ĆWICZENIE 4. Liniowe obwody rezonansowe

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "ĆWICZENIE 4. Liniowe obwody rezonansowe"

Transkrypt

1 Andzej eśnck aboatoum Sygnałów Analogowych, Ćwczene 4 /9. Wstęp ĆWIZENIE 4 nowe obwody ezonansowe Obwody ezonansowe znajdują szeoke zastosowana w paktyce jako obwody selektywne. Obwody selektywne pzenoszą pożądane składowe wdma sygnału tłumąc jednocześne składowe nepożądane. Właścwośc selektywne są zwązane z zachodzenem w obwodze zjawska ezonansu. System ezonuje, gdy ampltuda wychyleń pewnej welkośc wzasta w takt ytmcznego pobudzena. W szeegowym obwodze ezonansowym zachodz ezonans napęć, a w ównoległym obwodze ezonansowym ezonans pądów. Zjawsko ezonansu w obwodze szeegowym polega na tym, że na częstotlwośc ezonansowej napęce na elemence eaktancyjnym jest tyle azy wększe od napęca wejścowego, le wynos doboć obwodu. Zjawsko ezonansu w obwodze ównoległym polega na tym, że na częstotlwośc ezonansowej pąd elementu eaktancyjnego jest tyle azy wększy od pądu wejścowego, le wynos doboć obwodu. Opócz postych obwodów ezonansowych stosuje sę też obwody badzej ozbudowane. Pzykładem takego obwodu jest paa obwodów ezonansowych spzężonych. Paa obwodów spzężonych pozwala osągnąć lepszą selektywność (wększą stomość zboczy chaakteystyk ampltudowej) nż pojedynczy obwód ezonansowy. Jest to posty, badzo populany lt śodkowopzepustowy. W ćwczenu będą badane: szeegowy obwód ezonansowy, ównoległy obwód ezonansowy, paa obwodów ezonansowych spzężonych pojemnoścowo. Pzewdywane teoetyczne chaakteystyk częstotlwoścowe paamety obwodów ezonansowych zostaną poównane z chaakteystykam częstotlwoścowym paametam pomezonym.. Podstawy teoetyczne.. Szeegowy obwód ezonansowy Szeegowy obwód ezonansowy powstaje w wynku szeegowego połączena elementów jest pobudzany ze źódła napęcowego (ys. 4.). ˆ jt v ( t) e( e ) ˆ jt v ( t) e( e ) ˆ jt v ( t) e( e ) e( t) e( Ee ˆ jt ) ys. 4.. Szeegowy obwód ezonansowy Szeegowy obwód ezonansowy ma mpedancję okeśloną ponższym wzoem

2 Andzej eśnck aboatoum Sygnałów Analogowych, Ćwczene 4 /9 Z( ) j jq jq j (4.) j gdze jest ozstojenem względnym, a jest ozstojenem względnym unomowanym. Denuje sę pojęce pulsacj ezonansu szeegowego jako pulsacj, na któej część uojona mpedancj ówna sę zeu Im( Z) Z ównana (4.) mamy (4.) (4.3) Doboć obwodu jest zdenowana następująco max w ( t) Q w (, T ) Maksymalna enega gomadzona w obwodze Enega tacona w obwodze w jednym okese (4.4) Dla szeegowego obwodu ezonansowego mamy ze wzou (4.4) gdze Q (4.5) (4.6) jest opoem chaakteystycznym (alowym) obwodu ezonansowego. Wskazy napęć na poszczególnych elementach obwodu zmenają sę w unkcj pulsacj według ponższych zależnośc ˆ ˆ j ˆ E, E, E (4.7) Z( ) Z( ) j Z( ) Na pulsacj ezonansowej wskazy osągają następujące watośc ˆ ( ) E, ˆ ( ) jqe, ˆ ( ) jqe (4.8) Na ezystoze napęce osąga watość maksymalną ówną wydajnośc napęcowej źódła E. Natomast na nduktoze kondensatoze napęca są w ezonanse sobe ówne co do modułu Q-kotne wększe nż E. To zjawsko zwelokotnena napęca nazywa sę pzepęcem (ezonansem napęć) jest wykozystywane do pomau doboc Q. Pzy danej watośc napęca pobudzającego E mezy sę napęce ˆ ( ) (lub ˆ ( ) ), a następne oblcza doboć z zależnośc (4.8). Na tej zasadze dzałają pzyządy pomaowe nazywane Q-metam.

3 Andzej eśnck aboatoum Sygnałów Analogowych, Ćwczene 4 3/9 zasam wygodnej jest zmezyć sumę napęć ˆ ( ) ˆ ( ) (tak będze w nnejszym ćwczenu laboatoyjnym) wówczas doboć wyznacza sę z następującego wzou Q ˆ ( ) ˆ ( ) E (4.9) Według zależnośc (4.8) na częstotlwośc ezonansowej napęce na nduktoze wypzedza napęce wejścowe o 9 o, a napęce na kondensatoze jest opóźnone o 9 o względem napęca wejścowego. To zjawsko jest wykozystywane w paktyce do uzyskwana sygnałów kwadatuowych (sygnałów pzesunętych względem sebe o 9 o ). Z zależnośc (4.7) wynka, że częstotlwość ezonansowa ne jest częstotlwoścą, na któej napęca na nduktoze kondensatoze osągają watośc maksymalne. Zależnośc te wykeślono na ys A, B: QE/sqt(-(/Q))=3, 3, 3,6 A B : QE=3,6 =ohm =mh =nf Q=3,6 =5,3kHz. U U U U+U 49kHz 5,5kHz Hz KHz 4KHz 6KHz 8KHz KHz (3) (,) (,3) (,3) Fequency ys. 4.. haakteystyk częstotlwoścowe szeegowego obwodu ezonansowego Wykazuje sę, że jeśl Q /, to napęca na elementach eaktancyjnych osągają watośc maksymalne ˆ max Q ˆ E (4.) max Q na częstotlwoścach odpowedno,max,,max (4.) Q Q

4 Andzej eśnck aboatoum Sygnałów Analogowych, Ćwczene 4 4/9 Jednakże już pzy doboc Q 3 napęce maksymalne óżn sę od napęca w ezonanse mnej nż 5% w paktyce (gdze są stosowane obwody o doboc Q>3) punkty A, B, na ys. 4. pokywają sę (zlewają sę). Kształt chaakteystyk modułu azy admtancj szeegowego obwodu ezonansowego Y e jactg (4.) Z ( j) pokazano na ys Wykes modułu nazywa sę kzywą ezonansową ma chaakteystyczny dzwonowy kształt. Kzywa dzwonowa jest tym węższa m wększa jest doboć obwodu. Obwód chaakteyzuje sę okeślonym pasmem pzepustowym. Zostane wypowadzony zwązek mędzy jego pasmem B 3 db, a dobocą Q. Tzydecybelowe częstotlwośc ganczne są częstotlwoścam, dla któych moduł admtancj jest o 3dB mnejszy od watośc maksymalnej osąganej dla częstotlwośc ezonansowej. Dlatego unomowane pulsacje odpowadające 3dB pulsacjom gancznym wynkają z ównana (4.3) Q d, g z któego mamy d g d, g (4.4) Q Q d Y g B3 db 5,9 khz 5,3 khz ag Y d 43 khz g 58,9 khz o 9 o 45 tg Q o 45 o 9 ys Moduł aza admtancj szeegowego obwodu ezonansowego

5 Andzej eśnck aboatoum Sygnałów Analogowych, Ćwczene 4 5/9 Wyznaczone ze wzoów (4.4) pulsacje ganczne, to d, g (4.5) Q Q óżnca częstotlwośc gancznych daje poszukwany zwązek B3dB g d (4.6) Q Zwązek (4.6) ma duże znaczene paktyczne. Pozwala on oblczyć doboć obwodu Q na podstawe pomezonych częstotlwośc ezonansowej pasma B (wyznaczonych z pomezonej chaakteystyk ampltudowej lub azowej). Doboć obwodu może być też wyznaczona z nachylena chaakteystyk azowej 3dB g d Q ( ) (4.7) d Pzykład 4.. Szeegowy obwód ezonansowy składa sę z elementów o watoścach mh, nf,. Paamety obwodu są następujące: 5,3 khz, 36, Q 3, 6, d 43 khz, g 58,9 khz, B 3dB 5,9 khz. Napęca na elementach eaktancyjnych osągną watośc maksymalne ˆ ˆ 3, E na częstotlwoścach odpowedno max max 49 khz, 5,6 khz. haakteystyk tego, max, max obwodu wykeślono na ys. 4. ys ównoległy obwód ezonansowy ównoległy obwód ezonansowy powstaje w wynku ównoległego połączena elementów, (ys. 4.4a). Obwód ten jest dualny względem szeegowego obwodu ezonansowego ma następującą admtancję Y ( ) G j G( j) (4.8) j Pulsację ezonansową obwodu wyznacza sę z waunku na zeowane sę częśc uojonej admtancj, czyl z ównana Im( Y) z któego mamy (4.9)

6 Andzej eśnck aboatoum Sygnałów Analogowych, Ćwczene 4 6/9 (4.) postać Wzó na doboć obwodu wypowadzony z zależnośc dencyjnej (4.4) ma następującą Q, (4.) Wskazy pądów poszczególnych elementów obwodu zmenają sę w unkcj pulsacj według następujących zależnośc Iˆ G G ˆ j ˆ J, I J, I J (4.) Y ( ) Y( ) j Y( ) W ezonanse zachodz zjawsko pzetężena (ezonans pądów), tj. pąd kondensatoa nduktoa są Q-kotne wększe nż wydajność źódła pądowego Iˆ G ( ) J, Iˆ ( ) jqj, Iˆ ( ) jqj (4.3) Z uwag na dualzm tego obwodu względem obwodu szeegowego, nne zjawska cechy obwodu ównoległego można opsać analogczne jak to było dla obwodu szeegowego. a) b) J Î = nf Î = ohm Î = mh Z( ) B3 db 5,9 khz Q 3,6 ag Z 9 d 43 khz 5,3 khz g 58,9 khz ys ównoległy obwód ezonansowy: a) schemat obwodu; b) chaakteystyk częstotlwoścowe

7 Andzej eśnck aboatoum Sygnałów Analogowych, Ćwczene 4 7/9 Pzykład 4.. ównoległy obwód ezonansowy pokazany na ys..4a składa sę z elementów o watoścach mh, nf,. Paamety obwodu są następujące: 5,3 khz, 36, Q 3, 6, d 43 khz, g 58,9 khz, B 3dB 5,9 khz. Pądy elementów eaktancyjnych osągną watośc maksymalne Iˆ Iˆ 3, J na max max częstotlwoścach odpowedno 49 khz, 5,6 khz. haakteystykę, max, max ampltudową azową obwodu wykeślono na ys. 4.4b..3. Paa obwodów spzężonych Łącząc pojedyncze obwody ezonansowe można twozyć ozbudowane obwody o lepszych właścwoścach selektywnych. Najczęścej spotykanym obwodem tego typu jest paa spzężonych obwodów ezonansowych (ys.4.5). Ogólne Y G j j E ys Paa obwodów spzężonych W paze obwodów spzężonych jako dwójnk spzęgający o admtancj Y stosuje sę najczęścej pojemność, ndukcyjność lub ndukcyjność wzajemną. Paa obwodów spzężonych ma macez admtancyjną Y Y Y Y Y (4.4) o elementach Y G j j (4.5) ` Y Y Y G ( j ),, (4.6) gdze welkośc ` ` G G G ` (4.7)

8 Andzej eśnck aboatoum Sygnałów Analogowych, Ćwczene 4 8/9 są odpowedno pojemnoścam, konduktancjam ndukcyjnoścam węzłów, (obwodu pewotnego wtónego). Paamety Q G Q (4.8) są odpowedno pulsacjam ezonansowym, dobocam unomowanym pulsacjam względnym obwodów pewotnego wtónego. Skuteczne wzmocnene napęcowe jest zdenowane jako stosunek napęca wyjścowego do wydajnośc wejścowego źódła napęcowego wyaża sę wzoem Y GG H ve (4.9) E Y Y G G j j GG Z eguły obwód pewotny wtóny są nastojone na dentyczną pulsację ezonansową zwacową (śodkową) często mają jednakową doboć Q Q Q. Wpowadza sę pojęce unomowanego współczynnka spzężena Y K Y (4.3) j G G W pzypadku wyłączne pojemnoścowego spzężena, unomowany współczynnk spzężena pzyjme następującą postać K K Q Q GG (4.3) jest w pzyblżenu stały w zakese pulsacj blskch pulsacj śodkowej. Wzó na skuteczne wzmocnene napęcowe pzyjme teaz następującą postać H ue K K K j j (4.3) j K K j K Ostatn czynnk w wyażenu (4.3) jest zależnoścą denującą unwesalne chaakteystyk pay obwodów spzężonych. odznę unwesalnych chaakteystyk

9 Andzej eśnck aboatoum Sygnałów Analogowych, Ćwczene 4 9/9 ampltudowych dla óżnych watośc współczynnka spzężena K wykeślono na ys Dla poównana wykeślono także chaakteystykę pojedynczego obwodu ezonansowego. Jak wdać, paa obwodów spzężonych zapewna znaczną popawę selektywnośc, gdyż nachylene chaakteystyk poza pasmem pzepustowym (-4d/dek) jest dwukotne wększe nż dla pojedynczego obwodu ezonansowego (-db/dek) POJ. OBW. EZ. -db/dek os omega -4dB/dek K=5 K=4 K=3 K= K=(MPA) K= m m. DB() DB(3) ys odzna unwesalnych chaakteystyk Fequency/HZ ampltudowych pay obwodów spzężonych Jeżel watość unomowanego współczynnka spzężena wynos K, to chaakteystyka jest maksymalne płaska (MPA, pochodna kwadatu chaakteystyk ampltudowej ówna sę zeu w zeze). Pzy K chaakteystyka ma kształt ównoalsty posada w punkce = K ekstemum ówne K /( ). W meze decybelowej K welkość zaalowana chaakteystyk ( ) wyaz sę ponższym wzoem max / K lg (4.33) K Pasmo pzepustowe zdenowane jako odległość mędzy ekstemam chaakteystyk ampltudowej wyaz sę wzoem gdze B K Q (4.34) K K, Q Q (4.35) Na częstotlwoścach ekstemów chaakteystyk ampltudowej, pzesunęce azowe sygnału wyjścowego względem wejścowego wynos odpowedno

10 Andzej eśnck aboatoum Sygnałów Analogowych, Ćwczene 4 /9 W śodku pasma wzmocnene układu jest okeślone wzoem H ve K lg (4.36) K a pzesunęce azowe wynos ag H (tj. 9 ). Dzęk tej właścwośc ve 7 pzesuwana azy sygnału na częstotlwośc śodkowej o 9, paa obwodów spzężonych jest chętne wykozystywana do uzyskwana sygnałów kwadatuowych. Pzykład.3. Paa obwodów spzężonych jest zbudowana z elementów o watoścach kω, mh, 3 nf, nf. Paamety obwodu są następujące: 5,65 khz, Q, 643, 3, 63 K. Zaalowane chaakteystyk ampltudowej ma watość 4,873 db, wzmocnene w śodku pasma H ue,879 db, częstotlwośc ekstemów,357 khz, 8,35 khz, pasmo pzepustowe B 5,9683 khz dB Ho=-,8dB =,4kHz =8,3kHz AF=4,8dB - -3 o=5,khz Kc=3,6=const Kc()~3,6-4 KHz KHz 3KHz 4KHz 5KHz DB() DB(4) Fequency ys haakteystyka ampltudowa pzykładowej pay obwodów spzężonych Na ys. 4.7 wykeślono lną zaznaczoną ombam chaakteystykę ampltudową wyznaczoną pzy założenu, że unomowany współczynnk spzężena jest stały K 3, 6 const (ne zależy od częstotlwośc). W zeczywstośc watość współczynnka spzężena K ośne ze wzostem częstotlwośc zgodne ze wzoem (4.3) chaakteystyka zeczywsta jest taka jaką wykeślono lną zaznaczoną kwadatam. haakteystyka tac symetę geometyczną pochylając sę w lewo. W paktyce badzej kozystne byłoby, gdyby chaakteystyka pochylła sę w pawo zblżając sę do symet aytmetycznej. Dlatego najchętnej stosuje sę spzężene obwodów popzez ndukcyjność wzajemną M (lub ndukcyjność ), gdyż wtedy współczynnk spzężena

11 Andzej eśnck aboatoum Sygnałów Analogowych, Ćwczene 4 /9 K M M Q (lub K = Q ) (.37) maleje ze wzostem częstotlwośc, powodując pochylene sę chaakteystyk we właścwym keunku (w pawo). 3. Ops zestawu ćwczenowego 3.. Ops badanych obwodów Zestaw ćwczenowy składa sę z tzech płytek obwodów dukowanych z badanym obwodam ezonansowym gnazdkam, do któych podłącza sę pzyządy pomaowe. Płytka z szeegowym obwodem ezonansowym (ys. 4.8) zawea pzełączane kondensatoy (o pojemnoścach od 5nF do 55nF ze skokem co 5nF), stały ndukto =mh egulowany ezysto =k. Jest możlwe zealzowane szeegowego obwodu ezonansowego o częstotlwośc ezonansowej z pzedzału od,5khz do 7,3kHz. Doboć obwodu zależy od watośc egulowanej ezystancj. Do celów ćwczenowych należy ealzować obwody ze stosunkowo małą dobocą Q (zędu klku, tak jak to jest najczęścej w paktycznych obwodach). Obwód o dużej doboc ma badzo wąską kzywą ezonansową tudno byłoby zmezyć z zadowalającą dokładnoścą szeokość wąskego pasma pzepustowego. Z kole obwód o małej doboc (ponżej Q=) ma nadmene płaską kzywą ezonansową. E B 5 nf nf 3 nf 55 nf 5 nf 5 nf I mh ( Q 3) kω p A ys Schemat obwodu na płytce z szeegowym obwodem ezonansowym Płytka z ównoległym obwodem ezonansowym (ys. 4.9) zawea take same elementy jak szeegowy obwód ezonansowy, ale są one teaz połączone ównolegle. Dodatkowy ezysto pomaowy p = umożlwa poma pądu nduktoa. Maksymalna możlwa do osągnęca doboć jest ówna Q max =, pzy = 7,3kHz Q max = 7,4 pzy =,5kHz. Wpływ ezystoa p na doboć obwodu (nduktoa ) można pomnąć.

12 Andzej eśnck aboatoum Sygnałów Analogowych, Ćwczene 4 /9 B k 55 nf E J I N E 3 5nF nf nf 5nF 5nF ys Schemat obwodu na płytce z ównoległym obwodem ezonansowym mh Q 3 p Na płytce obwodu dukowanego z paą obwodów spzężonych pojemnoścowo (ys. 4.) można zmenać watośc elementów tak, aby osągnąć wybaną częstotlwość śodkową obwodu, doboć welkość spzężena. Zakes częstotlwośc śodkowych jest podobny jak w szeegowym ównoległym obwodze ezonansowym. Unomowany współczynnk spzężena może osągać watość aż do K,max = 38,6. Pzełącznk S należy ozewzeć na czas pomau ezystancj. A p E B 3 mh 3 Q k 5n n n 5n 5n 5n n n 5n 5n 55nF n n n 5n 5n 5nF 55nF Q mh 3 S A k ys. 4.. Schemat obwodu na płytce z paą obwodów spzężonych pojemnoścowych 3.. Zestaw pomaowy metoda pomau W skład zestawu pomaowego wchodzą pzyządy połączone zgodne ze schematem blokowym pokazanym z ys. 4.. Badany obwód jest pobudzany pzebegem snusodalnym z geneatoa popzez układ wtónka napęcowego. Dzęk temu ezystancja wewnętzna źódła sygnału jest paktyczne ówna zeu. Oscyloskop podłączony na wyjścu obwodu służy do szybkej oceny zman ampltudy sygnału w unkcj częstotlwośc. Woltomez wektoowy mezy stosunek napęć w dwóch punktach obwodu służy do pomau chaakteystyk częstotlwoścowych obwodu.

13 Andzej eśnck aboatoum Sygnałów Analogowych, Ćwczene 4 3/9 Woltomez cyowy 36, wskaźnk lg A B db Woltomez wektoowy, 3 db A B Woltomez cyowy 36, wskaźnk Multmet, poma ezystancj B A Oscyloskop katodowy Geneato Wtónk 65B G G WE Płytka z badanym obwodem WY Y ys. 4.. Zestaw pomaowy do badana obwodów ezonansowych Admtancja szeegowego obwodu ezonansowego jest wyznaczana na podstawe znajomośc ezystancj stosunku napęć A / B Y I E A (4.38) B Punkty pomaowe, w któych mezy sę napęca A B zaznaczono na ys Poma na częstotlwośc ezonansowej stosunku napęć ˆ ˆ p (4.36) E B pozwala wyznaczyć doboć obwodu Q ze wzou (4.9). Impedancja ównoległego obwodu ezonansowego jest wyznaczana z zależnośc Z A A (4.37) J B pzy czym punkty pomaowe, w któych mezy sę napęca A B zaznaczono na ys Dzęk umeszczenu w obwodze ezystoa pomaowego p jest możlwe zmezene doboc obwodu. Zachodz zależność

14 Andzej eśnck aboatoum Sygnałów Analogowych, Ćwczene 4 4/9 Q Iˆ J p p B (.38) Skuteczne wzmocnene napęcowe pay obwodów spzężonych mezy sę bezpośedno z zależnośc dencyjnej (4.9) H ve E A (4.39) B pzy czym punkty pomaowe, w któych mezy sę napęca A B zaznaczono na ys Pogam pzygotowana ćwczena A) PZYGOTOWANIE ĆWIZENIA. Zapojektuj szeegowy obwód ezonansowy. Pzyjmj ealzowalne w zestawe ćwczenowym watośc elementów,,. Oblcz paamety obwodu (częstotlwość ezonansowa, doboć, częstotlwośc ganczne, pasmo). Oblcz wykeśl w unkcj częstotlwośc moduł azę admtancj obwodu.. Zapojektuj ównoległy obwód ezonansowy. Pzyjmj ealzowalne w zestawe ćwczenowym watośc elementów,,. Oblcz paamety obwodu (częstotlwość ezonansowa, doboć, częstotlwośc ganczne, pasmo). Oblcz wykeśl w unkcj częstotlwośc moduł azę mpedancj obwodu. 3. Zapojektuj paę obwodów spzężonych pojemnoścowo. Pzyjmj ealzowalne w zestawe ćwczenowym watośc elementów obwodu. Oblcz paamety obwodu (częstotlwość śodkowa, doboć, spzężene, częstotlwośc ganczne, pasmo, wzmocnene w śodku pasma, zaalowane chaakteystyk ampltudowej). Oblcz wykeśl w unkcj częstotlwośc moduł azę skutecznego wzmocnena napęcowego H ve. B) EKSPEYMENTY I POMIAY. Zealzuj szeegowy obwód ezonansowy analzowany w punkce A. Zmez moduł azę admtancj obwodu w unkcj częstotlwośc. Zaobsewuj zjawsko pzepęca zmez doboć obwodu.. Zealzuj ównoległy obwód ezonansowy analzowany w punkce A. Zmez moduł azę mpedancj obwodu z unkcj częstotlwośc. Zaobsewuj zjawsko pzetężena zmez doboć obwodu. 3. Zealzuj paę obwodów spzężonych analzowaną w punkce A3. Zmez moduł azę skutecznego wzmocnena napęcowego H ve w unkcj częstotlwośc. ) OPAOWANIE WYNIKÓW I DYSKUSJA. Poównaj wynk oblczeń pomaów z punktów A B (kształt chaakteystyk modułu azy admtancj, częstotlwość ezonansowa, doboć, częstotlwośc ganczne, pasmo). Wykozystaj wynk pomaów do oblczena doboc obwodu wszystkm możlwym

15 Andzej eśnck aboatoum Sygnałów Analogowych, Ćwczene 4 5/9 metodam. Pzedyskutuj pzyczyny zaobsewowanych ozbeżnośc wynków oblczeń pomaów.. Poównaj wynk oblczeń pomaów z punktów A B (kształt chaakteystyk modułu azy mpedancj, częstotlwość ezonansowa, doboć, częstotlwość ganczna, pasmo). Wykozystaj wynk pomaów do oblczena doboc obwodu wszystkm możlwym metodam. Pzedyskutuj pzyczyny zaobsewowanych ozbeżnośc wynków oblczeń pomaów. 3. Poównaj wynk oblczeń pomaów z punktów A3 B3 (kształt chaakteystyk modułu azy skutecznego wzmocnena napęcowego, częstotlwość śodkowa, częstotlwośc ganczne, pasmo, wzmocnene w śodku pasma, zaalowane). Pzedyskutuj pzyczyny zaobsewowanych ozbeżnośc. 4. Wykaż, że moduły napęć (pądów) na elementach szeegowego (ównoległego) obwodu ezonansowego mają ekstema o współzędnych jak na ys. 4.a. Jaka jest mnmalna watość doboc, pzy któej ekstema w ogóle występują? 5. Wypowadź wzoy na doboć szeegowego ównoległego obwodu ezonansowego z zależnośc dencyjnej (4.4) na doboć dowolnego ezonatoa. 6. Wypowadź wzó (4.9) na doboć szeegowego obwodu ezonansowego. 7. Wypowadź wzó na pasmo B db pojedynczego obwodu ezonansowego w zależnośc odjego częstotlwośc ezonansowej doboc (pzyjmj, że db lg,5). Jaka jest kotność pasma jednodecybelowego względem pasma tzydecybelowego? 8. Wypowadź wzoy na ekstema chaakteystyk modułu skutecznego wzmocnena napęcowego pay obwodów spzężonych. Wykaż, że pzy K = chaakteystyka jest maksymalne płaska MPA. zy jest możlwe osągnęce maksymalne lnowej azy MF? Pzy jakej watośc spzężena K symetyczna paa obwodów spzężonych ma maksymalne wzmocnene w śodku pasma? 9. Jak kozystny wpływ na kształt chaakteystyk ampltudowej ma zastosowane spzężena ndukcyjnoścowego lub popzez ndukcyjność wzajemną zamast spzężena pojemnoścowego?. Dlaczego w obwodach spzężonych ne stosuje sę spzężena konduktancyjnego, mmo ż wydaje sę ono atakcyjne ze względu na stałość spzężena w unkcj częstotlwośc? Wskazówka: oszacuj możlwą do osągnęca watość K G.. Podaj pzykłady paktycznych zastosowań badanych obwodów. 5. Komputeowe pzygotowane ćwczena W.4 P. SZEEGOWY OBWOD EZONANSOWY IN A 3 ohm 3 mh nf.a IN 5.kHz khz.pobe () () (3) I().END

16 Andzej eśnck aboatoum Sygnałów Analogowych, Ćwczene 4 6/ QE/sqt(-/4Q*Q)=3. QE=3.6 A B =mh =nf =ohm =5.3kHz.5 Q= E= kHz 5.5kHz Hz KHz KHz 3KHz 4KHz 5KHz 6KHz 7KHz 8KHz 9KHz KHz (3) (,) (,3) (,3) Fequency ys. 4.. haakteystyk ampltudowe szeegowego obwodu ezonansoweg m Y 8m ms/sqt() B3dB=5.9kHz 6m 4m m d g 43kHz 58.9kHz 5.3kHz Hz KHz KHz 3KHz 4KHz 5KHz 6KHz 7KHz 8KHz 9KHz KHz abs(i())/ Fequency

17 Andzej eśnck aboatoum Sygnałów Analogowych, Ćwczene 4 7/9 d ag(y) 8d 6d 45d 4d d -d ala tg(ala)=q/w -d -4d -45d -6d d g 43kHz 58.9kHz -8d 5.3kHz Hz KHz KHz 3KHz 4KHz 5KHz 6KHz 7KHz 8KHz 9KHz KHz IP() Fequency 4us opoznene gupowe us tau g=-d agy(w)/dw Q/w=. us 6us us 8us 4us s Hz KHz KHz 3KHz 4KHz 5KHz 6KHz 7KHz 8KHz 9KHz KHz IG() Fequency ys haakteystyk częstotlwoścowe szeegowego obwodu ezonansowego W.4 P. OWNOEGY OBWOD EZONANSOWY IN A kohm mh nf.a IN.kHz khz.end

18 Andzej eśnck aboatoum Sygnałów Analogowych, Ćwczene 4 8/9.K =kohm Z =mh =nf.8k Q=3.6 B3dB=5.9kHz =5.3kHz.6K.4K.K d 43kHz g 58.9kHz 5.3kHz Hz KHz KHz 3KHz 4KHz 5KHz 6KHz 7KHz 8KHz 9KHz KHz k*()/() Fequency 9d 5d 45d d ala tg(ala)=q/w -45d -5d d g 43kHz 58.9kHz 5.3kHz -9d Hz KHz KHz 3KHz 4KHz 5KHz 6KHz 7KHz 8KHz 9KHz KHz P() Fequency ys haakteystyk częstotlwoścowe ównoległego obwodu ezonansowego W.4 P.3 PAA OBWODOW SPZEZONYH IN 3 A 3 kohm kohm mh mh 3nF 3nF nf.a IN 5.kHz 5kHz

19 Andzej eśnck aboatoum Sygnałów Analogowych, Ćwczene 4 9/9.END Hvs dB Hvs =-.8dB =4.8dB K()= o.4khz 5.kHz 8.3kHz -4 Hz 5KHz KHz 5KHz KHz 5KHz 3KHz 35KHz 4KHz 45KHz 5KHz db() Fequency -d ag(hvs) -5d -8d -d -5d -3d -7d -35d -36d -4d o.4khz 5.kHz 8.3kHz -45d Hz 5KHz KHz 5KHz KHz 5KHz 3KHz 35KHz 4KHz 45KHz 5KHz P() Fequency ys haakteystyk częstotlwoścowe pay obwodów spzężonych

ĆWICZENIE 3 REZONANS W OBWODACH ELEKTRYCZNYCH

ĆWICZENIE 3 REZONANS W OBWODACH ELEKTRYCZNYCH ĆWZENE 3 EZONANS W OBWODAH EEKTYZNYH el ćwiczenia: spawdzenie podstawowych właściwości szeegowego i ównoległego obwodu ezonansowego pzy wymuszeniu napięciem sinusoidalnym, zbadanie wpływu paametów obwodu

Bardziej szczegółowo

INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA

INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NSTRKJA DO ĆWZENA Temat: Rezonans w obwodach elektycznych el ćwiczenia elem ćwiczenia jest doświadczalne spawdzenie podstawowych właściwości szeegowych i ównoległych ezonansowych obwodów elektycznych.

Bardziej szczegółowo

Podstawowe konfiguracje wzmacniaczy tranzystorowych. Klasyfikacja wzmacniaczy. Klasyfikacja wzmacniaczy

Podstawowe konfiguracje wzmacniaczy tranzystorowych. Klasyfikacja wzmacniaczy. Klasyfikacja wzmacniaczy Podstawo konguacje wzmacnaczy tanzystoowych Wocław 08 Klasykacja wzmacnaczy Ze względu na zastosowany element steowany: -- lampo -- tanzystoo Klasykacja wzmacnaczy Ze względu na zakes częstotlwośc wzmacnanych

Bardziej szczegółowo

Obwody rezonansowe v.3.1

Obwody rezonansowe v.3.1 Politechnika Waszawska Instytut Radioelektoniki Zakład Radiokomunikacji WIEZOROWE STDIA ZAWODOWE ABORATORIM OBWODÓW I SYGNAŁÓW Obwody ezonansowe v.3. Opacowanie: d inż. Kaol Radecki Waszawa, kwiecień 008

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI

LABORATORIUM ELEKTRONIKI LABOATOIUM ELEKTONIKI ĆWICENIE 2 DIODY STABILIACYJNE K A T E D A S Y S T E M Ó W M I K O E L E K T O N I C N Y C H 21 CEL ĆWICENIA Celem ćwiczenia jest paktyczne zapoznanie się z chaakteystykami statycznymi

Bardziej szczegółowo

5. CHARAKTERYSTYKI CZĘSTOTLIWOŚCIOWE

5. CHARAKTERYSTYKI CZĘSTOTLIWOŚCIOWE 5. CHARAKTERYSTYKI CZĘSTOTLIWOŚCIOWE Oprócz transmtancj operatorowej, do opsu członów układów automatyk stosuje sę tzw. transmtancję wdmową. Transmtancję wdmową G(j wyznaczyć moŝna dzęk podstawenu do wzoru

Bardziej szczegółowo

Energia potencjalna jest energią zgromadzoną w układzie. Energia potencjalna może być zmieniona w inną formę energii (na przykład energię kinetyczną)

Energia potencjalna jest energią zgromadzoną w układzie. Energia potencjalna może być zmieniona w inną formę energii (na przykład energię kinetyczną) 1 Enega potencjalna jest enegą zgomadzoną w układze. Enega potencjalna może być zmenona w nną omę eneg (na pzykład enegę knetyczną) może być wykozystana do wykonana pacy. Sumę eneg potencjalnej knetycznej

Bardziej szczegółowo

Filtry analogowe. Opracowanie: Zbigniew Kulesza Literatura: U. Tietze, Ch. Schenk Układy Półprzewodnikowe, rozdział 14, WNT

Filtry analogowe. Opracowanie: Zbigniew Kulesza Literatura: U. Tietze, Ch. Schenk Układy Półprzewodnikowe, rozdział 14, WNT Flty analoowe Opacowane: bnew lesza Lteata: U. Tetze, Ch. Schenk Układy Półpzewodnkowe, ozdzał, WNT. Paamety opsjące flty: a) chaakteystyka ampltdowo częstotlwoścowa: - pzebe w zakese pzepstowym (występowane

Bardziej szczegółowo

ROZKŁAD NORMALNY. 2. Opis układu pomiarowego. Ćwiczenie może być realizowane za pomocą trzech wariantów zestawów pomiarowych: A, B i C.

ROZKŁAD NORMALNY. 2. Opis układu pomiarowego. Ćwiczenie może być realizowane za pomocą trzech wariantów zestawów pomiarowych: A, B i C. ĆWICZENIE 1 Opacowane statystyczne wynków ROZKŁAD NORMALNY 1. Ops teoetyczny do ćwczena zameszczony jest na stone www.wtc.wat.edu.pl w dzale DYDAKTYKA FIZYKA ĆWICZENIA LABORATORYJNE (Wstęp do teo pomaów).

Bardziej szczegółowo

należą do grupy odbiorników energii elektrycznej idealne elementy rezystancyjne przekształcają energię prądu elektrycznego w ciepło

należą do grupy odbiorników energii elektrycznej idealne elementy rezystancyjne przekształcają energię prądu elektrycznego w ciepło 07 0 Opacował: mg inż. Macin Wieczoek www.mawie.net.pl. Elementy ezystancyjne. należą do gupy odbioników enegii elektycznej idealne elementy ezystancyjne pzekształcają enegię pądu elektycznego w ciepło.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2. Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych

Ćwiczenie 2. Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych Ćwczene arametry statyczne tranzystorów bpolarnych el ćwczena odstawowym celem ćwczena jest poznane statycznych charakterystyk tranzystorów bpolarnych oraz metod dentyfkacj parametrów odpowadających m

Bardziej szczegółowo

OBWODY PRĄDU SINUSOIDALNEGO

OBWODY PRĄDU SINUSOIDALNEGO aboatoium Elektotechniki i elektoniki Temat ćwiczenia: BOTOM 06 OBODY ĄD SSODEGO omiay pądu, napięcia i mocy, wyznaczenie paametów modeli zastępczych cewki indukcyjnej, kondensatoa oaz oponika, chaakteystyki

Bardziej szczegółowo

Politechnika Wrocławska Instytut Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych. Materiał ilustracyjny do przedmiotu

Politechnika Wrocławska Instytut Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych. Materiał ilustracyjny do przedmiotu Poltechnka Wrocławska nstytut Maszyn, Napędów Pomarów Elektrycznych A KŁ A D M A S Z YN E EK T Materał lustracyjny do przedmotu EEKTOTEHNKA Y Z N Y Z H Prowadzący: * (z. ) * M N Dr nż. Potr Zelńsk (-9,

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI Badanie obwodów prądu sinusoidalnie zmiennego

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI Badanie obwodów prądu sinusoidalnie zmiennego Ćwczene 1 Wydzał Geonżyner, Górnctwa Geolog ABORATORUM PODSTAW EEKTROTECHNK Badane obwodów prądu snusodalne zmennego Opracował: Grzegorz Wśnewsk Zagadnena do przygotowana Ops elementów RC zaslanych prądem

Bardziej szczegółowo

POLE MAGNETYCZNE W PRÓŻNI - CD. Zjawisko indukcji elektromagnetycznej polega na powstawaniu prądu elektrycznego w

POLE MAGNETYCZNE W PRÓŻNI - CD. Zjawisko indukcji elektromagnetycznej polega na powstawaniu prądu elektrycznego w POL AGNTYCZN W PRÓŻNI - CD Indukcja elektomagnetyczna Zjawsko ndukcj elektomagnetycznej polega na powstawanu pądu elektycznego w zamknętym obwodze wskutek zmany stumena wektoa ndukcj magnetycznej. Np.

Bardziej szczegółowo

Wykład 15 Elektrostatyka

Wykład 15 Elektrostatyka Wykład 5 Elektostatyka Obecne wadome są cztey fundamentalne oddzaływana: slne, elektomagnetyczne, słabe gawtacyjne. Slne słabe oddzaływana odgywają decydującą ole w budowe jąde atomowych cząstek elementanych.

Bardziej szczegółowo

EUROELEKTRA. Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej. Rok szkolny 2013/2014

EUROELEKTRA. Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej. Rok szkolny 2013/2014 EUROELEKTRA Ogólnopolska Olmpada Wedzy Elektrycznej Elektroncznej Rok szkolny 232 Zadana z elektronk na zawody III stopna (grupa elektronczna) Zadane. Oblczyć wzmocnene napęcowe, rezystancję wejścową rezystancję

Bardziej szczegółowo

Sprawozdanie powinno zawierać:

Sprawozdanie powinno zawierać: Sprawozdane pownno zawerać: 1. wypełnoną stronę tytułową (gotowa do ćw. nr 0 na strone drugej, do pozostałych ćwczeń zameszczona na strone 3), 2. krótk ops celu dośwadczena, 3. krótk ops metody pomaru,

Bardziej szczegółowo

Politechnika Wrocławska Instytut Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych. Materiał ilustracyjny do przedmiotu. (Cz. 2)

Politechnika Wrocławska Instytut Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych. Materiał ilustracyjny do przedmiotu. (Cz. 2) Poltechnka Wrocławska nstytut Maszyn, Napędów Pomarów Elektrycznych Materał lustracyjny do przedmotu EEKTOTEHNKA (z. ) Prowadzący: Dr nż. Potr Zelńsk (-9, A10 p.408, tel. 30-3 9) Wrocław 005/6 PĄD ZMENNY

Bardziej szczegółowo

ZASADA ZACHOWANIA MOMENTU PĘDU: PODSTAWY DYNAMIKI BRYŁY SZTYWNEJ

ZASADA ZACHOWANIA MOMENTU PĘDU: PODSTAWY DYNAMIKI BRYŁY SZTYWNEJ ZASADA ZACHOWANIA MOMENTU PĘDU: PODSTAWY DYNAMIKI BYŁY SZTYWNEJ 1. Welkośc w uchu obotowym. Moment pędu moment sły 3. Zasada zachowana momentu pędu 4. uch obotowy były sztywnej względem ustalonej os -II

Bardziej szczegółowo

Pracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 3. Analiza obwodów RLC przy wymuszeniach sinusoidalnych w stanie ustalonym

Pracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 3. Analiza obwodów RLC przy wymuszeniach sinusoidalnych w stanie ustalonym ĆWCZENE 3 Analza obwodów C przy wymszenach snsodalnych w stane stalonym 1. CE ĆWCZENA Celem ćwczena jest praktyczno-analtyczna ocena obwodów elektrycznych przy wymszenach snsodalne zmennych.. PODSAWY EOEYCZNE

Bardziej szczegółowo

Układ szeregowy R, L, C (gałąź R, X)

Układ szeregowy R, L, C (gałąź R, X) 6 Elementy obwodów pąd nodalnego 7 Wykład XIV KŁADY DWÓJNIKÓW EEMENTAMI MOE DWÓJNIKÓW EONANS EEKTYNY kład zeegowy (gałąź X) Pzyjmje ę ψ = 0 ψ = ϕ Gdy gdy = I nω t = X I n( = I nω t = n( ω t + ϕ) = X I

Bardziej szczegółowo

WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ Instytut Fizyki LABORATORIUM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI, ELEKTRONIKI I MIERNICTWA

WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ Instytut Fizyki LABORATORIUM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI, ELEKTRONIKI I MIERNICTWA WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POITEHNIKI KRAKOWSKIEJ Instytut Fizyki ABORATORIUM PODSTAW EEKTROTEHNIKI, EEKTRONIKI I MIERNITWA ĆWIZENIE 7 Pojemność złącza p-n POJĘIA I MODEE potzebne do zozumienia

Bardziej szczegółowo

Przygotowanie do Egzaminu Potwierdzającego Kwalifikacje Zawodowe

Przygotowanie do Egzaminu Potwierdzającego Kwalifikacje Zawodowe Pzygotowanie do Egzaminu Potwiedzającego Kwalifikacje Zawodowe Powtózenie mateiału Opacował: mg inż. Macin Wieczoek Jednostki podstawowe i uzupełniające układu SI. Jednostki podstawowe Wielkość fizyczna

Bardziej szczegółowo

Wyznaczanie współczynnika sztywności zastępczej układu sprężyn

Wyznaczanie współczynnika sztywności zastępczej układu sprężyn Wyznaczane zastępczej sprężyn Ćwczene nr 10 Wprowadzene W przypadku klku sprężyn ze sobą połączonych, można mu przypsać tzw. współczynnk zastępczej k z. W skrajnych przypadkach sprężyny mogą być ze sobą

Bardziej szczegółowo

Metody analizy obwodów

Metody analizy obwodów Metody analzy obwodów Metoda praw Krchhoffa, która jest podstawą dla pozostałych metod Metoda transfguracj, oparte na przekształcenach analzowanego obwodu na obwód równoważny Metoda superpozycj Metoda

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze tranzystorowe prądu stałego

Wzmacniacze tranzystorowe prądu stałego Wzmacniacze tanzystoo pądu stałego Wocław 03 kład Dalingtona (układ supe-β) C kład stosowany gdy potzebne duże wzmocnienie pądo (np. do W). C C C B T C B B T C C + β ' B B C β + ( ) C B C β β β B B β '

Bardziej szczegółowo

Pomiary parametrów akustycznych wnętrz.

Pomiary parametrów akustycznych wnętrz. Pomary parametrów akustycznych wnętrz. Ocena obektywna wnętrz pod względem akustycznym dokonywana jest na podstawe wartośc następujących parametrów: czasu pogłosu, wczesnego czasu pogłosu ED, wskaźnków

Bardziej szczegółowo

Podstawy Procesów i Konstrukcji Inżynierskich. Ruch obrotowy INZYNIERIAMATERIALOWAPL. Kierunek Wyróżniony przez PKA

Podstawy Procesów i Konstrukcji Inżynierskich. Ruch obrotowy INZYNIERIAMATERIALOWAPL. Kierunek Wyróżniony przez PKA Podstawy Pocesów Konstukcj Inżyneskch Ruch obotowy Keunek Wyóżnony pzez PKA 1 Ruch jednostajny po okęgu Ruch cząstk nazywamy uchem jednostajnym po okęgu jeśl pousza sę ona po okęgu lub kołowym łuku z pędkoścą

Bardziej szczegółowo

REZONANS ELEKTROMAGNETYCZNY

REZONANS ELEKTROMAGNETYCZNY 0 in ω t niweytet Wocławki, Intytut Fizyki Doświadczalnej, I Pacownia y. Schemat zeegowego obwodu Ćwiczenie n 59 EONANS EEKTOMAGNETYNY I. WSTĘP Dla obwodów elektycznych zailanych napięciem tałym, tounek

Bardziej szczegółowo

EFEKTYWNA STOPA PROCENTOWA O RÓWNOWAŻNA STPOPA PROCENTOWA

EFEKTYWNA STOPA PROCENTOWA O RÓWNOWAŻNA STPOPA PROCENTOWA EFEKTYWNA STOPA PROCENTOWA O RÓWNOWAŻNA STPOPA PROCENTOWA Nekedy zachodz koneczność zany okesu kapt. z ównoczesny zachowane efektów opocentowane. Dzeje sę tak w nektóych zagadnenach ateatyk fnansowej np.

Bardziej szczegółowo

2. REZONANS W OBWODACH ELEKTRYCZNYCH

2. REZONANS W OBWODACH ELEKTRYCZNYCH 2. EZONANS W OBWODAH EEKTYZNYH 2.. ZJAWSKO EZONANS Obwody elektryczne, w których występuje zjawisko rezonansu nazywane są obwodami rezonansowymi lub drgającymi. ozpatrując bezźródłowy obwód elektryczny,

Bardziej szczegółowo

BADANIE CHARAKTERYSTYKI DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWEJ

BADANIE CHARAKTERYSTYKI DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWEJ Fzyka cała stałego, Elektyczość magetyzm BADANIE CHARAKTERYTYKI DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWEJ 1. Ops teoetyczy do ćwczea zameszczoy jest a stoe www.wtc.wat.edu.pl w dzale DYDAKTYKA FIZYKA ĆWICZENIA LABORATORYJNE..

Bardziej szczegółowo

GEOMETRIA PŁASZCZYZNY

GEOMETRIA PŁASZCZYZNY GEOMETRIA PŁASZCZYZNY. Oblicz pole tapezu ównoamiennego, któego podstawy mają długość cm i 0 cm, a pzekątne są do siebie postopadłe.. Dany jest kwadat ABCD. Punkty E i F są śodkami boków BC i CD. Wiedząc,

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE NR 2 POMIARY W OBWODACH RLC PRĄDU PRZEMIENNEGO

ĆWICZENIE NR 2 POMIARY W OBWODACH RLC PRĄDU PRZEMIENNEGO ĆWENE N POMAY W OBWODAH PĄD PEMENNEGO el ćwczena: dośwadczalne sprawdzene prawa Oha, praw Krchhoffa zależnośc fazowych ędzy snsodalne zenny przebega prądów napęć w obwodach zawerających eleenty,,, oraz

Bardziej szczegółowo

MIERNICTWO WIELKOŚCI ELEKTRYCZNYCH I NIEELEKTRYCZNYCH

MIERNICTWO WIELKOŚCI ELEKTRYCZNYCH I NIEELEKTRYCZNYCH Politechnika Białostocka Wydział Elektyczny Kateda Elektotechniki Teoetycznej i Metologii nstukcja do zajęć laboatoyjnych z pzedmiotu MENCTWO WEKOŚC EEKTYCZNYCH NEEEKTYCZNYCH Kod pzedmiotu: ENSC554 Ćwiczenie

Bardziej szczegółowo

Fizyka 7. Janusz Andrzejewski

Fizyka 7. Janusz Andrzejewski Fzyka 7 Janusz Andzejewsk Poblem: Dlaczego begacze na stadone muszą statować z óżnych mejsc wbegu na 400m? Janusz Andzejewsk Ruch obotowy Cało sztywne Cało, któe obaca sę w tak sposób, że wszystke jego

Bardziej szczegółowo

9 K A TEDRA FIZYKI STOSOWANEJ P R A C O W N I A F I Z Y K I

9 K A TEDRA FIZYKI STOSOWANEJ P R A C O W N I A F I Z Y K I 9 K A TEDRA FIZYKI STOSOWANEJ P R A C O W N I A F I Z Y K I Ćw. 9. Spawdzene dugej zasady dynamk uchu obotowego Wpowadzene Pzez byłę sztywną ozumemy cało, któe pod wpływem dzałana sł ne zmena swego kształtu,

Bardziej szczegółowo

POMIAR WSPÓŁCZYNNIKÓW ODBICIA I PRZEPUSZCZANIA

POMIAR WSPÓŁCZYNNIKÓW ODBICIA I PRZEPUSZCZANIA Ćwczene O5 POMIAR WSPÓŁCZYNNIKÓW ODBICIA I PRZEPUSZCZANIA 1. Cel zakres ćwczena Celem ćwczena jest poznane metod pomaru współczynnków odbca przepuszczana próbek płaskch 2. Ops stanowska laboratoryjnego

Bardziej szczegółowo

Politechnika Wrocławska Katedra Teorii Pola, Układów Elektronicznych i Optoelektroniki. Wykład 10 UKŁADY ELEKTRONICZNE

Politechnika Wrocławska Katedra Teorii Pola, Układów Elektronicznych i Optoelektroniki. Wykład 10 UKŁADY ELEKTRONICZNE Kateda Teo Pola, Układów lektoncznych Optoelektonk Wykład 0 UKŁADY LKTONIZN Wocław 203 Klasyfkacja wzacnaczy Ze wzlęd na zastosowany eleent steowany: -- lapo -- tanzystoo Klasyfkacja wzacnaczy Ze wzlęd

Bardziej szczegółowo

Autoreferat* 2) Posiadane dyplomy, stopnie naukowe/artystyczne z podaniem nazwy, miejsca i roku ich uzyskania.

Autoreferat* 2) Posiadane dyplomy, stopnie naukowe/artystyczne z podaniem nazwy, miejsca i roku ich uzyskania. Załącznk n 3 Autoeeat* 1 Imę Nazwsko: Kzyszto udwnek 2 Posadane dyplomy stopne naukowe/atystyczne z podanem nazwy mejsca oku ch uzyskana. Dyplom magsta nżynea elektyka: Poltechnka Śwętokzyska - Kelce Wydzał

Bardziej szczegółowo

WPŁYW POJEMNOŚCI KONDENSATORA PRACY JEDNOFAZOWEGO SILNIKA INDUKCYJNEGO Z POMOCNICZYM UZWOJENIEM KONDENSATOROWYM NA PROCES ROZRUCHU

WPŁYW POJEMNOŚCI KONDENSATORA PRACY JEDNOFAZOWEGO SILNIKA INDUKCYJNEGO Z POMOCNICZYM UZWOJENIEM KONDENSATOROWYM NA PROCES ROZRUCHU Pace Nakowe Instytt Maszyn, Napędów Pomaów Elektycznych N 63 Poltechnk Wocławskej N 63 Stda Mateały N 29 2009 Kzysztof MAKOWSKI*, Macn WIK* mkoslnk, jednofazowe, ndkcyjne, kondensatoowe, modelowane obwodowe,

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE NR 2 BADANIA OBWODÓW RLC PRĄDU HARMONICZNEGO

ĆWICZENIE NR 2 BADANIA OBWODÓW RLC PRĄDU HARMONICZNEGO ĆWENE N BADANA OBWODÓW PĄD HAMONNEGO el ćwczena: dośwadczalne sprawdzene prawa Oha praw Krchhoffa oraz zależnośc fazowych poędzy snusodalne zenny przebega prądów napęć w obwodach zawerających eleenty,,,

Bardziej szczegółowo

Aktywny rozdzielacz zasilania x3 LM317

Aktywny rozdzielacz zasilania x3 LM317 Infomacje o podukcie Utwozo 29-01-2017 Aktywny ozdzielacz zasilania x3 LM317 Cena : 30,00 zł N katalogowy : ELEK-053 Poducent : Dostępność : Dostępny Stan magazynowy : badzo wysoki Śednia ocena : bak ecenzji

Bardziej szczegółowo

ROZKŁAD NORMALNY. 2. Opis układu pomiarowego

ROZKŁAD NORMALNY. 2. Opis układu pomiarowego ROZKŁAD ORMALY 1. Opis teoetyczny do ćwiczenia zamieszczony jest na stonie www.wtc.wat.edu.pl w dziale DYDAKTYKA FIZYKA ĆWICZEIA LABORATORYJE (Wstęp do teoii pomiaów). 2. Opis układu pomiaowego Ćwiczenie

Bardziej szczegółowo

Indukcja elektromagnetyczna Indukcyjność Drgania w obwodach elektrycznych

Indukcja elektromagnetyczna Indukcyjność Drgania w obwodach elektrycznych ndukcja eektomagnetyczna ndukcyjność Dgana w obwodach eektycznych Pawo ndukcj eektomagnetycznej Faadaya > d zewnętzne poe magnetyczne skeowane za płaszczyznę ysunku o watośc osnącej w funkcj czasu. ds

Bardziej szczegółowo

Twierdzenie Bezouta i liczby zespolone Javier de Lucas. Rozwi azanie 2. Z twierdzenia dzielenia wielomianów, mamy, że

Twierdzenie Bezouta i liczby zespolone Javier de Lucas. Rozwi azanie 2. Z twierdzenia dzielenia wielomianów, mamy, że Twerdzene Bezouta lczby zespolone Javer de Lucas Ćwczene 1 Ustal dla których a, b R można podzelć f 1 X) = X 4 3X 2 + ax b przez f 2 X) = X 2 3X+2 Oblcz a b Z 5 jeżel zak ladamy, że f 1 f 2 s a welomanam

Bardziej szczegółowo

ELEKTROMAGNETYCZNE DRGANIA WYMUSZONE W OBWODZIE RLC. 1. Podstawy fizyczne

ELEKTROMAGNETYCZNE DRGANIA WYMUSZONE W OBWODZIE RLC. 1. Podstawy fizyczne Politechnika Waszawska Wydział Fizyki Laboatoium Fizyki I Płd. Maek Kowalski ELEKTROMAGNETYZNE RGANIA WYMUSZONE W OBWOZIE RL. Podstawy fizyczne gania są zjawiskiem powszechnie występującym w pzyodzie i

Bardziej szczegółowo

Wykład 12. Reinhard Kulessa 1

Wykład 12. Reinhard Kulessa 1 Wykład 6.5 Zjawsko samondukcj 7 Enega pola ndukcj magneycznej 8 Pądu zmenne 8. mpedancja obwodów pądu zmennego 8. Sumowane mpedancj 8.3 Moc pądu zmennego 8.4 Tansfomao 8.5 ezonans szeegowy (pądowy 8.6

Bardziej szczegółowo

Analiza termodynamiczna ożebrowanego wymiennika ciepła z nierównomiernym dopływem czynników

Analiza termodynamiczna ożebrowanego wymiennika ciepła z nierównomiernym dopływem czynników Instytut Technk Ceplnej Poltechnk Śląskej Analza temodynamczna ożebowanego wymennka cepła z neównomenym dopływem czynnków mg nż. Robet Pątek pomoto: pof. Jan Składzeń Plan pezentacj Wstęp Cel, teza zakes

Bardziej szczegółowo

2 Przykład C2a C /BRANCH C. <-I--><Flux><Name><Rmag> TRANSFORMER RTop_A RRRRRRLLLLLLUUUUUU 1 P1_B P2_B 2 S1_B SD_B 3 SD_B S2_B

2 Przykład C2a C /BRANCH C. <-I--><Flux><Name><Rmag> TRANSFORMER RTop_A RRRRRRLLLLLLUUUUUU 1 P1_B P2_B 2 S1_B SD_B 3 SD_B S2_B PRZYKŁAD A Utwozyć model sieci z dwuuzwojeniowym, tójfazowym tansfomatoem 110/0kV. Model powinien zapewnić symulację zwać wewnętznych oaz zadawanie watości początkowych indukcji w poszczególnych fazach.

Bardziej szczegółowo

Praca i energia. x jest. x i W Y K Ł A D 5. 6-1 Praca i energia kinetyczna. Ruch jednowymiarowy pod działaniem stałych sił.

Praca i energia. x jest. x i W Y K Ł A D 5. 6-1 Praca i energia kinetyczna. Ruch jednowymiarowy pod działaniem stałych sił. ykład z fzyk. Pot Pomykewcz 40 Y K Ł A D 5 Pa enega. Pa enega odgywają waŝną olę zaówno w fzyce jak w codzennym Ŝycu. fzyce ła wykonuje konketną pacę, jeŝel dzała ona na pzedmot ma kładową wzdłuŝ pzemezczena

Bardziej szczegółowo

POMIAR PĘTLI HISTEREZY MAGNETYCZNEJ

POMIAR PĘTLI HISTEREZY MAGNETYCZNEJ POMAR PĘTL STEREZ MAGNETZNEJ 1. Opis teoetyczny do ćwiczenia zamieszczony jest na stonie www.wtc.wat.edu.pl w dziale DDAKTKA FZKA ĆZENA LABORATORJNE.. Opis układu pomiaowego Mateiały feomagnetyczne (feyt,

Bardziej szczegółowo

A. POMIARY FOTOMETRYCZNE Z WYKORZYSTANIEM FOTOOGNIWA SELENOWEGO

A. POMIARY FOTOMETRYCZNE Z WYKORZYSTANIEM FOTOOGNIWA SELENOWEGO 10.X.010 ĆWCZENE NR 70 A. POMARY FOTOMETRYCZNE Z WYKORZYSTANEM FOTOOGNWA SELENOWEGO. Zestaw pzyządów 1. Ogniwo selenowe.. Źódło światła w obudowie 3. Zasilacz o wydajności pądowej min. 5A 4. Ampeomiez

Bardziej szczegółowo

* ZESTAW DO SAMODZIELNEGO MONTAŻU *

* ZESTAW DO SAMODZIELNEGO MONTAŻU * Infomacje o podukcie Utwozo 22-12-2017 Elekticzne obciążenie DC - zestaw do samodzielnego mtażu Cena : 130,00 zł N katalogowy : ELEK-076 Poducent : mini moduły Dostępność : Dostępny Stan magazynowy : badzo

Bardziej szczegółowo

3. ŁUK ELEKTRYCZNY PRĄDU STAŁEGO I PRZEMIENNEGO

3. ŁUK ELEKTRYCZNY PRĄDU STAŁEGO I PRZEMIENNEGO 3. ŁUK ELEKTRYCZNY PRĄDU STŁEGO I PRZEMIENNEGO 3.1. Cel zakres ćwczena Celem ćwczena jest zapoznane sę z podstawowym właścwoścam łuku elektrycznego palącego sę swobodne, w powetrzu o cśnentmosferycznym.

Bardziej szczegółowo

ZAPOROWY QUASI REZONANSOWY PRZEKSZTAŁNIK PODWYŻSZAJĄCY NAPIĘCIE

ZAPOROWY QUASI REZONANSOWY PRZEKSZTAŁNIK PODWYŻSZAJĄCY NAPIĘCIE POZNAN UNVE RSTY OF TE CHNOLOGY ACADE MC JOURNALS No 9 Electical Engineeing 07 DO 0.008/j.897-0737.07.9.0007 Michał HARASMCZUK* ZAPOROWY QUAS REZONANSOWY PRZEKSZTAŁNK PODWYŻSZAJĄCY NAPĘCE W atykule pzedstawiono

Bardziej szczegółowo

Podstawowe konfiguracje wzmacniaczy tranzystorowych

Podstawowe konfiguracje wzmacniaczy tranzystorowych Politechnika Wocławska Podstawo koniacje wzmacniaczy tanzystoowych Wocław 00 Politechnika Wocławska Klasyikacja wzmacniaczy Ze wzlęd na zastosowany element steowany: -- lampo -- tanzystoo Politechnika

Bardziej szczegółowo

WYZNACZENIE CHARAKTERYSTYK DYNAMICZNYCH PRZETWORNIKÓW POMIAROWYCH

WYZNACZENIE CHARAKTERYSTYK DYNAMICZNYCH PRZETWORNIKÓW POMIAROWYCH Zakład Metrolog Systemów Pomarowych P o l t e c h n k a P o z n ańska ul. Jana Pawła II 6-965 POZNAŃ (budynek Centrum Mechatronk, Bomechank Nanonżyner) www.zmsp.mt.put.poznan.pl tel. +8 6 665 35 7 fa +8

Bardziej szczegółowo

KURS STATYSTYKA. Lekcja 6 Regresja i linie regresji ZADANIE DOMOWE. www.etrapez.pl Strona 1

KURS STATYSTYKA. Lekcja 6 Regresja i linie regresji ZADANIE DOMOWE. www.etrapez.pl Strona 1 KURS STATYSTYKA Lekcja 6 Regresja lne regresj ZADANIE DOMOWE www.etrapez.pl Strona 1 Część 1: TEST Zaznacz poprawną odpowedź (tylko jedna jest prawdzwa). Pytane 1 Funkcja regresj I rodzaju cechy Y zależnej

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTOR BIPOLARNY CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE

TRANZYSTOR BIPOLARNY CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE POLITHNIKA RZSZOWSKA Katedra Podstaw lektronk Instrkcja Nr4 F 00/003 sem. letn TRANZYSTOR IPOLARNY HARAKTRYSTYKI STATYZN elem ćwczena jest pomar charakterystyk statycznych tranzystora bpolarnego npn lb

Bardziej szczegółowo

Projekt 2 Filtr analogowy

Projekt 2 Filtr analogowy atedra Mkroelektronk Technk Informatycznych Poltechnk Łódzkej; ompterowe projektowane kładów Projekt Fltr analogowy aprojektować zbadać fltr zadanego rzęd o charakterystyce podanej przez prowadzącego.

Bardziej szczegółowo

Zaawansowane metody numeryczne Komputerowa analiza zagadnień różniczkowych 1. Układy równań liniowych

Zaawansowane metody numeryczne Komputerowa analiza zagadnień różniczkowych 1. Układy równań liniowych Zaawansowane metody numeryczne Komputerowa analza zagadneń różnczkowych 1. Układy równań lnowych P. F. Góra http://th-www.f.uj.edu.pl/zfs/gora/ semestr letn 2006/07 Podstawowe fakty Równane Ax = b, x,

Bardziej szczegółowo

Ć wiczenie 7 WZMACNIACZ OPERACYJNY

Ć wiczenie 7 WZMACNIACZ OPERACYJNY Ć wiczenie 7 63 WZMACNIACZ OPEACYJNY Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawomi układami wzmacniaczy opeacyjnych i ich zastosowaniem.. Wstęp Wzmacniaczem opeacyjnym nazywamy wzmacniacz

Bardziej szczegółowo

DSO4104B oscyloskop cyfrowy 4 x 100MHz

DSO4104B oscyloskop cyfrowy 4 x 100MHz Infomacje o podukcie Utwozo 13-11-2017 DSO4104B oscyloskop cyfowy czteokanałowy 100MHz Cena : 1.499,00 zł N katalogowy : DSO4104B Poducent : Hantek Dostępność : Dostępny Stan magazynowy : wysoki Śednia

Bardziej szczegółowo

7.8. RUCH ZMIENNY USTALONY W KORYTACH PRYZMATYCZNYCH

7.8. RUCH ZMIENNY USTALONY W KORYTACH PRYZMATYCZNYCH WYKŁAD 7 7.8. RUCH ZMIENNY USTALONY W KORYTACH PRYZMATYCZNYCH 7.8.. Ogólne równane rucu Rucem zmennym w korytac otwartyc nazywamy tak przepływ, w którym parametry rucu take jak prędkość średna w przekroju

Bardziej szczegółowo

5. Rezonans napięć i prądów

5. Rezonans napięć i prądów ezonans napęć prądów W-9 el ćwczena: 5 ezonans napęć prądów Dr hab nŝ Dorota Nowak-Woźny Wyznaczene krzywej rezonansowej dla szeregowego równoległego obwodu Zagadnena: Fzyczne podstawy zjawska rezonansu

Bardziej szczegółowo

Spis treści I. Ilościowe określenia składu roztworów strona II. Obliczenia podczas sporządzania roztworów

Spis treści I. Ilościowe określenia składu roztworów strona II. Obliczenia podczas sporządzania roztworów Sps teśc I. Iloścowe okeślena składu oztwoów stona Ułaek wagowy (asowy ocent wagowy (asowy ocent objętoścowy Ułaek olowy 3 ocent olowy 3 Stężene olowe 3 Stężene pocentowe 3 Stężene noalne 4 Stężene olane

Bardziej szczegółowo

AUTOMATYKA I STEROWANIE W CHŁODNICTWIE, KLIMATYZACJI I OGRZEWNICTWIE L3 STEROWANIE INWERTEROWYM URZĄDZENIEM CHŁODNICZYM W TRYBIE PD ORAZ PID

AUTOMATYKA I STEROWANIE W CHŁODNICTWIE, KLIMATYZACJI I OGRZEWNICTWIE L3 STEROWANIE INWERTEROWYM URZĄDZENIEM CHŁODNICZYM W TRYBIE PD ORAZ PID ĆWICZENIE LABORAORYJNE AUOMAYKA I SEROWANIE W CHŁODNICWIE, KLIMAYZACJI I OGRZEWNICWIE L3 SEROWANIE INWEREROWYM URZĄDZENIEM CHŁODNICZYM W RYBIE PD ORAZ PID Wersja: 03-09-30 -- 3.. Cel ćwczena Celem ćwczena

Bardziej szczegółowo

Kwantowa natura promieniowania elektromagnetycznego

Kwantowa natura promieniowania elektromagnetycznego Efekt Comptona. Kwantowa natura promenowana elektromagnetycznego Zadane 1. Foton jest rozpraszany na swobodnym elektrone. Wyznaczyć zmanę długośc fal fotonu w wynku rozproszena. Poneważ układ foton swobodny

Bardziej szczegółowo

WSPOMAGANE KOMPUTEROWO POMIARY CZĘSTOTLIWOŚCI CHWILOWEJ SYGNAŁÓW IMPULSOWYCH

WSPOMAGANE KOMPUTEROWO POMIARY CZĘSTOTLIWOŚCI CHWILOWEJ SYGNAŁÓW IMPULSOWYCH Metrologa Wspomagana Komputerowo - Zegrze, 9-22 05.997 WSPOMAGANE KOMPUTEROWO POMIARY CZĘSTOTLIWOŚCI CHWILOWEJ SYGNAŁÓW IMPULSOWYCH dr nż. Jan Ryszard Jask, dr nż. Elgusz Pawłowsk POLITECHNIKA lubelska

Bardziej szczegółowo

Wyznaczanie profilu prędkości płynu w rurociągu o przekroju kołowym

Wyznaczanie profilu prędkości płynu w rurociągu o przekroju kołowym 1.Wpowadzenie Wyznaczanie pofilu pędkości płynu w uociągu o pzekoju kołowym Dla ustalonego, jednokieunkowego i uwastwionego pzepływu pzez uę o pzekoju kołowym ównanie Naviea-Stokesa upaszcza się do postaci

Bardziej szczegółowo

MECHANIKA OGÓLNA (II)

MECHANIKA OGÓLNA (II) MECHNIK GÓLN (II) Semest: II (Mechanika I), III (Mechanika II), ok akademicki 2017/2018 Liczba godzin: sem. II*) - wykład 30 godz., ćwiczenia 30 godz. sem. III*) - wykład 30 godz., ćwiczenia 30 godz. (dla

Bardziej szczegółowo

Prąd sinusoidalny. najogólniejszy prąd sinusoidalny ma postać. gdzie: wartości i(t) zmieniają się w czasie sinusoidalnie

Prąd sinusoidalny. najogólniejszy prąd sinusoidalny ma postać. gdzie: wartości i(t) zmieniają się w czasie sinusoidalnie Opracował: mgr nż. Marcn Weczorek www.marwe.ne.pl Prąd snsodalny najogólnejszy prąd snsodalny ma posać ( ) m sn(2π α) gdze: warość chwlowa, m warość maksymalna (amplda), T okres, α ką fazowy. T m α m T

Bardziej szczegółowo

Quasi rezonansowy przekształtnik podwyższający napięcie z dławikiem sprzężonym

Quasi rezonansowy przekształtnik podwyższający napięcie z dławikiem sprzężonym Michał HARASMCZK Politechnika Białostocka, Kateda Automatyki i Elektoniki doi:0.599/48.07.06.8 Quasi ezonansowy pzekształtnik podwyższający napięcie z dławikiem spzężonym Steszczenie. Atykuł pzedstawia

Bardziej szczegółowo

1 Bogdan Bogacz. Metodologia pomiaru mössbauerowskiego

1 Bogdan Bogacz. Metodologia pomiaru mössbauerowskiego 1 Bogdan Bogacz Metodologa pomau mössbaueowskego Zakład Metodyk Nauczana Metodolog Fzyk Instytut Fzyk m. Maana Smoluchowskego Unwesytet Jagellońsk Kaków, kweceń 4 Sps teśc 1.1. POMIAR W GEOMETRII TRANSMISYJNEJ....

Bardziej szczegółowo

DARIUSZ SOBCZYŃSKI 1, JACEK BARTMAN 2

DARIUSZ SOBCZYŃSKI 1, JACEK BARTMAN 2 Wydawnictwo UR 2016 ISSN 2080-9069 ISSN 2450-9221 online Edukacja Technika Infomatyka n 4/18/2016 www.eti.zeszow.pl DOI: 10.15584/eti.2016.4.53 DARIUSZ SOBCZYŃSKI 1, JACEK BARTMAN 2 Model symulacyjny pzeciwsobnego

Bardziej szczegółowo

Szybkie dzielenie. Szybkie dzielenie

Szybkie dzielenie. Szybkie dzielenie Metody szybkego dzelena dzelene sekwencyjne czas dzelena popocjonalny do lczby cyf loazu β q uposzczene wyznaczana cyf loazu loaz w kodze S q { β,...,,,,... β } waunek zbeŝnośc dzelena: < jednoczesne wyznaczane

Bardziej szczegółowo

Podstawowe konfiguracje wzmacniaczy tranzystorowych

Podstawowe konfiguracje wzmacniaczy tranzystorowych Podstawo koniacje wzmacniaczy tanzystoowych Wocław 05 Klasyikacja wzmacniaczy Ze wzlęd na zastosowany element steowany: -- lampo -- tanzystoo Klasyikacja wzmacniaczy Ze wzlęd na zakes częstotliwości wzmacnianych

Bardziej szczegółowo

3. Siła bezwładności występująca podczas ruchu ciała w układzie obracającym się siła Coriolisa

3. Siła bezwładności występująca podczas ruchu ciała w układzie obracającym się siła Coriolisa 3. Sła bezwładnośc występująca podczas uchu cała w układze obacającym sę sła Coolsa ω ω ω v a co wdz obsewato w układze necjalnym co wdz obsewato w układze nenecjalnym tajemncze pzyspeszene: to właśne

Bardziej szczegółowo

WYKŁAD 11 OPTYMALIZACJA WIELOKRYTERIALNA

WYKŁAD 11 OPTYMALIZACJA WIELOKRYTERIALNA WYKŁAD OPTYMALIZACJA WIELOKYTEIALNA Wstęp. W wielu pzypadkach pzy pojektowaniu konstukcji technicznych dla okeślenia ich jakości jest niezędne wpowadzenie więcej niż jednego kyteium oceny. F ) { ( ), (

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZ POMIAROWY

WZMACNIACZ POMIAROWY WZMACNIACZ POMIAOWY 1. Wstęp W ćwiczeniu badany jest wzmacniacz pomiaowy zbudowany z elementów dysketnych. Wzmacniacz słuŝy do wzmacniania sygnału wytwazanego pzez scalony pzetwonik ciśnienia typu MPX2010

Bardziej szczegółowo

Kondensatory. Definicja pojemności przewodnika: C = q V. stosunek!adunku wprowadzonego na przewodnik do wytworzonego potencja!u.

Kondensatory. Definicja pojemności przewodnika: C = q V. stosunek!adunku wprowadzonego na przewodnik do wytworzonego potencja!u. Kondensatoy Defncja pojemnośc pzewodnka: stosunek!adunku wpowadzonego na pzewodnk do wytwozonego potencja!u. -6 - Jednostka: faad, F, µ F F, pf F Kondensato: uk!ad co najmnej dwóch pzewodnków, pzedzelonych

Bardziej szczegółowo

HANTEK6254BD oscyloskop cyfrowy USB

HANTEK6254BD oscyloskop cyfrowy USB Infomacje o podukcie Utwozo 28-01-2018 Hantek6254BD oscyloskop cyfowy 4x250MHz + geneato DDS Cena : 1.199,00 zł N katalogowy : Hantek6254BD Poducent : Hantek Dostępność : Dostępny Stan magazynowy : badzo

Bardziej szczegółowo

BADANIA OPERACYJNE. Podejmowanie decyzji w warunkach niepewności. dr Adam Sojda

BADANIA OPERACYJNE. Podejmowanie decyzji w warunkach niepewności. dr Adam Sojda BADANIA OPERACYJNE Podejmowane decyzj w warunkach nepewnośc dr Adam Sojda Teora podejmowana decyzj gry z naturą Wynk dzałana zależy ne tylko od tego, jaką podejmujemy decyzję, ale równeż od tego, jak wystąp

Bardziej szczegółowo

Wykład lutego 2016 Krzysztof Korona. Wstęp 1. Prąd stały 1.1 Podstawowe pojęcia 1.2 Prawa Ohma Kirchhoffa 1.3 Przykłady prostych obwodów

Wykład lutego 2016 Krzysztof Korona. Wstęp 1. Prąd stały 1.1 Podstawowe pojęcia 1.2 Prawa Ohma Kirchhoffa 1.3 Przykłady prostych obwodów Wykład Obwody prądu stałego zmennego 9 lutego 6 Krzysztof Korona Wstęp. Prąd stały. Podstawowe pojęca. Prawa Ohma Krchhoffa.3 Przykłady prostych obwodów. Prąd zmenny. Podstawowe elementy. Obwody L.3 mpedancja.4

Bardziej szczegółowo

Elektroniczne systemy pomiarowe

Elektroniczne systemy pomiarowe Elektonczne systemy pomaowe d nż. Mchał GRU tel. 32-50-543 al. m Kajowej 21, pok.15 Lteatua: 1. W. Wneck: Oganzacja systemów pomaowych. OWPW, Waszawa 1997 2. Paca zboowa pod ed. P. H. Sydenham a: Podęcznk

Bardziej szczegółowo

Projekt 6 6. ROZWIĄZYWANIE RÓWNAŃ NIELINIOWYCH CAŁKOWANIE NUMERYCZNE

Projekt 6 6. ROZWIĄZYWANIE RÓWNAŃ NIELINIOWYCH CAŁKOWANIE NUMERYCZNE Inormatyka Podstawy Programowana 06/07 Projekt 6 6. ROZWIĄZYWANIE RÓWNAŃ NIELINIOWYCH CAŁKOWANIE NUMERYCZNE 6. Równana algebraczne. Poszukujemy rozwązana, czyl chcemy określć perwastk rzeczywste równana:

Bardziej szczegółowo

PRĄD ELEKTRYCZNY I SIŁA MAGNETYCZNA

PRĄD ELEKTRYCZNY I SIŁA MAGNETYCZNA PĄD LKTYCZNY SŁA MAGNTYCZNA Na ładunek, opócz siły elektostatycznej, działa ównież siła magnetyczna popocjonalna do pędkości ładunku v. Pzekonamy się, że siła działająca na magnes to siła działająca na

Bardziej szczegółowo

XXX OLIMPIADA FIZYCZNA ETAP III Zadanie doświadczalne

XXX OLIMPIADA FIZYCZNA ETAP III Zadanie doświadczalne XXX OLIMPIADA FIZYCZNA ETAP III Zadane dośwadczalne ZADANIE D Nazwa zadana: Maszyna analogowa. Dane są:. doda półprzewodnkowa (krzemowa) 2. opornk dekadowy (- 5 Ω ), 3. woltomerz cyfrowy, 4. źródło napęca

Bardziej szczegółowo

Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki UKŁADY ELEKTRONICZNE. Wrocław 2009 WARUNKI ZALICZENIA

Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki UKŁADY ELEKTRONICZNE. Wrocław 2009 WARUNKI ZALICZENIA Poltechnka Wocławska Instytt Telekonkacj, Telenoatyk Akstyk UKŁAY LKTONIZN Wocław 009 Poltechnka Wocławska Instytt Telekonkacj, Telenoatyk Akstyk WAUNKI ZALIZNIA Pozytywne zalczene Pojekt I Pozytywna ocena

Bardziej szczegółowo

EKONOMIA MENEDŻERSKA. Wykład 3 Funkcje produkcji 1 FUNKCJE PRODUKCJI. ANALIZA KOSZTÓW I KORZYŚCI SKALI. MINIMALIZACJA KOSZTÓW PRODUKCJI.

EKONOMIA MENEDŻERSKA. Wykład 3 Funkcje produkcji 1 FUNKCJE PRODUKCJI. ANALIZA KOSZTÓW I KORZYŚCI SKALI. MINIMALIZACJA KOSZTÓW PRODUKCJI. EONOMIA MENEDŻERSA Wykład 3 Funkcje rodukcj 1 FUNCJE PRODUCJI. ANAIZA OSZTÓW I ORZYŚCI SAI. MINIMAIZACJA OSZTÓW PRODUCJI. 1. FUNCJE PRODUCJI: JEDNO- I WIEOCZYNNIOWE Funkcja rodukcj określa zależność zdolnośc

Bardziej szczegółowo

Współczynnik przenikania ciepła U v. 4.00

Współczynnik przenikania ciepła U v. 4.00 Współczynnk przenkana cepła U v. 4.00 1 WYMAGANIA Maksymalne wartośc współczynnków przenkana cepła U dla ścan, stropów, stropodachów, oken drzw balkonowych podano w załącznku do Rozporządzena Mnstra Infrastruktury

Bardziej szczegółowo

Modelowanie przepływu cieczy przez ośrodki porowate Wykład III

Modelowanie przepływu cieczy przez ośrodki porowate Wykład III Modelowanie pzepływu cieczy pzez ośodki poowate Wykład III 6 Ogólne zasady ozwiązywania ównań hydodynamicznego modelu pzepływu. Metody ozwiązania ównania Laplace a. Wpowadzenie wielkości potencjału pędkości

Bardziej szczegółowo

E4. BADANIE POLA ELEKTRYCZNEGO W POBLIŻU NAŁADOWANYCH PRZEWODNIKÓW

E4. BADANIE POLA ELEKTRYCZNEGO W POBLIŻU NAŁADOWANYCH PRZEWODNIKÓW 4. BADANI POLA LKTRYCZNGO W POBLIŻU NAŁADOWANYCH PRZWODNIKÓW tekst opacował: Maek Pękała Od oku 1785 pawo Coulomba opisuje posty pzypadek siły oddziaływania dwóch punktowych ładunków elektycznych, któy

Bardziej szczegółowo

Tester miernik elementów elektronicznych RLC i półprzewodnikowych

Tester miernik elementów elektronicznych RLC i półprzewodnikowych Infomacje o podukcie Utwozo 31-01-2017 Teste mien elementów RLC i półpzewodnów Cena : 120,00 zł N katalogowy : BTE-057 Dostępność : Dostępny Stan magazynowy : badzo wysoki Śednia ocena : bak ecenzji Teste

Bardziej szczegółowo

NADZOROWANIE DRGAŃ UKŁADÓW NOŚNYCH ROBOTÓW PRZEMYSŁOWYCH Z ZASTOSOWANIEM STEROWANIA OPTYMALNEGO PRZY ENERGETYCZNYM WSKAŹNIKU JAKOŚCI

NADZOROWANIE DRGAŃ UKŁADÓW NOŚNYCH ROBOTÓW PRZEMYSŁOWYCH Z ZASTOSOWANIEM STEROWANIA OPTYMALNEGO PRZY ENERGETYCZNYM WSKAŹNIKU JAKOŚCI POIECHNIKA GDAŃSKA WYDZIAŁ MECHANICZNY Kateda Mechank Wytzymałośc Mateałów KRZYSZOF JASIŃSKI NADZOROWANIE DRGAŃ UKŁADÓW NOŚNYCH ROBOÓW PRZEMYSŁOWYCH Z ZASOSOWANIEM SEROWANIA OPYMANEGO PRZY ENERGEYCZNYM

Bardziej szczegółowo

II.6. Wahadło proste.

II.6. Wahadło proste. II.6. Wahadło poste. Pzez wahadło poste ozumiemy uch oscylacyjny punktu mateialnego o masie m po dolnym łuku okęgu o pomieniu, w stałym polu gawitacyjnym g = constant. Fig. II.6.1. ozkład wektoa g pzyśpieszenia

Bardziej szczegółowo

Wykład: praca siły, pojęcie energii potencjalnej. Zasada zachowania energii.

Wykład: praca siły, pojęcie energii potencjalnej. Zasada zachowania energii. Wykład: paca siły, pojęcie enegii potencjalnej. Zasada zachowania enegii. Uwaga: Obazki w tym steszczeniu znajdują się stonie www: http://www.whfeeman.com/tiple/content /instucto/inde.htm Pytanie: Co to

Bardziej szczegółowo

Sterowanie Procesami Ciągłymi

Sterowanie Procesami Ciągłymi Poltechnka Gdańska Wydzał Elektotechnk Automatyk Kateda Inżyne Systemów Steowana Steowane Pocesam Cągłym Laboatoum temn T2a Oacowane: Meczysław A. Bdyś, o. d hab. nż. Wojcech Kuek, mg nż. Tomasz Zubowcz,

Bardziej szczegółowo