Podstawowe konfiguracje wzmacniaczy tranzystorowych
|
|
- Krzysztof Madej
- 7 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Podstawo koniacje wzmacniaczy tanzystoowych Wocław 05 Klasyikacja wzmacniaczy Ze wzlęd na zastosowany element steowany: -- lampo -- tanzystoo
2 Klasyikacja wzmacniaczy Ze wzlęd na zakes częstotliwości wzmacnianych synałów: -- pąd stałeo, -- małej częstotliwości (m.cz.), -- wielkiej częstotliwości (w.cz.). wzmocnienie stałopądo m. cz. w. cz. Hz 0Hz 00Hz khz 0kHz 00kHz MHz 0MHz 00MHz GHz 0GHz -- selektywne ( óna / dolna ), -- szeokopasmo ( óna / dolna >> ). Klasyikacja wzmacniaczy Ze wzlęd na odzaj spzężenia między wzmacniaczem a obciążeniem lb kolejnym stopniem wzmacniacza: -- o spzężeni pojemnościowym (), -- o spzężeni tansomatoowym, -- o spzężeni zpośednim (alwanicznym). wzmacniane synały zmienne (napięcie stałe nie pzedostaje się na następny stopień), np. wzmacniacze akstyczne wzmacniane synały zmienne i stałe zastosowanie wzmacniaczach pąd stałeo
3 Klasyikacja wzmacniaczy Ze wzlęd na położeni p.p. na ch-yce tanzystoa oaz amplitdy synał jścioo (podział łównie wzmacniaczy mocy): -- klasa A (p.p. na linioj części ch-yki a amplitda synał j. na tyle mała, że pzez cały okes synały j. tanzysto pzewodzi pąd stan aktywny), -- klasa (p.p. tak dobany, że tanzysto pzewodzi pąd tylko pzez połowę okes pzez dą połowę jest zatkany), -- klasa A (tanzysto pzewodzi pzez większość część okes synał j.), -- klasa (tanzysto pzewodzi pzez mniejszą część okes synał j.). Wzmacniacze tanzystoo Tanzysto w kładzie wzmacniacza: -źódło synał i obciążenie dołączone do tanzystoa pzez obwody spzęające, - synał wyjściowy powinien być niezniekształcony, - stalony p.p. dostosowany do amplitdy wzmacnianeo synał, - moc wyjściowa większa niż synał stejąceo. 3
4 Podstawo koniacje wzmacniaczy + + W + W W WK W W G G G D + D + D WG + D D WS W WD W W G S S G S G S G haakteystyka amplitdowa wzmacniacza k [d] małe zakes częstotliowsci śednie dże k 0 3d d [lo] 4
5 haakteystyka amplitdowa wzmacniacza Wzmacniacze stosje się do wzmacniania synałów o szeokim widmie częstotliwości, np. synały akstyczne (stosnek częstotliwości ónej do dolnej wynosi 000). Pzy tak szeokim zakesie inne zjawiska wpływają na pzebie chaakteystyki pzy małych a inne pzy dżych częstotliwościach. Konieczne jest zatem badanie właściwości wzmacniacza oddzielnie w óżnych zakesach częstotliwości. haakteystyka amplitdowa wzmacniacza k zakes częstotliowsci [d] małe śednie dże k 0 3d Wpływ na kształt chaakteystyki wzmacniacza mają: d [lo] pzy małych spadek k na sktek wzost eaktancji kondensatoów w kładzie wzmacniacza, pzy dżych spadek k na sktek spadk wzmocnienia sameo tanzystoa (wpływ pojemności międzyelektodowych) oaz wpływ pojemności pasożytniczych wzmacniacza, pzy śednich k const, elementy eaktancyjne nie mają wpływ na watość wzmocnienia a schemat wzmacniacza opisywany jest jedynie paametami zeczywistymi. 5
6 Decylo wzmocnienie mocy (decil po ain) Decylo wzmocnienie mocy (decil po ain) 6
7 Decylo wzmocnienie mocy (decil po ain) Decylo wzmocnienie napięcio (decil voltae ain) 7
8 Decylo wzmocnienie napięcio (decil voltae ain) Wzmocnienie wzmacniacza (W/W V/V) 8
9 Zakes śednich częstotliwości k [d] małe zakes częstotliowsci śednie dże k 0 3d d [lo] Zakes śednich częstotliwości Paamety obocze wzmacniacza Koniacja W schemat zastępczy + W M O D L W G W W m ce G G 9
10 G i Zakes śednich częstotliwości Paamety obocze wzmacniacza Koniacja W ezystancja j. i wyj. W i b i c m ce ce i wy wy i l IQ m ϕ T m β IQ ce U + U Y Q T T ib wyt ce wy ic ce wy i 4 43 >> wy wy ce iwy ce >> G i Zakes śednich częstotliwości Paamety obocze wzmacniacza Koniacja W skteczne wzmocnienie napięcio W i b i c m ce ce i wy wy i l IQ m ϕ T m β IQ ce U + U Y Q k k k sk i wy wy c sk γ e ic 443 { { ( ) obc m { e ce γ + γ - napięciowy współczynnik wykozystania obwod jścioo wzmacniacza 0
11 I G i Zakes śednich częstotliwości Paamety obocze wzmacniacza Koniacja W skteczne wzmocnienie pądo i W i b k isk i c m βi b ce ce i wy wy i l IQ m ϕ T m β IQ ce U + U Y Q k isk il i il ic ib i wy ( β ) ic ib i i wy { ki γ i ki k γ i γ i - pądowy współczynnik wykozystania obwod jścioo wzmacniacza Zakes śednich częstotliwości Paamety obocze wzmacniacza Koniacja W ze SZ pądowym Wsktek nieliniowości ch-yki pzejścioj tanzystoa pojawiają się zniekształcenia synał wyjścioo. Miaą tych zniekształceń jest współczynnik zawatości hamonicznych watosc _ skteczna _ hamonicznych h 00% watosc _ skteczna _ caleo _ synal n U n 00% U Wpowadzenie do kład spzężenia zwotneo jemneo (część synał wyjścioo pzeciwdziała synałowi jściom), powodje znaczne zmniejszenie wpływ nieliniowości ch-yki i popawę wanków działania wzmacniacza.
12 Zakes śednich częstotliwości Paamety obocze wzmacniacza Koniacja W ze SZ pądowym Spzężenie zwotne jemne - odzaje N- N-S I Iin I Z Iin I I Y Uin k U U Zobc U U Uin k U U Zobc I β Z β Z Z P- P-S I Iin I Z Iin I I Y Uin k U U U Uin k U I Zobc I Zobc β Z Z β Z Zakes śednich częstotliwości Paamety obocze wzmacniacza Koniacja W ze SZ pądowym Spzężenie zwotne jemne - właściwości spzężenie paamet N S P S N P k sk, k isk, k psk k k i Z Z wy
13 Zakes śednich częstotliwości Paamety obocze wzmacniacza Koniacja W ze SZ pądowym schemat zastępczy + W M O D L W m ce G G II twiedzenie Millea I I I I 3 3 U U I +I U 3 U 3 x U 3 U U3 U ( I I ) x ( I I ) x U U3 + + U U U + U3 I U + U 3 I I + x + I ( k i ) x I + x x I + k i 3
14 Zakes śednich częstotliwości Paamety obocze wzmacniacza Koniacja W ze SZ pądowym schemat zastępczy + W M O D L W m ce G G I I b I I c I c ( + β ) I + b I b + I + c β W G ( β + ) m ce G i Zakes śednich częstotliwości Paamety obocze wzmacniacza Koniacja W ze SZ pądowym ezystancja j. i wyj. W i b b e ( β +) i c m ce ce i wy wy i l IQ m ϕ T m β IQ ce U + U Y Q T b ' e + β + i b T ( ) wyt ce wyt ic ce wy i 4 43 T wy wy ce i wy >> ce 4
15 G Zakes śednich częstotliwości Paamety obocze wzmacniacza Koniacja W ze SZ pądowym skteczne wzmocnienie napięcio i W i b b e ( β +) i c m ce ce i wy wy i l IQ m ϕ T m β IQ ce U + U Y Q k sk k i wy wy c { { ( ) sk obc m γ ( ) { e ic e + β L wy k γ + m + m I G i Zakes śednich częstotliwości Paamety obocze wzmacniacza Koniacja W ze SZ pądowym skteczne wzmocnienie pądo i W i b b e ( β +) k isk i c m βi b ce ce i wy wy i l IQ m ϕ T m β IQ ce U + U Y Q k isk il i il ic ib i wy ( β ) ic ib i i wy + + [ + ( β + ) ] { ki γ i ki k γ i 5
16 Zakes śednich częstotliwości Paamety obocze wzmacniacza Koniacja WK schemat zastępczy + W M O D L W G G W m ce G Zakes śednich częstotliwości Paamety obocze wzmacniacza Koniacja W schemat zastępczy + M O D L W W G eb αi e G α współczynnik wzmocnienia pądoo tanzystoa w koniacji O I α I β β + 6
17 Zakes śednich częstotliwości Paamety obocze wzmacniacza Poównanie koniacji wzmacniaczy z tanzystoem bipolanym Paamet KONFIGUAJA W WK W Wzmocnienie napięcio m obc m obc k (dże) (dże) β ( β +) Max wzmocnienie pądo ( 0) k i (dże) (dże) ezystancja jściowa β obc eb (śednie) (dże zależy od ) (małe) G ezystancja wyjściowa + m β wy (dże) (małe zależy od ) (dże) m Zakes śednich częstotliwości Paamety obocze wzmacniacza Poównanie koniacji wzmacniaczy z tanzystoem nipolanym Paamet KONFIGUAJA WS WD WG Wzmocnienie napięcio k - m obc < m obc ezystancja jściowa G G ezystancja wyjściowa wy D ds + S m S G S + m D 7
18 Zakes dżych częstotliwości Góna częstotliwość aniczna k U [d] małe zakes częstotliowsci śednie dże k U 0 3d d [lo] Zakes dżych częstotliwości Góna częstotliwość aniczna Koniacja W i W i b X c bc Y i c i i l I ce G c m ce W kładzie występje spzężenie jścia z wyjściem (popzez bc ), aby łatwiej analizować, paszczamy schemat twoząc schemat nilatealny. Pzy twozeni schemat nilatealneo kozystamy z I twiedzenia Millea: Zjawisko zwielokotniania pojemności (oólnie amditancji) między jściem i wyjściem wzmacniacza, w stosnk zależnym od k 8
19 I twiedzenie Millea I Z I 3 I 3 I U U Z Z U U U U Z I U U Z I U I Z U I Z Z Z U U Z k Z Z U U Z k Zakes dżych częstotliwości Góna częstotliwość aniczna Koniacja W i W i b X c bc Y i c i i l I ce G c m ce bc zastępjemy pojemnościami X i Y ównolele włączonymi do i ce. X i Y takie by admitancja widziana z zacisków X- i Y- była taka sama dla ob schematów i W i b X Y i c i i l ce G c X m Y ce jω X I jω cbc U ( k ) I j ωy jω cbc j cbc << U k ω obc 9
20 Zakes dżych częstotliwości Góna częstotliwość aniczna Koniacja W k sk ( jω) k jω c jω c + G jω c k G + G + dzie: c c + c + c X bc ( k ) Góna częstotliwość aniczna wyznaczamy popzez wyliczenie biena nkcji k (jω). dzie: ω π ω c G + G + 0 π c G Zakes dżych częstotliwości Góna częstotliwość aniczna Koniacja W Watość ónej częstotliwości anicznej można oaniczać popzez dodanie do kład dodatkoo kondensatoa d pomiędzy a. Wówczas zastępcza pojemność jściowa kład: + W d c ( c + )( k ) c + bc d G 0
21 Zakes dżych częstotliwości Góna częstotliwość aniczna Koniacja W ze SZ i W ( ) i b β + X Y i c i i l b e ce G c X m Y ce c c + cbc + ( β + ) ( k ) π c G Zakes dżych częstotliwości Góna częstotliwość aniczna Koniacja WK c i W i b i e i i l bc ec G c bc m ce π G cbc + m c ce L
22 Zakes dżych częstotliwości Góna częstotliwość aniczna Koniacja W i W i e i i l eb cb eb c αi e c bc G π G eb c π c L bc Zazwyczaj stała czasowa obwod jścioo jest znacznie mniejsza niż wyjścioo, zatem: ze wzlęd na małe (paktycznie nie występje eekt Millea) kład stosowany łównie dla wysokich Zakes małych częstotliwości Dolna częstotliwość aniczna k U [d] małe zakes częstotliowsci śednie dże k U 0 3d d [lo]
23 W Zakes małych częstotliwości Dolna częstotliwość aniczna Koniacja W + Spadek wzmocnienia pzy niskich częstotliwościach jest sktkiem wzost eaktancji kondensatoów,, 3. Wpływ kondensatoów na ch-yki częstotliwościo bada się pzy oddzielnym wzlędnieni każdeo z kondensatoów. G I G Zakes małych częstotliwości Dolna częstotliwość aniczna Koniacja W m ce π π ( + ) ( + ) wy I G ( + β ) m ce ( + β ) ( + β ) + + π 3
24 Zakes małych częstotliwości Dolna częstotliwość aniczna Koniacja WK + W G π ( + ) π ( + ) wy Zakes małych częstotliwości Dolna częstotliwość aniczna Koniacja W + W G π π ( + ) π ( + ) wy 4
25 Zakes małych częstotliwości Dolna częstotliwość aniczna Watość dolnej częstotliwości anicznej będzie zależała od wzajemneo sytowania bienów składowych częstotliwości. Gdy istnieje bien dominjący, tzn. większy od największeo z pozostałych o co najmniej dwie oktawy (4 azy) to d pzyjmje watość: d Gdy wszystkie bieny nie są od siebie odlełe (wzajemne oddalenie mniejsze niż oktawy) to d pzyjmje watość: max d, n + n ilość bienów Gdy bieny są sobie ówne to d pzyjmje watość: d n 5
Podstawowe konfiguracje wzmacniaczy tranzystorowych
Politechnika Wocławska Podstawo koniacje wzmacniaczy tanzystoowych Wocław 00 Politechnika Wocławska Klasyikacja wzmacniaczy Ze wzlęd na zastosowany element steowany: -- lampo -- tanzystoo Politechnika
Podstawowe konfiguracje wzmacniaczy tranzystorowych. Klasyfikacja wzmacniaczy. Klasyfikacja wzmacniaczy
Podstawo konguacje wzmacnaczy tanzystoowych Wocław 08 Klasykacja wzmacnaczy Ze względu na zastosowany element steowany: -- lampo -- tanzystoo Klasykacja wzmacnaczy Ze względu na zakes częstotlwośc wzmacnanych
Wzmacniacze tranzystorowe prądu stałego
Wzmacniacze tanzystoo pądu stałego Wocław 03 kład Dalingtona (układ supe-β) C kład stosowany gdy potzebne duże wzmocnienie pądo (np. do W). C C C B T C B B T C C + β ' B B C β + ( ) C B C β β β B B β '
Politechnika Wrocławska Katedra Teorii Pola, Układów Elektronicznych i Optoelektroniki. Wykład 10 UKŁADY ELEKTRONICZNE
Kateda Teo Pola, Układów lektoncznych Optoelektonk Wykład 0 UKŁADY LKTONIZN Wocław 203 Klasyfkacja wzacnaczy Ze wzlęd na zastosowany eleent steowany: -- lapo -- tanzystoo Klasyfkacja wzacnaczy Ze wzlęd
Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki UKŁADY ELEKTRONICZNE. Wrocław 2009 WARUNKI ZALICZENIA
Poltechnka Wocławska Instytt Telekonkacj, Telenoatyk Akstyk UKŁAY LKTONIZN Wocław 009 Poltechnka Wocławska Instytt Telekonkacj, Telenoatyk Akstyk WAUNKI ZALIZNIA Pozytywne zalczene Pojekt I Pozytywna ocena
Podstawowe konstrukcje tranzystorów bipolarnych
Tanzystoy Podstawowe konstukcje tanzystoów bipolanych Zjawiska fizyczne występujące w tanzystoach bipolanych, a w związku z tym właściwości elektyczne tych tanzystoów, zaleŝą od ich konstukcji i technologii
Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych
Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału
Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza
Wzmacniacze. Klasyfikacja wzmacniaczy Wtórniki Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz operacyjny
Wzmacniacze Klasyfikacja wzmacniaczy Wtórniki Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz operacyjny Zasilanie Z i I we I wy E s M we Wzmacniacz wy Z L Masa Wzmacniacze 2 Podział wzmacniaczy na klasy Klasa A ηmax
A-3. Wzmacniacze operacyjne w układach liniowych
A-3. Wzmacniacze operacyjne w kładach liniowych I. Zakres ćwiczenia wyznaczenia charakterystyk amplitdowych i częstotliwościowych oraz parametrów czasowych:. wtórnika napięcia. wzmacniacza nieodwracającego
Ćwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów
LABORATORIM ELEKTRONIKI Spis treści Ćwiczenie - 4 Podstawowe układy pracy tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Podstawowe układy pracy tranzystora........................ 2 2.2 Wzmacniacz
OBWODY PRĄDU SINUSOIDALNEGO
aboatoium Elektotechniki i elektoniki Temat ćwiczenia: BOTOM 06 OBODY ĄD SSODEGO omiay pądu, napięcia i mocy, wyznaczenie paametów modeli zastępczych cewki indukcyjnej, kondensatoa oaz oponika, chaakteystyki
Wzmacniacz operacyjny zastosowania liniowe. Wrocław 2009
Wzmacniacz operacyjny zastosowania linio Wrocław 009 wzmocnienie różnico Pole wzmocnienia 3dB częstotliwość graniczna k D [db] -3dB 0dB/dek 0 db f ca f T Tłumienie sygnału wspólnego - OT ins M[ V / V ]
Układy zasilania tranzystorów
kłady zasilania tranzystorów Wrocław 2 Punkt pracy tranzystora B BQ Q Q Q BQ B Q Punkt pracy tranzystora Tranzystor unipolarny SS Q Q Q GS p GSQ SQ S opuszczalny obszar pracy (safe operating conditions
Pracownia Fizyczna i Elektroniczna 2014
Pracownia Fizyczna i Elektroniczna 04 http://pe.fw.ed.pl/ Wojciech DOMNK ozbłysk gamma GB 08039B 9.03.008 teleskop Pi of the Sky sfilmował najpotężniejszą eksplozję obserwowaną przez człowieka pierwszy
Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki
Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Na podstawie instrukcji Wtórniki Napięcia,, Laboratorium układów Elektronicznych Opis badanych układów Spis Treści 1. CEL ĆWICZENIA... 2 2.
Pracownia Fizyczna i Elektroniczna 2012
Pracownia Fizyczna i Elektroniczna 0 http://pe.fw.ed.pl/ Wojciech DOMNK Strktra kład doświadczalnego Zjawisko przyrodnicze detektor rządzenie pomiaro rządzenie konawcze interfejs reglator interfejs kompter
Pracownia Fizyczna i Elektroniczna 2017
Pracownia Fizyczna i Elektroniczna 7 http://pe.fw.ed.pl/ Wojciech DOMNK Strktra kład doświadczalnego Strktra kład doświadczalnego EKSPEYMENT EEKTONNY jawisko przyrodnicze detektor rządzenie pomiaro rządzenie
Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.
ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk
Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA
WFiIS LABORATORIM Z ELEKTRONIKI Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia
Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych
ĆWICZENIE 0 Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i właściwościami wzmacniaczy operacyjnych oraz podstawowych układów elektronicznych
LABORATORIUM ELEKTRONICZNYCH UKŁADÓW POMIAROWYCH I WYKONAWCZYCH. Badanie detektorów szczytowych
LABORATORIM ELEKTRONICZNYCH KŁADÓW POMIAROWYCH I WYKONAWCZYCH Badanie detektorów szczytoch Cel ćwiczenia Poznanie zasady działania i właściwości detektorów szczytoch Wyznaczane parametry Wzmocnienie detektora
WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC
WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe właściwości jednostopniowego wzmacniacza pasmowego z tranzystorem bipolarnym. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru częstotliwości
PROTOKÓŁ POMIAROWY - SPRAWOZDANIE
PROTOKÓŁ POMIAROWY - SPRAWOZDANIE LABORATORIM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI I ELEKTRONIKI Grupa Podgrupa Numer ćwiczenia 5 Nazwisko i imię Data wykonania. ćwiczenia. Prowadzący ćwiczenie Podpis Ocena sprawozdania
INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA
NSTRKJA DO ĆWZENA Temat: Rezonans w obwodach elektycznych el ćwiczenia elem ćwiczenia jest doświadczalne spawdzenie podstawowych właściwości szeegowych i ównoległych ezonansowych obwodów elektycznych.
Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych
Zastosowania nielinio wzmacniaczy operacyjnych Wrocław 2009 kłady logarytmjące kład logarytmjący powinien dawać proporcjonalne do logarytm. = k D log = k E ln gdzie: k D, k E stałe skalowania, k D = k
Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.
ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie
Obwody prądu zmiennego
Obwody prądu zmiennego Prąd stały ( ) ( ) i t u t const const ( ) u( t) i t Prąd zmienny, dowolne funkcje czasu i( t) t t u ( t) t t Natężenie prądu i umowny kierunek prądu Prąd stały Q t Kierunek poruszania
Wykład 2 Projektowanie cyfrowych układów elektronicznych
Wykład 2 Projektowanie cyfrowych układów elektronicznych Mgr inż. Łukasz Kirchner Lukasz.kirchner@cs.put.poznan.pl http://www.cs.put.poznan.pl/lkirchner Sztuka Elektroniki - P. Horowitz, W.Hill kłady półprzewodnikowe.tietze,
Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający
Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych
Ćwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy
Ćwiczenie nr 65 Badanie wzmacniacza mocy 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych parametrów wzmacniaczy oraz wyznaczenie charakterystyk opisujących ich właściwości na przykładzie wzmacniacza
Realizacja regulatorów analogowych za pomocą wzmacniaczy operacyjnych. Instytut Automatyki PŁ
ealizacja regulatorów analogowych za pomocą wzmacniaczy operacyjnych W6-7/ Podstawowe układy pracy wzmacniacza operacyjnego Prezentowane schematy podstawowych układów ze wzmacniaczem operacyjnym zostały
Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego
L A B O A T O I U M A N A L O G O W Y C H U K Ł A D Ó W E L E K T O N I C Z N Y C H Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego Ćwiczenie opracował Jacek Jakusz 4. Wstęp Ćwiczenie umożliwia pomiar
Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający
Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych
Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych
Zastosowania nielinio wzmacniaczy operacyjnych Wrocław 009 kład logarytmjący powinien dawać proporcjonalne do logarytm. = kd log = k E ln gdzie: k D, k E stałe skalowania, k D = k E ln0 napięcie normjące,
Zespół Szkół Łączności w Krakowie. Badanie parametrów wzmacniacza mocy. Nr w dzienniku. Imię i nazwisko
Klasa Imię i nazwisko Nr w dzienniku espół Szkół Łączności w Krakowie Pracownia elektroniczna Nr ćw. Temat ćwiczenia Data Ocena Podpis Badanie parametrów wzmacniacza mocy 1. apoznać się ze schematem aplikacyjnym
* ZESTAW DO SAMODZIELNEGO MONTAŻU *
Infomacje o podukcie Utwozo 22-12-2017 Elekticzne obciążenie DC - zestaw do samodzielnego mtażu Cena : 130,00 zł N katalogowy : ELEK-076 Poducent : mini moduły Dostępność : Dostępny Stan magazynowy : badzo
WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ Instytut Fizyki LABORATORIUM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI, ELEKTRONIKI I MIERNICTWA
WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POITEHNIKI KRAKOWSKIEJ Instytut Fizyki ABORATORIUM PODSTAW EEKTROTEHNIKI, EEKTRONIKI I MIERNITWA ĆWIZENIE 7 Pojemność złącza p-n POJĘIA I MODEE potzebne do zozumienia
Stopnie wzmacniające
PUAV Wykład 7 Najprostszy wzmacniacz R Tranzystor pracuje w zakresie nasycenia Konduktancja jściowa tranzystora do pominięcia: g ds
ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI
1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności
Filtry aktywne filtr środkowoprzepustowy
Filtry aktywne iltr środkowoprzepustowy. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości iltrów aktywnych, metod ich projektowania oraz pomiaru podstawowych parametrów iltru.. Budowa
Zasilacze: - prostowniki, - filtry tętnień, - powielacze napięcia. Rodzaje transformatorów sieciowych
Zasilacze: - prostowniki, - filtry tętnień, - powielacze napięcia Główne parametry transformatora sieciowego Moc (jednofazowe do 3kW) Znamionowe napięcie wejściowe (np. 3V +% -%) zęstotliwość pracy (np.
4. Funktory CMOS cz.2
2.2 Funktor z wyjściem trójstanowym 4. Funktory CMOS cz.2 Fragment płyty czołowej modelu poniżej. We wszystkich pomiarach bramki z wyjściem trójstanowym zastosowano napięcie zasilające E C = 4.5 V. Oprócz
Ćwiczenie nr 8. Podstawowe czwórniki aktywne i ich zastosowanie cz. 1
Ćwiczenie nr Podstawowe czwórniki aktywne i ich zastosowanie cz.. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się ze sposobem realizacji czwórników aktywnych opartym na wzmacniaczu operacyjnym µa, ich
Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów
Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne
POMIARY CHARAKTERYSTYKI CZĘSTOTLIWOŚCIOWEJ IMPEDANCJI ELEMENTÓW R L C
ĆWICZENIE 4EMC POMIARY CHARAKTERYSTYKI CZĘSTOTLIWOŚCIOWEJ IMPEDANCJI ELEMENTÓW R L C Cel ćwiczenia Pomiar parametrów elementów R, L i C stosowanych w urządzeniach elektronicznych w obwodach prądu zmiennego.
Projektowanie wzmacniacza tranzystorowego OE
Pojetowanie wzacniacza tanzystooweo OE Poniżej pzedstawiono dwa pzyłady pojetu wzacniacza tanzystooweo pacująceo w oniuacji OE. Piewsze z zadań pzedstawia pojet uładu, tóeo zadanie jest uzysanie na zadanej
Liniowe układy scalone w technice cyfrowej
Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Dr inż. Adam Klimowicz konsultacje: wtorek, 9:15 12:00 czwartek, 9:15 10:00 pok. 132 aklim@wi.pb.edu.pl Literatura Łakomy M. Zabrodzki J. : Liniowe układy scalone
LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STDIA DZIENNE e LABOATOIM PZYZĄDÓW PÓŁPZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr Pomiar częstotliwości granicznej f T tranzystora bipolarnego Wykonując
Wzmacniacze operacyjne
Wzmacniacze operacyjne Wrocław 2015 Wprowadzenie jest wzmacniaczem prądu stałego o dużym wzmocnieniu napięciom (różnicom). Wzmacniacz ten posiada wejście symetryczne (różnicowe) oraz jście niesymetryczne.
Badanie właściwości multipleksera analogowego
Ćwiczenie 3 Badanie właściwości multipleksera analogowego Program ćwiczenia 1. Sprawdzenie poprawności działania multipleksera 2. Badanie wpływu częstotliwości przełączania kanałów na pracę multipleksera
Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji
Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Układy
Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie
Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie.wzmacniacz operacyjny schemat. Charakterystyka wzmacniacza operacyjnego 3. Podstawowe właściwości wzmacniacza operacyjnego bardzo dużym wzmocnieniem napięciowym
PRACOWNIA ELEKTRONIKI
PRACOWNIA ELEKTRONIKI Temat ćwiczenia: BADANIE WZMACNIA- CZA SELEKTYWNEGO Z OBWODEM LC NIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTT TECHNIKI. 2. 3. Imię i Nazwisko 4. Data wykonania Data oddania
Pracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 3 Proste przyrządy elektroniczne
Małgorzata Marynowska Uniwersytet Wrocławski, I rok Fizyka doświadczalna II stopnia Prowadzący: dr M. Grodzicki Data wykonania ćwiczenia: 14.04.2015 Pracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 3 Proste przyrządy
Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.
I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.
Prostowniki małej mocy
Prostowniki małej mocy Wrocław 3 Wartość sygnału elektrycznego Skuteczna Wartość skuteczna sygnału (MS oot Mean Square) odpowiada wartości prądu stałego, który przepływając przez o stałej wartości, spowoduje
LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU
WIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH
POLITECHNIKA WARSZAWSKA Instytut Radioelektroniki Zakład Radiokomunikacji WIECZOROWE STUDIA NIESTACJONARNE Semestr III LABORATORIUM UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH Ćwiczenie Temat: Badanie wzmacniacza operacyjnego
ĆWICZENIE 3 REZONANS W OBWODACH ELEKTRYCZNYCH
ĆWZENE 3 EZONANS W OBWODAH EEKTYZNYH el ćwiczenia: spawdzenie podstawowych właściwości szeegowego i ównoległego obwodu ezonansowego pzy wymuszeniu napięciem sinusoidalnym, zbadanie wpływu paametów obwodu
ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem bipolarnym (2 h)
ĆWCZENE LORTORYJNE TEMT: znaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem bipolarnym (2 h) 1. WPROWDZENE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i zasadą działania podstawoch
PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ
z 0 0-0-5 :56 PODSTAWY ELEKTONIKI I TECHNIKI CYFOWEJ opracowanie zagadnieo dwiczenie Badanie wzmacniaczy operacyjnych POLITECHNIKA KAKOWSKA Wydział Inżynierii Elektrycznej i Komputerowej Kierunek informatyka
Wzmacniacz jako generator. Warunki generacji
Generatory napięcia sinusoidalnego Drgania sinusoidalne można uzyskać Poprzez utworzenie wzmacniacza, który dla jednej częstotliwości miałby wzmocnienie równe nieskończoności. Poprzez odtłumienie rzeczywistego
Układy zasilania tranzystorów. Punkt pracy tranzystora Tranzystor bipolarny. Punkt pracy tranzystora Tranzystor unipolarny
kłady zasilania ranzysorów Wrocław 28 Punk pracy ranzysora Punk pracy ranzysora Tranzysor unipolarny SS GS p GS S S opuszczalny oszar pracy (safe operaing condiions SOA) P max Zniekszałcenia nieliniowe
Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji
Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2010 2014 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Pracownia Technik Pomiarowych dla Astronomów 2014
Pracownia Technik Pomiarowych dla Astronomów 04 http://pe.fw.ed.pl/ Wojciech DOMNK Pracownia technik pomiarowych dla astronomów 04 zajęcia w czwartki 3-6 Data Wykład (P7) Ćwiczenia (Pastera Vp) Prawo Ohma
Diody i tranzystory. - prostownicze, stabilizacyjne (Zenera), fotodiody, elektroluminescencyjne, pojemnościowe (warikapy)
Diody i tranzystory - prostownicze, stabilizacyjne (Zenera), fotodiody, elektroluminescencyjne, pojemnościowe (warikapy) bipolarne (NPN i PNP) i polowe (PNFET i MOSFET), Fototranzystory i IGBT (Insulated
Obwody rezonansowe v.3.1
Politechnika Waszawska Instytut Radioelektoniki Zakład Radiokomunikacji WIEZOROWE STDIA ZAWODOWE ABORATORIM OBWODÓW I SYGNAŁÓW Obwody ezonansowe v.3. Opacowanie: d inż. Kaol Radecki Waszawa, kwiecień 008
Politechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: UKŁADY ELEKTRONICZNE 2 (TS1C500 030) Tranzystor w układzie wzmacniacza
Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych. Komparatory.
Zastosowania nielinio wzmacniaczy operacyjnych. Komparatory. Wrocław 009 kłady logarytmjące kład logarytmjący powinien dawać proporcjonalne do logarytm. k D log k E ln gdzie: k D, k E stałe skalowania,
Filtry analogowe. Opracowanie: Zbigniew Kulesza Literatura: U. Tietze, Ch. Schenk Układy Półprzewodnikowe, rozdział 14, WNT
Flty analoowe Opacowane: bnew lesza Lteata: U. Tetze, Ch. Schenk Układy Półpzewodnkowe, ozdzał, WNT. Paamety opsjące flty: a) chaakteystyka ampltdowo częstotlwoścowa: - pzebe w zakese pzepstowym (występowane
Sterowane źródło mocy
Sterowane źródło mocy Iloczyn prądu i napięcia jest zawsze proporcjonalny (równy) do pewnej mocy p Źródła tego typu nie mogą być zwarte ani rozwarte Moc ujemna pochłanianie mocy W rozważanym podobwodzie
Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7
Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego, poznanie jego charakterystyki przejściowej
TRANZYSTOR BIPOLARNY
Podstawy teoretyczne Materiały pomocnicze do ćwiczenia nr. 8 TANZYST PLANY 1.1. Tranzystor bipolarny. dowa, zasada działania. Tranzystor bipolarny jest przyrządem półprzewodnikowym o dwóch złączach p-n
W celu obliczenia charakterystyki częstotliwościowej zastosujemy wzór 1. charakterystyka amplitudowa 0,
Bierne obwody RC. Filtr dolnoprzepustowy. Filtr dolnoprzepustowy jest układem przenoszącym sygnały o małej częstotliwości bez zmian, a powodującym tłumienie i opóźnienie fazy sygnałów o większych częstotliwościach.
Dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego- ćwiczenie 8
Dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego- ćwiczenie 8 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego, oraz zapoznanie się z metodami wyznaczania charakterystyk częstotliwościowych.
PRACOWNIA ELEKTRONIKI
PRACOWNIA ELEKTRONIKI Ćwiczenie nr 4 Temat ćwiczenia: Badanie wzmacniacza UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI 1. 2. 3. Imię i Nazwisko 1 szerokopasmowego RC 4. Data wykonania
ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki nstrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONCZNE TS1C300 018 BAŁYSTOK 013 1. CEL ZAKRES ĆWCZENA LABORATORYJNEGO
Podstawy fizyki sezon 2 7. Układy elektryczne RLC
Podstawy fizyki sezon 2 7. Układy elektryczne RLC Agnieszka Obłąkowska-Mucha AGH, WFIiS, Katedra Oddziaływań i Detekcji Cząstek, D11, pok. 111 amucha@agh.edu.pl http://home.agh.edu.pl/~amucha Układ RC
Pomiar podstawowych parametrów liniowych układów scalonych
Instytut Fizyki ul Wielkopolska 15 70-451 Szczecin 5 Pracownia Elektroniki Pomiar podstawowych parametrów liniowych układów scalonych Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: wzmacniacz operacyjny,
Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.
Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. WZMACNIACZ 1. Wzmacniacz elektryczny (wzmacniacz) to układ elektroniczny, którego
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5 Temat: Charakterystyki statyczne tranzystorów bipolarnych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowonapięciowych i wybranych parametrów
Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego
L A O A T O I U M P O D T A W L K T O N I K I I M T O L O G I I Podtawowe układy pacy tanzytoa bipolanego Ćwiczenie opacował Jacek Jakuz 4A. Wtęp Ćwiczenie umożliwia pomia i poównanie paametów podtawowych
Dobór współczynnika modulacji częstotliwości
Dobór współczynnika modulacji częstotliwości Im większe mf, tym wyżej położone harmoniczne wyższe częstotliwości mniejsze elementy bierne filtru większy odstęp od f1 łatwiejsza realizacja filtru dp. o
9. PODSTAWOWE UKŁADY WZMACNIACZY
9. PODSTAWOWE UKŁADY WZMACNIACZY 9.1. MODELE MACIERZOWE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO Modelem dowolnego urządzenia technicznego nazywamy zbiór wiadomości umożliwiających przewidywanie właściwości i analizowanie
1 Filtr górnoprzepustowy (różniczkujący) jest to czwórnik bierny CR. Jego schemat przedstawia poniższy rysunek:
WFiIS LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI Imię i nazwisko:.. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia
L ABORATORIUM UKŁADÓW ANALOGOWYCH
WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA W YDZIAŁ ELEKTONIKI zima L ABOATOIM KŁADÓW ANALOGOWYCH Grupa:... Data wykonania ćwiczenia: Ćwiczenie prowadził: Imię:......... Data oddania sprawozdania: Podpis: Nazwisko:......
LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU
POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA
POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY KATEDRA AUTOMATYKI I ELEKTRONIKI 3. Podstawowe układy wzmacniaczy tranzystorowych Materiały pomocnicze do pracowni specjalistycznej z przedmiotu: Systemy CAD
PRACOWNIA ELEKTRONIKI
PRAOWNIA ELEKTRONIKI Temat ćwiczenia: UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZZY INSTYTUT TEHNIKI Imię i Nazwisko BADANIE. 2. 3. GENERATORA OLPITTSA 4. Data wykonania Data oddania Ocena Kierunek Rok
Szeregowy obwód RLC. u(t)=u R (t)+u L (t)+u C (t) U L = R U U L C U C DOBROĆ OBWODU. Obwód rezonansowy szeregowy - częstość rezonansowa = 1.
Szerego obwód Źródło napięcio o zmiennej sile elektromotorycznej E(e [] drugiego prawa Kirchhoffa: ównanie ruchu ładunku elektrycznego: jeśli Prąd płynący w obwodzie: e jωt u (u (u ( d i t dt u t i t (
Laboratorium Elektroniki
Wydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki Badanie wzmacniaczy tranzystorowych i operacyjnych 1. Wstęp teoretyczny Wzmacniacze są bardzo często i szeroko stosowanym układem elektronicznym.
Wzmacniacze liniowe 2
Wzmacniacze Wzmacniacze liniowe 2 Wzmacniacz oznaczenia 3 Wzmacniacz - funkcja przenoszenia 4 Zasilanie wzmacniaczy 5 Podstawowe rodzaje wzmacniaczy Wzmacniacz napięciowy 6 Podstawowe rodzaje wzmacniaczy
ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym
ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym 4. PRZEBIE ĆWICZENIA 4.1. Wyznaczanie parametrów wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym złączowym w
WZMACNIACZ OPERACYJNY
1. OPIS WKŁADKI DA 01A WZMACNIACZ OPERACYJNY Wkładka DA01A zawiera wzmacniacz operacyjny A 71 oraz zestaw zacisków, które umożliwiają dołączenie elementów zewnętrznych: rezystorów, kondensatorów i zwór.
należą do grupy odbiorników energii elektrycznej idealne elementy rezystancyjne przekształcają energię prądu elektrycznego w ciepło
07 0 Opacował: mg inż. Macin Wieczoek www.mawie.net.pl. Elementy ezystancyjne. należą do gupy odbioników enegii elektycznej idealne elementy ezystancyjne pzekształcają enegię pądu elektycznego w ciepło.
Liniowe układy scalone
Liniowe układy scalone Wykład 3 Układy pracy wzmacniaczy operacyjnych - całkujące i różniczkujące Cechy układu całkującego Zamienia napięcie prostokątne na trójkątne lub piłokształtne (stała czasowa układu)
Temat: Wzmacniacze selektywne
Temat: Wzmacniacze selektywne. Wzmacniacz selektywny to układy, których zadaniem jest wzmacnianie sygnałów o częstotliwości zawartej w wąskim paśmie wokół pewnej częstotliwości środkowej f. Sygnały o częstotliwości
Ćwiczenie - 8. Generatory
1 U U 2 LABOATOIUM ELEKTONIKI Ćwiczenie - 8 Generatory Spis treści 1 el ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Wiadomości ogólne.................................. 2 3 Przebieg ćwiczenia 3 3.1 Badanie
L ABORATORIUM UKŁADÓW ANALOGOWYCH
WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA W YDZIAŁ ELEKTONIKI zima L ABOATOIM KŁADÓW ANALOGOWYCH Grupa:... Data wykonania ćwiczenia: Ćwiczenie prowadził: Imię:......... Data oddania sprawozdania: Podpis: Nazwisko:......