N O R M A B R A N Z O WA. Tranzystory typu Be 177, Be 17B, Be 179. małej. c'e 22. A 4,32-5,3 - a ) b 2 0,4-0,53 - D 5,3-5,84 -

Transkrypt

1 UKD 1383 ELEMENTY PÓŁPREWODNKOWE _ N O R M A B R A N O WA Tranzystory typu Be 177 Be 17B Be 179 BNBO /0 ' Grupa katalogowa Prz'ldmiot pormy Przedmiotem normy sę krzemowe Wymiary i oznaczenie wyprowadzeń tranzystora _ wg epitaksjalno_planarne tranzystory pnp małej mocy małej rysunku i tab 1 częstotliwości typu B 177 B 178 B 179' w obudowie Oznaczenie obudowy stosowane przez producenta metalowej do zastosowań powszechnego użytku oraz w urzę c'e dzeniach w których wymaga się zastosowania elementów ( wysokiej i bardfo wysokiej jakości zgod:ie z określenia_ mi wg PN78/ T01515 Tranzystory przeznaczone sę do pracy w stopniach s teruję cyh i wejściowych wzmacniaczy małej częstotliwości Tranzystory B ' l '19 przeznaczone sę głównie do zastosowań w stopniach wejściowych o niskim poziomie szumów Tr:anzystory B 177 B )78 B 179 sę ko!"'plemertarne do tranzystorów B 107 B 108 B 109 Kategoria klimatyczna wg PN73/E0550/00 dla tran_ zystorów o: standardowej'jakości (poziom jakości ) _ 0/15/0 11 '" Q r ' Kolektor ( ) tranzystora jest połęczony obudowę Tablica 1 A 1= r ' i /3375 3OD elektrycznie z ' wysokie:i:jakoś ci (roziom jakości ) 0/15/ 1 o bardzo wysokiej jakości (poziom jakości V) 0/15/ 5 Przykład oznaczenia tranzystqrów a) o standardowej jakości : TRANYSTOR B 177 BN80i /0 b) o wysokiej jakości: TRANYSTOR B 177/ 3 BN80/ /0 cl o bardzo wysokiej jakości: TRANYSTOR B' 177/ BN80/ / 0 Kęt Symbol Wymiary mm o wymiaru min nom max nom A 3 53 a 5 1 ) b D D F l O j ) echowanie tranzystorów powinno zawierać nazwę producenta oraz oznaczen i e typu (podtypu) Ponadto tranzystory wysokiej jakości powinny być znakowane c y frę 3 a tranzystory o bardzo wysokiej jakości cyfrę umies zczonę po oznaczeniu typu k 0 1 l 175 J 5 X 5 1 ) 1) Wymiar teoretyczny głoszona przez NaukowoProdukcyjne entrum Półprzewodników Ustanowiona przez Naczelnego Dyrektora jednoczenia Przemysłu Podzespołów i Materiałów Elektronicznych UNTRAELEKTRON dnia 8 października 1980 r jako norma obowiązująca od dnia l lipca 19a1 r (Dz Norm i Miar nr 8/ 1980 poz 113) WYda nie gd zr WYDAWNTWA NORMALAYJNE "ALFA" 1987 Druk Wyd Norm Wwe Ark wyd 10 Nakł 00+3 am 185/ 87 ena zł

2 BN0/337530/0 5 Badania w grupie A B i D wg BN0/337530/00 P 5 1 Wymagania szczegółowe do badań grupy A B i D na narażenia elektryczne: układ OS wg PN7/T tabl 7 JE '0mAU m30vdlab' 1770raz B E = = 0 mau B = 15 V dla B 17 i B 179" t amb = 5" j) badania podgrupy sprawdzenie parametrów elekt rycznych wg tab 3 a) badania podgrupy Al sprawdzenie wymiarów: D D 1 A l wg rysunku i tabl 1 b) badania podgrupy A sprawdzenie podstawowych parametrów elektrycznych wg tabl k) badania podgrupy : _ sprawdzenie wytrzymałości na przyspieszenie tałe _ kierunek probierczy obydwa kierunki wzdłu:t"' osi wyprowadzeń mocowan i e za obudowę parametrów elektrycznych wg tabl 3 d) badania podgrupy A _ Sf'rawdzenie parametrów eleko trycznych w t amb = 15 wg t<lbl (poziom ill i V) e) badan ia podgrupy B 1 i : s/jrawdzenie wytrzymałości mechanicznej wyprowadzeń próba Ub metoda! 5 N 3 cykle: próba Ua 1 5 N" sprawdzenie szczelności próba Ok póziom niesz 3'/ czelności 5' 10 Pa' dm s f) badania podgrupy 3 sprawdzenie 1 1 g masy wyrobu g) badania podgrupy B 3 i 9 sprawdzenie ' wytrzymałości na spadki swobodn położeietr8nżystora w c'asie spadania ości wyprowadzeniami do góry" h) badęnia podgrupy B i ' sprawdzenie wytrzyll'a na udary wielokrolne: mocowanie za obudowę i) badania podgrupy B i sprawdzenie odporności c) badania podgrupy A3 ' sprawdzenie drugorzędnych ' sprawdzenie wytrzymałości njł udary wi'clekrotne mocowanie za obudowę _ sprawdzenie wytrzymałości na wibracje o' stałej częst tliwości mocowanie za obudowę ) badania podgrupy'l0 sprawdzenie wymiarów wg ry_ sunku i tabl l m) badania podgrupy Dl (poziom i V) sprawdzenie odporności na niskie ciśnienie atmosferyczne: temperatura narażania 5 0 ' n) badanie podgrupy 0 _ sprawdzenie wytrzymałości na pleśń; po badaniu brak p'orostu pl eśni o) badanie podgrupy 05 sprawdzenie wytrzymałości na mgłę ' solnę: położenie tran;zystoris dowolne p) parametry elektryczne sprawdzane w czasie i' po bada'niach grupy B i D wg tabl 5: 7 Pozostałe postanowienia wg BN80/337530/00 Tablica Parametry elektryczne sprawdzane w badaniu podgrupy A (poziom l V) Lp Oznaczet)ie!terowe parametru Metoda po_ Wartości graniczne miaru wg Jed_ Warunki pomiaru ' B 177 PN7/ nos tka B 17 B 179 T0150 min max min max min max ES ark 09 U =0 V E R m O BE na l = ma U ark 03 V = O B (BR) EO 3 U ark 03 (BR) ES 1 Q 10 /LA E V RBEm O = 10 pa U BR ) ark 0 E V EDO c = O 1 = ma : U E 5V V 5 'SO h 1E 1) ark 01 kl A kl B kl

3 B80/337530/0 3 cd tab Jed nos tka Be 177 Be 178 Be 179 Metoda po Oznaczenie mlaru wg literowe Lp PN7/ Warunki pomiaru parametru T0150 Wartości graniczne min max min max min ma>< z 0 ma / U E 5V R kn Af 30 Hz; F ark 15 khz db " 1 0 ma U E 5V Ra kn At = 00 Hz ) Selekcja na asy wzmocnienia (V A B e) tylko na życzęnie odbiorcy Tablica l Parametry elektryczne sprawdzane w badaniach podgrupy A3 (poziom V) Wart ości graniczne Oznaczenie etoda pomiaru Lp literowe wg Warunki pomiaru Jednostka Be 177 Be 178 Be 179 parametru PN7/T 0150 min max min max min max l l 'u Ba! E ark 0 10 ma la 05 ma mv " U 0 BE Jat 1 = 10 ma ark mv ma B 3 UB i; ark 01 1 ma U ' '" 5 V E mv l = 10 ma f T ark U E 5V MHz f 100 MHz 5 ebo ark U 10 V B re O pf f l MHz Tablica Parametry elektryczne sprawdza";e w badaniach podgrupy A (poziom V) Wartości graniczne Oznaczenie Metoda pomiaru f Lp literowe wg Warunki pomiaru Jednostka Be 177 Be 178 ee 179 parametru PN7/T 0150 min max min max min max t ES ark 09 U E '" 0 V R ae '" O o ta mb 15 e pa "

4 BN80/33'/530/0 Oznaczenie literowe parametru Tablica 5 Parametry " elektryc:ne sprawdzane w czas ie < po badaniach grupy B i ozi<:"" l V ) Metoda po_ miaru wg PN7/ T U = 0 V D 11 ) 1' a r k 09 E 'ES Wart ości graniczne Warunki pomiaru Podgrupa badań Jednostka Be 177 B 178 B 179 l F' ' Bl B3 B' B 5 5" 7 9 na min max min max min m ax R = O BE B 8 na ) )LA Bl B 3 B B V k l A k l B k l B h 1E ark 01 V = ma U = 5V k l A E kl B k i V 1 ) L L_ 1) W czasie badania ki A ki B ki K O N E NFORMAJE DODATKOWE PN7/ T 01503/8 Elementy półprzewodnikowe i wym iary Podstawa B l PN7/T0150/01 Tranzys tory Pomiar h 1E arysy napię PN7/ TOl50/ 0 Tranzystory Pomiar napięć nasycenia U U E sa! BE sat PN7/T O 150/03 Tranzystory Pomiar napięć U U U ' U(BR) EO (B R ) ES (BR) ER' (BR) EX PN7/T O 150/ 0 Tranzystory Pom iar napięć U(BR) BO i U (BR) EBO PN7/T 0150/ 09 Tranzystory 'P om iar prędów resztkowych ER' ES ' EV i prędu zerowego EO l nstytucja opracowujjlca normę NaukowoProdukcyjne entrum P ó łpf"zewodnik ów Normy zwijlzane PN73/E0550 Wyroby e lektrotechniczre Próby środowiskowe PN8/ T O 1503 Elementy półprzewodnikowe arysy i wymiary przebicia przeb ici a ci a U BE PN7/T0150/1 Tranzystory Pomiar h 1e w zakresie m cz

5 nformacje dodatkowe do BN80/337530/0 5 PN7/T0150/ Tranzystory Pomiar pojemności ebo i EBO PN7fT01S0/ Tranzystory Pomiar modułu h 1e l w zakresie wcz i częstotliwości f T PN7/T 0150/ Tranzystory "Pomiary parametrów szumów PN78/T01515 Elementy płprżewodnikowe Ogólne wy':' magania i badania BN80/337530/00 Elementy półprzewodnikowe Tranzy / story małej mocy małej częstotliwości Wymagania i badania 3 Normy zagraniczne RWPG T 3B 377 TpBH3HTO THllOB B 177 Symbole KTM tranzystorów B Be 177V Be 177A B : B B 178V B 178A B 178B " B"f B B 179A B 179B B B 178 B 179 norma 90dna 5 Wartości dopuszczalne wg tabl 11 rys 11 Tablica ll LP Oznaczenie parametru Nazwa parametru Jednostka Wartośc i dopuszcza ne B 177 B 178 B VEo napięcie stałe kolektor_ emiter V U ES napięcie stałe kolektor emiter przy V i R BE =0 3 VEBO napięcie stałe emiter baza V l pręd stały kolektora ma lm pręd szczytowy kolektora ma l B pręd stały bazy ma P tot całkowita m" "wejściowa ' ( stała lub średnia) na ws S'tKich elektrodach przy tam!> "5 mw tj 9 tam!> temperatura złęcza temperatura otoczenia w czasie pracy o Oc 0 ; +15 0; ; t stg temperatura przechowywania Oc 55; ; +175 Rezystancja term iczna złęcze otoczenie Rezystancja termiczna złęcze obudowa 10 Be 11' B'rs 'Lt B179 R th j a 500 K/ W R th j c 00 K/W 0' D 11 " "pł r 't " 5 o " 1 r 100 1' r / Rys 11 ależność temperaturowa mocy strat od tmperatury p tot = te t)

6 nformacje dodatkowe do BN0/337530/0 j Dane charakterystyczne wg tabl 1 i rys 1; 11 Tablica 1 Oz naczenie Nazwa Jed Lp Warunki pomiaru para_ parametru nos tka metru Typ tranzystora B 177 B 178 B 179 min typ max min typ max min typ max l l l l 1 ES pręd resztko U = '0 V ee wy kolektora R ae = O na napięcie prze11e = ma U (ar1eeo bicia kolektor _ emiter 1 = O napięcie prze 1 ' a = lo' jla V ' bicia kolektor E V 50 U(aR)eES 30 5 emiter R = O ae napięcia prze 1 = 10 jla UBR)EBO bicia emiter E V 5 5 S baza l = O statyczny l ' 5 h l wzmocnienia 1E fole = 10 jla k 'l V ' 5 5 U E =5V kl A 110 ' kl B ki fe = ma U =5V współczynn ik klv pr'ędowege> w kl A uklad"ie wspó nego en1itera kl B kl l = 100mA kl V e ki B Ue E =5V kl A l : l = 10 pa U E =5V [ e = ma ae ' napięcie stałe U E =5V mv baza emiter [ = 100 ma:!) U = 5 V E [ E 10 ma napięcie nasy l = 05 ma O l 0 O 0 O 0 7 UE sal cenia kolektor ru ae aal B E 100 ma ) V em iter l a = 5mA le 10 ma napięcie nasy [ = 05 ma B ' 8 cenia baza V emiter l E 100 ma ) e l l B = 5 nia ' 9 U EK = 10 ma napięcie kolan_ l = li ma /<owe V Vet =V

7 nformacje dodatkowe do BN90j337530j0 cd tabl 1 Lp Oz nacznie para_ metru Nazwa parametru Warunki pomiaru Jednostka Typ tranzystora Be 177 ae 178 min typ max min typ max min ae 179 typ mi;lx ' a A e małosygnałowa U E 5 V war tość zwar: 1 = 1kHz ciowej impedancj jwejć i o wej w Układzie wspólnego emitera kl Y kl A kl B k e " i l S !! O 15 O ' h 1) 11e mało sygnałowa wartość roz' warciowęgo współczynnika wstecznego przenoszenia nap ięciowego w układzie wspólnego emitera kl V kl A kl B J _ ma kl e e U E a 5 V małosygnałowa wartość zwar 1 1 khz c iowego WSP9łczynnika przenoszjłn ia "pr dowego w : układzie wspólnego emitera X 1 O O 'L++ ++_ kl V kl A kl B kl' e ) 13 h e 1 małosygnałowa warto 'ść zwar:' ciowej admitalicji wyjściowej w układzie wspólnego emitera kl V kl Ą kl B !loS kl e T częstotliwość granićzn le "10 nia U 5 V ee f 100 MHz MHz U ee a 5 V le = 00 PA 15 F współczynnik szumów " Rg": kll 1= 1 khz 111 m 00 Hz Uci; ' '" 5 V db le = 00 JA Rg=kll 111 = 30 Hf 15 khż 1 BO U ' =10V pojemność ' zł:' '1 e O cza kolektor _ E baza f =1 MHz pf U = O 5 V pojemnosć zł_ EB ' cza emiter J e = O baza f= 1 MHz pf 1 1 1) Selekcja n k lasy zmocnienia (11 A e e) tylko na życzenie odbiorcy )Pomiar ;';'puisowy: t p 300 s %

8 ' " ' B nformacje dodatkowe do BNBO/ /0 _ 90 le ("'AJ D zo o ac 177 Be 17& Be 179 / fi / /1 '/ / '1 'V ' 'r'" r tqb: zs'c_ OKmA V"'" A / i"'""" O" / i""" v r OmA l'" DS ma: /" l OmA /" 03 1'11 A l OmA l la: 01 ma U[ [V] ' BN80/ ! le [ma] O Bel?? tnmb :S' _ <::'ł 'ł " "+> 'łl / v' <:o / ' /" V " V //" V V "" v / /'" r" / " / i'" V l i'" _ h O ma r r o 10 O 30 UE [v] 50 B"80/ ! R ys 1 harakterystyka wyjściowa le = f ( U Ę ) B parametr R ys 13 harakterystyka wyjściowa _ parametr =f(u ) E 100 BO le?! 8[179 lq :S " " f ";' ;:;: ' 1<' " v: fi""" f v r"""' _fr ) 0 '!t«l 0 OWlA 1tf1 ł 8e 177 Bt178 8e 119 Uu =5V troli "S't D 10 U E [V] 0 18N80/ ! D' D os u [ 1 19H80/33753O0151 R ys 1 h akterys tyka wyjściowa e = tcu c Ę) l B parametr R ys 15 harakterys tyka przej ści owa l B = f ( UBĘ )

9 l!'lformacje dodatkowe do BN:BO/337530/0 9 1 [lila 10 1 O (; 10 o Bl77 L :179 la =05 " 'S' " 10 O 01 O 03 0 'UceSlll: (V] BHeo/ H; le [maj D' O Bt 177 Btl l" t : QSĄ '" = S 1/ SHSO! Rys 1 ależność napięcia nasycenia U od prędu kolektorallce sat=f() E sat Rys 17 ależność napięcia nasycenia U BE sat od kolektora U BE sat=f(c) prędu 0 hijl 18 1 " l O o 8 0 li O 5 D V 1/ 1('= ma t":zso 'J! " V St 177 Be 178 8t 179 h"t he t h'e Y t V' " " L lo 0 la tv] 30 SN80/33153o01sl 10 St 177 B 178 Bt o Uta=0V 10' O SO b [Ol 1 BNeO/3375'3001Q 1 RyS B ależność parametrów mącierzy hi; od napięcia kolektor emiter h ij :: tcue) Rys 19 ależność temperaturowa prędu zerowego Bo=ft amb )

10 10 nformacje dodatkowe do BN80/337530/0 ac ae 179 f T (M Hi] tu": S l / i'" lov f" f" r '" U E ' v t F [118] 1 D a li Be 177 Be 178 ' l' l" =OmA Uce :: 5V Rg" ksl tnmb: 5' 10 ' 10 1 lo' le (lila] 810 BN80/ l 10 f [khz] 10' BN 80/ R ys 110 a1eżność częstotl iwości g r anicznej od p r ę du ko lektora t 1 =ju ) Rys 111 ależność współczynnika szumów od częstotliw ośc i F = t(t) 1Stłt F [dllj łttt le: DmA Un' SV Rg:kR 'Q" : 5' BN80! l Hl Rys 11 ależnośe ws pół czy nni ka szumów od częstot i wości F = t(1) 7 Wydanie stan aktualny: kw iecień 1987 uaktualniono Jdrm y zwięzane i poprawiono błędy