BAY P61 BN-83. Diody typu BAVP 61

Transkrypt

1 UKD N O R M A BRANŻOWA BN-83 ELEMENTY PÓŁPRZEWODNKOWE Diody typu BAP 61 Grupa katalogowa 1923 l Przedmiot normy Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące miniaturowych, krzemowych diod przełączajacych małej mocy typu BA YP '61, wykonanych techniką epiplanarną, w obudowie całoszklanej, przeznaczonych do zastosowań w sprzęcie profesjonalnym oraz w urządzeniach wymagających zastosowania elementów o wysokiej i bardzo wysokiej jakości Diody przeznaczone są do pracy w układach przełączających i urządzeniach telekomunikacyjnych Kategoria klimatyczna - wg PN-3E-040 dla diod: - podwyższonej jakości 1210, - wysokiej jakości 1221, - bardzo wysokiej jakości Przykład oznaczenia diod typu BA YP 61: a) podwyższonej jakości DODA BAYP 61 BN b) wysokiej jakości DODA BAYP 613 BN c) bardzo wysokiej jakości DODA BAYP 614 BN Cechowanie diod powinno zawierać następujące dane: a) oznaczenie typu - wykonane drukiem (wg rys 1) na podkładzie koloru: niebieskiego - dla diod o podwyższonej jakości, pomarańczowego - dla diod wysokiej jakości, białego - dla diod bardzo wysokiej jakości lub alternatywnie (tylko dla diod o podwyższonej jakoś c i) kodem kolorowym w postaci pasków, żółtego i brązowego, naniesionych na obwodzie obudowy; 6 BAY P61 Rys 1 b) oznaczenie wyprowadzenia katody - określone za pomocą paska naniesionego na obwodzie obudowy od strony katody (przy zastosowaniu kodu kolorowego - katodę wskazuje żółty pasek kodu) Zgłoszona przez Naukowo-Produkcyjne Centrum Półprzewodników Ustanowiona przez Dyrektora Ośrodka Badawczo-Rozwojowego Podstaw Technologii i Konstrukcji Maszyn TEKOMA - dnia 1 marca 1983 r jako norma obowiązująca od dnia 1 października 1983 r (Dz Norm i Miar nr poz 18) WYDAWNCTWA NORMALZACYJNE "ALFA" 1983 Druk Wyd Norm W-wa Ark wyd 0,0 Nakł Zam Cena zł 1200

2 2 BN Wymiary i oznaczenia wyprowadzeń diody - wg rys 2 i tabj 1 Obudowa - element kompletny A24 wg PN-3 T Oznaczenie obudowy stosowane przez producenta CE 02 Maksymalna dopuszczalna długość niepocynowanego odcinka wyprowadzenia przy obudowie wynosi 3 mm 6 D Rys 2 1$H-Wn-9 ON! Symbol wymiaru o b2 D G Tablica l Wymiary diody Wymiary, mm min nom max 0,4-0,6 1,0-2,20 3,0 4,00,40 2, Badania w grupie A, B, C i D - wg BN p 1 6 Wymagania szczegółowe do grupy A, B, CD a) badania podgrupy Al - sprawdzenie wymiarów D, G, - wg rys 2 i tabj l, b) badania podgrupy A2, A3, A4 i C2 - wg tab! 2, c) badania podgrup B, C i D - wg tab! 3, d) parametry elektryczne sprawdzane w czasie i po badaniach grupy B, C i D - " wg tabj 4 Pozostałe postanowienia - wg BN Tablica 2 Parametry elektryczne sprawdzane w badaniach podgrupy A2, AJ, A4 i C2 A2 A3 A4 Wartości graniczne Metoda badania wg Warunki pomiaru Jednostka PN-4T mm max UF ark lf= 10 ma - 1,0 Sprawdzenie podstawowych pa- R ark 6 UR = 20 na "- 2 R ark 6 UR = A,0, - Q, ark 61 F = 10 ma pc - 60 Kontrolowany parametr Sprawdzenie drugorzędnych pa- C, Ot akr 8 UR = O f= MHz pf - 4,0 Sprawdzenie pa w tmb = 12 oc (po- lr ark 6 UR = 20 A - 0 ziom i ) C2 Sprawdzenie drugorzędnych pa- lf= 10 ma t" ark 9 RL= n UR=6 ns - 4,0 i" = ma Tablica 3 Wyniagania szczegółowe do grupy B, C D Lp 2 3 B, C prowadzeń Sprawdzenie wytrzymałości Wymagania s zczegółowe 4' mechanicznej wypróba al, N 2 B3 C9 3 B4 4 B C B6, C6 Sprawdzenie szczelności detergent Q Sprawdzenie wytrzymałości na spadki swo- położenie diody w czasie spadania - wyprowadzenia rówbodne noległe do kierunku spadku Sprawdzenie wytrzymałości na udary wiei 0- mocowanie za obudowę w sposób sztywny, nie niszczący krotne (dla poziomu ) obudowy diody Sprawdzenie wytrzymałości na nagłe zmiany TA = - oc temperatury TB = 12 oc badanie może być wykonane alternatywnie wg jednej z metod: a) praca w układzie prostownika jednopoł6wkowego z obcią- Sprawdzenie odporności na narażenia elek- żeniem rzeczywistym - wg PN-8T-011 tab!, metryczne toda f UR = lo = ma b) praca przy maksymalnej polaryzacji wstecznej - wg PN-8T-011 tab!, metoda g UR = tamb = 12 oc

3 BN cd tab! 3 Lp Wymagania szc zególowe C2 Sprawdzenie odpornoś c i na suche gorąco lamb = 12 oc Sprawdzenie odporności na zimno lamb == - oc C3 Sprawdzenie masy wyrobu 0,142 lo-l kg Sprawdzenie wytrzymaości na przyspieszenie mocowanie w tulejkach, kierunek badania prostopadły do stałe osi diody S C4 Sprawdzenie wytrzymałości na udary poje dyn- mocowanie za obudowę, w sposób sztywny, me mszczący AQL = 2, cże i wielokrotne obudowy diody Sprawdzenie wytrzymałości na wibracje o stałej i zmiennej częstotliwości mocowanie za wyprowadzenia 9 C Sprawdzenie wytrzymałości na ciepło lutowania temperatura kąpieli 260 ± oc 10 C Sprawdzenie wytrzymałości ziomu ) na zimno (dla pot" = -6 oc CS Sprawdzenie wytrzymałości na suche gorąco t slg = 200 oc 12 CO Sprawdzenie wymiarów wg rys 2 i tab! J3 Dl Sprawdzenie odporności na niskie ciśnienie atmosferyczne (poziom i ) temperatura narażenia 2 oc Sprawdzenie wytrzymałości na pleśń (poziom brak porostu pleśni po badaniu i ) 1 D Sprawdzenie wytrzymałości na mgłę solną położenie diody dowolne Tablica 4 Parametry elektryczne sprawdzane w czasie i po badaniach grupy B, C D (poziom, ) Oznaczenie literowe Metoda pomiaru wg PN-4T'{)104 Warunki pomaru Jednostka graniczne parametrów Wartości mm max B, B3, B4, B, C, - UR = C2, C4, C8, C9, Dl la 10mb = 2 oc lr ark 6 B6, C6-10 UR = 10mb = 12 oc C2 la - UF ark B, B3, B4, B, C, - 1,0 h= 10 ma C2, C4, C, C, C9 10mb = 2 oc B6, C6 1,1 lf = 10 ma tomb = - oc C2-1,1 - KONEC NFORMACJE DODATKOWE 1 nstytucja opracowujlca normę - Naukowo-Produkcyjne Centrum P6łprzewodnik6w - Warszawa PN-T'{)104 Diody Pomiar napęca przewodzenia UF PN-T'{)1048 Diody Pomiar pojemności C, PN-T'{)1049 Diody Pomiar czasu ustalania się prądu wstecz- nego t" i prądu wstecznego i" po przełączeniu impulsowym PN-T'{)10461 Diody Pomiar ładunku przełączania Q, PN-8T'{)11 Elementy p6łprzewodnikowe Og61ne wymagama i badania BN-S Elementy p6łprzewodnikowe Diody przełączające Wymagania i badania 3 Symbol wg KTM l Normy zwilzane PN-3E'{)40 Wyroby elektrotechniczne Pr6by środowiskowe PN-3T'{)10306 Elementy p6łprzewodnikowe Zarysy i wymiary Element kompletny A24 PN-4T'{) Elementy p6łprzewodnikowe Metody pomiaru parametr6w tranzystor6w i diod Postanowienia og61ne PN-T'{)1046 Diody Pomiar prądu wstecznego lr

4 4 nformacje dodatkowe do BN Wartości dopuszczalne - wg tab! - rys -l Lp l Oznaczenie nost- ka Tablica -l Nazwa Jed- UR Napięcie wsteczne Wartości dopuszczalne w tmb = 2 oc Dane charakterystyczne - wg tab! 1-2 rys URM Szczytowe napięcie wsteczne 3 lo Sredni prostowany prąd wyma 1 ) 4 b Prąd przewodzenia ma 1 ) Niepowtarzalny bsm szczytowy prąd przewodzenia (t p ::;;; s) ma 00 8ł YP 61 6 P,ot Moc całkowita wejściowa mw 00 1 ) P,«mYt' w o tj Temperatura złącza oc tsrg Temperatura prze- chowywania oc Temperatura ototamb czema w czasie oc pracy ) Obowiązuje dla diod mocowanych za 4 ± mm od obudowy odległości "- ', ; wyprowadzenia, " - 8lYP 61 w W g m _ m c O 20 fj "'""-20,M--11 too ,1 0,01 O 0,2 1 J f'c 1;"" o fol f 1 l 0,4 0,6 0,8 UF SN -83! zl Rys - Charakterystyka mocy w funkcji temperatury otoczema P,o, = f (tmb) Rys 1-2 Charakterystyki przewodzenia b = f (UF) Tablica 1-2 Wartości parametrów Oznaczenie, W tmb = 2 oc Lp Nazwa Warunki pomiaru Jednostka min typ max UF Napięcie przewodzenia b= 10 ma - 0,8 1,0 lamb = 2 oc na 2 R Prąd UR = wsteczny 20 lamb = 12 oc 1A R Prąd wsteczny UR = 1A Ctot Pojemność całkowita UR = O f= MHz pf Czas ustalania charakterystyki b= 10 ma UR = 6 t" wstecznej R L = fi i rr = l ma ns Q, Lad unek przełączania F = 10 ma pc

5 nformacje dodatkowe do BN ltot pf 03,0 2,' 2,0 1,0 8AYP 61 \ \ i' " '-1f1ffz t a mb-2'oc AYP 61 J f, 1 J U-20 0, 1 O 40 a 1,,0 10 t oc 18N-83! r- 41 o ll v BN-&»1-29ó1-r-31 Rys [-4 Zależność prądu wstecznego w funkcji temperatury złącza R = f (tj) Rys hl Zmiany pojemności w funkcji napięcia wstecznego CUt = f (UR)