Notatki z II semestru ćwiczeń z elektroniki, prowadzonych do wykładu dr. Pawła Grybosia.

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Notatki z II semestru ćwiczeń z elektroniki, prowadzonych do wykładu dr. Pawła Grybosia."

Transkrypt

1 Notatki z II semestu ćwiczeń z elektoniki, powadzonych do wykładu d. Pawła Gybosia. Wojciech Antosiewicz Wydział Fizyki i Techniki Jądowej AGH al.mickiewicza Kaków wojanton@wp.pl 2 listopada 2004 Spis teści Zestaw Układy WE 3. Zadanie Zadanie Zadanie Zadanie Zadanie Zestaw 2 Źódła pądowe, wtónik 6 2. Zadanie Zadanie Zadanie Zadanie Zestaw 3 Tanzysto MOS Zadanie Zadanie Zadanie Zestaw 4 Układy na tanzystoach MOS Zadanie Zadanie Zadanie Zadanie Zadanie

2 SPIS TREŚCI 2 5 Zestaw 5 Dalington i kaskoda Zadanie Zadanie Zadanie Zadanie Zestaw 6 - Układ óżnicowy Zadanie Zadanie Zadanie Zestaw 7 - Układy wyjściowe Zadanie Zadanie Zestaw 8 - Funkcje pzenoszenia i pzybliżenie Millea Zadanie Zadanie Zadanie Zadanie Pzydatne wzoy 82

3 ZESTAW UKŁADY WE 3 Układy WE (wspólnego emitea). Zadanie Wyznaczyć punkt pacy tanzystoa włączonego w układzie pzedstawionym na ys.. (znaleźć I C i V CE ). Obliczyć małosygnałowe wzmocnienie napięciowe i ezystancję wejściową ( bb 0, ce ). Okeślić maksymalną amplitudę na wyjściu wzmacniacza, pzy któej układ pacuje liniowo (sygnał nie jest zniekształcony). Dane: a) R C 3kΩ, R B.86MΩ, β st 200, V CC 0V b) R C 4kΩ, R B 930kΩ, β st 300, V CC 0V c) ustawić optymalny punkt pacy wzmacniacza z punktu widzenia zakesu liniowego układu, pzy założeniu V CC 0V i P max 5mW. Rozwiązanie. IN R B Rysunek. VCC R C R B R C IN IB 0.7V IC IE VCE Rysunek.. : Zaznaczamy pądy i spadki napięć Na początek oszacujmy pąd emitea ( pzybliżenia tego będziemy używać niemal we wszystkich zadaniach ) I E I C I B I C I C β Po pominięciu dugiego czynnika, któy jest β azy mniejszy, otzymujemy I E I C Jako piewszy obliczamy pąd bazy, gdyż jest nam potzebny do wyznaczenia pądu kolektoa I B V CC V BE R B a) I B.86M 5 µa b) I B 0 µa 930k

4 ZESTAW UKŁADY WE 4 Zakładamy, że tanzysto znajduje się w zakesie liniowym, wtedy I C βi B (-) oaz a) I C 200 5µA ma b) I C 300 0µA 3 ma V CE V CC I C R C (-2) a) V CE 0 m 3k 7 V > V CE sat b) V CE 0 3m 4k 2 V < V CE sat Powyższe wyniki oznaczają, że w podpunkcie : a) tanzysto zeczywiście znajduje się w zakesie liniowym i możemy pzejść do modelu małosygnałowego. b) otzymaliśmy niepopawny wynik. Napięcie V CE nie może być niższe niż V CE sat 0.2V. Zatem tanzysto jest w zakesie nasycenia, napięcie V CE V CE sat 0.2V a pzybliżoną watość pądu kolektoa wyliczamy ze wzou (-2) I C V CC V CE R C k Dalsze obliczenia powadzimy tylko dla podpunktu a) ma Pzechodzimy do modelu małosygnałowego. in R B be be gm be gm be R C out Rysunek..2 : Model małosygnałowy do zadania. Wzmocnienie napięciowe Wzmocnienie wyznaczamy ze wzou K V out (-3) in out zaznaczyliśmy do góy, a spadek napięcia na ezystoze R C jest w dół, tak więc out g m be R C (-4)

5 ZESTAW UKŁADY WE 5 in odkłada się w całości na ezystoze be, zatem Wstawiając wzoy (-4) i (-5) do (-3), otzymujemy Wyznaczamy tanskonduktancję g m in be (-5) K V g m be R C be g m R C (-6) Ostatecznie wzmocnienie wynosi g m I C V T ma 26mV A V 38 m A V K V 38m 3k 5 V V Rezystancja wejściowa Z ysunku [..2 ] od azu widać, że ezystancję wejściową tego układu stanowi ównoległe połączenie ezystoów R B oaz be. be β kω g m 38m Zatem in wynosi in be R B be R B be R B 5.2k.86M 5.2k.86M kω (-7) c) Z punku widzenia liniowości układu, najlepiej aby out V CE znalazło się w połowie dostępnego zakesu napięcia. Gónym oganiczeniem jest napięcie zasilania V CC, natomiast dolnym napięcie nasycenia V CEsat. V out VCC 7V 3V out VCC 5.V 4.9V VCE sat t VCE sat t Rysunek..3 : Liniowość układu

6 ZESTAW UKŁADY WE 6 Możemy więc zapisać wzó V CE V CC V CEsat 2 V CEsat V wtedy maksymalna amplituda sygnału na wyjściu, któy nie będzie zniekształcony, może wynosić 4.9V. Największa moc wydziela się w tej części układu gdzie jest największe napięcie i pąd, a więc w pawej gałęzi (ys [.. ] ) i wynosi P max V CC I C Możemy więc wyliczyć I C Optymalny punkt pacy wynosi I C P max V CC 5mW 0V 0.5 ma I C 0.5 ma, V CE 5. V

7 ZESTAW UKŁADY WE 7.2 Zadanie 2 Rozważyć układ WE i wyazić małosygnałowe wzmocnienie napięciowe w zakesie niskich częstotliwości w funkcji pądu kolektoa I C, nie zaniedbując ce. Pzyjąć bb 0 i zakładając, że R C, wykonać wykes otzymanego wyażenia na wzmocnienie w funkcji pądu kolektoa I C. Rozwiązanie. in be be gm be ce R C out Rysunek.2. : Model małosygnałowy z uwzględnieniem ce Wzmocnienie napięciowe wyaża się wzoem K V out in g m be ( ce R C ) be g m ( ce R C ) (-8) Jeżeli R C postać, to w połączeniu ównoległym możemy go pominąć, wzó (-8) pzyjmie wtedy K V g m ce Dokonując podstawienia g m I C kolektoa V T Podstawiając do wzou (-9) typowe watości oaz ce V A I C, otzymujemy że wzmocnienie nie zależy od pądu K V (I C ) I C V T VA I C V A V T (-9) V A 00 V V T 26 mv w tempeatuze pokojowej otzymujemy K V 00 V 26 mv 3846 V V 4000 V V

8 ZESTAW UKŁADY WE 8.3 Zadanie 3 Okeślić punkt pacy tanzystoa pacującego we wzmacniaczu pzedstawionym na ys..3. Wyznaczyć małosygnałowe wzmocnienie napięciowe i ezystancję wejściową w zakesie niskich częstotliwości ( bb 0, ce ). IN RB V R C CC Dane: R B 2kΩ, R B2 5.kΩ, R E 330Ω, R C 560Ω, β st 200, U CC 9V. RB2 R E Rysunek.3 Rozwiązanie. RB R C V CC IN I B IB IC I B2 0.7V IE IC RB2 R E Rysunek.3. : Aby wyznaczyć punkt pacy, najpiew wyliczamy pąd kolektoa. Zapisujemy układ ównań. Piewsze ównanie to ozpływ pądów w węźle wejściowym, dugie to spadki napięcia wzdłuż lewej gałęzi, a tzecie to spadki napięcia w dolnym oczku. Wiemy ponadto, że I B I C β I B I B2 I C β V CC I B R B I B2 R B2 I B2 R B2 0.7 I C R E I B V CC I B2 R B2 R B

9 ZESTAW UKŁADY WE 9 Wstawiamy I B do ównania piewszego V CC R I R B2 B2 B R I B2 I C B β I B2 R B2 0.7 I C R E I B2 R 0.7 I R E C B2 R B2 Po podstawieniu I B2 do ównania piewszego możemy już wyliczyć I C V CC 0.7 R E I C 0.7 I ( R E C ) R B R B R B R B2 R B2 β I ( R E C R E ) V CC R B R B2 β R B R B2 Spowadzamy odpowiednie wyazy do wspólnego mianownika i dzielimy obustonnie pzez czynnik stojący pzy I C I C R B2 (V CC 0.7) 0.7 R B R B R B2 βr E (R B2 R B ) R B R B2 R B R B2 β I C 200 ( 5.k (9 0.7) 0.7 2k ) β( R B2 (V CC 0.7) 0.7R B (-0) βr E (R B2 R B ) R B2 R B k (5.k 2k) 5.k 2k 6 ma Wyznaczamy V CE, ozpisując spadki napięcia wzdłuż pawej gałęzi (ys [.3. ]) V CC I C R C V CE I C R E 0 (-) ) V CE V CC I C (R C R E ) 9 6m (0.56k 0.33k) 3.66 V > V CE sat Model małosygnałowy y in RB RB2 ib be R E ( β) ib g m be βib R C out Rysunek.3.2 : Model małosygnałowy

10 ZESTAW UKŁADY WE 0 Wzmocnienie napięciowe Napięcie in odkłada się na ezystoach be i R E, zatem Wzmocnienie wynosi K V out in Pomijając w mianowniku (β ) oaz podstawiając out βi b R C (-2) in i b be (β )i b R E (-3) βi b R C βr C (-4) i b be (β )i b R E be (β )R E be β g m β be g m (-5) otzymujemy ostateczny wzó na wzmocnienie wzmacniacza z degadacją w emiteze K V beg m R C g mr C (-6) be be g m R E g m R E g m I C 6 ma V T 26 mv 230 m A V 230 m 0.56 k K V 230 m 0.33k.6V V Rezystancja wejściowa. Rezystancję wejściową układu stanowi ównoległe połączenie oponików R B i R B2 oaz ezystancji y widzianej z pzekoju zaznaczonego na ys. [.3.2 ]. Rezystancję tą obliczamy jako stosunek odłożonego na niej napięcia do płynącego pzez nią pądu. Kozystając ze wzou (-3), otzymujemy y in i b Ostatecznie y i b be (β )i b R E i b be (β )R E in R B R B2 ( ) R B R B2 be (β )R E ( ) be (β )R E R B R ( ) B2 R B R B2 be (β)r E R B2 [ be (β)r E ] R B [ be (β)r E ] R B R B2 (-7) in be β βv T m 867Ω g m I C 6m 2k 5.k (867 (200 ) 330) 5.k [ ] 2k [ ] 3.4 kω 5.2k 2k

11 ZESTAW UKŁADY WE.4 Zadanie 4 Okeślić punkt pacy tanzystoa pacującego we wzmacniaczu pzedstawionym na ys..4. Wyznaczyć małosygnałowe wzmocnienie napięciowe, ezystancję wejściową i wyjściową w zakesie niskich częstotliwości ( bb 0, ce ). R F R VCC C Dane: R F MΩ, R C.5kΩ, β st 300, V CC 5V. IN Rozwiązanie. Rysunek.4 IN IB R F I B IC ΙC β 0.7V IE IC IC IB IC ( ) β R C Rysunek.4. : Zaznaczamy pądy i spadki napięć Wyznaczamy I C ozpisując spadki napięć wzdłuż dogi powadzącej pzez R F V CC I C R C I C β R F 0.7V I C V CC 0.7 R C R F β 4.3V.5k M ma (-8) Następnie obliczamy V CE (licząc spadki napięcia wzdłuż pawej gałęzi [.4. ]) V CC I C R C V CE 0 V CE V CC I C R C 5V 2.95m.5k V (-9)

12 ZESTAW UKŁADY WE 2 Model małosygnałowy in y i F out i C out R C in be be R F gm be gm in R C out Rysunek.4.2 : Model małosygnałowy zadania.4 Wzmocnienie napięciowe Pąd i F ozpływa się na pąd źódła g m in oaz pąd i c Poównując lewe stony ównań (-20) i (-2), otzymujemy i F in out R F (-20) i F g m in out R C (-2) in out R F g m in out R C Można zauważyć, że K V out in K V in g m in out out R F R C R F ( ) in g ( m out ) R F R C R F R F g m R C R F g m R F R F R F R C R C R F R C ( g m R F ) R C R F (-22) g m R F g m R C, dla R F (-23) R C R F

13 ZESTAW UKŁADY WE 3 Rezystancja wejściowa Rezystancję wejściową układu stanowi ównoległe połączenie ezystoa be i ezystancji y widzianej z pzekoju zaznaczonego na ys. [.4.2 ] in be y (-24) Wyznaczamy y jako stosunek odłożonego napięcia do płynącego pzez nią pądu y in i F in in out R F R F out in (-25) Ponieważ R F jest duży, możemy skozystać z pzybliżonego wzou (-23), out in g m R C Wyznaczamy pozostałe wielkości g m I C V T y R F g m R C (-26) 2.95 m 26 m 3 m A V be β g m m 2.65 kω K V g m R C 3 m.5 k 69.5 V V Zatem podstawiając (-26) do (-24), otzymujemy in be R F g m R C 2.65 k M 69.5 Rezystancja wyjściowa 2.65 k 5.86 k.8 kω (-27) be 0 be R F gm be R C out Rysunek.4.3 : Układ po zastąpieniu źódła wejściowego jego ezystancją wewnętzną Mając odpowiednio pzekształcony układ (ysunek [.4.3 ]) możemy napisać out R F R C R C.5 kω (-28) ponieważ R F R C i w połączeniu ównoległym można go pominąć.

14 ZESTAW UKŁADY WE 4.5 Zadanie 5 VCC R B R C W układzie z ys..5 dobać tak R B2, by V CE 7V. Dane: R B 220kΩ, R C kω, β st 300, V CC 5V, R E 2kΩ. IN RB2 R E Rysunek.5 Rozwiązanie. VCC IC I B I B RB I B R C C I IN I B2 R B2 0.7V VCE R E 7V Rysunek.5. : Zaznaczamy pądy i spadki napięć Kozystając z faktu, że óżnica potencjałów między dwoma dowolnymi punktami układu jest ówna sumie wszystkich spadków napięć na dodze pomiędzy tymi punktami, możemy npisać V CE I B R B 0.7 (-29) Z tego wzou możemy od azu obliczyć pąd I B I B V CE 0.7 R B k Następnie ozpisujemy spadki napięcia wzdłuż pawej gałęzi 28 µa (-30) V CC (I C I B )R C V CE I C R E

15 ZESTAW UKŁADY WE 5 Z powyższego wzou wyliczamy I C I C (R E R C ) V CC I B R C V CE I C V CC V CE I B R C R E R C Mając pąd I C możemy obliczyć pąd bazy µ k 2k k 8 3k 2.67 ma (-3) I B I C β 2.67m µa (-32) Pąd I B2 obliczamy z ównania I B I B I B2 I B2 I B I B (-33) podstawiając obliczone wcześniej watości I B (wzó -30) oaz I B (wzó -32) I B2 28 µ 9 µ 9 µa R B2 wyznaczamy ozpisując spadki napięć w dolnym oczku (patz ysunek [.5. ]) I B2 R B2 0.7 I C R E 0 R B2 I CR E 0.7 I B2 2.67m 2k 0.7 9µ µ 38 kω (-34)

16 2 ZESTAW 2 ŹRÓDŁA PRĄDOWE, WTÓRNIK 6 2 Źódła pądowe, wtónik emiteowy 2. Zadanie W układzie źódła pądowego ys. 2., tak dobać watości ezystoów R i R 2, by otzymać pąd wyjściowy I 2 50µA R I V CC I2 pzy stosunku pądów I I 2 20 i V CC 0V. Znaleźć małosygnałową ezystancję wyjściową układu pzy założeniu, że V A 00V, β 00 w schemacie małosygnałowym tanzystoa uwzględnić be, g m be, ce. Jak wyglądałoby wyażenie na ezystancję wyjściową, gdyby w modelu uwzględnić dodatkowo bc β ce. T T 2 R 2 Rysunek 2. Rozwiązanie. R V CC I I2 T T 2 V BE V BE2 R 2 Rysunek 2.. : Zaznaczamy pądy i spadki napięć Pądy kolektoów obu tanzystoów możemy zapisać wzoami Pawo Kichoffa dla dolnego oczka daje ) I I S exp V BE V T (2-) 2) I 2 I S exp V BE2 V T (2-2) V BE V BE2 I 2 R 2 (2-3)

17 2 ZESTAW 2 ŹRÓDŁA PRĄDOWE, WTÓRNIK 7 Wyznaczamy zatem V BE i V BE2 z ównań (2-) i (2-2) ) V BE V T ln I I S 2) V BE2 V T ln I 2 I S i podstawiamy do ównania (2-3) z powyższego ównania wyznaczamy R 2 Z waunków zadania wynika Watość ezystoa R wyliczamy ze wzou V T ln I I S V T ln I 2 I S I 2 R 2 V T ln I I 2 I 2 R 2 R 2 V T ln I 26m ln(20).56 kω (2-4) I 2 I 2 50µ I I 2 20 I 20I µ ma R V CC V BE I Ponieważ V BE 0.7 V, dostajemy R 9.3V ma 9.3 kω

18 2 ZESTAW 2 ŹRÓDŁA PRĄDOWE, WTÓRNIK 8 Zanim pzejdziemy do modelu małosygnałowego całego układu, spójzmy jak w modelu małosygnałowym wygląda sam tanzysto z połączoną bazą i kolektoem. W takiej konfiguacji źódło pądowe steowane jest spadkiem napięcia na nim samym (ys [ 2..2 ]) i efektywnie możemy zastąpić je ezystoem o watości. Następnie z połączenia ównoległego g m be ce, pozostawiamy jedynie, gdyż be oaz ce g m g m g m g m R x B R x C R x be be be g m gm be E ce Rysunek 2..2 : Schemat zastępczy tanzystoa z połączonymi bazą i kolektoem. W modelu małosygnałowym możemy zastąpić go ezystoem o watości g m Model małosygnałowy R be2 g m be2 gm2 R 2 be2 ce2 Rysunek 2..3 : Model małosygnałowy źódła pądowego Obliczamy paamety małosygnałowe g m I C V T ma 26 mv 26 Ω be2 β g m2 β V T I C m 50µ ce2 V A I C2 00V 50µA 2 MΩ 52 kω

19 2 ZESTAW 2 ŹRÓDŁA PRĄDOWE, WTÓRNIK 9 Rezystancja wyjściowa W piewszym pzybliżeniu (patz ysunek [ 2..4 ]) możemy pominąć ezysto R gdyż (R ). g m W dugim koku pomijamy ezysto be2 ponieważ jest badzo mały zastępujemy go zwaciem. g m W punkcie X mamy potencjał masy. Schemat pzekształca się do postaci be2 g m X be2 gm2 R 2 be2 ce2 gm2 be2 be2 R ix ix 2 ce2 gm2 be2 be2 x Rysunek 2..4 : Pzekształcony model małosygnałowy zadania 2. Napięcie be2 wynosi podstawiając do wzou (2-5), otzymujemy out ce2 out x i x ce2(i x g m2 be2 ) i x (R 2 be2 ) i x (2-5) be2 i x (R 2 be2 ) ( ix i x g m2 (R 2 be2 ) ) i x (R 2 be2 ) i x ce2 ( gm2 (R 2 be2 ) ) R 2 be2 (2-6) Ostatecznie.56k 52k R 2 be2.5 kω.56k 52k g m2 I C2 50µ.92 ma/v V T 26m out 2M(.92m.5k).5k 7.76 MΩ (2-7) Rezystancja wyjściowa z uwzględnieniem bc2 Postępujemy analogicznie jak w popzednim pzypadku. Pomijamy ezysto R oaz zwieamy ezysto. W miejscu oznaczonym X ponownie znajduje się potencjał masy i schemat pzekształca g m

20 2 ZESTAW 2 ŹRÓDŁA PRĄDOWE, WTÓRNIK 20 R g be2 m X bc2 be2 gm2 R 2 be2 ce2 gm2 be2 be2 ce2 R 2 be2 bc2 Rysunek 2..5 : Schemat do wyznaczenia ezystancji wyjściowej z uwzględnieniem bc2 się do postaci widocznej na ys. [ 2..5 ]. Widzimy więc, że do ezystancji obliczonej w popzednim pzypadku (wzó (2-6)) wystaczy jednynie dołączyć ównolegle ezysto bc2 out bc2 ( ce2 ( gm2 (R 2 be2 ) ) R 2 be2 ) bc2 β ce2 00 2M 200 MΩ out 200M 7.76M MΩ (2-8)

21 2 ZESTAW 2 ŹRÓDŁA PRĄDOWE, WTÓRNIK Zadanie 2 I BIAS VCC Policzyć małosygnałową ezystancję wyjściową kaskadowego źódła pądowego pzedstawionego na ys. 2.2a. Wskazówka: pokazać, że schemat małosygnałowy takiego źódła można spowadzić do uposzczonego schematu pokazanego na ys. 2.2b. I T 3 T 4 T T 2 4 g m4 4 be4 ce4 ce2 i out bc4 Rysunek 2.2b Rysunek 2.2a Rozwiązanie. Kozytając z wiadomości z popzedniego zadania (ys [ 2..2 ]), ysujemy model małosygnałowy. Idealne źódło pądowe ma nieskończoną ezystancję więc je pomijamy. bc4 gm3 4 be4 gm4 4 ce4 i out bc2 gm 2 be2 gm2 2 ce2 Rysunek 2.2. : Model małosygnałowy kaskadowego źódła pądowego Ponieważ watości zastąpić zwaciem. g m3 i są niewielkie, w piewszym pzybliżeniu ezystoy i g m g m3 g m można

22 2 ZESTAW 2 ŹRÓDŁA PRĄDOWE, WTÓRNIK 22 A bc4 gm3 4 be4 gm4 4 ce4 i out B bc2 X gm 20 be2 gm2 2 ce2 Rysunek : W punktach A i B jest potencjał masy. Rezysto be2 jest wpięty między punktami masy więc go pomijamy, napięcie V be2 0 zatem źódło w tanzystoze 2 nie działa. Z punktu X do masy biegną dwie gałęzie, pzez ezysto ce2 oaz bc2. Ponieważ bc2 β ce2 bc2 ce2 więc pomijamy bc2 gm4 4 ce4 bc4 i out 4 be4 ce2 Rysunek : Otzymujemy schemat analogiczny jak dla zwykłego źódła pądowego. Wzó na ezystancję wyjściową wynosi zatem (poównaj (2-8)) out bc4 [ ce4 ( gm4 ( ce2 be4 ) ) ce2 be4 ] (2-9)

23 2 ZESTAW 2 ŹRÓDŁA PRĄDOWE, WTÓRNIK Zadanie 3 Policzyć punkt pacy tanzystoa pacującego w układzie wtónika emiteowego pzedstawionego na ys Pzyjąć R B 230kΩ, R E kω, β 200, V CC 5V. Policzyć paamety małosygnałowe wtónika : wzmocnienie napięciowe, pądowe, ezystancję wejściową i wyjściową. W schemacie małosygnałowym tanzystoa uwzględnić be, g m be. IN R B R VCC E Rysunek 2.3 Rozwiązanie. R B VCC VCE IN IB 0.7V R E IC Rysunek 2.3. : Zaznaczamy pądy i spadki napięć Rozpisujemy spadki napięć wzdłuż dogi pzez R B i R E V CC R B I B 0.7 I C R E 0 podstawiamy I B I C β i wyliczamy pąd kolektoa R B IC β I CR E V CC 0.7 I C ( R B β R E ) VCC 0.7 I C V CC 0.7 R B β R E (2-0)

24 2 ZESTAW 2 ŹRÓDŁA PRĄDOWE, WTÓRNIK 24 po podstawieniu watości I C k 200 k Mając pąd kolektoa możemy obliczyć V CE ma V CC V CE I C R E 0 V CE V CC I C R E 5 2m k 3 V > V CE sat (2-) Model małosygnałowy y ib gm be in R B be R E ( β) ib βib out Rysunek : Model małosygnałowy wtónika emiteowego K V out in Oszacujmy występujące we wzoze wielkości Wzmocnienie napięciowe out R E (β )i b (2-2) in be i b R E (β )i b (2-3) R E (β )i b be i b R E (β )i b R E (β ) be R E (β ) be β g m β V T I C m 2m 2.6 kω R E (β ) k kω możemy więc pominąć be K V R E (β ) R E (β ) (2-4)

25 2 ZESTAW 2 ŹRÓDŁA PRĄDOWE, WTÓRNIK 25 Wzmocnienie pądowe Wzmocnienie pądowe definiujemy analogicznie jak napięciowe, czyli K I i out i in (2-5) Pądem wejściowym jest i b. Pąd i out to pąd płynący pzez obciążenie na wyjściu czyli ezysto R E i out (β )i b podstawiając te wielkości do wzou (2-5), otzymujemy Rezystancja wejściowa wyaża się wzoem (patz ys [ ]) K I (β )i b i b β (2-6) Rezystancja wejściowa y wyznaczamy w znany już sposób in R B y ostatecznie y i bei b R E (β )i b i b be R E (β ) in R B ( be R E (β ) ) (2-7) in 230k ( 2.6k 20k ) 230k 203.6k 230k 203.6k 08 kω 230k 203.6k Rezystancja wyjściowa in R B be be g m be βi b be be R E gm be R E out Rysunek : Schemat do wyznaczenia ezystancji wyjściowej zadania 2.3 V in zwieamy do masy więc pomijamy R B. Źódło steowane spadkiem napięcia na nim samym zastępujemy ezystoem. Ponieważ jest dużo mniejsze od pozostałych ezystoów możemy g m g m pominąć be i R E. out be R E (2-8) g m g m out g m V T I C 26 mv 2 ma 3 Ω

26 2 ZESTAW 2 ŹRÓDŁA PRĄDOWE, WTÓRNIK Zadanie 4 Policzyć paamety małosygnałowe wtónika pzedstawionego na ys W schemacie małosygnałowym tanzystoa T uwzględnić be, g m be, ce, natomiast źódło pądowe zastąpić jego ezystancją wyjściową. Ref T 3 IN VCC T T 2 Rysunek 2.4 Rozwiązanie. Rezystancja wyjściowa źódła pądowego (R ef,t 3,T 2 ) R ef T 3 T 2 Ref ce3 g m3 be3 be3 be2 0 be2 g m be2 ce2 Rysunek 2.4. : Schemat małosygnałowy do obliczenia ezystancji wyjściowej źódła Źódło pądowe w tanzystoze T 3 zastępujemy ezystoem. Ponieważ R ef, ce3, be3 g m3 g m3 możemy pominąć połączone z nim ównolegle ezystoy R ef, ce3 oaz be3. Ponieważ be2 a ezystoy te są połączone szeegowo, możemy pominąć. Rezysto be2 jest wpięty między g m3 punktami masy więc go pomijamy. Nie działa ównież źódło pądowe w tanzystoze T 2 ponieważ be2 0. Zatem ezystancję wyjściową stanowi jedynie ezysto ce2. g m3

27 2 ZESTAW 2 ŹRÓDŁA PRĄDOWE, WTÓRNIK 27 Model małosygnałowy be ib be gm β ib be ce ib be be gm be β ib in ce2 ( β ) ib out in ( β ) ce2 ib ce out Rysunek : W obicążeniu otzymujemy ównoległe połączenie ezystancji ce i ce2 K V out in ( ce2 ce ) (β )i b be i b ( ce2 ce ) (β )i b ( ce2 ce ) (β ) be ( ce2 ce ) (β ) (2-9) K I β (2-20) in in i b bei b ( ce2 ce ) (β )i b i b be ( ce2 ce ) (β ) (2-2) Rezystancja wyjściowa całego układu be be be ce2 ce gm Rysunek : Rezystancja wyjściowa Ponownie źódło zastępujemy ezystoem g m i pomijamy pozostałe ezystoy out g m (2-22)

28 3 ZESTAW 3 TRANZYSTOR MOS 28 3 Tanzysto MOS 3. Zadanie Obliczyć watość napięcia V REF dla układu pzedstawionego na ys. 3., mając dane : µ 0 C ox 60µ A, V V T H 0.8V, V DD 5V a) R 2 kω, W/L 0µm 0.5µm b) R 5 kω, W/L 0µm V 0.5µm c) R 2 kω, W/L 00µm 0.5µm natomiast pąd denu wyaża się wzoem I D 2 µ W 0C ox L (V GS V T H ) 2 Rozwiązanie. REF VDD R VGS Rysunek 3. W takiej konfiguacji napięcie V REF jest po postu ówne napięciu V GS. Mamy więc V GS 2 µ 0C ox W L (V GS V T H ) 2 R V DD (3-) Wystaczy więc podstawić odpowiednie watości i obliczyć V GS a) V GS 0µ 60µ 2 0.5µ (V GS 0.8) 2 2k 5V V GS.2(V 2 GS.6V GS 0.64) 5 0.2V 2 GS 0.92V GS (0.92) V GS 2.3V V GS2.53V Wybieamy napięcie V GS, gdyż aby tanzysto pzewodził musi być spełniony waunek V GS > V T H 0.8V Zatem b) V REF 2.3 V 2 µ W 0C ox L R 0µ 60µ 2 0.5µ 5k 3 V GS 3(V 2 GS.6V GS 0.64) 5 3V 2 GS 3.8V GS (3.8)

29 3 ZESTAW 3 TRANZYSTOR MOS V GS.82V V GS2 6 Ponownie wybieamy watość większą od 0.8 V REF.82 V V c) 2 µ W 0C ox L R 2 60µ00µ 2k 2 0.5µ V GS 2(V 2 GS.6V GS 0.64) 5 2V 2 GS 8.2V GS (8.2) V GS.35V V GS2 0.6V V REF V GS.35 V

30 3 ZESTAW 3 TRANZYSTOR MOS Zadanie 2 Obliczyć paamety źódła pądowego pzedstawionego na ysunku 3.2, mając dane R 0kΩ, µ 0 C ox 00µ A, V V 2 T H 0.5V, λ 0.005, V V DD 4V, W L 20 µm 4 µm, W 2 L 2 40 µm 4 µm. VDD M R M2 Rozwiązanie. Rysunek 3.2 Szukanym paametem tego źódła jest jego ezystancja wyjściowa. Z popzednich zadań wiemy, że stanowi ją ezysto ds2. M V DS M2 VDD ID R Rysunek 3.2. : Wzoy opisujące działanie tanzystoów NMOS i PMOS są identyczne z dokładnością do znaków napięć V GS i V DS. Aby nie pzejmować się tymi znakami będziemy mieli na uwadze jedynie ich watości bezwzględne. Obliczamy pąd denu I D, używając pzybliżonego wzou I D 2 µ 0C ox W L ( VGS V T H ) 2 (3-2) Dla tanzystoa M napięcia V GS i V DS wynoszą tyle samo, mamy więc a napięcie V DS wyznaczamy z ównania V GS V DS V DD I D R V DS V DS V DD I D R Wyznaczone napięcie V DS V GS podstawiamy do wzou (3-2) I D 2 00µ20µ ( ) 2 VDD I D R V T H 4µ

31 3 ZESTAW 3 TRANZYSTOR MOS 3 I D 4 ( 4 ID 0k 0.5 ) 2 4I D ( I D ) I D 0 8 I 2 D 0 8 I 2 D I D I D A ma I D A ma Wyniki te są do siebie tak zbliżone, że za watość pądu I D możemy pzyjąć śednią z tych dwóch wyników I D I D I D ma ma ma 0.35 ma (3-3) 2 2 Watość ezystoa ds gdy tanzysto jest w zakesie nasycenia wyznaczamy ze wzou ds2 λ I D m Ω 57 kω (3-4)

32 3 ZESTAW 3 TRANZYSTOR MOS Zadanie 3 Dla układu pzedstawionego na ys. 3.3 policzyć punkt pacy tanzystoa M. Policzyć wzmocnienie małosygnałowe dla pzypadku gdy wyjście jest w punkcie X, albo w punkcie Y. Pzyjąć V T H V, µ 0 C ox 50µ A, W 400 µm V 2 L µm, λ 0. VDD in Vbias R S Y X R D Rozwiązanie. Rysunek 3.3 Tak jak w popzednim zadaniu inteesować nas będą watości bezwzględne napięć V GS i V DS. VDD in Vbias VGS ID R S Y VDS X R D Rysunek 3.3. : Zaznaczamy napięcia z dokładnością do znaku Obliczamy pąd I D Napięcie V GS wyznaczamy z waunku V GS V T H 2 I D W µ 0 C ox L V bias V GS I D R S V DD V GS 2 I D W µ 0 C ox L I D 50µ I D 5 500I D 00I D I D I D 2 V T H

33 3 ZESTAW 3 TRANZYSTOR MOS 33 Aby ównanie podnieść obustonnie do kwadatu musimy założyć, że obie stony są dodatnie. Otzymujemy więc waunek I D > 0 Wacamy do ównania 500I D < 0.86 I D <.632 ma (3-5) 00I D I D I 2 D I 2 D 96I D I D ma I D ma Kozystając z waunku (3-5), otzymujemy Nie uwzględniamy ezystoa ds, ponieważ X in I D ma (3-6) Model małosygnałowy λ 0 ds λ I D G D gs S R S gm gs R D out Rysunek : Wyjście w punkcie X in gs g m gs R S (3-7) out X g m gs R D (3-8) K V X out X g m gs R D g mr D in gs g m gs R S g m R S (3-9) Wyznaczamy tanskonduktancję W g m 2µ 0 C ox L I D 2 50µ 400 m 6.3 m A V (3-0) 6.3m 3k K V X 6.3m 0.5k 4.55V V (3-)

34 3 ZESTAW 3 TRANZYSTOR MOS 34 Y G D in gs S gm gs R D R S out Rysunek : Wyjście w punkcie Y K V Y g m gs R S gs g m gs R S in gs g m gs R S (3-2) out Y g m gs R S (3-3) g mr S g m R S 6.3m 0.5k 6.3k 0.5k 0.76V V (3-4)

35 4 ZESTAW 4 UKŁADY NA TRANZYSTORACH MOS 35 4 Poste układy na tanzystoach MOS 4. Zadanie Wyznaczyć małosygnałowe wzmocnienie napięciowe układu WS z ys. 4. pzy następujących paametach : µ 0 C ox 40µA/V 2, W 00µm, L 0µm, V T H 0.8V, λ 0. Pzyjąć V DD 5V, R G 0kΩ, R D 5kΩ. W pzypadku źódła polayzującego ozważyć dwa pzypadki : V bias 2V oaz V bias 2.5V. VDD R G in Vbias R D V out Rozwiązanie. Rysunek 4. in VDD Vbias R G R D D G VGS S VDS out Rysunek 4.. : V GS V bias Pąd denu wyaża się wzoem (pzy założeniu, że tanzysto jest w nasyceniu) Obliczamy punkt pacy dla obu watości napięcia polayzującego I D 2 µ W ( ) 2 0C ox VGS V T H (4-) L a) V bias V GS 2 V V DSsat V GS V T H V I D 00µ 40µ (2 2 0µ 0.8)2 288 µa V DS V DD I D R D 5V 288µ 5k 3.56 V

36 4 ZESTAW 4 UKŁADY NA TRANZYSTORACH MOS 36 b) V bias V GS 2.5 V V DSsat V GS V T H V I D 00µ 40µ ( µ 0.8)2 578 µa V DS V DD I D R D 5V 578µ 5k 2. V Model małosygnałowy G D in R G gs S gm gs R D out Rysunek 4..2 : Model małosygnałowy WS in gs zatem wzmocnienie napięciowe wynosi out g m gs R D K V out in g m gs R D gs g m R D (4-2) Tanskonduktancję obliczamy ze wzou g m µ 0 C ox W L (V GS V T H ) a) g m 40µ 00µ 0µ (2 0.8) 0.48 m A V K V 0.48m 5k 2.4 V V b) g m 40µ 00µ 0µ ( ) 0.68 m A V K V 0.68m 5k 3.4 V V Spójzmy jeszcze jak watość napięcia polayzującego V bias wpływa na liniowość układu K V out in in out K V

37 4 ZESTAW 4 UKŁADY NA TRANZYSTORACH MOS 37 Obliczamy maksymalną watość amplitudy sygnału na wyjściu układu, pzy któej sygnał nie jest obcinany (patz ys [ 4..3 ]) a) out MAX.5V b) out MAX 0.4V zatem maksymalna amplituda sygnału wejściowego wynosi a) in MAX V b) in MAX V V DD 3.5V V 5V a).5v VDD 2.V 5V b) VDS sat.2v t VDS sat.7v t 0.4V Rysunek 4..3 : W podpunkcie a) otzymujemy mniejsze wzmocnienie, ale większy zakes liniowości

38 4 ZESTAW 4 UKŁADY NA TRANZYSTORACH MOS Zadanie 2 Rozważyć układ WS i wyazić małosygnałowe wzmocnienie napięciowe w zakesie niskich częstotliwości w funkcji pądu denu I D, nie zaniedbując ds. Zakładając, że R D, wykonać wykes otzymanego wyażenia na wzmocnienie w funkcji pądu denu I D. Dla zakesu małego pądu denu, pzyjąć ównania opisujące pacę tanzystoa MOS w zakesie podpogowym: I D I D0 W L exp V GS.5V T [ exp ( V DS V T )], gdzie V T to potencjał temiczny (w tempeatuze pokojowej V T 26mV ). Rozwiązanie. G D in gs S gm gs ds R D out Rysunek 4.2. : Model małosygnałowy układu WS z uwzględnieniem ds Mając model małosygnałowy możemy napisać pzy założeniu R D, otzymujemy K V out in g m gs ( ds R D ) gs g m ( ds R D ) K V g m ds (4-3) Zakes silnej inwesji g m Po podstawieniu do wzou (4-3), otzymujemy K V (I D ) 2µ 0 C ox W L I D ds g ds λi D W 2µ 0 C ox I L D const (4-4) λi D ID

39 4 ZESTAW 4 UKŁADY NA TRANZYSTORACH MOS 39 g m I D W I D0 V GS L Podstawiamy do wzou (4-3) W I D0 L K V (I D ) 2 3 Zakes podpogowy.5v T exp ( V GS.5V T )[ exp ( V DS V T )].5V T I D ds I D V DS I D0 W L exp( V GS.5V T ) V T exp ( V DS V T ).5V T exp ( V GS.5V T )[ exp ( V DS V T )] W V I ) D0 L exp( GS exp ( V ) DS.5V T V T V T [ ( V ) ] DS 2[ ( V )] DS exp exp V T 3 V T [ ( V )] DS exp.5 V T exp ( V DS V T ) Jeżeli pzyjmiemy, że V DS const. a pąd denu zależy jedynie od V GS to otzymujemy stałą watość wzmocnienia, niezależną od pądu denu. Zatem w zakesie podpogowym wzmacniacz z tanzystoem MOS zachowuje się podobnie jak wzmacniacz z tanzystoem bipolanym. (4-5)

40 4 ZESTAW 4 UKŁADY NA TRANZYSTORACH MOS Zadanie 3 Rozważyć układ wzmacniacza WS z degenaacją w źódle pzedstawionym na ys Uwzględniając w schemacie małosygnałowym g m, g mb wyznaczyć wzmocnienie napięciowe. Uwzględniając dodatkowo w schemacie zastępczym tanzystoa ezystancję ds obliczyć małosygnałową ezystancję wyjściową wzmacniacza. VDD IN R D R S B Rozwiązanie. Rysunek 4.3 G D gs gm gs gmb bs D in S R out bs R S B gm gs gmb bs Rysunek 4.3. : Model małosygnałowy Wzmocnienie napięciowe Wyznaczamy napięcie bs bs R S (g m gs g mb bs ) bs R Sg m gs R S g mb (4-6) Napięcie wejściowe za bs podstawiamy wzó (4-6) in gs bs in gs R Sg m gs R S g mb gs ( R S g mb R S g m R S g mb ) gs R S (g m g mb ) R S g mb (4-7) Napięcie wyjściowe out R D (g m gs g mb bs )

41 4 ZESTAW 4 UKŁADY NA TRANZYSTORACH MOS 4 ponownie za bs podstawiamy wzó (4-6) out R D ( gm gs R Sg m g mb gs R S g mb ) RD gs g m R S g mb R S g mb R S g mb gs R D g m R S g mb (4-8) Zatem wzmocnienie wynosi R D g m gs R K V S g mb R D g m R S (g m g mb ) R S (g m g mb ) gs R S g mb Rezystancja wyjściowa (4-9) gs gm gs ds ix gmb bs out bs ix R S ix gm gs gmb bs R D B Rysunek : Schemat do obliczenia ezystancji wyjściowej Po zastąpieniu źódła wejściowego zwaciem, napięcie gs jest potencjałem między źódłem (S) a masą czyli jest ówne bs gs bs Rezystancję wyjściową stanowi out R D x Zakładamy, że do x wpływa pąd i x i obliczamy jaki będzie na niej spadek napięcia x. Napięcie x jest sumą napięć na ezystoach ds i R S bakuje nam jeszcze bs oaz gs, ale x ds (i x g m gs g mb bs ) i x R S (4-0) gs bs R S i x Podstawiamy powyższy wzó do (4-0) i obliczamy x x ds(i x R S i x g m R S i x g mb ) i x R S i x ds ( R S g m R S g mb ) R S (4-) Ostatecznie ezystancja wyjściowa wynosi out R D x R D x R ( D ds RS (g m g mb ) ) R S R D ( R D x ds RS (g m g mb ) ) (4-2) R S R D

42 4 ZESTAW 4 UKŁADY NA TRANZYSTORACH MOS Zadanie 4 R ef VDD out Obliczyć małosygnałową ezystancję wyjściową źódła pądowego opatego na tanzystoach MOS pzedstawionego na ys W schemacie małosygnałowym tanzystoów uwzględnić g m oaz ds. Założyć, że wymiay W/L obu tanzystoów są identyczne. R S R S Wykonujemy schemat małosygnałowy. Rozwiązanie. Rysunek 4.4 Ref ds g m gs gs gs2 gmgs2 ds2 R S R S Rysunek 4.4. : Schemat małosygnałowy Źódło pądowe w tanzystoze jest steowane spadkiem napięcia na nim samym więc zastępujemy je ezystoem g m. W związku z tym możemy pominąć połączony z nim ównolegle ezysto ds. Ref ds g m gs gs2 gs2 ds2 gm R S R S Rysunek : Piewszy kok pzekształcenia Schemat pzekształca się do postaci.

43 4 ZESTAW 4 UKŁADY NA TRANZYSTORACH MOS 43 Ref g m gs2 X gmgs2 ds2 R S R S Rysunek : Na ezystoach R ef, R S i nie odkłada się żadne napięcie bo nie płynie tam żaden pąd. Punkt g m X można podpiąć do masy. Ostatecznie schemat pzyjmuje postać g m gs2 gs2 ds2 i x R S i x i x g m gs2 x Rysunek : Ostateczna postać schematu małosygnałowego Wyznaczamy ezystancję wyjściową out x i x ds2(i x g m gs2 ) R S i x i x gs2 jest spadkiem napięcia na ezystoze R S, tylko skieowanym pzeciwnie. Wynosi zatem po podstawieniu otzymujemy gs2 R S i x out ds2(i x g m R S i x ) R S i x i x ds2 ( g m R S ) R S (4-3)

44 4 ZESTAW 4 UKŁADY NA TRANZYSTORACH MOS Zadanie 5 V DD M3 M2 Dla układu WS pzedstawionego na ys. 4.5 obliczyć małosygnałowe wzmocnienie napięciowe oaz ezystancję wyjściową. I bias IN M Rysunek 4.5 Rozwiązanie. Z ozważań analogicznych jak dla tanzystoa bipolanego wiemy, że lusto pądowe (M 2,M 3,I bias ) możemy zastąpić w schemacie małosygnałowym ezystoem ds2. Schemat małosygnałowy pzyjmie więc postać in gs gmgs ds ds2 Rysunek 4.5. : Schemat małosygnałowy Wzmocnienie napięciowe wynosi zatem K V out in g m gs ( ds ds2 ) gs g m ( ds ds2 ) (4-4) Rezystancja wyjściowa Zastępując wymuszenie napięciowe na wejściu jego ezystancją wewnętzną (zwacie), otzymujemy gs 0 Nie działa więc źódło pądowe (g m gs ) i ezystancja wyjściowa wynosi out ds ds2 (4-5)

45 5 ZESTAW 5 DARLINGTON I KASKODA 45 5 Układy Dalingtona i kaskody 5. Zadanie VCC T Na ys. 5. pzedstawiono wtónik napięciowy opaty na układzie Dalingtona. Obliczyć pądy kolektoów tanzystoów T i T 2. Obliczyć małosygnałową ezystancję wejściową i wyjściową oaz wzmocnienie pądowe i napięciowe. W schemacie małosygnałowym pominąć bb oaz ce. Założyć, że β β 2 200, R E 00Ω, R A kω, V bias 3V, V CC 5V, a V BE(on) 0.7V. Vin Vbias R A T 2 R E Rysunek 5. Rozwiązanie. 3V 0.7V Vin Vbias I C T 2.3V I R A C I I B2 B2 I C2 0.7V R E VCC T 2 I C2 I B2.6V I C I C2 Rysunek 5.. : Zaznaczamy znane potencjały w układzie, kozystając z waunku V BE(on) 0.7V Wyznaczamy pądy kolektoów Spadek napięcia na R E wynosi 3V 0.7V 0.7V.6V, mamy więc R E (I C I C2 ).6V (5-) Natomiast spadek napięcia na R A wynosi 2.3V.6V 0.7V R A (I C I B2 ) 0.7V (5-2)

46 5 ZESTAW 5 DARLINGTON I KASKODA 46 Jeżeli do dugiego ównania podstawimy zależność I B I C, otzymamy układ ównań, z któego β można policzyć szukane pądy. R E (I C I C2 ).6 I C.6 R E I C2 R A (I C I C2 β ) 0.7 I C2.6 I C2 R A R A I C2 R A R E β 0.7 ( ) R A I C2 R A : R A β R E R E R A β wacając do wzou na I C, otzymujemy ma I C.6 I C m 6m 5.22m 0.78 ma R E 00 Do badzo zbliżonych wyników można dojść o wiele szybciej. Wystaczy w ównaniu (5-2) pominąć I B2 tak jak to czyniliśmy dotychczas. Otzymujemy wtedy natychmiast oaz I C R A k 0.7 ma I C2.6 I C.6 0.7m 5.3 ma R E 00 Widzimy że wyniki te nieznacznie odbiegają od siebie i można by z powodzeniem użyć pzybliżonych, jednak w dalszej części zadania będziemy się posługiwali tymi dokładniejszymi.

47 5 ZESTAW 5 DARLINGTON I KASKODA 47 Model małosygnałowy ib be βi b in R A i b be2 (β) ix i e βix R E Rysunek 5..2 : Schemat małosygnałowy Pąd (β )i b ozpływa się na dwa pądy (płynące pzez R A i be2 ), więc składową i x wyznaczamy ze wzou na dzilenik pądowy R A i x (β )i b (5-3) R A be2 Pąd i e jest sumą pądów (β )i b i βi x, wynosi zatem R A i e (β )i b βi x (β )i b β (β )i b i b (β ) ( R ) A β (5-4) R A be2 R A be2 Wzmocnienie pądowe R A K I i out i e (β ) ( ) β (β ) β(β ) (5-5) i in i b R A be2 R A be2 Otzymujemy chaakteystyczny dla układu Dalingtona wynik K I β 2 R A Wzmocnienie napięciowe out i e R E R E i b (β ) ( R ) A β R A be2 (5-6) in be i b i b (β )(R A be2 ) i b (β ) ( ) β RE (5-7) R A be2 Po skóceniu i b wzmocnienie wynosi K V R E (β ) ( R ) A β R A be2 R A R A be (β )(R A be2 ) (β ) ( ) β RE R A be2

48 5 ZESTAW 5 DARLINGTON I KASKODA 48 Obliczamy potzebne wielkości be β g m βv T I C be2 β V T I C2 R A R A be m 0.78m 6.7 kω m 5.22m 342 Ω k k R A be2 R A be2 R A be2 be Ω Wzmocnienie wynosi K V ( ) 6.7k ( ) V V Rezystancja wejściowa Kozystamy z wyznaczonego wcześniej wzou na in Watość liczbowa wynosi in in i in in i b be (β )(R A be2 ) (β ) ( β R A R A be2 ) RE (5-8) in 6.7k ( ) 00 3MΩ Rezystancja wyjściowa g m be2 be RA gm be R E be2 R A be2 R E g m2 be2 g m2 Rysunek 5..3 : Schemat od obliczania out Zastępując źódło napięciowe na wejściu zwaciem otzymujemy, że źódło pądowe w T jest steowane spadkiem napięcia na nim samym, zastępujemy je więc ezystoem g m, któy następnie zwieamy (ponieważ g m be2 R A ). Otzymujemy wówczas, że źódło pądowe w T 2 ównież

49 5 ZESTAW 5 DARLINGTON I KASKODA 49 jest steowane spadkiem napięcia na nim samym więc zastępujemy je ezystoem g m2. Ostatecznie pomijamy większy ezysto R E i otzymujemy out g m2 V T I C2 26m 5.22m.7 Ω

50 5 ZESTAW 5 DARLINGTON I KASKODA Zadanie 2 W konfiguacji BiCMOS Dalingtona pokazanej na ys. 5.2 napięcie V bias tak zostało dobane, aby napięcie stałe na wyjściu było ówne 2V. Obliczyć pąd denu I D oaz pąd kolektoa I C2, a następnie wzmocnienie małosygnałowe układu. Rezystoy mają watości R D R B kω. Dla tanzystoa MOS pzyjąć µ 0 C ox 60µA/V 2, W 40µm, L µm, V T H 0.8V, λ 0. Dla tanzystoa bipolanego pzyjąć V CC 5V, β 00, V A. VCC M V V in bias R D R B T2 Rozwiązanie. Rysunek 5.2 VCC M I D R D I C2 I D I C2 Vbias Vin I D I B2 R B I B2 0.7V T2 2V Rysunek 5.2. : Zaznaczamy pądy i spadki napięć Zapisujemy układ ównań w celu wyznaczenia pądów. V CC R D (I D I C2 ) 2V 0 R B (I D I C2 β ) 0.7V Podobnie jak w popzednim zadaniu możemy w dugim ównaniu pominąć czynnik I C2 β. Ponieważ β jest duża, popełniony błąd będzie niewielki. R B I D 0.7V I D R B k V CC R D (I D I C2 ) 2V ma 5V R D I D R D I C2 2V 0 I C2 3V R DI D 3V k 0.7m 2.3 ma R D k

51 5 ZESTAW 5 DARLINGTON I KASKODA 5 Model małosygnałowy in R B gs be2 g m gs be2 g m g m2 be2 gs gm2 be2 R D Rysunek : Schemat małosygnałowy Pzez ezysto R D płynie suma pądów g m gs i g m2 be2, mamy więc out R D (g m gs g m2 be2 ) (5-9) in gs be2 (5-0) Wyznaczamy napięcie be2. Odkłada się ono na ównoległym połączeniu R B be2 pzez któe płynie pąd g m gs, więc be2 g m gs (R B be2 ) (5-) Podstawiamy powyższy wzó do ównań (5-9) i (5-0) Wyznaczamy wzmocnienie out R D g m gs R D g m2 g m gs (R B be2 ) (5-2) K V R Dg m gs R D g m2 g m gs (R B be2 ) gs g m gs (R B be2 ) Obliczamy potzebne wielkości g m in gs g m gs (R B be2 ) (5-3) 2µ 0 C ox W L I D R Dg m R D g m2 g m (R B be2 ) g m (R B be2 ) 2 60µ m.8 m A V g m2 I C2 2.3m V T 26m 88.5 m A V be2 β 00.3 kω g m2 88.5m R B be2 R B be2 R B be2 k.3k k.3k 530 Ω (5-4) K V k.8m k 88m.8m 530.8m V V

52 5 ZESTAW 5 DARLINGTON I KASKODA Zadanie 3 VDD M4 M3 Rozważyć wzmacniacz w układzie postej kaskody pzedstawiony na ys Obliczyć małosygnałowe wzmocnienie napięciowe oaz ezystancję wyjściową układu. W schemacie małosygnałowym tanzystoów MOS uwzględnić geneato g m oaz ezystancję ds. I pol V bias IN M2 M Rysunek 5.3 Rozwiązanie. ds3 gm2 ds3 gs2 g m2 gs2 ds2 gs2 g m2 gs2 ds2 in gs X gmgs ds in gs gmgs ds Rysunek 5.3. : Schemat małosygnałowy postej kaskody Na tym schemacie między punktem X a wyjściem znajduje się źódło pądowe g m2 gs2. Schemat można nieco zmodyfikować aby obliczenia były postsze. Pzepinamy źódło g m2 gs2 do masy tak jak jest pokazane na powyższym ysunku. Aby ozpływ pądów pozostał taki sam jak popzednio musimy dołożyć dugie źódło (zakeślone). To dugie źódło jest steowane spadkiem napięcia na nim samym i zastępujemy je ezystoem g m2. Otzymujemy schemat w postaci

53 5 ZESTAW 5 DARLINGTON I KASKODA 53 gs2 gm2 g m2 gs2 ds2 ds3 in gs gmgs ds Rysunek : Schemat po pzepięciu źódła do masy któy następnie pzekształca sie do ds2 in gs gmgs ds gs2 gm2gs2 gm2 ds3 Rysunek : Pomijamy ezysto ds w połączeniu ównoległym z można ównież pominąć ezysto ds2. g m2. W piewszym pzybliżeniu Ostatecznie schemat pzyjmuje postać in gs gmgs gm2 gs2 gm2gs2 ds3 Rysunek : Otzymujemy dwie ozłączne części Wzmocnienie napięciowe out g m2 gs2 ds3 (5-5) Wyznaczamy napięcie gs2 K V out in g m2 gs2 ds3 gs gs2 g m gs (5-6) g m2 g m2 g m gs g m2 ds3 gs g m ds3 (5-7)

54 5 ZESTAW 5 DARLINGTON I KASKODA 54 Rezystancja wyjściowa Wacamy z powotem do piewszego schematu małosygnałowego (ys. [ 5.3. ]). in zwieamy do masy więc otzymujemy gs 0, a schemat wygląda następująco g m gs2 ds2 i x i x g m gs2 gs2 i x ds x ds3 Rysunek : Schemat do wyznaczenia out out x ds3 Wyznaczamy x zakładając, że wpływa do niej pąd i x x x i x ds2(i x g m2 gs2 ) i x ds i x Wyznaczamy napięcie gs2 Podstawiamy do popzedniego wzou gs2 i x ds x ds2(i x g m2 i x ds ) i x ds i x ds ds2 ( g m2 ds ) (5-8) Ostatecznie out ds3 [ ds ds2 ( g m2 ds ) ] (5-9)

55 5 ZESTAW 5 DARLINGTON I KASKODA Zadanie 4 Rozważyć wzmacniacz w układzie zawiniętej kaskody pzedstawiony na ys Obliczyć małosygnałowe wzmocnienie napięciowe oaz ezystancję wyjściową układu. W schemacie małosygnałowym tanzystoów MOS uwzględnić geneato g m oaz ezystancję ds. IN I pol M M3 M2 0 V bias I pol VDD M4 Rysunek 5.4 Rozwiązanie. Pzechodząc do schematu małosygnałowego ozwieamy źódło pądowe I pol, dlatego schemat będzie identyczny jak dla postej kaskody (poównaj ysunek [ 5.3. ]). ds3 gs2 g m2 gs2 ds2 in gs g m gs ds Rysunek 5.4. : Otzymujemy schemat analogiczny jak dla układu postej kaskody Natomiast watości elementów g m i ds będą inne ponieważ inne są pądy denów. Zatem wzoy na wzmocnienie i ezystancję wyjściową są następujące (poównaj popzednie zadanie) K V g m ds3 (5-20) out ds3 [ ds ds2 ( g m2 ds ) ] (5-2)

56 6 ZESTAW 6 - UKŁAD RÓŻNICOWY 56 6 Układ óżnicowy 6. Zadanie R C VCC R C o Dla obwodu z ys. 6. znaleźć małosygnałowe wzmocnienie napięciowe. Pzyjąć R C 0kΩ, R E 4.3kΩ, V CC 5V, V EE 5V, V BE 0.7V. i T T 2 REE VEE Rozwiązanie. Rysunek 6. R C IC VCC IC R C o i T T 2 0.7V X REE 0.7V 0V VEE I EE Rysunek 6.. : Zaznaczamy pądy i spadki napięć Punkt pacy Wyznaczamy pąd I EE licząc spadek potencjału od bamki tanzystoa T 2 do V EE I EE V EE R EE k ma (6-) Pzyjmujemy, że pądy kolektoów są takie same, możemy więc napisać I EE 2 I E 2 I C I C 2 I EE 0.5 ma (6-2)

57 6 ZESTAW 6 - UKŁAD RÓŻNICOWY 57 Obliczamy napięcie V CE, licząc spadki napięć od gónej linii zasilania do punktu X V CC I C R C V CE 0.7V V CE V CC I C R C m 0k V > V CE sat Model małosygnałowy be R C R C in be gm be X gm be2 be2 be2 R EE Rysunek 6..2 : Schemat małosygnałowy wzmacniacza óżnicowego Steowanie óżnicowe Zakładamy, że układ jest zbalansowany, więc do punktu X można podpiąć potencjał masy. id 2 be be g m be R C od 2 L P R C be2 gm be2 be2 id 2 Rysunek 6..3 : Układ ozdziela się na dwie części. Na wejścia dajemy sygnał óżnicowy Wyznaczamy wzmocnienie óżnicowe od 2 g m be R C g m id 2 R C (6-3) K V d g m R C id 2 id 2 g m R C (6-4)

58 6 ZESTAW 6 - UKŁAD RÓŻNICOWY 58 Steowanie sumacyjne W tym pzypadku między lewą a pawą częścią nie płynie żaden pąd, możemy je więc ozdzielić. Aby ezystancja w układzie była zachowana musimy do emiteów obu tanzystoów wpiąć ezystoy 2 R EE. Ponownie wykozystujemy tylko jedną połowę układu ic ib be2 ( β ) βi b ib R C oc 2R EE Rysunek 6..4 : Połowa układu steowana sumacyjnie Wyznaczamy wzmocnienie sumacyjne ic be2 i b 2R EE (β )i b (6-5) K V c Pomijamy w mianowniku i podstawiamy β g m be oc R C βi b (6-6) R C βi b be2 i b 2R EE (β )i b (6-7) K V c g mr C (6-8) g m 2R EE Wzmocnienie napięciowe W celu wyznaczenia wzmocnienia całego układu definiuje się sygnały wejściowe i wyjściowe sumacyjne i óżnicowe, w postaci id in in2 ic in in2 2 W naszym pzypadku in2 0, otzymujemy więc od o o2 oc o o2 2 id in in ic in 2 in 2 Natomiast sygnałem wyjściowym jest o2, któe teaz wyznaczymy od o o2 oc o o2 2 { od o o2 2 oc o o2 ) () 2 oc od 2 o2 o2 oc od 2

59 6 ZESTAW 6 - UKŁAD RÓŻNICOWY 59 Sygnał wyjściowy sumacyjny oc to sygnał wejściowy sumacyjny ic pzemnożony pzez wzmocnienie sumacyjne K V c. Analogicznie mamy dla sygnału óżnicowego, zatem o2 K V com ic 2 K V dif id Podstawiamy wyznaczone wcześniej wielkości ic i id out o2 K V c in 2 2 K V d in in 2 (K V c K V d ) (6-9) Obliczamy watości liczbowe K V out in 2 (K V c K V d ) (6-0) g m I C V T 0.5m 26m 9.2 m A V K V d g m R C 9.2m 0k 92 V V K V c g mr C 9.2m 0k g m 2R EE 9.2m 2 4.3k 0.35 V V Wzmocnienie wynosi K V 2 ( ) 96 V V

60 6 ZESTAW 6 - UKŁAD RÓŻNICOWY Zadanie 2 Dla układu wzmacniacza z aktywnym obciążeniem z ys. 6.2 obliczyć współczynnik CMRR. Dane: R EE 20kΩ, V CC 5V, V EE 5V, V BE 0.7V, β pnp 50, β npn 200, V Anpn 00V, V Apnp 200V. Napięcie DC na wejściach układu jest ówne zeu. IN T 3 T T 2 R EE T 4 V CC o IN2 VEE Rozwiązanie. Rysunek 6.2 Schemat małosygnałowy be4 gm3 gm3 ce3 be3 be3 g m2 be4 ce4 IN be be gm be ce ce2 gm2 be2 be2 be2 IN2 REE Rysunek 6.2. : Układ óżnicowy z aktywnym obciążeniem Źódło w tanzystoze 3 zastępujemy ezystoem g m3. Układ dzielimy na dwie części tak jak pokazano na powyższym ysunku.

61 6 ZESTAW 6 - UKŁAD RÓŻNICOWY 6 Steowanie óżnicowe id 2 be be be gm gm3 be4 L P ce4 gm4 be4 gm2 ce2 be2 be2 be2 id 2 Rysunek : Steowanie óżnicowe W miejsce R EE kładziemy masę. Wówczas ównolegle do masy są połączone ezystoy, g m3 ce3, be3, be4 oaz ce. Robimy pzybliżenie pomijając wszystkie wymienione wcześniej ezystoy za wyjątkiem najmniejszego z nich czyli. Tym azem musimy wykozystać ównież lewą część g m3 schematu, z któej wyznaczamy potencjał be4 be3 id be4 g m be g m g m3 g m3 2 (6-) Z pawej części mamy out ( ce2 ce4 )(g m4 be4 g m2 be2 ) be4 wyznaczyliśmy wcześniej natomiast be2 id. Ponadto zakładamy, że tanzystoy i 2 oaz 2 3 i 4 są takie same, więc g m g m2 i g m3 g m4 K V d ( ce2 ce4 ) ( g m4 (g m g m3 id 2 ) g m2( id 2 )) id g m ( ce2 ce4 ) (6-2) Steowanie sumacyjne Pzy steowaniu sygnałem sumacyjnym schemat układu z ysunku [ 6.2. ] pzekształca się do postaci pzedstawionej na dwóch następnych ysunkach. Z lewej części wyznaczamy pąd i x. Jest to pąd źódeł g m3 be3 i g m4 be4 dlatego pzez ezystoy be3 i be4 płynie pąd β p azy mniejszy (patz ys [ ]). g m be i x ( 2 β p ) (6-3) Napięcie be wyznaczamy z układu ównań ic i b be (β n )i b 2R EE i b be i b be ic be 2R EE (β n )

62 6 ZESTAW 6 - UKŁAD RÓŻNICOWY 62 L ic i b be gm3 gm be i x ( βn ) 2R EE βn ib i b be3 ix β p be4 Rysunek : Steowanie sumacyjne część lewa Podstawiamy i b do ównania dugiego be ic be be 2R EE (β n ) (6-4) Wyznaczone napięcie be podstawiamy do wzou (6-3), z któego wyznaczamy i x g m ic be be 2R EE (β n ) i x( 2 ) β p i x g m ic be be 2R EE (β n ) ( 2 ) β p (6-5) i x i out ce4 oc i b2 ce2 gm (β n be2 be2 ) i b2 be2 ic 2R EE Rysunek : Steowanie sumacyjne część pawa. Dokonamy pzybliżenia, pomijając ezysto ce2 oc i out ce4 (6-6)

63 6 ZESTAW 6 - UKŁAD RÓŻNICOWY 63 Nie znamy pądu i out, ale jeżeli nie uwzględnimy ezystoa ce2 to z powyższego ysunku widać, że i x i out g m2 be2 Napięcie be2 wyznaczamy analogicznie jak be ic i b2 be2 (β n )i b2 2R EE i b2 ic be2 2R EE (β n ) be2 i b2 be2 be2 ic be2 be2 2R EE (β n ) Podstawiamy wszystkie wielkości do ównania (6-6) oc i out ce4 (g m2 be2 i x ) ce4 (i x g m2 be2 ) ce4 ( g m ic be g m2 ic ) be2 ce4 be 2R EE (β n ) ( 2 ) be2 2R EE (β n ) β p Pzyjmujemy g m g m2 g m i be be2 be ce4 g m ic ( be ) oc be 2R EE (β n ) 2 β p (6-7) Robimy podstawienie β n g m be, pomijamy pzy β n i wyznaczamy wzmocnienie sumacyjne K V c oc g ( m ce4 ) ic g m 2R EE β (6-8) p 2 Współczynnik CMRR CMRR 20 log ( K V d ) (6-9) K V c Obliczamy potzebne wielkości. Potencjały wejściowe DC wynoszą 0 więc na ezystoze R EE odkłada się napięcie 0.7V (5V ) I C 2 I EE k g m g m2 I C 0.36m V T 26m ce2 V A npn I C ce4 V A pnp I C 00V 0.36m 200V 0.36 ma 4 m A V 278 kω 556 kω 0.36m 278k 556k K V d g m ( ce4 ce2 ) 4m 4m 85k k 556k K V c g ( m ce4 ) 4m 556k ( ) 0.53 g m 2R EE β p 4m 2 20k CMRR 20 log ( ) 74

64 6 ZESTAW 6 - UKŁAD RÓŻNICOWY Zadanie 3 VDD M3 M4 Rozważyć wzmacniacz óżnicowy opaty na tanzystoach MOS pzedstawiony na ys Obliczyć współczynnik CMRR. IN Vbias M M5 V M2 SS IN2 Rozwiązanie. Rysunek 6.3 gm3 gm gs3 ds3 gs3 gs4 g m2 gs4 ds4 IN gs gm gs ds X ds2 gm2 gs2 gs2 IN2 0 ds5 Rysunek 6.3. : Wzmacniacz óżnicowy na tanzystoach MOS Postępujemy analogicznie jak w popzednim zadaniu. Źódło g m3 gs3 zastępujemy ezystoem i pomijamy połączony z nim ównolegle ezysto ds3. g m3

65 6 ZESTAW 6 - UKŁAD RÓŻNICOWY 65 Steowanie óżnicowe W punkcie X kładziey potencjał masy i ozdzielamy układ na dwie części. W lewej części pomijamy ównież esysto ds ( ds g m3 ) gm gs gs id gm3 gs4 2 L P ds4 gm4 gs4 gm2 ds2 gs2 gs2 id 2 Rysunek : Z lewej części wyznaczamy gs4 id gs4 g m gs g m g m3 g m3 2 (6-20) out ( ds2 ds4 )(g m2 gs2 g m4 gs4 ) (6-2) Podstawiamy gs2 id 2 i wzó (6-20), oaz pzyjmujemy g m g m2 i g m3 g m4 g m out ( ds2 ds4 )(g m2 ( id 2 ) g id m4 g m3 2 ) ( ds2 ds4 )g m id (6-22) Wzmocnienie dla sygnału óżnicowego wynosi zatem K V d out id g m ( ds2 ds4 ) (6-23) Steowanie sumacyjnie Wyznaczamy pąd i 3. Dokonujemy pzybliżenia zaniedbując ezystoy ds i ds2. Pąd i 3 jest ówny pądowi g m gs z pzeciwnym znakiem i 3 g m gs Wyznaczamy napięcie gs ic gs 2 ds5 g m gs gs ic 2 ds5 g m Zatem i 3 wynosi g m ic i 3 (6-24) 2 ds5 g m

66 6 ZESTAW 6 - UKŁAD RÓŻNICOWY 66 L gm3 i3 ic gs g mgs ds 2 ds5 Rysunek : Układ steowany sumacyjnie, część lewa Pzechodzimy do części pawej i 3 gm2 gs2 ds4 i3 out ds2 gm2 gs2 gm2 gs2 i 3 gs2 ic 2 ds5 Rysunek : Układ steowany sumacyjnie, część pawa out ds4 (g m2 gs2 i 3 ) Wyznaczamy napięcie gs2 ic gs2 2 ds5(g m2 gs2 i 3 ) ic gs2 ( 2 ds5 g m2 ) 2i 3 ds5 gs2 ic 2i 3 ds5 2 ds5 g m2 Podstawiamy i 3 gs2 2 ds5 g m ic ic 2 ds5 g m 2 ds5 g m2

67 6 ZESTAW 6 - UKŁAD RÓŻNICOWY 67 Zatem out wynosi out ds4 g m2 gs2 ds4 i 3 2 ds5 g m ds4 g m2 ic ds4 g m2 ic 2 ds5 g m2 g m ds4 ic 2 ds5 g m2 2 ds5 g m2 2 ds5 g m W czynniku możemy pominąć w mianowniku, ponieważ 2 ds5 g m i pzyjąć, że 2 ds5 g m całe to wyażenie jest ówne. out ds4g m2 ic ds4 g m2 ic g m ds4 ic 2 ds5 g m2 g m ds4 ic 2 ds5 g m2 Wzmocnienie dla sygnału sumacyjnego wynosi g m ds4 K V c (6-25) 2 ds5 g m

68 7 ZESTAW 7 - UKŁADY WYJŚCIOWE 68 7 Układy wyjściowe 7. Zadanie Rozważyć układ komplementanego wtónika emiteowego pzedstawiony na ys. 7.. Pzyjąć V EE 5V, V CC 5V, V CE sat 0.2V, V BE on 0.7V, β 00. Obliczyć maksymalną i minimalną watość napięcia na wyjściu układu dla ezystoa R L 0kΩ i R L 2kΩ. Obliczyć dla obu pzypadków ezystancji obciążenia, maksymalną moc na wyjściu jaką można otzymać pacując z sygnałem typu sinus bez jego obcinania. R IN T VCC VEE T 3 T 2 R L Rysunek 7. Rozwiązanie. R VCC T 3 V I C IB 0.7V 0.7V βib out R L T IN VEE T 2 Rysunek 7.. : Zaznaczamy pądy i spadki napięć Załóżmy, że V in. Spawdźmy jaka może być maksymalna watość pąu I C I C max V CC V EE V CE sat R 5 (5) k Minimalna watość napięcia na wyjściu..49 ma (7-) Licząc od dolnej lini zasilania mamy napięcie V EE, następnie na tanzystoze T napięcie V CE sat a na tanzystoze T 2 napięcie V BE. V x MIN V EE V CE sat V BE V (7-2) Załóżmy, że V in. Zatyka się tanzysto T 3, pąd I C zaczyna dążyć do 0 a więc podnosi się napięcie V. Tanzysto T 3 bieze pąd bazy z gónej lini zasilania pzez ezysto R.

Wzmacniacze tranzystorowe prądu stałego

Wzmacniacze tranzystorowe prądu stałego Wzmacniacze tanzystoo pądu stałego Wocław 03 kład Dalingtona (układ supe-β) C kład stosowany gdy potzebne duże wzmocnienie pądo (np. do W). C C C B T C B B T C C + β ' B B C β + ( ) C B C β β β B B β '

Bardziej szczegółowo

Podstawowe konstrukcje tranzystorów bipolarnych

Podstawowe konstrukcje tranzystorów bipolarnych Tanzystoy Podstawowe konstukcje tanzystoów bipolanych Zjawiska fizyczne występujące w tanzystoach bipolanych, a w związku z tym właściwości elektyczne tych tanzystoów, zaleŝą od ich konstukcji i technologii

Bardziej szczegółowo

II.6. Wahadło proste.

II.6. Wahadło proste. II.6. Wahadło poste. Pzez wahadło poste ozumiemy uch oscylacyjny punktu mateialnego o masie m po dolnym łuku okęgu o pomieniu, w stałym polu gawitacyjnym g = constant. Fig. II.6.1. ozkład wektoa g pzyśpieszenia

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne

Bardziej szczegółowo

MIERNICTWO WIELKOŚCI ELEKTRYCZNYCH I NIEELEKTRYCZNYCH

MIERNICTWO WIELKOŚCI ELEKTRYCZNYCH I NIEELEKTRYCZNYCH Politechnika Białostocka Wydział Elektyczny Kateda Elektotechniki Teoetycznej i Metologii nstukcja do zajęć laboatoyjnych z pzedmiotu MENCTWO WEKOŚC EEKTYCZNYCH NEEEKTYCZNYCH Kod pzedmiotu: ENSC554 Ćwiczenie

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektryczny. Temat i plan wykładu. Politechnika Białostocka. Wzmacniacze

Wydział Elektryczny. Temat i plan wykładu. Politechnika Białostocka. Wzmacniacze Politechnika Białostocka Temat i plan wykładu Wydział Elektryczny Wzmacniacze 1. Wprowadzenie 2. Klasyfikacja i podstawowe parametry 3. Wzmacniacz w układzie OE 4. Wtórnik emiterowy 5. Wzmacniacz róŝnicowy

Bardziej szczegółowo

Graf skierowany. Graf zależności dla struktur drzewiastych rozgrywających parametrycznie

Graf skierowany. Graf zależności dla struktur drzewiastych rozgrywających parametrycznie Gaf skieowany Gaf skieowany definiuje się jako upoządkowaną paę zbioów. Piewszy z nich zawiea wiezchołki gafu, a dugi składa się z kawędzi gafu, czyli upoządkowanych pa wiezchołków. Ruch po gafie możliwy

Bardziej szczegółowo

Model klasyczny gospodarki otwartej

Model klasyczny gospodarki otwartej Model klasyczny gospodaki otwatej Do tej poy ozpatywaliśmy model sztucznie zakładający, iż gospodaka danego kaju jest gospodaką zamkniętą. A zatem bak było międzynaodowych pzepływów dób i kapitału. Jeżeli

Bardziej szczegółowo

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału

Bardziej szczegółowo

kierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II

kierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II kierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II iody prostownicze i diody Zenera Zadanie Podać schematy zastępcze zlinearyzowane dla diody

Bardziej szczegółowo

Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego

Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego L A B O A T O I U M A N A L O G O W Y C H U K Ł A D Ó W E L E K T O N I C Z N Y C H Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego Ćwiczenie opracował Jacek Jakusz 4. Wstęp Ćwiczenie umożliwia pomiar

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 12 Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego emitera. Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 12 Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego emitera. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 12 Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego emitera. Cel ćwiczenia Poznanie konfiguracji zasady pracy wzmacniacza w układzie OE. Wyznaczenie charakterystyk wzmacniacza w układzie OE. Czytanie schematów

Bardziej szczegółowo

WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ Instytut Fizyki LABORATORIUM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI, ELEKTRONIKI I MIERNICTWA

WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ Instytut Fizyki LABORATORIUM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI, ELEKTRONIKI I MIERNICTWA WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POITEHNIKI KRAKOWSKIEJ Instytut Fizyki ABORATORIUM PODSTAW EEKTROTEHNIKI, EEKTRONIKI I MIERNITWA ĆWIZENIE 7 Pojemność złącza p-n POJĘIA I MODEE potzebne do zozumienia

Bardziej szczegółowo

Laboratorium KOMPUTEROWE PROJEKTOWANIE UKŁADÓW

Laboratorium KOMPUTEROWE PROJEKTOWANIE UKŁADÓW Laboratorium KOMPUTEROWE PROJEKTOWANIE UKŁADÓW SYMULACJA UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH Z ZASTOSOWANIEM PROGRAMU SPICE Opracował dr inż. Michał Szermer Łódź, dn. 03.01.2017 r. ~ 2 ~ Spis treści Spis treści 3

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia

Bardziej szczegółowo

Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I)

Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I) Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie parametrów typowego wzmacniacza operacyjnego. Ćwiczenie ma pokazać w jakich warunkach

Bardziej szczegółowo

GEOMETRIA PŁASZCZYZNY

GEOMETRIA PŁASZCZYZNY GEOMETRIA PŁASZCZYZNY. Oblicz pole tapezu ównoamiennego, któego podstawy mają długość cm i 0 cm, a pzekątne są do siebie postopadłe.. Dany jest kwadat ABCD. Punkty E i F są śodkami boków BC i CD. Wiedząc,

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacz operacyjny

Wzmacniacz operacyjny parametry i zastosowania Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego (klasyka: Fairchild ua702) 1965 Wzmacniacze

Bardziej szczegółowo

Tranzystor bipolarny

Tranzystor bipolarny Tranzystor bipolarny 1. zas trwania: 6h 2. ele ćwiczenia adanie własności podstawowych układów wykorzystujących tranzystor bipolarny. 3. Wymagana znajomość pojęć zasada działania tranzystora bipolarnego,

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Metrologii

Laboratorium Metrologii Laboratorium Metrologii Ćwiczenie nr 3 Oddziaływanie przyrządów na badany obiekt I Zagadnienia do przygotowania na kartkówkę: 1 Zdefiniować pojęcie: prąd elektryczny Podać odpowiednią zależność fizyczną

Bardziej szczegółowo

EUROELEKTRA. Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej. Rok szkolny 2012/2013. Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia

EUROELEKTRA. Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej. Rok szkolny 2012/2013. Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2012/2013 Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia 1. Wykorzystując rachunek liczb zespolonych wyznacz impedancję

Bardziej szczegółowo

23 PRĄD STAŁY. CZĘŚĆ 2

23 PRĄD STAŁY. CZĘŚĆ 2 Włodzimiez Wolczyński 23 PĄD STAŁY. CZĘŚĆ 2 zadanie 1 Tzy jednakowe oponiki, każdy o opoze =30 Ω i opó =60 Ω połączono ze źódłem pądu o napięciu 15 V, jak na ysunku obok. O ile zwiększy się natężenie pądu

Bardziej szczegółowo

m q κ (11.1) q ω (11.2) ω =,

m q κ (11.1) q ω (11.2) ω =, OPIS RUCHU, DRGANIA WŁASNE TŁUMIONE Oga Kopacz, Adam Łodygowski, Kzysztof Tymbe, Michał Płotkowiak, Wojciech Pawłowski Konsutacje naukowe: pof. d hab. Jezy Rakowski Poznań 00/00.. Opis uchu OPIS RUCHU

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów

Ćwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów LABORATORIM ELEKTRONIKI Spis treści Ćwiczenie - 4 Podstawowe układy pracy tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Podstawowe układy pracy tranzystora........................ 2 2.2 Wzmacniacz

Bardziej szczegółowo

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych

Bardziej szczegółowo

ROZWIĄZUJEMY PROBLEM RÓWNOWAŻNOŚCI MASY BEZWŁADNEJ I MASY GRAWITACYJNEJ.

ROZWIĄZUJEMY PROBLEM RÓWNOWAŻNOŚCI MASY BEZWŁADNEJ I MASY GRAWITACYJNEJ. ROZWIĄZUJEMY PROBLEM RÓWNOWAŻNOŚCI MASY BEZWŁADNEJ I MASY GRAWITACYJNEJ. STRESZCZENIE Na bazie fizyki klasycznej znaleziono nośnik ładunku gawitacyjnego, uzyskano jedność wszystkich odzajów pól ( elektycznych,

Bardziej szczegółowo

XXXVII OLIMPIADA FIZYCZNA ETAP III Zadanie doświadczalne

XXXVII OLIMPIADA FIZYCZNA ETAP III Zadanie doświadczalne XXXVII OIMPIADA FIZYCZNA ETAP III Zadanie doświadczalne ZADANIE D Nazwa zadania: Obacający się pęt swobodnie Długi cienki pęt obaca się swobodnie wokół ustalonej pionowej osi, postopadłej do niego yc.

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY KATEDRA AUTOMATYKI I ELEKTRONIKI 3. Podstawowe układy wzmacniaczy tranzystorowych Materiały pomocnicze do pracowni specjalistycznej z przedmiotu: Systemy CAD

Bardziej szczegółowo

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. WZMACNIACZ 1. Wzmacniacz elektryczny (wzmacniacz) to układ elektroniczny, którego

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 13. Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnej bazy. Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 13. Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnej bazy. Cel ćwiczenia Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnej bazy. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 13 Poznanie zasady pracy wzmacniacza w układzie OB. Wyznaczenie charakterystyk wzmacniacza w układzie OB. Czytanie schematów elektronicznych.

Bardziej szczegółowo

Pracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 3 Proste przyrządy elektroniczne

Pracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 3 Proste przyrządy elektroniczne Małgorzata Marynowska Uniwersytet Wrocławski, I rok Fizyka doświadczalna II stopnia Prowadzący: dr M. Grodzicki Data wykonania ćwiczenia: 14.04.2015 Pracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 3 Proste przyrządy

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Poznanie podstawowych własności tranzystora. Wyznaczenie prądów tranzystorów typu n-p-n i p-n-p. Czytanie schematów

Bardziej szczegółowo

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

PRACOWNIA ELEKTRONIKI PRACOWNIA ELEKTRONIKI Ćwiczenie nr 4 Temat ćwiczenia: Badanie wzmacniacza UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI 1. 2. 3. Imię i Nazwisko 1 szerokopasmowego RC 4. Data wykonania

Bardziej szczegółowo

PRĄD ELEKTRYCZNY I SIŁA MAGNETYCZNA

PRĄD ELEKTRYCZNY I SIŁA MAGNETYCZNA PĄD LKTYCZNY SŁA MAGNTYCZNA Na ładunek, opócz siły elektostatycznej, działa ównież siła magnetyczna popocjonalna do pędkości ładunku v. Pzekonamy się, że siła działająca na magnes to siła działająca na

Bardziej szczegółowo

Badanie tranzystora bipolarnego

Badanie tranzystora bipolarnego Spis ćwiczeń: Badanie tranzystora bipolarnego Symulacja komputerowa PSPICE 9.1 www.pspice.com 1. Charakterystyka wejściowa tranzystora bipolarnego 2. Wyznaczanie rezystancji wejściowej 3. Rysowanie charakterystyk

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2010 2014 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 14. Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego kolektora. Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 14. Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego kolektora. Cel ćwiczenia Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego kolektora. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 14 1 Poznanie zasady pracy wzmacniacza w układzie OC. 2. Wyznaczenie charakterystyk wzmacniacza w układzie OC. INSTRUKCJA DO WYKONANIA

Bardziej szczegółowo

PRACA MOC ENERGIA. Z uwagi na to, że praca jest iloczynem skalarnym jej wartość zależy również od kąta pomiędzy siłą F a przemieszczeniem r

PRACA MOC ENERGIA. Z uwagi na to, że praca jest iloczynem skalarnym jej wartość zależy również od kąta pomiędzy siłą F a przemieszczeniem r PRACA MOC ENERGIA Paca Pojęcie pacy używane jest zaówno w fizyce (w sposób ścisły) jak i w życiu codziennym (w sposób potoczny), jednak obie te definicje nie pokywają się Paca w sensie potocznym to każda

Bardziej szczegółowo

Liniowe układy scalone. Wykład 4 Parametry wzmacniaczy operacyjnych

Liniowe układy scalone. Wykład 4 Parametry wzmacniaczy operacyjnych Liniowe układy scalone Wykład 4 Parametry wzmacniaczy operacyjnych 1. Wzmocnienie napięciowe z otwartą pętlą ang. open loop voltage gain Stosunek zmiany napięcia wyjściowego do wywołującej ją zmiany różnicowego

Bardziej szczegółowo

L(x, 0, y, 0) = x 2 + y 2 (3)

L(x, 0, y, 0) = x 2 + y 2 (3) 0. Małe dgania Kótka notatka o małych dganiach wyjasniające możliwe niejasności. 0. Poszukiwanie punktów ównowagi Punkty ównowagi wyznaczone są waunkami x i = 0, ẋi = 0 ( Pochodna ta jest ówna pochodnej

Bardziej szczegółowo

PRZEMIANA ENERGII ELEKTRYCZNEJ W CIELE STAŁYM

PRZEMIANA ENERGII ELEKTRYCZNEJ W CIELE STAŁYM PRZEMIANA ENERGII ELEKTRYCZNE W CIELE STAŁYM Anaizowane są skutki pzepływu pądu pzemiennego o natężeniu I pzez pzewodnik okągły o pomieniu. Pzyęto wstępne założenia upaszcząace: - kształt pądu est sinusoidany,

Bardziej szczegółowo

8. PŁASKIE ZAGADNIENIA TEORII SPRĘŻYSTOŚCI

8. PŁASKIE ZAGADNIENIA TEORII SPRĘŻYSTOŚCI 8. PŁASKIE ZAGADNIENIA TEORII SPRĘŻYSTOŚCI 8. 8. PŁASKIE ZAGADNIENIA TEORII SPRĘŻYSTOŚCI 8.. Płaski stan napężenia Tacza układ, ustój ciągły jednoodny, w któym jeden wymia jest znacznie mniejszy od pozostałych,

Bardziej szczegółowo

INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA

INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NSTRKJA DO ĆWZENA Temat: Rezonans w obwodach elektycznych el ćwiczenia elem ćwiczenia jest doświadczalne spawdzenie podstawowych właściwości szeegowych i ównoległych ezonansowych obwodów elektycznych.

Bardziej szczegółowo

ι umieszczono ladunek q < 0, który może sie ι swobodnie poruszać. Czy środek okregu ι jest dla tego ladunku po lożeniem równowagi trwa lej?

ι umieszczono ladunek q < 0, który może sie ι swobodnie poruszać. Czy środek okregu ι jest dla tego ladunku po lożeniem równowagi trwa lej? ozwiazania zadań z zestawu n 7 Zadanie Okag o pomieniu jest na ladowany ze sta l a gestości a liniowa λ > 0 W śodku okegu umieszczono ladunek q < 0, któy może sie swobodnie pouszać Czy śodek okegu jest

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego.

Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego. Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego. Zadanie 1 Na rysunku 1 przedstawiono schemat sterownika dwukolorowej diody LED. Należy obliczyć wartość natężenia prądu płynącego przez diody D 2 i D 3

Bardziej szczegółowo

Metody optymalizacji. dr inż. Paweł Zalewski Akademia Morska w Szczecinie

Metody optymalizacji. dr inż. Paweł Zalewski Akademia Morska w Szczecinie Metody optymalizacji d inż. Paweł Zalewski kademia Moska w Szczecinie Optymalizacja - definicje: Zadaniem optymalizacji jest wyznaczenie spośód dopuszczalnych ozwiązań danego polemu ozwiązania najlepszego

Bardziej szczegółowo

Modele odpowiedzi do arkusza Próbnej Matury z OPERONEM. Matematyka Poziom rozszerzony

Modele odpowiedzi do arkusza Próbnej Matury z OPERONEM. Matematyka Poziom rozszerzony Modele odpowiedzi do akusza Póbnej Matuy z OPERONEM Matematyka Poziom ozszezony Listopad 00 W kluczu są pezentowane pzykładowe pawidłowe odpowiedzi. Należy ównież uznać odpowiedzi ucznia, jeśli są inaczej

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia Ćwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia Poznanie zasady działania układów komparatorów. Prześledzenie zależności napięcia

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1 Podstawy opisu i analizy obwodów w programie SPICE

Ćwiczenie 1 Podstawy opisu i analizy obwodów w programie SPICE Ćwiczenie 1 Podstawy opisu i analizy obwodów w programie SPICE Cel: Zapoznanie ze składnią języka SPICE, wykorzystanie elementów RCLEFD oraz instrukcji analiz:.dc,.ac,.tran,.tf, korzystanie z bibliotek

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp)

Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp) Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp) Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze operacyjne

Wzmacniacze operacyjne Wzmacniacze operacyjne Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest badanie podstawowych układów pracy wzmacniaczy operacyjnych. Wymagania Wstęp 1. Zasada działania wzmacniacza operacyjnego. 2. Ujemne sprzężenie

Bardziej szczegółowo

Pole magnetyczne. 5.1 Oddziaływanie pola magnetycznego na ładunki. przewodniki z prądem. 5.1.1 Podstawowe zjawiska magnetyczne

Pole magnetyczne. 5.1 Oddziaływanie pola magnetycznego na ładunki. przewodniki z prądem. 5.1.1 Podstawowe zjawiska magnetyczne Rozdział 5 Pole magnetyczne 5.1 Oddziaływanie pola magnetycznego na ładunki i pzewodniki z pądem 5.1.1 Podstawowe zjawiska magnetyczne W obecnym ozdziale ozpatzymy niektóe zagadnienia magnetostatyki. Magnetostatyką

Bardziej szczegółowo

Źródła i zwierciadła prądowe

Źródła i zwierciadła prądowe PUAV Wykład 6 Źródła i zwierciadła prądowe Źródła i zwierciadła prądowe Źródło prądowe: element lub układ, który wymusza w jakiejś gałęzi prąd o określonej wartości Źródła i zwierciadła prądowe Źródło

Bardziej szczegółowo

Metody analizy obwodów w stanie ustalonym

Metody analizy obwodów w stanie ustalonym Metody analizy obwodów w stanie ustalonym Stan ustalony Stanem ustalonym obwodu nazywać będziemy taki stan, w którym charakter odpowiedzi jest identyczny jak charakter wymuszenia, to znaczy odpowiedzią

Bardziej szczegółowo

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów

Bardziej szczegółowo

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik 1 Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik Znajdź usterkę oraz wskaż sposób jej usunięcia w zasilaczu napięcia stałego 12V/4A, wykonanym w oparciu o układ scalony

Bardziej szczegółowo

A3 : Wzmacniacze operacyjne w układach liniowych

A3 : Wzmacniacze operacyjne w układach liniowych A3 : Wzmacniacze operacyjne w układach liniowych Jacek Grela, Radosław Strzałka 2 kwietnia 29 1 Wstęp 1.1 Wzory Poniżej zamieszczamy podstawowe wzory i definicje, których używaliśmy w obliczeniach: 1.

Bardziej szczegółowo

Zaprojektowanie i zbadanie dyskryminatora amplitudy impulsów i generatora impulsów prostokątnych (inaczej multiwibrator astabilny).

Zaprojektowanie i zbadanie dyskryminatora amplitudy impulsów i generatora impulsów prostokątnych (inaczej multiwibrator astabilny). WFiIS LABOATOIM Z ELEKTONIKI Imię i nazwisko:.. TEMAT: OK GPA ZESPÓŁ N ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA Zaprojektowanie i zbadanie

Bardziej szczegółowo

2 Dana jest funkcja logiczna w następującej postaci: f(a,b,c,d) = Σ(0,2,5,8,10,13): a) zminimalizuj tę funkcję korzystając z tablic Karnaugh,

2 Dana jest funkcja logiczna w następującej postaci: f(a,b,c,d) = Σ(0,2,5,8,10,13): a) zminimalizuj tę funkcję korzystając z tablic Karnaugh, EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2010/2011 Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II. stopnia (okręgowe) 1 Na rysunku przedstawiono przebieg prądu

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE e LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 3 Pomiary wzmacniacza operacyjnego Wykonując pomiary PRZESTRZEGAJ

Bardziej szczegółowo

schematic nmos_tb nmos_test ADE L Session-->Load State Cellview przejściowa Virtuoso Visualization & Analysis

schematic nmos_tb nmos_test ADE L Session-->Load State Cellview przejściowa Virtuoso Visualization & Analysis 1. Odczyt transkonduktancji gm 1. Uruchom środowisko Cadence 2. Otwórz symulację charakterystyki przejściowej z poprzednich zajęć. 1. Otwórz widok schematic celki nmos_tb (lub nmos_dc) z Twojej biblioteki

Bardziej szczegółowo

Zadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF):

Zadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF): Zadania z podstaw elektroniki Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF): Układ stanowi szeregowe połączenie pojemności C1 z zastępczą pojemnością równoległego połączenia

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Elektroniki

Laboratorium Elektroniki Wydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki Badanie wzmacniaczy tranzystorowych i operacyjnych 1. Wstęp teoretyczny Wzmacniacze są bardzo często i szeroko stosowanym układem elektronicznym.

Bardziej szczegółowo

KRYTERIA OCENIANIA ODPOWIEDZI Próbna Matura z OPERONEM. Matematyka Poziom rozszerzony

KRYTERIA OCENIANIA ODPOWIEDZI Próbna Matura z OPERONEM. Matematyka Poziom rozszerzony KRYTERIA OCENIANIA ODPOWIEDZI Póbna Matua z OPERONEM Matematyka Poziom ozszezony Listopad 0 W ni niej szym sche ma cie oce nia nia za dań otwa tych są pe zen to wa ne pzy kła do we po paw ne od po wie

Bardziej szczegółowo

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5 Temat: Charakterystyki statyczne tranzystorów bipolarnych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowonapięciowych i wybranych parametrów

Bardziej szczegółowo

Wykład: praca siły, pojęcie energii potencjalnej. Zasada zachowania energii.

Wykład: praca siły, pojęcie energii potencjalnej. Zasada zachowania energii. Wykład: paca siły, pojęcie enegii potencjalnej. Zasada zachowania enegii. Uwaga: Obazki w tym steszczeniu znajdują się stonie www: http://www.whfeeman.com/tiple/content /instucto/inde.htm Pytanie: Co to

Bardziej szczegółowo

Zasada działania tranzystora bipolarnego

Zasada działania tranzystora bipolarnego Tranzystor bipolarny Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasada działania tranzystora bipolarnego

Bardziej szczegółowo

Vgs. Vds Vds Vds. Vgs

Vgs. Vds Vds Vds. Vgs Ćwiczenie 18 Temat: Wzmacniacz JFET i MOSFET w układzie ze wspólnym źródłem. Cel ćwiczenia: Wzmacniacz JFET w układzie ze wspólnym źródłem. Zapoznanie się z konfiguracją polaryzowania tranzystora JFET.

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZ ODWRACAJĄCY.

WZMACNIACZ ODWRACAJĄCY. Ćwiczenie 19 Temat: Wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia Poznanie zasady działania wzmacniacza odwracającego. Pomiar przebiegów wejściowego wyjściowego oraz wzmocnienia napięciowego wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Tranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6

Tranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6 Tranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6 Marcin Polkowski (251328) 10 maja 2007 r. Spis treści I Laboratorium 5 2 1 Wprowadzenie 2 2 Pomiary rodziny charakterystyk 3 II Laboratorium 6 7 3 Wprowadzenie 7

Bardziej szczegółowo

Laboratorium układów elektronicznych. Zasilanie i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnych i unipolarnych.

Laboratorium układów elektronicznych. Zasilanie i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnych i unipolarnych. Ćwiczenie numer Zasilanie i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnych i unipolarnych Zagadnienia do przygotowania kłady zasilania tranzystorów bipolarnych Wpływ temperatury na podstawowe parametry

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Układy

Bardziej szczegółowo

Rys. 1 Schemat układu L 2 R 2 E C 1. t(0+)

Rys. 1 Schemat układu L 2 R 2 E C 1. t(0+) Autor: Piotr Fabijański Koreferent: Paweł Fabijański Zadanie Obliczyć napięcie na stykach wyłącznika S zaraz po jego otwarciu, w chwili t = (0 + ) i w stanie ustalonym, gdy t. Do obliczeń przyjąć następujące

Bardziej szczegółowo

należą do grupy odbiorników energii elektrycznej idealne elementy rezystancyjne przekształcają energię prądu elektrycznego w ciepło

należą do grupy odbiorników energii elektrycznej idealne elementy rezystancyjne przekształcają energię prądu elektrycznego w ciepło 07 0 Opacował: mg inż. Macin Wieczoek www.mawie.net.pl. Elementy ezystancyjne. należą do gupy odbioników enegii elektycznej idealne elementy ezystancyjne pzekształcają enegię pądu elektycznego w ciepło.

Bardziej szczegółowo

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH L B O R T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRMETRY MŁOSYGNŁOWE TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH REV. 1.0 1. CEL ĆWICZENI - celem ćwiczenia jest zapoznanie się z metodami pomiaru i wyznaczania parametrów małosygnałowych

Bardziej szczegółowo

Pomiar parametrów tranzystorów

Pomiar parametrów tranzystorów Instytut Fizyki ul Wielkopolska 5 70-45 Szczecin Pracownia Elektroniki Pomiar parametrów tranzystorów (Oprac dr Radosław Gąsowski) Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: zasada działania tranzystora

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym

ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym 4. PRZEBIE ĆWICZENIA 4.1. Wyznaczanie parametrów wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym złączowym w

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

OBWODY PRĄDU SINUSOIDALNEGO

OBWODY PRĄDU SINUSOIDALNEGO aboatoium Elektotechniki i elektoniki Temat ćwiczenia: BOTOM 06 OBODY ĄD SSODEGO omiay pądu, napięcia i mocy, wyznaczenie paametów modeli zastępczych cewki indukcyjnej, kondensatoa oaz oponika, chaakteystyki

Bardziej szczegółowo

KONKURS Z MATEMATYKI DLA UCZNIÓW SZKÓŁ PODSTAWOWYCH

KONKURS Z MATEMATYKI DLA UCZNIÓW SZKÓŁ PODSTAWOWYCH Konkusy w województwie podkapackim w oku szkolnym 08/09 KONKURS Z MTEMTYKI L UZNIÓW SZKÓŁ POSTWOWYH ETP REJONOWY KLUZ OPOWIEZI Zasady pzyznawania punktów za każdą popawną odpowiedź punkt za błędną odpowiedź

Bardziej szczegółowo

Instrukcja nr 6. Wzmacniacz operacyjny i jego aplikacje. AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 6.

Instrukcja nr 6. Wzmacniacz operacyjny i jego aplikacje. AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 6. Instrukcja nr 6 Wzmacniacz operacyjny i jego aplikacje AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 6.1 Wzmacniacz operacyjny Wzmacniaczem operacyjnym nazywamy różnicowy

Bardziej szczegółowo

Energia kinetyczna i praca. Energia potencjalna

Energia kinetyczna i praca. Energia potencjalna negia kinetyczna i paca. negia potencjalna Wykład 4 Wocław Univesity of Technology 1 NRGIA KINTYCZNA I PRACA 5.XI.011 Paca Kto wykonał większą pacę? Hossein Rezazadeh Olimpiada w Atenach 004 WR Podzut

Bardziej szczegółowo

Lekcja 5. Temat: Prawo Ohma dla części i całego obwodu

Lekcja 5. Temat: Prawo Ohma dla części i całego obwodu Lekcja 5. Temat: Prawo Ohma dla części i całego obwodu Prąd płynący w gałęzi obwodu jest wprost proporcjonalny do przyłożonej siły elektromotorycznej E, a odwrotnie proporcjonalne do rezystancji R umieszczonej

Bardziej szczegółowo

Pracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 2. Analiza obwodów liniowych przy wymuszeniach stałych

Pracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 2. Analiza obwodów liniowych przy wymuszeniach stałych Pracownia Automatyki i lektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie ĆWCZN Analiza obwodów liniowych przy wymuszeniach stałych. CL ĆWCZNA Celem ćwiczenia jest praktyczno-analityczna ocena złożonych

Bardziej szczegółowo

1 Dana jest funkcja logiczna f(x 3, x 2, x 1, x 0 )= (1, 3, 5, 7, 12, 13, 15 (4, 6, 9))*.

1 Dana jest funkcja logiczna f(x 3, x 2, x 1, x 0 )= (1, 3, 5, 7, 12, 13, 15 (4, 6, 9))*. EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 0/0 Odpowiedzi do zadań dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia (okręgowe) Dana jest funkcja logiczna f(x 3, x,

Bardziej szczegółowo

11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu

11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu 11. Wzmacniacze mocy 1 Wzmacniacze mocy są układami elektronicznymi, których zadaniem jest dostarczenie do obciążenia wymaganej (na ogół dużej) mocy wyjściowej przy możliwie dużej sprawności i małych zniekształceniach

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 16. Temat: Wzmacniacz w układzie Darlingtona. Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 16. Temat: Wzmacniacz w układzie Darlingtona. Cel ćwiczenia Temat: Wzmacniacz w układzie Darlingtona. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 16 1. Poznanie zasady pracy układu Darlingtona. 2. Pomiar parametrów układu Darlingtona i użycie go w różnych aplikacjach sterowania. INSTRUKCJA

Bardziej szczegółowo

PODSTAWY METROLOGII ĆWICZENIE 7 TEMPERATURA Międzywydziałowa Szkoła Inżynierii Biomedycznej 2009/2010 SEMESTR 3

PODSTAWY METROLOGII ĆWICZENIE 7 TEMPERATURA Międzywydziałowa Szkoła Inżynierii Biomedycznej 2009/2010 SEMESTR 3 PODSTAWY METROLOGII ĆWICZENIE 7 TEMPERATURA Międzywydziałowa Szkoła Inżynierii Biomedycznej 2009/2010 SEMESTR 3 Rozwiązania zadań nie były w żaden sposób konsultowane z żadnym wiarygodnym źródłem informacji!!!

Bardziej szczegółowo

dr inż. Małgorzata Langer Architektura komputerów

dr inż. Małgorzata Langer Architektura komputerów Instukcja współfinansowana pzez Unię Euopejską w amach Euopejskiego Funduszu Społecznego w pojekcie Innowacyjna dydaktyka bez oganiczeń zintegowany ozwój Politechniki Łódzkiej zaządzanie Uczelnią, nowoczesna

Bardziej szczegółowo

Elementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne

Elementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne lementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne Wprowadzenie Złacze PN spolaryzowane zaporowo: P N U - + S S U SAT =0.1...0.2V U S q D p L p p n D n n L n p gdzie: D p,n współczynniki dyfuzji

Bardziej szczegółowo

LIST EMISYJNY nr 3 /2014 Ministra Finansów

LIST EMISYJNY nr 3 /2014 Ministra Finansów LIST EMISYJNY n /0 Minista Finansów z dnia stycznia 0. w spawie emisji kótkookesowych oszczędnościowych obligacji skabowych o opocentowaniu stałym ofeowanych w sieci spzedaży detalicznej Na podstawie at.

Bardziej szczegółowo

Stopnie wzmacniające

Stopnie wzmacniające PUAV Wykład 7 Najprostszy wzmacniacz R Tranzystor pracuje w zakresie nasycenia Konduktancja jściowa tranzystora do pominięcia: g ds

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006

Bardziej szczegółowo

Do podr.: Metody analizy obwodów lin. ATR 2003 Strona 1 z 5. Przykład rozwiązania zadania kontrolnego nr 1 (wariant 57)

Do podr.: Metody analizy obwodów lin. ATR 2003 Strona 1 z 5. Przykład rozwiązania zadania kontrolnego nr 1 (wariant 57) o podr.: Metody analizy obwodów lin. T Strona z Przykład rozwiązania zadania kontrolnego nr (wariant 7) Zgodnie z tabelą Z- dla wariantu nr 7 b 6, c 7, d 9, f, g. Schemat odpowiedniego obwodu (w postaci

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy

Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy Ćwiczenie nr 65 Badanie wzmacniacza mocy 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych parametrów wzmacniaczy oraz wyznaczenie charakterystyk opisujących ich właściwości na przykładzie wzmacniacza

Bardziej szczegółowo