Badania powierzchni kryształów i struktur epitaksjalnych. Bogdan J. Kowalski IF PAN

Transkrypt

1 Badania powierzchni kryształów i struktur epitaksjalnych Bogdan J. Kowalski IF PAN

2 Co to jest powierzchnia?

3 A o Co to jest powierzchnia? GaN(0001) mm GaAs (110)

4 Przykład: powierzchnia GaAs (110) idealna zrekonstruowana

5 Jak opisać powierzchnie:sieci Bravais 5 dwuwymiarowych sieci Bravais (14 sieci Bravais w 3D) K.Oura et al. Surface Science. An Introduction

6 Jak opisać powierzchnie: wskaźniki Millera 1, 2, 3 1, 1/2, 1/3 (6, 3, 2) - 1 płaszczyzna {6, 3, 2} - zbiór równoważnych płaszczyzn K.Oura et al. Surface Science. An Introduction

7 Struktura atomowa powierzchni - przykłady Kryształ kubiczny powierzchniowo centrowany Kryształ kubiczny objętościowo centrowany K.Oura et al. Surface Science. An Introduction K.Oura et al. Surface Science. An Introduction

8 Struktura atomowa powierzchni - opis a s = G 11 a + G 12 b b s = G 21 a + G 22 b a s = m a Przykłady: X Notacja macierzowa G = G G Notacja Wooda b s = nb Si( 111) 3 3 R30 3Bi ( hkl) m n Rϕ G G K.Oura et al. Surface Science. An Introduction

9 Przykład: powierzchnia Si (111) K.Oura et al. Surface Science. An Introduction dangling bonds Si(111)- (1x1) idealne przecięcie sieci Si(111)- (2x1) kryształ przełupany wzdłuż płaszczyzny (111) Si(111)- (7x7) powstaje z 2x1 po wygrzaniu do C dimer-adatom-stacking fault (DAS) model

10 Niezrelaksowany GaAs(110) Struktura elektronowa powierzchni POWIERZCHNIA NIEZRELAKSOWANE OBJĘTOŚĆ ZRELAKSOWANE E.J. Mele, Phys. Rev. B. 17, 1816 (1978)

11 Struktura elektronowa powierzchni (cd) Strefy Brillouna Przestrzeń rzeczywista Przestrzeń odwrotna (wektora k) - X - Γ (100) - M Powierzchniowa strefa Brillouina Objętościowa strefa Brillouina

12 Struktura elektronowa powierzchni (cd) RelaxedGaAs(110) Theory GaAs(110) Experiment A. Zunger, Phys. Rev. B 22, 959 (1980)

13 Co chcemy wiedzieć o powierzchni? Morfologię Skład chemiczny (czystość, obecność domieszek, rozkład powierzchniowy i głębokościowy ) Strukturę atomową Strukturę elektronową Własności elektryczne Własności optyczne

14 Uwaga! Powierzchnia łatwo się zmienia! Ciśnienie (hpa) Średnia droga swobodna Szybkość osiadania (cm -2 s -1 ) Czas powstania 1 ML Ǻ 3x ns cm 4x ms km 4x hour K.Oura et al. Surface Science. An Introduction 1 ML cm -2, współczynnik przylegania = 1 Próżnia rzędu hpa jest niezbędna przy badaniach właściwości czystej powierzchni!

15 Jak wyseparować sygnał pochodzący z powierzchni? Dobrać odpowiednią sondę nm fotony elektrony nm lub Znaleźć charakterystyczną własność powierzchni nm fotony fotony nm

16 Elektrony Co może służyć jako sonda w Mała głębokość penetracji/ucieczki Dostępne techniki: badaniach powierzchni? Mikroskopia Dyfrakcja (LEED, RHEED) W. Mönch Semiconductorsurfaces and interfaces 1993 Spektroskopia (fotoemisja, spektroskopia elektronów Auger a)

17 Co może służyć jako sonda w badaniach powierzchni (cd)? Jony Rozpraszanie (n.p. RBS) Wzmocniona czułość powierzchniowa przy dobranych kierunkach krystalograficznych (kanałowanie) Rozpylanie powierzchni (SIMS) Fotony Różnicowa spektroskopia powierzchniowa Dyfrakcja promieniowania X Wzmocniona czułość powierzchniowa przy ostrych kątach padania

18 Mikroskopie

19 Skaningowa mikroskopia elektronowa (SEM) Próbki nieprzezroczyste R 1 nm U acc 30 kv

20 CL P. przewodnictwa P. walencyjne Promieniowanie rtg Elektrony augerowskie RTG Elektrony pierwotne Katodoluminescencja (CL) Elektrony wstecznie rozproszone (BSE) BSE Elektrony wtórne (SE) SE

21 Detekcja elektronów w SEM SE (U) + BSE Obiektyw BSE SE (L) 50 ev SE Energia BSE Próbka STEM BF STEM DF

22 Wyspy Au na C ZnO Druty ZnTe

23 Skaningowa mikroskopia tunelowa (STM) Ostrze 90% prądu Próbka K.Oura et al. Surface Science. An Introduction

24 Skaningowa mikroskopia tunelowa (STM) (cd) A o GaN(0001) 8 4 Si(111)- (7x7) mm GaN(0001)- (1x1)

25 Dioda laserowa Mikroskopia sił atomowych (AFM) Detektor siła tryb przerywany tryb kontaktowy odpychanie odległość Próbka Piezoskaner tryb bezkontaktowy przyciąganie Kropki MnAsna GaN(0001) sjhsrc.wikispaces.com

26 Spektroskopie

27 Spektroskopia elektronów Auger a (spektroskopia augerowska) Elektron pierwotny E 0 Energia elektronu augerowskiego: E A =(E K -E L1 )-E L2,3 e - Analizator energii V.L. E F V M hn e - Detektor elektronów L 2,3 L 1 Próbka K fluorescencja rentgenowska

28 elektroda zewnętrzna powielacz elektronowy U ω U ref woltomierz fazoczuły próbka U z +U 0 sin(ωt) kolektor elektronów U z komputer elektroda wewnętrzna źródło elektronów U pow Spektrometr augerowski z cylindrycznym analizatorem zwierciadlanym Energia elektronów pierwotnych: do 3kV Rozdzielczość: ΔE/E < 0.7%

29 Dwa mody rejestracji widm augerowskich całkowy różniczkowy

30 0.002 Widmo augerowskiewarstwy ZnO wyhodowanej metodą ALE dn(e)/de (arb.u.) LMM Zn MNN S Cl LMM { O KLL { Zn LMM C KLL Kinetic Energy (ev)

31 Spektroskopia augerowska: 1. Analiza składu powierzchni próbki -detekcja wszystkich pierwiastków z wyjątkiem wodoru i helu 2. Prosta interpretacja widm duża baza widm wzorcowych 3. Możliwa analiza ilościowa szczególnie przez porównanie z wzorcami 4. Możliwość analizy rozkładu w dwóch lub trzech wymiarach 5. Zależność widm od wiązań chemicznych (w szczególnych przypadkach)

32 Spektroskopia fotoemisyjna Detektor elektronów Próbka Analizator energii N vs Energia, kąt...

33 Spektroskopia fotoemisyjna DOS Poziom rdzeniowy Pasmo walencyjne hn Poziom próżni Energia hn e - Analizator energii Detektor elektronów Natężenie El. wtórne En. kinetyczna E F Próbka En. wiązania

34 Fotoemisja wymaga ultra wysokiej próżni! atom.ik-pan.krakow.pl

35 Przygotowanie powierzchni q Łupanie q Epitaksja insitu q Czyszczenie insitu: -trawienie jonowe -wygrzewanie

36 Rentgenowska spektroskopia fotoemisyjna (XPS) lub Spektroskopia elektronowa do analizy chemicznej (ESCA) XPS: hν>1000 ev; hν= 1000 ev k = Å -1 Źródło laboratoryjne: Al K a1, ev 3x10 4 CdTe (110) hν= ev Intensity (Counts) 2x10 4 1x Cd MNN clean Te MNN Te 3p Cd 3p oxidized in air x2 Te 3d O 1s Cd 3d Binding Energy (ev) C 1s Te 4d Cd 4d B.J. Kowalski, B.A. Orlowski, J. Ghijsen, Appl. Surf. Sci. 166, 237 (2000)

37 CdTe(111)A -utlenianie [111] 12 CdTe(111)A; Θ=0 o Te 3d 1.2x10 5 CdTe(111)A; Θ=0 o Cd 3d Intensity (arb. units) x10 5 LO * B. E. (ev) B. E. (ev) Intensity (counts) 0.46 clean Binding Energy (ev) 8.0x x 10 5 * L O x 10 5 * L O 2 4.0x x 10 4 * L O 2 clean Binding Energy (ev) B.J. Kowalski, B.A. Orlowski, J. Ghijsen, Appl. Surf. Sci. 166, 237 (2000)

38 Emisja pod kątem -wzmocniona czułość powierzchniowa CdTe(111)A Emisja normalna Intensity (arb. units) Θ=0 o Te 3d Cd 3d Emisja normalna Emisja kątowa Binding Energy (ev) 8.0 Θ=45 o Te 3d Emisja kątowa Intensity (arb. units) 4.0 Cd 3d B.J. Kowalski, B.A. Orlowski, J. Ghijsen, Appl. Surf. Sci. 166, 237 (2000) Binding Energy (ev)

39 Kątoworozdzielczaspektroskopia fotoemisyjna Kryształ Próżnia Przykład: emisja normalna emisja kątowa Str. wurcytu Strefa Brillouina

40 Fotoemisja ze stanów powierzchniowych i objętościowych Analizator energii e - hn θ Detektor elektronów 2 a Próbka Energy (ev) G 1,6 G A H g A 5,6 A 1,3 10 B d E G Γ A k (A -1 )

41 GaN(0001)-(1x1) G-A 2 a Energy (ev) G 1,6 G A H g A 5,6 A 1,3 10 B d E G Γ A k (A -1 ) Eksp.: B.J. Kowalski et al. Surf. Sci. 548 (2004) Teoria: T. Strasser et al. PRB 60 (1999)

42 GaN(0001)-(1x1) G-K-MGaN(0001):Ga b c g H GaN(0001) d m Exp: B.J. Kowalski et al. Surf. Sci. 548, 220 (2004) Theory: T. Strasser et al. Phys. Rev. B (1999) F.H.Wang et al.phys. Rev. B 64, (2001)

43 Metody dyfrakcyjne

44 Dyfrakcja niskoenergetycznych elektronów (LEED) K.Oura et al. Surface Science. An Introduction

45 Dyfrakcja niskoenergetycznych elektronów (LEED) (cd) GaN(0001) (1x1)

46 Dyfrakcja odbiciowa wysokoenergetycznych elektronów (RHEED) Struktura 2D prążki w obrazie Struktura 3D punkty w obrazie K.Oura et al. Surface Science. An Introduction

47 Metody z wykorzystaniem jonów

48 Rutherfordowskiewsteczne rozpraszanie (RBS) n.p. 4 He 2 MeV detektor K.Oura et al. Surface Science. An Introduction

49 Spektroskopia masowa jonów wtórnych (SIMS) n.p. Cs + lub Ar kev

50 Metody optyczne

51 Różnicowa spektroskopia odbiciowa (SDR) I 0 I 0 R Clean I 0 H 2 O 2 I 0 R OX Stany powierzchniowe Powierzchnia utleniona ΔR/R ΔR/R = (R clean -R ox )/R ox ΔR/R 8πd(ε B -1)ε S/((1-ε B) 2 + (ε B) 2 )

52 UHV próbka SDR układ eksperymentalny kontroler przesłon I n.p. H 2 + przesłona próbka referencyjna I 0 płytka dzieląca soczewka lampa komputer R=I/I 0 Optyczny analizator wielokanałowy

53 CdTe(110) SDR x10 4 L O 2 * 0.01 E max =3.9 ev R/R x10 5 L O 2 * 6x10 5 L O 2 * Peak Area (arb. units) E max =3.5 ev E max =2.8 ev x10 5 L O 2 * E max =2.2 ev Photon Energy (ev) x x x10 5 O 2 Exposure (L) B.J. Kowalski, E. Guziewicz, B.A. Orlowski, A. Cricenti, Appl. Surf. Sci. 142, 33 (1999)

54 Przejścia optyczne pomiędzy stanami powierzchniowymi na CdTe(110) U2 U3 U ev 3.9 ev 2.8 ev Energy (ev) S' S2 S3 S X S4 Γ S5 X' B.J. Kowalski, A. Cricenti, B.A. Orlowski, Surf. Sci. 338, 183 (1995)

55 CdTe(110) SDR ze światłem spolaryzowanym Liniowa odpowiedź optyczna kryształów kubicznych (przy padaniu normalnym) jest izotropowa Anizotropowy sygnał pochodzi z powierzchni [110] [001] 0.04 CdTe (110) E [001] 0.03 E [110] R/R x5 (E [001]-E [110]) Photon Energy (ev) B.J. Kowalski, A. Cricenti, B.A. Orlowski, Surf. Sci. 338, 183 (1995)

56 Spektroskopia anizotropii odbicia (RAS) optyczna sonda epitaksji P. Weightman et al., Rep. Prog. Phys. 68 (2005) Komora MBE z układem RAS Reaktor MOCVD z układem RAS Instituteof Semiconductorand Solid State Physics, University of Linz, Austria

57 Podsumowanie Różne własności powierzchni możemy badać przy pomocy: Mikroskopii elektronowej (SEM) Mikroskopii tunelowej (STM, AFM) Spektroskopii elektronowych (fotoemisyjnej, augerowskiej) Dyfrakcji elektronów (LEED, RHEED) Technik jonowych (RBS, SIMS) Powierzchniowoczułych technik optycznych (SDR, RAS) ale nie wyłącznie

58 Przykładowa literatura: K. Oura, V.G. Lifshits, A.A. Saranin, A.V. Zotov, M. Katayama SurfaceScience. An Introduction Springer 2003 D.P. Woodruff, T.A. Delchar Modern Techniques ofsurfacescience Cambridge University Press H. Luth Surfaces and Interfaces ofsolid Materials Springer 1995 A. Oleś Metody doświadczalne fizyki ciała stałego WN-T 1998