Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur"

Transkrypt

1 Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 1 Instytut Technologii Elektronowej

2 ZESPÓŁ REALIZUJĄCY PROJEKT Z11 ITE Doc. dr hab. Henryk M. Przewłocki Kier. Zespołu Dr inż. T. Gutt Z-ca Kier. Zesp. Pomiary elektryczne Dr P. Borowicz Badania ramanowskie Mgr inż. W. Rzodkiewicz Badania optyczne (doktorant) Mgr inż. K. Piskorski Badania fotoelektryczne (doktorant) Mgr inż. T. Małachowski Pomiary elektryczne 5 osób: Technicy i pracownicy pomocniczy 2

3 SPECJALIZACJA Opracowywanie nowych metod charakteryzacji nanostruktur Zaawansowane badania nanostruktur opracowywanych lub wytwarzanych w czołowych ośrodkach naukowych świata AMO GmbH, Aachen Germany ACREO AB. Sweden European Center of Excellence NANOSIL CEA LETI France Tokyo Institute of Technology Japan LOT Oriel GmbH Germany Chalmers University of Technology Sweden Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki PW Instytut Technologii i Materiałów Elektronicznych 3

4 INFRASTRUKTURA Recently refurbished, air-conditioned (temperature 22±2 o C, humidity <40%), electrostatically grounded and shielded laboratory rooms New, state of the art, measurement equipment (Agilent, Woollam, Keithley, Tektronix, Signal Recovery, MonoVista, in-house) Three groups of characterization methods primarily developed and applied in the department: - Electrical - Photoelectrical - Optical 4

5 METODY ELEKTRYCZNE C(V), I(V), G(V) characteristics of high resolution and sensitivity Determination of equivalent circuit of a sample from impedance spectra by IS method Determination of interface traps energy distributions by Gp/ω=f(ω) method (conductance method) Standard and non-standard measurements of MOS capacitor/transistor/schottky diode electrical parameters CASCADE probes Agilent 4294A impedance meter and B1500 semiconductor analyzer Trap density and capture cross-section energy distributions 5

6 METODY FOTOELEKTRYCZNE Photoelectric methods primarily employed to determine energy band parameters of investigated structures: band offsets contact potential difference flat-band voltage trap parameters 0 distributions of electrical parameters local values over the characteristic areas of nanostructures Photo yield vs. energy Wydajność Y^1/p Energia kw antów hv [ev] Unique photo-electric measurement equipment SLPT measurement setup 6

7 METODY OPTYCZNE Optical investigations rely on the methods of spectroscopic ellipsometry, interferometry, reflectometry and Raman spectroscopy. thickness and optical characteristics of various layered structures distribution of mechanical stress chemical content in various objects in degrees Generated and Experimental Model Fit Exp E 65 Exp E Wavelength (nm) 12 Generated and Experimental 10 Model Fit Exp E 65 Exp E 70 Mono Vista Raman spectrometer Voollam VASE spectroscopic ellipsometer and Ψ spectra Ψ in degrees Wavelength (nm) 7

8 ZADANIA B+R 1. Lista zadań współrealizowanych przez zespół Zadanie 0.1 Zarządzanie projektem Zadanie 1.3 Charakteryzacja materiałów Zadanie 2.7 Charakteryzacja struktur Zadanie 4.6 Wykonanie i weryfikacja parametrów funkcjonalnych fotodetektora ultrafioletu na bazie heterozłacza AlGaN/GaN Zadanie 6.1 Promocja i upowszechnienie wyników 8

9 ZADANIA B+R 2. Powiązanie z innymi zadaniami/pakietami zadaniowymi Nasze prace prowadzone są przede wszystkim w ramach pakietu zadaniowego PZ1: Nowe materiały, w ramach którego współpracujemy z zespołami realizującymi zadania Z1.1 i Z1.2 oraz w ramach pakietu PZ2: Nowe moduły technologiczne, w ramach którego współpracujemy z zespołami realizującymi zadania Z2.1, Z2.2, Z2.3, Z2.4, Z2.5 i Z2.6. Osobą odpowiedzialną za całość problematyki charakteryzacji materiałów i struktur jest Prof. J. Szuber z Politechniki Śląskiej. 9

10 3. Wyniki dotychczasowych prac ZADANIA B+R Dotychczas wykonano badania dwu partii (AN1 i AN2) płytek ze strukturami MOS wykonanymi na podłożach SiC-4H. Płytki w tych partiach różniły się między sobą sposobem utleniania, natomiast partia AN2 różniła się tym od partii AN1, że poddana została dodatkowo wygrzewaniu pometalizacyjnemu (PMA). Sprawozdania zawierające wyniki pomiarów przekazano wytwórcom struktur. Aktualnie trwają jeszcze badania struktur z partii AN3 zawierającej struktury MOS z różnymi warstwami dielektrycznymi 10

11 4. Współpraca z innymi zespołami ZADANIA B+R Współpracę tę opisano w pkt. 2: Powiązanie z innymi zadaniami/pakietami zadaniowymi 11

12 PROMOCJA PROJEKTU Promocji projektu dotychczas nie prowadzono 11

InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur. II Spotkanie Realizatorów Projektu Warszawa maja 2009 r.

InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur. II Spotkanie Realizatorów Projektu Warszawa maja 2009 r. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun Politechnika Śląska (PŚl-2) ZESPÓŁ REALIZUJĄCY PROJEKT NAZWA: Politechnika

Bardziej szczegółowo

Z.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja. InTechFun

Z.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja. InTechFun Z.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa

Bardziej szczegółowo

InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych

InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk Zbigniew R. Żytkiewicz IF

Bardziej szczegółowo

I Konferencja. InTechFun

I Konferencja. InTechFun I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08

Bardziej szczegółowo

Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych

Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych Monika KWOKA, Jacek SZUBER Instytut Elektroniki Politechnika Śląska Gliwice PLAN PREZENTACJI 1. Podsumowanie dotychczasowych prac:

Bardziej szczegółowo

Określanie schematów pasmowych struktur MOS na podłożu SiC(4H)

Określanie schematów pasmowych struktur MOS na podłożu SiC(4H) Krzysztof PISKORSKI 1, Henryk M. PRZEWŁOCKI 1, Mietek BAKOWSKI 2 Instytut Technologii Elektronowej, Zakład Charakteryzacji Struktur Nanoelektronicznych (1), ACREO Szwecja (2) Określanie schematów pasmowych

Bardziej szczegółowo

ZAKŁAD BADANIA STRUKTUR MOS

ZAKŁAD BADANIA STRUKTUR MOS ZAKŁAD BADANIA STRUKTUR MOS Kierownik: doc. dr hab. inż. Henryk M. PRZEWŁOCKI e-mail: hmp@ite.waw.pl, tel. (0-prefiks-22) 548 77 50 Zespół: doc. dr inż. Lech Borowicz, e-mail: lbor@ite.waw.pl, dr inż.

Bardziej szczegółowo

ZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH

ZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH ZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH Kierownik: dr hab. inż. Henryk M. PRZEWŁOCKI, prof. nadzw. w ITE e-mail: hmp@ite.waw.pl, tel. (0-22) 548 77 50, fax (0-22) 847 06 31 Zespół: dr Paweł

Bardziej szczegółowo

ZAKŁAD BADANIA STRUKTUR MOS

ZAKŁAD BADANIA STRUKTUR MOS ZAKŁAD BADANIA STRUKTUR MOS Kierownik: doc. dr hab. inż. Henryk M. PRZEWŁOCKI e-mail: hmp@ite.waw.pl, tel. (0-prefiks-22) 548 77 50, fax 0-22 847 06 31 Zespół: doc. dr inż. Lech Borowicz, e-mail: lbor@ite.waw.pl,

Bardziej szczegółowo

WARSZAWA LIX Zeszyt 257

WARSZAWA LIX Zeszyt 257 WARSZAWA LIX Zeszyt 257 SPIS TRE CI STRESZCZENIE... 9 WYKAZ SKRÓTÓW... 10 1. WPROWADZENIE... 13 2. MIKROSKOPIA SI ATOMOWYCH PODSTAWY... 17 2.1. Podstawy oddzia ywa ostrze próbka... 23 2.1.1. Modele fizyczne

Bardziej szczegółowo

I Konferencja. InTechFun

I Konferencja. InTechFun I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08

Bardziej szczegółowo

IDENTYFIKACJA I ANALIZA PARAMETRÓW GEOMETRYCZNYCH I MECHANICZNYCH KOŚCI MIEDNICZNEJ CZŁOWIEKA

IDENTYFIKACJA I ANALIZA PARAMETRÓW GEOMETRYCZNYCH I MECHANICZNYCH KOŚCI MIEDNICZNEJ CZŁOWIEKA POLITECHNIKA ŚLĄSKA ZESZYTY NAUKOWE Nr 1651 Antoni JOHN SUB Gottingen 7 217 780 458 2005 A 3012 IDENTYFIKACJA I ANALIZA PARAMETRÓW GEOMETRYCZNYCH I MECHANICZNYCH KOŚCI MIEDNICZNEJ CZŁOWIEKA Gliwice 2004

Bardziej szczegółowo

Marcin Miczek. Badania wpływu temperatury na właściwości elektronowe struktur metal/izolator/algan/gan

Marcin Miczek. Badania wpływu temperatury na właściwości elektronowe struktur metal/izolator/algan/gan Marcin Miczek Badania wpływu temperatury na właściwości elektronowe struktur metal/izolator/algan/gan grant MNiSW / NCN (39. konkurs) N N515 606339, PBU-91/RMF1/2010 21 IX 2010 20 III 2013 Zakład Fizyki

Bardziej szczegółowo

I Konferencja. InTechFun

I Konferencja. InTechFun I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA KOSZALIŃSKA. Zbigniew Suszyński. Termografia aktywna. modele, przetwarzanie sygnałów i obrazów

POLITECHNIKA KOSZALIŃSKA. Zbigniew Suszyński. Termografia aktywna. modele, przetwarzanie sygnałów i obrazów POLITECHNIKA KOSZALIŃSKA Zbigniew Suszyński Termografia aktywna modele, przetwarzanie sygnałów i obrazów KOSZALIN 2014 MONOGRAFIA NR 259 WYDZIAŁU ELEKTRONIKI I INFORMATYKI ISSN 0239-7129 ISBN 987-83-7365-325-2

Bardziej szczegółowo

Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii

Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii sprawozdanie za okres I 2010 XII 2011 Prof. dr hab. Jan Misiewicz www.cmzin.pwr.wroc.pl Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii (CMZiN) Jest

Bardziej szczegółowo

Wieloparametryczna klasyfikacja właściwości użytkowych biopaliw ciekłych optymalizacja głowicy sensora

Wieloparametryczna klasyfikacja właściwości użytkowych biopaliw ciekłych optymalizacja głowicy sensora Wieloparametryczna klasyfikacja właściwości użytkowych biopaliw ciekłych optymalizacja głowicy sensora 1. Michał Borecki, Jan Szmidt, Piotr Doroz, Paweł Pszczółkowski, 2. Mariusz Duk, Andrzej Kociubiński,

Bardziej szczegółowo

Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC

Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC Mariusz Sochacki 1, Norbert Kwietniewski 1, Andrzej Taube 1,2, Krystian Król 1, Jan Szmidt

Bardziej szczegółowo

I Konferencja. InTechFun

I Konferencja. InTechFun I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08

Bardziej szczegółowo

Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych.

Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun Numer Projektu WND-POIG.01.03.01-00-159/08-00 Instytut Technologii

Bardziej szczegółowo

Zawsze po słonecznej stronie 2016 PROFIL FIRMY

Zawsze po słonecznej stronie 2016 PROFIL FIRMY Zawsze po słonecznej stronie 2016 PROFIL FIRMY Spis treści O FIRMIE EGING PV -Wstęp -BNEF Top 10 PRODUKCJA - Sztabka krzemowa - Płytka krzemowa - Ogniwo fotowoltaiczne - Panel fotowoltaiczny Technologia

Bardziej szczegółowo

9. Struktury półprzewodnikowe

9. Struktury półprzewodnikowe 9. Struktury półprzewodnikowe Tranzystor pnp, npn Złącze metal-półprzewodnik, diody Schottky ego Heterozłącze Struktura MOS Tranzystory HFET, HEMT, JFET Technologia planarna, ograniczenia Tranzystor pnp

Bardziej szczegółowo

I Konferencja. InTechFun

I Konferencja. InTechFun I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08

Bardziej szczegółowo

Pomiar kontaktowej różnicy potencjałów na powierzchniach półprzewodników

Pomiar kontaktowej różnicy potencjałów na powierzchniach półprzewodników Pomiar kontaktowej różnicy potencjałów na powierzchniach półprzewodników Promotor: dr hab. inż. Bogusława Adamowicz Opiekun: dr inż. Marcin Miczek Dyplomant: Emilia Sołtys Plan prezentacji Motywacja Cel

Bardziej szczegółowo

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11)

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 165024 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 290701 (22) Data zgłoszenia: 17.06.1991 (51) IntCl5: H01L 21/66 H01L

Bardziej szczegółowo

ZAK AD BADANIA STRUKTUR MOS

ZAK AD BADANIA STRUKTUR MOS ZAK AD BADANIA STRUKTUR MOS Kierownik:doc. dr hab. in. Henryk M. PRZEW OCKI e-mail: hmp@ite.waw.pl, tel. (0-prefiks-22) 548 77 50, fax 847 06 31 Zespó³: doc. dr hab. in. Andrzej Kassur, e-mail: akassur@ite.waw.pl

Bardziej szczegółowo

ZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH

ZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH ZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH Kierownik: doc. dr hab. inż. Henryk M. PRZEWŁOCKI e-mail: hmp@ite.waw.pl, tel. (0-22) 548 77 50, fax (0-22) 847 06 31 Zespół: dr Paweł Borowicz, e-mail:

Bardziej szczegółowo

BADANIA ELEKTROMAGNESÓW NADPRZEWODNIKOWYCH W PROCESIE ICH WYTWARZANIA I EKSPLOATACJI

BADANIA ELEKTROMAGNESÓW NADPRZEWODNIKOWYCH W PROCESIE ICH WYTWARZANIA I EKSPLOATACJI INSTYTUT ELEKTROTECHNIKI Janusz KOZAK BADANIA ELEKTROMAGNESÓW NADPRZEWODNIKOWYCH W PROCESIE ICH WYTWARZANIA I EKSPLOATACJI Prace Instytutu Elektrotechniki zeszyt 265, 2014 SPIS TRE CI STRESZCZENIE... 9

Bardziej szczegółowo

ZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH

ZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH ZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH Kierownik: Zespół: dr hab. inż. Henryk M. PRZEWŁOCKI, prof. nadzw. w ITE e-mail: hmp@ite.waw.pl, tel. (0-22 )548 77 50, fax (0-22) 847 06 31 dr Paweł

Bardziej szczegółowo

INSPECTION METHODS FOR QUALITY CONTROL OF FIBRE METAL LAMINATES IN AEROSPACE COMPONENTS

INSPECTION METHODS FOR QUALITY CONTROL OF FIBRE METAL LAMINATES IN AEROSPACE COMPONENTS Kompozyty 11: 2 (2011) 130-135 Krzysztof Dragan 1 * Jarosław Bieniaś 2, Michał Sałaciński 1, Piotr Synaszko 1 1 Air Force Institute of Technology, Non Destructive Testing Lab., ul. ks. Bolesława 6, 01-494

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA ŚLĄSKA INSTYTUT AUTOMATYKI ZAKŁAD SYSTEMÓW POMIAROWYCH

POLITECHNIKA ŚLĄSKA INSTYTUT AUTOMATYKI ZAKŁAD SYSTEMÓW POMIAROWYCH POLITECHNIKA ŚLĄSKA INSTYTUT AUTOMATYKI ZAKŁAD SYSTEMÓW POMIAROWYCH Gliwice, wrzesień 2005 Pomiar napięcia przemiennego Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zbadanie dokładności woltomierza cyfrowego dla

Bardziej szczegółowo

Grafen materiał XXI wieku!?

Grafen materiał XXI wieku!? Grafen materiał XXI wieku!? Badania grafenu w aspekcie jego zastosowań w sensoryce i metrologii Tadeusz Pustelny Plan prezentacji: 1. Wybrane właściwości fizyczne grafenu 2. Grafen materiał 21-go wieku?

Bardziej szczegółowo

InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych

InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun Politechnika Śląska Politechnika Śląska w Projekcie InTechFun:

Bardziej szczegółowo

Medical electronics part 10 Physiological transducers

Medical electronics part 10 Physiological transducers Medical electronics part 10 Prezentacja multimedialna współfinansowana przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego w projekcie pt. Innowacyjna dydaktyka bez ograniczeń - zintegrowany

Bardziej szczegółowo

DETECTION OF MATERIAL INTEGRATED CONDUCTORS FOR CONNECTIVE RIVETING OF FUNCTION-INTEGRATIVE TEXTILE-REINFORCED THERMOPLASTIC COMPOSITES

DETECTION OF MATERIAL INTEGRATED CONDUCTORS FOR CONNECTIVE RIVETING OF FUNCTION-INTEGRATIVE TEXTILE-REINFORCED THERMOPLASTIC COMPOSITES Kompozyty 11: 2 (2011) 152-156 Werner A. Hufenbach, Frank Adam, Maik Gude, Ivonne Körner, Thomas Heber*, Anja Winkler Technische Universität Dresden, Institute of Lightweight Engineering and Polymer Technology

Bardziej szczegółowo

Fotodetektor ultrafioletu na bazie struktur metal/izolator/gan i AlGaN/GaN

Fotodetektor ultrafioletu na bazie struktur metal/izolator/gan i AlGaN/GaN Fotodetektor ultrafioletu na bazie struktur metal/izolator/gan i AlGaN/GaN Z3.7 Z2.6 (model charakteryzacja), Z7 (aparatura), Z4 (demonstrator) model, projekt, charakteryzacja grupa PSl-3 B. Adamowicz

Bardziej szczegółowo

Gdańsk, 16 grudnia 2010

Gdańsk, 16 grudnia 2010 POLITECHNIKA GDAŃSKA Centrum Zawansowanych Technologii Pomorze ul. Al. Zwycięstwa 27 80-233 Gdańsk prof. dr hab. inż. Andrzej Zieliński tel. 58 348 63 57 fax. 58 347 14 15 Przewodniczący Rady Koordynator

Bardziej szczegółowo

ZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH

ZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH ZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH Kierownik: Zespół: dr hab. inż. Henryk M. PRZEWŁOCKI, prof. nadzw. w ITE e-mail: hmp@ite.waw.pl, tel. (22) 548 77 50, fax (22) 847 06 31 dr Paweł Borowicz,

Bardziej szczegółowo

XIII Seminarium Naukowe "Inżynierskie zastosowania technologii informatycznych"

XIII Seminarium Naukowe Inżynierskie zastosowania technologii informatycznych XIII Seminarium Naukowe "Inżynierskie zastosowania technologii informatycznych" W dniu 25.05.2017 odbyło się XIII Seminarium Naukowe Inżynierskie zastosowania technologii informatycznych. Organizatorzy

Bardziej szczegółowo

Samoorganizujące się nanokompozyty na bazie metali przejściowych w GaN i ZnO

Samoorganizujące się nanokompozyty na bazie metali przejściowych w GaN i ZnO Samoorganizujące się nanokompozyty na bazie metali przejściowych w GaN i ZnO M. Sawicki, S. Dobkowska, W. Stefanowicz, D. Sztenkiel, T. Dietl Instytut Fizyki PAN, Warszawa Pakiet zadaniowy: PZ2. Lider:

Bardziej szczegółowo

PLAN STUDIÓW. efekty kształcenia

PLAN STUDIÓW. efekty kształcenia WYDZIAŁ: KIERUNEK: poziom kształcenia: profil: forma studiów: Lp. O/F Semestr 1 kod modułu/ przedmiotu* 3 O PG_00031665 Konwersja energii słonecznej 4 O PG_00020872 Terminologia angielska w nanotechnologii

Bardziej szczegółowo

THEORETICAL STUDIES ON CHEMICAL SHIFTS OF 3,6 DIIODO 9 ETHYL 9H CARBAZOLE

THEORETICAL STUDIES ON CHEMICAL SHIFTS OF 3,6 DIIODO 9 ETHYL 9H CARBAZOLE THEORETICAL STUDIES ON CHEMICAL SHIFTS OF 3,6 DIIODO 9 ETHYL 9H CARBAZOLE Teobald Kupkaa, Klaudia Radula-Janika, Krzysztof Ejsmonta, Zdzisław Daszkiewicza, Stephan P. A. Sauerb a Faculty of Chemistry,

Bardziej szczegółowo

Centrum Zaawansowanych Materiałów i Technologii CEZAMAT

Centrum Zaawansowanych Materiałów i Technologii CEZAMAT Centrum Zaawansowanych Materiałów i Technologii CEZAMAT Beneficjentem jest Politechnika Warszawska w imieniu Konsorcjum, którego członkami są: PW, UW, WAT, IChF PAN, IF PAN, IPPT PAN, IWC PAN, ITME Biuro

Bardziej szczegółowo

Politechnika Lubelska Jerzy Warmiński Katedra Mechaniki Stosowanej

Politechnika Lubelska Jerzy Warmiński Katedra Mechaniki Stosowanej Aeronet Dolina Lotnicza Rzeszów 19-20 lipca 2007 Informacja o realizowanych i planowanych projektach badawczych oraz przewidywane kierunki badań Politechnika Lubelska Jerzy Warmiński Katedra Mechaniki

Bardziej szczegółowo

OPISY KURSÓW. Kod kursu: ETD 9265 Nazwa kursu: Metody diagnostyczne Język wykładowy: polski

OPISY KURSÓW. Kod kursu: ETD 9265 Nazwa kursu: Metody diagnostyczne Język wykładowy: polski OPISY KURSÓW Kod kursu: ETD 965 Nazwa kursu: Metody diagnostyczne Język wykładowy: polski Forma kursu Wykład Ćwiczenia Laboratorium Projekt Seminarium Tygodniowa 4 - - - liczba godzin ZZU * Semestralna

Bardziej szczegółowo

promotor dr hab. inż. Janusz Marzec, prof. Politechniki Warszawskiej

promotor dr hab. inż. Janusz Marzec, prof. Politechniki Warszawskiej Politechnika Warszawska Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych Warszawa, 25 października 2016 r. D z i e k a n a t Uprzejmie informuję, że na Wydziale Elektroniki i Technik Informacyjnych Politechniki

Bardziej szczegółowo

ZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH

ZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH ZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH Kierownik: Zespół: dr hab. inż. Henryk M. PRZEWŁOCKI, prof. nadzw. w ITE e-mail: hmp@ite.waw.pl, tel. (22) 548 77 50, fax (22) 847 06 31 dr Paweł Borowicz,

Bardziej szczegółowo

PN-ISO 10843:2002/AC1

PN-ISO 10843:2002/AC1 POPRAWKA do POLSKIEJ NORMY ICS 17.140.20 PN-ISO 10843:2002/AC1 Wprowadza ISO 10843:1997/AC1:2009, IDT Akustyka Metody opisu i pomiaru pojedynczych impulsów lub serii impulsów Poprawka do Normy Międzynarodowej

Bardziej szczegółowo

Spektroskopia Ramanowska

Spektroskopia Ramanowska Spektroskopia Ramanowska Część A 1.Krótki wstęp historyczny 2.Oddziaływanie światła z osrodkiem materialnym (rozpraszanie światła) 3.Opis klasyczny zjawiska Ramana 4. Widmo ramanowskie. 5. Opis półklasyczny

Bardziej szczegółowo

I Konferencja. InTechFun

I Konferencja. InTechFun I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08

Bardziej szczegółowo

Informatyka II stopień (I stopień / II stopień) ogólnoakademicki (ogólno akademicki / praktyczny) stacjonarne (stacjonarne / niestacjonarne)

Informatyka II stopień (I stopień / II stopień) ogólnoakademicki (ogólno akademicki / praktyczny) stacjonarne (stacjonarne / niestacjonarne) Załącznik nr 7 do Zarządzenia Rektora nr 10/12 z dnia 21 lutego 2012r. KARTA MODUŁU / KARTA PRZEDMIOTU Kod modułu E-ID2G-06-s3 Nazwa modułu Fundamentals of Electronics Nazwa modułu w języku angielskim

Bardziej szczegółowo

Fotoprzekaźniki W9 Laser, Fotoprzekaźnik refleksyjny, Standard optics

Fotoprzekaźniki W9 Laser, Fotoprzekaźnik refleksyjny, Standard optics KATALOG ONLINE www.mysick.com Fotoprzekaźniki W9 Laser, Fotoprzekaźnik refleksyjny, Standard optics WL9L-P430 Fotoprzekaźniki W9 Laser, Fotoprzekaźnik refleksyjny, Standard optics Nazwa modelu > WL9L-P430

Bardziej szczegółowo

AUTOREFERAT 1. Działalność naukowa i w zakresie rozwoju kadry, w tym tworzenia szkoły naukowej.

AUTOREFERAT 1. Działalność naukowa i w zakresie rozwoju kadry, w tym tworzenia szkoły naukowej. Prof.dr hab.inż Jan Szmidt Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Warszawa, 10.02.2012r. AUTOREFERAT 1. Działalność naukowa i w zakresie rozwoju kadry,

Bardziej szczegółowo

dr inż. Piotr Wroczyński kierownik dr inż. Marcin Gnyba zca. kierownika Katedra Optoelektroniki i Systemów Elektronicznych PG

dr inż. Piotr Wroczyński kierownik dr inż. Marcin Gnyba zca. kierownika Katedra Optoelektroniki i Systemów Elektronicznych PG dr inż. Piotr Wroczyński kierownik dr inż. Marcin Gnyba zca. kierownika Katedra Optoelektroniki i Systemów Elektronicznych PG POLITECHNIKA GDAŃSKA Centrum Zawansowanych Technologii Pomorze ul. Al. Zwycięstwa

Bardziej szczegółowo

ESCA+AES Electron Spectroscopy for Chemical Analysis + Auger Electron Spectroscopy

ESCA+AES Electron Spectroscopy for Chemical Analysis + Auger Electron Spectroscopy ESCA+AES Electron Spectroscopy for Chemical Analysis + Auger Electron Spectroscopy Badanie składu chemicznego powierzchni z wykorzystaniem elektronów ESCA zasada metody Electron Spectroscopy for Chemical

Bardziej szczegółowo

Dr hab. inż. Dariusz BOROŃSKI, prof. nadzw. UTP 1. Miejsce pracy: 2. Dyscyplina: 3. Specjalność: 4. Zainteresowania naukowe:

Dr hab. inż. Dariusz BOROŃSKI, prof. nadzw. UTP 1. Miejsce pracy: 2. Dyscyplina: 3. Specjalność: 4. Zainteresowania naukowe: Imię i nazwisko: Dr hab. inż. Dariusz BOROŃSKI, prof. nadzw. UTP 1. Miejsce pracy: Zakład Podstaw Konstrukcji Maszyn, Instytut Mechaniki i Konstrukcji Maszyn, Wydział Inżynierii Mechanicznej 2. Dyscyplina:

Bardziej szczegółowo

Zastosowanie spektroskopii EPR do badania wolnych rodników generowanych termicznie w drotawerynie

Zastosowanie spektroskopii EPR do badania wolnych rodników generowanych termicznie w drotawerynie Zastosowanie spektroskopii EPR do badania wolnych rodników generowanych termicznie w drotawerynie Paweł Ramos, Barbara Pilawa, Maciej Adamski STRESZCZENIE Katedra i Zakład Biofizyki Wydziału Farmaceutycznego

Bardziej szczegółowo

studia na WETI PG na kierunku elektronika i telekomunikacja

studia na WETI PG na kierunku elektronika i telekomunikacja Dlaczego warto podjąć studia na WETI PG na kierunku elektronika i telekomunikacja Wydział Elektroniki, Telekomunikacji i Informatyki Politechniki Gdańskiej 1 Kierunek EiT a Hi-Tech i ICT Technologie układów

Bardziej szczegółowo

CENTRUM CZYSTYCH TECHNOLOGII WĘGLOWYCH CLEAN COAL TECHNOLOGY CENTRE. ... nowe możliwości. ... new opportunities

CENTRUM CZYSTYCH TECHNOLOGII WĘGLOWYCH CLEAN COAL TECHNOLOGY CENTRE. ... nowe możliwości. ... new opportunities CENTRUM CZYSTYCH TECHNOLOGII WĘGLOWYCH CLEAN COAL TECHNOLOGY CENTRE... nowe możliwości... new opportunities GŁÓWNY INSTYTUT GÓRNICTWA fluidalnym przy ciśnieniu maksymalnym 5 MPa, z zastosowaniem różnych

Bardziej szczegółowo

Medical electronics part 9a Electroencephalography (EEG)

Medical electronics part 9a Electroencephalography (EEG) Medical electronics part 9a (EEG) Prezentacja multimedialna współfinansowana przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego w projekcie pt. Innowacyjna dydaktyka bez ograniczeń - zintegrowany

Bardziej szczegółowo

Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii

Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii sprawozdanie za okres X 2008 XII 2009 Prof. dr hab. Jan Misiewicz www.cmzin.pwr.wroc.pl Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii (CMZiN) Jest

Bardziej szczegółowo

Conception of reuse of the waste from onshore and offshore in the aspect of

Conception of reuse of the waste from onshore and offshore in the aspect of Conception of reuse of the waste from onshore and offshore in the aspect of environmental protection" Koncepcja zagospodarowania odpadów wiertniczych powstających podczas wierceń lądowych i morskich w

Bardziej szczegółowo

4. EKSPLOATACJA UKŁADU NAPĘD ZWROTNICOWY ROZJAZD. DEFINICJA SIŁ W UKŁADZIE Siła nastawcza Siła trzymania

4. EKSPLOATACJA UKŁADU NAPĘD ZWROTNICOWY ROZJAZD. DEFINICJA SIŁ W UKŁADZIE Siła nastawcza Siła trzymania 3 SPIS TREŚCI Przedmowa... 11 1. WPROWADZENIE... 13 1.1. Budowa rozjazdów kolejowych... 14 1.2. Napędy zwrotnicowe... 15 1.2.1. Napęd zwrotnicowy EEA-4... 18 1.2.2. Napęd zwrotnicowy EEA-5... 20 1.3. Współpraca

Bardziej szczegółowo

Włókno G.657A2! mniejszy promieo gięcia od kabli z włóknami G.657A1

Włókno G.657A2! mniejszy promieo gięcia od kabli z włóknami G.657A1 04 Kable FTTH serii OPTI-BEND Włókno G.657A2! mniejszy promieo gięcia od kabli z włóknami G.657A1 Seria kabli OPTI-BEND to światłowodowe kable FTTH przeznaczony dla sieci FTTH (Fiber To The Home). Zawierają

Bardziej szczegółowo

CHARAKTERYSTYKA AFM CIENKICH WARSTW SnO 2 UZYSKANYCH PODCZAS SPUTTERINGU MAGNETRONOWEGO PRZY WYBRANYCH WARUNKACH PROCESU

CHARAKTERYSTYKA AFM CIENKICH WARSTW SnO 2 UZYSKANYCH PODCZAS SPUTTERINGU MAGNETRONOWEGO PRZY WYBRANYCH WARUNKACH PROCESU CZASOPISMO INŻYNIERII LĄDOWEJ, ŚRODOWISKA I ARCHITEKTURY JOURNAL OF CIVIL ENGINEERING, ENVIRONMENT AND ARCHITECTURE JCEEA, t. XXXII, z. 62 (2/15), kwiecień-czerwiec 2015, s. 99-106 Tomasz GRUDNIEWSKI 1

Bardziej szczegółowo

BADANIE I ANALIZA WYPADKOWEGO ROZKŁADU WIDMOWEGO PROMIENIOWANIA LAMP HALOGENOWYCH I KSENONOWYCH 1. WPROWADZENIE

BADANIE I ANALIZA WYPADKOWEGO ROZKŁADU WIDMOWEGO PROMIENIOWANIA LAMP HALOGENOWYCH I KSENONOWYCH 1. WPROWADZENIE POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADEMIC JOURNALS No 73 Electrical Engineering 2013 Joanna RATAJCZAK* Grzegorz WICZYŃSKI* Konrad DOMKE* BADANIE I ANALIZA WYPADKOWEGO ROZKŁADU WIDMOWEGO PROMIENIOWANIA

Bardziej szczegółowo

OTRZYMYWANIE KOMPOZYTÓW METALOWO-CERAMICZNYCH METODAMI PLAZMOWYMI

OTRZYMYWANIE KOMPOZYTÓW METALOWO-CERAMICZNYCH METODAMI PLAZMOWYMI KOMPOZYTY (COMPOSITES) 1(21)1 Władysław Włosiński 1, Tomasz Chmielewski 2 Politechnika Warszawska, Instytut Technologii Materiałowych, ul. Narbutta 85, 2-542 Warszawa OTRZYMYWANIE KOMPOZYTÓW METALOWO-CERAMICZNYCH

Bardziej szczegółowo

Grafen materiał XXI wieku!?

Grafen materiał XXI wieku!? Grafen materiał XXI wieku!? Badania grafenu w aspekcie jego zastosowań w fotowoltaice, sensoryce i metrologii Tadeusz Pustelny Plan prezentacji: 1. Wybrane właściwości fizyczne grafenu 2. Grafen materiał

Bardziej szczegółowo

WPŁYW MOCOWANIA ELEMENTU PÓŁPRZEWODNIKOWEGO NA JEGO PRZEJŚCIOWĄ IMPEDANCJĘ TERMICZNĄ

WPŁYW MOCOWANIA ELEMENTU PÓŁPRZEWODNIKOWEGO NA JEGO PRZEJŚCIOWĄ IMPEDANCJĘ TERMICZNĄ ELEKTRYKA 2014 Zeszyt 1 (229) Rok LX Krzysztof GÓRECKI, Janusz ZARĘBSKI Akademia Morska w Gdyni WPŁYW MOCOWANIA ELEMENTU PÓŁPRZEWODNIKOWEGO NA JEGO PRZEJŚCIOWĄ IMPEDANCJĘ TERMICZNĄ Streszczenie. W pracy

Bardziej szczegółowo

ZAK AD BADANIA STRUKTUR MOS

ZAK AD BADANIA STRUKTUR MOS ZAK AD BADANIA STRUKTUR MOS Kierownik: doc. dr hab. in. Henryk M. PRZEW OCKI e-mail: hmp@ite.waw.pl, tel. (0-prefiks-22) 548 77 50, fax 847 06 31 Zespó³: dr in. Andrzej Kud³a, doc. dr in. Lech Borowicz,

Bardziej szczegółowo

ZAK AD BADANIA STRUKTUR MOS

ZAK AD BADANIA STRUKTUR MOS ZAK AD BADANIA STRUKTUR MOS Kierownik:doc. dr hab. in. Henryk M. PRZEW OCKI e-mail: hmp@ite.waw.pl, tel. (0-prefiks-22) 548 77 50, fax 847 06 31 Zespó³: doc. dr hab. in. Andrzej Kassur, e-mail: akassur@ite.waw.pl,

Bardziej szczegółowo

9. Struktury półprzewodnikowe

9. Struktury półprzewodnikowe 9. Struktury półprzewodnikowe Tranzystor pnp, npn Złącze metal-półprzewodnik, diody Schottky ego Heterozłącze Struktura MOS Tranzystory HFET, HEMT, JFET Technologia planarna, ograniczenia Tranzystor pnp

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM POMIARÓW ELEMENTÓW I UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH

LABORATORIUM POMIARÓW ELEMENTÓW I UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADE MIC JOURNALS No 76 Electrical Engineering 2013 Damian BISEWSKI* Janusz ZARĘBSKI* LABORATORIUM POMIARÓW ELEMENTÓW I UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH W pracy zaprezentowano

Bardziej szczegółowo

Inverse problems - Introduction - Probabilistic approach

Inverse problems - Introduction - Probabilistic approach Inverse problems - Introduction - Probabilistic approach Wojciech Dȩbski Instytut Geofizyki PAN debski@igf.edu.pl Wydział Fizyki UW, 13.10.2004 Wydział Fizyki UW Warszawa, 13.10.2004 (1) Plan of the talk

Bardziej szczegółowo

DEKLARACJA ZGODNOŚCI WE Declaration of conformity EC Nr/No. 88/2013 Producent/ Manufacturer : LENA LIGHTING S.A.

DEKLARACJA ZGODNOŚCI WE Declaration of conformity EC Nr/No. 88/2013 Producent/ Manufacturer : LENA LIGHTING S.A. Nr/No. 88/2013 Saturn 2x26W 230V~, 50Hz, IP54, G24q3, I klasa ochronności/ I class of protection EN 60598-1:2008/A11:2009 + Ap1:2000 Dopuszczalne poziomy i metody pomiarów zaburzeń radioelektrycznych wytwarzanych

Bardziej szczegółowo

PROMIENIOWANIE WIDZIALNE ŁUKU SPAWALNICZEGO METODY TIG

PROMIENIOWANIE WIDZIALNE ŁUKU SPAWALNICZEGO METODY TIG 86/21 ARCHIWUM ODLEWNICTWA Rok 2006, Rocznik 6, Nr 21(2/2) ARCHIVES OF FOUNDARY Year 2006, Volume 6, Nº 21 (2/2) PAN Katowice PL ISSN 1642-5308 PROMIENIOWANIE WIDZIALNE ŁUKU SPAWALNICZEGO METODY TIG M.

Bardziej szczegółowo

SESJA PLAKATOWA I wtorek 23.06.2009, godz. 17:30 19:30

SESJA PLAKATOWA I wtorek 23.06.2009, godz. 17:30 19:30 SESJA PLAKATOWA I wtorek 23.06.2009, godz. 17:30 19:30 Nr plakatu P1 Bartnik P2 ukasz Bober P3 Lech Borowicz P4 Micha³ Byrczek P5 Joanna Cabaj P6 Piotr Caban P7 Piotr Caban P8 Jerzy Ciosek P9 Cezary Czosnek

Bardziej szczegółowo

PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF VEHICLES 2(106)/2016 (12 pt)

PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF VEHICLES 2(106)/2016 (12 pt) PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF VEHICLES 2(106)/2016 Maciej Foremny 1, Szymon Gudowski 2, Michał Malesza 3, Henryk Bąkowski 4 TRIBOLOGICAL WEAR ESTIMATION OF THE ENGINE OILS USED IN DRIFTING 1. Introduction

Bardziej szczegółowo

Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków, ul. Reymonta 25

Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków, ul. Reymonta 25 Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, 30059 Kraków, ul. Reymonta 25 Tel.: (012) 295 28 12, p. 212; (012) 295 28 22, p. 203 (lab.), fax: (012) 295 28 04 email: h.kazimierczak@imim.pl

Bardziej szczegółowo

Materiałowe i technologiczne uwarunkowania stanu naprężeń własnych i anizotropii wtórnej powłok cylindrycznych wytłaczanych z polietylenu

Materiałowe i technologiczne uwarunkowania stanu naprężeń własnych i anizotropii wtórnej powłok cylindrycznych wytłaczanych z polietylenu POLITECHNIKA ŚLĄSKA ZESZYTY NAUKOWE NR 1676 SUB Gottingen 7 217 872 077 Andrzej PUSZ 2005 A 12174 Materiałowe i technologiczne uwarunkowania stanu naprężeń własnych i anizotropii wtórnej powłok cylindrycznych

Bardziej szczegółowo

Zastosowanie kamery termowizyjnej i spektrometru do badania filtrów w zakresie MWIR

Zastosowanie kamery termowizyjnej i spektrometru do badania filtrów w zakresie MWIR Zastosowanie kamery termowizyjnej i spektrometru do badania filtrów w zakresie MWIR The application of thermal imaging camera and spectrometer to research of filters in the MWIR range Michał Kopeć Zakład

Bardziej szczegółowo

INFLUENCE OF MATERIAL PROPERTIES ON PARAMETERS OF SILICON SOLAR CELLS *

INFLUENCE OF MATERIAL PROPERTIES ON PARAMETERS OF SILICON SOLAR CELLS * Inluence of material properties on parameters of silicon solar cells PL ISSN 0209-0058 MATERIAŁY ELEKTRONICZNE T. 36-2008 NR 4 INFLUENCE OF MATERIAL PROPERTIES ON PARAMETERS OF SILICON SOLAR CELLS * Barbara

Bardziej szczegółowo

Rev Źródło:

Rev Źródło: KAmodNFC Rev. 20190119185550 Źródło: http://wiki.kamamilabs.com/index.php/kamodnfc Spis treści Basic features and parameters... 1 Standard equipment... 2 Electrical schematics... 3 View of PCB... 4 Output

Bardziej szczegółowo

Ogniwa fotowoltaiczne

Ogniwa fotowoltaiczne Ogniwa fotowoltaiczne Efekt fotowoltaiczny: Ogniwo słoneczne Symulacja http://www.redarc.com.au/solar/about/solarpanels/ Historia 1839: Odkrycie efektu fotowoltaicznego przez francuza Alexandre-Edmond

Bardziej szczegółowo

dr inż. Ł. B. CHROBAK Katedra Elektroniki WEiI Politechnika Koszalińska 1/47

dr inż. Ł. B. CHROBAK Katedra Elektroniki WEiI Politechnika Koszalińska 1/47 Zastosowania wybranych metod nieniszczących opartych na falach termicznych i plazmowych w badaniach właściwości optycznych, termicznych i rekombinacyjnych materiałów elektronicznych i warstw implantowanych

Bardziej szczegółowo

ETICS: Few words about the Polish market Dr. Jacek Michalak Stowarzyszenie na Rzecz Systemów Ociepleń (SSO), Warsaw, Poland

ETICS: Few words about the Polish market Dr. Jacek Michalak Stowarzyszenie na Rzecz Systemów Ociepleń (SSO), Warsaw, Poland ETICS: Few words about the Polish market Dr. Jacek Michalak Stowarzyszenie na Rzecz Systemów Ociepleń (SSO), Warsaw, Poland 1957 the first ETICS was applied to residential building in Berlin, Germany the

Bardziej szczegółowo

Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków, ul. Reymonta 25

Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków, ul. Reymonta 25 Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, 30059 Kraków, ul. Reymonta 25 Tel.: (33) 817 42 49, fax: (012) 295 28 04 email: g.kulesza@imim.pl Miejsca zatrudnienia i zajmowane

Bardziej szczegółowo

Przedsiębiorczy doktorant - wsparcie dla badań rozwojowych w firmach Dr inż. Janusz Rzepka

Przedsiębiorczy doktorant - wsparcie dla badań rozwojowych w firmach Dr inż. Janusz Rzepka Przedsiębiorczy doktorant - wsparcie dla badań rozwojowych w firmach Dr inż. Janusz Rzepka Lasertex Sp. z o. o. Założona 15.03.1989 przez trzech pracowników Politechniki Wrocławskiej 2001 Nagroda Prezesa

Bardziej szczegółowo

Equipment for ultrasound disintegration of sewage sludge disseminated within the Record Biomap project (Horizon 2020)

Equipment for ultrasound disintegration of sewage sludge disseminated within the Record Biomap project (Horizon 2020) Research Coordination for a Low-Cost Biomethane Production at Small and Medium Scale Applications, akronim Record Biomap Equipment for ultrasound disintegration of sewage sludge disseminated within the

Bardziej szczegółowo

PV-NMS-NET. Wsparcie rozwoju fotowoltaiki w nowych paostwach członkowskich UE IEE/07/809/SI2.499719. Czas trwania: 36 miesięcy

PV-NMS-NET. Wsparcie rozwoju fotowoltaiki w nowych paostwach członkowskich UE IEE/07/809/SI2.499719. Czas trwania: 36 miesięcy PV-NMS-NET Wsparcie rozwoju fotowoltaiki w nowych paostwach członkowskich UE IEE/07/809/SI2.499719 Czas trwania: 36 miesięcy Koordynator: Stanislaw M. Pietruszko Politechnika Warszawska Cele projektu Stworzenie

Bardziej szczegółowo

Układy cienkowarstwowe o prostopadłej anizotropii magnetycznej sterowalnej polem elektrycznym

Układy cienkowarstwowe o prostopadłej anizotropii magnetycznej sterowalnej polem elektrycznym Układy cienkowarstwowe o prostopadłej anizotropii magnetycznej sterowalnej polem elektrycznym A. Kozioł-Rachwał Wydział Fizyki i Informatyki Stosowanej AGH National Institute of Advanced Industrial Science

Bardziej szczegółowo

Rozszerzenie zmysłów poprzez komputer pomiary termiczne, optyczne i elektryczne

Rozszerzenie zmysłów poprzez komputer pomiary termiczne, optyczne i elektryczne Rozszerzenie zmysłów poprzez komputer pomiary termiczne, optyczne i elektryczne Mario Gervasio, Marisa Michelini, Rossana Viola Research Unit in Physics Education, University of Udine, Italy Streszczenie:

Bardziej szczegółowo

Specyfikacja istotnych warunków zamówienia publicznego

Specyfikacja istotnych warunków zamówienia publicznego INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII NAUK PL - 02-668 WARSZAWA, AL. LOTNIKÓW 32/46 Tel. (48-22) 843 66 01 Fax. (48-22) 843 09 26 REGON: P-000326061, NIP: 525-000-92-75 DZPIE/004/2010 Specyfikacja istotnych

Bardziej szczegółowo

ZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH

ZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH ZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH Kierownik: Zespół: dr hab. inż. Henryk M. PRZEWŁOCKI, prof. nadzw. w ITE e-mail: hmp@ite.waw.pl, tel. (0-22 )548 77 50, fax (0-22) 847 06 31 dr Paweł

Bardziej szczegółowo

TEMATY PROJEKTÓW DYPLOMOWYCH INŻYNIERSKICH

TEMATY PROJEKTÓW DYPLOMOWYCH INŻYNIERSKICH TEMATY PROJEKTÓW DYPLOMOWYCH INŻYNIERSKICH na rok akademicki 2014/2015 Katedra Metrologii i Optoelektroniki Profil: Optoelektronika w języku Monitoring wizyjny przebiegu procesu CVD Video monitoring of

Bardziej szczegółowo

Sprawozdanie za rok 2005/2006

Sprawozdanie za rok 2005/2006 Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii www.cmzin.pwr.wroc.pl Sprawozdanie za rok 2005/2006 Rada naukowa CMZiN Prof. dr hab. Tadeusz Luty Prof. dr hab. Juliusz Sworakowski - z-ca kierownika

Bardziej szczegółowo

ń ę ń ę ń ę ń ę ę ę ę ę ź ń ź Ś ę Ł ń ę ę ń ę ń ę ę ę ę ę ę ź ę ę Ż ę ŚĆ ę Ż ń ń ę ń ę ę ę ę ę ź ę ę Ś Ś Ś Ś ź ę ń ę ę Ź ń Ś Ś ę ń ę ę ę ę ę ź ń ŚĆ Ś ń ń ń Ą ń ę ę ŚĆ ę Ż ę ń ę ę ę ę ę ź ń Ś Ś ź Ś Ł ę

Bardziej szczegółowo

Regionalny Dyrektor Ochrony Środowiska ul. 28 czerwca 1956 Poznań

Regionalny Dyrektor Ochrony Środowiska ul. 28 czerwca 1956 Poznań CENTRALNA GRUPA ENERGETYCZNA S.A. Konin, dnia 15-09-2014 62-510 Konin, Spółdzielców 3 Tel: +48 606 877 966 / +48 63 2406859 e-mail: sekretariat@cgesa.pl Regionalny Dyrektor Ochrony Środowiska ul. 28 czerwca

Bardziej szczegółowo

ZASTOSOWANIE SPEKTROFOTOMETRU OPTYCZNEGO DO BADANIA WIDM SYGNAŁÓW OPTYCZNYCH EMITOWANYCH PRZEZ WYŁADOWANIA NIEZUPEŁNE W OLEJU IZOLACYJNYM

ZASTOSOWANIE SPEKTROFOTOMETRU OPTYCZNEGO DO BADANIA WIDM SYGNAŁÓW OPTYCZNYCH EMITOWANYCH PRZEZ WYŁADOWANIA NIEZUPEŁNE W OLEJU IZOLACYJNYM POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADE MIC JOURNALS No 82 Electrical Engineering 2015 Michał KOZIOŁ* ZASTOSOWANIE SPEKTROFOTOMETRU OPTYCZNEGO DO BADANIA WIDM SYGNAŁÓW OPTYCZNYCH EMITOWANYCH PRZEZ WYŁADOWANIA

Bardziej szczegółowo

Instytut W5/I-7 Zestawienie Kart przedmiotów Wrocław, 2012-11-17

Instytut W5/I-7 Zestawienie Kart przedmiotów Wrocław, 2012-11-17 ARR021302 Obwody elektryczne Electric circuits ELR021306 energii Renewable Energy Sources ELR021312 Fotowoltaika stosowana Applied photovoltaics ELR021315 Ogniwa fotowoltaiczne Photovoltaic Cells.. Odnawialne

Bardziej szczegółowo