Rozpylanie powierzchni - emisja jonów. Emisja jonów a emisja atomów neutralnych. Emisja jonów a emisja atomów neutralnych

Transkrypt

1 Sygnał Rozpylanie powierzchni - emisja jonów Próbka Soczewka Laser Rozpylanie Przyspieszanie jonów Detektor Czas Rozpylanie powierzchni Emisja jonów Własności emisji wtórnych jonów Emisja jonów a emisja cząstek neutralnych Modele tworzenia jonów podczas rozpylania Wykorzystanie zjawiska emisji wtórnych cząstek Spektrometria masowa wtórnych jonów SIMS Spektrometria masowa oparta o desorpcję laserową MALDI Spektrometria masowa wtórnych cząstek neutralnych - SNMS Mierzymy rozkłady masowe wyrzuconych cząstek Skład chemiczny powierzchni Emisja jonów a emisja atomów neutralnych Emisja jonów jest znacznie słabsza niż emisja atomów neutralnych Zależność współczynnika rozpylenia od energii pocisku Emisja jonów a emisja atomów neutralnych Na utworzenie jonu potrzeba dodatkowej energii Jony są emitowane z większymi energiami kinetycznymi Natężenie wtórnych jonów (zliczenia) Współczynnik rozpylenia (atomy/pocisk) Zależność emisja jonów od energii pocisku jest inna niż dla cząstek neutralnych!! Inny mechanizm Zależność wydajności emisji cząstek od ich energii kinetycznej Natężenie (cząstki/pocisk) Gaz resztkowy Cząstki neutralne Wtórne jony Atomy odrzutu Rozproszone pociski Energia Ar ( kev) Energia ( ev ) Z. Postawa, Fizyka powierzchni i nanostruktury, Kraków 001 1

2 Prawdopodobieństwo jonizacji w funkcji liczby atomowej Efekt matrycowy Wydajność jonizacji zależy od otoczenia chemicznego punktu, z którego emitowane są jony Skala logarytmiczna!! Prawdopodobieństwo jonizacji Sygnał jonów Si - (jonów/pocisk) Liczba atomowa Współczynnik emisji jonowej silnie zależy od masy atomowej rozpylanego materiału Koncentracja tlenu na powierzchni Tlen stymuluje emisje dodatnich jonów Cez stymuluje emisje ujemnych jonów Efekt matrycowy znacznie utrudnia wykorzystanie techniki SIMS do pomiarów ilościowych (wzorce) Emisja jonów modele jonizacji Ogólny model procesu jonizacji jest jeszcze nieznany!!! Przykładowe modele jonizacji cząstek podczas rozpylania: Model przerywania wiązań Bond-breaking model Układ złożony z silnie elektroujemnych i elektrododatnich cząstek (LiF, SiO ) Podczas rozpylania przerywane są emitowane molekuły MX, które rozpadają się na M i X - już poza kryształem (nie ma neutralizacji).! Model przerywania wiązań! Model promocyjny! Model neutralizacyjny! Jonizacja wtórnymi elektronami Z. Postawa, Fizyka powierzchni i nanostruktury, Kraków 001

3 Energia potencjalna Rozpylanie powierzchni - emisja jonów Model promocyjny Schemat poziomów energetycznych kwazimolekuły Al Poziom próżni Pasmo przewodnictwa Al Model promocyjny Podczas ruchu w kaskadzie zderzeń cząstki zbliżają się do siebie tworząc przez krótki okres czasu kwazimolekuły. Położenie poziomów energetycznych takich cząstek zależy od odległości międzyatomowych. Dla pewnych odległości niektóre z tych poziomów mogą się przeciąć. Energia poziomu ( ev ) Cząstki muszą się zbliżyć na małą odległość Bardzo duże energie kinetyczne jonów Odległość międzyjądrowa ( A ) Odległość międzyjądrowa Jeżeli odległość pomiędzy atomami jest bardzo mała niektóre poziomy kwazimolekuły mogą znaleźć się w paśmie przewodnictw metalu (elektron z pasma przewodnictwa może przejść na te poziomy tworząc ujemne jony) W punkcie przecięcia może nastąpić przejście z poziomów MX na poziomy M X - lub poziomy M X e - (jonizacja). M. Yu, NIMB 87 (1987) 54 Czyste metale Rezonansowy model neutralizacyjny Metale składają się z dodatnich rdzeni jonowych otoczonych chmurą elektronów swobodnych Model rezonansowy Electron tunneling model Rozpylony rdzeń jonowy jest neutralizowany przez elektrony podczas opuszczania powierzchni Tylko szybkie rdzenie jonowe znajdujące się w pobliżu powierzchni maja szansę przeżyć neutralizacje Energie jonów są większe niż energie analogicznych cząstek neutralnych P transferu ~exp(-α R c ) pracy wyjścia maleje R c maleje Maleje emisja jonów dodatnich Rośnie emisja jonów ujemnych M. Yu, NIIM B14 (1986) 403 Z. Postawa, Fizyka powierzchni i nanostruktury, Kraków 001 3

4 Spektrometria masowa wtórnych jonów Secondary Ion Mass Spectrometry - SIMS Rejestrujemy widma masowe jonów wyemitowanych z powierzchni Skład chemiczny powierzchni Zjawiska towarzyszące bombardowaniu jonowemu materiałów wieloskładnikowych Segregacja (ion induced segregation) Wiązka jonowa niszczy uporządkowanie powierzchni oraz podnosi lokalną temperaturę T przyspieszając proces segregacji powierzchniowej Badanie półprzewodników Technika umożliwia uzyskanie czułości analizy nie do osiągnięcia innymi metodami Badanie materiałów organicznych Jedyna technika umożliwiająca badanie składu chemicznego termicznie labilnych molekuł organicznych Założenie: s cb s c A c = c w B w A exp ( γ γ ) a RT Implantacja jonowa (ion implantation) Jony z wiązki pierwotnej są zatrzymywane wewnątrz bombardowanego materiału A B (patrz wykład 5) Skład chemiczny bombardowanej powierzchni nie jest zaburzony przez bombardowanie jonowe Modyfikacja składu chemicznego wiązką jonową Preferencyjne rozpylanie (preferential sputtering) Mieszanie jonowe (ion mixing) Obszar zmian indukowanych wiązką jonową Preferencyjne rozpylanie Powierzchnia materiału wieloskładnikowego bombardowana wiązką jonową ulega wzbogaceniu w pierwiastek o najmniejszym współczynniku rozpylenia S Układ dwuskładnikowy Jednorodna mieszanina składników a i b o koncentracjach c a i c b w chwili t=0 (o) i po czasie ustaleniu się równowagi (v) c a o,, c b o Jeżeli współczynnik rozpylenia substancji a wynosi S a a współczynnik rozpylenia substancji b S b to początkowy strumień rozpylonych cząstek będzie się składał z F a cząstek a i F b cząstek b: Głębokość erozji Zaburzona warstwa Grubość zmodyfikowanej warstwy ~ głębokości penetracji jonu (4 kev Ar w Cu) ~ 8 nm Głębokość ( nm ) F a = I p S a c a,v F b = I p S b c b,v Załóżmy, że, gdzie I p strumień cząstek bombardujących powierzchnię S a > S b w chwili t = 0 Odległość poprzeczna ( nm ) F ao > F b o Z. Postawa, Fizyka powierzchni i nanostruktury, Kraków 001 4

5 Sygnał Rozpylanie powierzchni - emisja jonów Preferencyjne rozpylanie cd. Zmiana koncentracji składników na powierzchni S a c a,v = S a c a,v Czas Warunki równowagi F a = F b S b = Sa c c a,v b,v Zmiana koncentracji składników w rozpylonym strumieniu Czas Stan równowagi jest osiągany po rozpyleniu 3-0 warstw Warunek równowagi Preferencyjne rozpylanie cd. Założyliśmy, że: Model był uproszczony S nie zależy od składu chemicznego 1. S zależy od energii wiązania a ta od chemicznego otoczenia Nie ma dopływu cząstek z wnętrza 1. rozpylanie będzie odsłaniało głębsze warstwy, gdzie koncentracja jest inna.. zmiana koncentracji poprzez segregacje i mieszanie jonowe Koncentracja na powierzchni uległa zmianie Sac S c b a,0 b,0 c = c a,v b,v Mieszanie jonowe Desorpcja jonowa SIMS i SNMS Układy pomiarowe Desorpcja laserowa MALDI Próbka Soczewka Laser Przyspieszanie jonów Detektor Czas W wyniku bombardowania następuje rozmycie granic rozdziału warstw złożonych z atomów różnego typu. Grubość zmodyfikowanej warstwy ~ głębokości penetracji jonu ( kev Ar ) ~ 7 nm Układ badawczy składa się z: 1) układu powodującego rozpylenie Zalety: -duża czułość i zdolność rozdzielcza -możliwość obrazowania przestrzennego - niewielka fragmentacja - nieograniczony zakres masowy - szybki pomiar (warunki statyczne) ) układu detekcji i analizy masowej Niewielkie zaburzenia wiązką rozpylającą Z. Postawa, Fizyka powierzchni i nanostruktury, Kraków 001 5

6 Układy do pomiaru widm masowych Spektrometry masowe Spektrometr kwadrupolowy Kwadrupolowy spektrometr masowy Zalety: prosty w użyciu niewielkie rozmiary (TDS) Spektrometr magnetyczny Spektrometr czasu przelotu U=U 0 V cosωt - Stałe napięcie U 0 Cz. radiowa V cosωt Wady: skanowanie mała transmisja ograniczony zakres masowy < 500 amu Układ wyciągania jonów Próbka Kwadrupole Detektor d x U m q = dt x d y U m = q dt y Przesłony Trajektorie jonów Równanie Mathieu Tylko jony o określonym q/m poruszają się po stabilnych trajektoriach Równowaga siły Lorentza i siły odśrodkowej q B v m v R Spektrometr magnetyczny Wiązka jonów =, gdzie Ostatecznie m = Widok z góry B x x x R x E0 v = m ( q B R) E x 0 x x x Elektromagnes Szczelina q B = E R 0 m Zmieniamy indukcję pola magnetycznego B zmieniamy m Bardzo dobry do pomiarów w warunkach dynamicznych Zalety: duża masowa zdolność rozdzielcza Wady: duże rozmiary brak równoczesnego pomiaru wielu mas Spektrometr czasu przelotu Jeżeli d << L to czas przelotu t jonu o masie m i ładunku q przyspieszonego polem elektrycznym U wynosi L L L t = = = gdzie L droga przelotu, E kin energia v Ekin qu kinetyczna a v prędkość jonu. m m t qu Mierząc t znajdujemy m m = L Zalety: duża transmisja nieograniczony zakres masowy równoczesny pomiar wszystkich mas Wady: konieczność uzyskania krótkich impulsów jonowych (~1ns) i pomiaru szybkich przebiegów Z. Postawa, Fizyka powierzchni i nanostruktury, Kraków 001 6

7 ds dt Widmo czasu przelotu Widmo masowe Widmo czasu przelotu a widmo masowe ds dm Dokładność pomiaru masy Zdolność rozdzielcza Duża zdolność rozdzielcza Masa ( amu ) Czas [100 ns] ds = ds ml E = t ds (m) dm ds (m) dm ds 1 = (t) dt t ds dt = (t) dt dm dt 1 dm t gdzie: m- masa cząstki l - droga przelotu t - czas przelotu m t U L = m t U L Nieoznaczoność masy m t~1 ns, t~10µs, U~10eV, U~10 kev, L~0.5 cm, L~ m m m m = = m najlepszych przyrządów ~ Mała zdolność rozdzielcza Masa ( amu ) Rozmycie energetyczne Układ reflektronowy Spektrometria masowa wtórnych jonów Reflektron jest układem równooddalonych siatek, do których przyłożono odpowiednio dobrane potencjały hamujące (odbijające) jony E 1 > E 0 U E 1 E Pomiar dynamiczny Duże dozy cząstek rozpylających Pomiar kończy się po usunięciu wielu warstw (profilowanie głębokościowe) Pomiar statyczny Małe dozy cząstek rozpylających Pomiar kończy się przed usunięciem 1 warstwy Czas przelotu jonu w obszarze bez pola t swobodny Dla E 1 > E t swobodny (E 1 ) < t swobodny (E ) t ref (E 1 ) > t ref (E ) Można dobrać gradient pola w reflektronie by t svonodny (E 1 ) t ref (E 1 ) = t swobodny (E ) t ref (E ) dla pewnego zakresu E Pozbywamy się efektów związanych z rozmyciem początkowej energii kinetycznej jonu Badamy powierzchnię zmodyfikowaną Małe uszkodzenia i niewielka modyfikacja powierzchni Z. Postawa, Fizyka powierzchni i nanostruktury, Kraków 001 7

8 Pomiar w warunkach statycznych Czas życia 1 warstwy τ Na powierzchni znajduje się ~ cząstek/cm (patrz wykład 1) τ = 10 I 15 0 A S, gdzie A powierzchnia bombardowanej warstwy Załóżmy, że I 0 = 1 µa/cm, współczynnik rozpylenia S=1 a powierzchnia A= 1cm τ = cz / cm 1cm cz / s 1 Typowy czas pomiaru 0 min (100 s) Warunki statyczne usunięcie 0.01 warstwy = 161s W warunkach statycznych prawdopodobieństwo dwukrotnego uderzenia w to samo miejsce jest zaniedbywanie małe ( 1 jon o E = 4 kev zaburza obszar ~ 10 nm ) Rejestrujemy prawdziwy skład chemiczny powierzchni I 0 < 1 na/cm Należy używać niewielkich prądów (doz) wiązek rozpylających Spektrometria w warunkach dynamicznych Problemy wpływ dozy rozpylających czastek 8 kev Ar -> Cienkie warstwy (~ML) Sygnał ( jednostki umowne ) 1 Podłoże (111)Ag Matryca glicerynowa Doza jonowa x ( jonów/cm ) Zmiana koncentracji na powierzchni Grube warstwy ( >100 ML ) Sygnał ( jednostki umowne ) Kwas piromasłowy Tryptofan Toluen Doza jonowa x ( jonów/cm ) Zmiana składu chemicznego (energii wiązania) Warunki dynamiczne czy zawsze są złe? Profilowanie głębokościowe Pomiar sygnału jonowego w trakcie erozji badanego materiału wiązką jonową Zależność szerokości profilu od głębokości profilowania Tor wiązki Krater Badany obszar Powierzchnia próbki Natężenie I(t) Koncentracja c(z) % Prawdziwa koncentracja Mierzona koncentracja Funkcja błędu Koncentracja Indu ( X )) Koncentracja Indu ( X )) Głębokość ( mikrometry ) Głębokość ( mikrometry ) Profil nie jest ostry ze względu na implantacje i mieszanie jonowe Przemysł mikroelektroniczny Czas rozpylania t Głębokość z Profilowanie głębokościowe struktury In 0.05 Ga 0.95 As utworzonej na GaAs wiązką 5 kev Ar J. C. Vickerman at al., Surface Analysis-The Principal Techniques Z. Postawa, Fizyka powierzchni i nanostruktury, Kraków 001 8

9 Przykłady profilowania Pomiar ilościowy w SIMS 5 kev Ar Natężenie wtórnych jonów (zliczenia/sek) Czas rozpylania (sekundy) 1500 Å Pd na Si J. C. Vickerman at al., Surface Analysis-The Principal Techniques Natężenie wtórnych jonów (zliczenia/sek) Czas rozpylania ( s ) Kanapka z warstw W i Si o grubości 9 Å A. Wucher at al. Liczba jonów I m jonów m emitowanych z powierzchni bombardowanej strumieniem cząstek I m jonów = I 0 S m α c m η, gdzie I 0 strumień cząstek rozpylających S m współczynnik rozpylenia α prawdopodobieństwo dodatniej jonizacji (wytworzenia dodatniego jonu) c m koncentracja cząstek m na powierzchni η transmisja układu pomiarowego. Parametr α jest nieznany i bardzo silnie zależy od stanu chemicznego powierzchni Pomiar ilościowy jest bardzo mało dokładny Widmo masowe LiF 1.3 kev -> LiF Kryształ jonowy Przykładowe widmo masowe Stal nierdzewna Współczynnik wtórnej emisji jonowej (zliczenia/s) W dodatnim widmie dominują elektrododatnie składniki (Li) Widma są bardzo bogate Emisja cząstek spada z masą fragmentów Możliwość identyfikacji izotopów m/z W ujemnym widmie dominują elektroujemne składniki (F) Estel at al., Surf. Sci., 54 (1976) 393 Z. Postawa, Fizyka powierzchni i nanostruktury, Kraków 001 9

10 Rozpylanie powierzchni - emisja jonów Przykładowe widma masowe SiO Czułość spektrometrii SIMS Zależność sygnału B w funkcji koncentracji B w matrycy Si 8 kev O -> Koncentracja boru B zaimplantowany w Si Jony dodatnie - sygnał boru Głębokość ( µm ) Jony ujemne Czułość poniżej 1 cząstka boru na miliard cząstek Si Widmo masowe węglowodorów Fragmentacja polistyrenu Fragmentacja molekuł Widmo masowe polistyrenu a) 0 fs Zderzenie z szybkim atomem rozbija molekule i tworzy energetyczne atomy węgla Przykładowe kanały prowadzące do rozpadu c) 110 fs Swobodny ruch C6H5, C7H7 i C8H8 w kierunku próżni (MH) W widmie jonów dodatnich dominują cząstki W widmie jonów ujemnych dominują cząstki (M-H)- Z. Postawa, Fizyka powierzchni i nanostruktury, Kraków 001 b) 30 fs Kolizja C z inną częścią molekuły i dalsze jej rozbicie 10

11 Zmniejszenie stopnia fragmentacji Wpływ podłoża Podczas uderzenia molekuła jest wzbudzana na wyższych stopień wibracyjny Rozpad molekuły Stopień fragmentacji można zmniejszyć przez zmniejszenie energii zderzenia prowadzącego do jonizacji i emisji molekuł: - cienkie warstwy na podłożach metalicznych - zanurzenie badanych molekuł w ciekłej matrycy -użycie promieniowania, które nie będzie oddziaływać z badanymi molekułami - MALDI Sygnał ( jednostki umowne ) 1 Fenyl w matrycy glicerynowej Fenyl na (111)Ag Energia kinetyczna ( ev ) Sygnał ( jednostki umowne ) Podłoże (111)Ag Matryca glicerynowa Doza jonowa x ( jonów/cm ) Wpływ podłoża na widma masowe Układ przestrzennego obrazowania składu chemicznego powierzchni Podłoże (111)Ag Z. Postawa, Fizyka powierzchni i nanostruktury, Kraków

12 Obrazowanie układów elektronicznych Obrazowanie biologiczne phospholipid head (polar) phospholipid tail (nonpolar) Obraz przestrzenny D błony komurkowej przed fuzją po fuzji Źródła ciekłometaliczne (źródło galowe) Gal ma niską temperaturę topnienia i niewielką energię jonizacji Jonizacja następuje w wyniku wyrwania elektronu silnym polem elektrycznym na końcu ostrza Pojemnik z GA Ekstraktor Poziomy elektronowe Detekcja cząstek neutralnych Bezpośrednia detekcja neutralnych cząstek nie jest możliwa Grzejnik Igła Cząstki neutralne muszą zostać zjonizowane Ciekły metal Igła Jonizacja powierzchniowa Jonizacja elektronowa Jonizacja laserowa Stożek Tylor a Ekstraktor Doskonałe ogniskowanie < 70 nm Z. Postawa, Fizyka powierzchni i nanostruktury, Kraków 001 1

13 Termiczna jonizacja powierzchniowa Jonizacja strumieniem elektronów M e - M e - Gorąca powierzchnia Schemat jonizatora elektronowego Elektroda odpychająca elektrony Energia Poziom Fermiego Praca wyjścia ϕ Metal Zaadsorbowany atom Poziom próżni Energia jonizacji I Jonizowany poziom Równanie Sacha-Langmuir a n n jon neutral I ϕ ~ exp k BT, gdzie n jon,n neutr liczba jonów i czastek neutralnych I potencjał jonizacji ϕ praca wyjścia z metalu T temperatura (~500 K) k B stała Boltzmann a Grzane włókno V przysp Magnes Pułapka e - Ogniskowanie Wydajność jonizacji jest bardzo mała z wyjątkiem atomów alkalicznych, które mają mały potencjał jonizacji I Do analizatora Prawdopodobieństwo jonizacji Widma masowe gazów resztkowych w komorze próżniowej Zależność wydajności jonizacji od energii elektronów ΣN-liczba zliczeń* H O 8 (CO ; N ) 3 O 44 CO Energia [ev] Rys..1..Wyd ajn ość procesu jonizacji dla gazów resztkowych w zależności od energii wią zki elektronowej w jonizatorze kwadrupolowego spektrometru masowego M. Jurczyk, R. Karabowicz, IFUJ Energia jonizacji wybranych cząsteczek Cząsteczka E. jonizacji ( ev ) H O 1.6 CO 14.4 C 6 H N 15.5 O 1.5 Jonizacja elektronowa jest mało wydajna. Prawdopodobieństwo jonizacji ~10-4 (maksimum ~3 E jonizacji ) Silna fragmentacja molekuł ΣN- liczba zliczeñ* N NH CH 3 CH CH C OH O H O (H O)H F Ne D O FH N CO C H 3 C H C H 5 C H 6 NO C H 7 C 3 H 3 C 3 H 4 C 3 H 7 C 3 H 6 C 3 H 5 CO C 3 H 8 C 3 H 9 NO m/z Rys Widmo masowe gazów resztkowych uzyskane dla energii elektronów 55 ev w jonizatorze kwadrupolowego spektrometru masowego O M. Jurczyk, R. Karabowicz, IFUJ Z. Postawa, Fizyka powierzchni i nanostruktury, Kraków

14 Sygnał ( j.u.) Rozpylanie powierzchni - emisja jonów Jonizacja laserowa Schemat jonizacji rezonansowej Ag Jonizacja rezonansowe Jonizacja nierezonansowe Schemat jonizacji atomów Ag Energia Poziom wirtualny Poziom jonizacji wydajna selektywna Rejestracja wybranych cząstek mało wydajna nieselektywna Rejestracja wszystkich cząstek (widma masowe) Jonizacja laserowa jest wydajna. Prawdopodobieństwo jonizacji rezonansowej ~1 Fragmentacja molekuł występuje przy dużych energiach i dużym strumieniu fotonów Można badać emisję cząstek w poszczególnych stanach kwantowych Zależność wydajności jonizacji od gęstości mocy lasera Przejście jednofotonowe Zalety spektrometrii masowej neutralnych cząstek Duża wydajność Minimalny efekt matrycowy Natężenie (zliczenia/s) Proporcjonalność pomiędzy koncentracją a mierzonym sygnałem Możliwość łatwego przeprowadzenia analizy ilościowej Gęstość mocy lasera (W/cm ) Koncentracja c x Z. Postawa, Fizyka powierzchni i nanostruktury, Kraków

15 Pomiar ilościowy w SNMS Liczba jonów I m jonów m emitowanych z powierzchni bombardowanej strumieniem cząstek Wpływ rodzaju jonizacji na widma masowe Jonizacja elektronowa I m jonów = I 0 S m α 0 m c m η (1 α 0 m - α 0 m), gdzie I 0 -strumień cząstek rozpylających S m całkowity współczynnik rozpylenia α 0 m prawdopodobieństwo dodatniej jonizacji α m, α m prawdopodobieństwo emisji wtórnych jonów dodatnich i ujemnych (<< 1) c m koncentracja cząstek m na powierzchni η transmisja układu pomiarowego. ns Jonizacja laserowa Jonizacja femtosekundowa zachodzi w czasie krótszym niż wynosi czas reakcji molekuły Najmniejsza fragmentacja fs Parametr α 0 m można łatwo określić W warunkach równowagi S = tot S m m i m c m = 1. Ostatecznie: i 0 ci I α j η = j 0 c I α i η j 0 j 0 i Przy nasyceniu α 0 = 1 Desorpcja laserowa MALDI 1. Badaną substancję (która nie pochłania światła laserowego -> dobrać długość fali) zanurzamy w matrycy, która będzie absorbować promieniowanie laserowe.. Laser wprawia bezpośrednio w ruch tylko cząstki matrycy. 3. Emisja i jonizacja (chemiczna) badanych cząstek następuje w wyniku oddziaływania z cząstkami matrycy. Takie zderzenia są niskoenergetyczne i nie prowadzą do fragmentacji molekuł. Matrix Assisted Laser Desorption MALDI Widmo insuliny a) matryca (,5-DHB); b) Podłoże Si L. Zhigilhei at al., Phys.Chem B 101 (1997) 08 Wu and Odom., Anal. Chem. 68 (1996) 873 Z. Postawa, Fizyka powierzchni i nanostruktury, Kraków

16 Co za tydzień? Układy mezoskopowe czym są i do czego mogą się nam przydać? Własności układów mezoskopowych Modyfikacja rozmiarowa struktury elektronowej powierzchni Rodzaje wzrostu cienkich warstw Sposoby wytwarzania cienkich warstw " Epitaksja z wiązki molekularnej " Depozycja par chemicznych (Chemical Vapour Deposition) Z. Postawa, Fizyka powierzchni i nanostruktury, Kraków