Zjawiska kontaktowe. Pojęcia.

Podobne dokumenty
Zadanie domowe: kiedy pole elektryczne jest słabe, a kiedy silne?

Zjawiska kontaktowe. Pojęcia.

BADANIE CHARAKTERYSTYKI DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWEJ

Repeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n

ELEKTROGRAWIMETRIA. Warunki jakie musi spełniać osad analitu na elektrodzie

Wykład XI. Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation (LASER) laser półprzewodnikowy

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i Techniki Wysokich Napięć. Dr hab.

1. Podstawowa struktura tranzystora bipolarnego

ν = c/λ [s -1 = Hz] ν = [cm -1 ] ZASADY ZALICZENIA PRZEDMIOTU MBS c = m/s cos x H = H o E = E o cos x c = λν 1 ν = _ λ

Wykład IV. Półprzewodniki samoistne i domieszkowe

Złącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET

Model Bohra atomu wodoru

Półprzewodniki. złącza p n oraz m s

Urządzenia półprzewodnikowe

Repeta z wykładu nr 6. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Metal-półprzewodnik

Równanie Shockley a. Potencjał wbudowany

Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane

IM Eksperymentalne wyznaczenie wartości podstawowego kwantu przewodności.

IX. DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Janusz Adamowski

Półprzewodniki samoistne. Struktura krystaliczna

STRUKTURA PASM ENERGETYCZNYCH

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych

Promieniowanie atomów wzbudzonych

Fotodetektory. Fotodetektor to przyrząd, który mierzy strumień fotonów bądź moc optyczną przetwarzając energię fotonów na inny użyteczny sygnał

Przewodnictwo elektryczne ciał stałych. Fizyka II, lato

PÓŁPRZEWODNIKI W ELEKTRONICE. Powszechnie uważa się, że współczesna elektronika jest elektroniką półprzewodnikową.

Rys.1. Struktura fizyczna diody epiplanarnej (a) oraz wycinek złącza p-n (b)

3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA

Ciała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz

I. DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA

Mikroskopia polowa. Efekt tunelowy Historia odkryć Uwagi o tunelowaniu Zastosowane rozwiązania. Bolesław AUGUSTYNIAK

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych

2. Półprzewodniki. Istnieje duża jakościowa różnica między właściwościami elektrofizycznymi półprzewodników, przewodników i dielektryków.

Wykład V Złącze P-N 1

Rekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja

Przewodnictwo elektryczne ciał stałych

W1. Właściwości elektryczne ciał stałych

Elektryczne własności ciał stałych

IA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody.

TEORIA PASMOWA CIAŁ STAŁYCH

Kinetyczna teoria gazów. Zjawiska transportu : dyfuzja transport masy transport energii przewodnictwo cieplne transport pędu lepkość

Skończona studnia potencjału

9. Struktury półprzewodnikowe

Zjawisko Halla Referujący: Tomasz Winiarski

9. Struktury półprzewodnikowe

Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne

Przerwa energetyczna w germanie

Przyrządy i układy półprzewodnikowe

WYKŁAD 6 TRANZYSTORY POLOWE

Badanie charakterystyki diody

Elektryczne własności ciał stałych

Nanostruktury i nanotechnologie

Ładunki elektryczne. q = ne. Zasada zachowania ładunku. Ładunek jest cechąciała i nie można go wydzielićz materii. Ładunki jednoimienne odpychają się

TEORIA TRANZYSTORÓW MOS. Charakterystyki statyczne

F = e(v B) (2) F = evb (3)

Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY

Materiały czyli z czego to jest zrobione. Poprzednio. Termiczna emisja elektronów w z metalu

Zasada działania, właściwości i parametry światłowodów. Sergiusz Patela Podstawowe właściwości światłowodów 1

Zakres wykładu. Detekcja światła. Zakres wykładu. Zakres wykładu

Repeta z wykładu nr 4. Detekcja światła. Dygresja. Plan na dzisiaj

Pomiar kontaktowej różnicy potencjałów na powierzchniach półprzewodników

i elementy z półprzewodników homogenicznych część II

Badanie efektu Halla w półprzewodniku typu n

Wykład VIII. Detektory fotonowe

Sprzęganie światłowodu z półprzewodnikowymi źródłami światła (stanowisko nr 5)

Przewodność elektryczna półprzewodników

Budowa atomów. Budowa atomu wodoru

WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ

IV. TRANZYSTOR POLOWY

ZJAWISKA FOTOELEKTRYCZNE

ELEKTRONIKA ELM001551W

Elektrony i dziury w półprzewodnikach

Instytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka

Rozpuszczalność gazów w cieczach. Prawo Henry ego

S. Baran - Podstawy fizyki materii skondensowanej Półprzewodniki. Półprzewodniki

3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17)

Wykład 7. Złącza półprzewodnikowe - przyrządy półprzewodnikowe

METALE. Cu Ag Au

WYZNACZANIE STAŁEJ PLANCKA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH. Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska

Prądy wirowe (ang. eddy currents)

1 Źródła i detektory. V. Fotodioda i diody LED Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody i diod LED.

Ćwiczenie 5 BADANIE ZALEŻNOŚCI PRZEWODNICTWA ELEKTRYCZNEGO PÓŁPRZEWODNIKA OD TEMPERATURY 1.WIADOMOŚCI OGÓLNE

II. KWANTY A ELEKTRONY

METODY DETEKCJI PROMIENIOWANIA JĄDROWEGO 1

EL08s_w03: Diody półprzewodnikowe

Budowa i zasada działania lasera

COLLEGIUM MAZOVIA INNOWACYJNA SZKOŁA WYŻSZA WYDZIAŁ NAUK STOSOWANYCH. Kierunek: Finanse i rachunkowość. Robert Bąkowski Nr albumu: 9871

2. ZJAWISKA KONTAKTOWE

EFEKT HALLA W PÓŁPRZEWODNIKACH.

4. PRZEKŁADNIKI PRĄDOWE I NAPIĘCIOWE

elektryczne ciał stałych

Złącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy

ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA

Repeta z wykładu nr 3. Detekcja światła. Struktura krystaliczna. Plan na dzisiaj

W5. Rozkład Boltzmanna

Przyrządy półprzewodnikowe część 2

Diody, tranzystory, tyrystory. Materiały pomocnicze do zajęć.

Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Transkrypt:

Zjawiska kotaktowe. Pojęcia. Próżia, E vac =0 Φ m W Φ s χ E c µ E v metal półprzewodik W praca przeiesieia elektrou z da pasma przewodictwa do próżi, bez zwiększaia jego eergii kietyczej (którą ma zerową). Używa się tylko dla metalu. Φ termodyamicza praca wyjścia. χ- powiowactwo elektroowe półprzewodika. Wszystkie wielkości są rzędu kilku ev.

Emisja elektroów z ciała stałego. Φ 1. Termoemisja. 2 j kt T = AT e Uwagi: W temperaturze pokojowej prąd termoemisji jest bardzo mały; Wzór Richardsoa jest całkowicie klasyczy, a wiadomo że cząstki o eergii wyższej iż bariera potecjału też się od iej mogą odbić. Dlatego koiecza jest modyfikacja wzoru: j T = (1 R) AT 2 e Φ kt Gdzie R jest współczyikiem odbicia (0.2-0.3) Emisja elektroów powoduje oziębieie katody. W polu elektryczym praca wyjścia się obiża. 2. Emisja polowa. Występuje w silych polach elektryczych i polega a tuelowaiu elektroów przez trójkątą barierę potecjału. 3. Fotoemisja 4. Emisja wtóra.

Złącza różych materiałów: uwagi ogóle. Gdy dwa ciała tworzą złącze, lub ciało o skończoych rozmiarach zajduje się w polu elektryczym, lub w pobliżu graicy ciało-próżia, w graiczych obszarach materiału: Powstaje wewętrze (kotaktowe) pole elektrycze; astępuje redystrybucja ładuku (powstaje ładuek przestrzey); astępuje zakrzywieie pasm eergetyczych. UWAGA: to ie są trzy róże zjawiska, to są trzy aspekty tego samego zjawiska. Rozmiar obszaru, w którym astępują zmiay jest to tzw długość ekraowaia Debye a. εε kt L D = 0 2 2e Po zetkięciu ze sobą dwóch materiałów zaczyają płyąć chwilowe prądy. Rówowaga ustala się gdy w całym obszarze potecjał chemiczy jest taki sam.

εε kt L D = 0 2 2e

Złącze metal- półprzewodik (a) i (c) przed ustaleiem się rówowagi (b) i (d) w rówowadze Φ M > Φ S Φ M < Φ S

Złącze metal półprzewodik typu z Φ M > Φ S Po utworzeiu złącza elektroy przepływają z S do M. W półprzewodiku powstaje obszar zubożoy w ładuki swobode. Poziom Fermiego jest wszędzie taki sam. Elektroy przepływające z M do S apotykają barierę potecjału Φ B Φ B = Φ M χ Elektroy płyące z S do M apotykają a barierę Φ M Φ S φ m -χ sc χ sc φ m V V D =φ m -χ sc -V E F

Złącze metal półprzewodik typu z Φ M > Φ S Złącze spolaryzowae W zależości od zaku apięcia bariera, którą apotykają elektroy płyące z S do M albo rośie, albo maleje: złącze ma działaie prostujące.

Złącze metal półprzewodik typu z Φ M < Φ S ie ma bariery dla elektroów z S do M. awet małe apięcie V A > 0 powoduje duży prąd. Mała bariera jest dla elektroów płyących z M do S, ale zika gdy V A < 0 jest przyłożoe do metalu. Duży prąd płyie gdy V A < 0. ie ma właściwości prostujących: tzw. kotakt omowy. φ m χ sc χsc - φm I E F V A

Złącze P/ Co dzieje się po utworzeiu złącza? Bardzo duże gradiety kocetracji elektroów i dziur: elektroy P Elektroy płyą z do P Dziury płyą z P do dziury E field P Stroa ładuje się dodatio, a p ujemie. Powstaje pole elektrycze, które powoduje przepływ prądów uoszeia przeciwych iż prądy dyfuzyje. E p Obszar zubożoy uoszeie elektroów ROWOWAGA: wypadkowy prąd ie płyie. dyfuzja elektroów dyfuzja dziur uoszeie dziur ev 0 E c µ F E v x x p 0 x

Złącze P/ E field P Obszar zubożoy W okolicy złącza powstaje tzw obszar zubożoy: zubożoy w ruchliwe ośiki ładuku; Ładuek w tym obszarze wyika z obecości joów; Pole elektrycze powoduje powstaie wewętrzej różicy potecjałów, którą zamy jako kotaktową różicę potecjałów V 0

Złącze P/ : schemat pasmowy. qv 0 V 0 = apięcie kotakto we W r-dze ie płyą prądy, potecjał chemiczy jest wszędzie stały. W obszarze występowaia pola elektryczego, pasma muszą się zagiąć.

Złącze P/ : obliczeie φ 0 E C Electros µ E V E C Holes e φ 0 E V p-type semicoductor -type semicoductor Po stroie (dla x >> 0 ) Po stoie p (dla x << 0) µ = E c µ = E vp k B + k Tl B c T l p v p Poieważ oraz E g = E c E v pp e Φ 0 = Ec Evp = k T l + c v Φ 0 kt = l q p E g

Spolaryzowae złącze p R-ga przewodzeie zaporowo iższa bariera potecjału Wyższa bariera potecjału h + diffusio e - diffusio

Spolaryzowae złącze p 0 ) ( 2 V q W d a d a d + = ε Szerokość złącza w r-dze: ( ) V V q W d a d a d + = 0 ) ( 2ε Szerokość złącza spolaryzowaego apięciem V: +V = kieruek przewodzeia -V = kieruek zaporowy

Spolaryzowae złącze p J = ev Js(exp 1) kbt