Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur"

Transkrypt

1 Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 1 Instytut Technologii Elektronowej

2 ZESPÓŁ REALIZUJĄCY PROJEKT Z11 ITE Doc. dr hab. Henryk M. Przewłocki Kier. Zespołu Dr inż. T. Gutt Z-ca Kier. Zesp. Pomiary elektryczne Dr P. Borowicz Badania ramanowskie Mgr inż. W. Rzodkiewicz Badania optyczne (doktorant) Mgr inż. K. Piskorski Badania fotoelektryczne (doktorant) Mgr inż. T. Małachowski Pomiary elektryczne 5 osób: Technicy i pracownicy pomocniczy 2

3 SPECJALIZACJA Opracowywanie nowych metod charakteryzacji nanostruktur Zaawansowane badania nanostruktur opracowywanych lub wytwarzanych w czołowych ośrodkach naukowych świata AMO GmbH, Aachen Germany ACREO AB. Sweden European Center of Excellence NANOSIL CEA LETI France Tokyo Institute of Technology Japan LOT Oriel GmbH Germany Chalmers University of Technology Sweden Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki PW Instytut Technologii i Materiałów Elektronicznych 3

4 INFRASTRUKTURA Recently refurbished, air-conditioned (temperature 22±2 o C, humidity <40%), electrostatically grounded and shielded laboratory rooms New, state of the art, measurement equipment (Agilent, Woollam, Keithley, Tektronix, Signal Recovery, MonoVista, in-house) Three groups of characterization methods primarily developed and applied in the department: - Electrical - Photoelectrical - Optical 4

5 METODY ELEKTRYCZNE C(V), I(V), G(V) characteristics of high resolution and sensitivity Determination of equivalent circuit of a sample from impedance spectra by IS method Determination of interface traps energy distributions by Gp/ω=f(ω) method (conductance method) Standard and non-standard measurements of MOS capacitor/transistor/schottky diode electrical parameters CASCADE probes Agilent 4294A impedance meter and B1500 semiconductor analyzer Trap density and capture cross-section energy distributions 5

6 METODY FOTOELEKTRYCZNE Photoelectric methods primarily employed to determine energy band parameters of investigated structures: band offsets contact potential difference flat-band voltage trap parameters 0 distributions of electrical parameters local values over the characteristic areas of nanostructures Photo yield vs. energy Wydajność Y^1/p Energia kw antów hv [ev] Unique photo-electric measurement equipment SLPT measurement setup 6

7 METODY OPTYCZNE Optical investigations rely on the methods of spectroscopic ellipsometry, interferometry, reflectometry and Raman spectroscopy. thickness and optical characteristics of various layered structures distribution of mechanical stress chemical content in various objects in degrees Generated and Experimental Model Fit Exp E 65 Exp E Wavelength (nm) 12 Generated and Experimental 10 Model Fit Exp E 65 Exp E 70 Mono Vista Raman spectrometer Voollam VASE spectroscopic ellipsometer and Ψ spectra Ψ in degrees Wavelength (nm) 7

8 ZADANIA B+R 1. Lista zadań współrealizowanych przez zespół Zadanie 0.1 Zarządzanie projektem Zadanie 1.3 Charakteryzacja materiałów Zadanie 2.7 Charakteryzacja struktur Zadanie 4.6 Wykonanie i weryfikacja parametrów funkcjonalnych fotodetektora ultrafioletu na bazie heterozłacza AlGaN/GaN Zadanie 6.1 Promocja i upowszechnienie wyników 8

9 ZADANIA B+R 2. Powiązanie z innymi zadaniami/pakietami zadaniowymi Nasze prace prowadzone są przede wszystkim w ramach pakietu zadaniowego PZ1: Nowe materiały, w ramach którego współpracujemy z zespołami realizującymi zadania Z1.1 i Z1.2 oraz w ramach pakietu PZ2: Nowe moduły technologiczne, w ramach którego współpracujemy z zespołami realizującymi zadania Z2.1, Z2.2, Z2.3, Z2.4, Z2.5 i Z2.6. Osobą odpowiedzialną za całość problematyki charakteryzacji materiałów i struktur jest Prof. J. Szuber z Politechniki Śląskiej. 9

10 3. Wyniki dotychczasowych prac ZADANIA B+R Dotychczas wykonano badania dwu partii (AN1 i AN2) płytek ze strukturami MOS wykonanymi na podłożach SiC-4H. Płytki w tych partiach różniły się między sobą sposobem utleniania, natomiast partia AN2 różniła się tym od partii AN1, że poddana została dodatkowo wygrzewaniu pometalizacyjnemu (PMA). Sprawozdania zawierające wyniki pomiarów przekazano wytwórcom struktur. Aktualnie trwają jeszcze badania struktur z partii AN3 zawierającej struktury MOS z różnymi warstwami dielektrycznymi 10

11 4. Współpraca z innymi zespołami ZADANIA B+R Współpracę tę opisano w pkt. 2: Powiązanie z innymi zadaniami/pakietami zadaniowymi 11

12 PROMOCJA PROJEKTU Promocji projektu dotychczas nie prowadzono 11

InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur. II Spotkanie Realizatorów Projektu Warszawa maja 2009 r.

InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur. II Spotkanie Realizatorów Projektu Warszawa maja 2009 r. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun Politechnika Śląska (PŚl-2) ZESPÓŁ REALIZUJĄCY PROJEKT NAZWA: Politechnika

Bardziej szczegółowo

Z.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja. InTechFun

Z.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja. InTechFun Z.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa

Bardziej szczegółowo

I Konferencja. InTechFun

I Konferencja. InTechFun I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08

Bardziej szczegółowo

Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych

Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych Monika KWOKA, Jacek SZUBER Instytut Elektroniki Politechnika Śląska Gliwice PLAN PREZENTACJI 1. Podsumowanie dotychczasowych prac:

Bardziej szczegółowo

WARSZAWA LIX Zeszyt 257

WARSZAWA LIX Zeszyt 257 WARSZAWA LIX Zeszyt 257 SPIS TRE CI STRESZCZENIE... 9 WYKAZ SKRÓTÓW... 10 1. WPROWADZENIE... 13 2. MIKROSKOPIA SI ATOMOWYCH PODSTAWY... 17 2.1. Podstawy oddzia ywa ostrze próbka... 23 2.1.1. Modele fizyczne

Bardziej szczegółowo

I Konferencja. InTechFun

I Konferencja. InTechFun I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA KOSZALIŃSKA. Zbigniew Suszyński. Termografia aktywna. modele, przetwarzanie sygnałów i obrazów

POLITECHNIKA KOSZALIŃSKA. Zbigniew Suszyński. Termografia aktywna. modele, przetwarzanie sygnałów i obrazów POLITECHNIKA KOSZALIŃSKA Zbigniew Suszyński Termografia aktywna modele, przetwarzanie sygnałów i obrazów KOSZALIN 2014 MONOGRAFIA NR 259 WYDZIAŁU ELEKTRONIKI I INFORMATYKI ISSN 0239-7129 ISBN 987-83-7365-325-2

Bardziej szczegółowo

Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych.

Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun Numer Projektu WND-POIG.01.03.01-00-159/08-00 Instytut Technologii

Bardziej szczegółowo

Wieloparametryczna klasyfikacja właściwości użytkowych biopaliw ciekłych optymalizacja głowicy sensora

Wieloparametryczna klasyfikacja właściwości użytkowych biopaliw ciekłych optymalizacja głowicy sensora Wieloparametryczna klasyfikacja właściwości użytkowych biopaliw ciekłych optymalizacja głowicy sensora 1. Michał Borecki, Jan Szmidt, Piotr Doroz, Paweł Pszczółkowski, 2. Mariusz Duk, Andrzej Kociubiński,

Bardziej szczegółowo

Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC

Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC Mariusz Sochacki 1, Norbert Kwietniewski 1, Andrzej Taube 1,2, Krystian Król 1, Jan Szmidt

Bardziej szczegółowo

I Konferencja. InTechFun

I Konferencja. InTechFun I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08

Bardziej szczegółowo

I Konferencja. InTechFun

I Konferencja. InTechFun I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA ŚLĄSKA INSTYTUT AUTOMATYKI ZAKŁAD SYSTEMÓW POMIAROWYCH

POLITECHNIKA ŚLĄSKA INSTYTUT AUTOMATYKI ZAKŁAD SYSTEMÓW POMIAROWYCH POLITECHNIKA ŚLĄSKA INSTYTUT AUTOMATYKI ZAKŁAD SYSTEMÓW POMIAROWYCH Gliwice, wrzesień 2005 Pomiar napięcia przemiennego Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zbadanie dokładności woltomierza cyfrowego dla

Bardziej szczegółowo

DETECTION OF MATERIAL INTEGRATED CONDUCTORS FOR CONNECTIVE RIVETING OF FUNCTION-INTEGRATIVE TEXTILE-REINFORCED THERMOPLASTIC COMPOSITES

DETECTION OF MATERIAL INTEGRATED CONDUCTORS FOR CONNECTIVE RIVETING OF FUNCTION-INTEGRATIVE TEXTILE-REINFORCED THERMOPLASTIC COMPOSITES Kompozyty 11: 2 (2011) 152-156 Werner A. Hufenbach, Frank Adam, Maik Gude, Ivonne Körner, Thomas Heber*, Anja Winkler Technische Universität Dresden, Institute of Lightweight Engineering and Polymer Technology

Bardziej szczegółowo

Fotodetektor ultrafioletu na bazie struktur metal/izolator/gan i AlGaN/GaN

Fotodetektor ultrafioletu na bazie struktur metal/izolator/gan i AlGaN/GaN Fotodetektor ultrafioletu na bazie struktur metal/izolator/gan i AlGaN/GaN Z3.7 Z2.6 (model charakteryzacja), Z7 (aparatura), Z4 (demonstrator) model, projekt, charakteryzacja grupa PSl-3 B. Adamowicz

Bardziej szczegółowo

BADANIA ELEKTROMAGNESÓW NADPRZEWODNIKOWYCH W PROCESIE ICH WYTWARZANIA I EKSPLOATACJI

BADANIA ELEKTROMAGNESÓW NADPRZEWODNIKOWYCH W PROCESIE ICH WYTWARZANIA I EKSPLOATACJI INSTYTUT ELEKTROTECHNIKI Janusz KOZAK BADANIA ELEKTROMAGNESÓW NADPRZEWODNIKOWYCH W PROCESIE ICH WYTWARZANIA I EKSPLOATACJI Prace Instytutu Elektrotechniki zeszyt 265, 2014 SPIS TRE CI STRESZCZENIE... 9

Bardziej szczegółowo

Samoorganizujące się nanokompozyty na bazie metali przejściowych w GaN i ZnO

Samoorganizujące się nanokompozyty na bazie metali przejściowych w GaN i ZnO Samoorganizujące się nanokompozyty na bazie metali przejściowych w GaN i ZnO M. Sawicki, S. Dobkowska, W. Stefanowicz, D. Sztenkiel, T. Dietl Instytut Fizyki PAN, Warszawa Pakiet zadaniowy: PZ2. Lider:

Bardziej szczegółowo

Grafen materiał XXI wieku!?

Grafen materiał XXI wieku!? Grafen materiał XXI wieku!? Badania grafenu w aspekcie jego zastosowań w sensoryce i metrologii Tadeusz Pustelny Plan prezentacji: 1. Wybrane właściwości fizyczne grafenu 2. Grafen materiał 21-go wieku?

Bardziej szczegółowo

ZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH

ZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH ZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH Kierownik: Zespół: dr hab. inż. Henryk M. PRZEWŁOCKI, prof. nadzw. w ITE e-mail: hmp@ite.waw.pl, tel. (22) 548 77 50, fax (22) 847 06 31 dr Paweł Borowicz,

Bardziej szczegółowo

THEORETICAL STUDIES ON CHEMICAL SHIFTS OF 3,6 DIIODO 9 ETHYL 9H CARBAZOLE

THEORETICAL STUDIES ON CHEMICAL SHIFTS OF 3,6 DIIODO 9 ETHYL 9H CARBAZOLE THEORETICAL STUDIES ON CHEMICAL SHIFTS OF 3,6 DIIODO 9 ETHYL 9H CARBAZOLE Teobald Kupkaa, Klaudia Radula-Janika, Krzysztof Ejsmonta, Zdzisław Daszkiewicza, Stephan P. A. Sauerb a Faculty of Chemistry,

Bardziej szczegółowo

Spektroskopia Ramanowska

Spektroskopia Ramanowska Spektroskopia Ramanowska Część A 1.Krótki wstęp historyczny 2.Oddziaływanie światła z osrodkiem materialnym (rozpraszanie światła) 3.Opis klasyczny zjawiska Ramana 4. Widmo ramanowskie. 5. Opis półklasyczny

Bardziej szczegółowo

I Konferencja. InTechFun

I Konferencja. InTechFun I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08

Bardziej szczegółowo

Fotoprzekaźniki W9 Laser, Fotoprzekaźnik refleksyjny, Standard optics

Fotoprzekaźniki W9 Laser, Fotoprzekaźnik refleksyjny, Standard optics KATALOG ONLINE www.mysick.com Fotoprzekaźniki W9 Laser, Fotoprzekaźnik refleksyjny, Standard optics WL9L-P430 Fotoprzekaźniki W9 Laser, Fotoprzekaźnik refleksyjny, Standard optics Nazwa modelu > WL9L-P430

Bardziej szczegółowo

Gdańsk, 16 grudnia 2010

Gdańsk, 16 grudnia 2010 POLITECHNIKA GDAŃSKA Centrum Zawansowanych Technologii Pomorze ul. Al. Zwycięstwa 27 80-233 Gdańsk prof. dr hab. inż. Andrzej Zieliński tel. 58 348 63 57 fax. 58 347 14 15 Przewodniczący Rady Koordynator

Bardziej szczegółowo

ESCA+AES Electron Spectroscopy for Chemical Analysis + Auger Electron Spectroscopy

ESCA+AES Electron Spectroscopy for Chemical Analysis + Auger Electron Spectroscopy ESCA+AES Electron Spectroscopy for Chemical Analysis + Auger Electron Spectroscopy Badanie składu chemicznego powierzchni z wykorzystaniem elektronów ESCA zasada metody Electron Spectroscopy for Chemical

Bardziej szczegółowo

Dr hab. inż. Dariusz BOROŃSKI, prof. nadzw. UTP 1. Miejsce pracy: 2. Dyscyplina: 3. Specjalność: 4. Zainteresowania naukowe:

Dr hab. inż. Dariusz BOROŃSKI, prof. nadzw. UTP 1. Miejsce pracy: 2. Dyscyplina: 3. Specjalność: 4. Zainteresowania naukowe: Imię i nazwisko: Dr hab. inż. Dariusz BOROŃSKI, prof. nadzw. UTP 1. Miejsce pracy: Zakład Podstaw Konstrukcji Maszyn, Instytut Mechaniki i Konstrukcji Maszyn, Wydział Inżynierii Mechanicznej 2. Dyscyplina:

Bardziej szczegółowo

Zastosowanie spektroskopii EPR do badania wolnych rodników generowanych termicznie w drotawerynie

Zastosowanie spektroskopii EPR do badania wolnych rodników generowanych termicznie w drotawerynie Zastosowanie spektroskopii EPR do badania wolnych rodników generowanych termicznie w drotawerynie Paweł Ramos, Barbara Pilawa, Maciej Adamski STRESZCZENIE Katedra i Zakład Biofizyki Wydziału Farmaceutycznego

Bardziej szczegółowo

Politechnika Lubelska Jerzy Warmiński Katedra Mechaniki Stosowanej

Politechnika Lubelska Jerzy Warmiński Katedra Mechaniki Stosowanej Aeronet Dolina Lotnicza Rzeszów 19-20 lipca 2007 Informacja o realizowanych i planowanych projektach badawczych oraz przewidywane kierunki badań Politechnika Lubelska Jerzy Warmiński Katedra Mechaniki

Bardziej szczegółowo

Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii

Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii sprawozdanie za okres X 2008 XII 2009 Prof. dr hab. Jan Misiewicz www.cmzin.pwr.wroc.pl Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii (CMZiN) Jest

Bardziej szczegółowo

BADANIE I ANALIZA WYPADKOWEGO ROZKŁADU WIDMOWEGO PROMIENIOWANIA LAMP HALOGENOWYCH I KSENONOWYCH 1. WPROWADZENIE

BADANIE I ANALIZA WYPADKOWEGO ROZKŁADU WIDMOWEGO PROMIENIOWANIA LAMP HALOGENOWYCH I KSENONOWYCH 1. WPROWADZENIE POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADEMIC JOURNALS No 73 Electrical Engineering 2013 Joanna RATAJCZAK* Grzegorz WICZYŃSKI* Konrad DOMKE* BADANIE I ANALIZA WYPADKOWEGO ROZKŁADU WIDMOWEGO PROMIENIOWANIA

Bardziej szczegółowo

WPŁYW MOCOWANIA ELEMENTU PÓŁPRZEWODNIKOWEGO NA JEGO PRZEJŚCIOWĄ IMPEDANCJĘ TERMICZNĄ

WPŁYW MOCOWANIA ELEMENTU PÓŁPRZEWODNIKOWEGO NA JEGO PRZEJŚCIOWĄ IMPEDANCJĘ TERMICZNĄ ELEKTRYKA 2014 Zeszyt 1 (229) Rok LX Krzysztof GÓRECKI, Janusz ZARĘBSKI Akademia Morska w Gdyni WPŁYW MOCOWANIA ELEMENTU PÓŁPRZEWODNIKOWEGO NA JEGO PRZEJŚCIOWĄ IMPEDANCJĘ TERMICZNĄ Streszczenie. W pracy

Bardziej szczegółowo

Grafen materiał XXI wieku!?

Grafen materiał XXI wieku!? Grafen materiał XXI wieku!? Badania grafenu w aspekcie jego zastosowań w fotowoltaice, sensoryce i metrologii Tadeusz Pustelny Plan prezentacji: 1. Wybrane właściwości fizyczne grafenu 2. Grafen materiał

Bardziej szczegółowo

BADANIE I ANALIZA WYPADKOWEGO ROZKŁADU WIDMOWEGO PROMIENIOWANIA LAMP HALOGENOWYCH I KSENONOWYCH 1. WPROWADZENIE

BADANIE I ANALIZA WYPADKOWEGO ROZKŁADU WIDMOWEGO PROMIENIOWANIA LAMP HALOGENOWYCH I KSENONOWYCH 1. WPROWADZENIE POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADEMIC JOURNALS No 73 Electrical Engineering 2013 Joanna RATAJCZAK* Grzegorz WICZYŃSKI* Konrad DOMKE* BADANIE I ANALIZA WYPADKOWEGO ROZKŁADU WIDMOWEGO PROMIENIOWANIA

Bardziej szczegółowo

OTRZYMYWANIE KOMPOZYTÓW METALOWO-CERAMICZNYCH METODAMI PLAZMOWYMI

OTRZYMYWANIE KOMPOZYTÓW METALOWO-CERAMICZNYCH METODAMI PLAZMOWYMI KOMPOZYTY (COMPOSITES) 1(21)1 Władysław Włosiński 1, Tomasz Chmielewski 2 Politechnika Warszawska, Instytut Technologii Materiałowych, ul. Narbutta 85, 2-542 Warszawa OTRZYMYWANIE KOMPOZYTÓW METALOWO-CERAMICZNYCH

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM POMIARÓW ELEMENTÓW I UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH

LABORATORIUM POMIARÓW ELEMENTÓW I UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADE MIC JOURNALS No 76 Electrical Engineering 2013 Damian BISEWSKI* Janusz ZARĘBSKI* LABORATORIUM POMIARÓW ELEMENTÓW I UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH W pracy zaprezentowano

Bardziej szczegółowo

dr inż. Piotr Wroczyński kierownik dr inż. Marcin Gnyba zca. kierownika Katedra Optoelektroniki i Systemów Elektronicznych PG

dr inż. Piotr Wroczyński kierownik dr inż. Marcin Gnyba zca. kierownika Katedra Optoelektroniki i Systemów Elektronicznych PG dr inż. Piotr Wroczyński kierownik dr inż. Marcin Gnyba zca. kierownika Katedra Optoelektroniki i Systemów Elektronicznych PG POLITECHNIKA GDAŃSKA Centrum Zawansowanych Technologii Pomorze ul. Al. Zwycięstwa

Bardziej szczegółowo

Sprawozdanie za rok 2005/2006

Sprawozdanie za rok 2005/2006 Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii www.cmzin.pwr.wroc.pl Sprawozdanie za rok 2005/2006 Rada naukowa CMZiN Prof. dr hab. Tadeusz Luty Prof. dr hab. Juliusz Sworakowski - z-ca kierownika

Bardziej szczegółowo

Centrum Zaawansowanych Materiałów i Technologii CEZAMAT

Centrum Zaawansowanych Materiałów i Technologii CEZAMAT Centrum Zaawansowanych Materiałów i Technologii CEZAMAT Beneficjentem jest Politechnika Warszawska w imieniu Konsorcjum, którego członkami są: PW, UW, WAT, IChF PAN, IF PAN, IPPT PAN, IWC PAN, ITME Biuro

Bardziej szczegółowo

SESJA PLAKATOWA I wtorek 23.06.2009, godz. 17:30 19:30

SESJA PLAKATOWA I wtorek 23.06.2009, godz. 17:30 19:30 SESJA PLAKATOWA I wtorek 23.06.2009, godz. 17:30 19:30 Nr plakatu P1 Bartnik P2 ukasz Bober P3 Lech Borowicz P4 Micha³ Byrczek P5 Joanna Cabaj P6 Piotr Caban P7 Piotr Caban P8 Jerzy Ciosek P9 Cezary Czosnek

Bardziej szczegółowo

PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF VEHICLES 2(106)/2016 (12 pt)

PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF VEHICLES 2(106)/2016 (12 pt) PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF VEHICLES 2(106)/2016 Maciej Foremny 1, Szymon Gudowski 2, Michał Malesza 3, Henryk Bąkowski 4 TRIBOLOGICAL WEAR ESTIMATION OF THE ENGINE OILS USED IN DRIFTING 1. Introduction

Bardziej szczegółowo

INFLUENCE OF MATERIAL PROPERTIES ON PARAMETERS OF SILICON SOLAR CELLS *

INFLUENCE OF MATERIAL PROPERTIES ON PARAMETERS OF SILICON SOLAR CELLS * Inluence of material properties on parameters of silicon solar cells PL ISSN 0209-0058 MATERIAŁY ELEKTRONICZNE T. 36-2008 NR 4 INFLUENCE OF MATERIAL PROPERTIES ON PARAMETERS OF SILICON SOLAR CELLS * Barbara

Bardziej szczegółowo

AUTOREFERAT 1. Działalność naukowa i w zakresie rozwoju kadry, w tym tworzenia szkoły naukowej.

AUTOREFERAT 1. Działalność naukowa i w zakresie rozwoju kadry, w tym tworzenia szkoły naukowej. Prof.dr hab.inż Jan Szmidt Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Warszawa, 10.02.2012r. AUTOREFERAT 1. Działalność naukowa i w zakresie rozwoju kadry,

Bardziej szczegółowo

studia na WETI PG na kierunku elektronika i telekomunikacja

studia na WETI PG na kierunku elektronika i telekomunikacja Dlaczego warto podjąć studia na WETI PG na kierunku elektronika i telekomunikacja Wydział Elektroniki, Telekomunikacji i Informatyki Politechniki Gdańskiej 1 Kierunek EiT a Hi-Tech i ICT Technologie układów

Bardziej szczegółowo

Materiałowe i technologiczne uwarunkowania stanu naprężeń własnych i anizotropii wtórnej powłok cylindrycznych wytłaczanych z polietylenu

Materiałowe i technologiczne uwarunkowania stanu naprężeń własnych i anizotropii wtórnej powłok cylindrycznych wytłaczanych z polietylenu POLITECHNIKA ŚLĄSKA ZESZYTY NAUKOWE NR 1676 SUB Gottingen 7 217 872 077 Andrzej PUSZ 2005 A 12174 Materiałowe i technologiczne uwarunkowania stanu naprężeń własnych i anizotropii wtórnej powłok cylindrycznych

Bardziej szczegółowo

CENTRUM CZYSTYCH TECHNOLOGII WĘGLOWYCH CLEAN COAL TECHNOLOGY CENTRE. ... nowe możliwości. ... new opportunities

CENTRUM CZYSTYCH TECHNOLOGII WĘGLOWYCH CLEAN COAL TECHNOLOGY CENTRE. ... nowe możliwości. ... new opportunities CENTRUM CZYSTYCH TECHNOLOGII WĘGLOWYCH CLEAN COAL TECHNOLOGY CENTRE... nowe możliwości... new opportunities GŁÓWNY INSTYTUT GÓRNICTWA fluidalnym przy ciśnieniu maksymalnym 5 MPa, z zastosowaniem różnych

Bardziej szczegółowo

PV-NMS-NET. Wsparcie rozwoju fotowoltaiki w nowych paostwach członkowskich UE IEE/07/809/SI2.499719. Czas trwania: 36 miesięcy

PV-NMS-NET. Wsparcie rozwoju fotowoltaiki w nowych paostwach członkowskich UE IEE/07/809/SI2.499719. Czas trwania: 36 miesięcy PV-NMS-NET Wsparcie rozwoju fotowoltaiki w nowych paostwach członkowskich UE IEE/07/809/SI2.499719 Czas trwania: 36 miesięcy Koordynator: Stanislaw M. Pietruszko Politechnika Warszawska Cele projektu Stworzenie

Bardziej szczegółowo

Przedsiębiorczy doktorant - wsparcie dla badań rozwojowych w firmach Dr inż. Janusz Rzepka

Przedsiębiorczy doktorant - wsparcie dla badań rozwojowych w firmach Dr inż. Janusz Rzepka Przedsiębiorczy doktorant - wsparcie dla badań rozwojowych w firmach Dr inż. Janusz Rzepka Lasertex Sp. z o. o. Założona 15.03.1989 przez trzech pracowników Politechniki Wrocławskiej 2001 Nagroda Prezesa

Bardziej szczegółowo

TEMATY PROJEKTÓW DYPLOMOWYCH INŻYNIERSKICH

TEMATY PROJEKTÓW DYPLOMOWYCH INŻYNIERSKICH TEMATY PROJEKTÓW DYPLOMOWYCH INŻYNIERSKICH na rok akademicki 2014/2015 Katedra Metrologii i Optoelektroniki Profil: Optoelektronika w języku Monitoring wizyjny przebiegu procesu CVD Video monitoring of

Bardziej szczegółowo

PROMIENIOWANIE WIDZIALNE ŁUKU SPAWALNICZEGO METODY TIG

PROMIENIOWANIE WIDZIALNE ŁUKU SPAWALNICZEGO METODY TIG 86/21 ARCHIWUM ODLEWNICTWA Rok 2006, Rocznik 6, Nr 21(2/2) ARCHIVES OF FOUNDARY Year 2006, Volume 6, Nº 21 (2/2) PAN Katowice PL ISSN 1642-5308 PROMIENIOWANIE WIDZIALNE ŁUKU SPAWALNICZEGO METODY TIG M.

Bardziej szczegółowo

ZASTOSOWANIE SPEKTROFOTOMETRU OPTYCZNEGO DO BADANIA WIDM SYGNAŁÓW OPTYCZNYCH EMITOWANYCH PRZEZ WYŁADOWANIA NIEZUPEŁNE W OLEJU IZOLACYJNYM

ZASTOSOWANIE SPEKTROFOTOMETRU OPTYCZNEGO DO BADANIA WIDM SYGNAŁÓW OPTYCZNYCH EMITOWANYCH PRZEZ WYŁADOWANIA NIEZUPEŁNE W OLEJU IZOLACYJNYM POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADE MIC JOURNALS No 82 Electrical Engineering 2015 Michał KOZIOŁ* ZASTOSOWANIE SPEKTROFOTOMETRU OPTYCZNEGO DO BADANIA WIDM SYGNAŁÓW OPTYCZNYCH EMITOWANYCH PRZEZ WYŁADOWANIA

Bardziej szczegółowo

Specyfikacja istotnych warunków zamówienia publicznego

Specyfikacja istotnych warunków zamówienia publicznego INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII NAUK PL - 02-668 WARSZAWA, AL. LOTNIKÓW 32/46 Tel. (48-22) 843 66 01 Fax. (48-22) 843 09 26 REGON: P-000326061, NIP: 525-000-92-75 DZPIE/004/2010 Specyfikacja istotnych

Bardziej szczegółowo

Przemysłowe zastosowania technologii generatywnych

Przemysłowe zastosowania technologii generatywnych Industrial applications of additive manufacturing technologies Przemysłowe zastosowania technologii generatywnych Edward Chlebus, Bogdan Dybała, Tomasz Boratyoski, Mariusz Frankiewicz, Tomasz Będza CAMT

Bardziej szczegółowo

Instytut W5/I-7 Zestawienie Kart przedmiotów Wrocław, 2012-11-17

Instytut W5/I-7 Zestawienie Kart przedmiotów Wrocław, 2012-11-17 ARR021302 Obwody elektryczne Electric circuits ELR021306 energii Renewable Energy Sources ELR021312 Fotowoltaika stosowana Applied photovoltaics ELR021315 Ogniwa fotowoltaiczne Photovoltaic Cells.. Odnawialne

Bardziej szczegółowo

Termiczny model tranzystora HEMT na podłożu GaN/SiC

Termiczny model tranzystora HEMT na podłożu GaN/SiC Termiczny model tranzystora HEMT na podłożu GaN/SiC Paweł Kopyt, Daniel Gryglewski, Wojciech Wojtasiak, Wojciech Gwarek Instytut Radioelektroniki, Politechnika Warszawska ul. Nowowiejska 5/9, 00-665 Warszawa

Bardziej szczegółowo

ń ę ń ę ń ę ń ę ę ę ę ę ź ń ź Ś ę Ł ń ę ę ń ę ń ę ę ę ę ę ę ź ę ę Ż ę ŚĆ ę Ż ń ń ę ń ę ę ę ę ę ź ę ę Ś Ś Ś Ś ź ę ń ę ę Ź ń Ś Ś ę ń ę ę ę ę ę ź ń ŚĆ Ś ń ń ń Ą ń ę ę ŚĆ ę Ż ę ń ę ę ę ę ę ź ń Ś Ś ź Ś Ł ę

Bardziej szczegółowo

2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 [Nm] 400 380 360 340 320 300 280 260 240 220 200 180 160 140 120 156 PS 143 PS 100 1000 1500 2000 2500 3000 3500 RPM [kw] [PS] 120 163 110 150 100 136

Bardziej szczegółowo

1 2 3 4 5 A B 6 7 8 9 [Nm] 370 350 330 310 [kw] [PS] 110 150 100 136 90 122 290 270 250 230 210 190 80 70 60 50 109 95 82 68 170 150 40 54 130 110 90 140 PS 100 PS 125 PS 30 20 41 27 70 1000 1500 2000

Bardziej szczegółowo

2 59 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 [Nm] [kw] [PS] [Nm] [kw] [PS] 350 100 136 400 120 163 330 380 90 122 110 150 310 360 100 136 290 80 109 340 270 320 90 122 70 95 250 300 80

Bardziej szczegółowo

STANOWISKO DO POMIARU ROZKŁADU WIDMOWEGO PROMIENIOWANIA LAMP KSENONOWYCH

STANOWISKO DO POMIARU ROZKŁADU WIDMOWEGO PROMIENIOWANIA LAMP KSENONOWYCH POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADE MIC JOURNALS No 73 Electrical Engineering 2013 Joanna RATAJCZAK* Grzegorz WICZYŃSKI* Konrad DOMKE* STANOWISKO DO POMIARU ROZKŁADU WIDMOWEGO PROMIENIOWANIA LAMP KSENONOWYCH

Bardziej szczegółowo

2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 [Nm] [kw] [PS] [Nm] [kw] [PS] 350 100 136 400 120 163 330 380 90 122 110 150 310 360 100 136 290 80 109 340 270 320 90 122 70 95 250 300 80 109 230 60 82 280 70 95 210 260 50 68 60

Bardziej szczegółowo

POJAZDY DO PRZEWOZU OSÓB FORD TRANSIT + FORD TOURNEO CV_Transit_MBus_2011_75_V2_Cover_3MM.indd 1 20/07/2011 14:26

POJAZDY DO PRZEWOZU OSÓB FORD TRANSIT + FORD TOURNEO CV_Transit_MBus_2011_75_V2_Cover_3MM.indd 1 20/07/2011 14:26 1 2 3 4 5 7 A B 9 11 [Nm] 370 350 330 [kw] [PS] 110 150 100 136 310 90 122 290 270 80 109 250 70 95 230 210 60 82 190 50 68 170 150 40 54 130 110 90 140 PS 125 PS 100 PS 30 20 41 27 70 1000 1500 2000 2500

Bardziej szczegółowo

1 2 3 4 5 6 7 A B 8 9 10 11 [Nm] 370 350 330 [kw] [PS] 110 150 100 136 310 90 122 290 270 80 109 250 70 95 230 210 60 82 190 50 68 170 150 40 54 130 110 90 140 PS 100 PS 125 PS 30 20 41 27 70 1000 1500

Bardziej szczegółowo

WPŁYW ODKSZTAŁCENIA WZGLĘDNEGO NA WSKAŹNIK ZMNIEJSZENIA CHROPOWATOŚCI I STOPIEŃ UMOCNIENIA WARSTWY POWIERZCHNIOWEJ PO OBRÓBCE NAGNIATANEM

WPŁYW ODKSZTAŁCENIA WZGLĘDNEGO NA WSKAŹNIK ZMNIEJSZENIA CHROPOWATOŚCI I STOPIEŃ UMOCNIENIA WARSTWY POWIERZCHNIOWEJ PO OBRÓBCE NAGNIATANEM Tomasz Dyl Akademia Morska w Gdyni WPŁYW ODKSZTAŁCENIA WZGLĘDNEGO NA WSKAŹNIK ZMNIEJSZENIA CHROPOWATOŚCI I STOPIEŃ UMOCNIENIA WARSTWY POWIERZCHNIOWEJ PO OBRÓBCE NAGNIATANEM W artykule określono wpływ odkształcenia

Bardziej szczegółowo

Wpływ temperatury podłoża na właściwości powłok DLC osadzanych metodą rozpylania katod grafitowych łukiem impulsowym

Wpływ temperatury podłoża na właściwości powłok DLC osadzanych metodą rozpylania katod grafitowych łukiem impulsowym Dotacje na innowacje Wpływ temperatury podłoża na właściwości powłok DLC osadzanych metodą rozpylania katod grafitowych łukiem impulsowym Viktor Zavaleyev, Jan Walkowicz, Adam Pander Politechnika Koszalińska

Bardziej szczegółowo

Wykorzystanie oprogramowania Lumerical MODE

Wykorzystanie oprogramowania Lumerical MODE Wykorzystanie oprogramowania Lumerical MODE Elżbieta Bereś-Pawlik Katedra Radiokomunikacji i Teleinformatyki Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki Politechniki Wrocławskiej ul. Wybrzeże

Bardziej szczegółowo

OCENA ODWZOROWANIA KSZTAŁTU ZA POMOCĄ WSPÓŁRZĘDNOŚCIOWEGO RAMIENIA POMIAROWEGO WYPOSAŻONEGO W GŁOWICĘ OPTYCZNĄ

OCENA ODWZOROWANIA KSZTAŁTU ZA POMOCĄ WSPÓŁRZĘDNOŚCIOWEGO RAMIENIA POMIAROWEGO WYPOSAŻONEGO W GŁOWICĘ OPTYCZNĄ Adam Gąska, Magdalena Olszewska 1) OCENA ODWZOROWANIA KSZTAŁTU ZA POMOCĄ WSPÓŁRZĘDNOŚCIOWEGO RAMIENIA POMIAROWEGO WYPOSAŻONEGO W GŁOWICĘ OPTYCZNĄ Streszczenie: Realizacja pomiarów może być dokonywana z

Bardziej szczegółowo

Rozszerzenie zmysłów poprzez komputer pomiary termiczne, optyczne i elektryczne

Rozszerzenie zmysłów poprzez komputer pomiary termiczne, optyczne i elektryczne Rozszerzenie zmysłów poprzez komputer pomiary termiczne, optyczne i elektryczne Mario Gervasio, Marisa Michelini, Rossana Viola Research Unit in Physics Education, University of Udine, Italy Streszczenie:

Bardziej szczegółowo

Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii

Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii sprawozdanie za okres I 2012 IV 2013 Prof. dr hab. Jan Misiewicz www.cmzin.pwr.wroc.pl Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii (CMZiN) Jest

Bardziej szczegółowo

Technologia cienkowarstwowa

Technologia cienkowarstwowa Physical Vapour Deposition Evaporation Dlaczego w próżni? 1. topiony materiał wrze w niższej temperaturze 2. zmniejsza się proces utleniania wrzącej powierzchni 3. zmniejsza się liczba zanieczyszczeń w

Bardziej szczegółowo

prof. dr hab. inż. Waldemar WÓJCIK, dr inż. Sławomir CIĘSZCZYK, dr inż. Paweł KOMADA, mgr inż. Piotr POPIEL

prof. dr hab. inż. Waldemar WÓJCIK, dr inż. Sławomir CIĘSZCZYK, dr inż. Paweł KOMADA, mgr inż. Piotr POPIEL prof. dr hab. inż. Waldemar WÓJCIK, dr inż. Sławomir CIĘSZCZYK, dr inż. Paweł KOMADA, mgr inż. Piotr POPIEL Wydział Elektrotechniki i Informatyki, Katedra Elektroniki Politechniki Lubelskiej, p.popiel@pollub.pl,

Bardziej szczegółowo

LASERY I ICH ZASTOSOWANIE

LASERY I ICH ZASTOSOWANIE LASERY CH ZASTOSOWANE Laboratorium nstrukcja do ćwiczenia nr Temat: Pomiar mocy wiązki laserowej 3. POMAR MOCY WĄZK LASEROWEJ LASERA He - Ne 3.1. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z metodą

Bardziej szczegółowo

PRACE INŻYNIERSKIE Rok akademicki 2009/2010

PRACE INŻYNIERSKIE Rok akademicki 2009/2010 PRACE INŻYNIERSKIE Rok akademicki 2009/2010 Analiza strat w sieci niskiego napięcia (Analysis of losses in net of low tension) W pracy przedstawione zostaną problemy związane z nielegalnym poborem energii

Bardziej szczegółowo

Monokryształy SI GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych

Monokryształy SI GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych Monokryształy SI GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża... Monokryształy SI GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych Andrzej Hruban, Wacław Orłowski,

Bardziej szczegółowo

efekty kształcenia dla kierunku Elektronika studia stacjonarne drugiego stopnia, profil ogólnoakademicki

efekty kształcenia dla kierunku Elektronika studia stacjonarne drugiego stopnia, profil ogólnoakademicki Opis efektów dla kierunku Elektronika Studia stacjonarne drugiego stopnia, profil ogólnoakademicki Objaśnienie oznaczeń: K kierunkowe efekty W kategoria wiedzy U kategoria umiejętności K (po podkreślniku)

Bardziej szczegółowo

shale gas do economics and regulation change at the German-Polish border Pawe Poprawa Polish Geological Institute BSEC, Berlin,

shale gas do economics and regulation change at the German-Polish border Pawe Poprawa Polish Geological Institute BSEC, Berlin, shale gas do economics and regulation change at the German-Polish border Pawe Poprawa Polish Geological Institute BSEC, Berlin, 01.12.20011 North America gas shale basins increase of shale gas supply to

Bardziej szczegółowo

Wykład 12 V = 4 km/s E 0 =.08 e V e = = 1 Å

Wykład 12 V = 4 km/s E 0 =.08 e V e  = = 1 Å Wykład 12 Fale materii: elektrony, neutrony, lekkie atomy Neutrony generowane w reaktorze są spowalniane w wyniku zderzeń z moderatorem (grafitem) do V = 4 km/s, co odpowiada energii E=0.08 ev a energia

Bardziej szczegółowo

Mody sprzęŝone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych

Mody sprzęŝone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych Mody sprzęŝone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych Klasyczny przykład pośredniego oddziaływania pola magnetycznego na wzbudzenia fononowe Schemat: pole magnetyczne (siła Lorentza) nośniki (oddziaływanie

Bardziej szczegółowo

Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk

Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk Promotor: dr hab. inż. Bogusława Adamowicz, prof. Pol. Śl. Zadania pracy Pomiary transmisji i odbicia optycznego

Bardziej szczegółowo

BADANIE ROZKŁADÓW WŁAŚCIWOŚCI ELEKTRYCZNYCH I OPTYCZNYCH MONOKRYSZTAŁÓW GaP STOSOWANYCH W OPTYCE PODCZERWIENI

BADANIE ROZKŁADÓW WŁAŚCIWOŚCI ELEKTRYCZNYCH I OPTYCZNYCH MONOKRYSZTAŁÓW GaP STOSOWANYCH W OPTYCE PODCZERWIENI Wzrost monokryształów Badanie antymonku rozkładów galu w właściwości kierunku elektrycznych oraz i optycznych... meotdą Cz. BADANIE ROZKŁADÓW WŁAŚCIWOŚCI ELEKTRYCZNYCH I OPTYCZNYCH MONOKRYSZTAŁÓW

Bardziej szczegółowo

FOTOGRAFIA PLAMKOWA W BADANIACH ODKSZTAŁCALNOŚCI KORZENIA MARCHWI

FOTOGRAFIA PLAMKOWA W BADANIACH ODKSZTAŁCALNOŚCI KORZENIA MARCHWI Inżynieria Rolnicza 4(102)/2008 FOTOGRAFIA PLAMKOWA W BADANIACH ODKSZTAŁCALNOŚCI KORZENIA MARCHWI Monika Andruszkiewicz, Ludomir J. Jankowski Instytut Konstrukcji i Eksploatacji Maszyn, Politechnika Wrocławska

Bardziej szczegółowo

SYNCHRONOUS GENERATOR FIELD-CIRCUIT MODEL AND ITS VERIFICATION BY MEASUREMENTS

SYNCHRONOUS GENERATOR FIELD-CIRCUIT MODEL AND ITS VERIFICATION BY MEASUREMENTS ELEKTRYKA 2009 Zeszyt 2 (210) Rok LV Sebastian BERHAUSEN, Andrzej BOBOŃ, Stefan PASZEK Instytut Elektrotechniki i Informatyki, Politechnika Śląska w Gliwicach SYNCHRONOUS GENERATOR FIELD-CIRCUIT MODEL

Bardziej szczegółowo

Politechnika Gdańska Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej Katedra Fizyki Ciała Stałego. Streszczenie rozprawy doktorskiej

Politechnika Gdańska Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej Katedra Fizyki Ciała Stałego. Streszczenie rozprawy doktorskiej Politechnika Gdańska Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej Katedra Fizyki Ciała Stałego Streszczenie rozprawy doktorskiej STRUKTURA I TRANSPORT ELEKTRYCZNY UKŁADU Li-Ti-O mgr inż. Marcin Łapiński

Bardziej szczegółowo

Indukcyjne czujniki zbliżeniowe Cylindrical threaded housing, IM12

Indukcyjne czujniki zbliżeniowe Cylindrical threaded housing, IM12 KATALOG ONLINE www.mysick.com Indukcyjne czujniki zbliżeniowe Cylindrical threaded housing, IM12 IM12-06BPS-NC1 Indukcyjne czujniki zbliżeniowe Cylindrical threaded housing, IM12 Nazwa modelu > IM12-06BPS-NC1

Bardziej szczegółowo

OBWODY DO BEZPRZEWODOWEGO PRZESYŁU ENERGII ELEKTRYCZNEJ BADANIA LABORATORYJNE

OBWODY DO BEZPRZEWODOWEGO PRZESYŁU ENERGII ELEKTRYCZNEJ BADANIA LABORATORYJNE ELEKTRYKA 2009 Zeszyt 4 (212) Rok LV Tomasz CIEŚLA Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki, Politechnika Śląska w Gliwicach OBWODY DO BEZPRZEWODOWEGO PRZESYŁU ENERGII ELEKTRYCZNEJ BADANIA

Bardziej szczegółowo

WYZNACZANIE WSPÓŁCZYNNIKÓW AERODYNAMICZNYCH RÓŻNYCH TYPÓW ŁOPAT WIRNIKA KARUZELOWEGO

WYZNACZANIE WSPÓŁCZYNNIKÓW AERODYNAMICZNYCH RÓŻNYCH TYPÓW ŁOPAT WIRNIKA KARUZELOWEGO PIOTR MATYS, MARCIN AUGUSTYN WYZNACZANIE WSPÓŁCZYNNIKÓW AERODYNAMICZNYCH RÓŻNYCH TYPÓW ŁOPAT WIRNIKA KARUZELOWEGO EXPERIMENTAL DETERMINATION OF AERODYNAMIC COEFFICIENTS OF DIFFERENT TYPES OF MERRY-GO-ROUND

Bardziej szczegółowo

Fotodetektor. Odpowiedź detektora światłowodowego. Nachylenie (czułość) ~0.9 ma/mw. nachylenie = czułość (ma/mw) Prąd wyjściowy (ma)

Fotodetektor. Odpowiedź detektora światłowodowego. Nachylenie (czułość) ~0.9 ma/mw. nachylenie = czułość (ma/mw) Prąd wyjściowy (ma) Detektory Prezentacja zawiera kopie folii omawianych na wykładzie. Niniejsze opracowanie chronione jest prawem autorskim. Wykorzystanie niekomercyjne dozwolone pod warunkiem podania źródła. Sergiusz Patela

Bardziej szczegółowo

Wprowadzenie do cytometrii przepływowej: co i jak mierzy cytometr

Wprowadzenie do cytometrii przepływowej: co i jak mierzy cytometr Fakultet: Cytometria zastosowanie w badaniach biologicznych Wprowadzenie do cytometrii przepływowej: co i jak mierzy cytometr Nadzieja Drela Zakład Immunologii WB UW ndrela@biol.uw.edu.pl FLOW = fluid

Bardziej szczegółowo

SEMESTR: uzupełniający, inżynierski

SEMESTR: uzupełniający, inżynierski PLAN STUDIÓW Załącznik nr 2 do ZW 1/2007 KIERUNEK:Chemia WYDZIAŁ: Chemiczny STUDIA: II stopnia, stacjonarne (4 semesters, is for candidates who possesses a BSc degree) SPECJALNOŚĆ: Medicinal RW 30.01.2008,

Bardziej szczegółowo

Tytuł System magazynowania ciepła na różnym poziomie temperatur. Krótki opis projektu: Short description of the project:

Tytuł System magazynowania ciepła na różnym poziomie temperatur. Krótki opis projektu: Short description of the project: Tytuł System magazynowania ciepła na różnym poziomie temperatur. Title of the project - System of the heat storage at different temperature level. Krótki opis projektu: Opracowanie systemu akumulacji ciepła

Bardziej szczegółowo

Czujniki pojemnościowe Cylindrical threaded housing, CM18

Czujniki pojemnościowe Cylindrical threaded housing, CM18 KATALOG ONLINE www.mysick.com Czujniki pojemnościowe Cylindrical threaded housing, CM18 CM18-12NPP-KWD Czujniki pojemnościowe Cylindrical threaded housing, CM18 Nazwa modelu > CM18-12NPP-KWD Numer części

Bardziej szczegółowo

ELEKTROCHEMICZNIE OTRZYMYWANE NANOSTRUKTURY ZŁOTA JAKO PODŁOŻA DLA ENZYMÓW

ELEKTROCHEMICZNIE OTRZYMYWANE NANOSTRUKTURY ZŁOTA JAKO PODŁOŻA DLA ENZYMÓW ELEKTROCHEMICZNIE OTRZYMYWANE NANOSTRUKTURY ZŁOTA JAKO PODŁOŻA DLA ENZYMÓW Aleksandra Pawłowska Pracownia Elektrochemii Promotor: dr hab. Barbara Pałys Tło - http://www.pgi.gov.pl/muzeum/kolekcja/zloto/guardon.jpg

Bardziej szczegółowo

MODELOWANIE WARSTWY POWIERZCHNIOWEJ O ZMIENNEJ TWARDOŚCI

MODELOWANIE WARSTWY POWIERZCHNIOWEJ O ZMIENNEJ TWARDOŚCI Dr inż. Danuta MIEDZIŃSKA, email: dmiedzinska@wat.edu.pl Dr inż. Robert PANOWICZ, email: Panowicz@wat.edu.pl Wojskowa Akademia Techniczna, Katedra Mechaniki i Informatyki Stosowanej MODELOWANIE WARSTWY

Bardziej szczegółowo

Struktura CMOS Click to edit Master title style

Struktura CMOS Click to edit Master title style Struktura CMOS Click to edit Master text styles warstwy izolacyjne (CVD) Second Level kontakt tlenek polowy (utlenianie podłoża) NMOS metal II metal I PWELL podłoże P PMOS NWELL przelotka (VIA) obszary

Bardziej szczegółowo

Parametry częstotliwościowe przetworników prądowych wykonanych w technologii PCB 1 HDI 2

Parametry częstotliwościowe przetworników prądowych wykonanych w technologii PCB 1 HDI 2 dr inż. ALEKSANDER LISOWIEC dr hab. inż. ANDRZEJ NOWAKOWSKI Instytut Tele- i Radiotechniczny Parametry częstotliwościowe przetworników prądowych wykonanych w technologii PCB 1 HDI 2 W artykule przedstawiono

Bardziej szczegółowo

2 913 Instytut Technologii Elektronowej Instytut Technologii Elektronowej Instytut Optoelektroniki Wojskowej Akademii Technicznej

2 913 Instytut Technologii Elektronowej Instytut Technologii Elektronowej Instytut Optoelektroniki Wojskowej Akademii Technicznej Lista doktorantów, którym przyznano stypendium w ramach II edycji projektu systemowego Samorządu Województwa Mazowieckiego pn. Potencjał naukowy wsparciem dla gospodarki Mazowsza stypendia dla doktorantów

Bardziej szczegółowo

BADANIE ROZKŁADÓW WŁAŚCIWOŚCI ELEKTRYCZNYCH I OPTYCZNYCH MONOKRYSZTAŁÓW GaP STOSOWANYCH W OPTYCE PODCZERWIENI

BADANIE ROZKŁADÓW WŁAŚCIWOŚCI ELEKTRYCZNYCH I OPTYCZNYCH MONOKRYSZTAŁÓW GaP STOSOWANYCH W OPTYCE PODCZERWIENI Badanie rozkkuładćiw właściwości elektrycznych i optyczn;ych.. BADANIE ROZKŁADÓW WŁAŚCIWOŚCI ELEKTRYCZNYCH I OPTYCZNYCH MONOKRYSZTAŁÓW GaP STOSOWANYCH W OPTYCE PODCZERWIENI Stanisława Strzelecka1, Andrzej

Bardziej szczegółowo

Klaster jako element infrastruktury wsparcia innowacyjności w jaki sposób wspiera on efektywność procesów komercjalizacji know-how

Klaster jako element infrastruktury wsparcia innowacyjności w jaki sposób wspiera on efektywność procesów komercjalizacji know-how Klaster jako element infrastruktury wsparcia innowacyjności w jaki sposób wspiera on efektywność procesów komercjalizacji know-how dr Katarzyna Kołacz Dlaczego na Mazowszu powstał OPTOKLASTER? Wyższe uczelnie

Bardziej szczegółowo

Elektroniczne przyrządy pomiarowe Kod przedmiotu

Elektroniczne przyrządy pomiarowe Kod przedmiotu Elektroniczne przyrządy pomiarowe - opis przedmiotu Informacje ogólne Nazwa przedmiotu Elektroniczne przyrządy pomiarowe Kod przedmiotu 06.5-WE-EP-EPP Wydział Kierunek Wydział Informatyki, Elektrotechniki

Bardziej szczegółowo

Nazwa uczelni/placówki naukowej. Instytut Chemii Fizycznej Polskiej Akademii Nauk, Zakład Fizykochemii Płynów i Miękkiej Materii

Nazwa uczelni/placówki naukowej. Instytut Chemii Fizycznej Polskiej Akademii Nauk, Zakład Fizykochemii Płynów i Miękkiej Materii Załącznik do uchwały Zarządu Województwa Mazowieckiego Nr 127/226/13 z dnia 22 stycznia 2013 r. Lista doktorantów, którym przyznano stypendium w ramach II edycji projektu systemowego Samorządu Województwa

Bardziej szczegółowo