Defekty punktowe i domieszkowanie kryształów

Podobne dokumenty
Defekty punktowe i domieszkowanie kryształów

Defekty punktowe i domieszkowanie kryształów

Dyslokacje w kryształach. ach. Keshra Sangwal Zakład Fizyki Stosowanej, Instytut Fizyki Politechnika Lubelska

Dyslokacje w kryształach. ach. Keshra Sangwal, Politechnika Lubelska. Literatura

Materiały Reaktorowe. Efekty fizyczne uszkodzeń radiacyjnych c.d.

relacje ilościowe ( masowe,objętościowe i molowe ) dotyczące połączeń 1. pierwiastków w związkach chemicznych 2. związków chemicznych w reakcjach

Kinetyka reakcji chemicznych

Do wniosku o przeprowadzenie postępowania habilitacyjnego

Seria 2, ćwiczenia do wykładu Od eksperymentu do poznania materii

Wykład 5. Anna Ptaszek. 9 października Katedra Inżynierii i Aparatury Przemysłu Spożywczego. Chemia fizyczna - wykład 5. Anna Ptaszek 1 / 20

Podstawy termodynamiki

WZROST KRYSZTAŁÓW Z ROZTWORU - - WYBRANE METODY

Wykład 5. Anna Ptaszek. 30 października Katedra Inżynierii i Aparatury Przemysłu Spożywczego. Fizykochemiczne podstawy procesów przemysłu

WŁASNOŚCI CIAŁ STAŁYCH I CIECZY

Temat 27. Termodynamiczne modele blokowe wzrostu kryształów

Krystalizacja. Zarodkowanie

Technologie wytwarzania metali. Odlewanie Metalurgia proszków Otrzymywanie monokryształów Otrzymywanie materiałów superczystych Techniki próżniowe

Technologie wytwarzania metali. Odlewanie Metalurgia proszków Otrzymywanie monokryształów Otrzymywanie materiałów superczystych Techniki próżniowe

Analiza parametrów rozszczepienia zero-polowego oraz pola krystalicznego dla jonów Mn 2+ i Cr 3+ domieszkowanych w krysztale YAl 3 (BO 3 ) 4

Kinetyka reakcji chemicznych Kataliza i reakcje enzymatyczne Kinetyka reakcji enzymatycznych Równanie Michaelis-Menten

Chemia - laboratorium

S. Baran - Podstawy fizyki materii skondensowanej Gaz Fermiego elektronów swobodnych. Gaz Fermiego elektronów swobodnych

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA w elektronice

Termodynamika i właściwości fizyczne stopów - zastosowanie w przemyśle

Kinetyka chemiczna kataliza i reakcje enzymatyczne

4.15 Badanie dyfrakcji światła laserowego na krysztale koloidalnym(o19)

Układ termodynamiczny

Repeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n

Termodynamiczne warunki krystalizacji

Ćwiczenie VI KATALIZA HOMOGENICZNA: ESTRYFIKACJA KWASÓW ORGANICZNYCH ALKOHOLAMI

Rozszczepienie poziomów atomowych

Transport jonów: kryształy jonowe

Wykład 1 i 2. Termodynamika klasyczna, gaz doskonały

(Ćwiczenie nr 4) Wpływ siły jonowej roztworu na stałą szybkości reakcji.

WYKAZ NAJWAŻNIEJSZYCH SYMBOLI

Zadania treningowe na kolokwium

Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów

Wykład 21: Studnie i bariery cz.1.

Model elektronów swobodnych w metalu

Inżynieria materiałowa: wykorzystywanie praw termodynamiki a czasem... walka z termodynamiką

TEORIA PASMOWA CIAŁ STAŁYCH

Inżynieria materiałowa: wykorzystywanie praw termodynamiki a czasem... walka z termodynamiką

Powierzchnie cienkie warstwy nanostruktury. Józef Korecki, C1, II p., pok. 207

Nauka o Materiałach Wykład II Monokryształy Jerzy Lis

Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane

7. Defekty samoistne Typy defektów Zdefektowanie samoistne w związkach stechiometrycznych

1. Struktura pasmowa from bonds to bands

Chemia Fizyczna Technologia Chemiczna II rok Wykład 1. Kierownik przedmiotu: Dr hab. inż. Wojciech Chrzanowski

Przerwa energetyczna w germanie

Termodynamika materiałów

ROZTWORY, WZROST KRYSZTAŁÓW Z ROZTWORU - - WYBRANE METODY

1. Kryształy jonowe omówić oddziaływania w kryształach jonowych oraz typy struktur jonowych.

Elektrolity wykazują przewodnictwo jonowe Elektrolity ciekłe substancje rozpadające się w roztworze na jony

Stany równowagi i zjawiska transportu w układach termodynamicznych

Wykład IV. Półprzewodniki samoistne i domieszkowe

Wykład 10 Równowaga chemiczna

POLITECHNIKA GDAŃSKA WYDZIAŁ FIZYKI TECHNICZNEJ I MATEMATYKI STOSOWANEJ EKSCYTONY. Seminarium z Molekularnego Ciała a Stałego Jędrzejowski Jaromir

Podstawowe pojęcia Masa atomowa (cząsteczkowa) - to stosunek masy atomu danego pierwiastka chemicznego (cząsteczki związku chemicznego) do masy 1/12

MATERIAŁOZNAWSTWO Wydział Mechaniczny, Mechatronika, sem. I. dr inż. Hanna Smoleńska

Wzrost fazy krystalicznej

Ć W I C Z E N I E 5. Kinetyka cementacji metali

Projekt Inżynier mechanik zawód z przyszłością współfinansowany ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego

Chemia Fizyczna Technologia Chemiczna II rok Wykład 1. Kontakt,informacja i konsultacje. Co to jest chemia fizyczna?

PODSTAWY CHEMII INŻYNIERIA BIOMEDYCZNA. Wykład 2

Inżynieria Biomedyczna

Obliczenia chemiczne. Zakład Chemii Medycznej Pomorski Uniwersytet Medyczny

Zjawiska powierzchniowe

Roztwory. Homogeniczne jednorodne (jedno-fazowe) mieszaniny dwóch lub więcej składników.

Funkcja rozkładu Fermiego-Diraca w różnych temperaturach

A B Skąd wiadomo, że reakcja zachodzi? Co jest miarą szybkości reakcji?

Równowaga. równowaga metastabilna (niepełna) równowaga niestabilna (nietrwała) równowaga stabilna (pełna) brak równowagi rozpraszanie energii

E dec. Obwód zastępczy. Napięcie rozkładowe

b) Podaj liczbę moli chloru cząsteczkowego, która całkowicie przereaguje z jednym molem glinu.

Materiały Reaktorowe

Wykład 13. Anna Ptaszek. 4 stycznia Katedra Inżynierii i Aparatury Przemysłu Spożywczego. Fizykochemia biopolimerów - wykład 13.

Fizyka Ciała Stałego

Wykład III. Teoria pasmowa ciał stałych

KINETYKA REAKCJI CHEMICZNYCH I KATALIZA

Ćwiczenie IX KATALITYCZNY ROZKŁAD WODY UTLENIONEJ

5. WYZNACZENIE KRZYWEJ VAN DEEMTER a I WSPÓŁCZYNNIKA ROZDZIELENIA DLA KOLUMNY CHROMATOGRAFICZNEJ

Model wiązania kowalencyjnego cząsteczka H 2

STRUKTURA PASM ENERGETYCZNYCH

Wykład 7: Przekazywanie energii elementy termodynamiki

Energia wiązania słaba rzędu 10-2 ev J. Energia cieplna 3/2 k B. T J. Energia ruchu cieplnego powoduje rozerwanie wiązań cząsteczkowych.

Praca objętościowa - pv (wymiana energii na sposób pracy) Ciepło reakcji Q (wymiana energii na sposób ciepła) Energia wewnętrzna

Efekty strukturalne przemian fazowych

WŁAŚCIWOŚCI MECHANICZNE PLASTYCZNOŚĆ. Zmiany makroskopowe. Zmiany makroskopowe

+ + Struktura cia³a sta³ego. Kryszta³y jonowe. Kryszta³y atomowe. struktura krystaliczna. struktura amorficzna

Podstawy Procesów i Konstrukcji Inżynierskich. Teoria kinetyczna INZYNIERIAMATERIALOWAPL. Kierunek Wyróżniony przez PKA

S. Baran - Podstawy fizyki materii skondensowanej Fonony. Fonony

Metody Optyczne w Technice. Wykład 9 Optyka nieliniowa

Ciała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz

ĆWICZENIE Nr 4 LABORATORIUM FIZYKI KRYSZTAŁÓW STAŁYCH. Badanie krawędzi absorpcji podstawowej w kryształach półprzewodników POLITECHNIKA ŁÓDZKA

Przyrządy półprzewodnikowe

Wykład 8 i 9. Hipoteza ergodyczna, rozkład mikrokanoniczny, wzór Boltzmanna

Problemy elektrochemii w inżynierii materiałowej

Wykład 4. Przypomnienie z poprzedniego wykładu

= = Budowa materii. Stany skupienia materii. Ilość materii (substancji) n - ilość moli, N liczba molekuł (atomów, cząstek), N A

Wykład 3 Zjawiska transportu Dyfuzja w gazie, przewodnictwo cieplne, lepkość gazu, przewodnictwo elektryczne

Transkrypt:

Defety puntowe i domieszowanie ryształów Keshra Sangwal, Politechnia Lubelsa I. Rodzaje defetów puntowych II. Statystya defetów puntowych III. Dyfuzja w ryształach IV. Metody wytwarzania defetów puntowych V. Defety puntowe podczas wzrostu VI. Domieszowanie ryształów Współczynni podziału domieszi Równowagowy współczynni segregacji Efetywny współczynni segregacji Współzależność pomiędzy eff a szybości wzrostu ściany R Przesycenie progowe dla wychwytywania domieszi podczas wzrostu Literatura 1) D. Hull, Dysloacje (PWN, 1982). 2) M. Suszyńsa, Wybrane zagadnienia z fizyi defetów sieciowych (Ossolineum, 1990). 3) J.C. Brice, The Growth of Crystals from Liquids (North-Holland, 1973). 4) A.A. Chernov (ed.), Modern Crystallography: Crystal Growth (Springer, 1984). 5) K. Sangwal, Additives and Crystallization Processes: From Fundamentals to Applications, Wiley, Chichester, 2007.

I. Rodzaje defetów w puntowych Sąd nazwa defetów puntowych? Dosonała sieć rystaliczna rozmieszczenie puntów w 3D W sieci 3D braujące punty lub rozmieszczenie braujących puntów w pozycjach międzywęzłowych

Przyłady defetów puntowych Metale Kryształ jonowy 1:1

Defety Schotty ego i Frenla Przyład: KCl:CaCl 2 C. Kittel, Wstęp do fizyi ciała stałego (PWN, 1970).

II. Statystya defetów w puntowych Naturalne źródła defetów puntowych - Istnienie fonony - Absorpcja fononów E sr energia atywacji sou waansu E st energia tworzenia waansu (= E v )

Równowaga termiczna Gęstość waansów Parametry termodynamiczne: Swobodna energia termiczna: F Energia wewnętrzna: E Entropia uładu: S Równanie energii swobodnej: F = E-TS. Zmiana energii swobodnej ryształu: F = E - T S. E = ne v (1 - αt), S = S onf + S ter, gdzie: S onf = ln[(n+n)!/n!n!], S ter = 3z ln(ν/ν ) Dla metali: n S = exp N n + n N exp( E v B ter / B αe exp B Podręczniowe równanie T ). v exp Ev T B.

Gęstość innych defetów Gęstość defetów Frenla w metalach: n E exp. 1/ 2 ') 2 = F K NN T ( B Gęstość defetów Schotty ego w ryształach jonowych n N Ep = K exp 2BT.

III. Dyfuzja w ryształach ach

IV. Metody wytwarzania defetów puntowych 1. Gwałtowne ochładzanie z wysoiej temperatury 2. Silne odształcenie tzn. obróba plastyczna (ucie lub walcowanie) 3. Bombardowanie jonami lub wysooenergetycznymi naładowanymi cząstami 4. Procesy wzrostowe (domieszowanie)

V. Defety puntowe podczas wzrostu Szorstie stopnie: - waanse, Mechanizm I: Strutura stopni elementarnych - domieszi. J.J. De Yoreo et al., w: Advances in Crystal Growth, Eds. K. Sato et al., Elsevier, 2001, p. 361-380.

Przyłady obrazów segregacji defetów puntowych O czym będzie mowa? Setorowa niejednorodność Strefowa niejednorodność Pasma wzrostu (Growth bands), stryjacje domieszowe (Impurity striations)

Przyłady i uwagi Współczynni segregacji zależy od strutury i różnicy rozmiarów atomów, cząstecze, jonów we wspólnej sieci rystalicznej. Brice (1973)

VI. Domieszowanie ryształów Podstawowa literatura: K. Sangwal, Addititives and Crystallization Processes: From Fundamentals to Applications, Wiley, Chichester, 2007, chap. 9. Duże deformacje sieci nie sprzyjają włączenia atomów domieszowych w niej. Włączenia domieszi w sieci: 1)Pojedyncze atomy, jony, cząsteczi lub omplesy o rozmiarach cząsteczowych np. dimery, i trymery; homogeniczne wychwytywanie domieszi. Powstaje roztwór stały gdy c isolid = c iliquid (wychwyt domieszi jest termodynamicznie równowagowy) lub c isolid c iliquid (wychwyt nierównowagowy). 2)Inluzje oloidalne o rozmiarach mirometrowych; heterogeniczne wychwytywanie domieszi. Stężenie i rozład homogenicznie i niehomogenicznie wychwytywanej domieszi są różne w objętości ryształu z powodu termicznej nierównowagi na granicy ryształ-ciecz. Niejednorodny wychwyt: 1) w różnych setorach wzrostu ryształu (niejednorodność setorowa), 2) w danym setorze wzrostu (niejednorodność strefowa; growth bands, impurity striations).

Współczynni podziału domieszi Gdy domiesza C (i) wchodzi w substancji A (s): współczynni segregacji d = [C solid [Csolid ] ] + [A solid [C ] liquid [C ] + [A liquid ] liquid ]. (1) Stężenie [C] i [A] w ułamach atomowych/jonowych, ułamach wagowych lub wyrażone jao masa do objętości Gdy [C] << [A], = [C d [C solid liquid ] [A ] [A liquid solid ]. ] W przypadu wzrostu ze stopu [C d [C solid liquid ]. ] (2) (3) Gdy stężenie jest w ułamach molowych = d x x is il / x / x ss sl. (4) S solid L - liquid 0 zależy od własności fizyochemicznych ryształu i domieszi. eff to sprawa granicy ryształ-płyn; eff (granica głada) < eff (granica szorsta). Segregacja domiesze 1. Równowagowa (przesycenia σ 0) Równowagowy współczynni segregacji 0 2. Nierównowagowa (σ > 0) Efetywny współczynni segregacji eff

Równowagowy współczynni segregacji 1) Podejście mieszaniny dwusładniowej: Dla C w A teoretyczny opis podobny do opisu wyresów fazowych dla uładów dwusładniowych W przypadu C w A: A C H 1 1 m m 1 1 ln. 0 A C H = RG T Tm RG T Tm 2) Podejście termodynamiczne: ln 0 = ln 0(0) G / RGT. gdzie: 0 (0) to wartość 0 gdy r i = r s, a G zmiany różnicy energii swobodnej. Inne podejścia oparte na: różnicy objętości, cieple sublimacji, współczynniu dyfuzji itp. W przypadu niedopasowania objętości ułamowej V/VA w danej temperaturze: ln = B1 + B2 V / VA 0 3 = A B + B( r i / r s ).

Gdy zmiana energii swobodnej jest spowodowana niedopasowaniem (r i -r s ) rozmiarów atomów/jonów: gdzie E moduł Younga., ) ( 3 1 ) ( 2 1 4 (0) ln ln 3 2 G 0 0 = s i s i s A r r r r r T R EN π

Jeszcze ila przyładów

Efetywny współczynni segregacji 1) Model dyfuzji objętościowej Burtona et al. (1953): ef f = 0 0, + ( 1 0)exp( Rδ / D) gdzie: δ - grubość warstwy dyfuzyjnej, D współczynni dyfuzji domieszi w roztworze. Dla << 1 0 = exp( Rδ / D) eff 0 (1) (2) Z wyresów δ/d = 30 150 s/m. Ponieważ D = 10-12 10-9 cm 2 /s, δ = 0.3 1.5 nm.

2) Podejście dyfuzyjno-relasacyjne Hall (1953), Kitamura i Sunagawa (1977), Chernov (1984): eff = 0 + ( ads 0)exp( R R i = h /τ / R), (1) gdzie: h grubość warstwy na rosnącej powierzchni, τ - odstęp czasu dla wzrostu olejnych warstw) ads współczynni segregacji w warstwie adsorpcyjnej. i Gdy 0 << 1, eff = ads a gdy R i/ R << 1, eff = ads exp( R ads i ( R / R), i / R). (2) (3)

3) Podejście selecji statystycznej Voronov, Chernov (1967): 0 eff =, + σ / σ 1 const (1) gdzie: σ const constant. Gdy σ / σ << const 1, eff = 0 0 σ / σ const (2) Naturalna selecja statystyczna zależy od inetyi przyłączenia i odłączenia cząste domieszi na załomach

4) Podejście adsorpcji powierzchniowej Założenia: 1) Cząsteczi domieszi onurują z cząsteczami substancji rystalizującej. 2) Zwięszenie σ powoduje zwięszenie gęstości załomów w stopniach. 3) eff = 0 +f(gęstość załomów) eff = 0 + B 2 1 n σ 2 / c gdzie: B 2, m stałe, n 2 miara bariery związanej z wpływami przesycenia σ. m i, AO - jednowodny szczawian amonu.

Współzależność pomiędzy eff a szybości wzrostu ściany R Z zależności otrzymujemy, / σ 2 1 2 0 eff m n c B i + =, ) ( n c A R σ σ. σ / 1 1/ 2 2 0 n m n m R c A B c B i i c eff + + =

Przesycenie progowe dla wychwytywania domieszi podczas wzrostu Z wyresów eff (σ), otrzymujemy σ 0 : eff = p( σ σ ). 0 AO Z teorii hamowania wzrostu ściany przez domieszę, mamy zależność: 1 σ * 1 1 = 1 + σ1 Kc, gdzie: σ 1 stała, K stała Langmuira. i