'Układy scalone' wysokiej. Kolektor każdego ' tranzystora układu UL 1l01N oraź" o dołączon~ do potencjału niższego niż każdy potencja! kolektora.

Transkrypt

1 UKD MKROUKŁADY SCALONE NO' R MA B R A N Ż O '1 BN '39/06 'Układy scalone' typu UL 1101N UL 1102N W A Grupa katalogowa 1925 ne bipolarne analogowe układy calone typu UL lloln 1 Przedmiot normy Przedmiotem normy są monolitycz UL 1l02N pełniące unkcję dwóch niezależnych wzmacnia czy różnicowydi przeznaczone do pracy w elektronicznych urządzmiach powszechnego użytku i urządzeniach wymagających zastosowania układów o wysokiej 'i bar~o i wysokiej jakości 'Zgodnie z określeniami ~g PN ~ 78/T ~016l5 l]kła~ dyljl 1101N r6żnią się od układów UL 1l02N tylko kolejnością wyprowadzeń ' Kategoria klimatyczna dla układów: ' l standardowej jakości (poziom jakości 1) _ 25/070/21 wysokiej' jakości (poziom jakości lll) 25/070/56 bandzó wysokiej jakoś' ci (poziom jakości ) 25/070/56 Układ scalony l stopnia (151) wg PN78/T016l5 Schematy elektryczne układów wg rys 1 i ryli 2 podroże BN88/331sWOR Rys 2 Schemat elektryczny układu UL 1102N Kolektor każdego ' tranzystora układu UL 1l01N oraź" ' a'02n jest odizolowany od podłoża złączem pn W celu zapewnienia norllalnejprac:y tra~zystora UL pod~oże musi być o dołączon~ do potencjału niższego niż każdy potencja! kolektora aby poszczeg6lnetraj;lzystory by)y odizolowane od siebie W celu wyeliminowania niepożądanych sprzężeń pomiędzy tranzystorami podłoże powinno być uziemnione dla prze bieg6w zmiennych przez odpowiedni kondensator Rys 1 Schemat elektryczny układu UL 1l01N " 2 Przykład oznaczenia układ6w a) standardowej jakości: UKŁAD SCALONY ANALOGOWY UL 110m b) wysokiej jakości: BN~88/337539/06 UKŁAD SCALOŃY ANALOGOWY UL 1l01N/3 B188/337539/06 ' J c) bardzo wysokiej jakości~ UKŁAD SCALONY ANALOGOWY UL 1l01N/4 BN /06 ' ZgłoszQna przez' Fabrykę Półprzewodników TEWA Ustanowiona przez Dyrektora NaukowoProdukcyjnego Centrum Półprzewodników dnia 26 listopada 1988 r ' jako norma obowiązująca od dnia 1 lipca 1989 r (Dz Norm i Miar' nr 2/1989 poz 4) WYDAWNCTWA NORMALŻACYJNE ALFA" 1989 bruk Wyd Norm Wwa Ark wyd 110 Nak! Zam 790/89 Cena zł 10000

2 2 BN88/337539/06 dane: ' 3 Cechowanie układów powinno zawierać następujące a) znak lub nazwę producenta b) oznaczenie typu c) oznaczenie wyprowadzeń w układzie wg p '4" d) datę produkcji dla wyrobów mających nadliny jakości "et znak Ponadto układy wysokiej jakości powinny być znakowane cyrą 3 a układy bardzo wysokiej jakości cyrą 4 umiesz czoną po oznaczeniu typu 4 Wymiary i oznaczenie wyprowadzeń układów wg rys 3 i tabl l Oznaczenie obudowy stosowane przez producenta CE 70 5 Badania w grupie AJ B: C i D ' w~ BNłh/337539/00 p 51 ' CiD 6 Wymagania szczegółowe dotyczące badań grupy AJ B '; a) sprawdzenie pllrametrów elektrycznych ' wg tabl 2 i rys 6 9 ' b) spr~wdzanie odporności na nat:ażenia elektryczne wg rys 4 t rys; S ' c) masa wyrobu':' 1 g d) zakres temperatury otoczenia w czasie pracy: t llmb '' o ' ' o ' ' mln 25 C t 11m b max 70 C e) zakres temperatury pr'zechowywania: t o ' o 111 min 40 CtU> max +125 C ci l) ) wartość AQL w podgrupie <::6 25 (poziom i!ikoś ' i i! ' ~ ' " ~ jt:+! i i i ' B b c BN8!Z3375~39/0131 Rys 3 ~ ' Tablica l Wymiary obudowy CE 70 Symbol Wymiary mm Kąt Symbol Wymiary mm Kąt wymiaru stopni wymiaru 'stopili min nom max min nom max' A ' 51 e 254 A i 051 e B 177 L 2~ b 0; ' ME 830 c D Op5 E 635 ' '

3 BN88/337~39/06 ' " 3 ' Tablica 2 ParametrY elektryczne sprawdzane w czasie i po badaniach grupy A! B! C i D " Oznaczenie Metoda pomiaru parametru wg Warunki pomiaru Podgrupa badań Jednostka Wartości graniczne' A2 B3 B4 C2") C4 20 Dl ' rys6i7 ZCS 10 pa U (BR)CS BS B6 C2 CS C6 C7 18 C8 C2 1 A2 B3 B4' )C4 20 Dl U PN87/ C 10 pa (BR)CBO TOlS04/04 ZE 0 B5 ' B6 'C2 CS C6 C7 18 C8 A2 B3; B4 C2"') ' C4 ls Dl U(BR)CEO PN74/ C : 1 ma TOlS04j03 r so BS B6 C2 CS c6 B 135 ' C7 C8 U(BR)EBO 2) UBE ' E = 10 pa A2 B3 B4 C2 i ) C4 Dl S PN81/ T01504/04 v C O BS B6 C2 CS C6 4S ' C7 C8 PN87/ U 3 CB A2 B3 C2 i ) TOlS04/Ó1 C = 1 ma 1) A2 B3 B4 C2 C4 100 Dl ' ( ZcaO PN87/ U lo CB ~A TOlS04/0S 0 E B5 B6 CS c6 C7 C8 150 ' min C2 pa 3 3) U 3 U BN83/ CB 1) O /22 2 ma A2 B3 C2 m E ' S A UD 4) oraz rys 8 rys 9 U Q O U CC 12 ' U EE 6 napięcie p~u ' A2 B3 C2 1 ) db 28 " pracy U t 3 3 " l 1 khz 1) Wartość dla sprawdzenia parametr6~ ele"'trycznych! 2) Ze względu na wewnętrzne wlllczenia szer'egowe tranzystor6w przy pomiarze napięcia baza~emiter badanego tranzystora należy uwzględnić napięcie na tranzystorze dodatkowym (wprowadzając go w stan nasycenia tabl 3) 3) Przy pomiarze układu UL l102n podłai:e należy dołączyć do masy; elementy 120 pf oraz 150 mają 2Zl zadanie likwidację wzbudzeń 4) Przy pomiarze układu UL 1l02N Podłoże należy dołączyć do masy Kolejność czynności przy 'pomiarze: ustalić' warunki pomiarowe odczytać'na mierniku wartość napięcia U O' ~ obliczyć wartość r6żnicowego wzmocnenia napięciowego ze wzor~ ' ' max 08 U o AAU 201g [ db] U lub U o AUD=W [vl l

4 4 BN88/337S39106 Tablica 3 UL 110lN Pomiar U Warunki artość napię BE pomiaru Cia którą latranzystora leży uwzględnić Tl T2 l (T3) 100 pa Ud: (!"3)Ol B ' TS T6 l~ (T4) 100 pa U ce (T4) 0~1 T3 wyprowadzenia: U (Tl T2) CE l 12 13; 14 mu 07 szą być zwarte T4 wyprowll(1zenia: U (TS T6) CE S 68 9 ' rnus zą 07 być zwarte / ' UL 1102N Pomiar' UBt Wlrunki Wartość napięcia tranzystora pqmiaru którą należy uwzględnić Tl T2 l B (T3)~ loojla U CE (T3) 01 TS 1'6 l (T4) loopa UC: ( T4) 0 1 B ' ;T3 i wyprowadzenia: U (T!' T2)' 07 CE ' l muszą być zwarte T4 wyprowadzenia: U (TS T6) 07 CE 678;9 muszą być zwarte ) ' 240Jl v PorjToie 15kJZ 240Jl ' 18N:88337~39/0641 BN88/331539ZoH Rys 4 Schemat elektryczny układu do badania odpornośc i na narażenia elektryczne układu UL 1l01N +10 Rys' 6 Uktad pomiarowy do pomiaru n:apięci~ przebicia kolektorpodłoże U (B ' ) tranzystorów Tl T2 lub ' R CS TS T6 ' PodToże BN88/337S391oi51 Rys 5 Schemat elektryczny układu do badania odporności na narazenia elektryczne układu UL 1102N ( Rys 7 Układ pomiarowy do pomiaru napięc ia kolektor~podłożeu '(B~)CS tranzystorów T3 T4 prze bicia

5 BN88/337S39/06 1ioR r==' 1HltQS% 2'o''o;{ 4 1k12 t 05 % ' OJl r==o r 120pF l ' ~5 '~1 H:~;~:t"~ 100R ~ 15 H~~ 120pF ":'_J " 18N8Q7l3'5~3g/0681 Je 110Jl S7 RysB Układ do pomiaru wejściowego napięcia niezrc$wnoważemia UO TA ' T b ' para tranzystorów T1 T2 lub TS T6 R U Ul U " '~ " O l R" + & kJ1:tQS% ~~~~~~12 11cS2t QS% 0 :>+_[ T3(T4) 1 33 L : J 1kJl :to5~ Ul" 10m 10)lF G (:;1kHz 05 k2 1: 05 % '~' (01 AJ F 6 ' BNB337s3970B Ry~ 9 Układ do pomi~ru ~6żnicowego wzmocnienia napięciowego A 'UD ' 7 Pozostałe postanowienia wg BN':Bl/337S39/ą<> TA' T b para tranzystorów T 1 T2 lub 1:S T5 ' KONEC normacje dodatkowe

6 6 normacje dodatkowe do BN /66 NFORMAt JE DODATKOWE 1 nstytucja opracowująca normę Naukowo PJ;odukcyjne Centrum Półprzewodników 'Fabryka ków TEWA Warszawa 2 Normyzwiazane Półprzewodni PN87/T01504/01 Tranzystory Pomiar h 21E i napięcia U BE PN74/T 01504/03 Tranzystory Pomiar napięć przebicia (BR)CEO U{BR)CES' (BR)CER t U (BR)CEX PN87/TU1504/04 Tranzystory Pomiar napięć przebicia UCBR)CBO i U(BR)EBO PN87 /T 01504/ 05 Tranzystory Pomiar prądów wstecz BN w 83/337526/22 Analogowe układy scalone Po~iar'na pięcia nlezrównowaźenia wejściowego U ro BN8l/337539/oo Układy scalone analogowe Wymagania i badania 3 Symbol wg'ktm UL 110lN UL 1102N 11563l11Ó Wartości doguszczalne wg tabl ll (przy t '4mb 25 C) nych CBO i PN78/T01615 EBO Mikroukłady scalone Ogólne wymagania t badania 5 Dane charakterystyczne wg tabi 12 (przy t a 0 amb 25 C) Tablica ll Wartości ' dopuszczalne Lp OznacLenie parametru Nazwa pomiaru Jednostka Wartości dopuszczalne min max Moc tracona w kolektorze jednego tran 1 P d (1) mw zystora 300 / 2 P d _ Moc tracona w całym układzie przy t _ 250 C atlł mw UCl: 4 U CB Napięcie kolektor baza Napięcie kolektoremiter 15 " 20 5 U CS Napięcie kolektorpodłoże 20 ' 6 U ES Napięcie emiterbaza ' 5 7 C Prąd kolektora jednego tranzystora ma 50 8 tamb Teniperatura otoczenia w czasie pracy Oc t ił" Temperatura przechowywania c C Tablica 12 Dane charakterystyczne Wartości parametru Oznaczenie Lp Nazwa parametru WarUnki pomiaru Jednostka: parametru min typ max l Napięcie przebicia kolektor U(BR)CEO le l ma ~emiter B 0 i {BR)CBO 3 U(BR)CS ~baza U Napięcie przebicia kolektorlc E i O i 10 pa / Napięcie przebicia kolektor CS 10 pa ' podłoże 4 Napięcie przebicia emiter 5 E lo' pa 7 U {BR)EBO baza lc 0 5 U BE Napięcie bazaemiter U cs c l ma "

7 lnormllcj~ dodatkowe do ;BN88/337539/06 7 cd tab 1 2 Oznaczenie Lp Nazwa parametru Warunki pomiaru Jednostka parametru : Wllrtości parametru min typ max 6 l CBO Prąd zerowy kolektora U eb 10 na E O ; 5 7 U Wejściowe napięcie niezrów U 3 m O eb noważenia ' E 2 ma 8 Różnicowe A wzmqcnienie napię U Di1) ee c 12 db ciowe pojedyńczego wzmacniacza UE'; =:6 różnicowego nlrp1ęcie punktu pracy U 33 1 khz 9 A D (2) db 60 Różnicowe wzmocnienie na' UC'c 12 pięciowe dwóch wzmacniaczy UE~ = 6 różnicowych (w połączeniu napięcie punktu pracy kaskadowym ) U =33! = 1 khz 10 ' AGC(l) Zakres automatycznej regula U '»12 db AGC(2) cji wzmocnienia pojedrnczego ' ce wzmacniacza U różnicowego n 6 ' " nllptęcie punktu pracy {] 33!» 1 khz ~ Zakres automatycznej regula : Uce~12 db 105 cji wzmocniertia (dwóch WZm& cniaczy różnicowych w połączeniu kaskadowym) U EE :"'6 napęcie punktu' pracy U»33 ' " l 1 khz " 12 ~MRR Współczynnik tłumienia sygna U 12 dl3 ee 100 łu wspólnego U EE 6 ' napięcie punktu pracy 13 "He U 33» l khz ' ' Małosygnałowa :awarciow8: im U ce 3! ko 35' pedancja wejściowa w układzie wspólnego' emitera Je 1 ma 1 khz 14 "12e współczyn~ik wstecznego lc 1 ma przenoszena napięciowego w Układzie wspólne'go emitera 1 khz ł T "21e "22e Małosygnałowy rozwartiowy U ee 3 2 _10 4 U 3v ct współczynnik przenosienia prądowego 'i układzie wspól 1c 1 ma nego emitera 1 khz' Małosygnałowy rozwarciowy 110 Małosygnałowy' rozwarc~owa U C '; ' admitacja wyjściowa w 1lkła dzie wspólnego emiterll C 1 ma 1 khz Częstotliwość graniczna: U ee 3 MHz 550 J C ' 3mA 100 MHz! ' p ' 18 F W spółczynl):ik szumów (poje U CE 3 db 4 dyńczego tranzystora) / C p 100"A : 1 khz RG lko