TRANZYSTORY POLOWE JFET I MOSFET



Podobne dokumenty
PODSTAWY OPRACOWANIA WYNIKÓW POMIARÓW Z ELEMENTAMI ANALIZY NIEPEWNOŚCI POMIAROWYCH

D:\materialy\Matematyka na GISIP I rok DOC\07 Pochodne\8A.DOC 2004-wrz-15, 17: Obliczanie granic funkcji w punkcie przy pomocy wzoru Taylora.

Elementy elektroniczne Wykłady 7: Tranzystory polowe

Tranzystory polowe. Podział. Tranzystor PNFET (JFET) Kanał N. Kanał P. Drain. Gate. Gate. Source. Tranzystor polowy (FET) Z izolowaną bramką (IGFET)

OBLICZENIE SIŁ WEWNĘTRZNYCH DLA BELKI SWOBODNIE PODPARTEJ SWOBODNIE PODPARTEJ ALGORYTM DO PROGRAMU MATHCAD

Niepewności pomiarowe

ELEKTROTECHNIKA I ELEKTRONIKA

21. CAŁKA KRZYWOLINIOWA NIESKIEROWANA. x = x(t), y = y(t), a < t < b,

POLITECHNIKA OPOLSKA

Badanie funktorów logicznych TTL - ćwiczenie 1

Matematyka ubezpieczeń majątkowych r. Zadanie 1. Rozważamy proces nadwyżki ubezpieczyciela z czasem dyskretnym postaci: n

Podstawy Elektroniki dla Elektrotechniki

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET

Sygnały pojęcie i klasyfikacja, metody opisu.

Ćwiczenia rachunkowe TEST ZGODNOŚCI χ 2 PEARSONA ROZKŁAD GAUSSA

( 3 ) Kondensator o pojemności C naładowany do różnicy potencjałów U posiada ładunek: q = C U. ( 4 ) Eliminując U z równania (3) i (4) otrzymamy: =

Ćwiczenia nr 5. TEMATYKA: Regresja liniowa dla prostej i płaszczyzny

MIANO ROZTWORU TITRANTA. Analiza statystyczna wyników oznaczeń

Dendrochronologia Tworzenie chronologii

EKONOMETRIA. Liniowy model ekonometryczny (regresji) z jedną zmienną objaśniającą

STATYSTYCZNA OCENA WYNIKÓW POMIARÓW.

Gretl konstruowanie pętli Symulacje Monte Carlo (MC)

, gdzie b 4c 0 oraz n, m ( 2). 2 2 b b b b b c b x bx c x x c x x

Jarosław Wróblewski Analiza Matematyczna 2, lato 2018/19

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5

ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym

Statystyka opisowa. () Statystyka opisowa 24 maja / 8

Ćwiczenie 6 WŁASNOŚCI DYNAMICZNE DIOD

Wykład FIZYKA I. 2. Kinematyka punktu materialnego. Dr hab. inż. Władysław Artur Woźniak

WYZNACZENIE CHARAKTERYSTYK STATYCZNYCH PRZETWORNIKÓW POMIAROWYCH

Katedra Chemii Fizycznej Uniwersytetu Łódzkiego. Skręcalność właściwa sacharozy. opiekun ćwiczenia: dr A. Pietrzak

LABORATORIUM PODSTAW OPTOELEKTRONIKI WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK STATYCZNYCH I DYNAMICZNYCH TRANSOPTORA PC817

Ćwiczenie A7 : Tranzystor unipolarny JFET i jego zastosowania

Ewa Dziawgo Uniwersytet Mikołaja Kopernika w Toruniu. Analiza wrażliwości modelu wyceny opcji złożonych

Metrologia: miary dokładności. dr inż. Paweł Zalewski Akademia Morska w Szczecinie

Uniwersytet Pedagogiczny

ZŁĄCZOWY TRANZYSTOR POLOWY

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 9

SERIA IV. 1. Tranzystor unipolarny: budowa, symbole, zastosowanie, parametry.

Ć wiczenie 17 BADANIE SILNIKA TRÓJFAZOWEGO KLATKOWEGO ZASILANEGO Z PRZEMIENNIKA CZĘSTOTLIWOŚCI

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI PROSTOWNIKI

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET

MATEMATYKA (poziom podstawowy) przykładowy arkusz maturalny wraz ze schematem oceniania dla klasy II Liceum

Politechnika Poznańska

KATEDRA ENERGOELEKTRONIKI I ELEKTROENERGETYKI

Temat: Wyznaczanie charakterystyk baterii słonecznej.

ZŁĄCZOWE TRANZYSTORY POLOWE

EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia

WYKŁAD 6 TRANZYSTORY POLOWE

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10

Ćwiczenie 17 Temat: Własności tranzystora JFET i MOSFET. Cel ćwiczenia

Laboratorium Sensorów i Pomiarów Wielkości Nieelektrycznych. Ćwiczenie nr 1

OCENA POPYTU POPYT POJĘCIA WSTĘPNE. Definicja: Popyt to ilość dobra, jaką nabywcy gotowi są zakupić przy różnych poziomach ceny.

Ćwiczenie 119. Tabela II. Część P19. Wyznaczanie okresu drgań masy zawieszonej na sprężynie. Nr wierzchołka

Układy zasilania tranzystorów. Punkt pracy tranzystora Tranzystor bipolarny. Punkt pracy tranzystora Tranzystor unipolarny

Politechnika Gdańska Wydział Elektrotechniki i Automatyki Katedra Inżynierii Systemów Sterowania. Podstawy Automatyki

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ

Obligacja i jej cena wewnętrzna

1. Element nienaprawialny, badania niezawodności. Model matematyczny elementu - dodatnia zmienna losowa T, określająca czas życia elementu

PRACOWNIA ELEKTRYCZNA Sprawozdanie z ćwiczenia nr

Podstawy opracowania wyników pomiarów z elementami analizy niepewności pomiarowych (w zakresie materiału przedstawionego na wykładzie organizacyjnym)

POMIAR PARAMETRÓW SYGNAŁOW NAPIĘCIOWYCH METODĄ PRÓKOWANIA I CYFROWEGO PRZETWARZANIA SYGNAŁU

Przełączanie diody. Stan przejściowy pomiędzy stanem przewodzenia diod, a stanem nieprzewodzenia opisuje się za pomocą parametru/ów czasowego/ych.

Badanie efektu Halla w półprzewodniku typu n

4. MODELE ZALEŻNE OD ZDARZEŃ

Politechnika Białostocka

Błędy kwantyzacji, zakres dynamiki przetwornika A/C

OBWODY LINIOWE PRĄDU STAŁEGO

Metody oceny efektywności projektów inwestycyjnych

3. Regresja liniowa Założenia dotyczące modelu regresji liniowej

Chemia Teoretyczna I (6).

POLITECHNIKA ŚLĄSKA, WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY, INSTYTUT ELEKTROTECHNIKI I INFORMATYKI. Wykresy w Excelu TOMASZ ADRIKOWSKI GLIWICE,

Elementy nieliniowe w modelach obwodowych oznaczamy przy pomocy symboli graficznych i opisu parametru nieliniowego. C N

Metody badania zbieżności/rozbieżności ciągów liczbowych

Politechnika Białostocka

Jarosław Wróblewski Analiza Matematyczna 1, zima 2016/17

MARIUSZ KAWECKI zbiór zadań dla zainteresowanego matematyką licealisty

wirnika (w skrócie CPW). Jako czujniki położenia wirnika najczęściej stosuje się czujniki hallotronowe.[1]

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

WYZNACZANIE WSPÓŁCZYNNIKA ZAŁAMANIA ŚWIATŁA METODĄ SZPILEK I ZA POMOCĄ MIKROSKOPU. Wprowadzenie. = =

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

ĆWICZENIE 4 Badanie stanów nieustalonych w obwodach RL, RC i RLC przy wymuszeniu stałym

Analiza wyników symulacji i rzeczywistego pomiaru zmian napięcia ładowanego kondensatora

Budowa. Metoda wytwarzania

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5

ZAAWANSOWANE TECHNIKI PRZETWARZANIA SYGNAŁÓW W TELEKOMUNIKACJI LABORATORIUM

Estymacja przedziałowa

Szacowanie składki w ubezpieczeniu od ryzyka niesamodzielności

Analiza rynku projekt

Politechnika Białostocka

Pomiar charakterystyk statycznych tranzystora JFET oraz badanie własności sterowanego dzielnika napięcia.

Efektywność projektów inwestycyjnych. Statyczne i dynamiczne metody oceny projektów inwestycyjnych

Podstawy zarządzania finansami przedsiębiorstwa

Jak obliczać podstawowe wskaźniki statystyczne?

Politechnika Wrocławska Wydział Elektroniki, Katedra K-4. Klucze analogowe. Wrocław 2017

Numeryczny opis zjawiska zaniku

Transkrypt:

POLTECHNKA RZEZOWKA Kaedra Podsaw Elekroiki srukcja Nr5 F 00/003 sem. lei TRANZYTORY POLOWE JFET MOFET Cel ćwiczeia: Pomiar podsawowych charakerysyk i wyzaczeie paramerów określających właściwości razysora polowego. A) Zadaia do samodzielego opracowaia przed zajęciami: Zapozaie się z reścią poiższej isrukcji, zapozaie się z eoreyczymi podsawami działaia razysorów polowych oraz ich azewicwem, przygoowaie schemaów pomiarowych, B) WPROWAZENE Ogóly podział razysorów: TRANZYTORY BPOLARNE POLOWE (NPOLARNE) FET p pp Złączowe z izolowaą bramką z kaałem ypu z kaałem ypu p z idukowaym kaałem mealleek półprzewodik /MOFET/ specjalych zasosowań (p TFT) i eksperymeale z wbudowaym kaałem z kaałem ypu z kaałem ypu p z kaałem ypu z kaałem ypu p Trazysory: JFET: a) dre b) >0 c) =0 bramka kaał źródło bramka = 0.V obszary warswy zaporowej =V brak kaału = V = 0,V Rys..Trazysor polowy złączowy z kaałem ypu. a)zkic srukury; b)wpływ zaporowej polaryzacji złącza a przewodzeie w kaale. chema c) przedsawia syuację dla = P czyli dla momeu odcięcia kaału.

POLTECHNKA RZEZOWKA Kaedra Podsaw Elekroiki srukcja Nr5 F 00/003 sem. lei a) b) c) = V = V = 0V =0 Rys.. lusracja wpływu apięcia a kszał obszaru warsw zaporowych, a) < P, b) = P, c) > P, Pomimo zekięcia warsw zaporowych, prąd dreu ie jes rówy zeru, przy wzroście urzymuje się iemal a ym samym poziomie. = 3, V 3 6 [ma] Rys. 3. Charakerysyki wyjściowe =( ) i przejściowe =( ) razysora JFET z kaałem ypu w układzie ze wspólym źródłem. Paramery razysora: P = V oraz = 3 ma. Trazysor ypu MOFET a przykładzie razysora z idukowaym kaałem (ormalie wyłączoy): Kaał powsaje dopiero w wyiku oddziaływaia pola elekryczego przyłożoego pomiędzy bramkę i podłoże: bramka (alumiium) dre izolaor (io ) p =0,V podłoże (i ypu p) >0 B Rys.. Budowa razysora polowego ypu MOFET z idukowaym kaałem ypu. Po przyłożeiu iewielkiego apięcia >0 i większego od iego > 0, pole elekrycze, powsające pod wpływem, powoduje odepchięcie dziur od powierzchi graiczej izolaorpodłoże i przyciągięcie w jej kieruku miejszościowych elekroów. To zjawisko azywa się iwersją półprzewodika. [ma] [ma] obszar ieasyceia 0 6 obszar asyceia (peodowy) 6 = T =V 0 Rys.5. Charakerysyki przejściowa (dla zakresu asyceia) i wyjściowa razysora polowego z idukowaym kaałem ypu o apięciu worzeia kaału T = V. obszar ieasyceia obszar asyceia (peodowy) =0V = V = V = 3V = p = V 6 0 [V] =6V = 5V = V = 3V,[V] idukoway kaał ypu 0 6 T 3 5,[V] 6

POLTECHNKA RZEZOWKA Kaedra Podsaw Elekroiki srukcja Nr5 F 00/003 sem. lei C) POMARY TRANZYTORA Trazysor JFET lub MOFETz kaałem wbudowaym (depleio mode). salić rodzaj, symbol oraz właściwą polaryzację razysora JFET lub MOFET w układzie pracy O.. Zapozać się z podsawowymi paramerami echiczymi badaego razysora. zczególą uwagę zwrócić a paramery kryycze, deermiujące bezpieczy obszar pomiarów. 3. Zapropoować układ pomiarowy do badaia charakerysyk: wyjściowych i przejściowych.. la razysora JFET lub MOFET z kaałem wbudowaym wyzaczyć prąd asyceia. Prąd jes o prąd przy apięciu =0, kóry pozosaje prakyczie sały przy zmiaach apięcia. 5. Zmierzyć charakerysyki przejściowe =f( ) =par, razysora polowego dla rzech warości sosując odpowiedi układ pomiarowy. Podczas pomiarów zwrócić uwagę a właściwe wyzaczeie apięcia wyłączeia p. Napięcie ie powio przekraczać p o więcej iż około 0,5V (odpowiedz dlaczego?). 6. Zmierzyć charakerysyki wyjściowe =f(. ) =par dla rzech usaloych warości apięcia. Trazysor MOFET kaałem idukowaym (ehaceme mode) 7. salić rodzaj, symbol oraz właściwą polaryzację razysora MOFET z kaałem idukowaym w układzie pracy O.. Zapozać się z podsawowymi paramerami echiczymi badaego razysora. zczególą uwagę zwrócić a paramery kryycze, deermiujące bezpieczy obszar pomiarów 9. Zapropoować układ pomiarowy do badaia charakerysyk: przejściowych i wyjściowych. 0. Wyzaczyć warość apięcia progowego. Moża o zrobić w : a) układzie do pomiaru charakerysyki przejściowej lub, b) układzie bramki zwarej z dreem, gdy prąd osiąga określoą warość, p. 0 µa. Porówać uzyskae wyiki.. Zmierzyć charakerysykę przejściową =f( ) =por dla rzech różych warości parameru :. Zmierzyć charakerysyki wyjściowe =f(. ) =par dla rzech różych warości parameru. ) OPRACOWANE WYNKÓW POMAROWYCH. Narysować (wydrukować) wszyskie zmierzoe charakerysyki razysora. la razysora złączowego lub MOFET z kaałem wbudowaym pracującym w zakresie asyceia wyzaczyć paramery oraz p rówaia opisującego charakerysykę przejściową = ( ) P () Moża o zrobić rysując charakerysykę przejściową w układzie współrzędych karezjańskich, w kórym a osi pioowej zajdują się warości pierwiaska kwadraowego prądu wyjściowego, zaś a poziomej, apięcie wejściowe. W akim układzie współrzędych (przy poprawych wyikach pomiarów) wykres powiie być wykresem fukcji liiowej gdyż = P () o rówaie liowe ypu 3

POLTECHNKA RZEZOWKA Kaedra Podsaw Elekroiki srukcja Nr5 F 00/003 sem. lei y= ax b (3) gdzie: y = ; x = ; a = ; b =. () P W celu zalezieia paramerów, p, ależy zasosować meodę regresji liiowej i porówać wyrażeie a przekszałcoe do posaci () z rówaiem liii prosej (3). Na ej podsawie moża wyzaczyć współczyiki a i b rówaia liiowego (3), a asępie paramer. Zając oraz a moża wyzaczyć p. Poieważ charakerysyki przejściowe mierzoe są dla rzech warości parameru, obliczeia e ależy powórzyć rzyroie. W przypadku dużych różic wyjaśić przyczyy.. Wykorzysując obliczoe paramery i p arysować charakerysykę eoreyczą = ( / p ) oraz a ym samym wykresie aieść puky pomiarowe charakerysyki rzeczywisej. Oceić uzyskae rezulay. 3. Wyzaczyć paramery oraz K rówaia opisującego charakerysykę przejściową razysora MO z kaałem idukowaym = K ( ) (5) gdzie K o sała. Aby o zrobić moża zasosować meodę omówioą w pk. C. W ym celu ależy arysować puky pomiarowe charakerysyki przejściowej w asępującym układzie współrzędych: a osi pioowej pierwiasek kwadraowy prądu, zaś a poziomej apięcie wejściowe Ozacza o wykreśleie fukcji liowej wyrażoej zależością = K K (6) W akim układzie współrzędych (przy poprawych wyikach pomiarów) wykres powiie być wykresem fukcji liiowej określoej rówaiem (3). W celu zalezieia paramerów K i, ależy zasosować meodę regresji liiowej. W ym celu ajpierw wyzaczamy współczyiki a i b rówaia liiowego(3). Na ej podsawie wyliczamy K i uwzględiając, że K y = ; x = ; a = ; b = K. (7) Poieważ charakerysyki przejściowe mierzoe były dla czerech warości parameru obliczeia e ależy rówież powórzyć czerokroie. W przypadku dużych różic określić przyczyę. Porówać warości wyzaczoe a podsawie charakerysyk przejściowych z warością zmierzoą w pk. A7. Wyjaśić eweuale różice.. Na podsawie pomiarowych charakerysyk wyjściowych obliczyć i arysować kodukację wyjściową g w fukcji apięcia wyjściowego g ( ) dla daego ypu razysora. 5. Na podsawie eoreyczych charakerysyk przejściowych określoych rówaiem () lub (5) obliczyć i arysować raskodukację gm w fukcji apięcia wejściowego gm( ) dla daego ypu razysora. E) ANALZA WYNKÓW. Wykreślić zmierzoe charakerysyki, dokoać kompleksowej aalizy uzyskaych wyików pomiarowych oraz obliczeń.. Jak ależy poprawie wybrać puk pracy razysora polowego. 3. Czy warości i p zależą od.?. Porówać warości obliczoych paramerów z warościami kaalogowymi.

POLTECHNKA RZEZOWKA Kaedra Podsaw Elekroiki srukcja Nr5 F 00/003 sem. lei Lieraura:. W. Marciiak Przyrządy półprzewodikowe i układy scaloe. W. Marciiak Modele elemeów półprzewodików 3. A.Kusy Podsawy elekroiki. Elemey półprzewodikowe i układy scaloe (kaalog NTRA CEM) 5. ray P.E.,earle C.L. Podsawy elekroiki 6. Praca zbiorowa Zbiór zadań z układów elekroiczych liiowych. F) chemay układów pomiarowych: ma µa V V Rys. 6. kład pomiarowy razysora złączowego z kaałem ypu p. BF 5FET. o pomiarów moża wykorzysać zasilacz sabilizoway 5. o regulacji apięcia ujemego ( p < <0) wykorzysać zakres 0 : 0 V, a do apięcia dodaiego zakres 0 : 6 V. 5