N O R M A, BRANŻOWA. Elementy optoelektroniczne /01. , Fototranzystory, Wymagania i badania. i tab!. 2. i tab!. 3. i tab!. 4. s z czegółowego.

Transkrypt

1 UKD N O R M A BRANŻOWA BN86 \ ELEMENTY Elementy optoelektroniczne /01 PÓŁPRZEWODNKOWE Fototranzystory Wymagania i Grupa katalogowa WSTĘP J l Przedmiot normy Przedmiotem normy są wymagania i dotyczące fototranzystorów przeznaczonych do stosowania w elektronicznych urządzeniach powszechne go użytku i urządzeniach profesjonalnych oraz urządzeniach gdzie wymaga się zastosowania elementów o wysokiej i bardzo wysokiej jakości 1 Przedmiot arkusza normy Przedmiotem niniejszego arkusza normy są wymagania i wspólne dla grupy fototranzystorów 13 Określenia wg PN84jT01500j 04 i PN78j T PODZiAŁ l OZNACZENE l podział ze względu na poziom jakości wg PN 78j T p 1 Oznaczenie wg PN78j T015l5 p Przyklad oznaczenia wg arkusza s z czegółowego 3 WYMAGANA 3 l Wymiary wg arkusza szczegółowego 3 Wykonanie wg PN78jT015l5 p 3 i arkusza szczegółowego 33 Cechowanie wg PN78j T01515 p 3 3 i arkusza szczególowego 34 Parametry elektryczne wg PN78/T015l5 p34 i arkusza szczegółowego 35 Wymagania klimatyczne wg PN78j T01515 p3s 36 Wymagania mechaniczne wg PN78jT01515p36 37 Wymagania niezawodnościowe wg PN78/T01515 p Wymagania dodatkowe wg PN78/T p 38 4 PAKOWANE PRZECHOWYWANE l TRANSPORT 41 Pakowanie wg PN78j T p 41 4 Przechowywanie wg PN78( T p 4 43 Transport wg'pn78j T01515 p 43 5 BADANA 5 1 Program i rodzaje badań Badania grupy A wg PN 78j T p 5 1 l i / tab! 1 51 Badania grupy B wg PN78/ T p 51 i tab! 51 3 Badania grupy C wg PN78j T p 51 3 i tab! Badania grupy D wg PN78/T01515 p 514 i tab! 4 5 Pobieranie próbek wg PN78j T01515 p 5 53 Opis badali wg PN78 j T01515 p 53 i arkusza s z czegółowego 54 Parametry kontrolowane w ch grupy B C Q wg tab! 5 Zgłoszona przez nstytut Technologii Elektronowej Ustanowiona przez Dyrektora NaukowoProdukcyjnego Centrum Półprzewodników dnia 15 lipca 1986 r jako norma Obowiązująca od dnia 1 stycznia 1987 r (Dz Norm i Miar nr 13/ 1986 poz 5) WYDAWNCTWA NORMALZACYJNE ALFA" 1966 Druk Wyd Norm Wwa Ark wyd 160 Nakł Zam 693/86 Cena zł 4500

2 Tablica l Badania grupy A N Plany i warunki Qadań Opis jakości Pod Rodzaj badań grupa wg Warunki PN78j wg T ' AQL l 3 l 5 Al ; 5 jakości jakości Warunki Warunki wg wg ; 5 ; 15 jakości V Warunki wg ; 10 Dane wg arkusza szczegółowego 1 Sprawdzenie 53 wymiarów (głównych) Sprawdzenie 533 wykonania obudowy Sprawdzenie 536 prawidłowo& ci cechowa Ria A ; 15 Sprawdzenie podstawowych elektrycznych J CEO PN83/T01504/oo ; 10 ; 065 PN 83/ T 01504/00 PN83/T 01504/00 ; 04 PN 83fT 01504/00 parametry kontrolowane ich wartości graniczne i ~ tjj Z et:> 0'1 W W ' V1 V1 et:> o F' lce(h) leb(h) U(BR)CEO U c E sat A3 ; 5 ; 15 ; 15 ; 10 Sprawdzenie 537 PN83/T01504/00 drugorzędnych elektrycznych U(BR)CBO U( BR)EBO PN83/T 01504/00 PN83/T 01504/00 PN 83fT 01504/00 parametry kontrolqwane wartości graniczne i warunki pomiaru

3 cd tabi l l 3 4 A4 Sprawdzenie 5 37 CEO _ ; 5 ; 1 5 PN83 / T01504/ 00 PN 83 / T 01504/00 temperatura parametry kont:oloj wane wartoscl graniczne i wa runki pomiaru _ Tablica Badania grupy B eektrycznycł w innych temperaturach nii normalna tern peratura otoczenia Podgrupa Rodzaj 1 B1 i) B Sprawdzenie wytrzymałości mechanicznej wyprowadzeń Sprawdzenie szczelności Sprawdzenie lutowności wyprowadzeń Plany i warunki badań Opis badań wg jakości jakości V PN781 T01515 Warunki Warunki Dane wg arkusza szczegółowego S 4; 15 S4; rodzaj i szczegółowe warunki l wartości obciążeń 537 metoda Q wg PN 751 metoda Ql wg PN 751 E04550/ 15 czynnik E04550/ 15 czynnik probier czy alkohol probierczy alkohol etylowy etylowy S 4; 15 S 4; Sa) temperatura kąpieli Ol Z (Xl ej) w ] (Xl o B3 Sprawdzenie wytrzymałości na spadki swobodne S4; 15 S4; 10 _ 5317 H; 500 mm H ; 500 mm położenie elementu w cza!!ie spadku warun ki pomiaru i wartoś ci graniczne B4 Sprawdzenie wytrzymałości na udary wielokrotne S 4; mi s sposób mocowania korpusu lub wyprowadzeń 1000X3 elementu warunki 'pomiaru i wartości gra niczne ' w

4 cd tabl Opis Pod grupa badań wg Plany i warunki badań jakości jakości1v Rodzaj PN781 Dane wg arkusza szczegółowego T01515 Warunki Warunki ::J B5 54: 15 54; 1U Sprawdzenie wytrzymałoścl na nagłe 531 T = t T = t wartości temperatury T A i T B warunki A stg mm A stg min zmiany temperatura pomiaru kontrolowa T = t T = t B stg max B stg max nych ' B6 54; 10 54; 0b5 Sprawdzenie odporności na narażenia h 100 h warunki obciążeniametoda tempeelektryczne ratura i wartości graniczne 1) W podgrupie B1 _ sprawdzenie szczelności norma przedmiotowa powinna określić czy stosuje się badanie dla danego typu fototranzystora _ Tablica 3 Badania grupy C / Plany i w'}runki badań Metoda jakości 1 jakości jakości jakosci V Dane wg arkusza Pod Rodzaj szczegółowego grupa badaniu wg Warunki Warunki Warunki Warunki PN78/ T l Cli) 54; 5 54; 5 Sprawdzenie 531 rodzaj i szczegówytrzymałoś lowe warunki baci mechanicz nej wyprowa dzeń daniawartości ob Sprawdzenie 537 metoda Q wg PN73/ metoda Q wg PN 73/ szczegółowe waszczelności E 04550/15 czynnik E04550/15 czynnik runki probierczy 'alkohol probierczy alkohol czas regeneracji etylowy etylowy warunki pomiarów i wartości granicz ne ciążeń ljj Z g; W W ] CJo o '

5 cd tabl 3 l 3 4 ' 5 C S4; 4 0 Sprawdzenie 537 elektrycznych CEO CE(H) CB(H) U CE saf S'4; 5 S4; 5 S4; i wartości U(BR) CEO U ( BR)CBO U (BR)EBO lub U (BR)ECO Sprawdzenie odporności na suche gorąco t amb max Sprawdzenie 5 39 t amb min odporności na zimno t amb max tamb min tamo max tamb min tumb max tamb min to z o:> O"> ~ ' V v o:> o C3 S 4; 5 Sprawdzenie 5 34 masy wyrobu S4; 15 masa wyrobu Sprawdzenie 5361 trwałości cechowania Sprawdzenie lutowno ści wyprowadzeń 535a) temper atura kąpieli V ~

6 cd tabl 3 0\ Metoda Pod Rodzaj badańla jakości grupa wg PN78/ Warunki T01515 Plany i warunki badań jakości Warunki jakości Warunki jakości V Warunki Dane wg arkusza szczegółowego l e4 S4; 5 Sprawdzenie 5_ m/s wytrzymałoś ci na przyśpieszenie stałe Sprawdzenie m/s wytrzymałoś lub (45 m/ s ci na udary >(1000) pojedyncze lub wielo krotne S4; 15 S4; m/s 196QOm/s m/s m/s (45 m/s (45 m/s 3X1000) 3X1000) S4; m/s 14700m/s (390 m/s 3>(1000) kierunki probiercze sposób mocowania korpusu lub wyprowadzeń warunki pomiaru i wartości graniczne Sprawdzenie h wytrzymałoś lub (49 m/ s ci na wibra Hz cje (o stałej 3 h) lub zmiennej e5 S4; 40 Sprawdzenie 535b) częstotliwości) wytrzymałości na ciepło lutowania 3h (49 m/ s 3 h (49 m/s 10;500 Hz Hz 3 hl 3 h) S4; 5 S4; 15 S4; 15 3 h (49 m/ s Hz 3 h) temperatura kąpieli czas regeneracji kontro1owa \ych tjj Z ł CD 0\ en en ' Vl ł Vl CD o ł' Sprawdzenie 531 T = t wytrzymałoś A stg min stg max Sprawdzenie doby ci na nagłe T = t B zmiany temperatury wytrzymałości na wilgotne gorąco stale T A = t stg min T = t / A stg min T = t B stg max T =t B stg max 10 dób 1 dób T = t A stgmm T B = t stg max 56 dób /

7 cd tab13 l 3 4 ~ :J C6 S4; 5 S4;5 S4; 15 S4; 10 Sprawdzenie h 1000 h 1000 h 500 h C7 S4; 10 Sprawdzenie 538 t wytrzymałoś ci na zimno sto mm metoda warunki obciążenia temperatura warunki pomiaru wartości graniczne czas narażania t kontrolowąnych parame trów C8 S4; 5 S4; 10 S4; 10 Spra*tdzenie 5310 wytrzymałoś t sto max t stg max ci na suche C9 gorąco 1000 h 1000 h 1000 h S4; 15 Sprawdzenie mm odporności na narażenie elektryczne wytrzymałości na spadki swobodne t stg max parame trów położenie elementu w czasie spadku i wartości graniczne Oj Z CP m w w J CP o ClO S4; 40 S4; 5 S4; 15 S4; 10 Sprawdzenie 53 wymiarów sprawdzane parametry geometrycz ne 1)W podgrupie C sprawdzenie szczelności ~ norma przedmiotowa powinna określić czy badanie stosuje się dla danego typu fototranzystorów J

8 Tilblica 4 Badania grupy D U J Plany i warunki badań Opis jakości jakości jakości Podgru Rodzaj wg pa PN78/T Warunki Warunki Warunki jakości V Warunki Dane wg arkusza szczegółowego l Dl S4; 1 5 Sprawdzenie odpor hpa ności na niskie ciśnienie atmosferyczne D1) S4; 40 S4; 40 S4; 5 Sprawdzenie wytrzy 535 małości na rozpuszczalniki 10 S4; hpa S4; 5 1 temperatura narażania warunki pomiaru rodzaj rozpuszczalnika D3 Sprawdzenie palności 536 nie stosuje się D4 ) S4; 5 Sprawdzenie wytrzy 533 małości na pleśń S4; 15 stopień dopuszczalnego wzrostu grzybów pleśniowych wymagania dotyczące uszkodzeń powierzch " niowych tjj Z co Q'\ w :l co o >' D5 ) S4; 5 S4; 15 Sprawdzenie wytrzy 534 małości na mgłę solną czas narażania położenie elementu w czasie D6 S4; 45 S4; 5 S4; 5 Sprawdzenie parame sprawdzenie należy trów informacyjnych wykonywać metodami pomiarowymi po A si' As Z danymi w normach As przedmiotowych S4; 15 warunki pomiarów 8 HS t r t l lub f9 1) Badania stosuje się dla wyrobów w obudowach plastykowych ) Badania stosuje się przy zamówieniu wyrobów w wykonaniu tropikalnym lub dla klimatu morskiego

9 BN 86j337SS8jOl 9 Tablica S Oznaczenie Nazwa par ametru Podgrupa badań l 3 [CEO [CE(H) U CE sat [ CB (H) prąd ciemny kolektoremiter prąd jasny kolektor'emiter napięcie nasycenia kolektoremiter prąd jasny kolektor baza B B3 B4 BS B6 C C C4 CS C6 C7 C8 C9 Dl B1 B3 B4 BS B6 C C C4 CS C6 C7 C8 C9 Dl C C czas narastania i opadania impulsu prądu fotoelektrycz tt ~ tf lub f g nego lu b częstotliwość graniczna D6 )$ tliugość fali odpowiadająca maksimum czułości fototranzystora D6 9 HS kąt polówkowy fototranzystora D6 ) s 1 ; A sl widmowy zakres pracy D6 \ n api ę cie prze bicia U ( BR)CEO kolektoremiter C U (BR)CBO U (BR) ECO lub U(BR ) EBO m napięcie prze bicia kolektor baza napięcie prze bicia emiter kolektor napięcie przebicia emiter baza masa wyrobu C C C C3 5 5 Ocena wyników badań wg PN 78jT01S15 p54 6 Badania gr upy B wg PN 78jT 0 151S p 6 Z 56 Dostawa elementów po badani<lch wg PN 78j 63 Badania grupy C wg PN 78j TOl S15 p 6 3 T p Badania grupy D wg PN 78jT01S15 p POSTĘPOWANE W PRZYPADKU NEGATYWNEGO WYNKU BADAŃ 61 Badania grupy A wg l'n78jt p 61 KON E C nfor macje dodatkowe

10 10 nformacje dodatkowe do BN86/337558/0l NFORMACJE DODATKOWE l nstytucja opracowująca normę nstytut Teclmologii Elektronowej przy Naukowo'Produkcyjnym Centrum Półprzewodników Warszawa Al Lotników 3/46 podane przy określonej temperaturze otoczenia parametry charakterystyczne: prąd ciemny kolektoremiter CEO nast~pujące Normy związane PN75/ E04550/15 Wyroby <elektrotechniczne Próby środowiskowe Próby Q szczelność PN83/ T01504/ 00 Elementy półprzewodnikowe Metody pomiaru tranzystorów i diod Postanowienia ogólne PN78/T Elementy półprzewodnikowe Ogólne wymagania i PN 84/ T 01500/04 Półprzewodnikowe elementy optoe lektryczne Terminologia 3: Symboł wg SWW CE CH) prąd jasny kolektoremiter CBCH ) prąd jasny kolektorbaza U CE sat napięcie nasycenia kolektoremiter t't' t f lub f g czas 'narastania i czas opadania impulsu częstotli prądu fotoelektr)"c znego lub wość granic zna długość fali odpowiadająca maksimum czułości fototranzystora kąt połówkowy fototranzystora widmowy zakres pracy U CBR) CEO napięcie przebicia kolektor emiter 4 Wartości dopuszczalne W arkuszu szczegól owym dla danego typu fototranz:ystorów pownny' być podane dopuszczalne wartości nast~pujących : U CEO napięcie kolektoremiter UECO p tot napi<;cie emiterkolektor moc całkowita t temperatura złącza 1 t amb temperatura otoczenia w czasie pracy t stg temperatura przechowywania UCBO napi~cie kolektor baza UEBO naplęcie emiterbaza Dane te stanowią graniczne wartości obciąże\ których nie można przekroczyć w eksploatacji fototranzystorów 5 Parametry charakterystyczne Warkuszu szczególowym dla danego typu fototranzystorów powinny być U ( BR )CBO U CBR)ECO lub U ( BR)EBO m napięcie przebicia kolektorbaza napięcie przebicia emiterkolektor napięcie prze bicia emiterbaza masa wyrobu 6 Wprowadzenie podgrupy D6 S prawdzenie informacyjnyc h Wprowadzenie podgrupy D6 stanowi rozszerzenie podziału grupy D wg PN 78/ T w celu podania szerszej informacji dotyczącej zastosowania elementów 7 Dostawy elementów o wysokiej jakości i bardzo wysokiej j akości mogą być realizowane po uzgodnieniu z producentem wielkości dostaw i po uzgodn'ieniu ceny 8 Autor projektu normy mgr inż Jerzy Kuszel mgr Maria Grynglas NaukowoProdukcyjne Centrum Półprzewodników Warszawa ul Komarowa 5