Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur
|
|
- Filip Chmielewski
- 8 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 1 Instytut Technologii Elektronowej
2 ZESPÓŁ REALIZUJĄCY PROJEKT Z11 ITE Doc. dr hab. Henryk M. Przewłocki Kier. Zespołu Dr inż. T. Gutt Z-ca Kier. Zesp. Pomiary elektryczne Dr P. Borowicz Badania ramanowskie Mgr inż. W. Rzodkiewicz Badania optyczne (doktorant) Mgr inż. K. Piskorski Badania fotoelektryczne (doktorant) Mgr inż. T. Małachowski Pomiary elektryczne 5 osób: Technicy i pracownicy pomocniczy 2
3 SPECJALIZACJA Opracowywanie nowych metod charakteryzacji nanostruktur Zaawansowane badania nanostruktur opracowywanych lub wytwarzanych w czołowych ośrodkach naukowych świata AMO GmbH, Aachen Germany ACREO AB. Sweden European Center of Excellence NANOSIL CEA LETI France Tokyo Institute of Technology Japan LOT Oriel GmbH Germany Chalmers University of Technology Sweden Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki PW Instytut Technologii i Materiałów Elektronicznych 3
4 INFRASTRUKTURA Recently refurbished, air-conditioned (temperature 22±2 o C, humidity <40%), electrostatically grounded and shielded laboratory rooms New, state of the art, measurement equipment (Agilent, Woollam, Keithley, Tektronix, Signal Recovery, MonoVista, in-house) Three groups of characterization methods primarily developed and applied in the department: - Electrical - Photoelectrical - Optical 4
5 METODY ELEKTRYCZNE C(V), I(V), G(V) characteristics of high resolution and sensitivity Determination of equivalent circuit of a sample from impedance spectra by IS method Determination of interface traps energy distributions by Gp/ω=f(ω) method (conductance method) Standard and non-standard measurements of MOS capacitor/transistor/schottky diode electrical parameters CASCADE probes Agilent 4294A impedance meter and B1500 semiconductor analyzer Trap density and capture cross-section energy distributions 5
6 METODY FOTOELEKTRYCZNE Photoelectric methods primarily employed to determine energy band parameters of investigated structures: band offsets contact potential difference flat-band voltage trap parameters 0 distributions of electrical parameters local values over the characteristic areas of nanostructures Photo yield vs. energy Wydajność Y^1/p Energia kw antów hv [ev] Unique photo-electric measurement equipment SLPT measurement setup 6
7 METODY OPTYCZNE Optical investigations rely on the methods of spectroscopic ellipsometry, interferometry, reflectometry and Raman spectroscopy. thickness and optical characteristics of various layered structures distribution of mechanical stress chemical content in various objects in degrees Generated and Experimental Model Fit Exp E 65 Exp E Wavelength (nm) 12 Generated and Experimental 10 Model Fit Exp E 65 Exp E 70 Mono Vista Raman spectrometer Voollam VASE spectroscopic ellipsometer and Ψ spectra Ψ in degrees Wavelength (nm) 7
8 ZADANIA B+R 1. Lista zadań współrealizowanych przez zespół Zadanie 0.1 Zarządzanie projektem Zadanie 1.3 Charakteryzacja materiałów Zadanie 2.7 Charakteryzacja struktur Zadanie 4.6 Wykonanie i weryfikacja parametrów funkcjonalnych fotodetektora ultrafioletu na bazie heterozłacza AlGaN/GaN Zadanie 6.1 Promocja i upowszechnienie wyników 8
9 ZADANIA B+R 2. Powiązanie z innymi zadaniami/pakietami zadaniowymi Nasze prace prowadzone są przede wszystkim w ramach pakietu zadaniowego PZ1: Nowe materiały, w ramach którego współpracujemy z zespołami realizującymi zadania Z1.1 i Z1.2 oraz w ramach pakietu PZ2: Nowe moduły technologiczne, w ramach którego współpracujemy z zespołami realizującymi zadania Z2.1, Z2.2, Z2.3, Z2.4, Z2.5 i Z2.6. Osobą odpowiedzialną za całość problematyki charakteryzacji materiałów i struktur jest Prof. J. Szuber z Politechniki Śląskiej. 9
10 3. Wyniki dotychczasowych prac ZADANIA B+R Dotychczas wykonano badania dwu partii (AN1 i AN2) płytek ze strukturami MOS wykonanymi na podłożach SiC-4H. Płytki w tych partiach różniły się między sobą sposobem utleniania, natomiast partia AN2 różniła się tym od partii AN1, że poddana została dodatkowo wygrzewaniu pometalizacyjnemu (PMA). Sprawozdania zawierające wyniki pomiarów przekazano wytwórcom struktur. Aktualnie trwają jeszcze badania struktur z partii AN3 zawierającej struktury MOS z różnymi warstwami dielektrycznymi 10
11 4. Współpraca z innymi zespołami ZADANIA B+R Współpracę tę opisano w pkt. 2: Powiązanie z innymi zadaniami/pakietami zadaniowymi 11
12 PROMOCJA PROJEKTU Promocji projektu dotychczas nie prowadzono 11
InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur. II Spotkanie Realizatorów Projektu Warszawa maja 2009 r.
Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun Politechnika Śląska (PŚl-2) ZESPÓŁ REALIZUJĄCY PROJEKT NAZWA: Politechnika
Bardziej szczegółowoZ.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja. InTechFun
Z.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa
Bardziej szczegółowoInTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych
Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk Zbigniew R. Żytkiewicz IF
Bardziej szczegółowoI Konferencja. InTechFun
I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08
Bardziej szczegółowoBadania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych
Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych Monika KWOKA, Jacek SZUBER Instytut Elektroniki Politechnika Śląska Gliwice PLAN PREZENTACJI 1. Podsumowanie dotychczasowych prac:
Bardziej szczegółowoOkreślanie schematów pasmowych struktur MOS na podłożu SiC(4H)
Krzysztof PISKORSKI 1, Henryk M. PRZEWŁOCKI 1, Mietek BAKOWSKI 2 Instytut Technologii Elektronowej, Zakład Charakteryzacji Struktur Nanoelektronicznych (1), ACREO Szwecja (2) Określanie schematów pasmowych
Bardziej szczegółowoZAKŁAD BADANIA STRUKTUR MOS
ZAKŁAD BADANIA STRUKTUR MOS Kierownik: doc. dr hab. inż. Henryk M. PRZEWŁOCKI e-mail: hmp@ite.waw.pl, tel. (0-prefiks-22) 548 77 50 Zespół: doc. dr inż. Lech Borowicz, e-mail: lbor@ite.waw.pl, dr inż.
Bardziej szczegółowoZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH
ZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH Kierownik: dr hab. inż. Henryk M. PRZEWŁOCKI, prof. nadzw. w ITE e-mail: hmp@ite.waw.pl, tel. (0-22) 548 77 50, fax (0-22) 847 06 31 Zespół: dr Paweł
Bardziej szczegółowoZAKŁAD BADANIA STRUKTUR MOS
ZAKŁAD BADANIA STRUKTUR MOS Kierownik: doc. dr hab. inż. Henryk M. PRZEWŁOCKI e-mail: hmp@ite.waw.pl, tel. (0-prefiks-22) 548 77 50, fax 0-22 847 06 31 Zespół: doc. dr inż. Lech Borowicz, e-mail: lbor@ite.waw.pl,
Bardziej szczegółowoWARSZAWA LIX Zeszyt 257
WARSZAWA LIX Zeszyt 257 SPIS TRE CI STRESZCZENIE... 9 WYKAZ SKRÓTÓW... 10 1. WPROWADZENIE... 13 2. MIKROSKOPIA SI ATOMOWYCH PODSTAWY... 17 2.1. Podstawy oddzia ywa ostrze próbka... 23 2.1.1. Modele fizyczne
Bardziej szczegółowoI Konferencja. InTechFun
I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08
Bardziej szczegółowoIDENTYFIKACJA I ANALIZA PARAMETRÓW GEOMETRYCZNYCH I MECHANICZNYCH KOŚCI MIEDNICZNEJ CZŁOWIEKA
POLITECHNIKA ŚLĄSKA ZESZYTY NAUKOWE Nr 1651 Antoni JOHN SUB Gottingen 7 217 780 458 2005 A 3012 IDENTYFIKACJA I ANALIZA PARAMETRÓW GEOMETRYCZNYCH I MECHANICZNYCH KOŚCI MIEDNICZNEJ CZŁOWIEKA Gliwice 2004
Bardziej szczegółowoMarcin Miczek. Badania wpływu temperatury na właściwości elektronowe struktur metal/izolator/algan/gan
Marcin Miczek Badania wpływu temperatury na właściwości elektronowe struktur metal/izolator/algan/gan grant MNiSW / NCN (39. konkurs) N N515 606339, PBU-91/RMF1/2010 21 IX 2010 20 III 2013 Zakład Fizyki
Bardziej szczegółowoI Konferencja. InTechFun
I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA KOSZALIŃSKA. Zbigniew Suszyński. Termografia aktywna. modele, przetwarzanie sygnałów i obrazów
POLITECHNIKA KOSZALIŃSKA Zbigniew Suszyński Termografia aktywna modele, przetwarzanie sygnałów i obrazów KOSZALIN 2014 MONOGRAFIA NR 259 WYDZIAŁU ELEKTRONIKI I INFORMATYKI ISSN 0239-7129 ISBN 987-83-7365-325-2
Bardziej szczegółowoCentrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii
Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii sprawozdanie za okres I 2010 XII 2011 Prof. dr hab. Jan Misiewicz www.cmzin.pwr.wroc.pl Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii (CMZiN) Jest
Bardziej szczegółowoWieloparametryczna klasyfikacja właściwości użytkowych biopaliw ciekłych optymalizacja głowicy sensora
Wieloparametryczna klasyfikacja właściwości użytkowych biopaliw ciekłych optymalizacja głowicy sensora 1. Michał Borecki, Jan Szmidt, Piotr Doroz, Paweł Pszczółkowski, 2. Mariusz Duk, Andrzej Kociubiński,
Bardziej szczegółowoKrytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC
Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC Mariusz Sochacki 1, Norbert Kwietniewski 1, Andrzej Taube 1,2, Krystian Król 1, Jan Szmidt
Bardziej szczegółowoI Konferencja. InTechFun
I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08
Bardziej szczegółowoInnowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych.
Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun Numer Projektu WND-POIG.01.03.01-00-159/08-00 Instytut Technologii
Bardziej szczegółowoZawsze po słonecznej stronie 2016 PROFIL FIRMY
Zawsze po słonecznej stronie 2016 PROFIL FIRMY Spis treści O FIRMIE EGING PV -Wstęp -BNEF Top 10 PRODUKCJA - Sztabka krzemowa - Płytka krzemowa - Ogniwo fotowoltaiczne - Panel fotowoltaiczny Technologia
Bardziej szczegółowo9. Struktury półprzewodnikowe
9. Struktury półprzewodnikowe Tranzystor pnp, npn Złącze metal-półprzewodnik, diody Schottky ego Heterozłącze Struktura MOS Tranzystory HFET, HEMT, JFET Technologia planarna, ograniczenia Tranzystor pnp
Bardziej szczegółowoI Konferencja. InTechFun
I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08
Bardziej szczegółowoPomiar kontaktowej różnicy potencjałów na powierzchniach półprzewodników
Pomiar kontaktowej różnicy potencjałów na powierzchniach półprzewodników Promotor: dr hab. inż. Bogusława Adamowicz Opiekun: dr inż. Marcin Miczek Dyplomant: Emilia Sołtys Plan prezentacji Motywacja Cel
Bardziej szczegółowo(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11)
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 165024 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 290701 (22) Data zgłoszenia: 17.06.1991 (51) IntCl5: H01L 21/66 H01L
Bardziej szczegółowoZAK AD BADANIA STRUKTUR MOS
ZAK AD BADANIA STRUKTUR MOS Kierownik:doc. dr hab. in. Henryk M. PRZEW OCKI e-mail: hmp@ite.waw.pl, tel. (0-prefiks-22) 548 77 50, fax 847 06 31 Zespó³: doc. dr hab. in. Andrzej Kassur, e-mail: akassur@ite.waw.pl
Bardziej szczegółowoZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH
ZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH Kierownik: doc. dr hab. inż. Henryk M. PRZEWŁOCKI e-mail: hmp@ite.waw.pl, tel. (0-22) 548 77 50, fax (0-22) 847 06 31 Zespół: dr Paweł Borowicz, e-mail:
Bardziej szczegółowoBADANIA ELEKTROMAGNESÓW NADPRZEWODNIKOWYCH W PROCESIE ICH WYTWARZANIA I EKSPLOATACJI
INSTYTUT ELEKTROTECHNIKI Janusz KOZAK BADANIA ELEKTROMAGNESÓW NADPRZEWODNIKOWYCH W PROCESIE ICH WYTWARZANIA I EKSPLOATACJI Prace Instytutu Elektrotechniki zeszyt 265, 2014 SPIS TRE CI STRESZCZENIE... 9
Bardziej szczegółowoZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH
ZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH Kierownik: Zespół: dr hab. inż. Henryk M. PRZEWŁOCKI, prof. nadzw. w ITE e-mail: hmp@ite.waw.pl, tel. (0-22 )548 77 50, fax (0-22) 847 06 31 dr Paweł
Bardziej szczegółowoINSPECTION METHODS FOR QUALITY CONTROL OF FIBRE METAL LAMINATES IN AEROSPACE COMPONENTS
Kompozyty 11: 2 (2011) 130-135 Krzysztof Dragan 1 * Jarosław Bieniaś 2, Michał Sałaciński 1, Piotr Synaszko 1 1 Air Force Institute of Technology, Non Destructive Testing Lab., ul. ks. Bolesława 6, 01-494
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA ŚLĄSKA INSTYTUT AUTOMATYKI ZAKŁAD SYSTEMÓW POMIAROWYCH
POLITECHNIKA ŚLĄSKA INSTYTUT AUTOMATYKI ZAKŁAD SYSTEMÓW POMIAROWYCH Gliwice, wrzesień 2005 Pomiar napięcia przemiennego Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zbadanie dokładności woltomierza cyfrowego dla
Bardziej szczegółowoGrafen materiał XXI wieku!?
Grafen materiał XXI wieku!? Badania grafenu w aspekcie jego zastosowań w sensoryce i metrologii Tadeusz Pustelny Plan prezentacji: 1. Wybrane właściwości fizyczne grafenu 2. Grafen materiał 21-go wieku?
Bardziej szczegółowoInTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych
Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun Politechnika Śląska Politechnika Śląska w Projekcie InTechFun:
Bardziej szczegółowoMedical electronics part 10 Physiological transducers
Medical electronics part 10 Prezentacja multimedialna współfinansowana przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego w projekcie pt. Innowacyjna dydaktyka bez ograniczeń - zintegrowany
Bardziej szczegółowoDETECTION OF MATERIAL INTEGRATED CONDUCTORS FOR CONNECTIVE RIVETING OF FUNCTION-INTEGRATIVE TEXTILE-REINFORCED THERMOPLASTIC COMPOSITES
Kompozyty 11: 2 (2011) 152-156 Werner A. Hufenbach, Frank Adam, Maik Gude, Ivonne Körner, Thomas Heber*, Anja Winkler Technische Universität Dresden, Institute of Lightweight Engineering and Polymer Technology
Bardziej szczegółowoFotodetektor ultrafioletu na bazie struktur metal/izolator/gan i AlGaN/GaN
Fotodetektor ultrafioletu na bazie struktur metal/izolator/gan i AlGaN/GaN Z3.7 Z2.6 (model charakteryzacja), Z7 (aparatura), Z4 (demonstrator) model, projekt, charakteryzacja grupa PSl-3 B. Adamowicz
Bardziej szczegółowoGdańsk, 16 grudnia 2010
POLITECHNIKA GDAŃSKA Centrum Zawansowanych Technologii Pomorze ul. Al. Zwycięstwa 27 80-233 Gdańsk prof. dr hab. inż. Andrzej Zieliński tel. 58 348 63 57 fax. 58 347 14 15 Przewodniczący Rady Koordynator
Bardziej szczegółowoZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH
ZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH Kierownik: Zespół: dr hab. inż. Henryk M. PRZEWŁOCKI, prof. nadzw. w ITE e-mail: hmp@ite.waw.pl, tel. (22) 548 77 50, fax (22) 847 06 31 dr Paweł Borowicz,
Bardziej szczegółowoXIII Seminarium Naukowe "Inżynierskie zastosowania technologii informatycznych"
XIII Seminarium Naukowe "Inżynierskie zastosowania technologii informatycznych" W dniu 25.05.2017 odbyło się XIII Seminarium Naukowe Inżynierskie zastosowania technologii informatycznych. Organizatorzy
Bardziej szczegółowoSamoorganizujące się nanokompozyty na bazie metali przejściowych w GaN i ZnO
Samoorganizujące się nanokompozyty na bazie metali przejściowych w GaN i ZnO M. Sawicki, S. Dobkowska, W. Stefanowicz, D. Sztenkiel, T. Dietl Instytut Fizyki PAN, Warszawa Pakiet zadaniowy: PZ2. Lider:
Bardziej szczegółowoPLAN STUDIÓW. efekty kształcenia
WYDZIAŁ: KIERUNEK: poziom kształcenia: profil: forma studiów: Lp. O/F Semestr 1 kod modułu/ przedmiotu* 3 O PG_00031665 Konwersja energii słonecznej 4 O PG_00020872 Terminologia angielska w nanotechnologii
Bardziej szczegółowoTHEORETICAL STUDIES ON CHEMICAL SHIFTS OF 3,6 DIIODO 9 ETHYL 9H CARBAZOLE
THEORETICAL STUDIES ON CHEMICAL SHIFTS OF 3,6 DIIODO 9 ETHYL 9H CARBAZOLE Teobald Kupkaa, Klaudia Radula-Janika, Krzysztof Ejsmonta, Zdzisław Daszkiewicza, Stephan P. A. Sauerb a Faculty of Chemistry,
Bardziej szczegółowoCentrum Zaawansowanych Materiałów i Technologii CEZAMAT
Centrum Zaawansowanych Materiałów i Technologii CEZAMAT Beneficjentem jest Politechnika Warszawska w imieniu Konsorcjum, którego członkami są: PW, UW, WAT, IChF PAN, IF PAN, IPPT PAN, IWC PAN, ITME Biuro
Bardziej szczegółowoPolitechnika Lubelska Jerzy Warmiński Katedra Mechaniki Stosowanej
Aeronet Dolina Lotnicza Rzeszów 19-20 lipca 2007 Informacja o realizowanych i planowanych projektach badawczych oraz przewidywane kierunki badań Politechnika Lubelska Jerzy Warmiński Katedra Mechaniki
Bardziej szczegółowoOPISY KURSÓW. Kod kursu: ETD 9265 Nazwa kursu: Metody diagnostyczne Język wykładowy: polski
OPISY KURSÓW Kod kursu: ETD 965 Nazwa kursu: Metody diagnostyczne Język wykładowy: polski Forma kursu Wykład Ćwiczenia Laboratorium Projekt Seminarium Tygodniowa 4 - - - liczba godzin ZZU * Semestralna
Bardziej szczegółowopromotor dr hab. inż. Janusz Marzec, prof. Politechniki Warszawskiej
Politechnika Warszawska Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych Warszawa, 25 października 2016 r. D z i e k a n a t Uprzejmie informuję, że na Wydziale Elektroniki i Technik Informacyjnych Politechniki
Bardziej szczegółowoZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH
ZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH Kierownik: Zespół: dr hab. inż. Henryk M. PRZEWŁOCKI, prof. nadzw. w ITE e-mail: hmp@ite.waw.pl, tel. (22) 548 77 50, fax (22) 847 06 31 dr Paweł Borowicz,
Bardziej szczegółowoPN-ISO 10843:2002/AC1
POPRAWKA do POLSKIEJ NORMY ICS 17.140.20 PN-ISO 10843:2002/AC1 Wprowadza ISO 10843:1997/AC1:2009, IDT Akustyka Metody opisu i pomiaru pojedynczych impulsów lub serii impulsów Poprawka do Normy Międzynarodowej
Bardziej szczegółowoSpektroskopia Ramanowska
Spektroskopia Ramanowska Część A 1.Krótki wstęp historyczny 2.Oddziaływanie światła z osrodkiem materialnym (rozpraszanie światła) 3.Opis klasyczny zjawiska Ramana 4. Widmo ramanowskie. 5. Opis półklasyczny
Bardziej szczegółowoI Konferencja. InTechFun
I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08
Bardziej szczegółowoInformatyka II stopień (I stopień / II stopień) ogólnoakademicki (ogólno akademicki / praktyczny) stacjonarne (stacjonarne / niestacjonarne)
Załącznik nr 7 do Zarządzenia Rektora nr 10/12 z dnia 21 lutego 2012r. KARTA MODUŁU / KARTA PRZEDMIOTU Kod modułu E-ID2G-06-s3 Nazwa modułu Fundamentals of Electronics Nazwa modułu w języku angielskim
Bardziej szczegółowoFotoprzekaźniki W9 Laser, Fotoprzekaźnik refleksyjny, Standard optics
KATALOG ONLINE www.mysick.com Fotoprzekaźniki W9 Laser, Fotoprzekaźnik refleksyjny, Standard optics WL9L-P430 Fotoprzekaźniki W9 Laser, Fotoprzekaźnik refleksyjny, Standard optics Nazwa modelu > WL9L-P430
Bardziej szczegółowoAUTOREFERAT 1. Działalność naukowa i w zakresie rozwoju kadry, w tym tworzenia szkoły naukowej.
Prof.dr hab.inż Jan Szmidt Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Warszawa, 10.02.2012r. AUTOREFERAT 1. Działalność naukowa i w zakresie rozwoju kadry,
Bardziej szczegółowodr inż. Piotr Wroczyński kierownik dr inż. Marcin Gnyba zca. kierownika Katedra Optoelektroniki i Systemów Elektronicznych PG
dr inż. Piotr Wroczyński kierownik dr inż. Marcin Gnyba zca. kierownika Katedra Optoelektroniki i Systemów Elektronicznych PG POLITECHNIKA GDAŃSKA Centrum Zawansowanych Technologii Pomorze ul. Al. Zwycięstwa
Bardziej szczegółowoESCA+AES Electron Spectroscopy for Chemical Analysis + Auger Electron Spectroscopy
ESCA+AES Electron Spectroscopy for Chemical Analysis + Auger Electron Spectroscopy Badanie składu chemicznego powierzchni z wykorzystaniem elektronów ESCA zasada metody Electron Spectroscopy for Chemical
Bardziej szczegółowoDr hab. inż. Dariusz BOROŃSKI, prof. nadzw. UTP 1. Miejsce pracy: 2. Dyscyplina: 3. Specjalność: 4. Zainteresowania naukowe:
Imię i nazwisko: Dr hab. inż. Dariusz BOROŃSKI, prof. nadzw. UTP 1. Miejsce pracy: Zakład Podstaw Konstrukcji Maszyn, Instytut Mechaniki i Konstrukcji Maszyn, Wydział Inżynierii Mechanicznej 2. Dyscyplina:
Bardziej szczegółowoZastosowanie spektroskopii EPR do badania wolnych rodników generowanych termicznie w drotawerynie
Zastosowanie spektroskopii EPR do badania wolnych rodników generowanych termicznie w drotawerynie Paweł Ramos, Barbara Pilawa, Maciej Adamski STRESZCZENIE Katedra i Zakład Biofizyki Wydziału Farmaceutycznego
Bardziej szczegółowostudia na WETI PG na kierunku elektronika i telekomunikacja
Dlaczego warto podjąć studia na WETI PG na kierunku elektronika i telekomunikacja Wydział Elektroniki, Telekomunikacji i Informatyki Politechniki Gdańskiej 1 Kierunek EiT a Hi-Tech i ICT Technologie układów
Bardziej szczegółowoCENTRUM CZYSTYCH TECHNOLOGII WĘGLOWYCH CLEAN COAL TECHNOLOGY CENTRE. ... nowe możliwości. ... new opportunities
CENTRUM CZYSTYCH TECHNOLOGII WĘGLOWYCH CLEAN COAL TECHNOLOGY CENTRE... nowe możliwości... new opportunities GŁÓWNY INSTYTUT GÓRNICTWA fluidalnym przy ciśnieniu maksymalnym 5 MPa, z zastosowaniem różnych
Bardziej szczegółowoMedical electronics part 9a Electroencephalography (EEG)
Medical electronics part 9a (EEG) Prezentacja multimedialna współfinansowana przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego w projekcie pt. Innowacyjna dydaktyka bez ograniczeń - zintegrowany
Bardziej szczegółowoCentrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii
Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii sprawozdanie za okres X 2008 XII 2009 Prof. dr hab. Jan Misiewicz www.cmzin.pwr.wroc.pl Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii (CMZiN) Jest
Bardziej szczegółowoConception of reuse of the waste from onshore and offshore in the aspect of
Conception of reuse of the waste from onshore and offshore in the aspect of environmental protection" Koncepcja zagospodarowania odpadów wiertniczych powstających podczas wierceń lądowych i morskich w
Bardziej szczegółowo4. EKSPLOATACJA UKŁADU NAPĘD ZWROTNICOWY ROZJAZD. DEFINICJA SIŁ W UKŁADZIE Siła nastawcza Siła trzymania
3 SPIS TREŚCI Przedmowa... 11 1. WPROWADZENIE... 13 1.1. Budowa rozjazdów kolejowych... 14 1.2. Napędy zwrotnicowe... 15 1.2.1. Napęd zwrotnicowy EEA-4... 18 1.2.2. Napęd zwrotnicowy EEA-5... 20 1.3. Współpraca
Bardziej szczegółowoWłókno G.657A2! mniejszy promieo gięcia od kabli z włóknami G.657A1
04 Kable FTTH serii OPTI-BEND Włókno G.657A2! mniejszy promieo gięcia od kabli z włóknami G.657A1 Seria kabli OPTI-BEND to światłowodowe kable FTTH przeznaczony dla sieci FTTH (Fiber To The Home). Zawierają
Bardziej szczegółowoCHARAKTERYSTYKA AFM CIENKICH WARSTW SnO 2 UZYSKANYCH PODCZAS SPUTTERINGU MAGNETRONOWEGO PRZY WYBRANYCH WARUNKACH PROCESU
CZASOPISMO INŻYNIERII LĄDOWEJ, ŚRODOWISKA I ARCHITEKTURY JOURNAL OF CIVIL ENGINEERING, ENVIRONMENT AND ARCHITECTURE JCEEA, t. XXXII, z. 62 (2/15), kwiecień-czerwiec 2015, s. 99-106 Tomasz GRUDNIEWSKI 1
Bardziej szczegółowoBADANIE I ANALIZA WYPADKOWEGO ROZKŁADU WIDMOWEGO PROMIENIOWANIA LAMP HALOGENOWYCH I KSENONOWYCH 1. WPROWADZENIE
POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADEMIC JOURNALS No 73 Electrical Engineering 2013 Joanna RATAJCZAK* Grzegorz WICZYŃSKI* Konrad DOMKE* BADANIE I ANALIZA WYPADKOWEGO ROZKŁADU WIDMOWEGO PROMIENIOWANIA
Bardziej szczegółowoOTRZYMYWANIE KOMPOZYTÓW METALOWO-CERAMICZNYCH METODAMI PLAZMOWYMI
KOMPOZYTY (COMPOSITES) 1(21)1 Władysław Włosiński 1, Tomasz Chmielewski 2 Politechnika Warszawska, Instytut Technologii Materiałowych, ul. Narbutta 85, 2-542 Warszawa OTRZYMYWANIE KOMPOZYTÓW METALOWO-CERAMICZNYCH
Bardziej szczegółowoGrafen materiał XXI wieku!?
Grafen materiał XXI wieku!? Badania grafenu w aspekcie jego zastosowań w fotowoltaice, sensoryce i metrologii Tadeusz Pustelny Plan prezentacji: 1. Wybrane właściwości fizyczne grafenu 2. Grafen materiał
Bardziej szczegółowoWPŁYW MOCOWANIA ELEMENTU PÓŁPRZEWODNIKOWEGO NA JEGO PRZEJŚCIOWĄ IMPEDANCJĘ TERMICZNĄ
ELEKTRYKA 2014 Zeszyt 1 (229) Rok LX Krzysztof GÓRECKI, Janusz ZARĘBSKI Akademia Morska w Gdyni WPŁYW MOCOWANIA ELEMENTU PÓŁPRZEWODNIKOWEGO NA JEGO PRZEJŚCIOWĄ IMPEDANCJĘ TERMICZNĄ Streszczenie. W pracy
Bardziej szczegółowoZAK AD BADANIA STRUKTUR MOS
ZAK AD BADANIA STRUKTUR MOS Kierownik: doc. dr hab. in. Henryk M. PRZEW OCKI e-mail: hmp@ite.waw.pl, tel. (0-prefiks-22) 548 77 50, fax 847 06 31 Zespó³: dr in. Andrzej Kud³a, doc. dr in. Lech Borowicz,
Bardziej szczegółowoZAK AD BADANIA STRUKTUR MOS
ZAK AD BADANIA STRUKTUR MOS Kierownik:doc. dr hab. in. Henryk M. PRZEW OCKI e-mail: hmp@ite.waw.pl, tel. (0-prefiks-22) 548 77 50, fax 847 06 31 Zespó³: doc. dr hab. in. Andrzej Kassur, e-mail: akassur@ite.waw.pl,
Bardziej szczegółowo9. Struktury półprzewodnikowe
9. Struktury półprzewodnikowe Tranzystor pnp, npn Złącze metal-półprzewodnik, diody Schottky ego Heterozłącze Struktura MOS Tranzystory HFET, HEMT, JFET Technologia planarna, ograniczenia Tranzystor pnp
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM POMIARÓW ELEMENTÓW I UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH
POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADE MIC JOURNALS No 76 Electrical Engineering 2013 Damian BISEWSKI* Janusz ZARĘBSKI* LABORATORIUM POMIARÓW ELEMENTÓW I UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH W pracy zaprezentowano
Bardziej szczegółowoInverse problems - Introduction - Probabilistic approach
Inverse problems - Introduction - Probabilistic approach Wojciech Dȩbski Instytut Geofizyki PAN debski@igf.edu.pl Wydział Fizyki UW, 13.10.2004 Wydział Fizyki UW Warszawa, 13.10.2004 (1) Plan of the talk
Bardziej szczegółowoDEKLARACJA ZGODNOŚCI WE Declaration of conformity EC Nr/No. 88/2013 Producent/ Manufacturer : LENA LIGHTING S.A.
Nr/No. 88/2013 Saturn 2x26W 230V~, 50Hz, IP54, G24q3, I klasa ochronności/ I class of protection EN 60598-1:2008/A11:2009 + Ap1:2000 Dopuszczalne poziomy i metody pomiarów zaburzeń radioelektrycznych wytwarzanych
Bardziej szczegółowoPROMIENIOWANIE WIDZIALNE ŁUKU SPAWALNICZEGO METODY TIG
86/21 ARCHIWUM ODLEWNICTWA Rok 2006, Rocznik 6, Nr 21(2/2) ARCHIVES OF FOUNDARY Year 2006, Volume 6, Nº 21 (2/2) PAN Katowice PL ISSN 1642-5308 PROMIENIOWANIE WIDZIALNE ŁUKU SPAWALNICZEGO METODY TIG M.
Bardziej szczegółowoSESJA PLAKATOWA I wtorek 23.06.2009, godz. 17:30 19:30
SESJA PLAKATOWA I wtorek 23.06.2009, godz. 17:30 19:30 Nr plakatu P1 Bartnik P2 ukasz Bober P3 Lech Borowicz P4 Micha³ Byrczek P5 Joanna Cabaj P6 Piotr Caban P7 Piotr Caban P8 Jerzy Ciosek P9 Cezary Czosnek
Bardziej szczegółowoPROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF VEHICLES 2(106)/2016 (12 pt)
PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF VEHICLES 2(106)/2016 Maciej Foremny 1, Szymon Gudowski 2, Michał Malesza 3, Henryk Bąkowski 4 TRIBOLOGICAL WEAR ESTIMATION OF THE ENGINE OILS USED IN DRIFTING 1. Introduction
Bardziej szczegółowoAdres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków, ul. Reymonta 25
Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, 30059 Kraków, ul. Reymonta 25 Tel.: (012) 295 28 12, p. 212; (012) 295 28 22, p. 203 (lab.), fax: (012) 295 28 04 email: h.kazimierczak@imim.pl
Bardziej szczegółowoMateriałowe i technologiczne uwarunkowania stanu naprężeń własnych i anizotropii wtórnej powłok cylindrycznych wytłaczanych z polietylenu
POLITECHNIKA ŚLĄSKA ZESZYTY NAUKOWE NR 1676 SUB Gottingen 7 217 872 077 Andrzej PUSZ 2005 A 12174 Materiałowe i technologiczne uwarunkowania stanu naprężeń własnych i anizotropii wtórnej powłok cylindrycznych
Bardziej szczegółowoZastosowanie kamery termowizyjnej i spektrometru do badania filtrów w zakresie MWIR
Zastosowanie kamery termowizyjnej i spektrometru do badania filtrów w zakresie MWIR The application of thermal imaging camera and spectrometer to research of filters in the MWIR range Michał Kopeć Zakład
Bardziej szczegółowoINFLUENCE OF MATERIAL PROPERTIES ON PARAMETERS OF SILICON SOLAR CELLS *
Inluence of material properties on parameters of silicon solar cells PL ISSN 0209-0058 MATERIAŁY ELEKTRONICZNE T. 36-2008 NR 4 INFLUENCE OF MATERIAL PROPERTIES ON PARAMETERS OF SILICON SOLAR CELLS * Barbara
Bardziej szczegółowoRev Źródło:
KAmodNFC Rev. 20190119185550 Źródło: http://wiki.kamamilabs.com/index.php/kamodnfc Spis treści Basic features and parameters... 1 Standard equipment... 2 Electrical schematics... 3 View of PCB... 4 Output
Bardziej szczegółowoOgniwa fotowoltaiczne
Ogniwa fotowoltaiczne Efekt fotowoltaiczny: Ogniwo słoneczne Symulacja http://www.redarc.com.au/solar/about/solarpanels/ Historia 1839: Odkrycie efektu fotowoltaicznego przez francuza Alexandre-Edmond
Bardziej szczegółowodr inż. Ł. B. CHROBAK Katedra Elektroniki WEiI Politechnika Koszalińska 1/47
Zastosowania wybranych metod nieniszczących opartych na falach termicznych i plazmowych w badaniach właściwości optycznych, termicznych i rekombinacyjnych materiałów elektronicznych i warstw implantowanych
Bardziej szczegółowoETICS: Few words about the Polish market Dr. Jacek Michalak Stowarzyszenie na Rzecz Systemów Ociepleń (SSO), Warsaw, Poland
ETICS: Few words about the Polish market Dr. Jacek Michalak Stowarzyszenie na Rzecz Systemów Ociepleń (SSO), Warsaw, Poland 1957 the first ETICS was applied to residential building in Berlin, Germany the
Bardziej szczegółowoAdres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków, ul. Reymonta 25
Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, 30059 Kraków, ul. Reymonta 25 Tel.: (33) 817 42 49, fax: (012) 295 28 04 email: g.kulesza@imim.pl Miejsca zatrudnienia i zajmowane
Bardziej szczegółowoPrzedsiębiorczy doktorant - wsparcie dla badań rozwojowych w firmach Dr inż. Janusz Rzepka
Przedsiębiorczy doktorant - wsparcie dla badań rozwojowych w firmach Dr inż. Janusz Rzepka Lasertex Sp. z o. o. Założona 15.03.1989 przez trzech pracowników Politechniki Wrocławskiej 2001 Nagroda Prezesa
Bardziej szczegółowoEquipment for ultrasound disintegration of sewage sludge disseminated within the Record Biomap project (Horizon 2020)
Research Coordination for a Low-Cost Biomethane Production at Small and Medium Scale Applications, akronim Record Biomap Equipment for ultrasound disintegration of sewage sludge disseminated within the
Bardziej szczegółowoPV-NMS-NET. Wsparcie rozwoju fotowoltaiki w nowych paostwach członkowskich UE IEE/07/809/SI2.499719. Czas trwania: 36 miesięcy
PV-NMS-NET Wsparcie rozwoju fotowoltaiki w nowych paostwach członkowskich UE IEE/07/809/SI2.499719 Czas trwania: 36 miesięcy Koordynator: Stanislaw M. Pietruszko Politechnika Warszawska Cele projektu Stworzenie
Bardziej szczegółowoUkłady cienkowarstwowe o prostopadłej anizotropii magnetycznej sterowalnej polem elektrycznym
Układy cienkowarstwowe o prostopadłej anizotropii magnetycznej sterowalnej polem elektrycznym A. Kozioł-Rachwał Wydział Fizyki i Informatyki Stosowanej AGH National Institute of Advanced Industrial Science
Bardziej szczegółowoRozszerzenie zmysłów poprzez komputer pomiary termiczne, optyczne i elektryczne
Rozszerzenie zmysłów poprzez komputer pomiary termiczne, optyczne i elektryczne Mario Gervasio, Marisa Michelini, Rossana Viola Research Unit in Physics Education, University of Udine, Italy Streszczenie:
Bardziej szczegółowoSpecyfikacja istotnych warunków zamówienia publicznego
INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII NAUK PL - 02-668 WARSZAWA, AL. LOTNIKÓW 32/46 Tel. (48-22) 843 66 01 Fax. (48-22) 843 09 26 REGON: P-000326061, NIP: 525-000-92-75 DZPIE/004/2010 Specyfikacja istotnych
Bardziej szczegółowoZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH
ZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH Kierownik: Zespół: dr hab. inż. Henryk M. PRZEWŁOCKI, prof. nadzw. w ITE e-mail: hmp@ite.waw.pl, tel. (0-22 )548 77 50, fax (0-22) 847 06 31 dr Paweł
Bardziej szczegółowoTEMATY PROJEKTÓW DYPLOMOWYCH INŻYNIERSKICH
TEMATY PROJEKTÓW DYPLOMOWYCH INŻYNIERSKICH na rok akademicki 2014/2015 Katedra Metrologii i Optoelektroniki Profil: Optoelektronika w języku Monitoring wizyjny przebiegu procesu CVD Video monitoring of
Bardziej szczegółowoSprawozdanie za rok 2005/2006
Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii www.cmzin.pwr.wroc.pl Sprawozdanie za rok 2005/2006 Rada naukowa CMZiN Prof. dr hab. Tadeusz Luty Prof. dr hab. Juliusz Sworakowski - z-ca kierownika
Bardziej szczegółowoń ę ń ę ń ę ń ę ę ę ę ę ź ń ź Ś ę Ł ń ę ę ń ę ń ę ę ę ę ę ę ź ę ę Ż ę ŚĆ ę Ż ń ń ę ń ę ę ę ę ę ź ę ę Ś Ś Ś Ś ź ę ń ę ę Ź ń Ś Ś ę ń ę ę ę ę ę ź ń ŚĆ Ś ń ń ń Ą ń ę ę ŚĆ ę Ż ę ń ę ę ę ę ę ź ń Ś Ś ź Ś Ł ę
Bardziej szczegółowoRegionalny Dyrektor Ochrony Środowiska ul. 28 czerwca 1956 Poznań
CENTRALNA GRUPA ENERGETYCZNA S.A. Konin, dnia 15-09-2014 62-510 Konin, Spółdzielców 3 Tel: +48 606 877 966 / +48 63 2406859 e-mail: sekretariat@cgesa.pl Regionalny Dyrektor Ochrony Środowiska ul. 28 czerwca
Bardziej szczegółowoZASTOSOWANIE SPEKTROFOTOMETRU OPTYCZNEGO DO BADANIA WIDM SYGNAŁÓW OPTYCZNYCH EMITOWANYCH PRZEZ WYŁADOWANIA NIEZUPEŁNE W OLEJU IZOLACYJNYM
POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADE MIC JOURNALS No 82 Electrical Engineering 2015 Michał KOZIOŁ* ZASTOSOWANIE SPEKTROFOTOMETRU OPTYCZNEGO DO BADANIA WIDM SYGNAŁÓW OPTYCZNYCH EMITOWANYCH PRZEZ WYŁADOWANIA
Bardziej szczegółowoInstytut W5/I-7 Zestawienie Kart przedmiotów Wrocław, 2012-11-17
ARR021302 Obwody elektryczne Electric circuits ELR021306 energii Renewable Energy Sources ELR021312 Fotowoltaika stosowana Applied photovoltaics ELR021315 Ogniwa fotowoltaiczne Photovoltaic Cells.. Odnawialne
Bardziej szczegółowo