I Konferencja. InTechFun
|
|
- Dorota Madej
- 8 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG /08
2 InTechFun Pakiet zadaniowy: PZ6. Promocja i upowszechnienie wyników Lider: Partnerzy: IF PAN,, PW, PŁ, WAT Czas trwania: M1 M60
3 PZ6 Cele Upowszechnianie informacji o projekcie i możliwościach wykorzystania jego wyników; Wdrożenia wyników naukowych i transfer wiedzy do przedsiębiorstw produkcyjnych przy zachowaniu dbałości o ochronę własności intelektualnej; Włączanie wiedzy o wynikach projektu w programy kształcenia wyższego i kształcenia III-go stopnia.
4 Publikacje 1. Maciej Kuc, Robert P. Sarzała 2. Maciej Kuc PZ6 Upowszechnienie wyników M. Ekielski, R. Kruszka, K. Korwin-Mikke, M.A. Borysiewicz, M. Wzorek E. Kamińska, A. Piotrowska, I. Pasternak, M. A. Borysiewicz, M. Ekielski, K.Gołaszewska, W. Rzodkiewicz, T. Wojciechowski, E. Dynowska, P. Struk, T. Pustelny M. Kwoka, L. Ottaviano, N. Waczyńska, S. Santucci, J. Szuber Thermal model of nitride edge-emitting laser diodes Thermal properties of nitride materials employed in high-power InGaN laser diodes Trawienie plazmowe cienkich warstw Ti3SiC2 Fabrication, processing and characterization of thin film ZnO for integrated optical gas sensors Influence of substrate preparation on surface chemistry and morphology of L- CVD SnO 2 thin films studied by XPS and AFM Optica Applicata XXXIX, 2009, pp Materials Science and Engineering B Special Issue MicroTherm (Manuscript Number MSB-D with editor) Elektronika, vol. L, nr. 10, str (2009) 2009 MRS Fall Meeting Proceedings, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 1201, H05-14 (2010) Applied Surface Science, DOI: /j.apsusc M. Sawicki Magnetism of dilute (Ga, Mn)N Phys. Rev. B IF PAN PŁ PŁ
5 PZ6 Upowszechnienie wyników Konferencje 1. P. Jakubas, P. Bogusławski 2. Maciej Kuc, Andrzej Brozi, Robert P. Sarzała, 3. J. Szuber 4. Maciej Kuc, Andrzej Brozi, Robert P. Sarzała 5. M. Sawicki ze współpracownikami 6. Maciej Kuc M. Ekielski, R. Kruszka, K. Korwin-Mikke, M. A. Borysiewicz, M. Wzorek B. Adamowicz, M. Miczek, D. Pundyk, M. Kępińska,J. Mazur, P. Bobek-Bidziński, A. Klimasek, T. Hashizume Microscopic crystalline stability of semiconductors: Generation of Frenkel Pairs Model cieplny lasera azotkowego o emisji krawędziowej Nanowarstwy dwutlenku cyny w aspekcie zastosowań w mikroelektronice Wpływ montażu chipu laserowego na wzrost temperatury w jego wnętrzu Fabrication and properties of metal-oxidesemiconductor structures of ferromagnetic semiconductor; wykład zaproszony Problems with thermal management of nitride diode lasers Trawienie plazmowe cienkich warstw Ti3SiC2 Własności optyczne, chemiczne, elektronowe i morfologiczne struktur AlGaN/GaN March Meeting of the American Physical Society, Portland 2010 XI Seminarium: Powierzchnia i Struktury Cienkowarstwowe, Szklarska Poręba Średnia, maja 2009, streszczenia pp. 28, XI Seminarium: Powierzchnia i Struktury Cienkowarstwowe, Szklarska Poręba Średnia, maja 2009, III Krajowa Konferencja Nanotechnologii, Warszawa czerwca 2009, streszczenia pp. 139, IF PAN PŁ Baltic Conf. on ALD, June 2009, Uppsala, Szwecja. IF PAN VIII International Conference on Microtechnology and Thermal Problems in Electronics MICROTHERM 2009: June 28-July 1, 2009,, VIII Krajowa Konferencja Elektroniki (KKE2009), Darłówko Wschodnie , III Krajowa Konferencja Nanotechnologii NANO 2009, Warszawa, czerwca 2009 r. PŁ PŁ
6 9. J. Szuber PZ6 Upowszechnienie wyników Zastosowanie wiązki atomowego wodoru do oczyszczanie powierzchni GaAs dla celów MBE III Krajowa Konferencja Nanotechnologii NANO 2009, Warszawa, czerwca 2009 r. 10. P. Tomkiewicz, J. Szuber SPS and PYS studies of the electronic properties of GaAs surface cleaned by atomic hydrogen VI Workshop, SSP2009 Zakopane 11. M. Kwoka, L. Ottaviano, N. Waczynska, S. Santucci, J. Szuber 12. M. Sawicki Influence of substrate preparation on surface chemistry and morphology of L-CVD SnO 2 thin films studied by XPS and AFM Elektryczne sterowanie magnetyzmem rozcieńczonych półprzewodników ferromagnetycznych; wykład zaproszony VI Workshop, SSP2009 Zakopane XL Zjeździe Fizyków Polskich w Krakowie, wrzesień 2009 IF PAN 13. J. Szuber, M. Kwoka, L. Ottaviano XPS and AFM studies of initial state of Sn deposition on Si substrate for preparation of SnO 2 nanolayers for gas sensor application III GOSPEL Workshop GSSMO 2009, Niemcy 14. E. Kamińska, I. Pasternak, A. Piotrowska, O. Volnianska, P. Bogusławski, E.Dynowska, A. Barcz, E. Przeździecka A study of dual acceptor behavior In p-zno: Ag-N and Sb-N 15. E. Kamińska, A. Piotrowska, I. Pasternak, M.A. Borysiewicz, M. Ekielski, K.Gołaszewska, W. Rzodkiewicz, T. Wojciechowski, E. Dynowska, P. Struk, T. Pustelny Fabrication, processing and characterization of thin film ZnO for integrated optical gas sensors MRS Fall Meeting 2009,, M.A. Borysiewicz, M.-A. di Forte-Poisson, M. Ekielski, E. Kamińska, A. Piotrowska, R. Jakieła, E. Dynowska, T. Wojciechowski Fabrication of thin film Ti-Si-C for reliable metallization to power AlInN/GaN HEMTs
7 PZ6 Upowszechnienie wyników Prace magisterskie / licencjackie 1. I. Pasternak 2. W. Walkiewicz 3. K. Kłosek 4. A. Taube Cienkie warstwy ZnO wytwarzane metodą reaktywnego magnetronowego rozpylania katodowego Optymalizacja parametrów wzrostu warstw GaN techniką MBE z wykorzystaniem plazmowego źródła azotu. Uruchomienie podwójnego układu do epitaksji metodą MBE. Pilotowe procesy wzrostu warstw azotku galu Warszawa 2010 Optymalizacja konstrukcji i modelowanie tranzystora RESURF LJFET w węgliku krzemu Praca magisterska UKSW Promotor: dr inż. Eliana Kamińska Warszawa 2009 Praca magisterska UKSW Promotor : Prof. Z.R. Żytkiewicz; Warszawa 2009 Praca inżynierska PW, Warszawa 2010 Praca inżynierska, Promotor: Prof. Jan Szmidt; Warszawa 2010 IF PAN IF PAN PW / Patent 1. Michał Borecki, Michael Korwin Pawłowski, Jan Szmidt, Maria Beblowska, Andrzej Jakubowski, Henryk Zamojski Optyczna kapilara pomiarowa ze strukturą fotoniczną. Zgłoszenie Patentowe z dnia nr Z PW
8 PZ6 Promocja projektu
9 PZ6 Promocja projektu
10 I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun POIG /08 Współfinansowana przez Unię Europejską z Europejskiego Funduszu Rozwoju Regionalnego 9 kwietnia 2010 r., Warszawa
I Konferencja. InTechFun
I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08
Bardziej szczegółowoInTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur. II Spotkanie Realizatorów Projektu Warszawa maja 2009 r.
Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun Politechnika Śląska (PŚl-2) ZESPÓŁ REALIZUJĄCY PROJEKT NAZWA: Politechnika
Bardziej szczegółowoZ.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja. InTechFun
Z.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa
Bardziej szczegółowoI Konferencja. InTechFun
I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08
Bardziej szczegółowoBadania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych
Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych Monika KWOKA, Jacek SZUBER Instytut Elektroniki Politechnika Śląska Gliwice PLAN PREZENTACJI 1. Podsumowanie dotychczasowych prac:
Bardziej szczegółowoInnowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych.
Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun Numer Projektu WND-POIG.01.03.01-00-159/08-00 Instytut Technologii
Bardziej szczegółowoI Konferencja. InTechFun
I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08
Bardziej szczegółowoCentrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii
Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii sprawozdanie za okres I 2010 XII 2011 Prof. dr hab. Jan Misiewicz www.cmzin.pwr.wroc.pl Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii (CMZiN) Jest
Bardziej szczegółowoDiody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi
Diody elektroluminescencyjne na bazie z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi Krystyna Gołaszewska Renata Kruszka Marcin Myśliwiec Marek Ekielski Wojciech Jung Tadeusz Piotrowski Marcin Juchniewicz
Bardziej szczegółowoI Konferencja. InTechFun
I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08
Bardziej szczegółowoV Konferencja Kwantowe Nanostruktury Półprzewodnikowe do Zastosowań w Biologii i Medycynie PROGRAM
V Konferencja Kwantowe Nanostruktury Półprzewodnikowe do Zastosowań w Biologii i Medycynie PROGRAM Kwantowe Nanostruktury Półprzewodnikowe do Zastosowań w Biologii i Medycynie Rozwój i Komercjalizacja
Bardziej szczegółowoKrytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC
Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC Mariusz Sochacki 1, Norbert Kwietniewski 1, Andrzej Taube 1,2, Krystian Król 1, Jan Szmidt
Bardziej szczegółowoInTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych
Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk Zbigniew R. Żytkiewicz IF
Bardziej szczegółowoAdres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków, ul. Reymonta 25
Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, 30059 Kraków, ul. Reymonta 25 Tel.: (33) 817 42 49, fax: (012) 295 28 04 email: g.kulesza@imim.pl Miejsca zatrudnienia i zajmowane
Bardziej szczegółowoWieloparametryczna klasyfikacja właściwości użytkowych biopaliw ciekłych optymalizacja głowicy sensora
Wieloparametryczna klasyfikacja właściwości użytkowych biopaliw ciekłych optymalizacja głowicy sensora 1. Michał Borecki, Jan Szmidt, Piotr Doroz, Paweł Pszczółkowski, 2. Mariusz Duk, Andrzej Kociubiński,
Bardziej szczegółowoI Konferencja. InTechFun
I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08
Bardziej szczegółowoInnowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur
Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 1 Instytut Technologii Elektronowej ZESPÓŁ REALIZUJĄCY PROJEKT
Bardziej szczegółowoPublikacje naukowe Marek Kubica Marek Kubica Marek Kubica Marek Kubica Marek Kubica Marek Kubica Marek Kubica Kubica Marek Marek Kubica Marek Kubica
Publikacje naukowe 1. Marek Kubica: Simulation of fiber orientation program of AOC morphology produced in ternary electrolyte, XV Międzynarodowa Studencka Sesja Naukowa Katowice, 15 Maj 2014. 2. Marek
Bardziej szczegółowoZAŁĄCZNIK 2. AUTOREFERAT przedstawiający opis dorobku i osiągnięć naukowych, w szczególności określonych w art. 16 ust. 2 ustawy
ZAŁĄCZNIK 2 AUTOREFERAT przedstawiający opis dorobku i osiągnięć naukowych, w szczególności określonych w art. 16 ust. 2 ustawy Dr inż. Monika Kwoka Politechnika Śląska Wydział Automatyki, Elektroniki
Bardziej szczegółowoPLAN STUDIÓW. efekty kształcenia
WYDZIAŁ: KIERUNEK: poziom kształcenia: profil: forma studiów: Lp. O/F Semestr 1 kod modułu/ przedmiotu* 3 O PG_00031665 Konwersja energii słonecznej 4 O PG_00020872 Terminologia angielska w nanotechnologii
Bardziej szczegółowoZadanie 23 Opracowanie metalizacji struktur pólprzewodnikowych na bazie GaN i ZnO przeznaczonych do wymagających warunków eksploatacyjnych.
do Zastosowań w Biologii i Medycynie Zadanie 23 Opracowanie metalizacji struktur pólprzewodnikowych na bazie GaN i ZnO przeznaczonych do wymagających warunków eksploatacyjnych. Zadanie 24 Opracowanie technologii
Bardziej szczegółowoModelowanie zjawisk elektryczno-cieplnych w ultrafioletowej diodzie elektroluminescencyjnej
Modelowanie zjawisk elektryczno-cieplnych w ultrafioletowej diodzie elektroluminescencyjnej Robert P. Sarzała 1, Michał Wasiak 1, Maciej Kuc 1, Adam K. Sokół 1, Renata Kruszka 2, Krystyna Gołaszewska 2
Bardziej szczegółowoMarcin Miczek. Badania wpływu temperatury na właściwości elektronowe struktur metal/izolator/algan/gan
Marcin Miczek Badania wpływu temperatury na właściwości elektronowe struktur metal/izolator/algan/gan grant MNiSW / NCN (39. konkurs) N N515 606339, PBU-91/RMF1/2010 21 IX 2010 20 III 2013 Zakład Fizyki
Bardziej szczegółowoPolitechnika Gdańska Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej Katedra Fizyki Ciała Stałego. Streszczenie rozprawy doktorskiej
Politechnika Gdańska Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej Katedra Fizyki Ciała Stałego Streszczenie rozprawy doktorskiej STRUKTURA I TRANSPORT ELEKTRYCZNY UKŁADU Li-Ti-O mgr inż. Marcin Łapiński
Bardziej szczegółowoTechnologia kontaktów omowych i montażu dla przyrządów z węglika krzemu
Wprowadzenie Technologia kontaktów omowych i montażu dla przyrządów z węglika krzemu Ryszard Kisiel, Zbigniew Szczepański, Ryszard Biaduń, Norbert Kwietniewski Instytut Mikroelektronikii Optoelektroniki,Politechnika
Bardziej szczegółowodr Rafał Szukiewicz WROCŁAWSKIE CENTRUM BADAŃ EIT+ WYDZIAŁ FIZYKI I ASTRONOMI UWr
dr Rafał Szukiewicz WROCŁAWSKIE CENTRUM BADAŃ EIT+ WYDZIAŁ FIZYKI I ASTRONOMI UWr WYTWARZANIE I ZASTOSOWANIE NANOCZĄSTEK O OKREŚLONYCH WŁAŚCIWOŚCIACH WROCŁAWSKIE CENTRUM BADAŃ EIT+ WIELKOŚCI OBSERWOWANYCH
Bardziej szczegółowoCentrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii
Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii sprawozdanie za okres X 2008 XII 2009 Prof. dr hab. Jan Misiewicz www.cmzin.pwr.wroc.pl Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii (CMZiN) Jest
Bardziej szczegółowoPL B1. INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ, Warszawa, PL INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Warszawa, PL
PL 221135 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 221135 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 399454 (22) Data zgłoszenia: 06.06.2012 (51) Int.Cl.
Bardziej szczegółowoBadania odpowiedzi sensorowej cienkich warstw oraz nanostruktur SnO 2
Krzysztof WACZYŃSKI 1, Weronika IZYDORCZYK 1, Natalia NIEMIEC 1, Jerzy ULJANOW 1, Wiesław DOMAŃSKI 2, Janusz MAZURKIEWICZ 3 Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska (1), Instytut Metrologii, Elektroniki
Bardziej szczegółowoZAKŁAD TECHNOLOGII STRUKTUR PÓŁPRZEWODNIKOWYCH DLA FOTONIKI
ZAKŁAD TECHNOLOGII STRUKTUR PÓŁPRZEWODNIKOWYCH DLA FOTONIKI Kierownik: prof. dr hab. inż. Anna PIOTROWSKA e-mail: ania@ite.waw.pl, tel. (0-prefiks-22) 548 79 40 Zespół: mgr Michał Borysiewicz, e-mail:
Bardziej szczegółowoZał. nr 4 do ZW 33/2012 aktualizacja WYDZIAŁ PODSTAWOWYCH PROBLEMÓW TECHNIKI KARTA PRZEDMIOTU Nazwa w języku polskim FIZYKA CIENKICH WARSTW
Zał. nr 4 do ZW 33/0 aktualizacja 04.06.03 WYDZIAŁ PODSTAWOWYCH PROBLEMÓW TECHNIKI KARTA PRZEDMIOTU Nazwa w języku polskim FIZYKA CIENKICH WARSTW Nazwa w języku angielskim PHYSICS OF THIN FILMS. Kierunek
Bardziej szczegółowoInTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych
Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun Politechnika Śląska Politechnika Śląska w Projekcie InTechFun:
Bardziej szczegółowoI Konferencja. InTechFun
I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08
Bardziej szczegółowoCharakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk
Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk Promotor: dr hab. inż. Bogusława Adamowicz, prof. Pol. Śl. Zadania pracy Pomiary transmisji i odbicia optycznego
Bardziej szczegółowoAzotkowe diody laserowe na podłożach GaN o zmiennym zorientowaniu
Azotkowe diody laserowe na podłożach GaN o zmiennym zorientowaniu Marcin Sarzyński Badania finansuje narodowe centrum Badań i Rozwoju Program Lider Instytut Wysokich Cisnień PAN Siedziba 1. Diody laserowe
Bardziej szczegółowoSamoorganizujące się nanokompozyty na bazie metali przejściowych w GaN i ZnO
Samoorganizujące się nanokompozyty na bazie metali przejściowych w GaN i ZnO M. Sawicki, S. Dobkowska, W. Stefanowicz, D. Sztenkiel, T. Dietl Instytut Fizyki PAN, Warszawa Pakiet zadaniowy: PZ2. Lider:
Bardziej szczegółowoSYLABUS. Studia Kierunek studiów Poziom kształcenia Forma studiów Inżynieria materiałowa studia pierwszego studia stacjonarne
SYLABUS Nazwa Procesy specjalne Nazwa jednostki prowadzącej Wydział Matematyczno-Przyrodniczy przedmiot Centrum Mikroelektroniki i Nanotechnologii Kod Studia Kierunek studiów Poziom kształcenia Forma studiów
Bardziej szczegółowoSESJA PLAKATOWA I wtorek 23.06.2009, godz. 17:30 19:30
SESJA PLAKATOWA I wtorek 23.06.2009, godz. 17:30 19:30 Nr plakatu P1 Bartnik P2 ukasz Bober P3 Lech Borowicz P4 Micha³ Byrczek P5 Joanna Cabaj P6 Piotr Caban P7 Piotr Caban P8 Jerzy Ciosek P9 Cezary Czosnek
Bardziej szczegółowo2010 doktor nauk fizycznych, Wydział Matematyczno-Przyrodniczy, Uniwersytet Rzeszowski
CV dr Mariusz Bester WYKSZTAŁCENIE: 1997 licencjat fizyki, Wyższa Szkoła Pedagogiczna w Rzeszowie 1999 magister fizyki, Wyższa Szkoła Pedagogiczna w Rzeszowie 2010 doktor nauk fizycznych, Wydział Matematyczno-Przyrodniczy,
Bardziej szczegółowoInTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintronikii technik sensorowych
Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintronikii technik sensorowych InTechFun Politechnika Warszawska ZESPÓŁ REALIZUJĄCY PROJEKT prof. dr hab.
Bardziej szczegółowoUniwersytet Rzeszowski
Spis publikacji Spis publikacji - rok 2016-2017 1. P. Potera, I.Stefaniuk "Influence of annealing and irradiation by heavy ions on optical absorption of doped lithium niobate crystals" Acta Physica Polonica
Bardziej szczegółowoWykład Ćwiczenia Laboratorium Projekt Seminarium
Zał. nr 4 do ZW 33/0 WYDZIAŁ PODSTAWOWYCH PROBLEMÓW TECHNIKI KARTA PRZEDMIOTU Nazwa w języku polskim FIZYKA CIENKICH WARSTW Nazwa w języku angielskim PHYSICS OF THIN FILMS. Kierunek studiów:...optyka.
Bardziej szczegółowoAUTOREFERAT 1. Działalność naukowa i w zakresie rozwoju kadry, w tym tworzenia szkoły naukowej.
Prof.dr hab.inż Jan Szmidt Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Warszawa, 10.02.2012r. AUTOREFERAT 1. Działalność naukowa i w zakresie rozwoju kadry,
Bardziej szczegółowoWpływ temperatury podłoża na właściwości powłok DLC osadzanych metodą rozpylania katod grafitowych łukiem impulsowym
Dotacje na innowacje Wpływ temperatury podłoża na właściwości powłok DLC osadzanych metodą rozpylania katod grafitowych łukiem impulsowym Viktor Zavaleyev, Jan Walkowicz, Adam Pander Politechnika Koszalińska
Bardziej szczegółowoKOMITET ELEKTRONIKI i TELEKOMUNIKACJI
KOMITET ELEKTRONIKI i TELEKOMUNIKACJI Pałac Kultury i Nauki, XXIII piętro, pokój: 36, tel. 656 64 98, fax. 86 9 96, email: keit@pan.pl; http://keit.pan.pl tel. Przewodniczącego Komitetu: 34 733, tel. Sekretarza
Bardziej szczegółowoSYLABUS. Chemiczna obróbka metali i półprzewodników
SYLABUS Nazwa przedmiotu Nazwa jednostki prowadzącej przedmiot Chemiczna obróbka metali i półprzewodników Wydział Matematyczno-Przyrodniczy Centrum Mikroelektroniki i Nanotechnologii Kod przedmiotu Studia
Bardziej szczegółowoWybrane przykłady zastosowania materiałów ceramicznych Prof. dr hab. Krzysztof Szamałek Sekretarz naukowy ICiMB
Wybrane przykłady zastosowania materiałów ceramicznych Prof. dr hab. Krzysztof Szamałek Sekretarz naukowy ICiMB Projekt współfinansowany z Europejskiego Funduszu Społecznego i Budżetu Państwa Rozwój wykorzystania
Bardziej szczegółowoCZŁONEK MIĘDZYNARODOWEJ UNII NAUKI, TECHNIKI I ZASTOSOWAŃ PRÓŻNI ( IUVSTA )
CZŁONEK MIĘDZYNARODOWEJ UNII NAUKI, TECHNIKI I ZASTOSOWAŃ PRÓŻNI ( IUVSTA ) W okresie sprawozdawczym Zarząd PTP pracował w składzie wybranym na Walnym Zebraniu Sprawozdawczo-Wyborczym w Krakowie w dniu
Bardziej szczegółowoCentrum Zaawansowanych Materiałów i Technologii CEZAMAT
Centrum Zaawansowanych Materiałów i Technologii CEZAMAT Beneficjentem jest Politechnika Warszawska w imieniu Konsorcjum, którego członkami są: PW, UW, WAT, IChF PAN, IF PAN, IPPT PAN, IWC PAN, ITME Biuro
Bardziej szczegółowoCEZAMAT nowe miejsce współpracy nauki i biznesu na mapie polskiej infrastruktury laboratoryjnej. Piotr Wiśniewski
CEZAMAT nowe miejsce współpracy nauki i biznesu na mapie polskiej infrastruktury laboratoryjnej Piotr Wiśniewski Plan prezentacji O Centrum Misja i wizja Cele Laboratorium Centralne CEZAMAT Podsumowanie
Bardziej szczegółowoRok akademicki: 2015/2016 Kod: IEL s Punkty ECTS: 3. Poziom studiów: Studia I stopnia Forma i tryb studiów: Stacjonarne
Nazwa modułu: Alternatywne źródła energii Rok akademicki: 2015/2016 Kod: IEL-1-512-s Punkty ECTS: 3 Wydział: Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji Kierunek: Elektronika Specjalność: Poziom studiów:
Bardziej szczegółowoTermiczny model tranzystora HEMT na podłożu GaN/SiC
Termiczny model tranzystora HEMT na podłożu GaN/SiC Paweł Kopyt, Daniel Gryglewski, Wojciech Wojtasiak, Wojciech Gwarek Instytut Radioelektroniki, Politechnika Warszawska ul. Nowowiejska 5/9, 00-665 Warszawa
Bardziej szczegółowoPL B1. Układ do optycznego pomiaru parametrów plazmy generowanej wewnątrz kapilary światłowodowej. POLITECHNIKA LUBELSKA, Lublin, PL
PL 225214 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 225214 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 414026 (22) Data zgłoszenia: 16.09.2015 (51) Int.Cl.
Bardziej szczegółowoTechnologie plazmowe. Paweł Strzyżewski. Instytut Problemów Jądrowych im. Andrzeja Sołtana Zakład PV Fizyki i Technologii Plazmy Otwock-Świerk
Technologie plazmowe Paweł Strzyżewski p.strzyzewski@ipj.gov.pl Instytut Problemów Jądrowych im. Andrzeja Sołtana Zakład PV Fizyki i Technologii Plazmy 05-400 Otwock-Świerk 1 Informacje: Skład osobowy
Bardziej szczegółowoIII PANEL EKSPERTÓW PROGRAM. Nowoczesne materiały i innowacyjne metody dla przetwarzania i monitorowania energii (MIME) 10 stycznia 2013 r.
III PANEL EKSPERTÓW PROGRAM Nowoczesne materiały i innowacyjne metody dla przetwarzania i monitorowania energii (MIME) 10 stycznia 2013 r. Centrum Konferencyjne Mrówka Warszawa - Powsin Projekt współfinansowany
Bardziej szczegółowoMikrosystemy Wprowadzenie. Prezentacja jest współfinansowana przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego w projekcie pt.
Mikrosystemy Wprowadzenie Prezentacja jest współfinansowana przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego w projekcie pt. Innowacyjna dydaktyka bez ograniczeń - zintegrowany rozwój
Bardziej szczegółowoMIĘDZYUCZELNIANE CENTRUM. Projekt realizowany przez Uniwersytet im. Adama Mickiewicza w Poznaniu
MIĘDZYUCZELNIANE CENTRUM NANOBIOMEDYCZNE Projekt realizowany przez Uniwersytet im. Adama Mickiewicza w Poznaniu Międzyuczelniane Centrum NanoBioMedyczne to projekt kluczowy w ramach Działania 13.1 Infrastruktura
Bardziej szczegółowoRAPORT. zawierający wyniki realizacji projektu pt.:
RAPORT zawierający wyniki realizacji projektu pt.: Ochrona prawna zgłoszeń patentowych sposobu wytwarzania nanoproszków krzemionkowych o właściwościach biobójczych (bakteriobójczych i grzybobójczych),
Bardziej szczegółowoPublikacje pracowników Katedry Inżynierii Materiałowej w 2010 r.
Publikacje pracowników Katedry Inżynierii Materiałowej w 2010 r. 1. Żenkiewicz M., Richert J., Różański A.: Effect of blow moulding on barrier properties of polylactide nanocomposite films, Polymer Testing
Bardziej szczegółowoPLAN STUDIÓW. efekty kształcenia
WYDZIAŁ: KIERUNEK: poziom kształcenia: profil: forma studiów: Lp. O/F Semestr 1 kod modułu/ przedmiotu* Wydział Chemiczny Inżynieria materiałowa II stopnia ogólnoakademicki stacjonarne 1 Inżynieria materiałowa
Bardziej szczegółowoOTRZYMYWANIE WARSTW SiCN METODĄ RF SPUTTERINGU
Otrzymywanie warstw SiCN metodą RF sputteringu OTRZYMYWANIE WARSTW SiCN METODĄ RF SPUTTERINGU Beata Stańczyk, Andrzej Jagoda, Lech Dobrzański, Piotr Caban, Małgorzata Możdżonek Instytut Technologii Materiałów
Bardziej szczegółowoTechnologia elementów optycznych
Technologia elementów optycznych dr inż. Michał Józwik pokój 507a jozwik@mchtr.pw.edu.pl Część 7 Technologia mikrosystemów MEMS/MOEMS Pojęcia podstawowe Wymiary MEMS/MOEMS Elementy technologii mikroelementów
Bardziej szczegółowoCentrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii
Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii sprawozdanie za okres I 2012 IV 2013 Prof. dr hab. Jan Misiewicz www.cmzin.pwr.wroc.pl Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii (CMZiN) Jest
Bardziej szczegółowopromotor prof. dr hab. inż. Jan Szmidt z Politechniki Warszawskiej
Politechnika Warszawska Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych Warszawa, 13 marca 2018 r. D z i e k a n a t Uprzejmie informuję, że na Wydziale Elektroniki i Technik Informacyjnych Politechniki Warszawskiej
Bardziej szczegółowoDOROBEK NAUKOWY (1978-2012)
20.02.2012 Prof. dr hab. Jan SZMIDT DOROBEK NAUKOWY (1978-2012) SPIS TREŚCI: A. MONOGRAFIE, ROZPRAWY, KSIĄŻKI, SKRYPTY, PRESKRYPTY... A1. Monografie, rozprawy... A2. Wydawnictwa książkowe... A3. Skrypty,
Bardziej szczegółowoMagister: Uniwersytet Śląski w Katowicach, Wydział Matematyczno Fizyczno - Chemiczny, s pecjalność: kierunek fizyka, 1977
Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Laboratorium Fotowoltaiczne, 43340 Kozy, ul. Krakowska 22 Tel.: (033) 817424, fax: (033) 4867180 email:m.lipinski@imim.pl marlipin@wp.pl
Bardziej szczegółowoPANEL EKSPERTÓW PROGRAM. Nowoczesne materiały i innowacyjne metody dla przetwarzania i monitorowania energii (MIME) 19 stycznia 2011 r.
PANEL EKSPERTÓW PROGRAM Nowoczesne materiały i innowacyjne metody dla przetwarzania i monitorowania energii (MIME) 19 stycznia 2011 r. Dom Pracy Twórczej im. B. Prusa Obory k. Warszawy Projekt współfinansowany
Bardziej szczegółowoWalne Zebranie Członków Polskiego Towarzystwa Pró niowego Zebranie sprawozdawczo-wyborcze Uchwała Zarz
Technika próżni i technologie próżniowe Biuletyn Polskiego Towarzystwa Próżniowego 1 (50) 2010 pod redakcją dr hab. inż. Ryszarda Korbutowicza e-mail: Ryszard.Korbutowicz@pwr.wroc.pl http://www.ptp.pwr.wroc.pl
Bardziej szczegółowoKierunek: Fizyka, rok I, specjalność: Akustyka i realizacja dźwięku
Kierunek: Fizyka, rok I, specjalność: ustyka i realizacja dźwięku 1 Filozofia przyrody F 1 30 30 5 x 2 Analiza matematyczna F 1 15 30 3 3 Algebra liniowa z geometrią F 1 30 30 5 x 4 Mechanika klasyczna
Bardziej szczegółowoPolitechnika Wrocławska Wydział Podstawowych Problemów Techniki
Politechnika Wrocławska Wydział Podstawowych Problemów Techniki specjalność FOTONIKA 3,5-letnie studia stacjonarne I stopnia (studia inżynierskie) FIZYKA TECHNICZNA Charakterystyka wykształcenia: - dobre
Bardziej szczegółowoAparatura do osadzania warstw metodami:
Aparatura do osadzania warstw metodami: Rozpylania mgnetronowego Magnetron sputtering MS Rozpylania z wykorzystaniem działa jonowego Ion Beam Sputtering - IBS Odparowanie wywołane impulsami światła z lasera
Bardziej szczegółowoWykład 12 V = 4 km/s E 0 =.08 e V e = = 1 Å
Wykład 12 Fale materii: elektrony, neutrony, lekkie atomy Neutrony generowane w reaktorze są spowalniane w wyniku zderzeń z moderatorem (grafitem) do V = 4 km/s, co odpowiada energii E=0.08 ev a energia
Bardziej szczegółowoWarszawa, 24 marca 2014r. AUTOREFERAT. 1. Imię i Nazwisko: Eliana Kamińska
Warszawa, 24 marca 2014r. 1. Imię i Nazwisko: Eliana Kamińska AUTOREFERAT 2. 2. Posiadane dyplomy, stopnie naukowe/ artystyczne z podaniem nazwy, miejsca i roku ich uzyskania oraz tytułu rozprawy doktorskiej:
Bardziej szczegółowoInstytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Laboratorium Fotowoltaiczne, Kozy, ul. Krakowska 22
Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Laboratorium Fotowoltaiczne, 43-340 Kozy, ul. Krakowska 22 Tel.: (033) 8174249, fax: (033) 4867180 e-mail: kazimierz.drabczyk@wp.pl
Bardziej szczegółowoMETODY CHARAKTERYZACJI GRAFENU WYKORZYSTYWANEGO W SENSOROWYCH UKŁADACH REZYSTANCYJNYCH
ELEKTRYKA 2014 Zeszyt 2-3 (230-231) Rok LX Sabina DREWNIAK Politechnika Śląska w Gliwicach Tadeusz PUSTELNY Politechnika Śląska w Gliwicach Włodzimierz STRUPIŃSKI Zakład Epitaksji Związków Półprzewodnikowych,
Bardziej szczegółowoINŻYNIERIA MATERIAŁOWA
Wydział Chemiczny Politechniki Gdańskiej.0.004 PLAN STUDIÓW Rodzaj studiów: studia dzienne inżynierskie/ magisterskie - czas trwania: inż. 3, 5 lat/ 7 semestrów; mgr 5 lat/0 semestrów Kierunek studiów:
Bardziej szczegółowoZAKŁAD BADAŃ MATERIAŁÓW I STRUKTUR PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
ZAKŁAD BADAŃ MATERIAŁÓW I STRUKTUR PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Kierownik: dr hab. inż. Andrzej CZERWIŃSKI, prof. nadzw. w ITE e-mail: aczerwin@ite.waw.pl, tel. (22) 548 77 64 Zespół: prof. dr hab. Janina Marciak-Kozłowska
Bardziej szczegółowo2. Innowacyjne elastyczne pokrycie fotowoltaiczne",
Laboratorium Fotowoltaiczne w Kozach od 1997 roku jest placówką naukowo-badawczą Instytutu Metalurgii i Inżynierii Materiałowej Polskiej Akademii Nauk w Krakowie. Prace naukowo-badawcze prowadzone w laboratorium
Bardziej szczegółowoKształtowanie przestrzenne struktur AlGaInN jako klucz do nowych generacji przyrządów optoelektronicznych
Kształtowanie przestrzenne struktur AlGaInN jako klucz do nowych generacji przyrządów optoelektronicznych Projekt realizowany w ramach programu LIDER finansowanego przez Narodowe Centrum Badań i Rozwoju
Bardziej szczegółowoFotodetektor ultrafioletu na bazie struktur metal/izolator/gan i AlGaN/GaN
Fotodetektor ultrafioletu na bazie struktur metal/izolator/gan i AlGaN/GaN Z3.7 Z2.6 (model charakteryzacja), Z7 (aparatura), Z4 (demonstrator) model, projekt, charakteryzacja grupa PSl-3 B. Adamowicz
Bardziej szczegółowoZAKŁAD MIKRO- I NANOTECHNOLOGII PÓŁPRZEWODNIKÓW SZEROKOPRZERWOWYCH
ZAKŁAD MIKRO- I NANOTECHNOLOGII PÓŁPRZEWODNIKÓW SZEROKOPRZERWOWYCH Kierownik: Zespół: prof. dr hab. inż. Anna PIOTROWSKA e-mail: ania@ite.waw.pl, tel. (22) 548 79 40 dr hab. Adam Barcz, e-mail: barcz@ite.waw.pl
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA ŚLĄSKA 44-100 Gliwice, ul. Krzywoustego 2, tel (032) 237-29-02,
Katedra Optoelektroniki POLITECHNIKA ŚLĄSKA 44-100 Gliwice, ul. Krzywoustego 2, tel (032) 237-29-02, Prof. dr hab. inż. Tadeusz Pustelny Katedra Optoelektroniki Politechnika Śląska e-mail: tpustelny@polsl.pl
Bardziej szczegółowoROZDZIAŁ 4. Polskie diody laserowe do wysokoczułych sensorów ditlenku azotu
39 ROZDZIAŁ 4 Polskie diody laserowe do wysokoczułych sensorów ditlenku azotu 4.1. Wstęp Związki (GaAlIn)N są drugą, co do ważności komercyjnej, grupą półprzewodników (za Si-Ge, ale znacznie przed (GaAlIn)(AsP)).
Bardziej szczegółowoZAKŁAD FIZYKI I TECHNOLOGII STRUKTUR NISKOWYMIAROWYCH
ZAKŁAD FIZYKI I TECHNOLOGII STRUKTUR NISKOWYMIAROWYCH Kierownik: prof. dr hab. Maciej BUGAJSKI e-mail: bugajski@ite.waw.pl tel. (0-22) 548 79 32, fax 548 79 25 Zespół: prof. dr hab. inż. Bohdan Mroziewicz,
Bardziej szczegółowoPLAN STUDIÓW STACJONARNYCH studia inżynierskie pierwszego stopnia
Egzamin po semestrze Kierunek: FIZYKA TECHNICZNA wybór specjalności po semestrze czas trwania: 7 semestrów profil: ogólnoakademicki PLAN STUDIÓW STACJONARNYCH studia inżynierskie pierwszego stopnia 01/015-1
Bardziej szczegółowoPRZEWAGA DZIĘKI TECHNOLOGII
PRZEWAGA DZIĘKI TECHNOLOGII PRZEWAGA DZIĘKI TECHNOLOGII MOTTO Nie poprawiamy teraźniejszości Tworzymy przyszłość MISJA SPÓŁKI Chcemy dostarczać naszym klientom innowacyjne rozwiązania z obszaru inżynierii
Bardziej szczegółowoNanofizyka co wiemy, a czego jeszcze szukamy?
Nanofizyka co wiemy, a czego jeszcze szukamy? Maciej Maśka Zakład Fizyki Teoretycznej UŚ Projekt współfinansowany przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego ...czyli dlaczego NANO
Bardziej szczegółowoRamowy Program Specjalizacji MODELOWANIE MATEMATYCZNE i KOMPUTEROWE PROCESÓW FIZYCZNYCH Studia Specjalistyczne (III etap)
Ramowy Program Specjalizacji MODELOWANIE MATEMATYCZNE i KOMPUTEROWE PROCESÓW FIZYCZNYCH Studia Specjalistyczne (III etap) Z uwagi na ogólno wydziałowy charakter specjalizacji i możliwość wykonywania prac
Bardziej szczegółowoKierownik: prof. dr hab. Jacek Ulański
Katedra Fizyki Molekularnej Politechnika Łódzka Kierownik: prof. dr hab. Jacek Ulański Specjalności Kierunek: Specjalność: Chemia Chemia i Fizyka Polimerów Kierunek: Specjalność: Nanotechnologia Nanomateriały
Bardziej szczegółowoZAKŁAD BADAŃ MATERIAŁÓW I STRUKTUR PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
ZAKŁAD BADAŃ MATERIAŁÓW I STRUKTUR PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Kierownik: dr hab. inż. Andrzej CZERWIŃSKI, prof. nadzw. w ITE e-mail: aczerwin@ite.waw.pl, tel. (22) 548 77 64 Zespół: prof. dr hab. Janina Marciak-Kozłowska
Bardziej szczegółowoInstytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków,ul. Reymonta 25
Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, 30059 Kraków,ul. Reymonta 25 Tel.: (012) 295 28 63, pokój 121, fax: (012) 295 28 04 email: zbigniew.starowicz@gmail.com z.starowicz@imim.pl
Bardziej szczegółowoMechanika i Budowa Maszyn II stopień Ogólnoakademicki. Studia stacjonarne. inny. do wyboru polski Semestr pierwszy. Semestr Letni
KARTA MODUŁU / KARTA PRZEDMIOTU Kod modułu Nazwa modułu Nazwa modułu w języku angielskim Obowiązuje od roku akademickiego 2013/2014 Eksploatacja urządzeń do obróbki plazmowej Operation of Systems for Plasma
Bardziej szczegółowoKOMITET ELEKTRONIKI I TELEKOMUNIKACJI POLSKIEJ AKADEMII NAUK
KOMITET ELEKTRONIKI I TELEKOMUNIKACJI POLSKIEJ AKADEMII NAUK Pałac Kultury i Nauki Skrytka Pocztowa 24 00-901 Warszawa XXIII piętro, pokój: 2316 tel. (+ 48 22) 656 64 98 fax. (+48 22) 826 29 96 email:
Bardziej szczegółowoKierunek: Fizyka, rok I, specjalność: Akustyka i realizacja dźwięku Rok akademicki 2017/2018
Kierunek: Fizyka, rok I, specjalność: ustyka i realizacja dźwięku Rok akademicki 2017/2018 Filozofia przyrody F 1 30 30 5 x Metody uczenia się i studiowania F 1 15 1 Technologia informacyjna F 1 30 2 Analiza
Bardziej szczegółowoMETROLOGIA. MIERNICTWO
METROLOGIA. MIERNICTWO Z 099360-BG DURCZAK KAROL Pomiary wielkości geometrycznych w technice / Karol Durczak. - Wyd. 2. Poznań : Wydaw. Akademii Rolniczej im. Augusta Cieszkowskiego, 2006. - 268 s. : il.
Bardziej szczegółowoROK AKADEMICKI 2012/2013 studia stacjonarne BLOKI OBIERALNE KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
ROK AKADEMICKI 2012/2013 studia stacjonarne BLOKI OBIERALNE KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH PROPONOWANE BLOKI Systemy i sieci światłowodowe Elektronika motoryzacyjna Mikro-
Bardziej szczegółowoTransport I stopień Ogólnoakademicki. Studia niestacjonarne. kierunkowy. do wyboru polski Semestr siódmy. Semestr Zimowy
KARTA MODUŁU / KARTA PRZEDMIOTU Kod modułu Nazwa modułu Nazwa modułu w języku angielskim Obowiązuje od roku akademickiego 2013/2014 Nowoczesne powłoki w silnikach spalinowych The state of art in I.C. engines
Bardziej szczegółowo1. "Interaction of high-energy phonons with conduction electrons in semiconductors", W. Zawadzki, P. Boguslawski, Phys. Rev. Lett. 31, 1403 (1973).
Publications Review articles and book chapters: 1. "Point defects and impurities in SiC and group-iii nitrides", rozdział w: Buschow K H J, Cahn R W, Flemings M C, Ilschner B, Kramer E J, Mahajan S (eds)
Bardziej szczegółowoPolitechnika Koszalińska
Politechnika Instytut Mechatroniki, Nanotechnologii i Technik Próżniowych Wytwarzanie, struktura i właściwości cienkich powłok na bazie węgla Andrzej Czyżniewski Dotacje na innowacje Dotacje na innowacje
Bardziej szczegółowo