ELEMENTY ELEKTRONICZNE

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "ELEMENTY ELEKTRONICZNE"

Transkrypt

1 AKADMA GÓRNZO-HUTNZA M. STANSŁAWA STASZA W KRAKOW Wydzał normayk, lkronk Tlkomunkacj Kadra lkronk LMNTY LKTRONZN dr nż. Por Dzurdza paw. -3, pokój 43; l , por.dzurdza@ah.du.pl dr nż. rnusz rzozowsk paw. -3, pokój 5; l , rnusz.brzozowsk@ah.du.pl TRANZYSTOR POLARNY T 04 r. PD&

2 TRANZYSTOR POLARNY WSTĘP zy wsz, ż : npn. do ndawna ranzysor bpolarny był najpowszchnj sosowanym lmnm półprzwodnkowym, wypowadając słowo ranzysor rozumano, ż chodz o ranzysor bpolarny.. prąd płynący mędzy dwma końcówkam ranzysora bpolarno js rulowany przz sosunkowo nwlk prąd płynący przz rzcą końcówkę. pnp. w ranzysorz bpolarnym w przpływ prądu borą udzał zarówno lkrony jak dzury. T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 3 TRANZYSTOR POLARNY WSTĘP Jak o było z dodą?: D UD T T n p RL nn sposoby zwększana prądu unoszna??? T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 4

3 TRANZYSTOR POLARNY WSTĘP Wb p+ wsrzykwan dzur n unoszn dzur p R MTTR AS OLLTOR R U W dobrym ranzysorz pnp praw wszysk dzury wsrzykwan z mra do bazy są unoszon zbran w kolkorz. Tmu założnu sprzyja spłnn warunków wąskj bazy (Wb<<Lp) oraz dłuo czasu życa dzur τp. T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 5 TRANZYSTOR POLARNY WSTĘP Wb p+ wsrzykwan dzur n unoszn dzur p R MTTR AS OLLTOR R Na przpływ prądu bazy składają sę:. Prąd lkronów rkombnujących z dzuram w baz.. Prąd lkronów wsrzykwanych do mra pommo mmo, ż mr js slnj domszkowany nż baza. 3. Nwlk prąd lkronów (powsających w wynku nracj rmcznj) wpływający do bazy od srony zaporowo spolaryzowano złącza kolkorowo. T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 6 3

4 TRANZYSTOR POLARNY LANS PRZPŁYWU DZUR LKTRONÓW przpływ lkronów 5 przpływ dzur p+ p n p n 4 3 wsrzykwan dzury racon na rkombnację w baz dzury osąając złącz kolkora spolaryzowano zaporowo 3 cplna nracja lkronów dzur worzących prąd nasycna złącza kolkora spolaryzowano zaporowo 4 lkrony dosarczan przz konak bazy rkombnując z dzuram 5 lkrony wsrzyknę do mra poprzz złącz za: Przyrządy półprzwodnkow, n G. Srman T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 7 TRANZYSTOR POLARNY WSPÓŁZYNNK WZMONNA PRĄDOWGO przpływ lkronów p Współczynnk ransporu bazy (jaka część wsrzyknęych dzur doarła za pośrdncwm bazy doarła do kolkora przpływ dzur p+ n p n p p n p Współczynnk sprawnośc wsrzykwana mra p n n n p p p p p Wzmocnn prądow mędzy mrm a kolkorm p n / p / n p p za: Przyrządy półprzwodnkow, n G. Srman T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 8 4

5 00kΩ 5kΩ TRANZYSTOR POLARNY WZMANAZ O OPS JAKOŚOWY Przykład: u 0V p n p+ p 0s 0. s u 00V b[ma] 0.05 c[ma] 5 p 00 0V 0. ma 00k 0mA T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 9 TRANZYSTOR POLARNY STRUKTURY TRANZYSTORÓW POLARNYH n+ p n p+ n p npn pnp - mr baza - kolkor T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 0 5

6 TRANZYSTOR POLARNY PASMOWY MODL NRGTYZNY TRANZYSTORA n+ p n qu z polaryzacją bz polaryzacj -qu T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny TRANZYSTOR POLARNY KONGURAJ PRAY TRANZYSTORA POLARNGO O O uw uwy uw uwy O uw uwy T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 6

7 TRANZYSTOR POLARNY STANY PRAY TRANZYSTORA POLARNGO akywny normalny odcęca akywny nwrsyjny nasycna T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 3 TRANZYSTOR POLARNY MODL RSA-MOLLA αrr npn α R u u T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 4 u u nut n T U S RS u u nut n T U S S 7

8 TRANZYSTOR POLARNY MODL RSA-MOLLA S prąd rwrsyjny nasycna złącza mrowo przy zwarym złączu kolkorowym S prąd rwrsyjny nasycna złącza kolkorowo przy zwarym złączu mrowym 0 S 0 S n, n współczynnk ndalnośc złącza mrowo kolkorowo α sałoprądowy współczynnk wzmocnna prądowo ranzysora w konuracj O przy akywnj pracy normalnj 0 0 αr sałoprądowy współczynnk wzmocnna prądowo ranzysora w konuracj O przy akywnj pracy nwrsyjnj R R T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 5 TRANZYSTOR POLARNY MODL RSA-MOLLA S R S S ożsamość Onsara S ransporowy prąd nasycna u u S nut n T U S u u nu T S n T U S R równana -M uzalżnon ylko od rzch paramrów T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 6 8

9 TRANZYSTOR POLARNY MODL RSA-MOLLA Jżl zdnujmy przz prąd przwodzna dody mrowj przy pracy akywnj normalnj, oraz przz R prąd dody kolkorowj dla akywnj pracy nwrsyjnj: u nut S R S u nut S To orzymamy równana -M w posac: R R R u nut T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 7 TRANZYSTOR POLARNY MODL RSA-MOLLA db dbc jb αrr jbc α R npn u u T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 8 9

10 TRANZYSTOR POLARNY HARAKTRYSTYK W KONGURAJ O harakrysyk wjścow U U cons. U U U U<U U U T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 9 TRANZYSTOR POLARNY HARAKTRYSTYK W KONGURAJ O harakrysyk przjścow U cons. U U U U<U U T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 0 0

11 TRANZYSTOR POLARNY HARAKTRYSTYK W KONGURAJ O harakrysyk wyjścow U cons. < U 4 3 U U T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny TRANZYSTOR POLARNY ANALZA WZMANAZA W KONGURAJ O Okrślan punku pracy Q +U U R U R R U U R U uw U uwy U U U R U R T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny: wzmacnacz

12 TRANZYSTOR POLARNY ANALZA WZMANAZA W KONGURAJ O Wpływ wyboru punku pracy na właścwośc wzmacnając wzmacnacza R R uw uwy Q(, ) -/R Q(U, ) U Q(, U) U T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny: wzmacnacz 3 TRANZYSTOR POLARNY ANALZA WZMANAZA W KONGURAJ O Punk pracy zapwnający maksymalną dynamkę zman napęca wyjścowo R R uw uwy Q(, ) -/R Q(U, ) U Q(, U) U T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny: wzmacnacz 4

13 TRANZYSTOR POLARNY ANALZA WZMANAZA W KONGURAJ O Przsrowan wzmacnacza R R uw uwy Q(, ) -/R Q(U, ) U Q(, U) U T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny: wzmacnacz 5 TRANZYSTOR POLARNY ANALZA WZMANAZA W KONGURAJ O Punk pracy skukujący wchodznm wzmacnacza w obszar nasycna R R uw uwy Q(, ) Q(U, ) -/R U Q(, U) U T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny: wzmacnacz 6 3

14 TRANZYSTOR POLARNY ANALZA WZMANAZA W KONGURAJ O Punk pracy skukujący wchodznm wzmacnacza w obszar odcęca R R -/R uwy uw Q(, ) Q(U, ) U Q(, U) U T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny: wzmacnacz 7 TRANZYSTOR POLARNY ANALZA WZMANAZA W KONGURAJ O Sany pracy ranzysora w polu charakrysyk wyjścowych Pmax=U R R -/R Q(U, ) uwy uw U obszar nasycna obszar odcęca obszar akywny T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny: wzmacnacz 8 4

15 PRZŁĄZAN TRANZYSTORA POLARNGO T 04 r. PD& 9 PRZŁĄZAN TRANZYSTORA POLARNGO +U R U b P - R c Rc U R b P Rb b u c U U U R U c R c u b - R u c T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny: przłączan 30 5

16 PRZŁĄZAN TRANZYSTORA POLARNGO +U c U /R - R Rc -/R Rb b U sa U U u b u c U R b P M U U R c sa U R c T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny: przłączan 3 U sa U n (x) n (0) T PRZŁĄZAN TRANZYSTORA POLARNGO R r R ln U T ln R Q dq d Q Q równan konroln ładunku bazy dla pracy akywnj Q Q S n (x ) Q QS dq dqs d d S równan konroln ładunku bazy dla sanu nasycna 0 x T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny: przłączan 3 6

17 PRZŁĄZAN TRANZYSTORA POLARNGO u b b - R - R Rbb b(0)=(+r)/rb +U R R u b u c c K G M U u c za: Układy lkronczn cz. Układy analoow nlnow mpulsow, J. aranowsk, G. zajkowsk G M b b jc 0 j R b R T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny: przłączan 33 PRZŁĄZAN TRANZYSTORA POLARNGO u b b - R Rbb - R U P b(0)=(+r)/rb Rbb +U R R u b u c c d β r M d czas opóźnna Rbb ln U R P u c U U sa czas narasana K r Rc jcln K T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny: przłączan 34 7

18 PRZŁĄZAN TRANZYSTORA POLARNGO u b b - R Rbb - R U P b(0)=(+r)/rb Rbb β - R ( + R)R Rbb Rbb +U R R u b u c c u c M d r s U U sa βr s S ln M R R czas maazynowana T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny: przłączan 35 PRZŁĄZAN TRANZYSTORA POLARNGO u b b - R Rbb - R U P b(0)=(+r)/rb Rbb β - R ( + R)R Rbb Rbb +U R R u b u c c u c M d r s U βr R Rc jc ln R czas opadana G U sa czas przlou T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny: przłączan 36 8

19 PRZŁĄZAN TRANZYSTORA POLARNGO u b b - R Rbb - R U P b(0)=(+r)/rb Rbb β - R ( + R)R Rbb Rbb +U R R u b u c c u c M d r s U U sa βr ON d r czas włączna O czas wyłączna s T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny: przłączan 37 TRANZYSTOR POLARNY MODL PARANTRY MAŁOSYGNAŁOW T 04 r. PD& 38 9

20 MODL MAŁOSYGNAŁOWY L Tranzysor o lmn nlnowy Nlnow charakrysyk Nlnowy modl N N N U U Modl brsa-molla dla ranzysora bpolarno npn harakrysyk ranzysora bpolarno dla pracy w układz wspólno mra u u nut mut S( ) S ( u u nut mut N S( ) S ( ) ) Rysunk zaczrpnęo z: W. Marcnak Przyrządy półprzwodnkow układy scalon, WNT 979 T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 39 MODL MAŁOSYGNAŁOWY L ranzysor w obwodz G T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 40 0

21 MODL MAŁOSYGNAŁOWY L ranzysor w obwodz () =? R Pros oczko. R U N N Ko j polczy? U Z U w ()= A w sn() G U N U U xp S xp nut mut S N u U xp U S xp nut mut S Modl nlnowy (np.: brsa-molla) js nwyodny do analz ranzysora w wększych układach lkroncznych T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 4 MODL MAŁOSYGNAŁOWY JAK? Tranzysor lmn nlnowy Jak o zrobć? Lnowy modl PP PP Wokół punku pracy PP lnaryzacja charakrysyk PP modl zbudowany z lmnów lnowych (al z pwnym orancznam) harakrysyk ranzysora bpolarno dla pracy w układz wspólno mra Rysunk zaczrpnęo z: W. Marcnak Przyrządy półprzwodnkow układy scalon, WNT 979 T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 4

22 MODL MAŁOSYGNAŁOWY ranzysor jako czwórnk akywny składowa zmnna - małosynałowa składowa sała = + c + c c lnaryzacja ch-k Punk pracy w obszarz akywnym R U u U + u b u w = + b u =U +u b U u =U +u c U u Dla synałów zmnnych o małj ampludz ranzysor zasąpmy czwórnkm lnowym R b c u b u c R T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 43 W oólnym przypadku: ZWÓRNK LNOWY powórka z Tor obwodów Równana mpdancyjn: U = Z + Z U czwórnk lnowy U U = Z + Z Równana admancyjn: = Y U + Y U = Y U + Y U Równana mszan (hybrydow): U = H + H U = H + H U T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 44

23 MODL ZWÓRNKOW dla MAŁYH SYGNAŁÓW Mał synały oznaczna: mał lry z małym ndksam Równana mpdancyjn: u = z + z u = z + z Równana admancyjn: = y u + y u = y u + y u Równana hybrydow: u = h + h u = h + h u z z u z z u y u u y u y y u h u h h h u T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 45 h u h h h u MODL HYRYDOWY paramry dla W mpdancja wjścowa przy zwarym wyjścu (dla składowj napęca zmnno na wyjścu) u h u 0 u U cons u b uc0 wsczna ransmancja napęcowa przy rozwarym wjścu (rozwar źródło prądu zmnno na wjścu) u h u 0 u u cons u u ransmancja prądowa - wzmocnn prądow przy zwarym wyjścu (dla składowj napęca zmnno na wyjścu) h u 0 U cons c admancja wyjścowa przy rozwarym wjścu (rozwar źródło prądu zmnno na wjścu) h u 0 u cons b b c b 0 b uc0 c u c b 0 h h h h T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 46 3

24 MODL HYRYDOWY paramry dla różnych konuracj W W W + T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 47 MODL ZYZNY Pwn odwzorowan zjawsk zycznych zachodzących w ranzysorz schma zasępczy Nypowa charakrysyka przjścowa = (u ) Transkondukancja wpływ wjśca na wyjśc m u U, U cons ch-ka przjścowa m PP u U Transkondukancja zwrona wpływ napęca wyjścowo na wjśc r u U, U cons Kondukancja wjścowa cha-ka wjścowa (ranzysor od wjśca ) u U, U cons ch-ka zwrona ch-ka wjścowa Kondukancja wyjścowa cha-ka wyjścowa (ranzysor od wyjśca ) o u U, U cons ch-ka wyjścowa T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 48 4

25 MODL ZYZNY hybryd- dla O UPROSZZONY b c u b b m u b o c u c h-k ranzysora bpolarno dla O od srony wyjśca: źródło prądow srowan synałm z wjśca: m u b od srony wjśca: kondukancja wjścowa: b od srony wyjśca: kondukancja wyjścowa: o c T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 49 MODL ZYZNY hybryd- dla O bc PŁNY b r bb r bc c u b u b b b m u b o c u c h-k ranzysora bpolarno dla O od srony wyjśca: źródło prądow srowan synałm z wjśca: m u b od srony wjśca: kondukancja wjścowa: b od srony wyjśca: kondukancja wyjścowa: o c od srony wjśca: rzysancja obszaru bazy: r bb z wjśca na wyjśc bzpośrdno: sprzężn rzysancyjn baza-kolkor: r bc pojmność złącza mrowo b pojmność złącza kolkorowo bc T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 50 5

26 MODL hybryd- dla O wyznaczan paramrów () U Transkondukancja m z dncj: m czyl nachyln nypowj ch-k przjścowj = (U ) z punku pracy: różnczkując prąd dody mrowj z modlu brsa-molla: m ( U uwzlędnając prąd kolkora ( = ): m n U ) n U T T w prakyc n = T ( ) T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 5 m U T uproszczona zalżność S U n U wsp. wzm. prądowo dla O n wsp. ndalnośc złącza mrowo U T poncjał lkrormczny sały prąd kolkora polaryzujący ranzysor MODL hybryd- dla O wyznaczan paramrów () Kondukancja wjścowa b z dncj: b U czyl nachyln ch-k wjścowj = (U ) - nprakyczn z punku pracy: dla układu O js: zam z modlu brsa-molla prąd bazy dla O: Nasępn korzysając z d.: uwzlędnając: 0 mamy: b b ( ) wsp. wzm. prądowo dla O 0 wsp. wzm. prądowo dla O n wsp. ndalnośc złącza m. U T poncjał lkrormczny prąd kolkora pol. ranzysor T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 5 n U b T n U ( ) T n U 0 T S 0 m, U xp nut ( ) S U xp nut 6

27 MODL hybryd- dla O wyznaczan paramrów (3) Rzysancja rozproszona bazy r bb z porównana modlu hybryd- hybrydowo: T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 53 r bb h r Kondukancja wyjścowa c z dncj: c U c h U uwzlędnając k arly o: 0 różnczkując z d. U A mamy: c 0 U A U A U Sprzężn rzysancyjn r b c U z dncj: rb c U 0 U A U al U >> U, o: rb c 0 U A>> U, o: 0 c rb c 0 b U A napęc arly o U A U m T MODL hybryd- dla O wyznaczan paramrów (4) Pojmność wjścowa złącza mrowo b b d j pojmność złączowa pojmność dyuzyjna b d U T b Pojmność sprzęająca złącza kolkorowo b c Pojmność złączowa zaporowo spolaryzowano złącza baza-kolkor T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 54 7

28 MODL hybryd- dla O c c u b b b m u b cb cb u cb r bb U cons b u U, U cons U T b b 0 b m T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 55 ZĘSTOTLWOŚ GRANZN Kdy, dla jakch częsolwośc, ranzysor przsan spłnać swoją podsawową unkcję, czyl wzmacnać? Zakrs sosowalnośc: T Małosynałow wzmocnn prądow dla zwaro wyjśca: c ( j) b uc0 mub ( j) ( j) ( j) m b ( j) b j b T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 56 b b c 8

29 ZĘSTOTLWOŚ GRANZN zęsolwość ranczna przy, kórj wzmocnn () zmnjszy sę o 3d: T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 57 ) ( 0 b b c b b m j j ) ( ) ( X GX X G j ) ( X GX j X G X j G j Oznaczając : b b c b b m X G, ) ( G X X G X G X GX X G X b c b b ) ( c b b b 0 m b ZĘSTOTLWOŚ GRANZN zęsolwość ranczna przy, kórj wzmocnn () zmnjszy sę o 3d: Posępując analoczn jak dla W orzymujmy: T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 58 ) ( 0 b b

30 ZĘSTOTLWOŚ GRANZN zęsolwość prznoszna T przy, kórj moduł wzmocnna () = m b ( j) b j b b c b ( b b c ) 0 ( ) j ( ) 0 j j przy: dla: js: ( ) T 0 T T 0 T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 59 ZĘSTOTLWOŚ GRANZN, 0-3d -3d [khz] T Tranzysor bpolarny pracujący w układz wspólnj bazy ma -razy wększą częsolwość ranczną 0 T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 60 30

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

ELEMENTY ELEKTRONICZNE AKADMA ÓRNZO-HNZA M. SANSŁAWA SASZA W KRAKOW Wydzał norayk, lkronk lkounka Kadra lkronk LMNY LKRONZN dr nż. Por Dzurdza paw. -3, pokó 43; l. 67-7-, por.dzurdza@ah.du.pl dr nż. rnusz rzozowsk paw. -3, pokó

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

ELEMENTY ELEKTRONICZNE AKADMA GÓRNZO-HUTNZA M. STANSŁAWA STASZA W KRAKOW Wydzał nformatyk, lektronk Telekomunkacj Katedra lektronk LMNTY LKTRONZN dr nż. Potr Dzurdza aw. -3, okój 413; tel. 617-27-02, otr.dzurdza@agh.edu.l dr

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTOR BIPOLARNY CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE

TRANZYSTOR BIPOLARNY CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE POLITHNIKA RZSZOWSKA Katedra Podstaw lektronk Instrkcja Nr4 F 00/003 sem. letn TRANZYSTOR IPOLARNY HARAKTRYSTYKI STATYZN elem ćwczena jest pomar charakterystyk statycznych tranzystora bpolarnego npn lb

Bardziej szczegółowo

Elementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne

Elementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne lementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne Wprowadzenie Złacze PN spolaryzowane zaporowo: P N U - + S S U SAT =0.1...0.2V U S q D p L p p n D n n L n p gdzie: D p,n współczynniki dyfuzji

Bardziej szczegółowo

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk

Bardziej szczegółowo

ELEKTRONIKA ELM001551W

ELEKTRONIKA ELM001551W ELEKTRONIKA ELM001551W W4 Unoszenie Dyfuzja 2 Półprzewodnik w stanie nierównowagi termodynamicznej np n 2 i n = n0 + n' p = p0 + p ' Półprzewodnik w stanie nierównowagi termodynamicznej Generacja i rekombinacja

Bardziej szczegółowo

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH L B O R T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRMETRY MŁOSYGNŁOWE TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH REV. 1.0 1. CEL ĆWICZENI - celem ćwiczenia jest zapoznanie się z metodami pomiaru i wyznaczania parametrów małosygnałowych

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE

TRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE TRANZYSTORY POLARN ZŁĄCZOW ipolar Junction Transistor - JT Tranzystor bipolarny to odpowiednie połączenie dwóch złącz pn: p n p n p n kolektor baza emiter kolektor baza emiter udowa tranzystora w technologii

Bardziej szczegółowo

EUROELEKTRA. Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej. Rok szkolny 2013/2014

EUROELEKTRA. Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej. Rok szkolny 2013/2014 EUROELEKTRA Ogólnopolska Olmpada Wedzy Elektrycznej Elektroncznej Rok szkolny 232 Zadana z elektronk na zawody III stopna (grupa elektronczna) Zadane. Oblczyć wzmocnene napęcowe, rezystancję wejścową rezystancję

Bardziej szczegółowo

Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY

Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkońcówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne

Tranzystory bipolarne Tranzystory bipolarne Tranzystor jest to element półprzewodnikowy, w zasadzie trójelektrodowy, umożliwiający wzmacnianie mocy sygnałów elektrycznych. Tranzystory są to trójelektrodowe przyrządy półprzewodnikowe

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2. Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych

Ćwiczenie 2. Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych Ćwczene arametry statyczne tranzystorów bpolarnych el ćwczena odstawowym celem ćwczena jest poznane statycznych charakterystyk tranzystorów bpolarnych oraz metod dentyfkacj parametrów odpowadających m

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE

TRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE TRANZYSTORY POLARN ZŁĄZOW ipolar Junction Transistor - JT Tranzystor bipolarny to odpowiednie połączenie dwóch złącz pn p n p n p n kolektor baza emiter kolektor baza emiter udowa tranzystora w technologii

Bardziej szczegółowo

Indywidualna Pracownia Elektroniczna 2012

Indywidualna Pracownia Elektroniczna 2012 ndywidualna Pracownia lektroniczna 202 Wykłady czwartek sala 7, wtorek sala 09 na Pasteura adanie diod 2-X-202-4 półprzewodnikowych Tranzystor bipolarny. Wzmacniacz tranzystorowy yfrowe układy scalone

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH Ćwiczenie 7 PRMETRY MŁOSYGNŁO TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH Wstęp Celem ćwiczenia jest wyznaczenie niektórych parametrów małosygnałowych hybrydowego i modelu hybryd tranzystora bipolarnego. modelu Konspekt przygotowanie

Bardziej szczegółowo

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO CEL poznanie charakterystyk tranzystora bipolarnego w układzie WE poznanie wybranych parametrów statycznych tranzystora bipolarnego w układzie WE PRZEBIEG ĆWICZENIA: 1.

Bardziej szczegółowo

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH obliczanie załącznik 1 do ćwiczenia nr 7

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH obliczanie załącznik 1 do ćwiczenia nr 7 LMNY LKONZN LA.: Paramtry małosynałow tranz. bipolarnyc zał. 1 PAAMY MAŁOSYGNAŁOW ANZYSOÓW POLANYH oblzani załącznik 1 do ćwznia nr 7 Wstęp Modl małosynałow tranzystorów mają na cl przdstawini tranzystora

Bardziej szczegółowo

gdzie E jest energią całkowitą cząstki. Postać równania Schrödingera dla stanu stacjonarnego Wprowadźmy do lewej i prawej strony równania Schrödingera

gdzie E jest energią całkowitą cząstki. Postać równania Schrödingera dla stanu stacjonarnego Wprowadźmy do lewej i prawej strony równania Schrödingera San sacjonarny cząsk San sacjonarny - San, w kórym ( r, ) ( r ), gęsość prawdopodobńswa znalzna cząsk cząsk w danym obszarz przsrzn n zalży od czasu. San sacjonarny js charakrysyczny dla sacjonarngo pola

Bardziej szczegółowo

Tranzystory. bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory

Tranzystory. bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory Tranzystory bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory Tranzystory -rodzaje Tranzystor to element, który posiada zdolność wzmacniania mocy sygnału elektrycznego. Z uwagi na tą właściwość,

Bardziej szczegółowo

E2. BADANIE OBWODÓW PRĄDU PRZEMIENNEGO

E2. BADANIE OBWODÓW PRĄDU PRZEMIENNEGO E. BADANE OBWODÓW PĄDU PZEMENNEGO ks opracowały: Jadwga Szydłowska Bożna Janowska-Dmoch Badać będzmy charakrysyk obwodów zawrających różn układy lmnów akch jak: opornk, cwka kondnsaor, połączonych z sobą

Bardziej szczegółowo

Podstawy działania elementów półprzewodnikowych - tranzystory

Podstawy działania elementów półprzewodnikowych - tranzystory Podstawy działania lmntów półprzwodnikowych - tranzystory Wrocław 2016 Wprowadzni Trójkońcówkowy (cztrokońcówkowy) półprzwodnikowy lmnt lktroniczny, posiadający zdolność wzmacniania synału lktryczno. Nazwa

Bardziej szczegółowo

Obwody nieliniowe. Rysunek 1. Rysunek 2. Rysunek 3

Obwody nieliniowe. Rysunek 1. Rysunek 2. Rysunek 3 Obwody nieliniowe Rysunek 1 Rysunek 2 Rysunek 3 1. Narysuj schemat zasilania diody świecącej, której parametry graniczne przedstawiono na rysunku 1, a charakterystykę prądowo-napięciową na rysunku 2. Układ

Bardziej szczegółowo

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2 Ćwiczenie 2 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji parametrów odpowiadających im modeli małosygnałowych, poznanie metod

Bardziej szczegółowo

Elementy i Obwody Elektryczne

Elementy i Obwody Elektryczne Elemeny Obwody Elekryczne Elemen ( elemen obwodowy ) jedno z podsawowych pojęć eor obwodów. Elemen jes modelem pewnego zjawska lb cechy fzycznej zwązanej z obwodem. Elemeny ( jako modele ) mogą meć róŝny

Bardziej szczegółowo

exp jest proporcjonalne do czynnika Boltzmanna exp(-e kbt (szerokość przerwy energetycznej między pasmami) g /k B

exp jest proporcjonalne do czynnika Boltzmanna exp(-e kbt (szerokość przerwy energetycznej między pasmami) g /k B Koncentracja nośnów ładunu w półprzewodnu W półprzewodnu bez domesz swobodne nośn ładunu (eletrony w paśme przewodnctwa, dzury w paśme walencyjnym) powstają tylo w wynu wzbudzena eletronów z pasma walencyjnego

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji

Bardziej szczegółowo

Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska

Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska 1947 r. pierwszy tranzystor ostrzowy John Bradeen (z lewej), William Shockley (w środku) i Walter Brattain (z prawej) (Bell Labs) Zygmunt Kubiak

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 4 CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

ĆWICZENIE 4 CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO LAORATORIUM LKTRONIKI ĆWIZNI 4 HARAKTRYSTYKI STATYZN TRANZYSTORA IPOLARNGO K A T D R A S Y S T M Ó W M I K R O L K T R O N I Z N Y H 1. L ĆWIZNIA elem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi charakterystykami

Bardziej szczegółowo

Pracownia fizyczna i elektroniczna

Pracownia fizyczna i elektroniczna Pracowna fzyczna lkronczna koordynaor Krzyszof Korona Wydzał Fzyk pok. 3.65, pęro -mal: kkorona@fuw.du.pl Srona WWW Pracown Elkroncznj: hp://p.fuw.du.pl Program pracown A. Podsawow prawa ( analza danych

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE

TRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE TRANZYSTORY IPOLARN ZŁĄCZO ipolar Junction Transistor - JT Tranzystor bipolarny to odpowiednie połączenie dwóch złącz pn p n p n p n kolektor baza emiter kolektor baza emiter udowa tranzystora w technologii

Bardziej szczegółowo

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkoocówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolnośd wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu "transfer

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTORY BIPOLARNE SMK WYKŁAD

TRANZYSTORY BIPOLARNE SMK WYKŁAD TRAZYSTORY BPOLARE SMK WYKŁAD 9 a pdstw. W. Marciniak, WT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone 6. Zakresy pracy i układy włączania tranzystora bipolarnego Opis funkcjonalny zestaw równań wiążących

Bardziej szczegółowo

Zasada działania tranzystora bipolarnego

Zasada działania tranzystora bipolarnego Tranzystor bipolarny Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasada działania tranzystora bipolarnego

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZE MOCY. Klasy, zniekształcenia nieliniowe, sprawność energetyczna, wzmacniacze przeciwsobne, zabezpieczenia przeciwzwarciowe.

WZMACNIACZE MOCY. Klasy, zniekształcenia nieliniowe, sprawność energetyczna, wzmacniacze przeciwsobne, zabezpieczenia przeciwzwarciowe. WZMACACZE MCY Klasy, zniekształcenia nieliniowe, sprawność energetyczna, wzmacniacze przeciwsobne, zabezpieczenia przeciwzwarciowe. Wymagania i klasyfikacja uzyskanie małej rezystancji wyjściowej aby dostarczyć

Bardziej szczegółowo

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik 1 Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik Znajdź usterkę oraz wskaż sposób jej usunięcia w zasilaczu napięcia stałego 12V/4A, wykonanym w oparciu o układ scalony

Bardziej szczegółowo

Politechnika Wrocławska Instytut Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych. Materiał ilustracyjny do przedmiotu. (Cz. 2)

Politechnika Wrocławska Instytut Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych. Materiał ilustracyjny do przedmiotu. (Cz. 2) Poltchnka Wrocławska nstytut Maszyn, Napędów Pomarów Elktrycznych Matrał lustracyjny do przdmotu EEKTOTEHNKA (z. ) Prowadzący: Dr nż. Potr Zlńsk (-9, A0 p.408, tl. 30-3 9) Wrocław 004/5 PĄD ZMENNY Klasyfkacja

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 2. ELEMENTARNE UKŁADY ELEKTRONICZNE (Wzmacniacz i inwerter na tranzystorze bipolarnym)

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 2. ELEMENTARNE UKŁADY ELEKTRONICZNE (Wzmacniacz i inwerter na tranzystorze bipolarnym) LAORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWIZENIE 2 ELEMENTARNE UKŁADY ELEKTRONIZNE (Wzmacniacz i inwerter na tranzystorze bipolarnym) K A T E D R A S Y S T E M Ó W M I K R O E L E K T R O N I Z N Y H EL ĆWIZENIA elem

Bardziej szczegółowo

Temat i cel wykładu. Tranzystory

Temat i cel wykładu. Tranzystory POLTECHNKA BAŁOSTOCKA Temat i cel wykładu WYDZAŁ ELEKTRYCZNY Tranzystory Celem wykładu jest przedstawienie: konstrukcji i działania tranzystora bipolarnego, punktu i zakresów pracy tranzystora, konfiguracji

Bardziej szczegółowo

Pomiar parametrów tranzystorów

Pomiar parametrów tranzystorów Instytut Fizyki ul Wielkopolska 5 70-45 Szczecin Pracownia Elektroniki Pomiar parametrów tranzystorów (Oprac dr Radosław Gąsowski) Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: zasada działania tranzystora

Bardziej szczegółowo

Podstawy elektrotechniki

Podstawy elektrotechniki Wydział Mechaniczno-Energeyczny Podsawy elekroechniki Prof. dr hab. inż. Juliusz B. Gajewski, prof. zw. PWr Wybrzeże S. Wyspiańskiego 27, 50-370 Wrocław Bud. A4 Sara kołownia, pokój 359 Tel.: 7 320 320

Bardziej szczegółowo

Układy nieliniowe - przypomnienie

Układy nieliniowe - przypomnienie Układy nieliniowe - przypomnienie Generacja-rekombinacja E γ Na bazie półprzewodników γ E (Si)= 1.14 ev g w.8, p.1 Domieszkowanie n (As): Większościowe elektrony pasmo przewodnictwa swobodne elektrony

Bardziej szczegółowo

Elementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.

Elementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy półprzewodnikowe Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy elektroniczne i ich zastosowanie. Elementy stosowane w elektronice w większości

Bardziej szczegółowo

Tranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny

Tranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny POLTEHNKA AŁOSTOKA Tranzystory WYDZAŁ ELEKTYZNY 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne bipolarny unipolarne Trójkońcówkowy (czterokońcówkowy) półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający

Bardziej szczegółowo

Wiadomości podstawowe

Wiadomości podstawowe Wiadomości podstawowe Tranzystory są urządzeniami półprzewodnikowymi umożliwiającymi sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Wykorzystuje się je do wzmacniania małych sygnałów

Bardziej szczegółowo

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY 1. TRANZYSTOR BPOLARNY el ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Zagadnienia: zasada działania tranzystora bipolarnego. 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z języka

Bardziej szczegółowo

Wykład 6 Pochodna, całka i równania różniczkowe w praktycznych zastosowaniach w elektrotechnice.

Wykład 6 Pochodna, całka i równania różniczkowe w praktycznych zastosowaniach w elektrotechnice. Wykład 6 Pochodna, całka i równania różniczkow w prakycznych zasosowaniach w lkrochnic. Przypomnini: Dfinicja pochodnj: Granica ilorazu różnicowgo-przyros warości funkcji do przyrosu argumnów-przy przyrości

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów

ĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów ĆWICZENIE LBORTORYJNE TEMT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów 1. WPROWDZENIE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i zasadą działania podstawowych rodzajów diod półprzewodnikowych

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne w układach CMOS i ich modelowanie

Tranzystory bipolarne w układach CMOS i ich modelowanie Tranzystory bipolarne w układach CMOS i ich modelowanie 1. Po co modelujemy tranzystory bipolarne? W analogowych układach CMOS pasożytnicze struktury bipolarne bywają wykorzystywane jako elementy aktywne.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Poznanie podstawowych własności tranzystora. Wyznaczenie prądów tranzystorów typu n-p-n i p-n-p. Czytanie schematów

Bardziej szczegółowo

BADANIE WYBRANYCH STRUKTUR NIEZAWODNOŚCIOWYCH

BADANIE WYBRANYCH STRUKTUR NIEZAWODNOŚCIOWYCH ZAKŁAD EKSPLOATACJI SYSTEMÓW ELEKTOICZYCH ISTYTUT SYSTEMÓW ELEKTOICZYCH WYDZIAŁ ELEKTOIKI WOJSKOWA AKADEMIA TECHICZA ---------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Bardziej szczegółowo

Rys. 1. Oznaczenia tranzystorów bipolarnych pnp oraz npn

Rys. 1. Oznaczenia tranzystorów bipolarnych pnp oraz npn Ćwiczenie 4. harakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego 1. L ĆWIZNI elem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi charakterystykami statycznymi oraz z najwaŝniejszymi parametrami i modelami tranzystora

Bardziej szczegółowo

III. Przetwornice napięcia stałego

III. Przetwornice napięcia stałego III. Przewornce napęca sałego III.1. Wsęp Przewornce: dosarczane pożądanej warośc napęca sałego koszem energ ze źródła napęca G. Możlwość zmnejszana, zwększana, odwracana polaryzacj lb kszałowane pożądanego

Bardziej szczegółowo

Politechnika Wrocławska Wydział Elektroniki, Katedra K-4. Klucze analogowe. Wrocław 2017

Politechnika Wrocławska Wydział Elektroniki, Katedra K-4. Klucze analogowe. Wrocław 2017 Poliechnika Wrocławska Klucze analogowe Wrocław 2017 Poliechnika Wrocławska Pojęcia podsawowe Podsawą realizacji układów impulsowych oraz cyfrowych jes wykorzysanie wielkosygnałowej pacy elemenów akywnych,

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. M. Grundmann, The Physics of Semiconductors..., Springer 2010

Tranzystory bipolarne. M. Grundmann, The Physics of Semiconductors..., Springer 2010 Tranzystory bipolarne. 1 M. Grundmann, The Physics of Semiconductors..., Springer 2010 Tranzystor bipolarny npn 2 Struktura półprzewodnikowa npn Dwie diody pn połączone szeregowo anoda do anody Symbol

Bardziej szczegółowo

Podstawy działania elementów półprzewodnikowych - tranzystory

Podstawy działania elementów półprzewodnikowych - tranzystory Podstawy działania lmntów ółrzwodnikowych - tranzystory Wrocław 2010 Wrowadzni Złącz PN solaryzowan zaorowo: P N - + AT 0.1...0.2V q L n nn + L n dzi:,n wsółczynniki dyuzji dziur i lktronów L,n droi dyuzji

Bardziej szczegółowo

Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki. Politechniki Warszawskiej. Elektronika 1. elementy i układy elektroniczne Tranzystor Bipolarny (BJT,HBT)

Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki. Politechniki Warszawskiej. Elektronika 1. elementy i układy elektroniczne Tranzystor Bipolarny (BJT,HBT) Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej Elektronika 1 elementy i układy elektroniczne Tranzystor Bipolarny (BJT,HBT) Warszawa, luty 2009 Tranzystor bipolarny w układzie scalonym

Bardziej szczegółowo

Układy zasilania tranzystorów. Punkt pracy tranzystora Tranzystor bipolarny. Punkt pracy tranzystora Tranzystor unipolarny

Układy zasilania tranzystorów. Punkt pracy tranzystora Tranzystor bipolarny. Punkt pracy tranzystora Tranzystor unipolarny kłady zasilania ranzysorów Wrocław 28 Punk pracy ranzysora Punk pracy ranzysora Tranzysor unipolarny SS GS p GS S S opuszczalny oszar pracy (safe operaing condiions SOA) P max Zniekszałcenia nieliniowe

Bardziej szczegółowo

Pojęcia podstawowe 1

Pojęcia podstawowe 1 Tomasz Lubera Pojęcia podsawowe aa + bb + dd + pp + rr + ss + Kineyka chemiczna dział chemii fizycznej zajmujący się przebiegiem reakcji chemicznych w czasie, ich mechanizmami oraz wpływem różnych czynników

Bardziej szczegółowo

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów Cele: Wyznaczenie charakterystyk dla diod i tranzystorów. Dla diod określa się zależność I d =f(u d ) prądu od napięcia i napięcie progowe U p. Dla tranzystorów

Bardziej szczegółowo

Przyrządy półprzewodnikowe część 3

Przyrządy półprzewodnikowe część 3 Przyrządy półprzewodnikowe część 3 Dr inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical

Bardziej szczegółowo

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA ENS1C300 022 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2013 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki Tranzystory bipolarne Ćwiczenie 3 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora bipolarnego.

Bardziej szczegółowo

f (3) jesli 01 f (4) Rys. 1. Model neuronu

f (3) jesli 01 f (4) Rys. 1. Model neuronu Wstęp tortyczny. Modl sztuczngo nuronu Podobn jak w przypadku nuronowych sc bologcznych, podstawowym lmntam z których buduj sę sztuczn sc nuronow są sztuczn nurony. Sztuczny nuron jst lmntm, którgo własnośc

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Wydział lektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politecniki Wrocławskiej STUDA DZNN W0 LAORATORUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZWODNKOWYCH Ćwiczenie nr 3 Carakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego. Zagadnienia do

Bardziej szczegółowo

Ś Ś Ś Ś Ś Ś Ę Ą Ę ŚĘ Ę Ś ń Ę Ę Ą Ł Ż Ń Ł ć Ą ć Ł Ę Ó ć Ź ć ź ń Ń ń Ś Ą Ę Ł Ę Ą Ę ń ć ń Ź ć ń ć ń Ś ń ŚĆ ć ź Ł Ę Ę Ś Ę Ę Ę ń ŚĘ Ń Ę Ę ń ŚĘ Ę Ę Ś Ś ć ń Ę ń Ś Ę ć ć Ę Ę ć ź ć ń Ę Ń ń ć Ł Ę Ę Ę Ę ć Ę ć ć ź

Bardziej szczegółowo

Systemy i architektura komputerów

Systemy i architektura komputerów Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Systemy i architektura komputerów Laboratorium nr 4 Temat: Badanie tranzystorów Spis treści Cel ćwiczenia... 3 Wymagania... 3 Przebieg ćwiczenia...

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów

Ćwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów LABORATORIM ELEKTRONIKI Spis treści Ćwiczenie - 4 Podstawowe układy pracy tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Podstawowe układy pracy tranzystora........................ 2 2.2 Wzmacniacz

Bardziej szczegółowo

Proces stochastyczny jako funkcja dwóch zmiennych. i niepusty podzbiór zbioru liczb rzeczywistych T. Proces stochastyczny jest to funkcja

Proces stochastyczny jako funkcja dwóch zmiennych. i niepusty podzbiór zbioru liczb rzeczywistych T. Proces stochastyczny jest to funkcja POJĘCI PROCSU STOCHSTYCZNGO Przykład mpluda napęca gnrowango przz prądncę prądu zmnngo zalży od czynnków losowych moż być zapsana jako funkcja X sn c c - sała okrślająca częsolwość - zmnna losowa o rozkładz

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne.

Tranzystory bipolarne. ranzystory bipolarne. 1 M. Grundmann, he Physics of Semiconductors..., Springer 2010 ranzystor bipolarny npn 2 Struktura półprzewodnikowa npn Dwie diody pn połączone szeregowo anoda do anody Symbol układowy

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTOR BIPOLARNY CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE ORAZ PRACA W UKLADZIE WZMACNIACZA

TRANZYSTOR BIPOLARNY CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE ORAZ PRACA W UKLADZIE WZMACNIACZA POLITHNIK RZSZOWSK Katedra Podstaw lektronk INSTRUKJ NR4, 008 TRNZYSTOR IPOLRNY HRKTRYSTYKI STTYZN ORZ PR W UKLDZI WZMNIZ el cwczena: Pomar analza charakterystyk statycznych tranzystora bpolarnego npn

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Ćwiczenie 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych tranzystorów polowych złączowych oraz z izolowaną

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 12 Pomiar wartości parametrów małosygnałowych h ije tranzystora

Bardziej szczegółowo

SDD287 - wysokoprądowy, podwójny driver silnika DC

SDD287 - wysokoprądowy, podwójny driver silnika DC SDD287 - wysokoprądowy, podwójny driver silnika DC Własności Driver dwóch silników DC Zasilanie: 6 30V DC Prąd ciągły (dla jednego silnika): do 7A (bez radiatora) Prąd ciągły (dla jednego silnika): do

Bardziej szczegółowo

Pracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 3 Proste przyrządy elektroniczne

Pracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 3 Proste przyrządy elektroniczne Małgorzata Marynowska Uniwersytet Wrocławski, I rok Fizyka doświadczalna II stopnia Prowadzący: dr M. Grodzicki Data wykonania ćwiczenia: 14.04.2015 Pracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 3 Proste przyrządy

Bardziej szczegółowo

XXX OLIMPIADA FIZYCZNA ETAP III Zadanie doświadczalne

XXX OLIMPIADA FIZYCZNA ETAP III Zadanie doświadczalne XXX OLIMPIADA FIZYCZNA ETAP III Zadane dośwadczalne ZADANIE D Nazwa zadana: Maszyna analogowa. Dane są:. doda półprzewodnkowa (krzemowa) 2. opornk dekadowy (- 5 Ω ), 3. woltomerz cyfrowy, 4. źródło napęca

Bardziej szczegółowo

Tranzystor bipolarny

Tranzystor bipolarny Tranzystor bipolarny 1. zas trwania: 6h 2. ele ćwiczenia adanie własności podstawowych układów wykorzystujących tranzystor bipolarny. 3. Wymagana znajomość pojęć zasada działania tranzystora bipolarnego,

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI Badanie obwodów prądu sinusoidalnie zmiennego

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI Badanie obwodów prądu sinusoidalnie zmiennego Ćwczene 1 Wydzał Geonżyner, Górnctwa Geolog ABORATORUM PODSTAW EEKTROTECHNK Badane obwodów prądu snusodalne zmennego Opracował: Grzegorz Wśnewsk Zagadnena do przygotowana Ops elementów RC zaslanych prądem

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 5 Tranzystor bipolarny

Ćwiczenie nr 5 Tranzystor bipolarny Wydział lektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Opracował zespół: Marek Panek, Waldemar Oleszkiewicz, wona Zborowska-Lindert, ogdan Paszkiewicz, Małgorzata Kramkowska, eata Ściana, Zdzisław Synowiec, ogusław

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTORY - PORÓWNANIE WYKŁAD 15 SMK

TRANZYSTORY - PORÓWNANIE WYKŁAD 15 SMK TRANZYSTORY - PORÓWNANIE WYKŁAD 15 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, Z. Nosal, J. Baranowski, Układy elektroniczne, PWN 2003 7. PORÓWNANIE TRANZYSTORÓW

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: UKŁADY ELEKTRONICZNE 2 (TS1C500 030) Tranzystor w układzie wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych II

Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych II 1 Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE Ćwiczenie nr 14 LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTORY BIPOLARNE

TRANZYSTORY BIPOLARNE KTDR LKTRONIKI GH L O R T O R I U M LMNTY LKTRONIZN TRNZYSTORY IPOLRN Parametry stałoprądowe R. 0.3 Laboratorium lementów lektronicznych: TRNZYSTORY IPOLRN 1. L ĆWIZNI Wyznaczenie podstawowych parametrów

Bardziej szczegółowo

BADANIE WYBRANYCH STRUKTUR NIEZAWODNOŚCIOWYCH

BADANIE WYBRANYCH STRUKTUR NIEZAWODNOŚCIOWYCH ZAKŁAD EKSPLOATACJI SYSTEMÓW ELEKTOICZYCH ISTYTUT SYSTEMÓW ELEKTOICZYCH WYDZIAŁ ELEKTOIKI WOJSKOWA AKADEMIA TECHICZA ---------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4 Temat: Parametry czwórnikowe tranzystorów bipolarnych. Cel ćwiczenia: Zapoznanie się z parametrami czwórnikowymi tranzystora bipolarnego (admitancyjnymi [y],

Bardziej szczegółowo

Równanie Shockley a. Potencjał wbudowany

Równanie Shockley a. Potencjał wbudowany Wykład VI Diody Równanie Shockley a Potencjał wbudowany 2 I-V i potencjał wbudowany Temperatura 77K a) Ge E g =0.7eV b) Si E g =1.14eV c) GaAs E g =1.5eV d) GaAsP E g =1.9eV qv 0 (0. 5 0. 7)E g 3 I-V i

Bardziej szczegółowo

Przyrządy półprzewodnikowe część 4

Przyrządy półprzewodnikowe część 4 Przyrządy półprzewodnikowe część 4 Dr inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical

Bardziej szczegółowo

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH załącznik 1 do ćwiczenia nr 6

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH załącznik 1 do ćwiczenia nr 6 PMY MŁOSYGNŁOW NZYSOÓW POLNYH załącznik 1 do ćwznia nr 6 Wstęp Modl małosygnałow tranzystorów mają na l przdstawini tranzystora za pomocą obwod liniowgo. aka rprzntacja tranzystora pozwala na zastąpini

Bardziej szczegółowo

EGZAMIN POTWIERDZAJĄCY KWALIFIKACJE W ZAWODZIE Rok 2019 CZĘŚĆ PRAKTYCZNA

EGZAMIN POTWIERDZAJĄCY KWALIFIKACJE W ZAWODZIE Rok 2019 CZĘŚĆ PRAKTYCZNA Arkusz zawiera informacje prawnie chronione do momentu rozpoczęcia egzaminu Układ graficzny CKE 208 Nazwa kwalifikacji: Eksploatacja urządzeń elektronicznych Oznaczenie kwalifikacji: E.20 Numer zadania:

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie C2 Tranzystory. Wydział Fizyki UW

Ćwiczenie C2 Tranzystory. Wydział Fizyki UW Wydział Fizyki UW Pracownia fizyczna i elektroniczna (w tym komputerowa) dla Inżynierii Nanostruktur (1100-1INZ27) oraz Energetyki i Chemii Jądrowej (1100-1ENPRFIZELEK2) Ćwiczenie C2 Tranzystory Streszczenie

Bardziej szczegółowo

5. Tranzystor bipolarny

5. Tranzystor bipolarny 5. Tranzystor bipolarny Tranzystor jest to trójkońcówkowy element półprzewodnikowy zdolny do wzmacniania sygnałów prądu stałego i zmiennego. Każdy tranzystor jest zatem wzmacniaczem. Definicja wzmacniacza:

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

ELEMENTY ELEKTRONICZNE AKADMA GÓNZO-HTNZA M. STANSŁAWA STASZA W KAKOW Wydział nformayki, lekroniki i Telekomunikacji Kaedra lekroniki MNTY KTONZN dr inż. Pior Dziurdzia paw. -3, pokój 43; el. 67-7-0, pior.dziurdzia@agh.edu.pl

Bardziej szczegółowo

Część 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51

Część 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51 Część 3 Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51 Budowa przyrządów półprzewodnikowych Struktura składa się z warstw Warstwa

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki nstrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONCZNE TS1C300 018 BAŁYSTOK 013 1. CEL ZAKRES ĆWCZENA LABORATORYJNEGO

Bardziej szczegółowo