N O R M A BRANŻOWA ..! A - - 5,60 e - 2,54 1 ) - A, - - 7,80 e, 2,00-2,50 A, - - 4,00 e, 1,35-1,75. b, - 1,6 ' ) - j 1,10-1,30

Transkrypt

1 UKD N O R M A BRANŻOWA BN-B7 ELEMENTY /09 PÓŁPRZEWODN KOWE Tranzystory typu BF 196 Grupa katalogowa 193 l. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące tranzystorów krzemowych n-p-n małej mocy, wielkiej częstotliwości wykonanych technologią epitaksjalno-planarną typu BF 196 w obudowie plastykowej, przeznaczonych do sprzętu powszechnego użytku oraz urządzeń wymagających zastosowania elementów o wysokiej i bardzo wysokiej jakości. Tranzystory BF 196 przeznaczone są do stosowania we wzmacniaczach pośredniej częstotliwości wizji i w stopniach automatycznej regulacji wzmocnienia OTV. Kategoria klimatyczna dla tranzystorów: - standardowej jakości (poziom jakości ) /04, wysokiej jakości (poziom jakości ) , bardzo wysokiej jakości (poziom jakości V) - 40/15/56.. Przykład oznaczenia tranzystorów a) standardowej jakości: TRANZYSTOR BF 196 BN-87/3375-3l/09 b) wysokiej jakości: TRANZYSTOR BF 196/3 BN-87/ /09 c) bardzo wysokiej jakości : TRANZYSTOR BF 196/4 BN-87/ /09 3. Cechowanie tranzystorów powinno zawierać na- dane: stępujące a) nazwę producenta lub znak fabryczny, b) oznaczenie typu, c) oznaczenie dodatkowe dla tranzystorów wysokiej bardzo wysokiej jakości. Tranzystory wysokiej jakości powinny być oznakowane cyfrą 3, a tranzystory bardzo wysokiej jakości cyfrą 4 umieszczoną po oznaczeniu typu. 4. Wymiary i oznaczenia wyprowadzeń tranzystorów - wg rysunku i tabl. l. Oznaczenie obudowy stosowane przez producenta - CE 36...! E...L D l l : '.:::- -'- Z Z "", , l -. r 1"1 "" -.l!l. b1 U D E -.J Bt C ' - Obudowa CE 36 e e 'J DJ Tablica l. Wymiary obudowy CE 36 Symbol Wymiary w mm Symbol Wymiary w mm wymiaru wymiaru mm nom max mm nom max A - - 5,60 e -,54 1 ) - A, - - 7,80 e,,00 -,50 A, - - 4,00 e, 1,35-1,75 b, - 1,6 ' ) - j 1,10-1,30 b, 1, 15-1,5 L 4, b J 0,70-0,80 L, 1,85 -, 15 c 0, 17-0, N, 3,0 - - D - - 7,50 E - -,30 ') Wymiar teoretyczny. l Z - - 1,5 5. Badania w grupie A, B, C i D - wg BN / Wymagania szczegółowe do badań grupy A, B, C i D a) badania podgrupy Al - sprawdzenie wymiarów A, D, /, E wg rysunku i tabl. l, b) badania podgrupy A, A3, A4 i C wg tabl., c) badania grupy B, C i D wg tab. 3, d) parametry elektryczne sprawdzane w czasie i po badaniach grupy B, C i D wg tab Poostałe postanowienia - wg BN /00. Zgłoszona przez Fabrykę Półprzewodników TEWA Ustanowiona przez Dyrektora Naukowo-Produkcyjnego Centrum Półprzewodników dnia 15 kwietnia 1987 r. jako norma obowiązująca od dnia 1 października 1987 r. (Dz. Norm. i Miar nr 8/1987, poz. ) WYDAWNCTWA NORMALZACYJNE.. ALFA'" Druk. Wyd. Norm. W-wa. Ark. wyd Nakł Zam. 105/87 Cena zł 7.00

2 BN-87/ /09 Tablica. Parametry elektryczne podstawowe sprawdzane w badaniach podgrupy A, A3, A4 C Podgrupa Kontrolowany pomiaru Jed- Warunki pomiaru BF 196 parametr wg PN-74/ nostka T-Ol 504 mm max badań Rodzaj badania Metoda Wartości graniczne A Sprawdzenie podstawowych CBO ark. 05 UcB=DV E = O na parametrów elektrycznych U(BRJCBO ark. 04 c = O,uA E = O V 40 - U(BRJCEO'1 ark. 07 c = 4 ma B = O V 30 - U(BRJEBO ark. 04 = E lo,ua c = O V 4 - h1e'1 ark. 08 U CE = OV - 4 c- ma A3 Drugorzędne parametry U BE ark. Ol C- - 4 ma U CE = OV V - 0,85 C elektryczne f r ark. 4 c = 4 ma U CE = 10 V MHz 50 - f= DO MHz -C 1tS ark. 3 -le = ma Ue/; = D V pf f= MHz 'wcc ark. 5 c = 4 ma U CE = DV ps - 1 f = 50 MHz ag pe rys. 1- c = 4-6 ma rys. 1-3 RE + Rc == 3,9 ko db 30 - niniejszej -U EE = 5 V normy f = 36,4 MHz A4 Sprawdzenie parametrów CBO ark. 05 U CB = OV elektrycznych w amb = 15 C E- - O,uA - 50 (poziom i V) ') Pomiar impulsowy p 300,us, /) %. Tablica 3, Wymagania szczegółowe do badań grupy B, C D Lp. Podgrupa badań Rodzaj badania Wymagania szczegółowe 3 4 B, C Sprawdzenie wytrzymałości mechanicznej wy pro- próba Ub, metoda ;.5 N wadzeń Sprawdzenie szczelności.. Rróba Ual; 5 N próba Q B3, C9 Sprawdzenie wytrzymałości na spaqki swobodne położenie tranzystora w czasie spadania wyprowadzeniami do góry 3 B4, C4 Sprawdzenie wytrzymałości na udary wielokrqtne mocowanie za obudowę 4 B5, C5 Sprawdzenie wytrzymałości na nagłe zmiany TA = -55 C, T B = 15 C (poziom jakości 1l i V) temperatury 5 B6, C6 Sprawdzenie odporności na narażenia elektryczne Układ OB wg PN-78/T ta bl. 5 -le = 8 ma, U cb ==0V 6 C3 Sprawdzenie masy wyrobu 0, g 7 C4 Sprawdzenie wytrzymałości.. na przyspleszellle stałe kierunek probierczy, obydwa kierunki wzdłuż mocowanie za obudowę osi wyprowadzeń, Sprawdzenie wytrzymałości na wibracje o stałej częstotliwości (dla poziomu jakości ) Sprawdzenie wytrzymałości na wibracje o zmiennej częstotliwości (dla poziomu jakości V) mocowanie za obudowę

3 BN-87/ /09 3 cd. tab!. 3. Lp. Podgrupa badań Rodzaj badania Wymagania szczegółowe C5 Sprawdzenie wytrzymałości na ciepło lutowania temperatura kąpieli 350 C AQL = 4,0 9 C7 Sprawdzenie wytrzymałości na zmno 1 sg min = -55 C (poziom jakości V) 10 C8 Sprawdzenie wytrzymałości na suche gorąco t = -1'i C stg max - (poziom jakości i V) CO Sprawdzenie wymiarów wg rysunku tab!. 1 Dl Sprawdzenie odpornpści na niskie ciśnienie temperatura narażania 5 C (poziom jakości i V) atmosferyczne 13 D Sprawdzenie wytrzymałości na rozpuszczalniki alkohol etylowy, aceton sprawdzane wymiary A, D i L wg tab!. rysunku; masa tranzystora 0. g 14 D3 Sprawdzenie palności palność zewnętrzna 15 D4 Sprawdzenie wytrzymałości na pleśń bra k porostu pleśni po badaniu 16 D5 Sprawdzenie wytrzymałości na mgłę so lną położenie tranzystora dowolne Tablica 4. Parametry elektryczne sprawdzlłne w czasie po badaniacb grupy B, C D (poziom, V) Metoda Wartości graniczne Oznaczenie lit erowe pomaru Jed- Lp. Warunki pomiaru Podgrupa badań BF 196 parametru wg PN-74/ nostka T mm max CBO ark. 05 U cb =O V l E- - O B, C, B3, B4, B5, na C, C4, C5, C7, C9, Dl B6, C6, C8 na C') J.LA hle'l ark. 08 c = 4 ma B, B3, B4, B5, C, U CE = lo V C, C4, C5, C7, C9 ') W czasie badania. ') Pom"ilir 'impulsowy rp 300 p.s. i.;;; %. B6, C6, C8-4 - C') KONEC NFORMACJE DODATKOWE l. nstytucja opracowująca normę - Naukowo-Produkcyjne Centrum Półprzewodników - Fabryka Półprzewodników TEWA, Warszawa ul. Komarowa 5.. Normy lwilzane PN-74/T-O 504/01 Tranzystory. Pomiar h 1E i napięca U BE PN-74/T-01504/04 Tranzystory. Pomiar napięć przebicia U(BRJCBO i U(BRJEBO PN-74/T-01504/05 Tranzystory. Pomiar prądów wstecznych CBO i lebo PN-74/ T-01504/07 Tranzystory. Pomiar napięć przebicia U(BRJCEO' U(BRJCER' U(BRJCES' U(BRJCEX metodą impulsową PN-74/T-01504/08 Tranzystory. Pomiar h 1E metodą impulsową PN-74/ T-01504/3 Tranzystory. Pomiar parametrów [Yj w zakresie w.cz. PN-74/T Tranzystory. Pomiar modułu h 1E w.cz. i częstotliwości f T w zakresie PN-74/T /5 Tranzystory. Pomiar stałej czasowej sprzężenia zwrotnego 'bb'c c PN-78/T Elementy półprzewodnikowe. Ogólne wymagania i badania BN-80/ /00 Elementy półprzewodnikowe. Tranzystory małej mocy, wielkiej częstotliwości 3. Symbol wyrobu wg KTM BF Wartości dopuszczalne - wg rys. [- i tab!. -. 5, Dane charakterystyczne - wg tab!. 1- i rys

4 4 nfo rmacje dodatkowe do BN-87/ / 09 Piot (mw) 8F f OD! 1 50 o 0 <fj ód 80 'OD RUj-a 65 Kiw tan -87/ Rys. -. Zależn ość temperaturowa ca łkowitej mocy wej ś l o wej P 'O' =!(t amb ) 1 pf Q6 ll- pf toopf r-----, 3pF,, CJ 1,jJ.H O,66)J.H 83pF 33pF Rys. 1-. Schemat układu pomiarowego wspók zyn nika wzmocnienia mocy ( stopień wzmacniacza pośredniej częstotliwości) Obwód bazy przy regulacji wzmocnienia mocy napięciem RE + Re = 3,9 ko; -V EE = 5 V oraz przy regulacji wzmocnienia mocy prądem : l c (m A) 0 ). ',r; 15!J.. 3,9k,, ' 1' 1/ 1/ / / V V,/ J i/ L /. ( dt --60 d8 / / " -rt - d8-40d8 r'-- J / ); 30 d8./ f-, "" ' "" / / r' / )<.,. '" '" "- r-- ( r--. r-- " r d8 10 d8 r"- ', " O d8 ' RE + R e = l kil; -V EE = 0 V t"- - - " 15 Va(V) 0 len - B7/337-3l iamb-, C [,-ma 0 f--+-ł--i l, - VCER Ow fa f O' 10 l,(kr) KP 11H-87!337-31!O!i=l- 41 Rys Krzywe spadku wzmocnienia mocy AG p, = const Rys Zależność napięcia kolektor-emiter od impedancji bazy V CER =!(ZB)

5 nformacje dodatkowe do BN-87/ /09 5 Tablica l-l. Wartości dopuszczalne Lp. Oznaczenie parametru Nazwa parametru Jednostka Wartości dopuszczalne BF UCBO Napięcie kolektor-baza V 40 U CEO Napięcie kolektor-emiter V 30 3 U EBO Napięcie emiter-baza V 4 4 J c Prąd kolek tora ma 5 5 J B Prąd bazy ma 3 6 P/Ol Całkowita moc wejściowa (stała lub średnia) na wszystkich elektrodach przy T. mb = 5 C mw T j Temperatura złącza oc 15 8 T SR Temperatura przechowywania oc T. mb Temperatura otoczenia w czasie pracy oc Tablica 1-. Dane charakterystyczne Lp. Oznaczenie literowe Nazwa parametru Warunki pomiaru Jed- Typ BF 196 nostka mm typ max J CBO U(BRJCBO U(BRiCEO U(BR)EBO h 1E Prąd zerowy kolektora UCBO = 10 V, JE = O Napięcie przebicia kolektor-baza J - C - 10 pa, JE = O Napięcie przebicia kolektor-emiter J c = 4 ma, J B = O Napięcie przebicia emiter-baza J E - 10 pa, J c = O Statyczny współczynnik wzmocnienia prą- J C - 4 ma, U CE = OV dowego w układzie wspólnego emitera na V V V U BE T Napięcie baza-emiter J c = 4 ma, U CE = 10 V Częstotliwość gramczna J - 4 C - ma, U CE = 10 V f=oomhz V - 0,75 0,85 MHz r bb, C c Stała czasowa sprzężenia zwrotnego przy J c = 4 ma, U CE = OV wielkiej częstotliwości 1=1 MHz ps C les ag p Pojemność s przężenia zwrotnego (przy J E- - ma, U CE = 10 V wejściu zwartym dla przebiegów zmien- 1=1 MHz nych) w układzie wspólnego emitera Zakres regulacji wzmocnienia mocy J c = 4 -;- 8 ma f = 36,4 MHz pf - 0,5 0,3 db gile ly 1e l Małosygnałowa zwarciowa konduktancja J c = 4 ma wejściowa w układzie wspólnego emitera Moduł zwarciowej admitancji przenosze- U CE = OV nia wprzód w układzie wspólnego emitera ms ms ge Małosygnałowa zwarciowa konduktancja f= 35 MHz wyjściowa w układzie wspólnego emitera ij.s G p Wzmocnienie mocy J c = 4 ma, -U EE = 5 V RE + Rc = 3,9 kl1 f = 36,4 MHz db - 6 -

6 nformacje dodatkowe do BN-87 / / F196 fe (ma ) o t am b-j C,.. tt 1/ :..-'],)-'l' / V 0't J,/'/ '" V'l /' 1// V/ / ",,}o V: V/,/"... /; V i--(0)la./ V/ / V V/ 100)J.A,A/,/ V B -50jJ.A (h l v) 0 18H"/ / Rys Charakterystyka wyjściowa l e = f ( U CE ) 18 - parametr {)() YZ1ej (ma Xl 0 0,1 EF 196 az f-3"1hr ; i"" ' '11!: aj tamb-5"c }l./, LZ.1 - ' l' l l- N, # 1,/ Ł )Q. '" J/ t=:-: v :::..: <. 10 t c{ma) 10 BH1/l375 31/ Rys Zależność admitancji przejściowej wprzód od prądu kolektora Y1el ; 'l'l e = f(lcj ( / l' 10 ibf 196 v. V [ [ [ V/. t, -5"[ rani> NHz / r- 35ot1Hz 1_ Z50NHz 10 8F 197 tamb 5 [ JZle:f--t-+-:-1-+-t+tTr--t-t++r+i-ttl (ms) f.f1h -- ta NHż BH 81/ /09 -si Rys Krzywa częs totliwości granicznej we współrzędnych -so m, w-m l. '. y'/je 10 / f=35nł:.:.. q'f ::::, J - r- l O'0":----'' '"!---,...,.r-''... 0,1 l ferma 10 Rys Zależność admitancji w)j,eiowej od prądu kolektora ge: C e = f(c) N 87/ !OQ--71 Rys, 1 7. Zal ei'. ność admitancji w ejśc i owej od prądu emitera gile: C/e = f( l ł )