4. Statystyka elektronów i dziur

Podobne dokumenty
4. Statystyka elektronów i dziur

3. Struktura pasmowa

Półprzewodniki (ang. semiconductors).

3. Struktura pasmowa


Plan wykładu. Wybrane aspekty nanotechnologii. Zasady zaliczenia. Epoka NANO. Wydział Fizyki UW

Półprzewodniki samoistne. Struktura krystaliczna

ż ź ż ć ż ć

Teoria pasmowa ciał stałych

SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force

Rozszczepienie poziomów atomowych

Absorpcja związana z defektami kryształu

Domieszki w półprzewodnikach

Domieszki w półprzewodnikach

Nanostruktury i nanotechnologie

1. Struktura pasmowa from bonds to bands

Repeta z wykładu nr 3. Detekcja światła. Struktura krystaliczna. Plan na dzisiaj

Proste struktury krystaliczne

Teoria pasmowa. Anna Pietnoczka

EFEKT PAMIĘCI KSZTAŁTU

Ł ć Ł ć

Ł Ł Ź

Teoria struktury kapitału

Ł Ł

Półprzewodniki (ang. semiconductors).

Obserwacje świadczące o dyskretyzacji widm energii w strukturach niskowymiarowych

ć Ł Ł ć Ż Ż Ł Ż


Dyrektor oraz pracownicy Miejsko - Gminnego Ośrodka Kultury w Kowalewie Pomorskim

Budowa materii Opis statystyczny - NAv= 6.022*1023 at.(cz)/mol Opis termodynamiczny temperatury -

półprzewodniki Plan na dzisiaj Optyka nanostruktur Struktura krystaliczna Dygresja Sebastian Maćkowski

ANALIZA FOURIEROWSKA szybkie transformaty Fouriera

Wiązania. w świetle teorii kwantów fenomenologicznie

SPRĘŻ WENTYLATORA stosunek ciśnienia statycznego bezwzględnego w płaszczyźnie

ć

Diody i tranzystory. - prostownicze, stabilizacyjne (Zenera), fotodiody, elektroluminescencyjne, pojemnościowe (warikapy)

Krawędź absorpcji podstawowej


PODSTAWY FIZYKI - WYKŁAD 7 PRZEWODNIKI OPÓR OBWODY Z PRADEM STAŁYM. Piotr Nieżurawski. Wydział Fizyki. Uniwersytet Warszawski

Jak TO działa? Co to są półprzewodniki? TRENDY: Prawo Moore a. Google: Jacek Szczytko Login: student Hasło: *******

Przewodnictwo elektryczne ciał stałych. Fizyka II, lato

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

Laboratorum teledetekcji. Sensory akustyczne. ppłk dr inż. Mateusz Pasternak

Przewodnictwo elektryczne ciał stałych

Własności płynów - zadania

Metoda Monte Carlo. Jerzy Mycielski. grudzien Jerzy Mycielski () Metoda Monte Carlo grudzien / 10

2. P (E) = 1. β B. TSIM W3: Sygnały stochastyczne 1/27

n n 1 2 = exp( ε ε ) 1 / kt = exp( hν / kt) (23) 2 to wzór (22) przejdzie w następującą równość: ρ (ν) = B B A / B 2 1 hν exp( ) 1 kt (24)

Własność ciała lub cecha zjawiska fizycznego, którą można zmierzyć, np. napięcie elektryczne, siła, masa, czas, długość itp.

na dnie (lub w szczycie) pasma pasmo jest paraboliczne, ale masa wyznaczona z krzywizny niekoniecznie = m 0

Granica i ciągłość funkcji. 1 Granica funkcji rzeczywistej jednej zmiennej rzeczywistej

Wykład 8 ELEKTROMAGNETYZM

Przyrządy półprzewodnikowe


Wykład 12. Anna Ptaszek. 16 września Katedra Inżynierii i Aparatury Przemysłu Spożywczego. Fizykochemia biopolimerów - wykład 12.

Zbiór wielkości fizycznych obejmujący wszystkie lub tylko niektóre dziedziny fizyki.

II WARMIŃSKO-MAZURSKIE FORUM DROGOWE LIDZBARK WARMIŃSKI

ZAGADNIENIA PROJEKTOWE PALNIKÓW PYŁOWYCH

Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

PL B1. Politechnika Wrocławska,Wrocław,PL BUP 02/04

Układ okresowy Przewidywania teorii kwantowej

Procedura wymiarowania mimośrodowo ściskanego słupa żelbetowego wg PN-EN-1992:2008


Sprawdzenie stanów granicznych użytkowalności.

Wielowymiarowy próbnik Gibbsa

Elektryczność i Magnetyzm

Ekscytony Wanniera Motta

METALE. Cu Ag Au

Relacje pomiędzy strukturą, symetrią i widmem energetycznym kryształów w ramach koncepcji elementarnych pasm energetycznych

Uchwała nr 54/IX/2016 Komendy Chorągwi Dolnośląskiej ZHP z dnia r.

ROZKŁAD NAPRĘśEŃ POD FUNDAMENTEM W KOLEJNYCH FAZACH REALIZACJI INWESTYCJI. σ ρ [kpa]

Ą

METODA CIASNEGO (silnego) WIĄZANIA (TB)

Ż Ł Ń

Wprowadzenie do optyki nieliniowej

Inne koncepcje wiązań chemicznych. 1. Jak przewidywac strukturę cząsteczki? 2. Co to jest wiązanie? 3. Jakie są rodzaje wiązań?

Chemia nieorganiczna. Copyright 2000 by Harcourt, Inc. All rights reserved.

Wrocław, dnia 27 marca 2015 r. Poz UCHWAŁA NR VIII/113/15 RADY MIEJSKIEJ WROCŁAWIA. z dnia 19 marca 2015 r.

Prędkość i przyspieszenie punktu bryły w ruchu kulistym

ć ż ż ć ż Ł ć ż ć

α - stałe 1 α, s F ± Ψ taka sama Drgania nieliniowe (anharmoniczne) Harmoniczne: Inna zależność siły od Ψ : - układ nieliniowy,

PÓŁPRZEWODNIKI W ELEKTRONICE. Powszechnie uważa się, że współczesna elektronika jest elektroniką półprzewodnikową.

Ą ć ć ć ć Ł

Ń ć ć ć

Ż ć Ż ż ć ż Ż Ż Ż ć ż Ż Ż ć

Granica i ciągłość funkcji. 1 Granica funkcji rzeczywistej jednej zmiennej rzeczywsitej

Modele kp Studnia kwantowa


Zestawić siły wewnętrzne kombinacji SGN dla wszystkich kombinacji w tabeli:

POLITECHNIKA ŚWIĘTOKRZYSKA w Kielcach WYDZIAŁ MECHATRONIKI I BUDOWY MASZYN KATEDRA URZĄDZEŃ MECHATRONICZNYCH LABORATORIUM FIZYKI INSTRUKCJA

Ż ć

L.Kowalski Systemy obsługi SMO

Pole temperatury - niestacjonarne (temperatura zależy od położenia elementu ciała oraz czasu)

Układ okresowy. Przewidywania teorii kwantowej

Część I. Wyznaczanie parametrów sieci i grupy przestrzennej dla kryształów oksymu oksofenyloacetaldehydu. Zakres materiału do opanowania

Chemia nieorganiczna. Pierwiastki. niemetale Be. 27 Co. 28 Ni. 26 Fe. 29 Cu. 45 Rh. 44 Ru. 47 Ag. 46 Pd. 78 Pt. 76 Os.

ż Ę Ę ż ż

Spis wszystkich symboli

Wykład VI. Teoria pasmowa ciał stałych

WŁAŚCIWOŚCI MECHANICZNE SPRĘŻYSTOŚĆ MATERIAŁ. Właściwości materiałów. Właściwości materiałów

Transkrypt:

4. Statystya ltroów i ziur Gęstość staów Kotraja ltroów i ziur w półprzwoiu izgrowaym i zgrowaym Półprzwoi samoisty Domiszowai, oory i aptory Półprzwoi omiszoway, zalżość otraji swoboy ośiów i poziomu rmigo o tmpratury

Gęstość staów w paśmi D D D3 ( ( ( ( ( ( 3 3 3 4 ( ( * ( m + m * ( / ρ * ( m ρ m ρ 3 / * ( la ulisty powirzi izorgtyzy: D 3D D ( (3 (a j ł

Gęstość staów w paśmi przwoitwa i walyjym Gęstość staów w paśmi walyjym: m m *; (- ( v - pasmo przwoitwa: g(~(m * 3/ (- / pasmo walyj: g(~(m * 3/ ( V - / g( pasmo walyj g pasmo przwoitwa v C Ogólij (la lipsoialy powirzi izorgtyzy, zgroway pasm: masa ftywa gęstośi staów m M rgia /3 /3 * (mxmymz lizba miimów 3

Przyła - strutura -wymiarowa 3 C C g A g g( g 3D * L Z g D Al x Ga -x As x -x v L z GaAs GaAs v 3 rgia Al x Ga -x As lasr półprzwoiowy warstwa buforowa PODŁOŻ więsz prawopoobiństwo misji sytoowj mijsza gęstość staów mijsza gęstość prąu progowgo w aji lasrowj 4

prawopoobistwo f(.0 0.5 0.0 Rozła rmigo-diraa 0 >0 > rgia f f f ( la < ( > ( 0 K : 0 K 0 la + xp > - poziom rmigo, f( ½ - >> : f ( xp{-(- / } Dla ziur: f( f + xp ->> : f ( xp{-( -/ } 5

Kotraja swoboy ltroów i ziur w rówowaz trmoyamizj 0 K bra ltroów w paśmi przwoitwa i ziur w p. walyjym >0 Im wyższa tmpratura, tym więsz prawopoobiństwo pojawiia się swobogo ltrou w pasmi przw. i ziury w pasmi walyjym 6

Kotraja ltroów w paśmi przwoitwa ( f (g ( ( Półprzwoi izgroway 7

Kotraja ltroów w paśmi przwoitwa w rówowaz trmoyamizj Półprzwoi izgroway ( C - >> ( m * 3/ / f ( ξ ; (g ξ ( / ( ξ 0 / x x + xp( x ξ / ξ ξ ( ξ la << xp, gzi C (m * 3 3/ 8

Kotraja ziur w paśmi walyjym w rówowaz trmoyamizj Półprzwoi izgroway ( - V >> p p v p( f m * v ( ρ ( 3/ / ( η ; η V / ( η 0 / x x + xp( x η (η η la η << p v xp v, gzi v (m * 3 3/ 9

Półprzwoi zgroway 0 0 3/ 3 4 3 ] m( 8[ g( ( 3/ * 3/ V v 3 4 p ( ( f p( p v v g

Półprzwoi samoisty Poziom rmigo w półprzwoiu samoistym: p ½ g p i v xp g + ¾ m * l m * ½ g i - otraja ośiów samoisty p i zawsz w warua rówowagi trmoyamizj! i g i (300 K ~0.5 V 0 6 m -3 ISb,PbS ~ V 0 0 m -3 G, Si, GaAs ~4 V <0 0 m -3 ZS, SiC, Ga

Poziom rmigo w fuji tmpratury w półprzwoiu samoistym C rgia i m *<m * m *>m * V tmpratura zwyl g g (0-β (wyia z rozszrzalośi iplj ryształu

Domiszowai typ p i Przyła - rzm Sb oor (5 ltroów walyjy aptor (3 ltroy walyj 3

Doory i aptory mol wooropooby Atom wooru: m (4ε 3.6 V 4ε r o m o 0.05 m Płyti oor w rysztal: ε o εε o m m* (masa ftywa la G: r m * ε m rεm m * 0.0V 80 r płyti poziom rgtyzy w przrwi wzbroioj xprymt: p-g: m* 0. m : 0.04 V Ga: 0.08 V p-si: m* 0.5 m : 0.045 V Ga: 0.068 V -G m* 0. m P: 0.0 V As: 0.07 V -Si m* 0.4 m P: 0.045 V As: 0.053 V 4

yp yp p + + + + + + + + + + poziom oorowy a + + + + + + + + + poziom aptorowy (wszysti oory zjoizowa w 300 K xp{-( - / } p i / << ośii więszośiow ośii mijszośiow p a (wszysti aptory zjoizowa p V xp{-( - V / } i / a << p atom a milio zastąpioy przz omiszę otraja ośiów więszośiowy 0 6 m -3 >> i otraja ośiów wiszośiowy 0 4 m -3 << i 5

Kotraja ltroów i ziur a pozioma loaly 6 6 p ; p ; A A D D A A A D D D D + + +

Półprzwoi omiszoway - otraja oorów waru utralośi: D+ + p D - D +p D + o. zjoizoway oorów D o. obsazoy oorów <s pomięzy poziomm omiszowym a rawęzią pasma + l s << i l > i : i ja w półprz. samoistym 7

Kotraja ltroów w pasmi przwoitwa w fuji tmpratury (półprzwoi omiszoway isi xp( / pośri wysoi <<, g / tgα tgα g ośii mijszośiow: p i /<< i 8

Półprzwoi sompsoway ( + + + 4( ( a p a a a xp C 9 9 Dla ostatzi uży i >> a - a