Projektowanie wzmacniacza tranzystorowego OE
|
|
- Antoni Bednarczyk
- 8 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Pojetowanie wzacniacza tanzystooweo OE Poniżej pzedstawiono dwa pzyłady pojetu wzacniacza tanzystooweo pacująceo w oniuacji OE. Piewsze z zadań pzedstawia pojet uładu, tóeo zadanie jest uzysanie na zadanej watości ezystancji obciążenia wzacniacza oeślonej aplitudy nieznieształconeo napięcia sinusoidalneo. Dodatowo wyznaczone są paaety obocze uładu oaz podany został sposób oaniczenia pasa pacy wzacniacza. Pzeanalizowana została taże ziana paaetów oboczych uładu w pzypadu bau pojeności boczniującej ezysto eiteowy (wpowadzenie loalneo spzężenia zwotneo). W zadaniu nue zapojetowano wzacniacz tanzystoowy spełniający następujące wyaania: oeślone wzocnienie napięciowe, właściwości szuowe (dobó puntu pacy) oaz zadane paso pacy uładu.
2 Zadanie Zapojetować wzacniacz tanzystoowy pacujący w oniuacji OE (ys. ), tóeo inialna aplituda napięcia wyjścioweo będzie ówna WYin.5V dla ezystancji obciążenia uładu L Ω. Częstotliwość dolna d powinna wynosić 80Hz, a częstotliwość óna 00Hz. Wyznaczyć paaety obocze oaz óną częstotliwość aniczną zapojetowaneo wzacniacza w pzypadu bau w uładzie pojeności C. W uładzie zastosować tanzysto BC57 o paaetach: BE 0.65V, Cesat 0.5V, β 0 00, c b c 4.5pF, T 50MHz, bb 0. ezystancja eneatoa jest ówna Ω. Wszystie wyznaczone watości ezystancji i pojeności unoować do szeeu E4. ozwiązanie ys... Scheat pojetowaneo wzacniacza tanzystooweo Aby na wyjściu wzacniacza óc uzysać oeśloną watość nieznieształconej aplitudy napięcia, pzy zadanej watości ezystancji obciążenia, należy odpowiednio dobać punt pacy tanzystoa (, CEQ ). Do oeślenia watości pądu oletoa poocna będzie analiza ziennopądowa wyjścia wzacniacza (ys..). ys... Scheat ziennopądowy wzacniacza: a) uwzlędniający wszystie eleenty, b) uposzczony popzez uwzlędnienie połączenia ównolełeo ezystancji Pzedstawione na ys..b ezystancje dane są następującyi zależnościai:
3 B (.) obc L. (.) Analizując scheat z ys..b ożna napisać, ozystając z pawa Oha, że: u WY i WY. (.) obc ys... Chaateystyi wyjściowe tanzystoa z naniesiony punte pacy i zianai napięcia CE i pądu C Widziy taże z ys.., że asyalna aplituda pądu wyjścioweo i WY wzacniacza jest ówna co do watości pądowi tanzystoa w puncie pacy. Pądy i WY i ają pzeciwne zwoty. Kozystając z zależności (.) ożey wyznaczyć inialną watość aplitudy pądu wyjścioweo wzacniacza, a co za ty idzie inialną watość pądu oletoa tanzystoa w puncie pacy. Ponieważ nie znay watości ezystancji obciążenia obc, pzed obliczeniai usiy założyć watość ezystancji oletoowej. Watość ezystancji załaday w anicach pojedynczych ilooów. Dla uposzczenia obliczeń założono L Ω. Stąd, ozystając z zależności (.) obc.5ω i inialna watość aplitudy pądu wyjścioweo wzacniacza wynosi: i uwy in.5v in A (.4).5Ω WY in Aby spełnić waune na inialną aplitudę nieznieształconeo napięcia wyjścioweo wzacniacza z pewny zapase pzyjęto watość pądu oletoa tanzystoa w puncie pacy.5a. Watość napięcia oleto eite tanzystoa w puncie pacy wyznaczono ozystając z ys... Aby tanzysto nie wchodził w stan nasycenia dla obc
4 oeślonej inialnej aplitudy napięcia wyjścioweo wzacniacza inialna watość napięcia CEQ usi spełniać zależność: CEQ in CEsat uwy in (.5) dzie jest zapase napięcia uwzlędniający ziany puntu pacy wywołane zianai tepeatuy. Zazwyczaj pzyjuje się ( )V. Pzyjując V napięcie CEQin wynosi: uwy in 0.5V.5V V. V (.6) CEQ in CEsat 75 Następnie, ozystając ze scheatu stałopądoweo wzacniacza (ys..4), wyznaczay watość napięcia zasilania wzacniacza oaz watości pozostałych ezystancji w uładzie. W celu zapewnienia dobej stabilności tepeatuowej puntu pacy spade napięcia na ezystoze eiteowy 4 powinien być iluotnie więszy od watości napięcia baza eite tanzystoa: 4 ( ) BEQ Kozystając z powyższeo wyznaczay watość napięcia : 4 (.7) 4 BEQ 0.65V. 95V (.8) Następnie, ożna zapisać ównanie: ys. 4. Scheat stałopądowy wzacniacza CC in.5a Ω CEQ in 4.75V.95V 0.V CEQ in 4 (.9)
5 Noując watość napięcia zasilania do watości standatowych pzyjęto CC V, co spowodowało wzost napięcia oleto eite do watości CEQ 5.55V. Załadając, że EQ, ożna wyznaczyć watość ezystoa 4 : 4.95V 4.Ω (.0).5A Watość pądu bazy tanzystoa BQ wyznaczay z zależności:.5a 7.5 A. (.) β 00 BQ µ 0 Dla zapewnienia dobej stabilności tepeatuowej puntu pacy załada się, że podział pądu na dzielniu bazowy wynosi: Załadając, że 0 BQ wyznaczay: BQ (5 0) (.) 0 75 A (.) BQ µ Kozystając z pawa Kichoa ożey zapisać, że: Następnie wyznaczay watość ezystoa : 8.5 A (.4) BQ BQ µ BEQ 4.6V 4.666Ω 6Ω 75µ A (.5) ezysto wyznaczay ozystając z zależności: CC CC BEQ 4 9.4V.99Ω 0Ω 8.5µ A (.6) Pzed wyznaczenie watości pojeności C, C i C należy wyznaczyć paaety obocze wzacniacza. Na ys..5 pzedstawiono scheat ziennopądowy wzacniacza z tanzystoe zastąpiony jeo odele hybyd π.
6 ys..5. Scheat ziennopądowy wzacniacza Jeżeli posiaday doładne dane ataloowe tanzystoa to z zawatych w nich chaateysty ożey odczytać watości poszczeólnych eleentów odelu hybyd π tanzystoa (w nstucji do Ćwiczenia laboatoyjneo dane te są zawate w dołączonej tabeli). Gdy dysponujey tylo paaetai podstawowyi, taii ja podane w teści zadania, paaety odelu hybyd π ożey oszacować, ozystając ze znajoości puntu pacy tanzystoa. ta: β 0ϕ T V b ' e. 5Ω.5A (.7).5A 56. S (.8) ϕ 6.5V 6 T Y 66. Ω (.9) ce 6 dzie: φ T jest to potencjał teiczny złącza ówny w tepeatuze poojowej 6.5V, Y jest to napięcie Ealy eo ówne 00V dla tanzystoów NPN lub 60V dla tanzystoów typu PNP. Nie zaznaczoną na ys. 5 pojeność c b e wyznaczay pzeształcając ównanie: T (.0) π ( cb' e cb' c ) ta na podstawie podanych w teści zadania danych ataloowych tanzystoa BC57 : 56.6S cb' e cb' c 4.5 pf 55. 5pF π 50MHz T (.) Wzocnienie napięciowe uładu wyznaczay ozystając z zależności: V ( obc ce ) 56.6S.46Ω 8 V (.) ezystancja wejściowa wzacniacza dana jest zależnością: B b ' e. Ω (.)
7 ezystancja wyjściowa uładu jest ówna: ce. Ω (.4) WY 87 Współczynni wyozystania napięcia eneatoa wynosi:.ω γ (.5) Ω.Ω Wzocnienie napięciowe suteczne uładu dane jest zależnością: V γ 6. V (.6) SK 87 Góną częstotliwość aniczną wzacniacza wyznaczyy ozystając ze scheatu ziennopądoweo uładu, pzy czy tanzysto został zastąpiony jeo pełny odele hybyd π (uwzlędniający pojeności c b e i c b c, pzy bb 0). Scheat ten pzedstawiono na ys..6. ys..6. Scheat wzacniacza z tanzystoe zastąpiony pełny odele hybyd π Kozystając z napięcioweo twiedzenia Millea uład pzeształcay do postaci pzedstawionej na ys..7. ys..7. Scheat zienno-synałowy wzacniacza po zastosowaniu twiedzenia Millea Wyznaczenie częstotliwości ónej wzacniacza spowadza się do wyznaczenia częstotliwości anicznej uładu pzedstawioneo na ys..8:
8 ys..8. Scheat wzacniacza poocny w wyznaczaniu częstotliwości ónej uładu Pojeność wejściowa uładu dana jest zależnością: ( ) c 55.5 pf 78pF 4. pf c cb' e b' c 5 (.7) Tansitancja napięciowa wzacniacza z ys..8 dana jest zależnością: SK ( s) ( ) obc ce sc sc sc sc (.8) dzie s jω j. Po pzeształceniach zależność (.8) pzybiea postać: SK ( s) s c (.9) Znalezienie ónej częstotliwości anicznej uładu polea na ozwiązaniu ównania: Ostatecznie częstotliwość aniczna wzacniacza wynosi: s c 0 (.0) Ω. Ω Hz c π Ω 4.5 pf (.) Aby oaniczyć częstotliwość óną wzacniacza do 00Hz należy poiędzy bazę a oleto tanzystoa dołączyć dodatową pojeność C d. W odelu wzacniacza pzedstawiony na ys..6 pojeność ta dodaje się do pojeności c b c tanzystoa, pzez co ostateczny wzó na pojeność wejściową uładu c (ys..8) będzie wynosił:
9 ( )( c C ) c cb' e b' c d (.) Aby wyznaczyć watość pojeności C d, dla tóej óna częstotliwość wzacniacza będzie ówna 00 Hz, należy, uwzlędniając ównanie (.), pzeształcić zależność (.). ta pojeność C d dana będzie zależnością: Ω cb' e 55.5 pf Cd c. b' c Ω 4.5 pf 7.4 pf 7. 5pF π 00Hz Ω ( ) Pojeności C, C i C ożna wyznaczyć znając watość częstotliwości dolnej d wzacniacza. Tansitancja napięciowa wzacniacza w zaesie ałych częstotliwości posiada tzy bieuny s, s i s. Załadając, że bieuny te są niezależne wzlęde siebie częstotliwość dolną wzacniacza ożna wyznaczyć z zależności: d (.) dzie częstotliwości, i są związane ze wsponianyi bieunai zależnością sn n, n,,. Watości poszczeólnych częstotliwości są uncjai pojeności C, C i C. C C WY L ( β 0 ) 4 ( ) ( ) C 4 B b' e (.4) (.5) (.6) Aby uzysać dobą stabilność wzacniacza w zaesie dolnych częstotliwości należy odpowiednio ozieścić bieuny na osi częstotliwości (odsepaować). Zazwyczaj załada się, że bieun wywołany pojenością eiteową C jest bieune doinujący (ający najwięszy wpływ na watość częstotliwości anicznej), natoiast pozostałe bieuny są dużo niejsze od nieo: > > > (.7) ta na pzyład ożna założyć następujące elacje poiędzy poszczeólnyi częstotliwościai:,. Wtedy zależność (.) pzybieze postać: 0 5 d
10 Po pzeształceniu otzyujey: d 79.44Hz (.8).007 Pozostałe częstotliwości pzyjują watości: 7.944Hz, 5. 9Hz.Po pzeształceniu zależności (.4) (.6) ożey wyznaczyć watości pojeności C C : C C 4.85µ F 4.7µ F (.9) ( ) 5.µ F 5.6µ F (.40) ( WY L ) ( β 0 ) 4 B b ' e C 9µ F 4 00µ F (.4) Gdy w zapojetowany wzacniaczu nie występuje pojeność C wzacniacz jest objęty pętlą spzężenia zwotneo pądowo-szeeoweo zealizowaneo za poocą ezystoa eiteoweo 4. Wtedy paaety obocze uładu dane są zależnościai: ce obc V. V 4 (.4) [ ( ) ] 4. Ω B b' e 4 (.4) 58 WY Ω (.44) γ 0.96 (.45) V γ. V (.46) SK 07 Góną częstotliwość aniczna wzacniacza ze spzężenie zwotny ożna obliczyć ozystając z zależności: ( b ' e β 04 ) B 6. 4MHz b ' e b ' e cb' e ( ce obc ) cb' c b ' e 0 4 b ' e 0 β β 4 (.47)
11 Dolną częstotliwość aniczną wyznaczyy z zależności: dzie: 6. Hz (.48) d 6. Hz C 05 π ( ) 4. Hz C 7 π ( ) WY L (.49) (.50)
12 Zadanie Zapojetować nisoszuny, austyczny (paso 0Hz 0Hz) wzacniacz tanzystoowy o wzocnieniu napięciowy ówny -0 V/V, pacujący w oniuacji OE, na tanzystoze BC57 o paaetach: BE 0.65V, Cesat 0.5V, β 0 00, c b c 4.5pF, T 50MHz, bb 0. Scheat uładu pzedstawiono się na ys.. Wzacniacz będzie pacował z ezystancją obciążenia ówną 5. Ω. ezystancja eneatoa jest ówna 600Ω. Podać asyalną watość nieznieształconej aplitudy napięcia wyjścioweo uładu. ozwiązanie ys... Scheat wzacniacza tanzystooweo Jeżeli wzacniacz a się chaateyzować nisii szuai należy odpowiednio dobać punt pacy tanzystoa (patz Tabela Wyład n 4 E). Pąd oletoa tanzystoa w puncie pacy powinien ieścić się w pzedziale (0 00)μA (dy nie a wyou dotycząceo paaetów szuowych uładu pąd oletoa dobieay z zaesu ( 5)A)). Natoiast napięcie oleto eite CEQ powinno pzybieać watości z pzedziału (-5)V. Załaday wstępnie 00μA, CEQ 5V. Dalszą część obliczeń pzepowadziy ozystając ze scheatu ziennopądoweo wzacniacza w tóy tanzysto zastąpiono jeo odele ałosynałowy hybyd π (ys..). ys... Scheat ziennopądowy wzacniacza Wzocnienie napięciowe uładu OE wyaża się zależnością: ( ) ce (.) L
13 Jeżeli posiaday doładne dane ataloowe tanzystoa użyteo we wzacniaczu to dla daneo pądu oletoa w puncie pacy znajdujey paaety odelu hybyd π (w nstucji do Ćwiczenia laboatoyjneo dane te są zawate w dołączonej tabeli). Jeżeli jedna znay jedynie paaety podstawowe tanzystoa, ja w ozwiązywany zadaniu, ożey sozystać z zależności uposzczonych i wyznaczyć pzybliżone watości eleentów odelu ałosynałoweo tanzystoa: β 0ϕ T V b ' e 5Ω 0.A (.) 0.A. 77S (.) ϕ 6.5V T Y 00V MΩ 0.A ce (.4) dzie: φ T jest to potencjał teiczny złącza ówny w tepeatuze poojowej 6.5V, Y jest to napięcie Ealy eo ówne 00V dla tanzystoów NPN lub 60V dla tanzystoów typu PNP. Nie zaznaczoną na ys.. pojeność c b e wyznaczay pzeształcając ównanie: T (.5) π ( cb' e cb' c ) ta na podstawie podanych w teści zadania danych ataloowych tanzystoa BC57 : 56.6S cb' e cb' c 4.5 pf 0. 5pF π 50MHz T Wyznaczona watość jest oczywiście nieealna (pojeność nie oże pzyjować watości ujenych). jena watość pojwności wsazuje na to, że ożna pojeność c b e poinąć w dalszych obliczeniach. Mając obliczone paaety ałosynałowe tanzystoa ożey wyznaczyć, pzeształcając zależność (), watość ezystancji oletoowej :.77S ( Ω ) ( Ω ) ce L M Ω 5.6Ω (.5) V 0 V Pozostałe ezystoy wyznaczyy w opaciu o scheat stałopądowy pzedstawiony na ys... W celu zapewnienia dobej stabilności tepeatuowej puntu pacy spade napięcia na ezystoze eiteowy 4 powinien być iluotnie więszy od watości napięcia baza eite tanzystoa: 4 ( ) BEQ Kozystając z powyższeo wyznaczay watość napięcia 4 : 4 (.6)
14 0.65V. V (.7) 4 BEQ Następnie, ożna zapisać ównanie: ys... Scheat stałopądowy wzacniacza CC 0.A 5.6Ω CEQ 4 5V.V 6.86V CEQ 4 (.8) Noując watość napięcia zasilania do watości standatowych pzyjęto CC 5V, co spowoduje spade napięcia oleto eite do watości CEQ.4V. Watość ta ieści się nadal w zaesie napięć oleto eite dla wzacniaczy nisoszunych. Załadając, że, ożna wyznaczyć watość ezystoa 4 : EQ 4.V 4 Ω (.9) 0.A Watość pądu bazy tanzystoa BQ wyznaczay z zależności: 0.A 0.5 A. (.0) β 00 BQ µ 0 Dla zapewnienia dobej stabilności tepeatuowej puntu pacy załada się, że podział pądu na dzielniu bazowy wynosi:
15 Załadając, że 0 BQ wyznaczay: BQ (5 0) (.) 0 5 A (.) BQ µ Kozystając z pawa Kichoa ożey zapisać, że: Następnie wyznaczay watość ezystoa : 5.5 A (.) BQ BQ µ BEQ 4.95V 90Ω 5µ A (.4) ezysto wyznaczay ozystając z zależności: CC CC BEQ 4.05V Ω 560Ω 5.5µ A (.5) Teaz ożna wyznaczyć, ozystając ponownie z ys.., pozostałe paaety obocze uładu. ezystancja wejściowa wzacniacza dana jest zależnością: B b ' e Ω (.6) 4 ezystancja wyjściowa uładu jest ówna: ce 5. Ω (.7) WY 57 Współczynni wyozystania napięcia eneatoa wynosi: 4Ω γ (.8) 0.6Ω 4Ω Wzocnienie napięciowe suteczne uładu dane jest zależnością: V γ 9. V (.9) SK 86 Góną częstotliwość aniczną wzacniacza wyznaczyy ozystając ze scheatu ziennopądoweo uładu, pzy czy tanzysto został zastąpiony jeo pełny odele hybyd π (uwzlędniający pojeności c b e 0 i c b c, pzy bb 0). Scheat ten pzedstawiono na ys..4.
16 ys..4. Scheat wzacniacza z tanzystoe zastąpiony pełny odele hybyd π Kozystając z napięcioweo twiedzenia Millea uład pzeształcay do postaci pzedstawionej na ys..5. ys..5. Scheat zienno-synałowy wzacniacza po zastosowaniu twiedzenia Millea Wyznaczenie częstotliwości ónej wzacniacza spowadza się do wyznaczenia częstotliwości anicznej uładu pzedstawioneo na ys..6: ys..6. Scheat wzacniacza poocny w wyznaczaniu częstotliwości ónej uładu Pojeność wejściowa uładu dana jest zależnością (pzy c b e poijalnie ały): ( ) c 0 pf 49.5 pf 49. pf c cb' e b' c 5 (.0) Tansitancja napięciowa wzacniacza z ys..6 dana jest zależnością:
17 SK ( s) ( ) obc ce sc sc sc sc (.) dzie s jω j. Po pzeształceniach zależność (.) pzybiea postać: SK ( s) s c (.) Znalezienie ónej częstotliwości anicznej uładu polea na ozwiązaniu ównania: Ostatecznie częstotliwość aniczna wzacniacza wynosi: s c 0 (.) 0.6Ω 4 Ω 5. 4MHz c π 0.6Ω 49.5 pf (.4) Aby oaniczyć częstotliwość óną wzacniacza do 0Hz należy poiędzy bazę a oleto tanzystoa dołączyć dodatową pojeność C d. W odelu wzacniacza pzedstawiony na ys..4 pojeność ta dodaje się do pojeności c b c tanzystoa, pzez co ostateczny wzó na pojeność wejściową uładu c (ys..6) będzie wynosił: ( )( c C ) c cb' e b' c d (.5) Aby wyznaczyć watość pojeności C d, dla tóej óna częstotliwość wzacniacza będzie ówna 0 Hz, należy, uwzlędniając ównanie (.5), pzeształcić zależność (.4). ta pojeność C d dana będzie zależnością: 0.6Ω cb' e 0 pf Cd c 4 b' c Ω 4.5 pf.f. nf π 0Hz 0.6Ω ( ) Pojeności C, C i C ożna wyznaczyć znając watość częstotliwości dolnej d wzacniacza. Tansitancja napięciowa wzacniacza w zaesie ałych częstotliwości posiada tzy bieuny s, s i s. Załadając, że bieuny te są niezależne wzlęde siebie częstotliwość dolną wzacniacza ożna wyznaczyć z zależności: d (.6)
18 dzie częstotliwości, i są związane ze wsponianyi bieunai zależnością sn n, n,,. Watości poszczeólnych częstotliowści są uncjai pojeności C, C i C. C C WY L ( β 0 ) 4 ( ) ( ) C 4 B b' e (.7) (.8) (.9) Aby uzysać dobą stabilność wzacniacza w zaesie dolnych częstotliwości należy odpowiednio ozieścić bieuny na osi częstotliwości (odsepaować). Zazwyczaj załada się, że bieun wywołany pojenością eiteową C jest bieune doinujący (ający najwięszy wpływ na watość częstotliwości anicznej), natoiast pozostałe bieuny są dużo niejsze od nieo: > > > (.0) ta na pzyład ożna założyć następujące elacje poiędzy poszczeólnyi częstotliwościai:,. Wtedy zależność (.6) pzybieze postać: 0 5 d Po pzeształceniu otzyujey: d 9.86Hz (.).007 Pozostałe częstotliwości pzyjują watości:.986hz,. 4Hz. Po pzeształceniu zależności (.7) (.9) ożey wyznaczyć watości pojeności C C : C.8µ F.µ F (.) ( ) C.µ F 5µ F (.) ( WY L )
19 ( β 0 ) 4 B b ' e C 0.6µ F 4 µ F (.4) Ostatnią zeczą do wyznaczenia jest oeślenie asyalnej nieznieształconej aplitudy napięcia wyjścioweo wzacniacza. Do obliczeń poocny będzie ys..7. Masyalna aplituda napięcia wyjścioweo jest oaniczona pzez dwa zjawisa: nasycenia i odcięcia tanzystoa. Nasycenie tanzystoa występuje wtedy dy napięcie CE < Cesat. Wynia stąd waune na asyalną aplitudę napięcia wyjścioweo: u.4v 0.5V. V (.5) WY ax 89 CEQ CEsat ys..7. Chaateystyi wyjściowe tanzystoa z naniesiony punte pacy i zianai napięcia CE i pądu C Natoiast odcięcie tanzystoa następuje wtedy dy C 0. Dzieje się ta wtedy, dy aplituda pądu wyjścioweo i WY jest więsza od watości pądu oletoa tanzystoa w puncie pacy. Czyli asyalna, nieznieształcona aplituda pądu wyjścioweo wzacniacza dana jest wyażenie i WY ax.
20 ys..8. Scheat ziennopądowy wzacniacza: a) uwzlędniający wszystie eleenty, b) uposzczony popzez uwzlędnienie połączenia ównolełeo ezystancji Kozystając z pawa Oha ożna zapisać, że (ys..8): u WY iwy obc (.6) Wtedy: ( ) 0.A.669Ω 0. V uwy ax iwy ax 66 (.7) obc obc Otzyaliśy dwie watości oeślające asyalną aplitudę napięcia wyjścioweo wzacniacza: - pzeoczenie tóej powoduje nasycenie tanzystoa -.89V - pzeoczenie tóej powoduje odcięcie tanzystoa V. Poszuiwaną watością jest oczywiście niejsza z aplitud, czyli ostatecznie ożey napisać, że: uwy ax 0. 66V L
Podstawowe konfiguracje wzmacniaczy tranzystorowych
Podstawo koniacje wzmacniaczy tanzystoowych Wocław 05 Klasyikacja wzmacniaczy Ze wzlęd na zastosowany element steowany: -- lampo -- tanzystoo Klasyikacja wzmacniaczy Ze wzlęd na zakes częstotliwości wzmacnianych
Podstawowe konfiguracje wzmacniaczy tranzystorowych
Politechnika Wocławska Podstawo koniacje wzmacniaczy tanzystoowych Wocław 00 Politechnika Wocławska Klasyikacja wzmacniaczy Ze wzlęd na zastosowany element steowany: -- lampo -- tanzystoo Politechnika
Wzmacniacze tranzystorowe prądu stałego
Wzmacniacze tanzystoo pądu stałego Wocław 03 kład Dalingtona (układ supe-β) C kład stosowany gdy potzebne duże wzmocnienie pądo (np. do W). C C C B T C B B T C C + β ' B B C β + ( ) C B C β β β B B β '
Podstawowe konstrukcje tranzystorów bipolarnych
Tanzystoy Podstawowe konstukcje tanzystoów bipolanych Zjawiska fizyczne występujące w tanzystoach bipolanych, a w związku z tym właściwości elektyczne tych tanzystoów, zaleŝą od ich konstukcji i technologii
XXX OLIMPIADA FIZYCZNA (1980/1981). Stopień I, zadanie teoretyczne T4 1
XXX OLMPADA FZYCZNA (1980/1981). Stopień, zadanie teoetyczne T4 1 Źódło: Komitet Główny Olimpiady Fizycznej; Waldema Gozowsi; Andzej Kotlici: Fizya w Szole, n 3, 1981.; Andzej Nadolny, Kystyna Pniewsa:
Blok 8: Moment bezwładności. Moment siły Zasada zachowania momentu pędu
Blo 8: Moent bezwładności Moent siły Zasada zachowania oentu pędu Moent bezwładności awiając uch postępowy ciała, posługujey się pojęciai pzeieszczenia, szybości, pzyspieszenia tego ciała oaz wypadowej
1. CEL ĆWICZENIA 2. WPROWADZENIE
. CEL ĆWCZENA Cele ćwiczenia jest poznanie właściwości stałoprądowych oraz ziennoprądowych (dla ałych aplitud i ałych częstotliwości synałów) tranzystora poloweo złączoweo JFET na przykładzie tranzystora
Rys. 1. Ilustracja modelu. Oddziaływanie grawitacyjne naszych ciał z masą centralną opisywać będą wektory r 1
6 FOTON 6, Wiosna 0 uchy Księżyca Jezy Ginte Uniwesytet Waszawski Postawienie zagadnienia Kiedy uczy się o uchach ciał niebieskich na pozioie I klasy liceu, oawia się najczęściej najpiew uch Ziei i innych
Projektowanie wzmacniaczy mocy
Projektowanie wzmacniaczy mocy Zaprojektować akustyczny wzmacniacz mocy w oparciu o układ TDA 006. kład powinien posiadać następujące parametry: maksymalną moc wyjściową P Wy 0W przy maksymalnej wartości
Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.
ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk
LINIA PRZESYŁOWA PRĄDU STAŁEGO
oitechnia Białostoca Wydział Eetyczny Kateda Eetotechnii Teoetycznej i Metoogii nstucja do zajęć aboatoyjnych Tytuł ćwiczenia LNA RZEYŁOWA RĄD TAŁEGO Nume ćwiczenia E Auto: mg inŝ. Łuasz Zaniewsi Białysto
Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza
Rama płaska metoda elementów skończonych.
Pzyład. Rama płasa metoda elementów sończonych. M p l A, EJ P p l A, EJ l A, EJ l l,5 l. Dysetyzacja Podział na elementy i węzły x st. sw. M 5 P Z X, M, V, H 7, M, H Y, V Element amy płasiej węzły, x stopni
Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA
WFiIS LABORATORIM Z ELEKTRONIKI Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia
Notatki z II semestru ćwiczeń z elektroniki, prowadzonych do wykładu dr. Pawła Grybosia.
Notatki z II semestu ćwiczeń z elektoniki, powadzonych do wykładu d. Pawła Gybosia. Wojciech Antosiewicz Wydział Fizyki i Techniki Jądowej AGH al.mickiewicza 30 30-059 Kaków email: wojanton@wp.pl 2 listopada
WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ Instytut Fizyki LABORATORIUM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI, ELEKTRONIKI I MIERNICTWA
WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POITEHNIKI KRAKOWSKIEJ Instytut Fizyki ABORATORIUM PODSTAW EEKTROTEHNIKI, EEKTRONIKI I MIERNITWA ĆWIZENIE 7 Pojemność złącza p-n POJĘIA I MODEE potzebne do zozumienia
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5 Temat: Charakterystyki statyczne tranzystorów bipolarnych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowonapięciowych i wybranych parametrów
Przejmowanie ciepła przy konwekcji swobodnej w przestrzeni ograniczonej (szczeliny)
inż. Michał Stzeszewski 0-006 Pzejowanie ciepła pzy konwekcji swobonej w pzestzeni oganiczonej (szczeliny) Zaania o saozielnego ozwiązania v. 0.. powazenie celu uposzczenia achunkowego ozwiązania zjawiska
Politechnika Wrocławska Katedra Teorii Pola, Układów Elektronicznych i Optoelektroniki. Wykład 10 UKŁADY ELEKTRONICZNE
Kateda Teo Pola, Układów lektoncznych Optoelektonk Wykład 0 UKŁADY LKTONIZN Wocław 203 Klasyfkacja wzacnaczy Ze wzlęd na zastosowany eleent steowany: -- lapo -- tanzystoo Klasyfkacja wzacnaczy Ze wzlęd
Temat ćwiczenia: OBWODY PRĄDU SINUSOIDALNEGO Pomiary w obwodzie z obciążeniem rezystancyjnym, indukcyjnym i pojemnościowym.
aboatoium eoii Obwodów emat ćwiczenia: OBODY ĄD SNSODNEGO BOOM MD omiay w obwodzie z obciążeniem ezystancyjnym, inducyjnym i pojemnościowym.. estawiamy uład połączeń obwodu ja na schemacie.. yonujemy pomiay
Układy CMOS. inwerter CMOS. Prąd pobierany tylko przy przełączaniu! bramka NAND. Zestawienie podstawowych parametrów rodzin TTL i CMOS.
łady CMOS inwerter CMOS Prąd pobierany tylo przy przełączaniu! brama NAND Zestawienie podstawowych parametrów rodzin TTL i CMOS. Parametry uładów CMOS i TTL zasilanych napięciem CC 5V Charaterystyi przejściowe
Wrocław 2003 STATECZNOŚĆ. STATYKA 2 - projekt 1 zadanie 2
Wrocław 00 STATECZNOŚĆ STATYKA - projet zadanie . Treść zadania Dla ray o scheacie statyczny ja na rysunu poniżej należy : - Sprawdzić czy uład jest statycznie niezienny - Wyznaczyć siły osiowe w prętach
* ZESTAW DO SAMODZIELNEGO MONTAŻU *
Infomacje o podukcie Utwozo 22-12-2017 Elekticzne obciążenie DC - zestaw do samodzielnego mtażu Cena : 130,00 zł N katalogowy : ELEK-076 Poducent : mini moduły Dostępność : Dostępny Stan magazynowy : badzo
Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów
Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne
Ćw. 5. Badanie ruchu wahadła sprężynowego sprawdzenie wzoru na okres drgań
KAEDRA FIZYKI SOSOWANEJ PRACOWNIA 5 FIZYKI Ćw. 5. Badanie ruchu wahadła sprężynowego sprawdzenie wzoru na ores drgań Wprowadzenie Ruch drgający naeży do najbardziej rozpowszechnionych ruchów w przyrodzie.
II.6. Wahadło proste.
II.6. Wahadło poste. Pzez wahadło poste ozumiemy uch oscylacyjny punktu mateialnego o masie m po dolnym łuku okęgu o pomieniu, w stałym polu gawitacyjnym g = constant. Fig. II.6.1. ozkład wektoa g pzyśpieszenia
Projekt z Układów Elektronicznych 1
Projekt z Układów Elektronicznych 1 Lista zadań nr 4 (liniowe zastosowanie wzmacniaczy operacyjnych) Zadanie 1 W układzie wzmacniacza z rys.1a (wzmacniacz odwracający) zakładając idealne parametry WO a)
9. Sprzężenie zwrotne własności
9. Sprzężenie zwrotne własności 9.. Wprowadzenie Sprzężenie zwrotne w uładzie eletronicznym realizuje się przez sumowanie części sygnału wyjściowego z sygnałem wejściowym i użycie zmodyiowanego w ten sposób
Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.
ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie
ĆWICZENIE 3 REZONANS W OBWODACH ELEKTRYCZNYCH
ĆWZENE 3 EZONANS W OBWODAH EEKTYZNYH el ćwiczenia: spawdzenie podstawowych właściwości szeegowego i ównoległego obwodu ezonansowego pzy wymuszeniu napięciem sinusoidalnym, zbadanie wpływu paametów obwodu
Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.
I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.
MODELOWANIE INŻYNIERSKIE ISNN X 32, s , Gliwice 2006
MODELOWANIE INŻYNIERSKIE ISNN 896-77X 32, s. 37-322, Gliwice 26 WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK TERMOFIZYCZNYCH MATERIAŁÓW STAŁYCH ZA POMOCĄ ROZWIĄZANIA ODWROTNEGO ZAGADNIENIA PRZEWODZENIA CIEPŁA WYKORZYSTUJĄCEGO
ROZKŁAD NORMALNY. 2. Opis układu pomiarowego
ROZKŁAD ORMALY 1. Opis teoetyczny do ćwiczenia zamieszczony jest na stonie www.wtc.wat.edu.pl w dziale DYDAKTYKA FIZYKA ĆWICZEIA LABORATORYJE (Wstęp do teoii pomiaów). 2. Opis układu pomiaowego Ćwiczenie
23 PRĄD STAŁY. CZĘŚĆ 2
Włodzimiez Wolczyński 23 PĄD STAŁY. CZĘŚĆ 2 zadanie 1 Tzy jednakowe oponiki, każdy o opoze =30 Ω i opó =60 Ω połączono ze źódłem pądu o napięciu 15 V, jak na ysunku obok. O ile zwiększy się natężenie pądu
MIERNICTWO WIELKOŚCI ELEKTRYCZNYCH I NIEELEKTRYCZNYCH
Politechnika Białostocka Wydział Elektyczny Kateda Elektotechniki Teoetycznej i Metologii nstukcja do zajęć laboatoyjnych z pzedmiotu MENCTWO WEKOŚC EEKTYCZNYCH NEEEKTYCZNYCH Kod pzedmiotu: ENSC554 Ćwiczenie
należą do grupy odbiorników energii elektrycznej idealne elementy rezystancyjne przekształcają energię prądu elektrycznego w ciepło
07 0 Opacował: mg inż. Macin Wieczoek www.mawie.net.pl. Elementy ezystancyjne. należą do gupy odbioników enegii elektycznej idealne elementy ezystancyjne pzekształcają enegię pądu elektycznego w ciepło.
INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA
NSTRKJA DO ĆWZENA Temat: Rezonans w obwodach elektycznych el ćwiczenia elem ćwiczenia jest doświadczalne spawdzenie podstawowych właściwości szeegowych i ównoległych ezonansowych obwodów elektycznych.
Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający
Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych
Zespół Szkół Łączności w Krakowie. Badanie parametrów wzmacniacza mocy. Nr w dzienniku. Imię i nazwisko
Klasa Imię i nazwisko Nr w dzienniku espół Szkół Łączności w Krakowie Pracownia elektroniczna Nr ćw. Temat ćwiczenia Data Ocena Podpis Badanie parametrów wzmacniacza mocy 1. apoznać się ze schematem aplikacyjnym
Komputerowa symulacja doświadczenia Rutherforda (rozpraszanie cząstki klasycznej na potencjale centralnym
Pojekt n C.8. Koputeowa syulacja doświadczenia Ruthefoda (ozpaszanie cząstki klasycznej na potencjale centalny (na podstawie S.. Koonin "Intoduction to Coputational Physics") Wpowadzenie Cząstka o asie
LABORATORIUM ELEKTRONIKI
LABOATOIUM ELEKTONIKI ĆWICENIE 2 DIODY STABILIACYJNE K A T E D A S Y S T E M Ó W M I K O E L E K T O N I C N Y C H 21 CEL ĆWICENIA Celem ćwiczenia jest paktyczne zapoznanie się z chaakteystykami statycznymi
Równania Lagrange a II rodzaju
echania Analityczna i Dgania ównania Lagange a II odzaju ównania Lagange a II odzaju g inż. Seastian Pauła Aadeia Góniczo-Hutnicza i. Stanisława Staszica w Kaowie Wydział Inżynieii echanicznej i ootyi
Wzmacniacze. Klasyfikacja wzmacniaczy Wtórniki Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz operacyjny
Wzmacniacze Klasyfikacja wzmacniaczy Wtórniki Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz operacyjny Zasilanie Z i I we I wy E s M we Wzmacniacz wy Z L Masa Wzmacniacze 2 Podział wzmacniaczy na klasy Klasa A ηmax
8. PŁASKIE ZAGADNIENIA TEORII SPRĘŻYSTOŚCI
8. PŁASKIE ZAGADNIENIA TEORII SPRĘŻYSTOŚCI 8. 8. PŁASKIE ZAGADNIENIA TEORII SPRĘŻYSTOŚCI 8.. Płaski stan napężenia Tacza układ, ustój ciągły jednoodny, w któym jeden wymia jest znacznie mniejszy od pozostałych,
Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego
L A B O A T O I U M A N A L O G O W Y C H U K Ł A D Ó W E L E K T O N I C Z N Y C H Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego Ćwiczenie opracował Jacek Jakusz 4. Wstęp Ćwiczenie umożliwia pomiar
Systemy i architektura komputerów
Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Systemy i architektura komputerów Laboratorium nr 4 Temat: Badanie tranzystorów Spis treści Cel ćwiczenia... 3 Wymagania... 3 Przebieg ćwiczenia...
Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający
Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych
Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkoocówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolnośd wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu "transfer
L(x, 0, y, 0) = x 2 + y 2 (3)
0. Małe dgania Kótka notatka o małych dganiach wyjasniające możliwe niejasności. 0. Poszukiwanie punktów ównowagi Punkty ównowagi wyznaczone są waunkami x i = 0, ẋi = 0 ( Pochodna ta jest ówna pochodnej
Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia
PROTOKÓŁ POMIAROWY - SPRAWOZDANIE
PROTOKÓŁ POMIAROWY - SPRAWOZDANIE LABORATORIM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI I ELEKTRONIKI Grupa Podgrupa Numer ćwiczenia 5 Nazwisko i imię Data wykonania. ćwiczenia. Prowadzący ćwiczenie Podpis Ocena sprawozdania
Tranzystory. bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory
Tranzystory bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory Tranzystory -rodzaje Tranzystor to element, który posiada zdolność wzmacniania mocy sygnału elektrycznego. Z uwagi na tą właściwość,
Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik
1 Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik Znajdź usterkę oraz wskaż sposób jej usunięcia w zasilaczu napięcia stałego 12V/4A, wykonanym w oparciu o układ scalony
Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki UKŁADY ELEKTRONICZNE. Wrocław 2009 WARUNKI ZALICZENIA
Poltechnka Wocławska Instytt Telekonkacj, Telenoatyk Akstyk UKŁAY LKTONIZN Wocław 009 Poltechnka Wocławska Instytt Telekonkacj, Telenoatyk Akstyk WAUNKI ZALIZNIA Pozytywne zalczene Pojekt I Pozytywna ocena
Filtry aktywne filtr środkowoprzepustowy
Filtry aktywne iltr środkowoprzepustowy. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości iltrów aktywnych, metod ich projektowania oraz pomiaru podstawowych parametrów iltru.. Budowa
Tranzystor bipolarny
Tranzystor bipolarny 1. zas trwania: 6h 2. ele ćwiczenia adanie własności podstawowych układów wykorzystujących tranzystor bipolarny. 3. Wymagana znajomość pojęć zasada działania tranzystora bipolarnego,
Siła. Zasady dynamiki
Siła. Zasady dynaiki Siła jest wielkością wektoową. Posiada okeśloną watość, kieunek i zwot. Jednostką siły jest niuton (N). 1N=1 k s 2 Pzedstawienie aficzne A Siła pzyłożona jest do ciała w punkcie A,
PRĄD ELEKTRYCZNY I SIŁA MAGNETYCZNA
PĄD LKTYCZNY SŁA MAGNTYCZNA Na ładunek, opócz siły elektostatycznej, działa ównież siła magnetyczna popocjonalna do pędkości ładunku v. Pzekonamy się, że siła działająca na magnes to siła działająca na
Przygotowanie do Egzaminu Potwierdzającego Kwalifikacje Zawodowe
Pzygotowanie do Egzaminu Potwiedzającego Kwalifikacje Zawodowe Powtózenie mateiału Opacował: mg inż. Macin Wieczoek Jednostki podstawowe i uzupełniające układu SI. Jednostki podstawowe Wielkość fizyczna
WYKŁAD 5 METODY OPTYMALIZACJI NIELINIOWEJ BEZ OGRANICZEŃ
WYKŁAD 5 METODY OPTYMALIZACJI NIELINIOWEJ BEZ OGRANICZEŃ Wstęp. Za wyjątie nielicznych funcji, najczęściej w postaci wieloianów, dla tórych ożna znaleźć iniu na drodze analitycznej, pozostała więszość
MATEMATYCZNE MODELOWANIE PROCESU SUSZENIA W NIERUCHOMYM ZŁOśU. CZĘŚĆ I. MODEL MATEMATYCZNY
InŜynieia Rolnicza 2/26 Maian Szaycz, Eueniusz Kaiński, Kail Jałoszyński Instytut InŜynieii Rolniczej Akadeia Rolnicza we Wocławiu MATEMATYCZNE MODELOWANIE PROCESU SUSZENIA W NIERUCHOMYM ZŁOśU. CZĘŚĆ I.
Grawitacyjna energia potencjalna gdy U = 0 w nieskończoności. w funkcji r
Wykład z fizyki Piot Posykiewicz 113 Ponieważ, ważne są tylko ziany enegii potencjalnej, ożey pzyjąć, że enegia potencjalna jest ówna zeo w dowolny położeniu. Powiezchnia iei oże być odpowiedni wyboe w
LABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO
LABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka . Zapoznać się ze schematem ideowym płytki ćwiczeniowej 2.
Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7
Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego, poznanie jego charakterystyki przejściowej
Modelowanie przepływu cieczy przez ośrodki porowate Wykład III
Modelowanie pzepływu cieczy pzez ośodki poowate Wykład III 6 Ogólne zasady ozwiązywania ównań hydodynamicznego modelu pzepływu. Metody ozwiązania ównania Laplace a. Wpowadzenie wielkości potencjału pędkości
Temat i cel wykładu. Tranzystory
POLTECHNKA BAŁOSTOCKA Temat i cel wykładu WYDZAŁ ELEKTRYCZNY Tranzystory Celem wykładu jest przedstawienie: konstrukcji i działania tranzystora bipolarnego, punktu i zakresów pracy tranzystora, konfiguracji
Matematyka ubezpieczeń majątkowych r.
Zadanie. W kolejnych okesach czasu t =,,3,... ubezpieczony, chaakteyzujący się paametem yzyka Λ, geneuje szkód. Dla danego Λ = λ zmienne N t N, N, N 3,... są waunkowo niezależne i mają (bzegowe) ozkłady
m q κ (11.1) q ω (11.2) ω =,
OPIS RUCHU, DRGANIA WŁASNE TŁUMIONE Oga Kopacz, Adam Łodygowski, Kzysztof Tymbe, Michał Płotkowiak, Wojciech Pawłowski Konsutacje naukowe: pof. d hab. Jezy Rakowski Poznań 00/00.. Opis uchu OPIS RUCHU
Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkońcówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu
kierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II
kierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II iody prostownicze i diody Zenera Zadanie Podać schematy zastępcze zlinearyzowane dla diody
Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych
ĆWICZENIE 0 Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i właściwościami wzmacniaczy operacyjnych oraz podstawowych układów elektronicznych
Badanie tranzystora bipolarnego
Spis ćwiczeń: Badanie tranzystora bipolarnego Symulacja komputerowa PSPICE 9.1 www.pspice.com 1. Charakterystyka wejściowa tranzystora bipolarnego 2. Wyznaczanie rezystancji wejściowej 3. Rysowanie charakterystyk
Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.
Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. WZMACNIACZ 1. Wzmacniacz elektryczny (wzmacniacz) to układ elektroniczny, którego
REZONATORY DIELEKTRYCZNE
REZONATORY DIELEKTRYCZNE Rezonato dielektyczny twozy małostatny, niemetalizowany dielektyk o dużej pzenikalności elektycznej ( > 0) i dobej stabilności tempeatuowej, zwykle w kształcie cylindycznych dysków
Tłumik rezystancyjny o minimalnych stratach ( dopasowany dzielnik napięcia )
Tłumi ezystancyjny minimalnych statach ( daswany dzielni naięcia ) in I I e(t) U U Niesymetyczny in I / I e(t) U U / Symetyczny Dane jetwe: in [Ω], [Ω] Szuane: [Ω], [Ω], [db] Waune daswania eneetyczne
Algorytm wyznaczania krotności diagnostycznej struktury opiniowania diagnostycznego typu PMC 1
BIULETYN INSTYTUTU AUTOMATYKI I ROBOTYKI NR 18, 2003 Algoryt wyznaczania rotności diagnostycznej strutury opiniowania diagnostycznego typu PMC 1 Artur ARCIUCH Załad Systeów Koputerowych, Instytut Teleinforatyi
Drgania harmoniczne. Projekt współfinansowany przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego
Drgania haroniczne Projet współfinansowany przez Unię Europejsą w raach Europejsiego Funduszu Społecznego Drgania haroniczne O oscylatorze haroniczny ożey ówić wtedy, iedy siła haująca działa proporcjonalnie
Ć wiczenie 3 OBWODY JEDNOFAZOWE PRĄDU PRZEMIENNEGO
49 1. Wiadoości ogólne Ć wiczenie 3 OBWODY JEDNOFAZOWE PĄD PZEMENNEGO 1.1. Wielkości opisujące prąd przeienny Wielkości sinusoidalne są jednoznacznie określone przez trzy wielkości: aplitudę, pulsację
GRAWITACJA. przyciągają się wzajemnie siłą proporcjonalną do iloczynu ich mas i odwrotnie proporcjonalną do kwadratu ich odległości r.
GRAWITACJA Pawo powszechnego ciążenia (pawo gawitacji) Dwa punkty mateialne o masach m 1 i m pzyciągają się wzajemnie siłą popocjonalną do iloczynu ich mas i odwotnie popocjonalną do kwadatu ich odległości.
Ćwiczenie 12 Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego emitera. Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 12 Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego emitera. Cel ćwiczenia Poznanie konfiguracji zasady pracy wzmacniacza w układzie OE. Wyznaczenie charakterystyk wzmacniacza w układzie OE. Czytanie schematów
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4 Temat: Parametry czwórnikowe tranzystorów bipolarnych. Cel ćwiczenia: Zapoznanie się z parametrami czwórnikowymi tranzystora bipolarnego (admitancyjnymi [y],
KRYTERIA OCENIANIA ODPOWIEDZI Próbna Matura z OPERONEM. Matematyka Poziom rozszerzony
KRYTERIA OCENIANIA ODPOWIEDZI Póbna Matua z OPERONEM Matematyka Poziom ozszezony Listopad 0 W ni niej szym sche ma cie oce nia nia za dań otwa tych są pe zen to wa ne pzy kła do we po paw ne od po wie
Wyznaczanie promienia krzywizny soczewki płasko-wypukłej metodą pierścieni Newtona
Wyznaczanie poienia kzywizny soczewki płasko-wypukłej etodą pieścieni Newtona I. Cel ćwiczenia: zapoznanie ze zjawiskie intefeencji światła, poia poienia soczewki płasko-wypukłej. II. Pzyządy: lapa sodowa,
ZADANIA DO ĆWICZEŃ Z ELEMENTÓW ELEKTRONICZNYCH temat: Diody. prowadzący Piotr Płotka, tel , pok.
ZAANA O ĆWCZEŃ Z ELEMENTÓW ELEKTRONCZNYCH teat: iody prowadzący Piotr Płotka, e-ail pplotka@eti.pg.gda.pl, tel. 347-1634, pok. 31 ZAANE 1. ioda krzeowa o napięciu przebicia większy od 4 V pracuje w układzie
1 Wprowadzenie. WFiIS
WFiIS LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI Imię i nazwisko:. 2. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia
WYKŁAD 11 OPTYMALIZACJA WIELOKRYTERIALNA
WYKŁAD OPTYMALIZACJA WIELOKYTEIALNA Wstęp. W wielu pzypadkach pzy pojektowaniu konstukcji technicznych dla okeślenia ich jakości jest niezędne wpowadzenie więcej niż jednego kyteium oceny. F ) { ( ), (
Arytmetyka finansowa Wykład 6 Dr Wioletta Nowak
Aytmetya finansowa Wyład 6 Wioletta Nowa Ryne apitałowy zez yne apitałowy ozumie się ogół tansacji upna-spzedaży, tóych pzedmiotem są instumenty finansowe o oesie wyupu dłuższym niż o. Śodi uzysane z emisji
1 Filtr górnoprzepustowy (różniczkujący) jest to czwórnik bierny CR. Jego schemat przedstawia poniższy rysunek:
WFiIS LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI Imię i nazwisko:.. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia
Zaprojektowanie i zbadanie dyskryminatora amplitudy impulsów i generatora impulsów prostokątnych (inaczej multiwibrator astabilny).
WFiIS LABOATOIM Z ELEKTONIKI Imię i nazwisko:.. TEMAT: OK GPA ZESPÓŁ N ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA Zaprojektowanie i zbadanie
Układy zasilania tranzystorów
kłady zasilania tranzystorów Wrocław 2 Punkt pracy tranzystora B BQ Q Q Q BQ B Q Punkt pracy tranzystora Tranzystor unipolarny SS Q Q Q GS p GSQ SQ S opuszczalny obszar pracy (safe operating conditions
XXI OLIMPIADA FIZYCZNA ( ). Stopień III, zadanie teoretyczne T1. Źródło: XXI i XXII OLIMPIADA FIZYCZNA, WSiP, Warszawa 1975 Andrzej Szymacha,
XXI OLIMPIADA FIZYCZNA (97-97). Stopień III zadanie teoetyczne. Źódło: XXI i XXII OLIMPIADA FIZYCZNA WSiP Waszawa 975 Auto: Nazwa zadania: Działy: Słowa kluczowe: Andzej Szyacha Dwa ciała i spężynka Dynaika
Diody i tranzystory. - prostownicze, stabilizacyjne (Zenera), fotodiody, elektroluminescencyjne, pojemnościowe (warikapy)
Diody i tranzystory - prostownicze, stabilizacyjne (Zenera), fotodiody, elektroluminescencyjne, pojemnościowe (warikapy) bipolarne (NPN i PNP) i polowe (PNFET i MOSFET), Fototranzystory i IGBT (Insulated
MECHANIKA OGÓLNA (II)
MECHNIK GÓLN (II) Semest: II (Mechanika I), III (Mechanika II), ok akademicki 2017/2018 Liczba godzin: sem. II*) - wykład 30 godz., ćwiczenia 30 godz. sem. III*) - wykład 30 godz., ćwiczenia 30 godz. (dla
OBWODY PRĄDU SINUSOIDALNEGO
aboatoium Elektotechniki i elektoniki Temat ćwiczenia: BOTOM 06 OBODY ĄD SSODEGO omiay pądu, napięcia i mocy, wyznaczenie paametów modeli zastępczych cewki indukcyjnej, kondensatoa oaz oponika, chaakteystyki
Zbigniew Otremba, Fizyka cz.1: Mechanika 5
Zbigniew Otemba, Fizya cz.: Mechania 5. MECHANIKA Mechania - to idee odnoszące się do zozumienia i opisu wszeliego uchu. Wpowadzone tu pojęcia i wielości dają postawy innym działom fizyi oaz mechanice
Liniowe układy scalone w technice cyfrowej
Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Dr inż. Adam Klimowicz konsultacje: wtorek, 9:15 12:00 czwartek, 9:15 10:00 pok. 132 aklim@wi.pb.edu.pl Literatura Łakomy M. Zabrodzki J. : Liniowe układy scalone
Wzmacniacze operacyjne
Wzmacniacze operacyjne Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest badanie podstawowych układów pracy wzmacniaczy operacyjnych. Wymagania Wstęp 1. Zasada działania wzmacniacza operacyjnego. 2. Ujemne sprzężenie
LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU
KONKURS Z MATEMATYKI DLA UCZNIÓW SZKÓŁ PODSTAWOWYCH
Konkusy w województwie podkapackim w oku szkolnym 08/09 KONKURS Z MTEMTYKI L UZNIÓW SZKÓŁ POSTWOWYH ETP REJONOWY KLUZ OPOWIEZI Zasady pzyznawania punktów za każdą popawną odpowiedź punkt za błędną odpowiedź
Moment pędu w geometrii Schwarzshilda
Moent pędu w geoetii Schwazshilda Zasada aksyalnego stazenia się : Doga po jakiej pousza się cząstka swobodna poiędzy dwoa zdazeniai w czasopzestzeni jest taka aby czas ziezony w układzie cząstki był aksyalny.