ELEMENTY ELEKTRONICZNE
|
|
- Bogna Jasińska
- 5 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 AKADMA GÓRNZO-HUTNZA M. STANSŁAWA STASZA W KRAKOW Wydzał normayk, lkronk Tlkomunkacj Kadra lkronk LMNTY LKTRONZN dr nż. Por Dzurdza paw. -3, pokój 43; l , por.dzurdza@ah.du.pl dr nż. rnusz rzozowsk paw. -3, pokój 5; l , rnusz.brzozowsk@ah.du.pl TRANZYSTOR POLARNY T 04 r. PD&
2 TRANZYSTOR POLARNY WSTĘP zy wsz, ż : npn. do ndawna ranzysor bpolarny był najpowszchnj sosowanym lmnm półprzwodnkowym, wypowadając słowo ranzysor rozumano, ż chodz o ranzysor bpolarny.. prąd płynący mędzy dwma końcówkam ranzysora bpolarno js rulowany przz sosunkowo nwlk prąd płynący przz rzcą końcówkę. pnp. w ranzysorz bpolarnym w przpływ prądu borą udzał zarówno lkrony jak dzury. T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 3 TRANZYSTOR POLARNY WSTĘP Jak o było z dodą?: D UD T T n p RL nn sposoby zwększana prądu unoszna??? T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 4
3 TRANZYSTOR POLARNY WSTĘP Wb p+ wsrzykwan dzur n unoszn dzur p R MTTR AS OLLTOR R U W dobrym ranzysorz pnp praw wszysk dzury wsrzykwan z mra do bazy są unoszon zbran w kolkorz. Tmu założnu sprzyja spłnn warunków wąskj bazy (Wb<<Lp) oraz dłuo czasu życa dzur τp. T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 5 TRANZYSTOR POLARNY WSTĘP Wb p+ wsrzykwan dzur n unoszn dzur p R MTTR AS OLLTOR R Na przpływ prądu bazy składają sę:. Prąd lkronów rkombnujących z dzuram w baz.. Prąd lkronów wsrzykwanych do mra pommo mmo, ż mr js slnj domszkowany nż baza. 3. Nwlk prąd lkronów (powsających w wynku nracj rmcznj) wpływający do bazy od srony zaporowo spolaryzowano złącza kolkorowo. T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 6 3
4 TRANZYSTOR POLARNY LANS PRZPŁYWU DZUR LKTRONÓW przpływ lkronów 5 przpływ dzur p+ p n p n 4 3 wsrzykwan dzury racon na rkombnację w baz dzury osąając złącz kolkora spolaryzowano zaporowo 3 cplna nracja lkronów dzur worzących prąd nasycna złącza kolkora spolaryzowano zaporowo 4 lkrony dosarczan przz konak bazy rkombnując z dzuram 5 lkrony wsrzyknę do mra poprzz złącz za: Przyrządy półprzwodnkow, n G. Srman T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 7 TRANZYSTOR POLARNY WSPÓŁZYNNK WZMONNA PRĄDOWGO przpływ lkronów p Współczynnk ransporu bazy (jaka część wsrzyknęych dzur doarła za pośrdncwm bazy doarła do kolkora przpływ dzur p+ n p n p p n p Współczynnk sprawnośc wsrzykwana mra p n n n p p p p p Wzmocnn prądow mędzy mrm a kolkorm p n / p / n p p za: Przyrządy półprzwodnkow, n G. Srman T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 8 4
5 00kΩ 5kΩ TRANZYSTOR POLARNY WZMANAZ O OPS JAKOŚOWY Przykład: u 0V p n p+ p 0s 0. s u 00V b[ma] 0.05 c[ma] 5 p 00 0V 0. ma 00k 0mA T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 9 TRANZYSTOR POLARNY STRUKTURY TRANZYSTORÓW POLARNYH n+ p n p+ n p npn pnp - mr baza - kolkor T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 0 5
6 TRANZYSTOR POLARNY PASMOWY MODL NRGTYZNY TRANZYSTORA n+ p n qu z polaryzacją bz polaryzacj -qu T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny TRANZYSTOR POLARNY KONGURAJ PRAY TRANZYSTORA POLARNGO O O uw uwy uw uwy O uw uwy T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 6
7 TRANZYSTOR POLARNY STANY PRAY TRANZYSTORA POLARNGO akywny normalny odcęca akywny nwrsyjny nasycna T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 3 TRANZYSTOR POLARNY MODL RSA-MOLLA αrr npn α R u u T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 4 u u nut n T U S RS u u nut n T U S S 7
8 TRANZYSTOR POLARNY MODL RSA-MOLLA S prąd rwrsyjny nasycna złącza mrowo przy zwarym złączu kolkorowym S prąd rwrsyjny nasycna złącza kolkorowo przy zwarym złączu mrowym 0 S 0 S n, n współczynnk ndalnośc złącza mrowo kolkorowo α sałoprądowy współczynnk wzmocnna prądowo ranzysora w konuracj O przy akywnj pracy normalnj 0 0 αr sałoprądowy współczynnk wzmocnna prądowo ranzysora w konuracj O przy akywnj pracy nwrsyjnj R R T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 5 TRANZYSTOR POLARNY MODL RSA-MOLLA S R S S ożsamość Onsara S ransporowy prąd nasycna u u S nut n T U S u u nu T S n T U S R równana -M uzalżnon ylko od rzch paramrów T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 6 8
9 TRANZYSTOR POLARNY MODL RSA-MOLLA Jżl zdnujmy przz prąd przwodzna dody mrowj przy pracy akywnj normalnj, oraz przz R prąd dody kolkorowj dla akywnj pracy nwrsyjnj: u nut S R S u nut S To orzymamy równana -M w posac: R R R u nut T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 7 TRANZYSTOR POLARNY MODL RSA-MOLLA db dbc jb αrr jbc α R npn u u T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 8 9
10 TRANZYSTOR POLARNY HARAKTRYSTYK W KONGURAJ O harakrysyk wjścow U U cons. U U U U<U U U T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 9 TRANZYSTOR POLARNY HARAKTRYSTYK W KONGURAJ O harakrysyk przjścow U cons. U U U U<U U T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 0 0
11 TRANZYSTOR POLARNY HARAKTRYSTYK W KONGURAJ O harakrysyk wyjścow U cons. < U 4 3 U U T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny TRANZYSTOR POLARNY ANALZA WZMANAZA W KONGURAJ O Okrślan punku pracy Q +U U R U R R U U R U uw U uwy U U U R U R T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny: wzmacnacz
12 TRANZYSTOR POLARNY ANALZA WZMANAZA W KONGURAJ O Wpływ wyboru punku pracy na właścwośc wzmacnając wzmacnacza R R uw uwy Q(, ) -/R Q(U, ) U Q(, U) U T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny: wzmacnacz 3 TRANZYSTOR POLARNY ANALZA WZMANAZA W KONGURAJ O Punk pracy zapwnający maksymalną dynamkę zman napęca wyjścowo R R uw uwy Q(, ) -/R Q(U, ) U Q(, U) U T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny: wzmacnacz 4
13 TRANZYSTOR POLARNY ANALZA WZMANAZA W KONGURAJ O Przsrowan wzmacnacza R R uw uwy Q(, ) -/R Q(U, ) U Q(, U) U T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny: wzmacnacz 5 TRANZYSTOR POLARNY ANALZA WZMANAZA W KONGURAJ O Punk pracy skukujący wchodznm wzmacnacza w obszar nasycna R R uw uwy Q(, ) Q(U, ) -/R U Q(, U) U T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny: wzmacnacz 6 3
14 TRANZYSTOR POLARNY ANALZA WZMANAZA W KONGURAJ O Punk pracy skukujący wchodznm wzmacnacza w obszar odcęca R R -/R uwy uw Q(, ) Q(U, ) U Q(, U) U T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny: wzmacnacz 7 TRANZYSTOR POLARNY ANALZA WZMANAZA W KONGURAJ O Sany pracy ranzysora w polu charakrysyk wyjścowych Pmax=U R R -/R Q(U, ) uwy uw U obszar nasycna obszar odcęca obszar akywny T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny: wzmacnacz 8 4
15 PRZŁĄZAN TRANZYSTORA POLARNGO T 04 r. PD& 9 PRZŁĄZAN TRANZYSTORA POLARNGO +U R U b P - R c Rc U R b P Rb b u c U U U R U c R c u b - R u c T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny: przłączan 30 5
16 PRZŁĄZAN TRANZYSTORA POLARNGO +U c U /R - R Rc -/R Rb b U sa U U u b u c U R b P M U U R c sa U R c T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny: przłączan 3 U sa U n (x) n (0) T PRZŁĄZAN TRANZYSTORA POLARNGO R r R ln U T ln R Q dq d Q Q równan konroln ładunku bazy dla pracy akywnj Q Q S n (x ) Q QS dq dqs d d S równan konroln ładunku bazy dla sanu nasycna 0 x T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny: przłączan 3 6
17 PRZŁĄZAN TRANZYSTORA POLARNGO u b b - R - R Rbb b(0)=(+r)/rb +U R R u b u c c K G M U u c za: Układy lkronczn cz. Układy analoow nlnow mpulsow, J. aranowsk, G. zajkowsk G M b b jc 0 j R b R T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny: przłączan 33 PRZŁĄZAN TRANZYSTORA POLARNGO u b b - R Rbb - R U P b(0)=(+r)/rb Rbb +U R R u b u c c d β r M d czas opóźnna Rbb ln U R P u c U U sa czas narasana K r Rc jcln K T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny: przłączan 34 7
18 PRZŁĄZAN TRANZYSTORA POLARNGO u b b - R Rbb - R U P b(0)=(+r)/rb Rbb β - R ( + R)R Rbb Rbb +U R R u b u c c u c M d r s U U sa βr s S ln M R R czas maazynowana T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny: przłączan 35 PRZŁĄZAN TRANZYSTORA POLARNGO u b b - R Rbb - R U P b(0)=(+r)/rb Rbb β - R ( + R)R Rbb Rbb +U R R u b u c c u c M d r s U βr R Rc jc ln R czas opadana G U sa czas przlou T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny: przłączan 36 8
19 PRZŁĄZAN TRANZYSTORA POLARNGO u b b - R Rbb - R U P b(0)=(+r)/rb Rbb β - R ( + R)R Rbb Rbb +U R R u b u c c u c M d r s U U sa βr ON d r czas włączna O czas wyłączna s T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny: przłączan 37 TRANZYSTOR POLARNY MODL PARANTRY MAŁOSYGNAŁOW T 04 r. PD& 38 9
20 MODL MAŁOSYGNAŁOWY L Tranzysor o lmn nlnowy Nlnow charakrysyk Nlnowy modl N N N U U Modl brsa-molla dla ranzysora bpolarno npn harakrysyk ranzysora bpolarno dla pracy w układz wspólno mra u u nut mut S( ) S ( u u nut mut N S( ) S ( ) ) Rysunk zaczrpnęo z: W. Marcnak Przyrządy półprzwodnkow układy scalon, WNT 979 T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 39 MODL MAŁOSYGNAŁOWY L ranzysor w obwodz G T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 40 0
21 MODL MAŁOSYGNAŁOWY L ranzysor w obwodz () =? R Pros oczko. R U N N Ko j polczy? U Z U w ()= A w sn() G U N U U xp S xp nut mut S N u U xp U S xp nut mut S Modl nlnowy (np.: brsa-molla) js nwyodny do analz ranzysora w wększych układach lkroncznych T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 4 MODL MAŁOSYGNAŁOWY JAK? Tranzysor lmn nlnowy Jak o zrobć? Lnowy modl PP PP Wokół punku pracy PP lnaryzacja charakrysyk PP modl zbudowany z lmnów lnowych (al z pwnym orancznam) harakrysyk ranzysora bpolarno dla pracy w układz wspólno mra Rysunk zaczrpnęo z: W. Marcnak Przyrządy półprzwodnkow układy scalon, WNT 979 T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 4
22 MODL MAŁOSYGNAŁOWY ranzysor jako czwórnk akywny składowa zmnna - małosynałowa składowa sała = + c + c c lnaryzacja ch-k Punk pracy w obszarz akywnym R U u U + u b u w = + b u =U +u b U u =U +u c U u Dla synałów zmnnych o małj ampludz ranzysor zasąpmy czwórnkm lnowym R b c u b u c R T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 43 W oólnym przypadku: ZWÓRNK LNOWY powórka z Tor obwodów Równana mpdancyjn: U = Z + Z U czwórnk lnowy U U = Z + Z Równana admancyjn: = Y U + Y U = Y U + Y U Równana mszan (hybrydow): U = H + H U = H + H U T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 44
23 MODL ZWÓRNKOW dla MAŁYH SYGNAŁÓW Mał synały oznaczna: mał lry z małym ndksam Równana mpdancyjn: u = z + z u = z + z Równana admancyjn: = y u + y u = y u + y u Równana hybrydow: u = h + h u = h + h u z z u z z u y u u y u y y u h u h h h u T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 45 h u h h h u MODL HYRYDOWY paramry dla W mpdancja wjścowa przy zwarym wyjścu (dla składowj napęca zmnno na wyjścu) u h u 0 u U cons u b uc0 wsczna ransmancja napęcowa przy rozwarym wjścu (rozwar źródło prądu zmnno na wjścu) u h u 0 u u cons u u ransmancja prądowa - wzmocnn prądow przy zwarym wyjścu (dla składowj napęca zmnno na wyjścu) h u 0 U cons c admancja wyjścowa przy rozwarym wjścu (rozwar źródło prądu zmnno na wjścu) h u 0 u cons b b c b 0 b uc0 c u c b 0 h h h h T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 46 3
24 MODL HYRYDOWY paramry dla różnych konuracj W W W + T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 47 MODL ZYZNY Pwn odwzorowan zjawsk zycznych zachodzących w ranzysorz schma zasępczy Nypowa charakrysyka przjścowa = (u ) Transkondukancja wpływ wjśca na wyjśc m u U, U cons ch-ka przjścowa m PP u U Transkondukancja zwrona wpływ napęca wyjścowo na wjśc r u U, U cons Kondukancja wjścowa cha-ka wjścowa (ranzysor od wjśca ) u U, U cons ch-ka zwrona ch-ka wjścowa Kondukancja wyjścowa cha-ka wyjścowa (ranzysor od wyjśca ) o u U, U cons ch-ka wyjścowa T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 48 4
25 MODL ZYZNY hybryd- dla O UPROSZZONY b c u b b m u b o c u c h-k ranzysora bpolarno dla O od srony wyjśca: źródło prądow srowan synałm z wjśca: m u b od srony wjśca: kondukancja wjścowa: b od srony wyjśca: kondukancja wyjścowa: o c T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 49 MODL ZYZNY hybryd- dla O bc PŁNY b r bb r bc c u b u b b b m u b o c u c h-k ranzysora bpolarno dla O od srony wyjśca: źródło prądow srowan synałm z wjśca: m u b od srony wjśca: kondukancja wjścowa: b od srony wyjśca: kondukancja wyjścowa: o c od srony wjśca: rzysancja obszaru bazy: r bb z wjśca na wyjśc bzpośrdno: sprzężn rzysancyjn baza-kolkor: r bc pojmność złącza mrowo b pojmność złącza kolkorowo bc T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 50 5
26 MODL hybryd- dla O wyznaczan paramrów () U Transkondukancja m z dncj: m czyl nachyln nypowj ch-k przjścowj = (U ) z punku pracy: różnczkując prąd dody mrowj z modlu brsa-molla: m ( U uwzlędnając prąd kolkora ( = ): m n U ) n U T T w prakyc n = T ( ) T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 5 m U T uproszczona zalżność S U n U wsp. wzm. prądowo dla O n wsp. ndalnośc złącza mrowo U T poncjał lkrormczny sały prąd kolkora polaryzujący ranzysor MODL hybryd- dla O wyznaczan paramrów () Kondukancja wjścowa b z dncj: b U czyl nachyln ch-k wjścowj = (U ) - nprakyczn z punku pracy: dla układu O js: zam z modlu brsa-molla prąd bazy dla O: Nasępn korzysając z d.: uwzlędnając: 0 mamy: b b ( ) wsp. wzm. prądowo dla O 0 wsp. wzm. prądowo dla O n wsp. ndalnośc złącza m. U T poncjał lkrormczny prąd kolkora pol. ranzysor T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 5 n U b T n U ( ) T n U 0 T S 0 m, U xp nut ( ) S U xp nut 6
27 MODL hybryd- dla O wyznaczan paramrów (3) Rzysancja rozproszona bazy r bb z porównana modlu hybryd- hybrydowo: T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 53 r bb h r Kondukancja wyjścowa c z dncj: c U c h U uwzlędnając k arly o: 0 różnczkując z d. U A mamy: c 0 U A U A U Sprzężn rzysancyjn r b c U z dncj: rb c U 0 U A U al U >> U, o: rb c 0 U A>> U, o: 0 c rb c 0 b U A napęc arly o U A U m T MODL hybryd- dla O wyznaczan paramrów (4) Pojmność wjścowa złącza mrowo b b d j pojmność złączowa pojmność dyuzyjna b d U T b Pojmność sprzęająca złącza kolkorowo b c Pojmność złączowa zaporowo spolaryzowano złącza baza-kolkor T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 54 7
28 MODL hybryd- dla O c c u b b b m u b cb cb u cb r bb U cons b u U, U cons U T b b 0 b m T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 55 ZĘSTOTLWOŚ GRANZN Kdy, dla jakch częsolwośc, ranzysor przsan spłnać swoją podsawową unkcję, czyl wzmacnać? Zakrs sosowalnośc: T Małosynałow wzmocnn prądow dla zwaro wyjśca: c ( j) b uc0 mub ( j) ( j) ( j) m b ( j) b j b T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 56 b b c 8
29 ZĘSTOTLWOŚ GRANZN zęsolwość ranczna przy, kórj wzmocnn () zmnjszy sę o 3d: T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 57 ) ( 0 b b c b b m j j ) ( ) ( X GX X G j ) ( X GX j X G X j G j Oznaczając : b b c b b m X G, ) ( G X X G X G X GX X G X b c b b ) ( c b b b 0 m b ZĘSTOTLWOŚ GRANZN zęsolwość ranczna przy, kórj wzmocnn () zmnjszy sę o 3d: Posępując analoczn jak dla W orzymujmy: T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 58 ) ( 0 b b
30 ZĘSTOTLWOŚ GRANZN zęsolwość prznoszna T przy, kórj moduł wzmocnna () = m b ( j) b j b b c b ( b b c ) 0 ( ) j ( ) 0 j j przy: dla: js: ( ) T 0 T T 0 T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 59 ZĘSTOTLWOŚ GRANZN, 0-3d -3d [khz] T Tranzysor bpolarny pracujący w układz wspólnj bazy ma -razy wększą częsolwość ranczną 0 T 04 r. PD& lmny lkronczn - ranzysor bpolarny 60 30
ELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKADMA ÓRNZO-HNZA M. SANSŁAWA SASZA W KRAKOW Wydzał norayk, lkronk lkounka Kadra lkronk LMNY LKRONZN dr nż. Por Dzurdza paw. -3, pokó 43; l. 67-7-, por.dzurdza@ah.du.pl dr nż. rnusz rzozowsk paw. -3, pokó
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKADMA GÓRNZO-HUTNZA M. STANSŁAWA STASZA W KRAKOW Wydzał nformatyk, lektronk Telekomunkacj Katedra lektronk LMNTY LKTRONZN dr nż. Potr Dzurdza aw. -3, okój 413; tel. 617-27-02, otr.dzurdza@agh.edu.l dr
Bardziej szczegółowoTRANZYSTOR BIPOLARNY CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE
POLITHNIKA RZSZOWSKA Katedra Podstaw lektronk Instrkcja Nr4 F 00/003 sem. letn TRANZYSTOR IPOLARNY HARAKTRYSTYKI STATYZN elem ćwczena jest pomar charakterystyk statycznych tranzystora bpolarnego npn lb
Bardziej szczegółowoElementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne
lementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne Wprowadzenie Złacze PN spolaryzowane zaporowo: P N U - + S S U SAT =0.1...0.2V U S q D p L p p n D n n L n p gdzie: D p,n współczynniki dyfuzji
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych
Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.
ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk
Bardziej szczegółowoELEKTRONIKA ELM001551W
ELEKTRONIKA ELM001551W W4 Unoszenie Dyfuzja 2 Półprzewodnik w stanie nierównowagi termodynamicznej np n 2 i n = n0 + n' p = p0 + p ' Półprzewodnik w stanie nierównowagi termodynamicznej Generacja i rekombinacja
Bardziej szczegółowoPARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH
L B O R T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRMETRY MŁOSYGNŁOWE TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH REV. 1.0 1. CEL ĆWICZENI - celem ćwiczenia jest zapoznanie się z metodami pomiaru i wyznaczania parametrów małosygnałowych
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE
TRANZYSTORY POLARN ZŁĄCZOW ipolar Junction Transistor - JT Tranzystor bipolarny to odpowiednie połączenie dwóch złącz pn: p n p n p n kolektor baza emiter kolektor baza emiter udowa tranzystora w technologii
Bardziej szczegółowoEUROELEKTRA. Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej. Rok szkolny 2013/2014
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olmpada Wedzy Elektrycznej Elektroncznej Rok szkolny 232 Zadana z elektronk na zawody III stopna (grupa elektronczna) Zadane. Oblczyć wzmocnene napęcowe, rezystancję wejścową rezystancję
Bardziej szczegółowoWykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkońcówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne
Tranzystory bipolarne Tranzystor jest to element półprzewodnikowy, w zasadzie trójelektrodowy, umożliwiający wzmacnianie mocy sygnałów elektrycznych. Tranzystory są to trójelektrodowe przyrządy półprzewodnikowe
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2. Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych
Ćwczene arametry statyczne tranzystorów bpolarnych el ćwczena odstawowym celem ćwczena jest poznane statycznych charakterystyk tranzystorów bpolarnych oraz metod dentyfkacj parametrów odpowadających m
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE
TRANZYSTORY POLARN ZŁĄZOW ipolar Junction Transistor - JT Tranzystor bipolarny to odpowiednie połączenie dwóch złącz pn p n p n p n kolektor baza emiter kolektor baza emiter udowa tranzystora w technologii
Bardziej szczegółowoIndywidualna Pracownia Elektroniczna 2012
ndywidualna Pracownia lektroniczna 202 Wykłady czwartek sala 7, wtorek sala 09 na Pasteura adanie diod 2-X-202-4 półprzewodnikowych Tranzystor bipolarny. Wzmacniacz tranzystorowy yfrowe układy scalone
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów
Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH
Ćwiczenie 7 PRMETRY MŁOSYGNŁO TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH Wstęp Celem ćwiczenia jest wyznaczenie niektórych parametrów małosygnałowych hybrydowego i modelu hybryd tranzystora bipolarnego. modelu Konspekt przygotowanie
Bardziej szczegółowoBADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO
BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO CEL poznanie charakterystyk tranzystora bipolarnego w układzie WE poznanie wybranych parametrów statycznych tranzystora bipolarnego w układzie WE PRZEBIEG ĆWICZENIA: 1.
Bardziej szczegółowoPARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH obliczanie załącznik 1 do ćwiczenia nr 7
LMNY LKONZN LA.: Paramtry małosynałow tranz. bipolarnyc zał. 1 PAAMY MAŁOSYGNAŁOW ANZYSOÓW POLANYH oblzani załącznik 1 do ćwznia nr 7 Wstęp Modl małosynałow tranzystorów mają na cl przdstawini tranzystora
Bardziej szczegółowogdzie E jest energią całkowitą cząstki. Postać równania Schrödingera dla stanu stacjonarnego Wprowadźmy do lewej i prawej strony równania Schrödingera
San sacjonarny cząsk San sacjonarny - San, w kórym ( r, ) ( r ), gęsość prawdopodobńswa znalzna cząsk cząsk w danym obszarz przsrzn n zalży od czasu. San sacjonarny js charakrysyczny dla sacjonarngo pola
Bardziej szczegółowoTranzystory. bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory
Tranzystory bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory Tranzystory -rodzaje Tranzystor to element, który posiada zdolność wzmacniania mocy sygnału elektrycznego. Z uwagi na tą właściwość,
Bardziej szczegółowoE2. BADANIE OBWODÓW PRĄDU PRZEMIENNEGO
E. BADANE OBWODÓW PĄDU PZEMENNEGO ks opracowały: Jadwga Szydłowska Bożna Janowska-Dmoch Badać będzmy charakrysyk obwodów zawrających różn układy lmnów akch jak: opornk, cwka kondnsaor, połączonych z sobą
Bardziej szczegółowoPodstawy działania elementów półprzewodnikowych - tranzystory
Podstawy działania lmntów półprzwodnikowych - tranzystory Wrocław 2016 Wprowadzni Trójkońcówkowy (cztrokońcówkowy) półprzwodnikowy lmnt lktroniczny, posiadający zdolność wzmacniania synału lktryczno. Nazwa
Bardziej szczegółowoObwody nieliniowe. Rysunek 1. Rysunek 2. Rysunek 3
Obwody nieliniowe Rysunek 1 Rysunek 2 Rysunek 3 1. Narysuj schemat zasilania diody świecącej, której parametry graniczne przedstawiono na rysunku 1, a charakterystykę prądowo-napięciową na rysunku 2. Układ
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2
Ćwiczenie 2 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji parametrów odpowiadających im modeli małosygnałowych, poznanie metod
Bardziej szczegółowoElementy i Obwody Elektryczne
Elemeny Obwody Elekryczne Elemen ( elemen obwodowy ) jedno z podsawowych pojęć eor obwodów. Elemen jes modelem pewnego zjawska lb cechy fzycznej zwązanej z obwodem. Elemeny ( jako modele ) mogą meć róŝny
Bardziej szczegółowoexp jest proporcjonalne do czynnika Boltzmanna exp(-e kbt (szerokość przerwy energetycznej między pasmami) g /k B
Koncentracja nośnów ładunu w półprzewodnu W półprzewodnu bez domesz swobodne nośn ładunu (eletrony w paśme przewodnctwa, dzury w paśme walencyjnym) powstają tylo w wynu wzbudzena eletronów z pasma walencyjnego
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji
Bardziej szczegółowoZygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska
Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska 1947 r. pierwszy tranzystor ostrzowy John Bradeen (z lewej), William Shockley (w środku) i Walter Brattain (z prawej) (Bell Labs) Zygmunt Kubiak
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 4 CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO
LAORATORIUM LKTRONIKI ĆWIZNI 4 HARAKTRYSTYKI STATYZN TRANZYSTORA IPOLARNGO K A T D R A S Y S T M Ó W M I K R O L K T R O N I Z N Y H 1. L ĆWIZNIA elem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi charakterystykami
Bardziej szczegółowoPracownia fizyczna i elektroniczna
Pracowna fzyczna lkronczna koordynaor Krzyszof Korona Wydzał Fzyk pok. 3.65, pęro -mal: kkorona@fuw.du.pl Srona WWW Pracown Elkroncznj: hp://p.fuw.du.pl Program pracown A. Podsawow prawa ( analza danych
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE
TRANZYSTORY IPOLARN ZŁĄCZO ipolar Junction Transistor - JT Tranzystor bipolarny to odpowiednie połączenie dwóch złącz pn p n p n p n kolektor baza emiter kolektor baza emiter udowa tranzystora w technologii
Bardziej szczegółowoWykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkoocówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolnośd wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu "transfer
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY BIPOLARNE SMK WYKŁAD
TRAZYSTORY BPOLARE SMK WYKŁAD 9 a pdstw. W. Marciniak, WT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone 6. Zakresy pracy i układy włączania tranzystora bipolarnego Opis funkcjonalny zestaw równań wiążących
Bardziej szczegółowoZasada działania tranzystora bipolarnego
Tranzystor bipolarny Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasada działania tranzystora bipolarnego
Bardziej szczegółowoWZMACNIACZE MOCY. Klasy, zniekształcenia nieliniowe, sprawność energetyczna, wzmacniacze przeciwsobne, zabezpieczenia przeciwzwarciowe.
WZMACACZE MCY Klasy, zniekształcenia nieliniowe, sprawność energetyczna, wzmacniacze przeciwsobne, zabezpieczenia przeciwzwarciowe. Wymagania i klasyfikacja uzyskanie małej rezystancji wyjściowej aby dostarczyć
Bardziej szczegółowoPrzykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik
1 Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik Znajdź usterkę oraz wskaż sposób jej usunięcia w zasilaczu napięcia stałego 12V/4A, wykonanym w oparciu o układ scalony
Bardziej szczegółowoPolitechnika Wrocławska Instytut Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych. Materiał ilustracyjny do przedmiotu. (Cz. 2)
Poltchnka Wrocławska nstytut Maszyn, Napędów Pomarów Elktrycznych Matrał lustracyjny do przdmotu EEKTOTEHNKA (z. ) Prowadzący: Dr nż. Potr Zlńsk (-9, A0 p.408, tl. 30-3 9) Wrocław 004/5 PĄD ZMENNY Klasyfkacja
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 2. ELEMENTARNE UKŁADY ELEKTRONICZNE (Wzmacniacz i inwerter na tranzystorze bipolarnym)
LAORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWIZENIE 2 ELEMENTARNE UKŁADY ELEKTRONIZNE (Wzmacniacz i inwerter na tranzystorze bipolarnym) K A T E D R A S Y S T E M Ó W M I K R O E L E K T R O N I Z N Y H EL ĆWIZENIA elem
Bardziej szczegółowoTemat i cel wykładu. Tranzystory
POLTECHNKA BAŁOSTOCKA Temat i cel wykładu WYDZAŁ ELEKTRYCZNY Tranzystory Celem wykładu jest przedstawienie: konstrukcji i działania tranzystora bipolarnego, punktu i zakresów pracy tranzystora, konfiguracji
Bardziej szczegółowoPomiar parametrów tranzystorów
Instytut Fizyki ul Wielkopolska 5 70-45 Szczecin Pracownia Elektroniki Pomiar parametrów tranzystorów (Oprac dr Radosław Gąsowski) Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: zasada działania tranzystora
Bardziej szczegółowoPodstawy elektrotechniki
Wydział Mechaniczno-Energeyczny Podsawy elekroechniki Prof. dr hab. inż. Juliusz B. Gajewski, prof. zw. PWr Wybrzeże S. Wyspiańskiego 27, 50-370 Wrocław Bud. A4 Sara kołownia, pokój 359 Tel.: 7 320 320
Bardziej szczegółowoUkłady nieliniowe - przypomnienie
Układy nieliniowe - przypomnienie Generacja-rekombinacja E γ Na bazie półprzewodników γ E (Si)= 1.14 ev g w.8, p.1 Domieszkowanie n (As): Większościowe elektrony pasmo przewodnictwa swobodne elektrony
Bardziej szczegółowoElementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.
Elementy półprzewodnikowe Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy elektroniczne i ich zastosowanie. Elementy stosowane w elektronice w większości
Bardziej szczegółowoTranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny
POLTEHNKA AŁOSTOKA Tranzystory WYDZAŁ ELEKTYZNY 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne bipolarny unipolarne Trójkońcówkowy (czterokońcówkowy) półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający
Bardziej szczegółowoWiadomości podstawowe
Wiadomości podstawowe Tranzystory są urządzeniami półprzewodnikowymi umożliwiającymi sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Wykorzystuje się je do wzmacniania małych sygnałów
Bardziej szczegółowoIII. TRANZYSTOR BIPOLARNY
1. TRANZYSTOR BPOLARNY el ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Zagadnienia: zasada działania tranzystora bipolarnego. 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z języka
Bardziej szczegółowoWykład 6 Pochodna, całka i równania różniczkowe w praktycznych zastosowaniach w elektrotechnice.
Wykład 6 Pochodna, całka i równania różniczkow w prakycznych zasosowaniach w lkrochnic. Przypomnini: Dfinicja pochodnj: Granica ilorazu różnicowgo-przyros warości funkcji do przyrosu argumnów-przy przyrości
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów
ĆWICZENIE LBORTORYJNE TEMT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów 1. WPROWDZENIE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i zasadą działania podstawowych rodzajów diod półprzewodnikowych
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne w układach CMOS i ich modelowanie
Tranzystory bipolarne w układach CMOS i ich modelowanie 1. Po co modelujemy tranzystory bipolarne? W analogowych układach CMOS pasożytnicze struktury bipolarne bywają wykorzystywane jako elementy aktywne.
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Poznanie podstawowych własności tranzystora. Wyznaczenie prądów tranzystorów typu n-p-n i p-n-p. Czytanie schematów
Bardziej szczegółowoBADANIE WYBRANYCH STRUKTUR NIEZAWODNOŚCIOWYCH
ZAKŁAD EKSPLOATACJI SYSTEMÓW ELEKTOICZYCH ISTYTUT SYSTEMÓW ELEKTOICZYCH WYDZIAŁ ELEKTOIKI WOJSKOWA AKADEMIA TECHICZA ---------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Bardziej szczegółowoRys. 1. Oznaczenia tranzystorów bipolarnych pnp oraz npn
Ćwiczenie 4. harakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego 1. L ĆWIZNI elem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi charakterystykami statycznymi oraz z najwaŝniejszymi parametrami i modelami tranzystora
Bardziej szczegółowoIII. Przetwornice napięcia stałego
III. Przewornce napęca sałego III.1. Wsęp Przewornce: dosarczane pożądanej warośc napęca sałego koszem energ ze źródła napęca G. Możlwość zmnejszana, zwększana, odwracana polaryzacj lb kszałowane pożądanego
Bardziej szczegółowoPolitechnika Wrocławska Wydział Elektroniki, Katedra K-4. Klucze analogowe. Wrocław 2017
Poliechnika Wrocławska Klucze analogowe Wrocław 2017 Poliechnika Wrocławska Pojęcia podsawowe Podsawą realizacji układów impulsowych oraz cyfrowych jes wykorzysanie wielkosygnałowej pacy elemenów akywnych,
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. M. Grundmann, The Physics of Semiconductors..., Springer 2010
Tranzystory bipolarne. 1 M. Grundmann, The Physics of Semiconductors..., Springer 2010 Tranzystor bipolarny npn 2 Struktura półprzewodnikowa npn Dwie diody pn połączone szeregowo anoda do anody Symbol
Bardziej szczegółowoPodstawy działania elementów półprzewodnikowych - tranzystory
Podstawy działania lmntów ółrzwodnikowych - tranzystory Wrocław 2010 Wrowadzni Złącz PN solaryzowan zaorowo: P N - + AT 0.1...0.2V q L n nn + L n dzi:,n wsółczynniki dyuzji dziur i lktronów L,n droi dyuzji
Bardziej szczegółowoInstytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki. Politechniki Warszawskiej. Elektronika 1. elementy i układy elektroniczne Tranzystor Bipolarny (BJT,HBT)
Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej Elektronika 1 elementy i układy elektroniczne Tranzystor Bipolarny (BJT,HBT) Warszawa, luty 2009 Tranzystor bipolarny w układzie scalonym
Bardziej szczegółowoUkłady zasilania tranzystorów. Punkt pracy tranzystora Tranzystor bipolarny. Punkt pracy tranzystora Tranzystor unipolarny
kłady zasilania ranzysorów Wrocław 28 Punk pracy ranzysora Punk pracy ranzysora Tranzysor unipolarny SS GS p GS S S opuszczalny oszar pracy (safe operaing condiions SOA) P max Zniekszałcenia nieliniowe
Bardziej szczegółowoPojęcia podstawowe 1
Tomasz Lubera Pojęcia podsawowe aa + bb + dd + pp + rr + ss + Kineyka chemiczna dział chemii fizycznej zajmujący się przebiegiem reakcji chemicznych w czasie, ich mechanizmami oraz wpływem różnych czynników
Bardziej szczegółowoE104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów
E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów Cele: Wyznaczenie charakterystyk dla diod i tranzystorów. Dla diod określa się zależność I d =f(u d ) prądu od napięcia i napięcie progowe U p. Dla tranzystorów
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 3
Przyrządy półprzewodnikowe część 3 Dr inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 5 FET
Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA ENS1C300 022 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2013 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoPodstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne
AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki Tranzystory bipolarne Ćwiczenie 3 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora bipolarnego.
Bardziej szczegółowof (3) jesli 01 f (4) Rys. 1. Model neuronu
Wstęp tortyczny. Modl sztuczngo nuronu Podobn jak w przypadku nuronowych sc bologcznych, podstawowym lmntam z których buduj sę sztuczn sc nuronow są sztuczn nurony. Sztuczny nuron jst lmntm, którgo własnośc
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
Wydział lektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politecniki Wrocławskiej STUDA DZNN W0 LAORATORUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZWODNKOWYCH Ćwiczenie nr 3 Carakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego. Zagadnienia do
Bardziej szczegółowoŚ Ś Ś Ś Ś Ś Ę Ą Ę ŚĘ Ę Ś ń Ę Ę Ą Ł Ż Ń Ł ć Ą ć Ł Ę Ó ć Ź ć ź ń Ń ń Ś Ą Ę Ł Ę Ą Ę ń ć ń Ź ć ń ć ń Ś ń ŚĆ ć ź Ł Ę Ę Ś Ę Ę Ę ń ŚĘ Ń Ę Ę ń ŚĘ Ę Ę Ś Ś ć ń Ę ń Ś Ę ć ć Ę Ę ć ź ć ń Ę Ń ń ć Ł Ę Ę Ę Ę ć Ę ć ć ź
Bardziej szczegółowoSystemy i architektura komputerów
Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Systemy i architektura komputerów Laboratorium nr 4 Temat: Badanie tranzystorów Spis treści Cel ćwiczenia... 3 Wymagania... 3 Przebieg ćwiczenia...
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów
LABORATORIM ELEKTRONIKI Spis treści Ćwiczenie - 4 Podstawowe układy pracy tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Podstawowe układy pracy tranzystora........................ 2 2.2 Wzmacniacz
Bardziej szczegółowoProces stochastyczny jako funkcja dwóch zmiennych. i niepusty podzbiór zbioru liczb rzeczywistych T. Proces stochastyczny jest to funkcja
POJĘCI PROCSU STOCHSTYCZNGO Przykład mpluda napęca gnrowango przz prądncę prądu zmnngo zalży od czynnków losowych moż być zapsana jako funkcja X sn c c - sała okrślająca częsolwość - zmnna losowa o rozkładz
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne.
ranzystory bipolarne. 1 M. Grundmann, he Physics of Semiconductors..., Springer 2010 ranzystor bipolarny npn 2 Struktura półprzewodnikowa npn Dwie diody pn połączone szeregowo anoda do anody Symbol układowy
Bardziej szczegółowoTRANZYSTOR BIPOLARNY CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE ORAZ PRACA W UKLADZIE WZMACNIACZA
POLITHNIK RZSZOWSK Katedra Podstaw lektronk INSTRUKJ NR4, 008 TRNZYSTOR IPOLRNY HRKTRYSTYKI STTYZN ORZ PR W UKLDZI WZMNIZ el cwczena: Pomar analza charakterystyk statycznych tranzystora bpolarnego npn
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET
Ćwiczenie 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych tranzystorów polowych złączowych oraz z izolowaną
Bardziej szczegółowoWydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 12 Pomiar wartości parametrów małosygnałowych h ije tranzystora
Bardziej szczegółowoSDD287 - wysokoprądowy, podwójny driver silnika DC
SDD287 - wysokoprądowy, podwójny driver silnika DC Własności Driver dwóch silników DC Zasilanie: 6 30V DC Prąd ciągły (dla jednego silnika): do 7A (bez radiatora) Prąd ciągły (dla jednego silnika): do
Bardziej szczegółowoPracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 3 Proste przyrządy elektroniczne
Małgorzata Marynowska Uniwersytet Wrocławski, I rok Fizyka doświadczalna II stopnia Prowadzący: dr M. Grodzicki Data wykonania ćwiczenia: 14.04.2015 Pracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 3 Proste przyrządy
Bardziej szczegółowoXXX OLIMPIADA FIZYCZNA ETAP III Zadanie doświadczalne
XXX OLIMPIADA FIZYCZNA ETAP III Zadane dośwadczalne ZADANIE D Nazwa zadana: Maszyna analogowa. Dane są:. doda półprzewodnkowa (krzemowa) 2. opornk dekadowy (- 5 Ω ), 3. woltomerz cyfrowy, 4. źródło napęca
Bardziej szczegółowoTranzystor bipolarny
Tranzystor bipolarny 1. zas trwania: 6h 2. ele ćwiczenia adanie własności podstawowych układów wykorzystujących tranzystor bipolarny. 3. Wymagana znajomość pojęć zasada działania tranzystora bipolarnego,
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI Badanie obwodów prądu sinusoidalnie zmiennego
Ćwczene 1 Wydzał Geonżyner, Górnctwa Geolog ABORATORUM PODSTAW EEKTROTECHNK Badane obwodów prądu snusodalne zmennego Opracował: Grzegorz Wśnewsk Zagadnena do przygotowana Ops elementów RC zaslanych prądem
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 5 Tranzystor bipolarny
Wydział lektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Opracował zespół: Marek Panek, Waldemar Oleszkiewicz, wona Zborowska-Lindert, ogdan Paszkiewicz, Małgorzata Kramkowska, eata Ściana, Zdzisław Synowiec, ogusław
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY - PORÓWNANIE WYKŁAD 15 SMK
TRANZYSTORY - PORÓWNANIE WYKŁAD 15 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, Z. Nosal, J. Baranowski, Układy elektroniczne, PWN 2003 7. PORÓWNANIE TRANZYSTORÓW
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: UKŁADY ELEKTRONICZNE 2 (TS1C500 030) Tranzystor w układzie wzmacniacza
Bardziej szczegółowoBadanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych II
1 Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE Ćwiczenie nr 14 LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY BIPOLARNE
KTDR LKTRONIKI GH L O R T O R I U M LMNTY LKTRONIZN TRNZYSTORY IPOLRN Parametry stałoprądowe R. 0.3 Laboratorium lementów lektronicznych: TRNZYSTORY IPOLRN 1. L ĆWIZNI Wyznaczenie podstawowych parametrów
Bardziej szczegółowoBADANIE WYBRANYCH STRUKTUR NIEZAWODNOŚCIOWYCH
ZAKŁAD EKSPLOATACJI SYSTEMÓW ELEKTOICZYCH ISTYTUT SYSTEMÓW ELEKTOICZYCH WYDZIAŁ ELEKTOIKI WOJSKOWA AKADEMIA TECHICZA ---------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4 Temat: Parametry czwórnikowe tranzystorów bipolarnych. Cel ćwiczenia: Zapoznanie się z parametrami czwórnikowymi tranzystora bipolarnego (admitancyjnymi [y],
Bardziej szczegółowoRównanie Shockley a. Potencjał wbudowany
Wykład VI Diody Równanie Shockley a Potencjał wbudowany 2 I-V i potencjał wbudowany Temperatura 77K a) Ge E g =0.7eV b) Si E g =1.14eV c) GaAs E g =1.5eV d) GaAsP E g =1.9eV qv 0 (0. 5 0. 7)E g 3 I-V i
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 4
Przyrządy półprzewodnikowe część 4 Dr inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical
Bardziej szczegółowoPARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH załącznik 1 do ćwiczenia nr 6
PMY MŁOSYGNŁOW NZYSOÓW POLNYH załącznik 1 do ćwznia nr 6 Wstęp Modl małosygnałow tranzystorów mają na l przdstawini tranzystora za pomocą obwod liniowgo. aka rprzntacja tranzystora pozwala na zastąpini
Bardziej szczegółowoEGZAMIN POTWIERDZAJĄCY KWALIFIKACJE W ZAWODZIE Rok 2019 CZĘŚĆ PRAKTYCZNA
Arkusz zawiera informacje prawnie chronione do momentu rozpoczęcia egzaminu Układ graficzny CKE 208 Nazwa kwalifikacji: Eksploatacja urządzeń elektronicznych Oznaczenie kwalifikacji: E.20 Numer zadania:
Bardziej szczegółowoĆwiczenie C2 Tranzystory. Wydział Fizyki UW
Wydział Fizyki UW Pracownia fizyczna i elektroniczna (w tym komputerowa) dla Inżynierii Nanostruktur (1100-1INZ27) oraz Energetyki i Chemii Jądrowej (1100-1ENPRFIZELEK2) Ćwiczenie C2 Tranzystory Streszczenie
Bardziej szczegółowo5. Tranzystor bipolarny
5. Tranzystor bipolarny Tranzystor jest to trójkońcówkowy element półprzewodnikowy zdolny do wzmacniania sygnałów prądu stałego i zmiennego. Każdy tranzystor jest zatem wzmacniaczem. Definicja wzmacniacza:
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKADMA GÓNZO-HTNZA M. STANSŁAWA STASZA W KAKOW Wydział nformayki, lekroniki i Telekomunikacji Kaedra lekroniki MNTY KTONZN dr inż. Pior Dziurdzia paw. -3, pokój 43; el. 67-7-0, pior.dziurdzia@agh.edu.pl
Bardziej szczegółowoCzęść 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51
Część 3 Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51 Budowa przyrządów półprzewodnikowych Struktura składa się z warstw Warstwa
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki nstrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONCZNE TS1C300 018 BAŁYSTOK 013 1. CEL ZAKRES ĆWCZENA LABORATORYJNEGO
Bardziej szczegółowo