S I INSTYTUT TECHNOLOGII ELEK TR O N O W EJ

Transkrypt

1 i 8 M S I INSTYTUT TECHNOLOGII ELEK TR O N O W EJ PA5fII$ STAIA ROM 4K MCY 7304N XX^ Rys. lo Obudowa CE-73 dla MCY 7304N XX Pamięć MCY 7304N XX3&'> jest statyczną pamięcią stałą ROM 4096-bitową, o organizacji 512 słów 8-bitowych, wykonaną w niskoprogowej technologii NMOS z bramką krzemo\vą.i implantacją jonów. Posiada ona sterowana wejściami 0E1, OE2 /zezwolenia wyjścia danych/ trójstanowe wyjścia danych, pełną kompatybilność wejść i wyjść z układami TTL oraz pojedyncze napięcie zasilania UDD = +5 V. Typowe zastosowania pamięci stałych ROM - to pamięci programów maszyn mikroprogramowanych, generatory znaków alfanume- ^ X X - dwuliterowe oznaczenie zawartości pamięci. W STĘPN A KARTA KATALOGOW A

2 rycznych,konwertory lcodów, układy realizujące podstawowe funkcje i operacje arytmetyczne /tablice sinusów, etc/. Zawartość matrycy pamięci, a także wymagany kod obu sygnałów zezwolenia wyjścia danych /umożliwiający bezpośrednie łączenie do 4 pamięci/ są programowane maską u producenta, w wyniku bezpośredniej współpracy użytkownika z producentem. Producent nadaje każdej nowej zawartości dwuliterowe oznaczenie, które - w połączeniu z nazwą MCY-7304N - umożliwia jednoznaczną identyfikację zawartości we wszelkich zamówieniach, korespondencji etc. Pamięć MCY 7304N XX może pracować synchronicznie lub asynchronicznie. Stan niski zezwolenia odczytu adresu / K K / pozwala na wprowadzenie adresu, natomiast wysoki stan tego wejścia zatrzaskuje wprowadzony adres w buforach adresowych. Dane pojawiają się i pozostają stabilne aż do odczytania nowego adresu. Gdy wejście AR znajduje się w stanie niskim, dane wyjściowe pojawiają się asynchronicznie po czasie ta od przyłożenia adresu * Układ MCY 7304N XX zawiera 22 wyprowadzenia czynne: - 9 wejść adresowych AO * A8-8 wyjść danych wejścia zezwolenia wyjścia danych OEl/OEi, OE2/ÓE2-2 wejścia zasilające U ^, Uss - wejście zezwolenia odozytu adresu 3H. Rozmieszczenie wyprowadzeń wraz z wymiarami obudowy pokazano na rys. i. Rozmieszczenie to jest kompatybilne z pamięciami EPROM 2708, 2716, a także z pamięciami ROM 16IC MCY:7316N oraz 2316E. Kategoria klimatyczna 00/070/10 wg PN-73/E-04550, poziom jakości II wg BN-80/ , układ scalony IV stopnia /IS4/ wg PN-78/T Układ jest hermetyzowany w dwurzędowej obudowie plastikowej CE-73 o 24 wyprowadzeniach.

3 - 3 - DOPUSZCZALNE PARAMETRY EKSPLOATACYJNE Napięcie dowolnego wyprowadzenia względem Ugs przy tfl nb = 25 C U 0,5 ~ +7 V Napięcie drenu względem Ugg Pr 2 y arab C Moc rozpraszana Temperatura prz e cbowywania Ud d max t Stg -0,5 ~ +7 V 1 W C Temperatura otoczenia w czasie pracy t, 0 ^ +70 C arab ELEKTRYCZNE PARAMETRY CHARAKTERYSTYCZNE /t, = C, = +5,0 V 5%; wszystkie wartości na- / amb DD * pięć są. mierzone względem Ugg = 0 V/ Nazwa parametru Symbol Jedn Wartość Warunki min. max. pomiaru '... ' T~ ~ Prąd upływności w e j ś ć ILI yua 10 UDD - 5,25 V, 0 V < U wo< 5,25 V, wszystkie wejścia Prąd upływności wyjść tlo /U A układ odłączony, 0,4 V < D w y <5,25V wszystkie wyjścia Prąd zasilania Tr;D ma 50 maksymalna wartość w warunkach pracy, UDn = 5,25V Napięcie wejściowo w stanie wysoki m UIII V 2,0 5,2 5 wszystkie wejścia #

4 - 4 - ELEKTRYCZNE PARAMETRY CHARAKTERYSTYCZNE c.d. i Napięcie wejściowe-w stanie niskim UIL V 0,8 wszystkie wejścia Napięcie wyjściowe w stanie wysokim U0H V CM T*. UDD UDD = 4,75 V I0H = 200^uA Napięcie wyjściowe w,stanie niskim U0L V 0,4 Iql = 2,4 ma Pojemność wejść a d re s owy c h,we j ś ć OE oraz AR Ci pf 6 wszystkie wyprowadzenia uziemione poza mierzonym; Pojemność wyjść danych Co pf 10 S m b = 25 C> i = 1,0 mhz, we - 0 v ELEKTRYCZNE PARAMETRY DYNAMICZNE: a) dla pracy synchronicznej /rys. 2a/ Nazwa parametru Symbol Jedn. War-/OŚĆ Warunki mm. _ma* 1 O Ui Czas cyklu Czas dostępu orl wejścia adresowego *o ^a(ad) ns 700 DS 500 Poziomy odniesienia : na wejściach 1^5V na wyjściach 0,6V o ra z 2,~2 V Czas trwania impulsu. zezwolenia odczytu w stanie niskim /Ali/ tw ns 500

5 - 5 - Czas ustalania.adresu Czas zanikania adresu Czas przetrzymywania na wyjściu danych po przejściu impulsu zezwolenia odczytu w stan niski ELEKTRYCZNE PARAMETRY DYNAMICZNE c.d. i ^su (ad) M a d ) th(da/su) ns 0 50 ns 20 ns 20 Czas narastania i opadania impulsów wejściowych: 20 ns ; obciążenie wyjścia: i,5 bramki TTL oraz CL=100pF b) dla pracy asynchronicznej /rys. 2b/ Czas cyklu Czas dostępu od wejścia adresowego " 5"'..."6 Czas przetrzymywania na wyjściu danych po zmianie adresu *c ^a (ad) Si (da/ad) ns 500 ns 500 ns 20 Jak dla pracy synchronicznej c) dla wejść zezwolenia wyjścia danych /przy pracy synchronicznej i asynchronicznej rys. 2c/ i Czas dostępu od wejścia uaktywnienia ^a (en ) Czas zablokowania wyjścia od wejścia uaktywnienia ^dis (en) ns 300 Jak dla pracy synchronicznej

6 - 6 - a) AR -C *c t \ PW t sufadt t dtod ) Adresy X ł h(dq/ar) ł a(od) Wyjścia danych X Y c) Wejścia uaktywnienia 0E1'0E2 Wyjścia Stan wysokiej / danych impedancji ^ ^a(en) Rys. 2. Przebiegi czasowe układu MCY 7304N XX: a) przy pracv synchronicznej, b) przy pracy asynchronicznej, c) dla wejść zezwolenia wyjścia danych /przy pracy synchronicznej i asynchronicznej/ INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ Al«Lotników 32/ Warszawa tlx tel* Cena 60 zł aj 1987 Druk ZOINTE ITE zam. >1/87 n.w PRAV/0 REPRODUKCJI ZASTRZEŻONE