ELEMENTY ELEKTRONICZNE
|
|
- Klaudia Małecka
- 4 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 AKADMA ÓRNZO-HNZA M. SANSŁAWA SASZA W KRAKOW Wydzał norayk, lkronk lkounka Kadra lkronk LMNY LKRONZN dr nż. Por Dzurdza paw. -3, pokó 43; l , por.dzurdza@ah.du.pl dr nż. rnusz rzozowsk paw. -3, pokó 5; l , rnusz.rzozowsk@ah.du.pl RANZYSOR POLARNY PRAA MPLSOWA (PRZŁĄZAN + 8 r. PD&
2 PRZŁĄZAN RANZYSORA POLARNO + R P - R R R P R R R u - R + 8 r. PD& lny lkronzn - ranzysor polarny: przłązan 3 PRZŁĄZAN RANZYSORA POLARNO + /R - R R -/R R sa u R P M R sa R + 8 r. PD& lny lkronzn - ranzysor polarny: przłązan 4
3 PRZŁĄZAN RANZYSORA POLARNO sa n (x n ( R r R ln ln R Q dq d Q Q równan konroln ładunku azy dla pray akywn Q Q S n (x Q QS dq dqs d d S równan konroln ładunku azy dla sanu nasyna x + 8 r. PD& lny lkronzn - ranzysor polarny: przłązan 5 PRZŁĄZAN RANZYSORA POLARNO u - R - R R (=(+R/R + R R u K M za: kłady lkronzn z. kłady analoow nlnow pulsow, J. aranowsk,. zakowsk + 8 r. PD& lny lkronzn - ranzysor polarny: przłązan 6 M R R 3
4 PRZŁĄZAN RANZYSORA POLARNO u - R R - R P (=(+R/R R β M d r sa R + R u d zas opóźnna R ln R P zas narasana K r R ln K zas przlou nośnków: zas żya nośnków + 8 r. PD& lny lkronzn - ranzysor polarny: przłązan 7 PRZŁĄZAN RANZYSORA POLARNO u - R R - R P (=(+R/R R β - R ( + RR + R R u M d r s sa s S ln M R R zas aazynowana + 8 r. PD& lny lkronzn - ranzysor polarny: przłązan 8 4
5 PRZŁĄZAN RANZYSORA POLARNO u - R R - R P (=(+R/R R β - R ( + RR R R + R R u M d r s βr R R ln R zas opadana sa zas przlou nośnków + 8 r. PD& lny lkronzn - ranzysor polarny: przłązan 9 PRZŁĄZAN RANZYSORA POLARNO u - R R - R P (=(+R/R R β - R ( + RR R R + R R u M d r s sa βr ON d r zas włązna O zas wyłązna s + 8 r. PD& lny lkronzn - ranzysor polarny: przłązan 5
6 RANZYSOR POLARNY MODL PARANRY MAŁOSYNAŁOW + 8 r. PD& MODL MAŁOSYNAŁOWY L ranzysor o ln nlnowy Nlnow harakrysyk Nlnowy odl N N N Modl rsa-molla dla ranzysora polarno npn harakrysyk ranzysora polarno dla pray w układz wspólno ra u u n S( S ( u u n N S( S ( Rysunk zazrpnęo z: W. Marnak Przyrządy półprzwodnkow układy salon, WN r. PD& lny lkronzn - ranzysor polarny 6
7 MODL MAŁOSYNAŁOWY L ranzysor w owodz + 8 r. PD& lny lkronzn - ranzysor polarny 3 MODL MAŁOSYNAŁOWY L ranzysor w owodz ( =? R Pros ozko. R N N Ko polzy? Z w (= A w sn( N xp S xp n S N u xp S xp n S Modl nlnowy (np.: rsa-molla s nwyodny do analz ranzysora w wększyh układah lkronznyh + 8 r. PD& lny lkronzn - ranzysor polarny 4 7
8 MODL MAŁOSYNAŁOWY JAK? ranzysor ln nlnowy Jak o zroć? Lnowy odl PP PP Wokół punku pray PP lnaryzaa harakrysyk PP odl zudowany z lnów lnowyh (al z pwny oranzna harakrysyk ranzysora polarno dla pray w układz wspólno ra Rysunk zazrpnęo z: W. Marnak Przyrządy półprzwodnkow układy salon, WN r. PD& lny lkronzn - ranzysor polarny 5 MODL MAŁOSYNAŁOWY ranzysor ako zwórnk akywny składowa znna - ałosynałowa składowa sała = + + lnaryzaa h-k Punk pray w oszarz akywny R u + u u w = + u = +u u = + u Dla synałów znnyh o ał apludz ranzysor zasąpy zwórnk lnowy R u R + 8 r. PD& lny lkronzn - ranzysor polarny 6 8
9 ZWÓRNK LNOWY powórka z or owodów W oólny przypadku: zwórnk lnowy Równana pdanyn: = Z + Z = Z + Z Równana adanyn: = Y + Y = Y + Y Równana szan (hyrydow: = H + H = H + H + 8 r. PD& lny lkronzn - ranzysor polarny 7 MODL ZWÓRNKOW dla MAŁYH SYNAŁÓW Mał synały oznazna: ał lry z ały ndksa Równana pdanyn: u = z + z u = z + z Równana adanyn: = y u + y u = y u + y u Równana hyrydow: u = h + h u = h + h u z z u z z u y u u y u y y u h u h h h u + 8 r. PD& lny lkronzn - ranzysor polarny 8 9
10 h u h h h u MODL HYRYDOWY parary dla W pdana wśowa przy zwary wyśu (dla składow napęa znno na wyśu u h u u ons u u wszna ransana napęowa przy rozwary wśu (rozwar źródło prądu znno na wśu u h u u u ons u u h h ransana prądowa - wzonn prądow przy zwary wyśu (dla składow napęa znno na wyśu h u ons u h adana wyśowa przy rozwary wśu (rozwar źródło prądu znno na wśu h u u ons u h + 8 r. PD& lny lkronzn - ranzysor polarny 9 MODL HYRYDOWY parary dla różnyh konura W W W r. PD& lny lkronzn - ranzysor polarny
11 MODL ZYZNY Pwn odwzorowan zawsk zyznyh zahodząyh w ranzysorz sha zasępzy Nypowa harakrysyka przśowa = (u ranskondukana wpływ wśa na wyś u, ons h-ka przśowa PP u ranskondukana zwrona wpływ napęa wyśowo na wś r u, ons Kondukana wśowa ha-ka wśowa (ranzysor od wśa u, ons h-ka zwrona h-ka wśowa Kondukana wyśowa ha-ka wyśowa (ranzysor od wyśa o u, ons h-ka wyśowa + 8 r. PD& lny lkronzn - ranzysor polarny MODL ZYZNY hyryd- dla O PROSZZONY u u o h-k ranzysora polarno dla O od srony wyśa: źródło prądow srowan synał z wśa: u od srony wśa: kondukana wśowa: od srony wyśa: kondukana wyśowa: o + 8 r. PD& lny lkronzn - ranzysor polarny
12 MODL ZYZNY hyryd- dla O PŁNY r r u u u o h-k ranzysora polarno dla O od srony wyśa: źródło prądow srowan synał z wśa: u od srony wśa: kondukana wśowa: od srony wyśa: kondukana wyśowa: o od srony wśa: rzysana oszaru azy: r z wśa na wyś zpośrdno: sprzężn rzysanyn aza-kolkor: r poność złąza rowo poność złąza kolkorowo + 8 r. PD& lny lkronzn - ranzysor polarny 3 MODL hyryd- dla O wyznazan pararów ( ranskondukana z dn: zyl nahyln nypow h-k przśow = ( z punku pray: różnzkuą prąd dody row z odlu rsa-molla: ( uwzlędnaą prąd kolkora ( = : n n w praky n = ( + 8 r. PD& lny lkronzn - ranzysor polarny 4 uproszzona zalżność S n wsp. wz. prądowo dla O n wsp. ndalnoś złąza rowo ponał lkrorzny sały prąd kolkora polaryzuąy ranzysor
13 MODL hyryd- dla O wyznazan pararów ( Kondukana wśowa z dn: zyl nahyln h-k wśow = ( - nprakyzn z punku pray: dla układu O s: za z odlu rsa-molla prąd azy dla O: Nasępn korzysaą z d.: uwzlędnaą: ay: ( wsp. wz. prądowo dla O wsp. wz. prądowo dla O n wsp. ndalnoś złąza. ponał lkrorzny prąd kolkora pol. ranzysor + 8 r. PD& lny lkronzn - ranzysor polarny 5 n n ( n S, xp n ( S xp n MODL hyryd- dla O wyznazan pararów (3 Rzysana rozproszona azy r z porównana odlu hyryd- hyrydowo: z dn: uwzlędnaą k arly o: ay: z dn: al >>, o: r + 8 r. PD& lny lkronzn - ranzysor polarny 6 r Kondukana wyśowa A Sprzężn rzysanyn r A h A r A h r różnzkuą z d. A>>, o: A napę arly o r A 3
14 MODL hyryd- dla O wyznazan pararów (4 Poność wśowa złąza rowo d poność złązowa poność dyuzyna d Poność sprzęaąa złąza kolkorowo Poność złązowa zaporowo spolaryzowano złąza aza-kolkor + 8 r. PD& lny lkronzn - ranzysor polarny 7 MODL hyryd- dla O u u u r ons u, ons + 8 r. PD& lny lkronzn - ranzysor polarny 8 4
15 5 ZĘSOLWOŚ RANZN Kdy, dla akh zęsolwoś, ranzysor przsan spłnać swoą podsawową unkę, zyl wzanać? + 8 r. PD& lny lkronzn - ranzysor polarny 9 Zakrs sosowalnoś: Małosynałow wzonn prądow dla zwaro wyśa: u u ( ( ( ( ( ZĘSOLWOŚ RANZN zęsolwość ranzna przy, kór wzonn ( znszy sę o 3d: + 8 r. PD& lny lkronzn - ranzysor polarny 3 ( ( ( ( Oznazaą :, ( (
16 ZĘSOLWOŚ RANZN zęsolwość ranzna przy, kór wzonn ( znszy sę o 3d: ( Posępuą analozn ak dla W orzyuy: + 8 r. PD& lny lkronzn - ranzysor polarny 3 ZĘSOLWOŚ RANZN zęsolwość prznoszna przy, kór oduł wzonna ( = ( ( ( ( przy: dla: s: ( + 8 r. PD& lny lkronzn - ranzysor polarny 3 6
17 ZĘSOLWOŚ RANZN, -3d -3d [khz] ranzysor polarny prauąy w układz wspóln azy a -razy wększą zęsolwość ranzną + 8 r. PD& lny lkronzn - ranzysor polarny 33 7
ELEMENTY ELEKTRONICZNE
04-04-09 AKADMA GÓRNZO-HUTNZA M. STANSŁAWA STASZA W KRAKOW Wydzał normayk, lkronk Tlkomunkacj Kadra lkronk LMNTY LKTRONZN dr nż. Por Dzurdza paw. -3, pokój 43; l. 67-7-0, por.dzurdza@ah.du.pl dr nż. rnusz
Bardziej szczegółowoI. Metoda Klasyczna. Podstawy Elektrotechniki - Stany nieustalone. Zadanie k.1 Wyznaczyć prąd i w na wyłączniku. R RI E
Podsawy lkohnk - Sany nsalon. Moda Klasyzna Zadan k. Wyznazyć pąd w na wyłąznk. w? kładay ównana na podsaw sha. ównan haakysyzn: w d d w w d d d d d d p p p w Zadan k. Znalźć aką hwlę zas x aby spłnony
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKADMA GÓRNZO-HUTNZA M. STANSŁAWA STASZA W KRAKOW Wydzał nformatyk, lektronk Telekomunkacj Katedra lektronk LMNTY LKTRONZN dr nż. Potr Dzurdza aw. -3, okój 413; tel. 617-27-02, otr.dzurdza@agh.edu.l dr
Bardziej szczegółowoIII. Przetwornice napięcia stałego
III. Przewornce napęca sałego III.1. Wsęp Przewornce: dosarczane pożądanej warośc napęca sałego koszem energ ze źródła napęca G. Możlwość zmnejszana, zwększana, odwracana polaryzacj lb kszałowane pożądanego
Bardziej szczegółowoElementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne
lementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne Wprowadzenie Złacze PN spolaryzowane zaporowo: P N U - + S S U SAT =0.1...0.2V U S q D p L p p n D n n L n p gdzie: D p,n współczynniki dyfuzji
Bardziej szczegółowoPARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH obliczanie załącznik 1 do ćwiczenia nr 7
LMNY LKONZN LA.: Paramtry małosynałow tranz. bipolarnyc zał. 1 PAAMY MAŁOSYGNAŁOW ANZYSOÓW POLANYH oblzani załącznik 1 do ćwznia nr 7 Wstęp Modl małosynałow tranzystorów mają na cl przdstawini tranzystora
Bardziej szczegółowoIndywidualna Pracownia Elektroniczna 2012
ndywidualna Pracownia lektroniczna 202 Wykłady czwartek sala 7, wtorek sala 09 na Pasteura adanie diod 2-X-202-4 półprzewodnikowych Tranzystor bipolarny. Wzmacniacz tranzystorowy yfrowe układy scalone
Bardziej szczegółowoŚ ź ć ź ć Ź ć ź ć Ą ć ć ć Ą ć ź ć ź ć Ś ć ć ć ć Ą Ą ć ć ć ć ć ć Ś ć Ź ć ć Ą ć ó ń ć ć ó ć ó ń ć ć ć ó ó ń ć ó Śń ó ó ć ó ó ó ó ć ó ń ó ó ó ó Ą ć ź ó ó ó ń ó ó ń ó ó ó ź ó ó ó ó Ść ć Ą ź ć ć ć ć Ś Ą ć ć
Bardziej szczegółowo1. CEL ĆWICZENIA 2. WPROWADZENIE
. CEL ĆWCZENA Cele ćwiczenia jest poznanie właściwości stałoprądowych oraz ziennoprądowych (dla ałych aplitud i ałych częstotliwości synałów) tranzystora poloweo złączoweo JFET na przykładzie tranzystora
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE
TRANZYSTORY POLARN ZŁĄZOW ipolar Junction Transistor - JT Tranzystor bipolarny to odpowiednie połączenie dwóch złącz pn p n p n p n kolektor baza emiter kolektor baza emiter udowa tranzystora w technologii
Bardziej szczegółowoŻ ż Ł ż ż ż Ż Ś ż ż ż Ł Ż Ż ć ż Ż Ż Ż Ń Ż Ź ż Ź Ź ż Ż ż ż Ż Ł Ż Ł Ż ż Ż ż Ż Ż Ń Ą Ż Ń Ż Ń ć ż Ż ź Ś ć Ł Ł Ź Ż Ż ż Ł ż Ż Ł Ż Ł ź ć ż Ż Ż ż ż Ó ż Ł Ż ć Ż Ż Ę Ż Ż Ż ż Ż ż ż Ś ż Ż ż ż ź Ż Ń ć Ż ż Ż Ż ż ż ż
Bardziej szczegółowoŁ Ł Ś ź ń ź ź ź Ś Ł Ę Ę Ś ż Ś ń Ą Ś Ą Ł ż ż ń ż ć ż ż ż ź ż ć ź Ę Ę ń ć ż Ł ń ż ż ż Ś ż Ś ż ż ż ż ż ż ż ń ń ż ż ż ć ż ń ż ń ź ż ć ż ż ć ń ż Ę Ę ć ń Ę ż ż ń ń ź Ę ź ż ń ż ń ź ż ż ż ń ż ż ż ż ż ż ż ż ń ń
Bardziej szczegółowoŚ Ł Ą Ś Ś ź Ś ń ż ż Ó ż ż Ś Ł ż ń ń ń ż ń Ś ń ć ŚĘ Ó Ł Ę Ł Ś Ę Ę ń ń ń ń ń Ź ń ń ń ń ń ż ń ń ń ń ń Ę ż ż ć Ść ń ń ż Ń ż ż ń ń Ś Ą ń Ś ń ń ż Ó ż Ź ń ż ń Ś Ń Ó ż Ł ż Ą ź ź Ś Ł ć Ś ć ż ź ż ć ć Ę Ó Ś Ó ż ż
Bardziej szczegółowoŁ Ł Ś Ę ź ń ź ź Ś Ę Ę Ś Ą Ś Ę Ż Ł ń Ę Ś ć ć ń ć ń ń ń ź ń Ę ź ń ń ń ź ź Ś ź ź ć ń ń ń ń Ś ć Ś ń ń Ś ź ń Ę ń Ś ź ź ź ź ź Ę Ę Ę Ś ń Ś ć ń ń ń ń ń ń Ę ń ń ń ń ć ń ń ń ń ć ń Ś ć Ł ń ń ń ć ń ć ź ń ź ć ń ń ć
Bardziej szczegółowoTRANZYSTOR BIPOLARNY CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE
POLITHNIKA RZSZOWSKA Katedra Podstaw lektronk Instrkcja Nr4 F 00/003 sem. letn TRANZYSTOR IPOLARNY HARAKTRYSTYKI STATYZN elem ćwczena jest pomar charakterystyk statycznych tranzystora bpolarnego npn lb
Bardziej szczegółowoDokumentacja techniczna IQ3 Sterownik z dostępem poprzez Internet IQ3 Sterownik z dostępem poprzez Internet Opis Charakterystyka
Bardziej szczegółowo
Stanowisko laboratoryjne do badań przesuwników fazowych
Polichnika Śląska Wydział Elkryczny Insyu Mrologii i Auomayki Elkrochniczn Tma pracy: Sanowisko laboraoryn do badań przsuwników fazowych Promoor: Dr inż. Adam Cichy Dyploman: Adam Duna Srukura rfrau. Wsęp.
Bardziej szczegółowoI zasada termodynamiki dla układu zamkniętego (ujęcie masy kontrolnej)
Wykład 8 I zasada rmodynamk dla układów zamknęyh (uję masy konrolnj) Prwsza zasada rmodynamk jako równan knyzn dla układu zamknęgo (uję masy konrolnj; zmana sanu masy konrolnj) Układy owar; uję masy konrolnj
Bardziej szczegółowo8 7 / m S t a n d a r d w y m a g a ń e g z a m i n m i s t r z o w s k i dla zawodu M O N T E R I N S T A L A C J I G A Z O W Y C H K o d z k l a s y f i k a c j i z a w o d ó w i s p e c j a l n o ś
Bardziej szczegółowoUkłady zasilania tranzystorów. Punkt pracy tranzystora Tranzystor bipolarny. Punkt pracy tranzystora Tranzystor unipolarny
kłady zasilania ranzysorów Wrocław 28 Punk pracy ranzysora Punk pracy ranzysora Tranzysor unipolarny SS GS p GS S S opuszczalny oszar pracy (safe operaing condiions SOA) P max Zniekszałcenia nieliniowe
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKADMA GÓNZO-HTNZA M. STANSŁAWA STASZA W KAKOW Wydział nformayki, lekroniki i Telekomunikacji Kaedra lekroniki MNTY KTONZN dr inż. Pior Dziurdzia paw. -3, pokój 43; el. 67-7-0, pior.dziurdzia@agh.edu.pl
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE
TRANZYSTORY POLARN ZŁĄCZOW ipolar Junction Transistor - JT Tranzystor bipolarny to odpowiednie połączenie dwóch złącz pn: p n p n p n kolektor baza emiter kolektor baza emiter udowa tranzystora w technologii
Bardziej szczegółowo9 7 / m S t a n d a r d w y m a g a ń - e g z a m i n m i s t r z o w s k i dla zawodu F O T O G R A F Kod z klasyfikacji zawodów i sp e cjaln oś ci dla p ot r ze b r yn ku p r acy Kod z klasyfikacji zawodów
Bardziej szczegółowoPojęcia podstawowe 1
Tomasz Lubera Pojęcia podsawowe aa + bb + dd + pp + rr + ss + Kineyka chemiczna dział chemii fizycznej zajmujący się przebiegiem reakcji chemicznych w czasie, ich mechanizmami oraz wpływem różnych czynników
Bardziej szczegółowo1 8 / m S t a n d a r d w y m a g a ń e g z a m i n m i s t r z o w s k i dla zawodu M E C H A N I K - O P E R A T O R P O J A Z D Ó W I M A S Z Y N R O L N I C Z Y C H K o d z k l a s y f i k a c j i
Bardziej szczegółowoElementy i Obwody Elektryczne
Elemeny Obwody Elekryczne Elemen ( elemen obwodowy ) jedno z podsawowych pojęć eor obwodów. Elemen jes modelem pewnego zjawska lb cechy fzycznej zwązanej z obwodem. Elemeny ( jako modele ) mogą meć róŝny
Bardziej szczegółowoWOJEWÓDZKI IN S P EKT OR A T OC H R ON Y ŚR ODOWIS KA W KR A KOWIE M 2 0 0 2 U RAPORT O STANIE ŚRODOWISK A W WOJ EWÓ DZ TWIE AŁ OPOL SK IM W ROK BIBLIOTEKA MON ITOR IN G U ŚR OD OW IS KA K r a k ó w 2003
Bardziej szczegółowoSieć kątowa metoda spostrzeżeń pośredniczących. Układ równań obserwacyjnych
Seć kątowa etoda spostrzeżeń pośrednząyh Układ równań obserwayjnyh rzyrosty współrzędnyh X = X X X X = X X Y = Y Y X Y = Y Y Długość odnka X ' ' ' ' x y Współzynnk kerunkowe x y * B * x y x y gdze - odpowedn
Bardziej szczegółowoMETODY KOMPUTEROWE 10
MEODY KOMPUEROWE RÓWNANIA RÓŻNICZKOWE CZĄSKOWE Poechnka Poznańska Mchał Płokowak Adam Łodgowsk Mchał PŁOKOWIAK Adam ŁODYGOWSKI Konsace nakowe dr nż. Wod Kąko Poznań 00/00 MEODY KOMPUEROWE 0 RÓWNANIA RÓŻNICZKOWE
Bardziej szczegółowoW W Y D A N I E S P E C J A L N E S z a n o w n i P a ń s t w o! Spis t reści: y d arz e ni a c z e rw c ow e w 3 P oz nani u, r. Z
M 50-r o c z n i c a P o z n a ń s k i e g o C z e r w c a 56 r. KAZIMIERA IŁŁAKOWICZÓWNA Ro z s t r z e l a n o m o j e s e r c e C h c i a ł a m o k u l t u r z e n a p i s a ć n a p r a w d ę i n t
Bardziej szczegółowoZawód: monter instalacji i urządzeń sanitarnych I. Etap teoretyczny (część pisemna i ustna) egzaminu obejmuje: Z ak res w iadomoś ci i umieję tnoś ci
8 8 / m S t a n d a r d w y m a g a ń - e g z a m i n m i s t r z o w s k i dla zawodu M O N T E R I N S T A L A C J I I U R Z Ą D Z E Ń S A N I T A R N Y C H Kod z klasyfikacji zawodów i sp e cjaln oś
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 4 CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO
LAORATORIUM LKTRONIKI ĆWIZNI 4 HARAKTRYSTYKI STATYZN TRANZYSTORA IPOLARNGO K A T D R A S Y S T M Ó W M I K R O L K T R O N I Z N Y H 1. L ĆWIZNIA elem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi charakterystykami
Bardziej szczegółowoZygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska
Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska 1947 r. pierwszy tranzystor ostrzowy John Bradeen (z lewej), William Shockley (w środku) i Walter Brattain (z prawej) (Bell Labs) Zygmunt Kubiak
Bardziej szczegółowo2 3 / m S t a n d a r d w y m a g a ń e g z a m i n m i s t r z o w s k i dla zawodu L A K I E R N I K S A M O C H O D O W Y Kod z klasyfikacji zawodów i sp e cjaln oś ci dla p ot r ze b r yn ku p r acy
Bardziej szczegółowoż Ę ń Ś ó ź ó ń Ę ó ó ź ó Ń ó ó ż ż ó ż ń ó ć ń ź ó ó ó Ę Ę ó ź ó ó Ł Ł Ą Ś ó ń ó ń ó Ł Ł ó ó ó ń Ś Ń ń ń ó ó Ś ó ć ó Ą Ą ń ć ć ó ż ó ć Ł ó ń ó ó ż ó ó ć ż ż Ą ż ń ó Śó ó ó ó ć ć ć ń ó ć Ś ć ó ó ż ó ó
Bardziej szczegółowo7 4 / m S t a n d a r d w y m a g a ± û e g z a m i n m i s t r z o w s k i dla zawodu K U C H A R Z * * (dla absolwent¾w szk¾ ponadzasadniczych) K o d z k l a s y f i k a c j i z a w o d ¾ w i s p e c
Bardziej szczegółowoĄ ź ń Ś Ź ń Ę Ś ź Ę ń ć ć ż ż ż ż ć ń Ę Ż ń ż ć ć Ł Ż Ż ćń Ą ć ć Ą Ż Ź Ą ż Ż ż Ą Ą Ę ń ć ć ń ń Ę ń ź ń Ż ż ć ń Ż ż ć Ż ń ż Ą ć ć Ą Ż Ą Ż Ł ź Ą ń Ź ń Ę ż Ń Ę Ń ż ć ż Ń ń ń Ę Ę ż Ź Ż ć Ą Ż ń ń Ż ć ż Ż ń
Bardziej szczegółowo6 0 / m S t a n d a r d w y m a g a ń - e g z a m i n m i s t r z o w s k i dla zawodu K R A W I E C Kod z klasyfikacji zawodów i sp e cjaln oś ci dla p ot r ze b r yn ku p r acy Kod z klasyfikacji zawodów
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI DIODA
ZESPÓŁ LABORATORÓW TELEMATYK TRANSPORT ZAKŁAD TELEKOMNKACJ W TRANSPORCE WYDZAŁ TRANSPORT POLTECHNK WARSZAWSKEJ LABORATORM PODSTAW ELEKTRONK NSTRKCJA DO ĆWCZENA NR 2 DODA DO ŻYTK WEWNĘTRZNEGO WARSZAWA 2016
Bardziej szczegółowo1 9 / c S t a n d a r d w y m a g a ń - e g z a m i n c z e l a d n i c z y dla zawodu M E C H A N I K P O J A Z D Ó W S A M O C H O D O W Y C H Kod z klasyfikacji zawodów i sp e cjaln oś ci dla p ot r
Bardziej szczegółowoObwody elektryczne. Stan ustalony i stan przejściowy. Stan ustalony i stan przejściowy. Stan ustalony i stan przejściowy.
San salony san prjścoy Obody lkrycn San salony W obod prąd sałgo Warośc prądó napęć n lgają an W obod prąd nngo Warośc śrdn skcn prądó napęć n lgają an Prądy napęca są fnkcja okrsoy o akj saj cęsolośc,
Bardziej szczegółowoĘ ć ń ż ć Ń ń ż ć ć ń ż ć ń ź ń Ę Ń ń ń ż ć ż ć ć Ń ż ć ń ć ż ń ż ć ć Ń ż ć Ń ż Ń Ń Ń ż ż Ń ż ż Ń ń ź Ń ń Ń ń ń Ą ń ń ź ń Ń Ń ć Ę ż Ń ż ć ć ć Ę ńż ń Ą ć ć Ę ż ż ć ż ć Ń ż Ń ż Ń ż ż ń ć ń Ń ń Ę ż Ł Ń ż
Bardziej szczegółowoĄ Ż Ł ś ż ńż ż ż ś ź ź ć ź ś ń ż ć ź ź ź ż ź ś ź ń ź Ę ż ź ź ź ż ż ś ń ż ż ś ż ź ż ź źń ż ż ż ź ś ś ż ś ż ż Ż Ł ń ż ś ż ń ź ź ż żń ść ż ż ń ń ń ń ń ż ś ź ż ń ż ś ń ż ć ż ś ż ż ć ń ż ż ź ż ć ż ż ś ż ż ć
Bardziej szczegółowo9 6 6 0, 4 m 2 ), S t r o n a 1 z 1 1
O p i s p r z e d m i o t u z a m ó w i e n i a - z a k r e s c z y n n o c i f U s ł u g i s p r z» t a n i a o b i e k t ó w G d y s k i e g o O r o d k a S p o r t u i R e ks r e a c j i I S t a d i
Bardziej szczegółowoELEKTRONIKA ELM001551W
ELEKTRONIKA ELM001551W W4 Unoszenie Dyfuzja 2 Półprzewodnik w stanie nierównowagi termodynamicznej np n 2 i n = n0 + n' p = p0 + p ' Półprzewodnik w stanie nierównowagi termodynamicznej Generacja i rekombinacja
Bardziej szczegółowoRozdział 1. Nazwa i adres Zamawiającego Gdyńskie Centrum Sportu jednostka budżetowa Rozdział 2. Informacja o trybie i stosowaniu przepisów
Z n a k s p r a w y G C S D Z P I 2 7 1 07 2 0 1 5 S P E C Y F I K A C J A I S T O T N Y C H W A R U N K Ó W Z A M Ó W I E N I A f U s ł u g i s p r z» t a n i a o b i e k t Gó w d y s k i e g o C e n
Bardziej szczegółowoPodstawy elektrotechniki
Wydział Mechaniczno-Energeyczny Podsawy elekroechniki Prof. dr hab. inż. Juliusz B. Gajewski, prof. zw. PWr Wybrzeże S. Wyspiańskiego 27, 5-37 Wrocław Bud. A4 Sara kołownia, pokój 359 Tel.: 71 32 321 Fax:
Bardziej szczegółowoPolitechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki. Klucze analogowe. Wrocław 2010
Poliechnika Wrocławska nsyu elekomunikacji, eleinformayki i Akusyki Klucze analogowe Wrocław 200 Poliechnika Wrocławska nsyu elekomunikacji, eleinformayki i Akusyki Pojęcia podsawowe Podsawą realizacji
Bardziej szczegółowoS.A RAPORT ROCZNY Za 2013 rok
O P E R A T O R T E L E K O M U N I K A C Y J N Y R A P O R T R O C Z N Y Z A 2 0 1 3 R O K Y u r e c o S. A. z s i e d z i b t w O l e ~ n i c y O l e ~ n i c a, 6 m a j a 2 0 14 r. S p i s t r e ~ c
Bardziej szczegółowogdzie E jest energią całkowitą cząstki. Postać równania Schrödingera dla stanu stacjonarnego Wprowadźmy do lewej i prawej strony równania Schrödingera
San sacjonarny cząsk San sacjonarny - San, w kórym ( r, ) ( r ), gęsość prawdopodobńswa znalzna cząsk cząsk w danym obszarz przsrzn n zalży od czasu. San sacjonarny js charakrysyczny dla sacjonarngo pola
Bardziej szczegółowoPodstawy Elektroniki dla Elektrotechniki
AGH Kaedra Elekroniki Podsawy Elekroniki dla Elekroechniki Klucze Insrukcja do ćwiczeń symulacyjnych (5a) Insrukcja do ćwiczeń sprzęowych (5b) Ćwiczenie 5a, 5b 2015 r. 1 1. Wsęp. Celem ćwiczenia jes ugrunowanie
Bardziej szczegółowon ó g, S t r o n a 2 z 1 9
Z n a k s p r a w y G O S I R D Z P I2 7 1 0 6 3 2 0 1 4 S P E C Y F I K A C J A I S T O T N Y C H W A R U N K Ó W Z A M Ó W I E N I A D o s t a w a w r a z z m o n t a e m u r z» d z e s i ł o w n i z
Bardziej szczegółowoSchematy zastępcze tranzystorów
haty zastępz tanzystoów kst tn pztawa kótko zasady spoządzana odl zastępzyh dla tanzystoów bpolanyh oaz unpolanyh Nalży paętać, ż są to odl ałosynałow, a wę słuszn tylko wyłązn pzy założnu, ż dany lnt
Bardziej szczegółowoWielokategorialne systemy uczące się i ich zastosowanie w bioinformatyce. Rafał Grodzicki
Welokategoralne systemy uząe sę h zastosowane w bonformatye Rafał Grodzk Welokategoralny system uząy sę (multlabel learnng system) Zbór danyh weśowyh: d X = R Zbór klas (kategor): { 2 } =...Q Zbór uząy:
Bardziej szczegółowoRozdział 1. Nazwa i adres Zamawiającego Gdyński Ośrodek Sportu i Rekreacji jednostka budżetowa Rozdział 2.
Z n a k s p r a w y G O S i R D Z P I 2 7 1 0 3 62 0 1 4 S P E C Y F I K A C J A I S T O T N Y C H W A R U N K Ó W Z A M Ó W I E N I A Z a p e w n i e n i e z a s i l a n i ea n e r g e t y c z ne g o
Bardziej szczegółowo8 6 / m S t a n d a r d w y m a g a ń e g z a m i n m i s t r z o w s k i dla zawodu E L E K T R Y K K o d z k l a s y f i k a c j i z a w o d ó w i s p e c j a l n o ś c i d l a p o t r z e b r y n k
Bardziej szczegółowo1 / m S t a n d a r d w y m a g a ń - e g z a m i n m i s t r z o w s k i dla zawodu B L A C H A R Z Kod z klasyfikacji zawodów i sp e cjaln oś ci dla p ot r ze b r yn ku p r acy Kod z klasyfikacji zawodów
Bardziej szczegółowoWstępne przyjęcie wymiarów i głębokości posadowienia
MARCIN BRAS POSADOWIENIE SŁUPA 1 Dane do projektu: INSTYTUT GEOTECHNIKI Poltechnka Krakowska m. T. Koścuszk w Krakowe Wydzał Inżyner Środowska MECHANIKA GRUNTÓW I FUNDAMENTOWANIE P :=.0MN H := 10kN M :=
Bardziej szczegółowoRys. 1. Oznaczenia tranzystorów bipolarnych pnp oraz npn
Ćwiczenie 4. harakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego 1. L ĆWIZNI elem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi charakterystykami statycznymi oraz z najwaŝniejszymi parametrami i modelami tranzystora
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów
Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne
Bardziej szczegółowoŚ Ł Ó Ó ć ć Ń ć Ą ć ć Ń Ń Ł Ńź Ą Ą Ł Ś Ń Ó Ó ź ć ć ć ć ć Ł Ż Ą Ł Ł Ś Ń Ó ć ć Ń Ą Ą ć ć ć Ś Ń ć ć Ą Ą ź ć Ś Ą Ą Ó ć Ą Ń ź Ą ć Ą ź Ą ź Ń ć ź ć Ą ź ć ć ć Ą ź ź ź Ą ź ź Ą Ą ź ź Ś Ś ć Ł ć ź Ą Ą ź Ą ć Ś ź
Bardziej szczegółowoRozdział 1. Nazwa i adres Zamawiającego Gdyński Ośrodek Sportu i Rekreacji jednostka budżetowa Rozdział 2.
Z n a k s p r a w y G O S I R D Z P I 2 7 1 03 3 2 0 1 4 S P E C Y F I K A C J A I S T O T N Y C H W A R U N K Ó W Z A M Ó W I E N I A f U d o s t p n i e n i e t e l e b i m ó w i n a g ł o n i e n i
Bardziej szczegółowoPodstawowe konfiguracje wzmacniaczy tranzystorowych
Podstawo koniacje wzmacniaczy tanzystoowych Wocław 05 Klasyikacja wzmacniaczy Ze wzlęd na zastosowany element steowany: -- lampo -- tanzystoo Klasyikacja wzmacniaczy Ze wzlęd na zakes częstotliwości wzmacnianych
Bardziej szczegółowo10. METODY NIEALGORYTMICZNE ANALIZY OBWODÓW LINIOWYCH
OWODY SYGNŁY 0. MTODY NLGOYTMCZN NLZY OWODÓW LNOWYCH 0.. MTOD TNSFGUCJ Przez termin transfiguracji rozumiemy operację kolejnego uproszczenia struktury obwodu (zmniejszenie liczby gałęzi i węzłów), przy
Bardziej szczegółowoNazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n
Nazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n Cel ćwiczenia: Zapoznanie się z własnościami warstwowych złącz półprzewodnikowych p-n. Wyznaczanie charakterystyk stałoprądowych
Bardziej szczegółowoZ awó d: p o s a d z k a r z I. Etap teoretyczny ( część pisemna i ustna) egzamin obejmuje: Zakres wiadomości i umiejętności właściwych dla kwalifikac
9 2 / m S t a n d a r d w y m a g a ń - e g z a m i n m i s t r z o w s k i P O dla zawodu S A D Z K A R Z Kod z klasyfikacji zawodów i sp e cjaln oś ci dla p ot r ze b r yn ku p r acy Kod z klasyfikacji
Bardziej szczegółowoELEKTROTECHNIKA I ELEKTRONIKA
NWERSYTET TECHNOLOGCZNO-PRZYRODNCZY W BYDGOSZCZY WYDZAŁ NŻYNER MECHANCZNEJ NSTYTT EKSPLOATACJ MASZYN TRANSPORT ZAKŁAD STEROWANA ELEKTROTECHNKA ELEKTRONKA ĆWCZENE: E7 BADANE DODY PROSTOWNCZEJ DODY ZENERA
Bardziej szczegółowoChorągiew Dolnośląska ZHP 1. Zarządzenia i informacje 1.1. Zarządzenia
C h o r ą g i e w D o l n o l ą s k a Z H P W r o c ł a w, 3 0 l i s t o p a d a2 0 1 4 r. Z w i ą z e k H a r c e r s t w a P o l s k i e g o K o m e n d a n t C h o r ą g w i D o l n o 6 l ą s k i e
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne w układach CMOS i ich modelowanie
Tranzystory bipolarne w układach CMOS i ich modelowanie 1. Po co modelujemy tranzystory bipolarne? W analogowych układach CMOS pasożytnicze struktury bipolarne bywają wykorzystywane jako elementy aktywne.
Bardziej szczegółowoPrzyjmijmy, że moment obciążenia jest równy zeru, otrzymamy:
aszyy prąy sałgo yaka Dla aszyy prą sałgo, ykorzysyaj jako l aoayk, yzaczy ybra rasacj. Sygał jścoy oż być p. apęc orka (la aszyy obcozbj) a sygał yjścoy prękość obrooa. óa Krchhoffa la obo orka oży apsać
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych
Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz
Bardziej szczegółowoKontroler ruchu i kierunku obrotów KFD2-SR2-2.W.SM. Charakterystyka. Konstrukcja. Funkcja. Przyłącze
Konroler ruchu i kierunku obroów Charakerysyka Konsrukcja -kanałowy separaor galwaniczny Zasilanie 4 V DC Wejścia ypu PNP/push-pull, syk lub Programowane częsoliwości graniczne wyjścia syku przekaźnika
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE
TRANZYSTORY IPOLARN ZŁĄCZO ipolar Junction Transistor - JT Tranzystor bipolarny to odpowiednie połączenie dwóch złącz pn p n p n p n kolektor baza emiter kolektor baza emiter udowa tranzystora w technologii
Bardziej szczegółowo0 ( 1 ) Q = Q T W + Q W + Q P C + Q P R + Q K T + Q G K + Q D M =
M O D E L O W A N I E I N Y N I E R S K I E n r 4 7, I S S N 1 8 9 6-7 7 1 X O P T Y M A L I Z A C J A K O N S T R U K C J I F O R M Y W T R Y S K O W E J P O D K Ą T E M E F E K T Y W N O C I C H O D
Bardziej szczegółowoTranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny
POLTEHNKA AŁOSTOKA Tranzystory WYDZAŁ ELEKTYZNY 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne bipolarny unipolarne Trójkońcówkowy (czterokońcówkowy) półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający
Bardziej szczegółowoZawód: z d u n I. Etap teoretyczny (część pisemna i ustna) egzaminu obejmuje: Z a k r e s w i a d o m o ś c i i u m i e j ę t n o ś c i w ł a ś c i w
9 4 / m S t a n d a r d w y m a g a ń e g z a m i n m i s t r z o w s k i dla zawodu Z D U N Kod z klasyfikacji zawodów i sp e cjaln oś ci dla p ot r ze b r yn ku p r acy Kod z klasyfikacji zawodów szkoln
Bardziej szczegółowo, , , , 0
S T E R O W N I K G R E E N M I L L A Q U A S Y S T E M 2 4 V 4 S E K C J I G B 6 9 6 4 C, 8 S E K C J I G B 6 9 6 8 C I n s t r u k c j a i n s t a l a c j i i o b s ł u g i P r z e d r o z p o c z ę
Bardziej szczegółowoPARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH
L B O R T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRMETRY MŁOSYGNŁOWE TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH REV. 1.0 1. CEL ĆWICZENI - celem ćwiczenia jest zapoznanie się z metodami pomiaru i wyznaczania parametrów małosygnałowych
Bardziej szczegółowoPodstawy elektrotechniki
Wydział Mechaniczno-Energeyczny Podsawy elekroechniki Prof. dr hab. inż. Juliusz B. Gajewski, prof. zw. PWr Wybrzeże S. Wyspiańskiego 27, 50-370 Wrocław Bud. A4 Sara kołownia, pokój 359 Tel.: 7 320 320
Bardziej szczegółowoCennik ważny od: 20-04-2015
Cennik żny od: 20-04-2015 Symbol Naz wyrobu PKWiU 002121710 I ASTI - ETIMAT ETIMAT10 1P 10kA B 2A Wyłącznik nadprądowy 27.12.22.0 28,80 A szt. 12/108 002121711 I ASTI - ETIMAT ETIMAT10 1P 10kA B 4A Wyłącznik
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji
Bardziej szczegółowo( 3 ) Kondensator o pojemności C naładowany do różnicy potencjałów U posiada ładunek: q = C U. ( 4 ) Eliminując U z równania (3) i (4) otrzymamy: =
ROZŁADOWANIE KONDENSATORA I. el ćwiczenia: wyznaczenie zależności napięcia (i/lub prądu I ) rozładowania kondensaora w funkcji czasu : = (), wyznaczanie sałej czasowej τ =. II. Przyrządy: III. Lieraura:
Bardziej szczegółowoElementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.
Elementy półprzewodnikowe Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy elektroniczne i ich zastosowanie. Elementy stosowane w elektronice w większości
Bardziej szczegółowoGr.A, Zad.1. Gr.A, Zad.2 U CC R C1 R C2. U wy T 1 T 2. U we T 3 T 4 U EE
Niekóre z zadań dają się rozwiązać niemal w pamięci, pamięaj jednak, że warunkiem uzyskania różnej od zera liczby punków za każde zadanie, jes przedsawienie, oprócz samego wyniku, akże rozwiązania, wyjaśniającego
Bardziej szczegółowoRozdział 1. Nazwa i adres Zamawiającego Gdyńskie Centrum Sportu jednostka budżetowa Rozdział 2. Informacja o trybie i stosowaniu przepisów
Z n a k s p r a w y G C S D Z P I 2 7 1 0 4 52 0 1 5 S P E C Y F I K A C J A I S T O T N Y C H W A R U N K Ó W Z A M Ó W I E N I A W y k o n a n i e p o m i a r ó w i n s t a l a c j i e l e k t r y c
Bardziej szczegółowoZapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania.
adanie funktorów logicznych RTL - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania..
Bardziej szczegółowoRozdział 1. Nazwa i adres Zamawiającego Gdyńskie Centrum Sportu jednostka budżetowa w Gdyni Rozdział 2. Informacja o trybie i stosowaniu przepisów
Z n a k s p r a w y G C S D Z P I 2 7 1 0 2 8 2 0 1 5 S P E C Y F I K A C J A I S T O T N Y C H W A R U N K Ó W Z A M Ó W I E N I A f W y k o n a n i e ro b ó t b u d o w l a n y c h w b u d y n k u H
Bardziej szczegółowoZawód: stolarz meblowy I. Etap teoretyczny (część pisemna i ustna) egzaminu obejmuje: Z ak res wi ad omoś c i i u mi ej ę tn oś c i wł aś c i wyc h d
4 6 / m S t a n d a r d w y m a g a ń - e g z a m i n m i s t r z o w s k i dla zawodu S T O L A R Z M E B L O W Y Kod z klasyfikacji zawodów i sp e cjaln oś ci dla p ot r ze b r yn ku p r acy Kod z klasyfikacji
Bardziej szczegółowo1 0 0 / m S t a n d a r d w y m a g a ń - e g z a m i n m i s t r z o w s k i dla zawodu K O S M E T Y C Z K A * * (dla absolwentów szkół ponadzasadniczych) Kod z klasyfikacji zawodów i sp e cjaln oś ci
Bardziej szczegółowoC d u. Po podstawieniu prądu z pierwszego równania do równania drugiego i uporządkowaniu składników lewej strony uzyskuje się:
Zadanie. Obliczyć przebieg napięcia na pojemności C w sanie przejściowym przebiegającym przy nasępującej sekwencji działania łączników: ) łączniki Si S są oware dla < 0, ) łącznik S zamyka się w chwili
Bardziej szczegółowo