SZCZEGÓŁOWY OPIS PRZEDMIOTU ZAMÓWIENIA STANOWIĄCY JEDNOCZEŚNIE DRUK POTWIERDZENIE ZGODNOŚCI TECHNICZNEJ OFERTY

Transkrypt

1 Załącznik nr 2 do SIWZ Załacznik nr 2 do umowy SZCZEGÓŁOWY OPIS PRZEDMIOTU ZAMÓWIENIA STANOWIĄCY JEDNOCZEŚNIE DRUK POTWIERDZENIE ZGODNOŚCI TECHNICZNEJ OFERTY Przedmiot oferty: Wysokorozdzielczy skaningowy mikroskop elektronowy FEG SEM ze zintegrowanym działem jonowym (FIB), modułami 3D EDS (Energy Dispersive X-Ray Spectroscopy) i 3D EBSD (Electron Backscattered Diffraction) oraz modułem nanoindentacji in-situ UWAGA: Wszystkie parametry podane w rubryce Warunki są parametrami, których niespełnienie spowoduje odrzucenie oferty. Brak wpisu w rubryce zostanie potraktowany jako niespełnienie wymagań parametrycznych. Zamawiający dopuszcza parametry lepsze i odpowiednio je punktuje. Poza odpowiedzią Wykonawcy na poszczególne wymagania Zamawiający oczekuje przedstawienia pełnej specyfikacji technicznej proponowanej aparatury. Zamawiający zastrzega sobie prawo do sprawdzenia wiarygodności podanych przez Wykonawcę parametrów technicznych we wszystkich oficjalnych, dostępnych źródłach i materiałach reklamowych producenta, w tym również zwrócenie się o złożenie dodatkowych wyjaśnień przez Wykonawcę lub producenta. 1. Parametry mikroskopu SEM Działo elektronowe z termiczną emisją polową (emiter Schottky'ego). Automatyczne justowanie kolumny elektronowej mikroskopu Możliwość prowadzenia obserwacji próbek litych, proszkowych, przewodzących, nieprzewodzących, magnetycznych w pełnym zakresie powiększeń bez konieczności zmiany trybu obrazowania (bez stosowania soczewki immersyjnej) Zakres regulacji napięcia przyspieszającego 100 V V (lub szerszy) 1.5 Skok regulacji napięcia Nie większy niż 10V Zakres regulacja prądu wiązki elektronowej Zakres powiększeń (dla formatu nie większego niż 128mm x 96mm) Rozdzielczość mikroskopu, nie gorsza niż (bez stosowania napięcia wstecznego, przykładanego na stolik mikroskopu) Detektor elektronów wtórnych (SE) montowany na komorze mikroskopu od 5 pa 20 na (lub więcej) 12x (lub mniej) Do x 20nA = 0 pkt Powyżej 20 na = 10 pkt 12x = 0 pkt Poniżej 12x = 10 pkt 0,8 nm przy 30 kv (STEM) 1 nm przy 15 kv 2 nm przy 1 kv Strona 1 z 6

2 Detektor elektronów wstecznie rozproszonych (BSE), przynajmniej 1.10 czteropolowy, pneumatycznie wsuwany, montowany na komorze mikroskopu Detektor wewnątrz kolumnowy 1.11 przeznaczony do detekcji elektronów wtórnych (SE) Detektor wewnątrz kolumnowy elektronów wstecznie rozproszonych z 1.12 siatką filtrującą, umożliwiający filtrację elektronów ze względu na ich energię. Pneumatycznie wsuwany detektor elektronów przechodzących przez próbkę (transmisyjny STEM) 1.13 umożliwiający pracę w jasnym i ciemnym polu (m.in. DF, BF, ODF, HAADF) wraz z dedykowanym uchwytem do próbek (min.10 próbek). Przynajmniej dwie podglądowe kamery CCD wnętrza komory mikroskopu 1.14 wyposażone w oświetlacze (światło białe i podczerwień) Wymiary wewnętrzne komory 1.15 mikroskopu nie mniejsze niż Liczba portów sprzężonych w komorze 1.16 mikroskopu cio osiowy stolik preparatowy (umożliwiający zmianę odległości pracy dla pochylonej próbki, bez zmiany położenia pola widzenia) o zakresie ruchów, nie mniejszym niż Nośność stolika przy zachowaniu wszystkich stopni swobody. 2. Kolumna jonowa FIB Kolumna musi być wyposażona w galowe źródło jonów Rozdzielczość dla kolumny jonowej przy 30 kv 2.3 Zakres prądów wiązki jonowej 2.4 Zakres regulacji napięcia przyspieszającego Wymagane średnica 330mm wysokość 270mm Nie mniej niż 18 X 80mm Y 80mm Z 40mm Z 10mm pochył od -4 o do +70 o obrót 360 o nie mniej niż 0,5 kg Nie gorsza niż 3nm 1pA 80 na (lub więcej) 500 V V (lub szerszy) 80 na = 0 pkt Powyżej 80 na = 10 pkt 2.5 Skok regulacji napięcia Nie większy niż 10V 2.6 Zakres powiększeń (dla formatu nie większego niż 128mm x 96mm) od 300x do x (lub szerszy) 2.7 Elektrostatyczny Beamblanker Strona 2 z 6

3 2.8 Maksymalne pole widzenia 3. System podawania gazów roboczych Nie mniejsze niż 550µm x 550µm Mikroskop musi być wyposażony w 3.1 przynajmniej dwie przystawki do precyzyjnego podawania gazów roboczych gazowej 3.2 Prekursory Platyna i węgiel 4. Mikromanipulator 4.1 Mikromanipulator musi umożliwiać preparatykę próbek TEM (przenoszenie cienkich folii na dedykowane siatki TEM) 4.2 Zakres ruchu wzdłużnego Nie mniejszy niż 10 mm 4.3 Rozdzielczość ruchu wzdłużnego Nie gorsza niż 0,8 nm 4.4 Zintegrowany z mikroskopem 5. Analityka Mikroskop musi być wyposażony w spektrometr z dyspersją energii (EDS) nie wymagający chłodzenia ciekłym azotem, umożliwiający detekcję pierwiastków minimum od berylu (Be), o rozdzielczość min. 125 ev (dla linii Mn Kα). Wymagana powierzchnia robocza detektora EDS na poziomie co najmniej 30 mm 2. Okno wyjściowe detektora wykonane z azotku krzemu. Detektor EDS ma mieć możliwość zbierania, analizy i zapisu widm rentgenowskich punktowo, liniowo oraz w postaci mapy rozkładu pierwiastków z wyznaczonego obszaru Mikroskop musi być wyposażony w wysokoczułą kamerę EBSD, zintegrowaną z detektorem EDS, umożliwiającą zbieranie monochromatycznych obrazów dyfrakcyjnych wraz z oprogramowaniem umożliwiającym analizę danych dyfrakcyjnych. Wymagana szybkość zbierania danych min indeksowanych punktów na sekundę. Rozdzielczość detektora nie gorsza niż 640 x 480 pikseli w co najmniej 12 bitowej skali szarości Oprogramowanie detektorów EDS i EBSD umożliwia wykonanie jednoczesnej analizy 3D EDS i EBSD przy pomocy kolumny jonowej. Strona 3 z 6

4 6. Nanoindenter in-situ 6.1 Urządzenie ma służyć do wykonywania badań mechanicznych w skali nano i mikro i ma być kompatybilny z warunkami próżni panującymi w mikroskopach SEM. 6.2 Tryby pracy głowicy - indentacji (twardościomierza) - testera zarysowań - tribologicznym w ruchu posuwisto-zwrotnym (badania zużycia) - wytrzymałościowym: mikro-rozciągania (ruch głowicy w osi z musi pozwalać na rozciąganie elementu) i ściskanie - oscylacyjnym ze zmienną częstotliwością przykładanego obciążenia, - szybkiego mappingu 6.3 Zakres obciążenia 4µN do 0,5N lub szerszy 6.4 Poziom szumów przy akwizycji danych z częstotliwością 200 Hz Nie więcej niż 4µN 6.5 Mod badań dynamicznych z maksymalną częstotliwością nie mniejszą niż 200Hz Możliwość doposażenia w przyszłości o celę obciążeniową do 2,5N Możliwość doposażenia w przyszłości o celę obciążeniową do badań dynamicznych, ze zmienną częstotliwością przykładanego obciążenia nie mniejszą niż do 10kHz. Układ musi mieć system prawdziwej regulacji głębokością z pętlą sprzężenia zwrotnego Co najmniej dwa zakresy maksymalnej głębokości zagłębienia w próbkę Zagłębienie w próbkę uruchamiane piezoelektrycznie Zakres pozycjonowania próbki w osich XY nie mniej niż 20µm z niż 0,7 nm oraz nie mniej niż 2,5µm z niż 0,1nm przynajmniej 26 x 26 mm z niż 1,5nm Strona 4 z 6

5 6.12 Zakres pozycjonowania w osi Z Oprogramowanie musi być zainstalowane na osobnym komputerze dołączonym do zestawu dla kontroli Indentera SEM- mikro-pozycjonowania XYZ, ustawień pomiaru, wykonania 6.13 pomiaru oraz przechowywania danych, kod źródłowy pozwalający na modyfikacje oraz dostosowanie oprogramowania do potrzeb użytkownika musi być dostępny System musi zawierać zestaw do rozpoczęcia pracy z urządzeniem 6.14 składający się z: wgłębnika Berkovich, wgłębnika płaski, próbki kalibracyjnej i 5 sztuk stolików SEM Wszystkie układy instalowane w mikroskopie SEM muszą być 6.15 kompatybilne z wysoką próżnią nie gorszą niż 10E-6 mbar Maksymalna temperatura badań SEM 6.16 Indenera w powietrzu System musi zawierać adapter do 6.17 montażu na stoliku w mikroskopie System musi zawierać okablowanie, port i złącza niezbędne do prawidłowej 6.18 pracy urządzenia, kompatybilne z wysoką próżnią w mikroskopie System musi zawierać sterowniki dla 6.19 mikro-pozycjonowania 7. Oprogramowanie mikroskopu Musi zapewnić kontrolę nad kolumną elektronową (SEM) i jonową (FIB) mikroskopu Zakres prędkości skanowania możliwy do wybrani nie mniejszego niż od 25ns/piksel do 1,64ms/piksel Możliwość pracy mikroskopu w 3 trybach: Wiązka SEM włączona, FIB wyłączona Wiązka FIB włączona, SEM wyłączona Wiązka SEM włączona, FIB włączona Skanowanie w przynajmniej następujących trybach: zredukowanego pola przynajmniej 22 mm z niż 1,5nm. Czujnik pozycji zintegrowany dla operacji zapętlonych Nie mniej niż 50 o C od 25ns/piksel do 1,64ms/piksel lub szerszy Strona 5 z 6

6 liniowym obrót skanowania korekcji pochylenia próbki 7.5 Możliwość zapisywania obrazów w rozdzielczości 32 x 24 tys. pikseli w 16 bitowej skali szarości 7.6 Możliwość redukcji szumów poprzez: uśrednianie pikseli uśrednianie ramek i linii łączenie linii i ramek 7.7 Możliwość jednoczesnego wyświetlania przynajmniej czterech sygnałów 7.8 Możliwość wykonywania pomiarów na uzyskanym obrazie: liniowych, kątowych, określania średnicy 8. Gwarancja i serwis Gwarancja (gwarantowana przez dostawcę całego systemu) co najmniej: 24 miesiące na wszystkie podzespoły urządzenia. Dostępność części zamiennych do wszystkich podzespołów urządzenia przez co najmniej 10 lat od daty uruchomienia maszyny Roczny kontrakt serwisowy po wygaśnięciu gwarancji Realizacja przedmiotu zamówienia do dnia Dodatki 24 miesiące = 0 pkt 36 miesięcy = 5 pkt 0 5 miesięcy = 0 pkt 6 12 miesięcy = 5 pkt Układ filtracji i podtrzymania napięcia 9.1 zasilającego (UPS) pracy mikroskopu przez co najmniej 12 minut 9.2 Uchwyt karuzelowy na 9 próbek Strona 6 z 6