BRANŻOWA. Trańzystory BF BF I A 10,16-11,43 B 2,29-3,04

Transkrypt

1 UKD ELEMENTY PÓŁPRZEWODNKOWE N ORMA Trańzystory BF 458 BRANŻOWA typu. BF 457. BF 459. BN /07 Grupa katalogowa Przedmiot normy. Przedmiotem normy są krzemowe planarne tranzystory n-p-n średniej mocy wielkiej częstotliwości typu BF 457 BF 458 BF 459 Vi obudowie plastykowej do zastosowań powszechn~go użytku oraz w urządzeniach w których wymaga się zastosowania elementów o wysokiej i bardzo wysokiej jakości. Tranzystory są przeznaczone do pracy we wzmacniaczach dużych sygnałów wielkiej częstotliwości oraz w stopniach wyjściowych wzmacniaczy wizyjnych odbiorników TV czarno-białej i kolorowej. Kategoria klimatyczna - wg PN-73fE-04550/00 dla tranzystorów: - standardowej jakości (poziom jakości ) 40/125/04 - wysokiej jakości (poziom jakości ) 40/ bardzo wysokiej jakości (poziom jakości V) -. 40/125/ Przykład oznaczenia tranzystorów a) standardowej jakości: TRANZYSTOR BF 458 BN-83/ /07 b) wysokiej jakości: TRANZYSTOR BF 458/3 BN-83/ /07 c) bardzo wysokiej jakości: TRANZYSTOR BF 458/4 BN-83/ /07 3. Cechowanie tranzystorów powinno zawierać następujące dane: a) nazwę producenta lub znak fabryczny' b) oznaczenie typu c) oznakowanie dodatkowe dla tranzystorów wysokiej i bardzo wysokiej jakości. Tranzystory wysokiej" jakości powinny być znakowane cyfrą 3 a tranzystory. bardzo wysokiej jakości cyfrą 4 umieszczoną po' oznaczeniu typu. 4. Wymiary i oznaczenie wyprowadzeń tranzystora - wg rysunku i tabl. l. Oznaczenie obudowy stosowane przez producenta - CE 39. Symbol wymaru 8 D d ~~ ~ -.l i -.!: E C B e 't lfi-3l331f31/011. Tablica 1. Wymiary obudowy CE 39 Wymiar mm. mm typ max A B b c D d e J lt - - 0p s Badania w grupie A B C i D - wg BN /00 p Wymagania szczegółowe do badań grupy A B C id a) badania podgrupy Al - sprawdzenie wymiarów (21 p. J. b wg rysunku i tab!. b Zgłoszona przez Naukowo-Produkcyjne Centrum PółprzeWOdników Ustanowiona przez Dyrektora Ośrodka Badawczo-Rozwojowego Podstaw Technologii i Konstrukcji Maszyn dnia 29 grudnia 1983 r. jako norma obowiązująca od dnia 1 stycznia 1986 r. (Dz. Norm. i Miar nr 11 / 1985 poz. 21) WYOAWNCTWA NORMALZACYJNE.ALFA" Druk. Wyd. Norm. W-wa. Ark. wyd Nakł Zam /85 Cena zł 18.00

2 2 BN-83/ /07 b) badania podgrupy A2 - 'sprawdzenie podstawowych parametrów elektrycznych wg tabl. 2 c) badania podgrupy A3 - sprawdzenie drugorzędnych parametrów elektrycznych wgtabl. 3 d) badania podgrupy A4 - sprawdzenie parametrów elektrycznych w lamb = 125 C (poziom i V) wg tabl. 4 e) badania podgrupy B i C - sprawdzenie wytrzymałości mechanicznej wyprowadzeń: próba Ub metoda 3 5N 3 cykle; próba Ual 5 N... sprawdzenie. szczelnośc: próba Q poziom nieszczelności 665. """"6 Pa. dm 3 /s t) badania podgrupy B3 i C9 - sprawdzenie wytrzymałości na spadki swobodne: położenie tranzystora w czasie spadania wyprowadzeniami do góry g) badania podgrupy B4 i C4 - sprawdzenie wytrzymałości na udary wielokrotne: mocowanie za obudowę h) badania podgrupy B5 i C5 - sprawdzenie wytrzymałości na nagłe zmiany temperatury: TA = -55 C T B = 155 C (poziom i V) i) badania podgrupy B6 i C6 - sprawdzenie odporności na narażenia elektryczne: układ OB wg PN-781 T-O515 tabl. 7 lamb = 25 C; le = 12 ma UeE = 0 V dla BF 457; le ~ 7 ma UeE = 170 V dla BF 458 c = 6 ma UCE = 0 V dla BF 459 j) badania podgrupy C2 - sprawdzenie parametrów elektrycznych ' wg tabl. 3 k) badania podgrupy C3 - sprawdzenie masy wyrobu: 07 g ) badania podgrupy C4 - sprawdzenie wytrzymałości na przyspieszenia stałe: kierunek probierczy - obydwa kierunki wzdłuż osi wyprowaclzeń mocowanie za obudowę - sprawdzenie wytrzymałości na wibracje o stałej częstotliwości (poziom ) oraz o zmiennej częstotliwości. (poziom i V). mocowanie za obudowę - sprawdzenie wytrzymałości na udary wielokrotne: mocowanie za obudowę m) badania podgrupy C5 - AQL 40; temperatura kąpieli lutowniczej 235 C n) "badania podgrupy C7 - sprawdzenie wytrzymałości na ' zimno - 55 C o) badania podgrupy C8 - sprawdzenie wytrzymałości na suche gorąco (poziom i V) 155 C p) badania podgrupy CO - sprawdzenie wymiarów o p. /. b wg rysunku i tabl. r) badania 'podgrupy D -- sprawdzenie odporności na niskie ciśnienie atmosferyczne: temperatury narażenia 25 C s) badanię podgrupy D4 - sprawdzenie wytrzyma Tablica 2. Parametry elektryczne sprawdzane w badaniu podgrupy A2 (poziom i V) Oznaczenie literowe łości na pleśń - po '. badaniu brak porostu pleśni ~ t) badanie podgrupy D5 - sprawdzenie wytrzymałości na mgłę solną: położenie tranzystora dowolne u) badanie podgrupy D2 - sprawdzenie wytrzymałości na rozpuszczalniki: alkohol etylowy aceton w) badanie podgrupy D3 -' sprawdzenie palności: bral palności zew:lętrznej z) parametry elektryczne sprawdzam; w czasie i po badaniach grupy B C D wg tab\. 5. Metoda Wartości gramczne pomaru Jed- Warunki pomaru BF 457 BF458 BF 459 wg PN-741 T mm max mm max mm max ' U(BR)CEO ) ark. 07 l e = ma B = O U(BRCBO ark. 04 le = 0 /la E = O V ' U(BREBQ ark. 04 e.= 0 ~A c = O UCB = 0 V cllo ark. 05 e=o UcB =0V na UeB= 250 V h21e1 l ark. 08 le = 30 ma UCE = 1'0 V Pomiar impulsowy p ~ 300 ls; {) ~ 2%.

3 BN-83/ li U 11 CEsal ark. 06 fc = 30 ma B= 6 ma V h ark. 24 c = 15mAUCE= OVfp= MHz MHz CCO ark. 22 UCB. 30Vh=0 fp= MHz pf Pomiar impulsowy ' ~ 300 ~s; /j ~ 2%. Oznaczenie literowe Tablica 4. Parametry elektryczne sprawdzane w badaniu podgrupy A4 (poziom i V) U CB = 0Vh=0lamb= 0 C 15 ~ CBo ark. 05 UCB= 0 V Je= O tamb = 0 C J.1A UCB = 250 V h = O tamb --:- 0 C Tablica 3. Parametry elektryczne sprawdzane w badaniu podgrupy A3 i e2 (poziom i V) Metoda Wartości gramczne Oznaczenie pomaru Jedliterowe Warunki pomaru BF 457 BF 458 BF 459 wg PN-74/. T mm max mm max mm max Metoda Wartości gramcz1'le pomaru Jed- Warunki pomaru BF 457 BF 458 BF 459 wg PN-74/ T-Ol 504 mm max mm max mm max Tablica 5. Parametry elektryczne sprawdzane w czasie i po badaniach grupy B C D (p. i V) Oznacze- Metoda Wartości gramczne nie litero- pomaru Podgrupa Jed t--b_f---45_7-+_b_ ' F""T'-45_8-r_B_F_v-4_59--t Warunki pomaru we. para- wg PN-74/ badali metru T-O 1504 mm max mm max mm max ~~------~ ~ ~~ ~--~--~--+---r--4--~ r-~ ~ ~ ~ ~--; ~--~~~ 2 CBO ark. 05 ark. 08 ) W Ci:asie badania. U CB = 0 V h = O Bl B3 B U CB = 0 V li == O U CB = 250 V E = O 05 C C2 e3 C4 C5 C7 C9 Ol) r r~ U CB = 0 V h = O UCB = 0 V h= O U CD = 250 V h = O U CB = 0 V fe = O U CB = 0 V h = O U CB = 250 V h = O JC= 30 ma UCE= V B6 C6 e8 B B3 B4 B5 C C2. C3 C4 C5 C7 C9 D) B6 C6 C8 r ) Pomiar impulsowy; t p ~ 300 ~S; ~ ~ 2%. ~) W czase badania odporności na suche gorąco tamb = 125 C. 4) W czasie badania odporności na zmno. 7. Pozostałe postanowienia -- wg BN-80/ loo. na 250! ~ _.+---~ nformacje dodatkowe KONEC

4 4 nformacje dodatkowe do BN-83/337S-31/07 NFORMACJE DODATKOWE l. imtyt1eja opt'1co"jmca -.ę...:. Naukowo-Produkcyjne Centrum Półprzewodników Warszawa ul. Komarowa S. 1. Nona ~ PN-73/E-04550/00 Wyroby elektrote<;hniczne. Próby środowiskowe. Postanowienia ogólne PN-74/T-O504/04 Tranzystory. Pomiar napięć i U(M)UO przebicia U1U1CW PN-74/T /05 Tranzystory. Pomiar prądów wstecznych cwi no PN-74/T-O504/06 Tranzystory. Pomiar napięć nasycenia Uel 'Ol i U... metodą impulsową PN-74/T-O504/07 Tranzystory. Pomiar napięcia przebicia U(aJtCEO U(gteG. U(BteD U( )C~ metodą impulsową PN-74/T-O504/08 Tranzystory. Pomiar "m metodą impulsową PN-74/T-OS04/22 Tranzystory. Pomiar pojemności Cc.o i Cno PN-74/T-OS04/24 Tranzystory. Pomiar modułu 1"111 w zakresie w.cz. i częstotliwości /r PN-78/T Elementy półprzewodnikowe. Ogólne wymagania i badania BN-80/ /00 Elementy półprzewodnikowe. Tranzystory małej mocy wielkiej częstotliwości. Wymagania i badania 3. Symbol.we KTM BF BF BF Wartoki dopuszczalne - wg tabl. 1- oraz rys T.bUca -l - Oznaczenie -. Nazwa led- - Wartości dopuszczalne BF 457 BF 458 BF Ue.o Napięcie kolektor-baza ( UCBO Napięcie kolektor-emiter V U.. o Napięcie emiter-baza 5 4 le Prąd kolektora 0 S. Prąd bazy ma 50 6 lem Maksymalny prąd kolektora PO Całkowita moc wejściowa "mb ~ 25 C stała lub średnia na wszystkich elektrodach przy tc"u ~ 45 C W 12 8 l} Temperatura złącza t "mb ts/ Temperatura otoczenia w czasie pracy Temperatura przechowywania OC ot 1~~ 1'J:."lll1V lit "57. r.8 ~f[ 7.: \ - / 1V' \ i'- 8~ "" 1.1V1~ \~ 'v \ ~. 5 ~.. ' : ~' 1\ l' ; 'li.. 2 '~ 1.2 ę...'_ -- - O 2S )(J 'amb t~ Rłhj-a< ~ocw Rłhj - C S C/W BN- 1379'lS-31/t1} 1-11 C ma 11lfR333i5-31/O"EF%1 Rys. 1-. Zależność temperaturowa całkowitej mocy wejściowej P/ol =.f{tomh) Rys Obszar bezpiecznej pracy

5 nformacje dodatkowe do BN-83/ Dane charakterystyczae - wg tab!. 1-2 i 1-3 oraz rys : Tablica 1-2 Typ Oznaczenie Warunki Jed- Nazwa pomaru BF 457 BF 458 BF 459 mm typ max mm typ max mm typ max '7 8 9 lt 12 l3 14 l U(SRCSO Napięcie przebi- cia kolektor-baza Jc= 0 la Js=O Jc= ma Js=O U(SRCE0 11 cia kolektor-emi- V tcr 3 U(SRESO Napięcie przebi- cia emiter-baza J E = 0 la Jc=O U cs= 0 V Prąd zerowy 4 Jcso kolektora U cs= 0 V na Napięcie Napięcie przebi- nasy- U cs= 250 V Jc=30 ma Js=6 ma 5 U CE sal ceola kolektor- V - 05 l - 05 l h21e -emiter Statyczny wsp6łczynnik wzmoc- go U CE= V Jc=30 ma Pojemność złą- U cs=30 V 7 Ccso - cza kolektora f= l MHz ~ pf U CE= 1O.V Częstotliwość 8 fr Jc= 15 ma MHz graolczna f= MHz 9 UCEK(HF) ) Pomiar impulsowy t p ~ 300 ls; fj ~ 2% nienia prądowe- Ndpięcie kolan- kowe (tab\. Jc=60 ma tj= 0 C ' V f= MHz 1-3) Tablica 1-3 Nazwa Określenia Oznaczenie Napięcie ko- lankowe przy wielkiej częstotliwości h 21e '}'. 0 ~ ~----! l O UCEe. 50 U Ct 17 UCEK(HF) wartość napęca kolektor-emiter przy której moduł małosygnałowego współczynnika wzmocnienia prądowcgo h 211 maleje do 80% swojej wartości osiągniętej przy UCE = 50 V

6 6 nformacje dodatkowe do BN-83/337S-31/07» f1) {) J c ma r- ~ ~~ SJ t-j \'l.~~ "y " "* 'V j i't _ ".; a@lta... i-'" V 1..J..u~ 1/... L 1 400pA 1~~2boJ/A l--... tamh= 2 )"{; o 30 40U cc V lli-bl/331$ k 1 BF UCE~V t am b=25"c 'iiii fe ma) 1&W /07- t-61 Rys Względny współczynnik statyczny wzmocnienia prądowego w funkcji prądu kolek tora hm = filc) fr HHz 0 8F Rys Charakterystyka wyjściowa CCJ pf 12 1\ BF'l 17. 'r.i8 'ł! ig 8 "\. (=1f1Hz_ - r-... l$.- ~amb= 25"(; - 6 r... "'" "o OU" V BN S roju Rys Pojemność kolektor-baza w funkcji napięcia kolektor-baza Ce.o = fiu. ) U" mv 8F / LtE- V tamb=2s"c fe ma N-i37317$ - 31/01" 1-51 m 1W S-3Vo7-t-11 Rys Częstotliwość graniczna w funkcji prądu kolektora/t =.lud U CE - pan:metr 30 ' ~ T i o BUa \' 7 7 i.-'" L. /j=1{1j C- - : BN-S3Dł 31/ ! Rys Moduł małusygnałowego współczynnika wzmocnienia prą- Rys. )-5. Napięcie baza-emiter w funkcji prądu kolektora U'E = fil) dowego w funkcji napięcia kolektor-emiter h21j = frucf)