Materiały czyli z czego to jest zrobione. Poprzednio. Termiczna emisja elektronów w z metalu
|
|
- Wacława Kuczyńska
- 8 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Elektroika plastikowa i orgaicza Materiały czyli z czego to jest zrobioe Poprzedio 1. tay wzbudzoe w półprzewodikach molekularych (ekscytoy, polaroy i ie) 2. Model swobodych elektroów eergia Fermiego, rozkład Fermiego 3. Model prawie swobodych elektroów struktura pasmowa (struktura pasmowa poliacetyleu) 4. Model przewodictwa Drudego 5. Metody pomiaru ruchliwości ośików ładuku (metoda trazystora FET, metoda czasu przelotu) 6. Typowe zaleŝości µ od pola oraz temperatury 7. Modele opisujące trasport w półprzewodikach molekularych 8. Wstrzykiwaie ładuku rodzaje kotaktów 9. Termoemisja elektroów z powierzchi metalu 10. Modele wstrzykiwaia ładuków Termicza emisja elektroów w z metalu Gęstość prądu: v prędkość uoszeia składowa w kieruku x: gdzie kocetracja ośików, e ładuek elektrou, pamiętając Ŝe: w wysokich temperaturach rozkład Fermiego moŝa przybliŝyć rozkładem Boltzmaa: 1
2 Termicza emisja elektroów w z metalu bliczamy ostatią całkę: wartość prądu emitowaego z powierzchi metalu: w obecości pola elektryczego aleŝy dodać poprawkę: Wstrzykiwaie ładuków Model klasyczy: gdy mobilość ośików ładuku jest wysoka (µ>10-3 m 2 V -1 s -1 ) dla iskiej ruchliwości ładuków aleŝy uwzględić efekty ładowaia się obszaru złącza oraz pojawieie się prądu wsteczego (wstrzykiwaie dyfuzyjie ograiczoe) gdzie V efektywa gęstość staów Model przeskoków: potecjał elektrostatyczy: g(e) fukcja gęstości staów, w esc prawdopodobieństwo całkowitej ucieczki Półprzewodiki ieorgaicze Materiały półprzewodikowe: krzem i (trazystory, układy scaloe, procesory) kryształy pierwiastków z grup III i IV AsGa (LED, układy wysokich częstości) krzem amorficzy (urządzeia fotowoltaicze) germa (wspomiay ze względów historyczych) Cechy: szerokość przerwy eergetyczej ~ ev wysoka mobilość ładuków, krótkie czasy przełączaia (przy odpowiedim domieszkowaiu) wysokie koszty wytwarzaia (mookryształy duŝej czystości) skomplikowae metody obróbki 2
3 Właściwa azwa: poliety Występuje w dwóch formach: cis poliacetyle forma iestabila, pod wpływem temperatury oraz światła przechodzi w formę tras tras forma stabila, domieszkoway wykazuje wysokie przewodictwo elektrycze (zbliŝoe do srebra) W 1976 pokazao, Ŝe po utleieiu za pomocą jodu poliacetyle zwiększa swe przewodictwo o 8 rzędów wielkości za co w 2000 roku Ala J. Heeger, Ala G MacDiarmid i Hideki hirakawa otrzymali agrodę obla z chemii (liki do wykładów oblowskich a stroach wykładu) poliacetyle Ze względu a trudości w przetwarzaiu oraz słabą odporość a waruki zewętrze poliacetyle ma iewielkie zaczeie praktycze Prosta budowa cząsteczki powoduje, Ŝe jest o bardzo atrakcyjy z modelowego puktu widzeia (dyskutowaliśmy strukturę pasmową w modelu prawie swobodych elektroów) truktura krystalicza moŝliwe ułoŝeia łańcuchów: Badaia krystalograficze wskazują a uporządkowaie typu c lub d (olid tate Comm. 83:179 (1992), Phys. Rev. B 32:4060 (1985)) poliacetyle W zaleŝości od metody sytezy poliacetyle powstaje w formie proszku lub foli, które ie adają się do dalszego przetwarzaia (są ierozpuszczale, ie ulegają stopieiu w akceptowalym zakresie temperatur) Metody obejścia problemu przetwarzaia: syteza rozpuszczalego prekursora, który pod wpływem ciepła przechodzi w poliacetyle (rys. a) dołączaie łańcuchów poliacetyleu do iych polimerów łatworozpuszczalych (rys. b) a) CF 3 b) F 3 C F 3 C RMP F 3 C cieplo H 3 C CH3 3
4 PEDT/PEDT azwa: poli(3,4-etyleo-1,4-dioksytiofe) Jede z ajtrwalszych polimerów przewodzących Przy iskim apięciu zachowuje się jak przewodik przy wysokim jak półprzewodik z wąskim pasmem przewodictwa Wykazuje własości elektrochromowe (zmieia barwę pod wpływem przepływu prądu elektryczego) Jest przeźroczysty w zakresie światła widzialego iestety jest słaborozpuszczaly przedaway komercyjie pod azwą: PEDT:P BAYTR (H.C. TARK dawiej fragmet BAYER) obecie CLEVI RGAC (AGFA) Zawiesia woda PEDT oraz P (poly(styreesulfoate)) Po wyschięciu ierozpuszczaly PEDT:P ajprawdopodobiej ajczęściej stosoway polimer sprzęŝoy Wykorzystyway do pokrywaia trasparetych elektrod w orgaiczych diodach świecących oraz ogiwach słoeczych, trazystorach FET Wspomaga trasport dziur z (LED) i do (fotowoltaiki) elektrody Praca wyjścia (~5eV) zaleŝy od składu mieszaiy oraz preparatyki ciekiej warstwy Redukuje ierówości warstwy IT elektroda Al mieszaia polimerów PEDT:P szkło+it 4
5 politiofe Wzór strukturaly: Polimer o własościach półprzewodika typu p Zaczie bardziej stabily iŝ ie polimery sprzęŝoe (p. poliacetyle) Domieszkoway osiąga przewodictwo rzędu 10 3 /cm (przewodictwo miedzi 5x10 5 /cm) W temperaturze ~38K przechodzi w sta adprzewodzący Przepływ prądu powoduje emisję światła o barwie czerwoej łaborozpuszczaly Wzór strukturaly: Poli(3-alkil tiofey) R R=C H 2+1 Regioregularość: Poli(3-alkil tiofey) Metoda sytezy Rieke (JAmChemoc. 117(1995)233): 5
6 Własości optycze P3AT Absorpcja i fluorescecja polimer P3BT reg. P3BT ra. P3HT reg. P3HT ra. P3T reg. P3T ra. λ max abs. 449 m 428 m 456 m 428 m 451 m 428 m λ max flur.* 569 m 548 m 570 m 550 m 570 m 549 m *fluorescecja z roztworu w chloroformie (JAmChemoc. 117(1995)233) Absorpcja i fluorescecja z roztworu w P3HT (JAmChemoc. 117(1995)233) Przesuięcie w stroę iŝszych eergii świadczy o dłuŝszym zasięgu sprzęŝeia w polimerach regularych poli(3-heksyl tiofe) ajbardziej istoty z puku widzeia aplikacyjego przedstawiciel P3AT tosoway w trazystorach FET oraz ogiwach słoeczych (w mieszaiie z PCBM zarejestrowao ajwyŝszą wydajość ~ 5%) Charakteryzuje się jedą z ajwyŝszych wartości mobilości ładuku wśród P3AT Przepływ prądu powoduje lumiescecję o barwie czerwoej Wykazuje silą tedecję do krystalizacji kotrast fazowy topografia obraz AFM bezpośredio po wylaiu ciekiej warstwy rgaic Electroics 7(2006)514 obraz AFM po wygrzaiu ciekiej warstwy C Wzór strukturaly: H polipirol (PPy) H Pierwsza rodzia polimerów sprzęŝoych opisaa w 1963 roku (jeszcze przed odkryciem hirakawy) Przewodictwo rzędu 1/cm Wzór strukturaly: poli(para feyle) (PPP) tosoway w polimerowych diodach świecących 6
7 Wzór strukturaly: poliailia (PAI) H H y 1-y RozróŜiamy 5 róŝych staów (w zaleŝości od stopia utleieia): leucoemeraldie y= 1 (całkowicie zredukowaa) protoemeraldie emeraldie y= 0,5 igrailie perigrailie y= 0 (całkowicie utleioa) Historyczie pierwszy polimer przewodzący: 1840 rok syteza (Fritzsche) 1980 rok poowe odkrycie MacDarmid W zaleŝości od preparatyki przewodictwo PAI sięga 10 4 /cm i silie zaleŝy od częstotliwości (przy 250 tłumieie sięga 90%) adaje się do przetwarzaia w wysokich temperaturach jak i z roztworu Kompozyty z polimerami ieprzewodzącymi (p. P) wykazują przewodictwo juŝ przy zawartości PAI kilku % Wzór strukturaly: polifeyleowiyle (PPV) Historyczie pierwszy polimer dla którego zaobserwowao efekt elektrolumiescecji, emituje światło zieloe Rozpuszczale pochode PPV H 3 C MEH-PPV max. absorpcji 495 m max. fluorescecji 554 m Główe zastosowaie polimerowe diody LED BEHP-PPV max. absorpcji 400 m max. fluorescecji 476 m MDM-PPV pochode polifeyleowiyleu H 3 C tosoway w polimerowych ogiwach słoeczych (wydajość ~ 2,5%) C-PPV C 6H 13 C 6H 13 H 13 C 6 C C H 13C 6 Jede z iewielu polimerowych półprzewodików typu tosoway w polimerowych diodach LED oraz ogiwach słoeczych 7
8 poly(bezobisimidazobezopheathrolie) A. Babel,. Jeekhe J. Am. Chem. oc. 125(2003)13656 BBL i BBB półprzewodiki typu Wysokie powiowactwo elektroowe (~ 4eV) Przyłączają 2 elektroy a jede segmet Mobilość elektroów w BBL (~0,1cm 2 V -1 s -1 ) jest 5 rzędów wielkości większa iŝ w BBB BBL BBB Fulerey C 60 C 70 Fulerey dkryte 1985 (obel 1996) przez: Harold Kroto Robert Curl, Richard malley Ispiracją były badaia H. Kroto przemia węgla zachodzące w pobliŝu gwiazd Pierwsze fulerey powstawały w wyiku oświetlaia tarczy grafitowej laserem W 1990 r. W. Kratschmar i D. Huffma zapropoowali metodę sytezy poprzez spalaie węgla w łuku elektryczym w atmosferze helu Historyczie pierwszy raz strukturę fulereów zapropoował sawa (1970) azwa pochodzi od azwiska Richarda Buckmister Fullera 8
9 Fulerey Z puktu widzeia chemii zachowują się tak jak związki aromatycze Charakteryzują się duŝą stabilością łaborozpuszczale: tolue 3 mg/ml; chloroform 0,25 mg/ml; 1-chloroaftale 53 mg/ml Fulerey w warukach ormalych wykazują własości półprzewodika typu dległość między poziomami HM i LUM 1,7 ev Domieszkowae przechodzą w sta adprzewodzący w temp. 42 K W elektroice molekularej zajdują zastosowaie w diodach LED oraz ogiwach słoeczych jako ośiki elektroów Modelowe obliczeia struktury elektroowej fulereów (HM-przybliŜeie Huckela) Peła azwa: fulere C60(70) modyfikoway estrem kwasu masłowego (ag. [6,6]-pheyl-C61-butyric acid methyl ester) Wzór strukturaly: PCBM [60]PCBM [70]PCBM Łatworozpuszczale w chloroformie Własości elektrooptycze typowe dla fulereów W elektroice molekularej zajdują zastosowaie w diodach LED oraz ogiwach słoeczych jako ośiki elektroów Podsumowaie 9
10 Podsumowaie Metody sytezy związków orgaiczych pozwalają a tworzeie półprzewodików orgaiczych o zadaych własościach mechaiczych i elektrooptyczych ajprostsze makromolekuły sprzęŝoe są mało przydate z techologiczego puktu widzeia Dołączaie grup boczych zwiększa rozpuszczalość modyfikuje zarazem własości elektrooptycze molekuł w rozpuszczalikach oraz w fazie skodesowaej Ie metody uzdatiaia polimerów sprzęŝoych to p. syteza prekursorów rozpuszczalych lub zawiesi Większość polimerów sprzęŝoych wykazuje przewodictwo typu dziurowego astępym razem Grafe i ie odmiay węgla 10
Zjawiska kontaktowe. Pojęcia.
Zjawiska kotaktowe. Pojęcia. Próżia, E vac =0 Φ m W Φ s χ E c µ E v metal półprzewodik W praca przeiesieia elektrou z da pasma przewodictwa do próżi, bez zwiększaia jego eergii kietyczej (którą ma zerową).
Zadanie domowe: kiedy pole elektryczne jest słabe, a kiedy silne?
Zadaie domowe: kiedy pole elektrycze jest słabe, a kiedy sile? Wersje rozwiązań: Wersja z polem magetyczym; Wersja z kaciastym wykresem; Wersja bez kaciastego wykresu, ale z asyceiem; Wersja z porówaiem
Wykład XI. Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation (LASER) laser półprzewodnikowy
Wykład XI Light Amplificatio by Stimulated Emissio of Radiatio (LASER) laser półprzewodikowy Emisja spotaicza Emisja spotaicza i wymuszoa Fotoy emitowae są we wszystkich kierukach z jedakowym prawdopodobieństwem
PÓŁPRZEWODNIKI W ELEKTRONICE. Powszechnie uważa się, że współczesna elektronika jest elektroniką półprzewodnikową.
PÓŁPRZEWODNIKI W ELEKTRONICE Powszechie uważa się, że wsółczesa elektroika jest elektroiką ółrzewodikową. 1 Półrzewodiki Półrzewodiki to ciała stałe ieorgaicze lub orgaicze o rzewodictwie elektryczym tyu
BADANIE CHARAKTERYSTYKI DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWEJ
Ćwiczeie 47 BADANIE CHARAKTERYSTYKI DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWEJ 47.. Wiadomości ogóle Dla zrozumieia elektryczych właściwości ciał stałych koiecze jest pozaie praw rządzących elektroami wewątrz tych ciał.
Elektrochemiczne otrzymywanie i badanie przewodności warstw polianiliny.
Elektrochemicze otrzymywaie i badaie przewodości warstw poliailiy. Cel ćwiczeia: 1. Celem ćwiczeia jest przeprowadzeie sytezy poliailiy metodą elektrochemiczą i zapozaie się z podstawowymi właściwościami
Polifosfazeny. Harry R. Allcock The Pennsylvania State University
olifosfazey Klasa polimerów ieorgaiczych o uikalych możliwościach programowaia struktury w celu osiągięcia pożądaych właściwości pozwalających a aplikacje w ogromej ilości dziedzi. Harry R. Allcock The
Organiczne ogniwa słonecznes. Ogniwa półprzewodnikowe. p przewodnikowe zasada ania. Charakterystyki fotoogniwa
j Elektronika plastikowa i organiczna Organiczne ogniwa słonecznes Ogniwa półprzewodnikowe p przewodnikowe zasada działania ania Charakterystyki fotoogniwa współczynnik wypełnienia, wydajność Moc w obwodzie
Chemia Teoretyczna I (6).
Chemia Teoretycza I (6). NajwaŜiejsze rówaia róŝiczkowe drugiego rzędu o stałych współczyikach w chemii i fizyce cząstka w jedowymiarowej studi potecjału Cząstka w jedowymiarowej studi potecjału Przez
Wykład IV. Półprzewodniki samoistne i domieszkowe
Wykład IV Półprzewodniki samoistne i domieszkowe Półprzewodniki (Si, Ge, GaAs) Konfiguracja elektronowa Si : 1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 2 = [Ne] 3s 2 3p 2 4 elektrony walencyjne Półprzewodnik samoistny Talent
Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i Techniki Wysokich Napięć. Dr hab.
Politechika Lubelska Wydział Elektrotechiki i Iformatyki Katedra Urządzeń Elektryczych i Techiki Wysokich Napięć Dr hab. Paweł Żukowski Pierwiastek DEg C (diamet) 7,0 ev Si 1,1 ev Ge 0,7 ev S (szara cya)
ELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKADMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWI Wydział Iformatyki, lektroiki i Telekomuikacji Katedra lektroiki LMNTY LKTRONICZN dr iż. Piotr Dziurdzia aw. C-, okój 41; tel. 617-7-0, iotr.dziurdzia@agh.edu.l
Organiczne diody świecące ce (OLED) Tydzień temu. OLED technologia na dziś
Elektronika plastikowa i organiczna Organiczne diody świecące ce (OLED) Tydzień temu 1. W tranzystorze polowym przepływ prądu między źródłem i drenem zaleŝy od potencjału przyłoŝonego do bramki 2. Zmiana
S. Baran - Podstawy fizyki materii skondensowanej Półprzewodniki. Półprzewodniki
Półprzewodniki Definicja i własności Półprzewodnik materiał, którego przewodnictwo rośnie z temperaturą (opór maleje) i w temperaturze pokojowej wykazuje wartości pośrednie między przewodnictwem metali,
Repeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n
Repeta z wykładu nr 5 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Politechnika Poznańska
Politechika Pozańska Temat: Laboratorium z termodyamiki Aaliza składu spali powstałych przy spalaiu paliw gazowych oraz pomiar ich prędkości przepływu za pomocą Dopplerowskiego Aemometru Laserowego (LDA)
Model Bohra atomu wodoru
Model Bohra atomu wodoru Widma liiowe pierwiastków. wodór hel eo tle węgiel azot sód Ŝelazo Aby odpowiedzieć a pytaie dlaczego wodór i ie pierwiastki ie emitują wszystkich częstotliwości fal elektromagetyczych
6. Emisja światła, diody LED i lasery polprzewodnikowe
6. Emisja światła, diody LED i lasery polprzewodnikowe Typy rekombinacji Rekombinacja promienista Diody LED Lasery półprzewodnikowe Struktury niskowymiarowe OLEDy 1 Promieniowanie termiczne Rozkład Plancka
Sprzęganie światłowodu z półprzewodnikowymi źródłami światła (stanowisko nr 5)
Wojciech Niwiński 30.03.2004 Bartosz Lassak Wojciech Zatorski gr.7lab Sprzęganie światłowodu z półprzewodnikowymi źródłami światła (stanowisko nr 5) Zadanie laboratoryjne miało na celu zaobserwowanie różnic
Urządzenia półprzewodnikowe
Urządzenia półprzewodnikowe Diody: - prostownicza - Zenera - pojemnościowa - Schottky'ego - tunelowa - elektroluminescencyjna - LED - fotodioda półprzewodnikowa Tranzystory - tranzystor bipolarny - tranzystor
Przyrządy półprzewodnikowe część 5
Przyrządy półprzewodikowe część 5 Prof. Zbigiew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodikowych i Optoelektroiczych pokój: 116 e-mail: zbigiew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA E&T
W1. Właściwości elektryczne ciał stałych
W1. Właściwości elektryczne ciał stałych Względna zmiana oporu właściwego przy wzroście temperatury o 1 0 C Materiał Opór właściwy [m] miedź 1.68*10-8 0.0061 żelazo 9.61*10-8 0.0065 węgiel (grafit) 3-60*10-3
WYKŁAD 6 TRANZYSTORY POLOWE
WYKŁA 6 RANZYSORY POLOWE RANZYSORY POLOWE ZŁĄCZOWE (Juctio Field Effect rasistors) 55 razystor polowy złączowy zbudoway jest z półprzewodika (w tym przypadku typu p), w który wdyfudowao dwa obszary bramki
Skończona studnia potencjału
Skończona studnia potencjału U = 450 ev, L = 100 pm Fala wnika w ściany skończonej studni długość fali jest większa (a energia mniejsza) Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach
E Z m c N m c Mc A Z N. J¹dro atomowe Wielkoœci charakteryzuj¹ce j¹dro atomowe. Neutron
J¹dro atomowe Wielkoœci charakteryzuj¹ce j¹dro atomowe liczba masowa Zliczba porz¹dkowa pierwiastka w uk³adzie okresowym - liczba eutroów Z X Z R 3 3 /, 3 cm eutro Schemat rozpadu swobodego eutrou p e
Przewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki
Przewodność elektryczna ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności
Ciała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz
Ciała stałe Podstawowe własności ciał stałych Struktura ciał stałych Przewodnictwo elektryczne teoria Drudego Poziomy energetyczne w krysztale: struktura pasmowa Metale: poziom Fermiego, potencjał kontaktowy
Termodynamika defektów sieci krystalicznej
Termodyamika defektów sieci krystaliczej Defekty sieci krystaliczej puktowe (wakasje, atomy międzywęzłowe, obce atomy) jedowymiarowe (dyslokacje krawędziowe i śrubowe) dwuwymiarowe (graice międzyziarowe,
= arc tg - eliptyczność. Polaryzacja światła. Prawo Snelliusa daje kąt. Co z amplitudą i polaryzacją? Drgania i fale II rok Fizyka BC
4-0-0 G:\AA_Wyklad 000\FIN\DOC\Polar.doc Drgaia i fale II rok Fizyka C Polaryzacja światła ( b a) arc tg - eliptyczość Prawo Selliusa daje kąt. Co z amplitudą i polaryzacją? 4-0-0 G:\AA_Wyklad 000\FIN\DOC\Polar.doc
Teoria pasmowa ciał stałych Zastosowanie półprzewodników
Teoria pasmowa ciał stałych Zastosowanie półprzewodników Model atomu Bohra Niels Bohr - 1915 elektrony krążą wokół jądra jądro jest zbudowane z: i) dodatnich protonów ii) neutralnych neutronów Liczba atomowa
Informacje ogólne. 45 min. test na podstawie wykładu Zaliczenie ćwiczeń na podstawie prezentacji Punkty: test: 60 %, prezentacja: 40 %.
Informacje ogólne Wykład 28 h Ćwiczenia 14 Charakter seminaryjny zespołu dwuosobowe ~20 min. prezentacje Lista tematów na stronie Materiały do wykładu na stronie: http://urbaniak.fizyka.pw.edu.pl Zaliczenie:
Skalowanie układów scalonych
Skalowanie układów scalonych Technologia mikroelektroniczna Charakterystyczne parametry najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna
Przerwa energetyczna w germanie
Ćwiczenie 1 Przerwa energetyczna w germanie Cel ćwiczenia Wyznaczenie szerokości przerwy energetycznej przez pomiar zależności oporu monokryształu germanu od temperatury. Wprowadzenie Eksperymentalne badania
Elektryczne własności ciał stałych
Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności elektryczne trzeba zdefiniować kilka wielkości Oporność właściwa (albo przewodność) ładunek [C] = 1/
Przyrządy i układy półprzewodnikowe
Przyrządy i układy półprzewodnikowe Prof. dr hab. Ewa Popko ewa.popko@pwr.edu.pl www.if.pwr.wroc.pl/~popko p.231a A-1 Zawartość wykładu Wy1, Wy2 Wy3 Wy4 Wy5 Wy6 Wy7 Wy8 Wy9 Wy10 Wy11 Wy12 Wy13 Wy14 Wy15
Zjawiska kontaktowe. Pojęcia.
Zjawiska kotaktowe Zjawiska kotaktowe. Pojęcia. metal Φ M W W raca rzeiesieia elektrou z da asma rzewodictwa do różi, bez zwiększaia jego eergii kietyczej (którą ma zerową). Używa się tylko dla metalu.
IM Eksperymentalne wyznaczenie wartości podstawowego kwantu przewodności.
IM - 5 BADANIE PRZEWODNOŚCI ELEKTRYCZNEJ NANODRUTÓW Cel ćwiczeia Eksperymetale wyzaczeie wartości podstawowego kwatu przewodości.. Wstęp teoretyczy. Klasycza teoria przewodictwa Ruch elektroów przewodictwa
SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force
SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force Microscopy Mikroskopia siły atomowej MFM Magnetic Force Microscopy
!!!DEL są źródłami światła niespójnego.
Dioda elektroluminescencyjna DEL Element czynny DEL to złącze p-n. Gdy zostanie ono spolaryzowane w kierunku przewodzenia, to w obszarze typu p, w warstwie o grubości rzędu 1µm, wytwarza się stan inwersji
ELEKTROGRAWIMETRIA. Warunki jakie musi spełniać osad analitu na elektrodzie
ELEKTROGRAWIETRIA Zasada ozaczaia polega a wydzieleiu aalitu w procesie elektrolizy w postaci osadu a elektrodzie roboczej ( katodzie lub aodzie) i wagowe ozaczeie masy osadu z przyrostu masy elektrody
Przyrządy półprzewodnikowe część 5
Przyrządy półprzewodikowe część 5 Prof. Zbigiew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodikowych i Optoelektroiczych pokój: 116 e-mail: zbigiew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA E&T
L E D light emitting diode
Elektrotechnika Studia niestacjonarne L E D light emitting diode Wg PN-90/E-01005. Technika świetlna. Terminologia. (845-04-40) Dioda elektroluminescencyjna; dioda świecąca; LED element półprzewodnikowy
Kwantowa natura promieniowania
Kwantowa natura promieniowania Promieniowanie ciała doskonale czarnego Ciało doskonale czarne ciało, które absorbuje całe padające na nie promieniowanie bez względu na częstotliwość. Promieniowanie ciała
Ćwiczenie 10/11. Holografia syntetyczna - płytki strefowe.
Ćwiczeie 10/11 Holografia sytetycza - płytki strefowe. Wprowadzeie teoretycze W klasyczej holografii optyczej, gdzie hologram powstaje w wyiku rejestracji pola iterferecyjego, rekostruuje się jedyie takie
Nowe kierunki rozwoju technologii superkondensatorów
Nowe kierunki rozwoju technologii superkondensatorów Radosław Kuliński Instytut Elektrotechniki, Oddział Technologii i Materiałoznawstwa Elektrotechnicznego we Wrocławiu Politechnika Wrocławska, Instytut
Teoria pasmowa. Anna Pietnoczka
Teoria pasmowa Anna Pietnoczka Opis struktury pasmowej we współrzędnych r, E Zmiana stanu elektronów przy zbliżeniu się atomów: (a) schemat energetyczny dla atomów sodu znajdujących się w odległościach
Rentgenowska analiza fazowa jakościowa i ilościowa Wykład 9
Retgeowska aaliza fazowa jakościowa i ilościowa Wykład 9 1. Retgeowska aaliza fazowa jakościowa i ilościowa. 2. Metody aalizy fazowej ilościowej. 3. Dobór wzorca w aalizie ilościowej. 4. Przeprowadzeie
Dlaczego przewodzą? cz. III wstrzykiwanie i transport ładunku. Na poprzednim wykładzie. adzie
lektronika plastikowa i organiczna Dlaczego przewodzą? cz. III wstrzykiwanie i transport ładunku Na poprzednim wykładzie adzie 1. Ze względu na defekty funkcja falowa zdelokalizowanego elektronu jest ograniczona
n n 1 2 = exp( ε ε ) 1 / kt = exp( hν / kt) (23) 2 to wzór (22) przejdzie w następującą równość: ρ (ν) = B B A / B 2 1 hν exp( ) 1 kt (24)
n n 1 2 = exp( ε ε ) 1 / kt = exp( hν / kt) (23) 2 to wzór (22) przejdzie w następującą równość: ρ (ν) = B B A 1 2 / B hν exp( ) 1 kt (24) Powyższe równanie określające gęstość widmową energii promieniowania
Organiczne ogniwa słonecznes. Tydzień temu. Energia słonecznas
Elektronika plastikowa i organiczna Organiczne ogniwa słonecznes Tydzień temu 1. W diodach LED wykoanaych z półprzewodników nieorganicznych rekombinacja promienista zachodzi w obszarze złącza 2. W jednowarstwowych
Refraktometria. sin β
Refraktometria Podstawy teoretycze Wielkością o dość duŝym zaczeiu idetyfikacji związków chemiczych jest współczyik załamaia światła zway iekiedy współczyikiem refrakcji. Współczyik załamaia światła jest
Czym jest prąd elektryczny
Prąd elektryczny Ruch elektronów w przewodniku Wektor gęstości prądu Przewodność elektryczna Prawo Ohma Klasyczny model przewodnictwa w metalach Zależność przewodności/oporności od temperatury dla metali,
WYZNACZANIE STAŁEJ PLANCKA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH. Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska
1 II PRACOWNIA FIZYCZNA: FIZYKA ATOMOWA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie
Rekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja
Rekapitulacja Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje: czwartek
Skalowanie układów scalonych Click to edit Master title style
Skalowanie układów scalonych Charakterystyczne parametry Technologia mikroelektroniczna najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna
Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane
Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Półprzewodnik typu n IV-Ge V-As Jeżeli pięciowartościowy atom V-As zastąpi w sieci atom IV-Ge to cztery elektrony biorą udział w wiązaniu kowalentnym,
Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 23 Półprzewodniki
i elementy z półprzewodników homogenicznych część II
Półprzewodniki i elementy z półprzewodników homogenicznych część II Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Sensory organiczne. Tydzień temu. Czujniki kształtu tu i nacisku
Elektronika plastikowa i organiczna Sensory organiczne Tydzień temu Zasada działania fotoogniwa opiera się na separacji ładunków tworzących ekscytony powstające pod wpływem padającego promieniowania Charakterystyka
Pierwiastki bloku s 1. metale wyjątkowo reaktywne, silne reduktory, występują głównie w postaci związków chemicznych; 2. wraz ze wzrostem liczby
Pieriastki bloku s 1. etale yjątkoo reaktye, sile reduktory, ystępują głóie postaci ziązkó ceiczyc;. raz ze zroste liczby atooej zrasta zdolość do joizacji, która oże być yołaa czyikai ceiczyi reakcja
Repeta z wykładu nr 6. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Metal-półprzewodnik
Repeta z wykładu nr 6 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 - kontakt omowy
Organiczne tranzystory polowe. cz. I. Poprzednio. Złącze
Elektronika plastikowa i organiczna Organiczne tranzystory polowe cz. I Poprzednio Samoorganizacja jest interesującą alternatywą dla współczesnych technologii Samoorganizacja czyli: krystalizacja, separacja
TRANZYSTORY POLOWE JFET I MOSFET
POLTECHNKA RZEZOWKA Kaedra Podsaw Elekroiki srukcja Nr5 F 00/003 sem. lei TRANZYTORY POLOWE JFET MOFET Cel ćwiczeia: Pomiar podsawowych charakerysyk i wyzaczeie paramerów określających właściwości razysora
opracowała: mgr inż. Ewelina Nowak
Materiały dydaktycze a zajęcia wyrówawcze z chemii dla studetów pierwszego roku kieruku zamawiaego żyieria Środowiska w ramach projektu Era iżyiera pewa lokata a przyszłość opracowała: mgr iż. Ewelia Nowak
STRUKTURA PASM ENERGETYCZNYCH
PODSTAWY TEORII PASMOWEJ Struktura pasm energetycznych Teoria wa Struktura wa stałych Półprzewodniki i ich rodzaje Półprzewodniki domieszkowane Rozkład Fermiego - Diraca Złącze p-n (dioda) Politechnika
Zjawisko Halla Referujący: Tomasz Winiarski
Plan referatu Zjawisko Halla Referujący: Tomasz Winiarski 1. Podstawowe definicje ffl wektory: E, B, ffl nośniki ładunku: elektrony i dziury, ffl podział ciał stałych ze względu na własności elektryczne:
1. Podstawowa struktura tranzystora bipolarnego
RAZYSORY POLAR SMK WYKŁAD 8 a pdstw.: W. Marciiak, W 1978, Przyrządy półprzewodikowe i układy scaloe razystor elemet trasformujący rezystację (trioda 1948 ardee, ratai trazystor ostrzowy). razystor warstwowy
Zjawiska zachodzące w roztworach. Równowagi jonowe w wodnych roztworach elektrolitów. Rozpuszczanie. Rozpuszczanie w wyniku reakcji chemicznej
Zjawiska zachodzące w roztworach rozpuszczaie dyfuzja osoza dysocjacja hydratacja hydroliza Rówowagi joowe w wodych roztworach elektrolitów dysocjacja elektrolitów stała i stopień dysocjacji prawo rozcieńczeń
ELEMENTY OPTYKI GEOMETRYCZNEJ
ELEMENTY OPTYKI GEOMETRYCZNEJ Optyka to dział fizyki, zajmujący się badaiem atury światła, początkowo tylko widzialego, a obecie rówież promieiowaia z zakresów podczerwiei i adfioletu. Optyka - geometrycza
Błędy kwantyzacji, zakres dynamiki przetwornika A/C
Błędy kwatyzacji, zakres dyamiki przetworika /C Celem ćwiczeia jest pozaie wpływu rozdzielczości przetworika /C a błąd kwatowaia oraz ocea dyamiki układu kwatującego. Kwatowaie przyporządkowaie kolejym
Fizyka 3.3. prof.dr hab. Ewa Popko p.231a
Fizyka 3.3 prof.dr hab. Ewa Popko www.if.pwr.wroc.pl/~popko ewa.popko@pwr.edu.pl p.231a Fizyka 3.3 Literatura 1.J.Hennel Podstawy elektroniki półprzewodnikowej WNT Warszawa 1995. 2.W.Marciniak Przyrządy
Ćwiczenie 1: Wyznaczanie warunków odporności, korozji i pasywności metali
Ćwiczenie 1: Wyznaczanie warunków odporności, korozji i pasywności metali Wymagane wiadomości Podstawy korozji elektrochemicznej, wykresy E-pH. Wprowadzenie Główną przyczyną zniszczeń materiałów metalicznych
SIARKA. (S, łac. sulphur)
SIARKA (S, łac. sulphur) -iemetal aleŝący do 6 grupy główej. Izotopy stabile siarki to 32 S, 33 S, 34 S i 36 S. Siarka jest iezbęda do Ŝycia. Wchodzi w skład dwóch amiokwasów kodowaych - metioiy i cysteiy
W5. Rozkład Boltzmanna
W5. Rozkład Boltzmanna Podstawowym rozkładem w klasycznej fizyce statystycznej jest rozkład Boltzmanna E /( kt ) f B ( E) Ae gdzie: A jest stałą normalizacyjną, k stałą Boltzmanna 5 k 8.61710 ev / K Został
Politechnika Gdańska Wydział Chemiczny. Katedra Technologii Chemicznej
Politechika Gdańska Wydział Chemiczy Katedra Techologii Chemiczej Elektrochemia w Ochroie Środowiska: Redukcja Cr(VI) do Cr(III) za pomocą elektrody polimerowej. Przygotowała: Moika Wilamowska Wstęp teoretyczy.
Struktura pasmowa ciał stałych
Struktura pasmowa ciał stałych dr inż. Ireneusz Owczarek CMF PŁ ireneusz.owczarek@p.lodz.pl http://cmf.p.lodz.pl/iowczarek 2012/13 Spis treści 1. Pasmowa teoria ciała stałego 2 1.1. Wstęp do teorii..............................................
1 Źródła i detektory. I. Badanie charakterystyki spektralnej nietermicznych źródeł promieniowania elektromagnetycznego
1 I. Badanie charakterystyki spektralnej nietermicznych źródeł promieniowania elektromagnetycznego Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyki spektralnej nietermicznego źródła promieniowania (dioda LD
Repeta z wykładu nr 3. Detekcja światła. Struktura krystaliczna. Plan na dzisiaj
Repeta z wykładu nr 3 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
OPTYKA. Leszek Błaszkieiwcz
OPTYKA Leszek Błaszkieiwcz Ojcem optyki jest Witelon (1230-1314) Zjawisko odbicia fal promień odbity normalna promień padający Leszek Błaszkieiwcz Rys. Zjawisko załamania fal normalna promień padający
Przetworniki analogowo-cyfrowe i cyfrowo- analogowe
Przetworiki aalogowo-cyfrowe i cyfrowo- aalogowe 14.1. PRZETWORNIKI C/A Przetworik cyfrowo-aalogowy (ag. Digital-to-Aalog Coverter) jest to układ przetwarzający dyskrety sygał cyfrowy a rówowaŝy mu sygał
Elektronika z plastyku
Elektronika z plastyku Adam Proń 1,2 i Renata Rybakiewicz 2 1 Komisariat ds Energii Atomowej, Grenoble 2 Wydział Chemiczny Politechniki Warszawskiej Elektronika krzemowa Krzem Jan Czochralski 1885-1953
Badanie charakterystyki diody
Badanie charakterystyki diody Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowo napięciowych różnych diod półprzewodnikowych. Wstęp Dioda jest jednym z podstawowych elementów elektronicznych,
SPRAWDZIAN NR 1. wodoru. Strzałki przedstawiają przejścia pomiędzy poziomami. Każde z tych przejść powoduje emisję fotonu.
SRAWDZIAN NR 1 IMIĘ I NAZWISKO: KLASA: GRUA A 1. Uzupełnij tekst. Wpisz w lukę odpowiedni wyraz. Energia, jaką w wyniku zajścia zjawiska fotoelektrycznego uzyskuje elektron wybity z powierzchni metalu,
Elektrony i dziury w półprzewodnikach
1 lektroy i dziury w ółrzewodikach Atomy i rdzeie atomowe Si oraz Ge Si oraz Ge ależą do gruy IV układu okresowego ierwiastków. Mają o 4 zewętrze elektroy. Tylko zewętrze elektroy uczesticzą w tworzeiu
Przejścia promieniste
Przejście promieniste proces rekombinacji elektronu i dziury (przejście ze stanu o większej energii do stanu o energii mniejszej), w wyniku którego następuje emisja promieniowania. E Długość wyemitowanej
Seria 2, ćwiczenia do wykładu Od eksperymentu do poznania materii
Seria 2, ćwiczenia do wykładu Od eksperymentu do poznania materii 8.1.21 Zad. 1. Obliczyć ciśnienie potrzebne do przemiany grafitu w diament w temperaturze 25 o C. Objętość właściwa (odwrotność gęstości)
Właściwości optyczne. Oddziaływanie światła z materiałem. Widmo światła widzialnego MATERIAŁ
Właściwości optyczne Oddziaływanie światła z materiałem hν MATERIAŁ Transmisja Odbicie Adsorpcja Załamanie Efekt fotoelektryczny Tradycyjnie właściwości optyczne wiążą się z zachowaniem się materiałów
Plan wykładu. 1. Budowa monitora LCD 2. Zasada działania monitora LCD 3. Podział matryc ciekłokrystalicznych 4. Wady i zalety monitorów LCD
Plan wykładu 1. Budowa monitora LCD 2. Zasada działania monitora LCD 3. Podział matryc ciekłokrystalicznych 4. Wady i zalety monitorów LCD Monitor LCD Monitor LCD (ang. Liquid Crystal Display) Budowa monitora
PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 15/15
PL 226438 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 226438 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 406862 (22) Data zgłoszenia: 16.01.2014 (51) Int.Cl.
Wykład XIV: Właściwości optyczne. JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Technologii Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych
Wykład XIV: Właściwości optyczne JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Technologii Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych Treść wykładu: Treść wykładu: 1. Wiadomości wstępne: a) Załamanie
Przewodnictwo elektryczne ciał stałych. Fizyka II, lato
Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Fizyka II, lato 2016 1 Własności elektryczne ciał stałych Komputery, kalkulatory, telefony komórkowe są elektronicznymi urządzeniami półprzewodnikowymi wykorzystującymi
Widmo promieniowania elektromagnetycznego
Widmo promieiowaia elektromagetyczego Czułość oka człowieka Płaska fala elektromagetycza w próżi Ciało doskoale czare Prawo promieiowaia Kirchhoffa: Stosuek zdolości emisyjej do zdolości absorpcyjej jest
Widmo promieniowania elektromagnetycznego Czułość oka człowieka
dealna charakterystyka prądowonapięciowa złącza p-n ev ( V ) = 0 exp 1 kbt Przebicie złącza przy polaryzacji zaporowej Przebicie Zenera tunelowanie elektronów przez wąską warstwę zaporową w złączu silnie
Równowaga reakcji chemicznej
Rówowaga reakcji chemiczej Sta i stała rówowagi reakcji chemiczej (K) Reakcje dysocjacji Stopień dysocjacji Prawo rozcieńczeń Ostwalda utodysocjacja wody p roztworów p roztworów. p roztworów mocych elektrolitów
The role of band structure in electron transfer kinetics at low dimensional carbons
The role of band structure in electron transfer kinetics at low dimensional carbons Paweł Szroeder Instytut Fizyki, Uniwersytet Mikołaja Kopernika, ul. Grudziądzka 5/7, 87-100 Toruń, Poland Reakcja przeniesienia
Materiał ćwiczeniowy z matematyki Marzec 2012
Materiał ćwiczeiowy z matematyki Marzec 0 Klucz puktowaia do zadań zamkiętych oraz schemat oceiaia do zadań otwartych POZIOM PODSTAWOWY Marzec 0 Klucz puktowaia do zadań zamkiętych Nr zad 3 5 6 7 8 9 0
Optymalizacja sieci powiązań układu nadrzędnego grupy kopalń ze względu na koszty transportu
dr hab. iż. KRYSTIAN KALINOWSKI WSIiZ w Bielsku Białej, Politechika Śląska dr iż. ROMAN KAULA Politechika Śląska Optymalizacja sieci powiązań układu adrzędego grupy kopalń ze względu a koszty trasportu
(opracował Leszek Szczepaniak)
ĆWICZENIE NR 3 POMIARY POŁOśENIA I PRZEMIESZCZEŃ LINIOWYCH I KĄTOWYCH (opracował Leszek Szczepaiak) Cel i zakres ćwiczeia Celem ćwiczeia jest praktycze zapozaie się z metodami pomiarowymi i czujikami do
Przewodnictwo elektryczne ciał stałych
Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Fizyka II, lato 2011 1 Własności elektryczne ciał stałych Komputery, kalkulatory, telefony komórkowe są elektronicznymi urządzeniami półprzewodnikowymi wykorzystującymi
Metoda Elementów Skończonych
Metoda Elementów Skończonych Prowadzący: dr hab. Tomasz Stręk Wykonali: Oguttu Alvin Wojciechowska Klaudia MiBM /semestr VII / IMe Poznań 2013 Projekt MES Strona 1 SPIS TREŚCI 1. Ogrzewanie laserowe....3