Wykład 12 V = 4 km/s E 0 =.08 e V e = = 1 Å

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Wykład 12 V = 4 km/s E 0 =.08 e V e = = 1 Å"

Transkrypt

1 Wykład 12 Fale materii: elektrony, neutrony, lekkie atomy Neutrony generowane w reaktorze są spowalniane w wyniku zderzeń z moderatorem (grafitem) do V = 4 km/s, co odpowiada energii E=0.08 ev a energia ta odpowiada λ = 1 Å Neutrony oddziaływają z : jądrami (można wyznaczyć gęstość prawdopodobieństwa znalezienia jąder), wyznaczyć krzywe dyspersyjne fononów momentami magnetycznymi jąder. J. Ginter

2 Wykład 12 Elektrony mają ładunek elektryczny i oddziaływają silnie z materią, wnikają bardzo płytko. Zjawisko ugięcia elektronów pozwala na badania strukturalne powierzchni oraz bardzo cienkich warstw Elektrony T. Stacewicz & A. Witowski

3 Wykład 12 Transmisyjny Mikroskop Elektronowy (TEM)

4 Transmisyjny mikroskop elektronowy (SEM) HRTEM High Resolution TEM) J. Borysiuk

5 Skaningowy mikroskop elektronowy (SEM) Wykorzystujemy skanowanie powierzchni próbki przez wąska wiązkę elektronów. Elektrony rozpraszają na powierzchni tak jak światło Kropki kwantowe GaN/AlGaN K. Surowiecka, Uniwersytet Ulm Warstwa epitaksjalna GaAs (wzrost 2D) w sąsiedztwie krystalitów GaAs (wzrost 3D) Wzrost - K. Pakuła (UW)

6 Wykład 12 Dyfrakcja nisko elektronów (LEED) nisko-energetycznych

7 Wykład 12 Dyfrakcja nisko elektronów (LEED) nisko-energetycznych

8 Wykład 11 Skaningowy Mikroskop Tunelowy (STM)

9 Wykład 11 Skaningowy Mikroskop Tunelowy (STM) J T VT exp( A Φd) d A=1.025 (ev) -0.5 Ǻ -1 Φ praca wyjścia

10

11 Wykład 12 Pojedyncza warstwa grafitu, grafen fulereny nanorurki grafit Podstawowy budulec dla struktur węglowych.

12 Wykład 12 Grafit 1.42 Å 3.35 Å γ 1 = 0.39 ev γ 0 = 3.12 ev

13

14 Metoda taśmy klejącej - badanie tego co zwykle lądowało w koszu płatki z kilku warstw Rozmiary ~10 µm K. Novoselov, A. Geim et al. Science (2004)

15 Wykład 12 Komórka elementarna grafenu J. Blinowski et al., J. Physique 41 (1980) 47-58

16 Wykład 12 Mikroskop tunelowy (STM) Grafen na podłożu 4H-SiC(0001), strona Si (R.Bożek)

17 Wykład 12 Grafen - Elektronowy mikroskop transmisyjny HRTEM (wysoka rozdzielczość) Pierwsza warstwa na stronie C jest oddalona od SiC przeszlo 3Å. Oznacza to mniejsze oddziaływanie z SiC J. Borysiuk et al. J. Appl. Phys. 105,

18 Inne metody wytwarzania grafenu

19 Rozwarstwianie grafitu S. Stankovich et al., Carbon (2007) Y. Hernandez et al., Nature nanotechnology 3, 563 (2008) W. Quian et al., Nano Res 2, 706 (2009) A. Ciesielski and P. Samori, Chem. Soc. Rev. 43, 381 (2014)

20 Obiecująca metoda otrzymywania grafenu Wygrzewanie SiC SiC T (>1400 o C); wysoka próżnia Kilka, kilkadziesiąt warstw węglowych Si Si STM Si layer C layer 5 nm van Bommel et al., Surface Science 1975 Oshima et al., J. Phys. Cond. Matt Forbeaux et al., PRB 1998 Berger et al., J. Phys. Chem. 2004, Science /2007

21 Nowy pomysł: prawdziwa epitaksja (osadzanie) Zalety kontrola transportu masy mniejsze naprężenia warstw mniejsza wrażliwość na stopnie na podłożach lepsza kontrola grubości kompatybilność z technologia SiC

22

23 Grafen roll-to-roll Bae et al. NATURE NANOTECHNOLOGY 5,574 (2010)

24 Bae et al. NATURE NANOTECHNOLOGY 5,574 (2010)

25 Produkcja grafenu w Polsce Źródło: ARP

26 Sprawdźmy co można kupić!

27

28 Mikroskop AFM mikroskop optyczny z kamerą AFM ~25cm podstawa MultiMode AFM +Nanoscope IIIa Digital Instruments (obecnie Veeco)

29 Budowa mikroskopu AFM: ruchoma próbka Mikroskop optyczny z kamerą Regulacja położenia dźwigni w płaszczyźnie Skaner Uchwyt dźwigni Głowica Mocowanie skanera Wyświetlacz Przewody Baza Podstawka

30 Tryb kontaktowy ( contact mode )

31 Tryb kontaktowy ( contact mode )

32 (TappingMode TM AFM)

33 EFM Electric Force Microscopy (Kelvin Probe Microscopy) F( x) = F( x ) + 0 F x ( x x ) ω 0 = 1 F ω 0 2 x k Siła elektryczna (gradient) zmiana częstości rezonansowej Pętla sprzężenia zwrotnego: utrzymanie rezonansu Przyciąganie Spadek częstości Odpychanie Wzrost częstości Doświadczenie w skali makro z ciężarkiem na brzeszczocie i magnesami

34 Wykład 12 Mikroskop sił atomowych (AFM) GaAs Dyslokacja w InSb GaAs/(Ga,Mn)As AFM MFM Journal of Applied Physics

35 Dioda Schottky ego Au/GaN (złącze metal-półprzewodnik) topografia granica półprzezroczystej warstwy Au potencjał Rafał Bożek (Wydział Fizyki UW)

36 GaN GaN LT Buffer sapphire 2.2µm potecjał (KPFM) topografia (AFM) Rafał Bożek (Wydział Fizyki UW)

37 MFM Magnetic Force Microscopy F( x) = F( x ) + 0 F x ( x x ) ω 0 = 1 F ω 0 2 x k Siła magnetyczna (gradient) zmiana częstości rezonansowej Pętla sprzężenia zwrotnego: utrzymanie rezonansu Przyciąganie Wzrost częstości Odpychanie Spadek częstości

38 Mikroskop sił magnetycznych (MFM) Rafał Bożek (Wydział Fizyki UW)

39 Nanorurki węglowe L. Forroro et al. Electronic and mechanical properties of carbon nanotubes,

40 Moduł Younga dla nanorurki? F = N L. Forroro et al. Electronic and mechanical properties of carbon nanotubes (Wikipedia) A. Volodin et al.,phys. Rev. Lett. 84, 3342 (2000) Palaci et al., Phys. Rev. Lett. 94, (2005)

41 Wykład 12 Porównanie mikroskopów Mikroskop optyczny STM AFM Rozdzielczość: x, y 1.0 µm 0.1 nm 2 10 nm Rozdzielczość: nm 0.1 nm z Powiększenie próbka próbka przezroczysta nierówności < 10µm nierówności < 10µm

Mikroskopia skaningowa tunelowa i siłowa

Mikroskopia skaningowa tunelowa i siłowa Zakład Fizyki Magnetyków Uniwersytet w Białymstoku Instytut Fizyki Doświadczalnej Lipowa 41, 15-424 Białystok Tel: (85) 7457228 http://physics.uwb.edu.pl/zfmag Mikroskopia skaningowa tunelowa i siłowa

Bardziej szczegółowo

Mikroskop sił atomowych

Mikroskop sił atomowych Mikroskop sił atomowych AFM: jak to działa? Krzysztof Zieleniewski Proseminarium ZFCS, 5 listopada 2009 Plan seminarium Łyczek historii Możliwości mikroskopu Budowa mikroskopu na Pasteura Podstawowe mody

Bardziej szczegółowo

AFM. Mikroskopia sił atomowych

AFM. Mikroskopia sił atomowych AFM Mikroskopia sił atomowych Siły van der Waalsa F(r) V ( r) = c 1 r 1 12 c 2 r 1 6 Siły van der Waalsa Mod kontaktowy Tryby pracy AFM związane z zależnością oddziaływania próbka ostrze od odległości

Bardziej szczegółowo

Wytwarzanie niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych

Wytwarzanie niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych Większość struktur niskowymiarowych wytwarzanych jest za pomocą technik epitaksjalnych. Najczęściej wykorzystywane metody wzrostu: - epitaksja z wiązki molekularnej (MBE Molecular Beam Epitaxy) - epitaksja

Bardziej szczegółowo

Wyznaczenie momentu bezwładności przy użyciu wahadła torsyjnego

Wyznaczenie momentu bezwładności przy użyciu wahadła torsyjnego Wyznaczenie momentu bezwładności przy użyciu wahadła torsyjnego Wahadło torsyjne ównanie ruchu obrotowego krążka d α I dt M M Dα I moment bezwładności krążka M moment siły D moment kierujący r drut d α

Bardziej szczegółowo

I. Wstęp teoretyczny. Ćwiczenie: Mikroskopia sił atomowych (AFM) Prowadzący: Michał Sarna (sarna@novel.ftj.agh.edu.pl) 1.

I. Wstęp teoretyczny. Ćwiczenie: Mikroskopia sił atomowych (AFM) Prowadzący: Michał Sarna (sarna@novel.ftj.agh.edu.pl) 1. Ćwiczenie: Mikroskopia sił atomowych (AFM) Prowadzący: Michał Sarna (sarna@novel.ftj.agh.edu.pl) I. Wstęp teoretyczny 1. Wprowadzenie Mikroskop sił atomowych AFM (ang. Atomic Force Microscope) jest jednym

Bardziej szczegółowo

Fizyka powierzchni. Dr Piotr Sitarek. Katedra Fizyki Doświadczalnej, Wydział Podstawowych Problemów Techniki, Politechnika Wrocławska

Fizyka powierzchni. Dr Piotr Sitarek. Katedra Fizyki Doświadczalnej, Wydział Podstawowych Problemów Techniki, Politechnika Wrocławska Fizyka powierzchni 11 Dr Piotr Sitarek Katedra Fizyki Doświadczalnej, Wydział Podstawowych Problemów Techniki, Politechnika Wrocławska Lista zagadnień Fizyka powierzchni i międzypowierzchni, struktura

Bardziej szczegółowo

M2 Mikroskopia sił atomowych: badanie nanostruktur.

M2 Mikroskopia sił atomowych: badanie nanostruktur. M2 Mikroskopia sił atomowych: badanie nanostruktur. Celem ćwiczenia jest poznanie mikroskopii sił atomowych i zbadanie otrzymanych próbek. Wymagane zagadnienia Podstawy fizyczne mikroskopii sił atomowych:

Bardziej szczegółowo

Wahadło torsyjne D I. Równanie ruchu obrotowego krążka. moment bezwładności krążka M moment siły D moment kierujący. drut

Wahadło torsyjne D I. Równanie ruchu obrotowego krążka. moment bezwładności krążka M moment siły D moment kierujący. drut Wahadło torsyjne ównanie ruchu obrotowego krążka d α I dt M M Dα I moment bezwładności krążka M moment siły D moment kierujący r drut d α dt D + α I ównanie oscyatora harmonicznego α α A sin( ωt + ϕ) Częstość

Bardziej szczegółowo

(Pieczęć Wykonawcy) Załącznik nr 8 do SIWZ Nr postępowania: ZP/259/050/D/11. Opis oferowanej dostawy OFERUJEMY:

(Pieczęć Wykonawcy) Załącznik nr 8 do SIWZ Nr postępowania: ZP/259/050/D/11. Opis oferowanej dostawy OFERUJEMY: . (Pieczęć Wykonawcy) Załącznik nr 8 do SIWZ Nr postępowania: ZP/259/050/D/11 Opis oferowanej dostawy OFERUJEMY: 1) Mikroskop AFM według pkt 1 a) załącznika nr 7 do SIWZ, model / producent..... Detekcja

Bardziej szczegółowo

Wady ostrza. Ponieważ ostrze ma duży promień niektóre elementy ukształtowania powierzchni nie są rejestrowane (fioletowy element)

Wady ostrza. Ponieważ ostrze ma duży promień niektóre elementy ukształtowania powierzchni nie są rejestrowane (fioletowy element) Wady ostrza Ponieważ ostrze ma duży promień niektóre elementy ukształtowania powierzchni nie są rejestrowane (fioletowy element) Ponieważ ostrze ma kilka zakończeń w obrazie pojawiają się powtórzone struktury

Bardziej szczegółowo

Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk

Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk Promotor: dr hab. inż. Bogusława Adamowicz, prof. Pol. Śl. Zadania pracy Pomiary transmisji i odbicia optycznego

Bardziej szczegółowo

Grafen i jego własności

Grafen i jego własności Grafen i jego własności Jacek Baranowski Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych Wydział Fizyki, Uniwersytet Warszawski W Polsce są duże pokłady węgla, niestety nie można ich przerobić na grafen,

Bardziej szczegółowo

CZUŁOŚĆ CHEMICZNA W MIKROSKOPII SIŁ ATOMOWYCH

CZUŁOŚĆ CHEMICZNA W MIKROSKOPII SIŁ ATOMOWYCH CZUŁOŚĆ CHEMICZNA W MIKROSKOPII SIŁ ATOMOWYCH Marek Szymoński Centrum Badań Układów Nanoskopowych i Zaawansowanych Materiałów (NANOSAM) Wydział Fizyki, Astronomii i Informatyki Stosowanej Uniwersytet Jagielloński

Bardziej szczegółowo

Mikroskop tunelowy skaningowy Scaning tuneling microscopy (STM)

Mikroskop tunelowy skaningowy Scaning tuneling microscopy (STM) Mikroskop tunelowy skaningowy Scaning tuneling microscopy (STM) Zasada działania Historia odkryć Zastosowane rozwiązania Przykłady zastosowania Bolesław AUGUSTYNIAK Zasada działania mikroskopu skanującego

Bardziej szczegółowo

Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC

Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC J. Łażewski, M. Sternik, P.T. Jochym, P. Piekarz politypy węglika krzemu SiC >250 politypów, najbardziej stabilne: 3C, 2H, 4H i 6H

Bardziej szczegółowo

Uniwersytet Łódzki, Wydział Chemii Katedra Chemii Nieorganicznej i Analitycznej Zakład Elektroanalizy i Elektrochemii Łódź, ul.

Uniwersytet Łódzki, Wydział Chemii Katedra Chemii Nieorganicznej i Analitycznej Zakład Elektroanalizy i Elektrochemii Łódź, ul. Uniwersytet Łódzki, Wydział Chemii 91-403 Łódź, ul. Tamka 12 Andrzej Leniart Akademia Ciekawej Chemii 11 czerwiec 2014 r. Z czego zbudowana jest materia? Demokryt z Abdery (ur. ok. 460 p.n.e., zm. ok.

Bardziej szczegółowo

Rodzaje mikroskopów ze skanującą sondą (SPM, Scanning Probe Microscopy)

Rodzaje mikroskopów ze skanującą sondą (SPM, Scanning Probe Microscopy) Spis treści 1 Historia 2 Rodzaje mikroskopów ze skanującą sondą (SPM, Scanning Probe Microscopy) 2.1 Skaningowy mikroskop tunelowy (STM od ang. Scanning Tunneling Microscope) 2.1.1 Uzyskiwanie obrazu metodą

Bardziej szczegółowo

Podstawy fizyki kwantowej i budowy materii

Podstawy fizyki kwantowej i budowy materii Podstawy fizyki kwantowej i budowy materii prof. dr hab. Aleksander Filip Żarnecki Zakład Cząstek i Oddziaływań Fundamentalnych Instytut Fizyki Doświadczalnej Wykład 5 7 listopada 2016 A.F.Żarnecki Podstawy

Bardziej szczegółowo

PL B1. INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ, Warszawa, PL INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Warszawa, PL

PL B1. INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ, Warszawa, PL INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Warszawa, PL PL 221135 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 221135 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 399454 (22) Data zgłoszenia: 06.06.2012 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

Nanostruktury i nanotechnologie

Nanostruktury i nanotechnologie Nanostruktury i nanotechnologie Heterozłącza Efekty kwantowe Nanotechnologie Z. Postawa, "Fizyka powierzchni i nanostruktury" 1 Termin oddania referatów do 19 I 004 Zaliczenie: 1 I 004 Z. Postawa, "Fizyka

Bardziej szczegółowo

M1/M3 Zastosowanie mikroskopii sił atomowych do badania nanostruktur

M1/M3 Zastosowanie mikroskopii sił atomowych do badania nanostruktur M1/M3 Zastosowanie mikroskopii sił atomowych do badania nanostruktur Prowadzący: Kontakt e-mail: Rafał Bożek rafal.bozek@fuw.edu.pl Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z zasadami mikroskopii sił atomowych

Bardziej szczegółowo

Mikroskopia Sił Atomowych (AFM)

Mikroskopia Sił Atomowych (AFM) Narzędzia dla nanotechnologii Mikroskopia Sił Atomowych (AFM) Tomasz Kruk* Wprowadzenie Wśród wielu urządzeń kojarzonych z nanotechnologią żadne nie jest tak dobrze rozpoznawalne i proste w założeniu swojej

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ANALITYCZNEJ MIKROSKOPII ELEKTRONOWEJ (L - 2)

LABORATORIUM ANALITYCZNEJ MIKROSKOPII ELEKTRONOWEJ (L - 2) LABORATORIUM ANALITYCZNEJ MIKROSKOPII ELEKTRONOWEJ (L - 2) Posiadane uprawnienia: ZAKRES AKREDYTACJI LABORATORIUM BADAWCZEGO NR AB 120 wydany przez Polskie Centrum Akredytacji Wydanie nr 5 z 18 lipca 2007

Bardziej szczegółowo

PRACOWNIA MIKROSKOPII

PRACOWNIA MIKROSKOPII 1. Kierownik Pracowni: Dr hab. Andrzej Wojtczak, prof. UMK 2. Wykonujący badania: Mgr Grzegorz Trykowski 3. Adres: Uniwersytet Mikołaja Kopernika Wydział Chemii Pracownia Analiz Instrumentalnych ul. Gagarina

Bardziej szczegółowo

Współczesna fizyka ciała stałego

Współczesna fizyka ciała stałego Współczesna fizyka ciała stałego Struktury półprzewodnikowe o obniŝonej wymiarowości studnie kwantowe, druty kwantowe, kropki kwantowe fulereny, nanorurki, grafen Kwantowe efekty rozmiarowe Ograniczenie

Bardziej szczegółowo

Grafen materiał XXI wieku!?

Grafen materiał XXI wieku!? Grafen materiał XXI wieku!? Badania grafenu w aspekcie jego zastosowań w fotowoltaice, sensoryce i metrologii Tadeusz Pustelny Plan prezentacji: 1. Wybrane właściwości fizyczne grafenu 2. Grafen materiał

Bardziej szczegółowo

Leon Murawski, Katedra Fizyki Ciała Stałego Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej

Leon Murawski, Katedra Fizyki Ciała Stałego Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej Nanomateriałów Leon Murawski, Katedra Fizyki Ciała Stałego Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej POLITECHNIKA GDAŃSKA Centrum Zawansowanych Technologii Pomorze ul. Al. Zwycięstwa 27 80-233

Bardziej szczegółowo

Podstawy informatyki kwantowej

Podstawy informatyki kwantowej Wykład 6 27 kwietnia 2016 Podstawy informatyki kwantowej dr hab. Łukasz Cywiński lcyw@ifpan.edu.pl http://info.ifpan.edu.pl/~lcyw/ Wykłady: 6, 13, 20, 27 kwietnia oraz 4 maja (na ostatnim wykładzie będzie

Bardziej szczegółowo

Badania własności optycznych grafenu

Badania własności optycznych grafenu Badania własności optycznych grafenu Mateusz Klepuszewski 1, Aleksander Płocharski 1, Teresa Kulka 2, Katarzyna Gołasa 3 1 III Liceum Ogólnokształcące im. Unii Europejskiej, Berlinga 5, 07-410 Ostrołęka

Bardziej szczegółowo

Mody sprzęŝone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych

Mody sprzęŝone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych Mody sprzęŝone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych Klasyczny przykład pośredniego oddziaływania pola magnetycznego na wzbudzenia fononowe Schemat: pole magnetyczne (siła Lorentza) nośniki (oddziaływanie

Bardziej szczegółowo

Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych

Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych Monika KWOKA, Jacek SZUBER Instytut Elektroniki Politechnika Śląska Gliwice PLAN PREZENTACJI 1. Podsumowanie dotychczasowych prac:

Bardziej szczegółowo

Studnia kwantowa. Optyka nanostruktur. Studnia kwantowa. Gęstość stanów. Sebastian Maćkowski

Studnia kwantowa. Optyka nanostruktur. Studnia kwantowa. Gęstość stanów. Sebastian Maćkowski Studnia kwantowa Optyka nanostruktur Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Studnia kwantowa

Bardziej szczegółowo

Grafen materiał XXI wieku!?

Grafen materiał XXI wieku!? Grafen materiał XXI wieku!? Badania grafenu w aspekcie jego zastosowań w sensoryce i metrologii Tadeusz Pustelny Plan prezentacji: 1. Wybrane właściwości fizyczne grafenu 2. Grafen materiał 21-go wieku?

Bardziej szczegółowo

Cząsteczki i światło. Jacek Waluk. Instytut Chemii Fizycznej PAN Kasprzaka 44/52, Warszawa

Cząsteczki i światło. Jacek Waluk. Instytut Chemii Fizycznej PAN Kasprzaka 44/52, Warszawa Cząsteczki i światło Jacek Waluk Instytut Chemii Fizycznej PAN Kasprzaka 44/52, 01-224 Warszawa 10 19 m (1000 lat świetlnych) 10-5 m (10 mikronów) 10 11 gwiazd w naszej galaktyce 10 22 gwiazd we Wszechświecie

Bardziej szczegółowo

Informatyka kwantowa i jej fizyczne podstawy Rezonans spinowy, bramki dwu-kubitowe

Informatyka kwantowa i jej fizyczne podstawy Rezonans spinowy, bramki dwu-kubitowe Wykład 4 29 kwietnia 2015 Informatyka kwantowa i jej fizyczne podstawy Rezonans spinowy, bramki dwu-kubitowe Łukasz Cywiński lcyw@ifpan.edu.pl http://info.ifpan.edu.pl/~lcyw/ Dobra lektura: Michel Le Bellac

Bardziej szczegółowo

Mikroskop sił atomowych (AFM)

Mikroskop sił atomowych (AFM) Mikroskop sił atomowych (AFM) 1. Wprowadzenie Mikroskop sił atomowych (ang. Atomic Force Microscope AFM) został skonstruowany w 1986 r. w laboratorium IBM w Zurichu (Binnig G., Quate C.F., Gerber C., Phys.

Bardziej szczegółowo

h λ= mv h - stała Plancka (4.14x10-15 ev s)

h λ= mv h - stała Plancka (4.14x10-15 ev s) Twórcy podstaw optyki elektronowej: De Broglie LV. 1924 hipoteza: każde ciało poruszające się ma przyporządkowaną falę a jej długość jest ilorazem stałej Plancka i pędu. Elektrony powinny więc mieć naturę

Bardziej szczegółowo

Opis przedmiotu zamówienia

Opis przedmiotu zamówienia ZP/UR/169/2012 Zał. nr 1a do siwz Opis przedmiotu zamówienia A. Spektrometr ramanowski z mikroskopem optycznym: 1) Spektrometr ramanowski posiadający podwójny tor detekcyjny, wyposażony w chłodzony termoelektrycznie

Bardziej szczegółowo

WARSZAWA LIX Zeszyt 257

WARSZAWA LIX Zeszyt 257 WARSZAWA LIX Zeszyt 257 SPIS TRE CI STRESZCZENIE... 9 WYKAZ SKRÓTÓW... 10 1. WPROWADZENIE... 13 2. MIKROSKOPIA SI ATOMOWYCH PODSTAWY... 17 2.1. Podstawy oddzia ywa ostrze próbka... 23 2.1.1. Modele fizyczne

Bardziej szczegółowo

Elementy przełącznikowe

Elementy przełącznikowe Elementy przełącznikowe Dwie główne grupy: - niesterowane (diody p-n lub Schottky ego), - sterowane (tranzystory lub tyrystory) Idealnie: stan ON zwarcie, stan OFF rozwarcie, przełączanie bez opóźnienia

Bardziej szczegółowo

Ciała stałe. Ciała krystaliczne. Ciała amorficzne. Bardzo często mamy do czynienia z ciałami polikrystalicznymi, rzadko monokryształami.

Ciała stałe. Ciała krystaliczne. Ciała amorficzne. Bardzo często mamy do czynienia z ciałami polikrystalicznymi, rzadko monokryształami. Ciała stałe Ciała krystaliczne Ciała amorficzne Bardzo często mamy do czynienia z ciałami polikrystalicznymi, rzadko monokryształami. r T = Kryształy rosną przez regularne powtarzanie się identycznych

Bardziej szczegółowo

Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie. Dr inż. KAROL STRZAŁKOWSKI Instytut Fizyki UMK w Toruniu skaroll@fizyka.umk.pl

Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie. Dr inż. KAROL STRZAŁKOWSKI Instytut Fizyki UMK w Toruniu skaroll@fizyka.umk.pl Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie. Dr inż. KAROL STRZAŁKOWSKI Instytut Fizyki UMK w Toruniu skaroll@fizyka.umk.pl Plan ogólny Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie, czyli czym będziemy się

Bardziej szczegółowo

Informacje ogólne. 45 min. test na podstawie wykładu Zaliczenie ćwiczeń na podstawie prezentacji Punkty: test: 60 %, prezentacja: 40 %.

Informacje ogólne. 45 min. test na podstawie wykładu Zaliczenie ćwiczeń na podstawie prezentacji Punkty: test: 60 %, prezentacja: 40 %. Informacje ogólne Wykład 28 h Ćwiczenia 14 Charakter seminaryjny zespołu dwuosobowe ~20 min. prezentacje Lista tematów na stronie Materiały do wykładu na stronie: http://urbaniak.fizyka.pw.edu.pl Zaliczenie:

Bardziej szczegółowo

Rozszczepienie poziomów atomowych

Rozszczepienie poziomów atomowych Rozszczepienie poziomów atomowych Poziomy energetyczne w pojedynczym atomie Gdy zbliżamy atomy chmury elektronowe nachodzą na siebie (inaczej: funkcje falowe elektronów zaczynają się przekrywać) Na skutek

Bardziej szczegółowo

Rezonatory ze zwierciadłem Bragga

Rezonatory ze zwierciadłem Bragga Rezonatory ze zwierciadłem Bragga Siatki dyfrakcyjne stanowiące zwierciadła laserowe (zwierciadła Bragga) są powszechnie stosowane w laserach VCSEL, ale i w laserach z rezonatorem prostopadłym do płaszczyzny

Bardziej szczegółowo

Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Dyfrakcja i Reflektometria Rentgenowska

Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Dyfrakcja i Reflektometria Rentgenowska Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Dyfrakcja i Reflektometria Rentgenowska Michał Leszczyński Stanisław Krukowski i Michał Leszczyński Instytut Wysokich Ciśnień PAN 01-142 Warszawa,

Bardziej szczegółowo

AUTOREFERAT. Struktura krystaliczna i związane z nią własności fizyczne warstw grafenowych, zsyntetyzowanych na powierzchniach polarnych SiC

AUTOREFERAT. Struktura krystaliczna i związane z nią własności fizyczne warstw grafenowych, zsyntetyzowanych na powierzchniach polarnych SiC Załącznik nr 2 AUTOREFERAT Struktura krystaliczna i związane z nią własności fizyczne warstw grafenowych, zsyntetyzowanych na powierzchniach polarnych SiC Dr inż. Jolanta Agnieszka Borysiuk Oddział Fizyki

Bardziej szczegółowo

Rezonanse magnetyczne oraz wybrane techniki pomiarowe fizyki ciała stałego

Rezonanse magnetyczne oraz wybrane techniki pomiarowe fizyki ciała stałego Paweł Szroeder Rezonanse magnetyczne oraz wybrane techniki pomiarowe fizyki ciała stałego Wykład XI Badania powierzchni ciała stałego: elektronowy mikroskop skaningowy (SEM), skaningowy mikroskop tunelowy

Bardziej szczegółowo

Grafen. Poprzednio. Poprzednio

Grafen. Poprzednio. Poprzednio Elektronika plastikowa i organiczna Grafen Poprzednio Poprzednio Metody syntezy związków organicznych pozwalają na tworzenie półprzewodników organicznych o zadanych własnościach mechanicznych i elektrooptycznych

Bardziej szczegółowo

Własności optyczne półprzewodników

Własności optyczne półprzewodników Własności optyczne półprzewodników Andrzej Wysmołek Wykład przygotowany w oparciu o wykłady prowadzone na Wydziale Fizyki Uniwersytetu Warszawakiego przez prof. Mariana Grynberga oraz prof. Romana Stępniewskiego

Bardziej szczegółowo

Badania powierzchni kryształów i struktur epitaksjalnych. Bogdan J. Kowalski IF PAN

Badania powierzchni kryształów i struktur epitaksjalnych. Bogdan J. Kowalski IF PAN Badania powierzchni kryształów i struktur epitaksjalnych Bogdan J. Kowalski IF PAN Co to jest powierzchnia? God made solids, but surfaces were the work of thedevil Wolfgang Pauli www.weltchronik.de A o

Bardziej szczegółowo

Grafen perspektywy zastosowań

Grafen perspektywy zastosowań Grafen perspektywy zastosowań Paweł Szroeder 3 czerwca 2014 Spis treści 1 Wprowadzenie 1 2 Właściwości grafenu 2 3 Perspektywy zastosowań 2 3.1 Procesory... 2 3.2 Analogoweelementy... 3 3.3 Czujniki...

Bardziej szczegółowo

OPIS PRZEDMIOTU ZAMÓWIENIA

OPIS PRZEDMIOTU ZAMÓWIENIA Załącznik nr 2 do SIWZ OPIS PRZEDMIOTU ZAMÓWIENIA Zadanie nr 1 pn.: Dostawa i instalacja fabrycznie nowego (nieużywanego) Profilometru mechanicznego wraz z przeszkoleniem Personelu Zamawiającego Przedmiotem

Bardziej szczegółowo

DOTYCZY: Sygn. akt SZ /12/6/6/2012

DOTYCZY: Sygn. akt SZ /12/6/6/2012 Warszawa dn. 2012-07-26 SZ-222-20/12/6/6/2012/ Szanowni Państwo, DOTYCZY: Sygn. akt SZ-222-20/12/6/6/2012 Przetargu nieograniczonego, którego przedmiotem jest " sprzedaż, szkolenie, dostawę, montaż i uruchomienie

Bardziej szczegółowo

WSTĘP DO FIZYKI CZĄSTEK. Julia Hoffman (NCU)

WSTĘP DO FIZYKI CZĄSTEK. Julia Hoffman (NCU) WSTĘP DO FIZYKI CZĄSTEK Julia Hoffman (NCU) WSTĘP DO WSTĘPU W wykładzie zostały bardzo ogólnie przedstawione tylko niektóre zagadnienia z zakresu fizyki cząstek elementarnych. Sugestie, pytania, uwagi:

Bardziej szczegółowo

Oddziaływanie cząstek z materią

Oddziaływanie cząstek z materią Oddziaływanie cząstek z materią Trzy główne typy mechanizmów reprezentowane przez Ciężkie cząstki naładowane (cięższe od elektronów) Elektrony Kwanty gamma Ciężkie cząstki naładowane (miony, p, cząstki

Bardziej szczegółowo

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Część I: Optyka, wykład 1 wykład: Piotr Fita pokazy: Andrzej Wysmołek ćwiczenia: Anna Grochola, Barbara Piętka Wydział Fizyki Uniwersytet Warszawski 2014/15

Bardziej szczegółowo

OPTYKA. Leszek Błaszkieiwcz

OPTYKA. Leszek Błaszkieiwcz OPTYKA Leszek Błaszkieiwcz Ojcem optyki jest Witelon (1230-1314) Zjawisko odbicia fal promień odbity normalna promień padający Leszek Błaszkieiwcz Rys. Zjawisko załamania fal normalna promień padający

Bardziej szczegółowo

III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski

III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski 1 1 Wstęp Materiały półprzewodnikowe, otrzymywane obecnie w warunkach laboratoryjnych, charakteryzują się niezwykle wysoką czystością.

Bardziej szczegółowo

Elementy teorii powierzchni metali

Elementy teorii powierzchni metali prof. dr hab. Adam Kiejna Elementy teorii powierzchni metali Wykład 2 v.16 Sieci płaskie i struktura powierzchni 1 Typy sieci dwuwymiarowych (płaskich) Przecinając monokryształ wzdłuż jednej z płaszczyzn

Bardziej szczegółowo

Nowa odmiana tlenku żelaza: obliczenia ab initio i pomiary synchrotronowe

Nowa odmiana tlenku żelaza: obliczenia ab initio i pomiary synchrotronowe Nowa odmiana tlenku żelaza: obliczenia ab initio i pomiary synchrotronowe Przemysław Piekarz Zakład Komputerowych Badań Materiałów Instytut Fizyki Jądrowej PAN Ab initio (łac.) - od początku H ψ =E ψ Ab

Bardziej szczegółowo

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Część I: Optyka, wykład 8 wykład: Piotr Fita pokazy: Andrzej Wysmołek ćwiczenia: Anna Grochola, Barbara Piętka Wydział Fizyki Uniwersytet Warszawski 2014/15

Bardziej szczegółowo

Kątowa rozdzielczość matrycy fotodetektorów

Kątowa rozdzielczość matrycy fotodetektorów WYKŁAD 24 SMK ANALIZUJĄCE PRZETWORNIKI OBRAZU Na podstawie: K. Booth, S. Hill, Optoelektronika, WKŁ, Warszawa 2001 1. Zakres dynamiczny, rozdzielczość przestrzenna miara dokładności rozróżniania szczegółów

Bardziej szczegółowo

Kamil Zalewski, Wojciech Nath, Marcin Ewiak, Grzegorz Gabryel

Kamil Zalewski, Wojciech Nath, Marcin Ewiak, Grzegorz Gabryel Kamil Zalewski, Wojciech Nath, Marcin Ewiak, Grzegorz Gabryel Ogólny opis mikroskopów Wstęp do idei mikroskopów skanujących Rodziny mikroskopów skanujących Ogólna zasada działania mikroskopów AFM i STM

Bardziej szczegółowo

Nanoskopowe metody charakteryzacji materiałów. Obrazek: Helsinki University of Technology tfy.tkk.fi/sin/research/

Nanoskopowe metody charakteryzacji materiałów. Obrazek: Helsinki University of Technology tfy.tkk.fi/sin/research/ Nanoskopowe metody charakteryzacji materiałów Obrazek: Helsinki University of Technology tfy.tkk.fi/sin/research/ STM i AFM: podstawy konstrukcji STM AFM Scanning tunelling microscope (STM) Heinrich Rohrer

Bardziej szczegółowo

IX. DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Janusz Adamowski

IX. DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Janusz Adamowski IX. DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Janusz Adamowski 1 1 Dioda na złączu p n Zgodnie z wynikami, otrzymanymi na poprzednim wykładzie, natężenie prądu I przepływającego przez złącze p n opisane jest wzorem Shockleya

Bardziej szczegółowo

Mikroskopia polowa. Efekt tunelowy Historia odkryć Uwagi o tunelowaniu Zastosowane rozwiązania. Bolesław AUGUSTYNIAK

Mikroskopia polowa. Efekt tunelowy Historia odkryć Uwagi o tunelowaniu Zastosowane rozwiązania. Bolesław AUGUSTYNIAK Mikroskopia polowa Efekt tunelowy Historia odkryć Uwagi o tunelowaniu Zastosowane rozwiązania Bolesław AUGUSTYNIAK Efekt tunelowy Efekt kwantowy, którym tłumaczy się przenikanie elektronu w sposób niezgodny

Bardziej szczegółowo

Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r.

Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r. Fizyka i technologia złącza P Adam Drózd 25.04.2006r. O czym będę mówił: Półprzewodnik definicja, model wiązań walencyjnych i model pasmowy, samoistny i niesamoistny, domieszki donorowe i akceptorowe,

Bardziej szczegółowo

METODY BADAŃ BIOMATERIAŁÓW

METODY BADAŃ BIOMATERIAŁÓW METODY BADAŃ BIOMATERIAŁÓW 1 Cel badań: ograniczenie ryzyka związanego ze stosowaniem biomateriałów w medycynie Rodzaje badań: 1. Badania biofunkcyjności implantów, 2. Badania degradacji implantów w środowisku

Bardziej szczegółowo

MIKROSKOPIA ELEKTRONOWA. Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego

MIKROSKOPIA ELEKTRONOWA. Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego MIKROSKOPIA ELEKTRONOWA Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego Tło historyczne Pod koniec XIX wieku stosowanie mikroskopów świetlnych w naukach

Bardziej szczegółowo

Forum BIZNES- NAUKA Obserwatorium. Kliknij, aby edytować styl wzorca podtytułu. NANO jako droga do innowacji

Forum BIZNES- NAUKA Obserwatorium. Kliknij, aby edytować styl wzorca podtytułu. NANO jako droga do innowacji Forum BIZNES- NAUKA Obserwatorium Kliknij, aby edytować styl wzorca podtytułu NANO jako droga do innowacji Uniwersytet Śląski w Katowicach Oferta dla partnerów biznesowych Potencjał badawczy Założony w

Bardziej szczegółowo

Opis przedmiotu zamówienia

Opis przedmiotu zamówienia Załącznik nr 5 Opis przedmiotu zamówienia 1. Przedmiotem zamówienia jest dostawa mikroskopu na potrzeby Centrum Badań nad Innowacjami o parametrach: 2. Dostarczony asortyment musi być fabrycznie nowy oraz

Bardziej szczegółowo

Promotor: prof. nadzw. dr hab. Jerzy Ratajski. Jarosław Rochowicz. Wydział Mechaniczny Politechnika Koszalińska

Promotor: prof. nadzw. dr hab. Jerzy Ratajski. Jarosław Rochowicz. Wydział Mechaniczny Politechnika Koszalińska Promotor: prof. nadzw. dr hab. Jerzy Ratajski Jarosław Rochowicz Wydział Mechaniczny Politechnika Koszalińska Praca magisterska Wpływ napięcia podłoża na właściwości mechaniczne powłok CrCN nanoszonych

Bardziej szczegółowo

Z.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja. InTechFun

Z.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja. InTechFun Z.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa

Bardziej szczegółowo

Wszechświat cząstek elementarnych WYKŁAD 5

Wszechświat cząstek elementarnych WYKŁAD 5 Wszechświat cząstek elementarnych WYKŁAD 5 Maria Krawczyk, Wydział Fizyki UW 17.III.2010 Oddziaływania: elektromagnetyczne i grawitacyjne elektromagnetyczne i silne (kolorowe) Biegnące stałe sprzężenia:

Bardziej szczegółowo

Leonard Sosnowski

Leonard Sosnowski Admiralty Research Laboratory w Teddington, Anglia (1945-1947). Leonard Sosnowski J. Starkiewicz, L. Sosnowski, O. Simpson, Nature 158, 28 (1946). L. Sosnowski, J. Starkiewicz, O. Simpson, Nature 159,

Bardziej szczegółowo

Fizyka powierzchni. Dr Piotr Sitarek. Katedra Fizyki Doświadczalnej, Wydział Podstawowych Problemów Techniki, Politechnika Wrocławska

Fizyka powierzchni. Dr Piotr Sitarek. Katedra Fizyki Doświadczalnej, Wydział Podstawowych Problemów Techniki, Politechnika Wrocławska Fizyka powierzchni 8 Dr Piotr Sitarek Katedra Fizyki Doświadczalnej, Wydział Podstawowych Problemów Techniki, Politechnika Wrocławska Lista zagadnień Fizyka powierzchni i międzypowierzchni, struktura powierzchni

Bardziej szczegółowo

1. Dwa ładunki punktowe q znajdujące się w odległości 1 m od siebie odpychają się siłą o wartości F r

1. Dwa ładunki punktowe q znajdujące się w odległości 1 m od siebie odpychają się siłą o wartości F r 1. Dwa ładunki punktowe q znajdujące się w odległości 1 m od siebie odpychają się siłą o wartości F r. Sporządź wykres zależności F(r) dla tych ładunków. 2. Naelektryzowany płatek waty zbliża się do przeciwnie

Bardziej szczegółowo

Jak badać strukturę powierzchni?

Jak badać strukturę powierzchni? Jak badać strukturę powierzchni? Wykład - 12 15 Anim - ten kod oznacza, że na stronie znajdują się animacje niewidoczne w pliku pdf. Aby oglądnąć te animacje skopiuj zbiór z pokazem PowerPoint Z. Postawa,

Bardziej szczegółowo

Badanie Podstawowych Właściwości Atramentów Przewodzących Prąd Elektryczny dla Technologii Ink-Jet.

Badanie Podstawowych Właściwości Atramentów Przewodzących Prąd Elektryczny dla Technologii Ink-Jet. www.amepox-mc.com www.amepox.com.pl Badanie Podstawowych Właściwości Atramentów Przewodzących Prąd Elektryczny dla Technologii Ink-Jet. Andrzej Kinart, Andrzej Mościcki, Anita Smolarek Amepox Microelectronics,

Bardziej szczegółowo

Wpływ temperatury podłoża na właściwości powłok DLC osadzanych metodą rozpylania katod grafitowych łukiem impulsowym

Wpływ temperatury podłoża na właściwości powłok DLC osadzanych metodą rozpylania katod grafitowych łukiem impulsowym Dotacje na innowacje Wpływ temperatury podłoża na właściwości powłok DLC osadzanych metodą rozpylania katod grafitowych łukiem impulsowym Viktor Zavaleyev, Jan Walkowicz, Adam Pander Politechnika Koszalińska

Bardziej szczegółowo

DOTYCZY: Sygn. akt SZ-222-20/12/6/6/2012

DOTYCZY: Sygn. akt SZ-222-20/12/6/6/2012 Warszawa dn. 2012-07-20 SZ-222-20/12/6/6/2012/2713 Szanowni Państwo, DOTYCZY: Sygn. akt SZ-222-20/12/6/6/2012 Przetargu nieograniczonego, którego przedmiotem jest " sprzedaż, szkolenie, dostawę, montaż

Bardziej szczegółowo

Warsztaty metod fizyki teoretycznej Zestaw 1 Mikroskopia sił atomowych (AFM) - opis drgań ostrza

Warsztaty metod fizyki teoretycznej Zestaw 1 Mikroskopia sił atomowych (AFM) - opis drgań ostrza Warsztaty metod fizyki teoretycznej Zestaw 1 Mikroskopia sił atomowych (AFM) - opis drgań ostrza Jan Kaczmarczyk, Szymon Godlewski, Marcin Zagórski 2.1.28 1 Wprowadzenie Mikroskopia sił atomowych (Atomic

Bardziej szczegółowo

E e l kt k r t o r n o ow o a w a s t s r t u r kt k u t ra r a at a o t m o u

E e l kt k r t o r n o ow o a w a s t s r t u r kt k u t ra r a at a o t m o u Elektronowa struktura atomu Anna Pietnoczka BUDOWA ATOMU CZĄSTKA SYMBOL WYSTĘPOWANIE MASA ŁADUNEK ELEKTRYCZNY PROTON p + jądroatomowe około 1 u + 1 NEUTRON n 0 jądroatomowe około 1u Brak ELEKTRON e - powłoki

Bardziej szczegółowo

Dział: 7. Światło i jego rola w przyrodzie.

Dział: 7. Światło i jego rola w przyrodzie. Dział: 7. Światło i jego rola w przyrodzie. TEMATY I ZAKRES TREŚCI NAUCZANIA Fizyka klasa 3 LO Nr programu: DKOS-4015-89/02 Moduł Dział - Temat L. Zjawisko odbicia i załamania światła 1 Prawo odbicia i

Bardziej szczegółowo

Techniki mikroskopowe mikroskopia optyczna i fluorescencyjna, skaningowy mikroskop elektronowy i mikroskop sił atomowych

Techniki mikroskopowe mikroskopia optyczna i fluorescencyjna, skaningowy mikroskop elektronowy i mikroskop sił atomowych Techniki mikroskopowe mikroskopia optyczna i fluorescencyjna, skaningowy mikroskop elektronowy i mikroskop sił atomowych Mariusz Kępczyński, p. 148, kepczyns@chemia.uj.edu.pl Wstęp Plan wykładu mikroskopia

Bardziej szczegółowo

Zaawansowane Metody Badań Strukturalnych. Badania strukturalne materiałów Badania właściwości materiałów

Zaawansowane Metody Badań Strukturalnych. Badania strukturalne materiałów Badania właściwości materiałów Zaawansowane Metody Badań Strukturalnych Badania strukturalne materiałów Badania właściwości materiałów Zaawansowane Metody Badań Strukturalnych 1. Struktura próbki a metoda badań strukturalnych 2. Podział

Bardziej szczegółowo

Podstawy fizyki IV - Optyka, Fizyka wspólczesna - opis przedmiotu

Podstawy fizyki IV - Optyka, Fizyka wspólczesna - opis przedmiotu Podstawy fizyki IV - Optyka, Fizyka wspólczesna - opis przedmiotu Informacje ogólne Nazwa przedmiotu Podstawy fizyki IV - Optyka, Fizyka wspólczesna Kod przedmiotu 13.2-WF-FizP-PF4OF-Ć-S14_genGZGG4 Wydział

Bardziej szczegółowo

MIĘDZYUCZELNIANE CENTRUM. Projekt realizowany przez Uniwersytet im. Adama Mickiewicza w Poznaniu

MIĘDZYUCZELNIANE CENTRUM. Projekt realizowany przez Uniwersytet im. Adama Mickiewicza w Poznaniu MIĘDZYUCZELNIANE CENTRUM NANOBIOMEDYCZNE Projekt realizowany przez Uniwersytet im. Adama Mickiewicza w Poznaniu Międzyuczelniane Centrum NanoBioMedyczne to projekt kluczowy w ramach Działania 13.1 Infrastruktura

Bardziej szczegółowo

Mikroskopia Sił Atomowych. AFM Atomic Force Microscopy. G. Binning, C.F. Quate, Ch. Gerber Phys.Rev.Lett., 1986

Mikroskopia Sił Atomowych. AFM Atomic Force Microscopy. G. Binning, C.F. Quate, Ch. Gerber Phys.Rev.Lett., 1986 Mikroskopia Sił Atomowych AFM Atomic Force Microscopy G. Binning, C.F. Quate, Ch. Gerber Phys.Rev.Lett., 1986 Narodziny AFM Dane: wibr >10 13 Hz. m at 10-25 kg K=m 2 wibr K=10 N/m GB Dla porównania: folia

Bardziej szczegółowo

Doktorantka: Żaneta Lewandowska

Doktorantka: Żaneta Lewandowska Doktorantka: Żaneta Lewandowska Główny opiekun naukowy: Dr hab. Piotr Piszczek, prof. UMK Katedra Chemii Nieorganicznej i Koordynacyjnej, Wydział Chemii Dodatkowy opiekun naukowy: Prof. dr hab. Wiesław

Bardziej szczegółowo

Badanie Podstawowych Właściwości Atramentów Przewodzących Prąd Elektryczny dla Technologii Ink-Jet.

Badanie Podstawowych Właściwości Atramentów Przewodzących Prąd Elektryczny dla Technologii Ink-Jet. www.amepox-mc.com www.amepox.com.pl Badanie Podstawowych Właściwości Atramentów Przewodzących Prąd Elektryczny dla Technologii Ink-Jet. Andrzej Kinart, Andrzej Mościcki, Anita Smolarek Amepox Microelectronics,

Bardziej szczegółowo

Zaawansowana Pracownia IN

Zaawansowana Pracownia IN Pomiary czasowo-rozdzielcze nanostruktur azotkowych. Ćwiczenie będzie polegało na zmierzeniu czasowo-rozdzielonej fotoluminescencji przy użyciu kamery smugowej, a następnie na analizie otrzymanych danych.

Bardziej szczegółowo

TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone,

TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, 1. Technologia wykonania złącza p-n W rzeczywistych złączach

Bardziej szczegółowo

XI. REALIZACJA FIZYCZNA OBLICZEŃ KWANTOWYCH Janusz Adamowski

XI. REALIZACJA FIZYCZNA OBLICZEŃ KWANTOWYCH Janusz Adamowski XI. REALIZACJA FIZYCZNA OBLICZEŃ KWANTOWYCH Janusz Adamowski 1 Rysunek 1: Elektrody (bramki) definiujące elektrostatyczną boczną kropkę kwantową. Fotografia otrzymana przy użyciu elektronowego mikroskopu

Bardziej szczegółowo

InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych

InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun Instytut Technologii Elektronowej InTechFun Zakład ad Bada Materiałów

Bardziej szczegółowo

Elektronowa mikroskopia. T. 2, Mikroskopia skaningowa / Wiesław Dziadur, Janusz Mikuła. Kraków, Spis treści

Elektronowa mikroskopia. T. 2, Mikroskopia skaningowa / Wiesław Dziadur, Janusz Mikuła. Kraków, Spis treści Elektronowa mikroskopia. T. 2, Mikroskopia skaningowa / Wiesław Dziadur, Janusz Mikuła. Kraków, 2016 Spis treści Wykaz ważniejszych skrótów i oznaczeń 11 Przedmowa 17 Wstęp 19 Literatura 26 Rozdział I.

Bardziej szczegółowo

Podstawy fizyki wykład 4

Podstawy fizyki wykład 4 D. Halliday, R. Resnick, J.Walker: Podstawy Fizyki, tom 5, PWN, Warszawa 2003. H. D. Young, R. A. Freedman, Sear s & Zemansky s University Physics with Modern Physics, Addison-Wesley Publishing Company,

Bardziej szczegółowo