Lateralny wzrost epitaksjalny (ELO)
|
|
- Jacek Żukowski
- 4 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Lateralny wzrost epitaksjalny (ELO) 15 kwietnia 2013 Zbigniew R. Żytkiewicz Instytut Fizyki PAN Warszawa, Al. Lotników 32/46 tel: Stanisław Krukowski i Michał Leszczyński Instytut Wysokich Ciśnień PAN Warszawa, ul Sokołowska 29/37 tel: stach@unipress.waw.pl, mike@unipress.waw.pl Wykład 2 godz./tydzień poniedziałek 15:00 ul. Pawińskiego 5a, blok D, V piętro, sala konferencyjna
2 Epitaxial Lateral Overgrowth (ELO) Lateralny Wzrost Epitaksjalny skrzydło warstwa ELO maska SiO 2 podłoże Wymagania: wzrost selektywny (brak zarodkowania na masce) duża pozioma (lateralna) prędkość wzrostu V lat mała pionowa (normalna) prędkość wzrostu V ver
3 R (szybkość wzrostu) Szybkość wzrostu różnych powierzchni kryształu (wykład SK) powierzchnia atomowo szorstka (przesycenie) Prawo wzrostu Wilsona - Frenkla
4 R (szybkość wzrostu) Szybkość wzrostu różnych powierzchni kryształu (wykład SK) powierzchnia atomowo-gładka bez dyslokacji - zarodki 2D 2D (przesycenie)
5 R (szybkość wzrostu) Szybkość wzrostu różnych powierzchni kryształu (wykład SK) powierzchnia atomowo-gładka z dyslokacjami 2D dyslokacje (przesycenie)
6 R (szybkość wzrostu) Mechanizm wzrostu warstw ELO (100), (111),... gładka powierzchnia górna szorstka powierzchnia boczna dyslokacje ELO opt 2D (przesycenie) podłoże Wybrać: gładką powierzchnię górną (mała V ver ) szorstką powierzchnię boczną (duża V lat ) dobrać przesycenie opt - LPE super!!! - VPE, MOVPE, HVPE - OK. - MBE???? słabo
7 Mechanizm wzrostu warstw ELO (100), (111),... gładka powierzchnia górna ELO szorstka powierzchnia boczna Zytkiewicz Cryst. Res. Technol Warstwa GaAs na podłożu (100) GaAs (LPE) podłoże [011] (111)A [001] (111)B (010) 8 równoważnych kierunków okien gdy podłoże bez dezorientacji [011] gdy jest dezorientacja podłoża istnieje 1 optymalny kierunek okna 1.2 mm (100)
8 Zastosowanie ELO - struktury SOI otrzymywane techniką LPE wing Si ELO SiO 2 mask Si substrate - silicon-on-insulator structures - zagrzebany kontakt/zwierciadło light ELO MOS transistor on ELO Si/SiO 2 Bergmann et al. Appl. Phys. A (1992) mask substrate back mirror (photon recycling) ELO mask substrate buried electrical contact - separacja elektryczna od podłoża ELO (GaSb) substrate GaSb mask
9 seed Warstwy ELO Si/SiO 2 /Si - struktury SOI otrzymywane techniką LPE E. Bauser et al. Max-Planck Inst. Stuttgart ELO skąd taki kształt warstw ELO Si? - brak dyslokacji w podłożach Si ścięcie podłoża
10 Podsumowanie technik redukcji gęstości dyslokacji w heterostrukturach niedopasowanych sieciowo zwiększanie h cr filtrowanie powstałych defektów wzrost na cienkich podłożach (compliant substrates) bufory z SLS wygrzewanie wzrost na małych podłożach (mesy) lateralny wzrost epitaksjalny (epitaxial lateral overgrowth - ELO) Brak uniwersalnej metody redukcji TD w heterostrukturach niedopasowanych sieciowo; Najlepiej unikać niedopasowania sieciowego - znaleźć podłoże!!!
11 ELO = metoda redukcji gęstości dyslokacji w warstwach epitaksjalnych wing ELO jamki trawienia maska: SiO 2, Si 3 N 4, W, ZrN, grafit,... podłoże S W MOVPE GaN: S = 5 20 m; W = 2-5 m LPE GaAs: S = m; W = 6-10 m ELO GaN GaAs A x B 1-x C bufor podłoże GaN szafir GaAs Si A x B 1-x C binary nowa klasa podłóż o zaplanowanej stałej sieci a = f(x) potrzebne szerokie i cienkie warstwy ELO
12 filtracja dyslokacji w ELO - nowa idea? Necking in Bridgman growth Cu crystal Chochralski growth z T T top wing ELO recepta: weź z podłoża info o sieci krystalograficznej; nie bierz defektów N TD = cm -2 L = 100 nm ~ 200a
13 Mechanizm wzrostu ELO na podłożach z dyslokacjami porównanie ELO na podłożu bez dyslokacji Si/Si ELO na podłożu z dyslokacjami GaAs/GaAs Zytkiewicz et al. Cryst. Res. Technol warstwa ELO Si maska SiO 2 3 o podłoże Si kierunek ścięcia seed GaAs substrate kierunek ścięcia wzrost tylko w kierunku ścięcia wzrost we wszystkich kierunkach wzrost ELO możliwy bez dezorientacji podłoża; ścięcie podłoża czasami stosowane (np. GaAs/Si)
14 aspect (width/thickness) ratio thermal roughening of the upper face aspect ratio ELO - optymalizacja przesycenia w LPE temperatura wzrostu ELO GaAs - cooling rate microfacetting on the side wall T opt undoped GaAs/GaAs growth temperature T 0 [ o C] gładka powierzchnia 10 ELO 0,04 0,06 0,08 0,10 0,12 0,14 0,16 szorstka powierzchnia cooling rate [ o C/min] podłoże
15 ELO - wpływ domieszkowania domieszkowanie szybkość wzrostu: wykład SK aspect ratio aspect ratio ELO GaAs - undoped (a) [Si] = 0.5 % at. [Si] = 0 [Si] = 2.5 % at. gładka powierzchnia ELO szorstka powierzchnia ELO GaAs - Si doped (b) 10 m 106 m 25 m growth temperature To [ o C] T = 750 o C 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 Si concentration in liquid [at. %] podłoże Model t 1 t 2 >t 1 t 3 >t 2 dopants d stopień domieszki blokują przepływ stopni na górnej ścianie V ver maleje V lat rośnie
16 ELO - wbudowywanie domieszek domieszkowanie szybkość wzrostu: wykład T. Słupiński k 0 C C keff l o s C C k eff s l k 0 ( 1 k0 k0 ) exp( u / D) u - liniowa prędkość krystalizacji (prędkość przesuwania frontu krystalizacji) δ grubość warstwy dyfuzyjnej D stała dyfuzji domieszki w cieczy a 10 m b ELO GaAs:Te SEM 10 m wizualizacja rozwoju ELO CL k 0 mniej Te k eff > k 0 więcej Te t 4 t 3 t 2 t 1 seed substrate
17 Efekt Gibbsa-Thomsona wykład SK Efekt Gibbsa - Thomsona zmiana równowagi faz na powierzchni zakrzywionej p R = p 1 C R = C 1 R - capillarity constant ( 10-7 cm = 1 nm) R R równowagowe ciśnienie (koncentracja) na powierzchni zakrzywionej jest większe niż na płaskiej warstwa ELO Si duża krzywizna ściany na początku wzrostu maska SiO 2 podłoże Si Silier et al. J. Cryst. Growth 1996 Potrzebne wstępne przesycenie roztworu o ok. 1.8 o C by rozpocząć wzrost ELO Si metodą LPE; w przeciwnym wypadku warstwa nie może wyjść ponad maskę
18 thickness [ m] thickness [ m] growth near-surface diffusion Efekt Gibbsa-Thomsona wykład SK symulacje: ELO GaAs techniką LPE C bulk As bulk diffusion wizualizacja efektu Gibbsa-Thomsona: ELO GaAs techniką LPE C in C eq GaAs substrate (a) Gibbs-Thomson effect OFF width [ m] laterally grown part of ELO vertically grown part of ELO SiO 2 mask window substrate (b) Gibbs-Thomson effect ON width [ m] obecność dyslokacji podłożowych pozwala na wzrost ELO bez wstępnego przesycenia roztworu
19 ELO GaAs/GaAs otrzymywane metodą LPE L = 172 m; t = 2.8 m 10 m thickness t = 2.8 m width of the wing L = 172 m aspect ratio 2L/t = 126
20 Filtrowanie dyslokacji w procesie ELO LPE - GaAs/Si GaAs ELO LPE - GaSb/GaAs GaSb ELO MBE GaAs buffer seed (001) Si substrate MBE GaSb buffer GaAs substrate EPD > 10-8 cm GaSb ELO MBE GaSb buffer device
21 Filtrowanie dyslokacji w procesie ELO: TEM GaAs/Si ELO GaAs ELO wing SiO 2 mask Si substrate 2 µm GaAs buffer LT GaAs wzrost 2-stopniowy (wykład 14)
22 Filtrowanie dyslokacji w procesie ELO: TEM HVPE GaN/szafir Sakai et al. APL 1998 TEM Szerokość skrzydła ELO skrzydło wing width L MOVPE LPE LPE GaN * GaAs/Si ** GaAs/GaAs 5 m 90 m 200 m * Fini et al. JCG (2000) ** Chang et al. JCG (1998) dislocations blocked by the mask bending of TD s in window area!!!
23 Zytkiewicz Thin Solid Films 412 (2002) 64 Filtrowanie dyslokacji w procesie ELO - katodoluminescencja Yu et al. MRS Internet Nitride Semicond. Res integrated CL LPE GaAs/Si MOVPE GaN on sapphire band edge emission 365 nm wing GaAs grown over the seed
24 Kozodoy et al. APL 1998 Gdzie na warstwie ELO umieścić przyrządy? Nakamura et al. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G1.1 (1999)!!! CW RT blue LD - Nichia large leakage current due to TD on the wing j th = 3 ka/cm 2 on the window j th = 6-9 ka/cm 2
25 Intensity [cps] Naprężenia w warstwach ELO (XRD - wykład M. Leszczyński) XRD geometry ELO GaAs on SiO 2 -coated GaAs Zytkiewicz et al. JAP 1998 angle = 0 o = 90 o scattering plane angle ELO stripes rotation axis substrate angle [deg] poszerzenie RC: różne stałe sieci??? wiele pasków o różnej orientacji??? wygięcie sieci - w którą stronę? angle [deg] porządny GaAs
26 Naprężenia w warstwach ELO technika lokalnej dyfrakcji XRD X-ray beam sample rotation axis in the ω scan seed window ELO layer t SiO 2 mask W substrate sample movement L y X-ray beam 5 10 μm mm sample movement step 5 20 μm RC, RSM, measured locally mapping
27 Intensity Intensity - 0 [deg] - 0 [deg] Lokalna XRD - przykład sample rotation axis in the ω scan X - rays R α α ELO layer α 0 - α R α α ELO substrate 0 y position on the sample substrate α 0 - α ELO substrate 0 y position on the sample SRXRD mapping: tilt angle α(y) can be measured tilt direction easy to determine curvature radius R(y) can be measured locally shape of lattice planes can be analyzed α(y) ~ h (y) width of ELO can be measured substrate left wing right wing substrate left wing right wing Standard Rocking Curve: tilt angle α can be measured tilt direction cannot be determined - α 0 α - α 0 α - 0 [deg] - 0 [deg]
28 h [ m] Naprężenia w warstwach ELO (mapy krzywych odbić) width of the ELO stripe Czyzak et al. Appl. Phys. A m - 0 [arcsec] ELO substrate Position across the stripe x [ m] 25,00 31,98 40,90 52,31 66,91 85,58 109,5 140,0 179,1 229,0 292,9 374,7 479,2 613,0 784, ,30 1,175E4 2 α=0,5 o 0,25 0,20 kształt płaszczyzn (001) obliczone z XRD 0,15 0,10 0,05 0, Position across the stripe x [ m]
29 Intensity [cps] = 0 o Wygięcie warstw ELO ELO GaAs on SiO 2 -coated GaAs max max ELO layer SiO 2 mask 10 2 window GaAs substrate [arcsec] angle [deg] wing 1 seed wing 2 substrate Position across the stripe x [ m] window 1,000 1,462 2,138 3,127 4,573 6,687 9,779 14,30 20,91 30,58 44,72 65,40 95,64 139,9 204,5 299,1 437,3 639,6 935, = 55 ELO layer GaAs substrate region I seed [Si] region I > [Si] region II a region I < a region II wygięcie skrzydła do góry ELO wing region II GaAs substrate Resztkowe wygięcie wywołane niejednorodnym domieszkowaniem
30 Wygięcie warstw ELO powszechne w ELO GaN, Si, GaAs, etc. ELO GaN on sapphire Kim et al. JCG 2002 ELO GaN bufor GaN maska SiO 2 szafir KRZEM kierunek i kąt wygięcia z dyfrakcji elektronów w TEM XRD na synchrotronie
31 left wing right wing Zrastanie pasków ELO low angle grain boundary 1 µm Zytkiewicz et al. JAP 2007 growth window front of coalescence ELO GaAs void 1 µm no dislocations above the mask edge GaAs substrate SiO 2 mask GaAs substrate Similar effect in: ELO Si on Si - Banhart et al. Appl. Phys ELO GaN on sapphire - Sakai et al. APL 1998 PE GaN on sapphire - Chen et al. APL
32 Naprężenia termiczne w warstwach ELO (GaAs/SiO2/GaAs/Si) ELO GaAs GaAs buffer ELO GaAs 100 Intensity [cps] Intensity [cps] 100 GaAs buffer qx qx qz X-rays qz X-rays 0.705
33 intensity [cps] Naprężenia termiczne w warstwach ELO (GaAs/SiO 2 /GaAs/Si) Zytkiewicz et al. APL 1999 ELO GaAs/Si: wings hanging over the SiO 2 mask (no mask-induced tilt) wings tilted upwards Our model: direction of tilt GaAs/Si GaAs > Si tension in GaAs buffer sign of thermal strain in the buffer GaN/sapphire GaN < sapphire compression in GaN buffer FWHM=94'' 2 =250'' 2 =216'' as grown SiO2 removed angle [arcsec] upwards tilt SiO 2 mask GaAs buffer Si substrate Fini et al. Appl. Phys. Lett downwards tilt
34 Inna koncepcja ELO (m. in. Pendeo-epitaxy) Epitaxial Lateral Overgrowth buffer substrate New concept buffer substrate
35 Pendeo-epitaxy pendeo - hanging on suspending from Nitronex Corp., Raileigh, North Caroline University Al 2 O 3 substrate PE GaN GaN buffer mask Davis et al. JCG 2001 PE vs. ELO: reduction of TD density over the whole wafer within one PE process
36 Pendeo-epitaxy Chen et al. APL 1999 TEM B A C Advantage: maskless versions of PE possible for GaN on SiC or SiC-coated Si Strittmatter et al. APL 2001; Davis et al. JCG 2001
37 EVA Embedded Void Approach Frajtag et al. APL x10 9 cm x10 7 cm -2. TEM
38 buffer substrate ELO recepta na wzrost warstw o małym EPD na zdyslokowanych podłożach weź info o sieci podłoża (bufora), Nie bierz defektów!!! ELO rozwiązanie problemów niedopasowania sieciowego? Osiągnięcia: 1. Znacząca redukcja gęstości defektów w heterostrukturach niedopasowanych sieciowo 2. Łatwiejsza relaksacja naprężeń termicznych Problemy: 1. Oddziaływanie z maską i wygięcie 2. Generacja defektów na zroście warstw buffer substrate
39 zastosowania Nichia przemysłowe wykorzystanie struktur ELO GaN/szafir Lumilog produkcja podłóż GaN/szafir Fizyka naturalnych procesów ELO w heterostrukturach z dużym niedopasowaniem sieciowym random mask (SiN coverage below 1 ML)
Lateralny wzrost epitaksjalny (ELO)
Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Lateralny wzrost epitaksjalny (ELO) 18 maj 2010 Zbigniew R. Żytkiewicz Instytut Fizyki PAN 02-668 Warszawa, Al. Lotników 32/46 tel: 22 843 66 01
Bardziej szczegółowoEpitaksja - zagadnienia podstawowe
Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Epitaksja - zagadnienia podstawowe 13 marzec 2008 Zbigniew R. Żytkiewicz Instytut Fizyki PAN 02-668 Warszawa, Al. Lotników 32/46 tel: 843 66 01 ext.
Bardziej szczegółowoFizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Dyfrakcja i Reflektometria Rentgenowska
Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Dyfrakcja i Reflektometria Rentgenowska Michał Leszczyński Stanisław Krukowski i Michał Leszczyński Instytut Wysokich Ciśnień PAN 01-142 Warszawa,
Bardziej szczegółowoFizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów. II. semestr Wstęp. 16 luty 2010
Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów II. semestr Wstęp 16 luty 2010 Zbigniew R. Żytkiewicz Instytut Fizyki PAN 02-668 Warszawa, Al. Lotników 32/46 tel: 22 843 66 01 ext. 3363 E-mail:
Bardziej szczegółowoInTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych
Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk Zbigniew R. Żytkiewicz IF
Bardziej szczegółowoFizyka i technologia wzrostu kryształów
Fizyka i technologia wzrostu kryształów Wykład.2 Epitaksja warstw półprzewodnikowych Stanisław Krukowski i Michał Leszczyński Instytut Wysokich Ciśnień PAN 01-142 Warszawa, ul Sokołowska 29/37 tel: 88
Bardziej szczegółowoEpitaksja z fazy ciekłej (LPE)
Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Epitaksja z fazy ciekłej (LPE) 8 kwiecień 213 Zbigniew R. Żytkiewicz Instytut Fizyki PAN 2-668 Warszawa, Al. Lotników 32/46 tel: 22 843 66 1 ext.
Bardziej szczegółowoEpitaksja z fazy ciekłej (LPE)
Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Epitaksja z fazy ciekłej (LPE) 23 marzec 21 Zbigniew R. Żytkiewicz Instytut Fizyki PAN 2-668 Warszawa, Al. Lotników 32/46 tel: 22 843 66 1 ext. 3363
Bardziej szczegółowoFizyka i technologia wzrostu kryształów
Fizyka i technologia wzrostu kryształów Wykład.1 Wzrost kryształów objętościowych półprzewodników na świecie i w Polsce Stanisław Krukowski i Michał Leszczyński Instytut Wysokich Ciśnień PAN 01-142 Warszawa,
Bardziej szczegółowoFizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Epitaksja z fazy gazowej
Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Epitaksja z fazy gazowej Michał Leszczyński Wykład 2 godz./tydzień wtorek 9.00 11.00 Interdyscyplinarne Centrum Modelowania UW, Siedziba A, Sala
Bardziej szczegółowoZ.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja. InTechFun
Z.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa
Bardziej szczegółowoFizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów
Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Stanisław Krukowski i Michał Leszczyński Instytut Wysokich Ciśnień PAN 01-142 Warszawa, ul Sokołowska 29/37 tel: 88 80 244 e-mail: stach@unipress.waw.pl,
Bardziej szczegółowoKształtowanie przestrzenne struktur AlGaInN jako klucz do nowych generacji przyrządów optoelektronicznych
Kształtowanie przestrzenne struktur AlGaInN jako klucz do nowych generacji przyrządów optoelektronicznych Projekt realizowany w ramach programu LIDER finansowanego przez Narodowe Centrum Badań i Rozwoju
Bardziej szczegółowoAzotkowe diody laserowe na podłożach GaN o zmiennym zorientowaniu
Azotkowe diody laserowe na podłożach GaN o zmiennym zorientowaniu Marcin Sarzyński Badania finansuje narodowe centrum Badań i Rozwoju Program Lider Instytut Wysokich Cisnień PAN Siedziba 1. Diody laserowe
Bardziej szczegółowoMonokryształy SI GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych
Monokryształy SI GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża... Monokryształy SI GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych Andrzej Hruban, Wacław Orłowski,
Bardziej szczegółowoNaprężenia i defekty w półprzewodnikowych lateralnych strukturach epitaksjalnych badane technikami dyfrakcji i topografii rentgenowskiej
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk Naprężenia i defekty w półprzewodnikowych lateralnych strukturach epitaksjalnych badane technikami dyfrakcji i topografii rentgenowskiej Aleksandra Wierzbicka Rozprawa
Bardziej szczegółowoWzrost kryształów objętościowych i warstw epitaksjalnych- informacje wstępne. Michał Leszczyński. Instytut Wysokich Ciśnień PAN UNIPRESS i TopGaN
Wzrost kryształów objętościowych i warstw epitaksjalnych- informacje wstępne Michał Leszczyński Instytut Wysokich Ciśnień PAN UNIPRESS i TopGaN Plan wykładu Laboratoria wzrostu kryształów w Warszawie Po
Bardziej szczegółowoFizyka i technologia wzrostu kryształów
Fizyka i technologia wzrostu kryształów Wykład 11. Wzrost kryształów objętościowych z fazy roztopionej (roztopu) Tomasz Słupiński e-mail: Tomasz.Slupinski@fuw.edu.pl Stanisław Krukowski i Michał Leszczyński
Bardziej szczegółowoFizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów
Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Stanisław Krukowski i Michał Leszczyński Instytut Wysokich Ciśnień PAN 01-142 Warszawa, ul Sokołowska 29/37 tel: 88 80 244 e-mail: stach@unipress.waw.pl,
Bardziej szczegółowoFizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów
Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Wykład 13. Wzrost kryształów objętościowych z roztopu Tomasz Słupiński Wydział Fizyki, Uniwersytet Warszawski e-mail: tomslu@fuw.edu.pl Stanisław
Bardziej szczegółowoWykład 12 V = 4 km/s E 0 =.08 e V e = = 1 Å
Wykład 12 Fale materii: elektrony, neutrony, lekkie atomy Neutrony generowane w reaktorze są spowalniane w wyniku zderzeń z moderatorem (grafitem) do V = 4 km/s, co odpowiada energii E=0.08 ev a energia
Bardziej szczegółowoIII. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski
III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski 1 1 Wstęp Materiały półprzewodnikowe, otrzymywane obecnie w warunkach laboratoryjnych, charakteryzują się niezwykle wysoką czystością.
Bardziej szczegółowoDyslokacje w kryształach. ach. Keshra Sangwal Zakład Fizyki Stosowanej, Instytut Fizyki Politechnika Lubelska
Dyslokacje w kryształach ach Keshra Sangwal Zakład Fizyki Stosowanej, Instytut Fizyki Politechnika Lubelska I. Wprowadzenie do defektów II. Dyslokacje: Podstawowe pojęcie III. Własności mechaniczne kryształów
Bardziej szczegółowoRyszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Półprzewodniki i elementy z półprzewodników homogenicznych Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja
Bardziej szczegółowoOpracowanie nowych koncepcji emiterów azotkowych ( nm) w celu ich wykorzystania w sensorach chemicznych, biologicznych i medycznych.
Opracowanie nowych koncepcji emiterów azotkowych (380 520 nm) w celu ich wykorzystania w sensorach chemicznych, biologicznych i medycznych. (zadanie 14) Piotr Perlin Instytut Wysokich Ciśnień PAN 1 Do
Bardziej szczegółowoDyslokacje w kryształach. ach. Keshra Sangwal, Politechnika Lubelska. Literatura
Dyslokacje w kryształach ach Keshra Sangwal, Politechnika Lubelska I. Wprowadzenie do defektów II. Dyslokacje: podstawowe pojęcie III. Własności mechaniczne kryształów IV. Źródła i rozmnażanie się dyslokacji
Bardziej szczegółowoWpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC
Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC J. Łażewski, M. Sternik, P.T. Jochym, P. Piekarz politypy węglika krzemu SiC >250 politypów, najbardziej stabilne: 3C, 2H, 4H i 6H
Bardziej szczegółowoMetody wytwarzania elementów półprzewodnikowych
Metody wytwarzania elementów półprzewodnikowych Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Wytwarzanie
Bardziej szczegółowoWZROST KRYSZTAŁÓW Z ROZTWORU - - WYBRANE METODY
WZROST KRYSZTAŁÓW Z ROZTWORU - - WYBRANE METODY Tomasz Słupiński Uniwersytet Warszawski, Wydział Fizyki, Zakład Fizyki Ciała Stałego (Pracownia Fizyki Wzrostu Kryształów) tomslu@fuw.edu.pl Wykład w ICM
Bardziej szczegółowoROZTWORY, WZROST KRYSZTAŁÓW Z ROZTWORU - - WYBRANE METODY
ROZTWORY, WZROST KRYSZTAŁÓW Z ROZTWORU - - WYBRANE METODY Tomasz Słupiński Uniwersytet Warszawski, Wydział Fizyki, Zakład Fizyki Ciała Stałego (Pracownia Fizyki Wzrostu Kryształów) tomslu@fuw.edu.pl Wykład
Bardziej szczegółowoFizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów
Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Stanisław Krukowski i Michał Leszczyński Instytut Wysokich Ciśnień PAN 0-4 Warszawa, ul Sokołowska 9/37 tel: 88 80 44 e-mail: stach@unipress.waw.pl,
Bardziej szczegółowoSkalowanie układów scalonych Click to edit Master title style
Skalowanie układów scalonych Charakterystyczne parametry Technologia mikroelektroniczna najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna
Bardziej szczegółowoPoprawa charakterystyk promieniowania diod laserowych dużej mocy poprzez zastosowanie struktur periodycznych w płaszczyźnie złącza
Poprawa charakterystyk promieniowania diod laserowych dużej mocy poprzez zastosowanie struktur periodycznych w płaszczyźnie złącza Grzegorz Sobczak, Elżbieta Dąbrowska, Marian Teodorczyk, Joanna Kalbarczyk,
Bardziej szczegółowoComputer Modeling in Cost-Efficient Solar Cell Production Technology
MIDDLE POMERANIAN SCIENTIFIC SOCIETY OF THE ENVIRONMENT PROTECTION ŚRODKOWO-POMORSKIE TOWARZYSTWO NAUKOWE OCHRONY ŚRODOWISKA Annual Set The Environment Protection Rocznik Ochrona Środowiska Volume/Tom
Bardziej szczegółowoTechnologia cienkowarstwowa
Physical Vapour Deposition Evaporation Dlaczego w próżni? 1. topiony materiał wrze w niższej temperaturze 2. zmniejsza się proces utleniania wrzącej powierzchni 3. zmniejsza się liczba zanieczyszczeń w
Bardziej szczegółowoTECHNOLOGIE OTRZYMYWANIA MONOKRYSZTAŁÓW
TECHNOLOGIE OTRZYMYWANIA MONOKRYSZTAŁÓW Gdzie spotykamy monokryształy? Rocznie, na świecie produkuje się 20000 ton kryształów. Większość to Si, Ge, GaAs, InP, GaP, CdTe. Monokryształy można otrzymywać:
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki ELEMENTY ELEKTRONICZNE dr inż. Piotr Dziurdzia paw. C-3,
Bardziej szczegółowoTECHNOLOGIE OTRZYMYWANIA MONOKRYSZTAŁÓW
TECHNOLOGIE OTRZYMYWANIA MONOKRYSZTAŁÓW Gdzie spotykamy monokryształy? Rocznie, na świecie produkuje się 20000 ton kryształów. Większość to Si, Ge, GaAs, InP, GaP, CdTe. 1 Monokryształy można otrzymywać:
Bardziej szczegółowoBadania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych
Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych Monika KWOKA, Jacek SZUBER Instytut Elektroniki Politechnika Śląska Gliwice PLAN PREZENTACJI 1. Podsumowanie dotychczasowych prac:
Bardziej szczegółowoPowierzchnie cienkie warstwy nanostruktury. Józef Korecki, C1, II p., pok. 207
Powierzchnie cienkie warstwy nanostruktury Józef Korecki, C1, II p., pok. 207 korecki@uci.agh.edu.pl http://korek.uci.agh.edu.pl/priv/jk.htm Obiekty niskowymiarowe Powierzchnia Cienkie warstwy Wielowarstwy
Bardziej szczegółowoPodstawy technologii monokryształów
1 Wiadomości ogólne Monokryształy - Pojedyncze kryształy o jednolitej sieci krystalicznej. Powstają w procesie krystalizacji z substancji ciekłych, gazowych i stałych, w określonych temperaturach oraz
Bardziej szczegółowoWytwarzanie niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych
Większość struktur niskowymiarowych wytwarzanych jest za pomocą technik epitaksjalnych. Najczęściej wykorzystywane metody wzrostu: - epitaksja z wiązki molekularnej (MBE Molecular Beam Epitaxy) - epitaksja
Bardziej szczegółowoSkalowanie układów scalonych
Skalowanie układów scalonych Technologia mikroelektroniczna Charakterystyczne parametry najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna
Bardziej szczegółowoTermodynamika i właściwości fizyczne stopów - zastosowanie w przemyśle
Termodynamika i właściwości fizyczne stopów - zastosowanie w przemyśle Marcela Trybuła Władysław Gąsior Alain Pasturel Noel Jakse Plan: 1. Materiał badawczy 2. Eksperyment Metodologia 3. Teoria Metodologia
Bardziej szczegółowoROZDZIAŁ 4. Polskie diody laserowe do wysokoczułych sensorów ditlenku azotu
39 ROZDZIAŁ 4 Polskie diody laserowe do wysokoczułych sensorów ditlenku azotu 4.1. Wstęp Związki (GaAlIn)N są drugą, co do ważności komercyjnej, grupą półprzewodników (za Si-Ge, ale znacznie przed (GaAlIn)(AsP)).
Bardziej szczegółowoWPŁYW TRAWIENIA PODŁOŻY 4H-SiC NA EPITAKSJĘ GaN
P. Caban, K. Kościewicz, W. Strupiński,... PL ISSN 0209-0058 MATERIAŁY ELEKTRONICZNE T. 36-2008 NR 4 WPŁYW TRAWIENIA PODŁOŻY 4H-SiC NA EPITAKSJĘ GaN Piotr Caban 1,2, Kinga Kościewicz 1,3, Włodzimierz Strupiński
Bardziej szczegółowoPL B1. INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ, Warszawa, PL INSTYTUT TECHNOLOGII MATERIAŁÓW ELEKTRONICZNYCH, Warszawa, PL
PL 217755 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 217755 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 387290 (51) Int.Cl. H01S 5/125 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:
Bardziej szczegółowoDiody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi
Diody elektroluminescencyjne na bazie z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi Krystyna Gołaszewska Renata Kruszka Marcin Myśliwiec Marek Ekielski Wojciech Jung Tadeusz Piotrowski Marcin Juchniewicz
Bardziej szczegółowo1. WPROWADZENIE. Dariusz Lipiński 1, Jerzy Sarnecki 1, Andrzej Brzozowski 1, Krystyna Mazur 1
D. Lipiński, J. Sarnecki, A. Brzozowski,... KRZEMOWE WARSTWY EPITAKSJALNE DO ZASTOSOWAŃ FOTOWOLTAICZNYCH OSADZANE NA KRZEMIE POROWATYM Dariusz Lipiński 1, Jerzy Sarnecki 1, Andrzej Brzozowski 1, Krystyna
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n
Repeta z wykładu nr 5 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoThe role of band structure in electron transfer kinetics at low dimensional carbons
The role of band structure in electron transfer kinetics at low dimensional carbons Paweł Szroeder Instytut Fizyki, Uniwersytet Mikołaja Kopernika, ul. Grudziądzka 5/7, 87-100 Toruń, Poland Reakcja przeniesienia
Bardziej szczegółowoUkłady cienkowarstwowe o prostopadłej anizotropii magnetycznej sterowalnej polem elektrycznym
Układy cienkowarstwowe o prostopadłej anizotropii magnetycznej sterowalnej polem elektrycznym A. Kozioł-Rachwał Wydział Fizyki i Informatyki Stosowanej AGH National Institute of Advanced Industrial Science
Bardziej szczegółowoFizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r.
Fizyka i technologia złącza P Adam Drózd 25.04.2006r. O czym będę mówił: Półprzewodnik definicja, model wiązań walencyjnych i model pasmowy, samoistny i niesamoistny, domieszki donorowe i akceptorowe,
Bardziej szczegółowoSpis publikacji. dr hab. Agata Zdyb a.zdyb@pollub.pl. telefon: +48 81 538 4747
Spis publikacji dr hab. Agata Zdyb a.zdyb@pollub.pl telefon: +48 81 538 4747 1994 K. Sangwal, A. Zdyb, D. Chocyk, E. Mielniczek-Brzózka,,,Wpływ przesycenia i temperatury na morfologię wzrostu kryształów
Bardziej szczegółowoModelowanie zjawisk elektryczno-cieplnych w ultrafioletowej diodzie elektroluminescencyjnej
Modelowanie zjawisk elektryczno-cieplnych w ultrafioletowej diodzie elektroluminescencyjnej Robert P. Sarzała 1, Michał Wasiak 1, Maciej Kuc 1, Adam K. Sokół 1, Renata Kruszka 2, Krystyna Gołaszewska 2
Bardziej szczegółowoBadanie uporządkowania magnetycznego w ultracienkich warstwach kobaltu w pobliżu reorientacji spinowej.
Tel.: +48-85 7457229, Fax: +48-85 7457223 Zakład Fizyki Magnetyków Uniwersytet w Białymstoku Ul.Lipowa 41, 15-424 Białystok E-mail: vstef@uwb.edu.pl http://physics.uwb.edu.pl/zfm Praca magisterska Badanie
Bardziej szczegółowoStruktura CMOS PMOS NMOS. metal I. metal II. warstwy izolacyjne (CVD) kontakt PWELL NWELL. tlenek polowy (utlenianie podłoża) podłoże P
Struktura CMOS NMOS metal II metal I PMOS przelotka (VIA) warstwy izolacyjne (CVD) kontakt tlenek polowy (utlenianie podłoża) PWELL podłoże P NWELL obszary słabo domieszkowanego drenu i źródła Physical
Bardziej szczegółowoDomieszkowanie półprzewodników
Jacek Mostowicz Domieszkowanie półprzewodników Fizyka komputerowa, rok 4, 10-06-007 STRESZCZENIE We wstępie przedstawiono kryterium podziału materiałów na metale, półprzewodniki oraz izolatory, zdefiniowano
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji Katedra Elektroniki ELEMENTY ELEKTRONICZNE dr inż. Piotr Dziurdzia aw. C-3, okój 413; tel.
Bardziej szczegółowoRozszczepienie poziomów atomowych
Rozszczepienie poziomów atomowych Poziomy energetyczne w pojedynczym atomie Gdy zbliżamy atomy chmury elektronowe nachodzą na siebie (inaczej: funkcje falowe elektronów zaczynają się przekrywać) Na skutek
Bardziej szczegółowoCo to jest kropka kwantowa? Kropki kwantowe - część I otrzymywanie. Co to jest ekscyton? Co to jest ekscyton? e πε. E = n. Sebastian Maćkowski
Co to jest kropka kwantowa? Kropki kwantowe - część I otrzymywanie Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Co to jest ekscyton? Co to jest ekscyton? h 2 2 2 e πε m* 4 0ε s Φ
Bardziej szczegółowoMody sprzężone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych
Mody sprzężone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych Mody sprzężone w półprzewodnikach polarnych + E E pl η = st α = E E pl ξ = p B.B. Varga,, Phys. Rev. 137,, A1896 (1965) A. Mooradian and B. Wright,
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe
Przyrządy półprzewodnikowe Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 116 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA E&T Metal
Bardziej szczegółowoInżynieria materiałowa: wykorzystywanie praw termodynamiki a czasem... walka z termodynamiką
Inżynieria materiałowa: wykorzystywanie praw termodynamiki a czasem... walka z termodynamiką Kilka definicji Faza Stan materii jednorodny wewnętrznie, nie tylko pod względem składu chemicznego, ale również
Bardziej szczegółowoCienkie warstwy. Podstawy fizyczne Wytwarzanie Właściwości Zastosowania. Co to jest cienka warstwa?
Cienkie warstwy Podstawy fizyczne Wytwarzanie Właściwości Zastosowania Co to jest cienka warstwa? Gdzie stosuje się cienkie warstwy? Wszędzie Wszelkiego rodzaju układy scalone I technologia MOS, i wytwarzanie
Bardziej szczegółowoElementy teorii powierzchni metali
prof. dr hab. Adam Kiejna Elementy teorii powierzchni metali Wykład 2 v.16 Sieci płaskie i struktura powierzchni 1 Typy sieci dwuwymiarowych (płaskich) Przecinając monokryształ wzdłuż jednej z płaszczyzn
Bardziej szczegółowoHeteroepitaksjalne struktury GaAs Si
Jacek TOMASZEWSKI, Włodzimierz STRUPIŃSKI, Mirosław CZUB, Waldemar BRZOZOWSKI INSTYTUT TECHNOLOGII MATERIAŁÓW ELEKTRONICZNYCH ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa Heteroepitaksjalne struktury GaAs Si WSTĘP
Bardziej szczegółowoCharakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk
Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk Promotor: dr hab. inż. Bogusława Adamowicz, prof. Pol. Śl. Zadania pracy Pomiary transmisji i odbicia optycznego
Bardziej szczegółowoLaboratorium z Alternatywnych Źródeł Energii dla studentów IV roku EiT
Laboratorium z Alternatywnych Źródeł Energii dla studentów IV roku EiT 1. Analiza roli parametrów bazy i emitera dla sprawności ogniw fotowoltaicznych symulacja PC1D Laboratorium 309, C-3, III piętro (ćwiczenie
Bardziej szczegółowoWZROST KRYSZTAŁÓW OBJĘTOŚCIOWYCH Z FAZY ROZTOPIONEJ (ROZTOPU)
WZROST KRYSZTAŁÓW OBJĘTOŚCIOWYCH Z FAZY ROZTOPIONEJ (ROZTOPU) Tomasz Słupiński Uniwersytet Warszawski, Wydział Fizyki, Zakład Fizyki Ciała Stałego (Pracownia Fizyki Wzrostu Kryształów) tomslu@fuw.edu.pl
Bardziej szczegółowoMody sprzęŝone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych
Mody sprzęŝone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych Mody sprzęŝone w półprzewodnikach polarnych + E E pl η = st α = E E pl ξ = p B.B. Varga, Phys. Rev. 137,, A1896 (1965) A. Mooradian and B. Wright,
Bardziej szczegółowoTeoria pasmowa ciał stałych
Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach ulegają rozszczepieniu. W kryształach zjawisko to prowadzi do wytworzenia się pasm. Klasyfikacja ciał stałych na podstawie struktury
Bardziej szczegółowoPlan. Kropki kwantowe - część III spektroskopia pojedynczych kropek kwantowych. Kropki samorosnące. Kropki fluktuacje szerokości
Plan Kropki kwantowe - część III spektroskopia pojedynczych kropek kwantowych Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika 1. Techniki pomiarowe 2. Podstawowe wyniki 3. Struktura
Bardziej szczegółowoRezonatory ze zwierciadłem Bragga
Rezonatory ze zwierciadłem Bragga Siatki dyfrakcyjne stanowiące zwierciadła laserowe (zwierciadła Bragga) są powszechnie stosowane w laserach VCSEL, ale i w laserach z rezonatorem prostopadłym do płaszczyzny
Bardziej szczegółowoV Konferencja Kwantowe Nanostruktury Półprzewodnikowe do Zastosowań w Biologii i Medycynie PROGRAM
V Konferencja Kwantowe Nanostruktury Półprzewodnikowe do Zastosowań w Biologii i Medycynie PROGRAM Kwantowe Nanostruktury Półprzewodnikowe do Zastosowań w Biologii i Medycynie Rozwój i Komercjalizacja
Bardziej szczegółowo2013 02 27 2 1. Jakie warstwy zostały wyhodowane w celu uzyskania 2DEG? (szkic?) 2. Gdzie było domieszkowanie? Dlaczego jako domieszek użyto w próbce atomy krzemu? 3. Jaki kształt miała próbka? 4. W jaki
Bardziej szczegółowoCo to jest cienka warstwa?
Co to jest cienka warstwa? Gdzie i dlaczego stosuje się cienkie warstwy? Układy scalone, urządzenia optoelektroniczne, soczewki i zwierciadła, ogniwa paliwowe, rozmaite narzędzia,... 1 Warstwy w układach
Bardziej szczegółowoI Konferencja. InTechFun
I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08
Bardziej szczegółowoModelowanie mikrosystemów - laboratorium. Ćwiczenie 1. Modelowanie ugięcia membrany krzemowej modelowanie pracy mikromechanicznego czujnika ciśnienia
Modelowanie mikrosystemów - laboratorium Ćwiczenie 1 Modelowanie ugięcia membrany krzemowej modelowanie pracy mikromechanicznego czujnika ciśnienia Zadania i cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest dobranie
Bardziej szczegółowoWłasności optyczne półprzewodników
Własności optyczne półprzewodników Andrzej Wysmołek Wykład przygotowany w oparciu o wykłady prowadzone na Wydziale Fizyki UW przez prof. Mariana Grynberga oraz prof. Romana Stępniewskiego Klasyfikacja
Bardziej szczegółowoMarcin Sikora. Temat 1: Obserwacja procesów przemagnesowania w tlenkowych nanostrukturach spintronicznych przy użyciu metod synchrotronowych
Prezentacja tematów na prace doktorskie, 28/5/2015 1 Marcin Sikora KFCS WFiIS & ACMiN Temat 1: Obserwacja procesów przemagnesowania w tlenkowych nanostrukturach spintronicznych przy użyciu metod synchrotronowych
Bardziej szczegółowoKrystalizacja. Jak materiał krystalizuje?
Krystalizacja Jak materiał krystalizuje? o Molekuły zawsze zderzają się za sobą czasami łączą się, a czasami nie. o Gdy ciecz ochładza się, energia kinetyczna cząsteczek maleje. Przy niższej energii kinetycznej
Bardziej szczegółowoBADANIE ROZKŁADÓW WŁAŚCIWOŚCI ELEKTRYCZNYCH I OPTYCZNYCH MONOKRYSZTAŁÓW GaP STOSOWANYCH W OPTYCE PODCZERWIENI
Wzrost monokryształów Badanie antymonku rozkładów galu w właściwości kierunku elektrycznych oraz i optycznych... meotdą Cz. BADANIE ROZKŁADÓW WŁAŚCIWOŚCI ELEKTRYCZNYCH I OPTYCZNYCH MONOKRYSZTAŁÓW
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 4. Detekcja światła. Dygresja. Plan na dzisiaj
Repeta z wykładu nr 4 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoKropki samorosnące. Optyka nanostruktur. Gęstość stanów. Kropki fluktuacje szerokości. Sebastian Maćkowski. InAs/GaAs QDs. Si/Ge QDs.
Kropki samorosnące Optyka nanostruktur InAs/GaAs QDs Si/Ge QDs Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon:
Bardziej szczegółowoStruktura CMOS Click to edit Master title style
Struktura CMOS Click to edit Master text styles warstwy izolacyjne (CVD) Second Level kontakt tlenek polowy (utlenianie podłoża) NMOS metal II metal I PWELL podłoże P PMOS NWELL przelotka (VIA) obszary
Bardziej szczegółowoFixtures LED HEDRION
K A R T Y K ATA L O G O W E Fixtures LED HEDRION Oprawy lampy LED Hedrion do zastosowań profesjonalnych Fixtures LED lamps Hedrion for professional applications NATRIUM Sp. z o.o. ul. Grodziska 15, 05-870
Bardziej szczegółowoTytuł pracy w języku angielskim: Microstructural characterization of Ag/X/Ag (X = Sn, In) joints obtained as the effect of diffusion soledering.
Dr inż. Przemysław Skrzyniarz Kierownik pracy: Prof. dr hab. inż. Paweł Zięba Tytuł pracy w języku polskim: Charakterystyka mikrostruktury spoin Ag/X/Ag (X = Sn, In) uzyskanych w wyniku niskotemperaturowego
Bardziej szczegółowoSieć przestrzenna. c r. b r. a r. komórka elementarna. r r
Sieć przestrzenna c r b r r r u a r vb uvw = + + w c v a r komórka elementarna V = r r a ( b c) v Układy krystalograficzne (7) i Sieci Bravais (14) Triclinic (P) a b c, α β γ 90 ο Monoclinic (P) a b c,
Bardziej szczegółowoOddziaływanie grafenu z metalami
Oddziaływanie grafenu z metalami Oddziaływanie grafenu z metalami prof. dr hab. Zbigniew Klusek Grafen dla czego intryguje? v E U V E d cm d cm v t s en Transport dyfuzyjny Transport kwantowy balistyczny
Bardziej szczegółowoUkłady cienkowarstwowe cz. II
Układy cienkowarstwowe cz. II Czym są i do czego mogą się nam przydać? Rodzaje mechanizmów wzrostu cienkich warstw Sposoby wytwarzania i modyfikacja cienkich warstw półprzewodnikowych czyli... Jak zrobić
Bardziej szczegółowoWzrost objętościowy z fazy gazowej. Krzysztof Grasza
Wzrost objętościowy z fazy gazowej Krzysztof Grasza Instytut Fizyki PAN Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych WARSZAWA Część pierwsza Zakres stosowalności metody krystalizacji z fazy gazowej,
Bardziej szczegółowoMody sprzęŝone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych
Mody sprzęŝone plazmon-fonon w silnych polach magnetycznych Klasyczny przykład pośredniego oddziaływania pola magnetycznego na wzbudzenia fononowe Schemat: pole magnetyczne (siła Lorentza) nośniki (oddziaływanie
Bardziej szczegółowoTECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone,
TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, 1. Technologia wykonania złącza p-n W rzeczywistych złączach
Bardziej szczegółowoRZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 174002 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 300055 (22) Data zgłoszenia: 12.08.1993 (5 1) IntCl6: H01L21/76 (54)
Bardziej szczegółowoWydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Janiszewskiego 11/17, Wrocław
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Janiszewskiego 11/17, 50-372 Wrocław Laboratorium Nanotechnologii i Struktur Półprzewodnikowych Nasza lokalizacja: Campus ul. Długa 65 53-633 Wrocław, Polska
Bardziej szczegółowoPiezorezystancyjny czujnik ciśnienia: modelowanie membrany krzemowej podstawowego elementu piezorezystancyjnego czujnika ciśnienia
MIKROSYSTEMY - laboratorium Ćwiczenie 1 Piezorezystancyjny czujnik ciśnienia: modelowanie membrany krzemowej podstawowego elementu piezorezystancyjnego czujnika ciśnienia Zadania i cel ćwiczenia. Celem
Bardziej szczegółowoEpitaksja metodą wiązek molekularnych (MBE)
Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Epitaksja metodą wiązek molekularnych (MBE) 18 marzec 2013 Zbigniew R. Żytkiewicz Instytut Fizyki PAN 02-668 Warszawa, Al. Lotników 32/46 tel: 22
Bardziej szczegółowoMetoda otrzymywania monokrystalicznych folii krzemowych z wykorzystaniem krzemu porowatego
Metoda otrzymywania monokrystalicznych folii krzemowych z wykorzystaniem... Metoda otrzymywania monokrystalicznych folii krzemowych z wykorzystaniem krzemu porowatego Jerzy Sarnecki, Andrzej Brzozowski,
Bardziej szczegółowo