BRANŻOWA. Tranzystory BC 313 i BC 313A. Kolektor (C) tranzystora jest połączony elektrycznie z obudową. Symbol wymiaru A a - 5,08' ) o b 3 - -

Wielkość: px

Rozpocząć pokaz od strony:

Download "BRANŻOWA. Tranzystory BC 313 i BC 313A. Kolektor (C) tranzystora jest połączony elektrycznie z obudową. Symbol wymiaru A a - 5,08' ) o b 3 - -"

Feliks Sławomir Bednarski
6 lat temu
Przeglądów:

1 UKD ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE N O R M A typu BRANŻOWA Tranzystry BC 313 i BC 313A BNBO Grupa katalgwa 1923 I l. Przedmit nrmy. Przedmitem nrmy są krzemwe epitaksjalnplanarne tranzystry małej mcy małej częsttliwści typu BC 313 i BC 313A w budwie metalwej d zastswań pwszechneg użytku raz w urządzeniach w których wymaga się zastswania elementów wyskiej i bardz wyskiej jakści. zgdnie z kreśleniami wg PN78/T Tranzystry przeznaczne są d pracy w układach przełączających średniej mcy średniej szybkści i wzmacniaczach małej częsttliwści dchylania pzimeg OTV w stpniach wyjściwych wzmacniaczy mcy d 3 W raz w stpniach sterujących wzmacniaczy HiFi. Tranzystry BC 313 i BC 313A są kmplementarne d tranzystrów BC 211 i BC 211A. Kategria klimatyczna wg PN73/E04550 dla tranzystrów : standardwej jakści (pzim jakści. I) 40/125/04 wyskiej jakści (pzim jakści III) 40/125/ 21 bardz wyskiej jakści (pzim jakści IV) 40/125/ Przykład znaczenia tranzystrów a) standardwej jakści: TRANZYSTOR Be 3 3 BN80/ /125/04 b) wyskiej jakści: TRANZYSTOR Be 33/3 BN80/ Q4 40/ c) bardz 'Wyskiej jakści: TRANZYSTOR Be 313/4 BN80/ /125/56 3. Cechwanie tranzystrów pwinn zawierać nazwę prducenta raz "znaczenie typu (pdtypu). Pnadt tranzystry wyskiej jakści pwinny być znakwane cyfrą 3 a tranzystry bardz wyskiej jakści cyfrą 4 umieszczną p znaczeniu typu. 4. Wymiary i znaczenie wyprwadzeń tranzystra wg rysunku i tab. l. Elementy budwy wg PN72/T01503: ark. 53 budwa C4 ark. 23 pdstawa' B4C. budwy stswane przez prducenta CE f.. I.+ & " A l!. L... 80/ Klektr (C) tranzystra jest płączny elektrycznie z budwą. Symbl wymiaru mm A 6.1 Tablica l Wymiary. mm nm a 508' ) b 3 0D 864 D 801 F j ') k 074 I Ci f3 ') Wymiar teretyczny. max Kąt nm ') 90') Zgłszna przez NaukwPrdukcyjne Centrum Półprzewdników Ustanwina przez Naczelneg Dyrektra Zjednczenia Przemysłu Pdzespłów i Materiałów Elektrnicznych. UNITRAELEKTRON dnia 28 października '1980 r. jak nrma bwiązująca d dnia 1 lipca 1981 r. (Dz. Nrm. i Miar nr 28/1980 pz. 113) WYDAWNICTWA NORMALIZACYJNE Druk. Wyd. Nrm. Wwa. Ark. wyd. 110 Nakł Zam. 13/81 Cena zł 720

2 2 BN80/ S. Badania w grupie A B C i D wg BN p Wymagania szczegółwe d badań grupy A B C id a) badania pdgrupy Al sprawdzenie wymiarów: D Dl A l wg rysunku i tabl. l b) badania pdgrupy A2 sprawdzenie pdstaw. wych parametrów elektrycznych wg tabl. 2 c) badania pdgrupy A3 sprawdzenie drugrzędnych parametrów elektrycznych wg tabl. 3 d) badania pdgrupy A4 sprawdzenie parametrów elektrycznych w t""i> = 125 C (pzim III i IV) wg tabl. 4 e) badania pdgrupy BI i CI sprawdzenie wytrzymałści mechanicznej wyprwadzeń: próba Ub metda 2 25 N 3 cykle próba.ual 5 N; sprawdzenie szczelnści: próba Qk pzim nieszczelnści Pa'dm 3 /s O badania pdgrupy B3 i C9 sprawdzenie wytrzymałści na spadki swbdne: płżenie tranzystra w czasie spadania wyprwadzeniami d góry g) badania pdgrupy B4 sprawdzenie wytrzymałści na udary wielkrtne: mcwania za budwę h) badania pdgrupy B6 i C6 sprawdzenie dprnści na narażenia elektryczne: układ OB wg PN78/T O 1515 tabl. 7 tamh = 25 C fe =. 30 ma UCB = 27 V dla BC 313 raz h = 20 ma UCB = = 40 V dla BC 313A i) badąnia pdgrupy C2 sprawdzenie parametrów elektrycznych wg tabl. 3 j) badania pdgrupy C3 sprawdzenie masy wyrbu: 11 g k) badania pdgrupy C4 sprawdzenie wytrzymałści na przyspieszenie stałe: kierunek prbierczy bydwa kierunki wzdłuż si wyprwadzeń mcwanie za budwę; sprawdzenie wytrzymałści na udary wielkrtne: mcwanie za budwę; sprawdzenie wytrzymałści na wibracje stałej częsttliwści: mcwanie za budwę I) badania pdgrupy CIO sprawdzenie wymiarów wg rysunku i tabl. I m) badania pdgrupy Dl (pzim III i IV) sprawdzenie dprnści na niskie ciśnienie atmsferyczne: temperatura narażania 25 C n) badanie pdgrupy D4 sprawdzenie wytrzymałści na pleśń: p badaniu brak prstu pleśni ) badanie pdgrupy D5 _. sprawdzenie wytrzymałści na mgłę slną: płżeni e tranzystra dwlne p) parametry elektryczne sprawdzane w czasie i p badaniach grupy B C i D wg tabl Pzstałe pstanwienia wg BN80/ Tablica 2. Parametry elektryczne sprawdzane w badaniu pdgrupy A2 (pzim I II III IV) literwe parametru / Wartśc i gramczne p mia ru wg Warunki pmiaru J ednstka BC 313 BC 313A PN74/T01504 m 111 max mlll max Mtda I g 9 I las ark. 09 U CE = 40 V U CE = 60 V na U1BRI C H() ark. 04 le = 100 J.lA h=o V 60 ' 80 3 U1BR) CW l) ark. 07 le = 30 ma lc= O V U 1BR ) CBO ark. 04 h = 100 J.lA V 5 5 lc= O 5 h ' IE 2) ark. O I le = 150 ma U CE = 2 V ki ki ki h 21 E(1) 2) ark. Ol le = 150 ma U CE = 2 V h IEI2 ).. l) Pmiar impulswy: /" :;; 300 fls: :;; 2%. 2) Selekcja na klasy wzmcnienia (b ) raz dbieranie w pary tylk na życzenie c;xlbircy

3 'BN80/337S Tablica 3. Parametry elektryczne sprawdzane w badaniu pdgrupy A3. C2 (pzim I II III i IV) literwe parametru Wartści gramczne Metdtla pmiaru wg Warunki pmiaru Jednstka BC 313 BC 313A PN74/T min max mm max I I h21e l) ark. 08 le = 500 ma U CE = 2 V UCE sal l) ark. 06 le = I A l. = 0 1 A V /T ark. 24 le = 50 ma U CE = 10 V MHz f = 50 MHz 4 CeB ark. 22 U CE = lov h=o pf f= I MHz ') Pmiar impulswy: l" 300 s ; { 2%. Tablica 4. Parametry elektryczne sprawdzane w badaniu pdgrupy A4 (pzim III IV) Wartści gramczne. Metda pmiaru p. literwe wg Warunki pmiaru Jednstka BC 313 BC 313A parametru PN74/T mm max mm max " 1 ICES ark. 09 Un = 40 V tamb = 125 C!lA 20 U CE = 60 V ".." IJ<. R'E = O 20 l amb = 125 C Tablica 5. Parametry elektryczne sprawdzane w czasie I p badaniach grupy B C i D (pzim I II III IV) Wartści gramczne Metda pmiaru Warul1ki literwe wg Pdgrupa badań Jednstka BC 313 BC 313A pmiaru parametru PN74/T01504 mm max mm max Icu ark. 09 Va = 40 V BI B3 B4 85 CI. R.! = O C2 C4 C5 C7 C9 Dl') Ua = 60 V Ua = 40 V R'E = O Ua = 60 V B6 C6 CS na U CE = 40 V C2'). U CE = 60 V!lA 20 20

4 4 BN80/ cd. tabl. 5 iterwe parametru Wartści graniczne Metda pmiaru. Warunki " wg Pdgrupa badań Jednstka BC 313 BC 313A pmiaru PN74/Tł604 mm max mm max I h21e ark. Ol Ic = 150 ma BI B3 B4 B5 CI U CE = C2 C4 C5 C7; C9 ki = 2 V Dl I) ki ki B6 C6 C ki ki ki C2 I) ki ki ki. 16 J I) W czasie badania. KONI. EC INFORMACJE DODATKOWE I. Instytucja pracwująca nrmę NaukwPrdukcyjne Cen 'trum Półprzewdnik ó w. 2. Nrmy związane. PN73 / E4550 Wyrby elektrtechniczne. Próby śrdwiskwe PN72/T Elementy półprzewdnikwe. Zarys wymiary. Pdstawa B4 PN72/T Elementy półprzewdnikwe. Zarys wymiary. Obudwa C4 PN74/T Tranzystry. Pmiar h)ie i napięci a U HE PN74/T Tranzystry. POl)1iar napięć przebicia UIBRICBO i U IBR I EBO PN 74/ T Tranzystry. Pmiar napięć nasycenia U CE i UBE sa' metdą impul swą PN74/ T Tranzystry. Pmiar napięć przebicia U IBRI CEO U(BRI' CER U l SRI CES Ul BN) CEl: m e tdą impulswą PN74/T Tranzystry. Pmiar hm' metdą impulswą PN75/TI Tranzyśtry. Pmiar prądów resztkwych lcer. lces lcev i prądu zerweg lew PN74/ T Tranzystry. Pmiar pj e mnśc i C CHO i CEB. PN74/T Tranzystry. Pmiar mdułu I h 2" I w zakresie w.cz. i częsttliwści /T PN78/T1515. Elementy półprzewdnikwe. Ogólne wymagania i badania B80/ Elementy półprzewdnikwe. Tranzystry małej mcy malej c zęsttliwści. Wymagania i badania 3. Nrmy zagraniczne RWPG CT C3B TpaH3HcTpbl THnOB BC 313 H BC 313A nrma zgdna. 4. Symble K'FM tranzystrów: BC BC 313A / Wartści dpuszczalne wg tabl. II i rys. I L.. parametru Nazwa parametru Tablica Il Jednstka Wartści BC 313 dpuszczalne I I UCBO napięci e stałe między klektrem a bazą f BC 313A V l' UCEU napięcie stałe między klektrem a emiterem V UEBO napięcie stałe między emiterem a bazą V le prąd stały klektra A I I.. 5 IB prąd stały bazy A O I 01

5 Infrmacje ddiukwe d BN80/ cd. tab. II parametru I 2 6 POI 7 Ij 8 Igmb 9 1 st Nazwa parametru Jednstka " " 3 4 <:ałkwita mc wejściwa (stała lub średnia) na wszystkich lłlmb 25 (' W elektrdach przy: 1««25 C W temperatura tempera tura temperatura złącza tczenia w czasie pracy przechwywania C C C Wartśc i dpuszczalne BC 313 BC 313A 5 6 OI! " Rezystancja termiczna złącze tczenie Rh j_u 187 KIW Rezystancja :amiczna złącze budwa Rh j _ 35 KIW 3 I U li Z; 7 Z/I Z l t' '5 5 U DJ ts... O lo 4ł 1... r r r. 'f I: 11 at 313 BC3UA 1 "... r... II 50.!lO UD '40 W[HDD I Bii8D/3:rT530.DN1I Rys. li. Zależnść temperaturwa mcy strat d temperatury p"" = lu)

6 6 Infrmacje ddatkwe d BN80/ Dane charakterystyczne wg tab. 12 i rys. 12 : 16. TabUca IZ Typ parametru Nazwa parametru Warunki pmiaru Jednstka BC 313 BC 313A. mm typ max 'min typ max U('II) el na pięcie przebicia le = 100 j.1a V klektr baza h=o 2 U(BII) eeo l) napic;cie przebicia le = 30 ma V klektr emiter '1. = O 3 U(BR) EBO napięcie przebicia le = 100 j.1a emiter baza. le = O 4 ICEs prąd resztkwy k UCE = 40 V lektra UCE = 60 V V 5 5 na h2le 2) statyczny współ le = ISO ma czynnik wzmcnie Ola prądweg w UeE = 2 V 1 kl układ1:ie wsp6lneg ki emitera ki h2le l) le = 500 ma UeE =' 2 V czynnika UCE = 2 V 7 h2lell) 2) stsunek wsp6ł le = 150 ma wzmcnienia prądweg h2lel2 dwóch tranzystrów twrzących parę 8 UCE.łlll l) napięcie nasycenia le = 1 A V klektr emiter IB = 01 A 9 fr cllisttliwść gra le = 50 ma niczna UeE = IOV MHz f = 50 MHz 10 CeB pjemnść klektr UCE = IOV baza h=o pf f= 1 MHz 11 CElO pjemnść UEB = 05 V emiter baza le = O pf f= 1 MHz 12 tn czas włączania le = 100 ma h = 5 ma ns tf! czas wyłączania le = 100 ma 'IBl = 5 ma ' ns In = 5 ma l) Pmiar impulswy: t p.;;; ;;; 2%. 2) Selekcję na klasy wzmcnienia (6 lo 16) raz dbieranie w pary (2 X BC 3/3; 2 X BC 313A; BC 211/BC 313; BC 211A1BC JI3A) wyknuje się tylk na tyczenie dbircy.

7 Infrmacje ddatkwe d BN80/ t AJ lu s I "' If J 'I "I t..:25 C '"' Be 313 at 31lA ZOl hzl' Be 31l at l13a I T t.. =25"' IIlV Sy 'f/"""'" "Y " " I' 3 OD 'III z OD l ID.. J.liliA 10 to 30 Un [vj / Rys. 12. Charakterystyka wyjściwa l = j{u CE ) I. parametr 10 l ł 10 IBN80/33753D Rys. 14. Zależnść statyczneg współczynnika wzmcnienia prądweg d prądu klektra hm = luc) Be 313 at 313 Ą tqii zsc f. = USBnł 05 UtEQ.t 10 I 10 1 IB"80/ Rys. 15. Zależnść n ap I ęcia nasycenia d prądu klektra U : "" U BE"" = luc) 10 z ICES In (na] 10 ae l13 Be lila 1Ic.=40V Uus=40V Q rj'... IJ 'I Cm [pf] BI: B Bt 13A 1 tnlnb'2s"t IJ V' ZII O 1 '" 10" O 100 IBN80/a Z to IZ UtBj UEB [vj ZO IS"80/ Rys. 13. Zależnść temperaturwa prądów zerwych I'ES ICIJtl = /( ) Rys. 16. Zależnść p jemnśc i Zl'lczy d napięcia CEBO = fi U EHO ). CC8" =.fi U es)

Podobne dokumenty

BRANŻOWA. Tranzystory typu BF 182, BF 183

BRANŻOWA. Tranzystory typu BF 182, BF 183 UKD 62182 N O R M A BRANŻOWA BN8 ELEMENTY 75;105 PÓŁPRZEWODNKOWE Tranzystry typu BF 182 BF 18 Grupa katalgwa 192 L Przedmit nrmy Przedmitem nrmy są szczegółwe wymagania dtyczące krzemwych tranzystrów npn