyrządy półprzewodikowe i układy scaloe razystor elemet trasformujący rezystację (trioda 1948 ardee, ratai trazystor ostrzowy). razystor warstwowy

Bardziej szczegółowo

Badanie charakterystyki diody

Badanie charakterystyki diody Badanie charakterystyki diody Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowo napięciowych różnych diod półprzewodnikowych. Wstęp Dioda jest jednym z podstawowych elementów elektronicznych,

Bardziej szczegółowo

Prawo Ohma. qnv. E ρ U I R U>0V. v u E +

Prawo Ohma. qnv. E ρ U I R U>0V. v u E + Prawo Ohma U>0V J v u J qnv u - E + J qne d J gęstość prądu [A/cm 2 ] n koncentracja elektronów [cm -3 ] ρ rezystywność [Ωcm] σ - przewodność [S/cm] E natężenie pola elektrycznego [V/cm] I prąd [A] R rezystancja

Bardziej szczegółowo

OKREŚLENIE CHARAKTERYSTYK POMPY WIROWEJ I WYZNACZENIE PAGÓRKA SPRAWNOŚCI

OKREŚLENIE CHARAKTERYSTYK POMPY WIROWEJ I WYZNACZENIE PAGÓRKA SPRAWNOŚCI Ćwiczeie 5 OKREŚLENIE CARAKTERYSTYK POMPY WIROWEJ I WYZNACZENIE PAGÓRKA SPRAWNOŚCI Wykaz ważiejszych ozaczeń c 1 rędkość bezwzględa cieczy a wlocie do wirika, m/s c rędkość bezwzględa cieczy a wylocie

Bardziej szczegółowo

Ciała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz

Ciała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz Ciała stałe Podstawowe własności ciał stałych Struktura ciał stałych Przewodnictwo elektryczne teoria Drudego Poziomy energetyczne w krysztale: struktura pasmowa Metale: poziom Fermiego, potencjał kontaktowy

Bardziej szczegółowo

Złącze p-n: dioda. Dioda: element nieliniowy. półprzewodniki. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda KRYSZTAŁ. Podział materiałów:

Złącze p-n: dioda. Dioda: element nieliniowy. półprzewodniki. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda KRYSZTAŁ. Podział materiałów: Przwodictwo kryształów Złącz : dioda tomy dyskrt oziomy rgtycz (stay rgtycz); okrślo rgi lktroów TOM KYSZTŁ Półrzwodiki Przwodictwo ółrzwodików Dioda Dioda: lmt iliiowy TOM atom zjoizoway KYSZTŁ asmo rzwodictwa

Bardziej szczegółowo

na dnie (lub w szczycie) pasma pasmo jest paraboliczne, ale masa wyznaczona z krzywizny niekoniecznie = m 0

na dnie (lub w szczycie) pasma pasmo jest paraboliczne, ale masa wyznaczona z krzywizny niekoniecznie = m 0 Koncepcja masy efektywnej swobodne elektrony k 1 1 E( k) E( k) =, = m m k krzywizna E(k) określa masę cząstek elektrony prawie swobodne - na dnie pasma masa jest dodatnia, ale niekoniecznie = masie swobodnego

Bardziej szczegółowo

W5. Rozkład Boltzmanna

W5. Rozkład Boltzmanna W5. Rozkład Boltzmanna Podstawowym rozkładem w klasycznej fizyce statystycznej jest rozkład Boltzmanna E /( kt ) f B ( E) Ae gdzie: A jest stałą normalizacyjną, k stałą Boltzmanna 5 k 8.61710 ev / K Został

Bardziej szczegółowo

Proste struktury krystaliczne

Proste struktury krystaliczne Budowa ciał stałych Proste struktury krystaliczne sc (simple cubic) bcc (body centered cubic) fcc (face centered cubic) np. Piryt FeSe 2 np. Żelazo, Wolfram np. Miedź, Aluminium Struktury krystaliczne

Bardziej szczegółowo

2. Elektrony i dziury w półprzewodnikach

2. Elektrony i dziury w półprzewodnikach 2. Elektrony i dziury w półprzewodnikach 1 B III C VI 2 Związki półprzewodnikowe: 8 walencyjnych elektronów na walencyjnym orbitalu cząsteczkowym2 Krzem i german 1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 2 14 elektronów

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE NR 72B (Teoria)

ĆWICZENIE NR 72B (Teoria) * ĆWICZENIE NR 7B (Teoria) N. Mirowska WYZNACZANIE STAŁEJ RYDBERGA I MASY ZREDUKOWANEJ ELEKTRONU ZA POMOCĄ SPEKTROSKOPU Cel ćwiczeia: pozaie zasady działaia spektroskopu oraz metody wyzaczaia stałej Rydberga

Bardziej szczegółowo

2. Elektrony i dziury w półprzewodnikach

2. Elektrony i dziury w półprzewodnikach 2. Elektrony i dziury w półprzewodnikach 1 B III C VI 2 Związki półprzewodnikowe: 8 walencyjnych elektronów na walencyjnym orbitalu cząsteczkowym2 Rozszczepienie elektronowych poziomów energetycznych Struktura

Bardziej szczegółowo

Podstawy działania elementów półprzewodnikowych - diody

Podstawy działania elementów półprzewodnikowych - diody Podstawy działania elementów półprzewodnikowych - diody Wrocław 2010 Ciało stałe Ciało, którego cząstki (atomy, jony) tworzą trwały układ przestrzenny (sieć krystaliczną) w danych warunkach (tzw. normalnych).

Bardziej szczegółowo

ELEKTROTECHNIKA I ELEKTRONIKA

ELEKTROTECHNIKA I ELEKTRONIKA NIWERSYTET TECHNOLOGICZNO-PRZYRODNICZY W BYDGOSZCZY WYDZIAŁ INŻYNIERII MECHANICZNEJ INSTYTT EKSPLOATACJI MASZYN I TRANSPORT ZAKŁAD STEROWANIA ELEKTROTECHNIKA I ELEKTRONIKA ĆWICZENIE: E13 BADANIE ELEMENTÓW

Bardziej szczegółowo

ELEKTRONIKA ELM001551W

ELEKTRONIKA ELM001551W ELEKTRONIKA ELM001551W Podstawy elektrotechniki i elektroniki Budowa materii fizyka półprzewodników Zakres: Sieć krystaliczna, Rodzaje wiązań chemicznych, Struktura pasmowa półprzewodników Rys historyczny

Bardziej szczegółowo

Wykład 18: Dr inż. Zbigniew Szklarski. Katedra Elektroniki, paw. C-1, pok

Wykład 18: Dr inż. Zbigniew Szklarski. Katedra Elektroniki, paw. C-1, pok Wykład 18: Atom Dr iż. Zbigiew Szklarski Katedra Elektroiki, paw. C-1, pok.31 szkla@agh.edu.pl http://layer.uci.agh.edu.pl/z.szklarski/ Wczese modele atomu Grecki filozof Demokryt rozpoczął poszukiwaia

Bardziej szczegółowo

SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force

SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force Microscopy Mikroskopia siły atomowej MFM Magnetic Force Microscopy

Bardziej szczegółowo

Równanie Shockley a. Potencjał wbudowany

Równanie Shockley a. Potencjał wbudowany Wykład VI Diody Równanie Shockley a Potencjał wbudowany 2 I-V i potencjał wbudowany Temperatura 77K a) Ge E g =0.7eV b) Si E g =1.14eV c) GaAs E g =1.5eV d) GaAsP E g =1.9eV qv 0 (0. 5 0. 7)E g 3 I-V i

Bardziej szczegółowo

elektryczne ciał stałych

elektryczne ciał stałych Wykład 22: Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Dr inż. Zbigniew Szklarski Katedra Elektroniki, paw. C-1, pok.321 szkla@agh.edu.pl http://layer.uci.agh.edu.pl/z.szklarski/ Własności elektryczne ciał

Bardziej szczegółowo

Wykład VI. Teoria pasmowa ciał stałych

Wykład VI. Teoria pasmowa ciał stałych Wykład VI Teoria pasmowa ciał stałych Energia elektronu (ev) Powstawanie pasm w krysztale sodu pasmo walencyjne (zapełnione częściowo) Konfiguracja w izolowanym atomie Na: 1s 2 2s 2 2p 6 3s 1 Ne Położenie

Bardziej szczegółowo

są niezależnymi zmiennymi losowymi o jednakowym rozkładzie Poissona z wartością oczekiwaną λ równą 10. Obliczyć v = var( X

są niezależnymi zmiennymi losowymi o jednakowym rozkładzie Poissona z wartością oczekiwaną λ równą 10. Obliczyć v = var( X Prawdoodobieństwo i statystyka 5..008 r. Zadaie. Załóżmy że 3 są iezależymi zmieymi losowymi o jedakowym rozkładzie Poissoa z wartością oczekiwaą λ rówą 0. Obliczyć v = var( 3 + + + 3 = 9). (A) v = 0 (B)

Bardziej szczegółowo

Informatyka Stosowana-egzamin z Analizy Matematycznej Każde zadanie należy rozwiązać na oddzielnej, podpisanej kartce!

Informatyka Stosowana-egzamin z Analizy Matematycznej Każde zadanie należy rozwiązać na oddzielnej, podpisanej kartce! Iformatyka Stosowaa-egzami z Aalizy Matematyczej Każde zadaie ależy rozwiązać a oddzielej, podpisaej kartce! y, Daa jest fukcja f (, + y, a) zbadać ciągłość tej fukcji f b) obliczyć (,) (, (, (,) c) zbadać,

Bardziej szczegółowo

4. Statystyka elektronów i dziur

4. Statystyka elektronów i dziur 4. Statystya ltroów i ziur Gęstość staów Kotraja ltroów i ziur w półprzwoiu izgrowaym i zgrowaym Półprzwoi samoisty Domiszowai, oory i aptory Półprzwoi omiszoway, zalżość otraji swoboy ośiów i poziomu

Bardziej szczegółowo

P = 27, 8 27, 9 27 ). Przechodząc do granicy otrzymamy lim P(Y n > Y n+1 ) = P(Z 1 0 > Z 2 X 2 X 1 = 0)π 0 + P(Z 1 1 > Z 2 X 2 X 1 = 1)π 1 +

P = 27, 8 27, 9 27 ). Przechodząc do granicy otrzymamy lim P(Y n > Y n+1 ) = P(Z 1 0 > Z 2 X 2 X 1 = 0)π 0 + P(Z 1 1 > Z 2 X 2 X 1 = 1)π 1 + Zadaia róże W tym rozdziale zajdują się zadaia ietypowe, często dotyczące łańcuchów Markowa oraz własości zmieych losowych. Pojawią się także zadaia z estymacji Bayesowskiej.. (Eg 8/) Rozważamy łańcuch

Bardziej szczegółowo

Wykład III. Teoria pasmowa ciał stałych

Wykład III. Teoria pasmowa ciał stałych Wykład III Teoria pasmowa ciał stałych Energia elektronu (ev) Powstawanie pasm w krysztale sodu pasmo walencyjne (zapełnione częściowo) Konfiguracja w izolowanym atomie Na: 1s 2 2s 2 2p 6 3s 1 Ne Położenie

Bardziej szczegółowo

PODSTAWY OPRACOWANIA WYNIKÓW POMIARÓW Z ELEMENTAMI ANALIZY NIEPEWNOŚCI POMIAROWYCH

PODSTAWY OPRACOWANIA WYNIKÓW POMIARÓW Z ELEMENTAMI ANALIZY NIEPEWNOŚCI POMIAROWYCH PODSTAWY OPRACOWANIA WYNIKÓW POMIARÓW Z ELEMENTAMI ANALIZY NIEPEWNOŚCI POMIAROWYCH POMIAR FIZYCZNY Pomiar bezpośredi to doświadczeie, w którym przy pomocy odpowiedich przyrządów mierzymy (tj. porówujemy

Bardziej szczegółowo

Repeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n

Repeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n Repeta z wykładu nr 5 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:

Bardziej szczegółowo

Przełączanie diody. Stan przejściowy pomiędzy stanem przewodzenia diod, a stanem nieprzewodzenia opisuje się za pomocą parametru/ów czasowego/ych.

Przełączanie diody. Stan przejściowy pomiędzy stanem przewodzenia diod, a stanem nieprzewodzenia opisuje się za pomocą parametru/ów czasowego/ych. Przełączaie diody 1. Trochę eorii a przejściowy pomiędzy saem przewodzeia diod, a saem ieprzewodzeia opisuje się za pomocą parameru/ów czasowego/ych. Mamy więc ajprosszy eleme półprzewodikowy (dwójik),

Bardziej szczegółowo

Funkcja rozkładu Fermiego-Diraca w różnych temperaturach

Funkcja rozkładu Fermiego-Diraca w różnych temperaturach Funkcja rozkładu Fermiego-Diraca w różnych temperaturach 1 f FD ( E) = E E F exp + 1 kbt Styczna do krzywej w punkcie f FD (E F )=0,5 przecina oś energii i prostą f FD (E)=1 w punktach odległych o k B

Bardziej szczegółowo