Materiały czyli z czego to jest zrobione. Poprzednio. Termiczna emisja elektronów w z metalu

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Materiały czyli z czego to jest zrobione. Poprzednio. Termiczna emisja elektronów w z metalu"

Transkrypt

1 Elektroika plastikowa i orgaicza Materiały czyli z czego to jest zrobioe Poprzedio 1. tay wzbudzoe w półprzewodikach molekularych (ekscytoy, polaroy i ie) 2. Model swobodych elektroów eergia Fermiego, rozkład Fermiego 3. Model prawie swobodych elektroów struktura pasmowa (struktura pasmowa poliacetyleu) 4. Model przewodictwa Drudego 5. Metody pomiaru ruchliwości ośików ładuku (metoda trazystora FET, metoda czasu przelotu) 6. Typowe zaleŝości µ od pola oraz temperatury 7. Modele opisujące trasport w półprzewodikach molekularych 8. Wstrzykiwaie ładuku rodzaje kotaktów 9. Termoemisja elektroów z powierzchi metalu 10. Modele wstrzykiwaia ładuków Termicza emisja elektroów w z metalu Gęstość prądu: v prędkość uoszeia składowa w kieruku x: gdzie kocetracja ośików, e ładuek elektrou, pamiętając Ŝe: w wysokich temperaturach rozkład Fermiego moŝa przybliŝyć rozkładem Boltzmaa: 1

2 Termicza emisja elektroów w z metalu bliczamy ostatią całkę: wartość prądu emitowaego z powierzchi metalu: w obecości pola elektryczego aleŝy dodać poprawkę: Wstrzykiwaie ładuków Model klasyczy: gdy mobilość ośików ładuku jest wysoka (µ>10-3 m 2 V -1 s -1 ) dla iskiej ruchliwości ładuków aleŝy uwzględić efekty ładowaia się obszaru złącza oraz pojawieie się prądu wsteczego (wstrzykiwaie dyfuzyjie ograiczoe) gdzie V efektywa gęstość staów Model przeskoków: potecjał elektrostatyczy: g(e) fukcja gęstości staów, w esc prawdopodobieństwo całkowitej ucieczki Półprzewodiki ieorgaicze Materiały półprzewodikowe: krzem i (trazystory, układy scaloe, procesory) kryształy pierwiastków z grup III i IV AsGa (LED, układy wysokich częstości) krzem amorficzy (urządzeia fotowoltaicze) germa (wspomiay ze względów historyczych) Cechy: szerokość przerwy eergetyczej ~ ev wysoka mobilość ładuków, krótkie czasy przełączaia (przy odpowiedim domieszkowaiu) wysokie koszty wytwarzaia (mookryształy duŝej czystości) skomplikowae metody obróbki 2

3 Właściwa azwa: poliety Występuje w dwóch formach: cis poliacetyle forma iestabila, pod wpływem temperatury oraz światła przechodzi w formę tras tras forma stabila, domieszkoway wykazuje wysokie przewodictwo elektrycze (zbliŝoe do srebra) W 1976 pokazao, Ŝe po utleieiu za pomocą jodu poliacetyle zwiększa swe przewodictwo o 8 rzędów wielkości za co w 2000 roku Ala J. Heeger, Ala G MacDiarmid i Hideki hirakawa otrzymali agrodę obla z chemii (liki do wykładów oblowskich a stroach wykładu) poliacetyle Ze względu a trudości w przetwarzaiu oraz słabą odporość a waruki zewętrze poliacetyle ma iewielkie zaczeie praktycze Prosta budowa cząsteczki powoduje, Ŝe jest o bardzo atrakcyjy z modelowego puktu widzeia (dyskutowaliśmy strukturę pasmową w modelu prawie swobodych elektroów) truktura krystalicza moŝliwe ułoŝeia łańcuchów: Badaia krystalograficze wskazują a uporządkowaie typu c lub d (olid tate Comm. 83:179 (1992), Phys. Rev. B 32:4060 (1985)) poliacetyle W zaleŝości od metody sytezy poliacetyle powstaje w formie proszku lub foli, które ie adają się do dalszego przetwarzaia (są ierozpuszczale, ie ulegają stopieiu w akceptowalym zakresie temperatur) Metody obejścia problemu przetwarzaia: syteza rozpuszczalego prekursora, który pod wpływem ciepła przechodzi w poliacetyle (rys. a) dołączaie łańcuchów poliacetyleu do iych polimerów łatworozpuszczalych (rys. b) a) CF 3 b) F 3 C F 3 C RMP F 3 C cieplo H 3 C CH3 3

4 PEDT/PEDT azwa: poli(3,4-etyleo-1,4-dioksytiofe) Jede z ajtrwalszych polimerów przewodzących Przy iskim apięciu zachowuje się jak przewodik przy wysokim jak półprzewodik z wąskim pasmem przewodictwa Wykazuje własości elektrochromowe (zmieia barwę pod wpływem przepływu prądu elektryczego) Jest przeźroczysty w zakresie światła widzialego iestety jest słaborozpuszczaly przedaway komercyjie pod azwą: PEDT:P BAYTR (H.C. TARK dawiej fragmet BAYER) obecie CLEVI RGAC (AGFA) Zawiesia woda PEDT oraz P (poly(styreesulfoate)) Po wyschięciu ierozpuszczaly PEDT:P ajprawdopodobiej ajczęściej stosoway polimer sprzęŝoy Wykorzystyway do pokrywaia trasparetych elektrod w orgaiczych diodach świecących oraz ogiwach słoeczych, trazystorach FET Wspomaga trasport dziur z (LED) i do (fotowoltaiki) elektrody Praca wyjścia (~5eV) zaleŝy od składu mieszaiy oraz preparatyki ciekiej warstwy Redukuje ierówości warstwy IT elektroda Al mieszaia polimerów PEDT:P szkło+it 4

5 politiofe Wzór strukturaly: Polimer o własościach półprzewodika typu p Zaczie bardziej stabily iŝ ie polimery sprzęŝoe (p. poliacetyle) Domieszkoway osiąga przewodictwo rzędu 10 3 /cm (przewodictwo miedzi 5x10 5 /cm) W temperaturze ~38K przechodzi w sta adprzewodzący Przepływ prądu powoduje emisję światła o barwie czerwoej łaborozpuszczaly Wzór strukturaly: Poli(3-alkil tiofey) R R=C H 2+1 Regioregularość: Poli(3-alkil tiofey) Metoda sytezy Rieke (JAmChemoc. 117(1995)233): 5

6 Własości optycze P3AT Absorpcja i fluorescecja polimer P3BT reg. P3BT ra. P3HT reg. P3HT ra. P3T reg. P3T ra. λ max abs. 449 m 428 m 456 m 428 m 451 m 428 m λ max flur.* 569 m 548 m 570 m 550 m 570 m 549 m *fluorescecja z roztworu w chloroformie (JAmChemoc. 117(1995)233) Absorpcja i fluorescecja z roztworu w P3HT (JAmChemoc. 117(1995)233) Przesuięcie w stroę iŝszych eergii świadczy o dłuŝszym zasięgu sprzęŝeia w polimerach regularych poli(3-heksyl tiofe) ajbardziej istoty z puku widzeia aplikacyjego przedstawiciel P3AT tosoway w trazystorach FET oraz ogiwach słoeczych (w mieszaiie z PCBM zarejestrowao ajwyŝszą wydajość ~ 5%) Charakteryzuje się jedą z ajwyŝszych wartości mobilości ładuku wśród P3AT Przepływ prądu powoduje lumiescecję o barwie czerwoej Wykazuje silą tedecję do krystalizacji kotrast fazowy topografia obraz AFM bezpośredio po wylaiu ciekiej warstwy rgaic Electroics 7(2006)514 obraz AFM po wygrzaiu ciekiej warstwy C Wzór strukturaly: H polipirol (PPy) H Pierwsza rodzia polimerów sprzęŝoych opisaa w 1963 roku (jeszcze przed odkryciem hirakawy) Przewodictwo rzędu 1/cm Wzór strukturaly: poli(para feyle) (PPP) tosoway w polimerowych diodach świecących 6

7 Wzór strukturaly: poliailia (PAI) H H y 1-y RozróŜiamy 5 róŝych staów (w zaleŝości od stopia utleieia): leucoemeraldie y= 1 (całkowicie zredukowaa) protoemeraldie emeraldie y= 0,5 igrailie perigrailie y= 0 (całkowicie utleioa) Historyczie pierwszy polimer przewodzący: 1840 rok syteza (Fritzsche) 1980 rok poowe odkrycie MacDarmid W zaleŝości od preparatyki przewodictwo PAI sięga 10 4 /cm i silie zaleŝy od częstotliwości (przy 250 tłumieie sięga 90%) adaje się do przetwarzaia w wysokich temperaturach jak i z roztworu Kompozyty z polimerami ieprzewodzącymi (p. P) wykazują przewodictwo juŝ przy zawartości PAI kilku % Wzór strukturaly: polifeyleowiyle (PPV) Historyczie pierwszy polimer dla którego zaobserwowao efekt elektrolumiescecji, emituje światło zieloe Rozpuszczale pochode PPV H 3 C MEH-PPV max. absorpcji 495 m max. fluorescecji 554 m Główe zastosowaie polimerowe diody LED BEHP-PPV max. absorpcji 400 m max. fluorescecji 476 m MDM-PPV pochode polifeyleowiyleu H 3 C tosoway w polimerowych ogiwach słoeczych (wydajość ~ 2,5%) C-PPV C 6H 13 C 6H 13 H 13 C 6 C C H 13C 6 Jede z iewielu polimerowych półprzewodików typu tosoway w polimerowych diodach LED oraz ogiwach słoeczych 7

8 poly(bezobisimidazobezopheathrolie) A. Babel,. Jeekhe J. Am. Chem. oc. 125(2003)13656 BBL i BBB półprzewodiki typu Wysokie powiowactwo elektroowe (~ 4eV) Przyłączają 2 elektroy a jede segmet Mobilość elektroów w BBL (~0,1cm 2 V -1 s -1 ) jest 5 rzędów wielkości większa iŝ w BBB BBL BBB Fulerey C 60 C 70 Fulerey dkryte 1985 (obel 1996) przez: Harold Kroto Robert Curl, Richard malley Ispiracją były badaia H. Kroto przemia węgla zachodzące w pobliŝu gwiazd Pierwsze fulerey powstawały w wyiku oświetlaia tarczy grafitowej laserem W 1990 r. W. Kratschmar i D. Huffma zapropoowali metodę sytezy poprzez spalaie węgla w łuku elektryczym w atmosferze helu Historyczie pierwszy raz strukturę fulereów zapropoował sawa (1970) azwa pochodzi od azwiska Richarda Buckmister Fullera 8

9 Fulerey Z puktu widzeia chemii zachowują się tak jak związki aromatycze Charakteryzują się duŝą stabilością łaborozpuszczale: tolue 3 mg/ml; chloroform 0,25 mg/ml; 1-chloroaftale 53 mg/ml Fulerey w warukach ormalych wykazują własości półprzewodika typu dległość między poziomami HM i LUM 1,7 ev Domieszkowae przechodzą w sta adprzewodzący w temp. 42 K W elektroice molekularej zajdują zastosowaie w diodach LED oraz ogiwach słoeczych jako ośiki elektroów Modelowe obliczeia struktury elektroowej fulereów (HM-przybliŜeie Huckela) Peła azwa: fulere C60(70) modyfikoway estrem kwasu masłowego (ag. [6,6]-pheyl-C61-butyric acid methyl ester) Wzór strukturaly: PCBM [60]PCBM [70]PCBM Łatworozpuszczale w chloroformie Własości elektrooptycze typowe dla fulereów W elektroice molekularej zajdują zastosowaie w diodach LED oraz ogiwach słoeczych jako ośiki elektroów Podsumowaie 9

10 Podsumowaie Metody sytezy związków orgaiczych pozwalają a tworzeie półprzewodików orgaiczych o zadaych własościach mechaiczych i elektrooptyczych ajprostsze makromolekuły sprzęŝoe są mało przydate z techologiczego puktu widzeia Dołączaie grup boczych zwiększa rozpuszczalość modyfikuje zarazem własości elektrooptycze molekuł w rozpuszczalikach oraz w fazie skodesowaej Ie metody uzdatiaia polimerów sprzęŝoych to p. syteza prekursorów rozpuszczalych lub zawiesi Większość polimerów sprzęŝoych wykazuje przewodictwo typu dziurowego astępym razem Grafe i ie odmiay węgla 10

Zjawiska kontaktowe. Pojęcia.

Zjawiska kontaktowe. Pojęcia. Zjawiska kotaktowe. Pojęcia. Próżia, E vac =0 Φ m W Φ s χ E c µ E v metal półprzewodik W praca przeiesieia elektrou z da pasma przewodictwa do próżi, bez zwiększaia jego eergii kietyczej (którą ma zerową).

Bardziej szczegółowo

Zadanie domowe: kiedy pole elektryczne jest słabe, a kiedy silne?

Zadanie domowe: kiedy pole elektryczne jest słabe, a kiedy silne? Zadaie domowe: kiedy pole elektrycze jest słabe, a kiedy sile? Wersje rozwiązań: Wersja z polem magetyczym; Wersja z kaciastym wykresem; Wersja bez kaciastego wykresu, ale z asyceiem; Wersja z porówaiem

Bardziej szczegółowo

Wykład XI. Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation (LASER) laser półprzewodnikowy

Wykład XI. Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation (LASER) laser półprzewodnikowy Wykład XI Light Amplificatio by Stimulated Emissio of Radiatio (LASER) laser półprzewodikowy Emisja spotaicza Emisja spotaicza i wymuszoa Fotoy emitowae są we wszystkich kierukach z jedakowym prawdopodobieństwem

Bardziej szczegółowo

PÓŁPRZEWODNIKI W ELEKTRONICE. Powszechnie uważa się, że współczesna elektronika jest elektroniką półprzewodnikową.

PÓŁPRZEWODNIKI W ELEKTRONICE. Powszechnie uważa się, że współczesna elektronika jest elektroniką półprzewodnikową. PÓŁPRZEWODNIKI W ELEKTRONICE Powszechie uważa się, że wsółczesa elektroika jest elektroiką ółrzewodikową. 1 Półrzewodiki Półrzewodiki to ciała stałe ieorgaicze lub orgaicze o rzewodictwie elektryczym tyu

Bardziej szczegółowo

BADANIE CHARAKTERYSTYKI DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWEJ

BADANIE CHARAKTERYSTYKI DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWEJ Ćwiczeie 47 BADANIE CHARAKTERYSTYKI DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWEJ 47.. Wiadomości ogóle Dla zrozumieia elektryczych właściwości ciał stałych koiecze jest pozaie praw rządzących elektroami wewątrz tych ciał.

Bardziej szczegółowo

Elektrochemiczne otrzymywanie i badanie przewodności warstw polianiliny.

Elektrochemiczne otrzymywanie i badanie przewodności warstw polianiliny. Elektrochemicze otrzymywaie i badaie przewodości warstw poliailiy. Cel ćwiczeia: 1. Celem ćwiczeia jest przeprowadzeie sytezy poliailiy metodą elektrochemiczą i zapozaie się z podstawowymi właściwościami

Bardziej szczegółowo

Polifosfazeny. Harry R. Allcock The Pennsylvania State University

Polifosfazeny. Harry R. Allcock The Pennsylvania State University olifosfazey Klasa polimerów ieorgaiczych o uikalych możliwościach programowaia struktury w celu osiągięcia pożądaych właściwości pozwalających a aplikacje w ogromej ilości dziedzi. Harry R. Allcock The

Bardziej szczegółowo

Organiczne ogniwa słonecznes. Ogniwa półprzewodnikowe. p przewodnikowe zasada ania. Charakterystyki fotoogniwa

Organiczne ogniwa słonecznes. Ogniwa półprzewodnikowe. p przewodnikowe zasada ania. Charakterystyki fotoogniwa j Elektronika plastikowa i organiczna Organiczne ogniwa słonecznes Ogniwa półprzewodnikowe p przewodnikowe zasada działania ania Charakterystyki fotoogniwa współczynnik wypełnienia, wydajność Moc w obwodzie

Bardziej szczegółowo

Chemia Teoretyczna I (6).

Chemia Teoretyczna I (6). Chemia Teoretycza I (6). NajwaŜiejsze rówaia róŝiczkowe drugiego rzędu o stałych współczyikach w chemii i fizyce cząstka w jedowymiarowej studi potecjału Cząstka w jedowymiarowej studi potecjału Przez

Bardziej szczegółowo

Wykład IV. Półprzewodniki samoistne i domieszkowe

Wykład IV. Półprzewodniki samoistne i domieszkowe Wykład IV Półprzewodniki samoistne i domieszkowe Półprzewodniki (Si, Ge, GaAs) Konfiguracja elektronowa Si : 1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 2 = [Ne] 3s 2 3p 2 4 elektrony walencyjne Półprzewodnik samoistny Talent

Bardziej szczegółowo

Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i Techniki Wysokich Napięć. Dr hab.

Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i Techniki Wysokich Napięć. Dr hab. Politechika Lubelska Wydział Elektrotechiki i Iformatyki Katedra Urządzeń Elektryczych i Techiki Wysokich Napięć Dr hab. Paweł Żukowski Pierwiastek DEg C (diamet) 7,0 ev Si 1,1 ev Ge 0,7 ev S (szara cya)

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

ELEMENTY ELEKTRONICZNE AKADMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWI Wydział Iformatyki, lektroiki i Telekomuikacji Katedra lektroiki LMNTY LKTRONICZN dr iż. Piotr Dziurdzia aw. C-, okój 41; tel. 617-7-0, iotr.dziurdzia@agh.edu.l

Bardziej szczegółowo

Organiczne diody świecące ce (OLED) Tydzień temu. OLED technologia na dziś

Organiczne diody świecące ce (OLED) Tydzień temu. OLED technologia na dziś Elektronika plastikowa i organiczna Organiczne diody świecące ce (OLED) Tydzień temu 1. W tranzystorze polowym przepływ prądu między źródłem i drenem zaleŝy od potencjału przyłoŝonego do bramki 2. Zmiana

Bardziej szczegółowo

S. Baran - Podstawy fizyki materii skondensowanej Półprzewodniki. Półprzewodniki

S. Baran - Podstawy fizyki materii skondensowanej Półprzewodniki. Półprzewodniki Półprzewodniki Definicja i własności Półprzewodnik materiał, którego przewodnictwo rośnie z temperaturą (opór maleje) i w temperaturze pokojowej wykazuje wartości pośrednie między przewodnictwem metali,

Bardziej szczegółowo

Repeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n

Repeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n Repeta z wykładu nr 5 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:

Bardziej szczegółowo

Politechnika Poznańska

Politechnika Poznańska Politechika Pozańska Temat: Laboratorium z termodyamiki Aaliza składu spali powstałych przy spalaiu paliw gazowych oraz pomiar ich prędkości przepływu za pomocą Dopplerowskiego Aemometru Laserowego (LDA)

Bardziej szczegółowo

Model Bohra atomu wodoru

Model Bohra atomu wodoru Model Bohra atomu wodoru Widma liiowe pierwiastków. wodór hel eo tle węgiel azot sód Ŝelazo Aby odpowiedzieć a pytaie dlaczego wodór i ie pierwiastki ie emitują wszystkich częstotliwości fal elektromagetyczych

Bardziej szczegółowo

6. Emisja światła, diody LED i lasery polprzewodnikowe

6. Emisja światła, diody LED i lasery polprzewodnikowe 6. Emisja światła, diody LED i lasery polprzewodnikowe Typy rekombinacji Rekombinacja promienista Diody LED Lasery półprzewodnikowe Struktury niskowymiarowe OLEDy 1 Promieniowanie termiczne Rozkład Plancka

Bardziej szczegółowo

Sprzęganie światłowodu z półprzewodnikowymi źródłami światła (stanowisko nr 5)

Sprzęganie światłowodu z półprzewodnikowymi źródłami światła (stanowisko nr 5) Wojciech Niwiński 30.03.2004 Bartosz Lassak Wojciech Zatorski gr.7lab Sprzęganie światłowodu z półprzewodnikowymi źródłami światła (stanowisko nr 5) Zadanie laboratoryjne miało na celu zaobserwowanie różnic

Bardziej szczegółowo

Urządzenia półprzewodnikowe

Urządzenia półprzewodnikowe Urządzenia półprzewodnikowe Diody: - prostownicza - Zenera - pojemnościowa - Schottky'ego - tunelowa - elektroluminescencyjna - LED - fotodioda półprzewodnikowa Tranzystory - tranzystor bipolarny - tranzystor

Bardziej szczegółowo

Przyrządy półprzewodnikowe część 5

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 Przyrządy półprzewodikowe część 5 Prof. Zbigiew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodikowych i Optoelektroiczych pokój: 116 e-mail: zbigiew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA E&T

Bardziej szczegółowo

W1. Właściwości elektryczne ciał stałych

W1. Właściwości elektryczne ciał stałych W1. Właściwości elektryczne ciał stałych Względna zmiana oporu właściwego przy wzroście temperatury o 1 0 C Materiał Opór właściwy [m] miedź 1.68*10-8 0.0061 żelazo 9.61*10-8 0.0065 węgiel (grafit) 3-60*10-3

Bardziej szczegółowo

WYKŁAD 6 TRANZYSTORY POLOWE

WYKŁAD 6 TRANZYSTORY POLOWE WYKŁA 6 RANZYSORY POLOWE RANZYSORY POLOWE ZŁĄCZOWE (Juctio Field Effect rasistors) 55 razystor polowy złączowy zbudoway jest z półprzewodika (w tym przypadku typu p), w który wdyfudowao dwa obszary bramki

Bardziej szczegółowo

Skończona studnia potencjału

Skończona studnia potencjału Skończona studnia potencjału U = 450 ev, L = 100 pm Fala wnika w ściany skończonej studni długość fali jest większa (a energia mniejsza) Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach

Bardziej szczegółowo

E Z m c N m c Mc A Z N. J¹dro atomowe Wielkoœci charakteryzuj¹ce j¹dro atomowe. Neutron

E Z m c N m c Mc A Z N. J¹dro atomowe Wielkoœci charakteryzuj¹ce j¹dro atomowe. Neutron J¹dro atomowe Wielkoœci charakteryzuj¹ce j¹dro atomowe liczba masowa Zliczba porz¹dkowa pierwiastka w uk³adzie okresowym - liczba eutroów Z X Z R 3 3 /, 3 cm eutro Schemat rozpadu swobodego eutrou p e

Bardziej szczegółowo

Przewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki

Przewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki Przewodność elektryczna ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności

Bardziej szczegółowo

Ciała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz

Ciała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz Ciała stałe Podstawowe własności ciał stałych Struktura ciał stałych Przewodnictwo elektryczne teoria Drudego Poziomy energetyczne w krysztale: struktura pasmowa Metale: poziom Fermiego, potencjał kontaktowy

Bardziej szczegółowo

Termodynamika defektów sieci krystalicznej

Termodynamika defektów sieci krystalicznej Termodyamika defektów sieci krystaliczej Defekty sieci krystaliczej puktowe (wakasje, atomy międzywęzłowe, obce atomy) jedowymiarowe (dyslokacje krawędziowe i śrubowe) dwuwymiarowe (graice międzyziarowe,

Bardziej szczegółowo

= arc tg - eliptyczność. Polaryzacja światła. Prawo Snelliusa daje kąt. Co z amplitudą i polaryzacją? Drgania i fale II rok Fizyka BC

= arc tg - eliptyczność. Polaryzacja światła. Prawo Snelliusa daje kąt. Co z amplitudą i polaryzacją? Drgania i fale II rok Fizyka BC 4-0-0 G:\AA_Wyklad 000\FIN\DOC\Polar.doc Drgaia i fale II rok Fizyka C Polaryzacja światła ( b a) arc tg - eliptyczość Prawo Selliusa daje kąt. Co z amplitudą i polaryzacją? 4-0-0 G:\AA_Wyklad 000\FIN\DOC\Polar.doc

Bardziej szczegółowo

Teoria pasmowa ciał stałych Zastosowanie półprzewodników

Teoria pasmowa ciał stałych Zastosowanie półprzewodników Teoria pasmowa ciał stałych Zastosowanie półprzewodników Model atomu Bohra Niels Bohr - 1915 elektrony krążą wokół jądra jądro jest zbudowane z: i) dodatnich protonów ii) neutralnych neutronów Liczba atomowa

Bardziej szczegółowo

Informacje ogólne. 45 min. test na podstawie wykładu Zaliczenie ćwiczeń na podstawie prezentacji Punkty: test: 60 %, prezentacja: 40 %.

Informacje ogólne. 45 min. test na podstawie wykładu Zaliczenie ćwiczeń na podstawie prezentacji Punkty: test: 60 %, prezentacja: 40 %. Informacje ogólne Wykład 28 h Ćwiczenia 14 Charakter seminaryjny zespołu dwuosobowe ~20 min. prezentacje Lista tematów na stronie Materiały do wykładu na stronie: http://urbaniak.fizyka.pw.edu.pl Zaliczenie:

Bardziej szczegółowo

Skalowanie układów scalonych

Skalowanie układów scalonych Skalowanie układów scalonych Technologia mikroelektroniczna Charakterystyczne parametry najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna

Bardziej szczegółowo

Przerwa energetyczna w germanie

Przerwa energetyczna w germanie Ćwiczenie 1 Przerwa energetyczna w germanie Cel ćwiczenia Wyznaczenie szerokości przerwy energetycznej przez pomiar zależności oporu monokryształu germanu od temperatury. Wprowadzenie Eksperymentalne badania

Bardziej szczegółowo

Elektryczne własności ciał stałych

Elektryczne własności ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności elektryczne trzeba zdefiniować kilka wielkości Oporność właściwa (albo przewodność) ładunek [C] = 1/

Bardziej szczegółowo

Przyrządy i układy półprzewodnikowe

Przyrządy i układy półprzewodnikowe Przyrządy i układy półprzewodnikowe Prof. dr hab. Ewa Popko ewa.popko@pwr.edu.pl www.if.pwr.wroc.pl/~popko p.231a A-1 Zawartość wykładu Wy1, Wy2 Wy3 Wy4 Wy5 Wy6 Wy7 Wy8 Wy9 Wy10 Wy11 Wy12 Wy13 Wy14 Wy15

Bardziej szczegółowo

Zjawiska kontaktowe. Pojęcia.

Zjawiska kontaktowe. Pojęcia. Zjawiska kotaktowe Zjawiska kotaktowe. Pojęcia. metal Φ M W W raca rzeiesieia elektrou z da asma rzewodictwa do różi, bez zwiększaia jego eergii kietyczej (którą ma zerową). Używa się tylko dla metalu.

Bardziej szczegółowo

IM Eksperymentalne wyznaczenie wartości podstawowego kwantu przewodności.

IM Eksperymentalne wyznaczenie wartości podstawowego kwantu przewodności. IM - 5 BADANIE PRZEWODNOŚCI ELEKTRYCZNEJ NANODRUTÓW Cel ćwiczeia Eksperymetale wyzaczeie wartości podstawowego kwatu przewodości.. Wstęp teoretyczy. Klasycza teoria przewodictwa Ruch elektroów przewodictwa

Bardziej szczegółowo

SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force

SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force Microscopy Mikroskopia siły atomowej MFM Magnetic Force Microscopy

Bardziej szczegółowo

!!!DEL są źródłami światła niespójnego.

!!!DEL są źródłami światła niespójnego. Dioda elektroluminescencyjna DEL Element czynny DEL to złącze p-n. Gdy zostanie ono spolaryzowane w kierunku przewodzenia, to w obszarze typu p, w warstwie o grubości rzędu 1µm, wytwarza się stan inwersji

Bardziej szczegółowo

ELEKTROGRAWIMETRIA. Warunki jakie musi spełniać osad analitu na elektrodzie

ELEKTROGRAWIMETRIA. Warunki jakie musi spełniać osad analitu na elektrodzie ELEKTROGRAWIETRIA Zasada ozaczaia polega a wydzieleiu aalitu w procesie elektrolizy w postaci osadu a elektrodzie roboczej ( katodzie lub aodzie) i wagowe ozaczeie masy osadu z przyrostu masy elektrody

Bardziej szczegółowo

Przyrządy półprzewodnikowe część 5

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 Przyrządy półprzewodikowe część 5 Prof. Zbigiew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodikowych i Optoelektroiczych pokój: 116 e-mail: zbigiew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA E&T

Bardziej szczegółowo

L E D light emitting diode

L E D light emitting diode Elektrotechnika Studia niestacjonarne L E D light emitting diode Wg PN-90/E-01005. Technika świetlna. Terminologia. (845-04-40) Dioda elektroluminescencyjna; dioda świecąca; LED element półprzewodnikowy

Bardziej szczegółowo

Kwantowa natura promieniowania

Kwantowa natura promieniowania Kwantowa natura promieniowania Promieniowanie ciała doskonale czarnego Ciało doskonale czarne ciało, które absorbuje całe padające na nie promieniowanie bez względu na częstotliwość. Promieniowanie ciała

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 10/11. Holografia syntetyczna - płytki strefowe.

Ćwiczenie 10/11. Holografia syntetyczna - płytki strefowe. Ćwiczeie 10/11 Holografia sytetycza - płytki strefowe. Wprowadzeie teoretycze W klasyczej holografii optyczej, gdzie hologram powstaje w wyiku rejestracji pola iterferecyjego, rekostruuje się jedyie takie

Bardziej szczegółowo

Nowe kierunki rozwoju technologii superkondensatorów

Nowe kierunki rozwoju technologii superkondensatorów Nowe kierunki rozwoju technologii superkondensatorów Radosław Kuliński Instytut Elektrotechniki, Oddział Technologii i Materiałoznawstwa Elektrotechnicznego we Wrocławiu Politechnika Wrocławska, Instytut

Bardziej szczegółowo

Teoria pasmowa. Anna Pietnoczka

Teoria pasmowa. Anna Pietnoczka Teoria pasmowa Anna Pietnoczka Opis struktury pasmowej we współrzędnych r, E Zmiana stanu elektronów przy zbliżeniu się atomów: (a) schemat energetyczny dla atomów sodu znajdujących się w odległościach

Bardziej szczegółowo

Rentgenowska analiza fazowa jakościowa i ilościowa Wykład 9

Rentgenowska analiza fazowa jakościowa i ilościowa Wykład 9 Retgeowska aaliza fazowa jakościowa i ilościowa Wykład 9 1. Retgeowska aaliza fazowa jakościowa i ilościowa. 2. Metody aalizy fazowej ilościowej. 3. Dobór wzorca w aalizie ilościowej. 4. Przeprowadzeie

Bardziej szczegółowo

Dlaczego przewodzą? cz. III wstrzykiwanie i transport ładunku. Na poprzednim wykładzie. adzie

Dlaczego przewodzą? cz. III wstrzykiwanie i transport ładunku. Na poprzednim wykładzie. adzie lektronika plastikowa i organiczna Dlaczego przewodzą? cz. III wstrzykiwanie i transport ładunku Na poprzednim wykładzie adzie 1. Ze względu na defekty funkcja falowa zdelokalizowanego elektronu jest ograniczona

Bardziej szczegółowo

n n 1 2 = exp( ε ε ) 1 / kt = exp( hν / kt) (23) 2 to wzór (22) przejdzie w następującą równość: ρ (ν) = B B A / B 2 1 hν exp( ) 1 kt (24)

n n 1 2 = exp( ε ε ) 1 / kt = exp( hν / kt) (23) 2 to wzór (22) przejdzie w następującą równość: ρ (ν) = B B A / B 2 1 hν exp( ) 1 kt (24) n n 1 2 = exp( ε ε ) 1 / kt = exp( hν / kt) (23) 2 to wzór (22) przejdzie w następującą równość: ρ (ν) = B B A 1 2 / B hν exp( ) 1 kt (24) Powyższe równanie określające gęstość widmową energii promieniowania

Bardziej szczegółowo

Organiczne ogniwa słonecznes. Tydzień temu. Energia słonecznas

Organiczne ogniwa słonecznes. Tydzień temu. Energia słonecznas Elektronika plastikowa i organiczna Organiczne ogniwa słonecznes Tydzień temu 1. W diodach LED wykoanaych z półprzewodników nieorganicznych rekombinacja promienista zachodzi w obszarze złącza 2. W jednowarstwowych

Bardziej szczegółowo

Refraktometria. sin β

Refraktometria. sin β Refraktometria Podstawy teoretycze Wielkością o dość duŝym zaczeiu idetyfikacji związków chemiczych jest współczyik załamaia światła zway iekiedy współczyikiem refrakcji. Współczyik załamaia światła jest

Bardziej szczegółowo

Czym jest prąd elektryczny

Czym jest prąd elektryczny Prąd elektryczny Ruch elektronów w przewodniku Wektor gęstości prądu Przewodność elektryczna Prawo Ohma Klasyczny model przewodnictwa w metalach Zależność przewodności/oporności od temperatury dla metali,

Bardziej szczegółowo

WYZNACZANIE STAŁEJ PLANCKA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH. Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska

WYZNACZANIE STAŁEJ PLANCKA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH. Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska 1 II PRACOWNIA FIZYCZNA: FIZYKA ATOMOWA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie

Bardziej szczegółowo

Rekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja

Rekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja Rekapitulacja Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje: czwartek

Bardziej szczegółowo

Skalowanie układów scalonych Click to edit Master title style

Skalowanie układów scalonych Click to edit Master title style Skalowanie układów scalonych Charakterystyczne parametry Technologia mikroelektroniczna najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna

Bardziej szczegółowo

Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane

Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Półprzewodnik typu n IV-Ge V-As Jeżeli pięciowartościowy atom V-As zastąpi w sieci atom IV-Ge to cztery elektrony biorą udział w wiązaniu kowalentnym,

Bardziej szczegółowo

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 23 Półprzewodniki

Bardziej szczegółowo

i elementy z półprzewodników homogenicznych część II

i elementy z półprzewodników homogenicznych część II Półprzewodniki i elementy z półprzewodników homogenicznych część II Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Bardziej szczegółowo

Sensory organiczne. Tydzień temu. Czujniki kształtu tu i nacisku

Sensory organiczne. Tydzień temu. Czujniki kształtu tu i nacisku Elektronika plastikowa i organiczna Sensory organiczne Tydzień temu Zasada działania fotoogniwa opiera się na separacji ładunków tworzących ekscytony powstające pod wpływem padającego promieniowania Charakterystyka

Bardziej szczegółowo

Pierwiastki bloku s 1. metale wyjątkowo reaktywne, silne reduktory, występują głównie w postaci związków chemicznych; 2. wraz ze wzrostem liczby

Pierwiastki bloku s 1. metale wyjątkowo reaktywne, silne reduktory, występują głównie w postaci związków chemicznych; 2. wraz ze wzrostem liczby Pieriastki bloku s 1. etale yjątkoo reaktye, sile reduktory, ystępują głóie postaci ziązkó ceiczyc;. raz ze zroste liczby atooej zrasta zdolość do joizacji, która oże być yołaa czyikai ceiczyi reakcja

Bardziej szczegółowo

Repeta z wykładu nr 6. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Metal-półprzewodnik

Repeta z wykładu nr 6. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Metal-półprzewodnik Repeta z wykładu nr 6 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 - kontakt omowy

Bardziej szczegółowo

Organiczne tranzystory polowe. cz. I. Poprzednio. Złącze

Organiczne tranzystory polowe. cz. I. Poprzednio. Złącze Elektronika plastikowa i organiczna Organiczne tranzystory polowe cz. I Poprzednio Samoorganizacja jest interesującą alternatywą dla współczesnych technologii Samoorganizacja czyli: krystalizacja, separacja

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTORY POLOWE JFET I MOSFET

TRANZYSTORY POLOWE JFET I MOSFET POLTECHNKA RZEZOWKA Kaedra Podsaw Elekroiki srukcja Nr5 F 00/003 sem. lei TRANZYTORY POLOWE JFET MOFET Cel ćwiczeia: Pomiar podsawowych charakerysyk i wyzaczeie paramerów określających właściwości razysora

Bardziej szczegółowo

opracowała: mgr inż. Ewelina Nowak

opracowała: mgr inż. Ewelina Nowak Materiały dydaktycze a zajęcia wyrówawcze z chemii dla studetów pierwszego roku kieruku zamawiaego żyieria Środowiska w ramach projektu Era iżyiera pewa lokata a przyszłość opracowała: mgr iż. Ewelia Nowak

Bardziej szczegółowo

STRUKTURA PASM ENERGETYCZNYCH

STRUKTURA PASM ENERGETYCZNYCH PODSTAWY TEORII PASMOWEJ Struktura pasm energetycznych Teoria wa Struktura wa stałych Półprzewodniki i ich rodzaje Półprzewodniki domieszkowane Rozkład Fermiego - Diraca Złącze p-n (dioda) Politechnika

Bardziej szczegółowo

Zjawisko Halla Referujący: Tomasz Winiarski

Zjawisko Halla Referujący: Tomasz Winiarski Plan referatu Zjawisko Halla Referujący: Tomasz Winiarski 1. Podstawowe definicje ffl wektory: E, B, ffl nośniki ładunku: elektrony i dziury, ffl podział ciał stałych ze względu na własności elektryczne:

Bardziej szczegółowo

1. Podstawowa struktura tranzystora bipolarnego

1. Podstawowa struktura tranzystora bipolarnego RAZYSORY POLAR SMK WYKŁAD 8 a pdstw.: W. Marciiak, W 1978, Przyrządy półprzewodikowe i układy scaloe razystor elemet trasformujący rezystację (trioda 1948 ardee, ratai trazystor ostrzowy). razystor warstwowy

Bardziej szczegółowo

Zjawiska zachodzące w roztworach. Równowagi jonowe w wodnych roztworach elektrolitów. Rozpuszczanie. Rozpuszczanie w wyniku reakcji chemicznej

Zjawiska zachodzące w roztworach. Równowagi jonowe w wodnych roztworach elektrolitów. Rozpuszczanie. Rozpuszczanie w wyniku reakcji chemicznej Zjawiska zachodzące w roztworach rozpuszczaie dyfuzja osoza dysocjacja hydratacja hydroliza Rówowagi joowe w wodych roztworach elektrolitów dysocjacja elektrolitów stała i stopień dysocjacji prawo rozcieńczeń

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY OPTYKI GEOMETRYCZNEJ

ELEMENTY OPTYKI GEOMETRYCZNEJ ELEMENTY OPTYKI GEOMETRYCZNEJ Optyka to dział fizyki, zajmujący się badaiem atury światła, początkowo tylko widzialego, a obecie rówież promieiowaia z zakresów podczerwiei i adfioletu. Optyka - geometrycza

Bardziej szczegółowo

Błędy kwantyzacji, zakres dynamiki przetwornika A/C

Błędy kwantyzacji, zakres dynamiki przetwornika A/C Błędy kwatyzacji, zakres dyamiki przetworika /C Celem ćwiczeia jest pozaie wpływu rozdzielczości przetworika /C a błąd kwatowaia oraz ocea dyamiki układu kwatującego. Kwatowaie przyporządkowaie kolejym

Bardziej szczegółowo

Fizyka 3.3. prof.dr hab. Ewa Popko p.231a

Fizyka 3.3. prof.dr hab. Ewa Popko   p.231a Fizyka 3.3 prof.dr hab. Ewa Popko www.if.pwr.wroc.pl/~popko ewa.popko@pwr.edu.pl p.231a Fizyka 3.3 Literatura 1.J.Hennel Podstawy elektroniki półprzewodnikowej WNT Warszawa 1995. 2.W.Marciniak Przyrządy

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1: Wyznaczanie warunków odporności, korozji i pasywności metali

Ćwiczenie 1: Wyznaczanie warunków odporności, korozji i pasywności metali Ćwiczenie 1: Wyznaczanie warunków odporności, korozji i pasywności metali Wymagane wiadomości Podstawy korozji elektrochemicznej, wykresy E-pH. Wprowadzenie Główną przyczyną zniszczeń materiałów metalicznych

Bardziej szczegółowo

SIARKA. (S, łac. sulphur)

SIARKA. (S, łac. sulphur) SIARKA (S, łac. sulphur) -iemetal aleŝący do 6 grupy główej. Izotopy stabile siarki to 32 S, 33 S, 34 S i 36 S. Siarka jest iezbęda do Ŝycia. Wchodzi w skład dwóch amiokwasów kodowaych - metioiy i cysteiy

Bardziej szczegółowo

W5. Rozkład Boltzmanna

W5. Rozkład Boltzmanna W5. Rozkład Boltzmanna Podstawowym rozkładem w klasycznej fizyce statystycznej jest rozkład Boltzmanna E /( kt ) f B ( E) Ae gdzie: A jest stałą normalizacyjną, k stałą Boltzmanna 5 k 8.61710 ev / K Został

Bardziej szczegółowo

Politechnika Gdańska Wydział Chemiczny. Katedra Technologii Chemicznej

Politechnika Gdańska Wydział Chemiczny. Katedra Technologii Chemicznej Politechika Gdańska Wydział Chemiczy Katedra Techologii Chemiczej Elektrochemia w Ochroie Środowiska: Redukcja Cr(VI) do Cr(III) za pomocą elektrody polimerowej. Przygotowała: Moika Wilamowska Wstęp teoretyczy.

Bardziej szczegółowo

Struktura pasmowa ciał stałych

Struktura pasmowa ciał stałych Struktura pasmowa ciał stałych dr inż. Ireneusz Owczarek CMF PŁ ireneusz.owczarek@p.lodz.pl http://cmf.p.lodz.pl/iowczarek 2012/13 Spis treści 1. Pasmowa teoria ciała stałego 2 1.1. Wstęp do teorii..............................................

Bardziej szczegółowo

1 Źródła i detektory. I. Badanie charakterystyki spektralnej nietermicznych źródeł promieniowania elektromagnetycznego

1 Źródła i detektory. I. Badanie charakterystyki spektralnej nietermicznych źródeł promieniowania elektromagnetycznego 1 I. Badanie charakterystyki spektralnej nietermicznych źródeł promieniowania elektromagnetycznego Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyki spektralnej nietermicznego źródła promieniowania (dioda LD

Bardziej szczegółowo

Repeta z wykładu nr 3. Detekcja światła. Struktura krystaliczna. Plan na dzisiaj

Repeta z wykładu nr 3. Detekcja światła. Struktura krystaliczna. Plan na dzisiaj Repeta z wykładu nr 3 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:

Bardziej szczegółowo

OPTYKA. Leszek Błaszkieiwcz

OPTYKA. Leszek Błaszkieiwcz OPTYKA Leszek Błaszkieiwcz Ojcem optyki jest Witelon (1230-1314) Zjawisko odbicia fal promień odbity normalna promień padający Leszek Błaszkieiwcz Rys. Zjawisko załamania fal normalna promień padający

Bardziej szczegółowo

Przetworniki analogowo-cyfrowe i cyfrowo- analogowe

Przetworniki analogowo-cyfrowe i cyfrowo- analogowe Przetworiki aalogowo-cyfrowe i cyfrowo- aalogowe 14.1. PRZETWORNIKI C/A Przetworik cyfrowo-aalogowy (ag. Digital-to-Aalog Coverter) jest to układ przetwarzający dyskrety sygał cyfrowy a rówowaŝy mu sygał

Bardziej szczegółowo

Elektronika z plastyku

Elektronika z plastyku Elektronika z plastyku Adam Proń 1,2 i Renata Rybakiewicz 2 1 Komisariat ds Energii Atomowej, Grenoble 2 Wydział Chemiczny Politechniki Warszawskiej Elektronika krzemowa Krzem Jan Czochralski 1885-1953

Bardziej szczegółowo

Badanie charakterystyki diody

Badanie charakterystyki diody Badanie charakterystyki diody Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowo napięciowych różnych diod półprzewodnikowych. Wstęp Dioda jest jednym z podstawowych elementów elektronicznych,

Bardziej szczegółowo

SPRAWDZIAN NR 1. wodoru. Strzałki przedstawiają przejścia pomiędzy poziomami. Każde z tych przejść powoduje emisję fotonu.

SPRAWDZIAN NR 1. wodoru. Strzałki przedstawiają przejścia pomiędzy poziomami. Każde z tych przejść powoduje emisję fotonu. SRAWDZIAN NR 1 IMIĘ I NAZWISKO: KLASA: GRUA A 1. Uzupełnij tekst. Wpisz w lukę odpowiedni wyraz. Energia, jaką w wyniku zajścia zjawiska fotoelektrycznego uzyskuje elektron wybity z powierzchni metalu,

Bardziej szczegółowo

Elektrony i dziury w półprzewodnikach

Elektrony i dziury w półprzewodnikach 1 lektroy i dziury w ółrzewodikach Atomy i rdzeie atomowe Si oraz Ge Si oraz Ge ależą do gruy IV układu okresowego ierwiastków. Mają o 4 zewętrze elektroy. Tylko zewętrze elektroy uczesticzą w tworzeiu

Bardziej szczegółowo

Przejścia promieniste

Przejścia promieniste Przejście promieniste proces rekombinacji elektronu i dziury (przejście ze stanu o większej energii do stanu o energii mniejszej), w wyniku którego następuje emisja promieniowania. E Długość wyemitowanej

Bardziej szczegółowo

Seria 2, ćwiczenia do wykładu Od eksperymentu do poznania materii

Seria 2, ćwiczenia do wykładu Od eksperymentu do poznania materii Seria 2, ćwiczenia do wykładu Od eksperymentu do poznania materii 8.1.21 Zad. 1. Obliczyć ciśnienie potrzebne do przemiany grafitu w diament w temperaturze 25 o C. Objętość właściwa (odwrotność gęstości)

Bardziej szczegółowo

Właściwości optyczne. Oddziaływanie światła z materiałem. Widmo światła widzialnego MATERIAŁ

Właściwości optyczne. Oddziaływanie światła z materiałem. Widmo światła widzialnego MATERIAŁ Właściwości optyczne Oddziaływanie światła z materiałem hν MATERIAŁ Transmisja Odbicie Adsorpcja Załamanie Efekt fotoelektryczny Tradycyjnie właściwości optyczne wiążą się z zachowaniem się materiałów

Bardziej szczegółowo

Plan wykładu. 1. Budowa monitora LCD 2. Zasada działania monitora LCD 3. Podział matryc ciekłokrystalicznych 4. Wady i zalety monitorów LCD

Plan wykładu. 1. Budowa monitora LCD 2. Zasada działania monitora LCD 3. Podział matryc ciekłokrystalicznych 4. Wady i zalety monitorów LCD Plan wykładu 1. Budowa monitora LCD 2. Zasada działania monitora LCD 3. Podział matryc ciekłokrystalicznych 4. Wady i zalety monitorów LCD Monitor LCD Monitor LCD (ang. Liquid Crystal Display) Budowa monitora

Bardziej szczegółowo

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 15/15

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 15/15 PL 226438 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 226438 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 406862 (22) Data zgłoszenia: 16.01.2014 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

Wykład XIV: Właściwości optyczne. JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Technologii Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych

Wykład XIV: Właściwości optyczne. JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Technologii Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych Wykład XIV: Właściwości optyczne JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Technologii Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych Treść wykładu: Treść wykładu: 1. Wiadomości wstępne: a) Załamanie

Bardziej szczegółowo

Przewodnictwo elektryczne ciał stałych. Fizyka II, lato

Przewodnictwo elektryczne ciał stałych. Fizyka II, lato Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Fizyka II, lato 2016 1 Własności elektryczne ciał stałych Komputery, kalkulatory, telefony komórkowe są elektronicznymi urządzeniami półprzewodnikowymi wykorzystującymi

Bardziej szczegółowo

Widmo promieniowania elektromagnetycznego

Widmo promieniowania elektromagnetycznego Widmo promieiowaia elektromagetyczego Czułość oka człowieka Płaska fala elektromagetycza w próżi Ciało doskoale czare Prawo promieiowaia Kirchhoffa: Stosuek zdolości emisyjej do zdolości absorpcyjej jest

Bardziej szczegółowo

Widmo promieniowania elektromagnetycznego Czułość oka człowieka

Widmo promieniowania elektromagnetycznego Czułość oka człowieka dealna charakterystyka prądowonapięciowa złącza p-n ev ( V ) = 0 exp 1 kbt Przebicie złącza przy polaryzacji zaporowej Przebicie Zenera tunelowanie elektronów przez wąską warstwę zaporową w złączu silnie

Bardziej szczegółowo

Równowaga reakcji chemicznej

Równowaga reakcji chemicznej Rówowaga reakcji chemiczej Sta i stała rówowagi reakcji chemiczej (K) Reakcje dysocjacji Stopień dysocjacji Prawo rozcieńczeń Ostwalda utodysocjacja wody p roztworów p roztworów. p roztworów mocych elektrolitów

Bardziej szczegółowo

The role of band structure in electron transfer kinetics at low dimensional carbons

The role of band structure in electron transfer kinetics at low dimensional carbons The role of band structure in electron transfer kinetics at low dimensional carbons Paweł Szroeder Instytut Fizyki, Uniwersytet Mikołaja Kopernika, ul. Grudziądzka 5/7, 87-100 Toruń, Poland Reakcja przeniesienia

Bardziej szczegółowo

Materiał ćwiczeniowy z matematyki Marzec 2012

Materiał ćwiczeniowy z matematyki Marzec 2012 Materiał ćwiczeiowy z matematyki Marzec 0 Klucz puktowaia do zadań zamkiętych oraz schemat oceiaia do zadań otwartych POZIOM PODSTAWOWY Marzec 0 Klucz puktowaia do zadań zamkiętych Nr zad 3 5 6 7 8 9 0

Bardziej szczegółowo

Optymalizacja sieci powiązań układu nadrzędnego grupy kopalń ze względu na koszty transportu

Optymalizacja sieci powiązań układu nadrzędnego grupy kopalń ze względu na koszty transportu dr hab. iż. KRYSTIAN KALINOWSKI WSIiZ w Bielsku Białej, Politechika Śląska dr iż. ROMAN KAULA Politechika Śląska Optymalizacja sieci powiązań układu adrzędego grupy kopalń ze względu a koszty trasportu

Bardziej szczegółowo

(opracował Leszek Szczepaniak)

(opracował Leszek Szczepaniak) ĆWICZENIE NR 3 POMIARY POŁOśENIA I PRZEMIESZCZEŃ LINIOWYCH I KĄTOWYCH (opracował Leszek Szczepaiak) Cel i zakres ćwiczeia Celem ćwiczeia jest praktycze zapozaie się z metodami pomiarowymi i czujikami do

Bardziej szczegółowo

Przewodnictwo elektryczne ciał stałych

Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Fizyka II, lato 2011 1 Własności elektryczne ciał stałych Komputery, kalkulatory, telefony komórkowe są elektronicznymi urządzeniami półprzewodnikowymi wykorzystującymi

Bardziej szczegółowo

Metoda Elementów Skończonych

Metoda Elementów Skończonych Metoda Elementów Skończonych Prowadzący: dr hab. Tomasz Stręk Wykonali: Oguttu Alvin Wojciechowska Klaudia MiBM /semestr VII / IMe Poznań 2013 Projekt MES Strona 1 SPIS TREŚCI 1. Ogrzewanie laserowe....3

Bardziej szczegółowo