Poprawa charakterystyk promieniowania diod laserowych dużej mocy poprzez zastosowanie struktur periodycznych w płaszczyźnie złącza

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Poprawa charakterystyk promieniowania diod laserowych dużej mocy poprzez zastosowanie struktur periodycznych w płaszczyźnie złącza"

Transkrypt

1 Poprawa charakterystyk promieniowania diod laserowych dużej mocy poprzez zastosowanie struktur periodycznych w płaszczyźnie złącza Grzegorz Sobczak, Elżbieta Dąbrowska, Marian Teodorczyk, Joanna Kalbarczyk, Andrzej Maląg

2 PLAN PREZENTACJI 1. Motywacja. Heterostruktura asymetryczna 3. Szerokokontaktowe diody laserowe wysokiej mocy. Sprzężone fazowo matryce 5. Struktury dwusegmentowe 6. Podsumowanie

3 Motywacja Budowa diody laserowej wysokiej mocy wymaga: zapewnienia wysokiego progu katastroficznej degradacji (COD) zwiększenie deff = d/γ (d grubość studni kwantowej, Γ współczynnik efektywnego oddziaływania fali prowadzonej z warstwą aktywną) konstrukcji o niskich opornościach elektrycznych i termicznych dużego obszaru aktywnego aktywne struktur o dużych wymiarach falowody

4 Heterostruktura Asymetryczna zzzzzzzz Wzrost deff i progu COD Mała rozbieżność wiązki Rozkład pola optycznego przesunięty na stronę n diody Strona p o małej grubości A. Maląg, E. Dąbrowska, M. Teodorczyk, G. Sobczak, A. Kozłowska, J. Kalbarczyk, Asymmetric heterostructure with reduced distance from active region to heatsink for 810-nm range high-power laser diodes, IEEE J. Quantum Electron., vol. 8, no., April 01

5 Realizacja / Technologie Heterostruktura: Naprężona rozciągająco GaAsP/AlGaAs/GaAs (λ = 808 nm) Metaloorganic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) Lasery: definiowanie obszarów aktywnych: implantacja jonów He+ lub chemiczne trawienie naparowanie i wtopienie kontaktów elektrycznych podział na linijki naparowanie pokryć tylnich i przednich luster laserów (AlO3 i Ag/AlO3) podział na struktury

6 Lasery Szerokokontaktowe Rozkład promieniowania w płaszczyźnie prostopadłej do złącza falowód wzmocnieniowy: d = 0,09 mm ; L = mm

7 Lasery Szerokokontaktowe 3.5 ver P o T = prąd I [A] d = 0,09 mm PCE 1.5 U [V] U napięcie P [W] moc optyczna L = mm PCE Ith = 0,37 A 0.1 η = 1.19 W/A 0.0 PCEmax = 51%

8 Lasery Szerokokontaktowe 0.5 moc optyczna P U 808 nm ver o T = 15 C 0 1 prąd I [A] d = 0,09 mm PCE 3 U [V] 0. 3 L = 3 mm PCE napięcie P [W] Ith = 0,5 A 0.1 η = 1.05 W/A 0.0 PCEmax = 5%

9 Lasery Szerokokontaktowe PCE 5 3 P U 3 o 1 0 ver 1 T = prąd I [A] Ith = 0,9 A 0.1 η = 1. W/A PCE d = 0,18 mm U [V] 5 0. L = mm napięcie moc optyczna P [W] PCEmax = 5%

10 Lasery Szerokokontaktowe Falowód dielektryczny definiowany trawieniem mokrym L = 1 mm Seria 808v-3G: d = 0.16 mm ; Ith = 0.57 A ; η = 1.6 W/A Seria 808v1-5A: d = 0.09 mm ; Ith = 0.3 A ; η = 1.33 W/A

11 Lasery Szerokokontaktowe Fotografie rozkładów w strefie dalekiej Praca impulsowa czas impulsu Ts = 0. s 808v-3G d = 160 µ m znormalizowane natężenie znormalizowane natężenie okres impulsu Tr = 0.19 ms prąd: 1A A kąt od normalnej w płaszczyźnie złącza Θ [deg] 808v1-5A d = 90 µ m prąd: 1A A kąt od normalnej w płaszczyźnie złącza Θ [deg]

12 Normalized intensity [a.u] Sprzężone Fazowo Matryce Normalized intensity [a.u] Angle [deg] Angle [deg]

13 Sprzężone Fazowo Matryce Em ( x ) exp[iβ m z ] E ( x, z ) = N m= 1 Strefa bliska de dz l E ( x, z ) = N sin(m m= 1 Strefa daleka = im E κ 1, N β 1 κ 1, κ β1,1 M= κ N 1, N β N κ N,1 κ N, N 1 κ l,l + 1 = κ β 1 = β = = β N = β πl ) Em exp(iγ l z ) N+1 J. K. Butler, D. E. Ackley and D. Botez, Coupled-Mode Analysis of Phase-Locked. Injection Laser Arrays, Appl. Phys. Lett. Vol., pp , Feb. 198 Am ( z )Em ( x, z ) F ( Θ ) = E ( Θ ) I l ( Θ ) F ( Θ ) = ℑ {E l ( x )} I l (Θ ) = ( N + 1)( k0 S sin Θ + ϕ ) lπ sin + k0 S sin Θ + ϕ sin ( N + 1) lπ sin ( N + 1 ) D. Botez, Array-Mode Far-Field Patterns for PhaseLocked Diode-Laser Arrays: Coupled-Mode Theory Versus Simple Diffraction Theory, IEEE J. Quantum Electron., VOL. QE-1, NO. 11, NOVEMBER 1985

14 Sprzężone Fazowo Matryce l= l= l=5 l=3 l=6 E l l=1 przednie lustro lasera Strefa daleka znormalizowane natężenie Strefa bliska l=1 l= l= l=5 l=3 l= rozbieżność kątowa wiązki o Θ []

15 Sprzężone Fazowo Matryce d S Seria 808v-3G Seria 808v1-5B N = 0 N = 0 S = 9 μm S = 6 μm h = μm h = μm d =.7.8 μm d = 3.5 μm

16 Sprzężone Fazowo Matryce 808v-3G PLA 808v1-5B S = 9 μm S = 6 μm d =.7 μm d = 3.5 μm N = 0 N = 0 PLA η = W/A η = W/A modelowanie 808v-3G si7 PLA prąd: 1A A kąt od normalnej w płaszczyźnie złącza Θ [deg] znormalizowane natężenie Ith = A znormalizowane natężenie Ith = A modelowanie 808v1-5B s6b3 PLA prąd: 1A 10 A kąt od normalnej w płaszczyźnie złącza Θ [deg]

17 Sprzężone Fazowo Matryce Seria 808v1-5B Niejednorodne trawienie przestrzeni międzypaskowych! I=A N I=0A

18 Struktury dwusegmentowe Lstruktury = 1 mm LBA = 110 μm

19 Struktury dwusegmentowe PLA-BA-LR PLA-BA-HR dba= 0.16 mm dba= 0.16 mm d =.7 μm d =.7 μm N = 0 N = 0 η = W/A η = W/A 808v-3G PLA-BA-LR sg prąd: 1A A kąt od normalnej w płaszczyźnie złącza Θ [deg] znormalizowane natężenie Ith = A znormalizowane natężenie Ith = A 808v-3G PLA-BA-HR sh prąd: 1A A kąt od normalnej w płaszczyźnie złącza Θ [deg]

20 Struktury dwusegmentowe 808v-3G 808v1-5A dba= 0.16 mm dba= 0.09 mm d =.7 μm d = 3.5 μm N = 0 N = 15 Ith = A η = W/A η = W/A 808v-3G BA-PLA-LR znormalizowane natężenie znormalizowane natężenie Ith = A prąd: 1A A kąt od normalnej w płaszczyźnie złącza Θ [deg] 808v1-5A BA-PLA-LR prąd: 1A A kąt od normalnej w płaszczyźnie złącza Θ [deg]

21 Podsumowanie Zastosowanie heterostruktury asymetrycznej umożliwia konstrukcje laserów o podwyższonym progu COD i o zmniejszonej oporności termicznej Zastosowanie falowodów jednomodowych w sprzężonej fazowo matrycy poprawia jakość emitowanego promieniowania Zastosowanie segmentu szerokopaskowego w PLA zwiększa dyskryminację między supermodami poprzez wprowadzenie dodatkowego sprzężenia Dwusegmentowe diody laserowe typu PLA z krótkim segmentem szerokopaskowym charakteryzują się lepszymi parametrami elektrooptycznymi niż standardowe lasery PLA Zastosowanie krótkiego segmentu sprzężonego fazowo w laserach szerokopaskowych nie wskazuje na poprawę charakterystyk urządzeń

22

Kształtowanie przestrzenne struktur AlGaInN jako klucz do nowych generacji przyrządów optoelektronicznych

Kształtowanie przestrzenne struktur AlGaInN jako klucz do nowych generacji przyrządów optoelektronicznych Kształtowanie przestrzenne struktur AlGaInN jako klucz do nowych generacji przyrządów optoelektronicznych Projekt realizowany w ramach programu LIDER finansowanego przez Narodowe Centrum Badań i Rozwoju

Bardziej szczegółowo

Azotkowe diody laserowe na podłożach GaN o zmiennym zorientowaniu

Azotkowe diody laserowe na podłożach GaN o zmiennym zorientowaniu Azotkowe diody laserowe na podłożach GaN o zmiennym zorientowaniu Marcin Sarzyński Badania finansuje narodowe centrum Badań i Rozwoju Program Lider Instytut Wysokich Cisnień PAN Siedziba 1. Diody laserowe

Bardziej szczegółowo

Badanie uporządkowania magnetycznego w ultracienkich warstwach kobaltu w pobliżu reorientacji spinowej.

Badanie uporządkowania magnetycznego w ultracienkich warstwach kobaltu w pobliżu reorientacji spinowej. Tel.: +48-85 7457229, Fax: +48-85 7457223 Zakład Fizyki Magnetyków Uniwersytet w Białymstoku Ul.Lipowa 41, 15-424 Białystok E-mail: vstef@uwb.edu.pl http://physics.uwb.edu.pl/zfm Praca magisterska Badanie

Bardziej szczegółowo

Optyczne elementy aktywne

Optyczne elementy aktywne Optyczne elementy aktywne Źródła optyczne Diody elektroluminescencyjne Diody laserowe Odbiorniki optyczne Fotodioda PIN Fotodioda APD Generowanie światła kontakt metalowy typ n GaAs podłoże typ n typ n

Bardziej szczegółowo

DIODA LASEROWA RLD 635 (5) 635 nm, 5 mw,? 5.6mm

DIODA LASEROWA RLD 635 (5) 635 nm, 5 mw,? 5.6mm DIODA LASEROWA RLD 635 (5) 635 nm, 5 mw,? 5.6mm Dioda na podlozu InGaAlP z fotodioda monitorujaca, emitowana dlugosc fali 635 nm, obudowa TO-18,? 5.6mm Parametry optyczne i elektryczne (To=25 oc) Dlugosc

Bardziej szczegółowo

Niezwykłe światło. ultrakrótkie impulsy laserowe. Piotr Fita

Niezwykłe światło. ultrakrótkie impulsy laserowe. Piotr Fita Niezwykłe światło ultrakrótkie impulsy laserowe Laboratorium Procesów Ultraszybkich Zakład Optyki Wydział Fizyki Uniwersytetu Warszawskiego Światło Fala elektromagnetyczna Dla światła widzialnego długość

Bardziej szczegółowo

Opracowanie nowych koncepcji emiterów azotkowych ( nm) w celu ich wykorzystania w sensorach chemicznych, biologicznych i medycznych.

Opracowanie nowych koncepcji emiterów azotkowych ( nm) w celu ich wykorzystania w sensorach chemicznych, biologicznych i medycznych. Opracowanie nowych koncepcji emiterów azotkowych (380 520 nm) w celu ich wykorzystania w sensorach chemicznych, biologicznych i medycznych. (zadanie 14) Piotr Perlin Instytut Wysokich Ciśnień PAN 1 Do

Bardziej szczegółowo

CHARAKTERYSTYKA WIĄZKI GENEROWANEJ PRZEZ LASER

CHARAKTERYSTYKA WIĄZKI GENEROWANEJ PRZEZ LASER CHARATERYSTYA WIĄZI GENEROWANEJ PRZEZ LASER ształt wiązki lasera i jej widmo są rezultatem interferencji promieniowania we wnęce rezonansowej. W wyniku tego procesu powstają charakterystyczne rozkłady

Bardziej szczegółowo

VI. Elementy techniki, lasery

VI. Elementy techniki, lasery Światłowody VI. Elementy techniki, lasery BERNARD ZIĘTEK http://www.fizyka.umk.pl www.fizyka.umk.pl/~ /~bezet a) Sprzęgacze czołowe 1. Sprzęgacze światłowodowe (czołowe, boczne, stałe, rozłączalne) Złącza,

Bardziej szczegółowo

Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk

Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk Promotor: dr hab. inż. Bogusława Adamowicz, prof. Pol. Śl. Zadania pracy Pomiary transmisji i odbicia optycznego

Bardziej szczegółowo

Diody laserowe dużej mocy i matryce diod laserowych na pasmo 800 nm

Diody laserowe dużej mocy i matryce diod laserowych na pasmo 800 nm nie siatek atermicznych powinno dać stałość rzędu: 3 10-8. Szerokość linii lasera poszerzona fluktuacjami środowiskowymi (drgania akustyczne) wyniosła ok. 90 khz (rys. 6. Podsumowanie Zaprezentowano praktyczną

Bardziej szczegółowo

Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Dyfrakcja i Reflektometria Rentgenowska

Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Dyfrakcja i Reflektometria Rentgenowska Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Dyfrakcja i Reflektometria Rentgenowska Michał Leszczyński Stanisław Krukowski i Michał Leszczyński Instytut Wysokich Ciśnień PAN 01-142 Warszawa,

Bardziej szczegółowo

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Część I: Optyka, wykład 8 wykład: Piotr Fita pokazy: Andrzej Wysmołek ćwiczenia: Anna Grochola, Barbara Piętka Wydział Fizyki Uniwersytet Warszawski 2014/15

Bardziej szczegółowo

PL B1. INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ, Warszawa, PL INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Warszawa, PL

PL B1. INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ, Warszawa, PL INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Warszawa, PL PL 221135 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 221135 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 399454 (22) Data zgłoszenia: 06.06.2012 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

Rezonatory ze zwierciadłem Bragga

Rezonatory ze zwierciadłem Bragga Rezonatory ze zwierciadłem Bragga Siatki dyfrakcyjne stanowiące zwierciadła laserowe (zwierciadła Bragga) są powszechnie stosowane w laserach VCSEL, ale i w laserach z rezonatorem prostopadłym do płaszczyzny

Bardziej szczegółowo

Propagacja światła we włóknie obserwacja pól modowych.

Propagacja światła we włóknie obserwacja pól modowych. Propagacja światła we włóknie obserwacja pól modowych. Przy pomocy optyki geometrycznej łatwo można przedstawić efekty propagacji światła tylko w ośrodku nieograniczonym. Nie ukazuje ona jednak interesujących

Bardziej szczegółowo

Sprzęganie światłowodu z półprzewodnikowymi źródłami światła (stanowisko nr 5)

Sprzęganie światłowodu z półprzewodnikowymi źródłami światła (stanowisko nr 5) Wojciech Niwiński 30.03.2004 Bartosz Lassak Wojciech Zatorski gr.7lab Sprzęganie światłowodu z półprzewodnikowymi źródłami światła (stanowisko nr 5) Zadanie laboratoryjne miało na celu zaobserwowanie różnic

Bardziej szczegółowo

Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów. USF_3 Technologia_A M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Jóżwik 3-1

Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów. USF_3 Technologia_A M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Jóżwik 3-1 Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów USF_3 Technologia_A M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Jóżwik 3-1 Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów Typowe wymagania klasy czystości: 1000/100

Bardziej szczegółowo

Sensory optyczne w motoryzacji

Sensory optyczne w motoryzacji Sensory optyczne w motoryzacji Grzegorz Antos Instytut Mikromechaniki i Fotoniki Plan prezentacji 1. Zalety sensorów optycznych 2. Systemy bezpiecze stwa w motoryzacji 3. Porównanie rozwi za CCD i CMOS

Bardziej szczegółowo

Modelowanie zjawisk elektryczno-cieplnych w ultrafioletowej diodzie elektroluminescencyjnej

Modelowanie zjawisk elektryczno-cieplnych w ultrafioletowej diodzie elektroluminescencyjnej Modelowanie zjawisk elektryczno-cieplnych w ultrafioletowej diodzie elektroluminescencyjnej Robert P. Sarzała 1, Michał Wasiak 1, Maciej Kuc 1, Adam K. Sokół 1, Renata Kruszka 2, Krystyna Gołaszewska 2

Bardziej szczegółowo

Ferromagnetyczne materiały dla kontrolowanego pozycjonowania ścian domenowych

Ferromagnetyczne materiały dla kontrolowanego pozycjonowania ścian domenowych SEMINARIUM SPRAWOZDAWCZE z prac naukowych prowadzonych w IFM PAN w 2014 roku projekt badawczy: Ferromagnetyczne materiały dla kontrolowanego pozycjonowania ścian domenowych Umowa nr UMO-2013/08/M/ST3/00960

Bardziej szczegółowo

Ekspansja plazmy i wpływ atmosfery reaktywnej na osadzanie cienkich warstw hydroksyapatytu. Marcin Jedyński

Ekspansja plazmy i wpływ atmosfery reaktywnej na osadzanie cienkich warstw hydroksyapatytu. Marcin Jedyński Ekspansja plazmy i wpływ atmosfery reaktywnej na osadzanie cienkich warstw hydroksyapatytu. Marcin Jedyński Metoda PLD (Pulsed Laser Deposition) PLD jest nowoczesną metodą inżynierii powierzchni, umożliwiającą

Bardziej szczegółowo

Wielomodowe, grubordzeniowe

Wielomodowe, grubordzeniowe Wielomodowe, grubordzeniowe i z plastykowym pokryciem włókna. Przewężki i mikroelementy Multimode, Large-Core, and Plastic Clad Fibers. Tapered Fibers and Specialty Fiber Microcomponents Wprowadzenie Włókna

Bardziej szczegółowo

LASERY I ICH ZASTOSOWANIE

LASERY I ICH ZASTOSOWANIE LASERY I ICH ZASTOSOWANIE Laboratorium Instrukcja do ćwiczenia nr 13 Temat: Biostymulacja laserowa Istotą biostymulacji laserowej jest napromieniowanie punktów akupunkturowych ciągłym, monochromatycznym

Bardziej szczegółowo

Załącznik nr 8. do sprawozdania merytorycznego z realizacji projektu badawczego

Załącznik nr 8. do sprawozdania merytorycznego z realizacji projektu badawczego Załącznik nr 8 do sprawozdania merytorycznego z realizacji projektu badawczego Szybka nieliniowość fotorefrakcyjna w światłowodach półprzewodnikowych do zastosowań w elementach optoelektroniki zintegrowanej

Bardziej szczegółowo

Mody poprzeczne w azotkowym laserze typu VCSEL

Mody poprzeczne w azotkowym laserze typu VCSEL Magdalena MARCINIAK, Patrycja ŚPIEWAK, Marta WIĘCKOWSKA, Robert Piotr SARZAŁA Instytut Fizyki, Politechnika Łódzka doi:10.15199/48.2015.09.33 Mody poprzeczne w azotkowym laserze typu VCSEL Streszczenie.

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 6. Hologram gruby

ĆWICZENIE 6. Hologram gruby ĆWICZENIE 6 Hologram gruby 1. Wprowadzenie Na jednym z poprzednich ćwiczeń zapoznaliśmy się z cienkim (powierzchniowo zapisanym) hologramem Fresnela, który daje nam możliwość zapisu obiektu przestrzennego.

Bardziej szczegółowo

Wytwarzanie niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych

Wytwarzanie niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych Większość struktur niskowymiarowych wytwarzanych jest za pomocą technik epitaksjalnych. Najczęściej wykorzystywane metody wzrostu: - epitaksja z wiązki molekularnej (MBE Molecular Beam Epitaxy) - epitaksja

Bardziej szczegółowo

Ponadto, jeśli fala charakteryzuje się sferycznym czołem falowym, powyższy wzór można zapisać w następujący sposób:

Ponadto, jeśli fala charakteryzuje się sferycznym czołem falowym, powyższy wzór można zapisać w następujący sposób: Zastosowanie laserów w Obrazowaniu Medycznym Spis treści 1 Powtórka z fizyki Zjawisko Interferencji 1.1 Koherencja czasowa i przestrzenna 1.2 Droga i czas koherencji 2 Lasery 2.1 Emisja Spontaniczna 2.2

Bardziej szczegółowo

Sprzęg światłowodu ze źródłem światła

Sprzęg światłowodu ze źródłem światła Sprzęg światłowodu ze źródłem światła Oczywistym problemem przy sprzęganiu światłowodu ze źródłami światła jest w pierwszym rzędzie umieszczenie wiazki w wewnatrz apertury numeryczne światłowodu. W przypadku

Bardziej szczegółowo

PL B1. Politechnika Wrocławska,Wrocław,PL BUP 02/04

PL B1. Politechnika Wrocławska,Wrocław,PL BUP 02/04 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 203033 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 355071 (51) Int.Cl. H01S 5/343 (2006.01) H01L 31/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)

Bardziej szczegółowo

Pomiar drogi koherencji wybranych źródeł światła

Pomiar drogi koherencji wybranych źródeł światła Politechnika Gdańska WYDZIAŁ ELEKTRONIKI TELEKOMUNIKACJI I INFORMATYKI Katedra Optoelektroniki i Systemów Elektronicznych Pomiar drogi koherencji wybranych źródeł światła Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego

Bardziej szczegółowo

40. Międzynarodowa Olimpiada Fizyczna Meksyk, lipca 2009 r. DWÓJŁOMNOŚĆ MIKI

40. Międzynarodowa Olimpiada Fizyczna Meksyk, lipca 2009 r. DWÓJŁOMNOŚĆ MIKI ZADANIE DOŚWIADCZALNE 2 DWÓJŁOMNOŚĆ MIKI W tym doświadczeniu zmierzysz dwójłomność miki (kryształu szeroko używanego w optycznych elementach polaryzujących). WYPOSAŻENIE Oprócz elementów 1), 2) i 3) powinieneś

Bardziej szczegółowo

6. Emisja światła, diody LED i lasery polprzewodnikowe

6. Emisja światła, diody LED i lasery polprzewodnikowe 6. Emisja światła, diody LED i lasery polprzewodnikowe Typy rekombinacji Rekombinacja promienista Diody LED Lasery półprzewodnikowe Struktury niskowymiarowe OLEDy 1 Promieniowanie termiczne Rozkład Plancka

Bardziej szczegółowo

FTF-S1XG-S31L-010D. Moduł SFP+ 10GBase-LR/LW, jednomodowy, 10km, DDMI. Referencja: FTF-S1XG-S31L-010D

FTF-S1XG-S31L-010D. Moduł SFP+ 10GBase-LR/LW, jednomodowy, 10km, DDMI. Referencja: FTF-S1XG-S31L-010D FTF-S1XG-S31L-010D Moduł SFP+ 10GBase-LR/LW, jednomodowy, 10km, DDMI Referencja: FTF-S1XG-S31L-010D Opis: Moduł SFP+ FTF-S1XG-S31L-010D to interfejs 10Gb przeznaczony dla urządzeń pracujących w sieciach

Bardziej szczegółowo

IX. DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Janusz Adamowski

IX. DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Janusz Adamowski IX. DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Janusz Adamowski 1 1 Dioda na złączu p n Zgodnie z wynikami, otrzymanymi na poprzednim wykładzie, natężenie prądu I przepływającego przez złącze p n opisane jest wzorem Shockleya

Bardziej szczegółowo

Źródła światła: Lampy (termiczne) na ogół wymagają filtrów. Wojciech Gawlik, Metody Optyczne w Medycynie 2010/11 - wykł. 3 1/18

Źródła światła: Lampy (termiczne) na ogół wymagają filtrów. Wojciech Gawlik, Metody Optyczne w Medycynie 2010/11 - wykł. 3 1/18 Źródła światła: Lampy (termiczne) na ogół wymagają filtrów Wojciech Gawlik, Metody Optyczne w Medycynie 2010/11 - wykł. 3 1/18 Lampy: a) szerokopasmowe, rozkład Plancka 2hc I( λ) = 5 λ 2 e 1 hc λk T B

Bardziej szczegółowo

Studnia skończona. Heterostruktury półprzewodnikowe studnie kwantowe (cd) Heterostruktury mogą mieć różne masy efektywne w różnych obszarach:

Studnia skończona. Heterostruktury półprzewodnikowe studnie kwantowe (cd) Heterostruktury mogą mieć różne masy efektywne w różnych obszarach: Heterostruktury półprzewodnikowe studnie kwantowe (cd) Studnia skończona Heterostruktury mogą mieć różne masy efektywne w różnych obszarach: V z Okazuje się, że zamiana nie jest dobrym rozwiązaniem problemu

Bardziej szczegółowo

2011 InfraTec. Aktywna termografia w badaniach nieniszczących przy użyciu oprogramowania IRBIS 3 active

2011 InfraTec. Aktywna termografia w badaniach nieniszczących przy użyciu oprogramowania IRBIS 3 active 2011 InfraTec Aktywna termografia w badaniach nieniszczących przy użyciu oprogramowania IRBIS 3 active Termografia aktywna a termografia pasywna 1 Termografia pasywna (statyczna): materiał niepoddany działaniu

Bardziej szczegółowo

Charakteryzacja telekomunikacyjnego łącza światłowodowego

Charakteryzacja telekomunikacyjnego łącza światłowodowego Charakteryzacja telekomunikacyjnego łącza światłowodowego Szybkości transmisji współczesnych łączy światłowodowych STM 4 622 Mbps STM 16 2 488 Mbps STM 64 9 953 Mbps Rekomendacje w stadium opracowania

Bardziej szczegółowo

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Część I: Optyka, wykład 7 wykład: Piotr Fita pokazy: Andrzej Wysmołek ćwiczenia: Anna Grochola, Barbara Piętka Wydział Fizyki Uniwersytet Warszawski 2014/15

Bardziej szczegółowo

Fotonika kurs magisterski grupa R41 semestr VII Specjalność: Inżynieria fotoniczna. Egzamin ustny: trzy zagadnienia do objaśnienia

Fotonika kurs magisterski grupa R41 semestr VII Specjalność: Inżynieria fotoniczna. Egzamin ustny: trzy zagadnienia do objaśnienia Dr inż. Tomasz Kozacki Prof. dr hab.inż. Romuald Jóźwicki Zakład Techniki Optycznej Instytut Mikromechaniki i Fotoniki pokój 513a ogłoszenia na tablicach V-tego piętra kurs magisterski grupa R41 semestr

Bardziej szczegółowo

Podczerwień bliska: cm -1 (0,7-2,5 µm) Podczerwień właściwa: cm -1 (2,5-14,3 µm) Podczerwień daleka: cm -1 (14,3-50 µm)

Podczerwień bliska: cm -1 (0,7-2,5 µm) Podczerwień właściwa: cm -1 (2,5-14,3 µm) Podczerwień daleka: cm -1 (14,3-50 µm) SPEKTROSKOPIA W PODCZERWIENI Podczerwień bliska: 14300-4000 cm -1 (0,7-2,5 µm) Podczerwień właściwa: 4000-700 cm -1 (2,5-14,3 µm) Podczerwień daleka: 700-200 cm -1 (14,3-50 µm) WIELKOŚCI CHARAKTERYZUJĄCE

Bardziej szczegółowo

MIKROSKOPIA ELEKTRONOWA. Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego

MIKROSKOPIA ELEKTRONOWA. Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego MIKROSKOPIA ELEKTRONOWA Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego Tło historyczne Pod koniec XIX wieku stosowanie mikroskopów świetlnych w naukach

Bardziej szczegółowo

Własności światła laserowego

Własności światła laserowego Własności światła laserowego Cechy światła laserowego: rozbieżność (równoległość) wiązki, pasmo spektralne, gęstość mocy oraz spójność (koherencja). Równoległość wiązki Dyfrakcyjną rozbieżność kątową awkącie

Bardziej szczegółowo

MOŻLIWOŚCI WYKORZYSTANIA LASERA QCL W SYSTEMIE ŁĄCZNOŚCI OPTYCZNEJ W OTWARTEJ PRZESTRZENI *)

MOŻLIWOŚCI WYKORZYSTANIA LASERA QCL W SYSTEMIE ŁĄCZNOŚCI OPTYCZNEJ W OTWARTEJ PRZESTRZENI *) Zbigniew BIELECKI Janusz MIKOŁAJCZYK Mirosław NOWAKOWSKI Jacek WOJTAS MOŻLIWOŚCI WYKORZYSTANIA LASERA QCL W SYSTEMIE ŁĄCZNOŚCI OPTYCZNEJ W OTWARTEJ PRZESTRZENI *) STRESZCZENIE W artykule przedstawiono

Bardziej szczegółowo

Metody wytwarzania elementów półprzewodnikowych

Metody wytwarzania elementów półprzewodnikowych Metody wytwarzania elementów półprzewodnikowych Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Wytwarzanie

Bardziej szczegółowo

Wykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne

Wykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne Wykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne 1 Generacja optyczna swobodnych nośników Fotoprzewodnictwo σ=e(µ e n+µ h p) Fotodioda optyczna generacja par elektron-dziura pole elektryczne złącza rozdziela parę

Bardziej szczegółowo

PL 217782 B1. Układ impulsowego wzmacniacza światłowodowego domieszkowanego jonami erbu z zabezpieczaniem laserowych diod pompujących

PL 217782 B1. Układ impulsowego wzmacniacza światłowodowego domieszkowanego jonami erbu z zabezpieczaniem laserowych diod pompujących PL 217782 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 217782 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 389082 (22) Data zgłoszenia: 21.09.2009 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

UMO-2011/01/B/ST7/06234

UMO-2011/01/B/ST7/06234 Załącznik nr 5 do sprawozdania merytorycznego z realizacji projektu badawczego Szybka nieliniowość fotorefrakcyjna w światłowodach półprzewodnikowych do zastosowań w elementach optoelektroniki zintegrowanej

Bardziej szczegółowo

Pomiary przekrojów czynnych na oddziaływanie elektronów z atomami Cs w pułapce magneto-optycznej

Pomiary przekrojów czynnych na oddziaływanie elektronów z atomami Cs w pułapce magneto-optycznej Pomiary przekrojów czynnych na oddziaływanie elektronów z atomami Cs w pułapce magneto-optycznej Pomiary w pułapce magneto-optycznej W wyniku oddziaływania elektronów z uwięzionymi w pułapce atomami następuje

Bardziej szczegółowo

Lasery. Własności światła laserowego Zasada działania Rodzaje laserów

Lasery. Własności światła laserowego Zasada działania Rodzaje laserów Lasery Własności światła laserowego Zasada działania Rodzaje laserów Lasery Laser - nazwa utworzona jako akronim od Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation - wzmocnienie światła poprzez

Bardziej szczegółowo

Elementy optoelektroniczne. Przygotował: Witold Skowroński

Elementy optoelektroniczne. Przygotował: Witold Skowroński Elementy optoelektroniczne Przygotował: Witold Skowroński Plan prezentacji Wstęp Diody świecące LED, Wyświetlacze LED Fotodiody Fotorezystory Fototranzystory Transoptory Dioda LED Dioda LED z elektrycznego

Bardziej szczegółowo

1.3. Poziom ekspozycji na promieniowanie nielaserowe wyznacza się zgodnie z wzorami przedstawionymi w tabeli 1, przy uwzględnieniu:

1.3. Poziom ekspozycji na promieniowanie nielaserowe wyznacza się zgodnie z wzorami przedstawionymi w tabeli 1, przy uwzględnieniu: Załącznik do rozporządzenia Ministra Pracy i Polityki Społecznej z dnia 27 maja 2010 r. Wyznaczanie poziomu ekspozycji na promieniowanie optyczne 1. Promieniowanie nielaserowe 1.1. Skutki oddziaływania

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM OPTOELEKTRONIKI

LABORATORIUM OPTOELEKTRONIKI LABORATORIUM OPTOELEKTRONIKI ĆWICZENIE 1 ŹRÓDŁA ŚWIATŁA Gdańsk 2001 r. ĆWICZENIE 1: ŹRÓDŁA ŚWIATŁA 2 1. Wstęp Zasada działania półprzewodnikowych źródeł światła (LED-ów i diod laserowych LD) jest bardzo

Bardziej szczegółowo

Spektroskopia ramanowska w badaniach powierzchni

Spektroskopia ramanowska w badaniach powierzchni Spektroskopia ramanowska w badaniach powierzchni z Efekt Ramana (1922, CV Raman) I, ν próbka y Chandra Shekhara Venketa Raman x I 0, ν 0 Monochromatyczne promieniowanie o częstości ν 0 ulega rozproszeniu

Bardziej szczegółowo

Lasery półprzewodnikowe. przewodnikowe. Bernard Ziętek

Lasery półprzewodnikowe. przewodnikowe. Bernard Ziętek Lasery półprzewodnikowe przewodnikowe Bernard Ziętek Plan 1. Rodzaje półprzewodników 2. Parametry półprzewodników 3. Złącze p-n 4. Rekombinacja dziura-elektron 5. Wzmocnienie 6. Rezonatory 7. Lasery niskowymiarowe

Bardziej szczegółowo

ANTENY I PROPAGACJA FAL RADIOWYCH

ANTENY I PROPAGACJA FAL RADIOWYCH ANTENY I PROPAGACJA FAL RADIOWYCH 1. Charakterystyka promieniowania anteny określa: unormowany do wartości maksymalnej przestrzenny rozkład natężenia pola, Odpowiedź prawidłowa ch-ka promieniowania jest

Bardziej szczegółowo

Elementy przełącznikowe

Elementy przełącznikowe Elementy przełącznikowe Dwie główne grupy: - niesterowane (diody p-n lub Schottky ego), - sterowane (tranzystory lub tyrystory) Idealnie: stan ON zwarcie, stan OFF rozwarcie, przełączanie bez opóźnienia

Bardziej szczegółowo

1 Źródła i detektory. I. Badanie charakterystyki spektralnej nietermicznych źródeł promieniowania elektromagnetycznego

1 Źródła i detektory. I. Badanie charakterystyki spektralnej nietermicznych źródeł promieniowania elektromagnetycznego 1 I. Badanie charakterystyki spektralnej nietermicznych źródeł promieniowania elektromagnetycznego Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyki spektralnej nietermicznego źródła promieniowania (dioda LD

Bardziej szczegółowo

OTRZYMYWANIE KRÓTKICH IMPULSÓW LASEROWYCH

OTRZYMYWANIE KRÓTKICH IMPULSÓW LASEROWYCH OTRZYMYWANIE KRÓTKICH IMPULSÓW LASEROWYCH Impulsowe lasery na ciele stałym są najbardziej ważnymi i szeroko rozpowszechnionymi systemami laserowymi. Np laser Nd:YAG jest najczęściej stosowany do znakowania,

Bardziej szczegółowo

Czujniki. Czujniki służą do przetwarzania interesującej nas wielkości fizycznej na wielkość elektryczną łatwą do pomiaru. Najczęściej spotykane są

Czujniki. Czujniki służą do przetwarzania interesującej nas wielkości fizycznej na wielkość elektryczną łatwą do pomiaru. Najczęściej spotykane są Czujniki Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Czujniki Czujniki służą do przetwarzania interesującej

Bardziej szczegółowo

Przyspieszenie separacji faz w zmiennym polu elektrycznym

Przyspieszenie separacji faz w zmiennym polu elektrycznym Przyspieszenie separacji faz w zmiennym polu elektrycznym Niejednorodne układy polimer / ciekły kryształ ze względu na zastosowania techniczne cieszą się niesłabnącym zainteresowaniem. Polimery są dodawane

Bardziej szczegółowo

Mody sprzęŝone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych

Mody sprzęŝone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych Mody sprzęŝone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych Klasyczny przykład pośredniego oddziaływania pola magnetycznego na wzbudzenia fononowe Schemat: pole magnetyczne (siła Lorentza) nośniki (oddziaływanie

Bardziej szczegółowo

MULTITRONIC MT-4. CHARAKTERYSTYKA APARATU. Funkcje elektroterapii

MULTITRONIC MT-4.  CHARAKTERYSTYKA APARATU. Funkcje elektroterapii MULTITRONIC MT-4 CHARAKTERYSTYKA APARATU Nowoczesny aparat do elektroterapii i biostymulacji laserowej Możliwość wykonywania dwóch zabiegów jednocześnie Możliwość wykonywania zabiegów terapii skojarzonej

Bardziej szczegółowo

Urządzenia półprzewodnikowe

Urządzenia półprzewodnikowe Urządzenia półprzewodnikowe Diody: - prostownicza - Zenera - pojemnościowa - Schottky'ego - tunelowa - elektroluminescencyjna - LED - fotodioda półprzewodnikowa Tranzystory - tranzystor bipolarny - tranzystor

Bardziej szczegółowo

Polaryzatory/analizatory

Polaryzatory/analizatory Polaryzatory/analizatory Polaryzator eliptyczny element układu optycznego lub układ optyczny, za którym światło jest spolaryzowane eliptycznie i o parametrach ściśle określonych przez polaryzator zazwyczaj

Bardziej szczegółowo

LINSCAN. BTL Polska Sp. z o.o. ul. Leonidasa 49 02-239 Warszawa tel. 22 667 02 76 fax 22 667 95 39 btlnet@btlnet.pl www.btlestetyka.

LINSCAN. BTL Polska Sp. z o.o. ul. Leonidasa 49 02-239 Warszawa tel. 22 667 02 76 fax 22 667 95 39 btlnet@btlnet.pl www.btlestetyka. LINSCAN LINSCAN Najefektywniejszy laser diodowy do epilacji BTL Polska Sp. z o.o. ul. Leonidasa 49 02-239 Warszawa tel. 22 667 02 76 fax 22 667 95 39 btlnet@btlnet.pl www.btlestetyka.pl Wszystkie prawa

Bardziej szczegółowo

Uniwersytet Warszawski Wydział Fizyki. Światłowody

Uniwersytet Warszawski Wydział Fizyki. Światłowody Uniwersytet Warszawski Wydział Fizyki Marcin Polkowski 251328 Światłowody Pracownia Fizyczna dla Zaawansowanych ćwiczenie L6 w zakresie Optyki Streszczenie Celem wykonanego na Pracowni Fizycznej dla Zaawansowanych

Bardziej szczegółowo

Elementy optyki relatywistycznej

Elementy optyki relatywistycznej Elementy optyki relatywistycznej O czym będzie wykład? Pojęcie relatywistyczny kojarzy się z bardzo dużymi prędkościami, bliskimi prędkości światła. Tylko, ze światło porusza się zawsze z prędkością światła.

Bardziej szczegółowo

Fala EM w izotropowym ośrodku absorbującym

Fala EM w izotropowym ośrodku absorbującym Fala EM w izotropowym ośrodku absorbującym Fala EM powoduje generację zmienne pole elektryczne E Zmienne co do kierunku i natężenia, Pole E Nie wywołuje w ośrodku prądu elektrycznego Powoduje ruch elektronów

Bardziej szczegółowo

UNIWERSYTET SZCZECIŃSKI INSTYTUT FIZYKI ZAKŁAD FIZYKI CIAŁA STAŁEGO. Ćwiczenie laboratoryjne Nr.2. Elektroluminescencja

UNIWERSYTET SZCZECIŃSKI INSTYTUT FIZYKI ZAKŁAD FIZYKI CIAŁA STAŁEGO. Ćwiczenie laboratoryjne Nr.2. Elektroluminescencja UNIWERSYTET SZCZECIŃSKI INSTYTUT FIZYKI ZAKŁAD FIZYKI CIAŁA STAŁEGO Ćwiczenie laboratoryjne Nr.2 Elektroluminescencja SZCZECIN 2002 WSTĘP Mianem elektroluminescencji określamy zjawisko emisji spontanicznej

Bardziej szczegółowo

OPTYKA. Leszek Błaszkieiwcz

OPTYKA. Leszek Błaszkieiwcz OPTYKA Leszek Błaszkieiwcz Ojcem optyki jest Witelon (1230-1314) Zjawisko odbicia fal promień odbity normalna promień padający Leszek Błaszkieiwcz Rys. Zjawisko załamania fal normalna promień padający

Bardziej szczegółowo

ZAKRES AKREDYTACJI LABORATORIUM BADAWCZEGO Nr AB 295

ZAKRES AKREDYTACJI LABORATORIUM BADAWCZEGO Nr AB 295 ZAKRES AKREDYTACJI LABORATORIUM BADAWCZEGO Nr AB 295 wydany przez POLSKIE CENTRUM AKREDYTACJI 01-382 Warszawa, ul. Szczotkarska 42 Wydanie nr 13, Data wydania: 17 listopada 2014 r. Nazwa i adres AB 295

Bardziej szczegółowo

Instrukcja obsługi i instalacji repeatera światłowodowego BMK-29.

Instrukcja obsługi i instalacji repeatera światłowodowego BMK-29. Instrukcja obsługi i instalacji repeatera światłowodowego. 1.Wstęp Modułowy repeater światłowodowy umożliwia połączenie pięciu segmentów sieci Ethernet. Posiada cztery wymienne porty, które mogą zawierać

Bardziej szczegółowo

6. Modulatory optyczne

6. Modulatory optyczne TELEKOMUNIKACJA OPTOFALOWA 6. Modulatory optyczne Spis treści: 6.1. Wprowadzenie 6.2. Modulacja bezpośrednia lasera Modulacja amplitudy Modulacja częstotliwości 6.3. Modulatory elektrooptyczne 6.4. Modulatory

Bardziej szczegółowo

ZAMAWIAJĄCA 2. TRYB ZAMÓWIENIA. Zamówienie realizowane będzie na podstawie wyboru najlepszej oferty zgodnie z kryteriami opisanymi w 6. 3.

ZAMAWIAJĄCA 2. TRYB ZAMÓWIENIA. Zamówienie realizowane będzie na podstawie wyboru najlepszej oferty zgodnie z kryteriami opisanymi w 6. 3. ART ESTETYKA MEDYCYNA ESTETYCZNA WERONIKA KUŚMIEREK 90-613 ŁÓDŹ UL. GDAŃSKA 80 OGŁOSZENIE O ZAMÓWIENIU NR 1/2011 1. ZAMAWIAJĄCA Łódź 28.06.2011 Zamawiającym jest ART ESTETYKA MEDYCYNA ESTETYCZNA WERONIKA

Bardziej szczegółowo

MATERIAŁY I WIELOWARSTWOWE STRUKTURY OPTYCZNE DO ZASTOSOWAŃ W FOTOWOLTAICE ORGANICZNEJ (WYBRANE ZAGADNIENIA MODELOWANIA, POMIARÓW I REALIZACJI)

MATERIAŁY I WIELOWARSTWOWE STRUKTURY OPTYCZNE DO ZASTOSOWAŃ W FOTOWOLTAICE ORGANICZNEJ (WYBRANE ZAGADNIENIA MODELOWANIA, POMIARÓW I REALIZACJI) MATERIAŁY I WIELOWARSTWOWE STRUKTURY OPTYCZNE DO ZASTOSOWAŃ W FOTOWOLTAICE ORGANICZNEJ (WYBRANE ZAGADNIENIA MODELOWANIA, POMIARÓW I REALIZACJI) Ewa Gondek Rys.1 Postęp w rozwoju ogniw fotowoltaicznych

Bardziej szczegółowo

Zagrożenia powodowane przez promieniowanie laserowe

Zagrożenia powodowane przez promieniowanie laserowe Zagrożenia powodowane przez promieniowanie laserowe Zagrożenia powodowane przez promieniowanie laserowe Laser, Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation, wzmacniacz kwantowy dla światła,

Bardziej szczegółowo

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE 2007, T.35/ Nr 1

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE 2007, T.35/ Nr 1 MATERIAŁY ELEKTRONICZNE 2007, T.35/ Nr 1 EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ STRUKTUR MIKROLASEROWYCH Cr,Mg:YAG/Yb:YAG Jerzy Sarnecki, K. Kopczyński W procesie epitaksji z roztworu wysokotemperaturowego otrzymano

Bardziej szczegółowo

Bezpieczeństwo pracy z laserami

Bezpieczeństwo pracy z laserami Bezpieczeństwo pracy z laserami Oddziaływania: cieplne, fotochemiczne, nieliniowe. Grupy: UV-C (0 280 nm), UV-B (280 315 nm), UV-A (315 00 nm), IR-A (780 00 nm), IR-B (100 3000 nm), IR-C (3000 nm 1 mm).

Bardziej szczegółowo

Technologia cienkowarstwowa

Technologia cienkowarstwowa Physical Vapour Deposition Evaporation Dlaczego w próżni? 1. topiony materiał wrze w niższej temperaturze 2. zmniejsza się proces utleniania wrzącej powierzchni 3. zmniejsza się liczba zanieczyszczeń w

Bardziej szczegółowo

WYKŁAD 2 Podstawy spektroskopii wibracyjnej, model oscylatora harmonicznego i anharmonicznego. Częstość oscylacji a struktura molekuły Prof. dr hab.

WYKŁAD 2 Podstawy spektroskopii wibracyjnej, model oscylatora harmonicznego i anharmonicznego. Częstość oscylacji a struktura molekuły Prof. dr hab. WYKŁAD 2 Podstawy spektroskopii wibracyjnej, model oscylatora harmonicznego i anharmonicznego. Częstość oscylacji a struktura molekuły Prof. dr hab. Halina Abramczyk POLITECHNIKA ŁÓDZKA Wydział Chemiczny

Bardziej szczegółowo

LASERY I ICH ZASTOSOWANIE

LASERY I ICH ZASTOSOWANIE LASERY I ICH ZASTOSOWANIE Laboratorium Instrukcja do ćwiczenia nr 6 Temat: Światłowodowy czujnik drań 6.Światłowodowy czujnik drań 6.. Ce ćwiczenia Ceem ćwiczenia jest zapoznanie się z czujnikiem światłowodowym

Bardziej szczegółowo

Aparatura do osadzania warstw metodami:

Aparatura do osadzania warstw metodami: Aparatura do osadzania warstw metodami: Rozpylania mgnetronowego Magnetron sputtering MS Rozpylania z wykorzystaniem działa jonowego Ion Beam Sputtering - IBS Odparowanie wywołane impulsami światła z lasera

Bardziej szczegółowo

Zaplanuj elektrostymulację mięśnia trójgłowego ramienia, którego wyniki diagnostyki są następujące:

Zaplanuj elektrostymulację mięśnia trójgłowego ramienia, którego wyniki diagnostyki są następujące: Zaplanuj elektrostymulację mięśnia trójgłowego ramienia, którego wyniki diagnostyki są Rb (reobaza) 5 ma Ch (chronaksja) 90 ms WA (wspólczynnik akomodacji; 1000 ms) 1.7 PP (punkt podstawowy) dla impulsów

Bardziej szczegółowo

Lampy operacyjne. Thea. Produkt został wykonany z materiałów, o właściwościach antybakteryjnych.

Lampy operacyjne. Thea. Produkt został wykonany z materiałów, o właściwościach antybakteryjnych. Lampy operacyjne www.famed.com.pl Produkt został wykonany z materiałów, o właściwościach antybakteryjnych. Lampa operacyjna Lampa jako źródło światła wykorzystuje białe diody LED. Dzięki zastosowaniu technologii

Bardziej szczegółowo

Lampy operacyjne FAM-LUX LO-23. Produkt został wykonany z materiałów, o właściwościach antybakteryjnych. www.famed.com.pl

Lampy operacyjne FAM-LUX LO-23. Produkt został wykonany z materiałów, o właściwościach antybakteryjnych. www.famed.com.pl Lampy operacyjne FAM-LUX www.famed.com.pl Produkt został wykonany z materiałów, o właściwościach antybakteryjnych. Lampa operacyjna FAM-LUX Standardowe konfiguracje lampy FAM-LUX 1. wersja sufitowa Lampa

Bardziej szczegółowo

XLVI OLIMPIADA FIZYCZNA (1996/1997). Stopień III, zadanie doświadczalne D

XLVI OLIMPIADA FIZYCZNA (1996/1997). Stopień III, zadanie doświadczalne D KOOF Szczecin: www.of.szc.pl XLVI OLIMPIADA FIZYCZNA (1996/1997). Stopień III, zadanie doświadczalne D Źródło: Komitet Główny Olimpiady Fizycznej; Fizyka w Szkole Nr 1, 1998 Autor: Nazwa zadania: Działy:

Bardziej szczegółowo

Systemy laserowe. dr inż. Adrian Zakrzewski dr inż. Tomasz Baraniecki

Systemy laserowe. dr inż. Adrian Zakrzewski dr inż. Tomasz Baraniecki Systemy laserowe dr inż. Adrian Zakrzewski dr inż. Tomasz Baraniecki Lasery światłowodowe Źródło: www.jakubduba.pl Światłowód płaszcz n 2 n 1 > n 2 rdzeń n 1 zjawisko całkowitego wewnętrznego odbicia Źródło:

Bardziej szczegółowo

Informacje ogólne. 45 min. test na podstawie wykładu Zaliczenie ćwiczeń na podstawie prezentacji Punkty: test: 60 %, prezentacja: 40 %.

Informacje ogólne. 45 min. test na podstawie wykładu Zaliczenie ćwiczeń na podstawie prezentacji Punkty: test: 60 %, prezentacja: 40 %. Informacje ogólne Wykład 28 h Ćwiczenia 14 Charakter seminaryjny zespołu dwuosobowe ~20 min. prezentacje Lista tematów na stronie Materiały do wykładu na stronie: http://urbaniak.fizyka.pw.edu.pl Zaliczenie:

Bardziej szczegółowo

WYKAZ WARTOŚCI NAJWYŻSZYCH DOPUSZCZALNYCH NATĘŻEŃ FIZYCZNYCH CZYNNIKÓW SZKODLIWYCH DLA ZDROWIA W ŚRODOWISKU PRACY

WYKAZ WARTOŚCI NAJWYŻSZYCH DOPUSZCZALNYCH NATĘŻEŃ FIZYCZNYCH CZYNNIKÓW SZKODLIWYCH DLA ZDROWIA W ŚRODOWISKU PRACY Załącznik nr 2 WYKAZ WARTOŚCI NAJWYŻSZYCH DOPUSZCZALNYCH NATĘŻEŃ FIZYCZNYCH CZYNNIKÓW SZKODLIWYCH DLA ZDROWIA W ŚRODOWISKU PRACY A. Hałas i hałas ultradźwiękowy 1. Hałas 1.1. Hałas w środowisku pracy jest

Bardziej szczegółowo

Badania elementów i zespołów maszyn laboratorium (MMM4035L)

Badania elementów i zespołów maszyn laboratorium (MMM4035L) Badania elementów i zespołów maszyn laboratorium (MMM4035L) Ćwiczenie 23. Zastosowanie elektronicznej interferometrii obrazów plamkowych (ESPI) do badania elementów maszyn. Opracowanie: Ewelina Świątek-Najwer

Bardziej szczegółowo

Diody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi

Diody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi Diody elektroluminescencyjne na bazie z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi Krystyna Gołaszewska Renata Kruszka Marcin Myśliwiec Marek Ekielski Wojciech Jung Tadeusz Piotrowski Marcin Juchniewicz

Bardziej szczegółowo

Przekaźnik sygnalizacyjny typu PS-1

Przekaźnik sygnalizacyjny typu PS-1 Przekaźnik sygnalizacyjny typu PS-1 Zastosowanie Przekaźnik sygnalizacyjny PS-1 przeznaczony jest do użytku w układach automatyki i zabezpieczeń. Urządzenie umożliwia wizualizację i powielenie jednego

Bardziej szczegółowo

Wstęp do optyki i fizyki materii skondensowanej. O: Wojciech Wasilewski FMS: Mateusz Goryca

Wstęp do optyki i fizyki materii skondensowanej. O: Wojciech Wasilewski FMS: Mateusz Goryca Wstęp do optyki i fizyki materii skondensowanej O: Wojciech Wasilewski FMS: Mateusz Goryca 1 Zasady części O Wykład przeglądowy Ćwiczenia rozszerzające lub ilustrujące Sprawdzane prace domowe psi.fuw.edu.pl/main/wdoifms

Bardziej szczegółowo

UMO-2011/01/B/ST7/06234

UMO-2011/01/B/ST7/06234 Załącznik nr 9 do sprawozdania merytorycznego z realizacji projektu badawczego Szybka nieliniowość fotorefrakcyjna w światłowodach półprzewodnikowych do zastosowań w elementach optoelektroniki zintegrowanej

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1. Parametry statyczne diod LED

Ćwiczenie 1. Parametry statyczne diod LED Ćwiczenie. Parametry statyczne diod LED. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi właściwościami i charakterystykami diod LED. Poznanie ograniczeń i sposobu zasilania tego typu

Bardziej szczegółowo

Nanostruktury i nanotechnologie

Nanostruktury i nanotechnologie Nanostruktury i nanotechnologie Heterozłącza Efekty kwantowe Nanotechnologie Z. Postawa, "Fizyka powierzchni i nanostruktury" 1 Termin oddania referatów do 19 I 004 Zaliczenie: 1 I 004 Z. Postawa, "Fizyka

Bardziej szczegółowo