Termiczny model tranzystora HEMT na podłożu GaN/SiC
|
|
- Nina Kozak
- 8 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Termiczny model tranzystora HEMT na podłożu GaN/SiC Paweł Kopyt, Daniel Gryglewski, Wojciech Wojtasiak, Wojciech Gwarek Instytut Radioelektroniki, Politechnika Warszawska ul. Nowowiejska 5/9, Warszawa Sesja Specjalna Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych Pakiet zadaniowy PZ3 MODELOWANIE
2 Motywacja Wytworzone dotychczas w Instytucie Technologii Elektronowej (ITE) tranzystory HEMT zawierają pojedynczą celę, która składa się z dwóch elementarnych struktur z bramkami w układzie "π. Celowe jest przeprowadzenie analizy termicznej tych struktur, gdyż jak pokazano w () czas niezawodnej pracy tranzystora GaN/SiC HEMT ściśle zależy od maksymalnej temperatury obszaru aktywnego. Należy unikać przegrzania. Ponadto, analiza ta pozwoli na zbudowanie elektryczno-termicznego modelu tranzystora GaN HEMT z uwzględnieniem chwilowej temperatury kanału, podobnego do modelu (). Wygląd jednej z przygotowanych próbek Czas niezawodnej pracy vs. temp. kanału ( ) D. A. Gajewski, et al., Reliability of GaN/AlGaN HEMT MMIC Technology on 00-mm 4H-SiC, 6th Annual JEDEC ROCS Workshop, Indian Wells, USA, maj 6, 0. W. Wojtasiak, D. Gryglewski, Temperature-Dependent Modeling of High Power MESFET Using Thermal FDTD Method, Proc. IEEE MTT-S, Intl. Microwave Symp., Phoenix, USA, maj 00, vol., ss
3 Podłoże Jako podłoże do modelowania zastosowano materiał TG36, o następującej strukturze: domieszkowany Al 0. Ga 0.8 N i pozbawiony domieszek azotek ganu (GaN) odpowiednio o gr. 0 nm i 80 nm; rozdzielone nm warstwą dystansową azotku glinu (AlN) (spacer); obszar GaN kompensowany węglem o grubości.5 µm; warstwę buforową stanowi 70 nm AlN; podłoże to 330 µm węglika krzemu (4H-SiC) jako podłoża izolacyjnego; Łącznie grubość warstw półprzewodników A III -N wynosi ok..6 µm W jednej z opracowanych wersji modelu zamiast podłoża 4H-SiC zastosowano jako podłoże warstwę monokrystalicznego GaN o tej samej grubości (pozostałe warstwy bez zmian). Jest to podyktowane dostępnością tego materiału w kraju i rysującymi się możliwościami zastosowania takiego podłoża w przyszłości.
4 Tranzystor Tx00 Processing podłoża przeprowadzono w ITE formując dwie bramki o długości L g = µm i szerokości W g =00 µm oraz kontakty ohmowe drenu i źródła. Izolację mesy wykonano w procesie implantacji jonów. Elektrody tranzystora pokryto złotem o grubości 00 nm. W g = 00 µm µm L g = µm µm Korzystając ze stacji on-wafer w IRE zmierzono prąd nasycenia I Dsat =0 ma (@U DS = 6V). W czasie pomiarów mało-sygnałowych wyznaczono punkt pracy U DS = 8 V i I D = 40 ma optymalny dla maks. wzmocnienia wyznaczając wartość mocy rozpraszanej w tranzystora jako P dq =. W. Wartość S i MaxGain zmierzone w p. pracy
5 Model termiczny W analizie własności termicznych struktury GaN HEMT Tx00 wykorzystano pakiet ANSYS-Fluent 4.0 ( ) Wykorzystano jednak regularność badanych struktur i siatki obliczeniowe były generowane automatycznie w środowisku obliczeniowym QuickWave 3D ( ), a następnie przenoszone do narzędzia ANSYS-Fluent. Obiekt i siatka w środowisku QW3D ANSYS-Fluent 4.0, licencja krajowa dostępna w PW QuickWave 3D.0, licencja IRE Siatka wczytana do środowiska Fluent oraz wygenerowana automatycznie pliki konfiguracyjne
6 Model termiczny, cd Analizę struktury tranzystora Tx00 poprzedzono symulacjami numerycznymi prostych problemów o znanych rozwiązaniach analitycznych : T ( t) T j 0 hq k 8 n (n ) e (n) 4 kt c p h T n 0 q [W/m ] h T 0 k przew. cieplna c p ciepło właściwe gęstość mat. T n 0 dla stanu stacjonarnego (gęstość strumienia mocy od W/m do W/m ) dla stanu niestacjonarnego (gęstość strumienia mocy 0 9 W/m, i wysokość h = 00 m), t 50 ps ze względu na war. Couranta W. Janke, Zjawiska termiczne w elementach i układach półprzewodnikowych, WNT, Warszawa 99
7 Własności ośrodków Własności cieplne materiałów warstw podłoża TG36 są zróżnicowane i zależą zarówno od temperatury jak i poziomu domieszkowania (dla AlGaN-u). Dla GaN oraz AlN przyjęto (za ) następujący model dla przewodności cieplnej k(t): k( T) k300 T 300K k 300 [W/mK] GaN AlN Pomiary pokazują zgodność (za 3 ) modelu z pomiarami GaN (warstwa o grubości 8.5 m). E. Sichel, J. Pankove, Thermal Conductivity of GaN, K, J.Phys.Chem. Solids, vol. 38, no. 3, pp , 977. W. Liu, A. Balandin, Temperature GaN AlN Dependence of Thermal Conductivity of Al x Ga -x N Thin Films Measured by the Differential 3 Technique, Appl.Phys.Lett., vol. 85, no., pp , 004 ekstremalnie cienkich (70A) warstw GaN-u. 3 S. Vitanov, Simulation of High Electron Mobility Transistors, rozprawa doktorska, Technischen Universität Wien, Wiedeń 00, 4 B. C. Daly, et al., Optical pump-and-probe measurement of the thermal conductivity of nitride thin films, J. Appl. Phys. 9, 00 5 C. Mion, J. Muth, E. Preble, D. Hanser, Thermal Conductivity, Dislocation Density and GaN Device Design, Superlattices & Microstructures, vol. 40, no. 4-6, pp , 006 Należy zaznaczyć, że pomiary 4 sugerują niższą przewodność
8 Własności ośrodków, cd Dla GaN oraz AlN przyjęto (za ) następujący model dla ciepła właściwego c p (T): c p ( T ) c 300 c T 300K T 300K c c 300 c 300 [W/kgK] c [W/kgK] GaN AlN (5) Pomiary,3 pokazują zgodność (za 4 ) modelu z pomiarami dla monolitycznego GaN-u. V. Palankovski, R. Schultheis, and S. Selberherr, Simulation of Power Heterojunction Bipolar Transistors on Gallium Arsenide, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 48, no. 6, 00, ss R. Kremer, et al., Heat Capacity of -GaN : Isotope Effects, Phys.Rev.B, vol. 7, no. 7, p , B. Danilchenko, et al. Heat Capacity and Phonon Mean Free Path of Wurtzite GaN, Appl.Phys.Lett., vol. 89, no. 6, p. 0690, S. Vitanov, Simulation of High Electron Mobility Transistors, rozprawa doktorska, Technischen Universität Wien, Wiedeń 00, 5 V. Palankovski, R. Quay, Analysis and Simulation of Heterostructure Devices. Wien, New York: Springer, 004.
9 Własności ośrodków, cd Dla AlGaN-u modele przewodności cieplnej i ciepła właściwego są takie same. Zmienia się jednak sposób obliczenia ich parametrów. Dla Al x Ga -x N otrzymuje się: k AlGaN 300 AlGaN x x AlN k300 k ( x) AlN GaN 300 ( x) x Ck x GaN AlGaN AlN GaN c300 ( x) c300 xc300 AlGaN AlN GaN c ( x) c xc Model ten zapewnia dobrą zgodność z pomiarami,3 (za 4 ) dla C k = 3.W/mK: Al x Ga -x N V. Palankovski, R. Schultheis, S. Selberherr, Simulation of Power Heterojunction Bipolar Transistors on Gallium Arsenide, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 48, no. 6, 00, ss B. C. Daly, et al., Optical pump-and-probe measurement of the thermal conductivity of nitride thin films, J. Appl. Phys. 9, 00 3 W. Liu, A. Balandin, Temperature Dependence of Thermal Conductivity of Al x Ga -x N Thin Films Measured by the Differential 3 Technique, Appl.Phys.Lett., vol. 85, no., pp , A. Taube, M. Sochacki, J. Szmidt, Symulacje i modelowanie tranzystorów HEMT AlGaN/GaN wpływ przewodności cieplnej podłoża, Elektronika: konstrukcje, technologie, zastosowania, nr 9/0, ss AlGaN ( x) k 300 [W/mK] AlN x GaN Al 0. Ga 0.8 N H-SiC (4) 430 c 300 [W/kgK] c [W/kgK] [kg/m 3 ] Al 0. Ga 0.8 N H-SiC (4) 68 3
10 Model termiczny, cd Numeryczny 3-wymiarowy model termiczny tranzystora Tx00 zbudowano wykorzystując strukturalną siatkę obliczeniową złożoną z ok. 560 tys. prostopadłościennych komórek: Widok z góry Widok z boku T n 0 H (4H-SiC) T n 0 T c = 300K T n 0 Przyjęte w obliczeniach war. brzegowe Dzięki symetrii topologii tranzystora wzdłuż osi drenu, symulacjom poddano połowę struktury z fragmentem obszaru poza obrysem metalizacji o wymiarach 500µm500µm. Sondy pomiarowe zostały pominięte.
11 Model termiczny, cd W modelu nie uwzględniono bezpośrednio warstwy metalizacji. Dopuszczono jednak przepływ ciepła wzdłuż powierzchni brzegowych pokrytych złotem. Kanał umieszczono na głębokości 0 nm i zamodelowano jako obszar o objętościowej gęstości mocy Q komórki odpowiednio zmniejszone w pobliżu kanału komórki znacznie oddalone od kanału zostały powiększone metalizacja kanał bufor podłoże Q P ts dq c S c pow. kanału (5.504m ), P dq moc DC tracona w kanale (.W), t grubość kanału (nm) Rozkład koncetracji elektronów w kanale tranzystora AlGaN/GaN A. Taube, M. Sochacki, J. Szmidt, Symulacje i modelowanie tranzystorów HEMT AlGaN/GaN wpływ przewodności cieplnej podłoża, Elektronika: konstrukcje, technologie, zastosowania, nr 9/0, ss
12 Model termiczny, cd Przy użyciu modelu numerycznego obliczono temperaturę kanału T j w stanie ustalonym w środku obszaru aktywnego struktury nagrzewanej mocą Pdq (.W) dla kilku różnych grubości warstwy podłożowej dla dwóch materialów (4H-SiC oraz GaN). Na podstawie wyników obliczono rezystancję cieplną Tj Tcase tranzystora R th [K/W]: R th P dq Zmiana temp. w kanale zaledwie o 0.5K (R th większe o 0.4K/W) dla rezystancji cieplnej interfejsu GaN-SiC 4.5 m K/GW () Rozkłady temperatury (w st. ustalonym) w tranzystorze na podłożu 4H-SiC o gr. 50 m Obliczone wartości rezystancji cieplnej badanych przyrządów Przyrost temperatury w kanale tranzystora na podłożu 4H-SiC o gr. 50 m J. Cho, Elah et al., Low Thermal Resistances at GaN-SiC Interfaces for HEMT Technology, IEEE Electron Device Letters, vol. 33, nr 3, marzec 0, ss
13 Model termiczny - weryfikacja Uzyskane wyniki są porównywalne z danymi katalogowymi dla podobnych przyrządów. Na przykład, dla tranzystora RF3930D (chip) firmy RFMD, producent podaje R th =8K/W () Zdjęcie struktury i dostępne dane nt. geometrii Model przyrządu na podstawie danych kat. (jako radiator CPC zastosowano lity blok miedzi) RF3930D, nota katalogowa, RF Micro Devices, USA, 006. Uproszczenia: Jako radiator CPC zastosowano blok miedzi (ale o R th decyduje głównie grubość podłoża). Pominięto ew. rezystancję termiczną interfejsu (4H-SiC)-radiator. Strukturę epitaksjalną zastosowano taką jak dla przyrządu Tx00. Uzyskany wynik: R th = 7.5 K/W dla P dq =.64W, zgodnej z p. pracy (U DSQ = 48V, I DQ = 55mA) podanym w nocie
14 Podsumowanie. Zaproponowano 3-wymiarowy model termiczny tranzystorów Tx00 HEMT wytworzonych przez ITE. Model został opracowany na podstawie dostępnych w literaturze danych materiałowych podłoża oraz geometrii przyrządu 3. Dane testowe uzyskane za pomocą modelu dla komercyjnego tranzystora RF3930D firmy RF Micro Devices są zgodne z danymi publikowanymi przez producenta. 4. Uzyskane za pomocą modelu oszacowanie wartości rezystancji termicznej tranzystora Tx00 sugeruje, że: w każdym wypadku należy stosować możliwie cienkie warstwy podłoża; dla przyrządów wykonanych na podłożu z monolitycznego GaN jest to wymaganie szczególnie istotne; 5. Wyniki obliczeń uzyskiwane za pomocą tego modelu i ulepszonych jego wersji pozwalają na projektowanie kolejnych wersji tranzystorów ITE uwzględniając przegrzewanie się obszaru aktywnego 6. Planowany drugi etap prac będzie obejmował zbudowanie elektryczno-termicznego modelu tranzystora GaN HEMT z uwzględnieniem chwilowej temperatury kanału. Podziękowania: Praca została wykonana w ramach projektu InTechFun (WND-POIG /08) współfinansowanego ze środków Europejskiego Funduszu Rozwoju Regionalnego oraz ze środków budżetu państwa w ramach Programu Operacyjnego Innowacyjna Gospodarka.
15 Udział zespołu IRE PW w pracach InTechFun: Modelowanie termiczne tranzystorów HEMT (w ramach zadania: PZ3: Modelowanie Analiza własności cieplnych przyrządów półprzewodnikowych z półprzewodników szerokoprzerwowych Charakteryzacja oprawek przyrządów mikrofalowych i połączeń drutowych (w ramach zadania: PZ: Nowe Moduły Technologiczne Charakteryzacja Struktur Charakteryzacja kolejnych partii tranzystorów AlGaN/GaN HEMT wytwarzanych przez ITE (w ramach zadania: PZ: Nowe Moduły Technologiczne Charakteryzacja Struktur Sesja Specjalna Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych
16 Oprawki tranzystorów Oprawki tranzystorów stosowanych w układach mikrofalowych są istotnym elementem decydującym w znacznym stopniu o jakości gotowych przyrządów półprzewodnikowych. a) b) Tranzystor MRFG 3500 firmy Freescale: a) wygląd przyrządu; b) oprawka NI-360HF ze strukturą tranzystora i widocznymi połączeniami drutowymi elektrod D i S. Oprócz ograniczania f T przyrządu istniejące w oprawce połączenia drutowe wprowadzają indukcyjności, które w połączeniu z niefortunnym układem rozproszonych pojemności obudowy mogą prowadzić do powstawania rezonansów. L. Larson and D. Jessie, Advances in RF packaging technologies for next-generation wireless communications applications, Proc. IEEE Custom Integrated Circuits Conference, USA, Sept. 003,
17 Pomiary oprawek Wyznaczenie parametrów modelu obwodowego samej oprawki wymaga przepr. odpowiednich pomiarów. Znane są pomiary oparte na precyzyjnych wzorcach kalibr. (np. szafirowych ) i typowych algorytmów kalibracji LRM, TRL itp. Takie wzorce są skomplikowane i kosztowne. W tej pracy wykorzystano linię NLP o odpowiednich rozmiarach zamontowaną w oprawce zamiast struktury tranzystora. Struktury tranzystora Linia NLP C. Chun, A. Pham, and J. Laskar, Development of Microwave Package Models Utilizing On-Wafer Characterization Techniques, IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques 45 (997),
18 Oprawki - podsumowanie Zaproponowano metodę wyznaczania parametrów oprawki tranzystora mocy zawierającej równoległe połączenia drutowe. Zamiast stosowanych wcześnie kalibratorów wykorzystano odcinek linii NLP o znanej długości. Zaproponowaną metodą zmierzono oprawkę zawierającą 6 połączeń drutowych wykorzystując odpowiednią sekwencję pomiarów i obwodów zastępczych o stopniową zmieniającej się liczbie połączeń. Wykorzystując dopasowany do pomiarów model ustalono, że nawet duża asymetria obwodu nie wpływa na znaczące zaburzenie wyników. Na podstawie dodatkowego eksperymentu polegającego na wielokrotnym wykonaniu tego samego połączenia drutowego w oprawce TO-39 sprawdzono, że wrażliwość metody na dokładność/powtarzalność bondowania nie przekracza 5%. Więcej szczegółów nt. procedury znajduje się w artykule: P. Kopyt, Electrical Characterization of a RF Power Transistor Ceramic Package Including Multiple Wirebonds, Intl. J. of RF and Microwave CAE, Vol. 3, Iss., pages 5 58, Jan. 03. Trwają próby potwierdzenia skuteczności metody dla komercyjnego tranzystora zamocowanego w oprawce scharakteryowanej w ten sposób.
19 Tranzystory ITE W ciągu minionego roku przeprowadzono charakteryzację małosygnałową (w paśmie mikrofalowym) kolejnych próbek przyrządów wytwarzanych w ITE na różnych podłożach: HEMT-3: Próbka z VIII, 9/4 działające, stosunkowo małe wzmocnienie, duże upływności bramki, duże rezystancje doprowadzeń. H_B9_0: Próbka z X, 3/3 działające, duże wzmocnienie, szerokie pasmo pracy, małe upływności dobre przyrządy!. B8_HP_0: Próbka z X (inne podłoże), 7/3 działające, stosunkowo niskie wzmocnienie, małe upływności, wąskie pasmo pracy. HIP_03_AB: Próbka z I 3 (podłoże GaN), 7/8 działające, stosunkowo niskie wzmocnienie, małe upływności, b. wysoka rezystancja w p. pracy, węższe pasmo pasmo pracy (niż H_B9_0). PTC73_HIP_O33_: Próbka z IV 3 (GaN/Si), 55/89 zbadanych działa, próbka b. duża, zawiera nowe tranzystory, stosunkowo niskie wzmocnienie, małe upływności, wąskie pasmo pracy nadal daleko do powtórzenia H_B9_0. Porównanie surowych wyników pomiarów dla najlepszych przyrządów z próbek H_B9_0 (szerokość 00 m) i PTC73_HIP_O33_ (szerokość 350 m)
I Konferencja. InTechFun
I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08
Bardziej szczegółowopromotor prof. dr hab. inż. Jan Szmidt z Politechniki Warszawskiej
Politechnika Warszawska Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych Warszawa, 13 marca 2018 r. D z i e k a n a t Uprzejmie informuję, że na Wydziale Elektroniki i Technik Informacyjnych Politechniki Warszawskiej
Bardziej szczegółowoZ.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja. InTechFun
Z.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa
Bardziej szczegółowoParametry tranzystorów GaN HEMT wyniki I etapu projektu PolHEMT
doi:10.15199/48.2015.09.55 Wojciech WOJTASIAK 1, Wojciech GWAREK 1, Anna PIOTROWSKA 2, Eliana KAMIŃSKA 2 Politechnika Warszawska, Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych (1), Instytut Technologii
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 5 FET
Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical
Bardziej szczegółowoInTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych
Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk Zbigniew R. Żytkiewicz IF
Bardziej szczegółowoSkalowanie układów scalonych
Skalowanie układów scalonych Technologia mikroelektroniczna Charakterystyczne parametry najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna
Bardziej szczegółowoELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH
Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Piotr Grzejszczak Mieczysław Nowak P W Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej 2015 Wiadomości ogólne Tranzystor
Bardziej szczegółowoKrytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC
Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC Mariusz Sochacki 1, Norbert Kwietniewski 1, Andrzej Taube 1,2, Krystian Król 1, Jan Szmidt
Bardziej szczegółowoBadania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych
Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych Monika KWOKA, Jacek SZUBER Instytut Elektroniki Politechnika Śląska Gliwice PLAN PREZENTACJI 1. Podsumowanie dotychczasowych prac:
Bardziej szczegółowoWpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC
Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC J. Łażewski, M. Sternik, P.T. Jochym, P. Piekarz politypy węglika krzemu SiC >250 politypów, najbardziej stabilne: 3C, 2H, 4H i 6H
Bardziej szczegółowoSkalowanie układów scalonych Click to edit Master title style
Skalowanie układów scalonych Charakterystyczne parametry Technologia mikroelektroniczna najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna
Bardziej szczegółowoI Konferencja. InTechFun
I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08
Bardziej szczegółowoMODELOWANIE ROZKŁADU TEMPERATUR W PRZEGRODACH ZEWNĘTRZNYCH WYKONANYCH Z UŻYCIEM LEKKICH KONSTRUKCJI SZKIELETOWYCH
Budownictwo o Zoptymalizowanym Potencjale Energetycznym 2(18) 2016, s. 55-60 DOI: 10.17512/bozpe.2016.2.08 Maciej MAJOR, Mariusz KOSIŃ Politechnika Częstochowska MODELOWANIE ROZKŁADU TEMPERATUR W PRZEGRODACH
Bardziej szczegółowoWzmacniacz niskoszumny z tranzystorem GaN PolHEMT na pasmo L
Daniel GRYGLEWSKI, Marcin GÓRALCZYK, Szymon SOKÓŁ Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych, Politechnika Warszawska doi:10.1199/.01.09.11 Wzmacniacz niskoszumny z tranzystorem GaN PolHEMT na pasmo
Bardziej szczegółowoCharakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk
Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk Promotor: dr hab. inż. Bogusława Adamowicz, prof. Pol. Śl. Zadania pracy Pomiary transmisji i odbicia optycznego
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki ELEMENTY ELEKTRONICZNE dr inż. Piotr Dziurdzia paw. C-3,
Bardziej szczegółowoWYNIKI POMIARÓW PARAMETRÓW TERMICZNYCH TRANZYSTORA SiC JFET
Kamil Bargieł, Damian Bisewski, Janusz Zarębski, Ewelina Szarmach Akademia Morska w Gdyni WYNIKI POMIARÓW PARAMETRÓW TERMICZNYCH TRANZYSTORA SiC JFET W pracy zaprezentowano wyniki pomiarów rezystancji
Bardziej szczegółowoWieloparametryczna klasyfikacja właściwości użytkowych biopaliw ciekłych optymalizacja głowicy sensora
Wieloparametryczna klasyfikacja właściwości użytkowych biopaliw ciekłych optymalizacja głowicy sensora 1. Michał Borecki, Jan Szmidt, Piotr Doroz, Paweł Pszczółkowski, 2. Mariusz Duk, Andrzej Kociubiński,
Bardziej szczegółowoTECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone,
TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, 1. Technologia wykonania złącza p-n W rzeczywistych złączach
Bardziej szczegółowoTranzystory polowe FET(JFET), MOSFET
Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana
Bardziej szczegółowoXIV KONFERENCJA CIEPŁOWNIKÓW
XIV KONFERENCJA CIEPŁOWNIKÓW POLITECHNIKA RZESZOWSKA PZITS - Oddział Rzeszów MPEC - Rzeszów Michał STRZESZEWSKI* POLITECHNIKA WARSZAWSKA ANALIZA WYMIANY CIEPŁA W PRZYPADKU ZASTOSOWANIA WARSTWY ALUMINIUM
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM METODA ELEMENTÓW SKOŃCZONYCH
LABORATORIUM METODA ELEMENTÓW SKOŃCZONYCH Projekt z wykorzystaniem programu COMSOL Multiphysics Prowadzący: dr hab. Tomasz Stręk, prof. PP Wykonali: Aleksandra Oźminkowska, Marta Woźniak Wydział: Elektryczny
Bardziej szczegółowoDobór materiałów konstrukcyjnych cz.13
Dobór materiałów konstrukcyjnych cz.13 dr inż. Hanna Smoleńska Katedra Inżynierii Materiałowej i Spajania Wydział Mechaniczny, Politechnika Gdańska Materiały edukacyjne ROZSZERZALNOŚĆ CIEPLNA LINIOWA Ashby
Bardziej szczegółowoNOWOCZESNE TECHNOLOGIE ENERGETYCZNE Rola modelowania fizycznego i numerycznego
Politechnika Częstochowska Katedra Inżynierii Energii NOWOCZESNE TECHNOLOGIE ENERGETYCZNE Rola modelowania fizycznego i numerycznego dr hab. inż. Zbigniew BIS, prof P.Cz. dr inż. Robert ZARZYCKI Wstęp
Bardziej szczegółowoWYKORZYSTANIE METODY ELEMENTÓW SKOŃCZONYCH W MODELOWANIU WYMIANY CIEPŁA W PRZEGRODZIE BUDOWLANEJ WYKONANEJ Z PUSTAKÓW STYROPIANOWYCH
Budownictwo o Zoptymalizowanym Potencjale Energetycznym 2(18) 2016, s. 35-40 DOI: 10.17512/bozpe.2016.2.05 Paweł HELBRYCH Politechnika Częstochowska WYKORZYSTANIE METODY ELEMENTÓW SKOŃCZONYCH W MODELOWANIU
Bardziej szczegółowoModelowanie zjawisk elektryczno-cieplnych w ultrafioletowej diodzie elektroluminescencyjnej
Modelowanie zjawisk elektryczno-cieplnych w ultrafioletowej diodzie elektroluminescencyjnej Robert P. Sarzała 1, Michał Wasiak 1, Maciej Kuc 1, Adam K. Sokół 1, Renata Kruszka 2, Krystyna Gołaszewska 2
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA ŚLĄSKA W GLIWICACH Wydział Mechaniczny Technologiczny PRACA DYPLOMOWA MAGISTERSKA
POLITECHNIKA ŚLĄSKA W GLIWICACH Wydział Mechaniczny Technologiczny PRACA DYPLOMOWA MAGISTERSKA Wykorzystanie pakietu MARC/MENTAT do modelowania naprężeń cieplnych Spis treści Pole temperatury Przykład
Bardziej szczegółowoInTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur. II Spotkanie Realizatorów Projektu Warszawa maja 2009 r.
Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun Politechnika Śląska (PŚl-2) ZESPÓŁ REALIZUJĄCY PROJEKT NAZWA: Politechnika
Bardziej szczegółowoKRAWĘDŹ G wartość temperatury w węzłach T=100 C; KRAWĘDŹ C wartość strumienia cieplnego q=15,5 W/m^2;
PODZIAŁ MODELU NA GRUPY MATERIAŁOWE ORAZ OZNACZENIE KRAWĘDZI MODELU ZALEŻNOŚĆ PRZEWODNOŚCI CIEPLNEJ MIEDZI OD TEMPERATURY Wartość temperatury Wartość przewodności cieplnej miedzi deg W/m*deg 0 386 100
Bardziej szczegółowoIV. TRANZYSTOR POLOWY
1 IV. TRANZYSTOR POLOWY Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora polowego złączowego. Zagadnienia: zasada działania tranzystora FET 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA ENS1C300 022 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2013 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoTranzystory polowe FET(JFET), MOSFET
Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Ryszard J. Barczyński, 2009 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Tranzystor polowy złączowy
Bardziej szczegółowoZASTOSOWANIE METODY ELEMENTÓW SKOŃCZONYCH W PROCESIE TOPNIENIA MEDIUM
POZNAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY ACADEMIC JOURNALS No 96 Electrical Engineering 2018 DOI 10.21008/j.1897-0737.2018.96.0023 Mateusz FLIS * ZASTOSOWANIE METODY ELEMENTÓW SKOŃCZONYCH W PROCESIE TOPNIENIA MEDIUM
Bardziej szczegółowoWPŁYW MOCOWANIA ELEMENTU PÓŁPRZEWODNIKOWEGO NA JEGO PRZEJŚCIOWĄ IMPEDANCJĘ TERMICZNĄ
ELEKTRYKA 2014 Zeszyt 1 (229) Rok LX Krzysztof GÓRECKI, Janusz ZARĘBSKI Akademia Morska w Gdyni WPŁYW MOCOWANIA ELEMENTU PÓŁPRZEWODNIKOWEGO NA JEGO PRZEJŚCIOWĄ IMPEDANCJĘ TERMICZNĄ Streszczenie. W pracy
Bardziej szczegółowoTranzystory polowe JFET, MOSFET
Tranzystory polowe JFET, MOSFET Zbigniew Usarek, 2018 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Tranzystor polowy złączowy JFET Zasada
Bardziej szczegółowoTechnologia kontaktów omowych i montażu dla przyrządów z węglika krzemu
Wprowadzenie Technologia kontaktów omowych i montażu dla przyrządów z węglika krzemu Ryszard Kisiel, Zbigniew Szczepański, Ryszard Biaduń, Norbert Kwietniewski Instytut Mikroelektronikii Optoelektroniki,Politechnika
Bardziej szczegółowoRys. 1 Schemat układu L 2 R 2 E C 1. t(0+)
Autor: Piotr Fabijański Koreferent: Paweł Fabijański Zadanie Obliczyć napięcie na stykach wyłącznika S zaraz po jego otwarciu, w chwili t = (0 + ) i w stanie ustalonym, gdy t. Do obliczeń przyjąć następujące
Bardziej szczegółowoParametry częstotliwościowe przetworników prądowych wykonanych w technologii PCB 1 HDI 2
dr inż. ALEKSANDER LISOWIEC dr hab. inż. ANDRZEJ NOWAKOWSKI Instytut Tele- i Radiotechniczny Parametry częstotliwościowe przetworników prądowych wykonanych w technologii PCB 1 HDI 2 W artykule przedstawiono
Bardziej szczegółowoPRZEWODNIK PO PRZEDMIOCIE
Nazwa przedmiotu: Kierunek: Inżynieria Biomedyczna Rodzaj przedmiotu: obowiązkowy moduł kierunkowy ogólny Rodzaj zajęć: wykład, laboratorium I KARTA PRZEDMIOTU CEL PRZEDMIOTU PRZEWODNIK PO PRZEDMIOCIE
Bardziej szczegółowoTERMICZNA ANALIZA MES OBWODÓW DRUKOWANYCH THERMAL MES ANALYSIS OF PRINTED CIRCUIT BOARD
ELEKTRYKA 2015 Zeszyt 2 (234) Rok LXI Arkadiusz DOMORACKI, Krzysztof BODZEK Katedra Energoelektroniki Napędu Elektrycznego i Robotyki, Politechnika Śląska w Gliwicach TERMICZNA ANALIZA MES OBWODÓW DRUKOWANYCH
Bardziej szczegółowoMETODA ELEMENTÓW SKOŃCZONYCH
METODA ELEMENTÓW SKOŃCZONYCH PROJEKT Prowadzący: Dr hab. Tomasz Stręk Wykonali: Anna Markowska Michał Marczyk Grupa: IM Rok akademicki: 2011/2012 Semestr: VII Spis treści: 1.Analiza ugięcia sedesu...3
Bardziej szczegółowoI Konferencja. InTechFun
I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08
Bardziej szczegółowoUkład aktywnej redukcji hałasu przenikającego przez przegrodę w postaci płyty mosiężnej
Układ aktywnej redukcji hałasu przenikającego przez przegrodę w postaci płyty mosiężnej Paweł GÓRSKI 1), Emil KOZŁOWSKI 1), Gracjan SZCZĘCH 2) 1) Centralny Instytut Ochrony Pracy Państwowy Instytut Badawczy
Bardziej szczegółowoANALIZA WPŁYWU WYBRANYCH ASPEKTÓW TECHNOLOGII WYKONANIA TRANZYSTORA MOSFET NA KRYTYCZNE PARAMETRY UŻYTKOWE
Mgr inż. Krystian KRÓL 1,2 Mgr inż. Andrzej TAUBE 2 Dr inż. Mariusz SOCHACKI 2 Prof. dr hab. inż. Jan SZMIDT 2 1 Instytut Tele- i Radiotechniczny 2 Instytut Mikro- i Optoelektroniki Politechnika Warszawska
Bardziej szczegółowoMODELOWANIE ELEKTROTERMICZNYCH CHARAKTERYSTYK TRANZYSTORA MESFET W PROGRAMIE PSPICE
Damian Bisewski, Janusz Zarębski Akademia Morska w Gdyni MODELOWANIE ELEKTROTERMICZNYCH CHARAKTERYSTYK TRANZYSTORA MESFET W PROGRAMIE PSPICE Praca dotyczy problematyki modelowania tranzystorów MESFET z
Bardziej szczegółowoWpływ temperatury podłoża na właściwości powłok DLC osadzanych metodą rozpylania katod grafitowych łukiem impulsowym
Dotacje na innowacje Wpływ temperatury podłoża na właściwości powłok DLC osadzanych metodą rozpylania katod grafitowych łukiem impulsowym Viktor Zavaleyev, Jan Walkowicz, Adam Pander Politechnika Koszalińska
Bardziej szczegółowoZałącznik nr 1. Projekty struktur falowodowych
Załącznik nr 1 do sprawozdania merytorycznego z realizacji projektu badawczego Szybka nieliniowość fotorefrakcyjna w światłowodach półprzewodnikowych do zastosowań w elementach optoelektroniki zintegrowanej
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych złączowych Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów polowych złączowych
Bardziej szczegółowoInnowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur
Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 1 Instytut Technologii Elektronowej ZESPÓŁ REALIZUJĄCY PROJEKT
Bardziej szczegółowoWłaściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy
Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy Zalety sterowanie polowe niska moc sterowania wyłącznie nośniki większościowe krótki czas przełączania wysoka maksymalna częstotliwość pracy
Bardziej szczegółowoTEORIA TRANZYSTORÓW MOS. Charakterystyki statyczne
TEORIA TRANZYSTORÓW MOS Charakterystyki statyczne n Aktywne podłoże, a napięcia polaryzacji złącz tranzystora wzbogacanego nmos Obszar odcięcia > t, = 0 < t Obszar liniowy (omowy) Kanał indukowany napięciem
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA SZCZECIŃSKA KATEDRA MECHANIKI I PODSTAW KONSTRUKCJI MASZYN
POLITECHNIKA SZCZECIŃSKA KATEDRA MECHANIKI I PODSTAW KONSTRUKCJI MASZYN Ćwiczenie nr 12 Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Numeryczne metody analizy konstrukcji Przenikanie ciepła Szczecin 2007 Opis
Bardziej szczegółowoBadanie klasy wymaganej odporności ogniowej wentylatora przy wykorzystaniu programu FDS
Badanie klasy wymaganej odporności ogniowej wentylatora przy wykorzystaniu programu FDS 1. Wstęp: Symulacje komputerowe CFD mogą posłużyć jako narzędzie weryfikujące klasę odporności ogniowej wentylatora,
Bardziej szczegółowoMETODA ELEMENTÓW SKOŃCZONYCH.
METODA ELEMENTÓW SKOŃCZONYCH. W programie COMSOL multiphisics 3.4 Wykonali: Łatas Szymon Łakomy Piotr Wydzał, Kierunek, Specjalizacja, Semestr, Rok BMiZ, MiBM, TPM, VII, 2011 / 2012 Prowadzący: Dr hab.inż.
Bardziej szczegółowoBADANIA WŁAŚCIWOŚCI CIEPLNYCH TRANZYSTORA MOS MOCY CHŁODZONEGO CIECZĄ
POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADE MIC JOURNALS No 87 Electrical Engineering 2016 Damian BISEWSKI* Janusz ZARĘBSKI* BADANIA WŁAŚCIWOŚCI CIEPLNYCH TRANZYSTORA MOS MOCY CHŁODZONEGO CIECZĄ W pracy zaprezentowano
Bardziej szczegółowoLaboratorium LAB1. Moduł małej energetyki wiatrowej
Laboratorium LAB1 Moduł małej energetyki wiatrowej Badanie charakterystyki efektywności wiatraka - kompletnego systemu (wiatrak, generator, akumulator) prędkość wiatru - moc produkowana L1-U1 Pełne badania
Bardziej szczegółowo(1) 66 PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY, ISSN 0033-2097, R. 91 NR 9/2015. Rys. 2. Przebieg dna pasma przewodnictwa w rejonie heterozłącza
doi:10.15199/48.2015.09.18 Włodzimierz JANKE 1, Wojciech WOJTASIAK 2 Wydział Elektroniki i Informatyki, Politechnika Koszalińska (1), Instytut Radioelektroniki, Politechnika Warszawska (2) Właściwości
Bardziej szczegółowoMateriały używane w elektronice
Materiały używane w elektronice Typ Rezystywność [Wm] Izolatory (dielektryki) Over 10 5 półprzewodniki 10-5 10 5 przewodniki poniżej 10-5 nadprzewodniki (poniżej 20K) poniżej 10-15 Model pasm energetycznych
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 17 Temat: Własności tranzystora JFET i MOSFET. Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 17 Temat: Własności tranzystora JFET i MOSFET. Cel ćwiczenia Poznanie budowy i zasady pracy tranzystora JFET. Pomiar charakterystyk tranzystora JFET. Czytanie schematów elektronicznych. Przestrzeganie
Bardziej szczegółowoProjekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Rozwoju Regionalnego w ramach Programu Operacyjnego Innowacyjna Gospodarka
Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Rozwoju Regionalnego w ramach Programu Operacyjnego Innowacyjna Gospodarka Poznań, 16.05.2012r. Raport z promocji projektu Nowa generacja energooszczędnych
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006
Bardziej szczegółowoTHE ANALYSIS OF THE MANUFACTURING OF GEARS WITH SMALL MODULES BY FDM TECHNOLOGY
Prof. dr hab. inż. Tadeusz MARKOWSKI, e-mail: tmarkow@prz.edu.pl Dr hab. inż. Grzegorz BUDZIK, prof. PRz, e-mail: gbudzik@prz.edu.pl Dr inż. Bogdan KOZIK, e-mail: bogkozik@prz.edu.pl Mgr inż. Bartłomiej
Bardziej szczegółowoBADANIE CIEPLNE LAMINATÓW EPOKSYDOWO-SZKLANYCH STARZONYCH W WODZIE THERMAL RESERACH OF GLASS/EPOXY LAMINATED AGING IN WATER
Andrzej PUSZ, Łukasz WIERZBICKI, Krzysztof PAWLIK Politechnika Śląska Instytut Materiałów InŜynierskich i Biomedycznych E-mail: lukasz.wierzbicki@polsl.pl BADANIE CIEPLNE LAMINATÓW EPOKSYDOWO-SZKLANYCH
Bardziej szczegółowoWprowadzenie do techniki Cyfrowej i Mikroelektroniki
Wprowadzenie do techniki Cyfrowej i Mikroelektroniki Małgorzata Napieralska Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych tel. 26-55 mnapier@dmcs.p.lodz.pl Literatura W. Marciniak Przyrządy półprzewodnikowe
Bardziej szczegółowoWYKORZYSTANIE SYSTEMU Mathematica DO ROZWIĄZYWANIA ZAGADNIEŃ PRZEWODZENIA CIEPŁA
39/19 ARCHIWUM ODLEWNICTWA Rok 006, Rocznik 6, Nr 19 Archives of Foundry Year 006, Volume 6, Book 19 PAN - Katowice PL ISSN 164-5308 WYKORZYSTANIE SYSTEMU Mathematica DO ROZWIĄZYWANIA ZAGADNIEŃ PRZEWODZENIA
Bardziej szczegółowoMODELOWANIE WARSTWY POWIERZCHNIOWEJ O ZMIENNEJ TWARDOŚCI
Dr inż. Danuta MIEDZIŃSKA, email: dmiedzinska@wat.edu.pl Dr inż. Robert PANOWICZ, email: Panowicz@wat.edu.pl Wojskowa Akademia Techniczna, Katedra Mechaniki i Informatyki Stosowanej MODELOWANIE WARSTWY
Bardziej szczegółowoInnowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych.
Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun Numer Projektu WND-POIG.01.03.01-00-159/08-00 Instytut Technologii
Bardziej szczegółowoPRZEWODNIK PO PRZEDMIOCIE
Nazwa przedmiotu: MODELOWANIE I SYMULACJA PROCESÓW WYTWARZANIA Modeling and Simulation of Manufacturing Processes Kierunek: Mechatronika Rodzaj przedmiotu: obowiązkowy specjalności PSM Rodzaj zajęć: wykład,
Bardziej szczegółowoWPŁYW GRADIENTU TEMPERATURY NA WSPÓŁCZYNNIK PRZEWODZENIA CIEPŁA
ROCZNIKI INŻYNIERII BUDOWLANEJ ZESZYT 10/2010 Komisja Inżynierii Budowlanej Oddział Polskiej Akademii Nauk w Katowicach WPŁYW GRADIENTU TEMPERATURY NA WSPÓŁCZYNNIK PRZEWODZENIA CIEPŁA Andrzej MARYNOWICZ
Bardziej szczegółowoI Konferencja. InTechFun
I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08
Bardziej szczegółowoANALIZA WYMIANY CIEPŁA OŻEBROWANEJ PŁYTY GRZEWCZEJ Z OTOCZENIEM
Wymiana ciepła, żebro, ogrzewanie podłogowe, komfort cieplny Henryk G. SABINIAK, Karolina WIŚNIK* ANALIZA WYMIANY CIEPŁA OŻEBROWANEJ PŁYTY GRZEWCZEJ Z OTOCZENIEM W artykule przedstawiono sposób wymiany
Bardziej szczegółowoMETODA ELEMENTÓW SKOŃCZONYCH
METODA ELEMENTÓW SKOŃCZONYCH PROJEKT Prowadzący: Dr hab. Tomasz Stręk Wykonali: Kubala Michał Pomorski Damian Grupa: KMiU Rok akademicki: 2011/2012 Semestr: VII Spis treści: 1.Analiza ugięcia belki...3
Bardziej szczegółowoBadanie tranzystorów MOSFET
Instytut Fizyki ul Wielkopolska 5 7045 Szczecin Pracownia Elektroniki Badanie tranzystorów MOSFET Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: budowa i zasada działania tranzystora MOSFET; charakterystyki
Bardziej szczegółowoWYKORZYSTANIE MES DO WYZNACZANIA WPŁYWU PĘKNIĘCIA W STOPIE ZĘBA KOŁA NA ZMIANĘ SZTYWNOŚCI ZAZĘBIENIA
ZESZYTY NAUKOWE POLITECHNIKI ŚLĄSKIEJ 2009 Seria: TRANSPORT z. 65 Nr kol. 1807 Tomasz FIGLUS, Piotr FOLĘGA, Piotr CZECH, Grzegorz WOJNAR WYKORZYSTANIE MES DO WYZNACZANIA WPŁYWU PĘKNIĘCIA W STOPIE ZĘBA
Bardziej szczegółowoAnaliza wymiany ciepła w przekroju rury solarnej Heat Pipe w warunkach ustalonych
Stanisław Kandefer 1, Piotr Olczak Politechnika Krakowska 2 Analiza wymiany ciepła w przekroju rury solarnej Heat Pipe w warunkach ustalonych Wprowadzenie Wśród paneli słonecznych stosowane są często rurowe
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKA. I. Scalony, trzykońcówkowy stabilizator napięcia II. Odprowadzanie ciepła z elementów półprzewodnikowych
LABORATORIUM ELEKTRONIKA I. Scalony, trzykońcówkowy stabilizator napięcia II. Odprowadzanie ciepła z elementów półprzewodnikowych Opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania, znajomość zagadnień (I): 1.
Bardziej szczegółowoANALIZA NUMERYCZNA POLA ELEKTROMAGNETYCZNEGO W PRZEPUSTACH PRĄDOWYCH HTS Z UWZGLĘDNIENIEM ZJAWISKA HISTEREZY
ANALIZA NUMERYCZNA POLA ELEKTROMAGNETYCZNEGO W PRZEPUSTACH PRĄDOWYCH HTS Z UWZGLĘDNIENIEM ZJAWISKA HISTEREZY Dariusz CZERWIŃSKI, Leszek JAROSZYŃSKI Politechnika Lubelska, Instytut Podstaw Elektrotechniki
Bardziej szczegółowoANALIZA WRAŻLIWOŚCI CIENKIEJ WARSTWY METALOWEJ PODDANEJ DZIAŁANIU LASERA
MODELOWANIE INŻYNIERSKIE ISSN 1896-771X 43, s. 155-160, Gliwice 01 ANALIZA WRAŻLIWOŚCI CIENKIEJ WARSTWY METALOWEJ PODDANEJ DZIAŁANIU LASERA EWA MAJCHRZAK, JOLANTA DZIATKIEWICZ, GRAŻYNA KAŁUŻA Katedra Wytrzymałości
Bardziej szczegółowoMateriałowe i technologiczne uwarunkowania stanu naprężeń własnych i anizotropii wtórnej powłok cylindrycznych wytłaczanych z polietylenu
POLITECHNIKA ŚLĄSKA ZESZYTY NAUKOWE NR 1676 SUB Gottingen 7 217 872 077 Andrzej PUSZ 2005 A 12174 Materiałowe i technologiczne uwarunkowania stanu naprężeń własnych i anizotropii wtórnej powłok cylindrycznych
Bardziej szczegółowoInstrukcja do laboratorium z fizyki budowli.
Instrukcja do laboratorium z fizyki budowli. Ćwiczenie: Pomiar współczynnika przewodzenia ciepła materiałów budowlanych Strona 1 z 5 Cel ćwiczenia Prezentacja metod stacjonarnych i dynamicznych pomiaru
Bardziej szczegółowoWykorzystanie programu COMSOL do analizy zmiennych pól p l temperatury. Tomasz Bujok promotor: dr hab. Jerzy Bodzenta, prof. Politechniki Śląskiej
Wykorzystanie programu COMSOL do analizy zmiennych pól p l temperatury metodą elementów w skończonych Tomasz Bujok promotor: dr hab. Jerzy Bodzenta, prof. Politechniki Śląskiej Plan prezentacji Założenia
Bardziej szczegółowoVgs. Vds Vds Vds. Vgs
Ćwiczenie 18 Temat: Wzmacniacz JFET i MOSFET w układzie ze wspólnym źródłem. Cel ćwiczenia: Wzmacniacz JFET w układzie ze wspólnym źródłem. Zapoznanie się z konfiguracją polaryzowania tranzystora JFET.
Bardziej szczegółowoOptymalizacja izolacji cieplnej podłogi na gruncie pod dużą halą przemysłową
Optymalizacja izolacji cieplnej podłogi na gruncie pod dużą halą przemysłową Agnieszka Rajek Promotor: dr inż. Andrzej Górka Zakres pracy : 1. Przegląd technologii wykonywania podłóg w halach przemysłowych
Bardziej szczegółowoModelowanie mikrosystemów - laboratorium. Ćwiczenie 1. Modelowanie ugięcia membrany krzemowej modelowanie pracy mikromechanicznego czujnika ciśnienia
Modelowanie mikrosystemów - laboratorium Ćwiczenie 1 Modelowanie ugięcia membrany krzemowej modelowanie pracy mikromechanicznego czujnika ciśnienia Zadania i cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest dobranie
Bardziej szczegółowoPomiar parametrów tranzystorów
Instytut Fizyki ul Wielkopolska 5 70-45 Szczecin Pracownia Elektroniki Pomiar parametrów tranzystorów (Oprac dr Radosław Gąsowski) Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: zasada działania tranzystora
Bardziej szczegółowoMETODA ELEMENTÓW SKOŃCZONYCH
METODA ELEMENTÓW SKOŃCZONYCH PROJEKT Prowadzący: Dr hab. Tomasz Stręk Wykonali: Hubert Bilski Piotr Hoffman Grupa: Rok akademicki: 2011/2012 Semestr: VII Spis treści: 1.Analiza ugięcia sanek...3 2.Analiza
Bardziej szczegółowoProgram BEST_RE. Pakiet zawiera następujące skoroszyty: BEST_RE.xls główny skoroszyt symulacji RES_VIEW.xls skoroszyt wizualizacji wyników obliczeń
Program BEST_RE jest wynikiem prac prowadzonych w ramach Etapu nr 15 strategicznego programu badawczego pt. Zintegrowany system zmniejszenia eksploatacyjnej energochłonności budynków. Zakres prac obejmował
Bardziej szczegółowoCel i zakres pracy dyplomowej inżynierskiej. Nazwisko Imię kontakt Modelowanie oderwania strug w wirniku wentylatora promieniowego
Cel i zakres pracy dyplomowej inżynierskiej przejściowej Modelowanie oderwania strug w wirniku wentylatora promieniowego Metody projektowania wentylatorów promieniowych Ireneusz Czajka iczajka@agh.edu.pl
Bardziej szczegółowoUniwersytet Pedagogiczny
Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 4 Temat: PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE TRANZYSTOR UNIPOLARNY Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data
Bardziej szczegółowoInstytut Fizyki Doświadczalnej Wydział Matematyki, Fizyki i Informatyki UNIWERSYTET GDAŃSKI
Instytut Fizyki Doświadczalnej Wydział Matematyki, Fizyki i Informatyki UNIWERSYTET GDAŃSKI I. Zagadnienia do opracowania. 1. Podstawy teorii pasmowej. 2. Klasyfikacja ciał stałych w oparciu o teorię pasmową.
Bardziej szczegółowoNasyp przyrost osiadania w czasie (konsolidacja)
Nasyp przyrost osiadania w czasie (konsolidacja) Poradnik Inżyniera Nr 37 Aktualizacja: 10/2017 Program: Plik powiązany: MES Konsolidacja Demo_manual_37.gmk Wprowadzenie Niniejszy przykład ilustruje zastosowanie
Bardziej szczegółowoUkłady i Systemy Elektromedyczne
UiSE - laboratorium Układy i Systemy Elektromedyczne Laboratorium 3 Elektroniczny stetoskop - mikrofon elektretowy. Opracował: dr inż. Jakub Żmigrodzki Zakład Inżynierii Biomedycznej, Instytut Metrologii
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 6
Przyrządy półprzewodnikowe część 6 Dr inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical
Bardziej szczegółowoPROJEKT METODA ELEMENTÓW SKOŃCZONYCH
Politechnika Poznańska Wydział Budowy Maszyn i Zarządzania Mechanika i Budowa Maszyn Informatyzacja i Robotyzacja Wytwarzania Semestr 7 PROJEKT METODA ELEMENTÓW SKOŃCZONYCH Prowadzący: dr hab. Tomasz Stręk
Bardziej szczegółowoWzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS
Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Cel ćwiczenia: Praktyczne wykorzystanie wiadomości do projektowania wzmacniacza z tranzystorami CMOS Badanie wpływu parametrów geometrycznych
Bardziej szczegółowoANALIZA BELKI DREWNIANEJ W POŻARZE
Proceedings of the 5 th International Conference on New Trends in Statics and Dynamics of Buildings October 19-20, 2006 Bratislava, Slovakia Faculty of Civil Engineering STU Bratislava Slovak Society of
Bardziej szczegółowoPolitechnika Poznańska. Metoda Elementów Skończonych
Politechnika Poznańska PROJEKT: Metoda Elementów Skończonych Prowadzący: Dr hab. Tomasz Stręk Autorzy: Rafał Wesoły Daniel Trojanowicz Wydział: WBMiZ Kierunek: MiBM Specjalność: IMe Spis treści: 1. Zagadnienie
Bardziej szczegółowoWPŁYW SZYBKOŚCI STYGNIĘCIA NA WŁASNOŚCI TERMOFIZYCZNE STALIWA W STANIE STAŁYM
2/1 Archives of Foundry, Year 200, Volume, 1 Archiwum Odlewnictwa, Rok 200, Rocznik, Nr 1 PAN Katowice PL ISSN 1642-308 WPŁYW SZYBKOŚCI STYGNIĘCIA NA WŁASNOŚCI TERMOFIZYCZNE STALIWA W STANIE STAŁYM D.
Bardziej szczegółowo