Systemy i architektura komputerów

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Systemy i architektura komputerów"

Transkrypt

1 Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Systemy i architektura komputerów Laboratorium nr 4 Temat: Badanie tranzystorów

2 Spis treści Cel ćwiczenia... 3 Wymagania... 3 Przebieg ćwiczenia... 3 Podsumowanie... 7 Literatura... 7

3 CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest: 1. Wyznaczenie charakterystyki przejściowej i wzmocnienia prądowego tranzystora bipolarnego, 2. Poznanie pracy tranzystora jako wzmacniacza sygnałów. WYMAGANIA Do wykonania niniejszego ćwiczenia niezbędne jest zapoznanie się z następującymi zagadnieniami: Tranzystor bipolarny typu npn i pnp: budowa, zasada działania, charakterystyki prądowonapięciowe, parametry, zastosowanie, Punkt pracy tranzystora bipolarnego, Sposoby polaryzacji tranzystora bipolarnego npn i pnp w różnych układach pracy, Charakterystyka wzmacniaczy tranzystorowych w różnych układach pracy. PRZEBIEG ĆWICZENIA Na rysunku 1 przedstawiono symbole tranzystorów bipolarnych npn oraz pnp i ich schematy diodowe. Na rysunku 2 przedstawiono rozkład wyprowadzeń tranzystorów bipolarnych. Tranzystory mogą pracować w różnych układach pracy. Na rysunku 3 przedstawiono możliwe układy pracy tranzystorów: ze wspólnym emiterem WE (OE), ze wspólną bazą WB (OB) oraz ze wspólnym kolektorem WC (OC). C C B B Rys. 1. E E a) npn b) pnp Symbole i schematy diodowe tranzystorów bipolarnych: a) typu npn, b) typu pnp Rys. 2. Rozkład wyprowadzeń tranzystorów bipolarnych (widok od strony wyprowadzeń) Strona 3 z 8

4 C E B B E a) WE b) WB C c) WC Rys. 3. Układy pracy tranzystorów bipolarnych: a) wspólny emiter, b) wspólna baza, c) wspólny kolektor Ćwiczenie nr 1 Charakterystyka przejściowa oraz wzmocnienie prądowe tranzystora w układzie WE 1. Korzystając z Internetu sprawdź czy tranzystor bipolarnego 2N2222A jest typu npn czy pnp. 2. Korzystając z uniwersalnego miernika cyfrowego zmierz i zanotuj wzmocnienie prądowe h FE = h 21E = β tranzystora bipolarnego 2N2222A, za pomocą testera wbudowanego do tego miernika. 3. Zmierz woltomierzem wartość napięcia zasilania źródła napięcia stałego (+15 V) na płycie prototypowej NI ELVIS II. 4. Sprawdź układ wyprowadzeń tranzystora 2N2222A (rys. 2) i zbuduj układ jak na rys. 4. I C A R 2 = 820 PS (+15 V) I B R 1 = 47 k U CE VPS (0 12 V) V U BE Rys. 4. Schemat układu do wyznaczania charakterystyki przejściowej oraz wzmocnienia prądowego tranzystora w układzie WE 2. W obwodzie bazy umieść, jak na rys. 4, regulowany zasilacz prądu stałego (Variable Power Supply, VPS) oraz zewnętrzny miernik cyfrowy ustawiony w tryb pracy woltomierza napięcia stałego. 3. W obwodzie kolektora umieść stałe źródło napięcia o wartości +15 V (Power Supply) oraz amperomierz z zestawu NI ELVIS II. 4. Na pulpicie sterowania VPS wybierz opcję Manual ze zwrotnym pomiarem napięcia zasilania (U zb ). 5. Poprzez regulację VPS ustaw minimalne napięcie zasilania w obwodzie bazy. Czy płynie wtedy prąd w obwodzie bazy? (Prąd w obwodzie bazy można wyznaczyć znając napięcie zasilania i napięcie na złączu baza emiter z zależności I B =U R1 /R 1 =(U zb - U BE )/R 1. Czy płynie Strona 4 z 8

5 wtedy prąd w obwodzie kolektora? Jeżeli przez tranzystor nie płynie prąd to mówimy, że jest on zatkany lub odcięty. 6. Wymuszając zmiany napięcia zasilania U zb w obwodzie bazy poprzez regulację VPS obserwuj i notuj w tabeli 1 napięcie zasilania oraz wskazania woltomierza w obwodzie bazy i amperomierza w obwodzie kolektora. Tab. 1. Wyniki pomiarów do charakterystyki przejściowej tranzystora 2N2222A w układzie WE L.p. U zb [V] U BE [V] I C [ma] I B = (U zb - U BE )/R 1 [µa] β = h 21 E =IC/IB U CE = U zc I C R 2 [V] Obserwując wskazania amperomierza z pewnością zaobserwujesz, że przy pewnej wartości prądu kolektora I C (jakiej?), dalszy wzrost napięcia zasilania w obwodzie bazy (i co jest z tym związane prądu bazy) nie powoduje już wzrostu prądu kolektora. Mówimy, że tranzystor jest wtedy w stanie nasycenia. Z czego wynika wartość prądu kolektora w stanie nasycenia? 8. Dla każdego pomiaru oblicz prąd płynący w obwodzie bazy I B z zależności (korzystamy z prawa Ohma dla rezystora R 1 i II prawa Kirchhoffa dla obwodu bazy) I B = U R1 /R 1 = (U zb - U BE )/R Dla każdego pomiaru wyznacz wzmocnienie prądowe tranzystora β. Czy wartość tego wzmocnienia jest stała? 10. Dla każdego pomiaru oblicz napięcie pomiędzy kolektorem i emiterem U CE z zależności (korzystamy z II prawa Kirchhoffa dla obwodu kolektora i prawa Ohma dla rezystora R 2 ) U CE = U zc - U R2 = U zc - I C R 2. U zc oznacza napięcie zasilania w obwodzie kolektora (zmierzone w punkcie 3). 11. Sporządź wykres charakterystyki przejściowej tranzystora I C = f(u BE ). 12. Sporządź wykres zależności prądu kolektora od prądu bazy I C = f(i B ). 13. Sporządź wykres zależności U CE = f(u BE ) napięcia kolektor-emiter (na wyjściu) od napięcia baza-emiter (na wejściu). 14. Na wykresie U CE = f(u BE ) wskaż obszar zatkania tranzystora (nie płynie prąd kolektora, napięcie zasilania w układzie kolektora jest równe napięciu kolektor-emiter), obszar nasycenia (zwiększanie napięcia baza-emiter U BE i co za tym idzie prądu bazy nie powoduje zmiany napięcia kolektor-emiter U CE, prąd kolektora jest maksymalny) oraz obszar liniowy pracy tranzystora (zmiana napięcia na wejściu powoduje proporcjonalną do niej zmianę napięcia na wyjściu). 15. Jaką rolę pełni tranzystor w układzie, jeśli jest tylko przełączany ze stanu zatkania do stanu nasycenia i odwrotnie? 16. Czy w obszarze liniowym pracy tranzystora zwiększenie napięcia U BE powoduje zwiększenie czy zmniejszenie napięcia U CE? 17. W liniowym obszarze pracy tranzystora wyznacz z wykresu U CE = f(u BE ) współczynnik wzmocnienia napięciowego U CE / U BE. 18. Co oznacza termin punkt pracy tranzystora? 19. Patrząc na wykres U CE = f(u BE ) zastanów się dlaczego przy pracy tranzystora jako wzmacniacza napięć zmiennych, należy wejściowy przebieg zmienny nałożyć na stałe napięcie polaryzacji? Strona 5 z 8

6 Ćwiczenie nr 2 Tranzystor w układzie WE jako wzmacniacz sygnałów zmiennych 1. Zbuduj układ jak na rys Na jeden kanał oscyloskopu podłącz, wykorzystując wejście analogowe AI0, napięcie pomiędzy bazą a masą (bazę połącz z AI0+ zaś masę z AI0-). Na drugi kanał oscyloskopu podłącz, wykorzystując wejście analogowe AI1, napięcie pomiędzy kolektorem o masą (kolektor połącz z AI1+ zaś masę z AI1-). 3. Na pulpicie sterowania generatora sygnałów wybierz sygnał sinusoidalny o częstotliwości 100 Hz i napięciu międzyszczytowym 0,2 V. 4. Zapewnij punkt pracy tranzystora umożliwiający obserwację wzmocnienia sygnału zmiennego (VPS ustaw na około 5 V). Naszkicuj (wykonaj zdjęcie) oscylogramy przebiegów na wejściu i wyjściu. 5. Zmieniaj wartość amplitudy zmiennego źródła napięcia z FGEN, aby uzyskać widoczne zniekształcenia sygnału na wyjściu. Naszkicuj (wykonaj zdjęcie) oscylogramy przebiegów ze zniekształceniami. Na czym te zniekształcenia polegają? Z czego one wynikają? 6. Zmieniaj wartość napięcia VPS i obserwuj wpływ punktu pracy tranzystora na pojawienie się zniekształceń. Wyjaśnij wyniki swoich obserwacji. R 2 = 820 R 1 = 47 k PS (+15 V) VPS (0-12 V) C = 220 nf FGEN R 3 = 120 Rys. 5. Schemat układu, w którym tranzystor w układzie WE pełni rolę wzmacniacza Ćwiczenie nr 3 Charakterystyka wyjściowa tranzystora w układzie WE 1. Zmierz i zanotuj wartość napięcia źródła napięcia stałego (+5V) na płycie NI ELVIS II. 2. Zbuduj układ jak na rysunku Zmierz i zanotuj wartość napięcia na złączu baza- emiter U BE. 4. Oblicz prąd bazy I B = U R1 /R 1 = (U zb - U BE )/R Zmieniaj wartość napięcia zasilania w obwodzie kolektora mierząc jednocześnie wartość tego napięcia zasilania (równą napięciu na złączu kolektor emiter U CB ) oraz prąd kolektora I C. Wyniki wpisz do tabeli 2. Zaobserwuj, czy napięcie U BE (prąd bazy) ulega zmianie? 6. Sporządź wykres zależności prądu kolektora, jako funkcji napięcia na złączu kolektor-emiter I C = f(u CE ) przy stałym prądzie bazy I B = const. Jest to charakterystyka wyjściowa tranzystora w układzie WE. 7. Podsumuj wyniki swoich obserwacji i pomiarów. Strona 6 z 8

7 Rys. 6. Schemat układu do pomiaru charakterystyki wyjściowej tranzystora w układzie WE Tab. 2. Wyniki pomiarów do charakterystyki wyjściowej tranzystora 2N2222A w układzie WE L.p. U CE [V] I C [ma] PODSUMOWANIE W wyniku przeprowadzonego ćwiczenia, a także ćwiczeń poprzednich student powinien nabyć bądź utrwalić następujące umiejętności: rozumienie zasady działania tranzystora bipolarnego, poznanie sposobów polaryzacji i układów pracy tranzystorów bipolarnych, poznanie pracy tranzystora jako wzmacniacza w układzie WE. LITERATURA [1] Górecki P.: Elektronika dla wszystkich, Tranzystory dla początkujących cykl artykułów. anzystory%20dla%20poczatkujacych/ (dostęp grudzień 2012). [2] Horowitz P., Hill W.: Sztuka Elektroniki cz. 1, wydanie 9, WKŁ, Warszawa Strona 7 z 8

8 [3] Kuphaldt T. R.: Lessons In Electric Circuits, Volume VI Experiments. (dostęp październik 2010). [4] Kuphaldt T. R.: Lessons In Electric Circuits, Volume I DC, (dostęp październik 2010). [5] Kybett H., Boysen E.: Elektronika dla każdego. Przewodnik, Helion, Gliwice, [6] Rusek M., Pasierbiński J.: Elementy i układy elektroniczne w pytaniach i odpowiedziach, WNT, Warszawa, Strona 8 z 8

Pomiary podstawowych wielkości elektrycznych: prawa Ohma i Kirchhoffa. Katedra Architektury Komputerów i Telekomunikacji

Pomiary podstawowych wielkości elektrycznych: prawa Ohma i Kirchhoffa. Katedra Architektury Komputerów i Telekomunikacji Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Elektronika Laboratorium nr 1 Temat: Pomiary podstawowych wielkości elektrycznych: prawa Ohma i Kirchhoffa Katedra Architektury Komputerów i Telekomunikacji

Bardziej szczegółowo

Sprzęt i architektura komputerów

Sprzęt i architektura komputerów Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Sprzęt i architektura komputerów Laboratorium Temat:Pomiary podstawowych wielkości elektryczych: prawa Ohma i Kirchhoffa Katedra Architektury

Bardziej szczegółowo

Tranzystor bipolarny

Tranzystor bipolarny Tranzystor bipolarny 1. zas trwania: 6h 2. ele ćwiczenia adanie własności podstawowych układów wykorzystujących tranzystor bipolarny. 3. Wymagana znajomość pojęć zasada działania tranzystora bipolarnego,

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów. ĆWICZENIE 4 Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z układami zasilania tranzystorów. Wybór punktu pracy tranzystora. Statyczna prosta pracy. II. Układ

Bardziej szczegółowo

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów Cele: Wyznaczenie charakterystyk dla diod i tranzystorów. Dla diod określa się zależność I d =f(u d ) prądu od napięcia i napięcie progowe U p. Dla tranzystorów

Bardziej szczegółowo

ZŁĄCZOWE TRANZYSTORY POLOWE

ZŁĄCZOWE TRANZYSTORY POLOWE L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE ZŁĄCZOWE TRANZYSTORY POLOWE RE. 0.4 1. CEL ĆWICZENIA Wyznaczenie podstawowych parametrów tranzystora unipolarnego takich jak: o napięcie progowe, o transkonduktancja,

Bardziej szczegółowo

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału

Bardziej szczegółowo

Ćw. 0 Wprowadzenie do programu MultiSIM

Ćw. 0 Wprowadzenie do programu MultiSIM Ćw. 0 Wprowadzenie do programu MultiSIM 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z programem MultiSIM słuŝącym do symulacji działania układów elektronicznych. Jednocześnie zbadane zostaną podstawowe

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Elektroniki

Laboratorium Elektroniki Wydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki Badanie wzmacniaczy tranzystorowych i operacyjnych 1. Wstęp teoretyczny Wzmacniacze są bardzo często i szeroko stosowanym układem elektronicznym.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Ćwiczenie 5 Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Układ Super Alfa czyli tranzystory w układzie Darlingtona Zbuduj układ jak na rysunku i zaobserwuj dla jakiego położenia potencjometru

Bardziej szczegółowo

Tranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr

Tranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr Tranzystor Program: Coach 6 Projekt: komputer H : C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz1.cmr C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma

Bardziej szczegółowo

Przetworniki AC i CA

Przetworniki AC i CA KATEDRA INFORMATYKI Wydział EAIiE AGH Laboratorium Techniki Mikroprocesorowej Ćwiczenie 4 Przetworniki AC i CA Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie budowy i zasady działania wybranych rodzajów przetworników

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6

Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6 Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6 1/5 Stabilizator liniowy Zadaniem jest budowa i przebadanie działania bardzo prostego stabilizatora liniowego. 1. W ćwiczeniu wykorzystywany

Bardziej szczegółowo

Ćw. 6 Generatory. ( ) n. 1. Cel ćwiczenia. 2. Wymagane informacje. 3. Wprowadzenie teoretyczne PODSTAWY ELEKTRONIKI MSIB

Ćw. 6 Generatory. ( ) n. 1. Cel ćwiczenia. 2. Wymagane informacje. 3. Wprowadzenie teoretyczne PODSTAWY ELEKTRONIKI MSIB Ćw. 6 Generatory. Cel ćwiczenia Tematem ćwiczenia są podstawowe zagadnienia dotyczące generacji napięcia sinusoidalnego. Ćwiczenie składa się z dwóch części. Pierwsza z nich, mająca charakter wprowadzenia,

Bardziej szczegółowo

Bramki logiczne. 2. Cele ćwiczenia Badanie charakterystyk przejściowych inwertera. tranzystorowego, bramki 7400 i bramki 74132.

Bramki logiczne. 2. Cele ćwiczenia Badanie charakterystyk przejściowych inwertera. tranzystorowego, bramki 7400 i bramki 74132. Bramki logiczne 1. Czas trwania: 3h 2. Cele ćwiczenia Badanie charakterystyk przejściowych inwertera. tranzystorowego, bramki 7400 i bramki 74132. 3. Wymagana znajomość pojęć stany logiczne Hi, Lo, stan

Bardziej szczegółowo

Technik elektronik 311[07] Zadanie praktyczne

Technik elektronik 311[07] Zadanie praktyczne 1 Technik elektronik 311[07] Zadanie praktyczne Mała firma elektroniczna wyprodukowała tani i prosty w budowie prototypowy generator funkcyjny do zastosowania w warsztatach amatorskich. Podstawowym układem

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Wydział lektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politecniki Wrocławskiej STUDA DZNN W0 LAORATORUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZWODNKOWYCH Ćwiczenie nr 3 Carakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego. Zagadnienia do

Bardziej szczegółowo

Dioda półprzewodnikowa

Dioda półprzewodnikowa mikrofalowe (np. Gunna) Dioda półprzewodnikowa Dioda półprzewodnikowa jest elementem elektronicznym wykonanym z materiałów półprzewodnikowych. Dioda jest zbudowana z dwóch różnie domieszkowanych warstw

Bardziej szczegółowo

Pomiar parametrów roboczych wzmacniaczy OE, OB i OC. Wzmacniacza OC. Wzmacniacz OE. Wzmacniacz OB

Pomiar parametrów roboczych wzmacniaczy OE, OB i OC. Wzmacniacza OC. Wzmacniacz OE. Wzmacniacz OB WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA W YDZIAŁ ELEKTONIKI zima 2010 L ABOATOIM KŁADÓW ANALOOWYCH rupa:... Data konania ćwiczenia: Ćwiczenie prowadził: Imię:... Nazwisko:......... Data oddania sprawozdania: Podpis:...

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2010 2014 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Podstaw Elektroniki. Badanie przekształtnika obniżającego napięcie. Opracował: dr inż. Rafał Korupczyński

Laboratorium Podstaw Elektroniki. Badanie przekształtnika obniżającego napięcie. Opracował: dr inż. Rafał Korupczyński Laboratorium Podstaw Elektroniki Badanie przekształtnika obniżającego napięcie Opracował: dr inż. Rafał Korupczyński Zakład Gospodarki Energetycznej, Katedra Podstaw Inżynierii.Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Inżynierii akustycznej. Wzmacniacze akustyczne

Laboratorium Inżynierii akustycznej. Wzmacniacze akustyczne Laboratorium Inżynierii akustycznej Wzmacniacze akustyczne 1. Cel laboratorium: Zapoznanie się z podstawowymi klasami pracy tranzystora, typowymi układami przedwzmacniaczy oraz końcówkami mocy. 2. Wstęp

Bardziej szczegółowo

Własności i zastosowania diod półprzewodnikowych

Własności i zastosowania diod półprzewodnikowych Własności i zastosowania diod półprzewodnikowych 1. zas trwania: 6h 2. el ćwiczenia Badanie charakterystyk prądowo-napięciowych różnych typów diod półprzewodnikowych. Montaż i badanie wybranych układów,

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 5 Tranzystor bipolarny

Ćwiczenie nr 5 Tranzystor bipolarny Wydział lektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Opracował zespół: Marek Panek, Waldemar Oleszkiewicz, wona Zborowska-Lindert, ogdan Paszkiewicz, Małgorzata Kramkowska, eata Ściana, Zdzisław Synowiec, ogusław

Bardziej szczegółowo

Laboratorum 4 Dioda półprzewodnikowa

Laboratorum 4 Dioda półprzewodnikowa Laboratorum 4 Dioda półprzewodnikowa Marcin Polkowski (251328) 19 kwietnia 2007 r. Spis treści 1 Cel ćwiczenia 2 2 Opis ćwiczenia 2 3 Wykonane pomiary 3 3.1 Dioda krzemowa...............................................

Bardziej szczegółowo

WYBRANE ELEMENTY I UKŁADY ELEKTRONICZNE W ZASTOSOWANIU DLA CELÓW AUTOMATYZACJI. 1.1 Model pasmowy przewodników, półprzewodników i dielektryków.

WYBRANE ELEMENTY I UKŁADY ELEKTRONICZNE W ZASTOSOWANIU DLA CELÓW AUTOMATYZACJI. 1.1 Model pasmowy przewodników, półprzewodników i dielektryków. Pracownia Automatyki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1 str.1/10 ĆWICZENIE 1 WYBRANE ELEMENTY I UKŁADY ELEKTRONICZNE W ZASTOSOWANIU DLA CELÓW AUTOMATYZACJI. 1.CEL ĆWICZENIA: Zapoznanie się z podstawowymi

Bardziej szczegółowo

Akustyczne wzmacniacze mocy

Akustyczne wzmacniacze mocy Akustyczne wzmacniacze mocy 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową, sposobem projektowania oraz parametrami wzmacniaczy mocy klasy AB zbudowanych z użyciem scalonych wzmacniaczy

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5b

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5b Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5b Temat: Charakterystyki i parametry półprzewodnikowych elementów przełączających. Cel ćwiczenia : Poznanie właściwości elektrycznych tranzystorów bipolarnych

Bardziej szczegółowo

Elementy elektroniczne i przyrządy pomiarowe

Elementy elektroniczne i przyrządy pomiarowe Elementy elektroniczne i przyrządy pomiarowe Cel ćwiczenia. Nabycie umiejętności posługiwania się miernikami uniwersalnymi, oscyloskopem, generatorem, zasilaczem, itp. Nabycie umiejętności rozpoznawania

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych"

Ćwiczenie: Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych Ćwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych" Opracowane w ramach projektu: "Informatyka mój sposób na poznanie i opisanie świata realizowanego przez Warszawską Wyższą Szkołę Informatyki.

Bardziej szczegółowo

WYDZIAŁ.. LABORATORIUM FIZYCZNE

WYDZIAŁ.. LABORATORIUM FIZYCZNE W S E i Z W WASZAWE WYDZAŁ.. LABOATOUM FZYCZNE Ćwiczenie Nr 10 Temat: POMA OPOU METODĄ TECHNCZNĄ. PAWO OHMA Warszawa 2009 Prawo Ohma POMA OPOU METODĄ TECHNCZNĄ Uporządkowany ruch elektronów nazywa się

Bardziej szczegółowo

PRAWO OHMA DLA PRĄDU PRZEMIENNEGO

PRAWO OHMA DLA PRĄDU PRZEMIENNEGO ĆWICZENIE 53 PRAWO OHMA DLA PRĄDU PRZEMIENNEGO Cel ćwiczenia: wyznaczenie wartości indukcyjności cewek i pojemności kondensatorów przy wykorzystaniu prawa Ohma dla prądu przemiennego; sprawdzenie prawa

Bardziej szczegółowo

Ploter I-V instrukcja obsługi

Ploter I-V instrukcja obsługi L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE Ploter I-V instrukcja obsługi Opracowali: Grzegorz Gajoch & Piotr Rzeszut REV. 1.0 1. OPIS PROGRAMU Ploter I-V służy do zbierania charakterystyk prądowo napięciowych

Bardziej szczegółowo

INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA BADANIE STANDARDOWEJ BRAMKI NAND TTL (UCY 7400)

INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA BADANIE STANDARDOWEJ BRAMKI NAND TTL (UCY 7400) INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA BADANIE STANDARDOWEJ BRAMKI NAND TTL (UCY 74).Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z charakterystykami statycznymi i parametrami statycznymi bramki standardowej NAND

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacz tranzystorowy

Wzmacniacz tranzystorowy Wzmacniacz tranzystorowy. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości jednostopniowego, tranzystorowego wzmacniacza napięcia. Wyniki pomiarów parametrów samego tranzystora jak i całego układu

Bardziej szczegółowo

Ć w i c z e n i e 1 POMIARY W OBWODACH PRĄDU STAŁEGO

Ć w i c z e n i e 1 POMIARY W OBWODACH PRĄDU STAŁEGO Ć w i c z e n i e POMIAY W OBWODACH PĄDU STAŁEGO. Wiadomości ogólne.. Obwód elektryczny Obwód elektryczny jest to układ odpowiednio połączonych elementów przewodzących prąd i źródeł energii elektrycznej.

Bardziej szczegółowo

Państwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 2008/2009

Państwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 2008/2009 Państwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 008/009 St. Stacjonarne: Semestr III - 45 h wykłady, 5h ćwicz. audytor., 5h ćwicz. lab. St.

Bardziej szczegółowo

Rozwiązanie zadania opracowali: H. Kasprowicz, A. Kłosek

Rozwiązanie zadania opracowali: H. Kasprowicz, A. Kłosek Treść zadania praktycznego Rozwiązanie zadania opracowali: H. Kasprowicz, A. Kłosek Opracuj projekt realizacji prac związanych z uruchomieniem i sprawdzeniem działania zasilacza impulsowego małej mocy

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTORY MOCY. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami.

TRANZYSTORY MOCY. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami. 12 Ć wiczenie 2 TRANZYSTORY MOCY Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami. 1. Wiadomości wstępne Tranzystory są to trójelektrodowe przyrządy

Bardziej szczegółowo

4. Funktory CMOS cz.2

4. Funktory CMOS cz.2 2.2 Funktor z wyjściem trójstanowym 4. Funktory CMOS cz.2 Fragment płyty czołowej modelu poniżej. We wszystkich pomiarach bramki z wyjściem trójstanowym zastosowano napięcie zasilające E C = 4.5 V. Oprócz

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4 Temat: Badanie własności przełączających diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie własności przełączających złącza p - n oraz wybranych

Bardziej szczegółowo

1.2 Funktory z otwartym kolektorem (O.C)

1.2 Funktory z otwartym kolektorem (O.C) Wydział EAIiIB Laboratorium Katedra Metrologii i Elektroniki Podstaw Elektroniki Cyfrowej Wykonał zespół w składzie (nazwiska i imiona): Ćw. 4. Funktory TTL cz.2 Data wykonania: Grupa (godz.): Dzień tygodnia:

Bardziej szczegółowo

Dioda półprzewodnikowa

Dioda półprzewodnikowa COACH 10 Dioda półprzewodnikowa Program: Coach 6 Projekt: na MN060c CMA Coach Projects\PTSN Coach 6\ Elektronika\dioda_2.cma Przykład wyników: dioda2_2.cmr Cel ćwiczenia - Pokazanie działania diody - Wyznaczenie

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Wydział lektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STDA DZNN LABORATORM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZWODNKOWYCH Ćwiczenie nr 1 Badanie tranzystora jednozłączowego Wykonując pomiary PRZSTRZGAJ przepisów

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTROTECHNIKI POMIAR PRZESUNIĘCIA FAZOWEGO

LABORATORIUM ELEKTROTECHNIKI POMIAR PRZESUNIĘCIA FAZOWEGO POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ TRANSPORTU KATEDRA LOGISTYKI I TRANSPORTU PRZEMYSŁOWEGO NR 1 POMIAR PRZESUNIĘCIA FAZOWEGO Katowice, październik 5r. CEL ĆWICZENIA Poznanie zjawiska przesunięcia fazowego. ZESTAW

Bardziej szczegółowo

Laboratorium: Projektowanie pasywnych i aktywnych filtrów analogowych

Laboratorium: Projektowanie pasywnych i aktywnych filtrów analogowych Laboratorium: Projektowanie pasywnych i aktywnych filtrów analogowych Autorzy: Karol Kropidłowski Jan Szajdziński Michał Bujacz 1. Cel ćwiczenia 1. Cel laboratorium: Zapoznanie się i przebadanie podstawowych

Bardziej szczegółowo

Ć w i c z e n i e 1 6 BADANIE PROSTOWNIKÓW NIESTEROWANYCH

Ć w i c z e n i e 1 6 BADANIE PROSTOWNIKÓW NIESTEROWANYCH Ć w i c z e n i e 6 BADANIE PROSTOWNIKÓW NIESTEROWANYCH. Wiadomości ogólne Prostowniki są to urządzenia przetwarzające prąd przemienny na jednokierunkowy. Prostowniki stosowane są m.in. do ładowania akumulatorów,

Bardziej szczegółowo

STABILIZATORY NAPIĘCIA STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM

STABILIZATORY NAPIĘCIA STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM STABILIZATORY NAPIĘCIA STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z problemami związanymi z projektowaniem, realizacją i pomiarami wartości parametrów stabilizatorów parametrycznych

Bardziej szczegółowo

Grupa: Zespół: wykonał: 1 Mariusz Kozakowski Data: 3/11/2013 111B. Podpis prowadzącego:

Grupa: Zespół: wykonał: 1 Mariusz Kozakowski Data: 3/11/2013 111B. Podpis prowadzącego: Sprawozdanie z laboratorium elektroniki w Zakładzie Systemów i Sieci Komputerowych Temat ćwiczenia: Pomiary podstawowych wielkości elektrycznych: prawa Ohma i Kirchhoffa Sprawozdanie Rok: Grupa: Zespół:

Bardziej szczegółowo

Zał. nr 4 do ZW 33/2012 WYDZIAŁ PODSTAWOWYCH PROBLEMÓW TECHNIKI

Zał. nr 4 do ZW 33/2012 WYDZIAŁ PODSTAWOWYCH PROBLEMÓW TECHNIKI WYDZIAŁ PODSTAWOWYCH PROBLEMÓW TECHNIKI Zał. nr 4 do ZW 33/0 KARTA PRZEDMIOTU Nazwa w języku polskim : UKŁADY ELEKTRONICZNE Nazwa w języku angielskim: ELECTRONIC CIRCUITS Kierunek studiów (jeśli dotyczy):

Bardziej szczegółowo

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych Ćwiczenie 2 Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych 1. WSTĘP TEORETYCZNY 1.1. Diody Podstawę większości diod półprzewodnikowych stanowi złącze p-n. Ze względu na powszechność zastosowania dzieli

Bardziej szczegółowo

Instrukcje do doświadczeń. Elektronika

Instrukcje do doświadczeń. Elektronika Instrukcje do doświadczeń Elektronika 1 Spis doświadczeń 1 Dioda podstawowy obwód elektryczny...7 2 Dioda badanie charakterystyki...8 3 Dioda jako prostownik...9 4 LED podstawowy obwód elektryczny...10

Bardziej szczegółowo

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical

Bardziej szczegółowo

PRZYRZĄDY POMIAROWE. Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego

PRZYRZĄDY POMIAROWE. Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego PRZYRZĄDY POMIAROWE Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego Przyrządy pomiarowe Ogólny podział: mierniki, rejestratory, detektory, charakterografy.

Bardziej szczegółowo

Ile wynosi całkowite natężenie prądu i całkowita oporność przy połączeniu równoległym?

Ile wynosi całkowite natężenie prądu i całkowita oporność przy połączeniu równoległym? Domowe urządzenia elektryczne są często łączone równolegle, dzięki temu każde tworzy osobny obwód z tym samym źródłem napięcia. Na podstawie poszczególnych rezystancji, można przewidzieć całkowite natężenie

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie: "Pomiary mocy w układach trójfazowych dla różnych charakterów obciążenia"

Ćwiczenie: Pomiary mocy w układach trójfazowych dla różnych charakterów obciążenia Ćwiczenie: "Pomiary mocy w układach trójfazowych dla różnych charakterów obciążenia" Opracowane w ramach projektu: "Wirtualne Laboratoria Fizyczne nowoczesną metodą nauczania realizowanego przez Warszawską

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6a

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6a Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6a Temat: Charakterystyki i parametry półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych. Cel ćwiczenia: Zapoznać z budową, zasadą działania, charakterystykami

Bardziej szczegółowo

WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ

WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ Instytut Fizyki LABORATORIUM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI, ELEKTRONIKI I MIERNICTWA ĆWICZENIE 2 Charakterystyki tranzystora polowego POJĘCIA

Bardziej szczegółowo

L ABORATORIUM UKŁADÓW ANALOGOWYCH

L ABORATORIUM UKŁADÓW ANALOGOWYCH WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA W YDZIAŁ ELEKTRONIKI zima L ABORATORIUM UKŁADÓW ANALOGOWYCH Grupa:... Data wykonania ćwiczenia: Ćwiczenie prowadził: Imię:......... Data oddania sprawozdania: Podpis: Nazwisko:......

Bardziej szczegółowo

Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy o wzmacniaczu mocy. Takim obciążeniem mogą być na przykład...

Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy o wzmacniaczu mocy. Takim obciążeniem mogą być na przykład... Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy

Bardziej szczegółowo

Elektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej.

Elektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Elektronika Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne służą do przetwarzania i przesyłania informacji w postaci

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY KATEDRA AUTOMATYKI I ELEKTRONIKI 1. Wybrane zastosowania diod półprzewodnikowych Materiały pomocnicze do pracowni specjalistycznej z przedmiotu: Systemy CAD

Bardziej szczegółowo

Wykaz ćwiczeń realizowanych w Pracowni Urządzeń Mechatronicznych

Wykaz ćwiczeń realizowanych w Pracowni Urządzeń Mechatronicznych Centrum Kształcenia Zawodowego 2000 Wykaz ćwiczeń realizowanych w Pracowni Urządzeń Mechatronicznych Nr ćwiczenia Temat Wiadomości i umiejętności wymagane do realizacji ćwiczenia na pracowni 1 Badanie

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1. Symulacja układu napędowego z silnikiem DC i przekształtnikiem obniżającym.

Ćwiczenie 1. Symulacja układu napędowego z silnikiem DC i przekształtnikiem obniżającym. Ćwiczenie 1 Symulacja układu napędowego z silnikiem DC i przekształtnikiem obniżającym. Środowisko symulacyjne Symulacja układu napędowego z silnikiem DC wykonana zostanie w oparciu o środowisko symulacyjne

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1 Podstawy opisu i analizy obwodów w programie SPICE

Ćwiczenie 1 Podstawy opisu i analizy obwodów w programie SPICE Ćwiczenie 1 Podstawy opisu i analizy obwodów w programie SPICE Cel: Zapoznanie ze składnią języka SPICE, wykorzystanie elementów RCLEFD oraz instrukcji analiz:.dc,.ac,.tran,.tf, korzystanie z bibliotek

Bardziej szczegółowo

Ćw. 3 Wzmacniacz tranzystorowy

Ćw. 3 Wzmacniacz tranzystorowy Ćw. 3 Wzmacniacz tranzystorowy 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z zasadą działania wzmacniacza zbudowanego na tranzystorze bipolarnym oraz pomiar jego parametrów. 2. Wymagane informacje

Bardziej szczegółowo

42. Prąd stały. Prawa, twierdzenia, metody obliczeniowe

42. Prąd stały. Prawa, twierdzenia, metody obliczeniowe Prąd stały. Prawa, twierdzenia, metody obliczeniowe 42. Prąd stały. Prawa, twierdzenia, metody obliczeniowe Celem ćwiczenia jest doświadczalne sprawdzenie praw obowiązujących w obwodach prądu stałego,

Bardziej szczegółowo

Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki

Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Temat ćwiczenia: Przetwornica impulsowa DC-DC typu buck

Bardziej szczegółowo

PODSTAWY METROLOGII ĆWICZENIE 7 TEMPERATURA Międzywydziałowa Szkoła Inżynierii Biomedycznej 2009/2010 SEMESTR 3

PODSTAWY METROLOGII ĆWICZENIE 7 TEMPERATURA Międzywydziałowa Szkoła Inżynierii Biomedycznej 2009/2010 SEMESTR 3 PODSTAWY METROLOGII ĆWICZENIE 7 TEMPERATURA Międzywydziałowa Szkoła Inżynierii Biomedycznej 2009/2010 SEMESTR 3 Rozwiązania zadań nie były w żaden sposób konsultowane z żadnym wiarygodnym źródłem informacji!!!

Bardziej szczegółowo

Nowoczesne sieci komputerowe

Nowoczesne sieci komputerowe WYŻSZA SZKOŁA BIZNESU W DĄBROWIE GÓRNICZEJ WYDZIAŁ ZARZĄDZANIA INFORMATYKI I NAUK SPOŁECZNYCH Instrukcja do laboratorium z przedmiotu: Nowoczesne sieci komputerowe Instrukcja nr 1 Dąbrowa Górnicza, 2010

Bardziej szczegółowo

Pętla prądowa 4 20 ma

Pętla prądowa 4 20 ma LABORATORIM: SIECI SENSOROWE Ćwiczenie nr Pętla prądowa 0 ma Opracowanie Dr hab. inż. Jerzy Wtorek Katedra Inżynierii Biomedycznej Gdańsk 009 Część pierwsza. Cel i program ćwiczenia Celem ćwiczenia jest

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOS

TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOS KTEDR ELEKTRONIKI GH L B O R T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE TRNZYSTOR UNIPOLRNY MOS RE. 2.1 Laboratorium Elementów Elektronicznych: TRNZYSTOR UNIPOLRNY MOS 1. CEL ĆWICZENI - zapoznanie się z działaniem

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla TeleInformatyki. Diody półprzewodnikowe

Podstawy Elektroniki dla TeleInformatyki. Diody półprzewodnikowe AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla TeleInformatyki Diody półprzewodnikowe Ćwiczenie 2 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami diody półprzewodnikowej.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1 ZŁĄCZE PN I TRANZYSTOR BIPOLARNY

Ćwiczenie 1 ZŁĄCZE PN I TRANZYSTOR BIPOLARNY WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ, Instytut Fizyki LABORATORIUM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI, ELEKTRONIKI I MIERNICTWA Ćwiczenie 1 ZŁĄCZE PN I TRANZYSTOR BIPOLARNY POJĘCIA I

Bardziej szczegółowo

BADANIE DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

BADANIE DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH BAANE O PÓŁPZEWONKOWYCH nstytut izyki Akademia Pomorska w Słupsku Cel i ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest: - zapoznanie się z przebiegiem charakterystyk prądowo-napięciowych diod różnych typów, - zapoznanie

Bardziej szczegółowo

Politechnika Warszawska

Politechnika Warszawska Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny Laboratorium Teletechniki Skrypt do ćwiczenia T.02. Woltomierz RMS oraz Analizator Widma 1. Woltomierz RMS oraz Analizator Widma Ćwiczenie to ma na celu poznanie

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacz jako generator. Warunki generacji

Wzmacniacz jako generator. Warunki generacji Generatory napięcia sinusoidalnego Drgania sinusoidalne można uzyskać Poprzez utworzenie wzmacniacza, który dla jednej częstotliwości miałby wzmocnienie równe nieskończoności. Poprzez odtłumienie rzeczywistego

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C300 018

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C300 018 Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENY ELEKONICZNE S1C300 018 BIAŁYSOK 2013 1. CEL I ZAKES ĆWICZENIA LABOAOYJNEGO

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Ćwiczenie 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych tranzystorów polowych złączowych oraz z izolowaną

Bardziej szczegółowo

Data oddania sprawozdania 19.12.2001

Data oddania sprawozdania 19.12.2001 Robert Gabor Śl. TZN Klasa IV B Numer 9 Grupa 2 Rok szkolny 2001/2002 Data wykonania 3.12.2001 Pracownia elektryczna Sprawozdanie numer 1 (9) Temat: Multiwibratory Data oddania sprawozdania 19.12.2001

Bardziej szczegółowo

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 1 Temat: PRZYRZĄDY POMIAROWE Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data Podpis Ocena 1. Wprowadzenie

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 UKŁADY UZALEŻNIEŃ CZASOWYCH Białystok 2014

Bardziej szczegółowo

Wstęp. System pomiarowy. Przemysław Słota I Liceum Ogólnokształcące Bytom, Grupa Twórcza Quark Pałac Młodzieży w Katowicach

Wstęp. System pomiarowy. Przemysław Słota I Liceum Ogólnokształcące Bytom, Grupa Twórcza Quark Pałac Młodzieży w Katowicach Przemysław Słota I Liceum Ogólnokształcące Bytom, Grupa Twórcza Quark Pałac Młodzieży w Katowicach 1. Wymyśl sam Wiadomo, że niektóre obwody elektryczne wykazują zachowanie chaotyczne. Zbuduj prosty układ

Bardziej szczegółowo

Pod względem przewodnictwa elektrycznego substancje można podzielić na:

Pod względem przewodnictwa elektrycznego substancje można podzielić na: 1 Układy diodowe Pod względem przewodnictwa elektrycznego substancje można podzielić na: izolatory - bardzo słabo przewodzą prąd, cząsteczki tych substancji mają bezpostaciową, amorficzną strukturę powiązań,

Bardziej szczegółowo

STABILIZATOR NAPIĘCIA

STABILIZATOR NAPIĘCIA STABILIZATOR NAPIĘCIA Indywidualna Pracownia Elektroniczna Michał Dąbrowski asystent: Krzysztof Piasecki 16 XI 2010 1 Streszczenie Celem doświadczenia jest zapoznanie się z zasadą działania i wykonanie

Bardziej szczegółowo

WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ, Instytut Fizyki LABORATORIUM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI, ELEKTRONIKI I MIERNICTWA

WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ, Instytut Fizyki LABORATORIUM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI, ELEKTRONIKI I MIERNICTWA WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ, Instytut Fizyki LABORATORIUM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI, ELEKTRONIKI I MIERNICTWA ĆWICZENIE 10 OBWODY RC: 10.1. Impedancja i kąt fazowy w

Bardziej szczegółowo

Tranzystory polowe. Klasyfikacja tranzystorów polowych

Tranzystory polowe. Klasyfikacja tranzystorów polowych Tranzystory polowe Wiadomości podstawowe Tranzystory polowe w skrócie FET (Field Effect Transistor), są równieŝ nazywane unipolarnymi. Działanie tych tranzystorów polega na sterowanym transporcie jednego

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1 Program Electronics Workbench

Ćwiczenie 1 Program Electronics Workbench Systemy teleinformatyczne Ćwiczenie Program Electronics Workbench Symulacja układów logicznych Program Electronics Workbench służy do symulacji działania prostych i bardziej złożonych układów elektrycznych

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej TIA ZIENNE LAORATORIM PRZYRZĄÓW PÓŁPRZEWONIKOWYCH Ćwiczenie nr 8 adanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOFET I. Zagadnienia

Bardziej szczegółowo

ELEKTROTECHNIKA I ELEKTRONIKA

ELEKTROTECHNIKA I ELEKTRONIKA UNIWERSYTET TECHNOLOGICZNO-PRZYRODNICZY W BYDGOSZCZY WYDZIAŁ INŻYNIERII MECHANICZNEJ INSTYTUT EKSPLOATACJI MASZYN I TRANSPORTU ZAKŁAD STEROWANIA ELEKTROTECHNIKA I ELEKTRONIKA ĆWICZENIE: E11 BADANIE NIESTABILIZOWANYCH

Bardziej szczegółowo

Charakterystyka amplitudowa i fazowa filtru aktywnego

Charakterystyka amplitudowa i fazowa filtru aktywnego 1 Charakterystyka amplitudowa i fazowa filtru aktywnego Charakterystyka amplitudowa (wzmocnienie amplitudowe) K u (f) jest to stosunek amplitudy sygnału wyjściowego do amplitudy sygnału wejściowego w funkcji

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 3 Sporządzanie Charakterystyk Triody

Ćwiczenie 3 Sporządzanie Charakterystyk Triody WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ Instytut Fizyki LABORATORIUM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI, ELEKTRONIKI I MIERNICTWA Ćwiczenie 3 Sporządzanie Charakterystyk Triody POJĘCIA I

Bardziej szczegółowo

PAŃSTWOWA WYŻSZA SZKOŁA ZAWODOWA W ELBLAGU

PAŃSTWOWA WYŻSZA SZKOŁA ZAWODOWA W ELBLAGU PAŃSTWOWA WYŻSZA SZKOŁA ZAWODOWA W ELBLAGU INSTRUKCJA LABORATORIUM ELEKTROTECHNIKI Dla studentów II roku kierunku MECHANIKI I BUDOWY MASZYN Spis treści. POMIAR PRĄDÓW I NAPIĘĆ W OBWODZIE PRĄDU STAŁEGO....

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 1. Regulacja i pomiar napięcia stałego oraz porównanie wskazań woltomierzy.

Ćwiczenie nr 1. Regulacja i pomiar napięcia stałego oraz porównanie wskazań woltomierzy. Ćwiczenie nr 1 Regulacja i pomiar napięcia stałego oraz porównanie wskazań woltomierzy. 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest analiza wpływów i sposobów włączania przyrządów pomiarowych do obwodu elektrycznego

Bardziej szczegółowo

Badanie rozkładu pola magnetycznego przewodników z prądem

Badanie rozkładu pola magnetycznego przewodników z prądem Ćwiczenie E7 Badanie rozkładu pola magnetycznego przewodników z prądem E7.1. Cel ćwiczenia Prąd elektryczny płynący przez przewodnik wytwarza wokół niego pole magnetyczne. Ćwiczenie polega na pomiarze

Bardziej szczegółowo

Akademia Górniczo Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie Wydział IEiT. Ćwiczenie laboratoryjne Badanie modułu fotowoltaicznego

Akademia Górniczo Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie Wydział IEiT. Ćwiczenie laboratoryjne Badanie modułu fotowoltaicznego Akademia Górniczo Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie Wydział IEiT Katedra Elektroniki Alternatywne Źródła Energii Ćwiczenie laboratoryjne Badanie modułu fotowoltaicznego Opracowanie instrukcji:

Bardziej szczegółowo

Rys. 1 Schemat układu L 2 R 2 E C 1. t(0+)

Rys. 1 Schemat układu L 2 R 2 E C 1. t(0+) Autor: Piotr Fabijański Koreferent: Paweł Fabijański Zadanie Obliczyć napięcie na stykach wyłącznika S zaraz po jego otwarciu, w chwili t = (0 + ) i w stanie ustalonym, gdy t. Do obliczeń przyjąć następujące

Bardziej szczegółowo