I I I. .~,2f~ BN-B8 BDP 392, BDP 394, BDP ,.J,, vw~ N O R M A ',... IBN 88! i. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są szczególo:

Transkrypt

1 UKD PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNKOWE N O R M A BRANŻOWA BNB8 Tranzystory typu /25 BDP 392 BDP 394 BDP 396 Grupa katalogowa 1923 i Przedmiot normy Przedmiotem normy są szczególo: we wymagania dotyczące krzemowych t"ranzystorów mocy PNP małej częstotliwośc i wykonanych techniką ' epitaks jalnej bazy typu BDP 392 l3dp 394 BDP 396 w obudowie ' b) oznaczenie typu c) oznakowanie dodatkowe dla tranzystorów wysokiej i bardzo wysokiej jakości Tranzystory wysokiej jakości powinny być znakowane ' '" cyfrą 3 a tranzystory o bardzo wysokiej Jakości cyfrą 4 umieszczoną :po oznaczeniu typu plaswkowej E 30 (TO 220AB)) prze;n;"czonych do za '"?tosowań"w sprzęcie powszechnego użytku oraz w urządzeniach wymagając;ych zastosowania elemeritow o wysokiej j bardzo wysokiej jakości zgodnie z określeniami wg PN78/ 'f01515 Tranzystory przeznaczone są do 'pracy w układach prze 'ączających mocy regulatorach napięcia w stopniach vyjś c owych wzmacniaczy mocy malej częstotliwości Tranzystory typu BDP 392 BDP 394 BDP 396 są komplementarne odpowiednio do tranzystorów BDP 391 BDP 393 BDP 395 <ategoria klimatyczna dla tranzystorów: standardowej jakości (poziom jakości l )40i 0/ wysokiej Jakości ( poziom jakości!li) 40/0/21 bardzo wysokiej jakości (poziom Jakości V) 40/0/56 2 Przykład oznaczenia tranzystorów a) standardowej jakości: TRANZYSTOR BDP392 ' BN88/ / 25 b) wysokiej 'jak ości: TRANZYSTOR BDF 392/ 3 BN88/ /25 c) bardzo wysokiej jakości: TRANZYSTOR BOl' 92/4 BN88/ / 25 3 'echowanie tranzystorów powinno zawierać następujące dane: a) nazw 'ę producenta lub znak fabryczny 4 Wymiary i oznaczenia WyProwadzeń tranzystora wg rys i tab! 1 Oznaczenie obudowy stosowane przez producenta E 30 V A F _ r ' E E E 2 2f J vw t! b b E BN 88! Rys 1 Obudowa E 30 oł t ' c:: Zgłoszona przez Fabrykę Półprzewodników TEWA Ustanowiona przez Dyrektora NaukowoProdu'kcyjnego entrum Półprzewodników dnia 29 marca 1988 r jai<o norma obowiązująca od dnia 1 października 1988 r (Dz Norm i Miar nr /1988 poz' 26) WYDAWNTWA NORMALZAYJNE "ALFA" 1988 Druk Wyd Norm Wwa Ark wyd 170 Naki Zam 1320/88 ena zł 9600

2 BN88/337532/25 Tablica 1 Wymiary obudowy E 30 Symbol Wymiary mm wymiaru min nom max A b b D e e F 127 H L 127 L vp :T L Przekainik fe ma lłc +12V _J 120 S 1V toosl 05 W VrU)EO L f5sz 5W 25 mh N/LLER Nr 4533 lub rownorzę(jfll/ (Jcc Odelll/lanie pionowe yy Osc Poziome xx Q Zr E E EZ O (Ju V ( Nap{f/a'e kolektaemiter l ) BN88/3375":32m 21 p 5 5 Badania w grupie A B D wg BN80/ Rys 2 Metoda pomiaru napięć przebicia kolektoremiter U(BR)EO i U (BR)ER a) podstawowy układ pomiarowy b) oscylogram napięć przebiciar i R Z ' R 3 R4 rezystory L indukcyjność ' O oscyloskop T mierzony tranzystor ' 6 Wymagania szczegółowe do badań grupy A B i D a) badania podgrupy Al sprawdzenie wymiarów A b b D e (w odległości 645; 650 mm od obudowy) 1 rys 1 i tabl l b) badania podgrupy A2 sprawdzenie podstawowych parametrów elektrycznych wg tabl 2 c) badania podgrupy A3 sprawdzenie drugorzędnych wg parb!letrów elektrycznych wg tabl 3 + d) badania podgrupy A4 sprawdzenie parametrów e o lektrycznych w temperaturze t mb z 0 (pozlom 111 i ' V) wg tabl 4 e) badania podgrupy B i D wg tabl 5 f) parametry elektryczne sprawdzane w czasie i po badaniach grupy B i D wg tabl 6 g) wartość AQL dla jakości podstawowej dla podgrupy 2 4% dla podgrupy 4 25% c SN88/ al Rys 3 Układ pomiarowy do pomiaru napięciau BE impulsową G generator R S ' R rezystory Vi woltomierz impul sowy V 2 woltomierz do pomiaru napięcia metodą kolektor 7 Pozostałe postanowienia wg BN80/337532/00 emiter V 3 woltomierz impulsowy Z źródło napięcia stałego W wskaźnik równowagi T mierzony tranzystor

3 Tablica 2 Parametry elektryczne sprawdzane w badaniu podgrupy A2 (poziom l! llj i iv) Wartość graniczna Lp Oznaczenie literowe Metoda pomiaru Warunki pomiaru Jednostka BDP 392 parametru ' wg ' min max BDP 394 min max min BDP 396 max 1 2 ' PN74/T01504/09 U E = 20 V ma :O 2' PN74/T01504/09 U = 30 V ma EO ' E 3 r EO PN74/T01504/09 u : = 40V ma 4 U(BR)EO 1) p6 rys' 2 lc 02A B =O V 40 5 U ( BR)EąO PN74/T01504/04 1 = 1 ma l = O V 'E 5 6 U 1) p 6 rys 2 (BR)ER oraz PN74/T01504/07 " lc =02A R SE 0a V ' ; & ' 00 V W N N V 7 h '2łE 1) PN74/T01504/08 1 =5A U = 4 V E ER PN74/T01504/09 U E = 35 V R BE = 0a pa ER PN74/T01504/09 U E = 55 V R BE = 00 pa 500 ler PN74/T01504/09 U E = 75 V R BE = 0 a pa 560 1) Pomiar impulsowy: t p ' 300 P5 " 2% w

4 Tablica 3 Pa rametry lektryc zne sprawdz an e w badaniu podgrupy A3 i 2 (poziom H V) t Wartości graniczne Lp Oznaczenie lite rowe parametru Metoda pomiaru wg Warunki pomiaru Jednostka BDP 392 BDP 394 BDP 396 min max l min max 8 9 min max 11 l U 1) PN74/ T01504/ 06 =5A B =O5A V 13 E sal U Ą ) PN74/T01504/06 c =5A BE sat 1 = O5A V 1 5 B U BE 1) p 6 rys 3 1 = 5A U 4 V V 13 'E f T PN74/T01504/24 1)Pomiar impulsowy t p 300 's'; 6 2% 1 =O5A U E ' 4V ' MHz 4 f p = 1 MHz Tablica 4 Parametry elektryczne sprawdzane w badmiu podgrupy A4 ( poziom 1 i V) 4 4 td Z g: W V1 N V1 Wartości graniczne Lp Oznaczenie literowe parametru Metoda pomiaru wg Warunki pomiaru Jednostka BDP 392 min max BDP 394 min max BDP 396 min max l : U = 35 V ma E R = 0 (} SE 1 l PN74/ T01504/ 05 o crr t am b= 0 U = 55 V ma E i U = 75 V ma E

5 BN88/337532/25 5 Tablica 5 Wymagania szczegółowe do badań grupy B i D Lp Podgrupa' badań Rodzaj badania Wymagania szczegółowe B Sprawdzenie wytrzymałości mecha próba Ub SN ' ±05 N liczba cykli 3 nicznej wyprowadzeń próba Uii1 N Sprawdzenie szczelności próba Q 2 B3 ' Sprawdzenie wytrzymał6ści na spadki położenie tranzystora w czasie spadania swobodne wyprowadzeniami do góry 3 B4 i 4 Sprawdzenie wytrzymałości na udary mocowanie za obudowę wielokrotne Sprawdzenie odporności na nar ażenia wg PN78/T01515 p 5322 elektryczne tablica 5; metoda badania a) układ OB o tamb 25 ±5 BDP 392 u 4 B6 i 6 E BDP V lc 60 ma U E 40 V 1 45 ma BDP Sprawdzenie masy 2g U E 55 V lc = 33 ma Sprawdzenie wytrzymałości na przyspieszenie stałe kierunek probierczy: obydwa kierunki wzdłuż osi wyprowadzeń: mocowanie za obudowę 6 4 Sprawdzenie wytrzymalości na udary mocowanie za obudowę wielokrotne 7 5 Sprawdzenie wytrzymałości na wibracje o stalej częstotliwości Sprawdzel1ie wytrzymałości na ciepło lutowania mocowanie za obudowę temperatura kąpieli czas regeneracji 6 h B lo Sprawdzenie wymiarów wg rys 1 i tab! 1 9 Dl Sprawdzenie odporności na niskie ciś temperatura narażenia 2S o (poziom jakości nienie atmosferyczne i V) D2 Sprawdzenie wytrzymałości na rozpusz alkohol etylowy aceton czalniki 11 D3 Sprawdzenie palności palność zewnętrzna 12 D4 Sprawdzenie wytrzymałości na pleśń brak porostu pleśni po badaniu (poziom jakości i V) 13 DS Sprawdzenie wytrzymałości na mgłę położenie tranzystora dowolne (poziom jakośi i V) solną

6 Tablica 6 Parametry elektryczne sprawdzane w czasie i po badaniach grupy B i O (poziom l V) 0'1 Wartości franiczne Oznaczenie literowe parametru Metoda pomiaru wg Warunki badań Podgrupa badań Jednostka BOP 392 BOP 394 min max min max min BOP 396 max ER PN74/T01504/OS 35 V B l B3 B4 B V l pa V 01 1 ) 600 r = O B : [ol to) 35 V B V 6 ma h21e 2) PN74/T01504/08 = 5 A B 1 B3 B R BE = 75 V 8 = won 35 V 55 V 2 1 ) ma 75 V 25 i Oj :z O> O> W Ul W N N Ul ) 'U = 4 V 6 B6 8 E ) W czasie badania 2 1 ) 200 lo ) Pomiar impulsowy t p ::;: 300 ps ej ::;: 2" KONE nformacje dodatkowe

7 nformacje dodatkowe do BN88/337532/25 7 NFORMAJE DODATKOWE l nstytucja opracowująca norme Naukowo Produk PN75tT 01504/09 Tranzystory Pomiar prądów resztko cyjne entrum Półprzewodników Fabryka Półprzewodników TEWA Warszawa ul Komarowa 5 2 Normy związane PN74/TOl504/04 Tranzystory Pomiar napięć przebicia U(BR)BO i U(BR)EBO PN74/T 01504/05 Tranzystory Pomiar prądów wstecznych BO i EBO PN74/T01504/ 06 Tranzystory Pomiar napięć nasycenia UEsat i UBEsat metodą impulsową PN74/T01504/07 Tranzystory Pomiar napięć przebicia UBR)EOUBR )ER' U BR ) ES' USR)EX metodą impulso'"'ą wych ler' ' ES EV i prądu zerowego l EO PN74/T01504/24 Tranzystory Pomiar modululh 21e l w zakresie wcz i częstotliwości f T PN7B/T Elementy półprzewodnikowe Ogólne wymagania i badania BN80/337532/00 Elementy półprzewodnikowe Tranzystory mocy małej częstotliwości Wymagania i badania 3 Symbol wg KTM BDP BDP BDP BOOB 4 Wartości dopuszczalne wg tabl l i rys ll " 12 PN74/ T 01504/0B Tranzystory Pomiar h 21E impulsową metodą 5 Dane charakterystyczne wg tabl 12 i rys o Tablica ll Wartości dopuszczalne ( t amb " 25 ) Lp Symbol Nazwa parametru Jednostka Wartości dopuszczalne BDP 392 BDP 394 BDP USO Napięcie kolektorbaza przy JE = O V U EO Napięcie kolektor emiter przy l B = O V UESO Napięcie bazaemiter przy l = O V U ER Napięcie Kolektoremiter przy R = _ 00 BE V Prąd kolektora A Prąd bazy A S ałkowita moc wejś t li W Ptot ciowa na wszystkich elektrodach tllmb :s 25 W 18 1B B B tatg Temperatura przechowywania Oc t; Temperatura złącza Oc +155 t amb Temperatura otoczenia w czasie pmcji Oc 40 f +0

8 Tablica 1 2 Dane charakterystyczne t amb = 25 co Typ Lp Oznaczenie parametru Nazwa parametru Warunki pom iaru Jednostka BDP 392 min typ max BDP 394 min typ max min BDP 396 typ max l B l EO Prąd zerowy kolektora U E = 20 V 1 U = 30 V ma E U E = 40 V ER Prąd resztkowy koleku E = 35 V 500 tora 3 EBO Prąd zerowyemitera U BE 5V U = 55 V R E SE =l00a pa Uf"'E = 75 V l O c: ma 1 4 h 1) 21E Statyczny współczynu = 4 V E nik wzmocnienia prą dowego l 5A 5 U 1) BE U E =4V 1 = 15 A 5 Napięcie bazaemiter U E = 4 V lc = 5 A 13 V U E = 4 V l =15 A ) Napięcie UEsat nasycenia 1 = 5 A = O 5 A 13 ' B ' kolektor emiter V =15AB=5A l i n 8: e i Z w Ul 7 u 1) Napięcie nasycenia BEsat bazaemiter ' B ' 1 = 5 A [ = O 5 A V

9 cd tabl U(R)EO 1) Napię c ie przebicia l = 02A V kolektoremiter ŚO 9 u 1) Napięcie przebicia e =0 2A R BE = V (BR)ER kolektor emiter = 00 1 _ f T 11 R thi c S zęs totliwoś ć granicz Ze 0 5 A U E = MHz na = 4 V t p = 1 MHz Rezystancja termiczna le 5 A U = / W z ł ą cze obudowa 15 V B > P &!! '" 11> P o t:jj Z Ul b1 12 R thi4 Rezys tancja termiczna le= 0 18 A / W z ł ącz e otoczenie U = V es ) Pomia r impu l s owy t p 300 ps «1 2"

10 lu nformacje dodatkowe do DN88/337532/25 Je A 5 4 J 2 1 r ' :ms p ms $ ' 1' ' ' NO "' ' '" " " 1 " "' r r' 1 1 l K a2 BDP392 J t 8(]P394 r V v ' '" BDP V U ee t p czas trwania impulsu BN 88/ r ll Rys ll Dopuszc zalny obszar pracy tranzystora [ =t<u ) E P t t BDP 392"'"BDP 396 o W 6J ' 50 le A r e f(u ee ) BDP 392 BDP394 BDP39G 4f) tqse 15 1l5 200m A!j(JmA? ' V ibl! /25 r 31 ibn / Rys 12 Zależność temperaturowa całkowitej mocy strat od temperatury Ptot=f(tcau) Rys 13 harakterystyka wyjściowa lc =1 (U E )

11 l nformacje dodatkowe do BN88/337532/25 11 e BDP 392 +BDP 39ó BDP UEoort N) X " /1 V i?88/ /l5H 1;0 Rys 14 harakterystyka przejściowa 1 = f (U ) BE l al Ó5 06 a7 08 ' ag {)ESQJ v BN 88/337532/25161 BDP hz(a f () Rys 16 Napięcie nasycenia kolektoremiter w funkcji prądu kolektora / io"""'" ' ' i" ; 01 o 1 A BN 88/ r51 Rys 1 5 Typowa charakterystyka statycznego nika wzmocnienia prądowego w funkcji prądu U E = const 4 V współczynkolektora q1wuwuwuwu 05 ' 15 UBEat V 20! BN 88/ Rys 17 Napięcie nasycenia bazaemiter w funkcji prądu kolektora