Zjawiska kontaktowe. Pojęcia.

Podobne dokumenty
Zjawiska kontaktowe. Pojęcia.

Zadanie domowe: kiedy pole elektryczne jest słabe, a kiedy silne?

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

Badanie efektu Halla w półprzewodniku typu n

Elektrony i dziury w półprzewodnikach

E-3A BADANIE CHARAKTERYSTYK DIODY I TRANZYSTORA METODĄ OSCYLOSKOPOWĄ

Wykład IV. Półprzewodniki samoistne i domieszkowe

PÓŁPRZEWODNIKI W ELEKTRONICE. Powszechnie uważa się, że współczesna elektronika jest elektroniką półprzewodnikową.

2. ZJAWISKA KONTAKTOWE

W wielu przypadkach zadanie teorii sprężystości daje się zredukować do dwóch

ENIAC (1947) Tranzystor Emiter (n) Kolektor (n) Baza (p)

Repeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n

Ćwiczenie nr 20. BADANIE ZŁĄCZA p-n 1. PRZEPŁYW PRĄDU PRZEZ ZŁĄCZE

BADANIE CHARAKTERYSTYKI DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWEJ

Półprzewodniki Teoria złącza PN. Budowa i właściwości elektryczne ciał stałych - wprowadzenie

Model Bohra atomu wodoru

Wykład XI. Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation (LASER) laser półprzewodnikowy

1. Podstawowa struktura tranzystora bipolarnego

Termodynamika defektów sieci krystalicznej

Repeta z wykładu nr 6. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Metal-półprzewodnik

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych

Elementy sterowania wiązką światła

PRZYKŁADY ROZWIAZAŃ STACJONARNEGO RÓWNANIA SCHRӦDINGERA. Ruch cząstki nieograniczony z klasycznego punktu widzenia. mamy do rozwiązania równanie 0,,

Budowa atomów. Budowa atomu wodoru

Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i Techniki Wysokich Napięć. Dr hab.

Fizyka Ciała Stałego

Złącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET

6.1. Typy detektorów i parametry charakteryzujące detektory [30]

Wykład V Złącze P-N 1

Równanie Shockley a. Potencjał wbudowany

Urządzenia półprzewodnikowe

Zjawisko termoelektryczne

Wprowadzenie. metody elementów skończonych

VII MIĘDZYNARODOWA OLIMPIADA FIZYCZNA (1974). Zad. teoretyczne T3.

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

METODY DETEKCJI PROMIENIOWANIA JĄDROWEGO 1

ELEKTROGRAWIMETRIA. Warunki jakie musi spełniać osad analitu na elektrodzie

OKREŚLENIE CHARAKTERYSTYK POMPY WIROWEJ I WYZNACZENIE PAGÓRKA SPRAWNOŚCI

Półprzewodniki. złącza p n oraz m s

STRUKTURA PASM ENERGETYCZNYCH

ELEKTRONIKA ELM001551W

Katedra Silników Spalinowych i Pojazdów ATH ZAKŁAD TERMODYNAMIKI. Wyznaczanie ciepła właściwego c p dla powietrza

Skończona studnia potencjału

Wokół testu Studenta 1. Wprowadzenie Rozkłady prawdopodobieństwa występujące w testowaniu hipotez dotyczących rozkładów normalnych

Numeryczny opis zjawiska zaniku

Stany materii. Masa i rozmiary cząstek. Masa i rozmiary cząstek. m n mol. n = Gaz doskonały. N A = 6.022x10 23

IM Eksperymentalne wyznaczenie wartości podstawowego kwantu przewodności.

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych

Promieniowanie atomów wzbudzonych

ROZDZIAŁ 5 WPŁYW SYSTEMU OPODATKOWANIA DOCHODU NA EFEKTYWNOŚĆ PROCESU DECYZYJNEGO

Ciała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz

Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane

Zasada działania tranzystora bipolarnego

PŁYN Y RZECZYWISTE Przepływy rzeczywiste różnią się od przepływów idealnych obecnością tarcia (lepkości): przepływy laminarne/warstwowe - różnią się

OBLICZENIE SIŁ WEWNĘTRZNYCH DLA BELKI SWOBODNIE PODPARTEJ SWOBODNIE PODPARTEJ ALGORYTM DO PROGRAMU MATHCAD

Budowa i zasada działania lasera

Rozpuszczalność gazów w cieczach. Prawo Henry ego

ELEKTROTECHNIKA I ELEKTRONIKA

Wykład 8 ELEKTROMAGNETYZM

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY

WYKŁAD 6 TRANZYSTORY POLOWE

Przejścia optyczne w cząsteczkach

Równowaga reakcji chemicznej

TERMODYNAMIKA OGNIWA GALWANICZNEGO

IA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody.

Temperatura i ciepło E=E K +E P +U. Q=c m T=c m(t K -T P ) Q=c przem m. Fizyka 1 Wróbel Wojciech

Zatem przyszła wartość kapitału po 1 okresie kapitalizacji wynosi

Twierdzenia graniczne:

3. Regresja liniowa Założenia dotyczące modelu regresji liniowej

Fizyka 2 Wróbel Wojciech. w poprzednim odcinku

4. MODELE ZALEŻNE OD ZDARZEŃ

u t 1 v u(x,t) - odkształcenie, v - prędkość rozchodzenia się odkształceń (charakterystyczna dla danego ośrodka) Drgania sieci krystalicznej FONONY

= arc tg - eliptyczność. Polaryzacja światła. Prawo Snelliusa daje kąt. Co z amplitudą i polaryzacją? Drgania i fale II rok Fizyka BC

WYKŁAD 5 TRANZYSTORY BIPOLARNE

TRANZYSTORY POLOWE JFET I MOSFET

Wykład 19: Dr inż. Zbigniew Szklarski. Katedra Elektroniki, paw. C-1, pok

ν = c/λ [s -1 = Hz] ν = [cm -1 ] ZASADY ZALICZENIA PRZEDMIOTU MBS c = m/s cos x H = H o E = E o cos x c = λν 1 ν = _ λ

Ćwiczenia nr 5. TEMATYKA: Regresja liniowa dla prostej i płaszczyzny

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

10. FALE, ELEMENTY TERMODYNAMIKI I HYDRODY- NAMIKI.

Złącze p-n: dioda. Dioda: element nieliniowy. półprzewodniki. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda. Przewodnictwo kryształów

Jarosław Wróblewski Analiza Matematyczna 1A, zima 2012/13. Ciągi.

Podstawy Procesów i Konstrukcji Inżynierskich. Teoria kinetyczna INZYNIERIAMATERIALOWAPL. Kierunek Wyróżniony przez PKA

Ładunki elektryczne. q = ne. Zasada zachowania ładunku. Ładunek jest cechąciała i nie można go wydzielićz materii. Ładunki jednoimienne odpychają się

Odbicie fali od granicy ośrodków

Definicja interpolacji

LABORATORIUM INŻYNIERII CHEMICZNEJ, PROCESOWEJ I BIOPROCESOWEJ. Ćwiczenie nr 16

Rekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja

2. KONCENTRACJA NOŚNIKÓW W PÓŁPRZEWODNIKU SAMOISTNYM I DOMIESZKOWYM. WPŁYW DOMIESZKOWANIA NA POŁOŻENIE POZIOMU FERMIEGO

Wyznaczyć prędkości punktów A i B

ZADANIA Z CHEMII Rozkład energii w stanie równowagi termicznej. Entropia (S) Kwantowanie energii

Elementy rach. macierzowego Materiały pomocnicze do MES Strona 1 z 7. Elementy rachunku macierzowego

Jarosław Wróblewski Analiza Matematyczna A1, zima 2011/12. Kresy zbiorów. x Z M R

Wykład FIZYKA I. 2. Kinematyka punktu materialnego. Dr hab. inż. Władysław Artur Woźniak

Chemia Teoretyczna I (6).

Pierwiastki z liczby zespolonej. Autorzy: Agnieszka Kowalik

TEORIA TRANZYSTORÓW MOS. Charakterystyki statyczne

Tyrystor i triak - podstawy dzia³ania (cz.1)

Transkrypt:

Zjawiska kotaktowe Zjawiska kotaktowe. Pojęcia. metal Φ M W W raca rzeiesieia elektrou z da asma rzewodictwa do różi, bez zwiększaia jego eergii kietyczej (którą ma zerową). Używa się tylko dla metalu. Φ termodyamicza raca wyjścia. 1

Zjawiska kotaktowe. Pojęcia. ółrzewodik Φ S Χ E C,S E F,S E i Φ termodyamicza raca wyjścia. χ- owiowactwo elektroowe ółrzewodika. E V,S Emisja elektroów z ciała stałego. Termoemisja: emisja elektroów w wysokiej temeraturze; Φ Uwagi: j kt T = AT e W temeraturze okojowej rąd termoemisji jest bardzo mały; Wzór Richardsoa jest całkowicie klasyczy, a wiadomo że cząstki o eergii wyższej iż bariera otecjału też się od iej mogą odbić. Dlatego koiecza jest modyfikacja wzoru: Φ j kt T = (1 R) AT e Gdzie R jest wsółczyikiem odbicia (0.-0.3) Emisja elektroów owoduje oziębieie katody. W olu elektryczym raca wyjścia się obiża.

Emisja elektroów z ciała stałego. W silym olu elektryczym rąd termoemisji jest większy iż bez ola (obiża się bariera otecjału omiędzy metalem a otoczeiem - ozacza to zmiejszeie racy wyjścia); Emisja elektroów z ciała stałego. Emisja olowa: tuelowaie elektroów w silym olu elektryczym (rzez trójkątą barierę otecjału); metal 3

Emisja elektroów z ciała stałego. Emisja olowa wystęuje w silych olach elektryczych E > 10 7 V/cm; Wyjątkowymi materiałami od względem emisji olowej elektroów są aorurki węglowe. Emisja elektroów z ciała stałego. Zjawisko emisji olowej wykorzystuje się m.i. w wyświetlaczach: Field Emissio Dislays (FED): różica między FED a zwykłym ekraem jest taka, że FED wykorzystuje wiele emiterów elektroów, a ie jede; Emiterami mogą być: -Mo; - CNT 4

Emisja elektroów z ciała stałego. Fotoemisja: emisja elektroów od wływem światła Emisja elektroów z ciała stałego. Fotoemisja: dwufotoowa fotoemisja - jede foto wzbudza elektro do stau wzbudzoego, ale związaego wewątrz ciała stałego; drugi - do stau iezwiązaego; 5

Emisja elektroów z ciała stałego. Emisja wtóra: wiązka adających elektroów wybija elektroy (wtóre) z owierzchi ciała stałego; Składa się z trzech etaów: Wzbudzeie elektroów w ciele stałym do wyższego stau eergetyczego; trasort wzbudzoych elektroów do graicy ciało stała/różia; Emisja elektroów; Wydajość emisji wtórej oisuje się za omocą wsółczyika emisji wtórej, δ; ; Większość materiałów to ółrzewodiki lub izolatory, których rzerwa eergetycza jest zaczie większa iż owiowactwo elektroowe. N. MgO, BeO, Cs 3 Sb i KCl. Maksymale δ jest w zakresie 8 15. Emisja elektroów z ciała stałego. Emisja wtóra. W iektórych ółrzewodikach asma są zakrzywioe w dół w taki sosób, że oziom różi leży oiżej da asma rzewodictwa w objętości. O takim materiale mówimy, że ma ujeme owiowactwo elektroowe. Najważiejszy materiał z tej gruy to fosforek galu aktywoway cezem GaP(Cs). Osiąga o δ rzędu 100. 6

Złącza różych materiałów: uwagi ogóle. Gdy dwa ciała tworzą złącze, lub ciało o skończoych rozmiarach zajduje się w olu elektryczym, lub w obliżu graicy ciało-różia, w graiczych obszarach materiału: Powstaje wewętrze (kotaktowe) ole elektrycze; Nastęuje redystrybucja ładuku (owstaje ładuek rzestrzey); Nastęuje zakrzywieie asm eergetyczych. UWAGA: to ie są trzy róże zjawiska, to są trzy asekty tego samego zjawiska. Złącza różych materiałów: uwagi ogóle. W olu elektryczym y kocetracja ośików ładuku w ółrzewodiku zmieia się: Ładuek rzestrzey: ev kt ( V ) = (0) e, ( V ) = (0) e ev kt d V dx = ρ εε 0 7

Złącza różych materiałów: uwagi ogóle. Rozmiar obszaru, w którym astęują zmiay jest to tzw. długość ekraowaia Debye a. εε kt L D = 0 e εε kt L D = 0 e 8

Złącza różych materiałów: uwagi ogóle. Izolowae materiały różią się otecjałem chemiczym. Po zetkięciu ze sobą dwóch materiałów zaczyają łyąć chwilowe rądy. E vacuum E F, e - E F, Złącze w rówowadze: j=0 r r ' ' ' T ' T j = q K11E qk11 µ qk 1 + qk11µ + T T 3 q r q q T q T r ' ' ' ' + K E K µ K + K µ B + * 1 * 1 * * 1 m m m T m T r 4 q r 3 3 3 q q T q T r ' ' ' ' + B K E K µ K + K µ B m m m T m T * 13 * 13 * 3 * 13 r r j = µ ' ' ( q K E qk ) = 0 11 11 µ q V µ = 0 ( µ + qv ) = 0 µ~ = µ + qv = cost 9

Złącze w rówowadze: j=0 Rówowaga ozacza miimum eergii swobodej. Związek omiędzy eergią swobodą a otecjałem G µ = chemiczym: N reszta= cost Zatem, o zetkięciu dwóch dg = µ i dni = µ 1dN1 + µ dn materiałów: i Poieważ tyle elektroów rzybędzie w (1), ile ubędzie w (): dn1 = dn Zatem, r-ga jest gdy (rimy, µ ' 1 = µ ' oieważ otecjały chemicze są teraz ieco ie): Złącza różych materiałów: uwagi ogóle. Rówowaga ustala się gdy w całym obszarze otecjał chemiczy (elektrochemiczy) jest taki sam. E vacuum E F, e - E F, 10

Przykład: metal i ółrzewodik E 0 - Vacuum level Φ M Φ s Metal E FM Metal E C EF Semicoductor E V Przykład: metal i ółrzewodik E 0 Φ M Φ s Metal E FM E C EF Semicoductor E V Przeływ rądu (chwilowego, aż do ustaleia się rówowagi); 11

Przykład: metal i ółrzewodik E 0 V E C Metal E FM E F E V Semicoductor Złącze: aładoway kodesator V = ( Φ Φ ) M s ZŁĄCZE N-P 1

Złącze - Rodzaje złącz: Wykoae z tych samych ółrzewodików; Wykoae z różych ółrzewodików (heterozłącza); Zdegeerowae; Niezdegeerowae; Skokowe; liiowe; Złącze -: założeia i ozaczeia Rozważae będzie złącze: Homozłącze: E = E = E ; E = E = E ; C C C ; V V V µ µ Niezdegeerowae; Skokowe; N D = cost, x > 0; N = cost, x < 0 A -d d x 13

Złącze -: założeia i ozaczeia Ozaczeia: Obszar złącza, w którym astęuje rzeływ ładuku i ie rocesy, to: d x d Poza tym obszarem: x < d, ( x) =, ( x) = = cost, x > d ( x) =, ( x) = cost, = -d d x Złącze - Co dzieje się o utworzeiu złącza? Bardzo duże gradiety kocetracji elektroów i dziur: Elektroy łyą z do, dziury z do ; Stroa ładuje się dodatio, a ujemie. Powstaje wewętrze ole elektrycze, które owoduje rzeływ rądów uoszeia rzeciwych iż rądy dyfuzyje. 14

Złącze - w rówowadze ROWNOWAGA: wyadkowy rąd ie łyie, otecjał chemiczy wszędzie taki sam. Tz. rądy uoszeia i dyfuzyjy są sobie rówe (i rzeciwie skierowae). E r ( q K E q K ) = 0 r j µ = 11 11 r ( q K E q K ) = 0 r j µ = 11 11 uoszeie elektroów dyfuzja elektroów dyfuzja dziur uoszeie dziur x 0 x ev 0 E c µ F E v x Prąd dyfuzyjy Nośiki oruszają się w kieruku zmiejszającej się kocetracji. W rzyadku 1D (tak jak jest w złączu): j dyf = qk11 µ = ek11 µ = ed x j dyf = q K11 µ = ek11 µ = ed x Diffusio currets i the resece of a cocetratio gradiet. 15

Prąd uoszeia Gęstość rądu uoszeia (też w rzyadku 1D): j j = qµ E = σ E = qµ E = σ E Gdzie, µ i µ to odowiedio ruchliwość elektrou i dziury (średia rędkość uoszeia abyta rzez ośik w jedostkowym olu elektryczym). Całkowity rąd: elektroowy j ( x ) = q µ ( x ) E ( x ) + d( x) qd dx uoszeie dyfuzja dziurowy j( x) = qµ ( x) E( x) d ( x ) qd dx uoszeie dyfuzja 16

ZŁĄCZE N-P W RÓWNOWADZE KONTAKTOWA RÓŻNICA POTENCJAŁÓW Rówowaga W rówowadze ie łyie wyadkowy rąd. Odowiedie rądy dyfuzyje i uoszeia muszą się zosić. N. dla elektroów d( x) qµ ( x) E( x) = - qd dx W obszarze zubożoym (odowiedio o stroie i ) ev ev kocetracja ośików ładuku: kt kt ( x) = e, ( x) = e Wiadomo, że: dv E = dx Podstawiając wszystko do rówaia zerowaia się rądu elektroowego, otrzymujemy: dv µ ( x) - = dx - D d dx 17

Rówowaga W rezultacie, otrzymujemy r-ie: Całkując o obszarze zubożoym: Kotaktowa różica otecjałów: V V D dv = µ dv = V V D = µ µ d D d µ ( l l ) V k = ( V V ) D = l µ Iy sosób wyzaczeia V k V zależy od szerokości rzerwy eergetyczej i ołożeia otecjału chemiczego V k E g E V E C µ 18

Złącze -: kotaktowa różica otecjałów E g E V ( E ( E µ ) ( µ E ) ) 1 Vk = g C µ V) e 1 = ( µ µ ) e E C µ Złącze -: kotaktowa różica otecjałów Po stroie (dla x >> 0 ) = N e c Ec µ kt Po stroie (dla x << 0) = N v e E c µ kt 1 kt = = Vk ( µ µ ) l e e 19

Zależość Eisteia Otrzymaliśmy dwa ozorie róże wyrażeia a kotaktową różicę otecjałów. kt Vk = l e V k D = l µ Wsółczyik dyfuzji i ruchliwość związae są ze sobą relacją Eisteia: i D µ = kt q D = µ ZŁĄCZE N-P W RÓWNOWADZE NATĘŻENIE POLA ELEKTRYCZNEGO 0

Złącze -: atężeie ola elektryczego Założeie: wszystkie swobode ośiki ładuku odłyęły z obszaru złącza, tworząc obszar zubożoy ( d <x < d. ) Kocetracja ośików ładuku Gęstość ładuku desity -d Obszar zubożoy, r E 0 d x a r = en A -d < x < 0 r = +en D dla 0 <x <d Całkowity ładuek musi być rówy zeru, zatem: N D d =N A d. Złącze -: atężeie ola elektryczego Z r-ia Poissoe a, oraz rzy warukach brzegowych Waruki brzegowe: E = 0 dla x > d i x < d V( x) = ρ( x)/ ε0ε r x V + N De E = = x + C1 dla 0 x d x ε 0 ε V NAe E = = x + C dla d x 0 x ε ε 0 r r 1

Złącze -: atężeie ola elektryczego Po zastosowaiu waruków brzegowych: E + N e D = ( x d) dla 0 ε 0 εr x d NAe E = ( x + d ) dla d x 0 ε 0ε r Złącze -: atężeie ola elektryczego Zatem: ładuek Obszar zubożoy ρ E E 0 x

ZŁĄCZE N-P W RÓWNOWADZE POTENCJAŁ POLA ELEKTRYCZNEGO I SZEROKOŚĆ ZŁĄCZA Szerokość złącza Aby zaleźć szerokość złącza wykorzystamy wszystko, co do tej ory wyzaczyliśmy, czyli: E + N e D = ( x d) dla 0 ε 0 εr x d NAe E = ( x + d ) dla d x 0 ε ε 0 r kt kt Vk = V V = l = l e e 3

+ N e D E = ( x d ) stroa 0< x< ε 0 εr d NAe E = ( x + d ) stroa d < x < 0 ε ε 0 r Szerokość złącza Na odstawie zajomości ola w złączu moża obliczyć kotaktową różicę otecjałów i ją owiązać ze zaym wyrażeiem a V k. Całkujemy rówaie E=dV/dx,. Po stroie : x ena V ( x) V( d ) = V( x) V = ( x+ d) dx ε 0 ε Po stroie : dd 0 end V ( d ) V( x) = V V( x) = ( x d ) dx ε 0 ε d x r r Szerokość złącza Oba wyrażeia muszą się zszyć w ukcie x=0 Zatem: en Vk = ε ε en d + A D 0 r ε0εr d Pamiętając, że: N Ad = N Dd d d ε 0 ε rn AVk = ( ) en D N A + N D ε 0 ε rndvk = ( ) en A N A + ND 1 1 ( Na + Nd ) W= ε Vk q NN a d 4

Potecjał ola elektryczego Przy okazji wyzaczaia szerokości złącza otrzymaliśmy wyrażeia a otecjał ola elektryczego w ukcie x złącza: x Po stroie : ena V ( x) = V + ( x+ d) dx ε d r 0 ε Po stroie : d end V ( x) = V + ( x d ) dx ε x 0 εr Po rzekształceiach: ena Po stroie : V ( x) = V + x+ d ε Po stroie : 0εr end V( x) = V x d ε ε 0 r ( ) ( ) Potecjał ola elektryczego Przyjmując zero otecjału o stroie, otrzymujemy: Po stroie : ena V ( x) = ( x+ d ) ε 0εr Po stroie : end V( x) = V ( ) k x d ε ε 0 r 5

Złącze -: odsumowaie x Kocetracja dziur i elektroów = N A, x > d i = N D dla x < d Gęstość ładuku r = en A -d < x < 0 r = +en D dla 0 <x <d Pole elektrycze Potecjał ola elektryczego Eergia asma rzewodictwa + N e D E = ( x d) dla 0< x < ε 0 εr NAe E = ( x + d ) dla d < x < 0 ε ε 0 r ena V( x) = ( x+ d ) dla d < x < 0 ε 0 ε r en D V ( x) = Vk ( x d ) dla 0 < x < ε 0 εr E c (x) = E c (x>d ) ev(x) d d 6

Kocetracja dziur i elektroów, Gęstość ładuku ρ Pole elektrycze E Potecjał ola elektryczego φ(x) Eergia asma rzewodictwa E C 0 Obszar zubożoy x Złącze -: wartości Mamy złącze Si - zawierające x 10 16 cm -3 akcetorów o stroie a o stroie : 10 16 cm -3 akcetorów oraz 10 17 cm -3 doorów. Kocetracja ośików ładuku w staie rówowagi: o stroie : = N a = x 10 16 cm -3 = i / = 10 0 / x 10 16 = 5 x 10 3 cm -3 Po stroie : = N d - N a = 9 x 10 16 cm -3 = i / = 10 0 /(1 x 10 16 ) = 1.11 x 10 3 cm -3 Kotaktowa różica otecjałów w temeraturze okojowej: 0.79 V Szerokość złącza: 0.3µm; Maksymale atężeie ola elektryczego: 40 kv/cm; 7

Solaryzowae złącze - Solaryzowae złącze Założeie: ois kwaziklasyczy (tz. eergia związaa z zewętrzym ę olem elektryczym y dozawaym rzez elektroy w złączu jest mała w orówaiu z szerokością rzerwy eergetyczej). Uwaga: obszar zubożoy. Przyłożeie zewętrzej różicy otecjału włyie a: Kotaktową różicę otecjału, wysokość bariery otecjału między i ; Szerokość warstwy zubożoej; Kocetrację i gradiety kocetracji, ole elektrycze; Nie będzie rówowagi między rądem dyfuzyjym i uoszeia; 8

Solaryzowae złącze: asma rzesuwają się Zero Bias Forward Bias Reverse Bias + - - + -- + + - + -- + + -- + + - + -- + + E c qv bi E c ( ) q V bi V F E v E v E v E c ( + V) qv bi r Potetial Eer rgy V bi Vbi V F V bi + V R Carrier Desity o Solaryzowae złącze: kieruek rzewodzeia + - - - + + o - juctio i forward bias Naięcie kotaktowe maleje z V 0 do V 0 -V F. Elektroy są wstrzykiwae ze stroy do i stają ośikami miejszościowymi o stroi rekombiują z dziurami, zatem ich kocetracja maleje eksoecjalie z odległością. Aalogiczie wstrzykiwae są dziury do 9

Solaryzowae złącze : rąd Obszar dyfuzyjy Orócz obszaru zubożoego ojawiają się tzw obszary dyfuzyje Solaryzowae złącze Obszar zubożoy: Duże ole elektrycze Duży ładuek rzestrzey Duże gradiety kocetracji ładuku Obszar dyfuzyjy Obszar dyfuzyjy Obszar zubożoy 30

Solaryzowae złącze Obszar dyfuzyjy: Małe ole elektrycze Mały ładuek rzestrzey Duży gradiet kocetracji ładuku Obszar dyfuzyjy Obszar dyfuzyjy Obszar zubożoy + - - - + + o B o A o o l l 31

Solaryzowae złącze : rąd Obszar dyfuzyjy: Mały rąd uoszeia dziur, duży rąd uoszeia elektroów; Duży rąd dyfuzyjy dziur; Mały rąd uoszeia elektroów, duży rąd uoszeia dziur; Duży rąd dyfuzyjy elektroów; Obszar zubożoy: Wszystko duże i iemożliwe do obliczeia; Solaryzowae złącze: kieruek rzewodzeia Miejsza kotaktowa bariera otecjału Większy iż w r-dze rąd dyfuzyjy dziur z do Większy iż w r-dze rąd dyfuzyjy elektroów z do Prądy uoszeia odobe jak w r-dze. Prąd uoszeia jest związay z ruchem ośików miejszościowych o obu stroach złącza. 3

Solaryzowae złącze: kieruek zaorowy Większa kotaktowa bariera otecjału Miejszy iż w r-dze rąd dyfuzyjy dziur z do Miejszy iż w r-dze rąd dyfuzyjy elektroów z do Prądy uoszeia odobe jak w r-dze.. Solaryzowae złącze : rąd Tu liczy się rąd dziurowy (tylko dyfuzyjy, oieważ uoszeia jest mały); Przejście ośików rzez warstwę zubożoą rzebiega szybko (tz. rądy się ie zmieiają); Tu liczy się rąd elektroowy; Wyadkowy rąd łyący rzez złącze jest sumą rądu elektroowego i dziurowego. 33

34 Solaryzowae złącze Szerokość złącza w r-dze: 0 ) ( V N N N N q W d a d a d + = ε N (N ) Szerokość złącza solaryzowaego aięciem V: ( ) V V N N N N q W d a d a d + = 0 ) ( ε +V = kieruek rzewodzeia -V = kieruek zaorowy (ex 1) + = T k ev L e D L e D j B Solaryzowae złącze - T k L L B

Solaryzowae złącze - J ev = Js (ex 1) k B T Solaryzowae złącze - Polaryzacja w kieruku zaorowym: Zjawisko Zeera: tuelowaie elektroów rzez barierę otecjałów (dla aięć oiżej 5 V); Joizacja lawiowa: swobode elektroy zderzając się ze związaymi elektroami joizują je (owyżej 5 V) 35

Dioda tuelowa Dioda tuelowa: dioda silie domieszkowaa w obu częściach ( i ) => częściowo zaełioe asmo rzewodictwa o stroie i częściowo uste asmo o stroie ; obszar zubożoy jest bardzo wąski. e F Dioda tuelowa Dioda tuelowa: działaie 36

Trazystor Elektroy z warstwy rekombiują z dziurami w bazie (elektroów jest zaczie więcej iż dziur). Powstaje obszar zubożoy w złączu emiter-baza. Prąd między emiterem a kolektorem ie łyie. Trazystor Gdy do bazy zostaie rzyłożoe aięcie, elektroy zowu mogą doływać od emitera do bazy, uwaliaa jest część dziur, obszar zubożoy maleje i może łyąć rąd między emiterem a kolektorem. Mała zmiaa rądu bazy owoduje dużą zmiaę rądu emiterkolektor. 37

Złącze metal- ółrzewodik (a) i (c) rzed ustaleiem się rówowagi (b) i (d) w rówowadze Φ M > Φ S Φ M < Φ S Złącze metal ółrzewodik tyu z Φ M > Φ S Po utworzeiu złącza elektroy będą rzeływać z S do M. Work Fuctio Φ M Work Fuctio Φ S E vacuum Electro Affiity Χ E C,S E F,S E i E V,S Metal Semicoductor 38

Złącze metal ółrzewodik tyu z Φ M > Φ S Rówowaga: oziom Fermiego wszędzie taki sam Work Fuctio Φ M Φ S V BI Χ E vacuum Φ B E C,S E F,S E i Metal Semicoductor E V,S Złącze metal ółrzewodik tyu z Φ M > Φ S Rówowaga: Wszystkie elektroy odłyą z ewego obszaru ółrzewodika (owstaje obszar zubożoy w ośiki ładuku); między ółrzewodikiem a metalem owstaje wewętrza różica otecjałów oraz ole elektrycze; Kotaktowa różica otecjałów: V BI =Φ M -Φ S 39

Złącze metal ółrzewodik tyu z Φ M > Φ S Elektroy rzeływające z M do S aotykają barierę otecjału Φ B = Φ M χ Elektroy łyące z S do M aotykają a barierę Φ M Φ S Work Fuctio Φ M Φ S V BI Χ E vacuum Φ B E C,S E F,S E i Metal Semicoductor E V,S Złącze metal ółrzewodik tyu z Φ M > Φ S Złącze solaryzowae W zależości od zaku aięcia bariera, którą aotykają elektroy łyące z S do M albo rośie, albo maleje: złącze ą ma działaie rostujące. I ~ V kt ( a / 1 ) I0 ex 40

Złącze metal ółrzewodik tyu z Φ M < Φ S Po utworzeiu złącza elektroy będą rzeływać z M do S. Nie ma bariery dla elektroów z S do M. Mała bariera jest dla elektroów łyących z M do S φ m χ sc χ sc- φ m E F Złącze metal ółrzewodik tyu z Φ M < Φ S Po utworzeiu złącza elektroy będą rzeływać z M do S. Nie ma bariery dla elektroów z S do M. Mała bariera jest dla elektroów łyących z M do S E vacuum Χ E vacuum Φ M Φ S E C,S Φ M Φ S E C,S E F,S E F,S E V,S E V,S VBI =Φ S -Φ M Φ B 41

Solaryzowae złącze metal ółrzewodik tyu z Φ M < Φ S Nie ma bariery dla elektroów z S do M. Nawet małe aięcie V A > 0 owoduje duży rąd. Jest mała bariera dla elektroów łyących z M do S, ale zika gdy V A < 0 jest rzyłożoe do metalu. Duży rąd łyie gdy V A < 0. Nie ma właściwości rostujących: tzw. kotakt omowy. φ m χ sc χ sc- φ m I E F V A Wysokości barier otecjału w złączach metal-ółrzewodik [ev] 4