InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych"

Transkrypt

1 Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk

2 Zbigniew R. Żytkiewicz IF PAN ON 4.7

3 Zespół ON 4.7 IF PAN Danuta Dobosz Kamil Kłosek Adrian Kozanecki Ewa Przeździecka Grzegorz Teisseyre Wojtek Walkiewicz Aleksandra Wierzbicka Zbyszek Żytkiewicz

4 Aparatura MBE GaN Riber Compact 21 zainstalowane źródła Ga x 2 In (GaAlIn)N Al RF plasma - azot Si Mg.. 3 porty wolne układ trójkomorowy (loading, preparation, growth) maszyna gotowa do wzrostu GaN z NH 3 dużo portów (źródła + diagnostyka in-situ) źródło azotu RF plasma wyposażone w automatyczne układy stabilizacji plazmy, kontrolery przepływu, oczyszczalniki gazów, etc.

5 MBE ZnO Riber Compact 21 zainstalowane źródła Zn Mg (Zn,Mg)O RF plasma - tlen RF plasma - azot Sb As opcja wielokieszeniowe źródło e-beam.. 4 porty wolne źródła Zn i Mg dedykowane do pracy w O 2 p ~10-5 Tr w czasie wzrostu Aparatura transfer ZnO GaN opcja moduł STM p Zn ~ o C

6 RHEED 15 kev reflektometria laserowa prędkość wzrostu, zmiana gładkości, pirometr optyczny C elipsometria (opcja) UHV STM (opcja) Aparatura Diagnostyka in-situ intensity [arb. units] 0,08 0,07 0,06 0,05 0,04 GaN MBE v gr = 0.46 μm/h 0, time [sec] λ = 650 nm Wafer handling system STM analysis chamber Growth chamber

7 opracowanie technologii wzrostu MBE buforów GaN/Si: wybór optymalnej konfiguracji wybór warunków wzrostu MBE analiza warstw GaN - XRD, TEM i AFM Zadania Problem: inicjacja wzrostu Problem: α Si < α GaN Rozwiązanie GaN bufor GaN/AlN growth GaN Si growth GaN Si Si RT rozciąganie GaN (pękanie) RT

8 2009 Zadania Pomiar wygięcia in-situ zakup układu do optycznego monitorowania wzrostu warstw MBE Przykład: Epicurve MOS opcja: pomiar true temperature LayTec: pirometria optyczna z korekcją emisyjności k-space Associates: band-edge thermometry

9 Zadania opracowanie technologii wzrostu MBE struktur HEMT AlGaN/GaN na podłożach GaN/Si Problemy: wysoka ruchliwość gazu 2D kontrola przepływu prądu I GaN 2DEG Si

10 Zadania Wykonanie, w oparciu wyniki prac nad modelowaniem i konstrukcją (Z3.8), projektu masek fotolitograficznych; Opracowanie, na bazie modułów technologicznych dot. wytwarzania metalizacji i kontaktów omowych (Z2.1) oraz strukturyzacji (Z2.5), pełnej sekwencji procesów technologicznych; Wykonanie serii struktur HEMT i charakteryzacja struktur

11 AFM 1 µm GaN na GaN/szafir template Wyniki

12 Wyniki PL undoped GaN struktura ekscytonowa Normalized Intensity 1,0 0,8 0,6 0, Log(Intensity) 1 0,1 ABE FWHM 2.5 mev DBE A B C T = 14K 3,46 3,47 3,48 3,49 3,50 3,51 3,52 3,53 3,54 3,55 Energy [ev] ABE ev DBE ev A ev B ev C ev ABE ev DBE ev A ev 14 K 18 K 22 K 26 K 0,2 0,0 3,30 3,35 3,40 3,45 3,50 3,55 Energy [ev]

13 Wyniki GaN MQW GaN cap 2 nm AlGaN x = 0.1; 16 nm PL ,4x10 6 GaN QW 1,2x10 6 1,0x10 6 MQW GaN 4 nm AlGaN x = 0.1; 8 nm Intensity 8,0x10 5 6,0x10 5 FWHM 38 mev bufor GaN 4,0x10 5 AlGaN x = 0.1; 20 nm GaN/Al 2 O 3 2,0x10 5 0,0 bariera AlGaN counts/s 10M 1M 100K XRD - RC simul. exp (rlu) XRD - RSM 3,1 3,2 3,3 3,4 3,5 3,6 3,7 Energy [ev] 10K 1K Al x Ga 1-x N brak relaksacji naprężeń struktura zgodna z zał buffer GaN Omega/2Theta ( ) Qx*10000(rlu)

14 Ogłoszenie Poszukujemy studentów do kontynuacji studiów w Laboratorium MBE IF PAN. Tematyka: wzrost techniką MBE warstw i struktur epitaksjalnych (GaInAl)N i (MgZn)O oraz struktur hybrydowych GaN/ZnO. Zapraszamy!

Z.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja. InTechFun

Z.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja. InTechFun Z.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa

Bardziej szczegółowo

Specyfikacja istotnych warunków zamówienia publicznego

Specyfikacja istotnych warunków zamówienia publicznego INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII NAUK PL - 02-668 WARSZAWA, AL. LOTNIKÓW 32/46 Tel. (48-22) 843 66 01 Fax. (48-22) 843 09 26 REGON: P-000326061, NIP: 525-000-92-75 DZPIE/004/2010 Specyfikacja istotnych

Bardziej szczegółowo

Fizyka i technologia wzrostu kryształów

Fizyka i technologia wzrostu kryształów Fizyka i technologia wzrostu kryształów Wykład.2 Epitaksja warstw półprzewodnikowych Stanisław Krukowski i Michał Leszczyński Instytut Wysokich Ciśnień PAN 01-142 Warszawa, ul Sokołowska 29/37 tel: 88

Bardziej szczegółowo

Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych

Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych Monika KWOKA, Jacek SZUBER Instytut Elektroniki Politechnika Śląska Gliwice PLAN PREZENTACJI 1. Podsumowanie dotychczasowych prac:

Bardziej szczegółowo

W stronę plazmonowego wzmocnienia efektów magnetooptycznych

W stronę plazmonowego wzmocnienia efektów magnetooptycznych W stronę plazmonowego wzmocnienia efektów magnetooptycznych Joanna Papierska J. Suffczyński, M. Koperski, P. Nowicki, B. Witkowski, M. Godlewski, A. Navarro-Quezada, A. Bonanni Warsztaty NanoWorld 2011,

Bardziej szczegółowo

I Konferencja. InTechFun

I Konferencja. InTechFun I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08

Bardziej szczegółowo

I Konferencja. InTechFun

I Konferencja. InTechFun I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08

Bardziej szczegółowo

Diody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi

Diody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi Diody elektroluminescencyjne na bazie z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi Krystyna Gołaszewska Renata Kruszka Marcin Myśliwiec Marek Ekielski Wojciech Jung Tadeusz Piotrowski Marcin Juchniewicz

Bardziej szczegółowo

V Konferencja Kwantowe Nanostruktury Półprzewodnikowe do Zastosowań w Biologii i Medycynie PROGRAM

V Konferencja Kwantowe Nanostruktury Półprzewodnikowe do Zastosowań w Biologii i Medycynie PROGRAM V Konferencja Kwantowe Nanostruktury Półprzewodnikowe do Zastosowań w Biologii i Medycynie PROGRAM Kwantowe Nanostruktury Półprzewodnikowe do Zastosowań w Biologii i Medycynie Rozwój i Komercjalizacja

Bardziej szczegółowo

Azotkowe diody laserowe na podłożach GaN o zmiennym zorientowaniu

Azotkowe diody laserowe na podłożach GaN o zmiennym zorientowaniu Azotkowe diody laserowe na podłożach GaN o zmiennym zorientowaniu Marcin Sarzyński Badania finansuje narodowe centrum Badań i Rozwoju Program Lider Instytut Wysokich Cisnień PAN Siedziba 1. Diody laserowe

Bardziej szczegółowo

Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk

Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk Promotor: dr hab. inż. Bogusława Adamowicz, prof. Pol. Śl. Zadania pracy Pomiary transmisji i odbicia optycznego

Bardziej szczegółowo

Co to jest kropka kwantowa? Kropki kwantowe - część I otrzymywanie. Co to jest ekscyton? Co to jest ekscyton? e πε. E = n. Sebastian Maćkowski

Co to jest kropka kwantowa? Kropki kwantowe - część I otrzymywanie. Co to jest ekscyton? Co to jest ekscyton? e πε. E = n. Sebastian Maćkowski Co to jest kropka kwantowa? Kropki kwantowe - część I otrzymywanie Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Co to jest ekscyton? Co to jest ekscyton? h 2 2 2 e πε m* 4 0ε s Φ

Bardziej szczegółowo

Zadanie 23 Opracowanie metalizacji struktur pólprzewodnikowych na bazie GaN i ZnO przeznaczonych do wymagających warunków eksploatacyjnych.

Zadanie 23 Opracowanie metalizacji struktur pólprzewodnikowych na bazie GaN i ZnO przeznaczonych do wymagających warunków eksploatacyjnych. do Zastosowań w Biologii i Medycynie Zadanie 23 Opracowanie metalizacji struktur pólprzewodnikowych na bazie GaN i ZnO przeznaczonych do wymagających warunków eksploatacyjnych. Zadanie 24 Opracowanie technologii

Bardziej szczegółowo

Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów. II. semestr Wstęp. 16 luty 2010

Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów. II. semestr Wstęp. 16 luty 2010 Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów II. semestr Wstęp 16 luty 2010 Zbigniew R. Żytkiewicz Instytut Fizyki PAN 02-668 Warszawa, Al. Lotników 32/46 tel: 22 843 66 01 ext. 3363 E-mail:

Bardziej szczegółowo

promotor prof. dr hab. inż. Jan Szmidt z Politechniki Warszawskiej

promotor prof. dr hab. inż. Jan Szmidt z Politechniki Warszawskiej Politechnika Warszawska Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych Warszawa, 13 marca 2018 r. D z i e k a n a t Uprzejmie informuję, że na Wydziale Elektroniki i Technik Informacyjnych Politechniki Warszawskiej

Bardziej szczegółowo

InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur. II Spotkanie Realizatorów Projektu Warszawa maja 2009 r.

InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur. II Spotkanie Realizatorów Projektu Warszawa maja 2009 r. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun Politechnika Śląska (PŚl-2) ZESPÓŁ REALIZUJĄCY PROJEKT NAZWA: Politechnika

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM SPEKTRALNEJ ANALIZY CHEMICZNEJ (L-6)

LABORATORIUM SPEKTRALNEJ ANALIZY CHEMICZNEJ (L-6) LABORATORIUM SPEKTRALNEJ ANALIZY CHEMICZNEJ (L-6) Posiadane uprawnienia: ZAKRES AKREDYTACJI LABORATORIUM BADAWCZEGO NR AB 120 wydany przez Polskie Centrum Akredytacji Wydanie nr 5 z 18 lipca 2007 r. Kierownik

Bardziej szczegółowo

Epitaksja metodą wiązek molekularnych (MBE)

Epitaksja metodą wiązek molekularnych (MBE) Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Epitaksja metodą wiązek molekularnych (MBE) 13 kwiecień 2010 Zbigniew R. Żytkiewicz Instytut Fizyki PAN 02-668 Warszawa, Al. Lotników 32/46 tel:

Bardziej szczegółowo

Wzrost kryształów objętościowych i warstw epitaksjalnych- informacje wstępne. Michał Leszczyński. Instytut Wysokich Ciśnień PAN UNIPRESS i TopGaN

Wzrost kryształów objętościowych i warstw epitaksjalnych- informacje wstępne. Michał Leszczyński. Instytut Wysokich Ciśnień PAN UNIPRESS i TopGaN Wzrost kryształów objętościowych i warstw epitaksjalnych- informacje wstępne Michał Leszczyński Instytut Wysokich Ciśnień PAN UNIPRESS i TopGaN Plan wykładu Laboratoria wzrostu kryształów w Warszawie Po

Bardziej szczegółowo

Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów

Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Stanisław Krukowski i Michał Leszczyński Instytut Wysokich Ciśnień PAN 01-142 Warszawa, ul Sokołowska 29/37 tel: 88 80 244 e-mail: stach@unipress.waw.pl,

Bardziej szczegółowo

PL B1. INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ, Warszawa, PL INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Warszawa, PL

PL B1. INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ, Warszawa, PL INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Warszawa, PL PL 221135 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 221135 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 399454 (22) Data zgłoszenia: 06.06.2012 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

Kształtowanie przestrzenne struktur AlGaInN jako klucz do nowych generacji przyrządów optoelektronicznych

Kształtowanie przestrzenne struktur AlGaInN jako klucz do nowych generacji przyrządów optoelektronicznych Kształtowanie przestrzenne struktur AlGaInN jako klucz do nowych generacji przyrządów optoelektronicznych Projekt realizowany w ramach programu LIDER finansowanego przez Narodowe Centrum Badań i Rozwoju

Bardziej szczegółowo

Wytwarzanie niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych

Wytwarzanie niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych Większość struktur niskowymiarowych wytwarzanych jest za pomocą technik epitaksjalnych. Najczęściej wykorzystywane metody wzrostu: - epitaksja z wiązki molekularnej (MBE Molecular Beam Epitaxy) - epitaksja

Bardziej szczegółowo

Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych.

Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun Numer Projektu WND-POIG.01.03.01-00-159/08-00 Instytut Technologii

Bardziej szczegółowo

Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Epitaksja z fazy gazowej

Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Epitaksja z fazy gazowej Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Epitaksja z fazy gazowej Michał Leszczyński Wykład 2 godz./tydzień wtorek 9.00 11.00 Interdyscyplinarne Centrum Modelowania UW, Siedziba A, Sala

Bardziej szczegółowo

Mody sprzężone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych

Mody sprzężone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych Mody sprzężone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych Mody sprzężone w półprzewodnikach polarnych + E E pl η = st α = E E pl ξ = p B.B. Varga,, Phys. Rev. 137,, A1896 (1965) A. Mooradian and B. Wright,

Bardziej szczegółowo

Aparatura do osadzania warstw metodami:

Aparatura do osadzania warstw metodami: Aparatura do osadzania warstw metodami: Rozpylania mgnetronowego Magnetron sputtering MS Rozpylania z wykorzystaniem działa jonowego Ion Beam Sputtering - IBS Odparowanie wywołane impulsami światła z lasera

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Janiszewskiego 11/17, Wrocław

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Janiszewskiego 11/17, Wrocław Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Janiszewskiego 11/17, 50-372 Wrocław Laboratorium Nanotechnologii i Struktur Półprzewodnikowych Nasza lokalizacja: Campus ul. Długa 65 53-633 Wrocław, Polska

Bardziej szczegółowo

Mody sprzęŝone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych

Mody sprzęŝone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych Mody sprzęŝone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych Mody sprzęŝone w półprzewodnikach polarnych + E E pl η = st α = E E pl ξ = p B.B. Varga, Phys. Rev. 137,, A1896 (1965) A. Mooradian and B. Wright,

Bardziej szczegółowo

Jak TO działa? Co to są półprzewodniki? TRENDY: Prawo Moore a. Google: Jacek Szczytko Login: student Hasło: *******

Jak TO działa?   Co to są półprzewodniki? TRENDY: Prawo Moore a. Google: Jacek Szczytko Login: student Hasło: ******* Co to są półprzewodniki? Jak TO działa? http://www.fuw.edu.pl/~szczytko/ Google: Jacek Szczytko Login: student Hasło: ******* Jacek.Szczytko@fuw.edu.pl Wydział Fizyki UW 2 TRENDY: Prawo Moore a TRENDY:

Bardziej szczegółowo

Załącznik nr 1. Projekty struktur falowodowych

Załącznik nr 1. Projekty struktur falowodowych Załącznik nr 1 do sprawozdania merytorycznego z realizacji projektu badawczego Szybka nieliniowość fotorefrakcyjna w światłowodach półprzewodnikowych do zastosowań w elementach optoelektroniki zintegrowanej

Bardziej szczegółowo

Mody sprzęŝone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych

Mody sprzęŝone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych Mody sprzęŝone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych Klasyczny przykład pośredniego oddziaływania pola magnetycznego na wzbudzenia fononowe Schemat: pole magnetyczne (siła Lorentza) nośniki (oddziaływanie

Bardziej szczegółowo

I Konferencja. InTechFun

I Konferencja. InTechFun I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08

Bardziej szczegółowo

Lateralny wzrost epitaksjalny (ELO)

Lateralny wzrost epitaksjalny (ELO) Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Lateralny wzrost epitaksjalny (ELO) 18 maj 2010 Zbigniew R. Żytkiewicz Instytut Fizyki PAN 02-668 Warszawa, Al. Lotników 32/46 tel: 22 843 66 01

Bardziej szczegółowo

Epitaksja metodą wiązek molekularnych (MBE)

Epitaksja metodą wiązek molekularnych (MBE) Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Epitaksja metodą wiązek molekularnych (MBE) 18 marzec 2013 Zbigniew R. Żytkiewicz Instytut Fizyki PAN 02-668 Warszawa, Al. Lotników 32/46 tel: 22

Bardziej szczegółowo

Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur

Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 1 Instytut Technologii Elektronowej ZESPÓŁ REALIZUJĄCY PROJEKT

Bardziej szczegółowo

Lateralny wzrost epitaksjalny (ELO)

Lateralny wzrost epitaksjalny (ELO) Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Lateralny wzrost epitaksjalny (ELO) 15 kwietnia 2013 Zbigniew R. Żytkiewicz Instytut Fizyki PAN 02-668 Warszawa, Al. Lotników 32/46 tel: 116 3363

Bardziej szczegółowo

Opracowanie nowych koncepcji emiterów azotkowych ( nm) w celu ich wykorzystania w sensorach chemicznych, biologicznych i medycznych.

Opracowanie nowych koncepcji emiterów azotkowych ( nm) w celu ich wykorzystania w sensorach chemicznych, biologicznych i medycznych. Opracowanie nowych koncepcji emiterów azotkowych (380 520 nm) w celu ich wykorzystania w sensorach chemicznych, biologicznych i medycznych. (zadanie 14) Piotr Perlin Instytut Wysokich Ciśnień PAN 1 Do

Bardziej szczegółowo

Domieszki w półprzewodnikach

Domieszki w półprzewodnikach Domieszki w półprzewodnikach Niebieska optoelektronika Niebieski laser Nie można obecnie wyświetlić tego obrazu. Domieszkowanie m* O Neutralny donor w przybliżeniu masy efektywnej 2 2 0 2 * 2 * 13.6 *

Bardziej szczegółowo

Ekspansja plazmy i wpływ atmosfery reaktywnej na osadzanie cienkich warstw hydroksyapatytu. Marcin Jedyński

Ekspansja plazmy i wpływ atmosfery reaktywnej na osadzanie cienkich warstw hydroksyapatytu. Marcin Jedyński Ekspansja plazmy i wpływ atmosfery reaktywnej na osadzanie cienkich warstw hydroksyapatytu. Marcin Jedyński Metoda PLD (Pulsed Laser Deposition) PLD jest nowoczesną metodą inżynierii powierzchni, umożliwiającą

Bardziej szczegółowo

Domieszki w półprzewodnikach

Domieszki w półprzewodnikach Domieszki w półprzewodnikach Niebieska optoelektronika Niebieski laser Elektryczne pobudzanie struktury laserowej Unipress 106 unipress 8 Moc op ptyczna ( mw ) 6 4 2 0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 Natężenie prądu

Bardziej szczegółowo

I Konferencja. InTechFun

I Konferencja. InTechFun I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08

Bardziej szczegółowo

Termiczny model tranzystora HEMT na podłożu GaN/SiC

Termiczny model tranzystora HEMT na podłożu GaN/SiC Termiczny model tranzystora HEMT na podłożu GaN/SiC Paweł Kopyt, Daniel Gryglewski, Wojciech Wojtasiak, Wojciech Gwarek Instytut Radioelektroniki, Politechnika Warszawska ul. Nowowiejska 5/9, 00-665 Warszawa

Bardziej szczegółowo

Technologie plazmowe. Paweł Strzyżewski. Instytut Problemów Jądrowych im. Andrzeja Sołtana Zakład PV Fizyki i Technologii Plazmy Otwock-Świerk

Technologie plazmowe. Paweł Strzyżewski. Instytut Problemów Jądrowych im. Andrzeja Sołtana Zakład PV Fizyki i Technologii Plazmy Otwock-Świerk Technologie plazmowe Paweł Strzyżewski p.strzyzewski@ipj.gov.pl Instytut Problemów Jądrowych im. Andrzeja Sołtana Zakład PV Fizyki i Technologii Plazmy 05-400 Otwock-Świerk 1 Informacje: Skład osobowy

Bardziej szczegółowo

Studnia kwantowa. Optyka nanostruktur. Studnia kwantowa. Gęstość stanów. Sebastian Maćkowski

Studnia kwantowa. Optyka nanostruktur. Studnia kwantowa. Gęstość stanów. Sebastian Maćkowski Studnia kwantowa Optyka nanostruktur Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Studnia kwantowa

Bardziej szczegółowo

Marcin Miczek. Badania wpływu temperatury na właściwości elektronowe struktur metal/izolator/algan/gan

Marcin Miczek. Badania wpływu temperatury na właściwości elektronowe struktur metal/izolator/algan/gan Marcin Miczek Badania wpływu temperatury na właściwości elektronowe struktur metal/izolator/algan/gan grant MNiSW / NCN (39. konkurs) N N515 606339, PBU-91/RMF1/2010 21 IX 2010 20 III 2013 Zakład Fizyki

Bardziej szczegółowo

Wzrost pseudomorficzny. Optyka nanostruktur. Mody wzrostu. Ekscyton. Sebastian Maćkowski

Wzrost pseudomorficzny. Optyka nanostruktur. Mody wzrostu. Ekscyton. Sebastian Maćkowski Wzrost pseudomorficzny Optyka nanostruktur Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 naprężenie

Bardziej szczegółowo

Grafen materiał XXI wieku!?

Grafen materiał XXI wieku!? Grafen materiał XXI wieku!? Badania grafenu w aspekcie jego zastosowań w sensoryce i metrologii Tadeusz Pustelny Plan prezentacji: 1. Wybrane właściwości fizyczne grafenu 2. Grafen materiał 21-go wieku?

Bardziej szczegółowo

Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Dyfrakcja i Reflektometria Rentgenowska

Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Dyfrakcja i Reflektometria Rentgenowska Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Dyfrakcja i Reflektometria Rentgenowska Michał Leszczyński Stanisław Krukowski i Michał Leszczyński Instytut Wysokich Ciśnień PAN 01-142 Warszawa,

Bardziej szczegółowo

Marcin Sikora. Temat 1: Obserwacja procesów przemagnesowania w tlenkowych nanostrukturach spintronicznych przy użyciu metod synchrotronowych

Marcin Sikora. Temat 1: Obserwacja procesów przemagnesowania w tlenkowych nanostrukturach spintronicznych przy użyciu metod synchrotronowych Prezentacja tematów na prace doktorskie, 28/5/2015 1 Marcin Sikora KFCS WFiIS & ACMiN Temat 1: Obserwacja procesów przemagnesowania w tlenkowych nanostrukturach spintronicznych przy użyciu metod synchrotronowych

Bardziej szczegółowo

Wykład 12 V = 4 km/s E 0 =.08 e V e = = 1 Å

Wykład 12 V = 4 km/s E 0 =.08 e V e  = = 1 Å Wykład 12 Fale materii: elektrony, neutrony, lekkie atomy Neutrony generowane w reaktorze są spowalniane w wyniku zderzeń z moderatorem (grafitem) do V = 4 km/s, co odpowiada energii E=0.08 ev a energia

Bardziej szczegółowo

Poprawa charakterystyk promieniowania diod laserowych dużej mocy poprzez zastosowanie struktur periodycznych w płaszczyźnie złącza

Poprawa charakterystyk promieniowania diod laserowych dużej mocy poprzez zastosowanie struktur periodycznych w płaszczyźnie złącza Poprawa charakterystyk promieniowania diod laserowych dużej mocy poprzez zastosowanie struktur periodycznych w płaszczyźnie złącza Grzegorz Sobczak, Elżbieta Dąbrowska, Marian Teodorczyk, Joanna Kalbarczyk,

Bardziej szczegółowo

Laboratorium nanotechnologii

Laboratorium nanotechnologii Laboratorium nanotechnologii Zakres zagadnień: - Mikroskopia sił atomowych AFM i STM (W. Fizyki) - Skaningowa mikroskopia elektronowa SEM (WIM) - Transmisyjna mikroskopia elektronowa TEM (IF PAN) - Nanostruktury

Bardziej szczegółowo

Marek Lipiński WPŁYW WŁAŚCIWOŚCI FIZYCZNYCH WARSTW I OBSZARÓW PRZYPOWIERZCHNIOWYCH NA PARAMETRY UŻYTKOWE KRZEMOWEGO OGNIWA SŁONECZNEGO

Marek Lipiński WPŁYW WŁAŚCIWOŚCI FIZYCZNYCH WARSTW I OBSZARÓW PRZYPOWIERZCHNIOWYCH NA PARAMETRY UŻYTKOWE KRZEMOWEGO OGNIWA SŁONECZNEGO Marek Lipiński WPŁYW WŁAŚCIWOŚCI FIZYCZNYCH WARSTW I OBSZARÓW PRZYPOWIERZCHNIOWYCH NA PARAMETRY UŻYTKOWE KRZEMOWEGO OGNIWA SŁONECZNEGO Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej im. Aleksandra Krupkowskiego

Bardziej szczegółowo

dr inż. Piotr Wroczyński kierownik dr inż. Marcin Gnyba zca. kierownika Katedra Optoelektroniki i Systemów Elektronicznych PG

dr inż. Piotr Wroczyński kierownik dr inż. Marcin Gnyba zca. kierownika Katedra Optoelektroniki i Systemów Elektronicznych PG dr inż. Piotr Wroczyński kierownik dr inż. Marcin Gnyba zca. kierownika Katedra Optoelektroniki i Systemów Elektronicznych PG POLITECHNIKA GDAŃSKA Centrum Zawansowanych Technologii Pomorze ul. Al. Zwycięstwa

Bardziej szczegółowo

Współczesna fizyka ciała stałego

Współczesna fizyka ciała stałego Współczesna fizyka ciała stałego Struktury półprzewodnikowe o obniżonej wymiarowości studnie kwantowe, druty kwantowe, kropki kwantowe.. fulereny, nanorurki, grafen. Kwantowe efekty rozmiarowe Ograniczenie

Bardziej szczegółowo

Forum BIZNES- NAUKA Obserwatorium. Kliknij, aby edytować styl wzorca podtytułu. NANO jako droga do innowacji

Forum BIZNES- NAUKA Obserwatorium. Kliknij, aby edytować styl wzorca podtytułu. NANO jako droga do innowacji Forum BIZNES- NAUKA Obserwatorium Kliknij, aby edytować styl wzorca podtytułu NANO jako droga do innowacji Uniwersytet Śląski w Katowicach Oferta dla partnerów biznesowych Potencjał badawczy Założony w

Bardziej szczegółowo

SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force

SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force Microscopy Mikroskopia siły atomowej MFM Magnetic Force Microscopy

Bardziej szczegółowo

Fizyka i technologia wzrostu kryształów

Fizyka i technologia wzrostu kryształów Fizyka i technologia wzrostu kryształów Wykład.1 Wzrost kryształów objętościowych półprzewodników na świecie i w Polsce Stanisław Krukowski i Michał Leszczyński Instytut Wysokich Ciśnień PAN 01-142 Warszawa,

Bardziej szczegółowo

I Konferencja. InTechFun

I Konferencja. InTechFun I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08

Bardziej szczegółowo

Wieloparametryczna klasyfikacja właściwości użytkowych biopaliw ciekłych optymalizacja głowicy sensora

Wieloparametryczna klasyfikacja właściwości użytkowych biopaliw ciekłych optymalizacja głowicy sensora Wieloparametryczna klasyfikacja właściwości użytkowych biopaliw ciekłych optymalizacja głowicy sensora 1. Michał Borecki, Jan Szmidt, Piotr Doroz, Paweł Pszczółkowski, 2. Mariusz Duk, Andrzej Kociubiński,

Bardziej szczegółowo

III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski

III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski 1 1 Wstęp Materiały półprzewodnikowe, otrzymywane obecnie w warunkach laboratoryjnych, charakteryzują się niezwykle wysoką czystością.

Bardziej szczegółowo

III PANEL EKSPERTÓW PROGRAM. Nowoczesne materiały i innowacyjne metody dla przetwarzania i monitorowania energii (MIME) 10 stycznia 2013 r.

III PANEL EKSPERTÓW PROGRAM. Nowoczesne materiały i innowacyjne metody dla przetwarzania i monitorowania energii (MIME) 10 stycznia 2013 r. III PANEL EKSPERTÓW PROGRAM Nowoczesne materiały i innowacyjne metody dla przetwarzania i monitorowania energii (MIME) 10 stycznia 2013 r. Centrum Konferencyjne Mrówka Warszawa - Powsin Projekt współfinansowany

Bardziej szczegółowo

Innowacyjne rozwiązanie materiałowe implantu stawu biodrowego Dr inż. Michał Tarnowski Prof. dr hab. inż. Tadeusz Wierzchoń

Innowacyjne rozwiązanie materiałowe implantu stawu biodrowego Dr inż. Michał Tarnowski Prof. dr hab. inż. Tadeusz Wierzchoń Innowacyjne rozwiązanie materiałowe implantu Dr inż. Michał Tarnowski Prof. dr hab. inż. Tadeusz Wierzchoń Zespół Obróbek Jarzeniowych Zakład Inżynierii Powierzchni Wydział Inżynierii Materiałowej TRIBOLOGIA

Bardziej szczegółowo

Skalowanie układów scalonych Click to edit Master title style

Skalowanie układów scalonych Click to edit Master title style Skalowanie układów scalonych Charakterystyczne parametry Technologia mikroelektroniczna najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna

Bardziej szczegółowo

Plan. Kropki kwantowe - część III spektroskopia pojedynczych kropek kwantowych. Kropki samorosnące. Kropki fluktuacje szerokości

Plan. Kropki kwantowe - część III spektroskopia pojedynczych kropek kwantowych. Kropki samorosnące. Kropki fluktuacje szerokości Plan Kropki kwantowe - część III spektroskopia pojedynczych kropek kwantowych Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika 1. Techniki pomiarowe 2. Podstawowe wyniki 3. Struktura

Bardziej szczegółowo

Nanofizyka co wiemy, a czego jeszcze szukamy?

Nanofizyka co wiemy, a czego jeszcze szukamy? Nanofizyka co wiemy, a czego jeszcze szukamy? Maciej Maśka Zakład Fizyki Teoretycznej UŚ Projekt współfinansowany przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego ...czyli dlaczego NANO

Bardziej szczegółowo

Optymalizacja procesu reaktywnego trawienia jonowego heterostruktur AlGaN/GaN do zastosowań w przyrządach elektronicznych

Optymalizacja procesu reaktywnego trawienia jonowego heterostruktur AlGaN/GaN do zastosowań w przyrządach elektronicznych Politechnika Wrocławska Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Autoreferat rozprawy doktorskiej Optymalizacja procesu reaktywnego trawienia jonowego heterostruktur AlGaN/GaN do zastosowań w przyrządach

Bardziej szczegółowo

Kropki samorosnące. Optyka nanostruktur. Gęstość stanów. Kropki fluktuacje szerokości. Sebastian Maćkowski. InAs/GaAs QDs. Si/Ge QDs.

Kropki samorosnące. Optyka nanostruktur. Gęstość stanów. Kropki fluktuacje szerokości. Sebastian Maćkowski. InAs/GaAs QDs. Si/Ge QDs. Kropki samorosnące Optyka nanostruktur InAs/GaAs QDs Si/Ge QDs Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon:

Bardziej szczegółowo

Osadzanie z fazy gazowej

Osadzanie z fazy gazowej Osadzanie z fazy gazowej PVD (Physical Vapour Deposition) Obniżone ciśnienie PVD procesy, w których substraty dla nakładania warstwy otrzymywane są przez parowanie lub rozpylanie. PAPVD Plasma Assisted

Bardziej szczegółowo

Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów. Metody optyczne w badaniach półprzewodników Przykładami różnymi zilustrowane

Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów. Metody optyczne w badaniach półprzewodników Przykładami różnymi zilustrowane Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Metody optyczne w badaniach półprzewodników Przykładami różnymi zilustrowane Piotr Perlin Instytut Wysokich Ciśnień PAN piotr@unipress.waw.pl Wykład:

Bardziej szczegółowo

ITC REDUKCJA TLENKÓW AZOTU METODĄ SNCR ZE SPALIN MAŁYCH I ŚREDNICH KOTŁÓW ENERGETYCZNYCH - WSTĘPNE DOŚWIADCZENIA REALIZACYJNE

ITC REDUKCJA TLENKÓW AZOTU METODĄ SNCR ZE SPALIN MAŁYCH I ŚREDNICH KOTŁÓW ENERGETYCZNYCH - WSTĘPNE DOŚWIADCZENIA REALIZACYJNE WYDZIAŁ MECHANICZNY ENERGETYKI i LOTNICTWA ITC INSTYTUT TECHNIKI CIEPLNEJ Projekt POIG.01.03.01-14-035/12 współfinansowany ze środków EUROPEJSKIEGO FUNDUSZU ROZWOJU REGIONALNEGO w ramach PROGRAMU OPERACYJNEGO

Bardziej szczegółowo

Skalowanie układów scalonych

Skalowanie układów scalonych Skalowanie układów scalonych Technologia mikroelektroniczna Charakterystyczne parametry najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna

Bardziej szczegółowo

Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów. USF_3 Technologia_A M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Jóżwik 3-1

Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów. USF_3 Technologia_A M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Jóżwik 3-1 Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów USF_3 Technologia_A M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Jóżwik 3-1 Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów Typowe wymagania klasy czystości: 1000/100

Bardziej szczegółowo

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Część I: Optyka, wykład 2 wykład: Piotr Fita pokazy: Andrzej Wysmołek ćwiczenia: Anna Grochola, Barbara Piętka Wydział Fizyki Uniwersytet Warszawski 2013/14

Bardziej szczegółowo

CEZAMAT nowe miejsce współpracy nauki i biznesu na mapie polskiej infrastruktury laboratoryjnej. Piotr Wiśniewski

CEZAMAT nowe miejsce współpracy nauki i biznesu na mapie polskiej infrastruktury laboratoryjnej. Piotr Wiśniewski CEZAMAT nowe miejsce współpracy nauki i biznesu na mapie polskiej infrastruktury laboratoryjnej Piotr Wiśniewski Plan prezentacji O Centrum Misja i wizja Cele Laboratorium Centralne CEZAMAT Podsumowanie

Bardziej szczegółowo

Badania powierzchni kryształów i struktur epitaksjalnych. Bogdan J. Kowalski IF PAN

Badania powierzchni kryształów i struktur epitaksjalnych. Bogdan J. Kowalski IF PAN Badania powierzchni kryształów i struktur epitaksjalnych Bogdan J. Kowalski IF PAN Co to jest powierzchnia? A o Co to jest powierzchnia? GaN(0001) 8 4 0 0 0.4 0.8 mm GaAs (110) Przykład: powierzchnia GaAs

Bardziej szczegółowo

ZAKŁAD MIKRO- I NANOTECHNOLOGII PÓŁPRZEWODNIKÓW SZEROKOPRZERWOWYCH

ZAKŁAD MIKRO- I NANOTECHNOLOGII PÓŁPRZEWODNIKÓW SZEROKOPRZERWOWYCH ZAKŁAD MIKRO- I NANOTECHNOLOGII PÓŁPRZEWODNIKÓW SZEROKOPRZERWOWYCH Kierownik: Zespół: prof. dr hab. inż. Anna PIOTROWSKA e-mail: ania@ite.waw.pl, tel. (22) 548 79 40 dr hab. Adam Barcz, prof. nadzw. w

Bardziej szczegółowo

J14. Pomiar zasięgu, rozrzutu zasięgu i zdolności hamującej cząstek alfa w powietrzu PRZYGOTOWANIE

J14. Pomiar zasięgu, rozrzutu zasięgu i zdolności hamującej cząstek alfa w powietrzu PRZYGOTOWANIE J14 Pomiar zasięgu, rozrzutu zasięgu i zdolności hamującej cząstek alfa w powietrzu PRZYGOTOWANIE 1. Oddziaływanie ciężkich cząstek naładowanych z materią [1, 2] a) straty energii na jonizację (wzór Bethego-Blocha,

Bardziej szczegółowo

Badania powierzchni kryształów i struktur epitaksjalnych. Bogdan J. Kowalski IF PAN

Badania powierzchni kryształów i struktur epitaksjalnych. Bogdan J. Kowalski IF PAN Badania powierzchni kryształów i struktur epitaksjalnych Bogdan J. Kowalski IF PAN Co to jest powierzchnia? God made solids, but surfaces were the work of thedevil Wolfgang Pauli www.weltchronik.de A o

Bardziej szczegółowo

I Konferencja. InTechFun

I Konferencja. InTechFun I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08

Bardziej szczegółowo

Ł Ł Ś Ę ź ź ź ź Ś ź ż Ę Ę Ś ż Ś ń Ś Ó Ą Ł Ą Ś ź Ę ć Ś ź ż ż ż ż ż ć ż ż Ń ć ń Ś ź ż ń ć ć ż ć ż źń ć ż ż ż ź ń ć ć Ł ż Ę ń ć ż ń ż ż Ś ź ż ń ń Ś ż Ś ń Ś ż ż Ś ń Ą ż Ł ć ż ż ż ń ż ż ż ż ń Ł ń Ę Ę Ą ń ź

Bardziej szczegółowo

Ń Ó Ą Ó Ą Ń ć ć ć ć ć ć ć ć ć ć ć ć ć ć ć ź ć ć ć ć Ń ć ć ć ź ź Ą ć ć ć ź Ź ź ć ŚĆ ć ć ć ź ć źń Ć Ż ź ć ć ć ź ć Ż Ą ć Ż ć ź ć ź ź ź Ą ć ć ć ć ć ć Ą ć ć ć ć ć ć ć ć ć ć ź ć ć ć ć ć ć ć Ą ć Ó ź Ó Ó Ń Ą Ó

Bardziej szczegółowo

ń Ą ń Ż Ż ń Ó ź Ę ź ź Ę ć ć ć Ś ź ŚĆ Ś ź ź ź ź Ś ź ń Ś Ó Ć ŚĆ Ć ć ć ć ź ń ć Ó ń ń ń Ś ń ń Ś ń ź ź ź źń Ź Ś ń Ć Ś Ś Ź ń ń Ś ń ń Ś ź ź Ś ź źń Ś ć ć ń Ś ń ń Ś Ś Ś Ś ń ź ź Ś ź źń ź Ś ń ź Ś Ś Ś ź ń ń Ś ń ń

Bardziej szczegółowo

Ą Ł ń Ź Ź Ą Ą ź ć Ź ń ź Ę Ł Ę Ł ż ć ć ć ż ż ż ć Ż ń ć ń ć Ń Ę ż Ż Ż Ż ć Ń Ż Ż Ą ń Ż Ż Ą Ą ń ż ń Ż Ź ż ż Ź ń ć ć Ą ć ć ć Ż ć ć ż ć ć Ż Ą ć Ż ć Ż ż ń ż ń ć Ż ć ć Ż Ł Ż Ż ć ż ć ć Ń Ń ż Ą ć ć ć ń ć ź ć ż ć

Bardziej szczegółowo

Ą ż ń ń ń ń ż Ą ń ń ż ć ń ś ż ż ż ś ż ż ż ż ć ć ś Ą ż ń ż ż ć ń ś ź ń ś ż ś ś ń ś ń ś ś ś Ń ś ż ń ś ń ń ść ż Ę ń ś ń ń ń ś ż ć Ą ś ż Ń żń ś ż ż ń ś Ę ŁÓ Ą ż ń ń ś ń ń ż ć ż Ś ź Ń ś Ń ż ń ś ń ż ź

Bardziej szczegółowo

Współczesna fizyka ciała stałego

Współczesna fizyka ciała stałego Współczesna fizyka ciała stałego Struktury półprzewodnikowe o obniŝonej wymiarowości studnie kwantowe, druty kwantowe, kropki kwantowe fulereny, nanorurki, grafen Kwantowe efekty rozmiarowe Ograniczenie

Bardziej szczegółowo

Fizyka Cienkich Warstw

Fizyka Cienkich Warstw Dr inż. T. Wiktorczyk Wydzial Podstawowych Problemów Techniki, Politechnika Wrocławska Fizyka Cienkich Warstw W-3 Fizyczne metody otrzymywania warstw -kontynuacja Naparowanie próżniowe omówiono na W-2

Bardziej szczegółowo

MBE epitaksja z wiązek molekularnych

MBE epitaksja z wiązek molekularnych MBE epitaksja z wiązek molekularnych Tomasz Słupiński Uniwersytet Warszawski, Wydział Fizyki, Zakład Fizyki Ciała Stałego (Pracownia Fizyki Wzrostu Kryształów) tomslu@fuw.edu.pl Wykład w PTWK, 4 kwietnia,

Bardziej szczegółowo

Atom Mn: wielobit kwantowy. Jan Gaj Instytut Fizyki Doświadczalnej

Atom Mn: wielobit kwantowy. Jan Gaj Instytut Fizyki Doświadczalnej Atom Mn: wielobit kwantowy Jan Gaj Instytut Fizyki Doświadczalnej Tomasz Kazimierczuk Mateusz Goryca Piotr Wojnar (IF PAN) Artur Trajnerowicz Andrzej Golnik Piotr Kossacki Jan Gaj Michał Nawrocki Ostrzeżenia

Bardziej szczegółowo

Końcowe Sprawozdanie z Realizacji Projektu Krajowe Centrum Nanostruktur Magnetycznych do Zastosowań w Elektronice Spinowej - SPINLAB

Końcowe Sprawozdanie z Realizacji Projektu Krajowe Centrum Nanostruktur Magnetycznych do Zastosowań w Elektronice Spinowej - SPINLAB Końcowe Sprawozdanie z Realizacji Projektu Krajowe Centrum Nanostruktur Magnetycznych do Zastosowań w Elektronice Spinowej - SPINLAB Tomasz Stobiecki Katedra Elektroniki AGH, Kraków Maciej Czapkiewicz,

Bardziej szczegółowo

WYKAZ METOD BADAWCZYCH w WBJ-2 (woda, ścieki) 1 Woda, ścieki ph potencjometryczna PN-EN ISO 10523:2012 RF1, RF2 A (JK-2,JS-2)

WYKAZ METOD BADAWCZYCH w WBJ-2 (woda, ścieki) 1 Woda, ścieki ph potencjometryczna PN-EN ISO 10523:2012 RF1, RF2 A (JK-2,JS-2) L.p. Badany obiekt Oznaczany składnik lub parametr badawcza Sposób wykonania (nr instrukcji operacyjnej, nr normy itp.) Wymaganie prawne (informacja o metodzie referencyjnej) Uwagi 1, ph potencjometryczna

Bardziej szczegółowo

Epitaksja - zagadnienia podstawowe

Epitaksja - zagadnienia podstawowe Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Epitaksja - zagadnienia podstawowe 13 marzec 2008 Zbigniew R. Żytkiewicz Instytut Fizyki PAN 02-668 Warszawa, Al. Lotników 32/46 tel: 843 66 01 ext.

Bardziej szczegółowo

Metody optyczne w badaniach półprzewodników Przykładami różnymi zilustrowane. Piotr Perlin Instytut Wysokich Ciśnień PAN

Metody optyczne w badaniach półprzewodników Przykładami różnymi zilustrowane. Piotr Perlin Instytut Wysokich Ciśnień PAN Metody optyczne w badaniach półprzewodników Przykładami różnymi zilustrowane Piotr Perlin Instytut Wysokich Ciśnień PAN Jak i czym scharakteryzować kryształ półprzewodnika Struktura dyfrakcja rentgenowska

Bardziej szczegółowo

Laserowe technologie wielowiązkowe oraz dynamiczne formowanie wiązki 25 październik 2017 Grzegorz Chrobak

Laserowe technologie wielowiązkowe oraz dynamiczne formowanie wiązki 25 październik 2017 Grzegorz Chrobak Laserowe technologie wielowiązkowe oraz dynamiczne formowanie wiązki 25 październik 2017 Grzegorz Chrobak Nasdaq: IPG Photonics(IPGP) Zasada działania laserów włóknowych Modułowość laserów włóknowych IPG

Bardziej szczegółowo

Ważniejsza aparatura. Dynamiczna maszyna 322 MTS Load Unit

Ważniejsza aparatura. Dynamiczna maszyna 322 MTS Load Unit Ważniejsza aparatura Dynamiczna maszyna 322 MTS Load Unit zasilacz hydrauliczny MTS Silent Flo 505.20 o wydajności 62,5 l/min; sterowanie kontrolerem MTS TestStar II 90.01; przestrzeń robocza 600x1000

Bardziej szczegółowo