Podstawowe konfiguracje wzmacniaczy tranzystorowych
|
|
- Alina Bednarek
- 6 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Politechnika Wocławska Podstawo koniacje wzmacniaczy tanzystoowych Wocław 00 Politechnika Wocławska Klasyikacja wzmacniaczy Ze wzlęd na zastosowany element steowany: -- lampo -- tanzystoo
2 Politechnika Wocławska Klasyikacja wzmacniaczy Ze wzlęd na zakes częstotliwości wzmacnianych synałów: -- pąd stałeo, -- małej częstotliwości (m.cz.), -- wielkiej częstotliwości (w.cz.). wzmocnienie stałopądo m. cz. w. cz. Hz 0Hz 00Hz khz 0kHz 00kHz MHz 0MHz 00MHz Hz 0Hz -- selektywne ( óna / dolna ), -- szeokopasmo ( óna / dolna >> ). Politechnika Wocławska Klasyikacja wzmacniaczy Ze wzlęd na odzaj spzężenia między wzmacniaczem a obciążeniem lb kolejnym stopniem wzmacniacza: -- o spzężeni pojemnościowym (), -- o spzężeni tansomatoowym, -- o spzężeni zpośednim (alwanicznym). wzmacniane synały zmienne (napięcie stałe nie pzedostaje się na następny stopień), np. wzmacniacze akstyczne wzmacniane synały zmienne i stałe zastosowanie wzmacniaczach pąd stałeo
3 Politechnika Wocławska Klasyikacja wzmacniaczy Ze wzlęd na położeni p.p. na ch-yce tanzystoa oaz amplitdy synał jścioo (podział łównie wzmacniaczy mocy): -- klasa A (p.p. na linioj części ch-yki a amplitda synał j. na tyle mała, że pzez cały okes synały j. tanzysto pzewodzi pąd stan aktywny), -- klasa (p.p. tak dobany, że tanzysto pzewodzi pąd tylko pzez połowę okes pzez dą połowę jest zatkany), -- klasa A (tanzysto pzewodzi pzez większość część okes synał j.), -- klasa (tanzysto pzewodzi pzez mniejszą część okes synał j.). Politechnika Wocławska Wzmacniacze tanzystoo Tanzysto w kładzie wzmacniacza: -źódło synał i obciążenie dołączone do tanzystoa pzez obwody spzęające, - synał wyjściowy powinien być niezniekształcony, - stalony p.p. dostosowany do amplitdy wzmacnianeo synał, - moc wyjściowa większa niż synał stejąceo. 3
4 Politechnika Wocławska Podstawo koniacje wzmacniaczy W + WK + W + W W W WS W D + D WD W + D W + D D W S S S S Politechnika Wocławska haakteystyka amplitdowa wzmacniacza k [d] małe zakes częstotliowsci śednie dże k 0 3d d [lo] 4
5 Politechnika Wocławska haakteystyka amplitdowa wzmacniacza Wzmacniacze stosje się do wzmacniania synałów o szeokim widmie częstotliwości, np. synały akstyczne (stosnek częstotliwości ónej do dolnej wynosi 000). Pzy tak szeokim zakesie inne zjawiska wpływają na pzebie chaakteystyki pzy małych a inne pzy dżych częstotliwościach. Konieczne jest zatem badanie właściwości wzmacniacza oddzielnie w óżnych zakesach częstotliwości. Wpływ na kształt chaakteystyki wzmacniacza mają: pzy małych spadek k na sktek wzost eaktancji kondensatoów w kładzie wzmacniacza, pzy dżych spadek k na sktek spadk wzmocnienia sameo tanzystoa (wpływ pojemności międzyelektodowych) oaz wpływ pojemności pasożytniczych wzmacniacza, pzy śednich k const, elementy eaktancyjne nie mają wpływ na watość wzmocnienia a schemat wzmacniacza opisywany jest jedynie paametami zeczywistymi. Politechnika Wocławska Zakes śednich częstotliwości k [d] małe zakes częstotliowsci śednie dże k 0 3d d [lo] 5
6 Politechnika Wocławska Zakes śednich częstotliwości Paamety obocze wzmacniacza Koniacja W schemat zastępczy + W M O D L W W W m ce Politechnika Wocławska i Zakes śednich częstotliwości Paamety obocze wzmacniacza Koniacja W ezystancja j. i wyj. W i b i c m ce ce i wy wy IQ m ϕ T m IQ ce + Y Q T T ib wyt ce wy ic ce wy i 4 43 >> wy wy ce i wy >> ce 6
7 Politechnika Wocławska i Zakes śednich częstotliwości Paamety obocze wzmacniacza Koniacja W skteczne wzmocnienie napięcio W i b i c m ce ce i wy wy IQ m ϕ T m IQ ce + Y Q k k k sk i wy wy c sk γ e ic 443 { { ( ) obc m { e ce γ + γ - napięciowy współczynnik wykozystania obwod jścioo wzmacniacza Politechnika Wocławska I i Zakes śednich częstotliwości Paamety obocze wzmacniacza Koniacja W skteczne wzmocnienie pądo i W i b k isk i c m i b ce ce i wy wy IQ m ϕ T m IQ ce + Y Q k isk il i il ic ib i wy ( ) ic ib i i wy { ki γ i ki k γ i γ i - pądowy współczynnik wykozystania obwod jścioo wzmacniacza 7
8 Politechnika Wocławska Zakes śednich częstotliwości Paamety obocze wzmacniacza Koniacja W ze SZ pądowym Wsktek nieliniowości ch-yki pzejścioj tanzystoa pojawiają się zniekształcenia synał wyjścioo. Miaą tych zniekształceń jest współczynnik zawatości hamonicznych watosc _ skteczna _ hamonicznych h 00% watosc _ skteczna _ caleo _ synal n n 00% Wpowadzenie do kład spzężenia zwotneo jemneo (część synał wyjścioo pzeciwdziała synałowi jściom), powodje znaczne zmniejszenie wpływ nieliniowości ch-yki i popawę wanków działania wzmacniacza. Politechnika Wocławska Zakes śednich częstotliwości Paamety obocze wzmacniacza Koniacja W ze SZ pądowym Spzężenie zwotne jemne - odzaje N- N-S I Iin I Z Iin I I Y in k Zobc in k Zobc I Z Z Z P- P-S I Iin I Z Iin I I Y in k in k I Zobc I Zobc Z Z Z 8
9 Politechnika Wocławska Zakes śednich częstotliwości Paamety obocze wzmacniacza Koniacja W ze SZ pądowym Spzężenie zwotne jemne - właściwości spzężenie paamet N S P S N P k sk, k isk, k psk k k i Z Z wy Politechnika Wocławska Zakes śednich częstotliwości Paamety obocze wzmacniacza Koniacja W ze SZ pądowym schemat zastępczy + W M O D L W m ce 9
10 Politechnika Wocławska II twiedzenie Millea I I I I 3 3 I +I 3 3 x 3 3 ( I I ) x ( I I ) x I + 3 I I + x + I ( k i ) x I + x x I + k i Politechnika Wocławska Zakes śednich częstotliwości Paamety obocze wzmacniacza Koniacja W ze SZ pądowym schemat zastępczy + W M O D L W m ce I I b I I c I c ( + ) I + b I b + I + c W ( + ) m ce 0
11 Politechnika Wocławska i Zakes śednich częstotliwości Paamety obocze wzmacniacza Koniacja W ze SZ pądowym ezystancja j. i wyj. W i b b e ( +) i c m ce ce i wy wy IQ m ϕ T m IQ ce + Y Q T b ' e + + i b T ( ) wyt ce wyt ic ce wy i 4 43 T wy wy ce iwy ce >> Politechnika Wocławska Zakes śednich częstotliwości Paamety obocze wzmacniacza Koniacja W ze SZ pądowym skteczne wzmocnienie napięcio i W i b b e ( +) i c m ce ce i wy wy IQ m ϕ T m IQ ce + Y Q k sk k i wy wy c { { ( ) sk obc m γ ( ) { e ic e L wy k γ + m + m
12 Politechnika Wocławska I i Zakes śednich częstotliwości Paamety obocze wzmacniacza Koniacja W ze SZ pądowym skteczne wzmocnienie pądo i W i b b e ( +) k isk i c m i b ce ce i wy wy IQ m ϕ T m IQ ce + Y Q k isk il i il ic ib i wy ( ) ic ib i i wy + + [ + ( + ) ] { ki γ i ki k γ i Politechnika Wocławska Zakes śednich częstotliwości Paamety obocze wzmacniacza Koniacja WK schemat zastępczy + W M O D L W W m ce
13 Politechnika Wocławska Zakes śednich częstotliwości Paamety obocze wzmacniacza Koniacja W schemat zastępczy + M O D L W W eb αi e α współczynnik wzmocnienia pądoo tanzystoa w koniacji O I α I + Politechnika Wocławska Zakes śednich częstotliwości Paamety obocze wzmacniacza Poównanie koniacji wzmacniaczy z tanzystoem bipolanym Paamet Wzmocnienie napięcio k Max wzmocnienie pądo ( 0) k i ezystancja jściowa ezystancja wyjściowa wy W m obc (dże) (dże) (śednie) (dże) KONFIAJA WK ( +) (dże) obc (dże zależy od ) + m (małe zależy od ) W m obc (dże) eb (małe) (dże) m 3
14 Politechnika Wocławska Zakes śednich częstotliwości Paamety obocze wzmacniacza Poównanie koniacji wzmacniaczy z tanzystoem nipolanym Paamet Wzmocnienie napięcio k ezystancja jściowa ezystancja wyjściowa wy WS - m obc D ds KONFIAJA WD < + S m S W m obc S + m D Politechnika Wocławska Zakes dżych częstotliwości óna częstotliwość aniczna k [d] małe zakes częstotliowsci śednie dże k 0 3d d [lo] 4
15 Politechnika Wocławska Zakes dżych częstotliwości óna częstotliwość aniczna Koniacja W i W i b X c bc Y i c i I ce c m ce W kładzie występje spzężenie jścia z wyjściem (popzez bc ), aby łatwiej analizować, paszczamy schemat twoząc schemat nilatealny. Pzy twozeni schemat nilatealneo kozystamy z I twiedzenia Millea: Zjawisko zwielokotniania pojemności (oólnie amditancji) między jściem i wyjściem wzmacniacza, w stosnk zależnym od k. Politechnika Wocławska I twiedzenie Millea I Z I 3 I 3 I Z Z Z I Z I I Z I Z Z Z Z k Z Z Z k 5
16 Politechnika Wocławska Zakes dżych częstotliwości óna częstotliwość aniczna Koniacja W i W i b X c bc Y i c i I ce c m ce bc zastępjemy pojemnościami X i Y ównolele włączonymi do i ce. X i Y takie by admitancja widziana z zacisków X- i Y- była taka sama dla ob schematów i W i b X Y i c i ce c X m Y ce jω X I jω cbc ( k ) I j ωy jω cbc j cbc << k ω obc Politechnika Wocławska Zakes dżych częstotliwości óna częstotliwość aniczna Koniacja W k sk ( jω) k jω c jω c + jω c k + + dzie: c c + c + c X bc ( k ) óna częstotliwość aniczna wyznaczamy popzez wyliczenie biena nkcji k (jω). dzie: ω π ω c π c 6
17 Politechnika Wocławska Zakes dżych częstotliwości óna częstotliwość aniczna Koniacja W Watość ónej częstotliwości anicznej można oaniczać popzez dodanie do kład dodatkoo kondensatoa d pomiędzy a. Wówczas zastępcza pojemność jściowa kład: + W d c ( c + )( k ) c + bc d Politechnika Wocławska Zakes dżych częstotliwości óna częstotliwość aniczna Koniacja W ze SZ i W ( ) i b + X Y i c i b e ce c X m Y ce c c + cbc + ( + ) ( k ) π c 7
18 Politechnika Wocławska Zakes dżych częstotliwości óna częstotliwość aniczna Koniacja WK c i W i b i e i bc ec c bc m ce π cbc + m c ce L Politechnika Wocławska Zakes dżych częstotliwości óna częstotliwość aniczna Koniacja W i W i e i eb cb eb c αi e c bc π eb c π c L bc Zazwyczaj stała czasowa obwod jścioo jest znacznie mniejsza niż wyjścioo, zatem: ze wzlęd na małe (paktycznie nie występje eekt Millea) kład stosowany łównie dla wysokich 8
19 Politechnika Wocławska Zakes małych częstotliwości Dolna częstotliwość aniczna k [d] małe zakes częstotliowsci śednie dże k 0 3d d [lo] Politechnika Wocławska Zakes małych częstotliwości Dolna częstotliwość aniczna Koniacja W Spadek wzmocnienia pzy niskich częstotliwościach jest sktkiem wzost eaktancji kondensatoów,, 3. W + Wpływ kondensatoów na ch-yki częstotliwościo bada się pzy oddzielnym wzlędnieni każdeo z kondensatoów. 9
20 Politechnika Wocławska I Zakes małych częstotliwości Dolna częstotliwość aniczna Koniacja W m ce π π ( + ) ( + ) wy I ( + ) m ce ( + ) ( + ) + + π Politechnika Wocławska Zakes małych częstotliwości Dolna częstotliwość aniczna Koniacja WK + W π ( + ) π ( + ) wy 0
21 Politechnika Wocławska Zakes małych częstotliwości Dolna częstotliwość aniczna Koniacja W + W π π ( + ) π ( + ) wy Politechnika Wocławska Zakes małych częstotliwości Dolna częstotliwość aniczna Watość dolnej częstotliwości anicznej będzie zależała od wzajemneo sytowania bienów składowych częstotliwości. dy istnieje bien dominjący, tzn. większy od największeo z pozostałych o co najmniej dwie oktawy (4 azy) to d pzyjmje watość: d dy wszystkie bieny nie są od siebie odlełe (wzajemne oddalenie mniejsze niż oktawy) to d pzyjmje watość: d max, n + n ilość bienów dy bieny są sobie ówne to d pzyjmje watość: d n
Podstawowe konfiguracje wzmacniaczy tranzystorowych
Podstawo koniacje wzmacniaczy tanzystoowych Wocław 05 Klasyikacja wzmacniaczy Ze wzlęd na zastosowany element steowany: -- lampo -- tanzystoo Klasyikacja wzmacniaczy Ze wzlęd na zakes częstotliwości wzmacnianych
Bardziej szczegółowoPodstawowe konfiguracje wzmacniaczy tranzystorowych. Klasyfikacja wzmacniaczy. Klasyfikacja wzmacniaczy
Podstawo konguacje wzmacnaczy tanzystoowych Wocław 08 Klasykacja wzmacnaczy Ze względu na zastosowany element steowany: -- lampo -- tanzystoo Klasykacja wzmacnaczy Ze względu na zakes częstotlwośc wzmacnanych
Bardziej szczegółowoWzmacniacze tranzystorowe prądu stałego
Wzmacniacze tanzystoo pądu stałego Wocław 03 kład Dalingtona (układ supe-β) C kład stosowany gdy potzebne duże wzmocnienie pądo (np. do W). C C C B T C B B T C C + β ' B B C β + ( ) C B C β β β B B β '
Bardziej szczegółowoPolitechnika Wrocławska Katedra Teorii Pola, Układów Elektronicznych i Optoelektroniki. Wykład 10 UKŁADY ELEKTRONICZNE
Kateda Teo Pola, Układów lektoncznych Optoelektonk Wykład 0 UKŁADY LKTONIZN Wocław 203 Klasyfkacja wzacnaczy Ze wzlęd na zastosowany eleent steowany: -- lapo -- tanzystoo Klasyfkacja wzacnaczy Ze wzlęd
Bardziej szczegółowoPolitechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki UKŁADY ELEKTRONICZNE. Wrocław 2009 WARUNKI ZALICZENIA
Poltechnka Wocławska Instytt Telekonkacj, Telenoatyk Akstyk UKŁAY LKTONIZN Wocław 009 Poltechnka Wocławska Instytt Telekonkacj, Telenoatyk Akstyk WAUNKI ZALIZNIA Pozytywne zalczene Pojekt I Pozytywna ocena
Bardziej szczegółowoTranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych
Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału
Bardziej szczegółowoPodstawowe konstrukcje tranzystorów bipolarnych
Tanzystoy Podstawowe konstukcje tanzystoów bipolanych Zjawiska fizyczne występujące w tanzystoach bipolanych, a w związku z tym właściwości elektyczne tych tanzystoów, zaleŝą od ich konstukcji i technologii
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza
Bardziej szczegółowoOBWODY PRĄDU SINUSOIDALNEGO
aboatoium Elektotechniki i elektoniki Temat ćwiczenia: BOTOM 06 OBODY ĄD SSODEGO omiay pądu, napięcia i mocy, wyznaczenie paametów modeli zastępczych cewki indukcyjnej, kondensatoa oaz oponika, chaakteystyki
Bardziej szczegółowoA-3. Wzmacniacze operacyjne w układach liniowych
A-3. Wzmacniacze operacyjne w kładach liniowych I. Zakres ćwiczenia wyznaczenia charakterystyk amplitdowych i częstotliwościowych oraz parametrów czasowych:. wtórnika napięcia. wzmacniacza nieodwracającego
Bardziej szczegółowoWzmacniacze. Klasyfikacja wzmacniaczy Wtórniki Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz operacyjny
Wzmacniacze Klasyfikacja wzmacniaczy Wtórniki Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz operacyjny Zasilanie Z i I we I wy E s M we Wzmacniacz wy Z L Masa Wzmacniacze 2 Podział wzmacniaczy na klasy Klasa A ηmax
Bardziej szczegółowoPracownia Fizyczna i Elektroniczna 2014
Pracownia Fizyczna i Elektroniczna 04 http://pe.fw.ed.pl/ Wojciech DOMNK ozbłysk gamma GB 08039B 9.03.008 teleskop Pi of the Sky sfilmował najpotężniejszą eksplozję obserwowaną przez człowieka pierwszy
Bardziej szczegółowoWzmacniacz operacyjny zastosowania liniowe. Wrocław 2009
Wzmacniacz operacyjny zastosowania linio Wrocław 009 wzmocnienie różnico Pole wzmocnienia 3dB częstotliwość graniczna k D [db] -3dB 0dB/dek 0 db f ca f T Tłumienie sygnału wspólnego - OT ins M[ V / V ]
Bardziej szczegółowoUkłady zasilania tranzystorów
kłady zasilania tranzystorów Wrocław 2 Punkt pracy tranzystora B BQ Q Q Q BQ B Q Punkt pracy tranzystora Tranzystor unipolarny SS Q Q Q GS p GSQ SQ S opuszczalny obszar pracy (safe operating conditions
Bardziej szczegółowoData wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA
WFiIS LABORATORIM Z ELEKTRONIKI Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia
Bardziej szczegółowoPracownia Fizyczna i Elektroniczna 2012
Pracownia Fizyczna i Elektroniczna 0 http://pe.fw.ed.pl/ Wojciech DOMNK Strktra kład doświadczalnego Zjawisko przyrodnicze detektor rządzenie pomiaro rządzenie konawcze interfejs reglator interfejs kompter
Bardziej szczegółowoPracownia Fizyczna i Elektroniczna 2017
Pracownia Fizyczna i Elektroniczna 7 http://pe.fw.ed.pl/ Wojciech DOMNK Strktra kład doświadczalnego Strktra kład doświadczalnego EKSPEYMENT EEKTONNY jawisko przyrodnicze detektor rządzenie pomiaro rządzenie
Bardziej szczegółowoWydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki
Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Na podstawie instrukcji Wtórniki Napięcia,, Laboratorium układów Elektronicznych Opis badanych układów Spis Treści 1. CEL ĆWICZENIA... 2 2.
Bardziej szczegółowoINSTRUKCJA DO ĆWICZENIA
NSTRKJA DO ĆWZENA Temat: Rezonans w obwodach elektycznych el ćwiczenia elem ćwiczenia jest doświadczalne spawdzenie podstawowych właściwości szeegowych i ównoległych ezonansowych obwodów elektycznych.
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów
LABORATORIM ELEKTRONIKI Spis treści Ćwiczenie - 4 Podstawowe układy pracy tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Podstawowe układy pracy tranzystora........................ 2 2.2 Wzmacniacz
Bardziej szczegółowoZastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych
Zastosowania nielinio wzmacniaczy operacyjnych Wrocław 2009 kłady logarytmjące kład logarytmjący powinien dawać proporcjonalne do logarytm. = k D log = k E ln gdzie: k D, k E stałe skalowania, k D = k
Bardziej szczegółowoWykład 2 Projektowanie cyfrowych układów elektronicznych
Wykład 2 Projektowanie cyfrowych układów elektronicznych Mgr inż. Łukasz Kirchner Lukasz.kirchner@cs.put.poznan.pl http://www.cs.put.poznan.pl/lkirchner Sztuka Elektroniki - P. Horowitz, W.Hill kłady półprzewodnikowe.tietze,
Bardziej szczegółowoRealizacja regulatorów analogowych za pomocą wzmacniaczy operacyjnych. Instytut Automatyki PŁ
ealizacja regulatorów analogowych za pomocą wzmacniaczy operacyjnych W6-7/ Podstawowe układy pracy wzmacniacza operacyjnego Prezentowane schematy podstawowych układów ze wzmacniaczem operacyjnym zostały
Bardziej szczegółowoWZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC
WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe właściwości jednostopniowego wzmacniacza pasmowego z tranzystorem bipolarnym. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru częstotliwości
Bardziej szczegółowoPodstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych
ĆWICZENIE 0 Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i właściwościami wzmacniaczy operacyjnych oraz podstawowych układów elektronicznych
Bardziej szczegółowoZastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych
Zastosowania nielinio wzmacniaczy operacyjnych Wrocław 009 kład logarytmjący powinien dawać proporcjonalne do logarytm. = kd log = k E ln gdzie: k D, k E stałe skalowania, k D = k E ln0 napięcie normjące,
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONICZNYCH UKŁADÓW POMIAROWYCH I WYKONAWCZYCH. Badanie detektorów szczytowych
LABORATORIM ELEKTRONICZNYCH KŁADÓW POMIAROWYCH I WYKONAWCZYCH Badanie detektorów szczytoch Cel ćwiczenia Poznanie zasady działania i właściwości detektorów szczytoch Wyznaczane parametry Wzmocnienie detektora
Bardziej szczegółowo* ZESTAW DO SAMODZIELNEGO MONTAŻU *
Infomacje o podukcie Utwozo 22-12-2017 Elekticzne obciążenie DC - zestaw do samodzielnego mtażu Cena : 130,00 zł N katalogowy : ELEK-076 Poducent : mini moduły Dostępność : Dostępny Stan magazynowy : badzo
Bardziej szczegółowoWYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ Instytut Fizyki LABORATORIUM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI, ELEKTRONIKI I MIERNICTWA
WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POITEHNIKI KRAKOWSKIEJ Instytut Fizyki ABORATORIUM PODSTAW EEKTROTEHNIKI, EEKTRONIKI I MIERNITWA ĆWIZENIE 7 Pojemność złącza p-n POJĘIA I MODEE potzebne do zozumienia
Bardziej szczegółowoStopnie wzmacniające
PUAV Wykład 7 Najprostszy wzmacniacz R Tranzystor pracuje w zakresie nasycenia Konduktancja jściowa tranzystora do pominięcia: g ds
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.
ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie
Bardziej szczegółowoObwody prądu zmiennego
Obwody prądu zmiennego Prąd stały ( ) ( ) i t u t const const ( ) u( t) i t Prąd zmienny, dowolne funkcje czasu i( t) t t u ( t) t t Natężenie prądu i umowny kierunek prądu Prąd stały Q t Kierunek poruszania
Bardziej szczegółowoPodstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego
L A B O A T O I U M A N A L O G O W Y C H U K Ł A D Ó W E L E K T O N I C Z N Y C H Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego Ćwiczenie opracował Jacek Jakusz 4. Wstęp Ćwiczenie umożliwia pomiar
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji
Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Układy
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI
1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności
Bardziej szczegółowoPROTOKÓŁ POMIAROWY - SPRAWOZDANIE
PROTOKÓŁ POMIAROWY - SPRAWOZDANIE LABORATORIM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI I ELEKTRONIKI Grupa Podgrupa Numer ćwiczenia 5 Nazwisko i imię Data wykonania. ćwiczenia. Prowadzący ćwiczenie Podpis Ocena sprawozdania
Bardziej szczegółowoPodstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający
Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy
Ćwiczenie nr 65 Badanie wzmacniacza mocy 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych parametrów wzmacniaczy oraz wyznaczenie charakterystyk opisujących ich właściwości na przykładzie wzmacniacza
Bardziej szczegółowoZespół Szkół Łączności w Krakowie. Badanie parametrów wzmacniacza mocy. Nr w dzienniku. Imię i nazwisko
Klasa Imię i nazwisko Nr w dzienniku espół Szkół Łączności w Krakowie Pracownia elektroniczna Nr ćw. Temat ćwiczenia Data Ocena Podpis Badanie parametrów wzmacniacza mocy 1. apoznać się ze schematem aplikacyjnym
Bardziej szczegółowo4. Funktory CMOS cz.2
2.2 Funktor z wyjściem trójstanowym 4. Funktory CMOS cz.2 Fragment płyty czołowej modelu poniżej. We wszystkich pomiarach bramki z wyjściem trójstanowym zastosowano napięcie zasilające E C = 4.5 V. Oprócz
Bardziej szczegółowoWIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH
POLITECHNIKA WARSZAWSKA Instytut Radioelektroniki Zakład Radiokomunikacji WIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE Semestr III LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH Ćwiczenie Temat: Badanie wzmacniacza operacyjnego
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 8. Podstawowe czwórniki aktywne i ich zastosowanie cz. 1
Ćwiczenie nr Podstawowe czwórniki aktywne i ich zastosowanie cz.. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się ze sposobem realizacji czwórników aktywnych opartym na wzmacniaczu operacyjnym µa, ich
Bardziej szczegółowoPOMIARY CHARAKTERYSTYKI CZĘSTOTLIWOŚCIOWEJ IMPEDANCJI ELEMENTÓW R L C
ĆWICZENIE 4EMC POMIARY CHARAKTERYSTYKI CZĘSTOTLIWOŚCIOWEJ IMPEDANCJI ELEMENTÓW R L C Cel ćwiczenia Pomiar parametrów elementów R, L i C stosowanych w urządzeniach elektronicznych w obwodach prądu zmiennego.
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji
Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2010 2014 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STDIA DZIENNE e LABOATOIM PZYZĄDÓW PÓŁPZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr Pomiar częstotliwości granicznej f T tranzystora bipolarnego Wykonując
Bardziej szczegółowoBadanie właściwości multipleksera analogowego
Ćwiczenie 3 Badanie właściwości multipleksera analogowego Program ćwiczenia 1. Sprawdzenie poprawności działania multipleksera 2. Badanie wpływu częstotliwości przełączania kanałów na pracę multipleksera
Bardziej szczegółowoFiltry aktywne filtr środkowoprzepustowy
Filtry aktywne iltr środkowoprzepustowy. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości iltrów aktywnych, metod ich projektowania oraz pomiaru podstawowych parametrów iltru.. Budowa
Bardziej szczegółowoPRACOWNIA ELEKTRONIKI
PRACOWNIA ELEKTRONIKI Temat ćwiczenia: BADANIE WZMACNIA- CZA SELEKTYWNEGO Z OBWODEM LC NIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTT TECHNIKI. 2. 3. Imię i Nazwisko 4. Data wykonania Data oddania
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.
ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk
Bardziej szczegółowoZasilacze: - prostowniki, - filtry tętnień, - powielacze napięcia. Rodzaje transformatorów sieciowych
Zasilacze: - prostowniki, - filtry tętnień, - powielacze napięcia Główne parametry transformatora sieciowego Moc (jednofazowe do 3kW) Znamionowe napięcie wejściowe (np. 3V +% -%) zęstotliwość pracy (np.
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.
I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.
Bardziej szczegółowoPodstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający
Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych
Bardziej szczegółowoProstowniki małej mocy
Prostowniki małej mocy Wrocław 3 Wartość sygnału elektrycznego Skuteczna Wartość skuteczna sygnału (MS oot Mean Square) odpowiada wartości prądu stałego, który przepływając przez o stałej wartości, spowoduje
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 3 REZONANS W OBWODACH ELEKTRYCZNYCH
ĆWZENE 3 EZONANS W OBWODAH EEKTYZNYH el ćwiczenia: spawdzenie podstawowych właściwości szeegowego i ównoległego obwodu ezonansowego pzy wymuszeniu napięciem sinusoidalnym, zbadanie wpływu paametów obwodu
Bardziej szczegółowoPODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ
z 0 0-0-5 :56 PODSTAWY ELEKTONIKI I TECHNIKI CYFOWEJ opracowanie zagadnieo dwiczenie Badanie wzmacniaczy operacyjnych POLITECHNIKA KAKOWSKA Wydział Inżynierii Elektrycznej i Komputerowej Kierunek informatyka
Bardziej szczegółowoWzmacniacz jako generator. Warunki generacji
Generatory napięcia sinusoidalnego Drgania sinusoidalne można uzyskać Poprzez utworzenie wzmacniacza, który dla jednej częstotliwości miałby wzmocnienie równe nieskończoności. Poprzez odtłumienie rzeczywistego
Bardziej szczegółowoUkłady zasilania tranzystorów. Punkt pracy tranzystora Tranzystor bipolarny. Punkt pracy tranzystora Tranzystor unipolarny
kłady zasilania ranzysorów Wrocław 28 Punk pracy ranzysora Punk pracy ranzysora Tranzysor unipolarny SS GS p GS S S opuszczalny oszar pracy (safe operaing condiions SOA) P max Zniekszałcenia nieliniowe
Bardziej szczegółowoTemat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie
Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie.wzmacniacz operacyjny schemat. Charakterystyka wzmacniacza operacyjnego 3. Podstawowe właściwości wzmacniacza operacyjnego bardzo dużym wzmocnieniem napięciowym
Bardziej szczegółowoPracownia Technik Pomiarowych dla Astronomów 2014
Pracownia Technik Pomiarowych dla Astronomów 04 http://pe.fw.ed.pl/ Wojciech DOMNK Pracownia technik pomiarowych dla astronomów 04 zajęcia w czwartki 3-6 Data Wykład (P7) Ćwiczenia (Pastera Vp) Prawo Ohma
Bardziej szczegółowoLiniowe układy scalone w technice cyfrowej
Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Dr inż. Adam Klimowicz konsultacje: wtorek, 9:15 12:00 czwartek, 9:15 10:00 pok. 132 aklim@wi.pb.edu.pl Literatura Łakomy M. Zabrodzki J. : Liniowe układy scalone
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: UKŁADY ELEKTRONICZNE 2 (TS1C500 030) Tranzystor w układzie wzmacniacza
Bardziej szczegółowoFiltry analogowe. Opracowanie: Zbigniew Kulesza Literatura: U. Tietze, Ch. Schenk Układy Półprzewodnikowe, rozdział 14, WNT
Flty analoowe Opacowane: bnew lesza Lteata: U. Tetze, Ch. Schenk Układy Półpzewodnkowe, ozdzał, WNT. Paamety opsjące flty: a) chaakteystyka ampltdowo częstotlwoścowa: - pzebe w zakese pzepstowym (występowane
Bardziej szczegółowoZastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych. Komparatory.
Zastosowania nielinio wzmacniaczy operacyjnych. Komparatory. Wrocław 009 kłady logarytmjące kład logarytmjący powinien dawać proporcjonalne do logarytm. k D log k E ln gdzie: k D, k E stałe skalowania,
Bardziej szczegółowoW celu obliczenia charakterystyki częstotliwościowej zastosujemy wzór 1. charakterystyka amplitudowa 0,
Bierne obwody RC. Filtr dolnoprzepustowy. Filtr dolnoprzepustowy jest układem przenoszącym sygnały o małej częstotliwości bez zmian, a powodującym tłumienie i opóźnienie fazy sygnałów o większych częstotliwościach.
Bardziej szczegółowoDynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego- ćwiczenie 8
Dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego- ćwiczenie 8 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego, oraz zapoznanie się z metodami wyznaczania charakterystyk częstotliwościowych.
Bardziej szczegółowoProjektowanie wzmacniacza tranzystorowego OE
Pojetowanie wzacniacza tanzystooweo OE Poniżej pzedstawiono dwa pzyłady pojetu wzacniacza tanzystooweo pacująceo w oniuacji OE. Piewsze z zadań pzedstawia pojet uładu, tóeo zadanie jest uzysanie na zadanej
Bardziej szczegółowoOpracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.
Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. WZMACNIACZ 1. Wzmacniacz elektryczny (wzmacniacz) to układ elektroniczny, którego
Bardziej szczegółowoPracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 3 Proste przyrządy elektroniczne
Małgorzata Marynowska Uniwersytet Wrocławski, I rok Fizyka doświadczalna II stopnia Prowadzący: dr M. Grodzicki Data wykonania ćwiczenia: 14.04.2015 Pracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 3 Proste przyrządy
Bardziej szczegółowoDobór współczynnika modulacji częstotliwości
Dobór współczynnika modulacji częstotliwości Im większe mf, tym wyżej położone harmoniczne wyższe częstotliwości mniejsze elementy bierne filtru większy odstęp od f1 łatwiejsza realizacja filtru dp. o
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym
ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym 4. PRZEBIE ĆWICZENIA 4.1. Wyznaczanie parametrów wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym złączowym w
Bardziej szczegółowoSzeregowy obwód RLC. u(t)=u R (t)+u L (t)+u C (t) U L = R U U L C U C DOBROĆ OBWODU. Obwód rezonansowy szeregowy - częstość rezonansowa = 1.
Szerego obwód Źródło napięcio o zmiennej sile elektromotorycznej E(e [] drugiego prawa Kirchhoffa: ównanie ruchu ładunku elektrycznego: jeśli Prąd płynący w obwodzie: e jωt u (u (u ( d i t dt u t i t (
Bardziej szczegółowonależą do grupy odbiorników energii elektrycznej idealne elementy rezystancyjne przekształcają energię prądu elektrycznego w ciepło
07 0 Opacował: mg inż. Macin Wieczoek www.mawie.net.pl. Elementy ezystancyjne. należą do gupy odbioników enegii elektycznej idealne elementy ezystancyjne pzekształcają enegię pądu elektycznego w ciepło.
Bardziej szczegółowoLiniowe układy scalone
Liniowe układy scalone Wykład 3 Układy pracy wzmacniaczy operacyjnych - całkujące i różniczkujące Cechy układu całkującego Zamienia napięcie prostokątne na trójkątne lub piłokształtne (stała czasowa układu)
Bardziej szczegółowoTemat: Wzmacniacze selektywne
Temat: Wzmacniacze selektywne. Wzmacniacz selektywny to układy, których zadaniem jest wzmacnianie sygnałów o częstotliwości zawartej w wąskim paśmie wokół pewnej częstotliwości środkowej f. Sygnały o częstotliwości
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 8. Generatory
1 U U 2 LABOATOIUM ELEKTONIKI Ćwiczenie - 8 Generatory Spis treści 1 el ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Wiadomości ogólne.................................. 2 3 Przebieg ćwiczenia 3 3.1 Badanie
Bardziej szczegółowoPODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ
1 z 9 2012-10-25 11:55 PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ opracowanie zagadnieo dwiczenie 1 Badanie wzmacniacza ze wspólnym emiterem POLITECHNIKA KRAKOWSKA Wydział Inżynierii Elektrycznej i Komputerowej
Bardziej szczegółowoPrzygotowanie do Egzaminu Potwierdzającego Kwalifikacje Zawodowe
Pzygotowanie do Egzaminu Potwiedzającego Kwalifikacje Zawodowe Powtózenie mateiału Opacował: mg inż. Macin Wieczoek Jednostki podstawowe i uzupełniające układu SI. Jednostki podstawowe Wielkość fizyczna
Bardziej szczegółowoŹródła zasilania i parametry przebiegu zmiennego
POLIECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGEYKI INSYU MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGEYCZNYCH LABORAORIUM ELEKRYCZNE Źródła zasilania i parametry przebiegu zmiennego (E 1) Opracował: Dr inż. Włodzimierz
Bardziej szczegółowoObwody rezonansowe v.3.1
Politechnika Waszawska Instytut Radioelektoniki Zakład Radiokomunikacji WIEZOROWE STDIA ZAWODOWE ABORATORIM OBWODÓW I SYGNAŁÓW Obwody ezonansowe v.3. Opacowanie: d inż. Kaol Radecki Waszawa, kwiecień 008
Bardziej szczegółowoSterowane źródło mocy
Sterowane źródło mocy Iloczyn prądu i napięcia jest zawsze proporcjonalny (równy) do pewnej mocy p Źródła tego typu nie mogą być zwarte ani rozwarte Moc ujemna pochłanianie mocy W rozważanym podobwodzie
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA WARSZAWSKA Wydział Elektryczny Zakład Systemów Informacyjno-Pomiarowych
POLITECHNIKA WARSZAWSKA Wydział Elektryczny Zakład Systemów Informacyjno-Pomiarowych Studia... Kierunek... Grupa dziekańska... Zespół... Nazwisko i Imię 1.... 2.... 3.... 4.... Laboratorium...... Ćwiczenie
Bardziej szczegółowoKomparatory napięcia. Wprowadzenie. Wprowadzenie. Definicja. Najważniejsze parametry komparatorów napięcia:
Komparatory napięcia Definicja Komparatorem napięcia nazywamy szerokopasmowy wzmacniacz operacyjny, którego napięcie wyjścio przyjmuje jedynie dwie skrajne wartości: minimalną lub maksymalną, przy czym
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem bipolarnym (2 h)
ĆWCZENE LORTORYJNE TEMT: znaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem bipolarnym (2 h) 1. WPROWDZENE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i zasadą działania podstawoch
Bardziej szczegółowoPodstawy fizyki sezon 2 7. Układy elektryczne RLC
Podstawy fizyki sezon 2 7. Układy elektryczne RLC Agnieszka Obłąkowska-Mucha AGH, WFIiS, Katedra Oddziaływań i Detekcji Cząstek, D11, pok. 111 amucha@agh.edu.pl http://home.agh.edu.pl/~amucha Układ RC
Bardziej szczegółowoTRANZYSTOR BIPOLARNY
Podstawy teoretyczne Materiały pomocnicze do ćwiczenia nr. 8 TANZYST PLANY 1.1. Tranzystor bipolarny. dowa, zasada działania. Tranzystor bipolarny jest przyrządem półprzewodnikowym o dwóch złączach p-n
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 4: Pomiar parametrów i charakterystyk wzmacniacza mocy małej częstotliwości REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie : Pomiar parametrów i charakterystyk wzmacniacza mocy małej
Bardziej szczegółowo11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu
11. Wzmacniacze mocy 1 Wzmacniacze mocy są układami elektronicznymi, których zadaniem jest dostarczenie do obciążenia wymaganej (na ogół dużej) mocy wyjściowej przy możliwie dużej sprawności i małych zniekształceniach
Bardziej szczegółowo9. PODSTAWOWE UKŁADY WZMACNIACZY
9. PODSTAWOWE UKŁADY WZMACNIACZY 9.1. MODELE MACIERZOWE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO Modelem dowolnego urządzenia technicznego nazywamy zbiór wiadomości umożliwiających przewidywanie właściwości i analizowanie
Bardziej szczegółowoStatyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7
Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego, poznanie jego charakterystyki przejściowej
Bardziej szczegółowoWydział Elektryczny. Temat i plan wykładu. Politechnika Białostocka. Wzmacniacze
Politechnika Białostocka Temat i plan wykładu Wydział Elektryczny Wzmacniacze 1. Wprowadzenie 2. Klasyfikacja i podstawowe parametry 3. Wzmacniacz w układzie OE 4. Wtórnik emiterowy 5. Wzmacniacz róŝnicowy
Bardziej szczegółowoPRACOWNIA ELEKTRONIKI
PRACOWNIA ELEKTRONIKI Ćwiczenie nr 4 Temat ćwiczenia: Badanie wzmacniacza UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI 1. 2. 3. Imię i Nazwisko 1 szerokopasmowego RC 4. Data wykonania
Bardziej szczegółowoWzmacniacze selektywne Filtry aktywne cz.1
Wzmacniacze selektywne Filtry aktywne cz.1 Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Wzmacniacze selektywne
Bardziej szczegółowoEUROELEKTRA. Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej. Rok szkolny 2012/2013. Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2012/2013 Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia 1. Wykorzystując rachunek liczb zespolonych wyznacz impedancję
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki nstrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONCZNE TS1C300 018 BAŁYSTOK 013 1. CEL ZAKRES ĆWCZENA LABORATORYJNEGO
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM ELEKTRONIKI Ćwiczenie 3 Wybór i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnego el ćwiczenia elem ćwiczenia jest poznanie wpływu ustawienia punktu pracy tranzystora na pracę wzmacniacza
Bardziej szczegółowoWzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS
Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Cel ćwiczenia: Praktyczne wykorzystanie wiadomości do projektowania wzmacniacza z tranzystorami CMOS Badanie wpływu parametrów geometrycznych
Bardziej szczegółowoWzmacniacze operacyjne
Wzmacniacze operacyjne Wrocław 2015 Wprowadzenie jest wzmacniaczem prądu stałego o dużym wzmocnieniu napięciom (różnicom). Wzmacniacz ten posiada wejście symetryczne (różnicowe) oraz jście niesymetryczne.
Bardziej szczegółowoSTABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych
STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z problemami związanymi z projektowaniem, realizacją i pomiarami
Bardziej szczegółowo