Azotkowe diody laserowe na podłożach GaN o zmiennym zorientowaniu

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Azotkowe diody laserowe na podłożach GaN o zmiennym zorientowaniu"

Transkrypt

1 Azotkowe diody laserowe na podłożach GaN o zmiennym zorientowaniu Marcin Sarzyński Badania finansuje narodowe centrum Badań i Rozwoju Program Lider Instytut Wysokich Cisnień PAN Siedziba 1. Diody laserowe i wzrost warstw metodą MOVPE 2. Własności optyczne struktur na podłożach o powierzchni płaskiej 3. Własności optyczne struktur na podłożach o powierzchni płaskiej specjalnie kształtowanej 4. Podsumowanie Budynek Nowych Technologii

2 Azotkowa dioda laserowa o emisji krawędziowej Falowód (GaN) Studnie kwantowe InGaN/GaN 2 3 Falowód (GaN) 4 9 Funkcje struktury laserowej: 1 górna warstwa okładkowa (AlGaN) Przepływ prądu 2 górny falowód (GaN) Lokalizacja nośników 3 obszar aktywny (InGaN) Emisja i wzmocnienie światła 4 dolny falowód (GaN) Lokalizacja modu optycznego Wyprowadzenie światła Odprowadzenie ciepła 5 dolna warstwa okładkowa (AlGaN) GaN AlxGa1-xN InyGa1-yN Si Mg 6 - kontakt elektryczny (typ p) 7 - podłoże GaN 8 - wiązka wyjściowa 9 - kontakt elektryczny (typ n)

3 Wytwarzanie diod laserowych Podłoże GaN Ammono lub HP-Unipress Montaż, testy Epitaksja Processing Chip laserowy 300x700 µm Pasek 3 µm Zwierciadła Łupanie

4 Orientacja powierzchni podłoża [0001] [11-20] Komórka elementarna GaN Płytka podłożowa może być różnie zorientowana [11-20] m [1-100] [11-22] [1-101]

5 Dezorientacja powierzchni podłoża odorientowanie vicinal angle, miscut, offcut Najczęściej stosowana orientacja podłoży GaN to (0001) Kąt δ wynosi od 0.3 do ok. 3 stopni

6 Morfologia powierzchni Dezorientację podłoża uzyskuje się przez polerowanie. Przy polerowaniu podłoża o średnicy 2 cale do dezorientacji δ=0.4o traci się po 350 µm materiału na stronę! Na powierzchni występują tarasy i stopnie atomowe. Szerokość tarasu: w=c/2*ctgδ Dla c=0.52 nm i δ=0.4o w=35 nm Obraz AFM, 1.5x1.5 µm2 δ=0.2o

7 Wzrost struktur metodą MOVPE Metalorganic Vapor Phase Epitaxy Wzrost w trybie płynięcia stopni atomowych W IWC PAN diody laserowe wykonuje się też metodą MBE (Molecular Beam Epitaxy)

8 Wzrost GaN na podłożach o różnej dezorientacji Obrazy AFM 2x1.5 µm2 Dezorientacja zbyt mała: 0.2o Spiralne stopnie atomowe wokół dyslokacji srubowych. Kierunek stopni i szerokość tarasów jest przypadkowa Dezorientacja optymalna: o. Kierunek stopni i gęstość tarasów są stałe Dezorientacja za duża: 3o. Kierunek stopni jest stały lecz szerokość tarasów jest przypadkowa

9 Prędkość wzrostu a prędkość płynięcia stopni atomowych V pionowa prędkość wzrostu S pozioma prędkość płynięcia stopni atomowych

10 Prędkość płynięcia stopni atomowych Ważny parametr: s - prędkość płynięcia stopni atomowych po powierzchni w czasie wzrostu v s= sin Dla v=0.7 A/s oraz δ=1o s=40 A/s. Innymi słowy na przyrost 1 monowarstwy stopień atomowy przesuwa się o 50 atomowych rzędów. Parametr sieci w kierunku wzrostu c=5.2 A, parametr sieci w płaszczyźnie wzrostu a=3.2 A Prędkość v można zmieniać poprzez zmianę wydajności źródła galu ΦGa. Z eksperymentu wiadomo że dla ustalonego ΦGa, prędkość wzrostu warstwy, v, nie zależy od δ. Wobec tego s musi zależeć od δ Mała dezorientacja - stopnie płyną szybko Duża dezorientacja, stopnie płyną wolno Jeśli zwiększymy ΦGa to stopnie popłyną szybciej w obu przypadkach.

11 v=0.7 A/s 0,5 1,0 1,5 2,0 Zawartość indu zależy od s, nieważne czy s zmienia się z powodu zmian v czy z powodu zmian δ Zawartośc indu, % Dezorientacja, stopnie Zawartośc indu, % Zawartośc indu, % Wpływ dezorientacji i prędkości wzrostu na zawartość indu w InGaN 11 δ =1 st ,4 0,6 0,8 1,0 Pionowa prędkośc wzrostu, A/s Zbyt mała dezorientacja Przepływ stopni zakłócony Prędkośc płynięcia stopni, A/s

12 Wpływ dezorientacji i prędkości wzrostu na zawartość indu Model 1: Ind nie wbudowuje się na stopniach a jedynie na tarasach. Dla większego δ mamy większą gęstość stopni, węższe tarasy i dlatego mniej indu. Zawartość indu nie powinna zależeć od v Model 2: Aby uniknąć termicznej desorpcji z powierzchni, atom indu musi być szybko obudowany innymi atomami przez płynące stopnie. Więcej indu powinno być dla większego s M. Kryśko i in., 2007 S. Keller i in., 2008 Ga In

13 Wpływ dezorientacji podłoża na koncentrację dziur Koncentracja dziur, cm -3 Przy stałej koncentracji magnezu, koncentracja dziur w warstwie GaN jest większa dla większej dezorientacji podłoża. 1x x ,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 Dezorientacja, stopnie Prawdopodobna przyczyna - przy większej dezorientacji podłoża, do warstwy wbudowuje się mniej defektów punktowych

14 Wpływ dezorientacji podłoża na parametry diod laserowych Gdy dezorientacja jest na mała lub niejednorodna: 1. Zawartość indu w obszarze aktywnym lasera jest zmienna i mamy zmienną długość fali emitowanego światła 2. Koncentracja dziur jest zmienna, więc opór elektryczny i prąd płynący przez przyrząd zmienia się od punktu do punktu. Intensywność świecenia jest niejednorodna.

15 Wpływ dezorientacji podłoża na parametry diod laserowych Dla właściwej i jednorodnej dezorientacji podłoża lasery mają dobre i powtarzalne parametry Podłoża są drogie Straty na polerowanie

16 Czy wymagana dezorientacja musi być na całej powierzchni podłoża? Nie, tylko pod paskiem laserowym

17 Prezentowana technika fotolitografii opiera się na znanej metodzie wytwarzania elementów optyki dyfrakcyjnej. Fotorezyst naświetlamy ze zmienną dawką promieniowania (multilevel pattern) w maszynie typu Laserwriter Grubośc fotorezystu, µm Podłoża GaN o zmiennej dezorientacji 1,6 1,4 1,2 1,0 0,8 0,6 0,4 0,2 0,0-0,2 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 Znormalizowana dawka promieniowania

18 Morfologia powierzchni Dolina Wierzch Skos 2µm kierunek c, µ m 1,0 0,8 0,6 0,4 0, kierunek a, µ m

19 Dezorientacja powierzchni podłoża odorientowanie vicinal angle, miscut, offcut Najczęściej stosowana orientacja podłoży GaN to (0001) Kąt δ wynosi od 0.3 do ok. 3 stopni

20 Kierunki skosów i zawartość indu w InGaN i MQW w zależności od kąta nachylenia Skosy zorientowanie do kierunku a Skosy zorientowanie do kierunku m Warstwa InGaN, 50 nm, RT 400 8,0 7, ,0 6, ,0 0,5 1,0 1,5 Dezorientacja, stopnie 2,0 6,0 długośc fali, nm Długośc fali, nm 8,5 Koncentracja indu, % 9, ,5 5QW, RT Do kierunku m Do kierunku a ,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 pomiary XRD J. Domagała, IF PAN, wiązka 40 µm dezorientacja, stopnie

21 Katodoluminescencja, MQW A. Reszka, B. Kowalski (IF PAN) Studnie kwantowe InGaN/GaN, kąt 3o λ=390 nm λ=420 nm Monochromatyczne Obrazy CL Zawartość indu jest czuła na dezorientację nawet w bardzo małych obszarach - 2 µm

22 Katodoluminescencja, MQW A. Reszka, B. Kowalski (IF PAN) 5QW na podłożu o zmiennej dezorientacji, kąt 6o Przy δ=6o ind prawie nie wbudowuje się do warstwy. Odległość, µm Na skosach długość fali katodoluminescencji studni jest mała (366) nm, na wierzchach i w dolinach duża (403 nm) Widma katodoluminescencji - skan liniowy Długość fali, nm

23 Diody laserowe na skosach orientowanych do kierunku a a) Lasery z pojedynczym paskiem, z kontrolowaną długością fali b) Mini-matryce laserowe z wieloma paskami Początkowa dezorientacja podłoża może być=0 oszczędzamy materiał

24 Laserowanie przy pobudzeniu optycznym, MQW Natężenie, j. umow. Laserowanie z pompowaniem optycznym A B Natężenie, jedn. um. Długośc fali, nm Długośc fali, nm Długość fali laserowania zależała od miejsca padania wiązki pompującej. Przy szerokiej wiązce pompującej otrzymano laserowanie na dwóch długościach fali jednocześnie

25 Diody laserowe na podłożu o zerowej dezorientacji oraz mini-matryce diod laserowych Moc optyczna, mw 20 Chip A Chip B Ith=4-6 ka/cm, Uth=5.5 V Natężenie, jedn. um Prąd elektryczny, ma Chipy A Chipy B Ith=7kA/cm2, Uth=10V Zgłoszenie patentowe Natężenie, jedn. um. Długośc fali, nm 600 Skos Wierzch Długośc fali, nm

26 Zastosowania wielokolorowych mini-matryc - Interferometria dwuwiązkowa - Wytwarzanie teraherców na zasadzie częstości różnicowej dwóch wiązek laserowych - Projektory 3D

27 Diody laserowe z nieabsorbującymi zwierciadłami, skosy orientowane do kierunku m Diody laserowe z jednym paskiem na chip. Skosy w podłożu znajdują się dokładnie pod obszarem łupania zwierciadeł. Dzięki temu w obrzasze tym wbydowuje się mniej indu. Promieniowanie wytworzone przez pasek laserowy nie podlega absorpcji przy zwierciadłach.

28 Skosy w podłożu Skosy Granice chipów Linia łupania zwierciadeł Obszar z małązawartością indu Obszar z dużą zawartością indu Linia łupania zwierciadeł

29 Katodoluminescencja struktury laserowej na podłożu ze skosami orientowanymi do kierunku m Obraz monochromatyczny 435 nm Skan liniowy CL 435 nm 390 nm A. Reszka B. Kowalski IF PAN

30 Parametry elektryczne i optyczne Uzyskano akcję laserową lecz parametry nie są jeszcze optymalne Ith=11 ka/cm2 (5 ka/cm2) Uth=12 V (4-6 V) Zgłoszenie patentowe

31 Podsumowanie - W azotkowych diodach laserowych obszar aktywny składa się z InGaN - Przerwa energetyczna i długość fali emisji i absorpcji światła zależą od zawartości indu - Zawartość indu zależy od dezorientacji podłoża - Lasery na podłożach o δ=0 - Nowe przyrządy: wielopaskowe mini-matryce i lasery z nieabsorbującymi zwierciadłami - Koncentracja dziur i defektów punktowych zależy od dezorientacji - Czas życia laserów zależy od dezorientacji Badania finansuje NCBiR - program Lider

32 Liczymy na dalszą współpracę! Koncentracja dziur, cm -3 Podsumowanie 18 1x x10 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 Dezorientacja, stopnie Czas Życia 24 h Czas życia ~1000h Chipy A Chipy B Moc optyczna, mw Natężenie, jedn. um Chip B Długośc fali, nm Chip A Prąd elektryczny, ma 200

33 Wpływ dezorientacji na morfologię warstw MOVPE kreski kwantowe? dez~0 dez=0.5 st. 1. Przy małej dezorientacji podłoża podczas wzrostu warstwy GaN powstają piramidalne defekty. W efekcie dezorientacja podłoża staje się przypadkowa

Kształtowanie przestrzenne struktur AlGaInN jako klucz do nowych generacji przyrządów optoelektronicznych

Kształtowanie przestrzenne struktur AlGaInN jako klucz do nowych generacji przyrządów optoelektronicznych Kształtowanie przestrzenne struktur AlGaInN jako klucz do nowych generacji przyrządów optoelektronicznych Projekt realizowany w ramach programu LIDER finansowanego przez Narodowe Centrum Badań i Rozwoju

Bardziej szczegółowo

Opracowanie nowych koncepcji emiterów azotkowych ( nm) w celu ich wykorzystania w sensorach chemicznych, biologicznych i medycznych.

Opracowanie nowych koncepcji emiterów azotkowych ( nm) w celu ich wykorzystania w sensorach chemicznych, biologicznych i medycznych. Opracowanie nowych koncepcji emiterów azotkowych (380 520 nm) w celu ich wykorzystania w sensorach chemicznych, biologicznych i medycznych. (zadanie 14) Piotr Perlin Instytut Wysokich Ciśnień PAN 1 Do

Bardziej szczegółowo

Rezonatory ze zwierciadłem Bragga

Rezonatory ze zwierciadłem Bragga Rezonatory ze zwierciadłem Bragga Siatki dyfrakcyjne stanowiące zwierciadła laserowe (zwierciadła Bragga) są powszechnie stosowane w laserach VCSEL, ale i w laserach z rezonatorem prostopadłym do płaszczyzny

Bardziej szczegółowo

Sprzęganie światłowodu z półprzewodnikowymi źródłami światła (stanowisko nr 5)

Sprzęganie światłowodu z półprzewodnikowymi źródłami światła (stanowisko nr 5) Wojciech Niwiński 30.03.2004 Bartosz Lassak Wojciech Zatorski gr.7lab Sprzęganie światłowodu z półprzewodnikowymi źródłami światła (stanowisko nr 5) Zadanie laboratoryjne miało na celu zaobserwowanie różnic

Bardziej szczegółowo

Co to jest kropka kwantowa? Kropki kwantowe - część I otrzymywanie. Co to jest ekscyton? Co to jest ekscyton? e πε. E = n. Sebastian Maćkowski

Co to jest kropka kwantowa? Kropki kwantowe - część I otrzymywanie. Co to jest ekscyton? Co to jest ekscyton? e πε. E = n. Sebastian Maćkowski Co to jest kropka kwantowa? Kropki kwantowe - część I otrzymywanie Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Co to jest ekscyton? Co to jest ekscyton? h 2 2 2 e πε m* 4 0ε s Φ

Bardziej szczegółowo

!!!DEL są źródłami światła niespójnego.

!!!DEL są źródłami światła niespójnego. Dioda elektroluminescencyjna DEL Element czynny DEL to złącze p-n. Gdy zostanie ono spolaryzowane w kierunku przewodzenia, to w obszarze typu p, w warstwie o grubości rzędu 1µm, wytwarza się stan inwersji

Bardziej szczegółowo

CHARAKTERYSTYKA WIĄZKI GENEROWANEJ PRZEZ LASER

CHARAKTERYSTYKA WIĄZKI GENEROWANEJ PRZEZ LASER CHARATERYSTYA WIĄZI GENEROWANEJ PRZEZ LASER ształt wiązki lasera i jej widmo są rezultatem interferencji promieniowania we wnęce rezonansowej. W wyniku tego procesu powstają charakterystyczne rozkłady

Bardziej szczegółowo

Wytwarzanie niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych

Wytwarzanie niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych Większość struktur niskowymiarowych wytwarzanych jest za pomocą technik epitaksjalnych. Najczęściej wykorzystywane metody wzrostu: - epitaksja z wiązki molekularnej (MBE Molecular Beam Epitaxy) - epitaksja

Bardziej szczegółowo

Poprawa charakterystyk promieniowania diod laserowych dużej mocy poprzez zastosowanie struktur periodycznych w płaszczyźnie złącza

Poprawa charakterystyk promieniowania diod laserowych dużej mocy poprzez zastosowanie struktur periodycznych w płaszczyźnie złącza Poprawa charakterystyk promieniowania diod laserowych dużej mocy poprzez zastosowanie struktur periodycznych w płaszczyźnie złącza Grzegorz Sobczak, Elżbieta Dąbrowska, Marian Teodorczyk, Joanna Kalbarczyk,

Bardziej szczegółowo

VI. Elementy techniki, lasery

VI. Elementy techniki, lasery Światłowody VI. Elementy techniki, lasery BERNARD ZIĘTEK http://www.fizyka.umk.pl www.fizyka.umk.pl/~ /~bezet a) Sprzęgacze czołowe 1. Sprzęgacze światłowodowe (czołowe, boczne, stałe, rozłączalne) Złącza,

Bardziej szczegółowo

Niezwykłe światło. ultrakrótkie impulsy laserowe. Piotr Fita

Niezwykłe światło. ultrakrótkie impulsy laserowe. Piotr Fita Niezwykłe światło ultrakrótkie impulsy laserowe Laboratorium Procesów Ultraszybkich Zakład Optyki Wydział Fizyki Uniwersytetu Warszawskiego Światło Fala elektromagnetyczna Dla światła widzialnego długość

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM FIZYKI PAŃSTWOWEJ WYŻSZEJ SZKOŁY ZAWODOWEJ W NYSIE

LABORATORIUM FIZYKI PAŃSTWOWEJ WYŻSZEJ SZKOŁY ZAWODOWEJ W NYSIE LABORATORIUM FIZYKI PAŃSTWOWEJ WYŻSZEJ SZKOŁY ZAWODOWEJ W NYSIE Ćwiczenie nr 6 Temat: Wyznaczenie stałej siatki dyfrakcyjnej i dyfrakcja światła na otworach kwadratowych i okrągłych. 1. Wprowadzenie Fale

Bardziej szczegółowo

Ogólne cechy ośrodków laserowych

Ogólne cechy ośrodków laserowych Ogólne cechy ośrodków laserowych Gazowe Cieczowe Na ciele stałym Naturalna jednorodność Duże długości rezonatora Małe wzmocnienia na jednostkę długości ośrodka czynnego Pompowanie prądem (wzdłużne i poprzeczne)

Bardziej szczegółowo

III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski

III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski 1 1 Wstęp Materiały półprzewodnikowe, otrzymywane obecnie w warunkach laboratoryjnych, charakteryzują się niezwykle wysoką czystością.

Bardziej szczegółowo

Z.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja. InTechFun

Z.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja. InTechFun Z.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa

Bardziej szczegółowo

PL B1. INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ, Warszawa, PL INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Warszawa, PL

PL B1. INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ, Warszawa, PL INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Warszawa, PL PL 221135 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 221135 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 399454 (22) Data zgłoszenia: 06.06.2012 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

Skalowanie układów scalonych

Skalowanie układów scalonych Skalowanie układów scalonych Technologia mikroelektroniczna Charakterystyczne parametry najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna

Bardziej szczegółowo

II. WYBRANE LASERY. BERNARD ZIĘTEK IF UMK www.fizyka.umk.pl/~ /~bezet

II. WYBRANE LASERY. BERNARD ZIĘTEK IF UMK www.fizyka.umk.pl/~ /~bezet II. WYBRANE LASERY BERNARD ZIĘTEK IF UMK www.fizyka.umk.pl/~ /~bezet Laser gazowy Laser He-Ne, Mechanizm wzbudzenia Bernard Ziętek IF UMK Toruń 2 Model Bernard Ziętek IF UMK Toruń 3 Rozwiązania stacjonarne

Bardziej szczegółowo

Studnia kwantowa. Optyka nanostruktur. Studnia kwantowa. Gęstość stanów. Sebastian Maćkowski

Studnia kwantowa. Optyka nanostruktur. Studnia kwantowa. Gęstość stanów. Sebastian Maćkowski Studnia kwantowa Optyka nanostruktur Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Studnia kwantowa

Bardziej szczegółowo

Lasery półprzewodnikowe. przewodnikowe. Bernard Ziętek

Lasery półprzewodnikowe. przewodnikowe. Bernard Ziętek Lasery półprzewodnikowe przewodnikowe Bernard Ziętek Plan 1. Rodzaje półprzewodników 2. Parametry półprzewodników 3. Złącze p-n 4. Rekombinacja dziura-elektron 5. Wzmocnienie 6. Rezonatory 7. Lasery niskowymiarowe

Bardziej szczegółowo

Pomiar prędkości obrotowej

Pomiar prędkości obrotowej 2.3.2. Pomiar prędkości obrotowej Metody: Kontaktowe mechaniczne (prądniczki tachometryczne różnych typów), Bezkontaktowe: optyczne (światło widzialne, podczerwień, laser), elektromagnetyczne (indukcyjne,

Bardziej szczegółowo

Fizyka elektryczność i magnetyzm

Fizyka elektryczność i magnetyzm Fizyka elektryczność i magnetyzm W5 5. Wybrane zagadnienia z optyki 5.1. Światło jako część widma fal elektromagnetycznych. Fale elektromagnetyczne, które współczesny człowiek potrafi wytwarzać, i wykorzystywać

Bardziej szczegółowo

6. Emisja światła, diody LED i lasery polprzewodnikowe

6. Emisja światła, diody LED i lasery polprzewodnikowe 6. Emisja światła, diody LED i lasery polprzewodnikowe Typy rekombinacji Rekombinacja promienista Diody LED Lasery półprzewodnikowe Struktury niskowymiarowe OLEDy 1 Promieniowanie termiczne Rozkład Plancka

Bardziej szczegółowo

ROZDZIAŁ 4. Polskie diody laserowe do wysokoczułych sensorów ditlenku azotu

ROZDZIAŁ 4. Polskie diody laserowe do wysokoczułych sensorów ditlenku azotu 39 ROZDZIAŁ 4 Polskie diody laserowe do wysokoczułych sensorów ditlenku azotu 4.1. Wstęp Związki (GaAlIn)N są drugą, co do ważności komercyjnej, grupą półprzewodników (za Si-Ge, ale znacznie przed (GaAlIn)(AsP)).

Bardziej szczegółowo

Przejścia promieniste

Przejścia promieniste Przejście promieniste proces rekombinacji elektronu i dziury (przejście ze stanu o większej energii do stanu o energii mniejszej), w wyniku którego następuje emisja promieniowania. E Długość wyemitowanej

Bardziej szczegółowo

Materiały w optoelektronice

Materiały w optoelektronice Materiały w optoelektronice Materiał Typ Podłoże Urządzenie Długość fali (mm) Si SiC Ge GaAs AlGaAs GaInP GaAlInP GaP GaAsP InP InGaAs InGaAsP InAlAs InAlGaAs GaSb/GaAlSb CdHgTe ZnSe ZnS IV IV IV III-V

Bardziej szczegółowo

Diody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi

Diody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi Diody elektroluminescencyjne na bazie z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi Krystyna Gołaszewska Renata Kruszka Marcin Myśliwiec Marek Ekielski Wojciech Jung Tadeusz Piotrowski Marcin Juchniewicz

Bardziej szczegółowo

XL OLIMPIADA FIZYCZNA ETAP I Zadanie doświadczalne

XL OLIMPIADA FIZYCZNA ETAP I Zadanie doświadczalne XL OLIMPIADA FIZYCZNA ETAP I Zadanie doświadczalne ZADANIE D2 Nazwa zadania: Światełko na tafli wody Mając do dyspozycji fotodiodę, źródło prądu stałego (4,5V bateryjkę), przewody, mikroamperomierz oraz

Bardziej szczegółowo

Przejścia optyczne w strukturach niskowymiarowych

Przejścia optyczne w strukturach niskowymiarowych Współczynnik absorpcji w układzie dwuwymiarowym można opisać wyrażeniem: E E gdzie i oraz f są energiami stanu początkowego i końcowego elektronu, zapełnienie tych stanów opisane jest funkcją rozkładu

Bardziej szczegółowo

UMO-2011/01/B/ST7/06234

UMO-2011/01/B/ST7/06234 Załącznik nr 9 do sprawozdania merytorycznego z realizacji projektu badawczego Szybka nieliniowość fotorefrakcyjna w światłowodach półprzewodnikowych do zastosowań w elementach optoelektroniki zintegrowanej

Bardziej szczegółowo

Wyznaczanie rozmiarów szczelin i przeszkód za pomocą światła laserowego

Wyznaczanie rozmiarów szczelin i przeszkód za pomocą światła laserowego Ćwiczenie O5 Wyznaczanie rozmiarów szczelin i przeszkód za pomocą światła laserowego O5.1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wykorzystanie zjawiska dyfrakcji i interferencji światła do wyznaczenia rozmiarów

Bardziej szczegółowo

Promieniowanie rentgenowskie. Podstawowe pojęcia krystalograficzne

Promieniowanie rentgenowskie. Podstawowe pojęcia krystalograficzne Promieniowanie rentgenowskie Podstawowe pojęcia krystalograficzne Krystalografia - podstawowe pojęcia Komórka elementarna (zasadnicza): najmniejszy, charakterystyczny fragment sieci przestrzennej (lub

Bardziej szczegółowo

OPTYKA KWANTOWA Wykład dla 5. roku Fizyki

OPTYKA KWANTOWA Wykład dla 5. roku Fizyki OPTYKA KWANTOWA Wykład dla 5. roku Fizyki c Adam Bechler 006 Instytut Fizyki Uniwersytetu Szczecińskiego Równania (3.7), pomimo swojej prostoty, nie posiadają poza nielicznymi przypadkami ścisłych rozwiązań,

Bardziej szczegółowo

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Część I: Optyka, wykład 7 wykład: Piotr Fita pokazy: Andrzej Wysmołek ćwiczenia: Anna Grochola, Barbara Piętka Wydział Fizyki Uniwersytet Warszawski 2014/15

Bardziej szczegółowo

Lasery. Własności światła laserowego Zasada działania Rodzaje laserów

Lasery. Własności światła laserowego Zasada działania Rodzaje laserów Lasery Własności światła laserowego Zasada działania Rodzaje laserów Lasery Laser - nazwa utworzona jako akronim od Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation - wzmocnienie światła poprzez

Bardziej szczegółowo

OPTYKA FALOWA I (FTP2009L) Ćwiczenie 2. Dyfrakcja światła na szczelinach.

OPTYKA FALOWA I (FTP2009L) Ćwiczenie 2. Dyfrakcja światła na szczelinach. OPTYKA FALOWA I (FTP2009L) Ćwiczenie 2. Dyfrakcja światła na szczelinach. Zagadnienia, które należy znać przed wykonaniem ćwiczenia: Dyfrakcja światła to zjawisko fizyczne zmiany kierunku rozchodzenia

Bardziej szczegółowo

Rekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja

Rekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja Rekapitulacja Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje: czwartek

Bardziej szczegółowo

Fizyka i technologia wzrostu kryształów

Fizyka i technologia wzrostu kryształów Fizyka i technologia wzrostu kryształów Wykład.2 Epitaksja warstw półprzewodnikowych Stanisław Krukowski i Michał Leszczyński Instytut Wysokich Ciśnień PAN 01-142 Warszawa, ul Sokołowska 29/37 tel: 88

Bardziej szczegółowo

Pomiar drogi koherencji wybranych źródeł światła

Pomiar drogi koherencji wybranych źródeł światła Politechnika Gdańska WYDZIAŁ ELEKTRONIKI TELEKOMUNIKACJI I INFORMATYKI Katedra Optoelektroniki i Systemów Elektronicznych Pomiar drogi koherencji wybranych źródeł światła Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego

Bardziej szczegółowo

Lasery półprzewodnikowe historia

Lasery półprzewodnikowe historia Lasery półprzewodnikowe historia GaAs typu p GaAs typu n zasilanie prądem 1962 homozłącze w pokojowej temperaturze progowy prąd - dziesiątki ka/cm 2 bez zastosowania AlGaAs p AlGaAs n Cienka warstwa GaAs

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie: "Zagadnienia optyki"

Ćwiczenie: Zagadnienia optyki Ćwiczenie: "Zagadnienia optyki" Opracowane w ramach projektu: "Wirtualne Laboratoria Fizyczne nowoczesną metodą nauczania realizowanego przez Warszawską Wyższą Szkołę Informatyki. Zakres ćwiczenia: 1.

Bardziej szczegółowo

Laser z podwojeniem częstotliwości

Laser z podwojeniem częstotliwości Ćwiczenie 87 Laser z podwojeniem częstotliwości Cel ćwiczenia Badanie właściwości zielonego lasera wykorzystującego metodę pompowania optycznego i podwojenie częstotliwości przy użyciu kryształu optycznie

Bardziej szczegółowo

PODSTAWY FIZYKI LASERÓW Wstęp

PODSTAWY FIZYKI LASERÓW Wstęp PODSTAWY FIZYKI LASERÓW Wstęp LASER Light Amplification by Stimulation Emission of Radiation Składa się z: 1. ośrodka czynnego. układu pompującego 3.Rezonator optyczny - wnęka rezonansowa Generatory: liniowe

Bardziej szczegółowo

Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK

Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK Budowa diody Dioda zbudowana jest z dwóch warstw półprzewodników: półprzewodnika typu n (nośnikami prądu elektrycznego są elektrony) i półprzewodnika

Bardziej szczegółowo

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Część I: Optyka, wykład 1 wykład: Piotr Fita pokazy: Andrzej Wysmołek ćwiczenia: Paweł Kowalczyk, Barbara Piętka Wydział Fizyki Uniwersytet Warszawski 2015/16

Bardziej szczegółowo

I. PROMIENIOWANIE CIEPLNE

I. PROMIENIOWANIE CIEPLNE I. PROMIENIOWANIE CIEPLNE - lata '90 XIX wieku WSTĘP Widmo promieniowania elektromagnetycznego zakres "pokrycia" różnymi rodzajami fal elektromagnetycznych promieniowania zawartego w danej wiązce. rys.i.1.

Bardziej szczegółowo

WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA

WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA WYDZIAŁ NOWYCH TECHNOLOGII I CHEMII FIZYKA Ćwiczenie laboratoryjne nr 44 WYZNACZANIE DŁUGOŚCI FAL ŚWIETLNYCH ŹRÓDEŁ BARWNYCH ( DIODY LED ) 1 Autor dr inż. Waldemar Larkowski

Bardziej szczegółowo

Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC

Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC J. Łażewski, M. Sternik, P.T. Jochym, P. Piekarz politypy węglika krzemu SiC >250 politypów, najbardziej stabilne: 3C, 2H, 4H i 6H

Bardziej szczegółowo

Wzrost kryształów objętościowych i warstw epitaksjalnych- informacje wstępne. Michał Leszczyński. Instytut Wysokich Ciśnień PAN UNIPRESS i TopGaN

Wzrost kryształów objętościowych i warstw epitaksjalnych- informacje wstępne. Michał Leszczyński. Instytut Wysokich Ciśnień PAN UNIPRESS i TopGaN Wzrost kryształów objętościowych i warstw epitaksjalnych- informacje wstępne Michał Leszczyński Instytut Wysokich Ciśnień PAN UNIPRESS i TopGaN Plan wykładu Laboratoria wzrostu kryształów w Warszawie Po

Bardziej szczegółowo

Właściwości światła laserowego

Właściwości światła laserowego Właściwości światła laserowego Cechy charakterystyczne światła laserowego: rozbieżność (równoległość) wiązki, pasmo spektralne, gęstość mocy spójność (koherencja). Równoległość wiązki Dyfrakcyjną rozbieżność

Bardziej szczegółowo

DOPPLEROWSKA ANEMOMETRIA LASEROWA (L D A)

DOPPLEROWSKA ANEMOMETRIA LASEROWA (L D A) DOPPLEROWSKA ANEMOMETRIA LASEROWA (L D A) Dopplerowska anemometria laserowa (LDA) jest techniką pomiarową umożliwiająca pomiar chwilowej prędkości przepływu poprzez pomiar przesunięcia częstotliwości światła

Bardziej szczegółowo

zadania zamknięte W zadaniach od 1. do 10. wybierz i zaznacz jedną poprawną odpowiedź.

zadania zamknięte W zadaniach od 1. do 10. wybierz i zaznacz jedną poprawną odpowiedź. zadania zamknięte W zadaniach od 1. do 10. wybierz i zaznacz jedną poprawną odpowiedź. Zadanie 1. (1 p.) Wybierz ten zestaw wielkości fizycznych, który zawiera wyłącznie wielkości skalarne. a. ciśnienie,

Bardziej szczegółowo

Mody poprzeczne w azotkowym laserze typu VCSEL

Mody poprzeczne w azotkowym laserze typu VCSEL Magdalena MARCINIAK, Patrycja ŚPIEWAK, Marta WIĘCKOWSKA, Robert Piotr SARZAŁA Instytut Fizyki, Politechnika Łódzka doi:10.15199/48.2015.09.33 Mody poprzeczne w azotkowym laserze typu VCSEL Streszczenie.

Bardziej szczegółowo

Teoria pasmowa. Anna Pietnoczka

Teoria pasmowa. Anna Pietnoczka Teoria pasmowa Anna Pietnoczka Opis struktury pasmowej we współrzędnych r, E Zmiana stanu elektronów przy zbliżeniu się atomów: (a) schemat energetyczny dla atomów sodu znajdujących się w odległościach

Bardziej szczegółowo

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Część I: Optyka, wykład 3 wykład: Piotr Fita pokazy: Andrzej Wysmołek ćwiczenia: Anna Grochola, Barbara Piętka Wydział Fizyki Uniwersytet Warszawski 2013/14

Bardziej szczegółowo

Własności optyczne półprzewodników

Własności optyczne półprzewodników Własności optyczne półprzewodników Andrzej Wysmołek Wykład przygotowany w oparciu o wykłady prowadzone na Wydziale Fizyki UW przez prof. Mariana Grynberga oraz prof. Romana Stępniewskiego Klasyfikacja

Bardziej szczegółowo

Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk

Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk Promotor: dr hab. inż. Bogusława Adamowicz, prof. Pol. Śl. Zadania pracy Pomiary transmisji i odbicia optycznego

Bardziej szczegółowo

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Część I: Optyka, wykład 8 wykład: Piotr Fita pokazy: Andrzej Wysmołek ćwiczenia: Paweł Kowalczyk, Barbara Piętka Wydział Fizyki Uniwersytet Warszawski 2015/16

Bardziej szczegółowo

LASERY I ICH ZASTOSOWANIE

LASERY I ICH ZASTOSOWANIE LASERY I ICH ZASTOSOWANIE Laboratorium Instrukcja do ćwiczenia nr 13 Temat: Biostymulacja laserowa Istotą biostymulacji laserowej jest napromieniowanie punktów akupunkturowych ciągłym, monochromatycznym

Bardziej szczegółowo

,2^ OPIS OCHRONNY PL 60979

,2^ OPIS OCHRONNY PL 60979 RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej,2^ OPIS OCHRONNY PL 60979 WZORU UŻYTKOWEGO [2lJ Numer zgłoszenia: 111288 @ Data zgłoszenia: 08.08.2000 Y1 0 Intel7: H01L 21/027 HO 1L 45/02

Bardziej szczegółowo

Badanie właściwości laserów i wyznaczanie temperatury Debye a nowe ćwiczenia w pracowniach studenckich WFiIS

Badanie właściwości laserów i wyznaczanie temperatury Debye a nowe ćwiczenia w pracowniach studenckich WFiIS Seminarium Wydziału FiIS, 12 maja 2017 Badanie właściwości laserów i wyznaczanie temperatury Debye a nowe ćwiczenia w pracowniach studenckich WFiIS Andrzej Zięba Wydział Fizyki i Informatyki Stosowanej,

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze optyczne

Wzmacniacze optyczne Wzmacniacze optyczne Wzmocnienie sygnału optycznego bez konwersji na sygnał elektryczny. Prezentacja zawiera kopie folii omawianych na wykładzie. Niniejsze opracowanie chronione jest prawem autorskim.

Bardziej szczegółowo

Laserowe przyrządy pomiarowe w wygodny sposób zrewolucjonizowały budowanie, prace renowacyjne i konserwacyjne

Laserowe przyrządy pomiarowe w wygodny sposób zrewolucjonizowały budowanie, prace renowacyjne i konserwacyjne Wszystko o laserze Laserowe przyrządy pomiarowe w wygodny sposób zrewolucjonizowały budowanie, prace renowacyjne i konserwacyjne Stało się tak z trzech powodów: 1. Laserowe przyrządy pomiarowe działają

Bardziej szczegółowo

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Część I: Optyka, wykład 1 wykład: Piotr Fita pokazy: Andrzej Wysmołek ćwiczenia: Anna Grochola, Barbara Piętka Wydział Fizyki Uniwersytet Warszawski 2014/15

Bardziej szczegółowo

LASERY NA CIELE STAŁYM BERNARD ZIĘTEK

LASERY NA CIELE STAŁYM BERNARD ZIĘTEK LASERY NA CIELE STAŁYM BERNARD ZIĘTEK TEK Lasery na ciele stałym lasery, których ośrodek czynny jest: -kryształem i ciałem amorficznym (również proszkiem), - dielektrykiem i półprzewodnikiem. 2 Podział

Bardziej szczegółowo

Wykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne

Wykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne Wykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne 1 Generacja optyczna swobodnych nośników Fotoprzewodnictwo σ=e(µ e n+µ h p) Fotodioda optyczna generacja par elektron-dziura pole elektryczne złącza rozdziela parę

Bardziej szczegółowo

INSTYTUT TRANSPORTU SAMOCHODOWEGO,

INSTYTUT TRANSPORTU SAMOCHODOWEGO, PL 218158 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 218158 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 389646 (51) Int.Cl. B60Q 1/00 (2006.01) B60Q 1/28 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej

Bardziej szczegółowo

Optyka geometryczna. Podręcznik zeszyt ćwiczeń dla uczniów

Optyka geometryczna. Podręcznik zeszyt ćwiczeń dla uczniów Podręcznik zeszyt ćwiczeń dla uczniów Optyka geometryczna Politechnika Gdańska, Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej ul. Narutowicza 11/12, 80-233 Gdańsk, tel. +48 58 348 63 70 http://e-doswiadczenia.mif.pg.gda.pl

Bardziej szczegółowo

WYZNACZANIE DŁUGOŚCI FALI ŚWIETLNEJ ZA POMOCĄ SIATKI DYFRAKCYJNEJ

WYZNACZANIE DŁUGOŚCI FALI ŚWIETLNEJ ZA POMOCĄ SIATKI DYFRAKCYJNEJ ĆWICZENIE 8 WYZNACZANIE DŁUGOŚCI FALI ŚWIETLNEJ ZA POMOCĄ SIATKI DYFRAKCYJNEJ. Wykaz przyrządów Transmisyjne siatki dyfrakcyjne (S) : typ A -0 linii na milimetr oraz typ B ; Laser lub inne źródło światła

Bardziej szczegółowo

L E D light emitting diode

L E D light emitting diode Elektrotechnika Studia niestacjonarne L E D light emitting diode Wg PN-90/E-01005. Technika świetlna. Terminologia. (845-04-40) Dioda elektroluminescencyjna; dioda świecąca; LED element półprzewodnikowy

Bardziej szczegółowo

Własności światła laserowego

Własności światła laserowego Własności światła laserowego Cechy światła laserowego: rozbieżność (równoległość) wiązki, pasmo spektralne, gęstość mocy oraz spójność (koherencja). Równoległość wiązki Dyfrakcyjną rozbieżność kątową awkącie

Bardziej szczegółowo

Marek Lipiński WPŁYW WŁAŚCIWOŚCI FIZYCZNYCH WARSTW I OBSZARÓW PRZYPOWIERZCHNIOWYCH NA PARAMETRY UŻYTKOWE KRZEMOWEGO OGNIWA SŁONECZNEGO

Marek Lipiński WPŁYW WŁAŚCIWOŚCI FIZYCZNYCH WARSTW I OBSZARÓW PRZYPOWIERZCHNIOWYCH NA PARAMETRY UŻYTKOWE KRZEMOWEGO OGNIWA SŁONECZNEGO Marek Lipiński WPŁYW WŁAŚCIWOŚCI FIZYCZNYCH WARSTW I OBSZARÓW PRZYPOWIERZCHNIOWYCH NA PARAMETRY UŻYTKOWE KRZEMOWEGO OGNIWA SŁONECZNEGO Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej im. Aleksandra Krupkowskiego

Bardziej szczegółowo

Metody spektroskopowe:

Metody spektroskopowe: Katedra Chemii Analitycznej Metody spektroskopowe: Absorpcyjna Spektrometria Atomowa Fotometria Płomieniowa Gdańsk, 2010 Opracowała: mgr inż. Monika Kosikowska 1 1. Wprowadzenie Spektroskopia to dziedzina

Bardziej szczegółowo

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Część I: Optyka, wykład 8 wykład: Piotr Fita pokazy: Andrzej Wysmołek ćwiczenia: Anna Grochola, Barbara Piętka Wydział Fizyki Uniwersytet Warszawski 2014/15

Bardziej szczegółowo

Wielomodowe, grubordzeniowe

Wielomodowe, grubordzeniowe Wielomodowe, grubordzeniowe i z plastykowym pokryciem włókna. Przewężki i mikroelementy Multimode, Large-Core, and Plastic Clad Fibers. Tapered Fibers and Specialty Fiber Microcomponents Wprowadzenie Włókna

Bardziej szczegółowo

Materiały fotoniczne

Materiały fotoniczne Materiały fotoniczne Półprzewodniki Ferroelektryki Mat. organiczne III-V, II-VI, III-N - źródła III-V (λ=0.65 i 1.55) II-IV, III-N niebieskie/zielone/uv - detektory - modulatory Supersieci, studnie Kwantowe,

Bardziej szczegółowo

DIODA LASEROWA RLD 635 (5) 635 nm, 5 mw,? 5.6mm

DIODA LASEROWA RLD 635 (5) 635 nm, 5 mw,? 5.6mm DIODA LASEROWA RLD 635 (5) 635 nm, 5 mw,? 5.6mm Dioda na podlozu InGaAlP z fotodioda monitorujaca, emitowana dlugosc fali 635 nm, obudowa TO-18,? 5.6mm Parametry optyczne i elektryczne (To=25 oc) Dlugosc

Bardziej szczegółowo

LASER VARILITE 532/940 NM SYSTEM LASEROWY DO USUWANIA ZMIAN NACZYNIOWYCH NA TWARZY I KOŃCZYNACH DOLNYCH, ZMIAN PIGMENTACYJNYCH I SKÓRNYCH

LASER VARILITE 532/940 NM SYSTEM LASEROWY DO USUWANIA ZMIAN NACZYNIOWYCH NA TWARZY I KOŃCZYNACH DOLNYCH, ZMIAN PIGMENTACYJNYCH I SKÓRNYCH LASER VARILITE 532/940 NM SYSTEM LASEROWY DO USUWANIA ZMIAN NACZYNIOWYCH NA TWARZY I KOŃCZYNACH DOLNYCH, ZMIAN PIGMENTACYJNYCH I SKÓRNYCH System VariLite firmy Iridex (USA) stanowi kompleksowe rozwiązanie

Bardziej szczegółowo

Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów

Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Stanisław Krukowski i Michał Leszczyński Instytut Wysokich Ciśnień PAN 01-142 Warszawa, ul Sokołowska 29/37 tel: 88 80 244 e-mail: stach@unipress.waw.pl,

Bardziej szczegółowo

Przewaga klasycznego spektrometru Ramana czyli siatkowego, dyspersyjnego nad przystawką ramanowską FT-Raman

Przewaga klasycznego spektrometru Ramana czyli siatkowego, dyspersyjnego nad przystawką ramanowską FT-Raman Porównanie Przewaga klasycznego spektrometru Ramana czyli siatkowego, dyspersyjnego nad przystawką ramanowską FT-Raman Spektroskopia FT-Raman Spektroskopia FT-Raman jest dostępna od 1987 roku. Systemy

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM OPTOELEKTRONIKI

LABORATORIUM OPTOELEKTRONIKI LABORATORIUM OPTOELEKTRONIKI ĆWICZENIE 1 ŹRÓDŁA ŚWIATŁA Gdańsk 2001 r. ĆWICZENIE 1: ŹRÓDŁA ŚWIATŁA 2 1. Wstęp Zasada działania półprzewodnikowych źródeł światła (LED-ów i diod laserowych LD) jest bardzo

Bardziej szczegółowo

BADANIE I ACHROMATYZACJA PRĄŻKÓW INTERFERENCYJNYCH TWORZONYCH ZA POMOCĄ ZWIERCIADŁA LLOYDA

BADANIE I ACHROMATYZACJA PRĄŻKÓW INTERFERENCYJNYCH TWORZONYCH ZA POMOCĄ ZWIERCIADŁA LLOYDA BADANIE I ACHROMATYZACJA PRĄŻKÓW INTERFERENCYJNYCH TWORZONYCH ZA POMOCĄ ZWIERCIADŁA LLOYDA Celem ćwiczenia jest: 1. demonstracja dużej liczby prążków w interferometrze Lloyda z oświetleniem monochromatycznym,

Bardziej szczegółowo

Laboratorium techniki laserowej Ćwiczenie 2. Badanie profilu wiązki laserowej

Laboratorium techniki laserowej Ćwiczenie 2. Badanie profilu wiązki laserowej Laboratorium techniki laserowej Ćwiczenie 2. Badanie profilu wiązki laserowej 1. Katedra Optoelektroniki i Systemów Elektronicznych, WETI, Politechnika Gdaoska Gdańsk 2006 1. Wstęp Pomiar profilu wiązki

Bardziej szczegółowo

I.4 Promieniowanie rentgenowskie. Efekt Comptona. Otrzymywanie promieniowania X Pochłanianie X przez materię Efekt Comptona

I.4 Promieniowanie rentgenowskie. Efekt Comptona. Otrzymywanie promieniowania X Pochłanianie X przez materię Efekt Comptona r. akad. 004/005 I.4 Promieniowanie rentgenowskie. Efekt Comptona Otrzymywanie promieniowania X Pochłanianie X przez materię Efekt Comptona Jan Królikowski Fizyka IVBC 1 r. akad. 004/005 0.01 nm=0.1 A

Bardziej szczegółowo

Technologia wzrostu epitaksjalnego struktur azotkowych oraz badanie własności optycznych i elektrycznych niebieskich diod LED i LD

Technologia wzrostu epitaksjalnego struktur azotkowych oraz badanie własności optycznych i elektrycznych niebieskich diod LED i LD SPRAWOZDANIE Z PRAKTYKI STUDENCKIEJ Warszawa, lipiec 2006 Technologia wzrostu epitaksjalnego struktur azotkowych oraz badanie własności optycznych i elektrycznych niebieskich diod LED i LD Justyna Szeszko

Bardziej szczegółowo

Uniwersytet Warszawski Wydział Fizyki. Światłowody

Uniwersytet Warszawski Wydział Fizyki. Światłowody Uniwersytet Warszawski Wydział Fizyki Marcin Polkowski 251328 Światłowody Pracownia Fizyczna dla Zaawansowanych ćwiczenie L6 w zakresie Optyki Streszczenie Celem wykonanego na Pracowni Fizycznej dla Zaawansowanych

Bardziej szczegółowo

Spektroskopia modulacyjna

Spektroskopia modulacyjna Spektroskopia modulacyjna pozwala na otrzymanie energii przejść optycznych w strukturze z bardzo dużą dokładnością. Charakteryzuje się również wysoką czułością, co pozwala na obserwację słabych przejść,

Bardziej szczegółowo

Polaryzacja anteny. Polaryzacja pionowa V - linie sił pola. pionowe czyli prostopadłe do powierzchni ziemi.

Polaryzacja anteny. Polaryzacja pionowa V - linie sił pola. pionowe czyli prostopadłe do powierzchni ziemi. Parametry anten Polaryzacja anteny W polu dalekim jest przyjęte, że fala ma charakter fali płaskiej. Podstawową właściwością tego rodzaju fali jest to, że wektory natężenia pola elektrycznego i magnetycznego

Bardziej szczegółowo

Wzbudzony stan energetyczny atomu

Wzbudzony stan energetyczny atomu LASERY Wzbudzony stan energetyczny atomu Z III postulatu Bohra kj E k E h j Emisja spontaniczna Atom absorbuje tylko określone kwanty energii przechodząc ze stanu podstawowego do wzbudzonego. Zaabsorbowana

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY SIECI ŚWIATŁOWODOWEJ

ELEMENTY SIECI ŚWIATŁOWODOWEJ ELEMENTY SIECI ŚWIATŁOWODOWEJ MODULATORY bezpośrednia (prąd lasera) niedroga może skutkować chirpem do 1 nm (zmiana długości fali spowodowana zmianami gęstości nośników w obszarze aktywnym) zewnętrzna

Bardziej szczegółowo

Załącznik nr 8. do sprawozdania merytorycznego z realizacji projektu badawczego

Załącznik nr 8. do sprawozdania merytorycznego z realizacji projektu badawczego Załącznik nr 8 do sprawozdania merytorycznego z realizacji projektu badawczego Szybka nieliniowość fotorefrakcyjna w światłowodach półprzewodnikowych do zastosowań w elementach optoelektroniki zintegrowanej

Bardziej szczegółowo

Zagrożenia powodowane przez promieniowanie laserowe

Zagrożenia powodowane przez promieniowanie laserowe Zagrożenia powodowane przez promieniowanie laserowe Zagrożenia powodowane przez promieniowanie laserowe Laser, Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation, wzmacniacz kwantowy dla światła,

Bardziej szczegółowo

Laser elektroniczny 5-promieniowy [ BAP_1075209.doc ]

Laser elektroniczny 5-promieniowy [ BAP_1075209.doc ] Laser elektroniczny 5-promieniowy [ ] Prezentacja Laser elektroniczny 5-promieniowy jest urządzeniem wyposażonym w 5 całkowicie niezależnych diod, z których każda emituje falę o długości 635 nm. Diody

Bardziej szczegółowo

Pomiar długości fali świetlnej i stałej siatki dyfrakcyjnej.

Pomiar długości fali świetlnej i stałej siatki dyfrakcyjnej. POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ CHEMICZNY KATEDRA FIZYKOCHEMII I TECHNOLOGII POLIMERÓW LABORATORIUM Z FIZYKI Pomiar długości fali świetlnej i stałej siatki dyfrakcyjnej. Wprowadzenie Przy opisie zjawisk takich

Bardziej szczegółowo

Stanowisko do badania zjawiska tłumienia światła w ośrodkach materialnych

Stanowisko do badania zjawiska tłumienia światła w ośrodkach materialnych Stanowisko do badania zjawiska tłumienia światła w ośrodkach materialnych Na rys. 3.1 przedstawiono widok wykorzystywanego w ćwiczeniu stanowiska pomiarowego do badania zjawiska tłumienia światła w ośrodkach

Bardziej szczegółowo

Rys. 1 Interferencja dwóch fal sferycznych w punkcie P.

Rys. 1 Interferencja dwóch fal sferycznych w punkcie P. Ćwiczenie 4 Doświadczenie interferencyjne Younga Wprowadzenie teoretyczne Charakterystyczną cechą fal jest ich zdolność do interferencji. Światło jako fala elektromagnetyczna również może interferować.

Bardziej szczegółowo

Ponadto, jeśli fala charakteryzuje się sferycznym czołem falowym, powyższy wzór można zapisać w następujący sposób:

Ponadto, jeśli fala charakteryzuje się sferycznym czołem falowym, powyższy wzór można zapisać w następujący sposób: Zastosowanie laserów w Obrazowaniu Medycznym Spis treści 1 Powtórka z fizyki Zjawisko Interferencji 1.1 Koherencja czasowa i przestrzenna 1.2 Droga i czas koherencji 2 Lasery 2.1 Emisja Spontaniczna 2.2

Bardziej szczegółowo

Optyka stanowi dział fizyki, który zajmuje się światłem (także promieniowaniem niewidzialnym dla ludzkiego oka).

Optyka stanowi dział fizyki, który zajmuje się światłem (także promieniowaniem niewidzialnym dla ludzkiego oka). Optyka geometryczna Optyka stanowi dział fizyki, który zajmuje się światłem (także promieniowaniem niewidzialnym dla ludzkiego oka). Założeniem optyki geometrycznej jest, że światło rozchodzi się jako

Bardziej szczegółowo