NORMA BRANŻOWA. Elementy półprzewodnikowe T ranzysłory BUYP 52, BUYP 53, BUYP 54. zastosowań

Wielkość: px

Rozpocząć pokaz od strony:

Download "NORMA BRANŻOWA. Elementy półprzewodnikowe T ranzysłory BUYP 52, BUYP 53, BUYP 54. zastosowań"

Dominik Kucharski
5 lat temu
Przeglądów:

1 UKD 6282 LMNTY PODZSPOt Y LKTRONZN NORM BRNŻOW BNSO lementy półprzewdnikwe 7520 T ranzysłry BUYP 52 BUYP 5 BUYP 54 Zamiast BN 72/ Grupa katalgwa 92 Przedmit nrmy Przedmitem nrmy s szczegółwe wymagania dtyczęce krzemwych tranzystrów np! duł ej mcy małej częsttliwści wyknywanych technlgi ptrójnej dyfuzji knstrljkcji MS typu: BUYP 52 BUYP 5 BUYP 54 w budwie metalwej d zastswań prfesjnalnych raz w urzęd z eniach wymagajcy ch zastswania elementów wyskiej i bardz wyskiej jakści Tranzystry przezncczne s d pri!!cy w układach zasilaczy i układ ach regulacyjnych duł ej mcy Kategria ki imatyczna wg PN7/04550 dla tranzystrów pdwytsznej jakści 40/00/0 c) bardz wyskiej jakści : TRNZYSTOR BUYP 52 BNBO/7s2; 0 40/00/56 echwanie tranzystrów pwinn z a w i erać następujce dane: a) nazwę prducent lub znak fabryczny b) znaczeńie typu (pdtypu) c) znakwanie ddatkwe dla tranzystrów wyskiej bardz wyskiej jakści Tranzystry wyskiej jakści pwinny b y ć znakwane cyfrę a tranzystry bardz wyskiej jakści cyfrę 4 u mleszcznę przed znaczeniem typu wyskiej jakści 40/00/2 bardz wyskiej jakści 40/00/56 2 Przykład znaczenia tranzystrów a) pdwytsznej Jakści: TRNZYSTOR BUYP 52 BN80/7s20 40/00/0 b) wyskiej jakści: TRNZYSTOR BUYP 52 BNBO/7s2 Ol 40/00/2 4 Wymiary i znaczenia wyprwadzeń tranzystrów wg rysunku i tabl lementy budwy wg PN72/T050: budwa 4B wg arkusza 60 ww nrmy pdstawa B8 _ wg arkusza ww nrmy Oznaczenie budwy stswane przez prducenta 20' F ; ft $ r f ' ; ił f Pum 2tl Obudwa 20 L Klektr Jest elektrycznie płęczny z budwę \ Zgłlzna przez NaukwPrdukcyine entrum Pólprzewdników Uatanwlna przez Generalneg Dyrektra Zjednczenia Przemysłu Pdzespłów i Materiałów lektrnicznych UNTRLKTRON dna 25 czerwca 980 r jak nrma bwlqzujqca d dnia stycznia 98 r (Dz Nrm Miar nr 6/980 pz 62) WYDWNTW NOMLlZYJN t 980 Druk Wyd Nm W w k wyd 5 Nakl Zam 2787/80 ena 720

2 2 BNBO/75JZ Ol Symbl wymiaru ba Tablica Wymiary budwy 20 Wymiary mm mnimalne nminalne maksym<lne D 228 d 546 f' 8 l 80 9 p q R 5 R 2 48 s Badania w grupie B i O wg BN80/75200 p 5 6 Wymagania szczegółwe dtycz!!ce badań grupy B D a) badania pdgrupy l sprawdzenie wymiarów D l wg rysunku tabl b) badania pdgrupy 2 sprawdzenie parametrów' elektrycznych' wg tabl 2 c) badania pdgrupy ' sprawdzenie drugrz{ldnych parametrów elektrycznych wg tabl d) badania pdgrupy 4 sprawdzenie parametrów elektrycznych w t amb 25 0 (pzim V) wg tab 4 e) badania pdgrupy Bl i : sprawdzenie wytrzymałści 'mechanicznej dzeń: próba Ub metda wyprwa sprawdzenie szczelnści: próba Qk pzim nieszczelnści 5' 0 5 Pa' dm /s f) badania pdgrupy B sprawdzenie wytrzymałści na spadki swbdne: płienie wyprwadzenami d góry tranzystra w czasie spadan a g) badania pdgrupy B4 4 sprawdzenie wytrzymałści na udary wielkrtne; mcwanie za budwę h) badania pdgrupy 85 i 5 sprawdzenie wy trzymałś c na nagłe zmiany temperatury T = 40 T B D 55 ) badania pdgrupy B6 i 6 sprawdzenie dprnści na narażenia elektryczne: układ OB wg PN78/TOl55 tabl 5 t Ulllb = 25 U 07 U O max' j) badania pdgrupy 2; QL 4 O: sprawdzenie parametrów elektrycznych wg tabl 2 sprawdzenie dprl'ści na suche gręc _ 00 0 sprawdzenie dprnści na zimn t b Q mln k) badania pdgrupy masa wyrbu 5 g ) badania pdgrupy 4: t amb max 40 sprawdzenie wytrzymałści na pryspleszenie stałe: kierunek prbierczy wzdłuż si wyprwadzeń mcwane za bl'dwę sprawdzenie wytrzymałści na udary wielkrtne: mcwanie za budwę sprawdzenie wytrzymałści na wibracje stałej częstll iwści: mcwanie za budwę m) badania pdgrupy 7 sprawdzenie wytrzymałści na zimn tst g mm 40 n) badania pdgrupy 8 sprawdzenie wytrzymałści na suche gręc t mss stg max ' ) badania pdgrupy O sprawdzenie wymiarów wg rysunku i tabl l p) badania pdgrupy Ol (pzim i V) sprawdzenie dp rnści na niskie ciśnienie atmsferyczne: temperatura naratenla 25 r) badanie pdgrupy 04 sprawdzenie wytrzymałści na pleśń p badaniu brak prstu pleśni s) badanie pdgrupy D5 sprawdzenie wytrzymałści na mgł{l slnę: płienle tranzystra dwlne t) parametry elektryczne sprawdzane w czasie p badaniach grupy B i D wg tabl 5 7 Pzstałe pstanwienia wg BN80/752 O Tablica 2 Parametry elektryczne sprawdzane w badaniu pdgrupy 2 (pzim V) Wartści graniczne Lp Oznaczenie liter Metda pmiaru wg Warunki pmiaru Jednstka BUYP 52 BUYP 5 BUYP 54 we parametru PN74/TOl504 mln max min max min max lo lbo ark 05 UB 80 V l O 5 ' UB 50 V l O m 4 UB 0 V l O

3 _BNBO/7520 cd tabl Z Wartści graniczne Oznaczenie iter Metda pmiaru wg Lp Warunki pmiaru we parametru Jednstka BUYP 52 PN74/T0504 BUYP 5 BUYP 54 min max min max min max B Q 0 l l J 2 V( BR )eo t) ark 07 V O V(BR)BO 0 m ark 04 V e 4 h 2 t) ark 08 5 U 5 V le V = 5 V )Pmlar impulswy: t p '; 00 fsc5 2j'ł Tabl ica Parametry elektryczne sprawdzane w badaniu pdgrupy i 2 (pzim liv) Wartści graniczne Oznaczenie Metda pmiaru wg Lp literwe para PN74jT0504 Warunki pmiaru Jednstka BUYP 52 BUYP 5 BUYP 54 metru min max min max min max l 2 4 S U l) sat ark 06 2 U ł) ark 06 B saf le=05 lb=005 V le = 5 lb = 05 V le = 05 B = 005 V l l lc = 5 B =05 V ark f T c=05 U 0 V 24 MHz 0 0 0! 5 MHz ) Pmiar impulswy: t p 00 ;;2% Tablica 4 Parametry elektryczne sprawdzane w badaniu pdgrupy 4 (pzim i V) Wartści gramczne Oznaczenie Metda pcmlaru wg Lp literwe Warunk pmiaru Jednstka BUYP 52 BUYP 5 BUYP 54 PN74/T 0504 pclrametru min max min max min max l = 80 V c tamb = 25 = O 20 l BO ark 05 V B = 50 V tamb = 25 0 = O m 20 [JeB = 0 V = O tamb _

4 / ł BN80/752 Ol Tablica 5 Parametry elektryczne sprawdzane w czasie p badaniach grupy B D (pzim V) Wartści graniczne Oznaczene Metda Lp literwe pmaru wg Warunki pmiaru Pdgrupa badań Jednstka BUVPS2 BUYPS BUYP54 parametru PN74/TOS04 mln max mln max mln max 2 4 S a 80V O B B B4 B5 5 4 S 7 U R 50 V O B e 9 0 ) 4 a 0 V O m 80 V J O B : BO ark 05 ' 50 V ; O 20 a 0 V J O V J O 2 ) V O m 20 a 0 V l O ' 20 B B B4 BS 2 4 S lo V SV ) 2 h 2) ark OS 2 05 B' l )W czasie badania t)pmlar mpulswy: t p ;;;00 f's 2' )W czase badania dprnści na suche grc 4)W czasie badanla ' dprnścl na zimn 2 4 ) K O N NFORMJ DODTKOW nstytucja pracwuji'ca nrm! NaukwPrdukcyjne entrum P6łprzewdnlk6w Warszawa 2 sttne zmiany w stsunku d BN72/7S606 a) dprwadzn pstanwienia nrmy d zgdncl z BN80/7S200 b) wprwadzn nw rzszerzn{l klasyfikację Jakśclwę dzlelacę tranzystry na trzy pzimy jakściwe Nrmy zwlpzane PN72/T SO:! lementy p6łprzewdnlkwe Zarys wymiary Pdstawa B8 PN72/T lementy p6łprzewdnikwe Zarys wymiary Obud)wa 4 PN74/T 50(' 04 Tranzystry Pmiar napięć przebicia U(BR)BO i U(BR)BO PN74/TOS0405 Tranzystry Pmiar prędów wstecznych JBOi J BO PN7/04SS000 Wyrby elektrtechniczne Pr6by śrdwiskwe Pstanwienia g6ne PN7ł/T Tranzystry Pmiar napięcia nsycenla U U metdę mpulswę sal B sal

5 nfrmacja ddatkwe d BN80/752 0 PN74/T Tranzystry Pmiar [h 2 ] impulswę metdę PN74/T Tranzystry Pmiar mdułu h w 2e zakresie w cz i częsttliwści f T PN78/T055 lementy p6łprzewdnikwe Ogólne wy PN74/T Tranzystry Pmiar napięć pr:leblcla U(BR) O' U(BR)R' U( BR) S' U(BR)Xmetdę impul swę BN80/75200 lementy półprzewdnikwe TranzyStry mcy małej częsttliwśc Wymagania badana 4 Symbl wg KTM BUYP BUYP BUYP Wartści dpuszczalne wg tabl i rys Lp magania i badania Oznaczenie parametru Nazwy parametru 6 Dane charakterystyczne wg tabl 2 rys Tablica ll Jednstka BUYP 52 Wartśc dpuszczalne BUYP 5 BUYP 54 2 UBO 2 U O 4 5 napięcie klektrbaza V 20 napięcie klektremi ter V U BO napięcie emiterbaza V 5 4 lc pręd klektra 5 5 l pręd emitera 6 6 la pręd bczy 7 P rl 8 t i całkwita mc wejściwa (stała lub średnia na wszystkich elektrdach) przy t = 25 0 case temperatura złęcza W Oc S t amb temperatura tczenia w czasie pracy Oc 40 ; 00 0 lg temperatura przechwywania Oc 40; 55 Rezystancja termiczna złęczebudwa Rezystancja termiczna złęczetczenie Plt [W] 70 8UYP 52 8UYP 5 BUYPS Ut = O 20V ł\ Uu=lOV Un = 4tV Uc'=SÓV ' Rth(jt) U 60V f O Rur j Ua= 0V '\ r l 0 GO go BN80/75 :n 0 Rys Zale!nść temperaturwa mcy start d temperatury P O f (t case )

6 Tablica 2 Lp Oznaczenie parametru Nazwa parametru Warunki pmiaru Jednstka BUYP 52 Typ 'BUYP 5 BUYP 54 min typ ma>< min typ ma>< min typ ma>< V O 05 BO pręd zerwy klektra U rr m 50 V l = O m U rr 0 V = O 2 U(BR)BO napięcie przebicia klektrbaza c D 0 m O V la l l ćo U(BR) O U(BR)BO napięcie przebicia klektremiter napięcie przebicia emiterbaza R la O J: O m V V 5 8 c 05 statyczny współczynnik wzmcnienia prt\ U = S V la 5 h Z ) dweg (w l<ładzle wspólneg emitera) 6 7 U Sl't UB sat napięcie nasycenia klektremiter napięcie nasycenia bazaemiter 8 U sat i) napięcie nasycenia klektremiter = S V S V 0 cros 'a 005 V O c 05 B 0 05 V 07 R 5 B=O S V O 07 l O O O 2 O 0 (J lł l 7' lł D '(;; c er \l ' = S g U 8 sal i) napięcie nasycenia bazaemiter O5 V B l O 0 fr ' O S częsttl iwść graniczna U = S V MHz 0 25 f= S MHz 0 25 la 25 tn czas włęczania J c = S 08 2 tff czas wyłęczania 'BlOS l'5 l 2 tf czas padania 82 = 025 l S ) l l S l S f)pmlar impulswy: t p <;00 45 ;2

7 infrmacje ddatkwe d ln80j UUR [V) tnrnb = 25 tlwf 8UyP 52 8UYP & 8UYP &t 00 0 f O R l (ksl] flo SN80/7S 20 Rys 2 Zale!nść napięcia klektremiter d rezystancji bazy U R = f( R B) e [J z 8UYPS2 BUYP 5l &UYP54 tq : 2S!\) '\S!)L J V '/ N V j V / V rł l/ 50:} '! =2'm ' l z 4 U tv] 0 e [J 0 tellu:: 25 ObsZQr pruty De : 4: _ BUYP52 BUYPS SUYPS 4 > 'l' N \ _ \ < 4' rs L > ; ' < GO :N Q = GO N ;i >N > :::> l! SNSO/' Rys 4 harakterystyka wyjściwa e=f( U ) B parametr 200 htf 00 0 BUYP52 BUYP 5 8UYP 54 U = SV *lmb = ZS \: cimp t 02 ms T::20ms ' 00 l 0 U [V] 00 BNS/7S 20 Rys Dcpuszczalny bszar pracy w zakresie le + U 0 [J 0 BN80/ Rys S Zale!nść statyczneg wsp6łczynnika wzmcnienia prędweg d prędu klektra h 2 m f( le)

Podobne dokumenty

BRANŻOWA. Tranzystory BC 313 i BC 313A. Kolektor (C) tranzystora jest połączony elektrycznie z obudową. Symbol wymiaru A a - 5,08' ) o b 3 - -

BRANŻOWA. Tranzystory BC 313 i BC 313A. Kolektor (C) tranzystora jest połączony elektrycznie z obudową. Symbol wymiaru A a - 5,08' ) o b 3 - - UKD 621.382.3 ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE N O R M A typu BRANŻOWA Tranzystry BC 313 i BC 313A BNBO 337530.04 Grupa katalgwa 1923 I l. Przedmit nrmy. Przedmitem nrmy są krzemwe epitaksjalnplanarne tranzystry