Przewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki

Podobne dokumenty
Elektryczne własności ciał stałych

Elektryczne własności ciał stałych

Elektryczne własności ciał stałych

Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne

Ciała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz

STRUKTURA PASM ENERGETYCZNYCH

Rozszczepienie poziomów atomowych

2. Półprzewodniki. Istnieje duża jakościowa różnica między właściwościami elektrofizycznymi półprzewodników, przewodników i dielektryków.

Przerwa energetyczna w germanie

Pasmowa teoria przewodnictwa. Anna Pietnoczka

Czym jest prąd elektryczny

Zaburzenia periodyczności sieci krystalicznej

Funkcja rozkładu Fermiego-Diraca w różnych temperaturach

Teoria pasmowa ciał stałych

Ćwiczenie Badanie zależności temperaturowej oporu elektrycznego metalu i półprzewodnika

Repeta z wykładu nr 3. Detekcja światła. Struktura krystaliczna. Plan na dzisiaj

S. Baran - Podstawy fizyki materii skondensowanej Półprzewodniki. Półprzewodniki

TEORIA PASMOWA CIAŁ STAŁYCH

Wykład IV. Półprzewodniki samoistne i domieszkowe

Wykład VI. Teoria pasmowa ciał stałych

Wykład III. Teoria pasmowa ciał stałych

Przyrządy i układy półprzewodnikowe

VI. POMIAR ZALEŻNOŚCI OPORNOŚCI METALI I PÓŁPRZEWODNIKÓW OD TEMPERATURY

Półprzewodniki samoistne. Struktura krystaliczna

ZALEŻNOŚĆ OPORU ELEKTRYCZNEGO 57 METALU I PÓŁPRZEWODNIKA OD TEMPERATURY

Struktura pasmowa ciał stałych

W1. Właściwości elektryczne ciał stałych

III.4 Gaz Fermiego. Struktura pasmowa ciał stałych

Ćwiczenie 5 BADANIE ZALEŻNOŚCI PRZEWODNICTWA ELEKTRYCZNEGO PÓŁPRZEWODNIKA OD TEMPERATURY 1.WIADOMOŚCI OGÓLNE

3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17)

Teoria pasmowa. Anna Pietnoczka

GAZ ELEKTRONÓW SWOBODNYCH POWYŻEJ ZERA BEZWZGLĘDNEGO.

Podstawy fizyki wykład 4

Przewodnictwo elektryczne ciał stałych. Fizyka II, lato

Podstawowe właściwości fizyczne półprzewodników WYKŁAD 1 SMK J. Hennel: Podstawy elektroniki półprzewodnikowej, WNT, W-wa 2003

P R A C O W N I A

Wykład V Wiązanie kowalencyjne. Półprzewodniki

Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane

Przewodnictwo elektryczne ciał stałych

Model elektronów swobodnych w metalu

Elementy teorii powierzchni metali

Repeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n

Dr inż. Zbigniew Szklarski

ZALEŻNOŚĆ OPORU ELEKTRYCZNEGO METALU I PÓŁPRZEWODNIKA OD TEMPERATURY

Stany skupienia materii

S. Baran - Podstawy fizyki materii skondensowanej Pasma energetyczne. Pasma energetyczne

POMIAR ZALEŻNOŚCI OPORU METALI I PÓŁPRZEWODNIKÓW OD TEMPERATURY

Cel ćwiczenia: Wyznaczenie szerokości przerwy energetycznej przez pomiar zależności oporności elektrycznej monokryształu germanu od temperatury.

Podstawy krystalografii

Teoria pasmowa ciał stałych Zastosowanie półprzewodników

E3. Badanie temperaturowej zależności oporu elektrycznego ciał stałych 1/5

W5. Rozkład Boltzmanna

Układy nieliniowe. Stabilizator - dioda Zenera. Dioda LED. Prostownik na diodach (Graetza) Logiczna bramka NAND. w.7, p.1

Badanie charakterystyki diody

elektryczne ciał stałych

1. PÓŁPRZEWODNIKI 1.1. PODSTAWOWE WŁAŚCIWOŚCI PÓŁPRZEWODNIKÓW

Przewodniki, półprzewodniki i izolatory

Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd r.

na dnie (lub w szczycie) pasma pasmo jest paraboliczne, ale masa wyznaczona z krzywizny niekoniecznie = m 0

m e vr =nh Model atomu Bohra

Liczby kwantowe elektronu w atomie wodoru

+ + Struktura cia³a sta³ego. Kryszta³y jonowe. Kryszta³y atomowe. struktura krystaliczna. struktura amorficzna

EFEKT HALLA W PÓŁPRZEWODNIKACH.

Wykład FIZYKA II. 14. Fizyka ciała stałego. Dr hab. inż. Władysław Artur Woźniak

Właściwości kryształów

Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

LABORATORIUM Z FIZYKI

Projekt FPP "O" Kosma Jędrzejewski

METALE. Cu Ag Au

półprzewodniki Plan na dzisiaj Optyka nanostruktur Struktura krystaliczna Dygresja Sebastian Maćkowski

Opracowała: mgr inż. Ewelina Nowak

Skończona studnia potencjału

Złącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy

Rekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja

Atomy wieloelektronowe

EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE

elektryczne ciał stałych

Dr inż. Zbigniew Szklarski

Dr inż. Zbigniew Szklarski

ZADANIE Co się dzieje z elektronami w atomie, a co w krysztale?

Cia!a sta!e. W!asno"ci elektryczne cia! sta!ych. Inne w!asno"ci

Laboratorium inżynierii materiałowej LIM

S. Baran - Podstawy fizyki materii skondensowanej Wiązania chemiczne w ciałach stałych. Wiązania chemiczne w ciałach stałych

Proste struktury krystaliczne

Fizyka Ciała Stałego. Struktura krystaliczna. Struktura amorficzna

Zasady obsadzania poziomów

WIĄZANIA. Co sprawia, że ciała stałe istnieją i są stabilne? PRZYCIĄGANIE ODPYCHANIE

Budowa atomów. Atomy wieloelektronowe Układ okresowy pierwiastków

Fizyka Ciała Stałego. Struktura krystaliczna. Struktura amorficzna

Fizyka 2. Janusz Andrzejewski

Atomy wieloelektronowe i cząsteczki

Różne dziwne przewodniki

Nanostruktury i nanotechnologie

Natężenie prądu elektrycznego

WŁASNOŚCI CIAŁ STAŁYCH I CIECZY

Instytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka

Elementy elektroniczne Wykłady 3: Półprzewodniki. Teoria złącza PN

Dr inż. Zbigniew Szklarski

Prawdopodobieństwo obsadzania każdego stanu jednoelektronowego określone jest przez rozkład Fermiego, tzn. prawdopodobieństwo, że stan o energii E n

ĆWICZENIE 39 WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYKI DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWEJ

Transkrypt:

Przewodność elektryczna ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki

Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności elektryczne trzeba zdefiniować kilka wielkości Oporność właściwa (albo przewodność) = 1/ = q n d [ Ω m ] [ Ω 1 m -1 = S/m ] ładunek koncentracja ruchliwość [ C ] nośników [m -3 ] nośników [ m 2 /(Vs)] Temperaturowy współczynnik oporności (jak zmienia się oporność w funkcji temperatury) = 1/d /dt [ Κ -1 ] Biorąc pod uwagę te własności możemy dokonać podziału materiałów na : izolatory, metale, półprzewodniki

Elektryczne własności ciał stałych Izolatory (w temperaturze pokojowej) w praktyce - nie przewodzą prądu elektrycznego. Ich oporność jest b. duża. Np. diament ma oporność większą od miedzi 10 24 razy Metale i półprzewodniki mają bardziej subtelne różnice między sobą: półprzewodniki mają większą oporność niż metale w półprzewodnikach oporność maleje wraz z temperaturą, w metalach oporność rośnie wraz z temperaturą półprzewodniki mają dużo mniejszą koncentrację nośników ładunku niż metale własność jednostka Mied ź(cu) Krzem (Si) metal połprzewodnik oporność Ω m 2 10-8 3 10 3 temp. wspó ł. oporności K -1 +4 10-3 -70 10-3 koncentracja nośników m -3 9 10 28 1 10 16

Poziomy energetyczne elektronów w kryształach model wy Poziomy energetyczne w atomach izolowanych Elektron w atomie wodoru przyjmuje tylko dyskretne wartości energii zależne od liczby kwantowej n W atomie wielo-elektronowym z uwagi na sąsiedzką obecność innych elektronów elektronu jest skwantowana, ale zależy od dwóch liczb kwantowych n i l widzimy to jako efekt rozszczepiania się poziomów energetycznych. E 4 E 3 E 2 E 1 Poziomy energetyczne elektronów, gdy zbliżamy dwa atomy do siebie Poziomy energetyczne dla elektronów rozszczepiają się (sytuacja gdy mamy jeden atom wielo-elektronowy) Liczba linii jest proporcjonalna do liczby atomów zbliżanych do siebie Odległość między atomami (sytuacja gdy zbliżamy dwa atomy do siebie )

Kryształy Cu i Si Kryształy - ciała stałe, których atomy są uporządkowane w trójwymiarowej strukturę zwaną siecią krystaliczną. Pomiędzy atomami dochodzi do oddziaływań, które tworzą wiązania pomiędzy nimi. Cu Si

Poziomy energetyczne elektronów w kryształach model wy pasma dozwolone pasma wzbronione Odległość między atomami Odległość między atomami Odległość między atomami Jak wyglądają poziomy energetyczne elektronów w krysztale? atomy są blisko siebie, oddziałują na siebie, funkcje falowe elektronów przekładają się wzajemenie obowiązuje zakaz Pauliego dla elektronów, (nie mogą one być w tych samych stanach kwantowych), musi więc dojść do zmian w sposobie rozłożenia energii elektronów okazuje się że poziomy energetyczne ulegają dalszemu rozszczepianiu się poziomów tych energetycznych jest bardzo dużo - odległości między nimi są jednak bardzo małe - tworzą więc one pasma dozwolone dla elektronów. (Ilość poziomów w jednym paśmie jest równa ilości atomów w krysztale) pomiędzy pasmami są jednak wartości energii zabronione dla elektronów w krysztale są tzw. pasma wzbronione pasma wzbronione pasma dozwolone

Izolatory Brak przepływu prądu elektrycznego gdy do przewodnika przykładamy napięcie Dla izolatora pasma energetyczne elektronów są całkowicie obsadzone (oprócz ostatniego) całkowicie puste aby mógł nastąpić przepływ prądu część wolnych elektronów musiałaby zwiększyć swoją energię jest to niemożliwe gdyż wszystkie poziomy obok są zajęte! Przerwa energetyczna pomiędzy ostatnimi pasmami jest duża (rzędu 3-5 ev) Istnieje b.małe prawdopodobieństwo, że elektron przeskoczy na wyższy poziom (do pasma przewodnictwa,gdzie mógłby stać się elektronem przewodnictwa w częściowo zapełnionym paśmie) E g izolator całkowicie zapełnione pasma przez elektrony Przykład: jakie jest prawdopodobieństwo przeskoku termicznego dla elektronu w temperaturze 300K do pasma przewodnictwa w diamencie (przerwa energetyczna 5.5 ev) Rozkład Boltzmana mówi nam, że : P = N x N 0 = e E x E 0 /kt E x E 0 kt = E g kt = 5.5V 8.62x110 5 ev / K 300K = 213 P = N x N 0 = e 213 3x10 93

Metale Przepływu prądu elektrycznego pojawia się wtedy, gdy do przewodnika przykładamy napięcie. Ruch swobodnych ładunków elektrycznych w przewodniku powoduje przepływ prądu Część elektronów jest w stanie poruszać się swobodnie w przewodniku-metalu (są tzw. elektrony przewodnictwa) są to elektrony zwykle z zewnętrznych powłok atomów, dość luźno związane z tymi atomami. częściowo zapełnione przez elektrony E F W metalach elektrony nie wypełniają całkowicie ostatniego poziomu istnieje możliwość że elektrony mogą zwiększać swoją energię przechodząc na bliskie wyższe poziomy w paśmie dając w ten sposób przyczynek do przepływu prądu elektrycznego W temp. T = 0 K elektrony obsadzają możliwie najniższe poziomy energetyczne. Wtedy ich max. nazywana jest poziomem Fermiego metal

Metale jak są obsadzane stany energetyczne? Ile jest stanów energetycznych dla poszczególnych przedziałów wartości energii? Jaka jest gęstość stanów energetycznych? Ilość stanów przypadająca na przedział energii de i na jednostkę objętości N E = 8 2 m 3/ 2 h 3 E 1/2 Jakie jest prawdopodobieństwo że elektron ma energię E? Trzeba brać pod uwagę, to że elektrony muszą spełniać zasadę Pauliego nie mogą być jednocześnie w tym samym stanie kwantowym Rozkład elektronów względem wartości energii podlega statystyce Fermiego-Dirac'a: N E E To wrażenie otrzymuje się na gruncie fizyki kwantowej (licząc liczbę możliwych fal stojących materii dla elektronów w próbce metalu) P E = 1 e E E F/kT 1

Rozkład Fermiego-Dirac'a Jakie jest prawdopodobieństwo że elektron ma energię E? gdy T =0 1 P E P E = 1 e E E F/kT 1 0,5 E E F Energia Fermiego E F jest energią takiego stanu elektronu,którego prawdopodobieństwo obsadzenia jest równe 0.5 gdy T >0 1 P E 0,5 E E F

Zajętość stanów Ile stanów o energii E jest zajęte? gdy T =0 N zajęte E N zajęte E = P E N E E E F Dla metali (poziom) Fermiego przypada w obrębie pasma dozwolonego gdy T >0 N zajęte E E E F E F E F Fermiego przypada w obrębie pasma wzbronionego Dla izolatorów (poziom)

Półprzewodniki samoistne Półprzewodniki mają podobną budowę wą do izolatorów Ale przerwa energetyczna jest dużo mniejsza niż w przypadku izolatorów (dla krzemu Eg = 1.1 ev) Jest o bardziej prawdopodobne, że elektron może przeskoczyć tą barierę w odpowiednio wysokiej temperaturze! swobodne elektrony przewodnictwa przewodnictwa walencyjne całkowicie puste E g całkowicie zapełnione pasma przez elektrony półprzewodnik samoistny przeskok dziury półprzewodnik samoistny E g walencyjne swobodne elektrony w paśmie przewodnictwa dają wkład do przewodności dziury po elektronach w paśmie walencyjnym też dają wkład do przewodności jako poruszające się ładunki dodatnie!!! Koncentracja tych nośników jest stosunkowo niewielka więc przewodność półprzewodników jest dużo mniejsza niż metali

Półprzewodniki domieszkowane Typ n (negative) Atomy Si tworzą sieć krystaliczną za pomocą wiązań kowalencyjnych (wiazanie Si-Si polega na uwspólnieniu dwóch elektronów). Każdy atom Si uwspólnia 4 elektrony do wiązań kowalencyjnych, jego stan walencyjny wynosi +4 +5 P Dodatkowy elektron może oddać 4 elektrony walencyjne aby być w idealnej konfiguracji elektronowej neonu patrz układ okresowy pierwiastków Jeśli jeden atom Si zostanie zastąpiony przez atom P (fosfór), który ma walencyjność +5 wówczas tworząc wiązania z atomami Si pozostanie mu luźny elektron Ten luźny elektron daje wkład do przewodnictwa elektrycznego Mówimy że P jest donorem

Półprzewodnik typu n przewodnictwa elektrony biorące udział w przewodnictwie elektrony od donorów przeskok E g walencyjne półprzewodnik typu n elektrony biorące udział w przewodnictwie W odpowiednio wyższej temp. na skutek wzbudzeń termicznych pewna część elektronów przeskoczy z pasma walencyjnego do przewodnictwa przeskok nośnikami większościowymi prądu są tutaj elektrony w paśmie przewodnictwa

Półprzewodniki domieszkowane Typ p (positive) Jeśli jeden atom Si zostanie zastąpiony przez atom Al (aluminium), który ma walencyjność +3, wówczas tworząc wiązania z atomami Si pozostanie luka- dziura w jednym wiązaniu z Si +4 Si +3 Al Tą lukę mogą zapełnić inne elektrony (od krzemu) które nie tworzą wiązań kowalencyjnych Dziury można traktować jako ładunki swobodne dodatnie (w przeciwieństwie do elektronów, które mają ładunek ujemny) i to one dają wkład do przewodności tego półprzewodnika Atom Al nazywany jest akceptorem dziura

Półprzewodnik typu p przewodnictwa E g dziury od akceptorów walencyjne przeskok dziury biorące udział w przewodnictwie półprzewodnik typu p W odpowiednio wyższej temp. pewna część elektronów przeskoczy z pasma walencyjnego do przewodnictwa przeskok nośnikami większościowymi prądu są tutaj dziury w paśmie walencyjnym dziury biorące udział w przewodnictwie