Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych II

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych II"

Transkrypt

1 1 Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE Ćwiczenie nr 14 LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych II I. Zagadnienia do samodzielnego przygotowania - podstawowe pojęcia dotyczące celowości i efektów scalania układów w formie monolitycznej, - konstrukcja elementów czynnych (tranzystory npn, pnp) oraz rezystorów w bipolarnych układach scalonych, - polaryzacja złącz w tranzystorze dla różnych rodzajów pracy, - punkt pracy tranzystora w układzie WE, - parametry dopuszczalne tranzystorów, - parametry czwórnikowe typu [h] tranzystorów, - wpływ temperatury na parametry złącza p-n, - wykorzystanie diody jako termometru elektronicznego II. Program zajęć - pomiar parametrów tranzystorów w monolitycznym układzie scalonym - pomiary temperatury i badanie właściwości cieplnych układu scalonego III. Literatura 1. Notatki z wykładu 2. W. Marciniak, Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, WNT, Warszawa B. W. Wilamowski, Układy scalone, WKiŁ, Warszawa R. Ćwirko, M. Rusek, W. Marciniak, Układy scalone w pytaniach i odpowiedziach, WNT, Warszawa 1987 Wykonując pomiary PRZESTRZEGAJ przepisów BHP związanych z obsługą urządzeń elektrycznych.

2 2 1. Wiadomości wstępne Celem ćwiczenia jest zapoznanie z budową i działaniem monolitycznego układu scalonego ale również ugruntowanie wiadomości z poprzednich zajęć laboratoryjnych związanych z pracą tranzystorów bipolarnych oraz efektów wpływu zmian temperatury na pracę elementów półprzewodnikowych. Układ scalony UL 1111N (od polskiej nazwy typu: Układ Liniowy) nie jest skomplikowany i składa się z pięciu tranzystorów npn wykonanych w niewielkiej odległości od siebie, w małej objętości półprzewodnikowego czipa. Wszystkie tranzystory powstają w tym samym cyklu procesów technologicznych obróbki płytki krzemowej. Dzięki temu można zrealizować bardzo ważne wymagania jeśli chodzi o prawidłową pracę układu elektronicznego. Po pierwsze, parametry wszystkich elementów (tu tranzystorów) są prawie identyczne; po drugie, temperatura pracy wszystkich elementów jest zbliżona, a więc zmiany parametrów pod wpływem temperatury będą zachodziły w ten sam sposób dla wszystkich elementów układu. Dotyczy to także ewentualnych zmian parametrów małosygnałowych h ije, których wartości katalogowe przedstawiono w tabeli 1. Wszystkie tranzystory znajdujące się w danym układzie powinny charakteryzować się takimi parametrami. Zadaniem ćwiczących jest ocena ewentualnego rozrzutów wartości tych parametrów w badanym układzie scalonym w porównaniu z danymi katalogowymi. Badany układ scalony, UL 1111N wykonany jest w krzemowej technologii bipolarnej z izolacją złączową (dyfuzyjną) pomiędzy elementami. Schemat elektryczny wraz z oznaczeniem wyprowadzeń pokazano na rys. 1, a parametry elektryczne zestawiono w tabeli 1. W drugiej części zajęć zadaniem ćwiczących jest sprawdzenie jak zmienia się temperatura układu na skutek pracy tranzystorów, które wydzielają moc. Każdy spolaryzowany tranzystor wydziela moc zależną od aktualnej wartości płynącego prądu i odkładanego na nim napięcia. Do pomiaru zmian temperatury można zastosować poznaną w jednym z poprzednich ćwiczeń metodę i wykorzystać złącze p-n jako termometr elektroniczny. W tym wypadku wykorzystamy spolaryzowane w kierunku przewodzenia złącze E-B jednego z tranzystorów. Jeśli jeden z tranzystorów będzie spolaryzowany w układzie pracy aktywnej WE to zmieniając jego polaryzację (punkt pracy U * CE, I * C ) można będzie regulować moc wydzielaną w tranzystorze zgodnie ze znaną zależnością: P WY = U * * CE I C (1) Moc ta będzie wydzielana w postaci ciepła w objętości chipu i w konsekwencji doprowadzi do wzrostu temperatury układu. Należy zwrócić uwagę, by nie przekroczyć dopuszczalnej mocy tranzystora podanej w danych producenta. Zmiany temperatury będą mierzone pośrednio przez pomiar napięcia U EB na złączu emiter-baza innego, wybranego

3 3 tranzystora w układzie. Jak wiadomo, definiuje się temperaturowy współczynnik zmian napięcia dla krzemowego złącza p-n spolaryzowanego w kierunku przewodzenia. Dla ustalonej wartości prądu w złączu wynosi on du dt 2mV / K (2) Zmieniając wartość mocy traconej w wybranym tranzystorze i odczytując wartość napięcia U EB na innym tranzystorze można uzyskać zależność U EB = f(p WY ) a następnie zależność T układu = f(p WY ). Tabela 1. Parametry katalogowe układu Rys. 1. Schemat ideowy UL 1111 N WAŻNE: Należy zwrócić uwagę na to, że emiter tranzystora T 2 jest połączony galwanicznie z podłożem (oznaczanym w katalogu literą S-substrate). Między kolektorem każdego tranzystora a podłożem występuje złącze p-n izolacji złączowej (wyspa typu-n podłoże typu-p). Wielkość Wartość U CB U CE U CS U EB I C P d U (BR)CEo U (BR)CEo U (BR)CS U (BR) EBo I CBo I CEo h 21E U BE U IO f T h 11e h 21e h 12e h 22e F C EBo C CBo C CS 15V 5V 50mA 300mW 750mW 15V 5V 40nA 0,5 A 40A/A 0,8V 5mV 300MHz 3,5k 110A/A V/V 15 S 4 db 1pF 1pF 2,8pF Warunki pomiaru (w jednym tranzystorze) (w całym układzie scalonym) I C = 1mA, I B = 0 I C = 10 A, I E = 0 I CS = 10 A I E = 10 A, I C = 0 U CB = 10V, I E = 0 U CE = 10V, I B = 0 U CE = 3V, I C = 3mA f = 100MHz U CE = 3V, I C = 100 A, R g = 1k U EB = 3V, I E = 0, f = 5MHz U CB = 3V, I C = 0, f = 5MHz U CS = 3V, I C = 0, f = 5MHz

4 4 2. Pomiary 2.1. Pomiar parametrów małosygnałowych h ije Układ UL1111N składa się z pięciu tranzystorów npn, z których jeden ma emiter podłączony (zacisk 13) na stałe z podłożem (płytka Si typu p). Zadaniem ćwiczących jest pomiar parametrów małosygnałowych h ije przy pomocy miernika parametrów [h] (zwanego popularnie h-metrem) wszystkich tranzystorów w układzie i porównanie ich z danymi z Tab.1. Można pominąć pomiar współczynnika oddziaływania wstecznego h 12e, natomiast najważniejszy jest pomiar parametrów h 11e oraz h 21e. Zdjęcie stosowanego miernika P561 przedstawia rys.2. Rys.2. Przyrząd do pomiaru parametrów tranzystorów Wartości parametrów [h] zależą od punktu pracy (zdecydowanie najbardziej parametr h 11 ), dlatego pomiar wykonuje się dla zadanych wartości prądu kolektora I C oraz napięcia U CE. Na wstępie konieczne jest odpowiednie zdefiniowanie typu tranzystora NPN lub PNP. Korzystając ze wskazań wskaźnika analogowego TEST POINT ustawiamy najpierw przyciskami zakresu i pokrętłem U CE wartość napięcia U CE, a następnie wartość prądu kolektora I C wybierając odpowiedni zakres oraz regulując pokrętłem prądu bazy I B prąd w punkcie pracy. Wskaźnik analogowy PARAMETER służy do odczytu wartości parametru [h] wybranego przyciskiem przełącznika po prawej stronie panelu czołowego miernika. Odczytane wartości wpisujemy do tabeli w sprawozdaniu.

5 Pomiar zmian temperatury układu podczas jego pracy. Pomiar zależności temperatury czipa układu scalonego UL 1111N w funkcji mocy wydzielanej w układzie należy dokonać w układzie pomiarowym pokazanym na rys. 3. Przed pomiarami należy odczytać dopuszczalne parametry tranzystorów w układzie i nie przekraczać tych wartości. Rys.3. Układ pomiarowy do pomiaru temperatury układu. Wykorzystując wiadomości zdobyte podczas wykonywania Ćw. nr 7: Wpływ temperatury na półprzewodniki oraz na złącze p-n, dokonujemy pomiaru temperatury układu stosując jeden z tranzystorów (np. T 4 ) jako czujnik temperatury, korzystając z zależności U BET4 = f(t). Do pomiaru U BET4 należy wykorzystać multimetr cyfrowy, który w trybie pracy testera złącz p-n jest źródłem prądu stałego (I BT4 =1 ma), a wartość U BET4 odczytuje się w [mv] bezpośrednio z wyświetlacza multimetru. Jeden z pozostałych tranzystorów układu UL 1111N (np. T 3 ) polaryzujemy z zasilacza dc napięciem U CET3 = 10V. Na wejście tranzystora podajemy prąd bazy I BT3 stosując zasilacz napięciowy i dzielnik napięciowy 10kΏ/330Ώ. Zmiana prądu bazy powoduje zmianę prądu kolektora I C (odczyt na amperomierzu), a to pozwala określić moc P T3 wydzielaną w układzie zgodnie z równaniem (1). Dla wyznaczenia zależności można zastosować wartości mocy: 50, 100, 150, 200, 250, 300 mw. Moc wydzielana w jednym tranzystorze nie może przekroczyć 300mW (Tabela 1). Wynik pomiarów należy przedstawić na wykresie w układzie współrzędnych f P T f. U oraz korzystając ze wzoru (2) wyznaczyć graficznie zależność BET 4 T 3 chip P T 3 3. Podsumowanie W tym punkcie należy podsumować uzyskane wyniki oraz objaśnić sporządzone wykresy zależności temperaturowych.

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO CEL poznanie charakterystyk tranzystora bipolarnego w układzie WE poznanie wybranych parametrów statycznych tranzystora bipolarnego w układzie WE PRZEBIEG ĆWICZENIA: 1.

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C300 018 Układy polaryzacji i stabilizacji punktu

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STDIA DZIENNE e LABOATOIM PZYZĄDÓW PÓŁPZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr Pomiar częstotliwości granicznej f T tranzystora bipolarnego Wykonując

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA ENS1C300 022 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2013 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki nstrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONCZNE TS1C300 018 BAŁYSTOK 013 1. CEL ZAKRES ĆWCZENA LABORATORYJNEGO

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE e LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 3 Pomiary wzmacniacza operacyjnego Wykonując pomiary PRZESTRZEGAJ

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 12 Pomiar wartości parametrów małosygnałowych h ije tranzystora

Bardziej szczegółowo

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów Cele: Wyznaczenie charakterystyk dla diod i tranzystorów. Dla diod określa się zależność I d =f(u d ) prądu od napięcia i napięcie progowe U p. Dla tranzystorów

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych złączowych Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów polowych złączowych

Bardziej szczegółowo

Opis dydaktycznych stanowisk pomiarowych i przyrządów w lab. EE (paw. C-3, 302)

Opis dydaktycznych stanowisk pomiarowych i przyrządów w lab. EE (paw. C-3, 302) Opis dydaktycznych stanowisk pomiarowych i przyrządów w lab. EE (paw. C-3, 302) 1. Elementy elektroniczne stosowane w ćwiczeniach Elementy elektroniczne będące przedmiotem pomiaru, lub służące do zestawienia

Bardziej szczegółowo

Systemy i architektura komputerów

Systemy i architektura komputerów Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Systemy i architektura komputerów Laboratorium nr 4 Temat: Badanie tranzystorów Spis treści Cel ćwiczenia... 3 Wymagania... 3 Przebieg ćwiczenia...

Bardziej szczegółowo

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz

Bardziej szczegółowo

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik 1 Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik Znajdź usterkę oraz wskaż sposób jej usunięcia w zasilaczu napięcia stałego 12V/4A, wykonanym w oparciu o układ scalony

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Metrologii

Laboratorium Metrologii Laboratorium Metrologii Ćwiczenie nr 3 Oddziaływanie przyrządów na badany obiekt I Zagadnienia do przygotowania na kartkówkę: 1 Zdefiniować pojęcie: prąd elektryczny Podać odpowiednią zależność fizyczną

Bardziej szczegółowo

WIECZOROWE STUDIA ZAWODOWE LABORATORIUM OBWODÓW I SYGNAŁÓW

WIECZOROWE STUDIA ZAWODOWE LABORATORIUM OBWODÓW I SYGNAŁÓW POLTECHNKA WARSZAWSKA NSTYTUT RADOELEKTRONK ZAKŁAD RADOKOMUNKACJ WECZOROWE STUDA ZAWODOWE LABORATORUM OBWODÓW SYGNAŁÓW Ćwiczenie 1 Temat: OBWODY PRĄDU STAŁEGO Opracował: mgr inż. Henryk Chaciński Warszawa

Bardziej szczegółowo

Liniowe stabilizatory napięcia

Liniowe stabilizatory napięcia . Cel ćwiczenia. Liniowe stabilizatory napięcia Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości stabilizatora napięcia zbudowanego na popularnym układzie scalonym. Zakres ćwiczenia obejmuje projektowanie

Bardziej szczegółowo

Tranzystor bipolarny

Tranzystor bipolarny Tranzystor bipolarny 1. zas trwania: 6h 2. ele ćwiczenia adanie własności podstawowych układów wykorzystujących tranzystor bipolarny. 3. Wymagana znajomość pojęć zasada działania tranzystora bipolarnego,

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne

Bardziej szczegółowo

Elektronika. Wzmacniacz tranzystorowy

Elektronika. Wzmacniacz tranzystorowy LABORATORIUM Elektronika Wzmacniacz tranzystorowy Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Podstawowych parametrów elektrycznych i charakterystyk graficznych tranzystorów bipolarnych.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji

Bardziej szczegółowo

Ćw. 2 Tranzystory bipolarne

Ćw. 2 Tranzystory bipolarne PODSTAWY LKTRONIKI MSI ĆW.. TRANZYSTORY IPOLARN Ćw. Tranzystory bipolarne. el ćwiczenia elem ćwiczenia jest ugruntowanie wiadomości dotyczącyc zasad działania i właściwości tranzystorów bipolarnyc. Podstawowa

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5b

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5b Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5b Temat: Charakterystyki i parametry półprzewodnikowych elementów przełączających. Cel ćwiczenia : Poznanie właściwości elektrycznych tranzystorów bipolarnych

Bardziej szczegółowo

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 4 Temat: PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE TRANZYSTOR BIPOLARNY Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data

Bardziej szczegółowo

BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH. CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA

BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH. CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA 1. OGLĘDZINY Dokonać oględzin badanego układu cyfrowego określając jego:

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Wrocław, 21.03.2017 r. Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Podczas testu kompetencji studenci powinni wykazać się znajomością zagadnień określonych w kartach kursów

Bardziej szczegółowo

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH L B O R T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRMETRY MŁOSYGNŁOWE TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH REV. 1.0 1. CEL ĆWICZENI - celem ćwiczenia jest zapoznanie się z metodami pomiaru i wyznaczania parametrów małosygnałowych

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów ĆWICZENIE LBORTORYJNE TEMT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów 1. WPROWDZENIE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i zasadą działania podstawowych rodzajów diod półprzewodnikowych

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH Ćwiczenie 7 PRMETRY MŁOSYGNŁO TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH Wstęp Celem ćwiczenia jest wyznaczenie niektórych parametrów małosygnałowych hybrydowego i modelu hybryd tranzystora bipolarnego. modelu Konspekt przygotowanie

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Wydział lektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politecniki Wrocławskiej STUDA DZNN W0 LAORATORUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZWODNKOWYCH Ćwiczenie nr 3 Carakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego. Zagadnienia do

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM ELEKTRONIKI Ćwiczenie 3 Wybór i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnego el ćwiczenia elem ćwiczenia jest poznanie wpływu ustawienia punktu pracy tranzystora na pracę wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1. Parametry statyczne diod LED

Ćwiczenie 1. Parametry statyczne diod LED Ćwiczenie. Parametry statyczne diod LED. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi właściwościami i charakterystykami diod LED. Poznanie ograniczeń i sposobu zasilania tego typu

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 6: Lokalizacja usterek we wzmacniaczu napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 6: Lokalizacja usterek we wzmacniaczu napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 6: Lokalizacja usterek we wzmacniaczu napięcia Opracował

Bardziej szczegółowo

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2 Ćwiczenie 2 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji parametrów odpowiadających im modeli małosygnałowych, poznanie metod

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU

Bardziej szczegółowo

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 2 Temat: PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE - DIODY Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data Podpis Ocena

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne

Tranzystory bipolarne AIR STUDIA NISTAJONARN Ćw. Tranzystory bipolarne 1. el ćwiczenia elem ćwiczenia jest ugruntowanie wiadomości dotyczącyc zasad działania i właściwości tranzystorów bipolarnyc. Zasadnicza część ćwiczenia

Bardziej szczegółowo

Stabilizacja napięcia. Prostowanie i Filtracja Zasilania. Stabilizator scalony µa723

Stabilizacja napięcia. Prostowanie i Filtracja Zasilania. Stabilizator scalony µa723 LABORATORIUM Stabilizacja napięcia Prostowanie i Filtracja Zasilania Stabilizator scalony µa723 Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka Wymagania: - Układy prostowników półokresowych i pełnookresowych. - Filtracja

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO

LABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO LABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka . Zapoznać się ze schematem ideowym płytki ćwiczeniowej 2.

Bardziej szczegółowo

Przyrządy półprzewodnikowe część 3

Przyrządy półprzewodnikowe część 3 Przyrządy półprzewodnikowe część 3 Dr inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical

Bardziej szczegółowo

Temat i cel wykładu. Tranzystory

Temat i cel wykładu. Tranzystory POLTECHNKA BAŁOSTOCKA Temat i cel wykładu WYDZAŁ ELEKTRYCZNY Tranzystory Celem wykładu jest przedstawienie: konstrukcji i działania tranzystora bipolarnego, punktu i zakresów pracy tranzystora, konfiguracji

Bardziej szczegółowo

Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech. Elektronika. Laboratorium nr 3. Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne

Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech. Elektronika. Laboratorium nr 3. Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Elektronika Laboratorium nr 3 Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne SPIS TREŚCI Spis treści... 2 1. Cel ćwiczenia... 3 2. Wymagania...

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra utomatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIK ENS1C300 022 WYBRNE ZSTOSOWNI DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH BIŁYSTOK

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH 1 Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 13 Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej TIA ZIENNE LAORATORIM PRZYRZĄÓW PÓŁPRZEWONIKOWYCH Ćwiczenie nr 8 adanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOFET I. Zagadnienia

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe właściwości jednostopniowego wzmacniacza pasmowego z tranzystorem bipolarnym. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru częstotliwości

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 4 Charakterystyki I= f(u) złącza p-n.

Ćwiczenie nr 4 Charakterystyki I= f(u) złącza p-n. Wydział Elektroniki Mikrosystemów i otoniki Politechniki Wrocławskiej TUDA DZENNE LABORATORUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNKOWYCH Ćwiczenie nr 4 Charakterystyki = f(u) złącza p-n.. Zagadnienia do samodzielnego

Bardziej szczegółowo

STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych

STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z problemami związanymi z projektowaniem, realizacją i pomiarami

Bardziej szczegółowo

CECHOWANIE TERMOELEMENTU Fe-Mo I WYZNACZANIE PUNKTU INWERSJI

CECHOWANIE TERMOELEMENTU Fe-Mo I WYZNACZANIE PUNKTU INWERSJI INSTYTUT FIZYKI WYDZIAŁ INŻYNIERII PRODUKCJI I TECHNOLOGII MATERIAŁÓW POLITECHNIKA CZĘSTOCHOWSKA PRACOWNIA FIZYKI CIAŁA STAŁEGO Ć W I C Z E N I E N R FCS - 7 CECHOWANIE TERMOELEMENTU Fe-Mo I WYZNACZANIE

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOS

TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOS L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOS RE. 1.0 1. CEL ĆWICZENIA - zapoznanie się z działaniem tranzystora unipolarnego MOS, - wykreślenie charakterystyk napięciowo-prądowych

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 5 Tranzystor bipolarny

Ćwiczenie nr 5 Tranzystor bipolarny Wydział lektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Opracował zespół: Marek Panek, Waldemar Oleszkiewicz, wona Zborowska-Lindert, ogdan Paszkiewicz, Małgorzata Kramkowska, eata Ściana, Zdzisław Synowiec, ogusław

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.

Bardziej szczegółowo

Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania.

Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania. adanie funktorów logicznych RTL - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania..

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM TECHNIKI WYSOKICH NAPIĘĆ

LABORATORIUM TECHNIKI WYSOKICH NAPIĘĆ POLITECHNIKA LUBELSKA WYDZIAŁ ELEKTROTECHNIKI I INFORMATYKI KATEDRA URZADZEŃ ELEKTRYCZNYCH I TWN LABORATORIUM TECHNIKI WYSOKICH NAPIĘĆ Ćw. nr 6 Badanie zjawiska ulotu elektrycznego na modelu linii napowietrznej

Bardziej szczegółowo

BADANIE DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

BADANIE DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH BAANE O PÓŁPZEWONKOWYCH nstytut izyki Akademia Pomorska w Słupsku Cel i ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest: - zapoznanie się z przebiegiem charakterystyk prądowo-napięciowych diod różnych typów, - zapoznanie

Bardziej szczegółowo

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13 Temat: Charakterystyki i parametry dyskretnych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie budowy, zasady

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI. Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n

POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI. Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI LABORATORIUM FIZYKI FAZY SKONDENSOWANEJ Ćwiczenie 9 Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13 Temat: Charakterystyki i parametry dyskretnych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie budowy, zasady

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: UKŁADY ELEKTRONICZNE 2 (TS1C500 030) Tranzystor w układzie wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTORY BIPOLARNE

TRANZYSTORY BIPOLARNE KTDR LKTRONIKI GH L O R T O R I U M LMNTY LKTRONIZN TRNZYSTORY IPOLRN Parametry stałoprądowe R. 0.3 Laboratorium lementów lektronicznych: TRNZYSTORY IPOLRN 1. L ĆWIZNI Wyznaczenie podstawowych parametrów

Bardziej szczegółowo

Uśrednianie napięć zakłóconych

Uśrednianie napięć zakłóconych Politechnika Rzeszowska Katedra Metrologii i Systemów Diagnostycznych Laboratorium Miernictwa Elektronicznego Uśrednianie napięć zakłóconych Grupa Nr ćwicz. 5 1... kierownik 2... 3... 4... Data Ocena I.

Bardziej szczegółowo

Sprzęt i architektura komputerów

Sprzęt i architektura komputerów Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Sprzęt i architektura komputerów Laboratorium Temat:Pomiary podstawowych wielkości elektryczych: prawa Ohma i Kirchhoffa Katedra Architektury

Bardziej szczegółowo

Uniwersytet Pedagogiczny

Uniwersytet Pedagogiczny Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 4 Temat: PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE TRANZYSTOR UNIPOLARNY Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data

Bardziej szczegółowo

Tranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6

Tranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6 Tranzystor bipolarny LABORATORIUM 5 i 6 Marcin Polkowski (251328) 10 maja 2007 r. Spis treści I Laboratorium 5 2 1 Wprowadzenie 2 2 Pomiary rodziny charakterystyk 3 II Laboratorium 6 7 3 Wprowadzenie 7

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 ZASTOSOWANIE WZMACNIACZY OPERACYJNYCH W UKŁADACH

Bardziej szczegółowo

INSTRUKCJA OBSŁUGI. MINI MULTIMETR CYFROWY M M

INSTRUKCJA OBSŁUGI. MINI MULTIMETR CYFROWY M M INSTRUKCJA OBSŁUGI MINI MULTIMETR CYFROWY M - 838 M - 838+ www.atel.com.pl/produkt.php?hash=02915! 1 2 I. WPROWADZENIE Przed przystąpieniem do normalnej eksploatacji miernika, prosimy zapoznać się z możliwościami

Bardziej szczegółowo

Podstawy użytkowania i pomiarów za pomocą MULTIMETRU

Podstawy użytkowania i pomiarów za pomocą MULTIMETRU Podstawy użytkowania i pomiarów za pomocą MULTIMETRU Spis treści Informacje podstawowe...2 Pomiar napięcia...3 Pomiar prądu...5 Pomiar rezystancji...6 Pomiar pojemności...6 Wartość skuteczna i średnia...7

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie

Bardziej szczegółowo

Pomiar rezystancji metodą techniczną

Pomiar rezystancji metodą techniczną Pomiar rezystancji metodą techniczną Cel ćwiczenia. Poznanie metod pomiarów rezystancji liniowych, optymalizowania warunków pomiaru oraz zasad obliczania błędów pomiarowych. Zagadnienia teoretyczne. Definicja

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Ćwiczenie 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych tranzystorów polowych złączowych oraz z izolowaną

Bardziej szczegółowo

Zadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF):

Zadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF): Zadania z podstaw elektroniki Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF): Układ stanowi szeregowe połączenie pojemności C1 z zastępczą pojemnością równoległego połączenia

Bardziej szczegółowo

Tester miernik elementów RLC i półprzewodników

Tester miernik elementów RLC i półprzewodników Dane aktualne na dzień: 16-01-2017 16:23 Link do produktu: /tester-miernik-elementow-rlc-i-polprzewodnikow-p-3909.html Tester miernik elementów RLC i półprzewodników Cena Dostępność Numer katalogowy 94,00

Bardziej szczegółowo

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych

Bardziej szczegółowo

Zakład Zastosowań Elektroniki i Elektrotechniki

Zakład Zastosowań Elektroniki i Elektrotechniki Zakład Zastosowań Elektroniki i Elektrotechniki Laboratorium Wytwarzania energii elektrycznej Temat ćwiczenia: Badanie alternatora 52 BADANIE CHARAKTERYSTYK EKSPLOATACYJNYCH ALTERNATORÓW SAMO- CHODOWYCH

Bardziej szczegółowo

Tranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr

Tranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr Tranzystor Program: Coach 6 Projekt: komputer H : C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz1.cmr C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma

Bardziej szczegółowo

Laboratorum 4 Dioda półprzewodnikowa

Laboratorum 4 Dioda półprzewodnikowa Laboratorum 4 Dioda półprzewodnikowa Marcin Polkowski (251328) 19 kwietnia 2007 r. Spis treści 1 Cel ćwiczenia 2 2 Opis ćwiczenia 2 3 Wykonane pomiary 3 3.1 Dioda krzemowa...............................................

Bardziej szczegółowo

Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych

Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest

Bardziej szczegółowo

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkoocówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolnośd wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu "transfer

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10 Temat: Charakterystyki i parametry tranzystorów MIS Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych i parametrów tranzystorów MOS oraz

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 2 Charakterystyki I= f(u) złącza p-n.

Ćwiczenie nr 2 Charakterystyki I= f(u) złącza p-n. Wydział Elektroniki Mikrosystemów i otoniki Opracował zespół: Marek Panek, Waldemar Oleszkiewicz, wona Zborowska-Lindert, Bogdan Paszkiewicz, Małgorzata Kramkowska, Beata Ściana, Zdzisław ynowiec, Bogusław

Bardziej szczegółowo

PAŃSTWOWA WYŻSZA SZKOŁA ZAWODOWA W TARNOWIE INSTYTUT POLITECHNICZNY LABORATORIUM METROLOGII. Instrukcja do wykonania ćwiczenia laboratoryjnego:

PAŃSTWOWA WYŻSZA SZKOŁA ZAWODOWA W TARNOWIE INSTYTUT POLITECHNICZNY LABORATORIUM METROLOGII. Instrukcja do wykonania ćwiczenia laboratoryjnego: PAŃSTWOWA WYŻSZA SZKOŁA ZAWODOWA W TARNOWIE INSTYTUT POLITECHNICZNY LABORATORIUM METROLOGII Instrukcja do wykonania ćwiczenia laboratoryjnego: "Pomiary rezystancji metody techniczne i mostkowe" Tarnów

Bardziej szczegółowo

Pomiary podstawowych wielkości elektrycznych: prawa Ohma i Kirchhoffa. Katedra Architektury Komputerów i Telekomunikacji

Pomiary podstawowych wielkości elektrycznych: prawa Ohma i Kirchhoffa. Katedra Architektury Komputerów i Telekomunikacji Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Elektronika Laboratorium nr 1 Temat: Pomiary podstawowych wielkości elektrycznych: prawa Ohma i Kirchhoffa Katedra Architektury Komputerów i Telekomunikacji

Bardziej szczegółowo

Miernik elementów elektronicznych LCR MK-168

Miernik elementów elektronicznych LCR MK-168 Dane aktualne na dzień: 24-01-2017 15:14 Link do produktu: /miernik-elementow-elektronicznych-lcr-mk-168-p-3972.html Miernik elementów elektronicznych LCR MK-168 Cena Dostępność Numer katalogowy 169,00

Bardziej szczegółowo

Zasada działania tranzystora bipolarnego

Zasada działania tranzystora bipolarnego Tranzystor bipolarny Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasada działania tranzystora bipolarnego

Bardziej szczegółowo

Przyrządy półprzewodnikowe część 4

Przyrządy półprzewodnikowe część 4 Przyrządy półprzewodnikowe część 4 Dr inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical

Bardziej szczegółowo

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY 1. TRANZYSTOR BPOLARNY el ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Zagadnienia: zasada działania tranzystora bipolarnego. 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z języka

Bardziej szczegółowo

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych

Bardziej szczegółowo

KONDUKCYJNA WYMIANA CIEPŁA - STYKOWY POMIAR TEMPERATURY

KONDUKCYJNA WYMIANA CIEPŁA - STYKOWY POMIAR TEMPERATURY IŃSTYTUT INFORMATYKI STOSOWANEJ POLITECHNIKI ŁÓDZKIEJ Ćwiczenie Nr1 KONDUKCYJNA WYMIANA CIEPŁA - STYKOWY POMIAR TEMPERATURY 1.WPROWADZENIE Przewodzenie ciepła (kondukcja) jest to wymiana ciepła między

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI DIODA

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI DIODA ZESPÓŁ LABORATORÓW TELEMATYK TRANSPORT ZAKŁAD TELEKOMNKACJ W TRANSPORCE WYDZAŁ TRANSPORT POLTECHNK WARSZAWSKEJ LABORATORM PODSTAW ELEKTRONK NSTRKCJA DO ĆWCZENA NR 2 DODA DO ŻYTK WEWNĘTRZNEGO WARSZAWA 2016

Bardziej szczegółowo

3. Funktory CMOS cz.1

3. Funktory CMOS cz.1 3. Funktory CMOS cz.1 Druga charakterystyczna rodzina układów cyfrowych to układy CMOS. W jej ramach występuje zbliżony asortyment funktorów i przerzutników jak dla układów TTL (wejście standardowe i wejście

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych

Ćwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych Ćwiczenie nr 34 Badanie elementów optoelektronicznych 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z elementami optoelektronicznymi oraz ich podstawowymi parametrami, a także doświadczalne sprawdzenie

Bardziej szczegółowo

strona 1 MULTIMETR CYFROWY M840D INSTRUKCJA OBSŁUGI

strona 1 MULTIMETR CYFROWY M840D INSTRUKCJA OBSŁUGI strona 1 MULTIMETR CYFROWY M840D INSTRUKCJA OBSŁUGI 1. WPROWADZENIE. Prezentowany multimetr cyfrowy jest zasilany bateryjnie. Wynik pomiaru wyświetlany jest w postaci 3 1 / 2 cyfry. Miernik może być stosowany

Bardziej szczegółowo

PRACOWNIA ELEKTRYCZNA I ELEKTRONICZNA. Zespół Szkół Technicznych w Skarżysku-Kamiennej. Sprawozdanie

PRACOWNIA ELEKTRYCZNA I ELEKTRONICZNA. Zespół Szkół Technicznych w Skarżysku-Kamiennej. Sprawozdanie Zespół Szkół Technicznych w Skarżysku-Kamiennej Sprawozdanie PRACOWNIA ELEKTRYCZNA I ELEKTRONICZNA imię i nazwisko z ćwiczenia nr Temat ćwiczenia: BADANIE ELEMENTÓW OPTOELEKTRONICZNYCH rok szkolny klasa

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności

Bardziej szczegółowo