Złącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy

Transkrypt

1 Złącze p-n: dioda Półprzewodniki Przewodnictwo półprzewodników Dioda Dioda: element nieliniowy Przewodnictwo kryształów Atomy dyskretne poziomy energetyczne (stany energetyczne); określone energie elektronów ATOM KRYSZTAŁ 1

2 ATOM atom zjonizowany KRYSZTAŁ pasmo przewodnictwa energia poziomy wzbudzone poziom podstawowy przerwa energetyczna pasmo walencyjne E pasma energii wzbronionych pasmo elektronowe Kryształy: pasma energii dozwolonej dla elektronów oddzielone pasmami energii zabronionej E Pasmo walencyjne - najwyższe pasmo energetyczne elektronów związanych z jonami sieci krystalicznej Pasmo przewodnictwa - elektron staje się wspólny dla całego kryształu i może się w nim przemieszczać pod wpływem pola elektrycznego - nośnik prądu Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa decyduje o przewodnictwie kryształu przewodniki półprzewodniki izolatory pasmo przewodnictwa Podział materiałów: E E < 5eV E~5-10eV pasmo walencyjne Przewodniki (metale) - pasma przewodnictwa i walencyjne częściowo przekrywają się Półprzewodniki (samoistne): pasmo walencyjne i pasmo przewodnictwa są rozdzielone małą przerwą energetyczną; elektrony mogą przechodzić z pasma walencyjnego do pasma przewodnictwa po otrzymaniu porcji energii > E ( E szerokość pasma zabronionego) Źródło energii: promieniowanie elektromagnetyczne (fotony), drgania sieci krystalicznej Koncentracja nośników w zależy od temperatury, natężenia promieniowania Izolatory - przerwa energetyczna jest na tyle duża, że w normalnych warunkach liczba elektronów zdolnych znaleźć się w paśmie przewodnictwa jest bardzo mała. 2

3 Mechanizm przewodnictwa przewodniki (metale) Prąd elektryczny - ruch ładunków pod wpływem przyłożonego pola elektrycznego W próżni: ruch jednostajnie przyspieszony Ruch elektronów w jednorodnym polu elektrycznym: W materiałach spowalnianie elektronów w wyniku zderzeń fononami dryf chmury elektronów wzdłuż pola elektrycznego z prędkością v (~cm/s) znacznie mniejszą niż średnia prędkość pojedynczych elektronów w chmurze. Fonony centra rozpraszania; np. zanieczyszczenia lub oscylacje sieci przewodnictwo materiału: n e e σ = 2m 2 τ e Ze wzrostem temperatury rośnie koncentracja fononów (zwiększają się drgania sieci krystalicznej) e W metalach: - zwiększenie rozpraszania i zmniejszenie τ e - koncentracja elektronów zmienia się bardzo słabo (n e const) SKTEK: opór metali zwiększa się wraz ze wzrostem temperatury Rozwój materiałów półprzewodnikowych: German Era Krzemu 1962 GaAs 1970 Wide band gap semiconductors 1990 Polimery (półprzewodniki organiczne), materiały amorficzne,... Półprzewodniki elementarne (samoistne): przerwa energetyczna Si 1.12 ev Ge ev C (diament) 5.46 ev amorficzny Si 1.71 ev Popularne związki półprzewodnikowe: przerwa energetyczna GaAs 1.41 ev GaP 2.26 ev GaSb ev InAs ev InP ev InSb 0.17 ev Półprzewodniki o szerokiej przerwie energetycznej: GaN InN AlN SiC przerwa energetyczna 3.4 ev 1.89 ev 6.2 ev ev 3

4 Mechanizm przewodnictwa - półprzewodniki samoistne energia elektronu elektron dziura E E e kt T=300 K kt=0.025 ev elektron w paśmie walencyjnym absorbuje porcję (kwant) energii > E, zerwanie wiązania w krysztale: uwolnienie elektronu do pasma przewodnictwa, dziura w paśmie walencyjnym - quasiładunek dodatni - może się przemieszczać Swobodne elektrony i dziury są nośnikami prądu w półprzewodnikach Równowaga dynamiczna gęstości nośników obu rodzajów. Rozkład energii E nośników rozkład Boltzmanna: ( ) n e exp E kt k=8.62*10-5 ev K -1 :stała Boltzmanna, T : temperatura [K] Para nośników elektron-dziura rekombinuje średnio po czasie s Ze wzrostem temperatury rośnie ilość nośników prądu przewodność półprzewodników zwiększa się Półprzewodniki domieszkowane Nośniki większościowe donor TYP N P, As, Sb poziom donorowy E Wtrącenie do sieci krystalicznej zbudowanej z atomów czterowartościowych domieszki pięciowartościowej (donora) powoduje wytworzenie elektronu słabo związanego z siecią Wtrącenie do sieci krystalicznej zbudowanej z atomów czterowartościowych domieszki trójwartościowej (akceptora) powoduje wytworzenie dziury słabo związanej z siecią. akceptor TYP P Al, Ga, In, B W temperaturze pokojowej prawie wszystkie domieszki są zjonizowane Poprzez odpowiednie domieszkowanie można wytwarzać półprzewodniki o kontrolowanej, nadmiarowej koncentracji elektronów lub dziur 4

5 Złącze p-n Doświadczenie myślowe : dokonujemy zetknięcia kryształu typu n z kryształem typu p początkowo każdy z kryształów jest elektrycznie obojętny n e - h p Różnica stężeń nośników powoduje dyfuzję: dziury z obszaru p dyfundują do obszaru typu n, elektrony obszaru n dyfundują do obszaru typu p, kryształ typu n naładował się dodatnio kryształ typu p naładował się ujemnie Złącze p-n c.d. Na styku obu materiałów powstaje bariera potencjału o wartości Φ ładunek przestrzenny Bariera potencjału ogranicza dyfuzję nośników i prowadzi do stabilizacji sytuacji w złączu. p akceptory n donory potencjał równowaga dynamiczna Φ x 5

6 półprzewodnik p energia dziur dziurowy prąd rekombinacji potencjał półprzewodnik n rozkład energii dziur e E/ kt liczba dziur liczba elektronów Φ e E / kt e elektronowy prąd rekombinacji rozkład energii elektronów wypadkowy prąd rekombinacji I R energia elektronów prąd generacji I G Ruch nośników jest odpowiedzialny za dziurowy i elektronowy prąd rekombinacji, składające się na wypadkowy prąd rekombinacji I R Prąd rekombinacji jest proporcjonalny do liczby I nośników zdolnych pokonać barierę potencjału Φ: R ( ) I = I exp e R A ( Φ ) kt exp eφ E kt de W złączu niespolaryzowanym całkowity prąd płynący przez złącze jest równy zeru, gdyż prąd I R jest równoważony przez prąd generacji I G I R = I G Stąd prąd generacji: I I ( e G = A exp Φ ) kt para elektron - dziura potencjał p n prąd generacji I G 6

7 SPOLARYZOWANE złącze p-n c.d. - + p n Φ Φ+ 1. Złącze spolaryzowane w kierunku zaporowym - Bariera potencjału wzrasta do wartości Φ + - Zmniejsza się liczba nośników zdolnych pokonać podwyższoną barierę - Prąd rekombinacji maleje SPOLARYZOWANE złącze p-n + - energia dziur p n prąd dziurowy rekombinacji Φ Φ- prąd elektronowy rekombinacji energia elektronów 2. Napięcie zewnętrzne przyłożone w kierunku przewodzenia - Zmniejszenie bariery potencjału Φ o wartość - Rośnie liczba nośników, zdolnych pokonać barierę potencjału Φ - - Prąd płynący przez złącze wzrasta 7

8 Złącze p-n niespolaryzowane Złącze p-n spolaryzowane zaporowo (-1V) Poszerzenie obszaru zubożonego Wzrost bariery potencjału Złącze p-n spolaryzowane w kierunku przewodnictwa 8

9 SPOLARYZOWANE złącze p-n c.d. W ogólności prąd rekombinacji w złączu p-n: Ponieważ prąd płynący przez złącze jest sumą prądu rekombinacji i generacji, to: [ ( ) ] czyli: I R = I A ( Φ ) e exp [ ] I I e R = G exp kt kt I = I e G exp 1 kt równanie opisujące pracę złącza p-n, 2 I złącze p-n I = I G + I R (równanie Shockley a) 100 I DIODA 1 0 I G Dioda półprzewodnikowa (prostownicza) Dla większych prądów równanie Shockley a modyfikuje się do postaci: MkT I = ln Ir e IG gdzie: r - rezystancja materiału diody (pasożytnicza), M - współczynnik związany z typem półprzewodnika M~1-2 p - napięcie przewodzenia złącza to napięcie w kierunku przewodzenia, dla którego prąd diody osiąga umownie dużą wartość I Ge Si GaAs [V] p=0.35 p=0.65 p=2.3 9

10 Podstawowe zastosowanie nieliniowych własności złącza p-n prostowanie prądów elektrycznych Prostownik jednopołówkowy WE + WY t WE WY t 100 I Dioda Zenera Zastosowanie: stabilizacja napięć I D WE> Z WY Z Z Dzielnik napięcia z diodą Zenera = stabilizator napięcia p D Miejsce pierwotnej generacji pary elektron-dziura Lawinowe powielanie nośników prądu w złączu w silnym polu elektrycznym Miejsca wtórnej generacji par elektron-dziura Zachodzi dla napięć zaporowych większych od Z Dopuszczalne napięcie wsteczne (zaporowe) diody jest ograniczone przez napięcie przebicia, zwane napięciem Zenera ( Z ) 10

11 Dioda świecąca (elektroluminescencyjna - LED) ruch elektronów p rekombinacje n ruch dziur złącze p-n spolaryzowane w kierunku przewodzenia w złączu następują intensywne spontaniczne procesy rekombinacyjne Rekombinacja dziury i elektronu jest związana z emisją kwantu promieniowania o energii równej w przybliżeniu szerokości przerwy energetycznej Charakterystyka prądowo-napięciowa podobna do charakterystyki diody prostowniczej Ćwiczenie: Badanie diod półprzewodnikowych 1. Cel ćwiczenia. Zapoznanie się z różnymi rodzajami diod półprzewodnikowych: dioda prostownicza krzemowa, dioda świecąca (LED) oraz dioda Zenera generator KŁAD POMIAROWY A oscyloskop obwód wyzwalanie B ext. Zbudować układ pomiarowy Wejście: przebieg trójkątny o napięciach szczytowych od -2.5V do +2.5 V i częstości 1000 Hz Dioda prostownicza 11

12 Dokonać pomiaru charakterystyki diody I D =f( D ) Dzielnik napięcia: WE = D + WY, I D =wy/r Wykreślić wyniki dla dodatnich napięć, stosując na osi prądów skalę logarytmiczną Dopasować charakterystykę diody używając zmodyfikowanego równania Shockley a MkT ID = ln + 1 e IG D + - pomijamy człon I D r (niewielki prąd) - pomijamy składnik 1 (ponieważ I D >>I G ) - dopasowywanie charakterystyki będzie równoważne dopasowywaniu prostej: D MkT = (ln I e I D D r ln I G ) Zastąpić diody prostownicze diodami świecącymi LED i wyznaczyć tą samą metodą napięcie przewodzenia. Czy przekroczenie napięcia przewodzenia powoduje świecenie diody? W tym samym obwodzie wykonać pomiar charakterystyki dla diody Zenera (BZX55, niebieska). Wyznaczyć napięcie Zenera i napięcie p 12