PL B1. INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ, Warszawa, PL INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Warszawa, PL
|
|
- Janina Witkowska
- 7 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 PL B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: (22) Data zgłoszenia: (51) Int.Cl. H01L 33/00 ( ) H01S 5/00 ( ) H01S 5/34 ( ) (54) Struktura lasera półprzewodnikowego (43) Zgłoszenie ogłoszono: BUP 25/13 (73) Uprawniony z patentu: INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ, Warszawa, PL INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Warszawa, PL (45) O udzieleniu patentu ogłoszono: WUP 02/16 (72) Twórca(y) wynalazku: MICHAŁ SZYMAŃSKI, Warszawa, PL HENRYK TEISSEYRE, Warszawa, PL ADRIAN KOZANECKI, Warszawa, PL
2 2 PL B1 Opis wynalazku Przedmiotem wynalazku jest struktura lasera półprzewodnikowego na podłożu z Al 2 O 3, SiC, Si lub z innych związków pochodnych, w której azotki grupy III (lub ich związki pochodne) tworzą warstwę falowodową, natomiast obszar aktywny wykonany jest z warstw tlenkowych ZnO. Struktura według wynalazku charakteryzuje się podwyższonym współczynnikiem Γ określającym zawartość promieniowania w obszarze czynnym. Znane struktury laserów tego typu są najczęściej wytwarzane metodami epitaksjalnymi, na podłożach z azotków grupy III układu okresowego. Zwłaszcza tlenek cynku jest materiałem atrakcyjnym z punktu widzenia zastosowania przemysłowego, ponieważ jest to materiał tani, ogólnie dostępny, zaliczany jednocześnie do półprzewodników szeroko-przerwowych. Stabilną strukturą sieci krystalicznej kryształów ZnO, w temperaturze pokojowej, jest struktura wurcytu. Atutami tego materiału jest szeroka przerwa energetyczna, (wynosząca w temperaturze pokojowej 3,37 ev) oraz wysoka energia wiązania ekscytonu równa 60 mev w kryształach objętościowych. Cechy te powodują, że ZnO jest świetnym materiałem do zastosowań w optoelektronice. Podstawowym problemem na jaki napotyka rozwój optoelektroniki opartej na tlenku cynku są trudności z otrzymaniem ZnO o typie przewodnictwa p. Jest to związane z niską energią tworzenia defektów kompensujących przewodnictwo typu p, takich jak Zn i oraz V o oraz z często występującym silnym domieszkowaniem wodorem. Wpływ na problemy z uzyskaniem p typu przewodnictwa ma również niska rozpuszczalność domieszek akceptorowych. Potencjalne akceptory w ZnO to lit, sód, miedź, srebro oraz niektóre pierwiastki z kolumny V układu okresowego jak azot, fosfor czy arsen. Na podstawie licznych publikacji (na przykład zbiorcza praca Özgür a Journal of Applied Physics 98, (2005)) można odnotować ogromny postęp w uzyskiwaniu ZnO typu p, zwłaszcza przez domieszkowanie azotem i antymonem. Jednakże, problem uważa się nadal za nierozwiązany. Pewnym wyjściem wydaje się być użycie innego półprzewodnika jako warstwy o typie przewodnictwa p, jak na przykład azotku galu. To rozwiązanie opisane jest w patencie Light emitting diode and laser having n-type ZnO layer and p-type semiconductor layer (US B2). W przypadku struktury laserowej, w której obszar aktywny (obszar z którego zachodzi emisja światła) znajduje się w warstwie tlenków (ZnO/ZnMgO), użycie azotków jako warstwy typu p jest niekorzystne ze względu na dużą różnicę współczynników załamania, pomiędzy warstwą aktywną a podłożem. Lasery półprzewodnikowe (diody laserowe) mają postać złącza p-n, w którym generacja światła jest wywołana przez prąd elektryczny przepływający przez złącze. Ponieważ diody laserowe charakteryzują się małymi rozmiarami, to mogą być łatwo sterowane prądem i umożliwiają uzyskanie promieniowania od podczerwieni do bliskiego nadfioletu. Diody takie są wielowarstwowymi strukturami półprzewodnikowymi, w których z jednej strony występuje materiał typu n (nadmiar elektronów w paśmie przewodnictwa) a z drugiej strony materiał typu p (nadmiar dziur w paśmie walencyjnym). Przy dostatecznie dużym prądzie (powyżej prądu progowego) następuje inwersja obsadzeń i wywołana tym akcja laserowa. W znanej diodzie, wykonanej w układzie ZnO/ZnMgO na warstwie azotków grupy III różnica współczynników załamania jest niekorzystna, co uniemożliwia powstanie światłowodu i powoduje, że światło propaguje wewnątrz warstw azotkowych, a nie wewnątrz warstwy ZnO/ZnMgO. Lasery z obszarem czynnym wykonanym z materiałów tlenkowych mogłyby potencjalnie konkurować z laserami, w których obszar czynny tworzą warstwy azotkowe. Pierwszym elementem przewagi laserów z tlenkowymi obszarami czynnymi jest energia wiązania ekscytonu, która w objętościowym ZnO wynosi 60 mev (dla GaN wartość ta wynosi 25 mev). W studniach kwantowych wartość ta wzrasta w przybliżeniu o dwa i pół razy. Drugim atutem struktur ZnO/ZnMgO jest znacznie wyższe wzmocnienie. Jak wykazały obliczenia opublikowane przez Park a, Jpn. J. Appl. Phys., 44. L1403 (2005), wartość wzmocnienia jest trzykrotnie wyższa dla struktury ZnO/Zn 0,8 Mg 0,2 O niż w analogicznej strukturze GaN/Ga 0.8 Al 0.2 O. Jest to związane z niższą wartością wbudowanych pól elektrycznych w strukturach ZnO/ZnMgO, a więc w konsekwencji mniejszą przestrzenną separacją dziur i elektronów i wyższą wartością optycznych elementów macierzowych. Dotychczasowe prace dotyczące emisji laserowej z tlenku cynku można podzielić na trzy grupy. Do pierwszej można zaliczyć prace dotyczące akcji laserowej otrzymane na kryształach objętościowych i warstwach epitaksjalnych (publikacje: Ü. Özgür et al. Appl. Phys. Lett. 84, 3223 (2004). D. M Bagnall, et al. Appl. Phys. Lett. 70, 2230 (1997). Y. Chen et al. Appl. Phys. Lett. 78, 1469 (2001) oraz np. patent nr US dotyczący konstrukcji lasera na objętościowych kryształach ZnO pompowanych wiązką elektronów).
3 PL B1 3 Do drugiej grupy można zaliczyć prace wykonane na różnego typu strukturach kwantowych, pompowanych optycznie (publikacja Jian Cui, et al Appl. Phys. Lett. 89, (2006) oraz zgłoszenie patentowe US A1 "High performance ZnO based laser diodes". Do trzeciej grupy należy zaliczyć doniesienie dotyczące struktur laserowych pompowanych elektrycznie Sheng Chu. et al. Appl. Phys. Lett. 93, (2008). Wykorzystując metodę MBL z plazmą wzbudzoną techniką ECR, na krzemowym podłożu osadzono warstwę ZnO o typie przewodnictwa p (domieszkując ZnO antymonem). Na tej warstwie osadzono następnie warstwy obszaru aktywnego. Celem niniejszego wynalazku jest opracowanie struktury laserowej, o podwyższonej wartości współczynnika Γ opisującego procentową zawartość promieniowania w obszarze aktywnym. Struktura lasera według wynalazku posiada podłoże z Al 2 O 3, SiC lub Si, lub ze związków pochodnych. Obszar aktywny wykonany z warstw tlenkowych ZnO, trzyskładnikowych lub czteroskładnikowych warstw pochodnych względem ZnO, w postaci warstw epitaksjalnych tworzących studnie kwantowe lub warstw zawierających kropki kwantowe lub nanodruty oraz falowód. W strukturze tej falowód jest przestrzennie odseparowany od obszaru aktywnego i znajduje się pomiędzy podłożem, a obszarem aktywnym w odległości mniejszej niż 500 nm od pierwszej studni kwantowej lub od warstwy zawierającej kropki kwantowe lub nanodruty obszaru czynnego. Grubość warstwy falowodowej wynosi od 2 do 200 nm. Korzystnie jest jeżeli warstwą falowodową jest warstwa GaN lub InGaN, AlGaN, InAIN, InAlGaN o grubości większej niż 20 nm. Wartość współczynnika określającego zawartość promieniowania w obszarze czynnym Γ w przykładowej strukturze wynosi 4%, a to umożliwia wzbudzenie modu optycznego. Wynalazek zostanie bliżej objaśniony na przykładzie wykonania pokazanym na rysunku. Fig. 1 rysunku prezentuje przekrój struktury, Fig. 2 profil współczynnika załamania w tej strukturze oraz mod optyczny, Fig. 3 zależność procentowego współczynnika zawartości promieniowania w warstwie aktywnej od grubości warstwy falowodowej. Przykładowa struktura lasera posiada szafirowe (AI 2 O 3 ) podłoże 1, na którym znajduje się odseparowany przestrzennie falowód 2 w postaci warstwy azotku ganu (GaN). Na warstwie falowodowej znajdują się warstwy obszaru czynnego ze studniami kwantowymi ZnO oddzielonymi warstwami barierowymi Zn 0.8 Mg 0.2 O 3. W przykładowej strukturze zastosowano warstwę falowodową 2 z GaN o grubości 60 nm umieszczoną w odległości 10 nm pod pierwszą studnią kwantową obszaru aktywnego, która zawiera studnie kwantowe ZnO. Na warstwach obszaru czynnego znajduje się warstwa o przewodnictwie typu n 4 tlenku cynku (ZnO) o grubości 500 nm. Podkreślić należy, że warstwa falowodowa musi mieć odpowiednią grubość gdyż zastosowanie warstwy zbyt cienkiej albo jej brak uniemożliwi generację prowadzonego modu optycznego. Dzięki umieszczeniu w odpowiedniej odległości od obszaru aktywnego 3 struktury warstwy falowodowej 2 o dobranej odpowiednio grubości, uzyskano zawartość promieniowania w obszarze czynnym określaną wartością współczynnika Γ=4,5%, co w stosunku do znanych rozwiązań jest znacznym osiągnięciem (Fig. 3). Zastrzeżenia patentowe 1. Struktura lasera półprzewodnikowego posiadająca podłoże AI 2 O 3, SiC, Si lub z innych związków pochodnych, falowód oraz obszar aktywny wykonany z warstw tlenkowych ZnO, trzyskładnikowych lub czteroskładnikowych warstw pochodnych względem ZnO, w postaci warstw epitaksjalnych tworzących studnie kwantowe lub warstw zawierających kropki kwantowe lub nanodruty, znamienna tym, że falowód (2) jest przestrzennie odseparowany od obszaru aktywnego (3) struktury i osadzony jest pomiędzy obszarem aktywnym (3) a podłożem (1) w odległości mniejszej niż 500 nm pod pierwszą studnią kwantową lub pod warstwą zawierającą kropki kwantowe lub nanodrutv obszaru czynnego (3), przy czym grubość warstwy (2) wynosi od 2 do 200 nm. 2. Struktura według zastrz. 1, znamienna tym, że falowód jest warstwą GaN, lub warstwą In- GaN, AlGaN, InAlN lub InAlGaN, o grubości większej niż 20 nm.
4 4 PL B1 Rysunki
5 PL B1 5
6 6 PL B1 Departament Wydawnictw UPRP Cena 2,46 zł (w tym 23% VAT)
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 174002 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 300055 (22) Data zgłoszenia: 12.08.1993 (5 1) IntCl6: H01L21/76 (54)
Bardziej szczegółowoINSTYTUT TRANSPORTU SAMOCHODOWEGO,
PL 218158 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 218158 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 389646 (51) Int.Cl. B60Q 1/00 (2006.01) B60Q 1/28 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej
Bardziej szczegółowo!!!DEL są źródłami światła niespójnego.
Dioda elektroluminescencyjna DEL Element czynny DEL to złącze p-n. Gdy zostanie ono spolaryzowane w kierunku przewodzenia, to w obszarze typu p, w warstwie o grubości rzędu 1µm, wytwarza się stan inwersji
Bardziej szczegółowoRekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja
Rekapitulacja Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje: czwartek
Bardziej szczegółowo(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 170013 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 297079 (22) Data zgłoszenia: 17.12.1992 (51) IntCl6: H01L 29/792 (
Bardziej szczegółowoPL B1. WOJSKOWY INSTYTUT MEDYCYNY LOTNICZEJ, Warszawa, PL BUP 23/13
PL 222455 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 222455 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 399143 (51) Int.Cl. H02M 5/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:
Bardziej szczegółowoPL B1. ZACHODNIOPOMORSKI UNIWERSYTET TECHNOLOGICZNY W SZCZECINIE, Szczecin, PL BUP 06/14
PL 222179 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 222179 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 400696 (22) Data zgłoszenia: 10.09.2012 (51) Int.Cl.
Bardziej szczegółowoAleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA
Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA B V B C ZEWNĘTRZNE POLE ELEKTRYCZNE B C B V B D = 0 METAL IZOLATOR PRZENOSZENIE ŁADUNKÓW ELEKTRYCZNYCH B C B D B V B D PÓŁPRZEWODNIK PODSTAWOWE MECHANIZMY
Bardziej szczegółowoPL B1. INSTYTUT MASZYN PRZEPŁYWOWYCH PAN, Gdańsk, PL JASIŃSKI MARIUSZ, Wągrowiec, PL GOCH MARCIN, Braniewo, PL MIZERACZYK JERZY, Rotmanka, PL
PL 215139 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 215139 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 383703 (22) Data zgłoszenia: 06.11.2007 (51) Int.Cl.
Bardziej szczegółowoPL 213904 B1. Elektrolityczna, nanostrukturalna powłoka kompozytowa o małym współczynniku tarcia, zużyciu ściernym i korozji
PL 213904 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 213904 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 390004 (51) Int.Cl. C25D 3/12 (2006.01) C25D 15/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej
Bardziej szczegółowoPL B1. Układ do optycznego pomiaru parametrów plazmy generowanej wewnątrz kapilary światłowodowej. POLITECHNIKA LUBELSKA, Lublin, PL
PL 225214 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 225214 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 414026 (22) Data zgłoszenia: 16.09.2015 (51) Int.Cl.
Bardziej szczegółowoPL B1. Politechnika Wrocławska,Wrocław,PL BUP 02/04
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 203033 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 355071 (51) Int.Cl. H01S 5/343 (2006.01) H01L 31/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)
Bardziej szczegółowopółprzewodniki Plan na dzisiaj Optyka nanostruktur Struktura krystaliczna Dygresja Sebastian Maćkowski
Plan na dzisiaj Optyka nanostruktur Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 półprzewodniki
Bardziej szczegółowoPL B1. POLITECHNIKA WROCŁAWSKA, Wrocław, PL BUP 18/15. HANNA STAWSKA, Wrocław, PL ELŻBIETA BEREŚ-PAWLIK, Wrocław, PL
PL 224674 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 224674 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 409674 (51) Int.Cl. G02B 6/02 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:
Bardziej szczegółowo(62) Numer zgłoszenia, z którego nastąpiło wydzielenie:
PL 223874 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 223874 (21) Numer zgłoszenia: 413547 (22) Data zgłoszenia: 10.05.2013 (62) Numer zgłoszenia,
Bardziej szczegółowoPL B1. Sposób i układ do modyfikacji widma sygnału ultraszerokopasmowego radia impulsowego. POLITECHNIKA GDAŃSKA, Gdańsk, PL
PL 219313 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 219313 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 391153 (51) Int.Cl. H04B 7/00 (2006.01) H04B 7/005 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej
Bardziej szczegółowoTeoria pasmowa. Anna Pietnoczka
Teoria pasmowa Anna Pietnoczka Opis struktury pasmowej we współrzędnych r, E Zmiana stanu elektronów przy zbliżeniu się atomów: (a) schemat energetyczny dla atomów sodu znajdujących się w odległościach
Bardziej szczegółowoCharakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk
Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk Promotor: dr hab. inż. Bogusława Adamowicz, prof. Pol. Śl. Zadania pracy Pomiary transmisji i odbicia optycznego
Bardziej szczegółowoPL B1. W.C. Heraeus GmbH,Hanau,DE ,DE, Martin Weigert,Hanau,DE Josef Heindel,Hainburg,DE Uwe Konietzka,Gieselbach,DE
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 204234 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 363401 (51) Int.Cl. C23C 14/34 (2006.01) B22D 23/06 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)
Bardziej szczegółowoRezonatory ze zwierciadłem Bragga
Rezonatory ze zwierciadłem Bragga Siatki dyfrakcyjne stanowiące zwierciadła laserowe (zwierciadła Bragga) są powszechnie stosowane w laserach VCSEL, ale i w laserach z rezonatorem prostopadłym do płaszczyzny
Bardziej szczegółowoFizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r.
Fizyka i technologia złącza P Adam Drózd 25.04.2006r. O czym będę mówił: Półprzewodnik definicja, model wiązań walencyjnych i model pasmowy, samoistny i niesamoistny, domieszki donorowe i akceptorowe,
Bardziej szczegółowoPL B1. POLITECHNIKA GDAŃSKA, Gdańsk, PL BUP 19/09. MACIEJ KOKOT, Gdynia, PL WUP 03/14. rzecz. pat.
PL 216395 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 216395 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 384627 (51) Int.Cl. G01N 27/00 (2006.01) H01L 21/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej
Bardziej szczegółowoMateriały w optoelektronice
Materiały w optoelektronice Materiał Typ Podłoże Urządzenie Długość fali (mm) Si SiC Ge GaAs AlGaAs GaInP GaAlInP GaP GaAsP InP InGaAs InGaAsP InAlAs InAlGaAs GaSb/GaAlSb CdHgTe ZnSe ZnS IV IV IV III-V
Bardziej szczegółowoPL B1. C & T ELMECH SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Pruszcz Gdański, PL BUP 07/10
PL 215666 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 215666 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 386085 (51) Int.Cl. H02M 7/48 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:
Bardziej szczegółowoPL B1. GRZENIK ROMUALD, Rybnik, PL MOŁOŃ ZYGMUNT, Gliwice, PL BUP 17/14. ROMUALD GRZENIK, Rybnik, PL ZYGMUNT MOŁOŃ, Gliwice, PL
PL 223654 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 223654 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 402767 (51) Int.Cl. G05F 1/10 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:
Bardziej szczegółowoWYZNACZANIE STAŁEJ PLANCKA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH. Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska
1 II PRACOWNIA FIZYCZNA: FIZYKA ATOMOWA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie
Bardziej szczegółowoCel ćwiczenia: Wyznaczenie szerokości przerwy energetycznej przez pomiar zależności oporności elektrycznej monokryształu germanu od temperatury.
WFiIS PRACOWNIA FIZYCZNA I i II Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA Cel ćwiczenia: Wyznaczenie
Bardziej szczegółowoPrzyrządy i układy półprzewodnikowe
Przyrządy i układy półprzewodnikowe Prof. dr hab. Ewa Popko ewa.popko@pwr.edu.pl www.if.pwr.wroc.pl/~popko p.231a A-1 Zawartość wykładu Wy1, Wy2 Wy3 Wy4 Wy5 Wy6 Wy7 Wy8 Wy9 Wy10 Wy11 Wy12 Wy13 Wy14 Wy15
Bardziej szczegółowoLasery półprzewodnikowe. przewodnikowe. Bernard Ziętek
Lasery półprzewodnikowe przewodnikowe Bernard Ziętek Plan 1. Rodzaje półprzewodników 2. Parametry półprzewodników 3. Złącze p-n 4. Rekombinacja dziura-elektron 5. Wzmocnienie 6. Rezonatory 7. Lasery niskowymiarowe
Bardziej szczegółowoPrzejścia promieniste
Przejście promieniste proces rekombinacji elektronu i dziury (przejście ze stanu o większej energii do stanu o energii mniejszej), w wyniku którego następuje emisja promieniowania. E Długość wyemitowanej
Bardziej szczegółowoPL B1. PRZEMYSŁOWY INSTYTUT AUTOMATYKI I POMIARÓW PIAP, Warszawa, PL BUP 12/10
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 209061 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 386693 (51) Int.Cl. F16B 7/10 (2006.01) F16B 7/16 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data
Bardziej szczegółowoStruktura pasmowa ciał stałych
Struktura pasmowa ciał stałych dr inż. Ireneusz Owczarek CMF PŁ ireneusz.owczarek@p.lodz.pl http://cmf.p.lodz.pl/iowczarek 2012/13 Spis treści 1. Pasmowa teoria ciała stałego 2 1.1. Wstęp do teorii..............................................
Bardziej szczegółowoPL B1. DRUKARNIA CZĘSTOCHOWSKIE ZAKŁADY GRAFICZNE SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Częstochowa, PL
PL 225078 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 225078 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 410761 (51) Int.Cl. B41M 3/14 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 4. Detekcja światła. Dygresja. Plan na dzisiaj
Repeta z wykładu nr 4 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoPL B1. WIJAS PAWEŁ, Kielce, PL BUP 26/06. PAWEŁ WIJAS, Kielce, PL WUP 09/12. rzecz. pat. Wit Flis RZECZPOSPOLITA POLSKA
PL 212307 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 212307 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 375676 (51) Int.Cl. F24H 9/20 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:
Bardziej szczegółowoPL B1. INSTYTUT METALURGII I INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ IM. ALEKSANDRA KRUPKOWSKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Kraków, PL
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 211075 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 382853 (51) Int.Cl. C22C 5/08 (2006.01) B21D 26/02 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)
Bardziej szczegółowoGaSb, GaAs, GaP. Joanna Mieczkowska Semestr VII
GaSb, GaAs, GaP Joanna Mieczkowska Semestr VII 1 Pierwiastki grupy III i V układu okresowego mają mało jonowy charakter. 2 Prawie wszystkie te kryształy mają strukturę blendy cynkowej, typową dla kryształów
Bardziej szczegółowoZjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne
Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne
Bardziej szczegółowo(12) OPIS PATENTOWY (19) PL
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 174307 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej ( 2 1) Numer zgłoszenia: 305733 (22) Data zgłoszenia: 05.11.1994 (51) IntCl6: A47L 9/24 (54)
Bardziej szczegółowoSposób sterowania ruchem głowic laserowego urządzenia do cięcia i znakowania/grawerowania materiałów oraz urządzenie do stosowania tego sposobu
PL 217478 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 217478 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 397035 (22) Data zgłoszenia: 18.11.2011 (51) Int.Cl.
Bardziej szczegółowoPL B1. POLITECHNIKA LUBELSKA, Lublin, PL BUP 26/14. TOMASZ KLEPKA, Lublin, PL WUP 12/16. rzecz. pat.
PL 224269 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 224269 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 404317 (51) Int.Cl. B29C 47/12 (2006.01) B29C 47/52 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej
Bardziej szczegółowoPL B1. PĘKACKI PAWEŁ, Skarżysko-Kamienna, PL BUP 02/06. PAWEŁ PĘKACKI, Skarżysko-Kamienna, PL
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 208199 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 369112 (51) Int.Cl. A61C 5/02 (2006.01) A61B 5/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data
Bardziej szczegółowoPL B1. Sposób i układ kontroli napięć na szeregowo połączonych kondensatorach lub akumulatorach
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 232336 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 421777 (22) Data zgłoszenia: 02.06.2017 (51) Int.Cl. H02J 7/00 (2006.01)
Bardziej szczegółowoRozszczepienie poziomów atomowych
Rozszczepienie poziomów atomowych Poziomy energetyczne w pojedynczym atomie Gdy zbliżamy atomy chmury elektronowe nachodzą na siebie (inaczej: funkcje falowe elektronów zaczynają się przekrywać) Na skutek
Bardziej szczegółowoPL B1. CAPRICORN SPÓŁKA AKCYJNA, Świebodzice, PL BUP 13/15. MACIEJ DOBROWOLSKI, Grodziszcze, PL
PL 223457 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 223457 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 409312 (22) Data zgłoszenia: 29.08.2014 (51) Int.Cl.
Bardziej szczegółowoSkalowanie układów scalonych Click to edit Master title style
Skalowanie układów scalonych Charakterystyczne parametry Technologia mikroelektroniczna najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna
Bardziej szczegółowoWprowadzenie do struktur niskowymiarowych
Wprowadzenie do struktur niskowymiarowych W litym krysztale ruch elektronów i dziur nie jest ograniczony przestrzennie. Struktury niskowymiarowe pozwalają na ograniczenie (częściowe lub całkowite) ruchu
Bardziej szczegółowoPL B1. System kontroli wychyleń od pionu lub poziomu inżynierskich obiektów budowlanych lub konstrukcyjnych
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 200981 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 360320 (51) Int.Cl. G01C 9/00 (2006.01) G01C 15/10 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)
Bardziej szczegółowoPL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 26/16
PL 227999 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 227999 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 412711 (51) Int.Cl. H02M 3/07 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:
Bardziej szczegółowoPL B BUP 24/17. POLITECHNIKA WROCŁAWSKA, Wrocław, PL. STANISŁAW KWAŚNIOWSKI, Wrocław, PL PAWEŁ ZAJĄC, Święta Katarzyna, PL
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 229668 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 421459 (22) Data zgłoszenia: 28.04.2017 (51) Int.Cl. F21V 15/02 (2006.01)
Bardziej szczegółowoSpektroskopia modulacyjna
Spektroskopia modulacyjna pozwala na otrzymanie energii przejść optycznych w strukturze z bardzo dużą dokładnością. Charakteryzuje się również wysoką czułością, co pozwala na obserwację słabych przejść,
Bardziej szczegółowoPL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 08/13
PL 223496 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 223496 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 399321 (51) Int.Cl. B23P 17/00 (2006.01) C21D 8/12 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej
Bardziej szczegółowoPL B1. Przekształtnik rezonansowy DC-DC o przełączanych kondensatorach o podwyższonej sprawności
PL 228000 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 228000 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 412712 (51) Int.Cl. H02M 3/07 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:
Bardziej szczegółowoPL B1. SINTERIT SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Kraków, PL BUP 19/17
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 231538 (21) Numer zgłoszenia: 425084 (22) Data zgłoszenia: 09.03.2016 (13) B1 (51) Int.Cl. B29C 64/227 (2017.01) B29C 67/00 (2017.01) Urząd Patentowy
Bardziej szczegółowoPL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 04/13
PL 219056 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 219056 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 395928 (51) Int.Cl. H01L 35/30 (2006.01) F16C 41/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej
Bardziej szczegółowoWidmo promieniowania elektromagnetycznego Czułość oka człowieka
dealna charakterystyka prądowonapięciowa złącza p-n ev ( V ) = 0 exp 1 kbt Przebicie złącza przy polaryzacji zaporowej Przebicie Zenera tunelowanie elektronów przez wąską warstwę zaporową w złączu silnie
Bardziej szczegółowo(86) Data i numer zgłoszenia międzynarodowego: , PCT/FI04/ (87) Data i numer publikacji zgłoszenia międzynarodowego:
RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 207178 (21) Numer zgłoszenia: 370883 (22) Data zgłoszenia: 28.01.2004 (86) Data i numer zgłoszenia międzynarodowego:
Bardziej szczegółowoPL B1. Uszczelnienie nadbandażowe stopnia przepływowej maszyny wirnikowej, zwłaszcza z bandażem płaskim. POLITECHNIKA GDAŃSKA, Gdańsk, PL
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 212669 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 381571 (51) Int.Cl. B23Q 17/12 (2006.01) F04D 29/66 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)
Bardziej szczegółowoPL B1. PRZEDSIĘBIORSTWO HAK SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Wrocław, PL BUP 20/14. JACEK RADOMSKI, Wrocław, PL
PL 224252 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 224252 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 403166 (51) Int.Cl. B66C 13/08 (2006.01) H02K 7/14 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej
Bardziej szczegółowoPL B1. STOLARCZYK MIROSŁAW PRZEDSIĘBIORSTWO USŁUGOWO-HANDLOWE, Kielce, PL , XI Międzynarodowe Targi Logistyczne LOGISTYKA
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 210171 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 379080 (51) Int.Cl. A62C 27/00 (2006.01) B62D 25/16 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)
Bardziej szczegółowoPL B1. Hybrydowy układ optyczny do rozsyłu światła z tablicy znaków drogowych o zmiennej treści
PL 219112 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 219112 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 392659 (22) Data zgłoszenia: 15.10.2010 (51) Int.Cl.
Bardziej szczegółowo6. Emisja światła, diody LED i lasery polprzewodnikowe
6. Emisja światła, diody LED i lasery polprzewodnikowe Typy rekombinacji Rekombinacja promienista Diody LED Lasery półprzewodnikowe Struktury niskowymiarowe OLEDy 1 Promieniowanie termiczne Rozkład Plancka
Bardziej szczegółowoPL B1. POLITECHNIKA OPOLSKA, Opole, PL BUP 16/17. JAROSŁAW ZYGARLICKI, Krzyżowice, PL WUP 04/18
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 228586 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 419136 (51) Int.Cl. H01H 47/24 (2006.01) G02B 6/35 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)
Bardziej szczegółowo(13) B1 PL B1 (19) PL (11)
RZECZPOSPOLITA POLSKA ( 12) OPIS PATENTOWY (21) Numer zgłoszenia: 319170 Urząd Patentowy (22) Data zgłoszenia: 25.03.1997 Rzeczypospolitej Polskiej (19) PL (11) 182309 (13) B1 (51) IntCl7 G01N 3/08 G02B
Bardziej szczegółowo(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11)
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 165024 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 290701 (22) Data zgłoszenia: 17.06.1991 (51) IntCl5: H01L 21/66 H01L
Bardziej szczegółowoPL B1 (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11)
RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 188253 (21) Numer zgłoszenia: 335725 (13) B1 (22) Data zgłoszenia: 09.04.1998 (86) Data i numer zgłoszenia
Bardziej szczegółowoUkład stabilizacji natężenia prądu termoemisji elektronowej i napięcia przyspieszającego elektrony zwłaszcza dla wysokich energii elektronów
PL 219991 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 219991 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 398424 (51) Int.Cl. G05F 1/56 (2006.01) H01J 49/26 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej
Bardziej szczegółowoPL B1. Sposób zasilania silników wysokoprężnych mieszanką paliwa gazowego z olejem napędowym. KARŁYK ROMUALD, Tarnowo Podgórne, PL
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 212194 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 378146 (51) Int.Cl. F02B 7/06 (2006.01) F02M 21/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)
Bardziej szczegółowoPL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 08/13
PL 223497 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 223497 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 399322 (51) Int.Cl. B23P 17/00 (2006.01) C21D 8/12 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej
Bardziej szczegółowoPL B1 (13) B1. (51) IntCl6: F15B 15/14 F16J 7/00. (54) Siłownik hydrauliczny lub pneumatyczny
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 167345 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 292954 (22) Data zgłoszenia: 2 3.12.1991 (51) IntCl6: F15B 15/14 F16J
Bardziej szczegółowoElektryczne własności ciał stałych
Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności elektryczne trzeba zdefiniować kilka wielkości Oporność właściwa (albo przewodność) ładunek [C] = 1/
Bardziej szczegółowoPL 208802 B1. NYK BOGUSŁAW, Warszawa, PL 13.10.2008 BUP 21/08. BOGUSŁAW NYK, Warszawa, PL 30.06.2011 WUP 06/11. rzecz. pat.
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 208802 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 382138 (51) Int.Cl. A47H 1/02 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 04.04.2007
Bardziej szczegółowoSkalowanie układów scalonych
Skalowanie układów scalonych Technologia mikroelektroniczna Charakterystyczne parametry najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna
Bardziej szczegółowoPL B1. Instytut Automatyki Systemów Energetycznych,Wrocław,PL BUP 26/ WUP 08/09. Barbara Plackowska,Wrocław,PL
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 202961 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 354738 (51) Int.Cl. G01F 23/14 (2006.01) F22B 37/78 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)
Bardziej szczegółowoPL B1. Ośrodek Badawczo-Rozwojowy Izotopów POLATOM,Świerk,PL BUP 12/05
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 201238 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 363932 (51) Int.Cl. G21G 4/08 (2006.01) C01F 17/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)
Bardziej szczegółowoWyrób włókienniczy warstwowy o wymaganej remisji w podczerwieni oraz sposób jego wykonywania
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 199230 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 344726 (22) Data zgłoszenia: 21.12.2000 (51) Int.Cl. F41H 3/02 (2006.01)
Bardziej szczegółowoWZORU UŻYTKOWEGO PL Y1 G09F 15/00 ( ) Wasilewski Sławomir, Brzeziny, PL BUP 23/07. Sławomir Wasilewski, Brzeziny, PL
RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (12) OPIS OCHRONNY WZORU UŻYTKOWEGO (21) Numer zgłoszenia: 116108 (22) Data zgłoszenia: 05.05.2006 (19) PL (11) 64050 (13) Y1 (51) Int.Cl.
Bardziej szczegółowo(13) B1 (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) PL B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA. (21) Numer zgłoszenia: (51) IntCl7 H02M 7/42
RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 184340 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 323484 (22) Data zgłoszenia: 03.12.1997 (51) IntCl7 H02M 7/42 (54)
Bardziej szczegółowoPL B1. INSTYTUT NISKICH TEMPERATUR I BADAŃ STRUKTURALNYCH IM. WŁODZIMIERZA TRZEBIATOWSKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Wrocław, PL
PL 223975 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 223975 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 408282 (22) Data zgłoszenia: 21.05.2014 (51) Int.Cl.
Bardziej szczegółowoPL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA, Kraków, PL BUP 24/09
PL 215847 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 215847 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 385248 (22) Data zgłoszenia: 21.05.2008 (51) Int.Cl.
Bardziej szczegółowoPL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA, Kraków, PL BUP 03/06
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 205845 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 369320 (22) Data zgłoszenia: 28.07.2004 (51) Int.Cl. C25B 1/00 (2006.01)
Bardziej szczegółowoPL B1. POLIGRAFIA JANUSZ NOWAK SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Poznań, PL BUP 11/13. MIKOŁAJ NOWAK, Lusowo, PL
PL 217632 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 217632 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 397007 (51) Int.Cl. B42C 1/12 (2006.01) B42C 7/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej
Bardziej szczegółowoPL B1. POLITECHNIKA WARSZAWSKA, Warszawa, PL BUP 25/06
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 209495 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 375424 (22) Data zgłoszenia: 30.05.2005 (51) Int.Cl. G01N 21/05 (2006.01)
Bardziej szczegółowoPL B1. Sposób kątowego wyciskania liniowych wyrobów z materiału plastycznego, zwłaszcza metalu
PL 218911 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 218911 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 394839 (51) Int.Cl. B21C 23/02 (2006.01) B21C 25/02 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej
Bardziej szczegółowoPL B1. TARTAK ZĘBOWO SPÓŁKA JAWNA JERZY NOWAK, WIOLETTA NOWAK, Zębowo, PL BUP 26/12. ŁUKASZ NOWAKOWSKI, Pakosław, PL
PL 215389 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 215389 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 395225 (51) Int.Cl. B65H 75/14 (2006.01) B65H 75/38 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej
Bardziej szczegółowoSTRUKTURA PASM ENERGETYCZNYCH
PODSTAWY TEORII PASMOWEJ Struktura pasm energetycznych Teoria wa Struktura wa stałych Półprzewodniki i ich rodzaje Półprzewodniki domieszkowane Rozkład Fermiego - Diraca Złącze p-n (dioda) Politechnika
Bardziej szczegółowoWZORU UŻYTKOWEGO PL Y1. PRZETWÓRSTWO TWORZYW SZTUCZNYCH WAŚ JÓZEF I LESZEK WAŚ SPÓŁKA JAWNA, Godzikowice, PL
PL 66586 Y1 RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (12) OPIS OCHRONNY WZORU UŻYTKOWEGO (21) Numer zgłoszenia: 119866 (22) Data zgłoszenia: 24.03.2011 (19) PL (11) 66586 (13) Y1
Bardziej szczegółowo(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11)
RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 186359 (21) Numer zgłoszenia: 323335 (22) Data zgłoszenia: 26.11.1997 (13) B1 (51) IntCl7 F03B 3/12 (54)
Bardziej szczegółowo(86) Data i numer zgłoszenia międzynarodowego: , PCT/EP02/ (87) Data i numer publikacji zgłoszenia międzynarodowego:
RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 205575 (21) Numer zgłoszenia: 366842 (22) Data zgłoszenia: 24.04.2002 (86) Data i numer zgłoszenia międzynarodowego:
Bardziej szczegółowoWZORU UŻYTKOWEGO. d2)opis OCHRONNY. (19) PL (n)62093 EGZEMPLARZ ARCHIWALNY. Sitarz Barbara, Strzegom, PL E04C 1/00 ( )
EGZEMPLARZ ARCHIWALNY RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej d2)opis OCHRONNY WZORU UŻYTKOWEGO (21) Numer zgłoszenia: 113534 (22) Data zgłoszenia: 18.09.2002 (19) PL (n)62093 (13)
Bardziej szczegółowoSystemy laserowe. dr inż. Adrian Zakrzewski dr inż. Tomasz Baraniecki
Systemy laserowe dr inż. Adrian Zakrzewski dr inż. Tomasz Baraniecki Lasery półprzewodnikowe Charakterystyka lasera półprzewodnikowego pierwszy laser półprzewodnikowy został opracowany w 1962 r. zastosowanie
Bardziej szczegółowoPL B1. INSTYTUT TELE- I RADIOTECHNICZNY, Warszawa, PL BUP 14/11. PIOTR GAWRYŚ, Warszawa, PL WUP 11/12
PL 212741 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 212741 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 389978 (51) Int.Cl. B66C 1/04 (2006.01) B66C 1/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej
Bardziej szczegółowoWZORU UŻYTKOWEGO PL Y1 F24J 2/52 ( ) Ścisłowicz Franciszek, Nowy Targ, PL BUP 22/09. Franciszek Ścisłowicz, Nowy Targ, PL
RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (12) OPIS OCHRONNY WZORU UŻYTKOWEGO (21) Numer zgłoszenia: 117421 (22) Data zgłoszenia: 21.04.2008 (19) PL (11) 65032 (13) Y1 (51) Int.Cl.
Bardziej szczegółowoAbsorpcja związana z defektami kryształu
W rzeczywistych materiałach sieć krystaliczna nie jest idealna występują różnego rodzaju defekty. Podział najważniejszych defektów ze względu na właściwości optyczne: - inny atom w węźle sieci: C A atom
Bardziej szczegółowoPL B1. ADAPTRONICA SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Łomianki, PL BUP 16/11
PL 219996 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 219996 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 390194 (51) Int.Cl. G01P 7/00 (2006.01) G01L 5/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej
Bardziej szczegółowoPL B1. INSTYTUT ZOOTECHNIKI PAŃSTWOWY INSTYTUT BADAWCZY, Kraków, PL BUP 09/16
PL 224835 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 224835 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 409876 (51) Int.Cl. A01K 67/033 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:
Bardziej szczegółowoPL B1. KISPOL Spółka z o.o.,tarnów,pl BUP 26/03. Krzysztof Godek,Tarnów,PL WUP 02/08. Klar Mirosław, Kancelaria Patentowa
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 196834 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 354787 (51) Int.Cl. A61G 7/07 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 28.06.2002
Bardziej szczegółowoPL B1. POLITECHNIKA WARSZAWSKA, Warszawa, PL INSTYTUT TECHNOLOGII EKSPLOATACJI. PAŃSTWOWY INSTYTUT BADAWCZY, Radom, PL
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 207917 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 380341 (22) Data zgłoszenia: 31.07.2006 (51) Int.Cl. G01B 21/04 (2006.01)
Bardziej szczegółowoPL 214401 B1. Kontener zawierający co najmniej jeden wzmacniający profil oraz sposób wytwarzania takiego profilu
PL 214401 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 214401 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 378396 (51) Int.Cl. B65F 1/00 (2006.01) B65D 88/12 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE Nr 4 LABORATORIUM FIZYKI KRYSZTAŁÓW STAŁYCH. Badanie krawędzi absorpcji podstawowej w kryształach półprzewodników POLITECHNIKA ŁÓDZKA
POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI LABORATORIUM FIZYKI KRYSZTAŁÓW STAŁYCH ĆWICZENIE Nr 4 Badanie krawędzi absorpcji podstawowej w kryształach półprzewodników I. Cześć doświadczalna. 1. Uruchomić Spekol
Bardziej szczegółowo