Systemy i architektura komputerów

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Systemy i architektura komputerów"

Transkrypt

1 Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Systemy i architektura komputerów Laboratorium nr 4 Temat: Badanie tranzystorów

2 Spis treści Cel ćwiczenia... 3 Wymagania... 3 Przebieg ćwiczenia... 3 Podsumowanie... 7 Literatura... 7

3 CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest: 1. Wyznaczenie charakterystyki przejściowej i wzmocnienia prądowego tranzystora bipolarnego, 2. Poznanie pracy tranzystora jako wzmacniacza sygnałów. WYMAGANIA Do wykonania niniejszego ćwiczenia niezbędne jest zapoznanie się z następującymi zagadnieniami: Tranzystor bipolarny typu npn i pnp: budowa, zasada działania, charakterystyki prądowonapięciowe, parametry, zastosowanie, Punkt pracy tranzystora bipolarnego, Sposoby polaryzacji tranzystora bipolarnego npn i pnp w różnych układach pracy, Charakterystyka wzmacniaczy tranzystorowych w różnych układach pracy. PRZEBIEG ĆWICZENIA Na rysunku 1 przedstawiono symbole tranzystorów bipolarnych npn oraz pnp i ich schematy diodowe. Na rysunku 2 przedstawiono rozkład wyprowadzeń tranzystorów bipolarnych. Tranzystory mogą pracować w różnych układach pracy. Na rysunku 3 przedstawiono możliwe układy pracy tranzystorów: ze wspólnym emiterem WE (OE), ze wspólną bazą WB (OB) oraz ze wspólnym kolektorem WC (OC). C C B B Rys. 1. E E a) npn b) pnp Symbole i schematy diodowe tranzystorów bipolarnych: a) typu npn, b) typu pnp Rys. 2. Rozkład wyprowadzeń tranzystorów bipolarnych (widok od strony wyprowadzeń) Strona 3 z 8

4 C E B B E a) WE b) WB C c) WC Rys. 3. Układy pracy tranzystorów bipolarnych: a) wspólny emiter, b) wspólna baza, c) wspólny kolektor Ćwiczenie nr 1 Charakterystyka przejściowa oraz wzmocnienie prądowe tranzystora w układzie WE 1. Korzystając z Internetu sprawdź czy tranzystor bipolarnego 2N2222A jest typu npn czy pnp. 2. Korzystając z uniwersalnego miernika cyfrowego zmierz i zanotuj wzmocnienie prądowe h FE = h 21E = β tranzystora bipolarnego 2N2222A, za pomocą testera wbudowanego do tego miernika. 3. Zmierz woltomierzem wartość napięcia zasilania źródła napięcia stałego (+15 V) na płycie prototypowej NI ELVIS II. 4. Sprawdź układ wyprowadzeń tranzystora 2N2222A (rys. 2) i zbuduj układ jak na rys. 4. I C A R 2 = 820 PS (+15 V) I B R 1 = 47 k U CE VPS (0 12 V) V U BE Rys. 4. Schemat układu do wyznaczania charakterystyki przejściowej oraz wzmocnienia prądowego tranzystora w układzie WE 2. W obwodzie bazy umieść, jak na rys. 4, regulowany zasilacz prądu stałego (Variable Power Supply, VPS) oraz zewnętrzny miernik cyfrowy ustawiony w tryb pracy woltomierza napięcia stałego. 3. W obwodzie kolektora umieść stałe źródło napięcia o wartości +15 V (Power Supply) oraz amperomierz z zestawu NI ELVIS II. 4. Na pulpicie sterowania VPS wybierz opcję Manual ze zwrotnym pomiarem napięcia zasilania (U zb ). 5. Poprzez regulację VPS ustaw minimalne napięcie zasilania w obwodzie bazy. Czy płynie wtedy prąd w obwodzie bazy? (Prąd w obwodzie bazy można wyznaczyć znając napięcie zasilania i napięcie na złączu baza emiter z zależności I B =U R1 /R 1 =(U zb - U BE )/R 1. Czy płynie Strona 4 z 8

5 wtedy prąd w obwodzie kolektora? Jeżeli przez tranzystor nie płynie prąd to mówimy, że jest on zatkany lub odcięty. 6. Wymuszając zmiany napięcia zasilania U zb w obwodzie bazy poprzez regulację VPS obserwuj i notuj w tabeli 1 napięcie zasilania oraz wskazania woltomierza w obwodzie bazy i amperomierza w obwodzie kolektora. Tab. 1. Wyniki pomiarów do charakterystyki przejściowej tranzystora 2N2222A w układzie WE L.p. U zb [V] U BE [V] I C [ma] I B = (U zb - U BE )/R 1 [µa] β = h 21 E =IC/IB U CE = U zc I C R 2 [V] Obserwując wskazania amperomierza z pewnością zaobserwujesz, że przy pewnej wartości prądu kolektora I C (jakiej?), dalszy wzrost napięcia zasilania w obwodzie bazy (i co jest z tym związane prądu bazy) nie powoduje już wzrostu prądu kolektora. Mówimy, że tranzystor jest wtedy w stanie nasycenia. Z czego wynika wartość prądu kolektora w stanie nasycenia? 8. Dla każdego pomiaru oblicz prąd płynący w obwodzie bazy I B z zależności (korzystamy z prawa Ohma dla rezystora R 1 i II prawa Kirchhoffa dla obwodu bazy) I B = U R1 /R 1 = (U zb - U BE )/R Dla każdego pomiaru wyznacz wzmocnienie prądowe tranzystora β. Czy wartość tego wzmocnienia jest stała? 10. Dla każdego pomiaru oblicz napięcie pomiędzy kolektorem i emiterem U CE z zależności (korzystamy z II prawa Kirchhoffa dla obwodu kolektora i prawa Ohma dla rezystora R 2 ) U CE = U zc - U R2 = U zc - I C R 2. U zc oznacza napięcie zasilania w obwodzie kolektora (zmierzone w punkcie 3). 11. Sporządź wykres charakterystyki przejściowej tranzystora I C = f(u BE ). 12. Sporządź wykres zależności prądu kolektora od prądu bazy I C = f(i B ). 13. Sporządź wykres zależności U CE = f(u BE ) napięcia kolektor-emiter (na wyjściu) od napięcia baza-emiter (na wejściu). 14. Na wykresie U CE = f(u BE ) wskaż obszar zatkania tranzystora (nie płynie prąd kolektora, napięcie zasilania w układzie kolektora jest równe napięciu kolektor-emiter), obszar nasycenia (zwiększanie napięcia baza-emiter U BE i co za tym idzie prądu bazy nie powoduje zmiany napięcia kolektor-emiter U CE, prąd kolektora jest maksymalny) oraz obszar liniowy pracy tranzystora (zmiana napięcia na wejściu powoduje proporcjonalną do niej zmianę napięcia na wyjściu). 15. Jaką rolę pełni tranzystor w układzie, jeśli jest tylko przełączany ze stanu zatkania do stanu nasycenia i odwrotnie? 16. Czy w obszarze liniowym pracy tranzystora zwiększenie napięcia U BE powoduje zwiększenie czy zmniejszenie napięcia U CE? 17. W liniowym obszarze pracy tranzystora wyznacz z wykresu U CE = f(u BE ) współczynnik wzmocnienia napięciowego U CE / U BE. 18. Co oznacza termin punkt pracy tranzystora? 19. Patrząc na wykres U CE = f(u BE ) zastanów się dlaczego przy pracy tranzystora jako wzmacniacza napięć zmiennych, należy wejściowy przebieg zmienny nałożyć na stałe napięcie polaryzacji? Strona 5 z 8

6 Ćwiczenie nr 2 Tranzystor w układzie WE jako wzmacniacz sygnałów zmiennych 1. Zbuduj układ jak na rys Na jeden kanał oscyloskopu podłącz, wykorzystując wejście analogowe AI0, napięcie pomiędzy bazą a masą (bazę połącz z AI0+ zaś masę z AI0-). Na drugi kanał oscyloskopu podłącz, wykorzystując wejście analogowe AI1, napięcie pomiędzy kolektorem o masą (kolektor połącz z AI1+ zaś masę z AI1-). 3. Na pulpicie sterowania generatora sygnałów wybierz sygnał sinusoidalny o częstotliwości 100 Hz i napięciu międzyszczytowym 0,2 V. 4. Zapewnij punkt pracy tranzystora umożliwiający obserwację wzmocnienia sygnału zmiennego (VPS ustaw na około 5 V). Naszkicuj (wykonaj zdjęcie) oscylogramy przebiegów na wejściu i wyjściu. 5. Zmieniaj wartość amplitudy zmiennego źródła napięcia z FGEN, aby uzyskać widoczne zniekształcenia sygnału na wyjściu. Naszkicuj (wykonaj zdjęcie) oscylogramy przebiegów ze zniekształceniami. Na czym te zniekształcenia polegają? Z czego one wynikają? 6. Zmieniaj wartość napięcia VPS i obserwuj wpływ punktu pracy tranzystora na pojawienie się zniekształceń. Wyjaśnij wyniki swoich obserwacji. R 2 = 820 R 1 = 47 k PS (+15 V) VPS (0-12 V) C = 220 nf FGEN R 3 = 120 Rys. 5. Schemat układu, w którym tranzystor w układzie WE pełni rolę wzmacniacza Ćwiczenie nr 3 Charakterystyka wyjściowa tranzystora w układzie WE 1. Zmierz i zanotuj wartość napięcia źródła napięcia stałego (+5V) na płycie NI ELVIS II. 2. Zbuduj układ jak na rysunku Zmierz i zanotuj wartość napięcia na złączu baza- emiter U BE. 4. Oblicz prąd bazy I B = U R1 /R 1 = (U zb - U BE )/R Zmieniaj wartość napięcia zasilania w obwodzie kolektora mierząc jednocześnie wartość tego napięcia zasilania (równą napięciu na złączu kolektor emiter U CB ) oraz prąd kolektora I C. Wyniki wpisz do tabeli 2. Zaobserwuj, czy napięcie U BE (prąd bazy) ulega zmianie? 6. Sporządź wykres zależności prądu kolektora, jako funkcji napięcia na złączu kolektor-emiter I C = f(u CE ) przy stałym prądzie bazy I B = const. Jest to charakterystyka wyjściowa tranzystora w układzie WE. 7. Podsumuj wyniki swoich obserwacji i pomiarów. Strona 6 z 8

7 Rys. 6. Schemat układu do pomiaru charakterystyki wyjściowej tranzystora w układzie WE Tab. 2. Wyniki pomiarów do charakterystyki wyjściowej tranzystora 2N2222A w układzie WE L.p. U CE [V] I C [ma] PODSUMOWANIE W wyniku przeprowadzonego ćwiczenia, a także ćwiczeń poprzednich student powinien nabyć bądź utrwalić następujące umiejętności: rozumienie zasady działania tranzystora bipolarnego, poznanie sposobów polaryzacji i układów pracy tranzystorów bipolarnych, poznanie pracy tranzystora jako wzmacniacza w układzie WE. LITERATURA [1] Górecki P.: Elektronika dla wszystkich, Tranzystory dla początkujących cykl artykułów. anzystory%20dla%20poczatkujacych/ (dostęp grudzień 2012). [2] Horowitz P., Hill W.: Sztuka Elektroniki cz. 1, wydanie 9, WKŁ, Warszawa Strona 7 z 8

8 [3] Kuphaldt T. R.: Lessons In Electric Circuits, Volume VI Experiments. (dostęp październik 2010). [4] Kuphaldt T. R.: Lessons In Electric Circuits, Volume I DC, (dostęp październik 2010). [5] Kybett H., Boysen E.: Elektronika dla każdego. Przewodnik, Helion, Gliwice, [6] Rusek M., Pasierbiński J.: Elementy i układy elektroniczne w pytaniach i odpowiedziach, WNT, Warszawa, Strona 8 z 8

Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech. Elektronika. Laboratorium nr 3. Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne

Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech. Elektronika. Laboratorium nr 3. Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Elektronika Laboratorium nr 3 Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne SPIS TREŚCI Spis treści... 2 1. Cel ćwiczenia... 3 2. Wymagania...

Bardziej szczegółowo

Pomiary podstawowych wielkości elektrycznych: prawa Ohma i Kirchhoffa. Katedra Architektury Komputerów i Telekomunikacji

Pomiary podstawowych wielkości elektrycznych: prawa Ohma i Kirchhoffa. Katedra Architektury Komputerów i Telekomunikacji Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Elektronika Laboratorium nr 1 Temat: Pomiary podstawowych wielkości elektrycznych: prawa Ohma i Kirchhoffa Katedra Architektury Komputerów i Telekomunikacji

Bardziej szczegółowo

Sprzęt i architektura komputerów

Sprzęt i architektura komputerów Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Sprzęt i architektura komputerów Laboratorium Temat:Pomiary podstawowych wielkości elektryczych: prawa Ohma i Kirchhoffa Katedra Architektury

Bardziej szczegółowo

Sprzęt i architektura komputerów

Sprzęt i architektura komputerów Krzysztof Makles Sprzęt i architektura komputerów Laboratorium Temat: Elementy i układy półprzewodnikowe Katedra Architektury Komputerów i Telekomunikacji Zakład Systemów i Sieci Komputerowych SPIS TREŚCI

Bardziej szczegółowo

Elektronika. Laboratorium nr 2. Liniowe i nieliniowe elementy elektroniczne Zasada superpozycji i twierdzenie Thevenina

Elektronika. Laboratorium nr 2. Liniowe i nieliniowe elementy elektroniczne Zasada superpozycji i twierdzenie Thevenina Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Elektronika Laboratorium nr 2 emat: Liniowe i nieliniowe elementy elektroniczne Zasada superpozycji i twierdzenie hevenina SPIS REŚCI Spis treści...2

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: UKŁADY ELEKTRONICZNE 2 (TS1C500 030) Tranzystor w układzie wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki nstrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONCZNE TS1C300 018 BAŁYSTOK 013 1. CEL ZAKRES ĆWCZENA LABORATORYJNEGO

Bardziej szczegółowo

Elektronika. Wzmacniacz tranzystorowy

Elektronika. Wzmacniacz tranzystorowy LABORATORIUM Elektronika Wzmacniacz tranzystorowy Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Podstawowych parametrów elektrycznych i charakterystyk graficznych tranzystorów bipolarnych.

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK

Bardziej szczegółowo

Tranzystor bipolarny

Tranzystor bipolarny Tranzystor bipolarny 1. zas trwania: 6h 2. ele ćwiczenia adanie własności podstawowych układów wykorzystujących tranzystor bipolarny. 3. Wymagana znajomość pojęć zasada działania tranzystora bipolarnego,

Bardziej szczegółowo

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO CEL poznanie charakterystyk tranzystora bipolarnego w układzie WE poznanie wybranych parametrów statycznych tranzystora bipolarnego w układzie WE PRZEBIEG ĆWICZENIA: 1.

Bardziej szczegółowo

BADANIE ELEMENTÓW RLC

BADANIE ELEMENTÓW RLC KATEDRA ELEKTRONIKI AGH L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE BADANIE ELEMENTÓW RLC REV. 1.0 1. CEL ĆWICZENIA - zapoznanie się z systemem laboratoryjnym NI ELVIS II, - zapoznanie się z podstawowymi

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5 Temat: Charakterystyki statyczne tranzystorów bipolarnych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowonapięciowych i wybranych parametrów

Bardziej szczegółowo

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 4 Temat: PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE TRANZYSTOR BIPOLARNY Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data

Bardziej szczegółowo

Sprzęt i architektura komputerów

Sprzęt i architektura komputerów Krzysztof Makles Sprzęt i architektura komputerów Laboratorium Temat: Obsługa NI ELVIS II Katedra Architektury Komputerów i Telekomunikacji Zakład Systemów i Sieci Komputerowych SPIS TREŚCI 1. Wymagania...

Bardziej szczegółowo

ELEKTRONIKA. Generatory sygnału prostokątnego

ELEKTRONIKA. Generatory sygnału prostokątnego LABORATORIUM ELEKTRONIKA Generatory sygnału prostokątnego Opracował: mgr inż. Tomasz Miłosławski Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Zasada działania, schemat i zastosowania tranzystorowego multiwibratora

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006

Bardziej szczegółowo

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie liniowych układów ze wzmacniaczem operacyjnym (2h)

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie liniowych układów ze wzmacniaczem operacyjnym (2h) ĆWICZENIE LABORATORYJNE TEMAT: Badanie liniowych układów ze wzmacniaczem operacyjnym (2h) 1. WPROWADZENIE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego

Bardziej szczegółowo

Elektronika. Wzmacniacz operacyjny

Elektronika. Wzmacniacz operacyjny LABORATORIUM Elektronika Wzmacniacz operacyjny Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Podstawowych parametrów elektrycznych wzmacniaczy operacyjnych. 2. Układów pracy wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne

Bardziej szczegółowo

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH L B O R T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRMETRY MŁOSYGNŁOWE TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH REV. 1.0 1. CEL ĆWICZENI - celem ćwiczenia jest zapoznanie się z metodami pomiaru i wyznaczania parametrów małosygnałowych

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTORY BIPOLARNE

TRANZYSTORY BIPOLARNE Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego TRANZYSTORY BIPOLARNE Instrukcję opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Tranzystory bipolarne rodzaje, typowe parametry i charakterystyki,

Bardziej szczegółowo

Laboratorium z Układów Elektronicznych Analogowych

Laboratorium z Układów Elektronicznych Analogowych Laboratorium z Układów Elektronicznych Analogowych Wpływ ujemnego sprzężenia zwrotnego (USZ) na pracę wzmacniacza operacyjnego WYMAGANIA: 1. Klasyfikacja sprzężeń zwrotnych. 2. Wpływ sprzężenia zwrotnego

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI TRANZYSTOR BIPOLARNY

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI TRANZYSTOR BIPOLARNY ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 3 TRANZYSTOR BIPOLARNY

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie

Bardziej szczegółowo

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Na podstawie instrukcji Wtórniki Napięcia,, Laboratorium układów Elektronicznych Opis badanych układów Spis Treści 1. CEL ĆWICZENIA... 2 2.

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów. ĆWICZENIE 4 Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z układami zasilania tranzystorów. Wybór punktu pracy tranzystora. Statyczna prosta pracy. II. Układ

Bardziej szczegółowo

STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych

STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z problemami związanymi z projektowaniem, realizacją i pomiarami

Bardziej szczegółowo

Wprowadzenie do programu MultiSIM

Wprowadzenie do programu MultiSIM Ćw. 1 Wprowadzenie do programu MultiSIM 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z programem MultiSIM służącym do symulacji działania układów elektronicznych. Jednocześnie zbadane zostaną podstawowe

Bardziej szczegółowo

Pomiar parametrów tranzystorów

Pomiar parametrów tranzystorów Instytut Fizyki ul Wielkopolska 5 70-45 Szczecin Pracownia Elektroniki Pomiar parametrów tranzystorów (Oprac dr Radosław Gąsowski) Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: zasada działania tranzystora

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym

ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym 4. PRZEBIE ĆWICZENIA 4.1. Wyznaczanie parametrów wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym złączowym w

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA ENS1C300 022 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2013 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE e LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 3 Pomiary wzmacniacza operacyjnego Wykonując pomiary PRZESTRZEGAJ

Bardziej szczegółowo

Pracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 1 Pomiar wielkości elektrycznych z wykorzystaniem instrumentów NI ELVIS II

Pracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 1 Pomiar wielkości elektrycznych z wykorzystaniem instrumentów NI ELVIS II Małgorzata Marynowska Uniwersytet Wrocławski, I rok Fizyka doświadczalna II stopnia Prowadzący: dr M. Grodzicki Data wykonania ćwiczenia: 03.03.2015, 10.03.2015 Pracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH Ćwiczenie 7 PRMETRY MŁOSYGNŁO TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH Wstęp Celem ćwiczenia jest wyznaczenie niektórych parametrów małosygnałowych hybrydowego i modelu hybryd tranzystora bipolarnego. modelu Konspekt przygotowanie

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU

Bardziej szczegółowo

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

PRACOWNIA ELEKTRONIKI PRACOWNIA ELEKTRONIKI Ćwiczenie nr 4 Temat ćwiczenia: Badanie wzmacniacza UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI 1. 2. 3. Imię i Nazwisko 1 szerokopasmowego RC 4. Data wykonania

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM ELEKTRONIKI Ćwiczenie 3 Wybór i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnego el ćwiczenia elem ćwiczenia jest poznanie wpływu ustawienia punktu pracy tranzystora na pracę wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów Cele: Wyznaczenie charakterystyk dla diod i tranzystorów. Dla diod określa się zależność I d =f(u d ) prądu od napięcia i napięcie progowe U p. Dla tranzystorów

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 ZASTOSOWANIE WZMACNIACZY OPERACYJNYCH W UKŁADACH

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU

Bardziej szczegółowo

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych

Bardziej szczegółowo

ZŁĄCZOWE TRANZYSTORY POLOWE

ZŁĄCZOWE TRANZYSTORY POLOWE L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE ZŁĄCZOWE TRANZYSTORY POLOWE RE. 0.4 1. CEL ĆWICZENIA Wyznaczenie podstawowych parametrów tranzystora unipolarnego takich jak: o napięcie progowe, o transkonduktancja,

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie wzmacniacza różnicowego i określenie parametrów wzmacniacza operacyjnego

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Badanie wzmacniacza różnicowego i określenie parametrów wzmacniacza operacyjnego ĆWICZENIE LABORATORYJNE TEMAT: Badanie wzmacniacza różnicowego i określenie parametrów wzmacniacza operacyjnego 1. WPROWADZENIE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się ze wzmacniaczem różnicowym, który

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

ELEMENTY ELEKTRONICZNE KATEDRA ELEKTRONIKI AGH L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE DIODY REV. 1.2 1. CEL ĆWICZENIA - pomiary charakterystyk stałoprądowych diod prostowniczych, świecących oraz stabilizacyjnych - praktyczne

Bardziej szczegółowo

ZŁĄCZOWY TRANZYSTOR POLOWY

ZŁĄCZOWY TRANZYSTOR POLOWY L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE ZŁĄCZOWY TRANZYSTOR POLOWY RE. 2.0 1. CEL ĆWICZENIA - Pomiary charakterystyk prądowo-napięciowych tranzystora. - Wyznaczenie podstawowych parametrów tranzystora

Bardziej szczegółowo

Liniowe stabilizatory napięcia

Liniowe stabilizatory napięcia . Cel ćwiczenia. Liniowe stabilizatory napięcia Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości stabilizatora napięcia zbudowanego na popularnym układzie scalonym. Zakres ćwiczenia obejmuje projektowanie

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp)

Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp) Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp) Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych w układach

Bardziej szczegółowo

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego, poznanie jego charakterystyki przejściowej

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki Tranzystory bipolarne Ćwiczenie 3 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora bipolarnego.

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe właściwości jednostopniowego wzmacniacza pasmowego z tranzystorem bipolarnym. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru częstotliwości

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów ĆWICZENIE LBORTORYJNE TEMT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów 1. WPROWDZENIE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i zasadą działania podstawowych rodzajów diod półprzewodnikowych

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 12 Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego emitera. Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 12 Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego emitera. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 12 Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnego emitera. Cel ćwiczenia Poznanie konfiguracji zasady pracy wzmacniacza w układzie OE. Wyznaczenie charakterystyk wzmacniacza w układzie OE. Czytanie schematów

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKA. Opracował: mgr inż. Tomasz Miłosławski

LABORATORIUM ELEKTRONIKA. Opracował: mgr inż. Tomasz Miłosławski LABORATORIUM ELEKTRONIKA Generatory drgań sinusoidalnych Opracował: mgr inż. Tomasz Miłosławski Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Rodzaje generatorów. 2. Warunki generacji generatorów RC z przesuwnikiem

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ OPERACYJNY

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ OPERACYJNY ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 8 WZMACNIACZ OPERACYJNY DO

Bardziej szczegółowo

2. Który oscylogram przedstawia przebieg o następujących parametrach amplitudowo-czasowych: Upp=4V, f=5khz.

2. Który oscylogram przedstawia przebieg o następujących parametrach amplitudowo-czasowych: Upp=4V, f=5khz. 1. Parametr Vpp zawarty w dokumentacji technicznej wzmacniacza mocy małej częstotliwości oznacza wartość: A. średnią sygnału, B. skuteczną sygnału, C. maksymalną sygnału, D. międzyszczytową sygnału. 2.

Bardziej szczegółowo

Ćw. 0 Wprowadzenie do programu MultiSIM

Ćw. 0 Wprowadzenie do programu MultiSIM Ćw. 0 Wprowadzenie do programu MultiSIM 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z programem MultiSIM słuŝącym do symulacji działania układów elektronicznych. Jednocześnie zbadane zostaną podstawowe

Bardziej szczegółowo

Tranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6

Tranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6 Tranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6 Marcin Polkowski (251328) 10 maja 2007 r. Spis treści I Laboratorium 5 2 1 Wprowadzenie 2 2 Pomiary rodziny charakterystyk 3 II Laboratorium 6 7 3 Wprowadzenie 7

Bardziej szczegółowo

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Legnicy Laboratorium Podstaw Elektroniki i Miernictwa Ćwiczenie nr 5 WZMACNIACZ OPERACYJNY A. Cel ćwiczenia. - Przedstawienie właściwości wzmacniacza operacyjnego - Zasada

Bardziej szczegółowo

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

ELEMENTY ELEKTRONICZNE KATEDRA ELEKTRONIKI AGH L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE DIODY REV. 2.0 1. CEL ĆWICZENIA - pomiary charakterystyk stałoprądowych diod prostowniczych, świecących oraz stabilizacyjnych - praktyczne

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C300 018 Układy polaryzacji i stabilizacji punktu

Bardziej szczegółowo

Pomiar podstawowych parametrów liniowych układów scalonych

Pomiar podstawowych parametrów liniowych układów scalonych Instytut Fizyki ul Wielkopolska 15 70-451 Szczecin 5 Pracownia Elektroniki Pomiar podstawowych parametrów liniowych układów scalonych Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: wzmacniacz operacyjny,

Bardziej szczegółowo

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Legnicy Laboratorium Podstaw Elektroniki i Miernictwa Ćwiczenie nr 17 WZMACNIACZ OPERACYJNY A. Cel ćwiczenia. - Przedstawienie właściwości wzmacniacza operacyjnego -

Bardziej szczegółowo

Badanie wzmacniacza operacyjnego

Badanie wzmacniacza operacyjnego Badanie wzmacniacza operacyjnego CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i komparatorów oraz możliwości wykorzystania ich do realizacji bloków funkcjonalnych poprzez dobór

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Wzmacniacze operacyjne

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Wzmacniacze operacyjne AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki 2014 r. Wzmacniacze operacyjne Ćwiczenie 4 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i wybranymi zastosowaniami wzmacniaczy

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A)

TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A) TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A) obciąże nie dynamiczne +1 +1 + 1 R 47k z erowanie R 8 3k R 9 6, 8 k R 11 6,8 k R 12 3k + T 6 BC17 T 7 BC17 + R c 20k zespół sterowania WY 1 R 2k R 23 9 R c dyn R

Bardziej szczegółowo

Badanie diody półprzewodnikowej

Badanie diody półprzewodnikowej Instytut Fizyki ul Wielkopolska 5 70-45 Szczecin 2 Pracownia Elektroniki Badanie diody półprzewodnikowej Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: (Oprac dr Radosław Gąsowski) półprzewodniki samoistne

Bardziej szczegółowo

Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych

Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STDIA DZIENNE e LABOATOIM PZYZĄDÓW PÓŁPZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr Pomiar częstotliwości granicznej f T tranzystora bipolarnego Wykonując

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Elektroniki

Laboratorium Elektroniki Wydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki Badanie wzmacniaczy tranzystorowych i operacyjnych 1. Wstęp teoretyczny Wzmacniacze są bardzo często i szeroko stosowanym układem elektronicznym.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Ćwiczenie 5 Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Układ Super Alfa czyli tranzystory w układzie Darlingtona Zbuduj układ jak na rysunku i zaobserwuj dla jakiego położenia potencjometru

Bardziej szczegółowo

Tranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr

Tranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr Tranzystor Program: Coach 6 Projekt: komputer H : C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz1.cmr C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Poznanie podstawowych własności tranzystora. Wyznaczenie prądów tranzystorów typu n-p-n i p-n-p. Czytanie schematów

Bardziej szczegółowo

Przetworniki AC i CA

Przetworniki AC i CA KATEDRA INFORMATYKI Wydział EAIiE AGH Laboratorium Techniki Mikroprocesorowej Ćwiczenie 4 Przetworniki AC i CA Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie budowy i zasady działania wybranych rodzajów przetworników

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie C2 Tranzystory. Wydział Fizyki UW

Ćwiczenie C2 Tranzystory. Wydział Fizyki UW Wydział Fizyki UW Pracownia fizyczna i elektroniczna (w tym komputerowa) dla Inżynierii Nanostruktur (1100-1INZ27) oraz Energetyki i Chemii Jądrowej (1100-1ENPRFIZELEK2) Ćwiczenie C2 Tranzystory Streszczenie

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 13. Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnej bazy. Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 13. Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnej bazy. Cel ćwiczenia Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnej bazy. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 13 Poznanie zasady pracy wzmacniacza w układzie OB. Wyznaczenie charakterystyk wzmacniacza w układzie OB. Czytanie schematów elektronicznych.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZ OPERACYJNY

WZMACNIACZ OPERACYJNY 1. OPIS WKŁADKI DA 01A WZMACNIACZ OPERACYJNY Wkładka DA01A zawiera wzmacniacz operacyjny A 71 oraz zestaw zacisków, które umożliwiają dołączenie elementów zewnętrznych: rezystorów, kondensatorów i zwór.

Bardziej szczegółowo

Stabilizacja napięcia. Prostowanie i Filtracja Zasilania. Stabilizator scalony µa723

Stabilizacja napięcia. Prostowanie i Filtracja Zasilania. Stabilizator scalony µa723 LABORATORIUM Stabilizacja napięcia Prostowanie i Filtracja Zasilania Stabilizator scalony µa723 Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka Wymagania: - Układy prostowników półokresowych i pełnookresowych. - Filtracja

Bardziej szczegółowo

Generatory sinusoidalne LC

Generatory sinusoidalne LC Ćw. 5 Generatory sinusoidalne LC. Cel ćwiczenia Tematem ćwiczenia są podstawowe zagadnienia dotyczące generacji napięcia sinusoidalnego. Ćwiczenie składa się z dwóch części. Pierwsza z nich, mająca charakter

Bardziej szczegółowo

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych

Bardziej szczegółowo

Ćw. 0: Wprowadzenie do programu MultiSIM

Ćw. 0: Wprowadzenie do programu MultiSIM Ćw. 0: Wprowadzenie do programu MultiSIM Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z programem MultiSIM przeznaczonym do analiz i symulacji działania układów elektronicznych. Zaznajamianie się z tym programem

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

ELEMENTY ELEKTRONICZNE KATEA ELEKTONIKI AGH L A B O A T O I U M ELEMENTY ELEKTONICZNE ZASTOSOWANIE IO EV. 1.2 Laboratorium Elementów Elektronicznych: ZASTOSOWANIE IO 1. CEL ĆWICZENIA - praktyczna weryfikacja działania diodowych:

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem bipolarnym (2 h)

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem bipolarnym (2 h) ĆWCZENE LORTORYJNE TEMT: znaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem bipolarnym (2 h) 1. WPROWDZENE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i zasadą działania podstawoch

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZ ODWRACAJĄCY.

WZMACNIACZ ODWRACAJĄCY. Ćwiczenie 19 Temat: Wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia Poznanie zasady działania wzmacniacza odwracającego. Pomiar przebiegów wejściowego wyjściowego oraz wzmocnienia napięciowego wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy

Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy Ćwiczenie nr 65 Badanie wzmacniacza mocy 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych parametrów wzmacniaczy oraz wyznaczenie charakterystyk opisujących ich właściwości na przykładzie wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Uniwersytet Pedagogiczny

Uniwersytet Pedagogiczny Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 4 Temat: PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE TRANZYSTOR UNIPOLARNY Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data

Bardziej szczegółowo

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2 Ćwiczenie 2 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji parametrów odpowiadających im modeli małosygnałowych, poznanie metod

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów

Ćwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów LABORATORIM ELEKTRONIKI Spis treści Ćwiczenie - 4 Podstawowe układy pracy tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Podstawowe układy pracy tranzystora........................ 2 2.2 Wzmacniacz

Bardziej szczegółowo

Laboratorium elektroniki i miernictwa

Laboratorium elektroniki i miernictwa Numer indeksu 150946 Michał Moroz Imię i nazwisko Numer indeksu 151021 Paweł Tarasiuk Imię i nazwisko kierunek: Informatyka semestr 2 grupa II rok akademicki: 2008/2009 Laboratorium elektroniki i miernictwa

Bardziej szczegółowo

Badanie wzmacniacza niskiej częstotliwości

Badanie wzmacniacza niskiej częstotliwości Instytut Fizyki ul Wielkopolska 5 70-45 Szczecin 9 Pracownia Elektroniki Badanie wzmacniacza niskiej częstotliwości (Oprac dr Radosław Gąsowski) Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: klasyfikacje

Bardziej szczegółowo