Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur"

Transkrypt

1 Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 1 Instytut Technologii Elektronowej

2 ZESPÓŁ REALIZUJĄCY PROJEKT Z11 ITE Doc. dr hab. Henryk M. Przewłocki Kier. Zespołu Dr inż. T. Gutt Z-ca Kier. Zesp. Pomiary elektryczne Dr P. Borowicz Badania ramanowskie Mgr inż. W. Rzodkiewicz Badania optyczne (doktorant) Mgr inż. K. Piskorski Badania fotoelektryczne (doktorant) Mgr inż. T. Małachowski Pomiary elektryczne 5 osób: Technicy i pracownicy pomocniczy 2

3 SPECJALIZACJA Opracowywanie nowych metod charakteryzacji nanostruktur Zaawansowane badania nanostruktur opracowywanych lub wytwarzanych w czołowych ośrodkach naukowych świata AMO GmbH, Aachen Germany ACREO AB. Sweden European Center of Excellence NANOSIL CEA LETI France Tokyo Institute of Technology Japan LOT Oriel GmbH Germany Chalmers University of Technology Sweden Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki PW Instytut Technologii i Materiałów Elektronicznych 3

4 INFRASTRUKTURA Recently refurbished, air-conditioned (temperature 22±2 o C, humidity <40%), electrostatically grounded and shielded laboratory rooms New, state of the art, measurement equipment (Agilent, Woollam, Keithley, Tektronix, Signal Recovery, MonoVista, in-house) Three groups of characterization methods primarily developed and applied in the department: - Electrical - Photoelectrical - Optical 4

5 METODY ELEKTRYCZNE C(V), I(V), G(V) characteristics of high resolution and sensitivity Determination of equivalent circuit of a sample from impedance spectra by IS method Determination of interface traps energy distributions by Gp/ω=f(ω) method (conductance method) Standard and non-standard measurements of MOS capacitor/transistor/schottky diode electrical parameters CASCADE probes Agilent 4294A impedance meter and B1500 semiconductor analyzer Trap density and capture cross-section energy distributions 5

6 METODY FOTOELEKTRYCZNE Photoelectric methods primarily employed to determine energy band parameters of investigated structures: band offsets contact potential difference flat-band voltage trap parameters 0 distributions of electrical parameters local values over the characteristic areas of nanostructures Photo yield vs. energy Wydajność Y^1/p Energia kw antów hv [ev] Unique photo-electric measurement equipment SLPT measurement setup 6

7 METODY OPTYCZNE Optical investigations rely on the methods of spectroscopic ellipsometry, interferometry, reflectometry and Raman spectroscopy. thickness and optical characteristics of various layered structures distribution of mechanical stress chemical content in various objects in degrees Generated and Experimental Model Fit Exp E 65 Exp E Wavelength (nm) 12 Generated and Experimental 10 Model Fit Exp E 65 Exp E 70 Mono Vista Raman spectrometer Voollam VASE spectroscopic ellipsometer and Ψ spectra Ψ in degrees Wavelength (nm) 7

8 ZADANIA B+R 1. Lista zadań współrealizowanych przez zespół Zadanie 0.1 Zarządzanie projektem Zadanie 1.3 Charakteryzacja materiałów Zadanie 2.7 Charakteryzacja struktur Zadanie 4.6 Wykonanie i weryfikacja parametrów funkcjonalnych fotodetektora ultrafioletu na bazie heterozłacza AlGaN/GaN Zadanie 6.1 Promocja i upowszechnienie wyników 8

9 ZADANIA B+R 2. Powiązanie z innymi zadaniami/pakietami zadaniowymi Nasze prace prowadzone są przede wszystkim w ramach pakietu zadaniowego PZ1: Nowe materiały, w ramach którego współpracujemy z zespołami realizującymi zadania Z1.1 i Z1.2 oraz w ramach pakietu PZ2: Nowe moduły technologiczne, w ramach którego współpracujemy z zespołami realizującymi zadania Z2.1, Z2.2, Z2.3, Z2.4, Z2.5 i Z2.6. Osobą odpowiedzialną za całość problematyki charakteryzacji materiałów i struktur jest Prof. J. Szuber z Politechniki Śląskiej. 9

10 3. Wyniki dotychczasowych prac ZADANIA B+R Dotychczas wykonano badania dwu partii (AN1 i AN2) płytek ze strukturami MOS wykonanymi na podłożach SiC-4H. Płytki w tych partiach różniły się między sobą sposobem utleniania, natomiast partia AN2 różniła się tym od partii AN1, że poddana została dodatkowo wygrzewaniu pometalizacyjnemu (PMA). Sprawozdania zawierające wyniki pomiarów przekazano wytwórcom struktur. Aktualnie trwają jeszcze badania struktur z partii AN3 zawierającej struktury MOS z różnymi warstwami dielektrycznymi 10

11 4. Współpraca z innymi zespołami ZADANIA B+R Współpracę tę opisano w pkt. 2: Powiązanie z innymi zadaniami/pakietami zadaniowymi 11

12 PROMOCJA PROJEKTU Promocji projektu dotychczas nie prowadzono 11

InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur. II Spotkanie Realizatorów Projektu Warszawa maja 2009 r.

InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur. II Spotkanie Realizatorów Projektu Warszawa maja 2009 r. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun Politechnika Śląska (PŚl-2) ZESPÓŁ REALIZUJĄCY PROJEKT NAZWA: Politechnika

Bardziej szczegółowo

Z.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja. InTechFun

Z.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja. InTechFun Z.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa

Bardziej szczegółowo

I Konferencja. InTechFun

I Konferencja. InTechFun I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08

Bardziej szczegółowo

Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych

Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych Monika KWOKA, Jacek SZUBER Instytut Elektroniki Politechnika Śląska Gliwice PLAN PREZENTACJI 1. Podsumowanie dotychczasowych prac:

Bardziej szczegółowo

ZAKŁAD BADANIA STRUKTUR MOS

ZAKŁAD BADANIA STRUKTUR MOS ZAKŁAD BADANIA STRUKTUR MOS Kierownik: doc. dr hab. inż. Henryk M. PRZEWŁOCKI e-mail: hmp@ite.waw.pl, tel. (0-prefiks-22) 548 77 50 Zespół: doc. dr inż. Lech Borowicz, e-mail: lbor@ite.waw.pl, dr inż.

Bardziej szczegółowo

ZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH

ZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH ZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH Kierownik: dr hab. inż. Henryk M. PRZEWŁOCKI, prof. nadzw. w ITE e-mail: hmp@ite.waw.pl, tel. (0-22) 548 77 50, fax (0-22) 847 06 31 Zespół: dr Paweł

Bardziej szczegółowo

WARSZAWA LIX Zeszyt 257

WARSZAWA LIX Zeszyt 257 WARSZAWA LIX Zeszyt 257 SPIS TRE CI STRESZCZENIE... 9 WYKAZ SKRÓTÓW... 10 1. WPROWADZENIE... 13 2. MIKROSKOPIA SI ATOMOWYCH PODSTAWY... 17 2.1. Podstawy oddzia ywa ostrze próbka... 23 2.1.1. Modele fizyczne

Bardziej szczegółowo

I Konferencja. InTechFun

I Konferencja. InTechFun I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08

Bardziej szczegółowo

Marcin Miczek. Badania wpływu temperatury na właściwości elektronowe struktur metal/izolator/algan/gan

Marcin Miczek. Badania wpływu temperatury na właściwości elektronowe struktur metal/izolator/algan/gan Marcin Miczek Badania wpływu temperatury na właściwości elektronowe struktur metal/izolator/algan/gan grant MNiSW / NCN (39. konkurs) N N515 606339, PBU-91/RMF1/2010 21 IX 2010 20 III 2013 Zakład Fizyki

Bardziej szczegółowo

IDENTYFIKACJA I ANALIZA PARAMETRÓW GEOMETRYCZNYCH I MECHANICZNYCH KOŚCI MIEDNICZNEJ CZŁOWIEKA

IDENTYFIKACJA I ANALIZA PARAMETRÓW GEOMETRYCZNYCH I MECHANICZNYCH KOŚCI MIEDNICZNEJ CZŁOWIEKA POLITECHNIKA ŚLĄSKA ZESZYTY NAUKOWE Nr 1651 Antoni JOHN SUB Gottingen 7 217 780 458 2005 A 3012 IDENTYFIKACJA I ANALIZA PARAMETRÓW GEOMETRYCZNYCH I MECHANICZNYCH KOŚCI MIEDNICZNEJ CZŁOWIEKA Gliwice 2004

Bardziej szczegółowo

I Konferencja. InTechFun

I Konferencja. InTechFun I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA KOSZALIŃSKA. Zbigniew Suszyński. Termografia aktywna. modele, przetwarzanie sygnałów i obrazów

POLITECHNIKA KOSZALIŃSKA. Zbigniew Suszyński. Termografia aktywna. modele, przetwarzanie sygnałów i obrazów POLITECHNIKA KOSZALIŃSKA Zbigniew Suszyński Termografia aktywna modele, przetwarzanie sygnałów i obrazów KOSZALIN 2014 MONOGRAFIA NR 259 WYDZIAŁU ELEKTRONIKI I INFORMATYKI ISSN 0239-7129 ISBN 987-83-7365-325-2

Bardziej szczegółowo

Wieloparametryczna klasyfikacja właściwości użytkowych biopaliw ciekłych optymalizacja głowicy sensora

Wieloparametryczna klasyfikacja właściwości użytkowych biopaliw ciekłych optymalizacja głowicy sensora Wieloparametryczna klasyfikacja właściwości użytkowych biopaliw ciekłych optymalizacja głowicy sensora 1. Michał Borecki, Jan Szmidt, Piotr Doroz, Paweł Pszczółkowski, 2. Mariusz Duk, Andrzej Kociubiński,

Bardziej szczegółowo

Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC

Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC Mariusz Sochacki 1, Norbert Kwietniewski 1, Andrzej Taube 1,2, Krystian Król 1, Jan Szmidt

Bardziej szczegółowo

I Konferencja. InTechFun

I Konferencja. InTechFun I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08

Bardziej szczegółowo

Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii

Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii sprawozdanie za okres I 2010 XII 2011 Prof. dr hab. Jan Misiewicz www.cmzin.pwr.wroc.pl Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii (CMZiN) Jest

Bardziej szczegółowo

Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych.

Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun Numer Projektu WND-POIG.01.03.01-00-159/08-00 Instytut Technologii

Bardziej szczegółowo

Zawsze po słonecznej stronie 2016 PROFIL FIRMY

Zawsze po słonecznej stronie 2016 PROFIL FIRMY Zawsze po słonecznej stronie 2016 PROFIL FIRMY Spis treści O FIRMIE EGING PV -Wstęp -BNEF Top 10 PRODUKCJA - Sztabka krzemowa - Płytka krzemowa - Ogniwo fotowoltaiczne - Panel fotowoltaiczny Technologia

Bardziej szczegółowo

I Konferencja. InTechFun

I Konferencja. InTechFun I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08

Bardziej szczegółowo

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11)

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 165024 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 290701 (22) Data zgłoszenia: 17.06.1991 (51) IntCl5: H01L 21/66 H01L

Bardziej szczegółowo

INSPECTION METHODS FOR QUALITY CONTROL OF FIBRE METAL LAMINATES IN AEROSPACE COMPONENTS

INSPECTION METHODS FOR QUALITY CONTROL OF FIBRE METAL LAMINATES IN AEROSPACE COMPONENTS Kompozyty 11: 2 (2011) 130-135 Krzysztof Dragan 1 * Jarosław Bieniaś 2, Michał Sałaciński 1, Piotr Synaszko 1 1 Air Force Institute of Technology, Non Destructive Testing Lab., ul. ks. Bolesława 6, 01-494

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA ŚLĄSKA INSTYTUT AUTOMATYKI ZAKŁAD SYSTEMÓW POMIAROWYCH

POLITECHNIKA ŚLĄSKA INSTYTUT AUTOMATYKI ZAKŁAD SYSTEMÓW POMIAROWYCH POLITECHNIKA ŚLĄSKA INSTYTUT AUTOMATYKI ZAKŁAD SYSTEMÓW POMIAROWYCH Gliwice, wrzesień 2005 Pomiar napięcia przemiennego Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zbadanie dokładności woltomierza cyfrowego dla

Bardziej szczegółowo

InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych

InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun Politechnika Śląska Politechnika Śląska w Projekcie InTechFun:

Bardziej szczegółowo

Fotodetektor ultrafioletu na bazie struktur metal/izolator/gan i AlGaN/GaN

Fotodetektor ultrafioletu na bazie struktur metal/izolator/gan i AlGaN/GaN Fotodetektor ultrafioletu na bazie struktur metal/izolator/gan i AlGaN/GaN Z3.7 Z2.6 (model charakteryzacja), Z7 (aparatura), Z4 (demonstrator) model, projekt, charakteryzacja grupa PSl-3 B. Adamowicz

Bardziej szczegółowo

DETECTION OF MATERIAL INTEGRATED CONDUCTORS FOR CONNECTIVE RIVETING OF FUNCTION-INTEGRATIVE TEXTILE-REINFORCED THERMOPLASTIC COMPOSITES

DETECTION OF MATERIAL INTEGRATED CONDUCTORS FOR CONNECTIVE RIVETING OF FUNCTION-INTEGRATIVE TEXTILE-REINFORCED THERMOPLASTIC COMPOSITES Kompozyty 11: 2 (2011) 152-156 Werner A. Hufenbach, Frank Adam, Maik Gude, Ivonne Körner, Thomas Heber*, Anja Winkler Technische Universität Dresden, Institute of Lightweight Engineering and Polymer Technology

Bardziej szczegółowo

BADANIA ELEKTROMAGNESÓW NADPRZEWODNIKOWYCH W PROCESIE ICH WYTWARZANIA I EKSPLOATACJI

BADANIA ELEKTROMAGNESÓW NADPRZEWODNIKOWYCH W PROCESIE ICH WYTWARZANIA I EKSPLOATACJI INSTYTUT ELEKTROTECHNIKI Janusz KOZAK BADANIA ELEKTROMAGNESÓW NADPRZEWODNIKOWYCH W PROCESIE ICH WYTWARZANIA I EKSPLOATACJI Prace Instytutu Elektrotechniki zeszyt 265, 2014 SPIS TRE CI STRESZCZENIE... 9

Bardziej szczegółowo

ZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH

ZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH ZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH Kierownik: Zespół: dr hab. inż. Henryk M. PRZEWŁOCKI, prof. nadzw. w ITE e-mail: hmp@ite.waw.pl, tel. (22) 548 77 50, fax (22) 847 06 31 dr Paweł Borowicz,

Bardziej szczegółowo

Samoorganizujące się nanokompozyty na bazie metali przejściowych w GaN i ZnO

Samoorganizujące się nanokompozyty na bazie metali przejściowych w GaN i ZnO Samoorganizujące się nanokompozyty na bazie metali przejściowych w GaN i ZnO M. Sawicki, S. Dobkowska, W. Stefanowicz, D. Sztenkiel, T. Dietl Instytut Fizyki PAN, Warszawa Pakiet zadaniowy: PZ2. Lider:

Bardziej szczegółowo

Grafen materiał XXI wieku!?

Grafen materiał XXI wieku!? Grafen materiał XXI wieku!? Badania grafenu w aspekcie jego zastosowań w sensoryce i metrologii Tadeusz Pustelny Plan prezentacji: 1. Wybrane właściwości fizyczne grafenu 2. Grafen materiał 21-go wieku?

Bardziej szczegółowo

THEORETICAL STUDIES ON CHEMICAL SHIFTS OF 3,6 DIIODO 9 ETHYL 9H CARBAZOLE

THEORETICAL STUDIES ON CHEMICAL SHIFTS OF 3,6 DIIODO 9 ETHYL 9H CARBAZOLE THEORETICAL STUDIES ON CHEMICAL SHIFTS OF 3,6 DIIODO 9 ETHYL 9H CARBAZOLE Teobald Kupkaa, Klaudia Radula-Janika, Krzysztof Ejsmonta, Zdzisław Daszkiewicza, Stephan P. A. Sauerb a Faculty of Chemistry,

Bardziej szczegółowo

ZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH

ZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH ZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH Kierownik: Zespół: dr hab. inż. Henryk M. PRZEWŁOCKI, prof. nadzw. w ITE e-mail: hmp@ite.waw.pl, tel. (22) 548 77 50, fax (22) 847 06 31 dr Paweł Borowicz,

Bardziej szczegółowo

promotor dr hab. inż. Janusz Marzec, prof. Politechniki Warszawskiej

promotor dr hab. inż. Janusz Marzec, prof. Politechniki Warszawskiej Politechnika Warszawska Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych Warszawa, 25 października 2016 r. D z i e k a n a t Uprzejmie informuję, że na Wydziale Elektroniki i Technik Informacyjnych Politechniki

Bardziej szczegółowo

Spektroskopia Ramanowska

Spektroskopia Ramanowska Spektroskopia Ramanowska Część A 1.Krótki wstęp historyczny 2.Oddziaływanie światła z osrodkiem materialnym (rozpraszanie światła) 3.Opis klasyczny zjawiska Ramana 4. Widmo ramanowskie. 5. Opis półklasyczny

Bardziej szczegółowo

I Konferencja. InTechFun

I Konferencja. InTechFun I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08

Bardziej szczegółowo

Gdańsk, 16 grudnia 2010

Gdańsk, 16 grudnia 2010 POLITECHNIKA GDAŃSKA Centrum Zawansowanych Technologii Pomorze ul. Al. Zwycięstwa 27 80-233 Gdańsk prof. dr hab. inż. Andrzej Zieliński tel. 58 348 63 57 fax. 58 347 14 15 Przewodniczący Rady Koordynator

Bardziej szczegółowo

Fotoprzekaźniki W9 Laser, Fotoprzekaźnik refleksyjny, Standard optics

Fotoprzekaźniki W9 Laser, Fotoprzekaźnik refleksyjny, Standard optics KATALOG ONLINE www.mysick.com Fotoprzekaźniki W9 Laser, Fotoprzekaźnik refleksyjny, Standard optics WL9L-P430 Fotoprzekaźniki W9 Laser, Fotoprzekaźnik refleksyjny, Standard optics Nazwa modelu > WL9L-P430

Bardziej szczegółowo

ESCA+AES Electron Spectroscopy for Chemical Analysis + Auger Electron Spectroscopy

ESCA+AES Electron Spectroscopy for Chemical Analysis + Auger Electron Spectroscopy ESCA+AES Electron Spectroscopy for Chemical Analysis + Auger Electron Spectroscopy Badanie składu chemicznego powierzchni z wykorzystaniem elektronów ESCA zasada metody Electron Spectroscopy for Chemical

Bardziej szczegółowo

XIII Seminarium Naukowe "Inżynierskie zastosowania technologii informatycznych"

XIII Seminarium Naukowe Inżynierskie zastosowania technologii informatycznych XIII Seminarium Naukowe "Inżynierskie zastosowania technologii informatycznych" W dniu 25.05.2017 odbyło się XIII Seminarium Naukowe Inżynierskie zastosowania technologii informatycznych. Organizatorzy

Bardziej szczegółowo

Dr hab. inż. Dariusz BOROŃSKI, prof. nadzw. UTP 1. Miejsce pracy: 2. Dyscyplina: 3. Specjalność: 4. Zainteresowania naukowe:

Dr hab. inż. Dariusz BOROŃSKI, prof. nadzw. UTP 1. Miejsce pracy: 2. Dyscyplina: 3. Specjalność: 4. Zainteresowania naukowe: Imię i nazwisko: Dr hab. inż. Dariusz BOROŃSKI, prof. nadzw. UTP 1. Miejsce pracy: Zakład Podstaw Konstrukcji Maszyn, Instytut Mechaniki i Konstrukcji Maszyn, Wydział Inżynierii Mechanicznej 2. Dyscyplina:

Bardziej szczegółowo

Politechnika Lubelska Jerzy Warmiński Katedra Mechaniki Stosowanej

Politechnika Lubelska Jerzy Warmiński Katedra Mechaniki Stosowanej Aeronet Dolina Lotnicza Rzeszów 19-20 lipca 2007 Informacja o realizowanych i planowanych projektach badawczych oraz przewidywane kierunki badań Politechnika Lubelska Jerzy Warmiński Katedra Mechaniki

Bardziej szczegółowo

Zastosowanie spektroskopii EPR do badania wolnych rodników generowanych termicznie w drotawerynie

Zastosowanie spektroskopii EPR do badania wolnych rodników generowanych termicznie w drotawerynie Zastosowanie spektroskopii EPR do badania wolnych rodników generowanych termicznie w drotawerynie Paweł Ramos, Barbara Pilawa, Maciej Adamski STRESZCZENIE Katedra i Zakład Biofizyki Wydziału Farmaceutycznego

Bardziej szczegółowo

Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii

Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii sprawozdanie za okres X 2008 XII 2009 Prof. dr hab. Jan Misiewicz www.cmzin.pwr.wroc.pl Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii (CMZiN) Jest

Bardziej szczegółowo

Conception of reuse of the waste from onshore and offshore in the aspect of

Conception of reuse of the waste from onshore and offshore in the aspect of Conception of reuse of the waste from onshore and offshore in the aspect of environmental protection" Koncepcja zagospodarowania odpadów wiertniczych powstających podczas wierceń lądowych i morskich w

Bardziej szczegółowo

Włókno G.657A2! mniejszy promieo gięcia od kabli z włóknami G.657A1

Włókno G.657A2! mniejszy promieo gięcia od kabli z włóknami G.657A1 04 Kable FTTH serii OPTI-BEND Włókno G.657A2! mniejszy promieo gięcia od kabli z włóknami G.657A1 Seria kabli OPTI-BEND to światłowodowe kable FTTH przeznaczony dla sieci FTTH (Fiber To The Home). Zawierają

Bardziej szczegółowo

AUTOREFERAT 1. Działalność naukowa i w zakresie rozwoju kadry, w tym tworzenia szkoły naukowej.

AUTOREFERAT 1. Działalność naukowa i w zakresie rozwoju kadry, w tym tworzenia szkoły naukowej. Prof.dr hab.inż Jan Szmidt Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Warszawa, 10.02.2012r. AUTOREFERAT 1. Działalność naukowa i w zakresie rozwoju kadry,

Bardziej szczegółowo

BADANIE I ANALIZA WYPADKOWEGO ROZKŁADU WIDMOWEGO PROMIENIOWANIA LAMP HALOGENOWYCH I KSENONOWYCH 1. WPROWADZENIE

BADANIE I ANALIZA WYPADKOWEGO ROZKŁADU WIDMOWEGO PROMIENIOWANIA LAMP HALOGENOWYCH I KSENONOWYCH 1. WPROWADZENIE POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADEMIC JOURNALS No 73 Electrical Engineering 2013 Joanna RATAJCZAK* Grzegorz WICZYŃSKI* Konrad DOMKE* BADANIE I ANALIZA WYPADKOWEGO ROZKŁADU WIDMOWEGO PROMIENIOWANIA

Bardziej szczegółowo

Grafen materiał XXI wieku!?

Grafen materiał XXI wieku!? Grafen materiał XXI wieku!? Badania grafenu w aspekcie jego zastosowań w fotowoltaice, sensoryce i metrologii Tadeusz Pustelny Plan prezentacji: 1. Wybrane właściwości fizyczne grafenu 2. Grafen materiał

Bardziej szczegółowo

OTRZYMYWANIE KOMPOZYTÓW METALOWO-CERAMICZNYCH METODAMI PLAZMOWYMI

OTRZYMYWANIE KOMPOZYTÓW METALOWO-CERAMICZNYCH METODAMI PLAZMOWYMI KOMPOZYTY (COMPOSITES) 1(21)1 Władysław Włosiński 1, Tomasz Chmielewski 2 Politechnika Warszawska, Instytut Technologii Materiałowych, ul. Narbutta 85, 2-542 Warszawa OTRZYMYWANIE KOMPOZYTÓW METALOWO-CERAMICZNYCH

Bardziej szczegółowo

WPŁYW MOCOWANIA ELEMENTU PÓŁPRZEWODNIKOWEGO NA JEGO PRZEJŚCIOWĄ IMPEDANCJĘ TERMICZNĄ

WPŁYW MOCOWANIA ELEMENTU PÓŁPRZEWODNIKOWEGO NA JEGO PRZEJŚCIOWĄ IMPEDANCJĘ TERMICZNĄ ELEKTRYKA 2014 Zeszyt 1 (229) Rok LX Krzysztof GÓRECKI, Janusz ZARĘBSKI Akademia Morska w Gdyni WPŁYW MOCOWANIA ELEMENTU PÓŁPRZEWODNIKOWEGO NA JEGO PRZEJŚCIOWĄ IMPEDANCJĘ TERMICZNĄ Streszczenie. W pracy

Bardziej szczegółowo

dr inż. Piotr Wroczyński kierownik dr inż. Marcin Gnyba zca. kierownika Katedra Optoelektroniki i Systemów Elektronicznych PG

dr inż. Piotr Wroczyński kierownik dr inż. Marcin Gnyba zca. kierownika Katedra Optoelektroniki i Systemów Elektronicznych PG dr inż. Piotr Wroczyński kierownik dr inż. Marcin Gnyba zca. kierownika Katedra Optoelektroniki i Systemów Elektronicznych PG POLITECHNIKA GDAŃSKA Centrum Zawansowanych Technologii Pomorze ul. Al. Zwycięstwa

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM POMIARÓW ELEMENTÓW I UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH

LABORATORIUM POMIARÓW ELEMENTÓW I UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADE MIC JOURNALS No 76 Electrical Engineering 2013 Damian BISEWSKI* Janusz ZARĘBSKI* LABORATORIUM POMIARÓW ELEMENTÓW I UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH W pracy zaprezentowano

Bardziej szczegółowo

Sprawozdanie za rok 2005/2006

Sprawozdanie za rok 2005/2006 Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii www.cmzin.pwr.wroc.pl Sprawozdanie za rok 2005/2006 Rada naukowa CMZiN Prof. dr hab. Tadeusz Luty Prof. dr hab. Juliusz Sworakowski - z-ca kierownika

Bardziej szczegółowo

SESJA PLAKATOWA I wtorek 23.06.2009, godz. 17:30 19:30

SESJA PLAKATOWA I wtorek 23.06.2009, godz. 17:30 19:30 SESJA PLAKATOWA I wtorek 23.06.2009, godz. 17:30 19:30 Nr plakatu P1 Bartnik P2 ukasz Bober P3 Lech Borowicz P4 Micha³ Byrczek P5 Joanna Cabaj P6 Piotr Caban P7 Piotr Caban P8 Jerzy Ciosek P9 Cezary Czosnek

Bardziej szczegółowo

Centrum Zaawansowanych Materiałów i Technologii CEZAMAT

Centrum Zaawansowanych Materiałów i Technologii CEZAMAT Centrum Zaawansowanych Materiałów i Technologii CEZAMAT Beneficjentem jest Politechnika Warszawska w imieniu Konsorcjum, którego członkami są: PW, UW, WAT, IChF PAN, IF PAN, IPPT PAN, IWC PAN, ITME Biuro

Bardziej szczegółowo

PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF VEHICLES 2(106)/2016 (12 pt)

PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF VEHICLES 2(106)/2016 (12 pt) PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF VEHICLES 2(106)/2016 Maciej Foremny 1, Szymon Gudowski 2, Michał Malesza 3, Henryk Bąkowski 4 TRIBOLOGICAL WEAR ESTIMATION OF THE ENGINE OILS USED IN DRIFTING 1. Introduction

Bardziej szczegółowo

Materiałowe i technologiczne uwarunkowania stanu naprężeń własnych i anizotropii wtórnej powłok cylindrycznych wytłaczanych z polietylenu

Materiałowe i technologiczne uwarunkowania stanu naprężeń własnych i anizotropii wtórnej powłok cylindrycznych wytłaczanych z polietylenu POLITECHNIKA ŚLĄSKA ZESZYTY NAUKOWE NR 1676 SUB Gottingen 7 217 872 077 Andrzej PUSZ 2005 A 12174 Materiałowe i technologiczne uwarunkowania stanu naprężeń własnych i anizotropii wtórnej powłok cylindrycznych

Bardziej szczegółowo

studia na WETI PG na kierunku elektronika i telekomunikacja

studia na WETI PG na kierunku elektronika i telekomunikacja Dlaczego warto podjąć studia na WETI PG na kierunku elektronika i telekomunikacja Wydział Elektroniki, Telekomunikacji i Informatyki Politechniki Gdańskiej 1 Kierunek EiT a Hi-Tech i ICT Technologie układów

Bardziej szczegółowo

CENTRUM CZYSTYCH TECHNOLOGII WĘGLOWYCH CLEAN COAL TECHNOLOGY CENTRE. ... nowe możliwości. ... new opportunities

CENTRUM CZYSTYCH TECHNOLOGII WĘGLOWYCH CLEAN COAL TECHNOLOGY CENTRE. ... nowe możliwości. ... new opportunities CENTRUM CZYSTYCH TECHNOLOGII WĘGLOWYCH CLEAN COAL TECHNOLOGY CENTRE... nowe możliwości... new opportunities GŁÓWNY INSTYTUT GÓRNICTWA fluidalnym przy ciśnieniu maksymalnym 5 MPa, z zastosowaniem różnych

Bardziej szczegółowo

Ogniwa fotowoltaiczne

Ogniwa fotowoltaiczne Ogniwa fotowoltaiczne Efekt fotowoltaiczny: Ogniwo słoneczne Symulacja http://www.redarc.com.au/solar/about/solarpanels/ Historia 1839: Odkrycie efektu fotowoltaicznego przez francuza Alexandre-Edmond

Bardziej szczegółowo

ZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH

ZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH ZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH Kierownik: Zespół: dr hab. inż. Henryk M. PRZEWŁOCKI, prof. nadzw. w ITE e-mail: hmp@ite.waw.pl, tel. (0-22 )548 77 50, fax (0-22) 847 06 31 dr Paweł

Bardziej szczegółowo

Przedsiębiorczy doktorant - wsparcie dla badań rozwojowych w firmach Dr inż. Janusz Rzepka

Przedsiębiorczy doktorant - wsparcie dla badań rozwojowych w firmach Dr inż. Janusz Rzepka Przedsiębiorczy doktorant - wsparcie dla badań rozwojowych w firmach Dr inż. Janusz Rzepka Lasertex Sp. z o. o. Założona 15.03.1989 przez trzech pracowników Politechniki Wrocławskiej 2001 Nagroda Prezesa

Bardziej szczegółowo

PV-NMS-NET. Wsparcie rozwoju fotowoltaiki w nowych paostwach członkowskich UE IEE/07/809/SI2.499719. Czas trwania: 36 miesięcy

PV-NMS-NET. Wsparcie rozwoju fotowoltaiki w nowych paostwach członkowskich UE IEE/07/809/SI2.499719. Czas trwania: 36 miesięcy PV-NMS-NET Wsparcie rozwoju fotowoltaiki w nowych paostwach członkowskich UE IEE/07/809/SI2.499719 Czas trwania: 36 miesięcy Koordynator: Stanislaw M. Pietruszko Politechnika Warszawska Cele projektu Stworzenie

Bardziej szczegółowo

Equipment for ultrasound disintegration of sewage sludge disseminated within the Record Biomap project (Horizon 2020)

Equipment for ultrasound disintegration of sewage sludge disseminated within the Record Biomap project (Horizon 2020) Research Coordination for a Low-Cost Biomethane Production at Small and Medium Scale Applications, akronim Record Biomap Equipment for ultrasound disintegration of sewage sludge disseminated within the

Bardziej szczegółowo

TEMATY PROJEKTÓW DYPLOMOWYCH INŻYNIERSKICH

TEMATY PROJEKTÓW DYPLOMOWYCH INŻYNIERSKICH TEMATY PROJEKTÓW DYPLOMOWYCH INŻYNIERSKICH na rok akademicki 2014/2015 Katedra Metrologii i Optoelektroniki Profil: Optoelektronika w języku Monitoring wizyjny przebiegu procesu CVD Video monitoring of

Bardziej szczegółowo

Inverse problems - Introduction - Probabilistic approach

Inverse problems - Introduction - Probabilistic approach Inverse problems - Introduction - Probabilistic approach Wojciech Dȩbski Instytut Geofizyki PAN debski@igf.edu.pl Wydział Fizyki UW, 13.10.2004 Wydział Fizyki UW Warszawa, 13.10.2004 (1) Plan of the talk

Bardziej szczegółowo

Specyfikacja istotnych warunków zamówienia publicznego

Specyfikacja istotnych warunków zamówienia publicznego INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII NAUK PL - 02-668 WARSZAWA, AL. LOTNIKÓW 32/46 Tel. (48-22) 843 66 01 Fax. (48-22) 843 09 26 REGON: P-000326061, NIP: 525-000-92-75 DZPIE/004/2010 Specyfikacja istotnych

Bardziej szczegółowo

Regionalny Dyrektor Ochrony Środowiska ul. 28 czerwca 1956 Poznań

Regionalny Dyrektor Ochrony Środowiska ul. 28 czerwca 1956 Poznań CENTRALNA GRUPA ENERGETYCZNA S.A. Konin, dnia 15-09-2014 62-510 Konin, Spółdzielców 3 Tel: +48 606 877 966 / +48 63 2406859 e-mail: sekretariat@cgesa.pl Regionalny Dyrektor Ochrony Środowiska ul. 28 czerwca

Bardziej szczegółowo

PROMIENIOWANIE WIDZIALNE ŁUKU SPAWALNICZEGO METODY TIG

PROMIENIOWANIE WIDZIALNE ŁUKU SPAWALNICZEGO METODY TIG 86/21 ARCHIWUM ODLEWNICTWA Rok 2006, Rocznik 6, Nr 21(2/2) ARCHIVES OF FOUNDARY Year 2006, Volume 6, Nº 21 (2/2) PAN Katowice PL ISSN 1642-5308 PROMIENIOWANIE WIDZIALNE ŁUKU SPAWALNICZEGO METODY TIG M.

Bardziej szczegółowo

INFLUENCE OF MATERIAL PROPERTIES ON PARAMETERS OF SILICON SOLAR CELLS *

INFLUENCE OF MATERIAL PROPERTIES ON PARAMETERS OF SILICON SOLAR CELLS * Inluence of material properties on parameters of silicon solar cells PL ISSN 0209-0058 MATERIAŁY ELEKTRONICZNE T. 36-2008 NR 4 INFLUENCE OF MATERIAL PROPERTIES ON PARAMETERS OF SILICON SOLAR CELLS * Barbara

Bardziej szczegółowo

ZASTOSOWANIE SPEKTROFOTOMETRU OPTYCZNEGO DO BADANIA WIDM SYGNAŁÓW OPTYCZNYCH EMITOWANYCH PRZEZ WYŁADOWANIA NIEZUPEŁNE W OLEJU IZOLACYJNYM

ZASTOSOWANIE SPEKTROFOTOMETRU OPTYCZNEGO DO BADANIA WIDM SYGNAŁÓW OPTYCZNYCH EMITOWANYCH PRZEZ WYŁADOWANIA NIEZUPEŁNE W OLEJU IZOLACYJNYM POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADE MIC JOURNALS No 82 Electrical Engineering 2015 Michał KOZIOŁ* ZASTOSOWANIE SPEKTROFOTOMETRU OPTYCZNEGO DO BADANIA WIDM SYGNAŁÓW OPTYCZNYCH EMITOWANYCH PRZEZ WYŁADOWANIA

Bardziej szczegółowo

ń ę ń ę ń ę ń ę ę ę ę ę ź ń ź Ś ę Ł ń ę ę ń ę ń ę ę ę ę ę ę ź ę ę Ż ę ŚĆ ę Ż ń ń ę ń ę ę ę ę ę ź ę ę Ś Ś Ś Ś ź ę ń ę ę Ź ń Ś Ś ę ń ę ę ę ę ę ź ń ŚĆ Ś ń ń ń Ą ń ę ę ŚĆ ę Ż ę ń ę ę ę ę ę ź ń Ś Ś ź Ś Ł ę

Bardziej szczegółowo

Instytut W5/I-7 Zestawienie Kart przedmiotów Wrocław, 2012-11-17

Instytut W5/I-7 Zestawienie Kart przedmiotów Wrocław, 2012-11-17 ARR021302 Obwody elektryczne Electric circuits ELR021306 energii Renewable Energy Sources ELR021312 Fotowoltaika stosowana Applied photovoltaics ELR021315 Ogniwa fotowoltaiczne Photovoltaic Cells.. Odnawialne

Bardziej szczegółowo

Zastosowanie kamery termowizyjnej i spektrometru do badania filtrów w zakresie MWIR

Zastosowanie kamery termowizyjnej i spektrometru do badania filtrów w zakresie MWIR Zastosowanie kamery termowizyjnej i spektrometru do badania filtrów w zakresie MWIR The application of thermal imaging camera and spectrometer to research of filters in the MWIR range Michał Kopeć Zakład

Bardziej szczegółowo

Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków, ul. Reymonta 25

Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków, ul. Reymonta 25 Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, 30059 Kraków, ul. Reymonta 25 Tel.: (012) 295 28 12, p. 212; (012) 295 28 22, p. 203 (lab.), fax: (012) 295 28 04 email: h.kazimierczak@imim.pl

Bardziej szczegółowo

Termiczny model tranzystora HEMT na podłożu GaN/SiC

Termiczny model tranzystora HEMT na podłożu GaN/SiC Termiczny model tranzystora HEMT na podłożu GaN/SiC Paweł Kopyt, Daniel Gryglewski, Wojciech Wojtasiak, Wojciech Gwarek Instytut Radioelektroniki, Politechnika Warszawska ul. Nowowiejska 5/9, 00-665 Warszawa

Bardziej szczegółowo

2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 [Nm] 400 380 360 340 320 300 280 260 240 220 200 180 160 140 120 156 PS 143 PS 100 1000 1500 2000 2500 3000 3500 RPM [kw] [PS] 120 163 110 150 100 136

Bardziej szczegółowo

1 2 3 4 5 A B 6 7 8 9 [Nm] 370 350 330 310 [kw] [PS] 110 150 100 136 90 122 290 270 250 230 210 190 80 70 60 50 109 95 82 68 170 150 40 54 130 110 90 140 PS 100 PS 125 PS 30 20 41 27 70 1000 1500 2000

Bardziej szczegółowo

2 59 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 [Nm] [kw] [PS] [Nm] [kw] [PS] 350 100 136 400 120 163 330 380 90 122 110 150 310 360 100 136 290 80 109 340 270 320 90 122 70 95 250 300 80

Bardziej szczegółowo

2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 [Nm] [kw] [PS] [Nm] [kw] [PS] 350 100 136 400 120 163 330 380 90 122 110 150 310 360 100 136 290 80 109 340 270 320 90 122 70 95 250 300 80 109 230 60 82 280 70 95 210 260 50 68 60

Bardziej szczegółowo

POJAZDY DO PRZEWOZU OSÓB FORD TRANSIT + FORD TOURNEO CV_Transit_MBus_2011_75_V2_Cover_3MM.indd 1 20/07/2011 14:26

POJAZDY DO PRZEWOZU OSÓB FORD TRANSIT + FORD TOURNEO CV_Transit_MBus_2011_75_V2_Cover_3MM.indd 1 20/07/2011 14:26 1 2 3 4 5 7 A B 9 11 [Nm] 370 350 330 [kw] [PS] 110 150 100 136 310 90 122 290 270 80 109 250 70 95 230 210 60 82 190 50 68 170 150 40 54 130 110 90 140 PS 125 PS 100 PS 30 20 41 27 70 1000 1500 2000 2500

Bardziej szczegółowo

1 2 3 4 5 6 7 A B 8 9 10 11 [Nm] 370 350 330 [kw] [PS] 110 150 100 136 310 90 122 290 270 80 109 250 70 95 230 210 60 82 190 50 68 170 150 40 54 130 110 90 140 PS 100 PS 125 PS 30 20 41 27 70 1000 1500

Bardziej szczegółowo

STANOWISKO DO POMIARU ROZKŁADU WIDMOWEGO PROMIENIOWANIA LAMP KSENONOWYCH

STANOWISKO DO POMIARU ROZKŁADU WIDMOWEGO PROMIENIOWANIA LAMP KSENONOWYCH POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADE MIC JOURNALS No 73 Electrical Engineering 2013 Joanna RATAJCZAK* Grzegorz WICZYŃSKI* Konrad DOMKE* STANOWISKO DO POMIARU ROZKŁADU WIDMOWEGO PROMIENIOWANIA LAMP KSENONOWYCH

Bardziej szczegółowo

PILIS SN MIIT.TERLAAŁY ELEKTRONICZNE T NR 4

PILIS SN MIIT.TERLAAŁY ELEKTRONICZNE T NR 4 PILIS SN 0209-0058 MIIT.TERLAAŁY ELEKTRONICZNE T. 36-2008 NR 4 EVALUATION OF ELECTRICAL PROPERTIES OF Eu AND Pd-DOPED TITANIUM DIOXIDE THIN FILMS DEPOSITED ON SILICON * Eugeniusz L. Prociow 1, Jarosław

Bardziej szczegółowo

WPŁYW ODKSZTAŁCENIA WZGLĘDNEGO NA WSKAŹNIK ZMNIEJSZENIA CHROPOWATOŚCI I STOPIEŃ UMOCNIENIA WARSTWY POWIERZCHNIOWEJ PO OBRÓBCE NAGNIATANEM

WPŁYW ODKSZTAŁCENIA WZGLĘDNEGO NA WSKAŹNIK ZMNIEJSZENIA CHROPOWATOŚCI I STOPIEŃ UMOCNIENIA WARSTWY POWIERZCHNIOWEJ PO OBRÓBCE NAGNIATANEM Tomasz Dyl Akademia Morska w Gdyni WPŁYW ODKSZTAŁCENIA WZGLĘDNEGO NA WSKAŹNIK ZMNIEJSZENIA CHROPOWATOŚCI I STOPIEŃ UMOCNIENIA WARSTWY POWIERZCHNIOWEJ PO OBRÓBCE NAGNIATANEM W artykule określono wpływ odkształcenia

Bardziej szczegółowo

Wpływ temperatury podłoża na właściwości powłok DLC osadzanych metodą rozpylania katod grafitowych łukiem impulsowym

Wpływ temperatury podłoża na właściwości powłok DLC osadzanych metodą rozpylania katod grafitowych łukiem impulsowym Dotacje na innowacje Wpływ temperatury podłoża na właściwości powłok DLC osadzanych metodą rozpylania katod grafitowych łukiem impulsowym Viktor Zavaleyev, Jan Walkowicz, Adam Pander Politechnika Koszalińska

Bardziej szczegółowo

Wykorzystanie oprogramowania Lumerical MODE

Wykorzystanie oprogramowania Lumerical MODE Wykorzystanie oprogramowania Lumerical MODE Elżbieta Bereś-Pawlik Katedra Radiokomunikacji i Teleinformatyki Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki Politechniki Wrocławskiej ul. Wybrzeże

Bardziej szczegółowo

DM-ML, DM-FL. Auxiliary Equipment and Accessories. Damper Drives. Dimensions. Descritpion

DM-ML, DM-FL. Auxiliary Equipment and Accessories. Damper Drives. Dimensions. Descritpion DM-ML, DM-FL Descritpion DM-ML and DM-FL actuators are designed for driving round dampers and square multi-blade dampers. Example identification Product code: DM-FL-5-2 voltage Dimensions DM-ML-6 DM-ML-8

Bardziej szczegółowo

MULTI-MODEL PROJECTION OF TEMPERATURE EXTREMES IN POLAND IN

MULTI-MODEL PROJECTION OF TEMPERATURE EXTREMES IN POLAND IN MULTI-MODEL PROJECTION OF TEMPERATURE EXTREMES IN POLAND IN 2021-2050 Joanna Jędruszkiewicz Department of Meteorology and Climatology University of Lodz, Poland jjedruszkiewicz@gmail.com Funded by grant

Bardziej szczegółowo

Rozszerzenie zmysłów poprzez komputer pomiary termiczne, optyczne i elektryczne

Rozszerzenie zmysłów poprzez komputer pomiary termiczne, optyczne i elektryczne Rozszerzenie zmysłów poprzez komputer pomiary termiczne, optyczne i elektryczne Mario Gervasio, Marisa Michelini, Rossana Viola Research Unit in Physics Education, University of Udine, Italy Streszczenie:

Bardziej szczegółowo

Technologia cienkowarstwowa

Technologia cienkowarstwowa Physical Vapour Deposition Evaporation Dlaczego w próżni? 1. topiony materiał wrze w niższej temperaturze 2. zmniejsza się proces utleniania wrzącej powierzchni 3. zmniejsza się liczba zanieczyszczeń w

Bardziej szczegółowo

Wytwarzanie nowych scyntylatorów polimerowych na bazie poliwinylotoluenu do hybrydowego tomografu J-PET/MR

Wytwarzanie nowych scyntylatorów polimerowych na bazie poliwinylotoluenu do hybrydowego tomografu J-PET/MR Wytwarzanie nowych scyntylatorów polimerowych na bazie poliwinylotoluenu do hybrydowego tomografu J-PET/MR Development of novel plastic scintillators based on polyvinyltoluene for the hybrid J-PET/MR tomography

Bardziej szczegółowo

Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii

Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii sprawozdanie za okres I 2012 IV 2013 Prof. dr hab. Jan Misiewicz www.cmzin.pwr.wroc.pl Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii (CMZiN) Jest

Bardziej szczegółowo

LASERY I ICH ZASTOSOWANIE

LASERY I ICH ZASTOSOWANIE LASERY CH ZASTOSOWANE Laboratorium nstrukcja do ćwiczenia nr Temat: Pomiar mocy wiązki laserowej 3. POMAR MOCY WĄZK LASEROWEJ LASERA He - Ne 3.1. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z metodą

Bardziej szczegółowo

prof. dr hab. inż. Waldemar WÓJCIK, dr inż. Sławomir CIĘSZCZYK, dr inż. Paweł KOMADA, mgr inż. Piotr POPIEL

prof. dr hab. inż. Waldemar WÓJCIK, dr inż. Sławomir CIĘSZCZYK, dr inż. Paweł KOMADA, mgr inż. Piotr POPIEL prof. dr hab. inż. Waldemar WÓJCIK, dr inż. Sławomir CIĘSZCZYK, dr inż. Paweł KOMADA, mgr inż. Piotr POPIEL Wydział Elektrotechniki i Informatyki, Katedra Elektroniki Politechniki Lubelskiej, p.popiel@pollub.pl,

Bardziej szczegółowo

Badania wpływu obróbki laserowej i azotowania na własności warstwy wierzchniej próbek ze stali WCL

Badania wpływu obróbki laserowej i azotowania na własności warstwy wierzchniej próbek ze stali WCL Obróbka Plastyczna Metali t. XVII nr 2 (26) Mgr inŝ. Zygmunt GARCZYŃSKI, mgr inŝ. Andrzej KARPIUK, dr inŝ. Stanisław ZIÓŁKIEWICZ Instytut Obróbki Plastycznej, Poznań Badania wpływu obróbki i azotowania

Bardziej szczegółowo

Przemysłowe zastosowania technologii generatywnych

Przemysłowe zastosowania technologii generatywnych Industrial applications of additive manufacturing technologies Przemysłowe zastosowania technologii generatywnych Edward Chlebus, Bogdan Dybała, Tomasz Boratyoski, Mariusz Frankiewicz, Tomasz Będza CAMT

Bardziej szczegółowo

Monokryształy SI GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych

Monokryształy SI GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych Monokryształy SI GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża... Monokryształy SI GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych Andrzej Hruban, Wacław Orłowski,

Bardziej szczegółowo

efekty kształcenia dla kierunku Elektronika studia stacjonarne drugiego stopnia, profil ogólnoakademicki

efekty kształcenia dla kierunku Elektronika studia stacjonarne drugiego stopnia, profil ogólnoakademicki Opis efektów dla kierunku Elektronika Studia stacjonarne drugiego stopnia, profil ogólnoakademicki Objaśnienie oznaczeń: K kierunkowe efekty W kategoria wiedzy U kategoria umiejętności K (po podkreślniku)

Bardziej szczegółowo

WYZNACZANIE ENERGII PROMIENIOWANIA ELEKTROMAGNETYCZNEGO EMITOWANEGO PRZEZ WYŁADOWANIA ELEKTRYCZNE

WYZNACZANIE ENERGII PROMIENIOWANIA ELEKTROMAGNETYCZNEGO EMITOWANEGO PRZEZ WYŁADOWANIA ELEKTRYCZNE POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADE MIC JOURNALS No 86 Electrical Engineering 2016 Michał KOZIOŁ* Łukasz NAGI* WYZNACZANIE ENERGII PROMIENIOWANIA ELEKTROMAGNETYCZNEGO EMITOWANEGO PRZEZ WYŁADOWANIA

Bardziej szczegółowo