Rezonanse magnetyczne oraz wybrane techniki pomiarowe fizyki ciała stałego
|
|
- Leszek Jastrzębski
- 8 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Paweł Szroeder Rezonanse magnetyczne oraz wybrane techniki pomiarowe fizyki ciała stałego Wykład XI Badania powierzchni ciała stałego: elektronowy mikroskop skaningowy (SEM), skaningowy mikroskop tunelowy (STM), mikroskop sił atomowych (AFM).
2 Historia mikroskopii mikroskop optyczny (~1700) TEM (1932) SEM (1942) STM (1982) AFM (1986) TEM transmission electron microscope; SEM scanning electron microscope; STM scanning tunneling microscope; AFM atomic force microscope.
3 Ewolucja rozdzielczości mikroskopów CTEM conventional transmission electron microscopy; STEM scanning transmission electron microscopy; SEM scanning electron microscopy.
4 Układ optyczny mikroskopu transmisyjnego i odbiciowego
5 Głębia ostrości A apertura d h α płaszczyzna optymalnej ostrości Głębia ostrości jest to odległość od płaszczyzny optymalnej ostrości w obrębie której rozmycie ostrości jest mniejsze od średnicy plamki elektronowej. Głębia pola określa zakres połoŝeń przedmiotu, w obrębie których nie jesteśmy w stanie stwierdzić zmian w ostrości obrazu.
6 Mikroskopia transmisyjna Maksymalna zdolność rozdzielcza optycznych mikroskopów transmisyjnych nie przekracza 275 nm. W mikroskopii elektronowej osiągamy zdolności rozdzielcze poniŝej 1 nm. Długość fali elektronowej h/mυ moŝe być kontrolowana poprzez zmiany napięcia przyspieszającego. W technice TEM moŝemy uzyskiwać obrazy próbek z atomową rozdzielczością oraz określać ich struktury (dyfrakcja elektronowa).
7 Mikroskopia TEM
8 Działanie mikroskopu SEM Powiększenie mikroskopu = szerokość ekranu CRT/długość skanowania
9 Droga wiązki elektronowej w kolumnie mikroskopu SEM
10 Odległość robocza DuŜa odległość robocza powoduje zmniejszenie kąta rozbieŝności wiązki elektronowej przy jednoczesnym wzroście rozmiarów plamki elektronowej. Ze wzrostem odległości roboczej spada zdolność rozdzielcza mikroskopu, co jest związane przede wszystkim ze wzrostem rozmiarów plamki elektronowej. Z drugiej strony wzrasta równieŝ głębia pola, bowiem zmniejsza się kąt rozbieŝności wiązki.
11 Cewki skanujące Zadaniem cewek skanujących jest sterowanie wiązki elektronowej, tak by ta skanowała badaną powierzchnię. Dlatego stosuje się dwie pary cewek (skanowanie wzdłuŝ osi X oraz Y). Praca cewek jest zsynchronizowana z pracą monitora CRT. wiązka padająca cewki skanujące wzmacniacz detektor monitor powierzchnia preparatu zsynchronizowane skany
12 Oddziaływanie wiązki z preparatem Wiązka padająca Promieniowanie X (informacja o składzie) Elektrony rozpraszane wstecznie (liczba atomowa i informacja topologiczna) Katodoluminescencja (inforamacja elektryczna) Elektrony wtórne (informacja topograficzna) Elektrony Augera (inforamcja o składzie) Próbka Prąd preparatu (inforamcja elektryczna) W skutek bombardowania powierzchni preparatu następuje emisja fotonów i elektronów. Mikroskopy na ogół wyposaŝone są w układy detekcji elektronów wtórnych, elektronów rozproszonych wstecznie oraz promieniowania rentgenowskiego.
13 Emisja sygnału z objętości próbki
14 Podstawowe mody działania SEM Sygnał/mod Informacja Materiały Rozdzielczość Elektrony wtórne morfologia wszystkie 1 nm Elektrony rozpraszane wstecznie Promieniowanie rentgenowskie (EDS, WDS) Katodoluminescencja liczba atomowa wszystkie 0,1 0,5 µm* skład pierwiastkowy wszystkie (płaskie) ~ 1 µm przerwa wzbroniona, domieszki, czasy Ŝycia izolatory i półprzewodniki ~ 1 µm W większości mikroskopów moŝna badać próbki o rozmiarach cm. *rozdzielczość zaleŝy od napięcia przyspieszającego oraz liczy atomowej SE secondary electrons; BSE backscattering electrons.
15 Elektrony wtórne elektrony wtórne wiązka elektronów padających elektrony wtórne jądro Elektrony wtórne są wytwarzane wskutek oddziaływań pomiędzy wysokoenergetycznymi elektronami wiązki padającej oraz słabo związanymi elektronami z pasma przewodnictwa w metalach lub elektronami walencyjnymi w izolatorach i półprzewodnikach. Ze względu na duŝą róŝnicę energii niesionej przez elektrony wiązki padającej oraz energii elektronów w preparacie, tylko niewielka część energii kinetycznej jest przenoszona do elektronów wtórnych.
16 Rozpraszanie nieelastyczne Podczas rozpraszania nieelastycznego energia elektronów wiązki padającej jest przenoszona do elektronów atomów otoczenia. Wskutek tych procesów tylko niewielka część energii kinetycznej wysokoenergetycznych elektronów jest przekazywana elektronom wtórnym. Procesy rozpraszania obejmują wzbudzenia fononowe, wzbudzenia plazmonowe, wzbudzenia elektronów wtórnych, wytwarzanie promieniowania rentgenowskiego jak równieŝ jonizację wewnętrznych powłok atomowych. W kaŝdym procesie rozpraszania nieelastycznego następuje utrata części energii, współczynnik strat energii jest inny dla kaŝdego procesu.
17 Detekcja elektronów wtórnych Elektrony wtórne z preparatu uzyskują energię wskutek nieelastycznych zderzeń z elektronami wiązki. Energia elektronów emitowanych z próbki nie przekracza 50 ev. Powierzchnia przełomu metalu. Obraz powierzchni utworzony został za pomocą elektronów wtórnych.
18 Rozpraszanie elastyczne elektrony rozpraszane wstecznie kierunek wiązki elektronów elektron rozproszony wstecznie jądro Rozpraszanie elastyczne zachodzi pomiędzy ujemnymi elektronami i dodatnim jądrem (rozpraszanie Rutheforda). Jak sama nazwa wskazuje, w rozpraszaniu elastycznym nie następuje wymiana energii lecz pędu. Zatem w procesie tym zmianie ulega przede wszystkim kierunek prędkości padających elektronów. Elektrony są rozpraszane pod kątami od 0 do 180. Elektrony rozpraszane pod duŝymi kątami nazywane są elektronami rozpraszanymi wstecznie. Obraz stopu aluminium i miedzi wytworzony przez elektrony rozpraszane wstecznie. W jaśniejszych obszarach występuje aluminium, w ciemniejszych miedź.
19 Rozkład energii elektronów wtórnych oraz elektronów rozpraszanych wstecznie SE BSE N(E) straty na plazmonach ERE AE 0 50 ev 2 kev eu Energia elektronów
20 Detekcja elektronów wtórnych detektor Everhatta - Thornleya światłowód pole elektryczne siateczka V scyntylator pokryty warstwą Al (10 kv) fotokatoda dynody fotopowielacza Elektrony wtórne są przyspieszane do czoła detektora spolaryzowaną dodatnio napięciem V siateczkę. W kolejnej fazie są przyspieszane w kierunku scyntylatora wysokim napięciem ~ 10 kv. Scyntylator pokryty jest cienką warstwą Al (700 Å), która zapobiega ucieczce promieniowania fluorescencyjnego. Potencjał 10 kv jest wystarczający do tego, by elektrony wtórne przedostały się przez warstwę metalu i wywołały zjawisko scyntylacji. Fotony za pośrednictwem światłowodu są kierowane do fotopowielacza, który sygnałświetlny zamienia na impulsy elektryczne.
21 Detekcja elektronów rozpraszanych wstecznie elektrony rozpraszane wstecznie Si warstwa Au wytwarzanie par elektron-dziura złącze p-n PoniewaŜ elektrony rozpraszane wstecznie mają duŝo wyŝsze energie, nie mogą być zbierane tą samą metodą, co elektrony wtórne. Najczęściej uŝywanym detektorem BSE jest umieszczony nad próbką poniŝej soczewki obiektywowej detektor bariery powierzchniowej. Detektor bariery powierzchniowej jest skonstruowany na bazie półprzewodnika z zapełnionym pasmem walencyjnym i pustym pasmem przewodnictwa. Na skutek bombardowania przez BSE, elektrony w z pasma walencyjnego półprzewodnika są wzbudzane do pasma przewodnictwa. Po przyłoŝeniu napięcia moŝemy rejestrować prąd proporcjonalny do liczby elektronów wtórnych.
22 Detekcja elektronów detektor elektronów wtórnych detektor promieniowania X detektor elektronów rozpraszanych wstecznie Zastosowanie detektora SE pozwala na wytwarzanie obrazu topograficznego próbki o wysokiej rozdzielczości. Detektory BSE wykorzystuje się do określania składu próbki. KaŜdy pierwiastek wchodzący w skład próbki jest obrazowany przez odpowiedni poziom szarości. Detektory EDS (energy dispersive X-ray spectroscopy) pozwalają na wykonywanie map rozkładów pierwiastkowych powierzchni próbki.
23 PróŜnia Zarówno mikroskopy transmisyjne, jak równieŝ skaningowe pracują w próŝni. W przeciwnym razie wiązka elektronów nie byłaby stabilna. Gazy wchodziłyby w reakcję z działem elektronowym prowadząc do szybkiego jego zniszczenia. Nawet gdyby do tego nie doszło, wiązka elektronów powodowałaby jonizację gazów i przypadkowe wylądowania. Zakłócony byłby równieŝ bieg promieni przez soczewki elektronowe.
24 Napylanie próbek By uzyskać obraz SEM z próbek dielektrycznych niezbędne jest napylenie jej powierzchni cienką warstwą metaliczną. W ten sposób unika się gromadzenia na powierzchni próbki ładunków powierzchniowych, które utrudniają bądź uniemoŝliwiają obserwacje. Napylanie (najczęściej warstwą złota, rzadziej węgla) wykonuje się w warunkach wysokiej próŝni (10-3 Pa).
25 Technika ESEM environmental SEM wiązka pierwotna elektronów elektroda detektora - G + - G - G - G G G G G preparat - + G Technika ESEM umoŝliwia obserwacje mikroskopowe w warunkach niskiej próŝni. W technice tej elektrony wtórne są przyciągane przez dodatnio naładowaną elektrodę detektora. Kiedy elektrony przemieszczają się w środowisku gazowym, zderzenia pomiędzy elektronami i cząsteczkami gazu powodują jonizację molekuł gazu i uwalnianie kolejnych elektronów. Dodatnio naładowane jony gazu są przyciągane przez ujemnie spolaryzowany preparat. Wzrost liczby elektronów przyczynia się do wzmocnienia pierwotnego sygnału elektronów wtórnych.
26 Zaburzenia obrazów SEM aberracje chromatyczne; brak ostrości i kontrastu; niestabilność obrazu; zaszumienie obrazu; postrzępione krawędzie przedmiotów; obrazy przekontrastowane; obrazy zdeformowane.
27 Wpływ napięcia przyspieszającego wysoka rozdzielczość wysokie mało przejrzysta struktura powierzchni efekty krawędziowe efekty gromadzenia się ładunku powierzchniowego degradacja próbki Napięcie przyspieszające przejrzysta struktura powierzchni słaby efekt gromadzenia się ładunku powierzchniowego słaby efekt krawędziowy niskie mała rozdzielczość
28 Wpływ napięcia przyspieszającego mikrokryształki złota włókna papieru 5 kv 5 kv 25 kv 25 kv Lepszą ostrość i rozdzielczość obrazu uzyskuje się przy wyŝszych napięciach przyspieszających. Mikrostruktura preparatu jest lepiej uwidoczniona w przypadku płytkiej penetracji wiązki elektronowej (niŝsze napięcia).
29 Wpływ napięcia przyspieszającego toner, powiększenie x 30 kv 5 kv Przy zastosowaniu wysokiego napięcia przyspieszającego trudno jest uzyskać dobry kontrast na powierzchni preparatu. Ponadto mamy do czynienia ze zjawiskiem gromadzenia się ładunku powierzchniowego. Struktura powierzchniowa jest lepiej uwidoczniona przy zastosowaniu niŝszego napięcia przyspieszającego.
30 Prąd wiązki i średnica plamki próbkującej średnica wiązki prąd wiązki Im mniejsza średnica plamki próbkującej, tym większe powiększenia moŝemy osiągać oraz lepszą rozdzielczość obrazu. Z drugiej strony stosunek sygnału do szumu jest tym większy, im większy prąd wiązki próbkującej. Podczas obserwacji mikroskopowych naleŝy kaŝdorazowo dobierać prąd wiązki do warunków obserwacji (napięcia przyspieszającego, nachylenia preparatu i innych okoliczności).
31 Prąd wiązki i średnica plamki próbkującej Ceramika, 10 kv, powiększenie razy Im mniejszy prąd próbkowania, tym bardziej ostry obraz. JednakŜe odbywa sieto kosztem gładkości powierzchni.
32 Przykłady obrazów SEM pokrycie promu kosmicznego
33 Przykłady obrazów SEM owad
34 Skaningowa mikroskopia z rozdzielczością atomową STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force Microscopy Mikroskopia siły atomowej MFM Magnetic Force Microscopy Mikroskopia siły magnetycznej
35 Historia Heinrich Rohner 1982 r. pierwszy stabilny obraz STM rok nagroda Nobla Gerd Binning
36 Bariera potencjału i tunelowanie E d Bariera potencjału E e V 0 0 for x > d/2, V ( x) = V0 for x < d/2. Równanie Schrödingera V 0 e d 2 ψ ( x) dx 2 2m h 2 ( V E) ψ ( x) = 0. 0 Elektron o masie m i energii E moŝe ze skończonym prawdopodobieństwem tunelować przez barierę o wysokości V 0 : P( E) 2kd e k = 2m( V 0 E) / h 2.
37 Bariera potencjału i tunelowanie V E V(x) E V 0 V(x) Istnieje skończone prawdopodobieństwo P(E), Ŝe elektron o energii E napotykając na swej drodze barierę potencjału jest w stanie ją przekroczyć. PoniewaŜ P( E) e 2kd zmieniając szerokość bariery d moŝemy zmieniać prąd tunelowania elektronów., Prąd tunelowania [na] 0 d xx część rzeczywista funkcji falowej ψ 2 duŝa ψ 2 mała Szerokość bariery [nm]
38 Prąd tunelowania metal 1 izolator prąd tunelowania metal 2 Prąd tunelowania zaleŝy od napięcia polaryzacji V, elektrony tunelowe mają wówczas energię ev. Liczba elektronów tunelujących zaleŝy od gęstości obsadzeń po kaŝdej stronie bariery. E F E F ev k x J ( f ( E) f ( E ev )) P( E ) + E z z de z przestrzeń k. k y k z
39 Tunelowanie W mikroskopie tunelowym tunelowanie zachodzi pomiędzy ostrzem a powierzchnią próbki. Prąd tunelowania ma wartość I V d T e A W d, gdzie V T jest napięciem tunelowania (około 0,5 V), d odległością próbki od ostrza (około 1 nm), W pracą wyjścia elektronu (około 5 ev), a stałą o wartości 10,25 ev -1/2 nm -1. Zmiana odległości próbka-ostrze bardo silnie wpływa na prąd tunelowania. Prąd tunelowania [na] Odległość próbka-ostrze [nm]
40 Zasada działania mikroskopu STM ruch ostrza ostrze prąd tunelowy V połoŝenie ostrza igły
41 Tryby pracy mikroskopu STM Tryb stałoprądowy Tryb stałej wysokości prąd tunelowy tor ostrza próbka Prąd tunelowy ma stałą wartość. PołoŜenie ostrza dostosowuje się do topografii próbki odzwierciedlając obraz próbki. W trybie stałoprądowym uzyskuje się lepszą rozdzielczość w kierunku prostopadłym do powierzchni próbki. Mała prędkość skanowania wzdłuŝ osi x-y moŝe spowodować dryft ostrza. Wykorzystuje się przede wszystkim do badania powierzchni, które nie są płaskie w skali atomowej. Zachowuje się stałą wysokość ostrza podczas skanowania, natomiast monitorowany jest prąd tunelowy. W trybie tym skanowanie przebiega bardzo szybko, dzięki czemu unika się zniekształceń obrazu. Jego wadą jest mniejsza rozdzielczość wzdłuŝ osi z. Metoda ta pozawala na badanie procesów dynamicznych.
42 Ostrze mikroskopu STM W ostrze NaOH Uzyskiwanie ostrza d 90 % prądu tunelowego 99 % prądu tunelowego próbka 90 % prądu tunelowego zawiera się w obszarze 1 atomu Promień krzywizny ostrza wynosi około 1 nm.
43 Skaner mikroskopu 0 +V V Rozmiary piezoelektryka zmieniamy zmieniając napięcie V. Odpowiednia geometria elementu piezoelektrycznego wraz z elektrodami pozwala na sterowanie ruchem ostrza w kierunku x, y, z.
44 Skaningowy mikroskop tunelowy napięcie sterujące piezoelektrykiem wzmacniacz prądu tunelowego system kontroli odległości i skanowania próbka napięcie tunelowe wyświetlanie i opracowywanie danych
45 Obrazy z mikroskopu STM Monokryształ niklu Obraz powierzchni miedzi Nanorurka węglowa Fala stojąca wywołana przez defekt w miedzi
46 Manipulowanie atomami przemieszczanie atomu podnoszenie atomu opuszczanie atomu Przepływ prądu tunelowego oznacza, Ŝe ostrze oddziałuje z próbką. Takie oddziaływanie moŝe być zarówno przyciągające, jak i odpychające.
47 Manipulowanie atomami - przykłady Przegroda z atomów Ŝelaza na powierzchni (111) Cu Stadia przygotowania zagrody
48 Manipulowanie atomami - przykłady Atomy ksenonu
49 STM zastosowania w biologii Obraz (236nm x 192 nm) nici DNA poddanych liofilizacji i pokrytych przewodzącą warstwą Pt-Ir-C.
50 Mikroskop siła tomowych AFM fotodetektor światło lasera dźwignia ruch dźwigni Ostrze jest umocowane na swobodnym końcu dźwigni o długości mm. Detektor mierzy ugięcie dźwigni podczas, skanowania próbki lub gdy próbka jest przesuwana pod ostrzem.
51 Mikroskop siła tomowych AFM Dźwignia jest odchylana na skutek sił działających pomiędzy ostrzem i próbką, które opisane są przez potencjał Lennarda Jonesa Φ( r) = σ 4ε r 12 6 σ r. Siły te na małych odległościach są odpychające (tryb pracy kontaktowy), na długich przyciągające (tryb pracy bezkontaktowy). Siły te występują we wszystkich materiałach, nie są ograniczone jedynie do metali i półprzewodników. Parametry ε oraz σ zaleŝą od składu chemicznego próbki, co pozwala na tworzenie map rozkładu chemicznego. Ta technika umoŝliwia obserwacje próbek biologicznych, równieŝ w środowisku ciekłym.
52 Mikroskop siła tomowych AFM tłumienie błony płynu 10 µm siły elektrostatyczne (odpychające i przyciągające) 0,1 1 µm siły napięcia powierzchniowego płynu (przyciągające) nm siły van der Waalsa (przyciągające), 1 Å siły coulombowskie (odpychające), 0,1-1 Å powierzchnia próbki
53 Tryby pracy mikroskopu sił atomowych Tryb kontaktowy duŝa rozdzielczość obrazów; duŝe siły adhezyjne spowodowane obecnością zanieczyszczeń na powierzchni; moŝliwość uszkodzenia próbki lub ostrza. Tryb bezkontaktowy mniejsza rozdzielczość obrazów. Tryb z przerywanym kontaktem (tapping mode) moŝliwość skanowania miękkich powierzchni; dobra zdolność rozdzielcza.
54 Obrazy w mikroskopie sił atomowych W mikroskopie AFM moŝna przeprowadzać obserwacje w powietrzu oraz w cieczach. Rozdzielczość mikroskopu wynosi 0,01 nm. Obraz DNA otrzymany w trybie Tapping Mode. Odległość między poszczególnymi helisami DNA wynosi około 4 nm.
55 Obrazy w mikroskopie sił atomowych Powierzchnia płyty kompaktowej, głębokość rowka wynosi 150 nm, szerokość około 2,5 µm, odległość pomiędzy rowkami 2,5 µm. Sieć neuronowa konika morskiego, 15 x 15 µm Główka nasienia, skok helisy 650 nm, średnica 450 nm, długość do 40 µm.
56 Mikroskop sił magnetycznych MFM ostrze pokryte warstwą magentyczną droga ostrza domeny magnetyczne płaska próbka magnetyczna Kontrast wynika ze zmiany pól rozproszonych wywołanych niejednorodnościami namagnesowania.
57 Obrazy z mikroskopu sił magnetycznych MFM Zapis bitów na nośniku magneto optycznym TbFeCo Twardy dysk
58 Przyszłość mikroskopii skaningowej z rozdzielczością atomową Konstrukcja udoskonalonych ostrzy mikroskopów będzie moŝliwa, jeŝeli lepiej zrozumiemy zaleŝności pomiędzy składem chemicznym, kształtem i rozmiarami ostrz. W chwili obecnej ostrza mają bardzo nieregularne zakończenia, dlatego istotne jest opanowanie technologii produkcji ostrzy o ściśle określonej geometrii. Ograniczone rozmiary ostrzy powodują zniekształcenia obrazu blisko sąsiadujących ze sobą atomów.
SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force
SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force Microscopy Mikroskopia siły atomowej MFM Magnetic Force Microscopy
Bardziej szczegółowoPodstawy fizyki wykład 2
D. Halliday, R. Resnick, J.Walker: Podstawy Fizyki, tom 5, PWN, Warszawa 2003. H. D. Young, R. A. Freedman, Sear s & Zemansky s University Physics with Modern Physics, Addison-Wesley Publishing Company,
Bardziej szczegółowoWspółczesne metody badań instrumentalnych
Współczesne metody badań instrumentalnych Wykład IX Mikroskopia optyczna i elektronowa Mikroskopia w konserwacji identyfikacja pigmentów, identyfikacja spoiw, badanie składu warstw malarskich, badanie
Bardziej szczegółowoAFM. Mikroskopia sił atomowych
AFM Mikroskopia sił atomowych Siły van der Waalsa F(r) V ( r) = c 1 r 1 12 c 2 r 1 6 Siły van der Waalsa Mod kontaktowy Tryby pracy AFM związane z zależnością oddziaływania próbka ostrze od odległości
Bardziej szczegółowoh λ= mv h - stała Plancka (4.14x10-15 ev s)
Twórcy podstaw optyki elektronowej: De Broglie LV. 1924 hipoteza: każde ciało poruszające się ma przyporządkowaną falę a jej długość jest ilorazem stałej Plancka i pędu. Elektrony powinny więc mieć naturę
Bardziej szczegółowoRodzaje mikroskopów ze skanującą sondą (SPM, Scanning Probe Microscopy)
Spis treści 1 Historia 2 Rodzaje mikroskopów ze skanującą sondą (SPM, Scanning Probe Microscopy) 2.1 Skaningowy mikroskop tunelowy (STM od ang. Scanning Tunneling Microscope) 2.1.1 Uzyskiwanie obrazu metodą
Bardziej szczegółowoMetodyka Badań Materiałów i Technik Malarskich
Metodyka Badań Materiałów i Technik Malarskich Wykład IV Echografia ultradźwiękowa Mikroskopia optyczna Mikroskopia elektronowa Badania mikroskrystaloskopowe Przekroje poprzeczne Widmo fal akustycznych
Bardziej szczegółowoSpektroskopia charakterystycznych strat energii elektronów EELS (Electron Energy-Loss Spectroscopy)
Spektroskopia charakterystycznych strat energii elektronów EELS (Electron Energy-Loss Spectroscopy) Oddziaływanie elektronów ze stałą, krystaliczną próbką wstecznie rozproszone elektrony elektrony pierwotne
Bardziej szczegółowoMETODY BADAŃ BIOMATERIAŁÓW
METODY BADAŃ BIOMATERIAŁÓW 1 Cel badań: ograniczenie ryzyka związanego ze stosowaniem biomateriałów w medycynie Rodzaje badań: 1. Badania biofunkcyjności implantów, 2. Badania degradacji implantów w środowisku
Bardziej szczegółowoNOWOCZESNE TECHNIKI BADAWCZE W INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ. Beata Grabowska, pok. 84A, Ip
NOWOCZESNE TECHNIKI BADAWCZE W INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Beata Grabowska, pok. 84A, Ip http://home.agh.edu.pl/~graboska/ Mikroskopia Słowo mikroskop wywodzi się z języka greckiego: μικρός - mikros "mały
Bardziej szczegółowoI. Wstęp teoretyczny. Ćwiczenie: Mikroskopia sił atomowych (AFM) Prowadzący: Michał Sarna (sarna@novel.ftj.agh.edu.pl) 1.
Ćwiczenie: Mikroskopia sił atomowych (AFM) Prowadzący: Michał Sarna (sarna@novel.ftj.agh.edu.pl) I. Wstęp teoretyczny 1. Wprowadzenie Mikroskop sił atomowych AFM (ang. Atomic Force Microscope) jest jednym
Bardziej szczegółowoKatedra Fizyki Ciała Stałego Uniwersytetu Łódzkiego
Katedra Fizyki Ciała Stałego Uniwersytetu Łódzkiego Ćwiczenie 7 Elektronowy mikroskop skaningowy-analogowy w badaniach morfologii powierzchni ciała stałego. Cel ćwiczenia: Celem ćwiczenia jest zapoznanie
Bardziej szczegółowo1 k. AFM: tryb bezkontaktowy
AFM: tryb bezkontaktowy Ramię igły wprowadzane w drgania o małej amplitudzie (rzędu 10 nm) Pomiar zmian amplitudy drgań pod wpływem sił (na ogół przyciągających) Zbliżanie igły do próbki aż do osiągnięcia
Bardziej szczegółowoSkaningowy Mikroskop Elektronowy. Rembisz Grażyna Drab Bartosz
Skaningowy Mikroskop Elektronowy Rembisz Grażyna Drab Bartosz PLAN PREZENTACJI: 1. Zarys historyczny 2. Zasada działania SEM 3. Zjawiska fizyczne wykorzystywane w SEM 4. Budowa SEM 5. Przygotowanie próbek
Bardziej szczegółowoWykład 21: Studnie i bariery cz.2.
Wykład 21: Studnie i bariery cz.2. Dr inż. Zbigniew Szklarski Katedra Elektroniki, paw. C-1, pok.321 szkla@agh.edu.pl http://layer.uci.agh.edu.pl/z.szklarski/ 1 Przykłady tunelowania: rozpad alfa, synteza
Bardziej szczegółowoĆw.6. Badanie własności soczewek elektronowych
Pracownia Molekularne Ciało Stałe Ćw.6. Badanie własności soczewek elektronowych Brygida Mielewska, Tomasz Neumann Zagadnienia do przygotowania: 1. Budowa mikroskopu elektronowego 2. Wytwarzanie wiązki
Bardziej szczegółowoFizyka powierzchni. Dr Piotr Sitarek. Katedra Fizyki Doświadczalnej, Wydział Podstawowych Problemów Techniki, Politechnika Wrocławska
Fizyka powierzchni 11 Dr Piotr Sitarek Katedra Fizyki Doświadczalnej, Wydział Podstawowych Problemów Techniki, Politechnika Wrocławska Lista zagadnień Fizyka powierzchni i międzypowierzchni, struktura
Bardziej szczegółowoRozpraszanie nieelastyczne
Rozpraszanie nieelastyczne Przekazywanie energii elektronów wiązki prowadzi do emisji szeregu sygnałów wykorzystywanych w mikroskopii elektronowej i mikroanalizie rentgenowskiej: 1. Niskoenergetyczne elektrony
Bardziej szczegółowoMikroskopia skaningowa tunelowa i siłowa
Zakład Fizyki Magnetyków Uniwersytet w Białymstoku Instytut Fizyki Doświadczalnej Lipowa 41, 15-424 Białystok Tel: (85) 7457228 http://physics.uwb.edu.pl/zfmag Mikroskopia skaningowa tunelowa i siłowa
Bardziej szczegółowoSkaningowy Mikroskop Elektronowy (SEM) jako narzędzie do oceny morfologii powierzchni materiałów
1 Skaningowy Mikroskop Elektronowy (SEM) jako narzędzie do oceny morfologii powierzchni materiałów Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia są badania morfologiczne powierzchni materiałów oraz analiza chemiczna obszarów
Bardziej szczegółowoElektronowa mikroskopia. T. 2, Mikroskopia skaningowa / Wiesław Dziadur, Janusz Mikuła. Kraków, Spis treści
Elektronowa mikroskopia. T. 2, Mikroskopia skaningowa / Wiesław Dziadur, Janusz Mikuła. Kraków, 2016 Spis treści Wykaz ważniejszych skrótów i oznaczeń 11 Przedmowa 17 Wstęp 19 Literatura 26 Rozdział I.
Bardziej szczegółowoMIKROSKOPIA ELEKTRONOWA. Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego
MIKROSKOPIA ELEKTRONOWA Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego Tło historyczne Pod koniec XIX wieku stosowanie mikroskopów świetlnych w naukach
Bardziej szczegółowoPrzewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki
Przewodność elektryczna ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności
Bardziej szczegółowoInkluzje Protodikraneurini trib. nov.. (Hemiptera: Cicadellidae) w bursztynie bałtyckim i ich badania w technice SEM
Muzeum i Instytut Zoologii Polska Akademia Nauk Akademia im. Jana DługoszaD ugosza Inkluzje Protodikraneurini trib. nov.. (Hemiptera: Cicadellidae) w bursztynie bałtyckim i ich badania w technice SEM Magdalena
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ANALITYCZNEJ MIKROSKOPII ELEKTRONOWEJ (L - 2)
LABORATORIUM ANALITYCZNEJ MIKROSKOPII ELEKTRONOWEJ (L - 2) Posiadane uprawnienia: ZAKRES AKREDYTACJI LABORATORIUM BADAWCZEGO NR AB 120 wydany przez Polskie Centrum Akredytacji Wydanie nr 5 z 18 lipca 2007
Bardziej szczegółowoElektryczne własności ciał stałych
Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności elektryczne trzeba zdefiniować kilka wielkości Oporność właściwa (albo przewodność) ładunek [C] = 1/
Bardziej szczegółowoFORMULARZ WYMAGANYCH WARUNKÓW TECHNICZNYCH
Załącznik Nr 2 WYMAGANIA BEZWZGLĘDNE: FORMULARZ WYMAGANYCH WARUNKÓW TECHNICZNYCH Przedmiotem zamówienia jest dostawa i instalacja fabrycznie nowego skaningowego mikroskopu elektronowego (SEM) ze zintegrowanym
Bardziej szczegółowoŚwiatło fala, czy strumień cząstek?
1 Światło fala, czy strumień cząstek? Teoria falowa wyjaśnia: Odbicie Załamanie Interferencję Dyfrakcję Polaryzację Efekt fotoelektryczny Efekt Comptona Teoria korpuskularna wyjaśnia: Odbicie Załamanie
Bardziej szczegółowoBadanie strutury powierzchni z atomową zdolnością rozdzielczą. Powierzchnia jak ją zdefiniować?
Badanie strutury powierzchni z atomową zdolnością rozdzielczą Powierzchnia jak ją zdefiniować? Obszar kryształu, dla którego nie da się zastosować trójwymiarowych równań opisujących własności wnętrza.
Bardziej szczegółowoPrzykłady wykorzystania mikroskopii elektronowej w poszukiwaniach ropy naftowej i gazu ziemnego. mgr inż. Katarzyna Kasprzyk
Przykłady wykorzystania mikroskopii elektronowej w poszukiwaniach ropy naftowej i gazu ziemnego mgr inż. Katarzyna Kasprzyk Mikroskop skaningowy Pierwszy mikroskop elektronowy transmisyjny powstał w 1931r
Bardziej szczegółowoSkaningowy mikroskop tunelowy STM
Skaningowy mikroskop tunelowy STM Skaningowy mikroskop tunelowy (ang. Scanning Tunneling Microscope; STM) należy do szerszej rodziny mikroskopów ze sondą skanującą. Wykorzystuje on zjawisko tunelowania
Bardziej szczegółowoTEORIA PASMOWA CIAŁ STAŁYCH
TEORIA PASMOWA CIAŁ STAŁYCH Skolektywizowane elektrony w metalu Weźmy pod uwagę pewną ilość atomów jakiegoś metalu, np. sodu. Pojedynczy atom sodu zawiera 11 elektronów o konfiguracji 1s 2 2s 2 2p 6 3s
Bardziej szczegółowoPromieniowanie X. Jak powstaje promieniowanie rentgenowskie Budowa lampy rentgenowskiej Widmo ciągłe i charakterystyczne promieniowania X
Promieniowanie X Jak powstaje promieniowanie rentgenowskie Budowa lampy rentgenowskiej Widmo ciągłe i charakterystyczne promieniowania X Lampa rentgenowska Lampa rentgenowska Promieniowanie rentgenowskie
Bardziej szczegółowoCiała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz
Ciała stałe Podstawowe własności ciał stałych Struktura ciał stałych Przewodnictwo elektryczne teoria Drudego Poziomy energetyczne w krysztale: struktura pasmowa Metale: poziom Fermiego, potencjał kontaktowy
Bardziej szczegółowoElementy teorii powierzchni metali
prof. dr hab. Adam Kiejna Elementy teorii powierzchni metali Wykład 4 v.16 Wiązanie metaliczne Wiązanie metaliczne Zajmujemy się tylko metalami dlatego w zasadzie interesuje nas tylko wiązanie metaliczne.
Bardziej szczegółowoZaburzenia periodyczności sieci krystalicznej
Zaburzenia periodyczności sieci krystalicznej Defekty liniowe dyslokacja krawędziowa dyslokacja śrubowa dyslokacja mieszana Defekty punktowe obcy atom w węźle luka w sieci (defekt Schottky ego) obcy atom
Bardziej szczegółowoSpektroskopia elektronów Augera AES
Spektroskopia elektronów Augera AES (Auger Electron Spectroscopy) Emisja elektronu Augera (Pierre Auger, 1925) elektron Augera E kin E vac 3 poziom Fermiego e C B 2 Φ Α E C E B E A A 1 Energia kinetyczna
Bardziej szczegółowoWykład Budowa atomu 2
Wykład 7.12.2016 Budowa atomu 2 O atomach cd Model Bohra podsumowanie Serie widmowe O czym nie mówi model Bohra Wzbudzenie, emisja, absorpcja O liniach widmowych Kwantowomechaniczny model atomu sformułowanie
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 8. Detekcja światła. Przypomnienie. Efekt fotoelektryczny
Repeta z wykładu nr 8 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 przegląd detektorów
Bardziej szczegółowoWykład 12 V = 4 km/s E 0 =.08 e V e = = 1 Å
Wykład 12 Fale materii: elektrony, neutrony, lekkie atomy Neutrony generowane w reaktorze są spowalniane w wyniku zderzeń z moderatorem (grafitem) do V = 4 km/s, co odpowiada energii E=0.08 ev a energia
Bardziej szczegółowoSpektroskopia ramanowska w badaniach powierzchni
Spektroskopia ramanowska w badaniach powierzchni z Efekt Ramana (1922, CV Raman) I, ν próbka y Chandra Shekhara Venketa Raman x I 0, ν 0 Monochromatyczne promieniowanie o częstości ν 0 ulega rozproszeniu
Bardziej szczegółowoStany skupienia materii
Stany skupienia materii Ciała stałe - ustalony kształt i objętość - uporządkowanie dalekiego zasięgu - oddziaływania harmoniczne Ciecze -słabo ściśliwe - uporządkowanie bliskiego zasięgu -tworzą powierzchnię
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n
Repeta z wykładu nr 5 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 3. Detekcja światła. Struktura krystaliczna. Plan na dzisiaj
Repeta z wykładu nr 3 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoRekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja
Rekapitulacja Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje: czwartek
Bardziej szczegółowoWYJAŚNIENIE TREŚCI SIWZ
Warszawa, dnia 17.11.2015r. WYJAŚNIENIE TREŚCI SIWZ Dotyczy przetargu nieograniczonego na: Dostawa stołowego skaningowego mikroskopu elektronowego wraz z wyposażeniem dla Instytutu Technologii Materiałów
Bardziej szczegółowoSkaningowy mikroskop elektronowy - Ilość: 1 kpl.
Zamówienie publiczne w trybie przetargu nieograniczonego nr ZP/PN/15/2014 Przedmiot postępowania: Dostawa skaningowego mikroskopu elektronowego ARKUSZ INFORMACJI TECHNICZNEJ Wszystkie parametry podane
Bardziej szczegółowoJak badać strukturę powierzchni?
Jak badać strukturę powierzchni? Wykład - 12 15 Anim - ten kod oznacza, że na stronie znajdują się animacje niewidoczne w pliku pdf. Aby oglądnąć te animacje skopiuj zbiór z pokazem PowerPoint Z. Postawa,
Bardziej szczegółowoM2 Mikroskopia sił atomowych: badanie nanostruktur.
M2 Mikroskopia sił atomowych: badanie nanostruktur. Celem ćwiczenia jest poznanie mikroskopii sił atomowych i zbadanie otrzymanych próbek. Wymagane zagadnienia Podstawy fizyczne mikroskopii sił atomowych:
Bardziej szczegółowoWIĄZANIA. Co sprawia, że ciała stałe istnieją i są stabilne? PRZYCIĄGANIE ODPYCHANIE
WIĄZANIA Co sprawia, że ciała stałe istnieją i są stabilne? PRZYCIĄGANIE ODPYCHANIE Przyciąganie Wynika z elektrostatycznego oddziaływania między elektronami a dodatnimi jądrami atomowymi. Może to być
Bardziej szczegółowoStruktura pasmowa ciał stałych
Struktura pasmowa ciał stałych dr inż. Ireneusz Owczarek CMF PŁ ireneusz.owczarek@p.lodz.pl http://cmf.p.lodz.pl/iowczarek 2012/13 Spis treści 1. Pasmowa teoria ciała stałego 2 1.1. Wstęp do teorii..............................................
Bardziej szczegółowoWady ostrza. Ponieważ ostrze ma duży promień niektóre elementy ukształtowania powierzchni nie są rejestrowane (fioletowy element)
Wady ostrza Ponieważ ostrze ma duży promień niektóre elementy ukształtowania powierzchni nie są rejestrowane (fioletowy element) Ponieważ ostrze ma kilka zakończeń w obrazie pojawiają się powtórzone struktury
Bardziej szczegółowoModel elektronów swobodnych w metalu
Model elektronów swobodnych w metalu Stany elektronu w nieskończonej trójwymiarowej studni potencjału - dozwolone wartości wektora falowego k Fale stojące - warunki brzegowe znikanie funkcji falowej na
Bardziej szczegółowoFizyka powierzchni. Dr Piotr Sitarek. Katedra Fizyki Doświadczalnej, Wydział Podstawowych Problemów Techniki, Politechnika Wrocławska
Fizyka powierzchni 9 Dr Piotr Sitarek Katedra Fizyki Doświadczalnej, Wydział Podstawowych Problemów Techniki, Politechnika Wrocławska Lista zagadnień Fizyka powierzchni i międzypowierzchni, struktura powierzchni
Bardziej szczegółowoTechniki mikroskopowe
Techniki mikroskopowe Metody badań strukturalnych ciała stałego dr inż. Magdalena Król Mikrostruktura Struktura przestrzenne rozmieszczenie cząstek materii (atomów, jonów, cząsteczek) oraz zespół relacji
Bardziej szczegółowoPodstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane
Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Półprzewodnik typu n IV-Ge V-As Jeżeli pięciowartościowy atom V-As zastąpi w sieci atom IV-Ge to cztery elektrony biorą udział w wiązaniu kowalentnym,
Bardziej szczegółowoMikroskopia Sił Atomowych (AFM)
Narzędzia dla nanotechnologii Mikroskopia Sił Atomowych (AFM) Tomasz Kruk* Wprowadzenie Wśród wielu urządzeń kojarzonych z nanotechnologią żadne nie jest tak dobrze rozpoznawalne i proste w założeniu swojej
Bardziej szczegółowoPrzyrządy i układy półprzewodnikowe
Przyrządy i układy półprzewodnikowe Prof. dr hab. Ewa Popko ewa.popko@pwr.edu.pl www.if.pwr.wroc.pl/~popko p.231a A-1 Zawartość wykładu Wy1, Wy2 Wy3 Wy4 Wy5 Wy6 Wy7 Wy8 Wy9 Wy10 Wy11 Wy12 Wy13 Wy14 Wy15
Bardziej szczegółowoWłaściwości materii. Bogdan Walkowiak. Zakład Biofizyki Instytut Inżynierii Materiałowej Politechnika Łódzka. 18 listopada 2014 Biophysics 1
Wykład 8 Właściwości materii Bogdan Walkowiak Zakład Biofizyki Instytut Inżynierii Materiałowej Politechnika Łódzka 18 listopada 2014 Biophysics 1 Właściwości elektryczne Właściwości elektryczne zależą
Bardziej szczegółowoNadprzewodniki. W takich materiałach kiedy nastąpi przepływ prądu może on płynąć nawet bez przyłożonego napięcia przez długi czas! )Ba 2. Tl 0.2.
Nadprzewodniki Pewna klasa materiałów wykazuje prawie zerową oporność (R=0) poniżej pewnej temperatury zwanej temperaturą krytyczną T c Większość przewodników wykazuje nadprzewodnictwo dopiero w temperaturze
Bardziej szczegółowoPrzewodniki, półprzewodniki i izolatory
Przewodniki, półprzewodniki i izolatory Według współczesnego poglądu na budowę materii zawiera ona w stanie normalnym albo inaczej - obojętnym, równe ilości elektryczności dodatniej i ujemnej. JeŜeli takie
Bardziej szczegółowoPomiar energii wiązania deuteronu. Celem ćwiczenia jest wyznaczenie energii wiązania deuteronu
J1 Pomiar energii wiązania deuteronu Celem ćwiczenia jest wyznaczenie energii wiązania deuteronu Przygotowanie: 1) Model deuteronu. Własności deuteronu jako źródło informacji o siłach jądrowych [4] ) Oddziaływanie
Bardziej szczegółowoRys. 1. Schemat budowy elektronowego mikroskopu skaningowego (SEM).
Ewa Teper PODSTAWY MIKROSKOPII SKANINGOWEJ Podstawowe zasady działania mikroskopu skaningowego. W mikroskopach skaningowych wiązka elektronów bombarduje próbkę, skanując jej powierzchnię linia po linii.
Bardziej szczegółowoBadanie powierzchni materiałów z za pomocą skaningowej mikroskopii sił atomowych (AFM)
1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z techniką obrazowania powierzchni za pomocą skaningowego mikroskopu sił atomowych (AFM). Badanie powierzchni materiałów z za pomocą skaningowej mikroskopii
Bardziej szczegółowoLaboratorium nanotechnologii
Laboratorium nanotechnologii Zakres zagadnień: - Mikroskopia sił atomowych AFM i STM (W. Fizyki) - Skaningowa mikroskopia elektronowa SEM (WIM) - Transmisyjna mikroskopia elektronowa TEM (IF PAN) - Nanostruktury
Bardziej szczegółowoSpektroskopia fotoelektronów (PES)
Spektroskopia fotoelektronów (PES) Efekt fotoelektryczny hν ( UV lub X) E =hν kin W Proces fotojonizacji w PES: M + hν M + + e E kin (e) = hν E B Φ sp E B energia wiązania elektronu w atomie/cząsteczce
Bardziej szczegółowo1. Niskoenergetyczne elektrony wtórne SE (podstawowy sygnał w SEM) 2. Charakterystyczne promieniowanie rentgenowskie (mikroanaliza w SEM i TEM)
Rozpraszanie niesprężyste Przekazywanie energii elektronów wiązki prowadzi do emisji szeregu sygnałów wykorzystywanych w mikroskopii elektronowej i mikroanalizie rentgenowskiej: 1. Niskoenergetyczne elektrony
Bardziej szczegółowodr inż. Beata Brożek-Pluska SERS La boratorium La serowej
dr inż. Beata Brożek-Pluska La boratorium La serowej Spektroskopii Molekularnej PŁ Powierzchniowo wzmocniona sp ektroskopia Ramana (Surface Enhanced Raman Spectroscopy) Cząsteczki zaadsorbowane na chropowatych
Bardziej szczegółowoMikroskop tunelowy skaningowy Scaning tuneling microscopy (STM)
Mikroskop tunelowy skaningowy Scaning tuneling microscopy (STM) Zasada działania Historia odkryć Zastosowane rozwiązania Przykłady zastosowania Bolesław AUGUSTYNIAK Zasada działania mikroskopu skanującego
Bardziej szczegółowoPRACOWNIA MIKROSKOPII
1. Kierownik Pracowni: Dr hab. Andrzej Wojtczak, prof. UMK 2. Wykonujący badania: Mgr Grzegorz Trykowski 3. Adres: Uniwersytet Mikołaja Kopernika Wydział Chemii Pracownia Analiz Instrumentalnych ul. Gagarina
Bardziej szczegółowoRezonanse magnetyczne oraz wybrane techniki pomiarowe fizyki ciała stałego
Paweł Szroeder Rezonanse magnetyczne oraz wybrane techniki pomiarowe fizyki ciała stałego Wykład X Transmisyjna mikroskopia elektronowa (TEM) Dyfrakcja elektronowa (ED) Zalety mikroskopii elektronowej
Bardziej szczegółowo4. APARATURA POMIAROWO BADAWCZA I ZASADY JEJ DZIAŁANIA Skaningowy mikroskop tunelowy STM (scanning tunneling microscope)
4. APARATURA POMIAROWO BADAWCZA I ZASADY JEJ DZIAŁANIA 4.1. Skaningowy mikroskop tunelowy STM (scanning tunneling microscope) Skaningowa mikroskopia tunelowa należy do grupy technik mikroskopowych objętych
Bardziej szczegółowoPasmowa teoria przewodnictwa. Anna Pietnoczka
Pasmowa teoria przewodnictwa elektrycznego Anna Pietnoczka Wpływ rodzaju wiązań na przewodność próbki: Wiązanie jonowe - izolatory Wiązanie metaliczne - przewodniki Wiązanie kowalencyjne - półprzewodniki
Bardziej szczegółowoAtomy wieloelektronowe
Wiązania atomowe Atomy wieloelektronowe, obsadzanie stanów elektronowych, układ poziomów energii. Przykładowe konfiguracje elektronów, gazy szlachetne, litowce, chlorowce, układ okresowy pierwiastków,
Bardziej szczegółowoPowierzchniowo wzmocniona spektroskopia Ramana SERS. (Surface Enhanced Raman Spectroscopy)
Powierzchniowo wzmocniona spektroskopia Ramana SERS (Surface Enhanced Raman Spectroscopy) Cząsteczki zaadsorbowane na chropowatych powierzchniach niektórych metali (Ag, Au, Cu) dają bardzo intensywny sygnał
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 5: Metody mikroskopowe w inżynierii materiałowej. Mikroskopia elektronowa
ćw 5 Ćwiczenie 5: Metody mikroskopowe w inżynierii materiałowej. Mikroskopia elektronowa PRZEDMIOT: NOWOCZESNE TECHNIKI BADAWCZE W INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Opracowały: cz. teoretyczna: dr hab. Beata Grabowska
Bardziej szczegółowoIII. EFEKT COMPTONA (1923)
III. EFEKT COMPTONA (1923) Zjawisko zmiany długości fali promieniowania roentgenowskiego rozpraszanego na swobodnych elektronach. Zjawisko to stoi u podstaw mechaniki kwantowej. III.1. EFEKT COMPTONA Rys.III.1.
Bardziej szczegółowoBadanie schematu rozpadu jodu 128 J
J8A Badanie schematu rozpadu jodu 128 J Celem doświadczenie jest wyznaczenie schematu rozpadu jodu 128 J Wiadomości ogólne 1. Oddziaływanie kwantów γ z materią (1,3) a/ efekt fotoelektryczny b/ efekt Comptona
Bardziej szczegółowoZjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne
Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne
Bardziej szczegółowoBadanie schematu rozpadu jodu 128 I
J8 Badanie schematu rozpadu jodu 128 I Celem doświadczenie jest wyznaczenie schematu rozpadu jodu 128 I Wiadomości ogólne 1. Oddziaływanie kwantów γ z materią [1,3] a) efekt fotoelektryczny b) efekt Comptona
Bardziej szczegółowoRównanie falowe Schrödingera ( ) ( ) Prostokątna studnia potencjału o skończonej głębokości. i 2 =-1 jednostka urojona. Ψ t. V x.
Równanie falowe Schrödingera h Ψ( x, t) + V( x, t) Ψ( x, t) W jednym wymiarze ( ) ( ) gdy V x, t = V x x Ψ = ih t Gdy V(x,t)=V =const cząstka swobodna, na którą nie działa siła Fala biegnąca Ψ s ( x, t)
Bardziej szczegółowoO manipulacji w nanoskali
FOTON 113, Lato 2011 23 O manipulacji w nanoskali Szymon Godlewski Instytut Fizyki UJ Skonstruowany w 1981 roku przez dwóch pracowników IBM Gerda Binniga i Heinricha Rohrera skaningowy mikroskop tunelowy
Bardziej szczegółowoZaawansowane Metody Badań Strukturalnych. Dyfrakcja rentgenowska cz.2 Mikroskopia Sił Atomowych AFM
Zaawansowane Metody Badań Strukturalnych Dyfrakcja rentgenowska cz.2 Mikroskopia Sił Atomowych AFM Rentgenowska fazowa analiza ilościowa Parametry komórki elementarnej Wielkości krystalitów Budowa mikroskopu
Bardziej szczegółowoGrafen materiał XXI wieku!?
Grafen materiał XXI wieku!? Badania grafenu w aspekcie jego zastosowań w sensoryce i metrologii Tadeusz Pustelny Plan prezentacji: 1. Wybrane właściwości fizyczne grafenu 2. Grafen materiał 21-go wieku?
Bardziej szczegółowoMikroskop sił atomowych
Mikroskop sił atomowych AFM: jak to działa? Krzysztof Zieleniewski Proseminarium ZFCS, 5 listopada 2009 Plan seminarium Łyczek historii Możliwości mikroskopu Budowa mikroskopu na Pasteura Podstawowe mody
Bardziej szczegółowoSZCZEGÓŁOWY OPIS PRZEDMIOTU ZAMÓWIENIA STANOWIĄCY JEDNOCZEŚNIE DRUK POTWIERDZENIE ZGODNOŚCI TECHNICZNEJ OFERTY
Załącznik nr 2 do SIWZ Załacznik nr 2 do umowy SZCZEGÓŁOWY OPIS PRZEDMIOTU ZAMÓWIENIA STANOWIĄCY JEDNOCZEŚNIE DRUK POTWIERDZENIE ZGODNOŚCI TECHNICZNEJ OFERTY Przedmiot oferty: Wysokorozdzielczy skaningowy
Bardziej szczegółowo(Pieczęć Wykonawcy) Załącznik nr 8 do SIWZ Nr postępowania: ZP/259/050/D/11. Opis oferowanej dostawy OFERUJEMY:
. (Pieczęć Wykonawcy) Załącznik nr 8 do SIWZ Nr postępowania: ZP/259/050/D/11 Opis oferowanej dostawy OFERUJEMY: 1) Mikroskop AFM według pkt 1 a) załącznika nr 7 do SIWZ, model / producent..... Detekcja
Bardziej szczegółowoZespolona funkcja dielektryczna metalu
Zespolona funkcja dielektryczna metalu Przenikalność elektryczna ośrodków absorbujących promieniowanie elektromagnetyczne jest zespolona, a także zależna od częstości promieniowania, które przenika przez
Bardziej szczegółowoFALOWA I KWANTOWA HASŁO :. 1 F O T O N 2 Ś W I A T Ł O 3 E A I N S T E I N 4 D Ł U G O Ś C I 5 E N E R G I A 6 P L A N C K A 7 E L E K T R O N
OPTYKA FALOWA I KWANTOWA 1 F O T O N 2 Ś W I A T Ł O 3 E A I N S T E I N 4 D Ł U G O Ś C I 5 E N E R G I A 6 P L A N C K A 7 E L E K T R O N 8 D Y F R A K C Y J N A 9 K W A N T O W A 10 M I R A Ż 11 P
Bardziej szczegółowoRóżne dziwne przewodniki
Różne dziwne przewodniki czyli trzy po trzy o mechanizmach przewodzenia prądu elektrycznego Przewodniki elektronowe Metale Metale (zwane również przewodnikami) charakteryzują się tym, że elektrony ich
Bardziej szczegółowoZasada nieoznaczoności Heisenberga. Konsekwencją tego, Ŝe cząstki mikroświata mają takŝe własności falowe jest:
Zasada nieoznaczoności Heisenberga Konsekwencją tego, Ŝe cząstki mikroświata mają takŝe własności falowe jest: Pewnych wielkości fizycznych nie moŝna zmierzyć równocześnie z dowolną dokładnością. Iloczyn
Bardziej szczegółowoOBRAZOWANIE ORAZ BADANIE ROZMIARÓW I POŁOŻENIA OBIEKTÓW NAŚWIETLONYCH PROMIENIOWANIEM X
X4 OBRAZOWANIE ORAZ BADANIE ROZMIARÓW I POŁOŻENIA OBIEKTÓW NAŚWIETLONYCH PROMIENIOWANIEM X 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest jakościowe poznanie podstawowych zjawisk fizycznych wykorzystywanych w obrazowaniu
Bardziej szczegółowoKwantowa natura promieniowania
Kwantowa natura promieniowania Promieniowanie ciała doskonale czarnego Ciało doskonale czarne ciało, które absorbuje całe padające na nie promieniowanie bez względu na częstotliwość. Promieniowanie ciała
Bardziej szczegółowoModel wiązania kowalencyjnego cząsteczka H 2
Model wiązania kowalencyjnego cząsteczka H 2 + Współrzędne elektronu i protonów Orbitale wiążący i antywiążący otrzymane jako kombinacje orbitali atomowych Orbital wiążący duża gęstość ładunku między jądrami
Bardziej szczegółowopółprzewodniki Plan na dzisiaj Optyka nanostruktur Struktura krystaliczna Dygresja Sebastian Maćkowski
Plan na dzisiaj Optyka nanostruktur Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 półprzewodniki
Bardziej szczegółowo39 DUALIZM KORPUSKULARNO FALOWY.
Włodzimierz Wolczyński 39 DUALIZM KORPUSKULARNO FALOWY. ZJAWISKO FOTOELEKTRYCZNE. FALE DE BROGILE Fale radiowe Fale radiowe ultrakrótkie Mikrofale Podczerwień IR Światło Ultrafiolet UV Promienie X (Rentgena)
Bardziej szczegółowoMikroskopie skaningowe
SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopie skaningowe (SPM- Sharp Probe Microscopy) Mikroskopy skanujące 1. Efekt tunelowania (STM). Stały prąd, stała wysokość. 2. Oddziaływania sił atomowych(afm). W kontakcie,
Bardziej szczegółowoMetody analizy pierwiastków z zastosowaniem wtórnego promieniowania rentgenowskiego. XRF, SRIXE, PIXE, SEM (EPMA)
Metody analizy pierwiastków z zastosowaniem wtórnego promieniowania rentgenowskiego. XRF, SRIXE, PIXE, SEM (EPMA) Promieniowaniem X nazywa się promieniowanie elektromagnetyczne o długości fali od około
Bardziej szczegółowo