Podstawowe konstrukcje tranzystorów bipolarnych

Podobne dokumenty
Wzmacniacze tranzystorowe prądu stałego

WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ Instytut Fizyki LABORATORIUM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI, ELEKTRONIKI I MIERNICTWA

Podstawowe konfiguracje wzmacniaczy tranzystorowych

Podstawowe konfiguracje wzmacniaczy tranzystorowych

należą do grupy odbiorników energii elektrycznej idealne elementy rezystancyjne przekształcają energię prądu elektrycznego w ciepło

LABORATORIUM ELEKTRONIKI

Notatki z II semestru ćwiczeń z elektroniki, prowadzonych do wykładu dr. Pawła Grybosia.

II.6. Wahadło proste.

ĆWICZENIE 4 CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Rys. 1. Oznaczenia tranzystorów bipolarnych pnp oraz npn

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

* ZESTAW DO SAMODZIELNEGO MONTAŻU *

WYKŁAD 11 OPTYMALIZACJA WIELOKRYTERIALNA

Pracownia pomiarów i sterowania Ćwiczenie 3 Proste przyrządy elektroniczne

Wzmacniacze. Klasyfikacja wzmacniaczy Wtórniki Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz operacyjny

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego.

Graf skierowany. Graf zależności dla struktur drzewiastych rozgrywających parametrycznie

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający

Ć wiczenie 7 WZMACNIACZ OPERACYJNY

Wykład Półprzewodniki

PRĄD ELEKTRYCZNY I SIŁA MAGNETYCZNA

ELEKTRONIKA ELM001551W

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

MIERNICTWO WIELKOŚCI ELEKTRYCZNYCH I NIEELEKTRYCZNYCH

INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA

Wydział Elektryczny. Temat i plan wykładu. Politechnika Białostocka. Wzmacniacze

Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY

Układy zasilania tranzystorów

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie

Badanie tranzystora bipolarnego

2 Dana jest funkcja logiczna w następującej postaci: f(a,b,c,d) = Σ(0,2,5,8,10,13): a) zminimalizuj tę funkcję korzystając z tablic Karnaugh,

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

11. DYNAMIKA RUCHU DRGAJĄCEGO

23 PRĄD STAŁY. CZĘŚĆ 2

Tester elementów elektronicznych MK-168

Prawo Gaussa. Potencjał elektryczny.

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY

WZMACNIACZ OPERACYJNY. Podstawowe właściwości wzmacniaczy operacyjnych. Rodzaj wzmacniacza Rezystancja wejściowa Rezystancja wyjściowa

M328 tester elementów elektronicznych

Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego

Podstawowe konfiguracje wzmacniaczy tranzystorowych. Klasyfikacja wzmacniaczy. Klasyfikacja wzmacniaczy

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET

BADANIE SILNIKA WYKONAWCZEGO PRĄDU STAŁEGO

Wzmacniacz operacyjny

PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ

. Diody, w których występuje przebicie Zenera, charakteryzują się małymi, poniŝej 5V, wartościami napięcia stabilizacji oraz ujemną wartością α

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

Wzmacniacze operacyjne

Wykład 2 Projektowanie cyfrowych układów elektronicznych

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Elementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne

Liniowe układy scalone. Wykład 4 Parametry wzmacniaczy operacyjnych

Modelowanie przepływu cieczy przez ośrodki porowate Wykład III

Wzmacniacze operacyjne

A. POMIARY FOTOMETRYCZNE Z WYKORZYSTANIEM FOTOOGNIWA SELENOWEGO

EUROELEKTRA. Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej. Rok szkolny 2012/2013. Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia

ι umieszczono ladunek q < 0, który może sie ι swobodnie poruszać. Czy środek okregu ι jest dla tego ladunku po lożeniem równowagi trwa lej?

Tranzystor bipolarny

2. Który oscylogram przedstawia przebieg o następujących parametrach amplitudowo-czasowych: Upp=4V, f=5khz.

Tranzystory. bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory

BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO

KINEMATYCZNE WŁASNOW PRZEKŁADNI

Aktywny rozdzielacz zasilania x3 LM317

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE

8. PŁASKIE ZAGADNIENIA TEORII SPRĘŻYSTOŚCI

Liniowe układy scalone. Budowa scalonego wzmacniacza operacyjnego

Pomiar podstawowych parametrów liniowych układów scalonych

Układy nieliniowe - przypomnienie

Tranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI TRANZYSTOR BIPOLARNY

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2

Systemy i architektura komputerów

Politechnika Białostocka

Wzmacniacze operacyjne

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

Mechanika ogólna. Więzy z tarciem. Prawa tarcia statycznego Coulomba i Morena. Współczynnik tarcia. Tarcie statyczne i kinetyczne.

Wiadomości podstawowe

POLE MAGNETYCZNE W PRÓŻNI. W roku 1820 Oersted zaobserwował oddziaływanie przewodnika, w którym płynął

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5

Tranzystory bipolarne

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

Zasada działania tranzystora bipolarnego

TRANZYSTORY BIPOLARNE SMK WYKŁAD

Przygotowanie do Egzaminu Potwierdzającego Kwalifikacje Zawodowe

SK-7 Wprowadzenie do metody wektorów przestrzennych SK-8 Wektorowy model silnika indukcyjnego, klatkowego

Dwukierunkowy przekształtnik DC/AC/DC z izolacją galwaniczną i rezonansem szeregowym

REZONATORY DIELEKTRYCZNE

A-4. Filtry aktywne RC

ZAPOROWY QUASI REZONANSOWY PRZEKSZTAŁNIK PODWYŻSZAJĄCY NAPIĘCIE

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 2. ELEMENTARNE UKŁADY ELEKTRONICZNE (Wzmacniacz i inwerter na tranzystorze bipolarnym)

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC

WZMACNIACZE RÓŻNICOWE

TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A)

Transkrypt:

Tanzystoy

Podstawowe konstukcje tanzystoów bipolanych Zjawiska fizyczne występujące w tanzystoach bipolanych, a w związku z tym właściwości elektyczne tych tanzystoów, zaleŝą od ich konstukcji i technologii wykonania. Analiza wielu zjawisk, a szczególnie zjawisk o chaakteze dwuwymiaowym, wymaga więc odniesienia do konketnej konstukcji tanzystoa. Niemal wszystkie współczesne tanzystoy bipolane wytwaza się technologią epiplananą. Na następnym ys.1 pzedstawiono pzekoje typowych stuktu tanzystoów wytwozonych technologią epiplananą: tanzystoa dysketnego (ys.1a) oaz monolitycznego, tj. wykonanego w układzie scalonym (ys. 1b). Mimo pewnych widocznych óŝnic między budową obu tanzystoów, mają one identyczną podstawową stuktuę n+ -p-n-n+, odpowiadającą wycinkowi zeczywistej stuktuy tanzystoa, wykonanemu w kieunku postopadłym do powiezchni płytki. Stuktua jednowymiaowa n+ -p-n-n+ (ys. 1c), taktowana w uposzczeniu jako stuktua n-p-n (ys.1d), stanowi podstawę modeli uposzczonych, tj. takiego opisu działania tanzystoa, w któym uwzględnia się tanspot nośników tylko w kieunku postopadłym do powiezchni płytki. W zeczywistości pądy płyną ównieŝ pzez powiezchnie boczne złączy; w szczególności w tanzystoze monolitycznym, ze względu na połoŝenie wszystkich elektod na jednej powiezchni płytki, pądy płyną w kieunku ównoległym do powiezchni płytki. Dlatego w analizie niektóych właściwości tanzystoa bipolanego tzeba uwzględniać zjawiska dwuwymiaowe. K.M.Gawylczyk 2

Podstawowe konstukcje tanzystoów bipolanych K.M.Gawylczyk 3

Podstawowe konstukcje tanzystoów bipolanych Podstawowe znaczenie dla sposobu działania tanzystoa ma ozkład koncentacji domieszek, któy dla obu ozwaŝanych odzajów tanzystoów, w pzybliŝeniu jednowymiaowym, ma kształt pokazany na ys. 2. K.M.Gawylczyk 4

Zakesy pacy i układy pacy tanzystoów w bipolanych Podstawowa teminologia oaz zasady znakowania pądów i napięć, stosowanych w dalszych ozwaŝaniach. Istnieją cztey kombinacje polayzacji złączy E-B, B-C; a więc moŝna mówić o czteech zakesach pacy tanzystoa - zakes aktywny nomalny; - zakes nasycenia; - zakes zatkania; - zakes aktywny inwesyjny. K.M.Gawylczyk 5

Zakesy pacy i układy pacy tanzystoów w bipolanych Dla uposzczenia zakes aktywny nomalny będziemy ównieŝ nazywać zakesem nomalnym, a zakes aktywny inwesyjny - zakesem inwesyjnym. Tanzysto, tj. element tójkońcówkowy, włączony jako czwónik, moŝe pacować w jednym z tzech układów: - układ ze wspólną bazą (WB) - wejście E, B; wyjście B, C; - układ ze wspólnym emiteem (WE) - wejście B, E; wyjście E, C; - układ ze wspólnym kolektoem (WC) - wejście B, C; wyjście C, E. K.M.Gawylczyk 6

Zakesy pacy i układy pacy tanzystoów w bipolanych Pzyjmujemy następujący sposób znakowania pądów i napięć: pądy wpływające do tanzystoa, mają znak dodatni, a napięcia polayzujące złącza E-B, B-C mają znak dodatni pzy pacy złączy w kieunku pzewodzenia. PoniewaŜ U xy =U x -U y, więc np. dla tanzystoa n-p-n pacującego w zakesie aktywnym nomalnym: UBE > 0, UBC < 0, pądy zaś: IE < 0, IC > 0, IB> 0. Odpowiednio dla tanzystoa p-n-p pacującego w zakesie aktywnym nomalnym: UEB>O, UCB<0 oaz IE>0, IC<0, IB<0. Wszystkie ozwaŝania podane tutaj, odnoszą się bezpośednio do tanzystoa n-p-n, chociaŝ w sensie ogólnym są one słuszne ównieŝ dla tanzystoa p-n-p. Poszczególne modele, wyaŝenia analityczne itp. moŝna z łatwością odnieść do tanzystoa p-n-p po odpowiednich zmianach fomalnych dotyczących znaków pądów, napięć i odzaju nośników. K.M.Gawylczyk 7

Modele fomalne tanzystoów Tanzysto w dowolnym układzie włączenia moŝna pzedstawić pzy pacy małosygnałowej jako czwónik liniowy, któego właściwości są opisane zaleŝnościami liniowymi pądów i napięć wejściowych i wyjściowych. Spośód sześciu moŝliwych pa ównań czwónika istotne znaczenie paktyczne mają tzy pay ównań: u = z i + z i 1 11 1 12 2 u = z i + z i 2 21 1 22 2 i = y u + y u 1 11 1 12 2 i = y u + y u 2 21 1 22 2 u = h i + h u 1 11 1 12 2 i = h i + h u 2 21 1 22 2 K.M.Gawylczyk 8

Modele fomalne tanzystoów K.M.Gawylczyk 9

Modele fomalne tanzystoów K.M.Gawylczyk 10

Model tanzystoa w.cz. K.M.Gawylczyk 11

Chaakteystyki tanzystoów w bipolanych K.M.Gawylczyk 12

ezystancja wejściowa BE U BE I I = BE = = B B U const CE Pzy pądach bazy 100µA do 100nA otzymuje się ezystancje wejściowe od 400Ω do 400kΩ. Współczynnik tempeatuowy: U T BE I B =const = mv 2... 3 o C K.M.Gawylczyk 13

ezystancja wyjściowa Typowe watości ezystancji wyjściowej to: 10kΩ do 1MΩ. Statyczny B i dynamiczny β współczynnik wzmocnienia pądowego : I I C C B =, β = I B I B U =const CE K.M.Gawylczyk 14

Układ ze wspólnym emiteem Wzmocnienie napięciowe k u 2 = = 1 BE 2 C CE 1 BE CE ezystancja wejściowa: = ezystancja wyjściowa: = C β K.M.Gawylczyk 15

Analiza układu ze wspólnym emiteem I = β I = u C 2 b B 2 = = β BE ( ) 1 U = U I = I = β C C C C C 1 BE wzmocnienie napięciowe układu wynosi: k β C 1 BE pzy duŝych watościach tzeba uwzględnić. C CE K.M.Gawylczyk 16

Analiza układu ze wspólnym emiteem U U du = di + du BE BE BE B CE I B U U CE I CE CE I I di = di + du C C C B CE I B U U CE I du = di + k du BE BE B f CE di = β di + 1 du C B CE CE du h h di BE 11e 12e B = di h h du C 21e 22e CE B B K.M.Gawylczyk 17

Układ ze wspólnym emiteem i spzęŝ ęŝeniem napięciowym Wzmocnienie napięciowe: 1 1 k k 1 C CE = +, gdzie: k ' u = β, u u N BE ' N ezystancja wejściowa: 1 = 1 + BE 1, ku k ezystancja wyjściow a: =, gdzie : g =. ' C CE u 2 ' g ku K.M.Gawylczyk 18

Układ ze wspólnym emiteem i spzęŝ ęŝeniem zwotnym pądowym Wzmocnienie napięciowe: 1 1 β k E C = +, gdzie: k ' u = u ku C BE ezystancja wejściowa: = + β ' 1 BE E ezystancja wyjściowa: = ' 2 C., CE, K.M.Gawylczyk 19

Polayzacja układu ze wspólnym emiteem z dzielnikiem napięciowym Wzmocnienie dyftowe: k D = k U ezystancja wejściowa : = 1 1 2 BE JeŜeli I =const., to : C BE mv 2 o C K.M.Gawylczyk 20

Polayzacja układu ze wspólnym emiteem stałym pądem bazy I B I B C = IC β 1 U U U = I I b BE b B B W ten sposób nie powstaje dyft tempeatuowy. I BI + BI C B CB0 Dla tanzystoów gemanowych I B I CB0 duŝy dyft. K.M.Gawylczyk 21

Polayzacja układu ze wspólnym emiteem ze spzęŝ ęŝeniem zwotnym napięciowym Wzmocnienie dyftowe: k D C = = 1+ N BE 1 Pzy małych ezystancjach, : U N 1 C = 1+ N 1 U BE ezystancja wejściowa: N 1 = BE 1 k u JeŜeli ezystancja źódła nie jest 1, to występuje spzęŝenie zwotne dla napięć zmiennych. ź Watości pojemności zaleŝą od f : f min = 1 2π C 1 1 min (bez uwzględnienia ezystancji źódła). K.M.Gawylczyk 22

Polayzacja układu ze wspólnym emiteem ze spzęŝ ęŝeniem zwotnym pądowym Wzmocnienie dyftowe: D C = Wzmocnienie dla pądów zmiennych: 1 1 1 jω C 1 1 k k k C E = + + ' u u C u jω E C k BE C E K.M.Gawylczyk 23

Układ ze wspólnym kolektoem (wtónik emiteowy) Wzmocnienie napięciowe: du di = = βdi 1 du di k u 2 C B 2 E CE B = du du 1 2 BE du 1 1 d U β 2 BE = = ( ) 1 E CE ezystancja wejściowa: = + β β 1 BE E E ezystancja wyjściowa: BE + g 2g = E 0, g - ezystancjaźód ła. β K.M.Gawylczyk 24

Polayzacja układu ze wspólnym kolektoem ezystancja wejściowa : = + β ( ) 1 BE E 1 2 K.M.Gawylczyk 25

Zwiększenie ezystancji wejściowej układu ze wspólnym kolektoem Wzmocnienie napięciowe wtónika dla napięć zmiennych: u2 BE = 1 u β ( ) 1 E CE Napięcie na : u BE 3 1 β ( E CE ) ( ) ' 1 E CE 3 3 i3 B E 3 "Zwiększenie" ezystancji : = u β = = u 3 K.M.Gawylczyk 26

Wzmocnienie pądowe: Układ ze wspóln lną bazą i C = = α = 2 C C CE C CE C = = = β β 1 B BE BE BE 1 B E C CE 2 C C BE 1 C BE = 1 = + di E β C CE I β I β + 1 Wzmocnienie napięciowe (jak dla WE): k u I ( ) I ezystancja wejściowa: du d I =, di d I, du du = di du 1 1 BE C 1 = β C CE BE β ezystancja wyjściowa: = k E 2 C CE 1 K.M.Gawylczyk 27

Polayzacja układu ze wspóln lną bazą Ustalanie punktu pacy za pomocą napięciowego spzęŝenia zwotnego Ustalanie punktu pacy za pomocą pądowego spzęŝenia zwotnego K.M.Gawylczyk 28

Wzmocnienie óŝnicowe: Wzmacniacze óŝnicowe k = = = β gdzie: U = U U 22 21 C CE u 11 12 2BE Wzmocnienie sygnału wspólnego: k us U U + U = = =, gdzie: U = U u E G β k us BE 21 22 C 11 12 S S S 2 E 2 Współczynnik tłumienia sygnału wspólnego: k = ezystancja wejścia óŝnicowego: = = = i11 i12 S S S = = = I11 I12 2 2β BE ezystancja wejścia wspólnego: ezystancja wyjściowa: E = 2 C CE 1 I E Pąd polayzacji wejścia: I B = ( I11 + I12 ) = 2 2B K.M.Gawylczyk 29

Wzmacniacze óŝnicowe waianty układ adów K.M.Gawylczyk 30

Układy kaskodowe Wzmocnienie napięciowe: k u 2 C = = β1 1 BE1 ezystancja wejściowa: 1 BE1 ezystancja wyjściowa: = = 2 C K.M.Gawylczyk 31

Układ Dalingtona Współczynnik wzmocnienia pądowego: ezystancja wejściowa: ezystancja wyjściowa: ' BE ' CE = 2 = BE1 CE2 2 β CE1 2 ' β = β β 1 2 K.M.Gawylczyk 32