TRANZYSTOR BIPOLARNY CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE
|
|
- Aniela Dobrowolska
- 8 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 POLITHNIKA RZSZOWSKA Katedra Podstaw lektronk Instrkcja Nr4 F 00/003 sem. letn TRANZYSTOR IPOLARNY HARAKTRYSTYKI STATYZN elem ćwczena jest pomar charakterystyk statycznych tranzystora bpolarnego npn lb pnp pracjącego w kładach wspólnego emtera (W) oraz wspólnej bazy (W). A) Zadana do samodzelnego opracowana przed zajęcam: Zapoznane sę z treścą ponższej nstrkcj, zapoznane sę z teoretycznym podstawam dzałana tranzystora bpolarnego, przygotowane schematów pomarowych. ) WPROWADZNI W tranzystorze n-p-n złącze n -p jest nazywane złączem emterowym (sterjącym), sam zaś obszar n - emterem. ( oznacza slne domeszkowane danego obszar). Zadanem emtera jest wstrzykwane nadmarowych nośnków elektronów do obszar p zwanego obszarem bazy. W baze elektrony stanową nośnk mnejszoścowe, których wększość czestnczy w prądze zaporowym drgego złącza tranzystora nazywanego złączem kolektorowym (sterowanym). Obszar n tego złącza nazywa sę kolektorem. W przypadk tranzystora pnp należy odpowedno względnć zmanę domeszkowana poszczególnych a) R n p W b _ n R emter kolektor baza Rys.. Idea bdowy dzałana tranzystora n-p-n, (W) a)polaryzacja dla kład W w stane aktywnym normalnym b).rozpływ prądów tranzystorze: -łamek lczby elektronów legających rekombnacj w baze - elektrony wstrzyknęte do bazy osągające obszar kolektora 3-nośnk generowane termczne - zaporowy prąd złącza kolektora 4-dzry dostarczane przez końcówkę bazy rekombnjące z elektronam -dzry dyfndjące z bazy do emtera PRZJŚIOW U = I [µa] U I [] U 0 I =µa 0.4 I =µa U = U WJŚIOW U 0.8 U I =30µ I =0µA I =0µA I =0µA JŚIOW I =30µA ZWROTN U [] Rys. Rodzny ch-styk dla kład W. oraz parametry statyczne, dozwolony obszar pracy aktywnej tranzystora; P tot - dopszczalna moc admsyjna; I max - maksymalny prąd kolektora (ogranczene wynka ze zman α,β w fnkcj I a ne z np. nszczena); U max - dopszczalne napęce kolektor-emter (określane jako np. 0.8 U O ); I O - prąd zerowy kolektora (granca pomędzy odcęcem a zakresem aktywnym); U sat - napęce nasycena (tylko w W), rozgrancza nasycene od stan aktywnego,. Wększość zaznaczonych parametrów są to parametry ogranczające dozwolony obszar pracy tranzystora. I I I max I O b) n N A S Y N I U =0 I =30µA I =0µA 4 Obszar dozwolony ODIĘI I =0µA I p P tot I =0µA 3 U max U Omax n I U
2 POLITHNIKA RZSZOWSKA Katedra Podstaw lektronk Instrkcja Nr4 F 00/003 sem. letn Tranzystor jest elementem trójkońcówkowym, dwzłączowym, stneją węc cztery różne kombnacje znaków napęć polaryzjących oba złącza które określają jego stany pracy. U AKTYWNY INWRSYJNY NASYNIA - Rys. 3.Stany pracy tranzystora bpolarnego. Tranzystor jako element trójkońcówkowy, traktowany jako czwórnk (wejśce wyjśce sygnał) ms meć jedną z końcówek wspólną dla sygnał wejścowego wyjścowego. Daje to 3! możlwych kombnacj, jednak aby zyskwać wzmocnene mocy (jedna z zasadnczych właścwośc tranzystora) jest koneczne by baza była jedną z końcówek wejścowych a kolektor jedną z wyjścowych, co ograncza lość rzytecznych kombnacj do trzech. Są to kłady: U - p.p ZAPORO/ ZATKANI AKTYWNY NORMALNY W Wspólny emter W Wspólny kolektor W Wspólna baza Rys.4. Układy pracy tranzystora bpolarnego. Prądy zerowe: I Z = I O dla R= I S dla R=0 I R dla0<r< W R I Z - I I O I R I S I O U Omax U Omax U W I O - - I O W Rys.. Układy pomarowe prądów zerowych. Pomędzy prądam zerowym zachodz relacja: I O >I R >I S >I O b b h e c be h e ce h e ce e h e b e h e = Impedancja (rezystancja) wejścowa. h e = Współczynnk oddzaływana zwrotnego. h e = Współczynnk wzmocnena prądowego. h e = Admtancja (kondktancja) wyjścowa. Rys.6. Schemat zastępczy z oznaczenam dla kład W defncje parametrów typ h tranzystora. ) POMIARY
3 POLITHNIKA RZSZOWSKA Katedra Podstaw lektronk Instrkcja Nr4 F 00/003 sem. letn Uwag:. Pomary wykonać dla tranzystora kład pracy wskazanego przez prowadzącego.. Wartośc parametrów przy pomarach charakterystyk należy zgadnać z prowadzącym zajęca. 3. Podczas pomarów zwracać wagę na trzymywane stałej wartośc parametrów. 4. Pomary przeprowadzć w możlwe szerokm zakrese dopszczalnychwartośc prądów napęć. Na zajęca przygotować swój własny plan pomarów wraz z odpowednm tabelam.. Określć typ (npn albo pnp) oraz sposób wyprowadzeń końcówek tranzystora przy pomocy testera złącz. Zmerzyć charakterystyk prądowo-napęcowe złącz w ob kernkach, względnając ch dopszczalne parametry. Układ wspólnego emtera. Zestawć kład pomarowy do zbadana charakterystyk statycznych tranzystora pracjącego w kładze W. 3. Zmerzyć charakterystyk: wejścową U (I) U =par., przejścową I (I) U = par. harakterystyk te można wyznaczyć jednocześne, zmenając prąd wejścowy I merząc równocześne napęce wejścowe U oraz prąd wyjścowy I. Pomary wykonać dla trzech wartośc parametr U 4. Zmerzyć charakterystyk: wyjścową I(U ) I =par., oddzaływana zwrotnego U(U) I = par.. harakterystyk te można wyznaczyć jednocześne, zmenając napęce wyjścowe U merząc równocześne prąd wyjścowy I oraz napęce wejścowe U. Pomary wykonać dla trzech wartośc parametr I.. Ze szczególną wagą należy wykonać pomary w zakrese nasycena. Układ wspólnej bazy. Zestawć kład pomarowy do zbadana charakterystyk statycznych tranzystora pracjącego w kładze W. 6. Zmerzyć charakterystyk: wejścową U(I) U = par. oraz przejścową I(I) U = par.. harakterystyk te można wyznaczyć jednocześne, zmenając prąd wejścowy I merząc równocześne napęce wejścowe U oraz prąd wyjścowy I. Pomary wykonać dla trzech wartośc parametr U 7. Zmerzyć charakterystyk: wyjścową I(U) I = par., oddzaływana zwrotnego U(U) I = par. w zakrese aktywnym. Można je wyznaczyć jednocześne, zmenając napęce wyjścowe U merząc równocześne prąd wyjścowy I oraz napęce wejścowe U.. Po wyznaczen charakterystyk w obszarze pracy aktywnej zmerzyć charakterystyk wyjścowe w zakrese nasycena (po zmane polaryzacj złącza kolektorowego). harakterystyk prądów zerowych 8. Zmerzyć charakterystyk I R (U ) dla R=0, 0<R< oraz R= zgodne ze schematem na rys.. 9. Zmerzyć charakterystykę I 0 (U ) przekształcając odpowedno schemat na rys.. 0. Powtórzyć pomary wg pkt. 9 0 dla tranzystora komplementarnego. D) SHMATY POMIAROW 3
4 POLITHNIKA RZSZOWSKA Katedra Podstaw lektronk Instrkcja Nr4 F 00/003 sem. letn a) W, tranzystor npn b) W, tranzystor pnp c) W, tranzystor pnp d) W, tranzystor pnp RYS. Schematy pomarowe dla kładów wspólnego emtera (W) wspólnej bazy (W). R RYS. Schemat kład do pomar prądów I R dla tranzystora npn. 4
5 Parametry katalogowe wybranych tranzystorów. POLITHNIKA RZSZOWSKA Katedra Podstaw lektronk Instrkcja Nr4 F 00/003 sem. letn U max [] I max [A] I max [A] U max [] U max [] P tot [W] DP przy t c przy DP8 t c D przy t c =40 0 D przy tjmax [] U SAT [] h f T [Mhz] R thj-c [/W ] TYP 4 3. npn 0 3. pnp 00 0 npn pnp t c = npn pnp ) OPRAOWANI I ANALIZA NIKÓW:. Narysować (wydrkować) wszystke zmerzone charakterystyk.. Na podstawe charakterystyk złącza, narysowanych w skal logarytmczno-lnowej wyznaczyć współczynnk złącza oraz prądy zerowe (patrz nstrkcja do ćwczena dody półprzewodnkowe ). 3. Wyznaczyć parametry schemat zastępczego: a) z parametram meszanym typ h b) hybryd π,,.dla tego samego pnkt pracy tranzystora. Porównać wartośc pomarowe z oblczonym teoretyczne. Każdy stdent wykonje oblczena dla swojego wybranego pnkt pracy. 4. Narysować na jednym wykrese charakterystyk prądów zerowych. Sprawdzć teoretyczną zależność pomędzy I 0 oraz I 0.. Porównać zyskane wynk z danym katalogowym. 6. Dokonać kompleksowej analzy zyskanych wynków. Lteratra:. W. Marcnak Przyrządy półprzewodnkowe kłady scalone. W. Marcnak Modele elementów półprzewodnków 3. A.Ksy Podstawy elektronk 4. lementy półprzewodnkowe kłady scalone (katalog UNITRA MI). Gray P..,Searle.L.- Podstawy elektronk 6. Praca zborowa - Zbór zadań z kładów elektroncznych lnowych.
TRANZYSTOR BIPOLARNY CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE ORAZ PRACA W UKLADZIE WZMACNIACZA
POLITHNIK RZSZOWSK Katedra Podstaw lektronk INSTRUKJ NR4, 008 TRNZYSTOR IPOLRNY HRKTRYSTYKI STTYZN ORZ PR W UKLDZI WZMNIZ el cwczena: Pomar analza charakterystyk statycznych tranzystora bpolarnego npn
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2. Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych
Ćwczene arametry statyczne tranzystorów bpolarnych el ćwczena odstawowym celem ćwczena jest poznane statycznych charakterystyk tranzystorów bpolarnych oraz metod dentyfkacj parametrów odpowadających m
Bardziej szczegółowoBADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO
BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO CEL poznanie charakterystyk tranzystora bipolarnego w układzie WE poznanie wybranych parametrów statycznych tranzystora bipolarnego w układzie WE PRZEBIEG ĆWICZENIA: 1.
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKADMA GÓRNZO-HUTNZA M. STANSŁAWA STASZA W KRAKOW Wydzał nformatyk, lektronk Telekomunkacj Katedra lektronk LMNTY LKTRONZN dr nż. Potr Dzurdza aw. -3, okój 413; tel. 617-27-02, otr.dzurdza@agh.edu.l dr
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów
Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne
Bardziej szczegółowoXXX OLIMPIADA FIZYCZNA ETAP III Zadanie doświadczalne
XXX OLIMPIADA FIZYCZNA ETAP III Zadane dośwadczalne ZADANIE D Nazwa zadana: Maszyna analogowa. Dane są:. doda półprzewodnkowa (krzemowa) 2. opornk dekadowy (- 5 Ω ), 3. woltomerz cyfrowy, 4. źródło napęca
Bardziej szczegółowoPrzykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik
1 Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik Znajdź usterkę oraz wskaż sposób jej usunięcia w zasilaczu napięcia stałego 12V/4A, wykonanym w oparciu o układ scalony
Bardziej szczegółowoIII. TRANZYSTOR BIPOLARNY
1. TRANZYSTOR BPOLARNY el ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Zagadnienia: zasada działania tranzystora bipolarnego. 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z języka
Bardziej szczegółowoWykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkońcówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji
Bardziej szczegółowoTranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny
POLTEHNKA AŁOSTOKA Tranzystory WYDZAŁ ELEKTYZNY 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne bipolarny unipolarne Trójkońcówkowy (czterokońcówkowy) półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4 Temat: Parametry czwórnikowe tranzystorów bipolarnych. Cel ćwiczenia: Zapoznanie się z parametrami czwórnikowymi tranzystora bipolarnego (admitancyjnymi [y],
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA ENS1C300 022 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2013 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoTranzystory. bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory
Tranzystory bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory Tranzystory -rodzaje Tranzystor to element, który posiada zdolność wzmacniania mocy sygnału elektrycznego. Z uwagi na tą właściwość,
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki nstrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONCZNE TS1C300 018 BAŁYSTOK 013 1. CEL ZAKRES ĆWCZENA LABORATORYJNEGO
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 4 CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO
LAORATORIUM LKTRONIKI ĆWIZNI 4 HARAKTRYSTYKI STATYZN TRANZYSTORA IPOLARNGO K A T D R A S Y S T M Ó W M I K R O L K T R O N I Z N Y H 1. L ĆWIZNIA elem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi charakterystykami
Bardziej szczegółowoTemat i cel wykładu. Tranzystory
POLTECHNKA BAŁOSTOCKA Temat i cel wykładu WYDZAŁ ELEKTRYCZNY Tranzystory Celem wykładu jest przedstawienie: konstrukcji i działania tranzystora bipolarnego, punktu i zakresów pracy tranzystora, konfiguracji
Bardziej szczegółowoWykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkoocówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolnośd wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu "transfer
Bardziej szczegółowoWiadomości podstawowe
Wiadomości podstawowe Tranzystory są urządzeniami półprzewodnikowymi umożliwiającymi sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Wykorzystuje się je do wzmacniania małych sygnałów
Bardziej szczegółowoEUROELEKTRA. Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej. Rok szkolny 2013/2014
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olmpada Wedzy Elektrycznej Elektroncznej Rok szkolny 232 Zadana z elektronk na zawody III stopna (grupa elektronczna) Zadane. Oblczyć wzmocnene napęcowe, rezystancję wejścową rezystancję
Bardziej szczegółowoRys. 1. Oznaczenia tranzystorów bipolarnych pnp oraz npn
Ćwiczenie 4. harakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego 1. L ĆWIZNI elem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi charakterystykami statycznymi oraz z najwaŝniejszymi parametrami i modelami tranzystora
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5 Temat: Charakterystyki statyczne tranzystorów bipolarnych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowonapięciowych i wybranych parametrów
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2
Ćwiczenie 2 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji parametrów odpowiadających im modeli małosygnałowych, poznanie metod
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych
Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz
Bardziej szczegółowoBadanie tranzystorów bipolarnych.
1 POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE Badanie tranzystorów bipolarnych. (E 8) Opracował: Dr inż. Włodzimierz
Bardziej szczegółowoZasada działania tranzystora bipolarnego
Tranzystor bipolarny Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasada działania tranzystora bipolarnego
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Poznanie podstawowych własności tranzystora. Wyznaczenie prądów tranzystorów typu n-p-n i p-n-p. Czytanie schematów
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH
Ćwiczenie 7 PRMETRY MŁOSYGNŁO TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH Wstęp Celem ćwiczenia jest wyznaczenie niektórych parametrów małosygnałowych hybrydowego i modelu hybryd tranzystora bipolarnego. modelu Konspekt przygotowanie
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY MOCY. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami.
12 Ć wiczenie 2 TRANZYSTORY MOCY Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami. 1. Wiadomości wstępne Tranzystory są to trójelektrodowe przyrządy
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.
ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk
Bardziej szczegółowoKURS STATYSTYKA. Lekcja 6 Regresja i linie regresji ZADANIE DOMOWE. www.etrapez.pl Strona 1
KURS STATYSTYKA Lekcja 6 Regresja lne regresj ZADANIE DOMOWE www.etrapez.pl Strona 1 Część 1: TEST Zaznacz poprawną odpowedź (tylko jedna jest prawdzwa). Pytane 1 Funkcja regresj I rodzaju cechy Y zależnej
Bardziej szczegółowoObwody nieliniowe. Rysunek 1. Rysunek 2. Rysunek 3
Obwody nieliniowe Rysunek 1 Rysunek 2 Rysunek 3 1. Narysuj schemat zasilania diody świecącej, której parametry graniczne przedstawiono na rysunku 1, a charakterystykę prądowo-napięciową na rysunku 2. Układ
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne
Tranzystory bipolarne Tranzystor jest to element półprzewodnikowy, w zasadzie trójelektrodowy, umożliwiający wzmacnianie mocy sygnałów elektrycznych. Tranzystory są to trójelektrodowe przyrządy półprzewodnikowe
Bardziej szczegółowo3. ŁUK ELEKTRYCZNY PRĄDU STAŁEGO I PRZEMIENNEGO
3. ŁUK ELEKTRYCZNY PRĄDU STŁEGO I PRZEMIENNEGO 3.1. Cel zakres ćwczena Celem ćwczena jest zapoznane sę z podstawowym właścwoścam łuku elektrycznego palącego sę swobodne, w powetrzu o cśnentmosferycznym.
Bardziej szczegółowoElementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne
lementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne Wprowadzenie Złacze PN spolaryzowane zaporowo: P N U - + S S U SAT =0.1...0.2V U S q D p L p p n D n n L n p gdzie: D p,n współczynniki dyfuzji
Bardziej szczegółowoPodstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne
AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki Tranzystory bipolarne Ćwiczenie 3 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora bipolarnego.
Bardziej szczegółowoNazwa kwalifikacji: Eksploatacja urządzeń elektronicznych Oznaczenie kwalifikacji: E.20 Numer zadania: 01
Arkusz zawiera informacje prawnie chronione do momentu rozpoczęcia egzaminu Układ graficzny CKE 2017 Nazwa kwalifikacji: Eksploatacja urządzeń elektronicznych Oznaczenie kwalifikacji: E.20 Numer zadania:
Bardziej szczegółowoTRANZYSTOR BIPOLARNY
Podstawy teoretyczne Materiały pomocnicze do ćwiczenia nr. 8 TANZYST PLANY 1.1. Tranzystor bipolarny. dowa, zasada działania. Tranzystor bipolarny jest przyrządem półprzewodnikowym o dwóch złączach p-n
Bardziej szczegółowoBadanie tranzystora bipolarnego
Spis ćwiczeń: Badanie tranzystora bipolarnego Symulacja komputerowa PSPICE 9.1 www.pspice.com 1. Charakterystyka wejściowa tranzystora bipolarnego 2. Wyznaczanie rezystancji wejściowej 3. Rysowanie charakterystyk
Bardziej szczegółowoE104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów
E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów Cele: Wyznaczenie charakterystyk dla diod i tranzystorów. Dla diod określa się zależność I d =f(u d ) prądu od napięcia i napięcie progowe U p. Dla tranzystorów
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoSystemy i architektura komputerów
Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Systemy i architektura komputerów Laboratorium nr 4 Temat: Badanie tranzystorów Spis treści Cel ćwiczenia... 3 Wymagania... 3 Przebieg ćwiczenia...
Bardziej szczegółowoSPRAWDZANIE PRAWA MALUSA
INSTYTUT ELEKTRONIKI I SYSTEMÓW STEROWANIA WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY POLITECHNIKA CZĘSTOCHOWSKA LABORATORIUM FIZYKI ĆWICZENIE NR O- SPRAWDZANIE PRAWA MALUSA I. Zagadnena do przestudowana 1. Fala elektromagnetyczna,
Bardziej szczegółowoWYZNACZANIE WSPÓŁCZYNNIKA LEPKOŚCI CIECZY METODĄ STOKESA
WYZNACZANIE WSPÓŁCZYNNIKA LEPKOŚCI CIECZY METODĄ STOKESA. Ops teoretyczny do ćwczena zameszczony jest na strone www.wtc.wat.edu.pl w dzale DYDAKTYKA FIZYKA ĆWICZENIA LABORATORYJNE.. Ops układu pomarowego
Bardziej szczegółowoScalony stabilizator napięcia typu 723
LABORATORIM Scalony stabilizator napięcia typu 723 Część II Zabezpieczenia przeciążeniowe stabilizatorów napięcia Opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania, znajomość zagadnień: 1. dzaje zabezpieczeń
Bardziej szczegółowo± Δ. Podstawowe pojęcia procesu pomiarowego. x rzeczywiste. Określenie jakości poznania rzeczywistości
Podstawowe pojęca procesu pomarowego kreślene jakośc poznana rzeczywstośc Δ zmerzone rzeczywste 17 9 Zalety stosowana elektrycznych przyrządów 1/ 1. możlwość budowy czujnków zamenających werne każdą welkość
Bardziej szczegółowopłytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa
Tranzystor jako klucz elektroniczny - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi układami pracy tranzystora bipolarnego jako klucza elektronicznego. Bramki logiczne realizowane w technice RTL
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C300 018 Układy polaryzacji i stabilizacji punktu
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY BIPOLARNE SMK WYKŁAD
TRAZYSTORY BPOLARE SMK WYKŁAD 9 a pdstw. W. Marciniak, WT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone 6. Zakresy pracy i układy włączania tranzystora bipolarnego Opis funkcjonalny zestaw równań wiążących
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK
Bardziej szczegółowoPomiary dawek promieniowania wytwarzanego w liniowych przyspieszaczach na użytek radioterapii
Pomary dawek promenowana wytwarzanego w lnowych przyspeszaczach na użytek radoterap Włodzmerz Łobodzec Zakład Radoterap Szptala m. S. Leszczyńskego w Katowcach Cel radoterap napromenene obszaru PTV zaplanowaną,
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne
TRANZYSTORY IPOLARN Tranzystory bipolarne 1. el ćwiczenia elem ćwiczenia jest ugruntowanie wiadomości dotyczącyc zasad działania i właściwości tranzystorów bipolarnyc. Podstawowa część ćwiczenia poświęcona
Bardziej szczegółowoWyznaczanie współczynnika sztywności zastępczej układu sprężyn
Wyznaczane zastępczej sprężyn Ćwczene nr 10 Wprowadzene W przypadku klku sprężyn ze sobą połączonych, można mu przypsać tzw. współczynnk zastępczej k z. W skrajnych przypadkach sprężyny mogą być ze sobą
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO
LABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka . Zapoznać się ze schematem ideowym płytki ćwiczeniowej 2.
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
Wydział lektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politecniki Wrocławskiej STUDA DZNN W0 LAORATORUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZWODNKOWYCH Ćwiczenie nr 3 Carakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego. Zagadnienia do
Bardziej szczegółowoEGZAMIN POTWIERDZAJĄCY KWALIFIKACJE W ZAWODZIE Rok 2018 CZĘŚĆ PRAKTYCZNA
Arkusz zawiera informacje prawnie chronione do momentu rozpoczęcia egzaminu Układ graficzny CKE 2018 Nazwa kwalifikacji: Eksploatacja urządzeń elektronicznych Oznaczenie kwalifikacji: E.20 Numer zadania:
Bardziej szczegółowoSZACOWANIE NIEPEWNOŚCI POMIARU METODĄ PROPAGACJI ROZKŁADÓW
SZACOWANIE NIEPEWNOŚCI POMIARU METODĄ PROPAGACJI ROZKŁADÓW Stefan WÓJTOWICZ, Katarzyna BIERNAT ZAKŁAD METROLOGII I BADAŃ NIENISZCZĄCYCH INSTYTUT ELEKTROTECHNIKI ul. Pożaryskego 8, 04-703 Warszawa tel.
Bardziej szczegółowoZaawansowane metody numeryczne Komputerowa analiza zagadnień różniczkowych 1. Układy równań liniowych
Zaawansowane metody numeryczne Komputerowa analza zagadneń różnczkowych 1. Układy równań lnowych P. F. Góra http://th-www.f.uj.edu.pl/zfs/gora/ semestr letn 2006/07 Podstawowe fakty Równane Ax = b, x,
Bardziej szczegółowokierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II
kierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II iody prostownicze i diody Zenera Zadanie Podać schematy zastępcze zlinearyzowane dla diody
Bardziej szczegółowoPARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH
L B O R T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRMETRY MŁOSYGNŁOWE TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH REV. 1.0 1. CEL ĆWICZENI - celem ćwiczenia jest zapoznanie się z metodami pomiaru i wyznaczania parametrów małosygnałowych
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów
ĆWICZENIE LBORTORYJNE TEMT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów 1. WPROWDZENIE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i zasadą działania podstawowych rodzajów diod półprzewodnikowych
Bardziej szczegółowoWydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej TIA ZIENNE LAORATORIM PRZYRZĄÓW PÓŁPRZEWONIKOWYCH Ćwiczenie nr 8 adanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOFET I. Zagadnienia
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów
LABORATORIM ELEKTRONIKI Spis treści Ćwiczenie - 4 Podstawowe układy pracy tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Podstawowe układy pracy tranzystora........................ 2 2.2 Wzmacniacz
Bardziej szczegółowoWydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 12 Pomiar wartości parametrów małosygnałowych h ije tranzystora
Bardziej szczegółowoexp jest proporcjonalne do czynnika Boltzmanna exp(-e kbt (szerokość przerwy energetycznej między pasmami) g /k B
Koncentracja nośnów ładunu w półprzewodnu W półprzewodnu bez domesz swobodne nośn ładunu (eletrony w paśme przewodnctwa, dzury w paśme walencyjnym) powstają tylo w wynu wzbudzena eletronów z pasma walencyjnego
Bardziej szczegółowoPRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW
L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów
Bardziej szczegółowoSystemy Ochrony Powietrza Ćwiczenia Laboratoryjne
ś POLITECHNIKA POZNAŃSKA INSTYTUT INŻYNIERII ŚRODOWISKA PROWADZĄCY: mgr nż. Łukasz Amanowcz Systemy Ochrony Powetrza Ćwczena Laboratoryjne 2 TEMAT ĆWICZENIA: Oznaczane lczbowego rozkładu lnowych projekcyjnych
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 5 Tranzystor bipolarny
Wydział lektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Opracował zespół: Marek Panek, Waldemar Oleszkiewicz, wona Zborowska-Lindert, ogdan Paszkiewicz, Małgorzata Kramkowska, eata Ściana, Zdzisław Synowiec, ogusław
Bardziej szczegółowoPodstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego
L A B O A T O I U M A N A L O G O W Y C H U K Ł A D Ó W E L E K T O N I C Z N Y C H Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego Ćwiczenie opracował Jacek Jakusz 4. Wstęp Ćwiczenie umożliwia pomiar
Bardziej szczegółowoWYZNACZENIE CHARAKTERYSTYK DYNAMICZNYCH PRZETWORNIKÓW POMIAROWYCH
Zakład Metrolog Systemów Pomarowych P o l t e c h n k a P o z n ańska ul. Jana Pawła II 6-965 POZNAŃ (budynek Centrum Mechatronk, Bomechank Nanonżyner) www.zmsp.mt.put.poznan.pl tel. +8 6 665 35 7 fa +8
Bardziej szczegółowoElektronika: Polaryzację złącza w kierunku zaporowym i w kierunku przewodzenia (pod rozdz. 6.3). Charakterystykę diody (rozdz. 7).
114 PRZYPOMNIJ SOBIE! Elektronika: Polaryzację złącza w kierunku zaporowym i w kierunku przewodzenia (pod rozdz. 6.3). Charakterystykę diody (rozdz. 7). 9. Elektroniczne elementy przełączające Elementami
Bardziej szczegółowoPomiar parametrów tranzystorów
Instytut Fizyki ul Wielkopolska 5 70-45 Szczecin Pracownia Elektroniki Pomiar parametrów tranzystorów (Oprac dr Radosław Gąsowski) Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: zasada działania tranzystora
Bardziej szczegółowoLaboratorium Elektroniki
Wydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki Badanie wzmacniaczy tranzystorowych i operacyjnych 1. Wstęp teoretyczny Wzmacniacze są bardzo często i szeroko stosowanym układem elektronicznym.
Bardziej szczegółowoPomiar mocy i energii
Zakład Napędów Weloźródłowych Instytut Maszyn Roboczych CęŜkch PW Laboratorum Elektrotechnk Elektronk Ćwczene P3 - protokół Pomar mocy energ Data wykonana ćwczena... Zespół wykonujący ćwczene: Nazwsko
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY BIPOLARNE
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego TRANZYSTORY BIPOLARNE Instrukcję opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Tranzystory bipolarne rodzaje, typowe parametry i charakterystyki,
Bardziej szczegółowoPOMIAR WSPÓŁCZYNNIKÓW ODBICIA I PRZEPUSZCZANIA
Ćwczene O5 POMIAR WSPÓŁCZYNNIKÓW ODBICIA I PRZEPUSZCZANIA 1. Cel zakres ćwczena Celem ćwczena jest poznane metod pomaru współczynnków odbca przepuszczana próbek płaskch 2. Ops stanowska laboratoryjnego
Bardziej szczegółowoTranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr
Tranzystor Program: Coach 6 Projekt: komputer H : C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz1.cmr C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma
Bardziej szczegółowo5. Tranzystor bipolarny
5. Tranzystor bipolarny Tranzystor jest to trójkońcówkowy element półprzewodnikowy zdolny do wzmacniania sygnałów prądu stałego i zmiennego. Każdy tranzystor jest zatem wzmacniaczem. Definicja wzmacniacza:
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 2. ELEMENTARNE UKŁADY ELEKTRONICZNE (Wzmacniacz i inwerter na tranzystorze bipolarnym)
LAORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWIZENIE 2 ELEMENTARNE UKŁADY ELEKTRONIZNE (Wzmacniacz i inwerter na tranzystorze bipolarnym) K A T E D R A S Y S T E M Ó W M I K R O E L E K T R O N I Z N Y H EL ĆWIZENIA elem
Bardziej szczegółowoĆw. 2 Tranzystory bipolarne
PODSTAWY LKTRONIKI MSI ĆW.. TRANZYSTORY IPOLARN Ćw. Tranzystory bipolarne. el ćwiczenia elem ćwiczenia jest ugruntowanie wiadomości dotyczącyc zasad działania i właściwości tranzystorów bipolarnyc. Podstawowa
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 3 A
Instrkcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 3 A Temat: Pomiar rezystancji dynamicznej wybranych diod Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie metod wyznaczania oraz pomiar rezystancji dynamicznej (róŝniczkowej)
Bardziej szczegółowoSTATYSTYCZNA ANALIZA WYNIKÓW POMIARÓW
Zakład Metrolog Systemów Pomarowych P o l t e c h n k a P o z n ańska ul. Jana Pawła II 4 60-965 POZAŃ (budynek Centrum Mechatronk, Bomechank anonżyner) www.zmsp.mt.put.poznan.pl tel. +48 61 665 5 70 fax
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp)
Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp) Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny
Bardziej szczegółowoLaboratorium elektroniki i miernictwa
Numer indeksu 150946 Michał Moroz Imię i nazwisko Numer indeksu 151021 Paweł Tarasiuk Imię i nazwisko kierunek: Informatyka semestr 2 grupa II rok akademicki: 2008/2009 Laboratorium elektroniki i miernictwa
Bardziej szczegółowoPlanowanie eksperymentu pomiarowego I
POLITECHNIKA ŚLĄSKA W GLIWICACH WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH Plaowae eksperymetu pomarowego I Laboratorum merctwa (M 0) Opracował: dr ż. Grzegorz Wcak
Bardziej szczegółowoElementy i obwody nieliniowe
POLTCHNKA ŚLĄSKA WYDZAŁ NŻYNR ŚRODOWSKA NRGTYK NSTYTT MASZYN RZĄDZŃ NRGTYCZNYCH LABORATORM LKTRYCZN lementy i obwody nieliniowe ( 3) Opracował: Dr inż. Włodzimierz OGLWCZ 3 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia
Bardziej szczegółowoA-3. Wzmacniacze operacyjne w układach liniowych
A-3. Wzmacniacze operacyjne w kładach liniowych I. Zakres ćwiczenia wyznaczenia charakterystyk amplitdowych i częstotliwościowych oraz parametrów czasowych:. wtórnika napięcia. wzmacniacza nieodwracającego
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp
Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny
Bardziej szczegółowoZapis informacji, systemy pozycyjne 1. Literatura Jerzy Grębosz, Symfonia C++ standard. Harvey M. Deitl, Paul J. Deitl, Arkana C++. Programowanie.
Zaps nformacj, systemy pozycyjne 1 Lteratura Jerzy Grębosz, Symfona C++ standard. Harvey M. Detl, Paul J. Detl, Arkana C++. Programowane. Zaps nformacj w komputerach Wszystke elementy danych przetwarzane
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.
I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.
Bardziej szczegółowoBadanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych II
1 Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE Ćwiczenie nr 14 LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych
Bardziej szczegółowoGeneratory sinusoidalne LC
Ćw. 5 Generatory sinusoidalne LC. Cel ćwiczenia Tematem ćwiczenia są podstawowe zagadnienia dotyczące generacji napięcia sinusoidalnego. Ćwiczenie składa się z dwóch części. Pierwsza z nich, mająca charakter
Bardziej szczegółowoBADANIA CHARAKTERYSTYK HYDRAULICZNYCH KSZTAŁTEK WENTYLACYJNYCH
INSTYTUT KLIMATYZACJI I OGRZEWNICTWA ĆWICZENIA LABORATORYJNE Z WENTYLACJI I KLIMATYZACJI: BADANIA CHARAKTERYSTYK HYDRAULICZNYCH KSZTAŁTEK WENTYLACYJNYCH 1. WSTĘP Stanowsko laboratoryjne pośwęcone badanu
Bardziej szczegółowoWydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
Wydział lektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STDA DZNN LABORATORM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZWODNKOWYCH Ćwiczenie nr 1 Badanie tranzystora jednozłączowego Wykonując pomiary PRZSTRZGAJ przepisów
Bardziej szczegółowo4. Funktory CMOS cz.2
2.2 Funktor z wyjściem trójstanowym 4. Funktory CMOS cz.2 Fragment płyty czołowej modelu poniżej. We wszystkich pomiarach bramki z wyjściem trójstanowym zastosowano napięcie zasilające E C = 4.5 V. Oprócz
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY - PORÓWNANIE WYKŁAD 15 SMK
TRANZYSTORY - PORÓWNANIE WYKŁAD 15 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, Z. Nosal, J. Baranowski, Układy elektroniczne, PWN 2003 7. PORÓWNANIE TRANZYSTORÓW
Bardziej szczegółowoWOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA ĆWICZENIA LABORATORYJNE Z FIZYKI. SPRAWOZDANIE Z PRACY LABORATORYJNEJ nr 0. Badanie rozkładu rzutu śnieżkami do celu
WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA ĆWICZENIA LABORATORJNE Z FIZKI trzec termn wpsu zalczena do USOSu upływa...prowadząca(y)... grupa... podgrupa... zespół... semestr roku akademckego... student(ka)... SPRAWOZDANIE
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
KATEDRA ELEKTRONIKI AGH L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE DIODY REV. 2.0 1. CEL ĆWICZENIA - pomiary charakterystyk stałoprądowych diod prostowniczych, świecących oraz stabilizacyjnych - praktyczne
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia Poznanie własności i zasad działania różnych bramek logicznych. Zmierzenie napięcia wejściowego i wyjściowego bramek
Bardziej szczegółowo