N O R M A BRANŻOWA. Tranzystory typu '''1. Symbol wymiaru. A 4,5-5,2 l 12,5-14,5 - b 0,35-0,55 M 3,6-4,2 - b l - 0,4 - E 3,4-3,6 -

Transkrypt

1 UKD ELEMENTY PÓŁPRZEWODNKOWE N O R M A BRANŻOWA Tranzystory typu BC 337, BC 33B BN-B /09 Grupa katalogowa Przedmiot normy. Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące krzemowych tranzystorów PNP małej mocy, małej częstotliwości, wykonanych technologią epitaksjalno-planarną, typu BC 337, BC 338 w obudowie plastykowej, do za stosowań powszechnego użytku oraz w urządzeniach wymagających zastosowania elementów wysokiej i bardzo wysokiej jakości. Tranzystory przeznaczone są do pracy w układach przełączających, we wzmacniaczach m.cz. oraz w stopniach sterujących i końcowych wzmacniaczy Hi-Fi. Kategoria klimatyczna dla tranzystorów: - standardowej jakości (poziom jakości ) 40/125/04, - wysokiej jako ś ci (poziom jakości ) 40/125/21, - bardzo wysokiej jakości (poziom jakości V) - 40/125/ Przykład oznaczenia a) tranzystora standardowej jakości: TRANZYSTOR Be BN-87/ /09 b) tranzystora wysokiej jakości : TRANZYSTOR Be /3 BN-87/ / 09 c) tranzystora bardzo wysokiej jakości: TRANZYSTOR Be /4 BN-87/ / Cechowanie tranzystorów powinno zawierać następujące dane: a) oznaczenie typu (podtypu) kodem wg tabl. 1, b) oznakowanie dodatkowe dla tranzystorów wysokiej i bardzo wysokiej jakości. Tranzystory wysokiej jakości powinny być znakowane cyfrą 3, a tranzystory bardzo wysokiej jakości cyfrą 4 umieszczoną po oznaczeniu typu. Tablica. Oznaczenie typu (podtypu) kodem Typ tranzystora Kod BC BC BC BC BC BC BC BC Wy i oznaczenie wyprowadzeń tranzystora - wg rysunku i tabl. 2. Oznaczenie obudowy stosowane przez producenta CE 35. '''1. f;r n A-A. - 2 A. - c::. -a. 1 Wersja /1 k BN -e7/3m- 30 /091 J - dopuszcza się ś l a d (ubytek tworzywa) po wypychaczu na powi erzchni korpusu obudowy, 2 - dopuszcza s ię ubytki na krawędziach wyprowadzeń h,;;; Symbol wymaru Tablica 2. Wy obudowy CE 35 Wy, stomm Symbol wymaru Wy, mm Kąt pień mm nom max mm nom max nom A 4,5-5,2 l 12,5-14,5 - b 0,35-0,55 M 3,6-4,2 - b l - 0,4 - E 3,4-3,6-0D 4,5-5,2 k 1,2-1,5 - d 1,4-1,77 n 2 ) e l ) 2,0-3,0 '" " ') Wymiar kontrolowany w o dleglości 2 mm od płaszczyzn y podstawy obudowy. ') Do tyczy oceny lu towności., l! Zgłoszona przez Zakłady Przemysłu Elektronicznego KAZEL Ustanowiona przez Dyrektora' Naukowo-Produkcyjnego Centrum Półprzewodników dnia 21 listopada 1987 r. jako norma obowiązująca od dnia 1 lipca 1988 r. (Dz. Norm. i Miar nr 4/ 1988, poz. 10) WYDAWNCTWA NORMALZACYJNE..ALFA" '988. Druk. Wyd. Norm. W-wa. Ark. wyd Nakł Zam. 622/86 Cena zł 48.00

2 2 BN-87/ /09 5. Badania w grupie A, B, C i D - wg BN-801 b) badania podgrupy A2, A3, A4 i C2 - wg tab!. 3, p c) badania grupy B, C i D - wg tab!. 4, 6. Wymagania szczegółowe do badań grupy A, B, d) parametry elektryczne sprawdzane w czasie l po CiD badaniach grupy B, C i D - ' wg tab!. ~. - a) badania podgrupy A l - sprawdzenie wymiarów A, 0D, - wg rysunku i tab!. 2, 7. Pozostałe postanowienia - wg BN-80/ /00. Podgrupa _. b a d ań Tablica 3. Parametry elektryczne sprawdzane w badaniach podgrupy A2, A3, A4 Rodzaj badania Kontrolowany parametr Metoda pomia- War t ości graniczne ru wg PN-74/ Warunki pomiaru stka. BC 337 BC 338 T -O l 504 mary mln max mln max lo A2 Sprawdzenie podsta-. CEs ark. 09 UCE = 45 V, R SE = O na wowych parametrów elektrycznych UCE = 25 V, R SE = O na 100 U(BR )CEO' ) ark. 07 l e = 10 ma, l B = O V U(BR)CES ark. 03 l c = 100 la, R BE = O V U(BR)EBO ark. 04 h= 100 la, l c = O V h2';) ark. Ol l c = 100 ma, UCE = V C l c = 300 ma') UCE = V A3 Sprawdzenie drugo- C2 rzędnyc h pa ra metrów UCE,a,'} ark. 06 Je = 500 ma, l a = 50 ma V - 0,7-0,7 elek trycznych UBE') ark. Ol l e = 300 ma, UCE = V V - 1,2-1,2 Ą.4 Sprawdzenie parame- l CEs ark. 09 UCE = 45 V, RBE = O la UCE = 25 V, RaE = O trów elektrycznych W t amb = 125 C (po- ZOm lj i V) ') Pomia r impulsowy l p ~ 300 ~ s, li ~ 2%. ' ) Selekcja na klasy lo, 16, 25 tylko na życze nie odbiorcy. Tablica 4. Wymagania szczegółowe do badań grupy B, C D Lp. Podgrupa ba d a ń Rodzaj badania Wymagania szczegó ł owe / B, C Spra wdzenie w y t rzymał ości mechanicznej wypro- próba Ub: metoda 2, 2,5 N, 1 cykl próba Ual : 5 N wadze ń Spra wdzenie szc ze l ności próba Q, wodny roztwó r alfe nolu 2 B2, C3 Sprawdzenie lutownośc i wyprowa d zeń ocena lut ow n ości nie obejmuje c zó ł wyp rowa dze ń (po wycię c iu belki) oraz bocznej powierzchni na wymiarze n (po wycięci u mostków) 3 B3, C9 Spra wd ze ni e wy t rzy m a ł ości na spadki swobod ne p ołoże n ie tra nzystora w czasie spadan ia - wyprowadzeniami do gó ry 4 B4, C4 Sprawd ze ni e wy t rzym ał ośc i na udary wielokrotne mocowanie za ob ud owę 5 B5, C5 Sprawdze nie wy trzyma ł ości na n agłe zmiany tem- TA = -55 C, Ts = 155 C (poziom jakośc i peratury i V) 6 B6, C6 Sprawd ze nie od po rn ości na n arażenia elektryc zne u kład OB wg PN-78/T tab!. 5, obc i ążenie: dla BC 337: UCB = 35 V, -h = 14,3 ma dla BC 338: UCB = 20 V, -fe = 25 ma 7 C3 Sprawdzenie masy wyrobu 0, ,25 g 8 C4 Sprawdze nie wy trz yma ł ości na przyspieszeni a stale kierunek probierczy - obydwa kierunki w zdłuż osi wyprowadzeń, mocowanie za obudowę

3 BN-87/ /09 3 cd. tab!. 4 Lp. Podgrupa badań Rodzaj badania Wymagania szczegółowe C4 Sprawdzenie wytrzyma/ości na wibracje o stałej częstotliwości (poziom jakości ) Sprawdzenie wytrzymałości na wibracje o zmiennej częstotliwości (poziom jakości i V) mocowaole za obudowę 9 C5 Sprawd_ wytrzyma/ości na ciepło lutowania temperatura kąpieli 350 C \O C7 Sprawdzenie wytrzymałości na zimno tstg min = -55 C (poziom jakości V) C8 Sprawdzenie wytrzymałości na suche gorąco tslg m" = 155 C (poziom jakości V) 12 C\O Spra wdzenie wymiarów wg rysunku i tab!. 2 '.. 13 Dl Sprawdzenie odporności na niskie ciśnienie atmo- temperatura narażania 25 C (poziom jakości sferyczne V) 14 D2 Spra wdzenie wytrzymałości na rozpuszczalniki alkohol izopropylowy lub aceton; A 0D wg rysunku i tab! D3 Spra wdzenie palności palność zewnętrzna 16 D4') Spra wdzenie wytrzymałości na pleśń brak porostu pleśni (poziom jakości V) ) Spra wdzenie wytrzymałości na mgłę solną położenie tranzystora dowolne (poziom jakości V) ) Badanie stosuje się przy zamówieniu wyrobów w wykonaniu tropikalnym lub dla klimatu morskiego. Tablica 5. Parametry elektryczne sprawdzane. w czasie po badaniach grupy B, C D Oznaczenie Metoda pomia- Wartości graolcznc ru wg PN-74/. Warunki pomaru Podgrupa badań stka BC 337 BC 338 T-O 504 mm max mm max [CES ark. 09 U CE = 45 V, h= O B, B3,B4, B5, C, C2, C4,C5,D - 0,1 - - ~A UCE = 25 V, h= O B, B3, B4, B5, C, C2, C4, C5, Dl ,1 UCE = 45 V, h= O B6, C6, C8 ~A - 0,5 - - U CE = 25 V, h= O B6, C6, C8 ~A ,5 U CE = 45 V, h= O C2 1 ) ~A U CE = 25 V, h= O C2 1 ) ~A \O h2le ark. O lc= \00 ma, U CE = V B, B3, B4., B5, C, C2, C4, C5, C7 \O ) W czasie badania odporności na suche ~orąco. 2) W czasie badania odporności na Zlmnl' \ B6, C6, C8 \O C2 2 ) \O nformacje dodatkowe KONEC

4 4 nformacje dodatkowe do BN-87/ /09 NFORMACJE DODATKOWE l. nstytucja opracowująca normę - Naukowo-Produkcyjne Centrum Półprzewodników, Zakłady Przemysłu Elektronicznego KAZEL w Koszalinie. 2. Normy związane PN-74/T / 0 Tranzystory: Pomiar h"e i napięcia UBE PN-74/ T / 03 Tranzystory. Pomiar n a pięć przebicia U(B/lCEO, U(BRCES, U(BRKER, U(BRCEX PN-74/T-01504/04 Tranzystory. Pomiar n apięć i U(BREBU PN-74/ T-01504/ 06 Tranzystory. Pomiar n a pi ęć i UBE.,., metodą impulsową PN-75/T-01504/07 Tranzystory. Pomiar napięć przebicia U(BRCEO nasycenia U CE '.' przebicia U(BRCEO, U(BRCER. U(BRCES. U(BRKEX metodą impulsową PN-78/ T Elementy półprzewodnikowe. Ogólne wymagania i badania BN-80/ /00 E Qłl1en ty półprzewodnikowe. Tranzystory małej mocy małej częstotliwośc i. Wymagania i badania 3. Symboł wg KTM BC BC BC BC BC BC BC BC 3.; Wartości dopuszczalne - wg rys..- i tabl. -l. S. Dane charakterystyczne - wg rys. 1-2 i 1-3 i tabl cd. tabl. -l. Ozna- Wartości Lp. czenle Nazwa stka dopuszczalne BC 337 BC UEBO N apięcie emiter- V 5 5 -baza~ 4 lc Prąd kolektora ma CM Prąd szczytowy A 1,2 kolektora 6 B Prąd bazy ma Ptot Całkowita moc mw 500 wejściowa (stała ) Rys. - l - Rthj-(J ~ 250 C/W. 2 - R thj - a ~ 200 C/W. (Tra nzystor z wyprowadzeniami ó długości 3 mm przymocowany do pł ytki drukowanej. przy czym kolektor jest połączony z folią miedziową o powierzchni cm'). lub średnia) na wszystkich elektrodach 10mb ~25 C 8 j Temperatura złą- oc 150 cza 9 tamb Temperatura oto- oc czej1ja w czasie pracy 10 t.~/g Temperatura prze- oc chowyw'ania ') Tranzystor z wyprowadzeniami o długości 3 mm przymocowany do płytki drukowanej, przy czym kolektor jest połączony z fol i ą miedzi ową o powierzc hni cm'. Ptot mw " ~ 1 o 25 ~ i~ ~ ~ ~, l 45 ", tamb oc BN 87/ / [e ':1 8(337 ma t-:- :14((/lN [tamil-m BC JOO loo 100 o ll r~(( ' nł./ ~01fl l L i"'"' L i"'" ""'- 'l... ~!" 4~/' r,-2ma J CE y 50 BN ~ Tablica -. Wartości dopuszczalne Ozna- Wartości Lp. czenle Nazwa pammetru stka dopuszczalne, BC 337 BC 338 UCBO Napięcie kolektor- V U as Napięcie kolektor- V przy U BE = O zoo hm o BC 337 BC 338 f O Rys. 1-2 b-z5 C ~, " Rys. 1-3 'c::. 'oc' rw BH-87/3m-30/o9-[- 31

5 nformacje dodatkowe do BN-87/ / Lp. Oznaczenie TaltHca -l. Dane charakterystyczne Wartości parametrów Nazwa Warunki pomiaru stka BC 337 BC 338 ~ _ mm typ max mm typ max hu Prąd zerowy kolektora UCE =45 V, R BE = O na UCE = 25 V, RBE = O na U'BRCEO ) Napięcie przebicia kolektor- l c = 10 ma,b= O V U,BRCES Napięcie przebicia kolektor- lc = 100!lA, R BE = O V U(BR)EBO Napięcie przebicia emiter- Je= 100 ).A,lc = O V baza 5 UCE sa,') Napięcie nasycenia kolektor- lc= 500 ma,b= 50 ma V - - 0, ,7.. 7 h2li) Statyczny współczynnik l c = 100 ma, UCE = V UB;) Napięcie baza lc= 300 ma, UCE = V V - - 1, ,2 wzmocmema prądowego w układzie wspólnego emitera lc= 300 ma) UCE= V fr Częstotliwość graniczna Jc = 10 ma, UCE= 5 V MHz f= 100 MHz 9 CCBO Pojemność złącza kolektor- UCE= 10 V, Je= O pf baza f= MHz ) Pomiar impulsowy p :s;; , li :s;; 2%. ') Selekcja na klasy wzmocnienia 10, 16, 2S tylko na życzenie odbiorcy.