I Konferencja. InTechFun

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "I Konferencja. InTechFun"

Transkrypt

1 I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG /08

2 InTechFun Pakiet zadaniowy: PZ6. Promocja i upowszechnienie wyników Lider: Partnerzy: IF PAN,, PW, PŁ, WAT Czas trwania: M1 M60

3 PZ6 Cele Upowszechnianie informacji o projekcie i możliwościach wykorzystania jego wyników; Wdrożenia wyników naukowych i transfer wiedzy do przedsiębiorstw produkcyjnych przy zachowaniu dbałości o ochronę własności intelektualnej; Włączanie wiedzy o wynikach projektu w programy kształcenia wyższego i kształcenia III-go stopnia.

4 Publikacje 1. Maciej Kuc, Robert P. Sarzała 2. Maciej Kuc PZ6 Upowszechnienie wyników M. Ekielski, R. Kruszka, K. Korwin-Mikke, M.A. Borysiewicz, M. Wzorek E. Kamińska, A. Piotrowska, I. Pasternak, M. A. Borysiewicz, M. Ekielski, K.Gołaszewska, W. Rzodkiewicz, T. Wojciechowski, E. Dynowska, P. Struk, T. Pustelny M. Kwoka, L. Ottaviano, N. Waczyńska, S. Santucci, J. Szuber Thermal model of nitride edge-emitting laser diodes Thermal properties of nitride materials employed in high-power InGaN laser diodes Trawienie plazmowe cienkich warstw Ti3SiC2 Fabrication, processing and characterization of thin film ZnO for integrated optical gas sensors Influence of substrate preparation on surface chemistry and morphology of L- CVD SnO 2 thin films studied by XPS and AFM Optica Applicata XXXIX, 2009, pp Materials Science and Engineering B Special Issue MicroTherm (Manuscript Number MSB-D with editor) Elektronika, vol. L, nr. 10, str (2009) 2009 MRS Fall Meeting Proceedings, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 1201, H05-14 (2010) Applied Surface Science, DOI: /j.apsusc M. Sawicki Magnetism of dilute (Ga, Mn)N Phys. Rev. B IF PAN PŁ PŁ

5 PZ6 Upowszechnienie wyników Konferencje 1. P. Jakubas, P. Bogusławski 2. Maciej Kuc, Andrzej Brozi, Robert P. Sarzała, 3. J. Szuber 4. Maciej Kuc, Andrzej Brozi, Robert P. Sarzała 5. M. Sawicki ze współpracownikami 6. Maciej Kuc M. Ekielski, R. Kruszka, K. Korwin-Mikke, M. A. Borysiewicz, M. Wzorek B. Adamowicz, M. Miczek, D. Pundyk, M. Kępińska,J. Mazur, P. Bobek-Bidziński, A. Klimasek, T. Hashizume Microscopic crystalline stability of semiconductors: Generation of Frenkel Pairs Model cieplny lasera azotkowego o emisji krawędziowej Nanowarstwy dwutlenku cyny w aspekcie zastosowań w mikroelektronice Wpływ montażu chipu laserowego na wzrost temperatury w jego wnętrzu Fabrication and properties of metal-oxidesemiconductor structures of ferromagnetic semiconductor; wykład zaproszony Problems with thermal management of nitride diode lasers Trawienie plazmowe cienkich warstw Ti3SiC2 Własności optyczne, chemiczne, elektronowe i morfologiczne struktur AlGaN/GaN March Meeting of the American Physical Society, Portland 2010 XI Seminarium: Powierzchnia i Struktury Cienkowarstwowe, Szklarska Poręba Średnia, maja 2009, streszczenia pp. 28, XI Seminarium: Powierzchnia i Struktury Cienkowarstwowe, Szklarska Poręba Średnia, maja 2009, III Krajowa Konferencja Nanotechnologii, Warszawa czerwca 2009, streszczenia pp. 139, IF PAN PŁ Baltic Conf. on ALD, June 2009, Uppsala, Szwecja. IF PAN VIII International Conference on Microtechnology and Thermal Problems in Electronics MICROTHERM 2009: June 28-July 1, 2009,, VIII Krajowa Konferencja Elektroniki (KKE2009), Darłówko Wschodnie , III Krajowa Konferencja Nanotechnologii NANO 2009, Warszawa, czerwca 2009 r. PŁ PŁ

6 9. J. Szuber PZ6 Upowszechnienie wyników Zastosowanie wiązki atomowego wodoru do oczyszczanie powierzchni GaAs dla celów MBE III Krajowa Konferencja Nanotechnologii NANO 2009, Warszawa, czerwca 2009 r. 10. P. Tomkiewicz, J. Szuber SPS and PYS studies of the electronic properties of GaAs surface cleaned by atomic hydrogen VI Workshop, SSP2009 Zakopane 11. M. Kwoka, L. Ottaviano, N. Waczynska, S. Santucci, J. Szuber 12. M. Sawicki Influence of substrate preparation on surface chemistry and morphology of L-CVD SnO 2 thin films studied by XPS and AFM Elektryczne sterowanie magnetyzmem rozcieńczonych półprzewodników ferromagnetycznych; wykład zaproszony VI Workshop, SSP2009 Zakopane XL Zjeździe Fizyków Polskich w Krakowie, wrzesień 2009 IF PAN 13. J. Szuber, M. Kwoka, L. Ottaviano XPS and AFM studies of initial state of Sn deposition on Si substrate for preparation of SnO 2 nanolayers for gas sensor application III GOSPEL Workshop GSSMO 2009, Niemcy 14. E. Kamińska, I. Pasternak, A. Piotrowska, O. Volnianska, P. Bogusławski, E.Dynowska, A. Barcz, E. Przeździecka A study of dual acceptor behavior In p-zno: Ag-N and Sb-N 15. E. Kamińska, A. Piotrowska, I. Pasternak, M.A. Borysiewicz, M. Ekielski, K.Gołaszewska, W. Rzodkiewicz, T. Wojciechowski, E. Dynowska, P. Struk, T. Pustelny Fabrication, processing and characterization of thin film ZnO for integrated optical gas sensors MRS Fall Meeting 2009,, M.A. Borysiewicz, M.-A. di Forte-Poisson, M. Ekielski, E. Kamińska, A. Piotrowska, R. Jakieła, E. Dynowska, T. Wojciechowski Fabrication of thin film Ti-Si-C for reliable metallization to power AlInN/GaN HEMTs

7 PZ6 Upowszechnienie wyników Prace magisterskie / licencjackie 1. I. Pasternak 2. W. Walkiewicz 3. K. Kłosek 4. A. Taube Cienkie warstwy ZnO wytwarzane metodą reaktywnego magnetronowego rozpylania katodowego Optymalizacja parametrów wzrostu warstw GaN techniką MBE z wykorzystaniem plazmowego źródła azotu. Uruchomienie podwójnego układu do epitaksji metodą MBE. Pilotowe procesy wzrostu warstw azotku galu Warszawa 2010 Optymalizacja konstrukcji i modelowanie tranzystora RESURF LJFET w węgliku krzemu Praca magisterska UKSW Promotor: dr inż. Eliana Kamińska Warszawa 2009 Praca magisterska UKSW Promotor : Prof. Z.R. Żytkiewicz; Warszawa 2009 Praca inżynierska PW, Warszawa 2010 Praca inżynierska, Promotor: Prof. Jan Szmidt; Warszawa 2010 IF PAN IF PAN PW / Patent 1. Michał Borecki, Michael Korwin Pawłowski, Jan Szmidt, Maria Beblowska, Andrzej Jakubowski, Henryk Zamojski Optyczna kapilara pomiarowa ze strukturą fotoniczną. Zgłoszenie Patentowe z dnia nr Z PW

8 PZ6 Promocja projektu

9 PZ6 Promocja projektu

10 I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun POIG /08 Współfinansowana przez Unię Europejską z Europejskiego Funduszu Rozwoju Regionalnego 9 kwietnia 2010 r., Warszawa

I Konferencja. InTechFun

I Konferencja. InTechFun I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08

Bardziej szczegółowo

InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur. II Spotkanie Realizatorów Projektu Warszawa maja 2009 r.

InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur. II Spotkanie Realizatorów Projektu Warszawa maja 2009 r. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun Politechnika Śląska (PŚl-2) ZESPÓŁ REALIZUJĄCY PROJEKT NAZWA: Politechnika

Bardziej szczegółowo

Z.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja. InTechFun

Z.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja. InTechFun Z.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa

Bardziej szczegółowo

I Konferencja. InTechFun

I Konferencja. InTechFun I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08

Bardziej szczegółowo

Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych

Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych Monika KWOKA, Jacek SZUBER Instytut Elektroniki Politechnika Śląska Gliwice PLAN PREZENTACJI 1. Podsumowanie dotychczasowych prac:

Bardziej szczegółowo

Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych.

Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun Numer Projektu WND-POIG.01.03.01-00-159/08-00 Instytut Technologii

Bardziej szczegółowo

I Konferencja. InTechFun

I Konferencja. InTechFun I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08

Bardziej szczegółowo

Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii

Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii sprawozdanie za okres I 2010 XII 2011 Prof. dr hab. Jan Misiewicz www.cmzin.pwr.wroc.pl Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii (CMZiN) Jest

Bardziej szczegółowo

Diody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi

Diody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi Diody elektroluminescencyjne na bazie z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi Krystyna Gołaszewska Renata Kruszka Marcin Myśliwiec Marek Ekielski Wojciech Jung Tadeusz Piotrowski Marcin Juchniewicz

Bardziej szczegółowo

I Konferencja. InTechFun

I Konferencja. InTechFun I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08

Bardziej szczegółowo

V Konferencja Kwantowe Nanostruktury Półprzewodnikowe do Zastosowań w Biologii i Medycynie PROGRAM

V Konferencja Kwantowe Nanostruktury Półprzewodnikowe do Zastosowań w Biologii i Medycynie PROGRAM V Konferencja Kwantowe Nanostruktury Półprzewodnikowe do Zastosowań w Biologii i Medycynie PROGRAM Kwantowe Nanostruktury Półprzewodnikowe do Zastosowań w Biologii i Medycynie Rozwój i Komercjalizacja

Bardziej szczegółowo

Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC

Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC Mariusz Sochacki 1, Norbert Kwietniewski 1, Andrzej Taube 1,2, Krystian Król 1, Jan Szmidt

Bardziej szczegółowo

InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych

InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk Zbigniew R. Żytkiewicz IF

Bardziej szczegółowo

Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków, ul. Reymonta 25

Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków, ul. Reymonta 25 Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, 30059 Kraków, ul. Reymonta 25 Tel.: (33) 817 42 49, fax: (012) 295 28 04 email: g.kulesza@imim.pl Miejsca zatrudnienia i zajmowane

Bardziej szczegółowo

Wieloparametryczna klasyfikacja właściwości użytkowych biopaliw ciekłych optymalizacja głowicy sensora

Wieloparametryczna klasyfikacja właściwości użytkowych biopaliw ciekłych optymalizacja głowicy sensora Wieloparametryczna klasyfikacja właściwości użytkowych biopaliw ciekłych optymalizacja głowicy sensora 1. Michał Borecki, Jan Szmidt, Piotr Doroz, Paweł Pszczółkowski, 2. Mariusz Duk, Andrzej Kociubiński,

Bardziej szczegółowo

I Konferencja. InTechFun

I Konferencja. InTechFun I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08

Bardziej szczegółowo

Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur

Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 1 Instytut Technologii Elektronowej ZESPÓŁ REALIZUJĄCY PROJEKT

Bardziej szczegółowo

Publikacje naukowe Marek Kubica Marek Kubica Marek Kubica Marek Kubica Marek Kubica Marek Kubica Marek Kubica Kubica Marek Marek Kubica Marek Kubica

Publikacje naukowe Marek Kubica Marek Kubica Marek Kubica Marek Kubica Marek Kubica Marek Kubica Marek Kubica Kubica Marek Marek Kubica Marek Kubica Publikacje naukowe 1. Marek Kubica: Simulation of fiber orientation program of AOC morphology produced in ternary electrolyte, XV Międzynarodowa Studencka Sesja Naukowa Katowice, 15 Maj 2014. 2. Marek

Bardziej szczegółowo

ZAŁĄCZNIK 2. AUTOREFERAT przedstawiający opis dorobku i osiągnięć naukowych, w szczególności określonych w art. 16 ust. 2 ustawy

ZAŁĄCZNIK 2. AUTOREFERAT przedstawiający opis dorobku i osiągnięć naukowych, w szczególności określonych w art. 16 ust. 2 ustawy ZAŁĄCZNIK 2 AUTOREFERAT przedstawiający opis dorobku i osiągnięć naukowych, w szczególności określonych w art. 16 ust. 2 ustawy Dr inż. Monika Kwoka Politechnika Śląska Wydział Automatyki, Elektroniki

Bardziej szczegółowo

PLAN STUDIÓW. efekty kształcenia

PLAN STUDIÓW. efekty kształcenia WYDZIAŁ: KIERUNEK: poziom kształcenia: profil: forma studiów: Lp. O/F Semestr 1 kod modułu/ przedmiotu* 3 O PG_00031665 Konwersja energii słonecznej 4 O PG_00020872 Terminologia angielska w nanotechnologii

Bardziej szczegółowo

Zadanie 23 Opracowanie metalizacji struktur pólprzewodnikowych na bazie GaN i ZnO przeznaczonych do wymagających warunków eksploatacyjnych.

Zadanie 23 Opracowanie metalizacji struktur pólprzewodnikowych na bazie GaN i ZnO przeznaczonych do wymagających warunków eksploatacyjnych. do Zastosowań w Biologii i Medycynie Zadanie 23 Opracowanie metalizacji struktur pólprzewodnikowych na bazie GaN i ZnO przeznaczonych do wymagających warunków eksploatacyjnych. Zadanie 24 Opracowanie technologii

Bardziej szczegółowo

Modelowanie zjawisk elektryczno-cieplnych w ultrafioletowej diodzie elektroluminescencyjnej

Modelowanie zjawisk elektryczno-cieplnych w ultrafioletowej diodzie elektroluminescencyjnej Modelowanie zjawisk elektryczno-cieplnych w ultrafioletowej diodzie elektroluminescencyjnej Robert P. Sarzała 1, Michał Wasiak 1, Maciej Kuc 1, Adam K. Sokół 1, Renata Kruszka 2, Krystyna Gołaszewska 2

Bardziej szczegółowo

Marcin Miczek. Badania wpływu temperatury na właściwości elektronowe struktur metal/izolator/algan/gan

Marcin Miczek. Badania wpływu temperatury na właściwości elektronowe struktur metal/izolator/algan/gan Marcin Miczek Badania wpływu temperatury na właściwości elektronowe struktur metal/izolator/algan/gan grant MNiSW / NCN (39. konkurs) N N515 606339, PBU-91/RMF1/2010 21 IX 2010 20 III 2013 Zakład Fizyki

Bardziej szczegółowo

Politechnika Gdańska Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej Katedra Fizyki Ciała Stałego. Streszczenie rozprawy doktorskiej

Politechnika Gdańska Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej Katedra Fizyki Ciała Stałego. Streszczenie rozprawy doktorskiej Politechnika Gdańska Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej Katedra Fizyki Ciała Stałego Streszczenie rozprawy doktorskiej STRUKTURA I TRANSPORT ELEKTRYCZNY UKŁADU Li-Ti-O mgr inż. Marcin Łapiński

Bardziej szczegółowo

Technologia kontaktów omowych i montażu dla przyrządów z węglika krzemu

Technologia kontaktów omowych i montażu dla przyrządów z węglika krzemu Wprowadzenie Technologia kontaktów omowych i montażu dla przyrządów z węglika krzemu Ryszard Kisiel, Zbigniew Szczepański, Ryszard Biaduń, Norbert Kwietniewski Instytut Mikroelektronikii Optoelektroniki,Politechnika

Bardziej szczegółowo

dr Rafał Szukiewicz WROCŁAWSKIE CENTRUM BADAŃ EIT+ WYDZIAŁ FIZYKI I ASTRONOMI UWr

dr Rafał Szukiewicz WROCŁAWSKIE CENTRUM BADAŃ EIT+ WYDZIAŁ FIZYKI I ASTRONOMI UWr dr Rafał Szukiewicz WROCŁAWSKIE CENTRUM BADAŃ EIT+ WYDZIAŁ FIZYKI I ASTRONOMI UWr WYTWARZANIE I ZASTOSOWANIE NANOCZĄSTEK O OKREŚLONYCH WŁAŚCIWOŚCIACH WROCŁAWSKIE CENTRUM BADAŃ EIT+ WIELKOŚCI OBSERWOWANYCH

Bardziej szczegółowo

Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii

Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii sprawozdanie za okres X 2008 XII 2009 Prof. dr hab. Jan Misiewicz www.cmzin.pwr.wroc.pl Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii (CMZiN) Jest

Bardziej szczegółowo

PL B1. INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ, Warszawa, PL INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Warszawa, PL

PL B1. INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ, Warszawa, PL INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Warszawa, PL PL 221135 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 221135 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 399454 (22) Data zgłoszenia: 06.06.2012 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

Badania odpowiedzi sensorowej cienkich warstw oraz nanostruktur SnO 2

Badania odpowiedzi sensorowej cienkich warstw oraz nanostruktur SnO 2 Krzysztof WACZYŃSKI 1, Weronika IZYDORCZYK 1, Natalia NIEMIEC 1, Jerzy ULJANOW 1, Wiesław DOMAŃSKI 2, Janusz MAZURKIEWICZ 3 Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska (1), Instytut Metrologii, Elektroniki

Bardziej szczegółowo

ZAKŁAD TECHNOLOGII STRUKTUR PÓŁPRZEWODNIKOWYCH DLA FOTONIKI

ZAKŁAD TECHNOLOGII STRUKTUR PÓŁPRZEWODNIKOWYCH DLA FOTONIKI ZAKŁAD TECHNOLOGII STRUKTUR PÓŁPRZEWODNIKOWYCH DLA FOTONIKI Kierownik: prof. dr hab. inż. Anna PIOTROWSKA e-mail: ania@ite.waw.pl, tel. (0-prefiks-22) 548 79 40 Zespół: mgr Michał Borysiewicz, e-mail:

Bardziej szczegółowo

Zał. nr 4 do ZW 33/2012 aktualizacja WYDZIAŁ PODSTAWOWYCH PROBLEMÓW TECHNIKI KARTA PRZEDMIOTU Nazwa w języku polskim FIZYKA CIENKICH WARSTW

Zał. nr 4 do ZW 33/2012 aktualizacja WYDZIAŁ PODSTAWOWYCH PROBLEMÓW TECHNIKI KARTA PRZEDMIOTU Nazwa w języku polskim FIZYKA CIENKICH WARSTW Zał. nr 4 do ZW 33/0 aktualizacja 04.06.03 WYDZIAŁ PODSTAWOWYCH PROBLEMÓW TECHNIKI KARTA PRZEDMIOTU Nazwa w języku polskim FIZYKA CIENKICH WARSTW Nazwa w języku angielskim PHYSICS OF THIN FILMS. Kierunek

Bardziej szczegółowo

InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych

InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun Politechnika Śląska Politechnika Śląska w Projekcie InTechFun:

Bardziej szczegółowo

I Konferencja. InTechFun

I Konferencja. InTechFun I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08

Bardziej szczegółowo

Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk

Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk Promotor: dr hab. inż. Bogusława Adamowicz, prof. Pol. Śl. Zadania pracy Pomiary transmisji i odbicia optycznego

Bardziej szczegółowo

Azotkowe diody laserowe na podłożach GaN o zmiennym zorientowaniu

Azotkowe diody laserowe na podłożach GaN o zmiennym zorientowaniu Azotkowe diody laserowe na podłożach GaN o zmiennym zorientowaniu Marcin Sarzyński Badania finansuje narodowe centrum Badań i Rozwoju Program Lider Instytut Wysokich Cisnień PAN Siedziba 1. Diody laserowe

Bardziej szczegółowo

Samoorganizujące się nanokompozyty na bazie metali przejściowych w GaN i ZnO

Samoorganizujące się nanokompozyty na bazie metali przejściowych w GaN i ZnO Samoorganizujące się nanokompozyty na bazie metali przejściowych w GaN i ZnO M. Sawicki, S. Dobkowska, W. Stefanowicz, D. Sztenkiel, T. Dietl Instytut Fizyki PAN, Warszawa Pakiet zadaniowy: PZ2. Lider:

Bardziej szczegółowo

SYLABUS. Studia Kierunek studiów Poziom kształcenia Forma studiów Inżynieria materiałowa studia pierwszego studia stacjonarne

SYLABUS. Studia Kierunek studiów Poziom kształcenia Forma studiów Inżynieria materiałowa studia pierwszego studia stacjonarne SYLABUS Nazwa Procesy specjalne Nazwa jednostki prowadzącej Wydział Matematyczno-Przyrodniczy przedmiot Centrum Mikroelektroniki i Nanotechnologii Kod Studia Kierunek studiów Poziom kształcenia Forma studiów

Bardziej szczegółowo

SESJA PLAKATOWA I wtorek 23.06.2009, godz. 17:30 19:30

SESJA PLAKATOWA I wtorek 23.06.2009, godz. 17:30 19:30 SESJA PLAKATOWA I wtorek 23.06.2009, godz. 17:30 19:30 Nr plakatu P1 Bartnik P2 ukasz Bober P3 Lech Borowicz P4 Micha³ Byrczek P5 Joanna Cabaj P6 Piotr Caban P7 Piotr Caban P8 Jerzy Ciosek P9 Cezary Czosnek

Bardziej szczegółowo

2010 doktor nauk fizycznych, Wydział Matematyczno-Przyrodniczy, Uniwersytet Rzeszowski

2010 doktor nauk fizycznych, Wydział Matematyczno-Przyrodniczy, Uniwersytet Rzeszowski CV dr Mariusz Bester WYKSZTAŁCENIE: 1997 licencjat fizyki, Wyższa Szkoła Pedagogiczna w Rzeszowie 1999 magister fizyki, Wyższa Szkoła Pedagogiczna w Rzeszowie 2010 doktor nauk fizycznych, Wydział Matematyczno-Przyrodniczy,

Bardziej szczegółowo

InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintronikii technik sensorowych

InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintronikii technik sensorowych Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintronikii technik sensorowych InTechFun Politechnika Warszawska ZESPÓŁ REALIZUJĄCY PROJEKT prof. dr hab.

Bardziej szczegółowo

Uniwersytet Rzeszowski

Uniwersytet Rzeszowski Spis publikacji Spis publikacji - rok 2016-2017 1. P. Potera, I.Stefaniuk "Influence of annealing and irradiation by heavy ions on optical absorption of doped lithium niobate crystals" Acta Physica Polonica

Bardziej szczegółowo

Wykład Ćwiczenia Laboratorium Projekt Seminarium

Wykład Ćwiczenia Laboratorium Projekt Seminarium Zał. nr 4 do ZW 33/0 WYDZIAŁ PODSTAWOWYCH PROBLEMÓW TECHNIKI KARTA PRZEDMIOTU Nazwa w języku polskim FIZYKA CIENKICH WARSTW Nazwa w języku angielskim PHYSICS OF THIN FILMS. Kierunek studiów:...optyka.

Bardziej szczegółowo

AUTOREFERAT 1. Działalność naukowa i w zakresie rozwoju kadry, w tym tworzenia szkoły naukowej.

AUTOREFERAT 1. Działalność naukowa i w zakresie rozwoju kadry, w tym tworzenia szkoły naukowej. Prof.dr hab.inż Jan Szmidt Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Warszawa, 10.02.2012r. AUTOREFERAT 1. Działalność naukowa i w zakresie rozwoju kadry,

Bardziej szczegółowo

Wpływ temperatury podłoża na właściwości powłok DLC osadzanych metodą rozpylania katod grafitowych łukiem impulsowym

Wpływ temperatury podłoża na właściwości powłok DLC osadzanych metodą rozpylania katod grafitowych łukiem impulsowym Dotacje na innowacje Wpływ temperatury podłoża na właściwości powłok DLC osadzanych metodą rozpylania katod grafitowych łukiem impulsowym Viktor Zavaleyev, Jan Walkowicz, Adam Pander Politechnika Koszalińska

Bardziej szczegółowo

KOMITET ELEKTRONIKI i TELEKOMUNIKACJI

KOMITET ELEKTRONIKI i TELEKOMUNIKACJI KOMITET ELEKTRONIKI i TELEKOMUNIKACJI Pałac Kultury i Nauki, XXIII piętro, pokój: 36, tel. 656 64 98, fax. 86 9 96, email: keit@pan.pl; http://keit.pan.pl tel. Przewodniczącego Komitetu: 34 733, tel. Sekretarza

Bardziej szczegółowo

SYLABUS. Chemiczna obróbka metali i półprzewodników

SYLABUS. Chemiczna obróbka metali i półprzewodników SYLABUS Nazwa przedmiotu Nazwa jednostki prowadzącej przedmiot Chemiczna obróbka metali i półprzewodników Wydział Matematyczno-Przyrodniczy Centrum Mikroelektroniki i Nanotechnologii Kod przedmiotu Studia

Bardziej szczegółowo

Wybrane przykłady zastosowania materiałów ceramicznych Prof. dr hab. Krzysztof Szamałek Sekretarz naukowy ICiMB

Wybrane przykłady zastosowania materiałów ceramicznych Prof. dr hab. Krzysztof Szamałek Sekretarz naukowy ICiMB Wybrane przykłady zastosowania materiałów ceramicznych Prof. dr hab. Krzysztof Szamałek Sekretarz naukowy ICiMB Projekt współfinansowany z Europejskiego Funduszu Społecznego i Budżetu Państwa Rozwój wykorzystania

Bardziej szczegółowo

CZŁONEK MIĘDZYNARODOWEJ UNII NAUKI, TECHNIKI I ZASTOSOWAŃ PRÓŻNI ( IUVSTA )

CZŁONEK MIĘDZYNARODOWEJ UNII NAUKI, TECHNIKI I ZASTOSOWAŃ PRÓŻNI ( IUVSTA ) CZŁONEK MIĘDZYNARODOWEJ UNII NAUKI, TECHNIKI I ZASTOSOWAŃ PRÓŻNI ( IUVSTA ) W okresie sprawozdawczym Zarząd PTP pracował w składzie wybranym na Walnym Zebraniu Sprawozdawczo-Wyborczym w Krakowie w dniu

Bardziej szczegółowo

Centrum Zaawansowanych Materiałów i Technologii CEZAMAT

Centrum Zaawansowanych Materiałów i Technologii CEZAMAT Centrum Zaawansowanych Materiałów i Technologii CEZAMAT Beneficjentem jest Politechnika Warszawska w imieniu Konsorcjum, którego członkami są: PW, UW, WAT, IChF PAN, IF PAN, IPPT PAN, IWC PAN, ITME Biuro

Bardziej szczegółowo

CEZAMAT nowe miejsce współpracy nauki i biznesu na mapie polskiej infrastruktury laboratoryjnej. Piotr Wiśniewski

CEZAMAT nowe miejsce współpracy nauki i biznesu na mapie polskiej infrastruktury laboratoryjnej. Piotr Wiśniewski CEZAMAT nowe miejsce współpracy nauki i biznesu na mapie polskiej infrastruktury laboratoryjnej Piotr Wiśniewski Plan prezentacji O Centrum Misja i wizja Cele Laboratorium Centralne CEZAMAT Podsumowanie

Bardziej szczegółowo

Rok akademicki: 2015/2016 Kod: IEL s Punkty ECTS: 3. Poziom studiów: Studia I stopnia Forma i tryb studiów: Stacjonarne

Rok akademicki: 2015/2016 Kod: IEL s Punkty ECTS: 3. Poziom studiów: Studia I stopnia Forma i tryb studiów: Stacjonarne Nazwa modułu: Alternatywne źródła energii Rok akademicki: 2015/2016 Kod: IEL-1-512-s Punkty ECTS: 3 Wydział: Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji Kierunek: Elektronika Specjalność: Poziom studiów:

Bardziej szczegółowo

Termiczny model tranzystora HEMT na podłożu GaN/SiC

Termiczny model tranzystora HEMT na podłożu GaN/SiC Termiczny model tranzystora HEMT na podłożu GaN/SiC Paweł Kopyt, Daniel Gryglewski, Wojciech Wojtasiak, Wojciech Gwarek Instytut Radioelektroniki, Politechnika Warszawska ul. Nowowiejska 5/9, 00-665 Warszawa

Bardziej szczegółowo

PL B1. Układ do optycznego pomiaru parametrów plazmy generowanej wewnątrz kapilary światłowodowej. POLITECHNIKA LUBELSKA, Lublin, PL

PL B1. Układ do optycznego pomiaru parametrów plazmy generowanej wewnątrz kapilary światłowodowej. POLITECHNIKA LUBELSKA, Lublin, PL PL 225214 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 225214 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 414026 (22) Data zgłoszenia: 16.09.2015 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

Technologie plazmowe. Paweł Strzyżewski. Instytut Problemów Jądrowych im. Andrzeja Sołtana Zakład PV Fizyki i Technologii Plazmy Otwock-Świerk

Technologie plazmowe. Paweł Strzyżewski. Instytut Problemów Jądrowych im. Andrzeja Sołtana Zakład PV Fizyki i Technologii Plazmy Otwock-Świerk Technologie plazmowe Paweł Strzyżewski p.strzyzewski@ipj.gov.pl Instytut Problemów Jądrowych im. Andrzeja Sołtana Zakład PV Fizyki i Technologii Plazmy 05-400 Otwock-Świerk 1 Informacje: Skład osobowy

Bardziej szczegółowo

III PANEL EKSPERTÓW PROGRAM. Nowoczesne materiały i innowacyjne metody dla przetwarzania i monitorowania energii (MIME) 10 stycznia 2013 r.

III PANEL EKSPERTÓW PROGRAM. Nowoczesne materiały i innowacyjne metody dla przetwarzania i monitorowania energii (MIME) 10 stycznia 2013 r. III PANEL EKSPERTÓW PROGRAM Nowoczesne materiały i innowacyjne metody dla przetwarzania i monitorowania energii (MIME) 10 stycznia 2013 r. Centrum Konferencyjne Mrówka Warszawa - Powsin Projekt współfinansowany

Bardziej szczegółowo

Mikrosystemy Wprowadzenie. Prezentacja jest współfinansowana przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego w projekcie pt.

Mikrosystemy Wprowadzenie. Prezentacja jest współfinansowana przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego w projekcie pt. Mikrosystemy Wprowadzenie Prezentacja jest współfinansowana przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego w projekcie pt. Innowacyjna dydaktyka bez ograniczeń - zintegrowany rozwój

Bardziej szczegółowo

MIĘDZYUCZELNIANE CENTRUM. Projekt realizowany przez Uniwersytet im. Adama Mickiewicza w Poznaniu

MIĘDZYUCZELNIANE CENTRUM. Projekt realizowany przez Uniwersytet im. Adama Mickiewicza w Poznaniu MIĘDZYUCZELNIANE CENTRUM NANOBIOMEDYCZNE Projekt realizowany przez Uniwersytet im. Adama Mickiewicza w Poznaniu Międzyuczelniane Centrum NanoBioMedyczne to projekt kluczowy w ramach Działania 13.1 Infrastruktura

Bardziej szczegółowo

RAPORT. zawierający wyniki realizacji projektu pt.:

RAPORT. zawierający wyniki realizacji projektu pt.: RAPORT zawierający wyniki realizacji projektu pt.: Ochrona prawna zgłoszeń patentowych sposobu wytwarzania nanoproszków krzemionkowych o właściwościach biobójczych (bakteriobójczych i grzybobójczych),

Bardziej szczegółowo

Publikacje pracowników Katedry Inżynierii Materiałowej w 2010 r.

Publikacje pracowników Katedry Inżynierii Materiałowej w 2010 r. Publikacje pracowników Katedry Inżynierii Materiałowej w 2010 r. 1. Żenkiewicz M., Richert J., Różański A.: Effect of blow moulding on barrier properties of polylactide nanocomposite films, Polymer Testing

Bardziej szczegółowo

PLAN STUDIÓW. efekty kształcenia

PLAN STUDIÓW. efekty kształcenia WYDZIAŁ: KIERUNEK: poziom kształcenia: profil: forma studiów: Lp. O/F Semestr 1 kod modułu/ przedmiotu* Wydział Chemiczny Inżynieria materiałowa II stopnia ogólnoakademicki stacjonarne 1 Inżynieria materiałowa

Bardziej szczegółowo

OTRZYMYWANIE WARSTW SiCN METODĄ RF SPUTTERINGU

OTRZYMYWANIE WARSTW SiCN METODĄ RF SPUTTERINGU Otrzymywanie warstw SiCN metodą RF sputteringu OTRZYMYWANIE WARSTW SiCN METODĄ RF SPUTTERINGU Beata Stańczyk, Andrzej Jagoda, Lech Dobrzański, Piotr Caban, Małgorzata Możdżonek Instytut Technologii Materiałów

Bardziej szczegółowo

Technologia elementów optycznych

Technologia elementów optycznych Technologia elementów optycznych dr inż. Michał Józwik pokój 507a jozwik@mchtr.pw.edu.pl Część 7 Technologia mikrosystemów MEMS/MOEMS Pojęcia podstawowe Wymiary MEMS/MOEMS Elementy technologii mikroelementów

Bardziej szczegółowo

Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii

Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii sprawozdanie za okres I 2012 IV 2013 Prof. dr hab. Jan Misiewicz www.cmzin.pwr.wroc.pl Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii (CMZiN) Jest

Bardziej szczegółowo

promotor prof. dr hab. inż. Jan Szmidt z Politechniki Warszawskiej

promotor prof. dr hab. inż. Jan Szmidt z Politechniki Warszawskiej Politechnika Warszawska Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych Warszawa, 13 marca 2018 r. D z i e k a n a t Uprzejmie informuję, że na Wydziale Elektroniki i Technik Informacyjnych Politechniki Warszawskiej

Bardziej szczegółowo

DOROBEK NAUKOWY (1978-2012)

DOROBEK NAUKOWY (1978-2012) 20.02.2012 Prof. dr hab. Jan SZMIDT DOROBEK NAUKOWY (1978-2012) SPIS TREŚCI: A. MONOGRAFIE, ROZPRAWY, KSIĄŻKI, SKRYPTY, PRESKRYPTY... A1. Monografie, rozprawy... A2. Wydawnictwa książkowe... A3. Skrypty,

Bardziej szczegółowo

Magister: Uniwersytet Śląski w Katowicach, Wydział Matematyczno Fizyczno - Chemiczny, s pecjalność: kierunek fizyka, 1977

Magister: Uniwersytet Śląski w Katowicach, Wydział Matematyczno Fizyczno - Chemiczny, s pecjalność: kierunek fizyka, 1977 Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Laboratorium Fotowoltaiczne, 43340 Kozy, ul. Krakowska 22 Tel.: (033) 817424, fax: (033) 4867180 email:m.lipinski@imim.pl marlipin@wp.pl

Bardziej szczegółowo

PANEL EKSPERTÓW PROGRAM. Nowoczesne materiały i innowacyjne metody dla przetwarzania i monitorowania energii (MIME) 19 stycznia 2011 r.

PANEL EKSPERTÓW PROGRAM. Nowoczesne materiały i innowacyjne metody dla przetwarzania i monitorowania energii (MIME) 19 stycznia 2011 r. PANEL EKSPERTÓW PROGRAM Nowoczesne materiały i innowacyjne metody dla przetwarzania i monitorowania energii (MIME) 19 stycznia 2011 r. Dom Pracy Twórczej im. B. Prusa Obory k. Warszawy Projekt współfinansowany

Bardziej szczegółowo

Walne Zebranie Członków Polskiego Towarzystwa Pró niowego Zebranie sprawozdawczo-wyborcze Uchwała Zarz

Walne Zebranie Członków Polskiego Towarzystwa Pró niowego Zebranie sprawozdawczo-wyborcze Uchwała Zarz Technika próżni i technologie próżniowe Biuletyn Polskiego Towarzystwa Próżniowego 1 (50) 2010 pod redakcją dr hab. inż. Ryszarda Korbutowicza e-mail: Ryszard.Korbutowicz@pwr.wroc.pl http://www.ptp.pwr.wroc.pl

Bardziej szczegółowo

Kierunek: Fizyka, rok I, specjalność: Akustyka i realizacja dźwięku

Kierunek: Fizyka, rok I, specjalność: Akustyka i realizacja dźwięku Kierunek: Fizyka, rok I, specjalność: ustyka i realizacja dźwięku 1 Filozofia przyrody F 1 30 30 5 x 2 Analiza matematyczna F 1 15 30 3 3 Algebra liniowa z geometrią F 1 30 30 5 x 4 Mechanika klasyczna

Bardziej szczegółowo

Politechnika Wrocławska Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Politechnika Wrocławska Wydział Podstawowych Problemów Techniki Politechnika Wrocławska Wydział Podstawowych Problemów Techniki specjalność FOTONIKA 3,5-letnie studia stacjonarne I stopnia (studia inżynierskie) FIZYKA TECHNICZNA Charakterystyka wykształcenia: - dobre

Bardziej szczegółowo

Aparatura do osadzania warstw metodami:

Aparatura do osadzania warstw metodami: Aparatura do osadzania warstw metodami: Rozpylania mgnetronowego Magnetron sputtering MS Rozpylania z wykorzystaniem działa jonowego Ion Beam Sputtering - IBS Odparowanie wywołane impulsami światła z lasera

Bardziej szczegółowo

Wykład 12 V = 4 km/s E 0 =.08 e V e = = 1 Å

Wykład 12 V = 4 km/s E 0 =.08 e V e  = = 1 Å Wykład 12 Fale materii: elektrony, neutrony, lekkie atomy Neutrony generowane w reaktorze są spowalniane w wyniku zderzeń z moderatorem (grafitem) do V = 4 km/s, co odpowiada energii E=0.08 ev a energia

Bardziej szczegółowo

Warszawa, 24 marca 2014r. AUTOREFERAT. 1. Imię i Nazwisko: Eliana Kamińska

Warszawa, 24 marca 2014r. AUTOREFERAT. 1. Imię i Nazwisko: Eliana Kamińska Warszawa, 24 marca 2014r. 1. Imię i Nazwisko: Eliana Kamińska AUTOREFERAT 2. 2. Posiadane dyplomy, stopnie naukowe/ artystyczne z podaniem nazwy, miejsca i roku ich uzyskania oraz tytułu rozprawy doktorskiej:

Bardziej szczegółowo

Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Laboratorium Fotowoltaiczne, Kozy, ul. Krakowska 22

Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Laboratorium Fotowoltaiczne, Kozy, ul. Krakowska 22 Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Laboratorium Fotowoltaiczne, 43-340 Kozy, ul. Krakowska 22 Tel.: (033) 8174249, fax: (033) 4867180 e-mail: kazimierz.drabczyk@wp.pl

Bardziej szczegółowo

METODY CHARAKTERYZACJI GRAFENU WYKORZYSTYWANEGO W SENSOROWYCH UKŁADACH REZYSTANCYJNYCH

METODY CHARAKTERYZACJI GRAFENU WYKORZYSTYWANEGO W SENSOROWYCH UKŁADACH REZYSTANCYJNYCH ELEKTRYKA 2014 Zeszyt 2-3 (230-231) Rok LX Sabina DREWNIAK Politechnika Śląska w Gliwicach Tadeusz PUSTELNY Politechnika Śląska w Gliwicach Włodzimierz STRUPIŃSKI Zakład Epitaksji Związków Półprzewodnikowych,

Bardziej szczegółowo

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA Wydział Chemiczny Politechniki Gdańskiej.0.004 PLAN STUDIÓW Rodzaj studiów: studia dzienne inżynierskie/ magisterskie - czas trwania: inż. 3, 5 lat/ 7 semestrów; mgr 5 lat/0 semestrów Kierunek studiów:

Bardziej szczegółowo

ZAKŁAD BADAŃ MATERIAŁÓW I STRUKTUR PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

ZAKŁAD BADAŃ MATERIAŁÓW I STRUKTUR PÓŁPRZEWODNIKOWYCH ZAKŁAD BADAŃ MATERIAŁÓW I STRUKTUR PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Kierownik: dr hab. inż. Andrzej CZERWIŃSKI, prof. nadzw. w ITE e-mail: aczerwin@ite.waw.pl, tel. (22) 548 77 64 Zespół: prof. dr hab. Janina Marciak-Kozłowska

Bardziej szczegółowo

2. Innowacyjne elastyczne pokrycie fotowoltaiczne",

2. Innowacyjne elastyczne pokrycie fotowoltaiczne, Laboratorium Fotowoltaiczne w Kozach od 1997 roku jest placówką naukowo-badawczą Instytutu Metalurgii i Inżynierii Materiałowej Polskiej Akademii Nauk w Krakowie. Prace naukowo-badawcze prowadzone w laboratorium

Bardziej szczegółowo

Kształtowanie przestrzenne struktur AlGaInN jako klucz do nowych generacji przyrządów optoelektronicznych

Kształtowanie przestrzenne struktur AlGaInN jako klucz do nowych generacji przyrządów optoelektronicznych Kształtowanie przestrzenne struktur AlGaInN jako klucz do nowych generacji przyrządów optoelektronicznych Projekt realizowany w ramach programu LIDER finansowanego przez Narodowe Centrum Badań i Rozwoju

Bardziej szczegółowo

Fotodetektor ultrafioletu na bazie struktur metal/izolator/gan i AlGaN/GaN

Fotodetektor ultrafioletu na bazie struktur metal/izolator/gan i AlGaN/GaN Fotodetektor ultrafioletu na bazie struktur metal/izolator/gan i AlGaN/GaN Z3.7 Z2.6 (model charakteryzacja), Z7 (aparatura), Z4 (demonstrator) model, projekt, charakteryzacja grupa PSl-3 B. Adamowicz

Bardziej szczegółowo

ZAKŁAD MIKRO- I NANOTECHNOLOGII PÓŁPRZEWODNIKÓW SZEROKOPRZERWOWYCH

ZAKŁAD MIKRO- I NANOTECHNOLOGII PÓŁPRZEWODNIKÓW SZEROKOPRZERWOWYCH ZAKŁAD MIKRO- I NANOTECHNOLOGII PÓŁPRZEWODNIKÓW SZEROKOPRZERWOWYCH Kierownik: Zespół: prof. dr hab. inż. Anna PIOTROWSKA e-mail: ania@ite.waw.pl, tel. (22) 548 79 40 dr hab. Adam Barcz, e-mail: barcz@ite.waw.pl

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA ŚLĄSKA 44-100 Gliwice, ul. Krzywoustego 2, tel (032) 237-29-02,

POLITECHNIKA ŚLĄSKA 44-100 Gliwice, ul. Krzywoustego 2, tel (032) 237-29-02, Katedra Optoelektroniki POLITECHNIKA ŚLĄSKA 44-100 Gliwice, ul. Krzywoustego 2, tel (032) 237-29-02, Prof. dr hab. inż. Tadeusz Pustelny Katedra Optoelektroniki Politechnika Śląska e-mail: tpustelny@polsl.pl

Bardziej szczegółowo

ROZDZIAŁ 4. Polskie diody laserowe do wysokoczułych sensorów ditlenku azotu

ROZDZIAŁ 4. Polskie diody laserowe do wysokoczułych sensorów ditlenku azotu 39 ROZDZIAŁ 4 Polskie diody laserowe do wysokoczułych sensorów ditlenku azotu 4.1. Wstęp Związki (GaAlIn)N są drugą, co do ważności komercyjnej, grupą półprzewodników (za Si-Ge, ale znacznie przed (GaAlIn)(AsP)).

Bardziej szczegółowo

ZAKŁAD FIZYKI I TECHNOLOGII STRUKTUR NISKOWYMIAROWYCH

ZAKŁAD FIZYKI I TECHNOLOGII STRUKTUR NISKOWYMIAROWYCH ZAKŁAD FIZYKI I TECHNOLOGII STRUKTUR NISKOWYMIAROWYCH Kierownik: prof. dr hab. Maciej BUGAJSKI e-mail: bugajski@ite.waw.pl tel. (0-22) 548 79 32, fax 548 79 25 Zespół: prof. dr hab. inż. Bohdan Mroziewicz,

Bardziej szczegółowo

PLAN STUDIÓW STACJONARNYCH studia inżynierskie pierwszego stopnia

PLAN STUDIÓW STACJONARNYCH studia inżynierskie pierwszego stopnia Egzamin po semestrze Kierunek: FIZYKA TECHNICZNA wybór specjalności po semestrze czas trwania: 7 semestrów profil: ogólnoakademicki PLAN STUDIÓW STACJONARNYCH studia inżynierskie pierwszego stopnia 01/015-1

Bardziej szczegółowo

PRZEWAGA DZIĘKI TECHNOLOGII

PRZEWAGA DZIĘKI TECHNOLOGII PRZEWAGA DZIĘKI TECHNOLOGII PRZEWAGA DZIĘKI TECHNOLOGII MOTTO Nie poprawiamy teraźniejszości Tworzymy przyszłość MISJA SPÓŁKI Chcemy dostarczać naszym klientom innowacyjne rozwiązania z obszaru inżynierii

Bardziej szczegółowo

Nanofizyka co wiemy, a czego jeszcze szukamy?

Nanofizyka co wiemy, a czego jeszcze szukamy? Nanofizyka co wiemy, a czego jeszcze szukamy? Maciej Maśka Zakład Fizyki Teoretycznej UŚ Projekt współfinansowany przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego ...czyli dlaczego NANO

Bardziej szczegółowo

Ramowy Program Specjalizacji MODELOWANIE MATEMATYCZNE i KOMPUTEROWE PROCESÓW FIZYCZNYCH Studia Specjalistyczne (III etap)

Ramowy Program Specjalizacji MODELOWANIE MATEMATYCZNE i KOMPUTEROWE PROCESÓW FIZYCZNYCH Studia Specjalistyczne (III etap) Ramowy Program Specjalizacji MODELOWANIE MATEMATYCZNE i KOMPUTEROWE PROCESÓW FIZYCZNYCH Studia Specjalistyczne (III etap) Z uwagi na ogólno wydziałowy charakter specjalizacji i możliwość wykonywania prac

Bardziej szczegółowo

Kierownik: prof. dr hab. Jacek Ulański

Kierownik: prof. dr hab. Jacek Ulański Katedra Fizyki Molekularnej Politechnika Łódzka Kierownik: prof. dr hab. Jacek Ulański Specjalności Kierunek: Specjalność: Chemia Chemia i Fizyka Polimerów Kierunek: Specjalność: Nanotechnologia Nanomateriały

Bardziej szczegółowo

ZAKŁAD BADAŃ MATERIAŁÓW I STRUKTUR PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

ZAKŁAD BADAŃ MATERIAŁÓW I STRUKTUR PÓŁPRZEWODNIKOWYCH ZAKŁAD BADAŃ MATERIAŁÓW I STRUKTUR PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Kierownik: dr hab. inż. Andrzej CZERWIŃSKI, prof. nadzw. w ITE e-mail: aczerwin@ite.waw.pl, tel. (22) 548 77 64 Zespół: prof. dr hab. Janina Marciak-Kozłowska

Bardziej szczegółowo

Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków,ul. Reymonta 25

Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków,ul. Reymonta 25 Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, 30059 Kraków,ul. Reymonta 25 Tel.: (012) 295 28 63, pokój 121, fax: (012) 295 28 04 email: zbigniew.starowicz@gmail.com z.starowicz@imim.pl

Bardziej szczegółowo

Mechanika i Budowa Maszyn II stopień Ogólnoakademicki. Studia stacjonarne. inny. do wyboru polski Semestr pierwszy. Semestr Letni

Mechanika i Budowa Maszyn II stopień Ogólnoakademicki. Studia stacjonarne. inny. do wyboru polski Semestr pierwszy. Semestr Letni KARTA MODUŁU / KARTA PRZEDMIOTU Kod modułu Nazwa modułu Nazwa modułu w języku angielskim Obowiązuje od roku akademickiego 2013/2014 Eksploatacja urządzeń do obróbki plazmowej Operation of Systems for Plasma

Bardziej szczegółowo

KOMITET ELEKTRONIKI I TELEKOMUNIKACJI POLSKIEJ AKADEMII NAUK

KOMITET ELEKTRONIKI I TELEKOMUNIKACJI POLSKIEJ AKADEMII NAUK KOMITET ELEKTRONIKI I TELEKOMUNIKACJI POLSKIEJ AKADEMII NAUK Pałac Kultury i Nauki Skrytka Pocztowa 24 00-901 Warszawa XXIII piętro, pokój: 2316 tel. (+ 48 22) 656 64 98 fax. (+48 22) 826 29 96 email:

Bardziej szczegółowo

Kierunek: Fizyka, rok I, specjalność: Akustyka i realizacja dźwięku Rok akademicki 2017/2018

Kierunek: Fizyka, rok I, specjalność: Akustyka i realizacja dźwięku Rok akademicki 2017/2018 Kierunek: Fizyka, rok I, specjalność: ustyka i realizacja dźwięku Rok akademicki 2017/2018 Filozofia przyrody F 1 30 30 5 x Metody uczenia się i studiowania F 1 15 1 Technologia informacyjna F 1 30 2 Analiza

Bardziej szczegółowo

METROLOGIA. MIERNICTWO

METROLOGIA. MIERNICTWO METROLOGIA. MIERNICTWO Z 099360-BG DURCZAK KAROL Pomiary wielkości geometrycznych w technice / Karol Durczak. - Wyd. 2. Poznań : Wydaw. Akademii Rolniczej im. Augusta Cieszkowskiego, 2006. - 268 s. : il.

Bardziej szczegółowo

ROK AKADEMICKI 2012/2013 studia stacjonarne BLOKI OBIERALNE KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

ROK AKADEMICKI 2012/2013 studia stacjonarne BLOKI OBIERALNE KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH ROK AKADEMICKI 2012/2013 studia stacjonarne BLOKI OBIERALNE KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH PROPONOWANE BLOKI Systemy i sieci światłowodowe Elektronika motoryzacyjna Mikro-

Bardziej szczegółowo

Transport I stopień Ogólnoakademicki. Studia niestacjonarne. kierunkowy. do wyboru polski Semestr siódmy. Semestr Zimowy

Transport I stopień Ogólnoakademicki. Studia niestacjonarne. kierunkowy. do wyboru polski Semestr siódmy. Semestr Zimowy KARTA MODUŁU / KARTA PRZEDMIOTU Kod modułu Nazwa modułu Nazwa modułu w języku angielskim Obowiązuje od roku akademickiego 2013/2014 Nowoczesne powłoki w silnikach spalinowych The state of art in I.C. engines

Bardziej szczegółowo

1. "Interaction of high-energy phonons with conduction electrons in semiconductors", W. Zawadzki, P. Boguslawski, Phys. Rev. Lett. 31, 1403 (1973).

1. Interaction of high-energy phonons with conduction electrons in semiconductors, W. Zawadzki, P. Boguslawski, Phys. Rev. Lett. 31, 1403 (1973). Publications Review articles and book chapters: 1. "Point defects and impurities in SiC and group-iii nitrides", rozdział w: Buschow K H J, Cahn R W, Flemings M C, Ilschner B, Kramer E J, Mahajan S (eds)

Bardziej szczegółowo

Politechnika Koszalińska

Politechnika Koszalińska Politechnika Instytut Mechatroniki, Nanotechnologii i Technik Próżniowych Wytwarzanie, struktura i właściwości cienkich powłok na bazie węgla Andrzej Czyżniewski Dotacje na innowacje Dotacje na innowacje

Bardziej szczegółowo